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CAPTULO 3

MODELOS DE PEQUEA SEAL

3.1

MODELO DE PEQUEA SEAL DE UNA UNIN PN

En la Figura 24 se representa un diodo que se polariza con dos fuentes de alimentacin, una

genera una diferencia de potencial constante entre sus extremos y la otra una diferencia de
potencial variable con el tiempo y de media cero. Las fluctuaciones de tensin generadas por esta
fuente son, por hiptesis, muy pequeas. Si se polarizara el diodo slo con la primera fuente, la
corriente que circulara sera la dada por la caracterstica esttica (ver Figura 25). Sin embargo, al
existir el segundo generador, la corriente flucta con el tiempo alrededor de este valor de equilibrio.
El modelo de pequea seal del diodo permite calcular estas fluctuaciones.

Figura 24: Superposicin de una pequea seal a la tensin de polarizacin del diodo.

Para calcular estas fluctuaciones se va a suponer, en primera instancia, que la tensin de

polarizacin fluctuante cambia lentamente con el tiempo, de forma que la caracterstica esttica
describe bien el comportamiento del dispositivo. Puesto que lo que se pretende es calcular las
fluctuaciones alrededor del punto de equilibrio (el valor de corriente constante no interesa), resulta

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conveniente hacer un cambio de ejes coordenados cuyo origen coincide con el punto de
polarizacin (ver Figura 25). Si las fluctuaciones son de amplitud pequea no se comete un error
apreciable si en vez de considerar la curva caracterstica se toma la recta tangente a ella en el punto
de polarizacin. En definitiva, lo que se obtiene es una relacin lineal entre la componente
fluctuante de corriente y la componente fluctuante de la tensin de polarizacin, por lo que el
modelo de pequea seal del diodo es una conductancia, g, de valor la pendiente de la curva
caracterstica en el punto de polarizacin (resistencia de valor 1/g).

Figura 25: Oscilaciones de pequea seal en el diodo.

El valor de la pendiente en el punto de polarizacin se puede obtener mediante

diferenciacin de la caracterstica esttica
Ecuacin 36. Parmetro de conductancia de pequea seal del diodo.

g=

di D
I
Io eVD / VT
| v =VD =
D
D
dv D
VT
VT

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donde ID y VD son la corriente y tensin en el punto de polarizacin del diodo (valor de corriente y
tensin del diodo si la fuente alterna de pequea seal se anula). La aproximacin que se hace en la
ecuacin anterior es vlida si el diodo est fuertemente polarizado en directa ( eVD / VT >> 1 ). La
corriente gv representa la corriente fluctuante que atraviesa el dispositivo, cuya conductividad es g,
debido a los cambios de tensin en torno al punto de polarizacin.
Si la tensin de polarizacin fluctuante cambia rpidamente con el tiempo, el modelo de
pequea seal del diodo se complica. Al trmino esttico de la Ecuacin 24 que en pequea seal
se modela por la conductancia g, hay que aadir en paralelo la capacidad de difusin y de
transicin. Ambas se evalan en el punto de polarizacin (CT = CT(VD) y CD = CD(VD)) y en
pequea seal se consideran constantes. En la figura siguiente se muestra el modelo completo de
pequea seal del diodo. La resistencia Ro se incluye en el modelo porque en las regiones neutras,
la conductividad, aunque es alta, no es infinita, y hay cadas de tensin proporcionales a las
corrientes que circulan por las mismas. El valor tpico de Ro es del orden de algunos ohmios. La
capacidad de difusin suele ser mucho mayor que la de transicin para tensiones de polarizacin
directas mientras que ocurre lo contrario para tensiones de polarizacin inversas.

Figura 26: Modelo de pequea seal del diodo.

3.2

MODELO DE PEQUEA SEAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR

3.2.1 Modelo en
En la Figura 27 se representa el modelo en de pequea seal de un transistor bipolar.
Las resistencias rbb' y rc'c modelan las cadas de tensin en las regiones neutras de la base y del

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colector, respectivamente. La estructura de un transistor real es como la representada en la Figura

28, donde se ha indicado de manera explcita las regiones fsicas del semiconductor, responsables
de las resistencias anteriores. La regin neutra del emisor se podra modelar tambin mediante una
resistencia, pero al ser muy pequea su longitud y muy alto su dopado, esta resistencia es
despreciable respecto de las otras dos. La resistencia rbb' se conoce como resistencia de dispersin
de la base, surge por el camino que tiene que recorrer la corriente de la base desde el terminal
externo B hasta la regin activa de la misma (punto B' en la figura) y tiene especial importancia
porque la tensin que amplifica el dispositivo no es la aplicada externamente, sino vb'e. El efecto
elctrico es una reduccin de la ganancia.

Figura 27. Modelo hbrido en de pequea seal

El resto de componentes del circuito corresponden con lo que fsicamente ocurre en las
dos uniones y en la regin activa de la base. Entre los nodos B'-E y B'-C' nos encontramos las
uniones de emisor y colector, respectivamente. Por tanto, las ramas elctricas equivalentes se
corresponden con los modelos de pequea seal de un diodo, es decir, un condensador y una
resistencia en paralelo. En la regin activa de funcionamiento, la unin de emisor est polarizada en
directa y la unin de colector en inversa. Por tanto, rb'e es mucho menor que rb'c'. Un valor tpico
para la primera es 1K y para la segunda decenas de M. Sin embargo, Cb'e ser mucho ms
grande que Cb'c' ya que el exceso de portadores de la base se carga y descarga en mayor medida a
travs de la unin del emisor17.

17

En la unin de emisor, polarizada en directa, tiene gran peso la capacidad de difusin. Mientras, en la unin de
colector, polarizada en inversa, la capacidad de difusin es mucho menor.

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Figura 28. Resistencias serie de los terminales del BJT

Al variar la tensin vb'e, vara la corriente a travs de la unin de emisor, que por efecto
transistor llega hasta el colector. Por ello es necesario una fuente de corriente entre el colector
(nodo C') y el emisor que dependa de la tensin Vb'e. El parmetro gm, que tiene dimensiones de
1 , se llama transconductancia y es el parmetro ms importante cuando se utiliza el transistor

como amplificador. Por ltimo, como se observa en la caracterstica de salida en emisor comn
(Figura 22.(a)), por efecto Early, en regin activa, al variar la tensin VCE aumenta levemente la
corriente de colector. Este efecto se puede modelar mediante una resistencia rc'e entre colector y
emisor. Un valor tpico de esta resistencia es 100K.
A continuacin y a modo de ejemplo de clculo de los parmetros de pequea seal vamos
a obtener el valor de la transconductancia. Realizaremos las siguientes aproximaciones, que en la
prctica suelen ser razonables:

Las resistencias rbb' y rc'c' son muy pequeas y pueden considerarse como cortocircuitos.

Consideraremos que las tensiones variarn con una frecuencia suficientemente baja para
que los condensadores se comporten como circuitos abiertos. Este hecho no tendr ninguna
influencia en el resultado final que obtengamos.

Puesto que rb'c' es de valor elevado se considerar un circuito abierto.

Si ahora cortocircuitamos los terminales C y E, el circuito de pequea seal quedar como

en la Figura 29, de donde es inmediato comprobar que gm=ic0/vbe, siendo ic0 la corriente de colector

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cuando ste esta cortocircuitado con el emisor. Teniendo en cuenta que las variables de pequea
seal son pequeos incrementos entorno el punto de polarizacin, el cociente anterior se puede
expresar mediante
Ecuacin 37. Definicin de la transconductancia del transistor bipolar
gm =

iC
di
= C
v BE dv BE

vCE

es cons tan te

En la Ecuacin 37 se toma derivada parcial porque en la definicin de gm se consider

cortocircuito en la salida, es decir, vce=0, lo que significa que la variable de gran seal vCE es
constante18. Si realizamos la derivada de la expresin de iC dada en la Ecuacin 31 obtenemos
gm =

I ES e vBE / VT
VT

vBE =VBE

. En la mayora de los casos de polarizacin activa la exponencial de la

expresin anterior es mucho mayor que la unidad y se puede concluir que

Ecuacin 38. Valor de la transconductancia del transistor bipolar en activa
gm =

IC
VT

Figura 29. Modelo aproximado utilizado para la definicin de la transconductancia

18

En este apartado y en lo sucesivo se ha asumido el siguiente convenio: las variables de pequea seal se denotan por
la letra y el subndice minscula (Ej: ic, vbe, ... ), las variables globales o de gran seal con la letra en minscula y los
subndices en mayscula (Ej: vCE, iE, ... ) y los puntos de polarizacin con todo en mayscula (Ej: IC, IB, ... )

71

3.2.2 Modelo hbrido o de parmetros h

Figura 30. Modelo de pequea seal de parmetros h

La obtencin rigurosa del modelo en de apartados anteriores requiere la utilizacin de
tcnicas de teora de circuitos que le quita al procedimiento la intuicin fsica que pudiera tener. Sin
embargo, la obtencin matemtica del modelo con parmetros h es ms inmediata y en el
procedimiento se pone de manifiesto el significado y las limitaciones de los modelos de pequea
seal. Partimos de las caractersticas estticas de entrada y salida en emisor comn que se vieron en
el apartado 2.5, es decir, las relaciones
Ecuacin 39. Caractersticas estticas de emisor comn
v BE = v BE (i B , vCE )
iC = iC (i B , vCE )

Dado el punto de polarizacin (IB,VCE) del dispositivo, aproximamos las superficies no

planas dadas en la Ecuacin 39 por el plano tangente a las superficies en el punto de polarizacin.
Matemticamente el plano tangente se obtiene desarrollando por Taylor las relaciones de la
Ecuacin 39 y despreciando los trminos de orden mayor que uno. Es decir,
Ecuacin 40. Aproximacin de las caractersticas por un plano
v BE
v
(i B I B ) + BE (v CE VCE )
i B
vCE
i
i
iC iC (i B , vCE ) + C (i B I B ) + C (v CE VCE )
vCE
i B

v BE v BE ( I B , VCE ) +

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Para que la aproximacin de la Ecuacin 40 sea buena es necesario que la desviacin de

las variables de gran seal iB y vCE, respecto del punto de polarizacin, sea muy pequea.
Teniendo en cuenta que vBE(IB,VCE)=VBE e iC(IB,VCE)=IC y recordando que las variables de pequea
seal se definen como la diferencia entre la variable de gran seal y el punto de polarizacin (Ej:
ib=iB-IB, vbe=vBE-VBE, ... ), a partir de la Ecuacin 40 se llega al modelo con parmetros h
Ecuacin 41. Modelo de pequea seal de parmetros h

vbe = hie ib + hre vce

ic = h fe ib + hoe vce
donde los parmetros h se definen como
Ecuacin 42. Definicin de los parmetros del modelo h

v
v BE
VT
|Q be |vce =0
ib
i B
IC
iC
ic
h fe =
|Q |vce =0
i B
ib

hie =

v
v BE
|Q be |ib =0
vCE
vce
iC
i
hoe =
|Q c |ib =0
vCE
vce
hre =

VT
VA
IC
VA

En las definiciones de los parmetros h dadas en la Ecuacin 42 , la letra Q indica que las
derivadas parciales se evalan en el punto de polarizacin, es decir, iB=IB y vCE=VCE. Ntese
adems que las derivadas pueden aproximarse por el cociente de las variables de pequea seal y
que las condicin de considerar constante la variable de gran seal (implcita en la definicin de
derivada parcial) es equivalente a anular la correspondiente variable de pequea seal (Ej.: vCE es
constante equivale a que vce=0). El conjunto de ecuaciones dado por la Ecuacin 41 es equivalente
al circuito de la Figura 30. Valores tpicos son: hie=1K, hre=10-4, hfe=100 y h-1oe=80K.
3.2.3 Clculo de los parmetros de pequea seal

Ambos modelos, en y con parmetros h, representan al mismo dispositivo fsico. Por

tanto sus parmetros estn relacionados por las expresiones

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Tabla 1. Relacin de los parmetros de los dos modelos

hfe=gmr be

h ie=r bb+r be

hre= r be/ r bc

h oe= 1/r ce+ (1+hfe) / r bc

Los parmetros de pequea seal dependen fuertemente del punto de polarizacin del
dispositivo. Expresiones aproximadas son:

Tabla 2. Parmetros del modelo en en funcin del punto de polarizacin

IC
VT
VA

IC

gm
rb 'c '

VT
IC
VA

IC

rb 'e '
rc 'e '

A modo de ejemplo obtengamos los parmetros hie y hfe en funcin de los parmetros del
modelo en . De la Ecuacin 42 se observa que hie=vbe/ib cuando vce=0. Si cortocircuitamos la
salida del modelo en y consideramos que rb'c es un circuito abierto, el circuito restante queda
como en la Figura 31. Por tanto, hie=(vbe / ib)=r b'b+r b'e. Aplicando la definicin de hfe obtenemos:
hfe =ic/ib}=gmvb'e /ib= gmibr b'e/ib=gmr b'e

Figura 31. Circuito en usado para establecer la relacin entre parmetros