UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

E.A.P DE INGENIERIA ELECTRONICA
DOCENTE

Rmulo Miguel Ato

PRESENTADO POR

VIDAL BUIZA IVAN

12190203

ASIGNATURA

Circuitos Electrnicos I

TEMA

El Transistor Aplicaciones

NUMERO DE INFORME:

LIMA PERU
2015

EXPERIMENTO N06
EL TRANSISTOR APLICACIONES
I.-INTRODUCCION
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 v para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor comn

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor,
RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por
la siguiente expresin:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces
tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

. Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

entrada), y la parte

es constante (no depende de la seal de

nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la

seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,

,
Que aproximamos por

.
Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir

:
y la impedancia de entrada:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor

ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la
ganancia aproximada siguiente:

.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga.
Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la
fuente de seal.

II.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1.-Multimetro
2.-Un miliampermetro
3.- Un micro ampermetro
4.-Un voltmetro de C.C
5.-Un transistor
6.-Un osciloscopio
7.-Resistores

8.-Condensadires
10.-Una fuente de CC variable
11.- Cables conectores (tres coaxiales)
12.-Un potencimetro

III.-PROCEDIMIENTO

RESISTENCIA
BASE-EMISOR
BASE-COLECTOR
COLECTOR-EMISOR

DIRECTA()
1191
1107
>1.5m

INVERSA()
>40M
>40M
>40M

1.-Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el
(PI=0)
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre la base-emisor (Vbe, y
entre emisor-tierra (Ve)
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a)y (b)
Y anotar los datos en la Tabla 3(por ajuste de P1)
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K,250 K,500 K y 1M.. Obsrvese
lo que sucede con las corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla.
3.-Ajustar el generador de seales a 50 mv-pp, 1K Hz, onda senoidal. Observar
la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4

TABLA 2
Valores(R1=47K
)
Tericos
Medidos

Ic(mA)

Ib(A)

10 mA
10 mA

19 A
19 A

Vce(v)

Vbe(v)

Ve(v)

3.2 v
3.307v

0.62 v
0.667v

2v
2.047v

TABLA 3
Valores(R11=70K) Ic(mA)
Tericos
6.3 mA
Medidos
6.25
mA

Ib(A)
11 A
11 A

Vce(v)
6.7 v
6.70v

Vbe(v)
0.05 v
0.048v

Ve(v)
1.7
1.684

TABLA 4
P1
Ic(mA)
Ib(A)
Vce(v)

160K
2.6v
4.5v
9.81v

304 K
0.6v
1v
11.48v

543 K
12.00v

1M
-

DE LOS EXPERIMENTOS REALIZADOS. PODEMOS CONCLUIR LO

SIGUIENTE:
EL FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT. YA SEA NPN O PNP,
DEPENDE DE LA POLARIZACION QUE SE LE APLICA EN SUS
TERMINALES, YA QUE UNA MALA POLARIZACION PODRIA FUNCIONAR
MAL TODO EL CIRCUITO EN EL QUE SE LE APLIQUE O EL USUARIO NO
PODRIA TERNER LOS RESULTADOS SATISFACTORIOS.
DURANTE EL EXPERIMENTO PODIMOS COMPROBAR LA TEORIA QUE
FUE ASIMILADA EN EL SALON DE CLASES, POR EJEMPLO. QUE LA
CORRIENTE DEL COLECTOR DESPUS DE CIETO VOLTAJE SE
APROXIMA ALA CORRIENTE DEL EMISOR.
TAMBIEN SE PUDO DEMOSTRAR QUE SI SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE
EL EMISOR Y LA BASE SE PUEDE OBTENER UNA GANACIA DE VOLTAJE
EN EL COLECTOR Y LA BASE ASI SE PUEDE COMPROBAR QUE ESTE
TIPO DE SISPOSITIVOS SE PUEDEN UTILIZAR COMO AMPLIFICADORES.