DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRNICA

ELECTRNICA DE POTENCIA
NRC: 2369

Preparatorio No. 2
CONVERSOR DE POTENCIA DC-DC TIPO BUCK

Integrantes:
Luis Carrin
Juan Carlos Illanes
Cristian Vasco

Sangolqu, 27 de octubre de 2015

1. Tema

Conversor de potencia DC-DC tipo Buck.

2. Objetivos
Objetivo general
Analizar y disear un circuito conversor de potencia DC-DC tipo Buck.
Objetivos especficos
Realizar la simulacin del circuito en el software PSIM y verificar su
funcionamiento
Realizar la implementacin del circuito en protoboard con los
elementos previamente seleccionados en el diseo del conversor
3. Materiales

Protoboard
1 transistor MOSFET IR2110
1 foco de 12V
1 capacitor 200uf
1 bobina 200mH
Cables para Protoboard
Fuente de alimentacin

4. PREPARATORIO
1. Traducir la informacin respecto al convertidor buck del blog
En muchas situaciones, tenemos que usar MOSFETs configurados como
conmutadores high-side. Muchas veces tenemos que usar MOSFETs
configurados como interruptores de lado alto y lado bajo. Tal como en los
circuitos de puente.
En los circuitos de medio puente, tenemos 1 MOSFET de lado alto y 1
MOSFET de lado bajo. En los circuitos de puente completo tenemos 2
MOSFET de lado alto y 2 MOSFET de lado bajo. En tales situaciones, existe la
necesidad de utilizar los circuitos de accionamiento del lado alto en los
circuitos de accionamiento del lado bajo. La forma ms comn de
conduccin MOSFETs en estos casos es utilizar conductores de lado alto y
bajo. Sin duda, el ejemplo de chip piloto ms popular es el IR2110. Y en este
artculo / tutorial se hablar del mismo. En primer lugar vamos a echar un
vistazo al diagrama de bloques y las asignaciones de patas y las
definiciones de pin

Diagrama de Bloques del IR2110

Diagrama de Pines del IR2110

Observe que el IR2110 viene en dos paquetes .14 pines con agujero pasante
y la superficie de 16 pines montaje SOIC .Ahora vamos a hablar de los
diferentes pines.
VCC es el suministro del lado bajo y debe estar entre 10V y 20V.
VDD es el suministro de la lgica a la IR2110. Puede ser entre + 3V a + 20V
(con referencia a VSS). La tensin real que se elige utilizar depende del nivel
de tensin de las seales de entrada. Aqu est el grfico:

Es una prctica usualmente VDD = + 5V. Cuando VDD = + 5V, el umbral

de entrada lgica 1 es ligeramente superior a 3V. As, cuando VDD = + 5V,
el IR2110 se puede utilizar para manejar cargas cuando la entrada "1" es
mayor que 3 voltios. Esto significa que puede ser utilizado para casi todos
los circuitos, ya que la mayora de los circuitos tienden a salidas de
5V. Cuando se est utilizando microcontroladores la tensin de salida ser
superior a 4V (cuando el microcontrolador tiene VDD = + 5V, que es
bastante comn). Cuando se est utilizando SG3525 o TL494 u otro
controlador PWM, probablemente se obtendr voltajes mayores a 10V. Por
lo tanto, el IR2110 puede ser utilizado fcilmente.
Se puede bajar el VDD hasta 4V si se est usando un microcontrolador o
cualquier chip que d salida de 3.3V (por ejemplo dsPIC33). En algunos
casos VDD fue seleccionado como menos de + 4V, y esto provocaba fallas
en el circuito. Por lo tanto, no se recomienda usar un VDD menor a + 4V.
Si por alguna razn, se tiene seales de niveles con la lgica "1" menores a
3V, se necesita un convertidor de nivel que aumentar la tensin a lmites
aceptables. En tales situaciones, se recomienda aumentar hasta 4V o 5V y
el uso de IR2110 VDD = + 5V.
Ahora se va a hablar de VSS y COM.
VSS es el suministro de tierra lgica. COM es "retorno de lado bajo"
bsicamente, conexin a tierra de baja transmisin lateral. Parece que son
independientes y se podra pensar que tal vez se podra aislar a las salidas
de transmisin y seales de control. Sin embargo, se puede estar
equivocado. Si bien no estn conectados internamente, IR2110 es un
conductor no aislado, lo que significa que VSS y COM deben estar
conectados a tierra.
HIN y LIN son las entradas lgicas. Una seal de alto para HIN significa que
se desea conducir el MOSFET del lado alto, es decir, un alto rendimiento se
proporciona en HO. Una seal de baja para HIN significa que desea apagar
el MOSFET del lado de alta, lo que significa que se proporciona un bajo
rendimiento en HO.

La salida de HO - alto o bajo - no es con respecto a tierra, pero si con

respecto a VS. Pronto veremos cmo un circuito de arranque (diodo +
condensador) se utiliza para proporcionar el suministro flotante para
conducir el MOSFET utilizando VCC, VB y VS.
VS es el retorno de alimentacin flotante del lado alto. Cuando est en alto,
el nivel de HO es igual al nivel en VB, con respecto a VS. Cuando est en
bajo, el nivel en HO es igual a VS, con respecto a VS, efectivamente cero.
Una seal de alto para LIN significa que se desea conducir el MOSFET del
lado bajo, lo que significa que un alto rendimiento es proporcionado en LO.
Una seal de bajo en LIN significa que se desea apagar el MOSFET del lado
bajo, lo que significa que una baja produccin es proporcionada en LO.
La salida de LO es con respecto a tierra. Cuando est en alto, el nivel en LO
es igual al nivel de VCC, con respecto a VSS, o tierra de manera
efectiva. Cuando est en bajo, el nivel en LO es igual al nivel en VSS, con
respecto a VSS, efectivamente cero.
SD se utiliza como control de apagado. Cuando este pin est en bajo , el
IR2110 est activado o la - funcin de apagado est deshabilitada. Cuando
este pin est en alto, las salidas se apagan, es decir se desactiva la unidad
IR2110.
Ahora echemos un vistazo a la configuracin IR2110 comn para conducir
MOSFETs en configuraciones laterales altas y bajas en una etapa medio
puente.

D1, C1 y C2 junto con los IR2110 forman el circuito de arranque. Cuando

LIN = 1 y Q2 est encendido, C1 y C2 quedan cargadas al nivel en VB, que
es una cada de diodo por debajo de + VCC. Cuando LIN = 0 y HIN = 1, la
carga en C1 y C2 se utiliza para aadir la tensin adicional - VB en este caso
por encima del nivel de la fuente de Q1 para conducir la Q1 en la
configuracin del lado ato. Se debe escoger una capacitancia

suficientemente grande para C1 de modo que pueda suministrar la carga

necesaria para mantener Q1 durante todo el tiempo. C1 tampoco debe ser
demasiado grande para que la carga no sea demasiado lenta y el nivel de
voltaje
se eleve lo suficiente como para mantener el MOSFET
encendido. Cuanto mayor sea el tiempo, mayor es la capacitancia
requerida. Por lo tanto ,mientras menor es la frecuencia, mayor es la
capacitancia requerida para C1. Cuanto mayor sea el ciclo de trabajo, mayor
es la capacitancia requerida para C1. S, hay frmulas para el clculo de la
capacitancia sin embargo, hay muchos parmetros involucrados, algunos de
los cuales no podemos saber , por ejemplo, la corriente del condensador de
fuga. As, quse es mejor estimar la capacitancia . Para frecuencias bajas
como 50Hz, se debe usar entre 47 f y 68 f. Para frecuencias altas como
30 kHz a 50 kHz, se debe usar entre 4,7 f y 22 f. Ya que estamos usando
un condensador electroltico, un condensador cermico debe utilizarse en
paralelo con este condensador. El condensador de cermica no es necesario
si el condensador de arranque es de tantalio.
D2 y D3 descargan las capacidades de puerta del MOSFET con rapidez, sin
pasar por las resistencias de la puerta, lo que reduce el tiempo de
apagado. R1 y R2 son las resistencias limitadoras de corriente.
+ MOSV puede ser de hasta un mximo de 500V.
+ VCC debe ser de un suministro limpio. Se debe usar capacitores de filtro y
condensadores de desacoplamiento de + VCC a tierra para el filtrado.
Ahora echemos un vistazo a un par de circuitos de ejemplo de aplicacin de
la IR2110.
Circuito IR2110 de alta tensin de excitacin medio-puente

Circuito IR2110 de alta tensin de excitacin de puente completo con

control de interruptor independiente

Se observa que el IR2110 utiliza para conducir un puente completo. La

funcionalidad es. Una cosa comn que a menudo se hace es que, HIN1 est
ligado / cortocircuito a LIN2 y HIN2 est ligado / cortocircuito a LIN1, lo que
permite el control de los 4 MOSFETs de 2 entradas de seal, en lugar de 4
como se muestra a continuacin
Circuito IR2110 de alta tensin de excitacin de puente completo con
control del interruptor atado

Usando el IR2110 como conductor de alta de un solo lado de alta tensin

En la figura anterior se observa que el IR2110 est siendo utilizando como un

conductor de lado alto de un solo lado. El circuito es bastante simple y sigue la
misma funcionalidad descrita anteriormente. Una cosa para recordar es que, dado
que no hay un interruptor del lado bajo, se debe conectar una carga de OUT a
tierra. De lo contrario, los condensadores de arranque no podrn cargarse
Uso de la IR2110 como un nico controlador del lado bajo.

Uso de la IR2110 como conductor del lado bajo dual

2. Dibuje el esquemtico completo del circuito incluyendo el driver

IR2110 con sus elementos de disparo y los elementos de
potencia para obtener un convertidor Buck
CIRCUITO EN PROTEUS

CIRCUITO EN PSIM

3. Describir el problema de lograr la conduccin del MOSFET cuyo

terminal de FUENTE no est conectado a tierra. Detallar la
solucin mediante el driver IR2110.

4. Realizar el anlisis para describir la relacin entre el rizado de

corriente y el rizado de voltaje de los elementos reactivos L, C y
la frecuencia de conmutacin.
Datos:
V =12 [ V ] V g=24 L=200 mH C=200uF
D=

V
Vg

D=

12
24

D=

1
2
Intervalo 1:

V L =V G v
Aproximacin de pequeo rizado

v =V +V riz V
V L =V G V
i L =i c +

V
R

i C =i L

V
R

i L =I +I riz I

i C =I

V
R

Intervalo 2:

V L =v
Aproximacin de pequeo rizado

v =V +V riz V
V L =V
i L =i c +

V
R

i C =i L

V
R

i L =I +I riz I
i C =I

V
R

Anlisis de corriente de rizado en el inductor:

Intervalo 1:

v L ( t )=L

di L (t)
dt

V L =V G V
di L (t) v L ( t )
=
dt
L
di L (t) V G V
=
dt
L
2 i L V GV
=
DTS
L
iL =

V GV
DT S
2L

Anlisis de voltaje de rizado del capacitor

Intervalo 1:

i C =C

dv (t)
dt

i C =I

V
R

i C dv (t)
=
C
dt
d v c (t ) IRV
=
dt
RC

2 V C IRV
=
DTS
RC
V C=

IRV
DTS
RC

Aplicando los datos ya conocidos obtenemos

L=200 mH
C=200 uF

iL =

iL=

iL=

V GV
DT S
2L

2412
1
(0.5)
fS
2 ( 200 mH )

2412
1
(0.5)
10
kHz
2 ( 200 mH )
i L =0.0015

Balance de carga del condensador

TS

1
i dt =0
TS 0 C

1
TS

[ (
DT S

TS

V
V
I dt+ I dt =0
R
R
DT

[( ) ( ) ( ) ]

1
V
V
V
I DT S + I T S I DT S =0
TS
R
R
R

1
VD
V
VD
ID
+ I ID+
=0
TS
R
R
R

I=

V
R

V C=

IRV
DTS
RC

V
RV
R
V C=
DT S
RC
V C =0

5. Describir cinco caractersticas (las ms importantes) del IR2110

a partir de la hoja de datos Datasheet

Posee un Voffset mximo de hasta 500 voltios, lo que lo hace prctico para
trabajos de electrnica de potencia.

Tiene la caracterstica de ser un driver de doble lado (alto y bajo) lo que

abre muchas posibilidades hacia su uso, ya que dependiendo de cmo se
conecten sus pines HIN, LIN, HO y LO puede trabajar de distintas maneras
segn lo que se requiera.
Posee la capacidad de trabajar con corrientes mayores de 5 amperios lo que
lo hace ideal en circuitos en los que la corriente sea alta.

El rango de alimentacin para el accionamiento de la base esta entre 10 y

20V

Posee Tolerancia a la tensin transitoria negativa

6. Bibliografa

http://tahmidmc.blogspot.com/2013/01/using-high-low-side-driver-ir2110with.html

Fundamentals of Power Electronics. R.W.Eriksson 1997