Dissertação - Leonardo Rosenthal

UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLNDIA
LEONARDO ROSENTHAL CAETANO SILVA
ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO

DE MXIMA POTNCIA (MPPT) PARA
APLICAO EM ARRANJOS DE SISTEMAS
FOTOVOLTAICOS CONECTADOS REDE
UBERLNDIA/MG
2015
ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO DE

MXIMA POTNCIA (MPPT) PARA APLICAO EM
ARRANJOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
CONECTADOS REDE
Dissertao apresentada como parte dos requisitos para
obteno do ttulo de Mestre em Cincias, rea de
concentrao: Engenharia Eltrica.
Orientador: Prof. Dr. Geraldo Caixeta Guimares
UBERLNDIA/MG
2015
ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO DE MXIMA POTNCIA

(MPPT) PARA APLICAO EM ARRANJOS DE SISTEMAS
FOTOVOLTAICOS CONECTADOS REDE
Dissertao apresentada como parte dos requisitos para
obteno do ttulo de Mestre em Cincias pela
Universidade Federal de Uberlndia.
rea de Concentrao: Engenharia Eltrica
Aprovado em 20/08/2015.
BANCA EXAMINADORA:
__________________________________
Prof. Geraldo Caixeta Guimares
Universidade Federal de Uberlndia
___________________________________
Prof. Adlio Jos de Moraes
Universidade Federal de Uberlndia
__________________________________
Prof. Fabrcio Augusto Matheus Moura
Universidade Federal do Tringulo Mineiro
___________________________________
Prof. Gustavo Brito de Lima
Universidade Federal do Tringulo Mineiro
Dedico este trabalho minha famlia, pelo incentivo, apoio

e presena incondicional.
AGRADECIMENTOS
Agradeo ao meu orientador Geraldo Caixeta Guimares, que, sem sua orientao,
conhecimentos e motivaes, seria impossvel o andamento do trabalho.
Aos colegas do Ncleo de Dinmica de Sistemas Eltricos e da Universidade Federal
de Uberlndia, em especial, Guilherme Henrique Bernardes Cunha, Thales Lima Oliveira e
Arthur Costa de Souza.
Aos professores Marcelo Lynce Ribeiro Chaves e Jos Roberto Camacho pelos
ensinamentos tcnicos.
secretria de ps-graduao, Cinara Fagundes, por toda ajuda e prestabilidade.
minha esposa, Carolina, e aos meus pais e irmo, Marcelo, Rita e Bernardo, que sem
o incentivo nunca teria avanado esta etapa.
Ftima, Celso, Izabela e Bruno, obrigado, tambm, pelo apoio.
E Dominic, pelos sorrisos.
Capes pelo apoio financeiro por todo o perodo da pesquisa.
Aos demais amigos e conhecidos.
Dissertao de Mestrado
Leonardo Rosenthal Caetano Silva
A caracterstica do homem imaturo aspirar

morrer nobremente por uma causa, enquanto que a do
homem maduro querer viver humildemente por ela.
Otto Ludwig, Leipzig 1903.
RESUMO
A grande demanda na energia eltrica e a previso de queda de reservas de combustveis

fsseis, alm da crescente preocupao ambiental no uso destes, tm gerado um desconforto
quanto gesto da eletricidade, tornando bem vindas novas pesquisas e desenvolvimentos de
fontes alternativas, limpas e renovveis.
Das diversas fontes renovveis, o sol vem se tornando cada vez mais utilizado como
principal escolha na gerao distribuda. Dentre outros tipos, fontes elicas, maremotriz e
hidreltricas necessitam de fatores muito especficos para sua implementao, sendo invivel
para o uso domstico urbano.
Com os avanos nas negociaes entre consumidores e distribuidoras de energia eltrica
e a publicao de resolues que regulam a conexo de gerao distribuda rede, a longo
prazo, visvel a economia e o retorno financeiro com a compensao de energia que aplicada.
A instalao de gerao solar fotovoltaica necessita de alguns componentes alm dos
prprios mdulos. Conversores com controles de extrao de mxima potncia, de corrente
injetada na rede e da malha de captura de fase para a correta sincronia devem ser aplicados para
uma instalao com maior rendimento e extrao de potncia possvel.
neste mbito que o presente trabalho aplicado. Com a crescente procura deste tipo
de instalao so necessrios maiores estudos na rea, podendo, assim, prever o funcionamento
de mltiplos sistemas em situaes diversas.
O estudo computacional foi feito utilizando o software Alternative Transients Program
(ATP) em conjunto com sua plataforma grfica, o ATPDraw, de modo a estudar por completo
todos os seus componentes, tanto de forma separada quanto em operao conjunta e conectada
rede eltrica de baixa tenso. Os componentes avaliados so o sistema de gerao fotovoltaica,
o conversor elevador de tenso, o inversor de frequncia, o controle do ponto de mxima
potncia, o controle de corrente e a malha de captura de fase, com a conexo com a rede eltrica
seguindo a Resoluo Normativa 482/2012 da Agncia Nacional de Energia Eltrica e a Norma
de Distribuio 5.30/2012 da Companhia Energtica de Minas Gerais.
Palavras-chave: Alternative Transientes Program; Controle do Ponto de Mxima Potncia;

Conversores; Estudo Computacional; Gerao Distribuda; Sistema de Gerao Fotovoltaica.
ABSTRACT
The great electricity demand and the and the forecast drop of fossil fuel reserves, besides
and the increasing environmental concern in the use of these, have generated discomfort
regarding the management of electricity, making new research and development of alternative,
clean and renewable sources welcome.
The various renewable sources, the Sun is becoming increasingly used as a primary
choice in distributed generation. Among other types, wind, tidal and hydroelectric sources
require very specific factors for its implementation, being unaffordable for the urban household.
With advances in the negotiations between consumers and electricity distributors and
the publication of resolutions that regulate the generation of distributed connection to the
network in the long run makes visible the economy and the financial return to power
compensation is applied.
The installation of photovoltaic solar generation needs some components beyond the
modules themselves. Converters with maximum power point tracker, current injection control
and the phase locked loop to the correct sync must be applied to a plant with increased yield as
possible and power extraction.
It is in this context that this work is applied. With the growing demand for this type of
installation, further studies in the area are required, making possible to predict the functioning
of various systems in various situations.
The computational study was done using the software Alternative Transients Program
(ATP) in conjunction with a graphical platform, ATPDraw, in order to study completely all its
components, both separately, in joint operation and connected to the lower mains voltage. The
evaluated components are the photovoltaic generation system, the boost converter, the
frequency inverter, control of the maximum power point, the power control and phase locked
loop with the connection to the power grid following the Normative Resolution 482/2012 of
the National Electric Energy Agency and Distribution Standard 5.30 / 2012 Electrical Company
of Minas Gerais.
Keywords: Alternative Transients Program; Computational Studies; Converters; Distributed

Generation; Maximum Power Point Tracker; Photovoltaic Generation Systems.
LISTA DE FIGURAS
Figura 2.1: Uso da energia solar por Arquimedes para incendiar navios.
38
Figura 2.2: Uma fornalha de Lavoisier.
39
Figura 2.3: Amostra do refletor cnico truncado de Augustin Mouchot.
39
Figura 2.4: Concentrador de prato parablico alinhado a uma impressora.
40
Figura 2.5: Concentrador cilndrico parablico de Ericsson, 1883.
41
Figura 2.6: Patente de Aubrey Eneas de seu gerador solar.
42
Figura 2.7: O arranjo solar trmico de Shuman e Vernon.
43
Figura 2.8: Plataforma Solar de Almeria.
45
Figura 2.9: As plantas solares de SEGS I e II em Daggett na California.
46
Figura 2.10: Converso e utilizao de energia solar.
47
Figura 2.11: O espectro eletromagntico.
48
Figura 2.12: O coeficiente AM de acordo com o ngulo Znite.
49
Figura 2.13: Diferenas entre as Irradincias para diferentes AM.
50
Figura 2.14: A diviso da radiao global.
51
Figura 2.15: O Sol fotografado a cada 10 dias no mesmo horrio, formando o analema.
53
Figura 2.16: Sistema de revoluo terrestre em torno do Sol.
53
Figura 2.17: O comportamento do Sol para a cidade de Uberlndia.
54
Figura 2.18: Um Piranmetro modelo 240-8101.
55
Figura 2.19: Pirelimetro do tipo DR01 conectado ao rastreador.
56
Figura 2.20: Aplicao de uma faixa de escurido no piranmetro.
57
Figura 2.21: Albedmetro do tipo CM 7B.
57
Figura 2.22: Comparativo entre 2013 e 2014 de armazenamento de energia.
60
Figura 2.23: A demonstrao de Becquerel.
62
Lista de Figuras
II
Figura 2.24: Experimento para a comprovao do efeito fotovoltaico no Selnio.
63
Figura 2.25: A tecnologia solar at a dcada de 1940.
63
Figura 2.26: Diferena entre as clulas, de 1941 e cristalogrficas.
64
Figura 2.27: Capacidade fotovoltaica global.
65
Figura 2.28: Os 10 maiores produtores de energia solar fotovoltaica.
65
Figura 2.29: Dopagens do Silcio.
66
Figura 2.30: Processo fsico em uma clula fotovoltaica.
67
Figura 2.31: Circuito equivalente de uma fotoclula ideal conectado a uma carga.
68
Figura 2.32: Curva de Corrente por Tenso, na clula, no diodo e a fotocorrente.
68
Figura 2.33: Potncia e corrente por tenso na clula fotovoltaica.
69
Figura 2.34: Tipos de utilizao do silcio cristalino.
71
Figura 2.35: Tpicas estruturas de filme fino.
72
Figura 2.36: Clula solar do tipo quntico.
73
Figura 2.37: Perovskita em estado natural.
74
Figura 2.38: Eficincia das clulas solares.
76
Figura 3.1: Tela tpica do ATPDraw.
80
Figura 3.2: Forma de conexo do acessante rede de baixa tenso da Cemig.
83
Figura 3.3: Diagrama de um sistema de gerao fotovoltaico ligado rede eltrica.
84
Figura 3.4: Medies dirias de irradiao solar para diferentes tempos.
85
Figura 3.5: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra diria.
86
Figura 3.6: Temperatura em Uberlndia em C, amostra diria.
86
Figura 3.7: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra anual.
86
Figura 3.8: Temperatura em Uberlndia em C, amostra anual.
87
Figura 3.9: O conjunto irradiao-temperatura-arranjo modelado.
87
Figura 3.10: Quadro de entradas e conexes do modelo fotovoltaico.
93
Figura 3.11: Mtodo de tenso constante.
95
Lista de Figuras
III
Figura 3.12: Fluxograma do mtodo P&O clssico.
96
Figura 3.13: Fluxograma do mtodo P&O moderno.
97
Figura 3.14: Fluxograma do mtodo perturba e observa modificado.
98
Figura 3.15: Fluxograma do mtodo estima, perturba e perturba.
99
Figura 3.16: Fluxograma do mtodo condutndia incremental.
100
Figura 3.17: Fluxograma do mtodo da condutncia incremental modificado.
101
Figura 3.18: Fluxograma do mtodo de oscilao do sistema.
102
Figura 3.19: Fluxograma do mtodo de correlao de Ripple.
103
Figura 3.20: Fluxograma do mtodo Beta.
104
Figura 3.21: Fluxograma do mtodo de Temperatura.
105
Figura 3.22: Modelagem dos mtodos de MPPT utilizados.
106
Figura 3.23: O funcionamento de um conversor Boost.
107
Figura 3.24: Inversor monofsico conectado rede eltrica.
111
Figura 3.25: Modelagem do inversor.
112
Figura 3.26: O funcionamento do inversor em cada estado.
112
Figura 3.27: Malha de captura de fase.
115
Figura 3.28: Esquema de ligao do PWM.
116
Figura 3.29: Funcionamento de um controle PWM com sada NOT.
118
Figura 3.30: Controle da corrente injetada na rede com PWM.
118
Figura 4.1: Corrente e Potncia por tenso em irradiaes, dado do fabricante.
124
Figura 4.2: Corrente e Potncia por tenso em irradiaes, pela simulao.
125
Figura 4.3: Corrente e Potncia por tenso em temperaturas, dado do fabricante.
126
Figura 4.4: Corrente e Potncia por tenso em temperaturas, pela simulao.
126
Figura 4.5: Combinao paralela de clulas, dado da doutrina.
128
Figura 4.6: Combinao paralela de mdulos, pela simulao.
128
Figura 4.7: Combinao em srie de clulas, dado da doutrina.
129
Lista de Figuras
IV
Figura 4.8: Combinao em srie de mdulos, pela simulao.
130
Figura 4.9: Sistema srie sem diodos de by-pass.
131
Figura 4.10: Combinao em srie de clulas com sombreamento, dado da doutrina.
131
Figura 4.11: Combinao em srie de mdulos com sombreamento, pela simulao.
132
Figura 4.12: Sistema srie com diodos de by-pass.
133
Figura 4.13: Combinao srie de clulas com sombreamento e by-pass, dado da doutrina. 133
Figura 4.14: Combinao srie de mdulos com sombreamento e by-pass, pela simulao. 134
Figura 4.15: Efeito da resistncia srie, dado da doutrina.
135
Figura 4.16: Efeito da resistncia srie, pela simulao.
136
Figura 4.17: Efeito da resistncia paralela, dado da doutrina.
137
Figura 4.18: Efeito da resistncia paralela, pela simulao.
138
Figura 4.19: Entrada e saida do conversor CC-CC.
140
Figura 4.20: Tenses de referncia e do sistema fotovoltaico.
140
Figura 4.21: Zoom nas tenses de referncia e do sistema fotovoltaico.
141
Figura 4.22: Correntes de entrada e sada do Boost.
142
Figura 4.23: Mtodo da Razo Cclica Fixa.
144
Figura 4.24: Mtodo da Tenso Constante Fixa.
144
Figura 4.25: Mtodo Perturba e Observa Clssico.
144
Figura 4.26: Mtodo Perturba e Observa Moderno.
144
Figura 4.27: Mtodo Perturba e Observa Modificado.
145
Figura 4.28: Mtodo Estima Perturba e Perturba.
145
Figura 4.29: Mtodo da Condutncia Incremental.
145
Figura 4.30: Mtodo da Condutncia Incremental Modificada.
145
Figura 4.31: Mtodo Beta.
146
Figura 4.32: Mtodo da Temperatura.
146
Figura 4.33: Mtodo de Oscilao do Sistema.
146
Lista de Figuras
Figura 4.34: Mtodo da Correlao de Ripple.
146
Figura 4.35: Variveis manipuladas dos diferentes MPPTs em resposta ao degrau.
148
Figura 4.36: Variveis Manipuladas dos diferentes MPPTs em regime permanente.
149
Figura 4.37: Aplicao do mtodo Beta no degrau de irradiao.
150
Figura 4.38: Resposta em potncia do sistema.
150
Figura 4.39: Frequncia e fase do PLL e da rede.
153
Figura 4.40: Erros de frequncia e fase.
153
Figura 4.41: Frequncia e Fase da rede e do PLL.
154
Figura 4.42: Erros de frequncia e fase.
154
Figura 4.43: Forma de onda da corrente injetada na rede e o comando do PLL.
155
Figura 4.44: Sistema de chaveamento implementado.
156
Figura 4.45: Modulao por largura de pulso da unidade inversora.
158
Figura 4.46: O sistema fotovoltaico completo conectado rede eltrica.
159
Figura 4.47: Irradiao aplicada no sistema.
162
Figura 4.48: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo Beta.
163
Figura 4.49: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo Beta.
164
Figura 4.50: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro Mtodo Beta.
165
Figura 4.51: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo Beta.
165
Figura 4.52: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo P&O Moderno.
166
Figura 4.53: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo P&O Moderno.
167
Figura 4.54: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro Mtodo P&O Moderno. 167
Figura 4.55: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo P&O Moderno.
168
Figura 4.56: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo CI Modificado.
169
Figura 4.57: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo CI Modificado.
170
Figura 4.58: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro Mtodo CI Modificado. 170
Figura 4.59: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo CI Modificado.
171
Lista de Figuras
VI
Figura 4.60: Tenso na sada do conversor CC-CC.
172
Figura 4.61: Comparao entre a tenso no Link CC e a Rede Eltrica.
172
Figura 4.62: Ao do PLL no sistema.
173
Figura 4.63: Corrente eltrica injetada na rede.
174
LISTA DE TABELAS
Tabela 2.1: Diviso aproximada do espectro solar em regies de energia
49
Tabela 2.2: Intensidade de radiao em vrias condies climticas
51
Tabela 2.3: Albedo para diferentes superfcies terrestres
52
Tabela 2.4: Empreendimentos em operao no Brasil
58
Tabela 2.5: Situao dos reservatrios do Sistema Eltrico Brasileiro, 26 de jan. de 2015
59
Tabela 2.6: Usinas do Tipo Solar Fotovoltaica na cidade de Uberlndia
61
Tabela 2.7: Resumo da utilizao das clulas fotovoltaicas
75
Tabela 3.1: Forma de Conexo em Funo da Potncia
83
Tabela 3.2: Dados necessrios de projeto de arranjo da instalao
92
Tabela 3.3: Dados necessrios da fotoclula disponibilizados em manuais
92
Tabela 3.4: Definies bsicas do Boost para as simulaes computacionais
109
Tabela 3.5: Funcionamento do Inversor
112
Tabela 3.6: Definies bsicas do Inversor para as simulaes computacionais
114
Tabela 4.1: Parmetros do ATP para as anlises computacionais
121
Tabela 4.2: Parmetros do mdulo fotovoltaico utilizado na seo 4.2
123
Tabela 4.3: Parmetros do conversor CC-CC para a seo 4.3
139
143
Tabela 4.5: Vantagens e desvantagens de cada mtodo de MPPT utilizado.
151
160
Tabela 4.7: Parmetros do sistema fotovoltaico
160
Tabela 4.8: Parmetros do Boost para a seo 4.7
161
Tabela 4.9: Parmetros do inversor e do indutor de acoplamento
161
LISTA DE UNIDADES
Watt, unidade de medida de potncia ativa.
Metro quadrado, unidade de medida de rea.
W/m
Watt por metro quadrado, unidade de medida de irradiao.
HP
Horse Power (ou cavalo de fora), unidade de medida de potncia.
Grau Celsius, unidade de medida de temperatura.
CV
Cavalo-vapor, unidade de medida de potncia.
Metro, unidade de medida de comprimento.
Segundo, unidade de medida de tempo.
Hz
Hertz, unidade de medida de frequncia.
A.M.
Air Mass (massa de ar), unidade de medida de espessura de ar.
Grau, unidade de medida angular.
Kelvin Unidade de medida de temperatura.

eV
Eletron-Volt, unidade de medida de energia.
Wh
Watt hora, unidade de medida de energia.
Joule
Unidade de medida de energia.
Grama, unidade de medida de massa.
m/s
Metro por segundo, unidade de medida de velocidade.
Ampre, unidade de medida de corrente eltrica.
Coulomb, unidade de medida de carga eltrica.
Volt, unidade de medida de tenso eltrica.
Ohm, unidade de medida de resistncia eltrica.
Henrys, unidade de medida de indutncia eltrica.
Farad, unidade de medida de capacitncia eltrica.
Segundo, unidade de medida de tempo.
Rad/s
Radianos por segundo, unidade de medida de frequncia.
Rad
Radiano, unidade de medida angular.
LISTA DE PREFIXOS
Nano, um prefixo multiplicador equivalente a um por um bilho.
Micro, um prefixo multiplicador equivalente a um por um milho.
m Mili, um prefixo multiplicador equivalente a um por mil.

k
Quilo, um prefixo multiplicador equivalente a um mil unidades.
M Mega, um prefixo multiplicador equivalente a um milho de unidades.

G Giga, um prefixo multiplicador equivalente a um bilio de unidades.
SUMRIO
Captulo I - INTRODUO
31
1.1 Contextualizao.
31
1.2 Motivaes.
33
1.3 Objetivos.
34
1.4 Estrutura da Dissertao.
35
Captulo II - UM HISTRICO DA ENERGIA SOLAR
37
2.1 Consideraes Iniciais.
37
2.2 Um Histrico da Utilizao da Energia Solar.
38
2.3 As Turbulncias no Mercado Internacional.
43
2.4 O Desenvolvimento da Tecnologia.
44
2.5 Gerao de Energia Eltrica.
46
2.6 Heliotecnia.
47
2.6.1 Espectro da Radiao Solar.
47
2.6.2 Atmosfera Terrestre.
49
2.6.3 Componentes da Radiao Solar.
51
2.7 Movimento Sol-Terra.
52
2.7.1 O ano.
52
2.7.2 As Estaes do Ano.
53
2.8 Orientao dos Mdulos.
54
2.9 Instrumentos de Medio.
55
2.9.1 Piranmetro.
55
2.9.2 Pirelimetro.
56
2.9.3 Banda Escura.
56
2.9.4 Albedmetro.
57
Sumrio
II
2.10 Gesto Energtica no Brasil.
58
2.10.1 A Energia Fotovoltaica no Brasil.
60
2.10.2 A Energia Fotovoltaica em Uberlndia/MG.
61
2.11 O Efeito Fotovoltaico.
61
2.11.1 Um Histrico do Efeito Fotovoltaico.
62
2.11.2 O Funcionamento da Clula Fotovoltaica.
65
2.12 Tipos de Clulas Fotovoltaicas.
70
2.12.1 Clulas de Silcio Cristalino.
70
2.12.2 Tecnologias de Filme Fino.
72
2.12.3 Clulas Emergentes.
73
2.13 Utilizao das Clulas Fotovoltaicas.
75
Captulo III - MODELAGENS MATEMTICAS E

COMPUTACIONAIS
77
77
3.2 Plataforma Computacional.
77
3.2.1 Sobre o Programa ATP.
78
3.2.2 Sobre o ATPDraw.
79
3.2.3 Sobre o Programa Notepad++.
81
3.2.4 Sobre o Microsoft Excel.
82
3.3 O Sistema Utilizado.
82
3.4 Condies de Operao.
84
3.5 Entradas do Sistema.
85
3.6 Modelagem do Arranjo Fotovoltaico.
87
3.6.1 Modelagem Matemtica.
88
3.6.2 Modelagem Computacional.
91
3.7 Modelagem do Controle MPPT.
93
94

105
Sumrio
III
3.8 Modelagem do Conversor Elevador de Tenso.
106
107
109
3.9 Modelagem do Inversor de Frequncia.
110
110
111
3.10 Indutncia de Acoplamento com a Rede.
113
3.11 A Malha de Captura de Fase.
114
115
115
3.12 Controle da Corrente Injetada na Rede.
116
116
118
3.13 A Rede Eltrica.
119
Captulo IV - SIMULAES, RESULTADOS E ANLISES 121

121
4.2 Simulaes no Mdulo Fotovoltaico.
122
4.2.1 Casos com Fatores Externos.
122
4.2.2 Casos Associativos.
127
4.2.3 Casos com Fatores Internos.
135
4.3 Simulaes no Conversor CC-CC.
139
4.4 Simulaes com Alimentao, Conversor CC-CC e o MPPT.
142
4.5 Simulaes na Malha de Captura de Fase.
152
4.6 Simulaes da Unidade Inversora.
155
4.7 Simulaes no Sistema Conectado Rede Eltrica.
159
Captulo V - CONCLUSES E SUGESTES
175
Sumrio
IV
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
179
Do Captulo I.
179
Do Captulo II.
180
Do Captulo III.
184
Do Captulo IV.
187
Do Captulo V.
187
Anexo I - CRONOLOGIA DAS CLULAS SOLARES
Anexo II - A FORMAO DO SOL
Anexo III - SOBRE O PROGRAMA ATP
Anexo IV - CARTES DE SIMULAO DO SISTEMA
Anexo V - PUBLICAES
CAPTULO I
INTRODUO
1.1 CONTEXTUALIZAO
O cenrio de utilizao da energia solar fotovoltaica no Brasil pequeno. A utilizao

de clulas fotovoltaicas pontual e em pequenos sistemas isolados da rede eltrica, onde a
montagem de linhas de transmisso no economicamente vivel.
Dentre essas pequenas geraes pontuais, grande parte utiliza-se da energia gerada para
consumos bsicos, como bombeamento de gua, iluminao, pequenas centrais de
telecomunicao remotas e sistemas de sinalizao [1].
Em novembro de 2003 foi lanado o Programa de Eletrificao Rural (programa luz
para todos), por meio do Decreto n 4.873. Coordenado pelo Ministrio de Minas e Energia e
operacionalizado pela Eletrobrs, foi executado pelas concessionrias de energia eltrica em
parceria com o Governo Federal. O programa se props a acabar com a excluso eltrica e levar
o acesso energia para mais de 10 milhes de pessoas no meio rural:
Um dos grandes desafios do Programa atender as comunidades isoladas,
especialmente as localizadas na Amaznia. Para isso, o Ministrio de Minas e
Energia elaborou o Manual de Projetos Especiais justamente para atender as
regies remotas e de difcil acesso e estabelece os critrios tcnicos e
financeiros que sero aplicados neste tipo de atendimento, com o uso de fontes
alternativas de energia eltrica, tendo como principal atrativo, o repasse de
85% dos recursos, a ttulo de subveno econmica, por parte do governo
federal. Dentre as opes tecnolgicas, so considerados os sistemas de
gerao descentralizada a partir das mini e micro centrais hidreltricas;
sistemas hidrocinticos; usinas trmicas a biocombustveis ou gs natural;
usina solar fotovoltaica; aerogeradores e sistemas hbridos, bem como a
utilizao de novas tecnologias, tais como os postes confeccionados de resina
de polister reforada com fibra de vidro e os cabos especiais subaquticos
para serem utilizados nas travessias de rios. (MME, 2009) [2]
Captulo I - Introduo
32
Sistemas autnomos de gerao so importantes para locais que operam fora da rede
eltrica, sejam porque distantes ou independentes. esperada a utilizao de sistemas
fotovoltaicos conectados rede eltrica. Essa configurao interessante para a aplicao em
micro e minissistemas de gerao distribuda e a no exigncia de baterias para sua manuteno
noturna.
No Brasil, em 2012, foi regulamentada, pela Resoluo Normativa no 482 da Agncia
Nacional de Energia Eltrica (ANEEL) as condies gerais para mini e microgeraes
distribudas. A separao dos tipos de gerao definida pela normativa, em seu artigo 2, da
seguinte maneira:
2012. Resoluo Normativa n 482.

Art. 2: Para efeitos desta Resoluo, ficam adotadas as seguintes definies:
I - microgerao distribuda: central geradora de energia eltrica, com
potncia instalada menor ou igual a 100 kW e que utilize fontes com base em
energia hidrulica, solar, elica, biomassa ou cogerao qualificada, conforme
regulamentao da ANEEL, conectada na rede de distribuio por meio de
instalaes de unidades consumidoras;
II - minigerao distribuda: central geradora de energia eltrica, com potncia
instalada superior a 100 kW e menor ou igual a 1 MW para fontes com base
em energia hidrulica, solar, elica, biomassa ou cogerao qualificada,
conforme regulamentao da ANEEL, conectada na rede de distribuio por
meio de instalaes de unidades consumidoras. [3]
Com as novas determinaes de mini e micrograo, ainda se tem um sistema

diferenciado de compensao. De acordo com a ANEEL, na mesma normativa, a energia ativa
que repassada rede compensada. Essa energia cedida gratuitamente concessionria de
energia eltrica para ser posteriormente compensada pelo consumidor com a ressalva de deter
o mesmo cadastro de pessoa fsica ou pessoa jurdica para a qual os crditos foram gerados.
Assim, interessante o ingresso de energias alternativas em unidades residenciais e
pequenas empresas de at 1 MW de potncia instalada. Geraes acima deste valor no so
compensadas por ainda no existir legislao vigente [3].
Ainda proposto pela ANEEL, em projeto de pesquisa e desenvolvimento, foi o
Arranjos Tcnicos e Comerciais para a Insero da Gerao Solar Fotovoltaica na Matriz
33
Energtica Brasileira, onde foram propostas criaes de usinas fotovoltaicas experimentais

interligadas ao sistema eltrico nacional, para quase 25 MW de potncia instalada. [7]
Com essa perspectiva, pode-se esperar um grande mercado de energia fotovoltaica para
o Pas, com grande potencial de gerao de emprego e a possvel insero do Brasil na lista dos
maiores geradores de energias alternativas do mundo.
1.2 MOTIVAES
Tendo o Brasil um excelente potencial de utilizao de energia fotovoltaica, esta pode

deter certa vantagem em relao a outras fontes renovveis. Em todas as regies tm-se timos
ndices de radiao solar, fazendo com que no Pas seja mais rentvel a utilizao solar frente
a elica, por exemplo, e pode ser utilizado em todo o territrio nacional.
A Alemanha o pas que mais se utiliza da energia fotovoltaica, seguida por China,
Itlia, Estados Unidos da Amrica e Japo. Em conjunto esses pases geram 21,3 GW de
potncia em novos sistemas conectados [4].
A energia produzida por uma fotoclula depende da irradiao solar e da temperatura
do local onde est instalada. Em Minas Gerais, por exemplo, as regies norte e noroeste tm,
em mdia, 6,3 kW/m de irradiao solar por ano [5], enquanto que a mdia brasileira fica em
torno de 5,4 kW/m por ano [6]. J a irradiao na Alemanha , em mdia, de 3,28 kW/m. Dadas
as dimenses territoriais brasileiras e, como dito, as altas taxas de irradiao, possvel estimar
o Brasil com um grande potencial de gerao solar.
Mesmo com uma matriz energtica baseada em energia hidrulica considerada
relativamente limpa e renovvel a situao pode no perdurar nos anos seguintes sem novas
fontes energticas para auxiliar no sistema eltrico. A utilizao de mdulos fotovoltaicos em
telhados e fachadas pode ser feita em reas urbanas e usinas de quaisquer tamanho, sendo
utilizados como centros de gerao. A instalao urbana de micro e mini usinas de eletricidade
conectadas rede tem a gerao a um custo competitivo com outras tecnologias de mercado.
Um ponto vantajoso o pequeno gerador ficar alheio s variaes do preo da energia
eltrica, j que o preo da concessionria varia e inflaciona, ao passo que a fotoclula mantm
sua gerao na mdia e o investimento fixo. O mini ou micro gerador tem custos apenas na
instalao das clulas fotovoltaicas, o investimento se paga, em mdia, entre 8 e 12 anos,
podendo diminuir com a variao de preo da concessionria. Outra vantagem que, mesmo a
34
fotoclula produzindo eletricidade apenas durante o dia, o sistema de cobrana por

compensao permite que a gerao sobressalente possa ser utilizada em outro horrio em um
perodo de at seis meses [3].
Observa-se que alm do aumento da disponibilidade de eletricidade, h tambm
benefcios ambientais, j que no so necessrias fontes primrias alm de luz solar para a
gerao fotovoltaica.
O Brasil se encontra em uma posio incmoda com seus consumidores de energia.
Com os reservatrios hidroeltricos baixos, o preo da energia sobe pela aplicao de bandeiras
tarifrias. O consumidor tende a procurar alternativas, e muitos esto encontrando uma sada
na gerao fotovoltaica.
Dessa forma de se esperar que haja a massificao de seu uso e, com isso, o avano
da tecnologia de produo e instalao no territrio nacional, gerando grande potencial
empregatcio na rea, direta e indiretamente, deixando o Brasil em uma situao confortvel.
1.3 OBJETIVOS
O objetivo desta dissertao verificar a atuao de diversos tipos de mtodos de busca

do ponto de mxima potncia (Maximum Power Point Tracking MPPT) em sistemas
fotovoltaicos conectados rede eltrica de baixa tenso utilizando o programa Alternative
Transients Program (ATP) e, desta forma, comparar aplicao para cada situao.
Ser utilizado um tipo de modelo de clula fotovoltaica com diversos tipos de mtodos
de MPPT controlando o conversor em que estes devem ser conectados, podendo auxiliar
concessionrias e empresas do ramo de energia solar na utilizao e regulamentao dos
pequenos centros de gerao fotovoltaica.
Objetiva-se, tambm, explorar as estruturas de cada parte do sistema utilizado, deixando
descrito o funcionamento de cada componente e como foram alcanados seus parmetros,
provendo um minucioso trabalho a fim de facilitar futuras pesquisas que necessitarem de dados
desta monografia e abrir precedentes para diferentes configuraes que possam ser adotadas
para o mesmo sistema.
Procura-se promover uma recapitulao da histria da energia solar fotovoltaica rica em
detalhes e imagens, contando com um referenciamento de fcil localizao, ficando as
referncias bibliogrficas separadas por captulos.
35
Por fim, almejada a realizao investigativa por partes do sistema estudado

computacionalmente, comparando, sempre que possvel, com dados literais e fornecidos pelos
fabricantes.
1.4 ESTRUTURA DA DISSERTAO
Este trabalho est dividido, alm das partes pr e ps textuais, em captulos, sees,
subsees e itens. Os captulos sero apresentados como a principal grande diviso da
monografia, com cinco principais assuntos, com dois subnveis chamados de sees e subsees
e um terceiro subnvel com diferentes itens.
Neste captulo contextualizado o assunto apresentado, mostrando como est sendo o
avano do pas em relao gerao fotovoltaica. A seguir, so elencadas as motivaes do
Autor em iniciar esta linha de pesquisa, juntamente com a utilizao da tecnologia no cenrio
mundial em contraste com a utilizao pelo Brasil, destacando-se, ainda, as vantagens de se
utilizar o sistema proposto. So expostos, ento, os objetivos a serem buscados com esta
dissertao.
No segundo captulo apresentado um histrico da utilizao e desenvolvimento da
tecnologia fotovoltaica. Primeiramente so vistos os primrdios da energia solar e seu emprego
como ferramenta. So apresentados os eventos histricos que alavancaram os estudos na rea e
como foi o seu desenvolvimento. Em seguida, apresentada a utilizao do sol como fonte
direta de gerao de energia eltrica, como medida a irradiao solar, como a trajetria da
luz solar Terra e sua formao no ncleo estelar. Brevemente resume-se como a gesto
energtica no pas e na regio de Uberlndia/MG. Estando apresentados todos os pr requisitos
para a contextualizao do assunto, explicado o efeito fotovoltaico e os tipos de clulas e suas
diferenas e aplicaes.
No captulo trs so descritas as ferramentas utilizadas no desenvolvimento da
monografia e dissecados os componentes do sistema de forma terica e computacional,
conforme concebido pelo Autor. Em primeiro lugar so apresentados os programas que foram
utilizados para as simulaes e para a visualizao dos resultados. Em seguida, so definidas as
condies de operao do sistema e suas entradas. So, assim, explanados o funcionamento de
cada componente de forma separada: arranjo fotovoltaico, controles de busca do ponto de
mxima potncia, conversor elevador de tenso, inversor de frequncia, indutncia de
36
acoplamento com a rede, malha de captura de fase, controle de corrente injetada na rede,
finalizando com a prpria rede eltrica.
No quarto captulo so mostradas as simulaes computacionais e seus resultados.
Inicialmente os sistemas estudados so direcionados a fim de provar o funcionamento
individual de cada componente. A placa fotovoltaica a primeira a ser estudada, contando com
trs tipos de casos: com distrbios externos, sendo modificadas a irradiao e a temperatura;
associao de mdulos, em srie e paralelo, com uso de diodo de by-pass; e internos, em que
so inseridas resistncias em srie e em paralelo a fim de simular o efeito de desgaste do
mdulo. estudado, tambm, o conversor elevador de tenso, inserindo-se uma gerao na
entrada e uma carga na sada para comprovar que a corrente est sendo elevada.
Com o mdulo fotovoltaico e o conversor comprovados, so inseridos vrios controles
de busca do ponto de mxima potncia, onde todas as respostas so apresentadas e comparadas
para o melhor entendimento. So feitos, separadamente, testes na malha de captura de fase,
observando sua atuao com diferentes frequncias e diferentes ngulos de fase da rede.
Isoladamente, estudada a unidade inversora conectada com o controle de corrente injetada na
rede e a modulao por largura de pulso aplicada. Por fim, o sistema unificado e feito o
estudo do sistema conectado rede eltrica.
Por fim, no captulo 5, os resultados so ponderados em relao aos objetivos
apresentados, chegando, o Autor, a concluses acerca dos estudos feitos. Com a dissertao
conclusa, so deixadas sugestes para possveis ampliaes a serem feitas que podem ampliar
o uso do estudo computacional para outras reas de pesquisa.
CAPTULO II
UM HISTRICO DA ENERGIA SOLAR
2.1 CONSIDERAES INICIAIS
A quantidade de energia produzida por um sistema fotovoltaico depende da forma como

so associados seus mdulos e dos fatores externos de temperatura e irradiao.
Independente da ligao desse tipo de gerao de energia com cargas, primeiramente
necessrio analisar as condies climticas para a sua instalao e definir o padro associativo
do sistema. Locais com baixa irradiao ou altas temperaturas no oferecem bons rendimentos
aos sistemas, enquanto que o contrrio contribu para o bom funcionamento.
No Brasil, as regies Nordeste, Centro-Oeste e Norte possuem o maior potencial de
aproveitamento da energia solar. A regio Sul a menos privilegiada, mas possui taxas de
irradiao melhores do que as da Alemanha ou outros pases europeus que mais utilizam
largamente a energia solar fotovoltaica.
Mesmo com altos ndices favorveis instalao de sistemas fotovoltaicos na maioria
do territrio nacional ao longo do ano, ainda baixo o investimento nessa rea, ficando o
mercado de gerao de energia ainda focado em outros meios.
Os informes gerais da Agncia Nacional de Energia Eltrica (ANEEL) de Maio de 2015
mostram que a gerao fotovoltaica participa de 0,01% da demanda geral de energia do Brasil,
gerando uma potncia de 15.179 kW. Os empreendimentos na rea prometem mais 338.488
kW, mas nenhuma nova usina est em construo no momento.
Pases em condies naturais menos favorveis esto mais avanados na explorao
dessa fonte, como Alemanha, Itlia e Espanha; enquanto o Brasil tem uma enorme mdia de
incidncia de radiao solar nas regies Nordeste e Centro-Oeste, perdendo apenas para grandes
regies desrticas.
A Resoluo Normativa n 482/2012 publicada pela ANEEL deve estimular a produo
de energia eltrica no Brasil por meio da gerao fotovoltaica. Definindo um sistema de
compensao, o produtor independente pode gerar energia durante o dia e abater o preo quando
utiliz-la a noite.
Cap. II Um Histrico da Energia Solar
38
Um ponto vantajoso o pequeno gerador ficar alheio s variaes do preo da energia

eltrica, j que o preo da concessionria varia e inflaciona, ao passo que a gerao fotovoltaica
se mantm na mdia e o investimento fixo. O mini ou micro gerador tem custos apenas na
instalao e o investimento se paga, em mdia, entre 8 e 12 anos, podendo diminuir com a
variao de preo da concessionria.
Mesmo com grandes vantagens na gerao solar fotovoltaica, o rendimento dos mdulos
comerciais ainda so baixos, estando em torno de 13 a 17% e a conexo com a rede depende de
tcnicas de busca do ponto de mxima potncia em conversores, encarecendo e exigindo mo
de obra especializada na instalao.
2.2 UM HISTRICO DA UTILIZAO DA ENERGIA SOLAR
O uso da energia solar se data de tempos remotos. H registros do sculo I que Hero
de Alexandria j utilizava o calor do Sol para bombear gua. Esses coletores solares foram
construdos no ano de 212 a.C., com o crdito atribudo a Arquimedes. Alm de t-los
construdo, creditada a ele a faanha de ter incendiado a frota romana, durante o cerco de
Siracusa (214-212 a.C.) com um conjunto de espelhos parablicos dirigidos aos cascos dos
navios, que eram embebidos em piche para impermeabilizao, e suas velas. Apesar do mito
no ser completamente confirmado modernamente, foi referenciado durante toda a histria,
como na coletnea Vitellonis Thuringopoloni opticae libri decem, do matemtico polons
Witelo (1230-1314?), em que descreve que a arma consistia de 24 espelhos que convergiam
para um nico ponto[8], alm de contar com vrias obras de arte, como na figura 2.1.
Figura 2.1: Uso da energia solar por Arquimedes para incendiar navios. [9]
39
J no sculo XVII eram desenvolvidas as fornalhas solares, utilizadas para fundir

metais, como ferro e cobre [10]. A fornalha de Lavosier, uma das primeiras aplicada em larga
escala, foi desenvolvida em 1774. Esta fornalha possua uma lente de 1,32 m e outra de 0,2 m
construda antes da primeira e era capaz de atingir altas temperaturas de at 1750 C [11]. A
fornalha de Lavosier pode ser vista na figura 2.2.
Figura 2.2: Uma fornalha de Lavoisier. [12]
No sculo XIX surgiu a percepo da criao de vapor a baixa presso utilizando a

radiao solar. Augustin Mouchot, com o apoio de Napoleo III, apresentou as primeiras
mquinas a vapor operadas via Sol entre 1866 e 1872. Seu trabalho foi exibido em Tours e
testado na Arglia como bombeamento de gua [13]. Sua mquina a vapor consistia em um
espelho refletor cnico truncado, figura 2.3, com uma caldeira estacionria em seu foco. Sua
mquina chegava a produzir 0,5 HP em um dia ensolarado [14].
Figura 2.3: Amostra do refletor cnico truncado de Augustin Mouchot. [15]
40
Em 1878, William Adams observou que a inveno de Mouchot seria impraticvel

utilizando apenas um espelho cnico e props a utilizao de vrios espelhos pequenos
dispostos em semicrculos a fim de cada espelho refletir a radiao solar na caldeira. William
estimou que 72 espelhos seriam suficientes para que a temperatura da caldeira subisse para 650
C, sendo determinante para a melhora da tecnologia [14].
Em 1882, Abel Pifre construiu o primeiro concentrador solar de prato parablico. Pifre
trabalhou como assistente de Mouchot e adicionou ao seu trabalho uma impressora que chegava
a produzir 500 cpias por hora. O modelo foi apresentado na exposio internacional de Paris,
mas foi considerado muito caro para ser utilizado em larga escala. A figura 2.4 mostra a ousada
ideia de Pifre [14].
Figura 2.4: Concentrador de prato parablico alinhado a uma impressora. [16]
De acordo com o jornal da poca (Nature, vol 26, 1882) [16]:
Uma prensa de impresso funcionou por meio de calor solar foi exibida no
jardim de Tuileries em Paris na fte. [...] O gerador solar foi idealizado pelo
M. Abel Pifre, que melhorou alguns pontos na inveno original de M.
Mouchot. [...] O vapor da caldeira foi posicionado em seu foco [dos espelhos]
e operou uma prensa de Marioni (na direita da imagem). Apesar do Sol no
estar muito ardente e a radiao ser encoberta por frequentes nuvens, a prensa
funcionou regularmente das 13 horas at as 17 horas e 30 minutos, imprimindo
em mdia 500 copias em uma hora de um jornal especialmente arranjado para
a ocasio, o Jornal Soleil.
41
Ao mesmo tempo, nos Estados Unidos da Amrica, o engenheiro e Capito John

Ericsson havia construdo oito modelos de engenhos solares em 1875, mas nenhum para
utilizao prtica. Finalmente, em 1883, conseguiu construir a segunda mquina solar da poca
em tamanho, diferenciando-se das outras por contar com um formato cilndrico, o receptor na
linha focal poderia ser um pequeno cano de cobre funcionando como caldeira. A mquina de
Ericsson continha um coletor retangular de 11 por 16 ps que movimentava um pisto de 6
polegadas de calibre e 8 de percurso. Seu engenho operava a vapor ou a ar e, de acordo com o
prprio Ericsson, conseguia gerar 1 CV por ps de coletor e era utilizado para bombear gua
[13]. Seu sistema pode ser visto na figura 2.5. Aps vrias melhorias em seu sistema, Ericsson
desejava v-lo comercializado, mas seu trabalho no foi levado adiante aps sua morte, em
1889.
Figura 2.5: Concentrador cilndrico parablico de Ericsson, 1883. [17]
No incio do sculo XX, os concentradores solares apresentaram continuidade em seu

desenvolvimento. Aubrey Eneas, em 1901, instalou com sucesso um coletor solar para
bombeamento de gua em uma fazenda na Califrnia. Com 1788 espelhos alinhados como um
prato parablico, os raios de sol eram concentrados em uma caldeira no foco da estrutura. O
vapor gerado operaria uma bomba centrfuga. Seu esboo de patente pode ser visto na figura
2.6 [14].
42
Figura 2.6: Patente de Aubrey Eneas de seu gerador solar. [18]
J em 1904, Henry E. Willsie desenvolveu o conceito de armazenamento trmico. Com

o calor gerado pelos coletores, o vapor era armazenado em um recipiente isolado e a gerao
de movimento era feita por dixido de enxofre que esquentava com o calor do vapor
armazenado e era expelido por um exaustor para movimentar um pisto. Quando o dixido de
enxofre esfriava, retornava ao recipiente com vapor. Com essa modificao foi possvel
armazenar calor para ser utilizado a noite e em dias nublados [14] [19].
Em 1912, Frank Shuman e Charles Vernon Boys utilizaram o sistema de gerao com
refletores para bombear gua do rio Nilo, onde o campo de captao se estendia por 1200m.
Foi a maior construo do tipo na poca. Foram utilizados cilindros parablicos de 62 m de
comprimento e 4,5 m de largura e era capaz de operar uma bomba de 75kW [10] [14]. O sistema
de Shuman e Vernon pode ser visto na figura 2.7, assim como seu esboo e o detalhe de um
cilindro.
43
Figura 2.7: O arranjo solar trmico de Shuman e Vernon. [20]
Apesar do grande sucesso, a planta foi desativada em 1915 devido a Primeira Grande
Guerra e, quando esta foi findada, grandes descobertas de campos petrolferos no Oriente Mdio
e na Venezuela alavancaram o setor deixando a gerao termal solar em segundo plano [10],
praticamente paralisando novos avanos significativos para a tecnologia.
2.3 AS TURBULNCIAS NO MERCADO INTERNACIONAL
No ano de 1960, Arbia Saudita, Kuwait, Ir, Iraque e Venezuela iniciam a Organizao
do Pases Exportadores de Petrleo, a OPEP, para defender seus prprios interesses como
produtores e exportadores de petrleo, controlando o preo do petrleo no comrcio
internacional.
Os objetivos da OPEP, definidos pela Organizao em 1961, eram o de aumentar a
receita dos pases-membros a fim de promover o desenvolvimento, assegurar o aumento
gradativo do controle sobre a produo de petrleo e unificar as polticas de produo.
Em outubro de 1973, a OPEP decidiu aumentar o preo do barril de petrleo em 400%
bem como diminuir sua produo, motivados pelo petrleo estar na base da economia de seus
participantes, preo extremamente baixo do barril, consumo em aumento constante em todo o
mundo e a grande dependncia dos no-produtores, que preferiam importar petrleo a explorar
44
jazidas prprias [21].

Alm das alegaes logsticas, o principal motivo foi poltico; o rearmamento de Israel
pelos Estados Unidos da Amrica na Guerra de Yom Kippur, onde uma coalizo de pases
rabes atacou Israel, mas foram repelidos. O constante apoio a Israel motivou a deciso da
OPEP para ajustar a balana poltica no Oriente Mdio [21].
O resultado da deciso da OPEP gerou a primeira crise do Petrleo, os pases noprodutores foram forados a fazer racionamento de combustvel, fazendo faltar petrleo no
mundo todo. No Brasil a balana comercial entrou em desequilbrio e gerou uma hiperinflao
que durou quase 20 anos [21].
A crise terminou um ano depois, quando Israel desocupou reas ocupadas durante a
guerra de Yom Kippur.
Com a suspenso do embargo o preo do petrleo voltou a abaixar, mas deixando
sequelas no mundo inteiro. O mundo no havia presenciado uma crise econmica to grave
desde 1929 com a quebra da bolsa de Nova Iorque [21].
Apenas 6 anos depois aconteceu a segunda crise do petrleo. Em 1979, o Ir, segundo
maior produtor de petrleo do mundo, passou por uma revoluo fundamentalista. O preo do
petrleo subiu novamente, chegando a dobrar os preos ps-primeira crise.
Ao contrrio da primeira crise, que foi rapidamente desfeita, este teria uma longa
durao, pois alm da paralizao da produo depois da revoluo, o novo governo islmico
fundamentalista iria controlar os preos do petrleo de acordo com sua prpria orientao
poltico-religiosa [22].
No Brasil, mais uma vez a economia sofreu com o novo choque. Agora o Pas estava a
beira de quebrar, com os desmandos e as obras faranicas do governo militar aflorando. Os
erros da poltica energtica faziam com que se cobrasse um alto preo da populao com a
disparada da gasolina e do diesel nas bombas. Desta vez a crise no produziu uma mudana
radical na poltica brasileira, dando incio ao investimento no desenvolvimento de alternativas
gasolina, como o lcool combustvel [22].
2.4 O DESENVOLVIMENTO DA TECNOLOGIA
Devido s crises do petrleo que ocorreram na dcada de 70, a busca por alternativas
aos combustveis fsseis foi alavancada, levando retomada da tecnologia solar. Nos Estados
45
Unidos da Amrica, a instalao de coletores solares foi coordenada pelo Departamento de

Energia Americano e a primeira planta solar comercial foi instalada no estado do Novo Mxico
em 1979, onde a temperatura atingia at 500C e era utilizada inicialmente em processos
industriais [10].
Na Europa houve maior investimento nas pesquisas solares na mesma poca. A
plataforma Solar de Almera, na Espanha, foi fundada em 1977 e, em 1981, forneceu pela
primeira vez energia eltrica rede provinda de fonte solar. A plataforma de Almera gera
energia eltrica a partir de campos com refletores cilindro-parablicos de rea de 7,6 m e fica
localizado no deserto de Tabernas, figura 2.8 [10].
Figura 2.8: Plataforma Solar de Almera. [23]
Em 1984, nos Estado Unidos da Amrica, a companhia Luz International Limited criou
a planta solar SEGS I de 14 MW. E em seguida mais 8 plantas com capacidades de 30 a 80
MW com coletores solares cilindro-parablicos [10] Na figura 2.9 v-se as plantas SEGS I e II
nas proximidades de Daggett na Califrnia.
46
Figura 2.9: As plantas solares de SEGS I e II em Daggett na Califrnia. [24]
As alternativas ao petrleo cresceram durante a recuperao da segunda crise, fazendo

com que a indstria petrolfera ficasse ociosa, at que em 1986 o preo do barril despencou,
ficando a menos de 10 dlares [25]. Com a abundncia de petrleo no mercado, novamente os
investimentos por tecnologias alternativas de gerao de energia minguaram.
Apenas no final da dcada de 1990 e no incio da dcada de 2000 foram adotadas novas
polticas de incentivo, favorecendo novas pesquisas no campo, mas nunca com necessidade to
alta quanto durante as crises do petrleo passadas.
2.5 GERAO DE ENERGIA ELTRICA
A converso de energia solar em energia eltrica pode ser feita atravs de duas formas
principais: a converso trmica, pela qual h transferncia de calor para gerar energia mecnica;
e energia eltrica ou converso fotovoltaica, pela qual a converso feita diretamente. A figura
2.10 apresenta as formas de gerao com a aplicao especfica para a utilizao de um sistema
de bombeamento de gua.
47
Figura 2.10: Converso e utilizao de energia. [26]. (Traduzido)
A gerao solar trmica, como observado, utiliza o calor da radiao solar para a gerao
de energia termodinmica e ento em energia mecnica para s ento gerar eletricidade. Os
mtodos que utilizam esse tipo de converso so chamados de mtodos termodinmicos [26].
Os mtodos de converso direta fazem a gerao de energia eltrica por meios naturais,
como o terminico e o termoeltrico, que funcionam com a diferena de temperatura para a
gerao de energia eltrica e o fotovoltaico, que utiliza luz para a gerao de energia eltrica.
2.6 HELIOTECNIA
Para um dimensionamento correto de um sistema de gerao fotovoltaica fundamental

um conhecimento aprofundado do movimento aparente do Sol, a composio de sua radiao
e a atuao da atmosfera terrestre nela.
2.6.1 ESPECTRO DA RADIAO SOLAR
A luz formada por um espectro luminoso, ou seja, um conjunto de radiaes

eletromagnticas de alta frequncia que ficam agrupadas. Uma fonte natural para o planeta
Terra provm do Sol, onde a transferncia de energia acontece pela luz, ou seja, pela radiao
solar. A energia radiante que o Sol fornece Terra da ordem de 1,5x1018 kWh/ano, sendo
correspondente a dez mil vezes o consumo mundial no mesmo perodo [27].
A radiao solar um processo de transferncia de energia de natureza eletromagntica,
48
que se propaga na forma de oscilaes ondulatrias sincronizadas de campos eltricos e

magnticos. Ondas eletromagnticas no necessitam de um meio fsico de propagao e viajam
a uma velocidade de 300.000 km/s, que a velocidade da luz no vcuo. O comprimento de uma
onda eletromagntica e sua frequncia definem as caractersticas da radiao pela equao 2.1
[27].
(2.1)
Onde:
Frequncia da onda, em Hertz (Hz).
Velocidade da luz no vcuo, em metros por segundo (300.000.000 m/s).
Comprimento de onda, em metros (m).
O espectro eletromagntico contnuo, existindo ondas eletromagnticas com todos os

comprimentos; contudo normal a diviso desse espectro em faixas, j que para cada
comprimento de onda se d um uso diferente para seu efeito. A figura 2.11 mostra como
dividido o espectro eletromagntico por frequncia e comprimento de onda.
Figura 2.11: O espectro eletromagntico. [28]
49
A retina do olho humano sensvel a ondas eletromagnticas nos intervalos de 400 nm

a 700 nm aproximadamente, onde so identificadas as cores da luz visvel, mas alm dessa
pequena faixa, tm-se os raios gama, raios X, ultravioleta, infravermelho, micro-ondas, ondas
de tv e rdio e ondas longas. Todas as ondas transmitem energia e, quanto maior a frequncia
da onda, maior o transporte dessa energia [27]. A tabela 2.1 mostra como a distribuio do
espectro de radiao solar em regies energticas.
Tabela 2.1: Diviso aproximada do espectro solar em regies de energia.

Fonte: GUIMARES, Ana Paula C. 2003 [27]
Regio de Energia
(m)
Faixa de Irradincia (W/m)
(%)
Ultravioleta
0,35 0,38
32,81
2,4
Visvel
0,38 0,78
656,16
48,0
Infravermelho Prximo
0,78 4,00
615,15
45,0
2.6.2 ATMOSFERA TERRESTRE
As caractersticas da radiao solar na Terra so afetadas pela atmosfera terrestre devido

a absoro e o espelhamento. A espessura da camada atmosfrica muda com o ngulo Zenital
do Sol, da distncia Terra-Sol e das condies atmosfricas e meteorolgicas. Essas condies
so identificadas por um coeficiente denominado massa de ar (Air Mass A.M.), exemplificado
pela figura 2.12.
Figura 2.12: O coeficiente AM de acordo com o ngulo Znite. (Traduzido) [29]
50
A massa de ar igual a 0 corresponde a nenhuma massa de ar a ser vencido, ou seja,

quando o observador se encontra fora do alcance da atmosfera. Quando o Sol est exatamente
no Znite, ou seja, quando o Sol se encontra exatamente a cima do observador na Terra, na
superfcie terrestre a massa de ar que a luz deve vencer de valor 1, ou AM = 1, enquanto
que se o Sol se encontra a 60,1 a partir do Znite essa massa de duas vezes o valor zenital,
ou AM = 2 [29].
Em medies prticas, AM = 1 ocorre apenas quando o Sol se encontra no seu ponto
mximo, ao meio dia, nos dias de equincio para um observador no equador. O clculo das
massas de ar pode ser aproximado para a secante do ngulo zenital [29].
As caractersticas padres dos sistemas fotovoltaicos so definidos pela UL 1704/2004,
que define a massa de ar em 1,5 AM, ou seja, com o Sol a 48,2 do Znite. O valor de 1,5 foi
definido pela Sociedade Americana de Materiais e Teste (The American Society for Testing
and Materials ASTM), tendo a escolha "Porque representante das condies mdias em 48
estados contguos dos Estados Unidos da Amrica " [29].
Quanto maior a massa de ar maiores so as perdas de energia, como mostrado na figura
2.13.
Figura 2.13: Diferenas entre as Irradincias para diferentes AM. [30] (Traduzida e modificada1 pelo autor)
1
Acrescentadas as linhas que delimitam as radiaes UV (ultra violeta) e IR (infra vermelho) da luz
visvel, em 380 nm e 780 nm respectivamente.
51
2.6.3 COMPONENTES DA RADIAO SOLAR
A radiao solar, quando atinge a atmosfera, sofre interaes. O total de radiao que
chega ao solo se chama radiao global, que se compe, alm da radiao solar direta, quando
a radiao chega diretamente do Sol, tambm da radiao difusa, que composta das radiaes
das demais direes, difundida pelas partculas atmosfricas, e da radiao refletida, tambm
chamada de albedo, que parte da energia recebida sobre a superfcie terrestre e refletida [29].
A figura 2.14 mostra a diviso da radiao que chega a terra.
Figura 2.14: A diviso da radiao global. [29] (Traduzido)
A tabela 2.2 apresenta a intensidade da radiao solar em condies climticas variadas

e a tabela 2.3 a porcentagem de luz refletida, ou o albedo, por diferentes superfcies na Terra.
Tabela 2.2: Intensidade de radiao em vrias condies climticas.

Fonte: KININGER, Frank. 2003. [35]
Clima
Claro, cu azul Nebuloso ou nublado. Carregado.
600...1000
50...150
Radiao Global
200...400 W/m
W/m
W/m
Frao Difusa
10...20%
20...80%
80...100%
52
Tabela 2.3: Albedo para diferentes superfcies terrestres.

Fonte: KININGER, Frank. 2003. [35]
Localidade
Albedo (%)
Oceanos
2 10
Florestas
6 18
Grama
7 25
Terra
10 20
Desertos
35 45
Gelo
20 70
Neve (fresca)
70 80
Maiores informaes sobre a origem da luz podem ser encontradas no anexo II.
2.7 MOVIMENTO SOL-TERRA
O planeta Terra descreve uma rbita elptica ao redor do Sol devido atrao
gravitacional. Essa rbita, alm da inclinao da Terra em seu eixo, responsvel pela durao
do ano e das estaes.
2.7.1 O ANO
Um ano terrestre se mede quando a Terra d uma volta completa em torno do Sol. O
problema com esse tipo de medio que a Terra no viaja em um caminho que retorna
exatamente ao ponto inicial, no sendo exata a medida de um ano com preciso.
Uma forma de perceber quando o ano se inicia e quando o ano termina chamado de
ano sideral, onde a rbita terrestre comparada com as constelaes distantes. Observado da
Terra, o Sol parece se mover pelas constelaes ao fundo. Quando retorna ao seu ponto inicial,
um ano sideral se passou. Um ano sideral tem 365 dias, 6 horas, 9 minutos e 10 segundos.
Outra forma de se medir o ano o ano tropical. Por causa da inclinao terrestre em seu
eixo, a posio do Sol no cu durante um ano muda em um caminho chamado analema, visto
na figura 2.15. Desta forma o ano tem 365 dias, 5 horas, 48 minutos e 46 segundos [31].
53
Figura 2.15: O Sol fotografado a cada 10 dias no mesmo horrio, formando o analema. [31]
2.7.2 AS ESTAES DO ANO
A inclinao terrestre primariamente responsvel pelas estaes do ano, enquanto a

distncia do Sol na rbita faz com que a temperatura nos hemisfrios mude sutilmente. Como
a Terra orbita o Sol em forma de elipse, existem um ponto de mximo, um de mnimo, os
solstcios, e dois pontos em que a irradiao solar igual nos dois hemisfrios, os equincios,
como apresentado na figura 2.16.
Figura 2.16: Sistema de revoluo terrestre em torno do Sol. [32] (Traduzido).
A relao do eixo da Terra com a distncia solar est na suavizao das estaes nos
hemisfrios. Se o eixo terrestre durante o solstcio est mais prximo do Sol, um hemisfrio
ter uma maior diferena entre as estaes que o outro. Se o eixo est alinhado com os
equincios as estaes em ambos hemisfrios sero similares.
Atualmente o eixo coincide com o Vero no hemisfrio Sul, fazendo com que este
hemisfrio tenha as estaes mais extremas que no Norte.
54
2.8 ORIENTAO DOS MDULOS
A inclinao dos coletores deve otimizar a captao de radiao solar de acordo com a
altura ao longo do ano. A equao 2.2 possibilita o clculo da a angulao tima de inclinao
com os mdulos virados para o equador [33].
= 3,7 + 0,69
(2.2)
Onde:
Melhor ngulo para captao de radiao, em Graus ().
Valor da latitude local, em Graus ().

Por exemplo, em Uberlndia/MG a latitude de 18 55 e 08 S, ou 18,918. Aplicando
a equao 2.2, o ngulo timo de 16,754, ou de 16 45 e 14 voltado para o Norte. Utilizando

esse ngulo, as placas que ficarem estacionrias, sem dispositivos de busca, conseguiro captar
o mximo de luz possvel em mdia no ano.
A figura 2.17 mostra a simulao de como o Sol se comportar na cidade de
Uberlndia/MG no primeiro dia de cada ms do ano de 2015 ao meio dia, no considerando o
horrio de Vero. Pode-se ver que o Sol, durante o ano, passa mais ao Norte do que no Znite
da cidade, no sendo vantajoso manter o sistema a 0 do solo, mas inclinando-o a 16 45 e 14
para o Norte, a fim de aproveitar melhor a radiao o ano todo.
Figura 2.17: O comportamento do Sol para a cidade de Uberlndia/MG. (Fonte: Autor com [34])
55
2.9 INSTRUMENTOS DE MEDIO
As irradincias global, difusa e direta devem ser medidas e armazenadas em um

histrico, a fim de definir a viabilidade de instalao de um sistema fotovoltaico. So
apresentados alguns instrumentos de medio da radiao a seguir.
2.9.1 PIRANMETRO
Utilizado para medir a radiao solar, um piranmetro um exemplo bsico de medio.

Seu princpio de funcionamento se baseia na medio e na diferena da temperatura entre
setores pintados de preto e branco, vistos na figura 2.18. Um vidro isola os sensores de fatores
externos [35].
Figura 2.18: Um Piranmetro modelo 240-8101. [35]
56
2.9.2 PIRELIMETRO
O pirelimetro mede a radiao direta. Em contraste com o piranmetro, o disco onde

montado o sensor localizado na base de um tubo alinhado com a direo dos raios solares.
Assim a radiao difusa bloqueada da superfcie do sensor. Como o tubo deve sempre estar
alinhado com o Sol, o pirelimetro deve ser montado em um dispositivo que monitora e segue
o Sol durante o dia. Na figura 2,19 v-se um pirelimetro montado em um dispositivo de busca
dos raios solares [35].
Figura 2.19: Pirelimetro do tipo DR01 conectado ao rastreador. [35]
2.9.3 BANDA ESCURA
Para a medio de radiao difusa, a aplicao de uma faixa escura sobre o piranmetro
suficiente. Isso significa que a radiao direta bloqueada, fazendo com que o aparelho apenas
acuse o valor da radiao difusa do ambiente. Na figura 2.20 v-se a aplicao dessa faixa e a
sombra que ela faz no medidor. A faixa deve ser instalada no sentido Leste-Oeste, para que em
nenhum momento do dia o piranmetro receba radiao direta e deve ser ajustado para
diferentes pocas do ano pelos dois parafusos borboleta em sua lateral devido ao movimento
solar aparente Norte-Sul [35].
57
Figura 2.20: Aplicao de uma faixa de escurido no piranmetro. [35]
2.9.4 ALBEDMETRO
Para a medio do Albedo necessrio voltar um piranmetro para o solo, medindo

apenas a radiao que refletida, ou o albedo. A figura 2.21 mostra um albedmetro que
consiste de dois piranmetros, um para medio da radiao solar e outro para o albedo.
Figura 2.21: Albedmetro do tipo CM 7B. [35]
58
2.10 GESTO ENERGTICA NO BRASIL
O Brasil possua, no incio do ano de 2015, 3.598 empreendimentos em operao, com

uma gerao de 134.006.873 kW de potncia instalada. Desse nmero de empreendimentos,
apenas 317 so do tipo fotovoltaico, com uma potncia outorgada de 19.179 kW, fazendo parte
de apenas 0,01% da energia produzida no Brasil. A tabela 2.4 apresenta os empreendimentos
em operao no Brasil pelo tipo de gerao [36].
Tabela 2.4: Empreendimentos em operao no Brasil.

Fonte: ANEEL, 2015 [36]
Potncia
Potncia
Tipo
Qtd.
Outorgada
Fiscalizada
(kW)
(kW)
Central Geradora Hidreltrica
499
329.259
330.937
0,24
Central Geradora Elica
277
6.243.061
6.134.549
4,47
Pequena Central Hidreltrica
475
4.822.088
4.799.994
3,5
Central Geradora Solar Fotovoltaica
317
19.179
15.179
0,01
Usina Hidreltrica
201
87.308.965
85.003.838
61,96
2.609
40.547.743
38.921.329
28,37
1.990.000
1.990.000
1,45
4.380
141.260.295
137.195.826
100
Usina Trmica
Usina Termonuclear
Total
V-se que o Brasil tem a maioria de sua matriz energtica baseada em fontes renovveis,
com um total de 70,31%, porm grande parte provm de energia de usinas hidreltricas, ficando
o sistema condicionado s chuvas nos reservatrios. Com essa dependncia de gua, perodos
de seca prolongada afetam gravemente o sistema, forando racionamentos e o aumento do preo
da energia eltrica [36].
Os dados do dia 26 de Janeiro de 2015 do Operador Nacional do Sistema so mostrados
na tabela 2.5, com os nveis dos principais reservatrios. Pode-se notar que as Regies Sudeste
e Centro-Oeste esto com os reservatrios baixos devido a recente seca que assola a regio.
um fato preocupante, j que as duas regies tm a capacidade de armazenamento de 70% de
toda matriz hidreltrica do pas.
Observando o comparativo da figura 2.22 da energia armazenada nas Regies Sudeste
e Centro-Oeste entre 2013 e 2014, v-se que a o armazenamento atual de energia nos
59
reservatrios chega a ser 60% menor que o mesmo perodo em 2013. Alm de notar que a
diferena vem aumentando com o passar do ano.
Tabela 2.5: Situao dos reservatrios do Sistema Eltrico Brasileiro, 26 de jan. de 2015
Fonte: ONS, 2015 [37]
Regio
Bacia
Reservatrio
Situao
Emborcao
13,32%
Nova Ponte
10,50%
Itumbiara
11,27%
So Simo
54,39%
Furnas
10,35%
Mascarenhas de Moraes
12,58%
Marimbondo
12,37%
gua Vermelha
16,63%
Ilha / 3 Irmos
0%
Jurumirim
20,65%
Chavantes
18,28%
Capivara
23,04%
S. Santiago
66,47%
G. B. Munhoz
54,72%
Segredo
100,42%
Rio Jacu
Passo Real
61,94%
Rio Uruguai
Passo Fundo
92,76%
Sobradinho
19,68%
Trs Marias
10,23%
Itaparica
19,55%
Serra da Mesa
26,19%
Tucuru
33,53%
Rio Paranaba
SE/CO
Rio Grande
Rio Paran
Rio
Paranapanema
Rio Igua
S
Rio So
NE
Francisco
Rio Tocantins
60
Figura 2.22: Comparativo entre 2013 e 2014 de armazenamento de energia. [37]
2.10.1 A ENERGIA FOTOVOLTAICA NO BRASIL
Como visto na tabela 2.4, as fontes fotovoltaicas no Brasil compreendem 0,01% da

capacidade total de potncia instalada no Pas. Este valor inexpressivo em comparao a
outras fontes instaladas no Pas, porm, vem crescendo com a entrada do capital privado no
mercado [36].
Dos empreendimentos em construo atuais, nenhum de natureza fotovoltaica. Com
previso de construo de duas centrais ainda no iniciadas com possibilidade de gerar potncia
de 58.548 kW, as usinas de So Francisco, em Santa Maria da Boa Vista, e So Pedro e Paulo
I, em Flores, ambas em Pernambuco [36].
Em outubro de 2011 existiam apenas 6 usinas fotovoltaicas em operao no Brasil
gerando 1.087,44 kW; em novembro de 2012 o nmero cresceu para 10 usinas com 2.578,06
kW [33]; em fevereiro de 2013 contava com 11, gerando 7.578,06 kW; em dezembro de 2014,
289 usinas com 18.985,03 kW. Agora, em janeiro de 2015, so 317 gerando 19.178,68 kW, um
aumento de 1663% em 5 anos [36].
A maioria das novas conexes so de uso particular em baixa tenso com conexo
rede eltrica, destacando-se a importncia de novas pesquisas no campo de sistemas
fotovoltaicos conectados rede eltrica como gerao independente.
61
2.10.2 A ENERGIA FOTOVOLTAICA EM UBERLNDIA/MG
Na cidade de Uberlndia, Minas Gerais, notvel o nmero de pequenas centrais

fotovoltaicas espalhadas. As primeiras usinas fotovoltaicas da regio conectadas a rede se
instalaram em 2013, com a instalao da usina da PGM, mantida pela PGM Suporte em
Tecnologia Ltda. Seguindo a tendncia, com a Resoluo Normativa n 482/2012 da ANEEL
entrando em vigor e a tecnologia se espalhando, outras empresas iniciaram, tambm, a sua
prpria gerao fotovoltaica.
A tabela 2.6 mostra um rol de todos os geradores conectados rede na cidade. Todas as
instalaes na regio esto cadastradas no registro de mini e micro geradores pela Resoluo
Normativa 482/2012 da ANEEL.
Tabela 2.6: Usinas do Tipo Solar Fotovoltaica na cidade de Uberlndia/MG.

Fonte: ANEEL, 2015 [36]
Usina
Potncia
Instalada (kW)
PGM
6,58
Pedro Bernardes Neto

Helena Guimares de Rezende
29,6
2,12
3,29
3,29
2,12
19,27
2,12
2,12
2,12
2,12
2,9
20,58
20,58
4,8
2,21
3,8
129,62
Tecidos Miramontes
Algar Telecom
Cires Canisio Pereira
Luiz Alberto Garcia
Flavio Malagoli Buiatti
Instituto Vigotski Educao Cultura
Claudio Pereira Guimares Junior
Fabio Nogueira Leite
Ronaldo Custdio Cota Pacheco
Etesa Uberlndia
Elecnor
Paulo Antnio Cardoso
Gustavo Garcia Gonalves
Michelle Cristine Fortes
Total
Proprietrio
100% para PGM Suporte em Tecnologia Ltda EPP

100% para Pedro Bernardes Neto
100% para Helena Guimares de Rezende
100% para Tecidos Miramontes Ltda
100% para CTBC
100% para Cires Canisio Pereira
100% para Luiz Alberto Garcia
100% para Flvio Malagoli Buiatti
100% Instituto Vigotski de Educao e Cultura
100% para Claudio Pereira Guimares Junior
100% para Fabio Nogueira Leite
100% para Ronaldo Custdio Cota Pacheco
100% para ELECNOR TRANSMISSAO DE ENERGIA
100% para ELECNOR TRANSMISSAO DE ENERGIA
100% para Paulo Antnio Cardoso
100% para Gustavo Garcia Gonalves
100% para Michelle Cristine Fortes
2.11 O EFEITO FOTOVOLTAICO
chamado efeito fotovoltaico aquele decorrente da excitao de eltrons de alguns tipos

de materiais na presena de luz solar. Diferente do efeito fotoeltrico, apesar de estarem
62
intimamente ligados, no h a expulso do eltron do material, mas a troca de camadas atmicas

pela energia da radiao. Os eltrons na camada de valncia absorvem energia e so excitados,
escapando para a camada de conduo e se tornando eltrons livres, gerando uma diferena de
potencial eltrico no material.
2.11.1 UM HISTRICO DO EFEITO FOTOVOLTAICO
A primeira demonstrao do efeito fotovoltaico creditada ao fsico francs Alexandre

Becquerel (1820-1891), em 1839 iluminando eletrodos de platina cobertos de Cloreto de prata
(AgCl). Becquerel observou o mesmo efeito utilizando o Brometo de prata (AgBr) na soluo.
A figura 2.23 mostra a experincia de Becquerel [38].
Figura 2.23: A demonstrao de Becquerel. [38] (Traduzido)
Em 1873, o professor ingls Willoughby Smith (1828 1891) descobriu a

fotocondutividade do elemento Selnio. Em 1876, um aluno de Willoughby, William Adams
(1836 1915), seguindo seus experimentos com o Selnio, notou anomalias quando eletrodos
de Platina eram empurrados para perto de Selnio vtreo, figura 2.24. Ficou concludo que era
possvel iniciar uma corrente eltrica no Selnio pela ao de luz [38].
63
Figura 2.24: Experimento para a comprovao do efeito fotovoltaico no Selnio. [38]
Esses experimentos basearam o trabalho de Charles Fritts que, em 1883, desenvolveu

um prottipo de clula fotovoltaica de fio fino. Seu prottipo se baseava no Selnio como
camada de absoro e uma fina camada de Ouro como juno, mas o preo de cada clula era
muito elevado e o rendimento era muito baixo, de 1,5%.
At a dcada de 1940 os sistemas fotovoltaicos utilizavam Selnio, xido de Cobre ou
Sulfeto de Tlio como camada de absoro com um metal retificando a sada, como exibido na
figura 2.25 [38].
Figura 2.25: A tecnologia solar at a dcada de 1940. [38]
64
Em 1941, Russel Ohl, do Laboratrios Bell, descreveu a primeira verso de uma clula
solar utilizando semicondutores com juno p-n. Essas junes se formam naturalmente com a
solidificao lenta de silcio derretido. Com esse tipo de juno, a eficincia da clula aumentara
para 6%. O interesse na tecnologia cresceu nos anos 50 quando se props a utilizao de clulas
fotovoltaicas em satlites [38].
Em 1958, a NASA lanou o satlite Vanguard, que utilizava energia das clulas de
Silcio e, com o interesse gerado e o investimento, em 1959 j era apresentada a clula com
rendimento de 10%. No Japo, em 1963, os primeiros mdulos fotovoltaicos se encontravam
no comrcio.
Em 1973, com a primeira crise do petrleo, era percebido a fragilidade do mercado
petrolfero e a busca por energia provinda de fontes alternativas aumentou. A Universidade de
Delaware props uma residncia alimentada apenas por energia fotovoltaica. Na mesma dcada
o modelo da clula evoluiu para o que visto na figura 2.26, com textura cristalogrfica na
camada superior para reduo de refletividade.
Figura 2.26: Diferena entre as clulas, de 1941 (cima) e cristalogrficas (baixo). [38]
Na dcada de 1980 foi instalada no Canad uma usina solar fotovoltaica com capacidade
de 6 MW, e j surgia na Austrlia a primeira clula com rendimento maior que 20%. A partir
da a proposta de utilizao residencial foi bvia, fomentando a criao de legislaes
especficas para a gerao e utilizao de energia fotovoltaica em vrios pases, alm de
institutos especializados em instalao e treinamento.
A figura 2.27 mostra a capacidade mundial total de gerao de energia eltrica oriunda
de plantas fotovoltaicas de 2004 at o incio de 2014 e a figura 2.28 a capacidade por pas de
capacidade operacional fotovoltaica, indicando os 10 pases que mais tm participao no
mercado de energia solar fotovoltaica.
65
Figura 2.27: Capacidade fotovoltaica global. [39]
Figura 2.28: Os 10 maiores produtores de energia solar fotovoltaica. [39]
Aps a explanao apresentada, uma breve cronologia resumida se encontra no Anexo

I, com todos os eventos principais que ocorreram para ser alcanado o estado da arte.
2.11.2 O FUNCIONAMENTO DA CLULA FOTOVOLTAICA
A clula fotovoltaica se forma principalmente de semicondutores que, assim como um

diodo, se compem de duas camadas, uma positiva e uma negativa. Para a gerao de energia
eltrica necessrio que a camada positiva seja exposta luz, que formada de pacotes, ou
quantas, de energia chamados ftons. Esses ftons bombardeiam toda superfcie da clula,
66
transferindo energia para os eltrons, fazendo com que estes saltem da camada mais afastada
do tomo de Silcio e se tornem livres quando h energia suficiente. Como a clula
bombardeada por ftons de diferentes comprimentos de onda, por vezes a energia no
suficiente para que o eltron salte, desta forma, fazendo com que a energia fotnica se torne
cintica, esquentando a clula.
Para facilitar a liberao de eltrons feita a dopagem do material. O Silcio o material
mais comum utilizado na confeco de semicondutores e como tem 4 eltrons na camada de
valncia (tetravalente), precisa de uma energia maior para perder um eltron de valncia, ento
utilizado em meio a malha de silcio, um tomo de Fsforo, ou Arsnio, que so pentavalentes,
com cinco eltrons na camada de valncia, fazendo com que haja um eltron extra, preso apenas
por fora eletromagntica e pode ser facilmente desprendido. Os elementos pentavalentes
utilizados na dopagem so chamados de doadores e formam a camada n.
Por outro lado, a dopagem do Silcio com um elemento trivalente, com trs eltrons na
camada de valncia, como o Boro, Alumnio ou Glio, faz com que exista uma falta de eltrons
no material e esses elementos trivalentes, por aceitarem eltrons facilmente, so chamados de
receptores e formam a camada p. As dopagens so vistas na figura 2.29.
Figura 2.29: Dopagens do Silcio. [35] (Traduzido)
A juno dos dois tipos de camadas feita quando, em altas temperaturas, uma camada
do tipo n produzida no material do tipo p. Na regio n existem eltrons disponveis, na regio
p existe a falta deles. Esta diferena de concentrao faz com que os eltrons na regio n
difundam-se na regio p, resultando em correntes da camada n para a camada p.
A figura 2.30 ilustra como acontece o fluxo de eltrons em uma clula fotovoltaica. A
radiao solar bombardeia a regio n e libera os eltrons livres que so atrados para a regio p,
gerando um potencial e, por consequncia, uma corrente.
67
Figura 2.30: Processo fsico em uma clula fotovoltaica. [35] (Traduzido e modificado)
As clulas fotovoltaicas quando iluminadas criam eltrons livres portadores de carga. O

nmero de carga proporcional intensidade da radiao recebida, assim como a fotocorrente,
que gerada internamente na clula. Sabendo que existe uma juno p-n, pode-se simplificar a
equao de uma fotoclula ideal pela equao 2.3 e visualizar o circuito equivalente de uma
fotoclula ideal na figura 2.31 [35].
= = 0 ( 1)
(2.3)
Onde:
Corrente na sada da clula, em Ampres (A).
Fotocorrente gerada na pr-juno p-n, em Ampres (A).
Equivalncia de um diodo pela juno p-n, em Ampres (A).
Corrente de saturao da passagem pela juno p-n, em Ampres (A).
Carga do eltron (1,6*10-19), em Coulombs (C).
Tenso na juno p-n, em Volts (V).
Constante de Boltzmann (1,38*1023), em Joule por Kelvin (J/K).
Temperatura, em Kelvin (K).
68
Figura 2.31: Circuito equivalente de uma fotoclula ideal conectado a uma carga. [35] (Traduzido)
Aplicando o circuito ideal para uma radiao fixa e modificando a carga R, constri-se
a curva de corrente por tenso da figura 2.32, com destaques na curva da corrente da clula para
a corrente ISC, onde ocorre o curto circuito, ou a carga mnima; e VOC, onde ocorre o circuito
aberto, ou quando a carga R mxima. Na corrente do diodo formado pela juno p-n, destacase o ponto ID, quando a corrente no diodo mxima devido ao circuito aberto no terminal da
clula.
Figura 2.32: Curva de Corrente por Tenso, na clula, no diodo e a fotocorrente. [35] (Traduzido)
69
A partir deste experimento se torna bvio que a curva caracterstica da clula

equivalente curva de um diodo de forma invertida, onde elevada por um offset igual ao da
foto corrente.
Utilizando-se da relao de potncia, tenso e corrente, chega-se curva mostrada na
figura 2.33, se destacando o ponto de mxima potncia MPP e, a partir deste, os pontos IMPP,
(corrente no ponto de mxima potncia) e VMPP (tenso no ponto de mxima potncia).
Figura 2.33: Potncia e corrente por tenso na clula fotovoltaica. [35] (Traduzido e editado)
V-se que a forma da curva de potncia zero em dois pontos, um quando ocorre o
curto-circuito, j que a tenso zero, e outra quando ocorre o circuito aberto, onde a corrente
no existe. Observa-se, tambm, que o ponto de mxima potncia ocorre prxima ao joelho da
curva, onde a relao de corrente por tenso ideal.
O retngulo amarelo na figura anterior apresenta o fator de preenchimento (Fill Factor
FF), que utilizado para verificar a qualidade da clula solar. O fator de preenchimento
calculado pela equao 2.4, utilizando os dados vistos nas curvas caractersticas, e a equao
2.5 permite sua utilizao na definio do ponto de mxima potncia.
Finalmente, h de se saber o rendimento da fotoclula, que a razo da potncia de
sada pela potncia de entrada, como na equao 2.6.
70
( )
( )
(2.4)
= =
=
(2.5)
(2.6)
Onde:
Fator de preenchimento, sem unidade.
Tenso no ponto de mxima potncia, em Volts (V).
Corrente no ponto de mxima potncia, em Ampres (A).
Tenso de circuito aberto, em Volts (V).
Corrente de curto-circuito, em Ampres (A).
Potncia no ponto de mxima potncia, em Watts (W).
Rendimento da fotoclula, sem unidade.
Potncia irradiada na fotoclula, em Watts (W).
Potncia de entrada, em Watts (W).
2.12 TIPOS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS
Existem vrios tipos de clulas fotovoltaicas e seu rendimento depende do tipo de

semicondutor utilizado e dos princpios construtivos. Sero apresentados os vrios tipos de
tecnologias que existem nas subsees seguintes e o rendimento de cada uma a partir de 1975,
aps as recentes descobertas pr-crise do petrleo.
2.12.1 CLULAS DE SILCIO CRISTALINO
A forma predominante de gerao fotovoltaica, com uma quota de mercado de 85% e

uma capacidade instalada de mais de 30 GigaWatts em todo o mundo, a de silcio cristalino,
se dividindo em monocristalino e multicristalino (ou policristalino) e fitas de cristais.
Na tecnologia monocristalina h a aplicao de um nico cristal de silcio na clula,
71
enquanto que na tecnologia policristalina so aplicados mltiplos grnulos de cristal.

Independente da tecnologia, o resultado so lingotes de cristais que so combinados em
pastilhas. O processo de cristalizao do silcio consome uma grande quantidade de energia,
principalmente na fabricao do silcio monocristalino.
Pouco desenvolvidas e quase no comercializadas so as fitas de silcio, que so
cristalizadas diretamente em folhas e podem ser cortadas e combinadas.
A estrutura da clula de silcio cristalino composta de uma bolacha de silcio do tipo
p que texturizada para maximizar a captura de luz. Assim inserida uma camada do tipo n
em sua superfcie. Os contatos metlicos so aplicados por serigrafia na parte superior, em
forma de grade para permitir a passagem de luz, ou inferior.
O silcio multicristalino predomina no mercado porque o processo de cristalizao
mais econmico. Porm o material obtido de qualidade inferior portanto a vida til
minimizada. A eficincia de clulas obtidas em silcio multicristalino (18%) ligeiramente mais
baixa do que aquela obtida em silcio monocristalino (19%). [43]
A tecnologia atual para a mxima eficincia das clulas de silcio cristalino est muito
prxima do limite terico, de aproximadamente 33%. O recorde mundial, de 27,6%, foi obtido
pela empresa Amonix, utilizando um concentrador solar de 92 sis em uma clula de silcio
monocristalino em 2005 (verificar figura 2.38). Para clulas de silcio policristalino foram
alcanados 20.8% de eficincia[40]. A figura 2.34 ilustra a diferena das tecnologias de silcio
cristalino.
Figura 2.34: Tipos de utilizao do silcio cristalino. [44]
72
2.12.2 TECNOLOGIAS DE FILME FINO
Contrastando com as tecnologias de cristalografia, as tecnologias de filmes finos so

compostas por depsitos de materiais semicondutores diretamente sobre bases que podem ser
rgidas ou flexveis. A forma de fabricao permite um produto mais baratos, j que a impresso
do material semicondutor pode ser feita utilizando pouco material.
A utilizao das tecnologias de filme fino baseada em materiais como o Silcio amorfo
hidrogenado (a-Si:H), o Telureto de Cdmio (CdTe) e o Disseleneto de Cobre, ndio e Glio
(CIGS).
Mdulos de filme fino so relativamente novos no mercado, com a primeira aparncia
comercial em 2006, mas em 2009 j estavam em 15% do mercado comercial. Em 2010 havia
cerca de 1,5 GW gerados em mdulos CdTe, 1,4 GW em mdulos a-Si: H e 0,4 GW em
mdulos CIGS. [43] [45]
Quanto eficincia, clulas do tipo a-Si: H tm de 5% a 9% comercialmente, com um
recorde de 13,6%. Clulas do tipo CdTe contam com aproximadamente 11% comercialmente
e do tipo CIGS com 12%. Seus recordes em laboratrio so de 21,5% e 21,7% respectivamente.
A figura 2.35 conta com os tipos de clulas de filme fino.
Figura 2.35: Tpicas estruturas de filme fino (a) CdTe; (b) CIGS; (c) a-Si: H. [45]
73
2.12.3 CLULAS EMERGENTES
As tecnologias solares emergentes contam com tecnologias recentes e pouco exploradas,

ainda com rendimento baixo, mas com alternativas aos materiais utilizados atualmente. So
componentes desse grupo de clulas solares do tipo: Ponto Quntico, Inorgnicas com Selenato
de Cobre-Zinco-e-Estanho (CZTSSe), orgnicas variadas, inclusive orgnicas compostas
complementares (Tandem), do tipo Perovskita e que so sensibilizadas por corantes.
A clula do tipo ponto quntico comeou a ser estudada em 2010 com um rendimento
de 3%. Ela usa oito camadas de pontos qunticos coloidais para capturar de forma eficiente
uma grande gama do espectro solar. Os pontos de metal sobre a superfcie frontal, figura 2.36,
so os eletrodos ligados a cada camada de dois em dois, para um total de 16. A padronizao
do material celular devido tcnica de fundio utilizada. A clula desse tipo tem um
rendimento atual de 9,2% [41].
Figura 2.36: Clula solar do tipo quntico. [41]
Clulas orgnicas complementares do tipo Tandem absorvem uma faixa maior de

espectro solar e foram desenvolvidos na Universidade de Dresden em 2008, sendo continuadas
pela Heliatec em 2009, e pela Sumitomo em 2011, aperfeioadas at o rendimento de 10,6%.
As clulas orgnicas de tipos diversos tm se aperfeioado desde o ano de 2001 por
meio de vrias empresas e universidades. O primeiro formato foi desenvolvido pela
Universidade de Johannes Kepler, na cidade de Linz, ustria. Na poca contava com um
rendimento de menos de 3%, sendo aperfeioada por empresas como a Siemens, Plextronics e
Konarca, at que em 2012 a Mitsubishi Chemical Corporation conseguiu aumentar o
rendimento para 11,1%.
74
As clulas inorgnicas com Selenato de Cobre-Zinco-e-Estanho (CZTSSe) foram

iniciadas em 2009 e no obtiveram avano desde 2012. Desenvolvidas pela IBM, tm um
rendimento atual de 11,1%. Com a abundncia dos materiais que a compem uma alternativa
mais barata s tradicionais clulas utilizadas no mercado.
Clulas sensibilizadas por corantes so as mais antigas do grupo de emergentes, datam
de 1991 na Escola Politcnica Federal de Lausana (cole Polytechnique fdrale de Lausanne
EPFL), na Sua. poca, contava com rendimentos de 6%, estando, em 2012, com 11,9%.
As clulas com maior rendimento so as clulas de Perovskita, observada na figura 2.37,
um mineral relativamente raro de xido de Clcio e Titnio e existe na forma de cristais
pseudocbicos e so utilizados como supercondutores. Utilizados pela primeira vez pela EPFL
em 2013 j contava com rendimentos maiores que as clulas do mesmo grupo, 14%. Em 2015
a mais nova verso conta com 20,1%, montadas pelo Instituto Coreano de Qumica, Pesquisa e
Tecnologia (Korean Research Institute of Chemical Technology KRICT) [42].
As desvantagens da utilizao de clulas emergentes se do necessidade de utilizao
de concentradores solares para que sejam atingidas eficincias altas, onde so utilizadas lentes
que convergem a luz solar de tal forma que esta multiplicada. Para a eficincia recorde atual
de 46% necessria a utilizao de 297 sis por meio de concentradores.
Figura 2.37: Perovskita em estado natural. [42]
75
2.13 UTILIZAO DAS CLULAS FOTOVOLTAICAS
Finalmente, apresentado um resumo da utilizao das clulas fotovoltaicas descritas

nos itens anteriores, com a figura 2.38 apresentando os rendimentos obtidos.
Mono
Multi
a-Si: H
CdTe
Filme fino
Tecnologias Comerciais
Silcio Cristalino
Tecnologia
Tabela 2.7: Resumo da utilizao das clulas fotovoltaicas.

Fonte [43]
Eficincia Eficincia Quota de
Vantagens
Desvantagens
recorde
Tpica
Mercado
25%
21,4%
20,4%
17,5%
11,9%
16,7%
14-16%
33%
(9,1 GW)
Altas eficincias,
tecnologia
amadurecida e
13-15%
5-9%
11%
53%
5%
5,3%
Custo elevado
ampla experincia
Processo
Eficincia
econmico, matria
baixa e
prima abundante e
degradao de
no txica
material
Eficincia mdia,
Toxidade do
processo
Cdmio e
amadurecido de
escassez de
baixo custo
Telrio
Tecnologias pr comerciais
CIGS
Processo
Emergentes
Orgnicas
Eletroqumica
19,6%
10-12,5%
1,6%
Boa eficincia
complexo e
caro
42,3%
8,3%
20-25%
2-5%
<1%
<1%
Eficincia muito
elevada
Grande potencial
de reduo de
10,4%
3-6%
<1%
custos
Necessidade
de concentradores solares
Eficincia
muito baixa e
estabilidade
limitada
Figura 2.38: Eficincia das clulas solares. [40] (Traduzido)
76
CAPTULO III
MODELAGENS MATEMTICAS E
COMPUTACIONAIS
Introduzidas as formas de utilizao de um sistema solar fotovoltaico, pode-se agora

iniciar a modelagem computacional e, a partir do sistema modelado, buscar os objetivos
requeridos. A plataforma utilizada para a modelagem do sistema o Alternative Transients
Program (ATP). O sistema proposto de um mdulo, ou conjunto de mdulos conectados a
um conversor elevador de tenso boost. A conexo se segue com um inversor e, por fim, rede
eltrica. Tem-se na modelagem do controlador boost o controle de rastreamento do mximo
ponto de potncia (Maximum Power Point Tracking MPPT), assim como a malha de captura
de fase (Phase Locked Loop PLL).
O objetivo da modelagem modificar os tipos diferentes de MPPT de forma simples e
verificar seus comportamentos, assim como poder modificar o tipo do painel por comparao
apenas com seu manual e os dados que l so fornecidos, no constando uma modelagem apenas
para um tipo de painel, mas uma configurao geral, independente de marcas e modelos.
3.2 PLATAFORMA COMPUTACIONAL
A plataforma utilizada para a modelagem e a que mais se adequou aos preceitos de

apresentao da modelagem foi o programa Alternative Transients Program (ATP) em conjunto
com o ATPDraw. O programa e a plataforma utilizam elementos eltricos de grande
flexibilidade para a apresentao, tanto do resultado quanto da modelagem de simulao.
Cap. III Modelagens Matemtica e Computacional
78
3.2.1 SOBRE O PROGRAMA ATP
O ATP um programa universal de simulao de sistemas transitrios criado por W.

Scott Meyer e Tsu-huei Liu e lanado em 1984. O ATP gratuito, porm no um programa
de domnio pblico, sendo que necessrio se licenciar antes de receber uma cpia do
programa. De acordo com o desenvolvedor, necessrio concordar com o formulrio de
licenciamento, preenche-lo e envi-lo para o grupo desenvolvedor para que possa ser gerada a
aprovao e o direito de portar uma licena do programa. Contudo encorajado a novos
usurios adquirir uma cpia pelos grupos de estudo espalhados pelo mundo e pelos seus
usurios, aumentando, desta forma, o crculo de usurios informalmente. No Brasil o grupo de
usurios se chama CBUE (Brazilian EMTP User Group) e mantido na Eletrobrs Furnas por
Guilherme Sarcinelli Luz [46].
Os princpios operacionais do ATP so, basicamente, baseados no mtodo trapezoidal
de integrao e utilizados para resolver as equaes diferenciais dos componentes do sistema
no domnio do tempo e ainda contm:
Condies iniciais diferentes de zero podem ser determinadas automaticamente

ou podem ser inseridas pelo usurio para componentes mais simples;
Interface de blocos TACS (Transient Analysis of Control Systems Anlise

Transitria de Sistemas de Controle) e MODELS (Linguagem de simulao)
para a modelagem de sistemas de controle e componentes no lineares, como
arcos eltricos e efeitos do tipo corona;
Perturbaes simtricas e assimtricas so permitidas, como falhas, raios,

operaes de chaveamento e comutao de vlvulas;
Clculo de resposta de redes fasoriais com o recurso FREQUENCY SCAN

(escaneamento
de
frequncia),
HARMONIC
FREQUENCY
SCAN
(escaneamento de frequncia harmnicas com o mtodo de injeo de corrente);
Dentre os componentes utilizados pelo ATP esto:
Elementos resistivos, capacitivos e indutivos lineares, acoplados, desacoplados

e aglomerados;
Linhas de transmisso e fios com parmetros distribudos e dependentes da
79
frequncia;
Resistncias e indutncias no lineares, indutor por histerese, resistncias com

variao pelo tempo e resistncias controladas via TACS e MODELS;
Componentes no lineares, como transformadores, incluindo saturao e

histerese, isoladores com e sem gap, arcos eltricos, etc;
Interruptores normais e dependentes de tenso, com comutao estatstica,

temporal e controladas por TACS e MODELS, diodos, tiristores e triacs;
Fontes step, rampa, senoidal, de surto exponencial e TACS e MODELS;
Mquinas girantes sncronas de 3 fases e de modelo universal;
Componentes definidos pelo usurio pela interao MODELS.
Mais informaes sobre o ATP podem ser vistas no anexo III.
3.2.2 SOBRE O ATPDRAW
Desenvolvido pelo Dr. Hans Kr. Hidalen no SINTEF Energy Research e Norwegian
University os Science and Technology, o ATPDraw uma interface grfica que funciona como
um pr-processador do ATP, gerando os cartes necessrios para seu funcionamento de forma
automtica. Com esta ferramenta possvel construir os circuitos eltricos e eletrnicos
utilizando o mouse e selecionar os dados a partir de menus provindos dos objetos inseridos.
O ATPDraw j se encontra em sua verso 5.9, tendo como principal diferena da srie
5 para com a 4, a possibilidade de compartilhamento de arquivos diretamente do programa via
frum online.
Como baseado na filosofia o que voc v o que voc tem 2, a utilizao do
ATPDraw em conjunto com o ATP se deve facilidade de poder simular um sistema de forma
rpida, no necessitando de consultas ao manual, alm de minimizar as falhas por blocos de
informao em campos incorretos nos cartes do ATP.
A srie 5 foi lanada em 2006 e tem se aperfeioado ao longo dos anos com ajuda de
sua base de usurios. A figura 3.1 mostra a visualizao tpica do ATP. [47]
What you see is what you get WYSIWYG, um sistema que contm textos e grficos em tela durante
a edio e corresponde de forma fiel quando apresentado em sua finalizao. Termo criado porr Charles Simonyi
e Butler Lampson em 1974 com o programa Bravo para computadores XEROX Alto pessoais.
2
80
Figura 3.1: Tela tpica do ATPDraw. [47]
O software gratuito e sua obteno ocorre por registro no stio frum do programa e,
para obter o registro, necessrio um nome, um e-mail e a capacidade de responder uma srie
de cinco questes sobre o ATP e o ATPDraw e seus desenvolvedores, eletricidade bsica e
avanada, fsica e sobre a European EMTP Users Group (Grupo de usurios do EMTP da
Europa EEUG), a fim de provar as suas intenes como est no stio do programa.
Realmente apenas para verificar se o criador da conta um ser humano e no um rob de
spam e que o usurio est comprometido com a comunidade do ATPDraw [47].
Com um pr-processador do ATP, possvel definir os parmetros de todos os
componentes de forma grfica com um duplo clique no objeto a ser modificado. Caso
necessrio, o usurio pode modificar, tambm, o arquivo dos cartes antes de ser processado
pelo ATP.
O ATPDraw foi desenvolvido para a plataforma Windows e a verso atual necessita da
verso XP ou superior de 32 bits. Sua biblioteca contm mais de 300 componentes, tais como
ramos lineares e no lineares, linhas e cabos, transformadores, interruptores, fontes, mquinas
sncronas, de induo e universais, TACS, desenvolvimento e ajuda na plataforma MODELS e
ferramentas de sistemas de potncia. Tambm conta com as capacidades de manejar mltiplos
documentos por janelas separadas, editar, salvar, copiar e colar, desfazer e rotacionar e inverter.
Seu manual e arquivo de ajuda contm 269 pginas e 20 exemplos de utilizao.
O ATPDraw consegue conciliar desenhos de at 30000 ns, 10000 componentes, 20000
81
conexes e 1000 textos. Com um limite de 64 dados e 32 ns por componente, 26 fases por n
e 28 fases em linhas e cabos [47].
3.2.3 SOBRE O PROGRAMA NOTEPAD++
Foi escolhido o editor de textos Notepad++ para a constituio das linhas de

programao em MODELS. A escolha por este editor foi baseada em sua capacidade
organizacional e a possibilidade de criao de mscaras para as linguagens utilizadas. O
programa j conta com diversas mscaras, mas teve de ser criada uma especfica para o tipo
MODELS.
Este software de utilizao e distribuio gratuita, mantido por doaes de usurios de
forma no obrigatria. Ele baseado no componente de edio Scintilla e escrito em C++
com a utilizao de interface de programao Win32 pura e biblioteca padro, o que garante
uma maior velocidade de execuo e menor tamanho do programa. As principais caractersticas
que compem o sistema so [65]:
Destaques de sintaxe e palavras;
Destaques definidos pelo usurio com impresses de at quatro telas;
PCRE (Expresses Regulares Compatveis com Perl) de procurar/substituir;
Interface completamente personalizvel;
Mapa de documentos;
Auto-concluso por meio de funes-dicas pr utilizadas;
Abas multi-documentos;
Multi-visualizao;
WYSIWYG;
Habilidades de zoom;
Ambiente multi-liguagem;
Bookmarking, habilidade de gravar locais;
Gravao e reproduo de Macros;
Abertura com diversos argumentos.
82
3.2.4 SOBRE O MICROSOFT EXCEL
A escolha do programa Microsoft Excel para a impresso dos grficos se deve sua
melhor ambientao, liberdade de gerenciamento de dados e capacidade de controle na
plotagem dos resultados, alm do contato direto do usurio com os dados de impresso,
possibilitando a utilizao de equaes complexas na gerao de novos dados para impresso.
O Microsoft Excel , principalmente, um editor de planilhas produzido pela Microsoft
para computadores que utilizam o sistema operacional Microsoft Windows. Este um programa
privado e se encontra na sua verso 15 (2013). Sua obteno pode ser feita com a compra do
MS Office 365 Home ou Personal por R$26,00 e R$21,00, respectivamente, por ms. H uma
verso gratuita no Office Online, mas com limitaes, e tambm a opo de teste gratuito por
um perodo de um ms.
Como a dissertao e a apresentao foram concebidas em programas do mesmo
fabricante, assim como todos estes compem o mesmo pacote, alm das vantagens citadas, o
Microsoft Excel se tornou a melhor escolha para a edio grfica.
3.3 O SISTEMA UTILIZADO
O sistema de estudo compe a conexo de um sistema solar fotovoltaico rede eltrica

e os componentes necessrios para que o sistema funcione harmoniosamente. utilizado um
conversor CC-CC do tipo boost com controle da obteno do ponto de mxima potncia
(Maximum Power Point Tracking MPPT) e um inversor de frequncia monofsico para
conexo rede de baixa tenso. Para o controle do inversor, tem-se uma malha de captura de
fase (Phase Locked Loop PLL) e um controle de modulao por largura de pulso (Pulse-Width
Modulation PWM).
A figura 3.2 mostra como a CEMIG (Companhia Energtica de Minas Gerais), pela ND
5.30, determina que sejam feitas as instalaes em sua rede de distribuio em baixa tenso.
Um gerador deve ser conectado ao inversor e ao sistema de medio na parte do acessante e
baixa tenso na rede da CEMIG. De forma anloga, o sistema pode ser reproduzido para
diferentes concessionrias.
83
Figura 3.2: Forma de conexo do acessante rede de baixa tenso da Cemig. [48]
A forma de conexo deve ser designada de acordo com a potncia instalada no acessante
de acordo com a tabela 3.1.
Tabela 3.1: Forma de Conexo em Funo da Potncia.

Fonte: ND 5.30 CEMIG, 2012 [48].
Potncia Instalada
Forma de Conexo
< 10 kW
Monofsico, bifsico ou trifsico
10 a 15 kW
Bifsico ou trifsico
> 15 kW (em rede trifsica)
Trifsico
< 30 kW (em rede de distribuio rural

monofsica com transformador exclusivo
Monofsico
84
Com essas informaes, pode-se compor um sistema fotovoltaico conectado rede de

baixa tenso como visto na figura 3.3; o gerador fotovoltaico conectado a um conversor
elevador de tenso CC/CC do tipo boost, mantendo a tenso suficiente para a conexo rede.
Na sada do conversor conectado o inversor CC/CA e feita a conexo rede. utilizado um
sistema de rastreamento de mxima potncia no controle do conversor boost, a fim de se
aproveitar a mxima potncia do sistema. No inversor implementada uma malha de captura
de fase (Phase-locked loop PLL) que determina o controle da modulao por largura de pulso
(Pulse Width Modulation - PWM). O PLL tenta manter o sistema rede na mesma fase e
frequncia que a rede.
Figura 3.3: Diagrama de um sistema de gerao fotovoltaico ligado rede eltrica. Fonte: Autor.
3.4 CONDIES DE OPERAO
Um mdulo fotovoltaico depende de, principalmente, duas entradas fsicas

determinantes: a irradiao (exposio radiao) sobre suas clulas e a temperatura onde est
instalado o mdulo. Sendo assim, como foi concebido pelo autor, so consideradas, nas
simulaes, as entradas de temperatura e de irradiao solar diretamente acopladas nas entradas
do arranjo solar.
A definio do padro de testes de placas fotovoltaicas, definido pela UL 1703/2004,
em seu item 2.17, determina que devem ser testadas pelo fabricante as placas com irradiao
de 100 mW/cm, ou 1.000 W/m, e temperatura de 25 Celsius; portanto, sero estas as
condies padres adotadas para o arranjo simulado [49]. Distrbios de temperatura e de
irradiao sero descritos nas simulaes computacionais.
85
3.5 ENTRADAS DO SISTEMA
Sendo de maior variao, durante um dia, a irradiao solar tem comportamentos

bruscos, como vistos na figura 3.4. Muito dependente da condio climtica: em um dia nublado
h pouca passagem de luz para o local comum de instalao de um sistema fotovoltaico; j em
um dia claro pode-se ter o valor nominal esperado.
Figura 3.4: Medies dirias de irradiao solar para diferentes tempos. [50]
Utilizando uma base de dados reais e atuais da cidade de Uberlndia, em Minas Gerais,
foram escolhidos dois dias pra a exposio de medies a seguir. A base de dados do INMET
Instituto Nacional de Meteorologia dispe os dados meteorolgicos de suas estaes, sendo
a estao de Uberlndia a de nmero A507, com localizao na Universidade Federal de
Uberlndia, dispostos. Os dias 24 e 25 de Dezembro de 2014 foram amostrados, vistos nas
figuras 3.5, com a radiao solar e 3.6 como temperatura.
Com a mesma base de dados, as figuras 3.7 e 3.8 apresentam, tambm, a radiao solar
e a temperatura, respectivamente, com uma amostragem de um ano, do dia primeiro de Janeiro
de 2014 ao dia primeiro de Janeiro de 2015. [51]
86
Figura 3.5: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra diria. [51]
Figura 3.6: Temperatura em Uberlndia em C, amostra diria. [51]
Figura 3.7: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra anual. [51]
87
Figura 3.8: Temperatura em Uberlndia em C, amostra anual. [51]
As entradas de temperatura e de irradiao foram definidas como blocos de linguagem

MODELS para que os sinais possam ser modificados de acordo com um cdigo especfico para
cada situao, desta forma, simplificando a montagem do sistema. So vistos na figura 3.9 os
dois blocos e como feita sua conexo com o arranjo.
Figura 3.9: O conjunto irradiao-temperatura-arranjo modelado. Fonte: Autor.
3.6 MODELAGEM DO ARRANJO FOTOVOLTAICO
A modelagem grfica do arranjo fotovoltaico segue, tambm, a figura 3.9, j mostrada

a sua relao de conexo com os fatores externos, a irradiao solar e a temperatura.
A sada do sistema dada por um sinal de corrente e, pela figura 3.9, a conexo feita
no ponto de letra I. O ponto designado V o sinal de tenso que a sua conexo na sada atinge.
prprio de um sistema fotovoltaico apresentar sua sada em formato de corrente, j que de
88
natureza, como dito no captulo anterior, que uma clula fotovoltaica seja uma fonte de corrente.
O bloco de dados do tipo MODELS, em que h um cdigo computacional que
determina como o comportamento do arranjo de acordo com as entradas desejadas. proposta
a abordagem clssica para a modelagem, o modelo de equacionamento foi proposto por
Rauschembach, em 1980 [52].
3.6.1 MODELAGEM MATEMTICA
A equao 3.1 [52] descreve o desempenho de um gerador fotovoltaico. A sada

principal de sinal de corrente em ampres e tem como variveis o sinal de tenso e trs
constantes, C3, C4 e m. O valor de m descoberto pela aplicao da equao 3.2 e se utilizam
mais quatro constantes; C5, C6, Vmp e Voc.
As equaes 3.3, 3.4 e 3.5 determinam como so obtidas as constantes C4, C5 e C6,
respectivamente. A constante C3 no pode ser expressa em termos algbricos e deve ser obtida
por meio de mtodos empricos; portanto, seu valor timo para que os erros sejam mnimos
de 0,01175 [52].
= {1 3 [ (4
=
1]}
[ln(5 )]
6
(3.2)
[ln( )]
4 =
(3.1)
(3.3)
(1 + 3 )
5 = ln [
]
3
(3.4)
1 + 3
6 = ln (
)
3
(3.5)
Onde:
Corrente da fotoclula, em Ampres (A).

Corrente de curto-circuito da fotoclula, em Ampres (A).
89
Tenso no terminal da fotoclula, em Volts (V).
Tenso na mxima potncia, em Volts (V).
Tenso de circuito aberto da fotoclula, em Volts (V).
Corrente de mxima potncia (Maximum Power), em Ampres (A).
Sendo essas as equaes bsicas para a operao de uma fotoclula, deve-se aplicar em
meio aos clculos os efeitos externos, temperatura e irradiao, envolvidos no processo. Devem
ser definidas as variaes sofridas pela corrente e pela tenso de acordo com os fatores externos.
As equaes 3.6 e 3.7 definem os valores de I e V [52].
= (
1) + ( )
= ( )
(3.6)
(3.7)
Onde:
Variao de corrente da fotoclula, em Ampres (A).
Radiao solar total no plano do sistema fotovoltaico, em Watt por metro quadrado
(W/m).
Radiao de referncia definido pela UL 1703/2004, em Watt por metro quadrado
(W/m).
Coeficiente de temperatura na corrente curto-circuito por irradiao de referncia,
em ampre por grau Celsius (A/C).
Temperatura no plano do sistema fotovoltaico, em graus Celsius (C).
Temperatura de referncia definido pela UL 1703/2004, em graus Celsius (C).
Coeficiente de temperatura na tenso de circuito aberto na irradiao de referncia,

em volt por grau Celsius (V/C).
Resistncia interna em srie, em Ohms ().
A variao de tenso adicionada s tenses de circuito aberto e de mxima potncia,

enquanto que a variao de corrente adicionada corrente de sada da fotoclula.
90
Para uma modelagem mais precisa, devem ser adicionados os efeitos de clulas
arranjadas em srie e em paralelo. O arranjo em srie aumenta a tenso terminal, enquanto que
o arranjo em paralelo aumenta a corrente de sada. Desta forma a utilizao das equaes 3.8 a
3.11 modifica os dados de entrada.
=
(3.8)
(3.9)
(3.10)
(3.11)
Onde:
Nova tenso de entrada com aplicao de arranjos, em Volts (V).
Nova corrente com aplicao de arranjos, em Ampres (A).
Tenses de circuito aberto e de mxima potncia para uma clula, em Volts (V).
Corrente de curto-circuito e de mxima potncia para uma clula, em Ampres (A).
Nmero de mdulo em srie no arranjo, adimensional.
Nmero de mdulo em paralelo no arranjo, adimensional.
Novo coeficiente de temperatura na tenso de circuito aberto na irradiao de

referncia, em volt por grau Celsius (V/C).
Coeficiente de temperatura na tenso de circuito aberto na irradiao de referncia,
em volt por grau Celsius (V/C).
Novo coeficiente de temperatura na corrente curto-circuito por irradiao de

referncia, em ampre por grau Celsius (A/C).
Coeficiente de temperatura na corrente curto-circuito por irradiao de referncia,

em ampre por grau Celsius (A/C).
Por fim, devem ser adicionados efeitos de resistncia em srie e em paralelo

equivalentes que podem ser provocados por conexes no ideais. A equao 3.12 indica a
aplicao da resistncia paralela e a equao 3.13 a da serial, finalizando a modelagem
matemtica.
91
(3.12)
= +
(3.13)
Onde:
Corrente de sada com aplicao de resistncias, em Ampres (A).
Corrente de sada sem aplicao de resistncias, em Ampres (A).
Tenso terminal, em Volts (V).
Resistncia equivalente em srie, em Ohms ().
Resistncia equivalente em paralelo, em Ohms ().
3.6.2 MODELAGEM COMPUTACIONAL
Cruzando os dados necessrios aos informados pelo fabricante possvel utilizar apenas
as informaes declaradas no manual para se fazer a simulao de um mdulo fotovoltaico com
grande grau de exatido, como ser apresentado na simulao. Os cdigos inseridos devem
seguir os equacionamentos de forma fiel e podem ser vistos no Anexo IV.
As entradas requeridas para o funcionamento do sistema fotovoltaico so de temperatura
e irradiao e recebem dados do tipo MODELS. A entrada de tenso, recebe dados do tipo
tenso em volts, diretamente da simulao sem necessidade de converso.
Alm das entradas externas necessrio inserir entradas disponibilizadas pelos
fabricantes, alm de dados de projeto. Dependendo do modelo e da marca, cada tipo de mdulo
tem caractersticas distintas, que devem ser apresentadas em seus manuais, a fim de uma boa
instalao. Os dados de projetos trazem o formato do arranjo e a previso de quantos mdulos
sero alinhadas em srie e em paralelo.
Para uma anlise mais individual de cada clula utilizada no mdulo podem ser inseridas
fraes nos quesitos de mdulos arranjados em srie e paralelo. Assim, um mdulo que contm
6 clulas em srie em uma string de 10 clulas em paralelo, por exemplo, pode ser feita a
simulao de uma clula individual se utilizando do valor de um por seis mdulos em srie e
um por dez mdulos em paralelo. Os dados necessrios de projeto esto descritos na tabela 3.2
e os dados disponibilizados em manuais esto descritos na tabela 3.3.
92
Tabela 3.2: Dados necessrios de projeto de arranjo da instalao.

Fonte: Autor com base em [52], [53], [54] e [55].
Constante
Sim.
Unidade
Resistncia interna
Rint
Ohm ()
Rs
Ohm ()
Rp
Ohm ()
Resistncia externa equivalente

em srie
Resistncia externa equivalente
em paralelo
Nmero de mdulos arranjadas em
NCellsS
Adimensional
NCellsP
Adimensional
Adimensional
srie
Nmero de mdulos arranjadas em
paralelo
Constante de correo geomtrica
Tabela 3.3: Dados necessrios da fotoclula disponibilizados em manuais.

Fonte: Autor com base na UL 1703.
Constante
Sim.
Unidade
Tenso na mxima potncia
Vmp
Volts (V)
Corrente na mxima potncia
Imp
Ampres (A)
Tenso de circuito aberto
Voc
Volts (V)
Corrente de curto-circuito
Isc
Ampres (A)
Coeficiente de temperatura na
corrente curto-circuito por
irradiao de referncia
Coeficiente de temperatura na
tenso circuito aberto por
irradiao de referncia
Ampre por grau

Celsius (A/C).3
Volt por grau

Celsius (V/C).4
A figura 3.10 mostra a insero desses dados em um nico bloco do tipo MODELS no
ATPDraw.
Pode ser representado como porcentagem de I sc por temperatura em outra unidade que no o Celsius,
onde preciso que seja feita a converso para A/C na utilizao da modelagem matemtica.
4
Pode ser representado como porcentagem de Voc por temperatura em outra unidade que no o Celsius,
onde preciso que seja feita a converso para V/C na utilizao da modelagem matemtica.
93
Figura 3.10: Quadro de entradas e conexes do modelo fotovoltaico. Fonte: Autor.
3.7 MODELAGEM DO CONTROLE MPPT
Foram escolhidos doze tipos de controle do ponto de mxima potncia, ou MPPT

(Maximum Power Point Tracking). Foram criados blocos de simulao para cada um, mantendo
uma proximidade grfica para melhor substituio no plano grfico do ATPDraw.
Sero dois mtodos de relao constante: razo cclica fixa (Rcte) e tenso constante
(Vcte). Seis baseados em mtodos do tipo Hill Climbing5: perturba e observa clssico (P&OC),
perturba e observa moderno (P&O), perturba e observa modificado (P&OM), estima, perturba
e perturba (EPP), condutncia incremental (CI) e condutncia incremental modificada (CIM).
Dois mtodos baseados na aplicao de filtros: oscilao do sistema (OdS) e correlao de
ripple (CdR). Finalmente, mais dois mtodos que utilizam princpios prprios: mtodo beta
(M) e o mtodo de temperatura (T).
Otimizao matemtica que pertence famlia de busca local, onde se inicia com uma soluo arbitrria
e busca a otimizao por incrementar a varivel de processo. Se isso produzir uma melhor soluo, repetido at
que no seja possvel encontrar melhorias no processo.
94
A modelagem matemtica dos mtodos de MPPT sero apresentados na forma de

fluxograma, quando necessrio, para melhor entendimento, enquanto a modelagem
computacional apresentar a aplicao destes no ATPDraw.
A) MTODO DE RAZO CCLICA FIXA
O mtodo de razo cclica fixa o mais simples dos mtodos por no existir
realimentao nem controle. A razo de chaveamento ajustada uma nica vez e assim
mantida.
As vantagens desse mtodo vo da simples implementao ao baixo custo, mas o
sistema sofre grandes sacrifcios na entrega de potncia, j que para qualquer mudana nos
fatores externos no h possibilidade de sintonizar o MPPT novamente de forma simples, pois
o clculo da razo cclica deveria ser refeito e reaplicado. Como h grandes mudanas na
irradiao durante o dia, se torna impraticvel o constante ajuste do bloco. [56] [59]
B) MTODO DE TENSO CONSTANTE
Esta tcnica baseada na premissa de que a tenso de mxima potncia e a tenso de

circuito aberto tm aproximadamente uma relao linear independente de fatores externos,
como visto na equao 3.14.
(3.14)
Onde:
Tenso na mxima potncia, em Volts (V).
Fator de tenso, adimensional.
O fator de tenso depende das caractersticas do arranjo utilizado e, geralmente,

calculado empiricamente. Este fator se encontra entre 0,7 e 0,8. Uma vez encontrado pode-se
95
buscar o valor de tenso de mxima potncia para diferentes valores de tenses de circuito
aberto, j que estes so desiguais para diferentes fatores externos. Pode ser utilizado o
fluxograma da figura 3.11 para o uso desse mtodo, sendo os formatos circulares as entradas e
sadas do mtodo, assim aplicados para outros fluxogramas. [57]
Figura 3.11: Mtodo de tenso constante. Fonte: Autor [56], [57]
um mtodo de simples implementao e requer apenas um medidor de tenso, sendo

econmico. As desvantagens do mtodo esto em erros de regime permanente, j que o fator
de tenso no constante, assim o arranjo nunca estar exatamente no MPPT. Outro problema
a implementao da tcnica, necessria a desconexo do painel para fazer as medies de
tenso de circuito aberto sempre que houver uma sintonia, j que fundamental medir a tenso
de circuito aberto, resultando em faltas momentneas de energia, alm de utilizar interruptores
para esta manobra. [57]
C) MTODO PERTURBA E OBSERVA CLSSICO
Esta tcnica a mais utilizada devido fcil implementao. Como o nome sugere, a
tcnica consiste em perturbar a tenso do arranjo em uma direo e observar a potncia na sada.
Se a potncia aumentar, a perturbao continua na mesma direo; caso contrrio, a perturbao
muda de direo. Como o processo repetido periodicamente, o MPP nunca ser atingido, pois
a perturbao sempre acontece deixando o sistema oscilando prximo a este em regime
permanente. A figura 3.12 traz o fluxograma do mtodo P&O clssico [57].
96
Figura 3.12: Fluxograma do mtodo P&O clssico. Fonte: Autor [57]
Assim como todos os modelos baseados em perturbaes no sistema, necessria uma

constante que ir se somar ou subtrair ao valor de referncia. A oscilao pode ser diminuda
com uma constante baixa, mas o processo se torna lento, levando mais tempo para acumular o
valor nominal de tenso referncia.
As desvantagens do mtodo, alm do erro em regime permanente, que a resposta
dinmica considerada lenta, caso ocorram mudanas rpidas na temperatura e radiao solar
[57].
D) MTODO PERTURBA E OBSERVA
O mtodo P&O moderno se assemelha ao clssico, mas com um desvio na linha de

clculo que mantm os valores anteriores antes de se calcular uma nova referncia. Este desvio
geralmente apresentado como sendo de zero (como nenhum desvio na diferena de potncia),
mas podem ser aceitos pequenos desvios na perturbao. Basta aplicar um range de aceitao
R anterior verificao de variao de potncia, eliminando a oscilao do sistema quando a
potncia se aproximar da mxima, visto na figura 3.13. [56] [59]
97
Figura 3.13: Fluxograma do mtodo P&O moderno. Fonte: Autor.
As vantagens e desvantagens continuam as mesmas, a de exceder a oscilao em regime

permanente, onde, se escolhido um valor muito grande para R deixa de existir, mas pode
estabilizar-se longe do MPPT. Caso R seja pequeno demais, o mtodo se aproxima do clssico,
no sendo interessante para fins de aplicao.
E) MTODO PERTURBA E OBSERVA MODIFICADO
O mtodo de perturbao e observao modificado tenta resolver o problema de

flutuaes causadas por perturbaes na irradiao ou na temperatura. Seu fluxograma
apresentado na figura 3.14. Este mtodo adiciona valores estimados para mudanas na
irradiao a cada perturbao causada pelo processo.
98
Figura 3.14: Fluxograma do mtodo perturba e observa modificado. Fonte: Autor [58]
Para estimar o valor de irradiao, o processo para de buscar o MPPT, mantendo a

tenso constante, fazendo com que a tomada desta deciso utilize um passo de integrao a cada
dois. Assim, a velocidade deste mtodo metade daquela do mtodo convencional [58].
F) MTODO ESTIMA, PERTURBA E PERTURBA
O ltimo dos mtodos da classe de perturbao o mtodo estima, perturba e perturba

e tenta fazer com que a velocidade do P&OM aumente, ainda estimando os valores de mudana
de irradiao e temperatura. Seu fluxograma est na figura 3.15.
99
Figura 3.15: Fluxograma do mtodo estima, perturba e perturba. Fonte: Autor [58]
Comparado com o mtodo P&OM, este 33% mais rpido por ter, a cada trs passos,
dois passos ativos de perturbao e apenas um de estimativa.
G) MTODO DA CONDUTNCIA INCREMENTAL
O mtodo de condutncia incremental se baseia nos valores de condutncia instantnea

e incremental do arranjo. So necessrias medidas de corrente e de tenso e, por meio destas,
pode-se derivar a potncia obtida pela tenso, resultando a equao 3.15 [57].
( )
=
=+
(3.15)
Dividindo todos os termos de 3.15 pela tenso, tem-se a equao 3.16:

1
= +

(3.16)
Onde, para 3.15 e 3.16:
Potncia do arranjo, em Watts (W).
Tenso do arranjo, em Volts (V).
Corrente do arranjo, em Ampres (A).
100
Como a tenso sempre positiva, o sinal da derivada da potncia pela tenso a soma
da condutncia instantnea e a condutncia incremental, como mostrado em 3.16. Desta forma
possvel descobrir em que lado da curva de potncia o sistema se encontra (e quando o sistema
se encontra no MPPT), j que neste ponto a equao 3.16 se mostra como zero no sendo preciso
modificar o ciclo de trabalho. A figura 3.16 mostra o fluxograma deste mtodo.
Figura 3.16: Fluxograma do mtodo da condutncia incremental. Fonte: Autor [57]
A forma de busca do MPPT semelhante aos mtodos de perturbao e observao, j

que tm em comum o mesmo princpio de Hill Climbing. [57]
101
H) MTODO CONDUTNCIA INCREMENTAL MODIFICADO
O mtodo de condutncia incremental modificado toma em considerao o termo que

indica que o sistema est no MPPT ( = ). Na prtica, dificilmente ser satisfeita,
devido a rudos de medio, erros de quantizao e discretizao da tenso de referncia.
necessrio, ento, definir uma faixa de tolerncia() em que a situao possa ser considerada
verdadeira. O fluxograma da figura 3.17 apresenta o funcionamento deste mtodo [57].
Figura 3.17: Fluxograma do mtodo da condutncia incremental modificado. Autor [57]
Este mtodo semelhante ao mtodo P&O modificado e interessante que o valor de

W seja definido experimentalmente para cada arranjo. Se o valor for muito pequeno, a tenso
de referncia ir oscilar em torno da mxima, se aproximando do mtodo de condutncia
incremental convencional. Contrariamente, se for muito grande, a referncia pode estabilizar
em um ponto mais distante da mxima potncia [57].
102
I) MTODO DE OSCILAO DO SISTEMA
O mtodo de oscilao do sistema baseado no princpio da mxima transferncia de

potncia e utiliza oscilaes para determinar o ponto de tima operao. Em painis
fotovoltaicos, o MPPT pode ser encontrado igualando-se a razo entre o pico da resistncia
dinmica e o dobro da resistncia interna do painel. Com a aplicao de filtros possvel
descobrir esta razo a partir da medida de tenso. Seu fluxograma apresentado na figura 3.18.
Figura 3.18: Fluxograma do mtodo de oscilao do sistema. Fonte: Autor [56] [59]
Este mtodo provoca o erro entre a amplitude de oscilao, proporcional ao pico de

resistncia dinmica, e o valor mdio da tenso, proporcional ao dobro da resistncia interna do
painel, pela aplicao do filtro passa baixa, do passa faixa e do subtrator. Com esta diferena
possvel alterar o ndice de modulao proporcional ao erro obtido, aproximando, assim, o
painel ao MPPT.
Este mtodo requer apenas a medio de tenso e sua implementao pode ser feita
utilizando circuitos analgicos, fazendo com que este seja um mtodo vantajoso [56] [59].
103
J) MTODO CORRELAO DE RIPPLE
Tambm baseado no princpio da mxima transferncia de potncia, o mtodo de

correlao de Ripple utiliza oscilaes para determinar o ponto timo com a vantagem de no
necessitar de profundo conhecimento dos parmetros do painel em que ele ser aplicado. Seu
fluxograma est apresentado na figura 3.19.
Figura 3.19: Fluxograma do mtodo de correlao de Ripple. Fonte: Autor
O mtodo comea por medir a tenso e a corrente do painel fotovoltaico e, a partir

destes, calcular a potncia. Aplica-se, ento, as variveis tenso e potncia a filtros passa alta,
para retornar apenas os componentes de alta-frequncia, a partir dos quais se calcula a derivada
da potncia pela tenso do painel.
O sinal da derivada permite ao controle deduzir em que zona da curva de potncia o
painel fotovoltaico se encontra. A varivel , ento, integrada, calculando-se assim a tenso de
referncia que ir colocar o painel para fornecer a potncia mxima. Esse valor comparado
com a tenso real do painel, gerando-se um sinal de erro para alterar o ndice de modulao e,
assim, aproximar o painel do ponto de potncia mximo. [56] [59]
K) MTODO BETA
A partir das caractersticas de corrente e tenso de um painel, pode-se chegar relao

apresentada na equao 3.17, tendo sua constante c apresentada na equao 3.18.
= ln (
) = ln( )
(3.17)
(3.18)
104
Onde:
Corrente do arranjo, em Ampres (A).
Tenso do arranjo, em Volts (V).
Corrente de saturao da passagem pela juno p-n, em Ampres (A).
Carga do eltron,1,60217657 1019 Coulombs (C).
Fator de qualidade da juno p-n do painel (entre 1 e 2), adimensional.
Constante de Boltzmann,1,3806488 1023 quilograma metros quadrados por

Kelvin segundo quadrado (m2 kg s-2 K-1)
Temperatura, em Kelvin (K)
Quantidade de mdulos em srie, adimensional.
O fluxograma do mtodo apresentado na figura 3.20.
Figura 3.20: Fluxograma do mtodo Beta. Fonte: Autor [56]
Observa-se que o valor de se encontra numa banda estreita, na qual o painel

fotovoltaico fica no estado de potncia mxima. Este mtodo no permite que se atinja o ponto
exato de potncia mxima, mas capaz de colocar o painel num estado muito prximo de forma
rpida, atravs de grandes etapas iterativas. Uma vez atingida a banda o mtodo deve ser
substitudo por um dos outros convencionais, com etapas iterativas pequenas para atingir com
maior preciso o ponto de potncia mxima do painel fotovoltaico. [56] [59]
105
L) MTODO DE TEMPERATURA
O mtodo de temperatura utiliza funcionalidades do mtodo de tenso constante,

atualizando o valor de tenso do ponto de mxima potncia atravs de uma correo nesta
varivel com sensores de temperatura na superfcie do painel. Esta correo interessante uma
vez que a tenso no MPP varia com a mudana de temperatura. Seu fluxograma visto na figura
3.21.
Figura 3.21: Fluxograma do mtodo de Temperatura. Fonte: Autor [59]
Como este mtodo rastreia a tenso do painel e a correo dada pelo sensor de
temperatura lenta, dada a inrcia do sistema, o sensor mantm a alta rastreabilidade com pouca
oscilao no ponto de mxima potncia, alm de simplicidade de implementao [59].
A modelagem computacional dos mtodos de MPPT foi feita em MODELS para os doze
mtodos. Foi tomado o cuidado para que, havendo necessidade, fiquem claros os dados que
devem ser informados para cada mtodo, assim como as conexes dos blocos com o sistema,
que foram padronizados para se encaixar, no ATPDraw, no mesmo local quando houver a
mesma necessidade de conexo.
Os blocos utilizados no ATPDraw esto ilustrados na figura 3.22.
106
Figura 3.22: Modelagem dos mtodos de MPPT utilizados. Fonte: Autor.
Na figura, os mtodos esto separados por princpios de funcionamento. No primeiro

quadro, tem-se os mtodos baseados em valores fixos, de Razo Cclica Fixa e de Tenso
Constante. No segundo, esto os baseados em Hill Climbing, Perturba e Observa Clssico,
Perturba e Observa, Perturba e Observa Modificado, Estima Perturba e Perturba, Condutncia
Incremental e Condutncia Incremental Modificada. No terceiro, esto os mtodos baseados na
mxima transferncia de potncia, so os mtodos de Oscilao do Sistema e de Correlao de
Ripple. No ltimo, os mtodos de princpios prprios, mtodo Beta e de Temperatura.
3.8 MODELAGEM DO CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO
Foi utilizado um conversor contnuo do tipo Boost, ou seja, elevador de tenso. A

elevao da tenso ser feita para que fique ao mesmo nvel da tenso da rede. A utilizao do
dispositivo foi escolhida por no ser comum a utilizao de conversores Buck (abaixadores) em
instalaes prediais, que contam com um nmero baixo de mdulos em srie, j que mdulos
em paralelo no elevam a tenso do conjunto.
Na cidade de Uberlndia/MG, por exemplo, a potncia mdia das instalaes solares em
107
residncias em reas urbanas de 2,7 kW, aproximadamente 20 mdulos por residncia.

Considerando a instalao como duas strings em paralelo de 10 mdulos seriais, tem-se uma
tenso de, em mdia, 177 Volts, considerada baixa para inverso e conexo com a rede [62].
O conversor Boost tem dois estgios de funcionamento, o primeiro quando o interruptor

se encontra fechada e o segundo quando esta aberta. No primeiro estgio, a corrente circula
pelo indutor, que gera um campo magntico e o polariza. No segundo, a corrente estar reduzida
com a alta impedncia. O campo magntico, ento, destrudo para manter a corrente fluindo
para a carga, a polaridade do indutor revertida, resultando em duas fontes em descarga e
aumentando a tenso na sada. A figura 3.23 apresenta o conversor Boost e seus dois estgios
de operao.
Figura 3.23: O funcionamento de um conversor Boost. [63] (Modificado)
Para o clculo do valor do indutor do boost e do capacitor de entrada, devem ser

utilizadas as equaes 3.19 e 3.20, onde so definidos os valores de suas variveis nas equaes
3.21 e 3.22. [64]
=
(3.19)
108
(3.20)
= (1
(3.21)
(3.22)
Onde:
Indutncia do indutor do boost, em Henrys (H)
Capacitncia de entrada, em Farads (F).
Tenso de entrada do boost, em Volts (V).
Razo cclica do chaveamento, do ingls Duty Cycle, adimensional.
Frequncia de chaveamento do boost, em Hertz (Hz)

Corrente de entrada com ondulao desejada, em Ampres (A).
Tenso de sada do boost, em Volts (V).
Ondulao admitida na corrente, em Ampres (A).
Potncia de entrada do boost, em Watts (W).
Com os valores do indutor e do capacitor de entrada definidos, calculado o capacitor

de sada pela equao 3.23.
2
1
( )
(3.23)
Onde:
Capacitncia de sada, em Farads (F)
Tenso da rede, em Volts (V).
Rendimento do inversor, adimensional.
Ondulao admitida na tenso de sada do boost, em Volts (V).

109
O capacitor de sada do boost pode ser definido tambm como capacitor de entrada do
inversor de frequncia e, como est apresentado nesta seo, no ser reapresentado
posteriormente. [64]
A aplicao do boost no ATPDraw utiliza dois capacitores CAP_RS e um indutor

IND_RP. O interruptor controlado por TACS e recebe o sinal do MPPT, que padronizado
para qualquer dos MPPTs apresentados no item 3.6. O sistema ainda conta com um diodo, assim
como visto na figura 3.23.
Utilizando as equaes 3.19 a 3.23, possvel organizar os dados para a obteno
automtica dos valores dos componentes em uma planilha de dados, qualquer que seja o sistema
de mdulos fotovoltaicos utilizados, o boost se comportar de forma correta para gerar a entrada
do inversor. Os componentes utilizados nas simulaes computacionais esto na tabela 3.4.
Tabela 3.4: Definies bsicas do Boost para as simulaes computacionais.

Fonte: Autor.
Tipo
Valor
Unidade
Tenso de entrada
141,6 V
Potncia
1.080 W
Tenso de sada
400 V
Frequncia de chaveamento
50.000 Hz
Ondulao de tenso
1% V
Ondulao de corrente
50% A
Sada inversor
311 V
Rendimento
93% Adimensional
Frequncia da rede
60 Hz
Relao M
77% Adimensional
Resistncia de sada
148,148 Ohm
Razo cclica
0,6460 Adimensional
Corrente de entrada
7,6271 A
Corrente de sada
2,7 A
Delta I
3,8136 A
Indutor
0,479 mH
Capacitor de entrada
69,59 uF
Capacitor de sada
303,43 uF
110
Com os valores dos componentes definidos, devendo apenas pass-los aos valores
comerciais, deve-se acrescentar o interruptor controlado por sinal de TACS. Para a correta
operao do sistema de chaveamento, deve-se deixar marcados os parmetros CLOSED e
GIFU. O parmetro CLOSED garante que o interruptor esteja fechado em regime permanente,
ou no instante de tempo anterior simulao. J o parmetro GIFU checa todos os diodos e
tiristores. O diodo/tiristor, se estiver diretamente polarizado com uma tenso maior que a
mxima tenso direta, estar em modo de conduo, e se a corrente for maior que a mxima
reversa estar em bloqueio.
Com o uso do GIFU os problemas numricos so reduzidos, mas o tempo de simulao
gravemente afetado, tornando lento o processo, j que a cada instante de tempo todos os
interruptores, diodos e tiristores so checados.
3.9 MODELAGEM DO INVERSOR DE FREQUNCIA
Conversores do tipo de corrente contnua para corrente alternada (CC-CA) so circuitos

eletrnicos denominados inversores. Para este trabalho foi utilizado um inversor CC-CA, cujo
objetivo produzir uma tenso de sada senoidal CA, com controle de magnitude e frequncia
provinda de uma tenso de entrada CC.
Os dispositivos dos inversores so classificados devido sua entrada. Se a entrada for
do tipo fonte de corrente, o inversor do tipo Inversor de Fonte de Corrente (CSI - Current
Source Inverter) e utiliza um filtro capacitivo para a conexo. Se a entrada for uma fonte de
tenso, o inversor deve ser do tipo Inversor de Fonte de Tenso (VSI Voltage Source Inverter)
e utiliza um indutor de acoplamento.
Mesmo sabendo que o gerador fotovoltaico se caracterizar como uma fonte de corrente,
j que a corrente de sada tende a permanecer constante, nesta dissertao ser utilizado o
inversor do tipo VSI, devido conexo do inversor com o conversor CC-CC, que passa a ter
caracterstica de uma fonte de tenso.
O modelo de um inversor se divide em trs partes principais: o elo CC, o inversor em si

111
e o indutor de acoplamento. A figura 3.24 ilustra a utilizao do inversor.
Figura 3.24: Inversor monofsico conectado rede eltrica. [60]
Com a necessidade de manter a tenso de entrada praticamente constante com reduzidas

oscilaes, utilizado um filtro capacitivo na parte CC do sistema, que chamado de elo CC.
O inversor, para conexes monofsicas, constitudo de um conjunto de quatro
interruptores semicondutores controlados, que na figura 3.24 so S1, S2, S3 e S4. De acordo
com sua frequncia de chaveamento, a tenso CA pode ser variada em amplitude e frequncia.
A lgica para o disparo do conjunto de chaveamento responsvel pela manobra correta
de abertura e fechamento dos interruptores, para que o sinal de sada CA esperado faa sentido.
O controle mais comum em inversores do tipo VSI o controle PWM, em que a definio do
instante de operao realizada pela comparao de um sinal senoidal com uma onda
triangular. [60]
O inversor, como modelado, possui quatro terminais de operao, dois para a conexo
CC e dois para a conexo CA, alm de quatro terminais de controle, onde so inseridos os sinais
de manobra de chaveamento. A figura 3.25 apresenta o formato utilizado para o inversor no
ATPDraw.
112
Figura 3.25: Modelagem do inversor. Fonte: Autor.
O inversor utilizado do tipo ponte completa (full-bridge), ou seja, os interruptores S1

e S2 devem trabalhar de forma complementar, assim como S3 e S4. A tabela de estados
mostrada na tabela 3.5 e a figura 3.26 o funcionamento em cada estado com o sentido da
corrente representado por setas.
Tabela 3.5: Funcionamento do inversor.

Fonte: Autor.
Estado
S1
S2
S3
S4
1
ON
OFF
OFF
ON
OFF
ON
ON
OFF
Figura 3.26: O funcionamento do inversor em cada estado. Fonte: Autor.
113
3.10 INDUTNCIA DE ACOPLAMENTO COM A REDE
O indutor conectado entre a sada do inversor e a rede permite o controle da corrente

que flui entre os dois sistemas. Como o inversor tem especificado a sua entrada, sua sada e o
rendimento, possvel encontrar a razo cclica mdia, representada por Dmdio, vista na equao
3.24.
+
2
(3.24)
Onde:
Razo cclica mdia, adimensional.
Tenso de sada do inversor, em Volts (V).
Tenso de entrada do inversor, em Volts (V).
Para encontrar o valor do ondulao de corrente utilizada a equao 3.25, com suas
variveis apresentadas nas equaes 3.26 e 3.27.
=
=
(3.25)
(3.26)
(3.27)
Onde:
Ondulao de corrente na indutncia de acoplamento, em Ampres (A).
Ondulao admitida na corrente, em Ampres (A).
Corrente de pico no indutor de acoplamento, em Ampres (A).
Potncia de sada do inversor, em Watts (W).
Potncia gerada no sistema fotovoltaico, em Watts (W).
Rendimento do conversor CC-CC, adimensional.
Rendimento do inversor, adimensional.
114
E, finalmente, encontra-se o valor da indutncia de acoplamento com a equao 3.28.
(2 2 2 )

(3.28)
Onde:
Indutncia de acoplamento, em Henrys (H).

Razo cclica mdia do inversor, adimensional.
Frequncia da rede, em Hertz (Hz).
Ondulao de corrente para a indutncia de acoplamento, em Ampres (A).
Para a modelagem computacional utilizado um simples bloco indutor com o valor

calculado pelas equaes anteriores com os resultados vistos na tabela 3.6. [64]
Tabela 3.6: Definies bsicas do Inversor para as simulaes computacionais.

Fonte: Autor.
Tipo
Valor
Unidade
Tenso de entrada
400 V
Tenso de sada
311 V
D mdio
0,889 Adimensional
Ondulao de corrente
0,1 A
Potncia PV
1.080 W
Rendimento do conversor
0,93 Adimensional
Rendimento do inversor
0,96 Adimensional
Potncia de sada
964,224 W
Corrente de pico
6,201 A
Ondulao de corrente
admitido
0,6201 A
Frequncia
50.000 Hz
Indutncia de acoplamento
2,55 mH
3.11 A MALHA DE CAPTURA DE FASE
A malha de captura de fase um circuito que atraca a frequncia e o ngulo de fase do

sistema rede, observando como se comporta a segunda e modificando a primeira. Como o
115
sistema no pode ser atracado rede em qualquer frequncia e ngulo, sua sada deve ser
sincronizada para que no haja distrbios expressivos na rede.
O esquema da malha de captura mostrado na figura 3.27.
Figura 3.27: Malha de captura de fase. Fonte: Autor [60]
O sinal de tenso medido pela diferena de tenso entre os terminais da rede e, para
tornar o valor unitrio em condies normais de operao, ajustado pela razo do inverso do
pico da tenso nominal da rede (K). Ento, este sinal multiplicado, no primeiro comparador,
pelo sinal cossenoidal negativo da realimentao do PLL, resultando no dobro da frequncia
dos sinais de entrada e realimentao. A aplicao do filtro passa-baixa elimina os sinais de alta
frequncia, retirando do controle possveis harmnicos da entrada. A seguir, implementado o
compensador do tipo proporcional integrador, gerando o sinal da frequncia angular em
radianos por segundo. feita a comparao do sinal da frequncia angular gerada pelo
controlador com a frequncia angular para um sistema em 60 Hz e ento feita a integrao do
sinal, resultando no ngulo , que a fase do sinal. [60]
A modelagem da malha de captura foi feita em linguagem MODELS, com o controle PI

em TACS. Seu desenvolvimento no ATPDraw pode ser visto na figura 3.28.
116
Figura 3.28: Esquema de ligao do PWM. Fonte: Autor.
A diferena de tenso nos terminais da rede inserida para a primeira entrada do bloco
PLL, onde se aplicada a primeira comparao. O bloco C($) composto de um controlador
acoplado a um filtro passa-baixa e, por fim, o bloco G($) trata o sinal do controlador e o integra,
a fim de solucionar o ngulo .
3.12 CONTROLE DA CORRENTE INJETADA NA REDE
O controle do inversor composto por duas malhas de controle, de corrente e de tenso.

Quando conectado rede, deve ter controle na corrente do indutor de acoplamento, j que a
tenso da rede tem amplitude e frequncia pr-estabelecidas. Assim, o controle de potncia
injetada feito atravs do controle da corrente.
A formao da senoide da onda moduladora composta de um controle de corrente e

outro controle de tenso. A corrente controlada ser aplicada no indutor de acoplamento, j que
a tenso no barramento da rede tem amplitude e frequncia estabelecidos por ela, ento, por
meio da corrente, tem-se o controle da potncia injetada.
A equao 3.29 explicita como feito o controle de corrente injetada na rede.
2 +
117
(3.29)
Onde:
Amplitude de corrente na malha de controle, em Ampres (A).

Potncia de referncia injetada na rede, em Watts (W).
Tenso eficaz da rede eltrica, em Volts (V).
Tenso no barramento CC, em Volts (V).
Tenso de referncia no barramento CC, em Volts (V).
A corrente passa por um limitador, para definir a amplitude que ser utilizada e tem sua
forma definida pelo sinal de fase gerado no PLL. Assim, feita a comparao com o valor
medido na rede e o erro passa por um controlador do tipo proporcional integrador (PI) e,
finalmente, feita a modulao por largura de pulso (PWM) para o envio correto do sinal aos
interruptores do inversor.
A escolha de um controle do tipo PI se deu por sua simplicidade de sintonia, mas o
sistema ainda pode utilizar um bloco do tipo proporcional, integrador e derivativo (PID), j que,
como pode ser observado no Anexo IV, nos itens 3.6 e 3.7, que existe o ganho de derivao a
ser inserido pelo usurio.
O controlador do tipo PI foi sintonizado utilizando o mtodo de ajuste dos ganhos, onde
observado o comportamento do sistema a partir de determinados valores para os ganhos
proporcional e integrador. Quando atingido o melhor resultado, este considerado para o
controle do sistema.
O controle PWM mais utilizado em inversores VSI. A definio do instante de
operao de cada interruptor realizado pela comparao de um sinal senoidal com uma onda
triangular, que deve ser de frequncia alta o suficiente para que a corrente seja controlada. Caso
a senoide seja maior que a portadora triangular, a sada do comparador manda um sinal
verdadeiro para o chaveamento (1 ou ON). Caso ocorra o contrrio, enviado um sinal falso (0
ou OFF). [60]
Na figura 3.29 so mostrados como resultados os comparativos positivo e negativo,
aplicando-se uma porta do tipo NOT sada do controle, sendo este o resultado desejado para
que a tabela 3.5 seja verdadeira.
118
Figura 3.29: Funcionamento de um controle PWM com sada NOT. Traduzido [61]
O sistema de controle de corrente, como desenvolvido no ATPDraw, est apresentado

na figura 3.30
Figura 3.30: Controle da corrente injetada na rede com PWM. Fonte: Autor.
119
A modelagem consiste em trs partes, a preparao e coleta de dados para o controlador,

onde so inseridas os sinais de Tenso do link CC, a corrente no indutor de acoplamento (CA),
a diferena de potencial nos terminais da rede (RD) e o ngulo provindo da malha de captura
de fase (PLL). Este grupo usado para calcular o determinado pelo item anterior.
O bloco de C($) um controlador do tipo PI; os blocos de controle PWM se compem
do gerador de onda triangular, de formato circular, e o comparador, com seu formato
caracterstico triangular. Na sada do PWM so aplicados dois tipos de chaveamento, o normal
para os interruptores 1 e 4 e outro com porta lgica NOT para os interruptores 2 e 3, conforme
visto na tabela 3.5. Os mdulos hexagonais so utilizados para passar o sinal de linguagem
MODELS para TACS, j que o chaveamento feito por interruptores controlados por sinais de
TACS.
3.13 A REDE ELTRICA
A rede eltrica a implementao de uma fonte alternada senoidal no aterrada

(AC1PHUG). Foram escolhidos os valores de 311 Volts (220 Volts RMS) e 60 Hertz para seu
funcionamento, alm de definidos diferentes ngulos de fase da fonte, j que interessante
apresentar a malha de captura de fase atuando no sistema. [60]
CAPTULO IV
SIMULAES, RESULTADOS E ANLISES
As simulaes apresentadas visam representar toda a capacidade do projeto

desenvolvido. O primeiro rol de simulaes mostra os efeitos no sistema fotovoltaico, sua
aplicao nominal e as aplicaes de resistncias em srie e paralelo, assim como a modificao
na irradiao e na temperatura, e a aplicao de mdulos em srie e em paralelo.
O segundo ilustra simulaes no conversor CC-CC do tipo Boost com um mdulo
fotovoltaico em sua entrada, a fim de comprovar a elevao de tenso. Em seguida, h testes
com diferentes MPPTs, analisando e comparando-os nas mesmas condies operacionais.
Posteriormente sero feitas anlises computacionais na malha de captura de fase, em
que so inseridos distrbios na rede para que o PLL atue. A unidade inversora simulada a
seguir, sendo testado o controle da corrente injetada e a sada modulada para o chaveamento.
Por fim, so feitas as simulaes no sistema completo conectado rede eltrica e so
comparados 3 tipos diferentes de MPPT para as mesmas situaes, esperando-se a obteno de
resultados prximos em todos os quesitos, visto que a mudana feita apenas no bloco de
controle.
Para cada tipo de simulao computacional foi utilizado um passo de integrao que
conseguia suprir a necessidade do sistema e, para cada simulao, o tempo necessrio para o
processamento do sistema foi diferente. A tabela 4.1 apresenta estes dados de forma organizada.
Tabela 4.1: Parmetros do ATP para as anlises computacionais.

Fonte: Autor.
Seo
Passo de Integrao
Tempo de processamento
4.2
Muito rpido (<1 segundo cada.)
0,01
4.3
Lento (15 minutos).
1 106
6
4.4
Lento (15 minutos cada).
1 10
4.5
Rpido (5 segundos).
0,001
4.6
Mediano (30 segundos).
1 106
4.7
Muito lento (>25 minutos cada).
1 106
Cap. IV Simulaes, Resultados e Anlises
122
Ao fim de cada simulao os arquivos de resposta foram convertidos para arquivos do

tipo CSV para a utilizao no excel. A converso em si pode ser considerada rpida, mesmo
com passos de integrao muito pequenos, j que possvel delimitar o nmero de pontos a
serem exportados, totalizando uma mdia de um minuto para cada simulao.
No foram apresentados problemas de memria e processamento no programa para os
casos simulados, apenas notou-se que para a utilizao simultnea do ATP na seo 4.7 foram
apresentados erros, optando-se por deixar o programa processando em primeiro plano sem a
utilizao do computador durante o processamento.
As simulaes para os sistemas analisados separadamente contm termos diferentes da
utilizao em conjunto, onde sempre ser explanada a alterao nas descries. Isso se deve
necessidade de apresentar a robustez do sistema com diferentes tipos de configuraes.
4.2 SIMULAES NO MDULO FOTOVOLTAICO
O sistema apresentado para este tipo de simulao a conexo de um mdulo

fotovoltaico com uma carga, e modelagens de irradiao e temperatura incidentes na placa. A
aplicao de resistncias paralelas e srie sero modificadas numericamente no modelo do
gerador.
O mtodo para a obteno de curvas de corrente por tenso e potncia por tenso feito
a partir de medies na carga que vo desde a tenso de circuito aberto ao curto-circuito nas
mesmas condies de irradiao e temperatura. Para as simulaes, ser aplicada uma fonte de
tenso do tipo rampa na sada do mdulo; pela qual a corrente no terminal fotovoltaico ser
medida. A utilizao da rampa de tenso facilita a visualizao do resultado, j que a impresso
das curvas se torna linear e no pontual para vrios tipos de carga.
4.2.1 CASOS COM FATORES EXTERNOS
Neste primeiro caso verifica-se a resposta do mdulo isolado com uma carga resistiva.
Devem ser analisadas as curvas de corrente por tenso e comparadas estas com as apresentadas
pelo fabricante em seu manual.
Para este caso foi escolhido o mdulo da China Sunergy, ou CSUN. Trata-se de um
123
mdulo do tipo silcio monocristalino e conta com 60 clulas, sendo 6 linhas paralelas de 10
clulas em srie. A escolha desse mdulo para esta simulao se deve pelo fato de as curvas
apresentadas no manual do fabricante estarem em boa qualidade, permitindo uma melhor
comparao, e estarem presentes as variaes de irradiao e de temperatura, confirmando as
variaes implementadas no modelo computacional.
Os parmetros inseridos para a simulao so vistos na tabela 4.2, como fornecidos pelo
fabricante para condies normais de teste (Standard Test Conditions - STC), com irradiao
de 1000 W/m e temperatura de 25C.
Foi utilizado o software PV-Analysator [67] para a definio dos parmetros faltantes,
como a resistncia srie da conexo, que se utiliza de um banco de dados contendo os
parmetros das clulas encontradas no mercado. O desenho tcnico, assim como as
caractersticas fsicas do mdulo, pode ser encontrado no manual da CSUN, srie 260-60MBB. [66]
Tabela 4.2: Parmetros do mdulo fotovoltaico utilizado na seo 4.2.

Fonte: CSUN [66]
Modelo
CSUN (QSAR) 270-60M
Mxima potncia
270
Tolerncia (W)
3%
38,3
(V)
9,07
(A)
31,2
(V)
8,65
(A)
Eficincia
16,63%
Com o software PV-Analysator, ficou definido uma resistncia serial interna de 0,44
e o Fill Factor do mdulo de 78%.
A) EFEITO DA IRRADIAO
A primeira dupla de grficos mostra a variao de irradiao nos mdulos. O grfico da

figura 4.1 apresenta as curvas fornecidas no manual do fabricante, enquanto a figura 4.2 mostra
o mdulo simulado no ATP.
O grfico dos dados obtidos na simulao foi montado de forma a maximizar a
semelhana com o apresentado pelo fabricante, sendo iguais os eixos, as cores e os traos das
curvas. Para os dois grficos, no eixo horizontal se encontra a tenso em Volts no mdulo, no
124
eixo vertical principal (esquerda), a corrente, em Ampres e no eixo vertical secundrio a

potncia em Watts.
A temperatura da simulao foi mantida em 25 C, assim como informado no manual, e
os nveis de irradiao modificados como na legenda acima das curvas.
A simulao computacional ocorreu no ATP e os grficos foram montados no Microsoft
Excel, com maiores possibilidades de edio que nos softwares includos no ATPDraw. Para a
migrao de dados, foi utilizada uma ferramenta do ATP; em seu launcher existe a opo de
gravao de arquivo de sada em formato CSV, ou Comma Separed Values (valores separados
por vrgula). No Excel, foi utilizada a opo de obter dados externos de arquivo de texto e criado
o grfico.
Figura 4.1: Corrente e Potncia por tenso em irradiaes, dado do fabricante. [66]
125
Figura 4.2: Corrente e Potncia por tenso em irradiaes, pela simulao. Fonte: Autor.
A mudana de irradiao modifica, proporcionalmente, o valor de corrente de curtocircuito de forma linear, enquanto a tenso de circuito aberto sofre uma menor variao. Como
a tenso de circuito aberto se refere tenso atravs do diodo interno do mdulo quando a
mxima fotocorrente passa por ele, a dependncia dessa tenso irradiao se d pela menor
gerao mxima da fotocorrente, ou seja, quando a irradiao menor, a fotocorrente gerada e
a tenso de circuito aberto tambm menor. [68]
Inicialmente, nota-se a semelhana entre os dois grficos: os pontos de interesse, onde
a corrente e a tenso so mximas, so visualmente iguais. Diferenas ocorrem em pontos
prximos ao joelho da curva, com aproximadamente 1%, ou 3 Watts, no mximo, para esta
primeira simulao, podendo considerar o modelo validado para alteraes na irradiao.
B) EFEITO DA TEMPERATURA
Nas figuras 4.3 e 4.4 so apresentadas as diferentes temperaturas para uma irradiao
constante.
126
Figura 4.3: Corrente e Potncia por tenso em temperaturas, dado do fabricante. [66]
Figura 4.4: Corrente e Potncia por tenso em temperaturas, pela simulao. Fonte: Autor.
127
Novamente, o grfico foi produzido para se igualar esteticamente com o apresentado

pelo fabricante. Neste caso, so apresentadas as curvas de corrente e potncia para diferentes
temperaturas, mas com o ponto de mxima potncia destacado na curva de corrente.
V-se que os pontos de interesse continuam visualmente iguais, onde a corrente e a
tenso so mximas. Com as temperaturas mais baixas, o mdulo consegue atingir maiores
valores na tenso de circuito aberto e, consequentemente, consegue extrair maior potncia com
a mesma irradiao, diminuindo o valor medida que a temperatura aumentada.
Uma vez que a energia da banda diminui com o aumento da temperatura, mais ftons
tm energia suficiente para criar pares p-n. Como consequncia da crescente difuso dos
portadores minoritrios, na corrente de curto-circuito, observado um ligeiro aumento, porm
o efeito muito pequeno. J a tenso de circuito aberto fortemente dependente da temperatura.
[68]
O comportamento do mdulo simulado est correto, ainda com pequenas diferenas nos
joelhos das curvas. A maior diferena est na curva de 70 C, onde so encontrados 8 Watts a
mais na simulao computacional, ou 3% de erro.
Com a segunda simulao encenando diversas temperaturas para a mesma irradiao, e
a primeira com diversas irradiaes para a mesma temperatura, valida-se o modelo
computacional de acordo com suas entradas, podendo utiliz-lo para situaes de projeto com
elevado grau de confiana, j que a maior discrepncia com o fabricante foi de 3% em situao
extrema de 70 C.
4.2.2 CASOS ASSOCIATIVOS
Com o modelo computacional validado, ser observado o seu comportamento em

combinaes seriais e paralelas.
A) COMBINAO PARALELA
Na figura 4.5 observada a curva de corrente por tenso na combinao em paralela de

clulas apresentada na doutrina, enquanto que na figura 4.6 dado o resultado da anlise
computacional utilizando o mdulo supracitado.
128
Figura 4.5: Combinao paralela de clulas, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
Figura 4.6: Combinao paralela de mdulos, pela simulao. Fonte: Autor.
129
V-se que, com o arranjo de mdulos paralelos, a corrente de curto-circuito aumentada

proporcionalmente. O que acontece, nesse caso, a soma das correntes dos mdulos, j que
esto ligados nos mesmos pontos os terminais de sada dos mdulos.
A tenso de circuito aberto no muda, por isso todas as curvas vo para o mesmo ponto,
que nas condies normais de temperatura e irradiao de 38,3 Volts, como referido no
manual do fabricante.
Pode ser ver que atingido o mesmo princpio de funcionamento apresentado na
literatura, apenas aumentado para a utilizao de mdulos e no de clulas individuais.
B) COMBINAO SERIAL
A figura 4.7 mostra a utilizao de mdulos em srie nas condies normais de

temperatura e irradiao apresentado na literatura, enquanto a figura 4.8 apresenta o resultado
da anlise computacional.
Figura 4.7: Combinao em srie de clulas, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
130
Figura 4.8: Combinao em srie de mdulos, pela simulao. Fonte: Autor.
Com o arranjo em srie, a mesma corrente passa por todos os mdulos, e a tenso total
a soma da tenso de cada mdulo; j a corrente se mantm a mesma apresentada pelo
fabricante, 9,07 Ampres.
A conexo em srie de um sistema fotovoltaico pode acarretar um problema, caso um
dos componentes esteja parcial ou completamente defeituoso, sombreado ou mal conectado.
Como a corrente a mesma para todo o sistema, o componente em que h as condio
mencionadas funciona como um circuito aberto, no caso da condio completa; ou limitando a
corrente entregue aos outros componentes, no caso da condio parcial. Por no haver corrente
passando pelo componente, ou a limitao desta, todo arranjo em srie apresenta rendimento
nulo ou baixo.
Para evitar este tipo de problema so inseridos diodos de by-pass em antiparalelo em
cada mdulo, entregando corrente aos componentes restantes mesmo que um apresente
problema.
Por comparao, pode se ver que o princpio apresentado na literatura mantido
novamente, apenas aumentado para a utilizao de mdulos, no de clulas, onde so mantidas
as caractersticas de funcionamento.
131
C) O SOMBREAMENTO PARCIAL DE UM SISTEMA SERIAL
Na figura 4.9 apresentado o sistema com a combinao de trs clulas em srie que
ser simulado, onde uma apresenta sombreamento de 80% (20% de irradiao). A figura 4.10
mostra o comportamento do sistema pela curva de corrente por tenso encontrado na doutrina,
enquanto que a figura 4.11 mostra o resultado obtido com a anlise computacional. Para facilitar
a comparao, so inseridas as curvas de um mdulo, dois mdulos em srie e trs mdulos em
srie com 100% de irradiao, com suas potncias em linhas tracejadas.
Figura 4.9: Sistema srie sem diodos de by-pass. Fonte: Autor.
Figura 4.10: Combinao em srie de clulas com sombreamento, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
132
Figura 4.11: Combinao em srie de mdulos com sombreamento, pela simulao. Fonte: Autor.
Em comparao com o dado oferecido pela literatura, h de se ver a semelhana de

comportamento entre a linha vermelha, da simulao computacional, e a linha roxa, da doutrina.
V-se que a propriedade observada na clula se mantm mesmo com a utilizao de mdulos.
Sem a utilizao do diodo de by-pass, a corrente no sistema fica limitada corrente da
menor gerao. A corrente de curto-circuito a mesma que a vista na figura 4.2 quando h 20%
de irradiao em um mdulo, mas, com a tenso somada, a potncia gerada mxima de trs
vezes aquele valor. A corrente produzida nos dois mdulos que recebem 100% de irradiao
flui para seu prprio diodo interno e o diodo da terceira clula polarizado de forma inversa
pela tenso das outras, e surge dissipao de energia no mdulo.
Essa dissipao chamada de Hot Spot (do ingls, pontos quentes), um efeito intolervel
que quebra as junes p-n e danifica as clulas, provocando o derretimento das soldas e
rachaduras nos vidros. O mesmo efeito pode ser observado no caso de sistemas que utilizam
clulas (ou mdulos) de diferentes modelos, ou sistemas com clulas danificadas.
133
D) SOMBREAMENTO PARCIAL DE UM SISTEMA COM BY-PASS
A figura 4.12 mostra a utilizao do diodo de by-pass no mesmo circuito que ser
simulado com os mesmos parmetros, a figura 4.13, a resposta para esta configurao vista na
doutrina e, finalmente na figura 4.14, a resposta da anlise computacional.
Figura 4.12: Sistema srie com diodos de by-pass. Fonte: Autor.
Figura 4.13: Combinao srie de clulas com sombreamento e by-pass, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
134
Figura 4.14: Combinao srie de mdulos com sombreamento e by-pass, pela simulao. Fonte: Autor.
A semelhana entre a simulao e a literatura agora pode ser vista analisando as curvas
roxa, da doutrina, e vermelha, da anlise. O princpio de funcionamento pode ser bem
observado, comprovando com sucesso o modelo computacional para a utilizao de
combinao de sistemas fotovoltaicos.
Nota-se, agora, uma potncia bem maior que a apresentada sem o diodo de by-pass.
Como as duas clulas geradoras no tm mais limitaes de corrente devido ao sombreamento
de outra clula, so aproveitadas 100% de sua gerao, ficando a clula sombreada com uma
potncia de 20%.
Com o diodo de by-pass, os problemas de clulas diferentes e hot-spots so evitados. A
dificuldade na utilizao em todas as clulas est no seu custo elevado. A utilizao em mdulos
sempre feita, enquanto para as clulas individuais providenciado um diodo para cada 10 ou
15 clulas [68].
Finalmente, nota-se que a utilizao de diodos de by-pass no causam perdas quando
no h corrente fluindo por eles, ou seja, em operao normal. Alm de proteger o mdulo, h
a permisso de passagem de corrente atravs do sistema quando h sombreamento, mesmo com
tenses e potncias baixas.
135
4.2.3 CASOS COM FATORES INTERNOS
A utilizao dos mdulos depende, tambm, de fatores internos, chamados de

resistncias parasitas em srie e em paralelo. A resistncia em srie oriunda da resistividade
das bolachas de silcio, o contato metlico da superfcie frontal e traseira, alm da resistncia
provinda das ligaes entre as clulas. A resistncia paralela provm de correntes de fuga na
juno p-n, devido a no idealidade de sua fabricao, alm de impurezas perto das junes, o
que causa curtos parciais nesses locais, principalmente prximos s bordas das clulas [68].
A) EFEITOS DA RESISTNCIA SERIE
A curva apresentada na literatura de corrente por tenso da clula fotovoltaica com a

alterao da resistncia srie vista na figura 4.15, enquanto que o resultado da simulao
visto na figura 4.16, estando no eixo vertical os valores de corrente, no eixo horizontal os
valores de tenso.
Figura 4.15: Efeito da resistncia srie, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
136
Figura 4.16: Efeito da resistncia srie, pela simulao. Fonte: Autor.
V-se que a resistncia serial no afeta o ponto de tenso de circuito aberto e afeta a
corrente de curto-circuito, diminuindo o fill fator do sistema para as duas figuras.
O modelo computacional oferecido pela referncia [69] no contempla o uso de
diferentes resistncias seriais em sua equao, sendo acrescentado pelo autor. equao 3.1
acresceu-se tenso do sistema, a queda de tenso na resistncia interna, com a aproximao
da corrente para um modelo de primeiro grau, evitando problemas numricos de
referenciamento. A equao 4.1 descreve a aproximao feita na corrente utilizada, e, a equao
4.2, o novo clculo da corrente.
= {1 3 [ (4 (+ )
(4.1)
1]}
(4.2)
Onde:
Corrente da fotoclula aproximada, em Ampres (A).
137
3 , 4 Constantes 3, 4 e m, de [69 pp. 59]
Resistncia srie, em Ohms ().
Os resultados computacionais, ento, podem ser confirmados pela comparao com a

doutrina e, de forma anloga, so validados com o objetivo de analisar o efeito por si.
B) EFEITO DA RESISTNCIA PARALELA
A curva de corrente por tenso de uma clula fotovoltaica com a alterao da resistncia
paralela vista na figura 4.17 e o resultado da simulao computacional, na figura 4.18.
Figura 4.17: Efeito da resistncia paralela, dado da doutrina. (Traduzido) [68]
138
Figura 4.18: Efeito da resistncia paralela, pela simulao. Fonte: Autor.
Da mesma forma que no interpretada a resistncia srie na referncia [69], o efeito

da resistncia paralela tambm teve que ser includa pelo autor. Ao passo que o aumento da
resistncia srie aumenta a exigncia de tenso para trabalhar, a resistncia paralela diminui a
corrente extrada do mdulo. A equao 4.3 descreve como este efeito foi modelado.
= {1 3 [ (4
1]}
(4.3)
Onde:
3 , 4 Constantes 3 e 4, de [69 pp. 59]
Resistncia paralela, em Ohms ().
O efeito da resistncia paralela pode ser confirmado pela comparao com a literatura,
sendo validado o seu efeito no modelo computacional, como visto na resistncia srie.
139
4.3 SIMULAES NO CONVERSOR CC-CC
A segunda etapa do sistema conectado rede passa pelo conversor elevador de tenso,
onde h o ajuste da tenso de sada do sistema para a entrada correta no inversor. Os parmetros
do sistema para esta simulao esto discriminados na tabela 4.3 e utilizaram as equaes da
seo 3.8 para a obteno dos valores de capacitncia e indutncia.
Tabela 4.3: Parmetros do conversor CC-CC para a seo 4.3.

Fonte: Autor
Tipo
Valor
Unidade
Tenso de entrada
141,6
Potncia
1080
Tenso de sada
200
5000
Hz
Ondulao de tenso
0,05
Ondulao de corrente
0,5
Rendimento
0,93
Adimensional
Resistncia de sada
37,0370
Ohm
Razo cclica
0,2920
Adimensional
Corrente de entrada
7,6271
Corrente de sada
5,4
Delta I
3,8136
Indutor
2,1684
mH
62,9130
uF
Capacitor de sada
242,7513 uF
Os capacitores de entrada e sada, respectivamente, foram convertidos para seus valores

comerciais de 68F e 330uF. A figura 4.19 mostra as tenses de entrada e sada do boost,
confirmando o seu funcionamento. Na figura 4.20 so colocados os valores de tenso de
referncia do MPPT e de resposta de entrada. Neste caso foi utilizado o mtodo Beta para a
obteno da resposta, mas observa-se que independentemente do mtodo de MPPT utilizado, a
elevao de tenso acontece da mesma forma, j que gerada uma referncia correta para o
controlador.
140
Figura 4.19: Entrada e sada do conversor CC-CC. Fonte: Autor.
Figura 4.20: Tenses de referncia e do sistema fotovoltaico. Fonte: Autor.
141
Observa-se que a tenso elevada ao nvel especificado, de 141,6 V a 200 V e que a

atuao do MPPT conta com uma ultrapassagem no ponto da tenso de mxima potncia, isso
se deve pela velocidade que o sistema trabalha e, como demora um pouco mais que o MPPT,
existe este excesso que corrigido assim que o sistema alcana o MPP.
A figura 4.21 ilustra, de forma aumentada, como a tenso dos mdulos segue a
referncia do MPPT e a figura 4.22 mostra a corrente de entrada e de sada do boost.
Figura 4.21: Zoom nas tenses de referncia e do sistema fotovoltaico. Fonte: Autor.
Como explanado, o MPPT mais rpido que o sistema, incrementando o valor de

referncia at que o sistema alcance o MPP. Quando isso ocorre o MPPT recua at a diminuio
da tenso do sistema, gerando a oscilao vista na figura 4.21. Esta operao oscilatria em
torno do MPP normal e faz parte do princpio de funcionamento do MPPT.
142
Figura 4.22: Correntes de entrada e sada do Boost. Fonte: Autor.
V-se que o conversor segue os parmetros tcnicos para esta instalao, conforme
vistos na tabela 4.3. O sistema reage bem ao degrau de irradiao e segue com firmeza a
referncia gerada pelo MPPT. Como esperado, a corrente de sada de 5,4 Ampres e a tenso
se mantm em 200 Volts, validando o modelo computacional do conversor.
4.4 SIMULAES COM ALIMENTAO, CONVERSOR CC-CC E O MPPT
As simulaes computacionais com alimentao e o conversor CC-CC foram feitos de

forma a aplicar diferentes mtodos MPPT no sistema fotovoltaico, com o objetivo de analisar
seus grficos de resposta e verificar se o modelo computacional se comporta de acordo com o
previsto e apresentado na seo 3.6.
Os parmetros do sistema fotovoltaico esto na tabela 4.4, como fornecidos pelo
fabricante para condies normais de teste (Standard Test Conditions - STC), com irradiao
143
de 1000 W/m e temperatura de 25C. O desenho tcnico, assim como as caractersticas fsicas
do mdulo podem ser encontrados no manual da Kyocera, srie SX SERIES. [70]

Fonte: Kyocera [70]
Modelo
KD 135 F, SX SERIES
Mxima potncia
135
Tolerncia
5%
22,1
(V)
8,37
(A)
17,7
(V)
7,63
(A)
Eficincia
>16%
Os coeficientes de temperatura so de 0,00502 Ampre por grau Celsius (0,06% )
e -0,08 Volt por grau Celsius (-0,36% ). Foram associados 8 mdulos em srie em apenas
uma string, totalizando uma potncia mxima de sada de 1.080 Watts para as condies
padres de teste, de 1.000 W/m e 25C.
Sero apresentados os grficos de potncia alcanada e o mximo de potncia possvel
extrada do sistema nas figuras de 4.23 a 4.34. Para todos os tipos de MPPT a variao de
irradiao foi a mesma, no sendo variada a temperatura.
Nas pginas posteriores sero representados esses grficos, tendo em contraste a
potncia retirada do sistema com o uso do MPPT, que estaro em vermelho, e a potncia ideal
que poderia ser retirada do sistema, em azul.
Figura 4.25: Mtodo Perturba e Observa Clssico. Fonte: Autor.
Figura 4.23: Mtodo da Razo Cclica Fixa. Fonte: Autor.
Figura 4.26: Mtodo Perturba e Observa Moderno. Fonte: Autor.
Figura 4.24: Mtodo da Tenso Constante. Fonte: Autor.

144
Figura 4.29: Mtodo da Condutncia Incremental. Fonte: Autor.
Figura 4.27: Mtodo Perturba e Observa Modificado. Fonte: Autor.
Figura 4.30: Mtodo da Condutncia Incremental Modificada. Fonte: Autor.
Figura 4.28: Mtodo Estima Perturba e Perturba. Fonte: Autor.

145
Figura 4.33: Mtodo de Oscilao do Sistema. Fonte: Autor.
Figura 4.31: Mtodo Beta. Fonte: Autor.
Figura 4.34: Mtodo da Correlao de Ripple. Fonte: Autor.
Figura 4.32: Mtodo da Temperatura. Fonte: Autor.

146
147
A resposta em potncia dos diferentes mtodos se mostra bastante variada, cada mtodo
com suas vantagens, seja na velocidade de resposta, seja na oscilao obtida em regime
permanente. Na seo 3.6.1 foram discutidos os comportamentos esperados para os MPPTs
individualmente e, por suas respostas mostradas nas figuras de 4.23 a 4.34, conclui-se que a
modelagem computacional aceitvel para os mtodos simulados.
Alguns mtodos se comportam de maneira lenta nas respostas aos degraus, outras
respondem mais rapidamente, cada um com sua aplicao prpria aos sistemas. Os piores
resultados computacionais provm do mtodo de Razo Cclica Fixa, Tenso Constante e de
Oscilao do Sistema, em que so obtidas respostas muito lentas e baixa busca de potncia.
Os mtodos que obtm melhor desempenho so os de Correlao de Riplle e os baseados
em Hill Climbing, como o Perturba e Observa e o Condutncia Incremental e suas
modificaes, que apesar de se apresentarem lentas inicialmente, aps retiradas as inrcias dos
componentes do Boost, so mtodos muito eficientes. Destaca-se, tambm, o mtodo Beta, com
resultados muito satisfatrios e rpidos.
A figura 4.35 mostra o sinal de sada dos mtodos MPPT em resposta ao degrau de
irradiao. O mtodo de razo cclica fixa foi omitido, pois a sada do sistema de controle no
proporcional tenso desejada, mas ao regime de trabalho do interruptor, tornando-se um
dado diferente para comparao com os outros, sendo possvel informar que o regime de 23%.
Os mtodos de Temperatura e de Tenso Constante tambm foram omitidos, j que
emitem a mesma sada que a ideal se os sistemas estiverem bem sintonizados. O mtodo de
Oscilao do Sistema tambm no mostrado, pois sua sada varia muito em torno da ideal,
tornando-se imprpria a comparao com os outros sistemas.
So apresentados, ento, os mtodos Perturba e Observa Clssico, Perturba e Observa
Moderno, Perturba e Observa Modificado, Estima Perturba e Perturba, Condutncia
Incremental, Condutncia Incremental Modificada, Beta e Correlao de Ripple, com a varivel
manipulada ideal para a resposta em regime permanente.
V-se que, quando aplicado o degrau, as variveis manipuladas (ou respostas dos
MPPTs) se encaminham para o valor prximo ao de tenso de mxima potncia (141,6 Volts),
com exceo do Mtodo de Correlao de Ripple, todos partem da referncia e tendem a
aumentar.
O Mtodo de Correlao se inicia alto, pois o erro do sistema muito alto e, a partir do
momento em que o erro menor, ele vai diminuindo at a estabilizao, prximo ao ponto de
tenso de mxima potncia do sistema.
148
Figura 4.35: Variveis manipuladas dos diferentes MPPTs em resposta ao degrau. Fonte: Autor
149
A figura 4.36 ilustra, em regime permanente, a atuao dos MPPTs e a sua forma
oscilatria.
Figura 4.36: Variveis Manipuladas dos diferentes MPPTs em regime permanente. Fonte: Autor.
V-se que h uma oscilao em regime permanente de alguns mtodos em torno do

MPP. Essa oscilao inevitvel, j que para atingir a mxima potncia, o sistema deve
verificar se ele mximo. Dois mtodos no geram oscilaes, o mtodo de Correlao de
Ripple e o de Condutncia Incremental Modificada. O primeiro pelo seu princpio de
funcionamento e o segundo por constar que o erro entre o valor obtido e o ideal desprezvel.
A figura 4.37 mostra a atuao do mtodo Beta na curva de potncia do mdulo
fotovoltaico e a figura 4.38 a curva de potncia do mdulo.
150
Os pontos foram desenhados sobre a curva de potncia para melhor visualizao da

resposta. Os pontos 1, 2, 3, 4 e 5 se correspondem nas figuras 4.37 e 4.38.
Inicialmente h um aumento da referncia enviada ao sistema pelo MPPT at que
atingido o ponto 1. Como a potncia continua a subir, o MPPT continua aumentando a
referncia na mesma direo at o ponto 2, onde ainda acrescentado mais sinal sada, at
que o sistema trabalha no ponto 3. O ponto 3 apresenta um overshoot, que quando alcanado
pelo sistema, percebido pelo MPPT pela diminuio de potncia. Como a incrementao de
sinal apresentou uma diminuio de potncia, o MPPT envia menos sinal ao sistema at a
chegada do ponto 4 que corrigida rapidamente e se estabiliza prximo ao ponto 5.
Figura 4.37: Aplicao do mtodo Beta no degrau de irradiao. Fonte: Autor.
Figura 4.38: Resposta em potncia do sistema. Fonte: Autor.
151
Por fim apresentada a tabela 4.5, onde o Autor rene as informaes obtidas na anlise
computacional e as informaes literais explanadas na seo 3.7 concluindo as vantagens e
desvantagens de cada mtodo.
Tabela 4.5: Vantagens e desvantagens de cada mtodo de MPPT utilizado.

Fonte: Autor
Processo
Vantagens
Desvantagens
Sacrifcios na entrega de
Simplicidade de aplicao
Razo Cclica
potncia
Fixa
Baixo custo
Sintonia off-line
Erros de regime permanente
Tenso
Constante
Baixo custo
Sintonia off-line
Resposta Lenta em alteraes
bruscas de Irradiao e
Temperatura
P&O Clssico
Oscilaes em regime
permanente
Menor oscilao em regime
P&O
permanente
Temperatura
P&O
Tenta resolver flutuaes de
Resposta muito lenta
Modificado
Irradiao e Temperatura
Estima Perturba
Estima futuras alteraes de
Resposta lenta
e Perturba
Irradiao e Temperatura
Condutncia
Temperatura
Incremental
Oscilaes em regime
Baixo custo
permanente
Condutncia
Menor oscilao em regime
Incremental
permanente
Modificado
Temperatura
Baixo custo
Difcil sintonia
Oscilao do
Utilizao de circuitos
Sistema
Complexidade de instalao
analgicos
Mdio custo
Difcil sintonia
Correlao de
Utilizao de circuitos
Ripple
Complexidade de instalao
analgicos
Requer a utilizao de outros
Beta
Boa sintonia
mtodos em regime permanente
Temperatura
Resposta Lenta
Baixa oscilao
152
4.5 SIMULAES NA MALHA DE CAPTURA DE FASE
As simulaes computacionais na malha de captura de fase foram feitas isoladas do

sistema, com um bloco do tipo MODELS simulando uma funo cosseno, descrito na equao
4.4.
= ( + )
(4.4)
Onde:
Tenso de sada do bloco, em Volts (V).
Amplitude do sinal de onda, em Volts (V).
Frequncia do sistema, em radianos por segundo (Rad/s).
ngulo de defasagem da sada, em radianos (Rad).
Tempo, em segundos (s).
Foram determinados 6 instantes para a definio dos valores simulados, alm dos
valores iniciais. Todos esses podem ser definidos pelo usurio no momento da simulao, sem
precisar de edio nas linhas da MODELS; j a amplitude do sinal mantida fixa o tempo todo.
Foram definidos dois testes computacionais para o funcionamento da malha de captura
de fase completamente, o primeiro teste conta com mudanas na frequncia da rede e, no
segundo, mudanas no ngulo de fase.
A) MUDANAS NA FREQUNCIA
A amplitude foi mantida em 311 unidades, mantendo-se a definio do projeto de

conexo rede eltrica. A mudana na frequncia do bloco alterada por quatro vezes, iniciase em 60 Hz (377 rad/s) para a estabilizao do sistema. Em 1 segundo de simulao foi feita a
elevao de 60 Hz para 70 Hz (440 rad/s), em 1,5 segundo para 60 Hz, se mantendo at 2
segundos, onde cai para 50 Hz (314 rad/s). Em 2,5 segundos a frequncia retorna para 60 Hz.
A figura 4.39 mostra tanto a frequncia como o ngulo da rede e da malha de captura
de fase, enquanto a figura 4.40 informa a diferena ou o erro do sistema.
Pela observao das figuras apresentadas, verifica-se que, aps cada transitrio gerado
153
pela perturbao, o sistema volta a atracar com a rede, concluindo que a malha de captura de
fase pode ser aplicada para distrbios de frequncia.
Nas duas figuras, o ngulo do PLL sobe por 5 ciclos at se estabilizar (no ngulo de
zero) e depois decresce 5 ciclos, isso se deve pela captura de fase adiantar e atrasar a fase de
comando, a fim de se equiparar com a frequncia recebida para que o sistema se equilibre. Sem
essa interveno a frequncia nova seria alcanada, mas com defasagem angular permanente.
Observa-se que o valor do ngulo fora das frequncias de 60 Hz no fica em um valor
fixo, isso se deve ao fato da medida do ngulo do PLL estar sempre na base de 60 Hz e a medida
do ngulo da rede ficar na base da frequncia que ela impe, tornando a comparao ocular
irregular. Para observao das figuras, no ngulo do PLL deve ser analisado que ao alcanar o
valor de 360, ou 2 radianos, retorna a 0 ou 0 radianos. Como a frequncia est mais alta, o
ngulo sobe de forma linear para acompanhar o sistema, que pelo aumento da frequncia sofre
um aumento do ngulo. O mesmo processo acontece quando a frequncia da rede desce.
Figura 4.39: Frequncia e fase do PLL e da rede. Fonte: Autor.
Figura 4.40: Erros de frequncia e fase. Fonte: Autor.
154
B) MUDANAS NO NGULO DE FASE
A mudana no ngulo de fase do bloco alterada por quatro vezes, se inicia em 0 (0

rad) para a estabilizao do sistema. Em 1 segundo de simulao, foi feita a elevao da fase
para 90 (1,57 rad), em 1,5 segundo para -90, se mantendo at 2 segundos, quando sobe para
180 (3,14 rad). Em 2,5 segundos, o ngulo retorna para 0.
A figura 4.41 apresenta a frequncia e a fase do PLL e da rele eltrica, e a figura 4.42
mostra os erros de frequncia e de fase. Observa-se que o PLL segue a mesma fase da rede,
acompanhando seu ngulo aps um breve transitrio. Verifica-se, ainda, que o sistema se
mantm na mesma frequncia, j que a mudana foi apenas de fase.
Figura 4.41: Frequncia e Fase da rede e do PLL. Fonte: Autor.
Figura 4.42: Erros de frequncia e fase. Fonte: Autor.
Sendo assim, valida-se o modelo computacional do PLL, cobrindo a gama de suas

aplicaes. Informa-se que a aplicao pode ser feita em conjunto, com erros angulares e para
diferentes frequncias ao mesmo tempo.
155
4.6 SIMULAES DA UNIDADE INVERSORA
A unidade inversora foi testada com uma fonte de tenso constante em 200 Volts em
sua entrada e foi feita a conexo com uma fonte alternada de amplitude 180 Volts, com sua fase
em -90 graus. O sistema conta com a malha de captura de fase, que atuar para manter a sada
do inversor em fase com a fonte alternada.
A) SIMULAO NA UNIDADE DE CONTROLE DE CORRENTE
A unidade de controle de corrente determina a forma e a amplitude da corrente injetada

na rede, j que a tenso tem a frequncia e a amplitude fixas. A utilizao do controle PLL foi
mantida para que seja verificado sua atuao no sinal de corrente.
Na figura 4.43, v-se o grfico da forma de onda da corrente injetada no sistema.
Figura 4.43: Forma de onda da corrente injetada na rede e o comando do PLL. Fonte: Autor.
156
Para este estudo no h perda de potncia com o conversor boost, j que no h

conexo dele com o inversor, mas a de uma fonte de tenso contnua. Isso faz com que a
potncia transferida seja maior, diferente do observado na tabela 3.6.
Observa-se que a amplitude segue a equao 3.29, onde a potncia de referncia de
1080 Watts, a tenso da rede de 311 Volts (220 Volts de tenso eficaz) e a tenso contnua de
entrada de 400 Volts, resultando em uma corrente de pico de 6,94 Ampres.
A transferncia de potncia da ordem de 1080 Watts, como apresentada na
referncia. Analisando a tenso RMS de 220, tm-se220 6,942, resultando em 1080
Watts, sendo verdadeiro o equacionamento apresentado.
J a forma da onda segue a sada do PLL, onde o valor de frequncia diminui e aumenta
de acordo com a proposta. Verifica-se, tambm, a veracidade do modelo computacional neste
caso.
B) SIMULAO DA UNIDADE PWM
A fim de apresentar o chaveamento da unidade com a resposta em corrente foi utilizada

uma frequncia de chaveamento mais baixa, de 5 mil Hertz. Essa frequncia permite a obteno
de uma boa visualizao da atuao do chaveamento na corrente de sada para a apresentao
grfica, mas sofre deficincias na sua forma de onda pelo chaveamento lento. A figura 4.44
mostra como o sistema de chaveamento funciona em duas etapas. E, j que este funciona como
uma porta de excluso, enquanto os interruptores 1 e 4 se fecham, as portas 2 e 3 se abrem, no
permitindo curtos-circuitos acidentais.
Figura 4.44: Sistema de chaveamento implementado. Fonte: Autor.
157
O conjunto de interruptores tem, em cada um, um snubber (do ingls, supressor), que
utilizado para controlar os efeitos indesejados produzidos pelo chaveamento abrupto de
corrente.
Para o tratamento do sinal de sada do chaveamento necessrio um controle de
modulao por largura de pulso (Pulse Width Modulation PWM). Esse tratamento do sinal
feito pela comparao entre o sinal desejado senoidal e uma fonte triangular.
A figura 4.45 mostra como o modelo computacional se comporta na modulao do
sistema, com a moduladora, a portadora e o sinal booleano de chaveamento em um ciclo de
simulao em eixos separados para melhor visualizao.
Todos os sinais apresentados so sinais do tipo MODELS, por isso esto sendo omitidas
as unidades nos eixos, podendo ser considerados apenas sinais adimensionais. A baixa
frequncia permite uma boa visualizao do efeito da modulao no chaveamento, nos valores
prximos ao pico da moduladora; observa-se que o sinal modulado passa mais tempo
apresentando o sinal booleano sim e nos prximos ao vale, o sinal modulado passa mais tempo
apresentando o sinal booleano no.
Nos pontos mdios, em que a moduladora passa por zero, o sinal modulado se alterna
entre os nveis lgicos alto e baixo para que o regime de trabalho seja proporcional, mostrando
que o controle PWM funcional.
158
Figura 4.45: Modulao por largura de pulso da unidade inversora. Fonte: Autor
159
4.7 SIMULAES NO SISTEMA CONECTADO REDE ELTRICA
A figura 4.46 ilustra o sistema completo conectado rede eltrica. Foram separados em
caixas os diferentes tipos de componentes de controle, o Phase Locked Loop, ou PLL, o controle
da corrente injetada e o controle MPPT com seus respectivos PWMs.
No circuito, v-se as entradas de temperatura e irradiao, o sistema fotovoltaico, os
componentes do Boost, o inversor com o indutor de acoplamento na sua sada e a conexo com
a rede.
Figura 4.46: O sistema fotovoltaico completo conectado rede eltrica. Fonte: Autor.
160
O sistema conta com dois interruptores: o primeiro no ponto de entrada do inversor e o

segundo entre o indutor de acoplamento e a rede. Esses interruptores so do tipo normalmente
fechados e se abrem aps a sincronia do PLL.
Para o sistema fotovoltaico foram escolhidos 8 mdulos da Kyocera em srie em uma
nica string. A tabela 4.6 apresenta os parmetros do modelo.

Fonte: Kyocera [70]
Modelo
KD 135 F, SX SERIES
Mxima potncia (W)
135
Tolerncia
5%
22,1
(V)
8,37
(A)
17,7
(V)
7,63
(A)
Eficincia
>16%
Com esta configurao, so obtidos os valores de tenses e potncias vistos na tabela
4.7, nota-se que as correntes so mantidas, j que feita a utilizao de apenas uma string.
Tabela 4.7: Parmetros do sistema fotovoltaico.

Fonte: Autor.
Modelo
8x KD 135 F, SX SERIES
Mxima potncia (W)
1080
176,8
(V)
8,37
(A)
141,6
(V)
7,63
(A)
Para a conexo com a rede eltrica, foi utilizada uma fonte de tenso varivel com
amplitude de 311 Volts no aterrada, com defasagem de -90 graus e frequncia de 60 Hz. O
nvel de tenso na entrada do inversor de 400 Volts e a entrada do boost, como visto na tabela
anterior, fica em torno de 141,6 Volts. Os rendimentos previstos para o boost e para o inversor,
respectivamente, so de 93% e de 96%. As frequncias dos PWMs dos componentes esto
mantidas em 50 KHz.
Os parmetros completos do boost so apresentados na tabela 4.8 e os parmetros
completos do inversor e do indutor de acoplamento, na tabela 4.9.
161
Tabela 4.8: Parmetros do Boost para a seo 4.7.

Fonte: Autor.
Tipo
Valor
Unidade
Tenso de entrada
141,6 V
Potncia
1.080 W
Tenso de sada
400 V
50.000 Hz
Ondulao de tenso
1% V
Ondulao de corrente
50% A
Sada inversor
311 V
Rendimento
93% Adimensional
Frequncia da rede
60 Hz
Relao M
77,75% Adimensional
Resistncia de sada
148,148 Ohm
Razo cclica
0,646 Adimensional
Corrente de entrada
7,6271 A
Corrente de sada
2,7 A
Delta I
3,8136 A
Indutor
0,48 mH
69,5921 uF
Capacitor de sada
303,4391 uF
Tabela 4.9: Parmetros do Inversor e do Indutor de Acoplamento.
Fonte: Autor.
Tipo
Valor
Unidade
Tenso de entrada
400 V
Tenso de sada
311 V
D mdio
0,88875 Adimensional
Ondulao de corrente
10% A
Potncia PV
1.080 W
Rendimento do conversor
93% Adimensional
Rendimento do inversor
96% Adimensional
Potncia de sada
964,224 W
Corrente de pico
6,2008 A
Ondulao de corrente admitido
0,62008 A
Frequncia
50.000 Hz
Indutncia de acoplamento
2,55 mH
Os capacitores foram aproximados aos seus valores comerciais, resultando em um
capacitor de entrada de 100 F e um capacitor de sada de 330 F.
Foram escolhidos trs mtodos de MPPT dentre os que se destacaram na seo 4.3, quais
162
sejam o mtodo Beta, o mtodo Perturba e Observa Moderno e o mtodo da Condutncia

Incremental Modificado. O distrbio aplicado ser igual para todos os MPPTs, sendo feita uma
diminuio na irradiao, seguindo a figura 4.47.
Figura 4.47: Irradiao aplicada no sistema. Fonte: Autor.
A) SISTEMA CONECTADO COM O MTODO BETA
Primeiramente, h de se observar o comportamento da corrente gerada, que sofre

proporcionalmente com o distrbio gerado. A figura 4.48 mostra como o comportamento da
corrente gerada nos mdulos fotovoltaicos.
163
Figura 4.48: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo Beta. Fonte: Autor.
H, inicialmente, o ajuste na corrente gerada, que comea em seu estado de curtocircuito, de 8,37 Ampres, e, pelo uso do MPPT, decai para a corrente de mxima potncia, de
7.63 Ampres.
A corrente se mantm no valor correspondente a de mxima potncia para a irradiao
nominal at que ocorre a queda na irradiao. Pela comparao entre os grficos, v-se que a
corrente sofre uma queda proporcional. Assim que h o retorno de irradiao, a corrente retorna
ao ponto onde gerada a mxima potncia.
Na figura 4.49 vista a potncia gerada em contraste com a irradiao recebida pelos
mdulos fotovoltaicos.
164
Figura 4.49: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo Beta. Fonte: Autor.
Assim como acontece com a corrente gerada, a potncia cai no momento da queda de
irradiao e retorna logo quando h sua normatizao.
A figura 4.50 ilustra a tenso nos mdulos fotovoltaicos (varivel de sistema) e a ao
do MPPT (gerador do set point). A figura ainda mostra o erro de set point gerado pela diferena
entre os dois. O erro do sistema comea alto e diminui medida que o sistema se estabiliza,
ficando em torno de duas unidades para mais ou para menos, ou seja, um erro de 1,5%. Notase que, no momento do distrbio, as oscilaes de erro so menores, isso se deve pela queda na
corrente gerada, o que causa uma menor gerao de campo magntico no indutor do conversor
boost, como explicado na seo 3.8.
A figura 4.51 aproxima a viso da atuao do mtodo em regime permanente. V-se que
o mtodo tem seu valor de variao baixo, o que faz com que a variao de tenso seja menor.
Pela figura v-se ainda que o mtodo tenta sempre controlar qualquer variao acima ou abaixo
do valor de referncia, gerando as oscilaes no mtodo.
165
Figura 4.50: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro do sistema Mtodo Beta. Fonte: Autor.
Figura 4.51: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo Beta. Fonte: Autor.
166
B) SISTEMA CONECTADO COM O MTODO P&O MODERNO
A utilizao do mtodo perturba e observa moderno neste sistema segue os mesmos

parmetros do sistema anterior. A figura 4.52 mostra a corrente gerada nos mdulos
fotovoltaicos. V-se que, com a utilizao do mtodo perturba e observa moderno, as oscilaes
so mais acentuadas, mas no interferem no funcionamento prprio do sistema, que se mantm
em torno de 7,5 Ampres com a irradiao nominal e em torno de 6 Ampres com o distrbio
em grau mximo.
Na figura 4.53 v-se a potncia gerada em contraste com a irradiao no sistema. Assim
como a corrente, a potncia cai proporcionalmente queda na irradiao solar.
Nestes dois grficos v-se que o sistema utilizando o mtodo perturba e observa se
comporta de forma mais rpida, mas mais oscilatria que o mtodo Beta.
Figura 4.52: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo P&O Moderno. Fonte: Autor.
167
Figura 4.53: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo P&O Moderno. Fonte: Autor.
A figura 4.54 traz a tenso nos mdulos fotovoltaicos e a ao do MPPT. A figura ainda
mostra o erro de set point gerado pela diferena entre os dois. O erro do sistema comea alto e
diminui medida que o sistema se estabiliza, ficando em torno de duas unidades para mais ou
para menos, ou seja, um erro de 1%.
Figura 4.54: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro Mtodo P&O Moderno. Fonte: Autor.
168
J na figura 4.55 aumentada a visualizao da atuao do MPPT em regime

permanente. H de se observar que, diferente do mtodo Beta, a variao mais alta, fazendo
com que o sistema oscile de forma mais brusca, mas obtenha uma resposta mais rpida. Os
tempos de oscilao tambm so maiores e, como descrito na seo 3.7, h um valor aceitvel
de erro para este mtodo, fazendo com que a tenso fique um pouco acima da tenso de MPP.
Mesmo com as diferenas apresentadas o sistema funciona corretamente, tentando transmitir a
maior potncia que o sistema pode gerar, como visto na figura de comparao de potncia e
irradiao.
Figura 4.55: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo P&O Moderno. Fonte: Autor.
C) SISTEMA CONECTADO COM O MTODO CI MODIFICADO
Ainda utilizando os mesmos parmetros, foi trocado o MPPT para o mtodo de

Condutncia Incremental Modificado.
A figura 4.56 apresenta a corrente gerada nos mdulos fotovoltaicos. A oscilao do
169
sistema utilizando este mtodo notvel, por ser um mtodo muito mais rpido que os
anteriores, as modificaes mnimas so observadas e tratadas de forma rpida, mas h um
sacrifcio no comportamento do sistema.
Ainda que o sistema comece em seu estado de curto-circuito, a 8,37 Ampres, e v para,
aproximadamente, seu valor de corrente de mxima potncia, de 7,63 Ampres, a oscilao em
torno deste ponto alta. Isso se deve pela rpida mudana de tenso que o MPPT fora o sistema
a fazer, a fim de transmitir a mxima potncia ao sistema
Figura 4.56: Corrente gerada pelos mdulos fotovoltaicos Mtodo CI Modificado. Fonte: Autor.
Na figura 4.57 v-se a potncia gerada em contraste com a irradiao no sistema. Assim
como a corrente, a potncia cai proporcionalmente queda na irradiao solar. Observa-se,
tambm como grande o momento oscilatrio do sistema. A rpida mudana na tenso dos
mdulos faz com que a corrente gerada mude seguindo a curva de corrente por tenso dos
mdulos. Ainda com as bruscas mudanas no sistema, gerada a mxima potncia, mesmo com
a reduo na irradiao do sistema; a curva de potncia gerada segue, praticamente, as mesmas
geradas nos itens anteriores (A e B), onde so utilizados os mtodos Beta e de Perturba e
Observa Moderno, mostrando que, mesmo com diferentes formas de tratamento, os MPPTs
atuam, a fim de sempre gerar a mxima potncia para o sistema.
170
Figura 4.57: Comparao entre potncia e irradiao Mtodo CI Modificado. Fonte: Autor.
Analisando a figura 4.58 v-se que ainda com as altas mudanas na tenso, o erro entre
o sinal gerado pelo bloco MPPT e o sinal de tenso do sistema de, no mximo, duas unidades,
ou seja, 1%, com exceo o incio do grfico, onde o sistema recebe um degrau de irradiao,
j que este comea com irradiao igual a zero.
Figura 4.58: Tenso nos mdulos, referncia do mtodo e erro Mtodo CI Modificado. Fonte: Autor.
171
Na figura 4.59 aumentada a visualizao da atuao do MPPT em regime permanente.

A variao a mesma que no mtodo P&O moderno, fazendo com que o sistema oscile de
forma mais brusca, mas obtenha uma resposta mais rpida. Os tempos de oscilao, agora, so
menores j que h um valor aceitvel de erro maior para este mtodo, fazendo com que a tenso
fique mais acima da tenso de MPP. Mesmo com as diferenas apresentadas o sistema funciona
corretamente, tentando transmitir a maior potncia que o sistema pode gerar, como visto na
figura de comparao de potncia e irradiao.
Figura 4.59: Zoom no sinal do MPPT atuando na tenso Mtodo CI Modificado. Fonte: Autor.
D) VISUALIZAO DO SISTEMA FOTOVOLTAICO APS O BOOST
A visualizao do sistema se torna o mesmo aps o boost independentemente do mtodo

utilizado. Isso se deve pela correta sintonia de cada mtodo, fazendo com que, para a rede, o
sistema utilizado seja sempre o mesmo para situaes idnticas.
A figura 4.60 mostra a tenso no capacitor de sada do boost. H de se ver que onde
ocorre a diminuio de irradiao h uma pequena queda na tenso. Isso se deve a uma reduo
na criao do campo no indutor pela menor quantidade de corrente gerada, onde h, tambm,
uma diminuio na tenso de sada do conversor, j que a descarga do indutor menor.
172
Figura 4.60: Tenso na sada do conversor CC-CC. Fonte: Autor.
V-se que a tenso mantida em 400 Volts antes do atracamento e, no instante que este
acontece, a tenso oscila prximo a esse valor. Isso acontece pelo contato da tenso do link CC
com a rede eltrica no momento da comutao do inversor, que como em dois estgios, faz
com que a frequncia de oscilao no link CC seja de duas vezes a frequncia da rede, como
pode ser observado na figura 4.61.
Figura 4.61: Comparao entre a tenso no Link CC e a Rede Eltrica. Fonte: Autor.
173
A figura 4.62 ilustra a ao de atracamento do PLL com a rede eltrica. Foi inserido,
tambm, seu sinal direto de referncia de frequncia para uma melhor comparao entre os
resultados.
Figura 4.62: Ao do PLL no sistema. Fonte: Autor.
Inicialmente, com o sistema defasado, o PLL faz com que a frequncia do sistema se
atrase e se adiante para alcanar a fase da rede eltrica, que se inicia com uma fase de -90 graus.
O grfico est resumido ao tempo de 0,5 segundos, pois, alm desse valor, no necessria a
atuao do PLL, j que no h defasagem de fase ou de frequncia com a rede eltrica.
A figura 4.63 mostra a corrente injetada na rede eltrica. Nos instantes de tempo
menores que 0,25 segundo, a corrente injetada nula, pois no h conexo com a rede. A partir
deste tempo, h a entrega imediata de corrente alternada a partir do inversor.
Para valores nominais a corrente se mantm em 6,7 Ampres de pico, ou um valor eficaz
de 4,73 Ampres, injetando na rede eltrica 1040 Watts de potncia, estando o inversor
funcionando a 96% de eficincia, aproximadamente. Quando h o distrbio, a corrente cai
proporcionalmente para um valor mnimo de 5,32 Ampres de pico, ou 3,76 Ampres de valor
eficaz, transmitindo uma potncia de 827 Watts para a rede eltrica.
174
Figura 4.63: Corrente eltrica injetada na rede. Fonte: Autor.
A utilizao dos mtodos de MPPT afeta o funcionamento na gerao fotovoltaica,

diretamente nos mdulos. A utilizao do conversor CC-CC faz com que a entrada para o
inversor fique fixada prximo a um certo valor, evitando que pequenas variaes na tenso de
entrada passem adiante para a rede.
Empregar diferentes mtodos de MPPT, obviamente estando estes bem sintonizados e
adaptados corretamente s mesmas situaes, faz com que a rede eltrica perceba o sistema de
forma praticamente idntica.
CAPTULO V
CONCLUSES E SUGESTES
Apresentado todo o contedo da dissertao, verifica-se a grande fonte de material

bibliogrfico que foi condensada. Inicialmente, por uma abordagem histrica, foram dissecadas
as primeiras utilizaes pelo ser humano, e evoluo o uso da energia provinda do Sol ao longo
do tempo.
Os preceitos histricos que levaram ao desenvolvimento da tecnologia foram
explanados e apresentados de forma concisa e direta; os motivos do desenvolvimento da
tecnologia so importantes, bem como as crises econmicas, que elevaram o papel das fontes
alternativas.
Finalizando a base histrica, h a formulao do princpio de funcionamento das clulas
fotovoltaicas e a exemplificao dos tipos de materiais utilizados, os que dominam o mercado,
os que esto despontando com as novas tecnologias e as propostas tecnolgicas que necessitam
de maiores pesquisas para se tornarem viveis.
Com um foco nas condies locais, proposto um maior incentivo no Estado de Minas
Gerais, mormente na regio de Uberlndia, de forma sutil, pois provado o grande potencial
local de gerao distribuda.
A Resoluo Normativa n 482 de 17 de Abril de 2012, da ANEEL, que permite a
conexo de mini e microgerao rede eltrica com o sistema de compensao, um enorme
incentivo ampliao de gerao distribuda, principalmente da gerao fotovoltaica, cuja
instalao e manuteno so mais baratas que outros tipos de gerao.
As recentes regras tarifrias, que aumentaram a conta de energia eltrica, tendem a
redirecionar a viso do consumidor para caminhos alternativos, alavancando o setor de gerao
distribuda alternativa.
O aumento na demanda desse tipo de energia exige uma melhor anlise do projeto de
instalao, com critrios bem definidos, e que possa ser aplicado de forma robusta, a fim de
prever o comportamento de diferentes sistemas em diversas condies de operao em nvel de
planejamento. A necessidade de ferramentas deste tipo assume, em grande parte, o fundamento
da dissertao.
Captulo V Concluses e Sugestes
176
A utilizao do software ATP, que est sedimentado no setor eltrico a nvel

internacional, se mostrou capaz de proporcionar uma tima anlise computacional detalhada e
completa. Sua utilizao, em conjunto direto com a interface grfica ATPDraw, deixa a
visualizao do projeto organizada e proporciona um estmulo visual ao usurio, que no tem
que lidar com cartes de dados, mas com blocos de programao.
Como a maioria dos blocos de controle foram feitos a partir da linguagem MODELS, a
utilizao do editor de textos Notepad++ para a organizao das linhas de dados foi considerada
excelente, tanto pela forma organizacional, quanto pela sua possibilidade de definir mscaras
para sua utilizao, onde foi criada uma mscara prpria para esse tipo de linguagem, vista
integralmente no Anexo IV.
A escolha da visualizao dos grficos de resposta pelo Microsoft Excel se mostrou
surpreendente. Como nenhum outro gerenciador grfico experimentado, este possibilita timas
visualizaes, viabilizando anlises profundas, bem como um completo controle na plotagem
das funes, com a utilizao de diferentes cores, pontos, eixos de representao, tratamento de
legendas, textos e bordas.
A utilizao da linguagem MODELS foi muito apreciativa, permitindo uma gama de
aplicaes enorme. A habilidade de plotar variveis diretamente no carto do componente e a
forma de programao utilizada foram essenciais para a boa apresentao da dissertao. Aps
algumas utilizaes da linguagem, o usurio j se sente vontade com o sistema utilizado,
facilitando a larga utilizao dos blocos de MODELS.
A linguagem TACS foi utilizada, principalmente, para o controle dos interruptores,
tendo seu princpio sido feito na linguagem MODELS e convertido. Outra funo da linguagem
TACS, foi no controlador da malha de captura de fase, j que a MODELS no permite um loop.
Foi feita a utilizao de uma funo TACS como controlador para quebrar este loop com uma
varivel TACS em meio a duas MODELS, no afetando o sistema do PLL, mas simplificandoo no ponto de vista estrutural.
As simulaes vistas no captulo 4 mostram, com sucesso, a aplicao dos componentes
do sistema, atendendo aos objetivos pretendidos. O mdulo fotovoltaico simulado segue, com
exatido, um mdulo real, como visto na seo 4.1. Suas caractersticas foram respeitadas e
seus resultados muito satisfatrios, independentemente do tipo de mdulo utilizado.
O modelo proposto por Rauschembach foi escolhido por retratar os diferentes sistemas
com dados disponveis em seus manuais, simplificando a entrada de dados, que, em outros
modelos, exigem valores quantitativos de clulas individuais, fatores de idealidades e bandas
177
de energia. As alteraes no modelo propostas pelo autor se mostraram benficas no sentido de

aperfeioar a modelagem de sistemas fotovoltaicos e, de forma secundria, so consideradas
contribuies vlidas para o meio cientfico.
O conversor CC-CC boost seguiu a expectativa inicial desejada, como visto na seo
4.2. Mesmo com diferentes tipos de entradas e sadas, sua utilizao se mostrou robusta,
mostrando que o equacionamento apresentado na seo 3.7 vlida para diversos tipos de
configuraes exigidas pelo sistema.
O uso dos vrios tipos de MPPT tambm seguiram as expectativas iniciais e so tidos
como a principal contribuio desta dissertao. A utilizao de doze mtodos de MPPT abre
um leque de considerveis opes para se controlar um sistema fotovoltaico. Como vistos os
resultados na seo 4.4, os MPPTs apresentam a funcionalidade desejada, mantendo a tenso
no nvel em que a transferncia de potncia mxima.
A malha de captura de fase funciona mesmo com o controlador do tipo TACS e corrige
corretamente diferenas de frequncia e fase do sistema com a rede eltrica, verificado de forma
analtica na seo 4.4.
A unidade inversora, juntamente com o controle de corrente e o controle PWM, vistos
na seo 4.5, tem timos resultados, todos como o esperado, completando, assim, os testes dos
componentes individuais deste sistema.
Quando os componentes so agrupados e o sistema trabalha conjuntamente para que
haja a transferncia correta de potncia para a rede eltrica, seo 4.6, v-se que tambm h o
sucesso da simulao, comprovando que este sistema pode ser utilizado para prever instalaes
e pode ser utilizado no apenas didaticamente, mas tambm profissionalmente.
Comparando-se com trabalhos anteriores: Albuquerque apresentou o sistema
fotovoltaico conectado rede em sua tese (UFU/2012) utilizando o programa MatLab e sua
plataforma Simulink para a simulao computacional [71]. Cunha retomou o assunto em sua
dissertao (UFU/2013) passando-o para o ATP, uma plataforma gratuita e consolidada no
mercado internacional, utilizando o sistema em blocos TACS [72]. Por fim, utilizando-se destas
monografias, as quais foram as principais fontes de inspirao para a concepo desta
dissertao, o Autor tenta acrescentar maiores funcionalidades, passando para linguagem de
simulao escrita MODELS o sistema montado no ATP, o que facilita o seu entendimento.
O autor adota, ainda, um novo modelo para a clula fotovoltaica, considerado mais
adequado e prximo da realidade e, por fim, so inseridos doze tipos de MPPT, os quais so
discorridos, testados e comprovados computacionalmente.
178
Como propostas para trabalhos futuros so sugeridas anlises computacionais na rea

de qualidade de energia eltrica, alm de definir os nveis de distrbios que possam surgir com
e sem as alteraes previstas e o desenvolvimento de tcnicas para a minimizao desses
distrbios.
Como a injeo de corrente na rede foi prevista para um sistema com fator de potncia
unitrio, sugere-se modificar o PLL para que o sistema gere ou absorva energia reativa. Ainda,
sugere-se desenvolver mtodos anti-ilhamento do sistema e a verificao dos impactos para as
concessionrias com a utilizao em larga escala do tipo de instalao apresentado.
Como proposta final, a montagem real do sistema para validao experimental
amplamente recomendada, abrindo caminhos para trabalhos diversos e de maior aplicao que
possam surgir a partir de suas anlises prticas, j que o potencial de pesquisa nessa rea ainda
extenso.
Finalmente, o Autor deixa disponibilizados todos os cdigos de programao do tipo
MODELS no Anexo IV, alm do desenho do sistema completo na seo 4.7, a fim de
simplificar montagens futuras do sistema.
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Canadian Solar Buildings Conference. Depertment of Electrical & Computer
Engineering, Ryerson university Toronto, Ontario, Canad. 2007.
[59]
186
BRITO, Moacyr Aureliano Gomes de. Inversores Integrados Monofsicos e

Trifsicos para Aplicaes Fotovoltaicas: Tcnicas para obteno de MPPT,
deteco e proteo de ilhamento, sincronizao e paralelismo com a rede de
distribuio de energia eltrica. 191 p. Tese de Doutorado Universidade
Estadual Paulista UNESP. Faculdade de Engenharia Eltrica de Ilha Solteira.
2013.
[60]

[61]
Mathworks
Inc.
PWM
Generator.
2015.
Imagem
disponvel
em
http://www.mathworks.com/help/physmod/sps/powersys/ref/pwmgenerator.html.
Acesso em 09 mar. 2015.
[62]
ANEEL, BIG Banco de Informaes de Gerao. Capacidade de Gerao do

Brasil
[online].
2015.
Disponvel
em
http://www.aneel.gov.br/aplicacoes/capacidadebrasil/OperacaoGeracaoTipo.asp?ti
po=12&ger=Combustivel&principal=Solar. Acesso em 29 Mai. 2015.
[63]

[64]
BARBI, Ivo. Conversores CC-CC Bsicos No Isolados. 2006. Instituto de

Eletrnica de Potncia Universidade Federal de Santa Catarina.
[65]
HO, Don. Notepad++. Primeira verso de 2003. Disponvel em https://notepadplus-plus.org/. Acesso em 25 Jun. 2015.
DO CAPTULO IV
[66]
CSUN. CSUN 260-60M-BB. 2012. Manual do produto. Disponvel em

http://www.chinasunergy.com. Acesso em Jan. 2015.
[67]
187
Gossen Metrawatt. PV Analysator. Jan/2013. Verso 2.3.3.4. Disponvel em

http://www.pv-e.de. Acesso em Fev. 2015.
[68]

[69]
RAUSCHEMBACH, Hans S. Solar Cell Array Design Handbook The Principles

and Techology of Photovoltaic Energy Cenversion. Van Nostrand Reinhold
Company, 1980. ISBN: 978-94-011-7917-1. Pp. 30-241.
[70]
KYOCERA. KYOCERA KD 135 F, SX Series. 2014. Manual do produto.

Disponvel em www.kyocerasolar.com.br. Acesso em Jan. 2015.
DO CAPTULO V
[71]
ALBUQUERQUE, F. L. Sistema Solar Fotovoltaico Conectado Rede Eltrica

operando como Gerador de Potncia Ativa e Compensador de Potncia Reativa.
2012. Tese de Doutorado. Universidade Federal de Uberlndia.
[72]

ATP de um Sistema Solar Fotovoltaico Conectado Rede de Baixa Tenso. 2013.
Dissertao de Mestrado. Universidade Federal de Uberlndia.
ANEXO I
CRONOLOGIA DAS CLULAS SOLARES
U.S. Department of Energy. The History of Solar. 2005. Energy Efficiency and Renewable Energy.
Disponvel em https://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/solar_timeline.pdf. Acesso em 03 fev. 2015.
JHA, A. R. Solar Cell Technology and Applications. 2010. ISBN 978-1-4200-8177-0. CRC Press.
Traduzido e organizado pelo Autor.

1839 - Alexandre Edmond Becquerel observa o efeito fotovoltaico por um eletrodo em
uma soluo condutiva exposta a luz.
1873 - Willoughby Smith descobre que o Selnio apresenta fotocondutividade.
1877 - W.G. Adams e R.E. Day observam o efeito fotovoltaico em Selnio slido,
publicando um artigo sobre a observao.
1878 - Augustin Mouchot exibe um gerador solar na Exibio Internacional de Paris.
1883 - Charles Fritts desenvolve uma clula solar usando Selnio sobre uma fina camada
de ouro, tendo eficincia menor que 1%.
1887 - Heinrich Hertz investiga a fotocondutividade da luz ultravioleta e descobre o
efeito fotoeltrico.
1887 - James Moser relata a sensibilizao de uma clula fotoeletroqumica por
corantes.
1888 - Edward Weston patenteia a "Clula Solar" sob os nmeros US389124 e
US389125.
1888-91 - Aleksandr Stoletov cria a primeira clula solar baseada no efeito fotoeltrico.
1894 - Melvin Severy patenteia a "Clula Solar" sob os nmeros US527377 e
US527379.
1897 - Harry Reagan patenteia a "Clula Solar" sob o nmero US588177.
1901 - Philipp von Lenard observa a variao em eltrons com a energia de diferentes
frequncias de luz.
1904 - Wilhelm Hallwachs faz uma clula solar com juno semicondutora de cobre e
xido de cobre.
1905 - Albert Einstein publica um artigo explicando o efeito fotoeltrico na escala
quntica.
Anexo I Cronologia das Clulas Solares
II
1913 - William Coblentz patenteia a "Clula Solar" sob o nmero US1077219.

1914 - Sven Ason Berglund publica o "Mtodo para incrementar a capacidade de clulas
fotossensveis".
1916 - Robert Millikan prova o efeito fotoeltrico por meio experimental.
1918 - Jan Czochralski, um cientista polaco, produz um mtodo para alimentar cristais
nicos de metal. Dcadas depois, o mtodo adaptado para produzir silcio em cristais nicos.
Dcada de 1920 - Sistemas de aquecimento de gua solares utilizando coletores planos
aqueciam casas e apartamentos na Flrida e no sul da Califrnia.
1932 - Audobert e Stora descobrem o efeito fotovoltaico no Seleneto de Cdmio (CdSe),
um material utilizado at hoje.
1935 - Anthony H. Lamb patenteia o "Dispositivo fotovoltaico" sob o nmero
US2000642.
1941 - Russell Ohl patenteia o "Dispositivo sensvel a luz" sob o nmero US2402662.
1948 - Gordon Teal e John Little adaptam o mtodo de Czochralski de crescimento de
cristal para produzir germnio em cristais nicos e, depois, silcio.
Dcada de 1950 - Bell Laboratrios produz clulas solares para atividades espaciais.
1953 - Gerald Pearson comea a pesquisar clulas fotovoltaicas de Ltio-Silcio.
1954 - No dia 25 de Abril de 1954 o Laboratrio Bell anuncia a inveno da primeira
clula solar de silicone prtica. Pouco depois a tecnologia mostrada no Encontro da Academia
Nacional de Cincia. Essas clulas teriam eficincia de 6%. A revista Times prev que as
clulas solares lideraro as "fontes de energia sem limites provindas do Sol".
1955 - Western Electric licencia as tecnologias comerciais solares. A Hoffman
Electronics-Semiconductor cria uma clula solar comercial com 2% de eficincia por 25 dlares
a clula ou 1,79 dlares o Watt.
1957 - Gerald L. Pearson, Daryl M. Chapin, and Calvin S. Fuller da AT&T patenteiam
o "Aparato de converso solar" sob o nmero US2780765. Eles referiam patente como
"bateria solar". Hoffman Electronics criam uma clula com 8% de eficincia.
1958 - T. Mandelkorn, da U.S. Signal Corps Laboratories, cria uma clula solar com
junes p-n que seriam mais resistentes radiao, sendo mais adequadas no espao. Hoffman
Electronics cria clulas com eficincia de 9%. Vanguard I, o primeiro satlite artificial movido
a energia solar foi lanado com um painel de 0.1 Watt, medindo 100 cm.
1959 - Hoffman Electronics cria uma clula comercial com 10% de eficincia e introduz
a utilizao de contatos gradeados, reduzindo a resistncia interna da clula.
III
1960 - Hoffman Electronics cria uma clula com 14% de eficincia.

1961 - A conferncia "Energia Solar no mundo desenvolvido" feita pelas Naes
Unidas.
1962 - O satlite de comunicao Telstar mantido por energia solar.
1963 - Sharp Corporation produz um mdulo fotovoltaico vivel de clulas de silcio.
1964 - publicado, pela Universidade de Yale, o livro de Farrington Daniels: "O uso
direto da energia do Sol".
1967 - Soyuz 1 a primeira espaonave tripulada mantida por clulas solares.
1967 - Akira Fujishima descobre o efeito Honda-Fujishima que usado para hidrlise
na clula fotoeletroqumica.
1968 - Roger Riehl cria o primeiro relgio de pulso energia solar.
1970 - Primeiras clulas solares com heteroestrutura de Arsenieto de Glio (GaAs) so
criadas por Zhores Alferov e sua equipe na Unio das Repblicas Socialistas Soviticas - URSS.
1971 - Salyut 1 movida a energia solar.
1973 - Skylab mantido por clulas solares.
1974 - iniciado o Centro de energia solar da Flrida.
1974 - J. Baldwin, no Integrated Living Systems, co-desenvolve o primeiro prdio
aquecido e mantido por apenas energia solar e elica no Novo Mxico.
1976 - David Carlson e Christopher Wronski do RCA Laboratories criam as primeiras
clulas com silicone amorfo, que tem eficincia de 1,1%.
1977 - O Instituto de Pesquisa de Energia Solar criado em Golden, no Colorado.
1977 - A produo de energia provinda de meios fotovoltaicos excede 500 kW.
1978 - Primeiras calculadoras mantidas por energia solar.
Final da Dcada de 1970: A "Crise do Petrleo"; A utilizao de energia solar cai no
interesse pblico. Seja de forma fotovoltaica, ativa ou passiva.
1980 - John Perlin e Ken Butti lanam o livro "Um fio de ouro", abrangendo 2.500 anos
de tecnologia solar, dos gregos e romanos at os dias de hoje.
1980 - O Instituto de Converso de Energia na Universidade de Delaware desenvolve
as primeiras clulas de filme fino exedendo 10% de eficincia utilizando Sulfeto de Cobre e
Sulfeto de Cdmio (Cu2S/CdS).
1983 - A produo de potncia fotovoltaica excede 21.3 MW, e suas vendas excedem
250 milhes de dlares americanos.
1984 - A instalao fotovoltaica na Universidade de Georgetown completada, gerando
IV
200 MWh anualmente. A instalao funciona at os dias de hoje, h mais de 20 anos, no

ambiente denso e urbano de Washington DC.
1985 - Clulas de silicone com 20% de eficincia so criadas no Centro de Engenharia
Fotovoltaica na Universidade de New South Wales.
1986 - O Domo Solar-Voltaico patenteado pelo Coronel Richard T. Headrick de
Irvine, Califrnia como uma configurao arquitetnica eficiente para construes com energia
fotovoltaica integrada.
1988 - A clula sensibilizada por corantes criada por Michael Grtzel e Brian O'Regan.
Essas clulas fotoeletroqumicas funcionam com um corante orgnico em sua parte interna,
custando metade do preo de uma clula de silcio.
1988/1991 - Amoco e Enron utilizam as patentes do Solarex para processar ARCO Solar
e tir-los do mercado do silcio amorfo.
1989 - Concentradores solares so utilizados em conjunto com clulas solares pela
primeira vez.
1990 - A Catedral de Magdeburg, no leste da Alemanha, instala clulas solares em seu
telhado, se tornando a primeira igreja a ter energia solar.
1991 - Clulas mais eficientes so desenvolvidas.
1991 - O presidente Geroge H. W. Bush incentiva o Departamento de Energia dos
Estados Unidos da Amrica a criar o Laboratrio Nacional de Energia Alternativa (National
Renewable Energy Laboratory NREL).
1992 - A Universidade do Sul da Flrida fabrica uma clula de filme fino com 15,89%
de eficincia.
1993 - As Instalaes de Pesquisa de Energia Solar da NREL so construdas.
1994 - A NREL cria uma clula de Fosfeto de ndio-Glio e Arsenito de Glio com
concentrador e dois terminais que a primeira clula a ter mais de 30% de rendimento.
1996 - O Centro Nacional para Fotovoltaicos fundado. Em Graetzel, a cole
Polytechnique Fdrale de Lausanne, na Sua, consegue uma converso eficiente de energia
com 11% de rendimento utilizando clulas sensibilizadas por corantes.
1999 - O total de potncia instalada mundialmente chega a 1.000 MW.
2003 - George Bush coloca um sistema fotovoltaico de 9 kW e um sistema de
aquecimento de gua para a Casa Branca.
2004 - O governador da Califrnia, Arnold Schwarzenegger, props uma iniciativa de
instalao de sistemas fotovoltaicos em um milho de residncias na Califrnia para 2017.
2004 - A governadora do Kansas, Kathleen Sebelius, emitiu um mandado para a

instalao de 1.000 MW de eletricidade renovvel no Kansas at 2015 pela ordem executiva
04-05.
2006 - O uso de polisilcio utilizado em clulas fotovoltaicas excede todas as outras
utilizaes de polisilcio pela primeira vez.
2006 - A Comisso de Servios Pblicos da Califrnia aprovou a Iniciativa Solar da
Califrnia (California Solar Initiative CSI), um programa de 2,8 bilhes de dlares
americanos que providencia iniciativas para o desenvolvimento solar dentro de 11 anos.
2006 - Um novo recorde mundial alcanado pelas tecnologias solares: quebrada a
barreira de 40% de eficincia.
2007 - construda a planta solar de Nellis, uma instalao de 15 MW fotovoltaicos.
2007 - O Vaticano anunciou que, para conservar os recursos naturais, seriam instalados
painis solares em alguns de seus prdios em um projeto de energia inteligente que se pagar
em poucos anos.
2007 - Painis solares da Google comeam a operar.
2007 - A Universidade de Delaware afirma ter atingido um novo recorde mundial de
rendimento de 42,8%, mas no tem a confirmao independente.
2007 - A companhia Nanosolar fabrica as primeiras clulas impressas do tipo Seleneto
de Cobre-ndio-Glio (CIGS), afirmando que estes tero preo comercial de menos de 1 dlar
americano por Watt. Entretanto a companhia no divulga publicamente as especificaes
tcnicas ou o preo dos atuais mdulos.
2008 - Mais um recorde alcanado na tecnologia fotovoltaica. Cientistas do NREL
confirmam um dispositivo solar com juno tripla metamrfica invertida que converte em
40,8% da luz irradiada em eletricidade, mas o recorde s atingido com o uso de concentradores
totalizando 325,7 sis.
2010 - A British Petroleum anuncia o fechamento de sua planta solar fotovoltaica em
Maryland, levando toda a sua estrutura manufatureira para a China.
2010 - O presidente Obama pede a instalao de painis solares adicionais e um
aquecedor solar de gua quente na Casa Branca
2011 - Fbricas de rpido crescimento na China empurram os custos de produo para
cerca de 1,25 dlar americano por Watt para mdulos fotovoltaicos de silcio. Instalaes
dobram em todo o mundo.
2012 - Clulas fotovoltaicas com trs dimenses tm 30% mais eficincia energtica.
VI
2013 - Depois de trs anos, os painis solares comprados pelo presidente Obama so
instalados na Casa Branca.
2014 - Um ltimo recorde atingido, agora pela Soitec, com clulas de quatro junes
do tipo de multijuno monoltica de dois terminais, mas com o uso de concentradores,
totalizando 297 sis. Com rendimento total de 44,7%, a maior j reconhecida pela NREL.
2014 - O maior rendimento de clulas fotovoltaicas sem o uso de concentradores de
38,8% com a utilizao de 5 junes em clulas monolticas de dois terminais. As detentoras
do recorde so a Boeing em conjunto com a Spectrolab.
ANEXO II
A FORMAO DO SOL
O Sol uma estrela, ou seja, um grande corpo celeste luminoso em forma de esfera de
plasma mantida ntegra por sua prpria gravidade. Uma estrela, pelo menos em parte de sua
vida, tem massa suficiente tanto para que ocorra a fuso nuclear em seu ncleo quanto para que
o produto dessa fuso no a desintegre, escapando de sua ao gravitacional [1].
A formao de uma estrela ocorre em meio a nuvens moleculares, como na figura 1, que
durante centenas de milhares de anos se juntam por atrao gravitacional. Quando em algum
local da nuvem h uma certa densidade de molculas massivas, essas tendem a entrar em
colapso e sua densidade neste ponto tende a aumentar rapidamente, enquanto que nas partes
externas a densidade praticamente continua a mesma [1].
Figura 1: Nuvem molecular que se desprendeu da Nebulosa de Carina (NGC 3372). [2]
Anexo II A formao do Sol
II
Quando a densidade aumenta no ponto dessas molculas massivas, a temperatura

comea a subir, aumentando a presso neste ponto, alcanando o equilbrio hidrosttico e
terminando o processo de colapso, formando, assim, o ncleo de uma estrela. Aps o fim do
colapso, mais matria da nuvem molecular inserida ao ncleo e a temperatura continua a subir,
at que o hidrognio se dissocia, isto , quebra sua ligao molecular. Neste estgio, a
protoestrela volta a entrar em colapso e se equilibra novamente quando todo o seu hidrognio
estiver em sua forma atmica. Quando a protoestrela tem temperatura suficiente para que haja
fuso nuclear, esta passa a se chamar propriamente de estrela [1].
A FUSO NUCLEAR
Diferentes tipos de fuso ocorrem no interior de uma estrela, dependendo de sua massa
e sua composio. No Sol, uma estrela com temperatura de 10 milhes de Kelvin, o hidrognio
se funde para formar o hlio pela reao em cadeia de prton-prton, apresentada nas equaes
de balanceamento qumico 1, 2 e 3, representado, tambm, na figura 2. [3]
41 22 + 2 + + 2 (4,0 + 1,0)
(1)
21 + 22 23 + 2(5,5)
(2)
23 4 + 21 (12,9)
(3)
Onde:
Istopo de Hidrognio.
Istopo de Hlio.
Raio Gama.
Neutrino.
Psitron.
III
Figura 2: Cadeia de Prton-Prton. Fonte: Autor (Baseado em [3]).
O total de energia para a formao de um tomo de hlio pode variar um pouco entre o
total de 23,4 MeV, devido a reaes adversas que ocorrem para formar o hlio. Um outro tipo
de reao tem no lugar do hlio-3 (He), o trtio, que similar em massa, mas ao invs de dois
prtons, tem dois nutrons [3].
Estrelas com mais de 5 massas solares tm ciclos de fuso de hidrognio em hlio por
carbono, pelo processo triplo-alfa, onde dois tomos de hlio se fundem em um istopo de
berlio-8 e pela fuso de mais um tomo de hlio, um istopo de carbono-12. Este tipo de ciclo
de fuso chamado de Carbono-Nitrognio-Oxignio. Estrelas ainda mais massivas tm outras
cadeias de fuso nuclear, por exemplo, com mais de 8 massas solares h o ciclo de Nenio, e
acima disso, de Oxignio e Enxofre-Silcio [3].
O total de energia produzida por uma reao da ordem de1 1015 , o que apenas
um pequeno montante de energia, mas como acontecem enormes quantidades constantemente
no ncleo, produzida toda energia necessria para manter a sada de radiao da estrela.
A ENERGIA LIBERADA PELO SOL
O Sol a estrela central do Sistema Solar, todos os planetas, asteroides, cometas e poeira
desse sistema giram ao seu redor. Detendo 99,86% da massa do Sistema Solar, possu massa
332.900 vezes maior e volume 1.300.000 vezes maior que o planeta Terra. Ele composto de
hidrognio (92%) e hlio (7%), com traos (<1%) de ferro, nquel, oxignio, silcio, enxofre,
IV
magnsio, non, clcio e crmio. A distncia entre o Sol e a Terra de cerca de 150 milhes de
quilmetros e a luz demora cerca de 8 minutos para chegar atmosfera [4].
No Sol tem-se cerca de 8,9*1056 ncleos de hidrognio. Com a cadeia de prton-prton
ocorrendo 9,2*1037 vezes por segundo no ncleo solar e sabendo que a reao utiliza quatro
prtons, 3,68*1038 prtons so convertidos em ncleos de hlio a cada segundo. Cada reao
converte 0,7% da massa de um prton (1,67*10-27), fundida em energia, totalizando 4,31*109
quilogramas que so convertidas em energia pura a cada segundo [4].
A transformao de massa em energia pode ser calculada pela famosa equao de Albert
Einstein reduzida, vista na equao 4 [4].
= 2
(4)
Onde:
Energia, em Joules (J).
Massa, em quilogramas (kg)
Velocidade da luz no vcuo, em metros por segundo (299.792.458 m/s)

Ento, transformando 4,31*109 kg em energia, tem-se que o Sol gera 3,8*1026 Joules
em um segundo, ou 3,8*1026 W.
[1]
Woolfson, Michael. The Origin and Evolution of the Solar System. 2001.
Astronomy & Geophysics, vol. 41 pp. 1.12 1.19. DOI: 10.1046/j.14684004.2000.00012.x.
[2]
Hubble Heritage Team, WALBORN, Nolan R., BARB, Rodolfo H., NASA.
Carinae Nebula. 1999. Foto retirada pelo Telescpio Espacial Hubble. Disponvel
em http://apod.nasa.gov/apod/ap030630.html. Acessado em 23 jan. 2015.
[3]
Wallerstein, George et al. Synthesis of the elements in stars: forty years of

progress. 1997. Reviews of Modern Physics, vol. 69 pp. 1001-1007;10131016;1020-1023. DOI: 10.1103/RevModPhys.69.995.
[4]
SHU, Frank H. The Physical Universe An Introduction to Astronomy. 1982.

University Science Books, Sausalito, California. ISBN: 0-935702-05-9.
ANEXO III
SOBRE O PROGRAMA ATP
MDULOS DE SIMULAO INTEGRADOS
A plataforma MODELS no ATP uma linguagem de uso geral e suportada por um

amplo conjunto de ferramentas de simulao. A descrio de cada modelo feita utilizando um
formato livre com sintaxes orientadas por palavras chaves auto documentadas. Com esta
plataforma possvel descrever componentes arbitrrios de monitoramento e de circuitos pelo
usurio, simplesmente conectando o modelo ao sistema ou a outros modelos. Como uma
ferramenta de uso geral, ela pode ser simulada tanto nos domnios de frequncia e tempo.
A plataforma TACS oferece um mdulo de simulao para anlises no domnio do
tempo de sistemas de monitoramento. Originalmente desenvolvida para simulao de
comandos com conversor HVDC, tem uma representao de diagrama de blocos tpica. A
utilizao de TACS varia de controles de conversores HVDC, sistemas de excitao de
mquinas sncronas, unidades de sistemas de potncia e eletrnicas, arcos eltricos e de falhas.
A interface entre a rede eltrica e a TACS estabelecida por troca de sinais, tais como tenso
no n, interruptor de corrente, estado de interruptor, resistncias variveis no tempo e fontes de
tenso e corrente. [1]
ROTINAS DE SUPORTE
Alm dos mdulos integrados h as rotinas de suporte que podem ser utilizadas em
conjunto com a simulao de sistemas eltricos. A figura 1 ilustra a arquitetura do ATP:
Clculo de parmetros eltricos de linhas areas e cabos que utilizam mdulos

de programas (LINE CONSTANTS, CABLE CONSTANTS e CABLE
PARAMETERS);
Gerao de dados de entrada de modelos de linha dependente da frequncia

(Semlyen, J.Marti, Noda line Models);
Anexo III Sobre o Programa ATP
II
Clculo de dados de modelos de transformadores (XFORMER, BCTRAN);
Converso de curvas de histerese e saturao.
Modularizao de dados (for $INCLUDE)
Figura 1: Mdulos suportados pelo ATP. [1] (Traduzido)
REQUISITOS E CAPACIDADES
O programa ATP tem configuraes mnimas de operao, no recomendado seu uso

em processadores com menos que 25 MHz de frequncia, alm de necessitar de 16 MB de
memria RAM, 20 MB de espao em disco livre e vdeo com suporte a VGA. O ATP possui 3
verses, a GNU-Mingw32 e Watcom ATP para sistemas Windows 95 ou superior, Salford ATP
para sistemas MS-DOS/Windows 3.x e Verso GNU para sistemas baseados em Linux.
As capacidades absolutas do ATP no foram observadas, visto que as tabelas so
dinamicamente ajustadas para a capacidade do computador ao incio da resoluo do circuito.
Oficialmente informado pelo desenvolvedor, est constatado que o programa consegue
gerenciar 6000 barramentos, 10000 ramos, 1200 interruptores, 900 fontes, 2250 elementos no
lineares e 90 mquinas sncronas simultaneamente [1].
[1]
MEYER, Scott W. e LIU, Tsu-huei. Alternative Transient Program, verso para

Windows. 1984. Sobre o programa [online]. Disponvel em http://www.emtp.org/.
ANEXO IV
CARTES DE SIMULAO DO SISTEMA
1 FOTOCLULA
MODEL RAUSCH4
comment-------------------------------------| Simulacao computacional de uma fotoclula.|
| Modelo de RAUSCHENBACH, H. S. ISBN 978-94-|
| 011-7917-1, 1980.
|
|
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
--Normatizacao de saidas
ICELL
--Saida de sinal de corrente
INPUT
--Normatizacao de entradas
S
--Entrada de Irradiacao
Temp
--Entrada de Temperatura
V
--Entrada de Tensao
DATA
--Dados do sistema
Vmp
{DFLT:31}
--Tens Max Potencia
Voc
{DFLT:38.2}
--Tens Circuito Aberto
Imp
{DFLT:8.55}
--Corr Max Potencia
Isc
{DFLT:8.98}
--Corr Curto-Circuito
Alfa
{DFLT:0.0035373}
--Coef Temperatura Isc
Beta
{DFLT:-0.117581}
--Coef Temperatura Voc
Rint
{DFLT:0.44}
--Resi Interna
NCellS
{DFLT:1}
--Numero de placas em serie
NCellP
{DFLT:1}
--Numero de placas em paral
Rp
{DFLT:0}
--Resistncia Paralela
Rs
{DFLT:0}
--Resistncia Serie
VAR
ICELL
C3
C5
C6
C4
Vmpnew
Vocnew
Impnew
Iscnew
Imp0
Isc0
m
Sref
Tref
CELL
CELL1
Vin
Vmp0
Voc0
Imp0
Anexo IV Cartes de Simulao do Sistema
II
Isc0
IscN
VocN
DIsc
DImp
ImpN
VmpN
DS
DT
DVoc
DVmp
X
Alfa1
Beta1
INIT
Sref:=1000
Tref:=25
ENDINIT
EXEC
Vmp0:=Vmp*NCellS
Voc0:=Voc*NCellS
Beta1:=Beta*NCellS
Imp0:=Imp*NCellP
Isc0:=Isc*NCellP
Alfa1:=Alfa*NCellP
DS:=S/Sref
DT:=Temp-Tref
Iscn:=Isc0*DS+Alfa1*DT
Disc:=Iscn-Isc0
DVoc:=Beta1*DT-DIsc*Rint
Vocn:=Voc0+DVoc
Impn:=Imp0*DS+Alfa1*DT
Dimp:=Iscn-Isc0
DVmp:=Beta1*DT-DIsc*Rint
Vmpn:=Vmp0+DVoc
Vocnew:=VocN
Vmpnew:=VmpN
Impnew:=ImpN
Iscnew:=IscN
C3:=0.01175
C5:=ln(((Iscnew*(C3+1))-Impnew)/(C3*Iscnew))
C6:=ln((C3+1)/C3)
m:=(ln(C5/C6))/(ln(Vmpnew/Vocnew))
C4:=C6/(Vocnew**m)
FLAG:=1
X:=(Iscnew*Vocnew-Iscnew*t)/Vocnew
Vin:=V+Rs*X
IF Vin<=0 THEN
Vin:=0
ENDIF
CELL:=ISCNEW*(1-C3*(exp(C4*(Vin)**m)-1))
IF (CELL<=0) THEN
CELL1:=0
ELSE
IF RP<=0 THEN
CELL1:=CELL
ELSE
CELL1:=Cell-Vin/Rp
ENDIF
ENDIF
III
IF CELL1<=0 then
Cell1:=0
endif
ICELL:=CELL1
ENDEXEC
ENDMODEL
2 MPPTS
2.1 RCF
MODEL RCF
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Raz Ciclica Fix.|
| Este bloco gera o val. id. de V que deve |
| ser obtido na saida do sistema fotovoltai-|
| a fim de se ter a potencia maxima.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
DATA
RC {DFLT:65}
FREQ {DFLT:50000}
VAR
SAIDA
FLAG1
FLAG2
OUTER
CONT
INIT
CONT:=0
ENDINIT
EXEC
FLAG1:=(1/FREQ)/timestep
FLAG2:=FLAG1*RC/100
IF (CONT<=FLAG2) THEN
OUTER:=1
ELSE
OUTER:=-1
ENDIF
IF (CONT=FLAG1) THEN
CONT:=0
ELSE
CONT:=CONT+1
ENDIF
SAIDA:=OUTER
ENDEXEC
ENDMODEL
IV
2.2 TENSO CONSTANTE

MODEL VCONST
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Tens Constante. |
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
VOPEN {DFLT:176.8}
VAR
MPPT
Vout
Iout
Pout
TENS
INIT
TENS:=0.78*VOPEN
ENDINIT
EXEC
TENS:= 0.78*VOPEN
MPPT:= TENS
Vout:= V
Iout:= I
Pout:= Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
VCONST.MPPT as VCONS
VCONST.Vout as V_CONS
VCONST.Iout as I_CONS
VCONST.Pout as P_CONS
2.3 P&O CLSSICO

MODEL PEOCLASS
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo P&O.
|
| Este bloco gera o valor ideal de tensao
|
| que deve ser obtido na saida do sistema
|
| fotovoltaico a fim de se ter potencia max.|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
delta {DFLT:1}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
DP
DV
PANT
VANT
VREF
CONT
INIT
PANT:=0
VANT:=0
VREF:=0
CONT:=0
DV:=0
DP:=0
ENDINIT
EXEC
IF (CONT> 150) THEN
CONT:=0
P:= V*I
DP:= P-PANT
DV:= V-VANT
IF (DP>0) THEN
IF (DV>0) THEN
VREF:= VREF+delta
ELSE
VREF:= VREF-delta
ENDIF
ELSE
IF (DV>0) THEN
VREF:= VREF-delta
ELSE
VREF:= VREF+delta
ENDIF
ENDIF
PANT:= P
VANT:= V
ELSE
CONT:= CONT+1
ENDIF
MPPT:= VREF
Vout:= V
Iout:= I
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
PEOCLASS.MPPT as POCLAS
PEOCLASS.Vout as V_PEO
PEOCLASS.Iout as I_PEO
PEOCLASS.Pout as P_PEO
VI
2.4 P&O MODERNO

MODEL PEOMODER
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo P&O moderno.
|
| Este bloco gera o valor ideal de tensao
|
| que deve ser obtido na saida do sistema
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
delta {DFLT:1}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
DP
DV
PANT
VANT
VREF
CONT
VREFAN
INIT
PANT:=0
VANT:=0
VREF:=0
CONT:=0
DV:=0
DP:=0
VREFAN:=VREF
ENDINIT
EXEC
IF (CONT> 150) THEN
CONT:= 0
P:= V*I
DP:= P-PANT
DV:= V-VANT
IF (DP<-0.1) THEN
IF (DV<0) THEN
VREF:= VREF+delta
ELSE
VREF:= VREF-delta
ENDIF
ENDIF
IF (DP>0.1) THEN
IF (DV<0) THEN
VREF:= VREF-delta
ELSE
VREF:= VREF+delta
ENDIF
ENDIF
PANT:= P
VII
VANT:= V
ELSE
CONT:= CONT+1
ENDIF
VREFAN:=VREF
MPPT:= VREF
Vout:= V
Iout:= I
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
PEOMODER.MPPT as POMOD
PEOMODER.Vout as V_POMO
PEOMODER.Iout as I_POMO
PEOMODER.Pout as P_POMO
2.5 P&O MODIFICADO

MODEL MPEO
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Modified Perturb|
| and Observe. Este bloco gera o val. id. de|
| V que deve ser obtido na saida do sistema |
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
delta {DFLT:1}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
DP
DV
PANT
VANT
PANT2
VANT2
VREF
CONT
CONT1
CONT2
FLAG1
INIT
PANT:=0
VANT:=0
PANT2:=0
VANT2:=0
VREF:= 0
CONT:=0
DV:=0
VIII
DP:=0
CONT1:=0
CONT2:=1
ENDINIT
EXEC
IF (CONT> 150) THEN
CONT:= 0
P:= V*I
IF (CONT2=0) THEN
CONT2:=1
ELSE
IF (CONT2=1) THEN
CONT2:=0
DP:= P-PANT
FLAG1:=PANT2-DP
IF (PANT>FLAG1) THEN
IF (VANT>VANT2) THEN
VREF:= VREF+delta
ELSE
VREF:= VREF-delta
ENDIF
ELSE
VREF:= VREF-delta
ELSE
VREF:= VREF+delta
ENDIF
ENDIF
PANT2:=PANT
VANT2:=VANT
PANT:= P
VANT:= V
ENDIF
ENDIF
ELSE
IF (CONT1=0) THEN
CONT1:=1
P:=V*I
PANT:=P
VANT:=V
ENDIF
CONT:= CONT+1
ENDIF
MPPT:= VREF
Vout:= V
Iout:= I
Pout:= Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
MPEO.MPPT as POMOF
MPEO.Vout as V_POMF
MPEO.Iout as I_POMF
MPEO.Pout as P_POMF
IX
2.6 EPP
MODEL EPP
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Estima, Perturba|
| e Perturba. Este bloco gera o val. id. de |
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
delta {DFLT:1}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
DP
DV
PANT
VANT
PANT2
VANT2
VREF
CONT
CONT1
CONT2
FLAG1
FLAG2
INIT
PANT:=0
VANT:=0
PANT2:=0
VANT2:=0
VREF:= 0
CONT:=0
DV:=0
DP:=0
CONT1:=0
CONT2:=1
ENDINIT
EXEC
IF (CONT> 150) THEN
CONT:= 0
P:=V*I
IF (CONT2=0) THEN
CONT2:=1
PANT2:=PANT
VANT2:=VANT
PANT:= P
VANT:= V
ELSE
IF (CONT2=1) THEN
CONT2:=2
DP:= P-PANT
FLAG1:=PANT2-DP
IF (PANT>FLAG1) THEN
VREF:= VREF+delta
ELSE
VREF:= VREF-delta
ENDIF
ELSE
VREF:= VREF-delta
ELSE
VREF:= VREF+delta
ENDIF
ENDIF
PANT2:=PANT
VANT2:=VANT
PANT:= P
VANT:= V
ELSE
IF (CONT2=2) THEN
CONT2:=0
FLAG2:=PANT-DP
IF (P>FLAG2) THEN
IF (V>VANT) THEN
VREF:=VREF+delta
ELSE
VREF:=VREF-delta
ENDIF
ELSE
IF (V>VANT) THEN
VREF:=VREF-delta
ELSE
VREF:=VREF+delta
ENDIF
ENDIF
PANT2:=PANT
VANT2:=VANT
PANT:= P
VANT:= V
ENDIF
ENDIF
ENDIF
ELSE
IF (CONT1=0) THEN
P:=V*I
CONT1:=1
PANT:=P
VANT:=V
ENDIF
CONT:= CONT+1
ENDIF
MPPT:= VREF
Vout:= V
Iout:= I
Pout:= Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
EPP.MPPT as EPP
EPP.Vout as V_EPP
XI
EPP.Iout as I_EPP
EPP.Pout as P_EPP
2.7 CONDUTNCIA INCREMENTAL

MODEL CI
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Condutancia
|
| Incremental. Este bloco gera o val. id. de|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
Delta {DFLT:1}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
DV
DI
VANT
IANT
VREF
CONT
FLAG1
FLAG2
FLAG3
INIT
VANT:=0
IANT:=0
VREF:=0
CONT:=0
ENDINIT
EXEC
IF (CONT > 150) THEN
CONT:= 0
DV:= V-VANT
DI := I-IANT
FLAG1 := DI/DV
FLAG2 := -I/V
IF (DV = 0) THEN
IF (DI = 0) THEN
FLAG3 := 1
ELSE
IF (DI > 0) THEN
VREF := VREF+delta
ELSE
VREF := VREF-delta
ENDIF
ENDIF
ELSE
IF (FLAG1 = FLAG2) THEN
XII
FLAG3 := 1
ELSE
IF (FLAG1 > FLAG2) THEN
VREF := VREF+delta
ELSE
VREF := VREF-delta
ENDIF
ENDIF
ENDIF
VANT := V
IANT := I
ELSE
CONT := CONT+1
ENDIF
MPPT := VREF
Vout := V
Iout := I
Pout := Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
CI.MPPT as CI
CI.Vout as V_CI
CI.Iout as I_CI
CI.Pout as P_CI
2.8 CONDUTNCIA INCREMENTAL MODIFICADA

MODEL CIM
comment-------------------------------------| Bloco de busca de MPPT do tipo Condutncia|
| Incremental Modificado. Este bloco gera o |
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
DATA
delta {DFLT:1}
W
{DFLT:3}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
DV
DI
VANT
IANT
VREF
CONT
FLAG1
FLAG2
FLAG3
INIT
XIII
VANT := 0
IANT := 0
VREF := 0
CONT := 0
ENDINIT
EXEC
IF (CONT > 150) THEN
CONT := 0
DV := V-VANT
DI := I-IANT
FLAG1 := DI/DV
FLAG2 := I/V
IF (DV = 0) THEN
IF (DI = 0) THEN
FLAG3 := 1
ELSE
IF (DI > 0) THEN
VREF := VREF+delta
ELSE
VREF := VREF-delta
ENDIF
ENDIF
ELSE
IF (FLAG1+FLAG2)>(W/2) THEN
VREF:=VREF+delta
ELSE
IF (FLAG1+FLAG2)>(-W/2) THEN
FLAG3:=1
ELSE
VREF := VREF-delta
ENDIF
ENDIF
ENDIF
VANT := V
IANT := I
ELSE
CONT := CONT+1
ENDIF
MPPT := VREF
Vout := V
Iout := I
Pout := Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
CIM.MPPT as CIM
CIM.Vout as V_CIM
CIM.Iout as I_CIM
CIM.Pout as P_CIM
XIV
2.9 OSCILAO DO SISTEMA

MODEL OSCDOSIS
comment-------------------------------------| Bloco de MPPT utilizando a Oscilacao do
|
| sistema.
|
|
|
|
|
-----------------------------------endcomment
INPUT
V
I
OUTPUT
MPPT
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
HPP
HPV
LPP
LPV
A
B
AB
B2
C
D
E
F
X
Y
XANT
K
flag
conta
outer
HISTORY
HPP
{DFLT:0}
HPV
{DFLT:0}
LPP
{DFLT:0}
LPV
{DFLT:0}
A
{DFLT:0}
B
{DFLT:0}
D
{DFLT:0}
K
{DFLT:0}
INIT
A:= 0
B:= 0
C:= 0
D:= 0
E:= 0
F:= 0
K:=0
X:=0
FLAG:=0
CONTA:=110

ENDINIT
EXEC
IF CONTA>8 THEN
CONTA:=0
LAPLACE(A/V):= (1|s0) / (1|s0 +
LAPLACE(B/V):= (1|s1) / (1|s0 +
LAPLACE(D/B):= (1|s0) / (1|s0 +
C:=A*1
K:=D*1
IF (FLAG=0) THEN
FLAG:=1
K:=0
ENDIF
X:=deriv(K)
Y:=X*XANT
IF (Y<0) THEN
OUTER:=10
ELSE
OUTER:=0
ENDIF
XANT:=X
F:=C-OUTER
ELSE
CONTA:=CONTA+1
ENDIF
MPPT:=F
Vout:=V
Iout:=I
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
OSCDOSIS.MPPT as OSCSIS
OSCDOSIS.Vout as V_OS
OSCDOSIS.Iout as I_OS
OSCDOSIS.Pout as P_OS
XV
0.0001|s1)
0.0001|s1)
0.0001|s1)
2.10 CORRELAO DE RIPPLE

MODEL CORRIPLE
comment-------------------------------------| Bloco de MPPT utilizando a Correlao de |
| Ripple.
|
|
|
|
|
-----------------------------------endcomment
INPUT
V
I
OUTPUT
MPPT
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
P
HPP
XVI
HPV
LPP
LPV
A
B
AB
B2
C
D
E
F
HISTORY
HPP
{DFLT:0}
HPV
{DFLT:0}
LPP
{DFLT:0}
LPV
{DFLT:0}
INIT
A:= 0
B:= 0
AB:=0
B2:=0
C:= 0
D:= 0
E:= 0
F:= 0
ENDINIT
EXEC
P:=V*I
LAPLACE(HPP/P):= (1|s1) / (1|s0 +0.0001|s1)
LAPLACE(HPV/V):= (1|s1) / (1|s0 + 0.01|s1)
AB:=HPP*HPV
B2:=HPV*HPV
LAPLACE(LPP/AB):= (1|s0) / (1|s0 +
10|s1)
LAPLACE(LPV/B2):= (1|s0) / (1|s0 +
2|s1)
C:=LPP
D:=LPV
E:=C/D
F:=E*127
MPPT:=F
Vout:=V
Iout:=I
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
CORRIPLE.MPPT as CORRIP
CORRIPLE.Vout as V_CR
CORRIPLE.Iout as I_CR
CORRIPLE.Pout as P_CR
2.11 BETA
MODEL BETA
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Beta.
|
|
XVII
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
TEMP
DATA
REND
{DFLT:1.5}
SERIE {DFLT:8}
VAR
MPPT
Iout
Vout
Pout
VREF
VREF1
BETA
BTAREF
IREF
V0
I0
ERRO
FLAG1
CONT
INIT
VREF:=141.6
IREF:=7.63
V0:=1
I0:=1
FLAG1:=0
VREF1:=0
CONT:=151
ENDINIT
EXEC
IF (CONT>50) THEN
CONT:=0
BTAREF:=ln(IREF/VREF)-(VREF*1000)/(REND*25*SERIE)
IF (V0<=0) THEN
V0:=0.0001
ENDIF
IF (I0<=0) THEN
I0:=0.0001
ENDIF
BETA:=ln(I0/V0)-(V0*1000)/(REND*25*SERIE)
ERRO:=BTAREF-BETA
IF (ERRO>0.1) THEN
ERRO:=0.1
ENDIF
IF (ERRO<-0.1)THEN
ERRO:=-0.1
ENDIF
VREF1:=VREF1-ERRO
I0:=I
V0:=V
ELSE
CONT:=CONT+1
ENDIF
MPPT:=VREF1
Vout:=V
Iout:=I
XVIII
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
BETA.MPPT as BETA
BETA.Vout as V_BETA
BETA.Iout as I_BETA
BETA.Pout as P_BETA
2.12 TEMPERATURA
MODEL DTEMP
comment-------------------------------------| Bloco de controle do tipo Temperatura.
|
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
MPPT
INPUT
V
I
TEMP
DATA
TREF {DFLT:25}
BETA {DFLT:-0.08}
VMPP {DFLT:17.7}
NSERIE
{DFLT:8}
VAR
MPPT
Vout
Iout
Pout
OUTER
INIT
ENDINIT
EXEC
OUTER:=((TEMP-TREF)*BETA)+(VMPP*NSERIE)
MPPT:=OUTER
Vout:=V
Iout:=I
Pout:=Vout*Iout
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
DTEMP.MPPT as MPPT
DTEMP.Vout as Vout
DTEMP.Iout as Iout
DTEMP.Pout as Pout
XIX
3 COMPONENTES
3.1 ONDA TRIANGULAR BOOST

MODEL TRIANG
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS de geracao de onda |
| triangular, usado para a comparacao en- |
| tre moduladora e portadora no owm dos
|
| chaveamentos.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
Triang
DATA
Amp
{dflt:1}
Freq {dflt:50000}
VAR
Triang
Peri
N
x
a
EXEC
Peri:=1/Freq
N:= trunc(t/Peri)
x:= t-N*Peri
a:= 2*Amp/(Peri/2)
IF (x) < (Peri/2) THEN
Triang := a*x -Amp
ELSE
Triang := 4*Amp-a*x -Amp
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
TRIANG.TRIANG as TRIAN1
3.2 ONDA TRIANGULAR INVERSOR

MODEL TRIAN2
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS de geracao de onda |
| triangular, usado para a comparacao en- |
| tre moduladora e portadora no owm dos
|
| chaveamentos.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
Triang
DATA
Amp
{dflt:10}
Freq {dflt:50000}
VAR
Triang
Peri
N
XX
x
a
EXEC
Peri:=1/Freq
N:= trunc(t/Peri)
x:= t-N*Peri
a:= Amp/(Peri/2)
IF (x) < (Peri/2) THEN
Triang := 2*Amp-a*x-Amp
--Reta decrescente
ELSE
Triang := a*x-Amp
--Reta crescente
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
TRIAN2.Triang as Trian2
3.3 SOMADOR
MODEL SOMAD
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS para o bloco sub- |
| trator, onde calculado o erro entre o |
| valor do MPPT e a tenso na sada do
|
| sistema fotovoltaico.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
o1
INPUT
i1
i2
VAR
o1
INIT
o1:=0
ENDINIT
EXEC
o1:=-i1+i2
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
SOMAD.o1 as ERRO
3.4 COMPARADOR BOOST

MODEL COMPARAD
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS para a comparacao |
| dos sinais do compensador de erro e da |
| geradora triangular, utilizado para o
|
| chaveamento do BOOST.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
COMPAR
INPUT
XXI
SINALP
SINALN
VAR
COMPAR
INIT
COMPAR:= 0
ENDINIT
EXEC
IF (SINALP>=SINALN) THEN
COMPAR:= 1
ELSE
COMPAR:= -1
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
COMPARAD.COMPAR as GATE
3.5 COMPARADOR INVERSOR

MODEL COMPARA2
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS para a comparacao |
| dos sinais do compensador de erro e da |
| geradora triangular, utilizado para o
|
| chaveamento do INVERSOR.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA1
SAIDA2
INPUT
ENTRA1
ENTRA2
VAR
SAIDA1
SAIDA2
INIT
ENDINIT
EXEC
IF (ENTRA1>ENTRA2) THEN
SAIDA1:=1
SAIDA2:=0
ELSE
SAIDA1:=0
SAIDA2:=1
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
COMPARA2.SAIDA1 as G1G4
COMPARA2.SAIDA2 as G2G3
XXII
3.6 CONTROLADOR BOOST

MODEL CONTROL
comment-------------------------------------| Bloco de controle PID com a funcao de com-|
| pensar o valor do erro recebido e trata-lo|
| para a comparacao entre a forma triangular|
| para o chaveamento do BOOST.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
INPUT
ENTRAD
DATA
KP
{DFLT:0.0025}
KI
{DFLT:0.0001}
KD
{DFLT:0}
HISTORY
x
{dflt:0}
integral(ENTRAD) {dflt:0}
VAR
OUTER
SAIDA
x
Integr
Integ1
Propor
Deriva
INIT
SAIDA:=0
ENDINIT
EXEC
x:=t>0
Propor:=ENTRAD*KP
Integr:=integral(ENTRAD)
Integ1:=Integr*KI
Deriva:=deriv(ENTRAD)*KD
OUTER:=Propor+Integr+Deriva
IF (OUTER>1) THEN
OUTER:= 1
ENDIF
IF (OUTER<-1) THEN
OUTER:= -1
ENDIF
SAIDA:=OUTER
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
CONTROL.OUTER as S_BOOS
XXIII
3.7 CONTROLADOR INVERSOR

MODEL CONTROL2
comment-------------------------------------| Bloco de controle PID com a funcao de com-|
| pensar o valor do erro recebido e trata-lo|
| para a comparacao entre a forma triangular|
| para o chaveamento do INVERSOR.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
INPUT
ENTRAD
DATA
KP
{DFLT:1.5}
KI
{DFLT:3.6036E-5}
KD
{DFLT:0}
HISTORY
x {dflt:0}
integral(ENTRAD) {dflt:0}
VAR
OUTER
SAIDA
x
Integr
Integ1
Propor
Deriva
INIT
SAIDA:=0
ENDINIT
EXEC
x:=t>0
Propor:=ENTRAD*KP
Integr:=integral(ENTRAD)
Integ1:=Integr*KI
Deriva:=deriv(ENTRAD)*KD
OUTER:=Propor+Integ1+Deriva
IF (OUTER>10) THEN
OUTER:= 10
ENDIF
IF (OUTER<-10) THEN
OUTER:= -10
ENDIF
SAIDA:=OUTER
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
CONTROL2.OUTER as CPWM
XXIV
3.8 CONTROLE DE CORRENTE

MODEL CCORREN
comment-------------------------------------| Bloco de tratamento de dados para o con- |
| trole da corrente, realizado pelo chavea- |
| mento do inversor full-bridge. O sinal se-|
| ra tratado pelo controlador PID.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
INPUT
LINKDC
LINKAC
PLLOUT
REDEAC
DATA
FREQ {DFLT:60}
VAR
CONTADOR
MAXIMO
RMS
NUMB
SAIDA
ALTERN
A
B
C
XANT
INIT
CONTADOR:=0
RMS:=0
NUMB:=0
XANT:=0
ENDINIT
EXEC
ALTERN:=REDEAC
MAXIMO:=((1/FREQ)/2)*(1/TIMESTEP)
IF (CONTADOR>MAXIMO) THEN
CONTADOR:= 0
RMS:=((NUMB/MAXIMO)**(1/2))
NUMB:=0
ELSE
CONTADOR:=CONTADOR+1
NUMB:=NUMB+XANT
XANT:=ALTERN**2
ENDIF
IF (RMS<=0) THEN
RMS:=0.00001
ENDIF
A:=(LINKDC-400)*0.03
B:=(1.414213)*(1080/RMS)
C:=A+B
IF (C>20) THEN
C:=20
ENDIF
SAIDA:=(C*(-sin(PLLOUT))-LINKAC)
ENDEXEC
ENDMODEL
XXV
RECORD
CCORREN.SAIDA as C_CORR
CCORREN.RMS as RMS
3.9 PLL - PARTE 1

MODEL PLL1
comment-------------------------------------| Bloco de controle PLL com a funcao de tra-|
| balhar o valor do angulo
|
|
|
|
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
INPUT
VREDE
TETA
VAR
SAIDA
X
A
INIT
A:=0
ENDINIT
EXEC
A:=(-cos(TETA))*(VREDE*(3**(1/2))/311)
SAIDA:=A
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
PLL1.VREDE as VREDE
3.10 PLL- PARTE 2

MODEL PLL2
comment-------------------------------------| Bloco de tratamento do angulo de fase do |
| PLL. Esse sinal e enviado ao controle de |
| corrente para que o sistema entre em fase |
| com a rede.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
o1
INPUT
i1
HISTORY
integral(o0)
{DFLT:0}
x
{DFLT:0}
o0
{DFLT:0}
VAR
o1
o0
o00
x
XXVI
INIT
o1:=0
ENDINIT
EXEC
x:=t>0
o0:=(2*60*PI)-i1
o00:=integral(o0)
o1:=o00
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
PLL2.o1 as TETA
PLL2.i1 as WPLL
3.11 REDE PARA A SEO 4.4

MODEL VREDE
comment-------------------------------------| Bloco de tratamento do angulo de fase do |
| PLL Esse sinal e enviado ao controle de |
| corrente para que o sistema entre em fase |
| com a rede.
|
-----------------------------------endcomment
OUTPUT
o1
DATA
FREQ0 {DFLT:60}
DEF0 {DFLT:0}
TEMP1 {DFLT:0}
TEMP2 {DFLT:0}
TEMP3 {DFLT:0}
TEMP4 {DFLT:0}
TEMP5 {DFLT:0}
TEMP6 {DFLT:0}
FREQ1 {DFLT:60}
FREQ2 {DFLT:60}
FREQ3 {DFLT:60}
FREQ4 {DFLT:60}
FREQ5 {DFLT:60}
FREQ6 {DFLT:60}
DEF1 {DFLT:0}
DEF2 {DFLT:0}
DEF3 {DFLT:0}
DEF4 {DFLT:0}
DEF5 {DFLT:0}
DEF6 {DFLT:0}
VAR
o1
X
f
phi
INIT
o1:=0
ENDINIT
EXEC
IF t>TEMP1 THEN
IF t>TEMP2 THEN
IF t>TEMP3 THEN
XXVII
IF t>TEMP4 THEN
IF t>TEMP5 THEN
phi:=DEF5*pi/180
f:=FREQ5*2*pi
else
phi:=DEF4*pi/180
f:=FREQ4*2*pi
endif
else
phi:=DEF3*pi/180
f:=FREQ3*2*pi
endif
else
phi:=DEF2*pi/180
f:=FREQ2*2*pi
endif
else
phi:=DEF1*pi/180
f:=FREQ1*2*pi
endif
else
phi:=DEF0*pi/180
f:=FREQ0*2*pi
endif
X:=311*cos(f*t+phi)
o1:=X
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
VREDE.o1 as V_REDE
VREDE.f as W_REDE
VREDE.phi as D_REDE
4 ENTRADAS
4.1 IRRADIAO
MODEL IRRADIAC
comment-----------------------------------| Bloco do tipo MODELS para a determinacao|
| das variacoes na Irradiacao, com sete
|
| estagios de modificacao, todos de forma |
| linear.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
IRRADI
DATA
IRRAD0
{DFLT:1000}
TEMPO1
{DFLT:0}
IRRAD1
{DFLT:1000}
TEMPO2
{DFLT:0}
IRRAD2
{DFLT:1000}
TEMPO3
{DFLT:0}
IRRAD3
{DFLT:1000}

TEMPO4
IRRAD4
TEMPO5
IRRAD5
TEMPO6
IRRAD6
TEMPO7
IRRAD7
VAR
IRRADI
XXVIII
{DFLT:0}
{DFLT:1000}
{DFLT:0}
{DFLT:1000}
{DFLT:0}
{DFLT:1000}
{DFLT:0}
{DFLT:1000}
INIT
IRRADI:=1000
ENDINIT
EXEC
IRRADI:=IRRAD0
IF t>TEMPO1 THEN
IRRADI:=IRRAD1
ENDIF
IF t>TEMPO2 THEN
IRRADI:=IRRAD2
ENDIF
IF t>TEMPO3 THEN
IRRADI:=IRRAD3
ENDIF
IF t>TEMPO4 THEN
IRRADI:=IRRAD4
ENDIF
IF t>TEMPO5 THEN
IRRADI:=IRRAD5
ENDIF
IF t>TEMPO6 THEN
IRRADI:=IRRAD6
ENDIF
IF t>TEMPO7 THEN
IRRADI:=IRRAD7
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
IRRADIAC.IRRADI as IRRADI
4.2 IRRADIAO PARA A SEO 4.6

MODEL SOL
| das variacoes na Irradiacao, com um
|
| estagio de modificacao com o formato
|
| de uma senoide
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
SAIDA
VAR
X
A
SAIDA
ENDIF
INIT
XXIX
X:=1000
A:=0
ENDINIT
EXEC
IF t>0.475 THEN
IF t<0.775 THEN
X:=1000-200*sin(A*10.47198)
A:=A+timestep
ELSE
X:=1000
ENDIF
ELSE
X:=1000
ENDIF
SAIDA:=X
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
SOL.SAIDA as SOL
4.3 TEMPERATURA
MODEL TEMPE
| das variacoes na temperatura, com sete |
| estagios de modificacao, todos de forma |
| linear.
|
---------------------------------endcomment
OUTPUT
TEMPER
DATA
TEMPE0
{DFLT:25}
TEMPE1
{DFLT:25}
TEMPO1
{DFLT:0}
TEMPE2
{DFLT:25}
TEMPO2
{DFLT:0}
TEMPE3
{DFLT:25}
TEMPO3
{DFLT:0}
TEMPE4
{DFLT:25}
TEMPO4
{DFLT:0}
TEMPE5
{DFLT:25}
TEMPO5
{DFLT:0}
TEMPE6
{DFLT:25}
TEMPO6
{DFLT:0}
TEMPE7
{DFLT:25}
TEMPO7
{DFLT:0}
VAR
TEMPER
INIT
TEMPER:=25
ENDINIT
EXEC
TEMPER:=TEMPE0
IF t>TEMPO1 THEN
TEMPER:=TEMPE1
ENDIF
IF t>TEMPO2 THEN
XXX
TEMPER:=TEMPE2
ENDIF
IF t>TEMPO3 THEN
TEMPER:=TEMPE3
ENDIF
IF t>TEMPO4 THEN
TEMPER:=TEMPE4
ENDIF
IF t>TEMPO5 THEN
TEMPER:=TEMPE5
ENDIF
IF t>TEMPO6 THEN
TEMPER:=TEMPE6
ENDIF
IF t>TEMPO7 THEN
TEMPER:=TEMPE7
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD
TEMPE.TEMPER as TEMPER
ANEXO V
PUBLICAES
XII CEEL
Anlise do software psim por meio da implementao computacional de mtodos
clssicos de mppt para paineis fotovoltaicos.
XIII CEEL
Anlises De Efeitos Externos Sobre Sistemas Fotovoltaicos Tais Como Associao E
Sombreamento Por Meio Do ATP
IEEE LATIN AMERICA SOB REVISO
Comparative Study of TACS/DBM and MODELS of ATP-EMTP Applied to Power
Systems Computer Simulation
Para maiores informaes acerca dos assuntos abordados na dissertao, entrar em

contato com o autor por um dos e-mails:
rosenthal@mestrado.ufu.br
leonardo.rosenthal@edu.uniube.br
leonardo.rosentha@hotmail.com
leonardo.r.c.s@outlook.com

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLNDIA

LEONARDO ROSENTHAL CAETANO SILVA

ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO

LEONARDO ROSENTHAL CAETANO SILVA

ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO DE

Orientador: Prof. Dr. Geraldo Caixeta Guimares

LEONARDO ROSENTHAL CAETANO SILVA

ANLISE DE TCNICAS DE RASTREAMENTO DE MXIMA POTNCIA

rea de Concentrao: Engenharia Eltrica

Dedico este trabalho minha famlia, pelo incentivo, apoio

Leonardo Rosenthal Caetano Silva

A caracterstica do homem imaturo aspirar

A grande demanda na energia eltrica e a previso de queda de reservas de combustveis

Palavras-chave: Alternative Transientes Program; Controle do Ponto de Mxima Potncia;

Leonardo Rosenthal Caetano Silva

Keywords: Alternative Transients Program; Computational Studies; Converters; Distributed

Leonardo Rosenthal Caetano Silva

Figura 2.2: Uma fornalha de Lavoisier.

Figura 2.3: Amostra do refletor cnico truncado de Augustin Mouchot.

Figura 2.4: Concentrador de prato parablico alinhado a uma impressora.

Figura 2.5: Concentrador cilndrico parablico de Ericsson, 1883.

Figura 2.6: Patente de Aubrey Eneas de seu gerador solar.

Figura 2.7: O arranjo solar trmico de Shuman e Vernon.

Figura 2.8: Plataforma Solar de Almeria.

Figura 2.9: As plantas solares de SEGS I e II em Daggett na California.

Figura 2.10: Converso e utilizao de energia solar.

Figura 2.11: O espectro eletromagntico.

Figura 2.12: O coeficiente AM de acordo com o ngulo Znite.

Figura 2.13: Diferenas entre as Irradincias para diferentes AM.

Figura 2.14: A diviso da radiao global.

Figura 2.16: Sistema de revoluo terrestre em torno do Sol.

Figura 2.17: O comportamento do Sol para a cidade de Uberlndia.

Figura 2.18: Um Piranmetro modelo 240-8101.

Figura 2.19: Pirelimetro do tipo DR01 conectado ao rastreador.

Figura 2.20: Aplicao de uma faixa de escurido no piranmetro.

Figura 2.21: Albedmetro do tipo CM 7B.

Figura 2.22: Comparativo entre 2013 e 2014 de armazenamento de energia.

Figura 2.23: A demonstrao de Becquerel.

Leonardo Rosenthal Caetano Silva

Figura 2.24: Experimento para a comprovao do efeito fotovoltaico no Selnio.

Figura 2.25: A tecnologia solar at a dcada de 1940.

Figura 2.26: Diferena entre as clulas, de 1941 e cristalogrficas.

Figura 2.27: Capacidade fotovoltaica global.

Figura 2.28: Os 10 maiores produtores de energia solar fotovoltaica.

Figura 2.29: Dopagens do Silcio.

Figura 2.30: Processo fsico em uma clula fotovoltaica.

Figura 2.32: Curva de Corrente por Tenso, na clula, no diodo e a fotocorrente.

Figura 2.33: Potncia e corrente por tenso na clula fotovoltaica.

Figura 2.34: Tipos de utilizao do silcio cristalino.

Figura 2.35: Tpicas estruturas de filme fino.

Figura 2.36: Clula solar do tipo quntico.

Figura 2.37: Perovskita em estado natural.

Figura 2.38: Eficincia das clulas solares.

Figura 3.1: Tela tpica do ATPDraw.

Figura 3.2: Forma de conexo do acessante rede de baixa tenso da Cemig.

Figura 3.3: Diagrama de um sistema de gerao fotovoltaico ligado rede eltrica.

Figura 3.4: Medies dirias de irradiao solar para diferentes tempos.

Figura 3.5: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra diria.

Figura 3.6: Temperatura em Uberlndia em C, amostra diria.

Figura 3.7: Radiao solar em Uberlndia em kJm, amostra anual.

Figura 3.8: Temperatura em Uberlndia em C, amostra anual.

Figura 3.9: O conjunto irradiao-temperatura-arranjo modelado.

Figura 3.10: Quadro de entradas e conexes do modelo fotovoltaico.

Figura 3.11: Mtodo de tenso constante.