Apostila de Eletrônica Básica II

SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL-SENAI
Centro de Formao Profissional

Fbio Arajo Motta
Eletrnica
Bsica II
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leo dos Santos
Gerente de Educao e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcntara
Compilador
Clodoaldo R. de Arajo
Unidade Operacional
SENAI CFP FAM Centro De Formao Profissional Fbio Arajo Motta
Curso Tcnico em Eletrnica
APRESENTAO
Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos
os perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.
O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso, e,
consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito da
competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos
tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
conscincia da necessidade de educao continuada.
Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento, na sua rea
tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se faz
necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia, da
conexo de suas escolas rede mundial de informaes internet - to
importante quanto zelar pela produo de material didtico.
Isto porque, nos embates dirios, instrutores e alunos , nas diversas oficinas
e laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja, por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre os
diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
Gerncia de Educao e Tecnologia
Sumrio
1
TRANSISTORES..........................................................................................................................................5
1.1 ESTRUTURA BSICA....................................................................................................................................5
1.2 TERMINAIS DO TRANSISTOR.......................................................................................................................6
1.3 SIMBOLOGIA.................................................................................................................................................7
1.4 ASPECTO REAL DOS TRANSISTORES...........................................................................................................7
1.5 TESTE DE TRANSISTOR................................................................................................................................8
1.5.1 Teste Com o Uso do Multmetro...............................................................................................9
1.6 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...............................................................................................................11
1.6.1) Operao do Transistor na Regio Ativa.............................................................................11
1.7 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR..................................................................16
1.7.1) Corrente de Base..................................................................................................................17
1.7.2) Corrente de Coletor..............................................................................................................18
1.7.3) Corrente de Emissor.............................................................................................................20
1.7.4) Controle de Corrente no Transistor......................................................................................20
1.7.5) Ganho de Corrente do Transistor.........................................................................................21
1.7.6) Questionrio.........................................................................................................................22
1.8 MALHA DE COLETOR................................................................................................................................22
1.8.1) Influncia da Corrente de Base............................................................................................24
1.8.2 Questionrio..........................................................................................................................26
1.9 CONFIGURAES DO TRANSISTOR...........................................................................................................26
1.10 CURVA CARACTERSTICAS......................................................................................................................26
1.10.1) Parmetros das Curvas Caractersticas.............................................................................27
1.10.2) Curvas Caractersticas da Configurao Emissor Comum...............................................28
1.11 CURVA DE DISSIPAO MXIMA............................................................................................................35
1.11.1) Limitao da Dissipao de Potncia Sobre a Reta de Carga...........................................37
1.11.2 Questionrio.........................................................................................................................38
REGIES DE OPERAO DE UM TRANSISTOR.............................................................................40

2.1 REGIO DE CORTE....................................................................................................................................40
2.2 REGIO DE SATURAO............................................................................................................................41
2.3 REGIO ATIVA...........................................................................................................................................42
2.4 QUESTIONRIO..........................................................................................................................................43
POLARIZAO DE BASE POR CORRENTE CONSTANTE............................................................45

3.1 INTRODUO..............................................................................................................................................45
3.2 ANLISE DE MALHA DE BASE...................................................................................................................46
3.3 DETERMINAO DO RESISTOR DE BASE..................................................................................................46
POLARIZAO DE BASE POR DIVISOR DE TENSO....................................................................48

4.1 ANLISE DO CIRCUITO DE COLETOR.......................................................................................................49
4.2 O CIRCUITO DE BASE................................................................................................................................50
4.3 DETERMINAO DOS ELEMENTOS DE CIRCUITO....................................................................................51
4.3.1) Parmetros de Entrada.........................................................................................................52
4.3.2) Parmetros da Malha de Coletor.........................................................................................52
4.4 MODIFICAO DO PONTO DE OPERAO................................................................................................57
4.5 FATOR DE ESTABILIDADE..........................................................................................................................59
4.5.1) O Processo de Estabilizao Trmica..................................................................................60
4.6 QUESTIONRIO..........................................................................................................................................62
REGULAO DE TENSO EM FONTES DE ALIMENTAO.......................................................63

5.1 REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR.....................................................................................................64

5.1.1) Princpio de Funcionamento................................................................................................64
5.1.2) Estabilizao........................................................................................................................65
5.1.3) Regulao.............................................................................................................................66
5.1.4) Diodo Compensador.............................................................................................................68
5.2 QUESTIONRIO..........................................................................................................................................69
6
CIRCUITOS COMPARADORES TRANSISTORIZADOS...................................................................70

6.1 ELEMENTOS DO CIRCUITO COMPARADOR...............................................................................................70
6.3 COMPARADOR DE ATUAO INVERSA OU DIRETA..................................................................................72
6.3.1) Comparador Atuao Inversa..............................................................................................72
6.3.2) Comparador de Atuao Direta...........................................................................................72
6.4 FONTE REGULADA COM COMPARADOR..................................................................................................73
6.4.1) Diagrama de Blocos.............................................................................................................74
6.4.2) Diagrama de Circuito...........................................................................................................75
6.4.3) Princpio de Funcionamento do Circuito Regulador...........................................................77
6.5 CIRCUITOS ADICIONAIS UTILIZADOS NAS FONTES REGULADAS............................................................84
6.5.1) Configurao Darlington.....................................................................................................84
AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM...........................................................................................87

7.2 DESACOPLAMENTO DO EMISSOR..............................................................................................................89
7.3 PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR............................................................................................91
7.3.1) Ganho de Corrente...............................................................................................................92
7.3.2) Ganho de Tenso..................................................................................................................92
7.3.3) Impedncia de Entrada........................................................................................................92
7.3.4) Impedncia de Sada............................................................................................................94
7.4 QUESTIONRIO..........................................................................................................................................95
AMPLIFICADOR EM BASE COMUM...................................................................................................96

8.1.1) Com Sinal de Entrada Positivo............................................................................................97
8.1.2) Com Sinal de Entrada Negativo...........................................................................................99
8.2 PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR EM BASE COMUM...........................................................100
8.2.1) Ganho de Corrente.............................................................................................................100
8.2.2) Ganho de Tenso................................................................................................................100
8.3 APLICAES.............................................................................................................................................102
AMPLIFICADOR EM COLETOR COMUM.......................................................................................103

9.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO.............................................................................................................104
9.2 PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR COLETOR COMUM..........................................................106
9.2.1) Ganho de Tenso................................................................................................................106
9.2.2) Ganho de Corrente.............................................................................................................106
9.2.3) Impedncia de Entrada......................................................................................................106
9.2.4) Impedncia de Sada..........................................................................................................107
9.3 APLICAES:............................................................................................................................................108
9.3.1) Etapa de Sada em Fontes Reguladas................................................................................108
9.3.2) Etapa de Potncia em Amplificadores de udio.................................................................110
9.4 QUESTIONRIO.........................................................................................................................................111
10
MULTIVIBRADOR BIESTVEL...........................................................................................................112
10.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...........................................................................................................112
10.2 MTODOS DE DISPARO DO BIESTVEL.................................................................................................118
10.2.1 Disparo Pelo Emissor........................................................................................................118
10.2.2 Disparo Pela Base..............................................................................................................122
10.3 QUESTIONRIO......................................................................................................................................125
11
MULTIVIBRADOR MONOESTVEL..................................................................................................127

11.1.1 Estado de Repouso.............................................................................................................128
11.1.2) Disparo do Monoestvel...................................................................................................129
11.2 QUESTIONRIO.......................................................................................................................................134
12
MULTIVIBRADOR ASTVEL...............................................................................................................136
12.2 CORREO DA BORDA DE SUBIDA DOS PULSOS..................................................................................143
12.3 QUESTIONRIO......................................................................................................................................144
13
DISPARADOR SCHMITT TRIGGER...................................................................................................146

13.1 PRINCPIO FUNCIONAMENTO................................................................................................................147
13.1.1 Sem Sinal de Entrada.........................................................................................................147
13.1.2 Com Sinal de Entrada........................................................................................................149
13.1.3 Curva de Transferncia......................................................................................................154
13.1.4 Alterao do Ciclo de Histerese no Disparador Schmitt...................................................155
13.2 APLICAES DO DISPARADOR SCMITT................................................................................................158
13.3 QUESTIONRIO......................................................................................................................................162
14
EXERCCIO DE TRANSISTORES BIPOLARARES..........................................................................163

14.1 EXERCCIO DE FUNCIONAMENTO DE TRANSISTOR BIPOLAR .............................................................163
14.2 EXERCCIOS DA RELAO ENTRE OS PARMETROS IB, IC E VCE DE UM TRANSISTOR..................164
14.3 EXERCCIOS DE POLARIZAO DE BASE DE TRANSISTOR POR CORRENTE CONSTANTE.................165
14.4 EXERCCIO DE POLARIZAO DE BASE DE TRANSISTOR POR DIVISOR DE TENSO........................166
15
PRTICA DE TRANSISTORES BIPOLARES.....................................................................................167
15.1 VERIFICAO DO FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES.................................................167

15.2 PRTICA DE VERIFICAO DA RELAO ENTRE OS PARMETROS IB, IC E VCE EM UM
TRANSISTOR BIPOLAR.........................................................................................................................................170
15.3 PRTICA DE POLARIZAO DE BASE POR CORRENTE CONSTANTE..................................................172
15.4 PRTICA DE POLARIZAO DE BASE DE TRANSISTOR POR DIVISOR DE TENSO............................173
16
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS....................................................................................................175
1 TRANSISTORES
1.1 Estrutura Bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais
semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrnica.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra uma ampla gama de
aplicaes, como por exemplo:
Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle industrial.
Chave eletrnica: Controle industrial, calculadoras e computadores eletrnicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da eletrnica,
devido a sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave em
grande parte dos equipamentos eletrnicos.
A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de material
semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as quais inserida uma terceira
camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de dopagem distinto
dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um sanduche,
conforme ilustrado na Fig.1.
Fig. 1 Estrutura bsica de um transistor
Como mostrado na Fig.2, a configurao da estrutura, em forma de

sanduche, permite que se obtenham dois tipos distintos de transistor:
Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central
formada de um material tipo n. Esse tipo de transistor denominado de transistor

bipolar pnp.
Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada central
formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de transistor

bipolar npn.
Fig.2 Estruturas dos transistores pnp e npn.
Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funes diferindo

apenas na forma como as fontes de alimentao so conectadas aos terminais do
componente.
O transistor bipolar pode se apresentar em duas configuraes:
pnp e npn.
1.2 Terminais do Transistor

Como mostrado na Fig.3, cada uma das camadas que formam o transistor
conectada a um terminal que permite a interligao da estrutura do componente aos
circuitos eletrnicos.
Fig.3 Estrutura bsica de um transistor de trs terminais.
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das
camadas:
A camada central denominada de base, sendo representada pela letra B.
Uma das camadas externas denominada de coletor, sendo representada pela

letra C.
A outra camada externa denominada de emissor, sendo representada pela

letra E.
A Fig.4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificao dos terminais.
6
Fig.4 Transistores pnp e npn com a identificao dos terminais.
O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.

Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor
tenham o mesmo tipo de dopagem, elas diferem em dimenso geomtrica e no grau
de dopagem, realizando, portanto funes distintas quando o componente
conectado a um circuito eletrnico.
1.3 Simbologia
A Fig.5 apresenta os smbolos utilizados na
representao de circuito dos transistores npn e pnp.
Como pode ser a observado, os dois smbolos
diferem apenas no sentido da seta entre os terminais
da base e do emissor.
Alguns
transistores
so
dotados
de
blindagem. Essa blindagem consiste de um

encapsulamento metlico envolvendo a estrutura
semicondutora, com o fim de evitar que o
funcionamento do componente seja afetado por
campos eletromagnticos no ambiente. Esses
transistores apresentam um quarto terminal, ligado
blindagem para que esta possa ser conectada
ao terra do circuito eletrnico. A representao de
circuito desses transistores est ilustrada na Fig.6.
1.4 Aspecto Real dos Transistores

Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que
variam em funo do fabricante, do tipo de aplicao e da capacidade de dissipar
calor. A Fig.7 ilustra os aspectos de alguns encapsulamentos.
7
Devido variedade de configuraes, a identificao dos terminais de um

transistor deve sempre ser feita com auxlio do folheto de especificaes tcnicas do
componente.
1.5 Teste de Transistor

Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente ao teste das
condies de operao de um transistor. No entanto, o uso de um multmetro
tambm permite detectar possveis defeitos no componente.
Como no teste de diodos com o uso de um multmetro, o teste de transistores
pode no fornecer um resultado definitivo, e o uso do multmetro serve apenas para
detectar os defeitos mais comuns nos transistores e diodos.
No caso do diodo, so os seguintes os defeitos de deteco imediata com o
uso de um multmetro:
Juno pn em curto.
Juno pn em aberto.
Como descrito em fascculos anteriores, o teste de qualquer juno pn com o
uso de um multmetro feito em duas etapas:

Etapa 1: Realiza-se inicialmente a identificao da polaridade real das pontas de
prova do multmetro.
Etapa 2: Aps a identificao de polaridade, realiza-se o teste do diodo, que
consiste em detectar a existncia de baixa e alta resistncias ao se intercambiarem
os dois contatos entre as pontas de prova e os terminais da juno pn.
Conforme ilustrado na Fig.8, a estrutura de um transistor consiste em uma
juno pn entre a base e o coletor e de uma segunda juno pn entre a base e o
emissor.
8
Fig.8 Junes pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).
Portanto, para a deteco de defeitos, o transistor pode ser considerado como

composto de dois diodos conectados nas formas ilustradas na Fig.9.
Fig.9 Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.
A deteco de defeitos no transistor consiste em verificar a existncia de curto

ou de circuito aberto entre os pares de terminais BC, BE e CE.
1.5.1 Teste Com o Uso do Multmetro
O procedimento de teste das junes base-coletor e base-emissor descrito
a seguir, tomando como exemplo, o caso de um transistor npn.
1) Deteco de Descontinuidades nas Junes.
Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado base do transistor e o
potencial negativo aplicado ao coletor ou ao emissor, como ilustrado na Fig.10, as
junes correspondentes ficam polarizadas diretamente.
Na ausncia de defeitos, o instrumento dever indicar baixa resistncia das
junes BC e BE. Se houver uma juno em aberto, o instrumento fornecer a
indicao de uma resistncia altssima quando essa juno estiver sendo testada.
9
Fig.10 Deteco de descontinuidades nas junes BC e BE de um transistor npn.
2) Deteco de Curtos Nas Junes

Para este teste as pontas de prova devem ser conectadas conforme mostrado
na Fig.11.
Com a ponta de prova negativa conectada base, a segunda ponta de prova
polariza inversamente a juno BC ou BE. Na ausncia de defeitos, o multmetro
dever fornecer a indicao de altas resistncias nas junes. Se houver uma
juno em curto o instrumento indicar uma baixa resistncia naquela juno.
Fig.11 Teste para deteco de curtos nas junes BC e BE de um transistor npn.
3) Deteco de Curto-Circuito entre Coletor e Emissor

Para completar os testes deve-se ainda verificar a condio eltrica entre os
terminais do coletor e do emissor.
Com o terminal da base em aberto, o circuito equivalente entre os terminais B
e C corresponde a dois diodos em srie conectados inversamente. Dessa forma o
multmetro dever fornecer uma indicao de altssima resistncia para as duas
possibilidades de conexo das pontas de prova mostradas na Fig.12.
10
Fig.12 Teste para deteco de curto-circuito entre os terminais C e E de um transistor npn.
Para o caso de um transistor pnp os testes podem ser conduzidos seguindo o

procedimento descrito anteriormente, exceto que as pontas de prova devem ser
invertidas com relao s configuraes ilustradas nas Figs.10 a 12.
Todos os testes devem ser realizados com o seletor do multmetro
posicionado na escala Rx10 ou Rx100 e com o transistor desconectado de qualquer
circuito externo.
Os testes realizados com multmetro no permitem detectar alteraes nas
caractersticas do transistor. Mesmo que o multmetro no detecte defeitos, existe
ainda a possibilidade de que existam alteraes nas caractersticas do transistor que
o tornem imprprio para uso em circuitos.
1.6 Princpio de Funcionamento

Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de um
transistor necessrio aplicar tenses entre os seus terminais. O movimento dos
eltrons livres e lacunas esto intimamente relacionado polaridade da tenso
aplicada a cada par de terminais do transistor, como descrito a seguir.
1.6.1) Operao do Transistor na Regio Ativa
A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes pn,
conforme ilustrado na Fig.13:
Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno

base-emissor.
Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do coletor, chamada de juno

base-coletor.
11
Fig.13 Junes base-coletor e base-emissor em um transistor.
A formao das duas junes no transistor faz que ocorra um processo de

difuso dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo de difuso d
origem a uma barreira de potencial em cada juno.
No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial, mostradas na
Fig.14, que se formam a partir da juno dos cristais semicondutores:
A barreira de potencial na juno base-emissor.
A barreira de potencial na juno base-coletor.
Fig.14 Barreiras de potencial formadas nas duas junes de um transistor.
As caractersticas normais de polarizao dos terminais do transistor so

sumarizadas a seguir.
a) JUNO BASE-EMISSOR
Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na
regio ativa, a juno base-emissor fica polarizada diretamente, conforme ilustrado
na Fig.15.
12
Fig.15 Polarizao da juno base-emissor de transistores pnp e npn para operao na regio ativa.
A conduo atravs da juno base-emissor provocada pela aplicao de

uma tenso externa entre a base e o emissor, com polarizao direta, ou seja, com o
material tipo p tendo polarizao positiva com relao ao material tipo n.
Na regio ativa a juno base-emissor de um transistor fica diretamente
polarizada.
b) JUNO BASE-COLETOR
Para operao na regio ativa, a juno base-coletor fica polarizada
inversamente, ou seja, com o material tipo p polarizado negativamente em relao
ao material tipo n, conforme mostrado na Fig.16.
Na regio ativa a juno base-coletor de um transistor fica inversamente
polarizada.
.
Fig.16 Polarizao da juno base-coletor de transistores pnp e npn para operao na regio ativa.
13
c) POLARIZAO SIMULTNEA DAS DUAS JUNES

Para que o transistor funcione adequadamente, as duas junes devem ser
polarizadas simultaneamente. Isso feito aplicando-se tenses externas nas duas
junes do componente. A Fig.17 mostra a forma de polarizao de um transistor
para operao na regio ativa.
Fig.17 Polarizaes dos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.
Uma forma alternativa de configurao que permite obter a operao do

transistor na regio ativa mostrada na Fig.18, para o caso de um transistor npn.
Fig.18 Configurao alternativa para operao de um transistor npn na regio ativa.
Uma inspeo do diagrama de circuito mostrado na Fig.18 permite extrair as

seguintes observaes:
A bateria B1 polariza diretamente a juno base-emissor.
A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevado do que aquele

aplicado base.
14
Dessa forma, a juno base-coletor est submetida a uma polarizao

inversa, o que juntamente com a polarizao direta aplicada juno base-emissor,
possibilita operao na regio ativa do transistor. Conclui-se, portanto que os dois
esquemas mostrados na Fig.19 produzem polarizaes equivalentes nas junes do
transistor.
Fig.19 Diagramas de circuito que permitem a operao de um transistor npn na regio ativa.
Em resumo, para operao de um transistor na regio ativa, tem-se:
Polarizao direta da juno base-emissor.
Polarizao inversa da juno base-coletor.

A alimentao simultnea das duas junes, atravs de baterias externas, d
origem a trs tenses entre os terminais do transistor:
Tenso base-emissor, representada pelo parmetro VBE.
Tenso coletor-base, representada pelo parmetro VCB.
Tenso coletor-emissor, representada pelo parmetro VCE.

Esses parmetros esto representados na Fig. 20 para os transistores pnp e
npn. Como pode ser a observado, as tenses entre os terminais so definidas

matematicamente pelas relaes:
VBE VB VE
(1)
VCB VC VB
(2)
VCE VC VE
(3)
Onde VB, VC e VE so os potenciais eltricos na base, coletor e emissor,

respectivamente.
15

Fig.20 Tenses nas junes dos transistores pnp e npn.
Com base na Fig.20, ou alternativamente, somando as Eqs.(1) e (2) e

comparando com a Eq.(3), tem-se que as tenses entre terminais satisfazem a
condio.
VCE VCB VE
(4)
Na Fig.20 as baterias externas esto polarizadas de forma a permitir a

operao do diodo na regio ativa. Nessas condies, as tenses definidas nas Eqs.
(1) a (3) devem assumir os sinais indicados na Tabela 1.
Tabela 1 Sinais das tenses entre terminais para os transistores pnp e npn.
Tenso
VBE
VCB
VCE
Tenso pnp
negativa
negativa
negativa
Transistor npn
positiva
positiva
positiva
1.7 Princpio de Funcionamento do Transistor Bipolar

A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de
eltrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s correntes
nos terminais do transistor. Utiliza-se como representao de circuito para essas
correntes, aquela indicada na Fig.21.
Fig.21 Representao de circuito das correntes nos terminais de um transistor.
As correntes definidas na Fig.21, recebem as seguintes denominaes:
IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
O sentido das correntes representadas na Fig.21 segue uma conveno que
estabelece:
16
Correntes positivas so aquelas que fluem do circuito externo para os

terminais do transistor.
De acordo com essa conveno as correntes nos terminais do transistor
satisfazem a relao:
IB IC IE 0
(5)
Seguindo a conveno adotada, para transistores npn e pnp operando na

regio ativa, os sinais das trs correntes definidas anteriormente so aqueles
indicados na Tabela 2, conforme ilustrado na Fig.22.
Corrente
IB
IC
IE
Transistor pnp
negativa
negativa
positiva
Transistor npn
positiva
positiva
negativa
Tabela 2 Sinais das correntes nos terminais dos transistores pnp e npn para
operao na regio ativa.
Fig. 22 - Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.
O princpio bsico que explica a origem das correntes no transistor o

mesmo para estruturas npn e pnp, e a anlise do movimento de portadores de carga
pode ser realizada tomando-se como exemplo qualquer das duas estruturas. Isso
feito a seguir para a anlise das correntes em um transistor pnp posto em operao
na regio ativa.
1.7.1) Corrente de Base
A corrente de base produzida pela aplicao de uma tenso que polariza
diretamente a juno base-emissor e cujo efeito semelhante quele observado em
um diodo semicondutor polarizado diretamente.
Como ilustrado na Fig.23, a aplicao de uma tenso positiva VEB = VE-VB
com um valor superior ao potencial de barreira da juno base-emissor facilita a
injeo de lacunas do emissor para a base e de eltrons livres no sentido inverso.
17
Como no caso de uma juno semicondutora comum, o potencial de barreira

tipicamente 0,6 a 0,7 V para o silcio e 0,2 a 0,3V para o germnio.
Fig.23 Movimento de portadores nas proximidades da juno base-emissor quando esta polarizada
diretamente.
Transistores so construdos com o emissor tendo um grau de dopagem

muito superior quele da base. Dessa forma o fluxo de portadores ocorre
predominantemente por parte das lacunas injetadas na base.
A pequena quantidade de eltrons disponveis na base se recombina com
parte das lacunas a injetadas, dando origem corrente de base. Com o pequeno
grau de dopagem da base, poucas recombinaes ocorrem, resultando em um
pequeno valor para a corrente de base, normalmente na faixa de microampres a
miliampres.
Assim, a maior parte das lacunas provenientes do emissor no se recombina
com os eltrons da base, podendo portanto atingir a juno base-coletor.
Em um transistor pnp, a corrente de base provocada pela aplicao de uma
tenso VEB > 0 ligeiramente superior ao potencial de barreira da juno baseemissor. Essa corrente muito pequena devido ao pequeno grau de dopagem da
base.
1.7.2) Corrente de Coletor
Devido pequena espessura da regio da base e tambm ao seu pequeno
grau de dopagem, o excesso de lacunas que no se recombinaram com os eltrons
naquela regio atingem a juno base-coletor, conforme ilustrado na Fig.24. Como a
18
juno base-coletor est inversamente polarizada, essas lacunas so aceleradas

pela queda de potencial existente naquela juno, dando origem corrente de
coletor.
Fig.24 Movimento de portadores e correntes resultantes nos terminais de um transistor pnp.
A corrente de coletor tem um valor muito superior corrente de base porque a

grande maioria das lacunas provenientes do emissor no se recombinam com os
eltrons da base, sendo, portanto injetadas diretamente no coletor.
Tipicamente, um mximo de 5% do total de lacunas provenientes do emissor
produz a corrente de base, com o restante dando origem corrente de coletor. Essa
grande diferena entre as correntes de base e de coletor est ilustrada na Fig.25.
Fig.25 Comparao entre as correntes de base e de coletor em um transistor pnp.
1.7.3) Corrente de Emissor
19
A partir da discusso das sees anteriores, e de acordo com o princpio da

conservao da carga estabelecido pela Eq.(5), a corrente de emissor pode ser
obtida da relao:
IE (- IB) ( - IC)
(6)
De acordo com a conveno adotada para definir as correntes nos terminais

do transistor, os sinais a elas atribudos indicados na Tabela 2, so compatveis com
os sentidos dos fluxos de corrente, mostrados na Fig.26.
Conseqentemente, para o transistor pnp operando na regio ativa:
IB < 0 (-IB) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B para o
circuito.
IC < 0 (-IC) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C para o
circuito.
IE > 0 indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.
Fig.26 Sentidos das correntes em um transistor pnp operando na regio ativa.
1.7.4) Controle de Corrente no Transistor

A principal caracterstica do transistor reside no fato de a corrente de base
poder controlar eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode ser
modificada pelo ajuste externo da tenso na juno base-emissor, conforme
ilustrado na Fig.27.
Dessa forma, qualquer variao na tenso da fonte aparece diretamente
como uma variao na altura da barreira de potencial da juno base-emissor,
fazendo que mais ou menos portadores provenientes do emissor sejam injetados na
base. Como as correntes de base e de coletor variam em proporo direta com o
nmero de portadores provenientes do emissor, conclui-se que variaes na tenso
aplicada juno base-emissor, ou equivalentemente na corrente de base, causam
variaes na corrente de coletor.
20
Fig.27 Influncia da corrente de base na corrente de coletor de um transistor.
Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua
essencialmente de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor. Dessa forma a corrente de base atua como corrente de
controle, e a corrente de coletor, como corrente controlada.
1.7.5) Ganho de Corrente do Transistor
Como discutido na seo anterior, atravs de um transistor possvel utilizar
um pequeno valor de corrente IB para controlar a circulao de uma corrente IC, de
valor bem mais elevado.
Uma medida da relao entre a corrente controlada IC e a corrente de
controle IB pode ser obtida do parmetro:
DC
IC
IB
(7)
Definido como o ganho de corrente contnua entre base e coletor.

Como na regio ativa as correntes IC e IB tm o mesmo sinal, nesse regime
de operao o parmetro DC um nmero positivo.
Cada transistor fabricado com um valor bem definido para o parmetro DC,
que depende das caractersticas materiais e estruturais do componente e do regime
de operao do transistor. Da Eq.(7) tem-se que:
IC
DC
. IB
(8)
A Eq.(8) mostra que a corrente de coletor diretamente proporcional

corrente de base, e que IC pode ser calculado a partir do conhecimento dos valores
de DC e IB.
21
importante salientar que o fato de o transistor permitir a obteno de um

ganho de corrente entre base e coletor no implica em criao de correntes no
interior da estrutura. Todas as correntes que circulam em um transistor so
provenientes das fontes de alimentao, com a corrente de base atuando no sentido
de liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o coletor.
Os transistores no geram ou criam correntes internamente, atuando apenas
como controladores do nvel de corrente fornecido externamente.
1.7.6) Questionrio
1. De que forma devem-se polarizar os transistores pnp e npn para operao na
regio ativa?
2. Quais os sentidos reais das correntes em um transistor pnp polarizado na regio
ativa?
3. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.
4. Qual o valor tpico da tenso VBE de um transistor pnp para operao na regio
ativa?
5. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.
6. Que frao tpica da corrente proveniente do emissor de um transistor pnp flui
para a base quando o componente opera na regio ativa?
7. Para um transistor npn operando com IB = 10 mA e IC = 1 mA, calcule o ganho de
corrente contnua entre base e coletor.
1.8 Malha de Coletor

Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor
conectado fonte de alimentao atravs de um resistor de coletor, representado
pelo parmetro RC, conforme ilustrado na Fig.28.
Fig.28 Circuito a transistor com resistor de coletor.
22
O resistor de coletor completa a malha do coletor, ilustrada na Fig. 28, que

a poro do circuito composta pelo grupo de componentes onde circula a corrente
de coletor. Como pode ser a observado, estes componentes so o resistor RC, a
fonte de alimentao VCC e a poro do transistor entre os terminais do coletor e do
emissor:
Com base na Fig.29, a aplicao da segunda lei de Kirchhoff malha do
coletor fornece:
VCC VRC VCE
(1)
Onde:
VCC representa a tenso da fonte de alimentao.
VRC representa a queda de tenso no resistor RC.
VCE representa tenso coletor-emissor.
Fig.29 Parmetros de circuito da malha do coletor.
Desprezando-se a resistncia interna da fonte de alimentao, a tenso por

ela fornecida independe da corrente solicitada pelo circuito. Da lei de Ohm, a queda
de tenso no resistor de coletor relacionada corrente na malha pela relao:
VRC RC . IC
(2)
Como se pode notar da Eq.(2), a queda de tenso no resistor varia

proporcionalmente corrente de coletor.
A tenso coletor-emissor VCE o ltimo termo da equao da malha de
coletor. A partir da Eq.(1), tem-se que:
VCE VCC - RC . IC
(3)
O que indica que a tenso coletor-emissor depende dos valores da tenso de

alimentao e da queda de tenso no resistor RC.
O exemplo a seguir ilustra o emprego das equaes da malha do coletor.
23
Exemplo 1: Para o circuito da Fig.30, o resistor de coletor de 680. Com a

fonte de alimentao fornecendo uma tenso de 12 V, a corrente de coletor de
6mA. Determinar a tenso coletor-emissor.
Fig.30 Circuito a transistor para o Exemplo 1.
A queda de tenso no resistor de coletor pode ser calculada da Eq.(2),

resultando em:
VRC 680 . 0,006A 4,08V
Utilizando VC = 12 V e o valor obtido para a tenso no resistor de coletor na

Eq.(3) tem-se que: VCE 12V - 4,08V 7,92V
1.8.1) Influncia da Corrente de Base
Como discutido anteriormente, na regio ativa a corrente de coletor
proporcional a corrente de base de acordo com a relao:
IC IB .
(4)
com representando o ganho de corrente do transistor.

Pela Eq.(2) a queda de tenso no resistor de coletor tambm proporcional
corrente de coletor. A forma que a tenso VRc influenciada pela corrente de base
pode ser determinada inserindo a Eq.(4) na Eq.(2), fornecendo:
VRC RC.IC RC.(IB . )
(5)
A Eq.(5) mostra que com valores constantes do resistor de coletor e do ganho

de corrente do transistor na regio ativa, a tenso no resistor de coletor
diretamente proporcional corrente de base.
A forma que a tenso coletor-emissor influenciada pela corrente de base
pode ser obtida inserindo a Eq.(5) na Eq.(3), resultando em:
VCE VCC RC.(IB . )
(6)
O sinal negativo na frente do segundo termo do segundo membro da Eq.(6)

indica que a tenso coletor-emissor diminui quando a corrente de base aumenta e
aumenta quando a corrente de base diminui.
24
A influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor, definida

a partir das Eqs.(4) a (6), pode ser representada na Tabela 1.
Tabela 1 Influncia da corrente de base nos parmetros da malha de coletor
IB
Aumenta
Diminui
IC
Aumenta
Diminui
VRC
Aumenta
Diminui
VCE
Diminui
Aumenta
Exemplo 2: Para o circuito representado na Fig.31, a base do transistor

conectada fonte VBB por um resistor limitador RB. Determinar os parmetros da
malha do coletor para: (a) IB = 40A, (b) IB = 70A.
Fig.31 Circuito a transistor para o Exemplo 2.
(a) Com IB = 40 A:
Da Fig.31 tem-se que, RC = 820, VCC = 10 V, = 100. Da Eq.(4) resulta:
IC = 100 . 40A = 4000mA = 4mA;
Da Eq.(2) obtm-se:
VRC = 820 . 0,004A = 3,24 V;
Da Eq.(6) tem-se que VCE =10 V - 3,24 V = 6,76 V
(b) Com IB = 70A:
Repetindo o mesmo procedimento do item (a), obtm-se:
IC = 7mA , VRC = 5,74 V , VCE = 4,26 V.
Nota-se, portanto, que o aumento da corrente de base causa as variaes
nos parmetros da malha do coletor, indicados na Tabela 1. Dos resultados obtidos
nos itens (a) e (b) vale observar que um aumento de apenas 70A - 40A = 30A, na
corrente de base provoca um aumento de 7mA - 4 mA = 3 mA, na corrente de
coletor.
1.8.2 Questionrio
25
1. Repita o Exemplo 1 utilizando IC = 5mA.

2. Repita o Exemplo 2 utilizando IB = 50A e RB = 500.
1.9 Configuraes do Transistor

Existem trs possibilidades de configurar um transistor em um circuito. O
nome dado a cada configurao definido com base no terminal do transistor que
comum s duas malhas do circuito. Dessa forma, trs configuraes so possveis:
Configurao emissor comum: o terminal do emissor comum s duas
malhas do circuito, como mostrado na Fig.32a.
Configurao base comum: o terminal da base do transistor comum s duas

malhas do circuito, como ilustrado na Fig.32b.
Configurao coletor comum: o terminal do coletor comum s duas malhas

do circuito, como na Fig.32c.
Fig.32 Configuraes de um transistor em um circuito.
1.10 Curva Caractersticas.

O comportamento de um componente eletrnico pode ser obtido aplicando-se
uma tenso entre seus terminais, e medindo-se a corrente atravs do componente.
Dessa forma geram-se pares de valores de corrente e de tenso que podem ser
representados graficamente atravs da curva caracterstica do dispositivo.
No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente depende do valor e da
polaridade da tenso aplicada aos seus terminais, conforme mostrado na Fig.33
26
Fig.33 Curva caracterstica de um diodo semicondutor.
O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas

caractersticas. Estas so obtidas atravs de medidas eltricas sob condies
controladas de tenso e de corrente.
O emprego das curvas caractersticas do transistor de grande importncia
no projeto de circuitos, pois permite obter o comportamento do componente em uma
ampla faixa de condies de operao.
1.10.1) Parmetros das Curvas Caractersticas
Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais, a tenso entre
terminais e a corrente atravs do componente so utilizados na representao
grfica da curva caracterstica.
Como o transistor um componente de trs terminais, cada par de terminais
est associado a uma corrente e uma tenso. Dessa forma, podem-se em princpio
utilizar os seis parmetros definidos a seguir para representar as propriedades do
transistor:
IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
VCB = tenso coletor-base.
VCE = tenso coletor-emissor.

27
VBE = tenso base-emissor.

Os seis parmetros representativos do transistor esto mostrados na Fig.34.
Alguns desses parmetros juntamente com outros no eltricos, tais como
temperatura, podem ser utilizados em uma srie de curvas caractersticas que

expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condies de
operao.
Fig.34 Parmetros eltricos representativos do transistor.
1.10.2) Curvas Caractersticas da Configurao Emissor Comum

O tipo de ligao mais utilizado em circuitos transistorizados a configurao
emissor comum, mostrada na Fig.35. As curvas caractersticas dos transistores,
fornecidas pelos fabricantes, geralmente se referem a esse tipo de configurao.
Fig.35 - Configurao emissor comum.
Analisando a Fig.35, verifica-se que, na configurao emissor comum,

apenas quatro parmetros so suficientes para descrever o comportamento do
transistor. Uma escolha possvel corresponde aos parmetros, VBE, IB, VCE e IC.
Uma vez conhecidos esses quatro parmetros os dois restantes podem ser obtidos
utilizando as leis de Kirchhoff.
Com essa escolha, os parmetros VBE e IB so denominados de
parmetros de entrada com VCE e IC representando os parmetros de sada.
28
Portanto, para representar graficamente o comportamento do transistor na

configurao
emissor
comum
so
necessrios
dois
conjuntos
de
curvas
caractersticas:
Uma curva que expressa a relao entre os parmetros de entrada, denominada

de curva caracterstica de entrada.
Um conjunto de curvas que expressam as relaes entre os parmetros de

sada, denominadas de curvas caractersticas de sada.
1.10.2.1) Curva Caractersticas de Sada

A influncia da corrente de base na corrente de emissor torna maior a
importncia das curvas caractersticas de sada na representao das propriedades
eltricas do transistor. Essas curvas caractersticas so tambm denominadas de
curvas caractersticas do coletor.
Sabendo que para cada valor do parmetro VCE a corrente IC dependente
do valor da corrente IB, cada curva caracterstica de sada construda de forma a
representar graficamente a relao entre IC e VCE para um determinado valor de IB.
A Fig.36 mostra as curvas caractersticas de sada tpicas de um transistor npn.
Fig.36 Curvas caractersticas de sada de um transistor npn.
Cada curva representada na Fig.36 mostra a dependncia da corrente de

coletor IC com a tenso coletor-emissor VCE, para um determinado valor fixo da
29
corrente de base. Em folhetos de especificaes tcnicas, o topo do grfico indica

que IC uma funo de VCE para cada valor fixo de IB, atravs da representao:
IC= f(VCE), IB = parmetro.
Deve-se observar que, de acordo com a conveno adotada para
representao das correntes e tenses em um transistor, nos transistores pnp os
parmetros IB, IC e VCE so negativos pois em condies normais de operao, o
coletor polarizado negativamente em relao ao emissor e as correntes de coletor
e de base fluem dos terminais do transistor para as malhas do circuito, conforme
mostrado na Fig.37.
Fig.37- Polarizaes e sentidos reais das correntes em um transistor pnp.
Dessa forma, as curvas caractersticas de

sada para transistores pnp so representaes
grficas de (-IC) x (-VCE) para cada valor de (IB), como mostrado na Fig.38.
Outro aspecto de importncia no que se
refere s curvas caractersticas fornecidas pelos
fabricantes que essas curvas representam o
comportamento mdio de um grande nmero de
transistores de mesma especificao.
Isso significa que, na prtica, as propriedades
eltricas do componente podem apresentar
pequenos
desvios
em
relao
ao
comportamento previsto pelas curvas caractersticas.

Fig.38 Curvas caractersticas de sada de um transistor pnp.
As
curvas
caractersticas
fornecidas
pelo
fabricante
representam
comportamento mdio de um grupo de componentes de mesma especificao.

30
1.10.2.2) Utilizao das Curvas Caractersticas de Sada

Com o uso das curvas caractersticas possvel determinar as condies de
operao de um transistor em um circuito. Isso feito utilizando-se o conceito de
reta de carga, examinado a seguir.
RETA DE CARGA
Para o caso de um transistor npn conectado ao circuito mostrado na Fig.39,

aplicando-se a 2 Lei de Kirchhoff malha de coletor tem-se que:
VCC VCE RC. IC
(1)
VCE VCC RC. IC
(2)
ou alternativamente:
Para valores fixos dos parmetros VCC e RC, a Eq.(2) representa uma
relao linear entre a tenso coletor-emissor VCE e a corrente de coletor IC.
Fig.39 Circuito com transistor npn na configurao emissor comum.
A relao entre VCE e IC expressa pela Eq.(2) representada graficamente

por um segmento de reta em um diagrama IC x VCE. Esse segmento de reta,
denominado de reta de carga, pode ser traado conhecendo-se apenas dois de
seus pontos. Estes so obtidos diretamente da Eq.(2), observando-se que:
Interseo com o eixo horizontal IC = 0 VCE = VCC.
Interseo com o eixo vertical VCE = 0 IC
VRC
RC
A Fig.40 mostra a representao grfica da reta de carga prevista pela Eq.(2),

e que corresponde linha traada entre os pontos de interseo com os dois eixos
do grfico.
31
Fig.40 Reta de carga representada no diagrama IC x VCE.
Para o circuito da Fig.39, duas condies de operao definem os pontos de

interseo da reta de carga com os eixos na Fig.40:
Condio de corte.
Condio de saturao.
Condio de corte:
A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula.
A partir da relao entre correntes j derivada anteriormente:

IC . IB ( 1) . ICBO
(1)
Desprezando-se a corrente de fuga no coletor, a condio IB = 0 fornece IC =

0 que define o ponto de corte mostrado na Fig.40.
Condio de saturao:
A condio de saturao ocorre quando a corrente de base suficientemente
alta de forma a anular a tenso coletor-emissor. Dessa forma, impondo VCE = 0 na
Eq.(2) resulta em IC
VRC
,
RC
que corresponde ao ponto de saturao
mostrado na Fig.40. Essa situao equivale existncia de um curto entre os

terminais do coletor e do emissor no circuito da Fig.39, de forma que toda a tenso
da fonte de alimentao se transfere diretamente para o resistor de coletor.
Ponto de operao
Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores
de VCE e de IC, para um dado valor da corrente de base IB na configurao emissor
comum.
32
O procedimento grfico pode ser descrito com base no circuito mostrado na

Fig.41a, onde se admite que a corrente de base esteja estabelecida em um valor IB
= IBQ. A Fig.41b mostra as curvas caractersticas de sada que incluem aquela
referente ao valor IB = IBQ.
Fig.41- Circuito e curvas caractersticas de um transistor na config. emissor comum.
Como se pode verificar na Fig.41b, qualquer ponto sobre a curva

caracterstica pode ser utilizado para representar os valores da corrente de coletor e
da tenso coletor-emissor no circuito da Fig.41a. A questo, portanto a se considerar
a seguinte:
Conhecidos os valores de VCC e RC no circuito da Fig.41a, quais so os
valores resultantes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor?
A resposta a essa questo s pode ser obtida se for utilizada mais uma
informao. Esta informao adicional fornecida pela reta de carga do circuito,
incorporada ao grfico das caractersticas de sada, conforme ilustrado na Fig.42.
Ou seja, da mesma forma que os valores de corrente e tenso para o circuito
definem algum ponto na curva caracterstica, a soluo deve tambm estar em
algum ponto da reta de carga. S existe portanto um ponto que pode existir
simultaneamente na reta de carga e na curva caracterstica correspondente
a uma corrente de base IBQ. Esse ponto, mostrado na Fig.42, o ponto de
operao ou ponto quiescente Q.
33
Fig.42 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.
Determinado o ponto quiescente do circuito, obtm-se diretamente do grfico

os valores quiescentes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor,
representados pelos parmetros ICQ e VCEQ, respectivamente. A queda de tenso
sobre o resistor de coletor no ponto quiescente fica assim determinada pela
expresso:
VRCQ = VCC - VCEQ
(4)
O exemplo seguinte ilustra o clculo numrico do ponto quiescente de um

circuito transistorizado.
Exemplo1: O circuito mostrado na Fig.43 utiliza um transistor BC146. Para
uma corrente de base de 100A determinar os parmetros IC, VCE e VRC.
As curvas caractersticas do transistor BC146 esto representadas no grfico
da Fig.43(b), juntamente com a reta de carga do circuito. A interseo da reta de
carga com a curva correspondente a uma corrente de base de 100A ocorre no
ponto quiescente Q. Como pode ser a observado, os valores de corrente e tenso
so:
ICQ = 22mA, VCEQ = 3,4V
A tenso no resistor de coletor obtida da Eq.(4), resultando em:
VRCQ 6 3,4 2,6V
34
Fig.43 (a) Circuito transistorizado referente ao Exemplo 1. (b) Curvas caractersticas do

Transistor BC146 e reta de carga do circuito.
1.11 Curva de Dissipao Mxima

Utilizando o valor da potncia de dissipao mxima do transistor, pode-se
definir, no diagrama das curvas caractersticas de sada, as faixas de valores de
corrente de coletor e de tenso coletor-emissor que assegurem a operao do
transistor dentro de seus limites de dissipao de potncia.
Como j discutido anteriormente, a potncia de dissipao mxima do
transistor dada aproximadamente pela expresso:
PCmx = VCE . IC
(5)
A relao dada pela Eq.(5) pode tambm ser escrita na forma:

IC
PCmx
VCE
(6)
A Eq.(6) estabelece a dependncia da corrente de coletor com a tenso

coletor-emissor para um dado valor da potncia de dissipao mxima. Dessa
forma, conhecido o valor de PCmx, fornecido pelo fabricante, e atribuindo-se
valores ao parmetro VCE, os valores correspondentes de IC podem ser calculados
da Eq.(6).
Por exemplo, considerando o caso do transistor BC547 com a especificao
PCmx = 500mW a 25C, tem-se:
IC
0,5W
VCE
(7)
35
Utilizando o conjunto de valores de VCE listados na 2. coluna da Tabela 1,

obtm-se os valores de IC da 3. coluna daquela tabela.
Tabela 1 Alguns valores de VCE e IC correspondentes dissipao mxima de 500
mW no transistor BC547.
Tabela 1 Alguns valores de VCE e IC correspondentes dissipao mxima
de 500mW no transistor BC547.
Ponto
1
2
3
4
VCE
5
10
20
40
IC
0,1 = 100mA
0,05 = 50mA
0,025 = 25mA
0,0125 = 12,5mA
Representando-se os quatro pontos no diagrama IC x VCE, obtm-se o

grfico mostrado na Fig.44. A curva que passa pelos quatro pontos a
representao grfica da relao entre os parmetros IC e VCE, definida pela Eq.
(7).
A curva de dissipao mxima do transistor define o limite entre duas regies,
indicadas na Fig.45. A regio localizada acima da curva de dissipao mxima
representa a regio de dissipao excessiva do transistor, pois os valores de VCE
e IC naquela regio fornecem uma potncia de dissipao superior potncia de
dissipao mxima do componente.
Fig.44 Representao grfica da Eq.(7) para o transistor BC547.
36
A regio abaixo da curva representa a regio de funcionamento normal do

componente, pois valores de VCE e IC no interior dessa regio correspondem a uma
potncia de dissipao inferior potncia de dissipao mxima do transistor.
Para operao do componente a temperaturas diferentes de 25 C, deve-se utilizar a
potncia de dissipao mxima na temperatura de trabalho para ento calcular a
curva de dissipao mxima a partir da Eq.(6).
Fig. 45 - Regies definindo o regime de operao do transistor BC547.
1.11.1) Limitao da Dissipao de Potncia Sobre a Reta de Carga

A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um
transistor para um determinado valor do resistor de coletor e da tenso de
alimentao. Como a curva de dissipao mxima estabelece o limite da regio de
funcionamento normal do transistor, faz-se necessrio que a reta de carga esteja
sempre situada abaixo daquela curva.
A Fig.46a representa o trecho de um circuito alimentando um transistor npn
BC547 na configurao emissor comum. Na Fig.46b est traada a curva de
dissipao mxima de 500mW referente a uma temperatura de 25C. No mesmo
grfico esto representadas as retas de carga obtidas atribuindo-se para VCC os
valores de 40 V e 30 V, respectivamente, com RC fixado em 500 em ambos os
casos.
37
Fig.46a Transistor na configurao emissor comum. (b)Curva de dissipao mxima e retas

de carga: A (VCC=40 V, RC=500), B (VCC=30 V, RC=500).
Observa-se na Fig.46b que a reta de carga B est situada totalmente abaixo

da curva de dissipao mxima do transistor. Dessa forma, qualquer valor de
corrente de base pode ser utilizado no circuito da Fig.46a sem que a potncia de
dissipao mxima do componente seja superada.
Por outro lado, examinando-se a reta de carga A da Fig.46b, observa-se que
sobre o trecho entre os pontos P1 e P2 a potncia dissipada supera o valor mximo
definido pela curva de dissipao mxima do componente. Dessa forma, os
parmetros de circuito referentes curva A no possibilitariam a operao segura do
componente para um valor arbitrrio da corrente de base.
Para evitar a possibilidade de dissipao excessiva de um transistor, os
parmetros de circuito devem ser escolhidos de forma que a reta de carga
correspondente esteja situada totalmente abaixo da curva de dissipao mxima do
componente.
1.11.2 Questionrio
1. Cite as configuraes de um transistor em um circuito, caracterizando-as.
2. Para um transistor na configurao emissor comum, quais so os parmetros de
entrada e sada?
38
3. Para um transistor na configurao emissor comum, como so representadas as

curvas caractersticas de sada?
4. O que a reta de carga de um circuito transistorizado na configurao emissor
comum?
5. Qual a denominao dos pontos de interseo da reta de carga com os eixos
vertical e horizontal do diagrama IC x VCE?
6. Para as condies estabelecidas no Exemplo 1, utilize o grfico da Fig.43b para
determinar:
(a) IC no ponto de saturao.
(b) VCE no ponto de corte.
7. Para operao segura de um transistor, qual deve ser a disposio da reta de
carga com respeito curva de dissipao mxima do transistor?
39
2 REGIES DE OPERAO DE UM TRANSISTOR

A localizao do ponto de operao de um estgio transistorizado sobre a reta
de carga define trs regies de operao descritas a seguir.
2.1 Regio de Corte

Um transistor est na regio de corte quando a base polarizada de forma a
tornar a corrente de coletor praticamente nula. Essa condio obtida na iminncia
de polarizao inversa da juno base-emissor, conforme ilustrado na Fig.47a.
Na regio de corte a corrente de base reduzida a um valor praticamente
nulo. Da relao entre correntes no transistor dada pela Eq.(3) e reproduzida a
seguir:
IC . IB ( 1) . ICBO
(7)
A condio IB 0 fornece:
ICcorte ( 1) . ICBO ICEO
(8)
Dessa forma, a corrente de coletor corresponde corrente de fuga, com um

valor da ordem de alguns microampres para transistores de silcio.
Devido ao pequeno valor da corrente de coletor, a queda de tenso no
resistor de coletor praticamente nula e a tenso coletor-emissor torna-se:
VCEcorte VCC
(9)
No diagrama IC x VCE, a regio de corte est localizada bem prxima ao eixo

horizontal, conforme mostrado na Fig.47b.
40

Fig.47 (a) Circuito transistorizado operando na condio de corte. (b) Regio de corte no
diagrama da caracterstica de sada do transistor.
As caractersticas da regio de corte esto sumarizadas na Tabela 4.

Tabela 4 Caractersticas da regio de corte.
Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: na iminncia de polarizao inversa.
Corrente de base: IB 0.
Corrente de coletor: IC = ICEO
Tenso coletor-emissor: VCE VCC
Nos transistores de silcio basta anular-se a corrente de base para levar o
transistor condio de corte.
2.2 Regio de Saturao

Um transistor est na regio de saturao quando a juno base-emissor est
diretamente polarizada com a condio adicional de a tenso VCE tornar-se inferior
a tenso VBE.
As conseqncias decorrentes dessa condio podem ser analisadas com
base no transistor npn mostrado na Fig.48. A relao entre tenses nos terminais do
transistor pode ser posta na forma:
VCB VCE - VBE
(10)
Fig.48 Tenses entre terminais em um transistor npn.
Da Eq.(10) nota-se que a condio VCE < VBE fornece:

VCE - VBE 0 VCB 0
Tendo a base do transistor npn polaridade positiva em relao ao coletor, a

juno base-coletor fica diretamente polarizada. Portanto, na regio de saturao a
corrente de coletor pode ser razoavelmente elevada.
41
No grfico com as curvas caractersticas de sada do transistor, a regio de

saturao fica localizada nas proximidades do eixo vertical. Para auxiliar o exame
das curvas caractersticas naquela regio, os folhetos de especificaes tcnicas
fornecem um grfico adicional detalhando a regio de saturao, do tipo mostrado
na Fig.49..
Naquela poro do diagrama da Fig.49, os valores de VCE so geralmente
inferiores ao potencial de barreira de uma juno semicondutora. Note-se que nessa
regio a corrente de coletor influenciada tanto pelo valor da tenso VCE como pelo
valor da corrente de base.
Fig.49 Grfico detalhando a regio de saturao de um transistor.
As caractersticas da regio de saturao esto sumarizadas na Tabela 5.

Tabela 5 Caractersticas da regio de saturao.
Juno coletor-base: diretamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com VBE>VCE.
Corrente de coletor: influenciada pelos valores de IB e de VCE.
2.3 Regio Ativa

A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga situado entre as
regies de corte e de saturao, conforme ilustrado na Fig.50.
42
Fig.50 Regio ativa no grfico das curvas caractersticas de um transistor.
Essa a regio caracterstica de funcionamento dos estgios amplificadores,

pois a que a corrente de coletor controlada apenas pela corrente de base, no
sofrendo praticamente nenhuma influncia da tenso coletor-emissor. Para pontos
de operao nessa regio so vlidas as regras de polarizao delineadas na
Tabela 6.
Tabela 6 Caractersticas da regio ativa.
Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com VBE < VCE < VCC
Corrente de coletor: Influenciada apenas pela corrente de base.
2.4 Questionrio
1. O que se entende por polarizao de base por corrente constante em um
transistor?
2. Em um circuito transistorizado na configurao emissor comum, quais os
elementos que compem a malha da base?
3. Descreva de que forma a temperatura influencia o ponto de operao de um
circuito transistorizado na configurao emissor comum.
4. O que fator de estabilidade?
5. Qual a relao entre estabilidade trmica e fator de estabilidade em um circuito
transistorizado?
43
6. Em que situaes o mtodo de polarizao de base por corrente constante deve

ser evitado? Por qu?
7. Descreva que alteraes so produzidas no ponto de operao de um transistor
na configurao emissor comum, nas seguintes situaes:
(a) ganho real > ganho mdio.
(b) ganho real < ganho mdio.
8. Quais as regies de operao de um transistor e onde esto situadas no
diagrama IC x VCE?
9. Qual a regio que deve ser utilizada para o emprego de transistores em estgios
amplificadores?
44
3 POLARIZAO
DE
BASE
POR
CORRENTE
CONSTANTE
3.1 Introduo
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de
base necessria para levar o transistor ao ponto de operao desejado. Entre os
processos de polarizao de base, o mais simples o de polarizao por corrente
constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de operao
Q fica determinada a corrente de base quiescente IBQ, conforme ilustrado na
Fig.51.
Fig.51 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.
No mtodo de polarizao de base por corrente constante, a corrente de base

quiescente IBQ obtida pelo uso de um resistor de base. Como mostrado na
Fig.52, esse resistor ligado entre a base e o terminal positivo da fonte de
alimentao.
Fig.52 Emprego de um resistor para obteno da corrente de base quiescente.
45
3.2 Anlise de Malha de Base

Como mostrado na Fig.53, a malha da base, composta pelo arranjo srie
do resistor de base RB e da juno base-emissor, que se completa juntamente com
a fonte de alimentao.
Fig.53 Malha da base de um transistor.
Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como um

diodo, o circuito equivalente da malha da base aquele mostrado na Fig.54.
Fig.54 Circuito equivalente da malha da base do transistor.
Observando o circuito equivalente da Fig.54, verifica-se que o diodo

representativo da juno base-emissor polarizado diretamente, permitindo a
circulao de corrente de base atravs do resistor.
3.3 Determinao do Resistor de Base

A corrente de base IB depende dos seguintes parmetros:
Resistncia RB.
Tenso de alimentao VCC.
Tipo de transistor.
Com base no circuito equivalente mostrado na Fig.54, a corrente de base
quiescente obtida da relao:

IBQ
VCC - VBE
RB
(1)
46
Dessa forma, conhecidos os valores de IBQ, da tenso de alimentao VCC e

da tenso base-emissor VBE, a resistncia RB pode ser derivada da Eq.(1),
resultando em:
RB
VCC - VBE
IBQ
(2)
O exemplo a seguir ilustra o procedimento de determinao da resistncia

RB.
Exemplo 1: Um transistor de silcio BC200 utilizado no circuito da Fig.55a.
Com base na curva caracterstica do componente mostrada na Fig.55b,
Determinar o valor de RB necessrio obteno de uma tenso coletoremissor no ponto quiescente, VCEQ = -3V.
Fig.55 Circuito e curva caracterstica para o Exemplo 1.
A reta de carga correspondente ao resistor RC = 330 mostrado na Fig.5a j

est traada na Fig.55b. A interseo dessa reta com a curva correspondente a -IB
= 80mA, define um valor -VCEQ 3,3 V. Esse valor difere cerca de 10% do valor
definido originalmente e pode ser considerado admissvel para esse exemplo.
Utilizando na Eq.(2), -IBQ = 0.08 mA e o valor -VBE = 0,6 V correspondente
ao silcio, obtm-se:
RB
- 7,5 - (- 0,6)
- 6,9
86.250
- 0,008
- 0,008
Do resultado do Exemplo 1, observa-se que o resistor RB normalmente de

resistncia elevada, pois as correntes de base em transistores so usualmente
baixas.
47
4 POLARIZAO DE BASE POR DIVISOR DE

TENSO
A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao de
um divisor de tenso, atravs do qual aplica-se uma tenso VBE entre a base e o
emissor do transistor.
A Fig.56 mostra um circuito transistorizado que emprega esse tipo de
polarizao. Essa tcnica denominada de polarizao de base por divisor de
tenso.
Fig.56 Circuito transistorizado com base polarizada por divisor de tenso.
Do divisor de tenso mostrado na Fig.56 resulta um potencial VB no terminal

base do transistor que polariza diretamente a juno base-emissor, produzindo
assim a corrente de base quiescente IBQ.
A finalidade do divisor de tenso polarizar diretamente a juno baseemissor.
Como se pode observar na Fig.56, com o emissor aterrado, o potencial da
base VB corresponde tenso VBE aplicada juno base-emissor do transistor.
Dessa forma, o controle da corrente IBQ obtido ajustando-se a tenso VBE
fornecida pelo divisor.
Normalmente os circuitos polarizados por diviso de tenso tm ainda um
resistor de emissor RE, como mostrado na Fig.57. Esse resistor tem por finalidade
melhorar a estabilidade trmica do circuito.
48
Fig.57 Emprego de um resistor de emissor em um circuito transistorizado.
A incluso de um resistor de emissor no circuito de polarizao de um

transistor melhora a estabilidade trmica do circuito.
O uso conjunto de um divisor de tenso e de um resistor de emissor propicia
um alto grau de estabilidade trmica no circuito. Outra caracterstica importante
desse tipo de polarizao a menor variao dos parmetros de polarizao
quando o transistor substitudo.
4.1 Anlise do Circuito de Coletor

Nos circuitos polarizados por divisor
de tenso, a malha de coletor, mostrada na
Fig.58,
composta
dos
seguintes
elementos:
Fonte de alimentao.
Resistor de coletor.
Transistor.
Resistor de emissor.
Fig.58 Malha de coletor de um transistor polarizado por divisor de tenso.
Como se pode observar na Fig.58, a tenso fornecida pela fonte distribui-se

sobre os elementos da malha do coletor na forma:
VCC VRC VCE VE
(1) .
Fig.58 Malha de coletor de um transistor polarizado por divisor de tenso.

Onde:
VRC RC . IC
(2)
VE RE . (- IE)
(3)
49
Na Eq.(1) a dependncia da tenso VCE na corrente de coletor

determinada atravs das curvas caractersticas de sada do transistor.
A Eq.(3) pode ser reescrita na forma:
VE RE . (IC IB)
(4)
Como a corrente de base geralmente muito inferior corrente de coletor,

vlida a seguinte aproximao:
IC IB IC
e a Eq.(4) pode ser posta na forma:

VE RE . IC
(5)
A seguir apresentado um exemplo de utilizao das equaes do circuito do

coletor.
Exemplo 1: Para o circuito mostrado
na Fig.59, determinar os valores de VRC, VE
e VCE.
As tenses nos resistores de coletor e
de emissor so obtidas das Eqs.(2) e
(5),:resultando em:
VRC =1000 0,004 A = 4 V
VE = 270 0,004 A =1,08 V
Fig.59 Circuito transistorizado do Exemplo1
A tenso VCE obtida da Eq.(1):.

VCC VRC VCE VE VCE VCC - (VRC VE) VCE 10 - (4 1,08)
VCE = 4,92 V
4.2 O Circuito de Base

O circuito da base que compreende o divisor de tenso tem por finalidade
polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor e estabelecer o valor
quiescente da corrente de base IBQ. A tenso base-emissor VBE a diferena de
potencial entre os terminais B e E do transistor. Como se pode observar na Fig.60.
50
Fig.60 Circuito transistorizado com base polarizada por divisor de tenso.
VBE =VB -VE (6)

A tenso VBE aplicada juno base-emissor d origem a uma corrente de
base que pode ser obtida a partir da curva caracterstica da juno. Dessa forma, a
juno base-emissor se comporta efetivamente como um diodo diretamente
polarizado, conforme ilustrado na Fig.61.
Fig.61 Circuito equivalente da juno base-emissor, com base polarizada por divisor de
tenso.
4.3 Determinao dos Elementos de Circuito

A incluso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel termicamente, o
que interessante do ponto de vista prtico. Entretanto, essa adio modifica a
anlise grfica do circuito, pois a reta de carga deve levar em conta a presena
daquele novo elemento no circuito. Por essa razo, a determinao dos valores dos
resistores de polarizao usualmente feita matematicamente.
Para simplificar a anlise matemtica, podem ser consideradas algumas
aproximaes e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos, como
delineado a seguir.
Corrente de Emissor
51
A pequena diferena existente entre IC e IE permite utilizar a aproximao

IE IC
cujo erro pequeno comparado com a tolerncia de 5 a 10% dos
resistores do circuito.
Ganho do Transistor
O ganho de transistores que empregam a polarizao por divisor de tenso
usualmente satisfaz a condio 100.
4.3.1) Parmetros de Entrada
Na determinao dos valores dos
elementos
de
circuito,
mostrados
na
Fig.62, os parmetros de entrada so

geralmente:
A tenso de alimentao, VCC.
A corrente de coletor quiescente, ICQ.
A tenso quiescente sobre o resistor de

coletor, VRCQ.
Fig.62 Alguns parmetros do circuito transistorizado.
A corrente de coletor ICQ nos estgios transistorizados polarizados por divisor

de tenso assume normalmente valores que variam de 1 a 10mA.
O parmetro VRCQ diretamente relacionado tenso de alimentao. Na
prtica adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor prxima metade
da tenso de alimentao, ou seja:
VRCQ
VCC
2
(7)
4.3.2) Parmetros da Malha de Coletor

Dispondo dos valores VCC, ICQ e VRCQ pode-se determinar os valores dos
componentes da malha do coletor, mostrados na Fig.63..
52
Fig.63 Parmetros da malha do coletor no circuito transistorizado .
Resistor de coletor: calculado atravs da Lei de Ohm, utilizando os

valores conhecidos de ICQ e VRCQ, resultando em:
RC
VRCQ
ICQ
(8)
Resistor de emissor: Observa-se na prtica que o emprego de um resistor

de
emissor
tal
VEQ 0,1 . VCC
que
queda
de
tenso
satisfaa
condio,
(9) , permite a obteno de um fator de estabilidade timo,
usualmente na faixa de valores 10 S 15. Nessa condio, o resistor de emissor

determinado da expresso:
RE
0,1 . VCC
ICQ
(10)
Resistores de base: O divisor de tenso formado pelos resistores de base

tem por finalidade fornecer a tenso VB base do transistor, como mostrado na
Fig.64.
Fig.64 Tenso fornecida pelo divisor base do transistor.
Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida base deve

corresponder soma:
53
VB VBEQ VEQ (11)
Com base na Fig.64, a queda de tenso sobre RB1 pode ser obtida de:
VB1 VCC - VB
(12)
Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se assumir um

valor conhecido para o corrente ID atravs do divisor. Esse valor deve ser
suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente de base no
alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os resistores.
Dessa forma, prtica usual adotar uma corrente atravs do divisor
satisfazendo condio:
ID 0,1 . ICQ
(13)
Com essa escolha, considerando-se que o transistor tenha um ganho de pelo

menos 100, a corrente do divisor pelo menos 10 vezes superior corrente de
base.
Uma vez obtidos os parmetros VB1 e VB por intermdio das Eqs.(11) e (12),
utiliza-se a Eq.(13) para se obterem os valores de resistncia do divisor, resultando
em:
RB1
RB2
VCC VB
ID
VBEQ VEQ
ID
(13)
(14)
As expresses utilizadas na determinao dos parmetros do circuito

transistorizado com polarizao por divisor de tenso esto contidas na Tabela 1.
Tabela 1 Sumrio das expresses utilizadas na determinao dos parmetros de um
circuito transistorizado com polarizao por divisor de tenso.
54
Os exemplos a seguir ilustram o emprego das expresses do circuito

transistorizado com polarizao por divisor de tenso.
Exemplo 1: Para o circuito mostrado na Fig.65, determinar os valores de
RC, RE, RB1 e RB2 para que o circuito opere com uma corrente de coletor de
5,8mA e uma tenso no resistor de coletor de 10V.
Fig.65 Circuito transistorizado para o Exemplo 1.
Utilizando a Tabela 1 resulta:

55
Exemplo 2: Para o circuito mostrado na Fig.66, determinar os valores de RC,
RE, RB1 e RB2 para obter uma tenso coletor-emissor de 7V e uma corrente de
coletor de 12 mA.
Fig.66 Circuito transistorizado para o Exemplo 2.
Utilizando a Tabela 1 resulta:
56
4.4 Modificao do Ponto de Operao

Os
estgios
transistorizados
polarizados por divisor de tenso possuem

tima estabilidade trmica, no necessitando
de correes quando submetidos a variaes
de temperatura. Dessa forma, a alterao
intencional do ponto de operao s pode
ser obtida pela modificao de alguns
elementos de circuito.
Fig.67 Estgio transistorizado com base polarizada por divisor de tenso
A discusso a seguir ilustra a forma de

obteno de um aumento ou diminuio da
tenso
coletor-emissor
de
um
estgio
polarizado por divisor de tenso com os

parmetros indicados na Fig.67 acima..
Seja, por exemplo, a situao em que
se
deseja
aumentar
tenso
VCE
do
57
transistor. Para isso necessrio reduzir a queda de tenso nos resistores RE e RC,
como sugere a Fig.68 ao lado..
As tenses VRC e VE so proporcionais corrente IC, e, portanto uma
reduo nos valores de VRC e VE pode ser obtida pela reduo de IC.
Como a corrente IC proporcional a IB, para reduzir IC deve-se reduzir IB.
A corrente IB varia com a tenso VBE de acordo com a curva mostrada na

Fig.69 ao lado e, portanto, uma reduo na
corrente IB pode ser obtida diminuindo-se a
tenso VBE.
Como mostra a Fig.70, a tenso VBE
corresponde diferena de potencial entre
os terminais da base e do emissor. Com VE
j tendo sido reduzido pela reduo de IC,
deve-se tambm reduzir VB para obter-se a
diminuio desejada em VBE.
Como se pode observar na Fig.70 ao lado, a
tenso VB aquela fornecida pelo divisor de tenso
corresponde queda de tenso sobre o resistor

RB2. Assim a diminuio de VBE pode ser obtida
diminuindo o valor de RB2 e aumentando o valor de
RB1, de forma a garantir que a corrente ID no sofra
nenhuma modificao substancial. Esse efeito est
ilustrado no diagrama seguinte.
58
O processo de diminuio da tenso VCE pela alterao dos resistores do

divisor est representado diagramaticamente na Fig.71.
Fig.71 Diagrama representativo do processo de aumento da tenso VCE.
Para se obter uma reduo na tenso VCE do transistor, deve-se reduzir RB1
e aumentar RB2, como sugere o diagrama mostrado na Fig.72.
Fig.72 Diagrama representativo do processo de reduo da tenso VCE.
4.5 Fator de Estabilidade

59
Os circuitos polarizados por divisor de tenso exibem um fator de estabilidade

S de bom a timo. A alta estabilidade trmica desse mtodo de polarizao deve-se,
principalmente, incluso do resistor de emissor.
O fator de estabilidade para esse tipo de circuito pode ser calculado da
expresso:
S
RE RB
RB
RE
1
(16)
Onde RB a resistncia equivalente do divisor, dada por:

RB
RB1 . RB2
RB1 RB2
(17)
4.5.1) O Processo de Estabilizao Trmica

As variaes de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito,
atravs da corrente de fuga ICBO. Essa afirmao o resultado da relao entre
correntes no transistor:
IC .IB ( 1)ICBO
(18)
A componente de fuga da corrente de coletor no pode ser alterada

externamente pois se deve a fenmenos internos ao transistor. A polarizao por
divisor de tenso atua, no entanto, na parcela de IC que dependente da corrente
de base, fazendo que as variaes na corrente de fuga sejam compensadas por
variaes opostas na corrente IB.
Utilizando a condio de alto ganho, i.e., >>1, a Eq.(18) pode ser
aproximada pela expresso:
IC (IB ICBO)
(19)
Variaes em ICBO so compensadas por variaes em IB.

A correo automtica sugerida na Eq.(19) pode ser
facilmente compreendida analisando-se o comportamento
do circuito mostrado na Fig.73 ao lado, quando sujeito a
variaes trmicas.
A partir do momento em que a temperatura
aumenta, a corrente de coletor IC tende a aumentar como
conseqncia do aumento da corrente de fuga ICBO.
60
A modificao produzida em IC aumenta a corrente IE, visto que IE IC, que

por sua vez provoca um acrscimo na tenso VE = RE. IE.
Da Eq.(6) verifica-se que a tenso VBE diminui com o aumento da tenso VE,
para um valor fixado da tenso VB do divisor.
Com base na curva caracterstica mostrada na Fig.69, essa diminuio na

tenso VBE provoca um decrscimo na corrente de base IB.
A reduo em IB provoca uma diminuio na corrente IC. Esse processo de

compensao se repete at que a corrente de coletor atinja o valor estabelecido
inicialmente. Dessa forma o circuito praticamente insensvel s variaes de
temperatura.
A Fig.74 mostra a seqncia de eventos que compem o processo de
estabilidade trmica de um circuito transistorizado com polarizao de base por
divisor de tenso.
61
Fig.74 Seqncia de eventos que provocam a estabilizao trmica de um circuito

transistorizado com polarizao de base por divisor de tenso.
4.6 Questionrio
1. Quais so os elementos bsicos que compem um circuito transistorizado com
base polarizada por divisor de tenso?
2. Qual a finalidade do divisor de tenso nesses tipos de circuito?
3. Qual a finalidade do resistor RE nesses circuitos?
4. Repita o Exemplo 1 para o caso IC = 6 mA.
5. Na anlise de um circuito transistorizado polarizado por divisor de tenso:
(a) quais so os parmetros de entrada?
(b) quais so os parmetros da malha do coletor?
(c) quais so os parmetros de sada?
6. Qual a principal caracterstica trmica de um circuito transistorizado polarizado por
divisor de tenso?
7. Calcule o fator de estabilidade trmica de um circuito transistorizado polarizado
por divisor de tenso com os seguintes parmetros: RE = 100, RB1 = 8,5 k, RB2
= 1,5 k, = 100.
62
5 Regulao de Tenso em Fontes de Alimentao

A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade
provm do fato de as fontes no reguladas nem sempre atenderem aos requisitos
exigidos na maioria das aplicaes. Existem fundamentalmente duas razes pelas
quais as fontes no reguladas so inadequadas em certas aplicaes:
Regulao pobre: Como resultado de uma regulao pobre, verifica-se uma
variao na tenso de sada quando a carga alterada. A influncia de uma
regulao pobre no desempenho de uma fonte cc pode ser observada atravs de
dois grficos: um correspondente a uma fonte ideal e o outro, a uma fonte real,
Fig.75 Dependncia da tenso de sada com a corrente de carga uma fonte real.
Estabilizao pobre: Nas fontes no reguladas, a tenso de sada

acompanha as variaes na tenso de entrada, conforme ilustrado na Fig.76.
Fig.76 Reduo na tenso de sada provocada por uma reduo no nvel de entrada.
A finalidade de um regulador de tenso melhorar o desempenho das fontes

de alimentao, fornecendo um valor preestabelecido de tenso na sada,
independentemente das variaes na corrente de carga ou no nvel da tenso ca,
como mostrado na Fig.77.
63
Fig.77 Efeito de um circuito regulador sobre a tenso de sada de uma fonte retificada.
importante considerar que no existe um sistema regulador de tenso

perfeito. As variaes na tenso de entrada sempre provocam pequenas alteraes
na tenso de sada. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que a
variao na tenso de sada seja a menor possvel.
5.1 Regulador Srie com Transistor

Os reguladores de tenso do tipo srie com transistor so largamente
empregados na alimentao de circuitos eletrnicos por apresentarem uma boa
capacidade de regulao. Na Fig.78 est apresentado o modelo mais simples de um
regulador srie a transistor.
Fig.78 Modelo simples de um regulador srie a transistor.
5.1.1) Princpio de Funcionamento

O princpio de funcionamento do regulador srie a transistor pode ser
compreendido analisando-se as tenses nos vrios elementos do circuito mostrado
na Fig.79. Como pode ser a observado, a associao diodo Zener/resistor,
conectada tenso de entrada, permite a obteno de uma tenso constante VZ
independentemente das variaes da tenso de entrada.
A tenso constante do diodo Zener, mostrado na Fig.79, aplicada base do
transistor, ou seja, a tenso de base do transistor dada por:
VB VZ
(1)
A tenso na carga relacionada tenso base-emissor e a tenso na base

pela relao:
64
VS VZ - VBE
(2)
Como mostrado na Fig.79, a diferena entre a tenso de entrada e a tenso

na carga fica aplicada entre os terminais do coletor e do emissor, ou
equivalentemente:
VS Vent - VCE
(3)
Fig.79 Tenses no regulador srie a transistor.
5.1.2) Estabilizao
No regulador srie a transistor, a tenso aplicada base do transistor
corresponde tenso Zener e pode ser considerada constante. Nessas condies, a
tenso na carga tambm se mantm constante com um valor de 0,2 a 0,7V inferior
tenso Zener.
Como ilustrado na Fig.80 as variaes na tenso de entrada so assimiladas
pelo transistor atravs de modificaes na tenso coletor-emissor. Como pode ser a
observado, a tenso de entrada sempre superior tenso de sada. Essa condio
necessria pois garante que a tenso coletor-emissor do transistor possa variar
sem alterar a tenso de sada do circuito. Em geral, a tenso de entrada
aproximadamente 50% superior tenso regulada na sada.
65
Fig.80 Exemplo ilustrando as modificaes nas tenses no regulador decorrentes de variaes na

tenso de entrada.
5.1.3) Regulao
A observao do comportamento das correntes do circuito permite analisar a
forma como o regulador reage s variaes na corrente de carga.
As correntes do circuito regulador esto mostradas na Fig.81, onde se
considera que a corrente de carga esteja inicialmente em um valor IS. Considera-se
que a corrente de coletor seja igual corrente de carga, devido aproximao:
IS IE IC
(4)
66
Fig.81 Correntes no regulador srie a transistor.
Como se pode observar na Fig.81, a corrente de base necessria para que o

transistor fornea a corrente de carga obtida da combinao resistor/diodo Zener.
Qualquer modificao no valor da carga altera a corrente de coletor o que produz
uma variao na corrente de base na mesma proporo.
Fixando-se o valor da tenso de entrada Vent, a corrente no resistor R da

Fig.81.
IR
Vent - VZ
R
(4)
Permanece fixa, devido ao valor constante da tenso VZ. Da Fig.81 tem-se

que:
IR IB IZ
(5)
E as variaes em IB e IZ ocorrem em sentidos opostos de forma a manter IR no

seu valor constante.
67
Dessa forma, cabe ao diodo Zener liberar mais ou menos corrente para a
base do transistor de forma a manter a corrente de carga constante.
Verifica-se que no regulador srie, a condio fundamental para manter a
tenso de sada constante o efeito regulador do diodo Zener. A tenso sobre o
diodo deve manter-se no valor VZ independentemente de variaes na carga ou na
tenso de entrada.
5.1.4) Diodo Compensador
A tenso de sada no regulador srie pode ser obtida da Eq.(2), que est
reproduzida a seguir:
VS VZ - VBE
(2)
A Eq.(2) mostra que a tenso de sada sempre inferior tenso Zener por
uma quantidade igual tenso base-emissor. Para compensar esse decrscimo na
tenso de sada, prtica comum adicionar um diodo compensador, diretamente
polarizado, em srie com o diodo Zener, como mostrado na Fig.82.
Fig.82 Regulador srie com diodo compensador.
Com a adio do diodo, a tenso aplicada base do transistor torna-se:

VB VZ VD
(6)
Onde VD a queda de tenso no diodo diretamente polarizado. A tenso de

sada nessa nova configurao torna-se:
VS VZ VD - VBE
(7)
Sendo o diodo constitudo do mesmo semicondutor utilizado na fabricao

do transistor, tem-se que:
VD - VBE 0
E a Eq.(7) fornece:
68
VS VZ
(8)
5.2 Questionrio
1. Qual a principal finalidade de um regulador em uma fonte de alimentao?
2. Que componente pode ser empregado para se fazer um regulador paralelo?

3. No regulador srie transistorizado, como se comporta a corrente no diodo Zener
perante variaes na corrente de carga?
4. Qual a funo do diodo compensador em um regulador srie transistorizado?
5. Qual a finalidade dos dissipadores de calor acoplados a componentes
semicondutores?
6. Cite cinco providncias que devem ser tomadas para otimizar a transferncia de
calor entre um componente semicondutor e o ambiente externo.
69
6 Circuitos Comparadores Transistorizados

Os comparadores so circuitos eletrnicos que recebem uma amostra de
sinal, comparam essa amostra com um valor de referncia e produzem, na sua
sada, um sinal proporcional diferena entre o sinal de amostra e o sinal de
referncia, conforme ilustrado na Fig.83.
fig.83 Modelo simplificado de um circuito comparador
Os circuitos comparadores so muito utilizados em fontes de alimentao.
6.1 Elementos do Circuito Comparador

Um circuito comparador pode ser implementado
com o uso de um transistor ligado na configurao
emissor comum, conforme mostrado na Fig.84 ao lado.
O sinal de referncia necessrio para o
funcionamento do circuito comparador consiste em uma
fonte de tenso constante.
Como mostrado na Fig.85 ao lado, o diodo Zener
fornece uma tenso constante ao emissor do transistor. A
tenso do emissor naquela configurao corresponde ao
sinal de referncia do circuito.
A amostra geralmente fornecida ao circuito
comparador por um divisor de tenso resistivo,
como indicado na Fig.86.

70
A operao do circuito comparador baseia-se na variao da tenso baseemissor do transistor provocada pela variao do sinal de amostra.
No circuito da Fig.87, a tenso do emissor tem sempre o valor de referncia
fixado pelo diodo Zener, de forma que a tenso base-emissor do transistor dependa
apenas da tenso aplicada base, esta ltima representando o sinal de amostra.
VBE Vam - VZ
(1)
Fig.87 Parmetros eltricos do circuito comparador.
A tenso na sada do circuito comparador VS depende da tenso baseemissor do transistor. Se a tenso no ponto onde feita a tomada da amostra sofre,
por exemplo, um pequeno aumento, ocorre a seguinte seqncia de eventos no
comparador:
Devido ao alto ganho do transistor, uma pequena elevao na amostra do

sinal provoca uma grande reduo na tenso de sada do circuito.
Se por outro lado, a amostra do sinal sofre uma pequena reduo, isso
provoca um grande aumento na tenso de sada do circuito.
Conclui-se, portanto que o circuito comparador, alm de detectar a variao
na amostra do sinal, fornece na sada uma verso amplificada invertida,
proporcional quela variao.
71
6.3 Comparador de Atuao Inversa ou Direta

Um circuito comparador pode ser classificado como sendo de atuao direta
ou inversa, dependendo da forma como o sinal de sada se comporta em relao ao
sinal amostrado.
6.3.1) Comparador Atuao Inversa
Um circuito comparador pode ser classificado como de atuao inversa
quando o sinal de sada varia em sentido oposto variao do sinal amostrado. Os
circuitos comparadores compostos por apenas um transistor so sempre de atuao
inversa, como indicado na Fig.88.
Fig.88 Comparador de atuao inversa.
6.3.2) Comparador de Atuao Direta

O comparador de atuao direta fornece um sinal de sada que varia de forma
proporcional e no mesmo sentido de variao da amostra do sinal. Esses
comparadores so constitudos, normalmente, por circuitos mais complexos. Um dos
mais simples comparadores de atuao direta mostrado na Fig.89.
72
Fig.89 Circuito comparador de atuao direta empregando dois transistores .
O comparador mostrado na Fig.89 composto de dois comparadores de

atuao inversa, configurados em cascata, de forma que a amostra do sinal Vam
sofre duas inverses sucessivas para produzir na sada um sinal VS que varia na
mesma proporo e no mesmo sentido de variao do sinal de entrada Vent.
O diagrama mostrado na Fig.90 mostra o princpio de funcionamento do
comparador de atuao direta submetido a um aumento no sinal de entrada.
Fig.90 Atuao do comparador da Fig.89 submetido a um aumento do sinal de entrada.
6.4 Fonte Regulada Com Comparador

A fonte regulada com comparador um circuito eletrnico destinado a
fornecer um valor de tenso contnua constante na sada, quando a corrente de
carga e a tenso de entrada variarem entre valores limites preestabelecidos. Uma
representao simplificada de uma fonte regulada com comparador est mostrada
na Fig.91.
73
Fig.91 Bloco representativo da funo de uma fonte regulada.
A fonte regulada com comparador uma verso mais elaborada dos circuitos
reguladores convencionais, sendo utilizada para alimentao de equipamentos que
demandem uma alta estabilidade nas tenses de operao .
6.4.1) Diagrama de Blocos
A Fig.92 mostra o diagrama de blocos completo de uma fonte regulada com
comparador.
Fig.92 Diagrama de blocos de uma fonte regulada com comparador .
Os trs primeiros blocos mostrados na Fig.92 representam a transformao

da tenso alternada da rede em tenso contnua filtrada, e desempenham as
seguintes funes:
Converso de nvel: Esse bloco utilizado para a obteno do nvel de tenso
alternada necessrio na retificao, a partir das tenses padronizadas das redes
eltricas (110V, 220V).
74
Retificao: Esse bloco faz a transformao de tenso alternada em contnua

pulsada. Esse processo executado com o emprego de diodos, ligados de forma a
fornecer uma retificao de meia onda ou de onda completa.
Filtragem: Esse bloco tem por objetivo aproximar a forma de tenso, na sada da
retificao, de uma tenso contnua pura.
Os blocos
restantes
na
Fig.92
compem
mdulo
regulao
desempenham as seguintes funes:

Referncia: Esse bloco representa o componente ou circuito que tem por finalidade
fornecer a tenso de referncia necessria para o funcionamento do comparador.
Amostragem: A finalidade desse bloco fornecer uma parcela da tenso de sada
ao comparador.
Comparao: Esse bloco compara as tenses de amostra e referncia,
fornecendo na sada uma tenso proporcional diferena entre aqueles dois sinais.
O circuito comparador atua tambm como amplificador da diferena entre as
tenses da amostra e da referncia.
Controle: Representa o transistor regulador, que recebe na base a tenso de sada
do comparador e realiza a correo na tenso de sada da fonte.
A compreenso da funo desempenhada por cada bloco, bem como a
identificao de seus componentes muito importante, pois facilita a manuteno e
reparo da fonte regulada.
6.4.2) Diagrama de Circuito
A Fig.93 apresenta o diagrama de circuito correspondente a fonte regulada
com comparador.
Fig.93 Circuito de uma fonte regulada com comparador.
75
As funes referentes a amostragem, referncia e controle identificadas no

diagrama de circuito da Fig.93 so analisadas a seguir.
AMOSTRAGEM
Em um circuito de fonte de alimentao, a tenso definida como tenso de

sada a tenso cc fornecida pela fonte, conforme ilustrado na Fig.94.
Fig.94 Definio da tenso de sada em uma fonte de alimentao cc.
Para obter informao do comportamento da tenso de sada necessria a

obteno de uma amostra que represente, com fidelidade, possveis variaes que
ocorram na sada. Nas fontes de alimentao utiliza-se um divisor de tenso para a
obteno da amostra, conforme ilustrado na Fig.95.
Fig.95 Divisor de tenso para obteno de uma amostra da tenso de sada.
Como em muitas ocasies necessrio ajustar o nvel da tenso da amostra,

os divisores de tenso usualmente dispem de um potencimetro ou trimpot, como
se pode observar na Fig.95.
REFERNCIA
A referncia consiste em uma tenso de valor constante, que independe das
variaes na corrente de carga ou no nvel da tenso de entrada. Essa funo pode
ser obtida com o uso de um diodo Zener que fornece uma tenso fixa de referncia.
A Fig.96 mostra duas configuraes que possibilitam a obteno da tenso de
referncia.
Fig.6 Dois arranjos possveis para obteno da tenso de referncia.
76
COMPARAO
No circuito compondo a fonte de alimentao, o bloco do circuito
comparador configurado como mostrado na Fig.97.
Fig.97 Configurao do circuito comparador na fonte de alimentao.
A funo de comparao pode ser executada por apenas um transistor ou por

circuitos
mais
elaborados.
Quando
apenas
um
transistor empregado como comparador, a tenso de

referncia aplicada ao emissor e a tenso da amostra
aplicada base, como mostrado na Fig.98 ao lado..
Na configurao mostrada na Fig.98, a corrente
drenada pelo coletor do transistor comparador depende
da diferena entre as tenses da amostra e do emissor. Essa diferena corresponde
tenso VBE do transistor Fig.98 Circuito para a comparao entre amostra e
referncia.
CONTROLE
O elemento de controle da fonte de alimentao interpreta o sinal
proveniente do comparador e efetua a correo de forma a manter a tenso de
sada constante.
A Fig.99 ao lado, mostra os
componentes do bloco de controle.
O
transistor
de
controle
sofre
variaes na tenso VCE entre

coletor e emissor de forma a manter
a tenso de sada sempre constante.
6.4.3) Princpio de Funcionamento do Circuito Regulador
O princpio de funcionamento do circuito regulador pode ser analisado sob
dois aspectos distintos:
Funcionamento com variao na tenso de entrada.

77
Funcionamento com variao na corrente de carga .
Variao na Tenso de Entrada

Os efeitos decorrentes de variaes na tenso de entrada podem ser
analisados tomando-se como condio inicial os parmetros eltricos definidos na
Fig.100.
Fig.100 Bloco regulador da fonte cc e parmetros eltricos correspondentes.
Quando ocorre um aumento na tenso de entrada Vent, a tenso VB1, na

base do transistor T1, tende a se elevar momentaneamente, fazendo que a tenso
de sada VS tambm aumente, como indicado na Fig.101.
Fig.101 Efeito produzido por um aumento momentneo na tenso de entrada.
78
Entretanto, a elevao na tenso de sada faz que a tenso VB2, fornecida

base de T2 pelo circuito de amostragem se eleve, resultando em uma elevao da
tenso VBE2 do transistor T2, como mostrado na Fig.102.
Fig.102 Aumento produzido na base do transistor T2 devido ao aumento na tenso de sada.
O valor mais elevado da tenso VBE2 provoca um aumento na corrente de

base do transistor T2 e conseqentemente ocorre um aumento na corrente drenada
pelo coletor daquele transistor. Essa seqncia de eventos est representada no
diagrama a seguir:
Com o aumento na corrente IC2, a tenso VCE2 que havia aumentado, agora
diminui fazendo que a tenso na base do transistor T1 retorne a um valor bem
prximo do inicial, conforme indicado na Fig.103.
79
Fig.103 Efeito final produzido na tenso de sada aps um aumento na tenso de entrada.
Todo o processo ocorrido aps o aumento na tenso de entrada est

sumarizado no diagrama de blocos mostrado na Fig.104.
Fig.104 Diagrama de blocos representativo da seqncia de eventos decorrentes de um aumento na

tenso de entrada do estgio regulador.
Se, por outro lado, a tenso de entrada diminui, o comportamento do circuito

segue a seqncia de eventos mostrada na Fig.105.
80

Fig.105 Diagrama de blocos representativo da seqncia de eventos decorrentes de uma diminuio
na tenso de entrada do estgio regulador.
Variao na Corrente de Carga

Os efeitos decorrentes de variaes na corrente de carga podem ser analisados
tomando-se como condio inicial os parmetros eltricos definidos na Fig.106.
Fig.106 Bloco regulador da fonte cc e parmetros eltricos correspondentes.
Na anlise do comportamento do circuito, mostrado na Fig.106, perante

variaes na corrente de carga, vale observar o seguinte aspecto:
Qualquer acrscimo na corrente I C2 provoca um decrscimo na corrente I B1 e viceversa.
Isso conseqncia do fato de um aumento na corrente IC2 provocar uma
diminuio na tenso VCE2 indicada na Fig.106. Isso reduz a tenso VB1, e por
conseguinte tenso VBE1. O efeito resultante portanto uma reduo na corrente
IB1.
A partir dessas consideraes, o comportamento do circuito regulador pode
ser analisado admitindo-se inicialmente uma diminuio no valor da resistncia de
carga. Isso produz uma diminuio momentnea na tenso VS.
Como VS = VB2, a tenso VBE2 tende a diminuir, devido ao valor fixo da
tenso no diodo Zener, conforme ilustrado na Fig.107.
81
Fig.107 Efeito sobre o transistor T2 produzido por uma diminuio na corrente de carga.
A diminuio na tenso VBE2 provoca um decrscimo na corrente IB2

fazendo que a corrente IC2, indicada na Fig.107, tambm diminua. Como observado
anteriormente, a diminuio em IC2 deve ser balanceada por um aumento na
corrente IB1 , injetada na base do transistor T1, como indicado na Fig.108.
Fig.108 Efeito produzido sobre as correntes no circuito aps a diminuio da corrente de carga.
Com o acrscimo da corrente IB1 aumenta tambm a corrente de coletor IC1

no transistor T1. Esse aumento provoca por sua vez um aumento na corrente de
carga, elevando, portanto a tenso de sada de volta para seu valor nominal, como
82
Fig.109 Efeito produzido de volta na sada aps a atuao dos elementos do circuito regulador.
O diagrama mostrado na Fig.110 resume o comportamento do circuito sob o

efeito de uma diminuio inicial na corrente de carga.
Fig.110 Sumrio dos efeitos decorrentes de uma diminuio na corrente de carga no circuito
regulador.
Quando a corrente de carga aumenta, a seqncia de alteraes observadas

no circuito regulador segue o esquema representado no diagrama de blocos da
Fig.111.
83

Fig.111 Sumrio dos efeitos decorrentes de um aumento na corrente de carga no circuito regulador.
6.5 Circuitos Adicionais Utilizados nas Fontes Reguladas

Alm dos componentes utilizados nas configuraes mais simples de fontes
reguladas, podem-se acrescentar outros componentes ou mesmo circuitos para
melhoria das caractersticas de funcionamento. Alguns exemplos so:
Transistores em configurao Darlington.
Circuito para limitao da corrente de curto-circuito.
6.5.1) Configurao Darlington

A configurao Darlington, mostrada na Fig.112 abaixo, uma forma especfica de
ligao entre dois transistores. Essa forma de ligao tem caractersticas singulares.
O princpio de funcionamento da configurao Darlington pode ser

compreendido a partir da anlise do circuito simples mostrado na Fig.113.
Como pode ser a observado, o resistor RB
fornece uma corrente de base IB1 ao transistor T1.
Essa corrente amplificada por T1, gerando uma
corrente de coletor:
IC1 1 . IB1
Admitindo-se a aproximao: IE1 IC1

conclui-se que:
IE1 1 . IB1
(1)
Como mostrado na Fig.113 ao lado, a

corrente IE1 flui para a base de T2, e portanto IB2 IE1 1 . IB1
O transistor T2 amplifica a corrente de base, gerando uma corrente de coletor:
IC2 2 . IB2 2 . 1 . IB1
Como a corrente de carga IR, mostrada na Fig.113 a soma I R = IC2 + IC1 ,

obtm-se:
84

IR 1 . IB1 2 . 1 . IB1
IR 1 .( 2 1 ) . IB1
, ou equivalentemente:
(2)
Admitindo conhecida a corrente de carga, a corrente na base do transistor T1

pode ser obtida diretamente da Eq.(2), resultando em:
IB1
IR
1. ( 2 1)
(3)
A Eq.(3) mostra que, devido aos valores tipicamente altos para os ganhos dos
dois transistores, uma carga exigindo um alto valor de corrente pode ser controlada
atravs de uma corrente na base do transistor T1, que pode chegar a ser centenas
ou at milhares de vezes inferior.
Por exemplo, comparando-se as duas situaes mostradas na Fig.114, para
se obter uma corrente de carga de 2A, com apenas um transistor de ganho = 50, a
corrente de base necessria vale:
IB1
IR
2
40mA
1 50
Por outro lado, para a configurao Darlington da Fig. 114b, com dois
transistores de ganhos 1=2=50 obtm-se:
IB1
IR
2
2
800 A
1. ( 1) 50. (50 1) 50 . 50
Fig.114 (a) Amplificador de corrente com apenas um transistor. (b) Amplificador na configurao
Darlington.
85
Esse resultado mostra que a configurao Darlington permite a utilizao de

uma corrente de base muito menor do que aquela obtida com o uso de apenas um
transistor.
A Fig.115 mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que utiliza transistores
ligados na configurao Darlington.
Fig.115 Circuito regulador de uma fonte de alimentao que utiliza a configurao Darlington.
Como vantagens fundamentais de utilizao da configurao Darlington no

circuito regulador, pode-se destacar:
As variaes de corrente no diodo Zener em funo da corrente de carga so

menores, aumentando assim a estabilidade da tenso de sada.
Uma menor dissipao de potncia obtida no diodo Zener.
86
7 Amplificador Em Emissor Comum

O estgio amplificador que utiliza um transistor na configurao emissor
comum, ilustrada na Fig.116, proporciona um alto ganho de tenso e de corrente.
Isso permite que essa configurao seja largamente empregada na construo de
amplificadores de potncia.
Fig.116 Estgio amplificador com transistor na configurao emissor comum.

O princpio de funcionamento do estgio amplificador na configurao emissor
comum pode ser analisado com base na Fig.117.
Fig.117 Circuito de um estgio amplificador na configurao emissor comum.
De acordo com a Fig.117, a corrente de base pode ser obtida da expresso:

IB I1 Ient
(1)
Onde Ient a corrente associada ao sinal de entrada e I1 a corrente no

resistor R1 da Fig.117.
Com a entrada em aberto, ou seja, com Ient = 0, o transistor opera no ponto
quiescente Q mostrado na Fig.118. Os parmetros quiescente, obtidos da Fig.118,
so:
Corrente de base IBQ = I1.

87
Tenso coletor-emissor VCEQ.
Corrente de coletor ICQ.

Para uma variao senoidal da
corrente de entrada, a corrente de base

pode ser obtida pela soma dada pela Eq.
(1). Essa soma est indicada graficamente
na Fig.119. Como pode ser a observado, a
corrente de base varia senoidalmente em
torno do valor quiescente IBQ=I1.
Fig.118 Ponto quiescente para o circuito da Fig.117 na ausncia de um sinal

de entrada.
Fig.119 Componentes da corrente de base para uma corrente de entrada senoidal.
No semiciclo em que a corrente

de entrada positiva, a corrente de
base excede o valor quiescente I1. Isso
faz que o ponto de operao se mova
sobre
reta
de
carga,
conforme
indicado na Fig.120 ao lado, ou seja,

com a corrente de coletor aumentando
e a tenso coletor-emissor diminuindo.
Esse aumento na corrente de coletor
88
prossegue at o instante de tempo em que a corrente de entrada atinge seu valor

mximo Imx .
Esse instante de tempo define um novo ponto quiescente Q, indicado na
Fig.120. De acordo com a Eq.(1), nesse novo ponto de operao a corrente de base
assume o valor mximo:
IBQ I1 Imx IBQ Imx
Correspondente a uma corrente de coletor mxima ICQ e uma tenso coletoremissor mnima VCEQ.
Quando
corrente
de
entrada
retorna ao valor nulo o ponto de

operao do circuito retorna a sua
posio inicial Q.
A partir desse momento a
corrente de entrada passa a se
tornar negativa, fazendo que o ponto
de operao se mova como indicado
na Fig.121 ao lado, ou seja, com a
corrente de coletor diminuindo e a
tenso coletor-emissor aumentando.
Fig.121
Alterao no ponto
de
operao durante o perodo de decrscimo da corrente de entrada.
7.2 Desacoplamento do Emissor

Nos estgios amplificadores em que o emissor est conectado diretamente ao
terra, como mostrado na Fig.122, o ganho elevado, geralmente maior do que 50.
Como desvantagem, aquele tipo de circuito tem baixa estabilidade trmica, sendo
adequado para estgios amplificadores que no estejam sujeitos a variaes muito
amplas de temperatura. Por outro lado, o resistor de emissor, quando includo no
circuito, reduz sensivelmente o seu ganho, que passa a se situar tipicamente em um
valor prximo a 10.
89
Fig.122 Amplificador com o emissor do transistor conectado ao terra.
Observao: Em um estgio amplificador polarizado por divisor de tenso a

estabilidade trmica pode ser melhorada acrescentando-se um resistor de emissor
ao circuito. Por outro lado, essa modificao reduz o ganho do estgio.
Para otimizar o desempenho do amplificador, utiliza-se um capacitor de
desacoplamento conectado em paralelo com o resistor de emissor, conforme
indicado na Fig.123, que permite a obteno de um estgio amplificador
termicamente estvel e com ganho elevado.
Fig.123 Amplificador com capacitor de desacoplamento conectado em paralelo com o resistor de

emissor.
Se o capacitor de desacoplamento tiver uma reatncia muito baixa, ele atuar

como um curto-circuito apenas em relao componente varivel do sinal
amplificado.
Como ilustrado na Fig.124, na ausncia de um sinal de entrada o capacitor
comporta-se como um circuito aberto, no alterando as tenses de polarizao e,
portanto, o ponto de operao do circuito.
90

Fig.124 Atuao do capacitor de desacoplamento na ausncia de um sinal na entrada do circuito
amplificador.
Aplicando-se um sinal na entrada do amplificador, o capacitor comporta-se

idealmente como um curto-circuito em relao parcela varivel da tenso do
emissor, como ilustrado na Fig.125. Do ponto de vista da parcela varivel da tenso
do emissor, tudo se passa como se o emissor estivesse ligado diretamente ao terra.
Dessa forma pode-se obter um estgio amplificador com ganho da ordem de 50 e
com boa estabilidade trmica.
Fig.125 Atuao do capacitor de desacoplamento na presena de um sinal na entrada do circuito

amplificador.
Para que o capacitor realize o desacoplamento adequado, sua reatncia deve

ser pequena. Na prtica, na menor freqncia de operao do amplificador, o valor
da reatncia deve ser pelo menos 10 vezes menor do que a resistncia do resistor
de emissor. Por essa razo, capacitores de desacoplamento utilizados em
amplificadores, so do tipo eletroltico com capacitncias entre 1F e 50F.
A Fig.126 mostra um estgio amplificador completo, com os elementos de
polarizao, de acoplamento e de desacoplamento.
Fig.126 Estgio amplificador completo.
7.3 Parmetros do Estgio Amplificador

91
Os parmetros comumente utilizados na caracterizao de um estgio

amplificador so os seguintes:
Ganho de corrente.
Ganho de tenso.
Impedncia de entrada.
Impedncia de sada.
7.3.1) Ganho de Corrente

O ganho de corrente de um estgio amplificador, representado pelo parmetro AI,
definido como sendo a relao entre as variaes das correntes de sada IS, e de
entrada Ient, ou equivalentemente:
AI
IS
Ient
(4)
O ganho de corrente do estgio amplificador na configurao emissor comum

equivale ao prprio ganho de corrente do transistor b, e pode ser considerado
genericamente como alto, com um fator de algumas dezenas.
7.3.2) Ganho de Tenso
O ganho de tenso de um estgio amplificador definido pela relao:
AV
VS
Vent
(5)
Na configurao emissor comum o ganho de tenso fortemente dependente

dos valores dos elementos polarizadores e das correntes de polarizao, dificultando
a determinao analtica desse parmetro. Entretanto, o ganho de tenso pode ser
obtido diretamente, medindo-se as tenses de sada e de entrada com um
osciloscpio.
Em termos de classificao genrica, o ganho de tenso na configurao
emissor comum tambm pode ser considerado como alto, tendo um fator tpico de
algumas dezenas.
7.3.3) Impedncia de Entrada
A impedncia de entrada Zi a resistncia oferecida pelos terminais de
entrada do amplificador passagem da corrente associada ao sinal, como ilustrado
na Fig.127.
92
Fig.127 Impedncia de entrada de um amplificador.
A impedncia de entrada de amplificadores na configurao emissor comum

geralmente de algumas centenas de ohms, sendo classificada genericamente como
mdia.
A determinao terica da impedncia de entrada requer a manipulao
matemtica das equaes do circuito amplificador. Para evitar as complicaes
envolvidas no tratamento analtico, pode utilizar-se uma tcnica simples de medio
desse parmetro. A tcnica requer o emprego de um potencimetro conectado em
srie a um dos terminais de entrada do estgio amplificador, como mostrado na
Fig.128.
Fig.128 Tcnica de medio da impedncia de entrada de um amplificador.
A tcnica de medio consiste na execuo dos seguintes passos:
Selecionando um valor nulo para a resistncia do potencimetro mostrado na
Fig.128, ajusta-se a tenso pico a pico no ponto A para um valor pr-definido VApp.
Ajusta-se ento o potencimetro at que a tenso no ponto B, VBpp diminua
para a metade da tenso aplicada ao ponto A, ou seja, na condio:

VBpp
VApp
2
Quando essa condio for atingida, a resistncia do potencimetro torna-se

igual impedncia de entrada do estgio, pois metade da tenso aplicada entre os
93
terminais do potencimetro, com a outra metade residindo entre os terminais de

entrada do circuito equivalente mostrado na Fig.128. Pode-se, ento, desconectar o
potencimetro do circuito, sem alterar a posio do cursor, e medir a sua resistncia
que fornece o parmetro Zi do amplificador.
O conhecimento da impedncia de entrada de um amplificador importante
para a obteno do correto casamento de impedncias na conexo com uma fonte
de sinal.
7.3.4) Impedncia de Sada
O conhecimento da impedncia de sada de um amplificador, representada
pelo parmetro Zo, tambm importante para a conexo adequada da sada do
estgio com outro circuito. O valor da impedncia de sada pode ser determinado
analiticamente, a partir de um tratamento matemtico das equaes do circuito.
Entretanto, o valor pode tambm ser medido de uma forma simples, utilizando-se um
potencimetro na sada do circuito, conforme indicado na Fig.129.
A tcnica de medio consiste na execuo dos seguintes passos:
Com a chave do circuito da Fig.129 desligada, mede-se a tenso pico a pico

VApp do sinal presente no ponto A.
Liga-se a chave e ajusta-se ento o potencimetro at que a tenso VApp

diminua para a metade de seu valor inicial
Quando essa condio for atingida, a resistncia do potencimetro tem o
mesmo valor da impedncia de sada do estgio.
Fig.129 Tcnica de medio da impedncia de sada de um amplificador.
Nos processos de medio dos parmetros Z i e Zo o gerador de sinais deve

ser ajustado de forma a no distorcer o sinal de sada, evitando assim a obteno de
valores incorretos para aqueles parmetros.
94
Os estgios amplificadores em emissor comum tm uma impedncia de sada

que pode ser classificada como alta, podendo atingir alguns milhares de ohms.
As caractersticas principais de um amplificador na configurao emissor
comum esto sumarizadas na Tabela 1.
7.4 Questionrio
1. O que se entende por sinal eltrico?
2. Que caracterstica de um sinal senoidal modificada aps sua amplificao e

quais caractersticas permanecem inalteradas?
3. Quais so os tipos de estgios amplificadores e quais so os seus ganhos
tpicos?
4. Quais so as caractersticas principais de um estgio amplificador na
configurao emissor comum?
5. Em um estgio amplificador na configurao emissor comum, quais as relaes
de fase entre a corrente e tenso de coletor e a tenso de entrada?
6. Como pode ser realizado o bloqueio da componente cc de um sinal entre estgios
amplificadores?
7. Que efeitos so produzidos pela adio de um resistor de emissor em um
amplificador na configurao emissor comum?
8. A que propsito serve o capacitor de desacoplamento da Fig.21?
9. Quais so os parmetros representativos e seus valores tpicos em um
amplificador na configurao emissor comum?
95
8 Amplificador Em Base Comum

Um transistor com terminais conectados na configurao base comum,
mostrada na Fig.130, permite confeccionar amplificadores de alto ganho de tenso.
Fig.130 Transistor na configurao base comum.
A forma mais simples do estgio amplificador com transistor na configurao

base comum utiliza duas fontes de alimentao, conforme mostrado na Fig.131.
Fig.131 Amplificador na configurao base comum empregando duas baterias.
Na forma mostrada na Fig.131, o transistor fica polarizado na regio ativa

com as baterias desempenhando as seguintes funes:
B1: polariza diretamente a juno base-emissor.
B2: polariza inversamente a juno base-coletor.

O estgio amplificador com transistor na configurao base comum pode
tambm ser montado com apenas uma fonte de alimentao, conforme mostrado na
Fig.132.
Fig.132 Amplificador na configurao base comum empregando apenas uma bateria.
So os seguintes os elementos de circuito mostrados na Fig.132:

96
RE: resistor de emissor.
RC: resistor de coletor.
CE: capacitor de acoplamento de entrada.
CS: capacitor de acoplamento de sada.
CB: capacitor de desacoplamento de base.
RB1 e RB2: elementos do divisor de tenso.

Para um sinal ca de entrada, pode utilizar-se o modelo ideal de um elemento
em curto em substituio a cada capacitor do circuito da Fig.132. Em particular, o

terminal da base do transistor permanece efetivamente aterrado e o estgio pode
ser representado pelo circuito equivalente mostrado na Fig.133.
Fig.133 Circuito equivalente do estgio amplificador da Fig.132 para um sinal ac de entrada.

O funcionamento do amplificador em base comum baseia-se na influncia
exercida pelo sinal de entrada sobre a tenso base-emissor do transistor. Na anlise
do comportamento do circuito deve-se considerar que no amplificador com transistor
na configurao base comum da Fig.132, o potencial VB permanece constante. O
valor de VB fixado pelo divisor de tenso e pelo capacitor de acoplamento,
mostrados na Fig.132.
Na ausncia de um sinal de entrada, os parmetros eltricos do circuito so
aqueles obtidos no seu ponto de operao. A partir dessa considerao, e notando
que na ausncia de um sinal de entrada, os parmetros eltricos do circuito so
aqueles definidos no ponto de operao, pode analisar-se o comportamento do
amplificador em duas situaes:
Com sinal de entrada positivo.
Com sinal de entrada negativo.

97
8.1.1) Com Sinal de Entrada Positivo

Quando um sinal positivo aplicado entrada do circuito, conforme ilustrado
na Fig.134, ocorre um aumento da tenso no resistor de emissor, uma vez que:
VE VEQ Vent
Onde VEQ o valor quiescente da tenso no resistor de emissor.

Como o potencial no terminal da base fixo, o aumento em VE provoca a
reduo na tenso VBE, diminuindo a corrente IB injetada na base do transistor.
Esta por sua vez produz um decrscimo na corrente de coletor IC. Fig.134
Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal positivo entrada do
amplificador.
A seqncia de eventos ilustrada na Fig.134 pode ser representada de

acordo com o diagrama:
Dessa forma uma verso amplificada do semiciclo positivo do sinal de entrada

transferida para a sada do circuito, conforme ilustrado na Fig.135.
98
Fig.135 Tenso de sada durante o semiciclo positivo do sinal de entrada.
8.1.2) Com Sinal de Entrada Negativo

Utilizando uma anlise semelhante quela conduzida anteriormente, a
existncia de um sinal negativo na entrada do circuito amplificador produz a
seqncia de eventos ilustrada na Fig.136.
Fig.136 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal negativo entrada do

amplificador.
A seqncia de eventos ilustrada na Fig.136 est representada no diagrama a

seguir:
99
Dessa forma, em ambos os semiciclos

considerados, a tenso de sada do circuito uma verso
amplificada da tenso associada ao sinal de entrada.
A Fig.137 mostra a dependncia no tempo dos
parmetros Vent, VCE e IC durante um ciclo completo do
sinal de entrada, e demonstra as seguintes caractersticas
inerentes aos estgios amplificadores a transistor na
configurao base comum:
A dependncia temporal da corrente de coletor

encontra-se deslocada de um semiciclo em relao
quela associada ao sinal de entrada.
A tenso de coletor uma verso amplificada com a

mesma fase da tenso associada ao sinal de entrada.
Fig.137 Dependncia temporal dos parmetros
Vent, VCE e IC para o amplificador em base comum.
8.2 Parmetros do Estgio Amplificador Em Base Comum

No estgio amplificador com transistor na configurao base comum as
correntes de entrada e de sada correspondem s correntes de emissor e de coletor,
respectivamente. O ganho de corrente, definido pela relao:
AI
Isada
Ientrada
Para o amplificador em base comum se torna:

AI
IC
IE
(1)
Como IC sempre menor do que IE, conclui-se da Eq.(1), que o ganho de

corrente sempre menor do que 1, situando-se tipicamente na faixa 0,95 AI
0,999. Na prtica pode-se, portanto considerar o ganho de corrente em base comum
como sendo unitrio, i.e., AI 1.
100
Os estgios amplificadores em base comum utilizam geralmente um resistor

de coletor, cujo valor de resistncia pode variar tipicamente de vrias dezenas a
vrias centenas de quiloohms, resultando em ganhos de tenso que podem chegar
a algumas centenas. Portanto, o ganho de tenso do estgio amplificador em base
comum pode ser classificado, genericamente, como sendo alto.
Nos estgios amplificadores o sinal de entrada aplicado ao terminal do
emissor e a base aterrada diretamente ou atravs de um capacitor de
desacoplamento, como mostrado na Fig.132. Dessa forma, o sinal de entrada
aplicado diretamente juno base-emissor do transistor.
Como durante a operao normal, a juno base-emissor permanece
polarizada diretamente, a impedncia de entrada de no mximo, algumas dezenas
de ohms. Portanto, a impedncia de entrada para esse tipo de estgio amplificador
pode ser classificada, genericamente, como sendo baixa.
A impedncia de entrada pode ser medida com o emprego de um
potencimetro na entrada como ilustrado na Fig.138, seguindo os mesmos
princpios j descritos anteriormente para a medio desse parmetro no estgio
amplificador em emissor comum.
Fig.138 Tcnica utilizada para medio da impedncia de entrada de um amplificador em base

comum.

Para qualquer amplificador, a impedncia de sada definida como a relao
entre variaes de tenso e de corrente, ou seja:
ZO
VC
IC
(2)
101
Devido ao alto valor do parmetro RC de um estgio amplificador em base

comum, grandes variaes na tenso de sada so produzidas por pequenas
variaes na corrente de coletor. Dessa forma, a Eq.(2) indica que a impedncia de
sada para esses tipos de estgios amplificadores deve ser alta, situando-se na faixa
de dezenas a centenas de quiloohms.
A Tabela 1 resume as principais caractersticas de um estgio amplificador a
transistor na configurao base comum.
8.3 Aplicaes
Caracteristicamente os estgios amplificadores em base comum apresentam
baixa impedncia de entrada e alta impedncia de sada. Essas propriedades
permitem que esses circuitos sejam utilizados como elementos casadores de
impedncia, podendo interligar um estgio de baixa impedncia de sada a outro de
alta impedncia de entrada, conforme ilustrado na Fig.139.
Fig.139 Emprego do estgio amplificador em base comum na interligao de circuitos de

impedncias distintas.
Outra aplicao caracterstica dos amplificadores em base comum ocorre na

confeco de circuitos para operao em freqncias acima de 50 MHz, tais como
aqueles utilizados em sistemas de comunicaes convencionais.
102
9 Amplificador Em Coletor Comum

Um transistor com terminais conectados na configurao coletor comum,
mostrada na Fig.140, permite confeccionar amplificadores de alto ganho de
corrente, com um ganho de tenso praticamente unitrio.
Fig.140 Transistor na configurao coletor comum.
Os amplificadores em coletor comum

so empregados geralmente como estgios
amplificadores
de
potncia
em
fontes
reguladas e em amplificadores de som.

Um diagrama de circuito tpico para
esse
tipo
do
estgio
amplificador
mostrado na Fig.141 ao lado.

Como
mostrado
na
Fig.141,
terminal do coletor do transistor fica conectado diretamente fonte de alimentao e

a carga do circuito conectada ao terminal do emissor. So os seguintes os
elementos de circuito mostrados na Fig.141:
RB: resistor de polarizao da base do transistor.
RE: resistor de carga do transistor.
CE: capacitor de acoplamento de entrada.
CS: capacitor de acoplamento de sada.

O terminal do coletor considerado terminal comum pois a fonte apresenta
uma impedncia baixssima na presena de sinais ca. Dessa forma, sempre que o
circuito amplifica um sinal, o coletor pode ser considerado como estando aterrado,
equivalendo, portanto a um terminal comum entrada e sada do sinal.
103

O princpio de funcionamento do circuito da Fig.142 pode ser descrito
considerando inicialmente que o estgio amplificador esteja polarizado no ponto de
operao, com as tenses e correntes indicadas na Fig.142.
Fig.142 Parmetros eltricos do amplificador em coletor comum na ausncia de um sinal de entrada.
Quando um sinal positivo aplicado entrada do circuito, conforme ilustrado

na Fig.143, ocorre um aumento na tenso de polarizao da base, de acordo com a
relao:
VB VBQ Vent
Onde VBQ o valor quiescente da tenso no terminal da base.
Fig.143 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal positivo na entrada do

amplificador.
Como indicado na Fig.143, o aumento na tenso de base produz um aumento

na tenso VBE entre base e emissor, provocando uma elevao na corrente de base
104
IB. Isso produz um aumento nas correntes de coletor e de emissor do transistor,

elevando a queda de tenso no resistor de emissor.
Deve-se observar no entanto que a corrente de emissor aumenta at um valor
tal que a tenso no terminal de emissor seja bem prxima tenso no terminal da
base, com a diferena sendo determinada pela tenso de polarizao direta da
juno base-emissor, ou seja:
VE =VB -VBE
Verifica-se dessa forma que a queda de tenso sobre o resistor de emissor
tem a mesma fase do sinal de entrada com uma diferena de amplitude igual a VBE,
que para transistores de silcio da ordem de 0,7 V.
A seqncia de eventos ilustrada na Fig.143 pode ser representada de acordo com
o diagrama:
Utilizando uma anlise semelhante quela conduzida anteriormente, a

existncia de um sinal negativo na entrada do circuito amplificador, produz a
seqncia de eventos ilustrada na Fig.144.
Fig.144 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal negativo na entrada do

amplificador.
A seqncia de eventos ilustrada na Fig.144 est representada no diagrama a

seguir:
105
Devido ao fato de a tenso do emissor seguir a tenso da base, o estgio

amplificador com transistor na configurao coletor comum tambm denominado
de estgio seguidor de emissor.
9.2 Parmetros do Estgio Amplificador Coletor Comum

Considerando que a variao na tenso de sada praticamente igual
variao na tenso de entrada, conclui-se que o ganho de tenso do estgio
amplificador em coletor comum pode ser considerado unitrio, ou seja:
AV 1

Para que se desenvolva sobre o resistor de emissor, que normalmente de
baixa resistncia, uma tenso de amplitude praticamente igual quela da base, a
corrente de emissor do transistor tende a assumir valores altos, quando comparada
com a corrente de base. Isso significa que o circuito apresenta uma amplificao de
corrente elevada entre base e emissor.
Como a corrente de coletor aproximadamente igual corrente de emissor, o
ganho
de
corrente
do
circuito
amplificador
em
coletor
comum
iguala
aproximadamente ao ganho de corrente do transistor, ou seja:

AI
IC IC
AI
IE IB
Em geral o ganho de corrente dos estgios amplificadores em coletor comum

pode ser considerado como alto.
Como em qualquer estgio amplificador, a impedncia de entrada depende
no apenas do transistor, como tambm de todos os componentes externos de
polarizao e acoplamento. Isso torna complexa a sua determinao matemtica.
106
De forma genrica pode-se dizer que a impedncia de entrada dos estgios

em coletor comum alta, situando-se tipicamente na faixa de algumas centenas de
ohms a alguns milhares de ohms.
A impedncia de entrada pode tambm ser medida com o emprego de um
potencimetro como ilustrado na Fig.145, seguindo os mesmos princpios j
descritos anteriormente para a medio daquele parmetro no estgio amplificador
em emissor e base comum.
Fig.145 Tcnica utilizada para medio da impedncia de entrada de um amplificador em base

comum.

A impedncia de sada do estgio amplificador em coletor comum depende de
uma srie de fatores, incluindo:
A impedncia interna do gerador (ou estgio ligado entrada).
Resistor de emissor.
Corrente de emissor.
De forma geral, a impedncia de sada est relacionada corrente de emissor
de acordo com as faixas de valores exibidos na Tabela 1.

Tabela 1 Relao aproximada entre a impedncia de sada e a corrente de
emissor.
107
As faixas de valores aproximados listados na Tabela 1 mostram que, mesmo

em baixas correntes, o valor da impedncia de sada sempre menor que algumas
dezenas de ohms.
Considerando ainda que esse tipo de estgio dificilmente operado com
correntes inferiores a 100mA, a impedncia de sada pode ser considerada na
prtica sempre inferior a 1.
Com base nessas consideraes a impedncia de sada de um estgio em
coletor comum pode ser classificada como muito baixa.
Apesar de ser possvel medir a impedncia de sada do estgio amplificador
em coletor comum, essa tarefa requer tcnicas sensveis de medio, tendo em
vista os altos valores de corrente no circuito, que impossibilitam o uso de
potencimetros. Adicione-se a isso as dificuldades associadas medio de
resistncias inferiores a 1.
A Tabela 2 resume as principais caractersticas de um estgio amplificador a
transistor na configurao coletor comum.
Tabela 2 Amplificador em coletor comum: caractersticas principais
9.3 Aplicaes:
Existem fundamentalmente trs aplicaes para os estgios seguidores de
emissor:
Etapa de sada em fontes reguladas.
Etapa de potncia em amplificadores.
Casamento de impedncias.
Dessas aplicaes, as duas primeiras correspondem quelas de utilizao
mais freqente, razo pela qual merecem uma anlise mais detalhada.
9.3.1) Etapa de Sada em Fontes Reguladas
As caractersticas mais importantes em uma fonte so:
108
Tenso de sada.
Impedncia interna.
A primeira caracterstica importante por motivos bvios. A segunda
caracterstica, impedncia ou resistncia interna importante devido queda de

tenso que surge na fonte quando esta fornece corrente a uma carga.
A Fig.146 mostra dois grficos que permitem comparar o desempenho de
uma fonte para resistncias internas distintas. Como pode ser a observado, a fonte
de menor resistncia interna mantm a tenso terminal V0 mais prxima de seu
valor nominal, quando a corrente de carga I0 aumenta. Isso leva a concluir que,
quanto menor for a impedncia ou resistncia interna de uma fonte, melhor ser o
seu desempenho.
Fig.146 Desempenho de duas fontes de impedncias distintas perante variaes na corrente de

carga.
Os estgios amplificadores em coletor comum, que apresentam baixssima

impedncia de sada podem portanto ser utilizados como estgios reguladores de
tenso em fontes de alimentao.
A Fig.147 mostra um estgio regulador de tenso a transistor j estudado
anteriormente. Esse estgio regulador nada mais do que um estgio amplificador
em coletor comum em que a tenso no terminal da base mantida constante pela
ao do diodo Zener.
109
Fig.147 Estgio regulador de tenso e seu equivalente na configurao coletor comum.
9.3.2) Etapa de Potncia em Amplificadores de udio

Uma das aplicaes mais utilizadas para os amplificadores em coletor comum
na construo de estgios amplificadores de potncia para sinais de udio.
A Fig.148 mostra o diagrama simplificado de um estgio de potncia, tambm
denominado de estgio de classe B, utilizando os transistores T2 e T3, ambos na
configurao coletor comum.
Fig.148 Diagrama simplificado de um estgio de potncia.
Considerando inicialmente que um sinal de udio esteja sendo amplificado, o

capacitor em srie com o alto-falante pode ser considerado como um curto-circuito,
como mostrado na Fig.149.
Dessa forma, toda vez que um sinal amplificado, o alto-falante funciona
como carga, estando ligado ao emissor de ambos os transistores. Portanto, a ao
isolada de cada transistor conectado ao alto-falante equivale quela de um estgio
amplificador na configurao coletor comum.
Essa configurao do estgio de potncia adequada para conexo direta
com o alto-falante por exibir uma baixa impedncia de sada, proporcionando assim
uma boa transferncia de potncia. Por essa razo esse tipo de estgio de potncia
muito utilizado em aparelhos portteis, tais como rdios e gravadores.
110
Fig.149 Poro do circuito da Fig.148.
9.4 Questionrio
1. Faa o desenho de um transistor na configurao coletor comum.
2. Quais so as faixas de valores tpicas dos parmetros associados ao amplificador
na configurao coletor comum?
3. Cite algumas aplicaes que fazem uso do amplificador na configurao coletor
comum.
111
10 Multivibrador Biestvel
O multivibrador biestvel um circuito eletrnico em que as sadas podem
assumir apenas dois estados distintos. O circuito do multivibrador biestvel, ou flipflop como tambm conhecido, composto basicamente de dois transistores
polarizados nos dois estados possveis de chaveamento.
Esse circuito configurado de tal forma que quando um dos transistores est
saturado o outro est em corte e vice-versa. A anlise do multivibrador biestvel
feita a seguir.

A Fig.150 mostra um tipo comum de circuito do multivibrador biestvel que
utiliza apenas um valor de tenso de alimentao. Existe tambm um outro circuito
para o multivibrador biestvel que utiliza duas tenses de alimentao, uma positiva,
outra negativa. No entanto a configurao mostrada na Fig.150 a mais utilizada
atualmente.
Fig.150 Configurao bsica de um multivibrador biestvel.
Antes de analisar o princpio de funcionamento do multivibrador conveniente

observar alguns aspectos importantes:
Ambos os transistores esto polarizados por corrente de base atravs de dois

resistores:
RC2 + RB1 _ resistncia de base para T1

RC1 + RB2 _ resistncia de base para T2
112
O potencial no terminal do coletor de um dos transistores utilizado para
alimentar o resistor de base do outro transistor, ou seja:

VC1 VBE2 tenso sobre RB2
VC2 VBE1 tenso sobre RB1
Essa ltima condio est ilustrada na Fig.151.
Fig.151 Tenses aplicadas nos resistores de base do multivibrador biestvel.
O tipo de interconexo dos transistores do multivibrador mostrado na Fig.150

tem uma particularidade: a saturao de um dos transistores fora a condio de
corte no outro.
Por exemplo, se T1 estiver saturado, ir comportar-se praticamente como
uma chave fechada de forma que VCE1 =0,3 V 0V, conforme mostrado na Fig152.
Esse pequeno valor de tenso insuficiente para alimentar o terminal de base de
T2, o que leva o transistor T2 condio de corte.
Fig.152 Circuito equivalente do multivibrador biestvel com T1 saturado.
Nessa condio o transistor T2 se comporta como uma chave aberta, de

forma que VCE2 VCC. Como se pode observar na Fig.153, esse alto valor de
113
tenso aplicado quase que totalmente sobre o resistor RB1 e a corrente resultante
IB1
VCC
suficiente para manter o transistor T1 saturado.
RB1
Fig.153 Circuito equivalente do multivibrador biestvel com T1 saturado e T2 no corte.
A condio de corte em T1, com T2 saturado, pode ser analisada de forma

semelhante. Assim, na ausncia de interferncia externa, o multivibrador
permanecer estvel com um transistor saturado e outro transistor na condio de
corte.
Em resumo, na ausncia de interferncia externa o multivibrador biestvel
permanece em um dos seguintes estados:
importante tambm observar que os dois transistores tm os emissores

ligados ao mesmo resistor RE, conforme mostrado na Fig.154. Essa configurao
mantm aproximadamente fixo o potencial VE da Fig.154.
Fig.154 Poro do circuito do multivibrador biestvel.
114
Essa afirmativa pode ser verificada notando inicialmente que a queda de

tenso no resistor de emissor depende das correntes de emissor dos dois
transistores, sendo dada por:
VE RE. (IE1 IE2)
Essa ltima expresso indica, por exemplo, que um aumento na corrente IE1,
causado por um acrscimo na corrente IB1 resulta em um aumento no potencial VE.
Isso implica uma diminuio da tenso VBE2 que por sua vez causa um decrscimo
na corrente IB2. Como resultado a corrente IC2 e conseqentemente a corrente IE2
diminuem. Essa seqncia de eventos pode ser representada pelo diagrama:
Como se pode observar no diagrama, os efeitos produzidos sobre as

correntes IE1 e IE2 tendem a cancelar-se, o que permite manter o potencial VE em
um valor aproximadamente constante.
Uma questo de importncia na anlise do multivibrador biestvel a
determinao de qual dos dois estados possveis ir estabelecer-se no circuito
imediatamente aps a ligao da fonte de alimentao. Essa situao est ilustrada
na Fig.155 que indica a existncia das correntes IB1 e IB2 imediatamente aps a
ligao da fonte de alimentao.
115

Fig.155 Multivibrador biestvel alimentado externamente.
Admitindo que os resistores do circuito obedeam s condies de simetria:

RB1 = RB2 e RC1 = RC2 , resulta em correntes de base iguais, isto : IB1 = IB2
Considerando que praticamente impossvel que dois transistores tenham
exatamente o mesmo ganho, admite-se que o ganho de T2 seja um pouco maior
que o ganho de T1, ou seja:
2 > 1
e essa condio fornece:
2 . IB2 1.IB1 IC2 IC1
Essa condio inicial implica a seqncia de eventos, ilustrados na Fig.156, e

sumarizados logo a seguir:
Fig.156 Seqncia de eventos desencadeados ao se ligar um multivibrador biestvel exibindo 2 >

1.
Eventos mostrados na Fig.156:

1) IC2 > IC1 VCE2 < VCE1.
2) Como VCE2 est aplicado sobre RB1, a corrente IB1 diminui em relao ao seu
valor inicial, tornando-se inferior a IB2.
3) A diminuio de IB1 produz uma diminuio na corrente IC1= 1.IB1.
4) Como resultado a tenso VCE1 aumenta.
5) Como VCE1 est aplicado sobre RB2, a corrente IB2 aumenta em relao ao seu
valor inicial, tornando-se ainda maior do que IB1.
6) Esse ltimo efeito produz um acrscimo ainda maior na corrente de coletor IC2 e
o ciclo se repete a partir do evento discriminado no item (1).
116
A seqncia de eventos (1) a (6) pode ser representada de acordo com o

seguinte diagrama:
A seqncia cclica representada no diagrama prossegue at o momento em

que IC2 atinge o valor de saturao e IC1 diminui para um valor praticamente nulo.
Quando essa condio atingida, o transistor T2 satura e o transistor T1 entra no
regime de corte, e essa situao permanece estvel, na ausncia de um estmulo
externo.
A partir da anlise descrita anteriormente, pode-se extrair a seguinte
concluso:
Ao ser alimentado, um multivibrador biestvel assume um estado estvel.
Esse estado corresponde saturao do transistor de maior ganho ou,
alternativamente, ao corte do transistor de menor ganho.
Uma forma de alterar o estado do multivibrador biestvel seria curto-circuitar
momentaneamente a base e o emissor do transistor saturado. Assumindo T2
inicialmente
saturado,
essa
condio
produziria
seqncia
de
eventos
representada no diagrama a seguir:
O ciclo representado no diagrama prossegue at que T1 sature e T2 entre no

regime de corte, e o circuito permanece estvel nesse novo estado.
117
Conforme ficou demonstrado na anlise, o circuito multivibrador

denominado de biestvel por apresentar dois estados estveis Uma vez que o
circuito assuma um determinado estado, nele ir permanecer na ausncia de um
estmulo externo.
10.2 Mtodos de Disparo do Biestvel

O multivibrador biestvel no teria aplicao prtica se no houvesse uma
forma de alterar o seu estado atravs de impulsos eltricos. Existem algumas
maneiras atravs das quais se podem trocar os estados do circuito, ou seja, fazer
com que se invertam as situaes de corte e saturao dos transistores. Essa troca
de estados denominada de transio ou disparo.
Transio ou disparo a denominao empregada para a troca de estados em um
dispositivo eletrnico.
Existem vrios mtodos que podem ser empregados para provocar uma
transio em um multivibrador biestvel. Dois desses mtodos sero analisados:
Disparo pelo emissor.
Disparo pela base.
10.2.1 Disparo Pelo Emissor

A transio do multivibrador biestvel pode ser provocada atravs dos
emissores dos transistores, acrescentando-se um capacitor ao circuito original,
conforme mostrado na Fig.157. Atravs do capacitor so aplicados os pulsos que
provocaro as transies.
Fig.157 Configurao do multivibrador biestvel para disparo pelo emissor.
118
Como se pode observar na Fig.157, o circuito formado pelos componentes C

e RE um diferenciador que dar origem a picos de tenso nos emissores dos
transistores, quando for aplicado um trem de pulsos na entrada.
Para compreender como os picos de tenso provocam a transio no
biestvel, admite-se que o estado do multivibrador esteja inicialmente com T1
saturado e T2 no regime de corte.
Fig.158 Corrente de carga no resistor RE do multivibrador.
Como mostrado na Fig.158, quando se aplica uma transio positiva ao

capacitor, a corrente de carga circula atravs do resistor RE. Com o acrscimo da
corrente do capacitor, a tenso VE no resistor sofre um rpido aumento e como
resultado a tenso VBE1 do transistor saturado diminui.
Dependendo da amplitude do pico de tenso no emissor, a tenso VBE1
pode diminuir de tal forma a levar o transistor T1 ao estado de corte. Essa condio
leva obrigatoriamente o transistor T2 saturao. Os grficos mostrados na Fig.159,
ilustram a dependncia temporal dos sinais eltricos no circuito.
119
Fig.159 - Sinais eltricos no multivibrador biestvel
Conclui-se, portanto que:

Um pulso de transio positiva provoca a troca de estados ou disparo do
multivibrador biestvel.
A transio de descida do pulso de entrada descarrega o capacitor,
provocando um pico de tenso negativa no resistor de emissor. Esse decrscimo na
tenso dos emissores no altera o estado do multivibrador, porque provoca um
aumento na tenso base-emissor do transistor que est saturado, o que no o tira
da condio de saturao.
Um pulso de transio negativa aplicado atravs do capacitor do circuito
diferenciador de um biestvel no altera o estado do circuito.
Os grficos mostrados na Fig.160 ilustram os sinais gerados em um biestvel
a partir da aplicao de um trem de pulsos na entrada do circuito diferenciador.
120
Fig.160 Formas de onda geradas no multivibrador a partir da aplicao de um trem de pulsos na

entrada do circuito diferenciador.
A operao ideal do multivibrador deveria ocorrer de forma que as tenses

VCE1 e VCE2, mostradas na Fig.160, exibissem transies com tempos de subida e
de descida praticamente nulos. Entretanto, quando um dos transistores est
saturado, acumula uma grande quantidade de portadores na base. Para que o
transistor entre no regime de corte, necessrio remover as cargas acumuladas, o
que requer um certo intervalo de tempo. Esse intervalo de tempo corresponde ao
tempo de descida na borda do pulso de tenso gerado no transistor saturado e ao
tempo de subida na borda do pulso de tenso do transistor que est no regime de
corte, conforme ilustrado na Fig.161.
Fig.161 Formas de onda levando em conta a existncia de tempos no-nulos para ocorrncia das
transies de estados.
121
Os tempos de transio podem ser diminudos acrescentando-se capacitores

em paralelo com os resistores de base, conforme ilustrado na Fig.162. Esses
capacitores so denominados de capacitores de acelerao ou comutao.
Fig.162 Multivibrador biestvel com capacitores de comutao.
Os capacitores de comutao provocam a retirada rpida das cargas

armazenadas na base do transistor saturado, causando uma diminuio nos tempos
de subida e de descida das transies.
Os capacitores de comutao permitem uma transio mais rpida entre os
estados do multivibrador biestvel.
10.2.2 Disparo Pela Base
O circuito de disparo pela base utiliza uma malha diferenciadora acrescida de
um diodo conectado base de cada transistor, conforme ilustrado na Fig.163.
Fig.163 Multivibrador biestvel com malha diferenciadora e diodos conectados s bases dos dois
transistores.
122
O circuito de disparo composto pelos capacitores C3 e C4, diodos D1 e D2

e resistores RD1 e RD2, mostrados na Fig.163. Admite-se a condio inicial
mostrada na Fig.164, com T1 saturado e T2 cortado e os parmetros eltricos do
circuito dados por:
Da Fig.164 ao lado, nota-se que a tenso no coletor de T1 est presente no

ctodo de D1 e a tenso no coletor de
T2 est presente no ctodo de D2. Sob
essas condies, o diodo D1 est
submetido a uma tenso de 0,4 V,
estando, portanto na iminncia
de
entrar em conduo e o diodo D2 est

em bloqueio. Essa ltima condio
impede que qualquer pico de tenso no
ctodo de D2 seja transferido para o terminal de base de T2, sendo, portanto
direcionado apenas para a base do transistor T1.
Nos circuitos de disparo pela base, a tenso de disparo sempre dirigida
base do transistor que est saturado.
necessrio analisar como o transistor saturado reage ao pico de tenso de
disparo. Assumindo uma transio positiva na tenso aplicada ao terminal A do
capacitor, gera-se no ctodo de D1 um pico de tenso positiva, conforme ilustrado
na Fig.165.
123
Fig.165 Efeito produzido por uma variao positiva de tenso no terminal A do capacitor C3.
O diodo D1 que est na

iminncia
de
entrar
em
conduo, ao receber um pico

de tenso positiva no ctodo,
torna-se,
momentaneamente,
inversamente
polarizado,
que
modifica
no
o
as
condies de operao do
transistor
T1.
Conforme
ilustrado na Fig.166 ao lado,

na transio negativa da tenso aplicada ao terminal A do capacitor, o potencial do
ctodo de D1 diminui, o que o coloca no regime de conduo.
Como em conduo, a queda de tenso no diodo permanece fixada em
aproximadamente 0,6V, a tenso no nodo do diodo, ou equivalentemente, no
terminal de base de T1, diminui, o que coloca T1 no regime de corte. Isso faz que o
transistor T2 saia da condio de corte para a condio de saturao.
Cada transio negativa do pulso de disparo leva condio de corte o
transistor que estiver inicialmente saturado.
A Fig.167, mostra as formas de onda de tenso produzidas no multivibrador
biestvel a partir da aplicao de um trem de pulsos no terminal A do circuito da
Fig.164.
124
Fig. 166 formas de onda no multivibrador biestvel
Um exame da Fig.167 indica que 4 pulsos de disparo provocam 2 pulsos de

tenso no coletor de T1 e dois pulsos de tenso no coletor de T2. Dessa forma, a
sada de cada coletor fornece um trem de pulsos cuja freqncia exatamente a
metade da freqncia do trem de pulsos de disparo.
A freqncia do trem de pulsos gerado no coletor de cada transistor do
multivibrador, a metade da freqncia do trem de pulsos de disparo. Assim, o
multivibrador biestvel se comporta como um circuito divisor de freqncias.
Uma aplicao freqente do multivibrador biestvel o circuito divisor de
freqncias de uma oitava, ilustrado na Fig.168.
Fig.168 Multivibrador biestvel utilizado como divisor de freqncias de uma oitava.
10.3 Questionrio
1. Em um circuito transistorizado polarizado por corrente de base, sob que condies
se estabelecem os regimes de corte e saturao?

125
2. Quais so os modelos de circuito de um transistor operando nas condies de

corte e saturao?
3. De que forma o transistor geralmente utilizado em circuitos analgicos? E em
circuitos digitais?
4. O que um multivibrador biestvel?
5. Se um multivibrador biestvel possui transistores de ganhos distintos, qual dos
dois satura ao se ligar a fonte de alimentao?
6. O que se entende por disparo de um circuito eletrnico?
7. Que mtodos de disparo so empregados normalmente no multivibrador
biestvel?
8. Cite uma aplicao tpica do multivibrador biestvel.
126
11 Multivibrador Monoestvel
O multivibrador monoestvel um circuito que possui um estado estvel e
outro semi-estvel que dura apenas um determinado intervalo de tempo. Um dos
estados permanece estvel na ausncia de um estmulo externo. A aplicao de um
pulso de disparo de curta durao leva o circuito a um estado semi-estvel que dura
certo intervalo de tempo, aps o qual o circuito retorna ao seu estado estvel,
conforme ilustrado na Fig.169..
Fig.169 Tenso gerada em um multivibrador monoestvel submetido a um pulso de disparo.
O tempo ativado indicado na Fig.169 corresponde ao tempo de permanncia

no estado semi-estvel, e depende dos parmetros eltricos dos elementos de
circuito.
A Fig.170 ao lado, mostra um
tipo
de
multivibrador
monoestvel
alimentado apenas por uma fonte cc.
importante
observar
que
esse
circuito possui apenas um elo de

realimentao
resistivo,
entre
coletor de T2 e a base de T1.

O outro elo de realimentao
feito atravs de um capacitor.
O capacitor C1 mostrado na
Fig.170 um elemento fundamental do monoestvel, conforme discutido a seguir.
127

11.1.1 Estado de Repouso
A princpio no possvel
determinar
estado
inicial
do
multivibrador monoestvel. Portanto,

para analisar o comportamento do
circuito,
admite-se
inicialmente
existncia do estado estvel, com T2

saturado e T1 no regime de corte, e
parmetros
eltricos
indicados
os
na
Fig.171 ao lado..
Fig.171 Exemplo de um multivibrador monoestvel operando no estado
estvel.
Admite-se que as condies de operao do circuito da Fig.171 resultam em
uma queda de tenso de 1V no resistor RE. Dessa forma, para que o transistor T2
esteja saturado, e T1 no regime de corte, as condies listadas na Tabela 1 devem
ser satisfeitas.
Tabela 1 Potenciais eltricos nos terminais dos transistores da Fig.171.
Na Fig.171, o capacitor C1 est carregado, bloqueando portanto o fluxo de

corrente entre os seus terminais. Como a tenso VBE1 = 0,3 V no transistor T1
muito pequena para provocar a conduo na juno base-emissor daquele
transistor, o transistor T1 permanece no regime de corte. Dessa forma a corrente de
base IB2 necessria para a saturao de T2 flui inteiramente atravs de RB2,
conforme se pode observar na Fig.171, o que configura a condio de estabilidade
do circuito.
128
O estado estvel permanece inalterado enquanto no houver um estmulo

externo. Alguns autores denominam o estado estvel do multivibrador monoestvel
de estado de repouso.
Um multivibrador monoestvel permanece no estado de repouso enquanto
no receber um pulso de disparo externo.
Os grficos mostrados na Fig.172
ao
lado, ilustram a dependncia com o

tempo das tenses existentes nos dois
transistores durante o estado estvel.
Fig.172 Tenses nos transistores da Fig.171
durante a permanncia do circuito no estado
estvel.
11.1.2) Disparo do Monoestvel

Um pulso de disparo de curta durao, adequadamente aplicado, capaz de
produzir a passagem do circuito monoestvel para o estado semi-estvel.
Para analisar o comportamento do circuito perante um estmulo externo,
fundamental notar que o capacitor C1 est inicialmente carregado e submetido a
uma tenso de 8,3 V, conforme indicado na Fig.173. Como pode ser a observado,
essa condio mantm o terminal a do capacitor a um potencial de 10 V, que 8,3 V
superior ao potencial de 1,7 V do terminal b.
Fig.173 Poro simplificada do circuito da Fig.171.
Existem vrias maneiras possveis de disparar o monoestvel, incluindo:
A aplicao de um pico de tenso positiva no emissor de ambos os transistores.
A aplicao de um pico de tenso negativa na base do transistor saturado.
129
Um pico de tenso positiva nos emissores dos transistores pode ser obtido
atravs de um circuito diferenciador, de forma semelhante quela adotada para
disparar um multivibrador biestvel.
A Fig174 mostra um circuito diferenciador, formado pelo capacitor CE e o
resistor RE, utilizado para provocar o disparo do monoestvel, atravs dos
emissores dos dois transistores.
Fig.174 Multivibrador monoestvel com circuito diferenciador de disparo.
Na transio positiva do pulso de entrada,

mostrado na Fig.174, o diferenciador provoca um pico de
tenso positiva nos emissores dos dois transistores. O
rpido aumento no potencial do terminal do emissor do
transistor T2 provoca uma sbita diminuio da tenso
VBE2, que atinge um valor praticamente nulo. A Fig.175
ao lado, mostra os sinais gerados nos terminais de T2, a
partir da aplicao do pulso de disparo.
Essa sbita diminuio em VBE2 faz que o
transistor
T2 passe rapidamente
da
condio
de
saturao para a condio de corte, o que provoca

brusco aumento na tenso VCE2.
Como resultado, o alto valor do potencial do
terminal de coletor de T2 provoca grande aumento na
corrente IB1 que flui para o terminal de base de T1 que o
leva rapidamente condio de saturao, conforme ilustrado na Fig.176. O circuito
dessa forma troca de estado, com o transistor T1 saturando e o transistor T2
entrando no regime de corte.
130
Fig.176 Estado produzido no multivibrador, imediatamente aps a aplicao de um pulso de disparo

na entrada do circuito.
Como o pico de tenso de disparo de curta durao, em princpio o circuito

tenderia a voltar imediatamente ao seu estado estvel. Entretanto, ao saturar, o
transistor T1, que agora se comporta como uma chave fechada, praticamente curtocircuitada o terminal a do capacitor ao terminal E, comum aos dois emissores,
conforme se pode observar na Fig.176.
Uma vez que o capacitor no pode descarregar-se instantaneamente, a
tenso entre seus terminais tende a permanecer no valor inicial de 8,3 V. Com base
na Fig.176, a condio de saturao de T1 implica VCE1 0,3 V, de forma que o
terminal b do capacitor fica submetido a um potencial eltrico 8,0 V inferior ao
terminal E do circuito, como indicado na Fig.176.
Como o terminal b do capacitor est conectado base
de T2, tem-se que:
VBE1 =VB -VE = -8 V
Indicando que a juno base-emissor do transistor T2 fica
momentaneamente submetida a uma tenso negativa. As
alteraes induzidas em T2 pelo pulso de disparo esto
representadas na Fig.177.
importante notar que o valor negativo da tenso VBE2
no altera a condio de corte do transistor T2, aps o trmino
da transio do pulso de entrada. Dessa forma, o circuito
permanece ativado em um estado semi-estvel, conforme
131
Fig. 178 - Sinais eltricos no multivibrador biestvel
O tempo que o monoestvel permanece ativado depende dos valores da

capacitncia C1 e da resistncia RB2, porque assim que T1 satura, a armadura
negativa de C1 comea a acumular a carga resultante da corrente que flui atravs
de RB2, conforme ilustrado na Fig.179.
Fig.179- Fluxo de corrente atravs do capacitor C1 do multivibrador.
A corrente de carga do capacitor comea a aumentar o potencial do terminal

b de C1, provocando o mesmo efeito no terminal da base de T2, conforme ilustrado
na Fig.180.
132

Fig.180 Dependncia temporal da tenso VBE1, resultante do processo de carga do capacitor C1 do
multivibrador.
Como se pode observar na Fig.180, aps algum tempo, o potencial do

terminal b do capacitor torna-se novamente positivo, at que a tenso VBE2 atinja
novamente o valor de 0,7 V, suficiente para promover T2 condio de saturao, o
que corresponde a transio do transistor T1 de volta ao regime de corte.
O tempo que o sistema permanece ativado pode ser determinado a partir de
uma anlise da dinmica de carga do capacitor da Fig.179. Dessa anlise, concluise que, para um valor qualquer da tenso de alimentao VCC, o tempo de
permanncia do sistema no estado ativado dado por:
2VCC V
(1)
VCC V
ativado RB2.C1.Ln
Onde V a tenso base-emissor que satura o transistor T2, e que vale 0,7 V
para transistores de silcio.
Para o caso da Fig.179, VCC = 10 V, satisfazendo a condio VCC >> V.
Sendo essa a situao que ocorre na prtica, podem-se fazer as seguintes
aproximaes:
2VCC V 2VCC
VCC V VCC
e a Eq.(1) assume a forma aproximada:

ativado RB2.C1.Ln 2 ou equivalente ativado 0,693.RB2.C1
(2)
importante notar da Eq.(2) que nessa aproximao, o tempo de

permanncia do sistema no estado ativado praticamente independente do valor da
tenso de alimentao do monoestvel.
Imediatamente aps o corte do transistor T1, o capacitor C1 comea a se
carregar atravs do resistor RC1, conforme indicado na Fig.181. Nesse processo, a
tenso no coletor de T1 aumenta at atingir o valor da tenso de alimentao. O
tempo de recuperao do sistema rec, corresponde a aproximadamente cinco
constantes de tempo da malha do circuito indicada na Fig.181, ou seja:
rec 5.RC1.C1
133
Fig.181 Processo de carga do capacitor C1 durante a recuperao do estado estvel do

multivibrador.
A Fig.182 mostra as formas de onda

geradas
no
multivibrador
partir
da
aplicao do pulso de disparo nos terminais

emissores dos transistores do circuito.
O multivibrador monoestvel muito
utilizado, por exemplo, na implementao de
circuitos de acionamento temporrio de
lmpadas
de
corredor
em
edifcios
residenciais ou comerciais. As lmpadas so

acionadas quando um indivduo toca no
boto do interruptor, o que produz o pulso
de disparo de curta durao para o circuito
monoestvel.
Nesses
sistemas,
as
lmpadas permanecem acesas durante um

tempo tipicamente no superior a 1
minuto, tempo em geral suficiente para que
o indivduo j se tenha retirado do corredor.
Fig.182 Tenses induzidas no monoestvel pela aplicao de um pulso de disparo.
11.2 Questionrio
1. Faa o diagrama bsico de circuito de um multivibrador monoestvel.
2. Qual a diferena fundamental entre os circuitos multivibradores biestvel e
monoestvel?
134
3. Admitindo que os elementos de circuito da Fig.171 sejam dados por RB2=10 k,

RC1=1k e C1=10F, e assumindo a aplicao de um pulso de disparo no
multivibrador, determine:
(a) o valor exato do tempo que o circuito permanece no estado ativo.
(b) o valor aproximado correspondente.
(c) o tempo de recuperao do estado estvel do sistema.
135
12 Multivibrador Astvel
O multivibrador astvel um circuito que possui dois estados semiestveis.
Em outras palavras, o circuito exibe uma alternncia de estados como funo do
tempo, mesmo na ausncia de estmulos externos.
A Fig.183 mostra um circuito tpico do multivibrador astvel, onde se pode
notar a existncia dos capacitores C1 e C2 conectados s bases dos dois
transistores. Esses capacitores so elementos essenciais para manter o circuito
alternando entre seus dois estados possveis, conforme examinado a seguir.
Fig.183 Circuito tpico de um multivibrador astvel.

No possvel prever o estado inicial do multivibrador astvel imediatamente
aps a aplicao da tenso externa de alimentao. Uma forma de analisar o
princpio de funcionamento do circuito admitir um determinado estado inicial. Para
isso, considera-se que o circuito esteja inicialmente no estado indicado na Fig.184,
que corresponde a:
T1 saturado e T2 no regime de corte.
Capacitores C1 e C2 descarregados.
136

Fig.184 Multivibrador astvel submetido a um dado estado inicial.
O transistor T2 estando no regime de corte, comporta-se como um interruptor

aberto. O terminal d do capacitor C1 est conectado ao plo positivo da fonte
atravs de RC2 e o lado c ao terra atravs da juno base-emissor de T1. Assim, o
capacitor C1 comea a carregar-se. A Fig.185 mostra o caminho percorrido pela
corrente de carga de C1, com T2 sendo representado por um interruptor aberto.
Fig.185 Incio do processo de carga de C1 no multivibrador astvel.
Como os resistores de coletor so geralmente de baixa resistncia

(tipicamente centenas de ohms a alguns kiloohms), e com a juno base-emissor
em conduo exibindo baixa resistncia, o processo de carga de C1 ocorre
rapidamente. Assim, a tenso VCE2 atinge rapidamente o valor da tenso VCC,
Considerando-se a situao indicada na Fig.185, em que VCC = 10 V, o
potencial do terminal c do capacitor C1 se torna 9,3 V inferior ao potencial do
terminal d.
O transistor T1 saturado, por sua vez, mantm o potencial do terminal a de C2
prximo ao potencial de terra, conforme indicado na Fig.186. Como o terminal b de
C2 alimentado atravs de RB2, inicia-se um processo de carga sobre C2. Como a
resistncia RB2 tem valor alto (tipicamente dezenas ou centenas de kiloohms), o
processo de carga de C2 ocorre lentamente, conforme mostrado na Fig.186.
137
Fig.186 Processo de carga e evoluo no tempo da tenso sobre C2.
medida que o tempo passa, o terminal b do capacitor vai lentamente se

tornando positivo em relao ao terminal a. Como o terminal b est conectado
base de T2, quando a tenso no capacitor atingir cerca de 0,5V, T2 estar na
iminncia de sair do regime de corte para o regime de saturao conforme ilustrado
na Fig.187
Fig.187 Evoluo no tempo das tenses VBE2 e VCE2 durante a carga de C2.
Com base na Fig.184, medida que T2 satura, o terminal d do capacitor C1

se torna cada vez mais prximo do potencial de terra. Como o terminal c de C1 tem
um potencial 9,3V inferior ao terminal d, a tenso VBE1 = Vc torna-se cada vez
menor medida que Vd 0, tornando-se eventualmente negativa, conforme
mostrado na Fig.188.
Com a tenso VBE1 tornando-se negativa, T1 que estava saturado entra
rapidamente no regime de corte e com a troca de estados dos dois transistores os
resistores de carga dos capacitores se alteram, conforme ilustrado na Fig.189.
138
Fig.188 Evoluo no tempo de VBE2, VCE2 e VBE1 durante a saturao de T2.
Fig.189 Processos de carga dos capacitores do multivibrador astvel durante a permanncia dos
estados semi-estveis.
A corrente de carga rpida de C2 atravs de T2 completa o processo de

saturao de T2 elevando a tenso VBE2 ao valor de 0,7V, enquanto o potencial
negativo na base de T1 o mantm no regime de corte.
A Fig.190 mostra a evoluo no tempo das tenses base-emissor e coletoremissor em ambos os transistores.
Durante o processo de carregamento lento de C1, a tenso negativa VBE1
que mantm T1 no regime de corte aumenta at se tornar positiva, conforme
ilustrado na Fig.191. Como pode ser a observado, quando a tenso na base de T1
se torna positiva e atinge o valor de 0,5V, T1 entra no regime de conduo,
eventualmente atingindo o estado de saturao.
139
Fig.190 Evoluo no tempo das tenses base-emissor e coletor-emissor nos transistores do

multivibrador astvel.
Fig.191 Evoluo no tempo da tenso VBE1.
Isso faz que a base de T2 fique submetida ao potencial negativo acumulado

no terminal b do capacitor C2, conforme j discutido anteriormente.
A Fig.192 ilustra as formas de onda associadas s tenses VBE1 e VBE2.
Fig.192 Dependncia temporal das tenses base-emissor no multivibrador astvel.
140
O processo descrito anteriormente evolui periodicamente, sem a necessidade

de um estmulo externo. As formas de onda geradas pelo circuito esto mostradas
em mais detalhe na Fig.193.
Fig.193 Grficos detalhados das formas de onda produzidas pelo multivibrador astvel.
O tempo que cada transistor permanece no regime de corte depende da

resistncia e capacitncia associadas sua base. As formas de onda tero tempos
idnticos de corte e saturao, se os resistores e capacitores satisfizerem
condio:
RB1.C1 RB2.C2
(1)
Sob essa condio, as tenses VCE1 e VCE2 evoluem no tempo, conforme

141

Fig.194 Evoluo no tempo das tenses VCE1 e VCE2, em um multivibrador astvel tendo RB1C1 =
RB2C2.
Se a condio expressa pela Eq.(1) no for satisfeita, os tempos de corte e de

saturao se tornam distintos. A Fig.195 ilustra as formas de onda geradas em um
multivibrador exibindo RB1C1 > RB2C2.
Fig.195 Evoluo no tempo das tenses VCE1 e VCE2, em um multivibrador astvel tendo RB1C1 >
RB2C2.
O tempo de corte de cada transistor pode ser calculado pelas expresses:

Transistor T1:
t1 0,693RB1.C1
(2)
t2 0,693RB2.C2
(3)
Transistor T2:
Como um ciclo da forma de onda corresponde a um perodo T = t1 + t2, a
freqncia associada forma de onda pode ser determinada pela expresso:
f
1
0,693 RB1C1 RB 2C 2
(4)
1,45
RB1C1 RB 2C 2
(5)
ou equivalentemente
Se
os
valores
de
resistncia
capacitncia
estiverem
expressos,
respectivamente, em megaohms e microfarads, as Eqs.(4) ou (5) fornecem a

freqncia em hertz.
Se o multivibrador obedecer condio RB1C1 = RB2C2, a Eq.(5) pode ser
simplificada para:
142
0,725
0,725
RB1 C1
RB2
(6)
12.2 Correo da Borda de Subida dos Pulsos

A borda de subida da forma de onda referente a cada tenso coletor-emissor
no circuito original do multivibrador astvel arredondada, porque corresponde ao
processo de carga dos capacitores atravs dos resistores de coletor.
O tempo de subida da tenso coletor-emissor de cada transistor pode ser
minimizado acrescentando um diodo e um resistor a cada malha de base do circuito,
conforme mostrado na Fig.196.
Fig.196 Multivibrador astvel com a incluso de diodos e resistores para minimizao do tempo de
subida das tenses coletor-emissor.
Com base na Fig.196, quando T1, por exemplo, vai para o regime de corte, o
potencial do ctodo torna-se superior ao potencial do nodo de D1. Sob essas
condies, o diodo D1 entra em bloqueio.
A Fig.197 mostra a condio obtida logo aps o corte de T1, com D1 e T1 sendo
representados por interruptores abertos.
Fig.197 Circuito equivalente do multivibrador astvel imediatamente aps a entrada de T1 no regime

de corte.
143
Conforme
ilustra
Fig.197, a
corrente de carga de C2 no circula mais

atravs do resistor RC1, mas sim atravs
de R. Com isso, a tenso VCE1 aumenta
para um valor prximo a VCC assim que
T1 entra no regime de corte.
A Fig.198
ao
lado,
ilustra
aspecto qualitativo das formas de onda

geradas nos coletores dos transistores a
partir da incluso dos diodos e resistores
indicados na Fig.196.
A forma de onda quadrada, mostrada na Fig.199, freqentemente utilizada
em circuitos digitais, onde recebe o nome de relgio ou clock do circuito.
comum, tambm, encontrar multivibradores astveis com um resistor de
emissor comum aos dois transistores, como ilustrado na Fig.199. O resistor
utilizado para propiciar uma transio mais rpida entre os estados de saturao e
corte de cada transistor do circuito.
Fig.199 Configurao alternativa de um multivibrador astvel, utilizada para obteno de transies

rpidas entre os estados do circuito.
12.3 Questionrio
1. Qual a caracterstica principal de um multivibrador astvel?
2. Como devem ser dimensionados os resistores RB1, RC1, RB2 e RC2 de um
multivibrador astvel para que ele opere adequadamente?
144
3. Que condio deve ser satisfeita pelos elementos RB1, RB2, C1 e C2 de forma
que um multivibrador astvel gere uma seqncia de pulsos simtricos?
4. Cite uma aplicao do multivibrador astvel em circuitos digitais.
145
13 Disparador Schmitt Trigger

O disparador Schmitt ou Schmitt trigger, como tambm conhecido, um
tipo de circuito biestvel largamente empregado nos circuitos eletrnicos digitais.
Sua diferena bsica em relao ao multivibrador convencional reside nas condies
de disparo.
Se por um lado a troca de estados no circuito convencional requer uma
transio rpida aplicada entrada, como ilustrado na Fig.200a, a troca de estados
no disparador Schmitt ocorre no momento em que o sinal de entrada atinge um
determinado nvel, independentemente de sua forma de variao no tempo,
conforme ilustrado na Fig.200b.
Fig.200 (a) Troca de estados em um multivibrador biestvel convencional, a partir da aplicao de

uma transio abrupta na entrada. (b) Troca de estados em um disparador Schmitt submetido a uma
variao arbitrria de tenso na entrada.
Conforme mostra a Fig.200b, a sada do disparador Schmitt se mantm em

um estado estvel at que a tenso de entrada atinja o valor limite Vo no instante
de tempo t = t0. Quando isso ocorre, a tenso de sada muda abruptamente de valor,
o que corresponde mudana de estado do disparador.
Esse tipo de caracterstica, inerente ao disparador Schmitt, permite sua
aplicao na converso de um sinal analgico que pode assumir qualquer nvel de
tenso ao longo do tempo, em um sinal digital de apenas dois nveis distintos.
146
Em diagramas de circuito, o disparador Schmitt geralmente representado

pelos blocos mostrados na Fig.201.
Fig.201- Duas formas de representao do disparador Schmitt.
A Fig.202 mostra o circuito bsico do disparador Schmitt, onde se pode notar

que a diferena em relao ao multivibrador biestvel convencional ocorre na
ausncia de realimentao do coletor de T2 para a base de T1.
Fig.202 Circuito bsico do disparador Schmitt.

13.1.1 Sem Sinal de Entrada
O funcionamento do disparador Schmitt pode ser analisado considerando a
entrada do circuito inicialmente desligada.
Com a base desligada, o transistor T1 est no regime de corte. A Fig.203(a)
ilustra essa condio, com T1 sendo representado por um interruptor aberto. Isso
equivale ao transistor T1 estar ausente no circuito. Dessa forma T2 fica polarizado
por divisor de tenso, a partir da tenso VC1, indicada na Fig.203.
147
Fig.203 (a) Disparador Schmitt com T1 no regime de corte. (b) Circuito equivalente.
No disparador Schmitt as resistncias associadas a RB2 e RB3 so

dimensionadas de forma que, com T1 no regime de corte, a corrente de base em T2
seja muito maior que aquela necessria para sua saturao.
Tomando como base um disparador Schmitt padro, as tenses no circuito,
medidas em relao ao terra do circuito, assumiriam os valores tpicos indicados na
Fig.204.
Fig.204 Valores tpicos das tenses no circuito de um disparador Schmitt convencional.
Com base na Fig.204, VBE2 = 0,7 V e VCE2 = 0,3V, o que implica a

saturao de T2. Enquanto persistir a condio VB1 = 0 V, a tenso de sada ser
mantida no valor VC2 = 1,3V.
A Fig.205 ilustra a dependncia temporal da tenso de sada para VB1 = 0V.
148
Fig.205 Dependncia temporal da tenso de sada na condio Vent = VB1 = 0V.
Na condio de saturao de T2, a corrente IE2, indicada na Fig.204, pode

ser determinada pela expresso:
IE2
VCC VCEsat
(1)
RC2 RE
Onde VCEsat = 0,3V para transistores de silcio.

13.1.2 Com Sinal de Entrada
O estado do circuito mostrado na Fig.204 estvel e s pode ser alterado
pela aplicao de um determinado valor de tenso na base de T1. Esse valor de
tenso pode ser obtido, por exemplo, com o emprego de um potencimetro
conectado base de T1, conforme ilustrado na Fig.206.
Fig.206 Emprego de um potencimetro para se obter uma variao de tenso na base do transistor
T1.
Se a tenso Vent, derivada do potencimetro da Fig.206 satisfaz condio:

Vent < 1,5 V
obtm-se uma tenso base-emissor no transistor T1 satisfazendo condio:
VBE1 = Vent -VE < 1,5 V -1 V _ VBE1 < 0,5 V
149
A condio VBE1 < 0,5 V mantm o transistor T1 no regime de corte, e

conseqentemente, o circuito permanece estvel com T2 saturado, e com uma
tenso de sada VC2 = Vs = 1,3 V, ou seja:
No momento em que a tenso de entrada atinge o valor Vent = 1,5 V, tem-se

que VBE1 = V = 0,5 V. O parmetro V = 0,5 V se refere ao valor limite da tenso
base-emissor de um transistor de silcio que o coloca na iminncia de conduo. Um
exame da Fig.207 indica que, a iminncia de conduo de T1 produz dois efeitos:
Fig.207 Efeitos produzidos no circuito da Fig.206 na iminncia de conduo de T1.
A corrente no resistor RE aumenta devido ao aumento da corrente IE1
proveniente de emissor de T1. Ocorre, portanto, um pequeno aumento na tenso VE

indicada na Fig.207.
Aumenta a corrente de coletor IC1 o que provoca um acrscimo na tenso sobre
o resistor RC1. Dado que VC1=VCC - RC1IC1, a tenso VC1 diminui.

Uma vez que o regime de operao de T2 determinado pelas tenses VE e
VC1, medida que VE aumenta, VC1 diminui, o que provoca um decrscimo na
tenso VBE2, conforme ilustrado na Fig.207. O transistor T2 permanecer saturado
enquanto a corrente de base IB2 for superior ao valor de saturao.
Com base na Fig.207, quando a tenso de entrada atingir um valor tal que T1
conduza mais fortemente, o que ocorre para VBE1 0,6V, a tenso VC1 comea a
diminuir rapidamente, provocando um rpido decrscimo na corrente IB2, o que a
150
torna insuficiente para manter T2 saturado. Isso faz que T2 comece a sair da
saturao em direo ao regime de corte, o que provoca uma rpida diminuio na
corrente IE2 e conseqentemente na tenso VE. Com a reduo na tenso VE,
aumenta o valor de VBE1 o que coloca T1 ainda mais no regime de conduo.
Essa seqncia de eventos leva rapidamente T2 ao regime de corte e T1
saturao, conforme ilustrado no diagrama seguinte.
ciclo
de
realimentao
indicado
no
diagrama anterior prossegue at que T1

esteja plenamente saturado, com VBE1 0,7
V e T2, no regime de corte com VCE2 0,3
V.
Dessa forma, o circuito se mantm
estvel mesmo que a tenso de entrada
continue aumentando, conforme ilustrado na
Fig.208 ao lado.
Antes de prosseguir na anlise, necessrio observar um aspecto importante
na escolha dos elementos de polarizao dos dois transistores do disparador
Schmitt, mostrado na Fig.209.
151
Fig.209 Circuito do disparador Schmitt.
Em geral, a resistncia do resistor RC1 4 a 5 vezes maior que aquela do

resistor RC2. Dessa forma, nos dois estados possveis do circuito, tem-se que:
T1 saturado e T2 no regime de corte
Denotando-se a corrente e a tenso no resistor RE por IE12 e VE12,
respectivamente, da Fig.209 tem-se que:
IC1 IE1
VCC VCEsat
RC1 RE
IE2 0
IE IE12 IE1 IE2
VCC VCEsat
RC1 RE
VCC - VCEsat
RC1 RE
VE VE12 RE IE12 RE
T2 saturado e T1 no regime de corte

Denotando-se a corrente e a tenso no resistor RE por IE21 e VE21,
respectivamente, da Fig.209 tem-se que:
IC2 IE2
VCC VCEsat
RC2 RE
IE1 0
IE IE21 IE1 IE2
VCC VCEsat
RC2 RE
VCC - VCEsat
RC2 RE
VE VE21 RE IE21 RE
Os dois resultados obtidos anteriormente implicam a seguinte concluso:

RCI RC2
152
VCC - VCEsat
VCC VCEsat
RE
RC1
RE
RC2 RE
RE
VE12 VE21
Assim, para RC1 > RC2, a queda de tenso no resistor RE assume seu
menor valor com T1 saturado e T2 no regime de corte.
A Fig.210 mostra um exemplo de valores de tenso que poderiam estar
presentes em alguns pontos do disparador Schmitt no estado correspondente a T1
saturado e T2 no regime de corte. Nesse exemplo, VE = 0,3 V, o que corresponde a
um valor cerca de 3 vezes inferior quele indicado na Fig.204.
Fig.210 Exemplo de valores tpicos de tenso em pontos do circuito da Fig.209 aps a transio de
T1 do corte saturao.
Para que o circuito volte ao estado inicial, com T2 saturado, necessrio que
a tenso de entrada diminua o suficiente para levar o transistor T1 ao regime de
corte. Isso implica a obteno de uma tenso VBE1 < 0,5 V. Com base nos valores
indicados na Fig.210
Vent VBE1 VE VBE1 Vent VE Vent 0,3V
de modo que:
VBE1 0,5V Vent - 0,3V 0,5V

Vent 0,8V
Dessa forma, a partir do instante de tempo em que a tenso de entrada se

torna inferior a 0,8V, o transistor T1 entra rapidamente no regime de corte, o que
provoca a saturao de T2. A Fig.211 ilustra o tipo de sinal obtido na sada do
disparador Schmitt, para variaes lineares da tenso de entrada como funo do
tempo.
153
Fig.211 Sinal de sada do disparador Schmitt, para variaes lineares no tempo da tenso de
entrada.
13.1.3 Curva de Transferncia

A
Fig.212
mostra
ao
lado,
curva
transferncia
de
do
circuito, que representa

a
dependncia
da
tenso de sada com

relao tenso de
entrada. A seta para
cima por sobre a linha
tracejada indica que um
aumento na tenso Vent
alm do valor limite de
1,6V provoca a transio de estados, que corresponde a uma mudana brusca na
tenso de sada de 1,3V para 12V. A seta para baixo indica que uma reduo na
tenso Vent abaixo do valor limite de 0,8V provoca a segunda transio de estados,
que corresponde a uma mudana brusca na tenso de sada de 12V para 1,3V.
Existe uma peculiaridade na curva de transferncia mostrada na Fig.212, uma
vez que o simples conhecimento do nvel de tenso na entrada no suficiente para
determinar o valor da tenso de sada.
154
Por exemplo, para a tenso de entrada de 1,2V indicada na Fig.213, a sada

poderia ser 1,3 ou 12V. Se fosse conhecido, por exemplo, que a tenso de entrada
foi variada de um valor inicial de 0,7V at o valor de 1,2V, poder-se-ia afirmar, com
segurana, que a tenso de sada no circuito seria de 1,3V. Se por outro lado, fosse
j conhecido que a tenso de entrada estivesse diminuindo de um valor de 2V, at
atingir o valor de 1,2V, a resposta com certeza seria uma tenso de sada de 12V.
Fig.213 Incerteza na determinao da tenso de sada do disparador Schmitt, para uma tenso de
entrada de 1,2 V.
Esse exemplo serve para demonstrar que o disparador Schmitt tem memria,
ou seja, o tipo de resposta do sistema depende da histria passada do sinal de
entrada.
Pode-se, portanto, dividir a caracterstica de transferncia mostrada na
Fig.213, em trs regies:
Vent 1,6V VS 12V
Vent 0,8V VS 1,3V
0,8V Vent 1,6V VS ,
poder assumir dois valores, cuja determinao s
poder ser feita, conhecendo-se a histria passada do sinal de entrada.

Quando mais de um nvel de entrada provoca troca de estados em um
sistema, conforme evidenciado na caracterstica de transferncia do disparador
Schmitt, diz-se que o sistema exibe histerese.
13.1.4 Alterao do Ciclo de Histerese no Disparador Schmitt
Em muitas ocasies a existncia de histerese em um sistema pode ser
indesejvel, tornando-se necessrio reduzi-la ao mximo.
155
Uma das formas de reduzir a histerese no disparador Schmitt alterando o

ganho do circuito atravs do resistor de coletor de T1. Entretanto, esse
procedimento pode tornar o circuito instvel.
Uma outra possibilidade consiste em acrescentar um resistor em srie com o
emissor de apenas um dos transistores. A Fig.214 mostra uma possvel
configurao do disparador Schmitt, tendo um resistor em srie com o emissor de
T1.
Fig.214 Configurao alternativa do disparador Schmitt para reduo da histerese do circuito.
Na forma indicada na
Fig.214, o resistor adicional no altera o
comportamento de T2. Permanece assim inalterado o valor V1 da tenso de entrada

que promove a transio de T2 da saturao ao corte.
J o nvel de tenso V2 que promove a transio de T1 da saturao ao corte
torna-se maior com o acrscimo do resistor, resultando em uma reduo da
histerese.
A Fig.215 ilustra a alterao na histerese de um disparador Schmitt,
resultante da adio de um resistor em srie com o emissor de T1.
Fig.215 Alterao da histerese de um disparador Schmitt a partir da modificao indicada na Fig.214.
156
Pode-se tambm diminuir o efeito da histerese pela adio de um resistor em

srie com o emissor de T2, conforme indicado na Fig.216.
Fig.216 Disparador Schmitt com a adio de um resistor em srie com o emissor de T2 para reduo
da histerese.
Nessa situao V2 permanece inalterada, ao passo que V1 diminui, conforme

mostrado na Fig.217.
Fig.217 Alterao da histerese de um disparador Schmitt a partir da modificao indicada na Fig.216.
O valor de resistncia Rh do resistor srie adicionado ao circuito, pode ser

determinado aproximadamente a partir da expresso:
Rh
V original - V desejado
IE
(1)
Onde:
Voriginal a largura da histerese, obtida da caracterstica de transferncia do

circuito original.
Vdesejado o valor desejado da largura da histerese.
IE a corrente de emissor associada ao transistor cujo emissor conectado ao

resistor Rh.
157
Exemplo 1: Determinar o valor da resistncia Rh de forma a alterar a

histerese de um disparador Schmitt, de acordo com as informaes contidas na
Tabela 1.
Tabela 1 Dados referentes ao Exemplo 1.
De acordo com os dados da Tabela 1, V1 permanece inalterado, e

conseqentemente Rh deve ser adicionado em srie com o emissor de T1. A
corrente IE indicada na Tabela 1 corresponde, portanto, corrente de emissor de
T1. Com esses dados, tem-se que:
Voriginal 2,5 1,8 0,7
Vdesejado 2,5 2,3 0,2
E utilizando a Eq.(1), obtm-se:

Rh
0,7 - 0,2
0,5
166
0,003
0,003
virtualmente impossvel eliminar completamente a histerese, devendo se,

no mximo, procurar a melhor soluo possvel. Se os valores desejados fossem V1
= V2 = 2,5 V, o valor da resistncia Rh seria:
Rh
0,7 - 0
0,7
233
0,003 0,003
Neste ltimo caso, o arredondamento no valor de Rh deve ser realizado para

menos, de forma a garantir uma histerese mnima e evitar instabilidades no circuito.
13.2 Aplicaes do Disparador Schmitt

O disparador Schmitt utilizado principalmente na converso de sinais
analgicos em digitais. Considere-se, por exemplo, um disparador Schmitt exibindo
a curva de transferncia mostrada na Fig.218.
158
Fig.218 Disparador Schmitt e sua curva de transferncia.

Se fosse aplicada na entrada do disparador uma tenso ca com Vmx = 3V,
com base na curva de transferncia mostrada na Fig.218, a sada do disparador

forneceria uma seqncia de pulsos retangulares, conforme indicado na Fig.219.
Verifica-se que para Vent 2,3 V, gerado um pulso de 10V na sada. Quando a
entrada inferior a 1,5 V a sada se mantm em 1V. Como se pode observar na
Fig.219 o trem de pulsos tem a mesma freqncia do sinal de entrada.
Fig.219 Sinal gerado na sada do disparador Schmitt da Fig.218, para um sinal senoidal aplicado
entrada.
Para proteger a entrada do circuito quando a tenso de entrada se torna

negativa, pode-se utilizar um retificador de meia onda na entrada do disparador,
conforme ilustrado na Fig.220
159
.
Fig.220 Uso de um retificador de meia onda para proteo do disparador Schmitt.
O circuito mostrado na Fig.220 muito utilizado para servir como gerador de

pulsos para relgios eletrnicos, que utilizam a rede eltrica de 60 Hz. O mesmo
circuito pode ser utilizado para disparar em valores mais altos da tenso de entrada
utilizando um divisor de tenso, na forma indicada na Fig.221.
Fig.221 Circuito da Fig.220 com a adio de um divisor de tenso para permitir o disparo do circuito
em nveis mais altos da tenso de entrada.
A adio dos resistores do divisor de tenso da Fig.221 no altera as tenses

de disparo V1 e V2. No entanto, os nveis de tenso de entrada para provocar os
disparos dependem da relao entre R2 e R1.
O disparador Schmitt pode tambm ser utilizado no acionamento de rels,
largamente empregados no controle de cargas de alta potncia. A Fig.222 mostra
um disparador Schmitt com um rel substituindo o resistor de coletor de T2.
160
Fig.222 Disparador Schmitt utilizado para o acionamento de um rel.
No circuito da Fig.222, enquanto T2 est saturado a corrente IC2 circula

atravs da bobina do rel que fica acionado. Aplicando um determinado valor de
tenso de entrada, T1 satura e T2 entra no regime de corte. A corrente IC2 torna-se
praticamente nula, desativando o rel.
A vantagem no uso do rel reside no fato de seus contatos estarem isolados
eletricamente da bobina, conforme ilustrado na Fig.222. Isso possibilita que o rel
seja acionado por um circuito eletrnico em cc e controle cargas em ca.
A Fig.223 mostra um disparador Schmitt utilizado para controlar uma lmpada
incandescente e os grficos de comportamento da tenso VC2 em funo das
variaes da tenso de entrada.
Um aspecto importante a se observar nos circuitos das Figs.222 e 223 a
presena do diodo em paralelo com a bobina do rel. Esse diodo utilizado para
proteger o transistor das sobretenses geradas, por auto-induo, toda vez que a
bobina do rel desenergizada. O diodo, que normalmente est polarizado
inversamente, conduz apenas quando a auto-induo d origem a uma fora contraeletromotriz na bobina, impedindo que o transistor seja danificado.
Toda vez que um indutor for operado em chaveamento por um transistor
mandatrio o uso do diodo de proteo.
161
Fig.223 Disparador Schmitt utilizado para o acionamento de uma lmpada incandescente.
A Fig.224 mostra as formas corretas de conexo do diodo em paralelo com o

indutor para o caso de transistores npn e pnp.
Fig.224 - Formas corretas de conexo de um diodo em paralelo com o indutor para circuitos
empregando transistores npn e pnp.
13.3 Questionrio
1. Qual a caracterstica de circuito que diferencia um disparador Schmitt de um
multivibrador biestvel?
2. Faa um diagrama ilustrativo da curva de transferncia de um disparador Schmitt.
3. Para um disparador Schmitt tendo a curva de transferncia mostrada na Fig.13,
determinar a tenso de sada nos seguintes casos:
(a) Vent = 0,5 V.
(b) Vent = 3,0 V.
(c) Vent = 1,4 V.
162
(d) Admitindo que Vent tenha aumentado de um valor inicial nulo at o valor final de
1,4 V. (e) Admitindo que Vent tenha diminudo de 3,0 V at o valor final de 1,4 V.
4. Qual a caracterstica principal de um sistema que exibe histerese?
5. Que tcnica empregada para modificao da histerese de um disparador
Schmitt?
6. Cite algumas aplicaes do disparador Schmitt.
163
14 EXERCCIO DE TRANSISTORES BIPOLARARES

14.1 Exerccio de Funcionamento de Transistor Bipolar
1) Quais so os tipos de transistores bipolares?
2) Como se denominam os trs terminais de um transistor?

3) Desenhe o smbolo dos dois tipos de transistores bipolares, identificando os seus
tipos e os seus terminais.
4) Por qu necessrio aplicar tenses externas aos terminais do transistor?
5) Qual a diferena existente entre os dois tipos de transistores, no que diz
respeito a polaridade das baterias?
6) Quais so as junes existentes em um transistor?
7) Como deve ser polarizada as junes de um transistor na regio ativa?
8) O que VBE?
9) Determine os valores das tenses solicitadas em cada situao.
+
8V
5V
VBE = _______
+
0,6V
VCB = _______
0V
VBE = _______
0,3V
VCE = _______
VCB = _______
0V
VCE = _______
10) Que corrente provocada pela aplicao de uma tenso VBE em um transistor?
11) Determine o valor de corrente solicitado em cada um dos itens a seguir.
a) IB = 300A
IC = 12mA
IE = __________
b) IB = 1mA
IC = 70mA
IE = __________
c) IC = 18mA
IE = 18,03mA
IB = __________
12 ) Em que aspecto reside a caracterstica principal do transistor?

13) Que corrente do transistor atua como corrente de controle?
14) De onde provm todas as correntes que circulam em um transistor?
15) Sabendo-se que a corrente de base de um transistor de 10mA e o seu DC
150. Qual a corrente de coletor?
16) Determine os valores de IC nas situaes que seguem.
a) IB = 45A
DC = 125
IC = _________
164
b) IB = 1,3mA
DC = 90
IC = _________
c) IB = 70mA
DC = 50
IC = _________
17) Determine o ganho de corrente (DC) e a corrente de emissor de um transistor,

sabendo que IC = 35mA e IB = 530A.
14.2 Exerccios da relao entre os parmetros IB, IC e VCE de um

Transistor.
1) Determine os valores solicitados, com base no circuito que segue.
+
RC
VRC
+
VCE
IB
VCC
a) VCE = 5,3V
VCC = 15V
VRC = ____________
-
b) VCC = 8V
VRC = 3,7V
VCE = ____________
c) VCE = 12,8v
VRC = 11,5V
VCC = ____________
2) Determine os valores solicitados, com base no circuito que segue e nos dados
fornecidos.
IC
RC
+
VCC
-
C
B
E
a) VCC = 15V
RC = 470
VRC = 8V
VCE = _______
IC = ______
b) VCC = 40V
RC = 1K
IC = 18mA
VRC = _______ VCE = _______

165
c) IC = 70mA RC = 270 VCE = 13V VRC = ________ VCC = ________

3) Determine a potncia dissipada em RC em cada item da questo anterior.
a) Pr = ____________
b) Pr = ____________
c) Pr = ____________
4) Considerando que VCC = VCE + VRC e que VRC = RC. IB. , pode-se afirmar
que a equao VCC = VCE + (RC.IB. ) correta?
5) Determine os valores de IC, VRC e VCE no circuito abaixo, para IB = 55 A e
para IB = 75A.
RC
1,2K
+
RB B
VBB
IB
VCC = 21V
= 120
E
a) IB = 55A
IC = ________
VRC = _________
VCE = _________
b) IB = 75A
IC = _______
VRC = __________
VCE = __________
6) Indique usando setas ( = aumenta e
= diminui), o comportamento dos valores
de IB, IC, VRC, e VCE em funo da variao de VBE.

a) VBE
IB
IC
VRC
VCE
b) VBE
IB
IC
VRC
VCE
14.3 Exerccios de Polarizao de Base de Transistor por Corrente

Constante.
1) Qual o objetivo da polarizao de base por corrente constante?
2) Com obtida a corrente de base quiescente (IBQ) no mtodo de polarizao por
corrente constante?
3) Desenhe o circuito da polarizao de base por corrente constante.
4) De que fatores depende a corrente de base no mtodo de polarizao de base
por corrente constante?
166
14.4 Exerccio de Polarizao de Base de Transistor por Divisor de

Tenso
1) Determine os valores de RC, RE, RB1 e RB2 para que o circuito assuma as
condies especificadas.
RB1
RC
IC
+
-
RB2
a) VCC = 18V
b) VCC = 15V
VCC
RE
VRCQ = 8V
ICQ = 5mA
ICQ = 7mA
VCEQ = 6V
167
15 Prtica de Transistores Bipolares

15.1 Verificao do Funcionamento de Transistores Bipolares
Objetivos:
- Medir as tenses VBE, VCB e VCE.
- Verificar como a tenso VBE influncia na corrente de base (IB).
- Verificar o controle que IB exerce sobre IC e determinar o DC do transistor.
Equipamentos:
- Multmetro Digital
- Multmetro Analgico
- Fonte CC - 12V
Materiais Necessrios
R1 - 150K 1/4W
R2 - 1K 1/4W
P1 - potencimetro de carvo 2,2M 1/4W
Q1 - Transistor Bipolar BC337
1 Medio das Tenses VBE, VCB e VCE.
1.1 - Monte o circuito da figura abaixo.
R1
R2
12VCC
P1
A
Q1
B
1.2 - Ajuste a fonte para 12VCC e conecte ao circuito.

1.3 - Conecte o multmetro digital sobre o resistor R2.
1.4 - Ajuste o potencimetro P1 de forma a obter 6V de queda de tenso no resistor
R2.
168
1.4 - Ajuste o potencimetro P1 de forma a obter 6V de queda de tenso no resistor

R2.
1.5 - Mea as tenses:
VBE = __________
VCB = __________
VCE = __________
1.6- Aplique os valores de VBE, VCB e VCE equao VCE = VCB + VBE e
verifique se o resultado correto.
1.7 - Ajuste o potencimetro P1 de forma a obter 3V no resistor R2.
1.8 - Mea VBE, VCB e VCE e aplique na equao para verificar a correo dos
valores.
1.9 - Desligue a fonte.
2 Verificao da Influncia de VBE em IB.
2.1 - Insira um microampermetro de 0 a 200A no circuito, conforme mostrado
abaixo.
R2
R1
VCC = 12V
+
P1A
IB
A
Q1
2.2 - Conecte o multmetro digital entre a base e emissor do transistor. O multmetro

digital fornecer a indicao da tenso VBE.
2.3 - Ajuste o potencimetro na metade do curso total do cursor.
2.4 - Ligue a fonte.
2.5 - Leia e anote os valores de VBE e IB.
VBE = ___________
IB = ______________
2.6 -Atue no potencimetro P1, aumentando o VBE do transistor at o valor mximo

possvel.
2.7 - Leia os valores de VBE e IB.
VBE = __________
IB = ____________
169
O que acontece com a corrente de base (IB) de um transistor se a tenso de

base emissor (VBE) aumenta?
3 Verificao do Controle de IB sobre IC.
3.1 - Insira o miliampermetro (multmetro digital em escala IDC) conforme mostra a
figura abaixo.
R2
R1
+
mA 0-20mA
-
P1A
A
B
VCC = 12V
Q1
3.2 - Ajuste o potencimetro P1 para mxima resistncia.

3.4 - Varie o potencimetro P1 enquanto observa a corrente de base e de coletor.
O que acontece com IC quando IB aumenta?
correto afirmar que IC diretamente proporcional a IB?
3.5 - Ajuste P1 de forma que IC seja de 6mA.
3.6 - Leia e anote a corrente de base nesta condio.
IB = _____________
para IC = 6mA
3.7 - Determine o ganho DC do transistor.

Determine, usando o do transistor, que valor de IB necessrio para obter
uma IC de 4mA.
3.8 - Ajuste IB para o valor estabelecido na questo anterior e verifique se o valor de
IC foi obtido.
170
15.2 Prtica de Verificao da Relao entre os Parmetros IB, IC e

VCE em um Transistor Bipolar.
Objetivos:
- Comprovar a aplicao da Segunda lei de kirchhoff malha de coletor.
- Verificar a relao entre os parmetros IB, IC, VCE e VRC.
Equipamentos:
- Multmetro Digital
- Fonte de CC 0 a 12V ajustvel.
Materiais Necessrios:
- R1 10K 1/4W
- R2 1K 1/4W
- Q1 Transistor de Silcio BC337
- P1 Potencimetro de carvo 220K
1 Comprovao da Lei de Kirchhoff na Malha de Coletor
1.1 Monte o circuito da figura abaixo.
R2
C
R1
1,5V
P1
+
VCC
-
Q1
E
OBSERVAO: O potencimetro P1 ser utilizado para ajustar IB no valor

desejado.
1.2 - Ajuste a fonte CC para 8V e conecte ao circuito. Use o multmetro digital para
medir a tenso da fonte.
1.3 - Conecte o multmetro entre o coletor e emissor e ajuste o potencimetro P1 de
forma a obter um VCE de 5V.
1.4 - Usando o multmetro, mea a queda de tenso no resistor de coletor R2.
VRC = ____________
171
Usando os valores de VCC, VCE e VRC verifique a correlao da equao

VCC = VCE + VRC.
1.5 - Ajuste a fonte CC para 12V usando o multmetro digital.
1.6 - Mea os valores de VCE e VRC e aplique novamente na equao da malha de
coletor.
VCE = _________
VRC = _________
VCE + VRC = __________
A soma de VRC e VCE confere com VCC?

2 Verificao da Relao entre os Parmetros IB, IC, VRC e VCE.
2.1 - Inclua o microampermetro conforme mostrado no circuito.
R2
+
C
R
1
1,5V
P1
A
0-100A
VCC
Q1
E

2.3 - Ajuste o potencimetro P1 de forma a obter 6V de VCE e mea a corrente na
base (IB).
2.4 - Mea VRC.
2.5 - Determine o valor da corrente de coletor pela lei de Ohm.
IC = ________________
Qual o do transistor?
2.6 - Conecte o multmetro digital entre o coletor e emissor do transistor, medindo
VCE.
2.7 - Movimente alternadamente o cursor do potencimetro de forma que IB varie
at 10A acima e abaixo do valor atual, enquanto observa o VCE do transistor.
VCE depende de IB?
2.8 - Conecte o multmetro sobre o resistor de coletor, medindo VRC.
2.9 - Movimente alternadamente o cursor do potencimetro enquanto observa VRC.
172
VRC depende de IB?

IC depende de IB?
correto afirmar que os valores de IC, IB, VRC, e VCE se relacionam entre
si?
2.10 - Ajuste IB de tal forma que VCE = 6V.
O que acontecer com os valores de IC, VRC, e VCE se IB for aumentado?
(indicar se cada valor aumentar ou diminuir).
2.11 - Aumente IB em 10A.
2.12 - Mea VCE, VRC e determine IC.
O que se deve fazer com IB de um transistor para diminuir o seu VCE?
15.3 Prtica de Polarizao de Base por Corrente Constante

Objetivos:
- Calcular o resistor de base para polarizar o transistor no ponto de operao.
- Verificar o funcionamento da polarizao de base por corrente constante.
- Fazer as correes do ponto de operao.
Equipamentos:
- Multmetro Digital
- Fonte CC 0 - 20V ajustvel.
R1 - 680 1/4W
Q1 Transistor Bipolar BC337
RB - Calculado pelo aluno.
1 Estabelea um ponto de operao sobre a reta de carga de forma que VCEQ =
VCC
.
2
1.1 - Registre os valores relativos ao ponto de operao escolhido.

VCEQ = _____________VRCQ = _____________
ICQ = _______________
Qual a corrente de base necessria para colocar o transistor neste ponto de
operao? (considere = 200).
1.2 - Determine o valor de RB necessrio para obter esta corrente de base.
173
RB =
VCC VBE
IBQ
RB = _________________
1.3 - Monte o circuito a seguir.
R1
RB
+
12VCC
C
B
Q1 = BC337
E
1.4 - Ajuste a fonte de alimentao CC para 12V e conecte ao circuito.
1.5 - Ligue a fonte CC.
1.6 - Mea VCEQ, VRCQ e ICQ.
1.7 - O ponto de operao real est de acordo com o desejado?
1.8 - Se o ponto de operao est de acordo com o desejado, no necessrio
fazer a correo, caso contrrio, necessrio fazer a correo do ponto de
operao usando o real do transistor.
1.9 - Mea VCEQ, VRCQ e ICQ com ganho real do transistor.
15.4 Prtica de Polarizao de Base de Transistor por Divisor de

Tenso
Objetivos:
Calcular e montar um circuito de polarizao para a obteno de um ponto de
funcionamento estabelecido.
Equipamentos:
-
Fonte de CC 0 12V ajustvel
Multmetro Digital
-
Q1 - Transistor Bipolar BC337
R1 - 18K 1/4W
R2 - 3,3K 1/4W
R3 - 1K 1/4W
174
R4 - 220 1/4W
1 - Monte o circuito abaixo.
R1
R3
5,4mA
+
Q1
R2
12VCC
R4
1.1 - Ajuste a fonte de CC para 12V e conecte-a ao circuito.

1.2 - Mea e anote os valores:
VCEQ =______________
VRCQ = _____________
VREQ = _____________
VR2 = ______________
VR1 = ______________
ID = ________________
IC = ________________
IB = ________________
IR2 = _______________
1.3
Desligue a fonte.
175
16 Referncias Bibliogrficas
ARNOLD, Robert & BRANDT, Hans. O sinal e o seu uso na tcnica de comando;
componentes eletrnicos especiais. So Paulo, E.P.U., 1975. 46p. il. (Eletrnica
Industrial, 3).
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MELLO, Hilton A. & INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores. 3ed. Rio de
Janeiro, LTC, 1978. 283p. il.
BOLETIM TCNICO INFORMATIVO ICOTRON. s. l. 6 (36) jun/jul, 1981.
REZENDE, Srgio Machado, A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos, Recife,
Editora da UFPE, 1996.
CREDER, Hlio, Instalaes eltricas, Rio de Janeiro, Livros Tcnicos e Cientficos,
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(1975).
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MILLMAN, Jacob e TAUB, Herbert, Pulse, digital, and switching waveforms, Nova
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DEGEM SYSTEMS, Circuitos transistorizados formadores de pulso, Israel,
Eletrnica modular (1976).
LANDO, Roberto Antnio & ALVES, Srgio Rios, Amplificador operacional, So
Paulo, rica, 1983.
MALVINO, Albert Paul, Eletrnica, So Paulo, Mc Graw Hill do Brasil, 1986.
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento
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(Coleo Bsica SENAI, Mdulo 2)
176
SENAI/DN. Transistores, por Antnio Abel Correia Villela. Rio de Janeiro, Diviso de
Recursos Humanos, 1977. 81p. (Publicaes Tcnicas, 7)
FIGINI, Gianfranco. Eletrnica industrial; circuitos e aplicaes. So Paulo, Hemus, c
1982. 336p.
MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Chistos C. Eletrnica: dispositivos e circuitos.
Trad. Eldio Robalinho e Paulo Elyot Meirelles Villela.. So Paulo, McGraw- Hill do
Brasil, 1981. il. v.2
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bsico, 4).
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circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.
TUCCI, Wilson Jos. Introduo Eletrnica. 7.ed. So Paulo, Nobel, 1983. 349p.
177

Apostila de Eletrônica Básica II

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Diretor Regional do SENAI e

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Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

Gerncia de Educao e Tecnologia

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REGIES DE OPERAO DE UM TRANSISTOR.............................................................................40

POLARIZAO DE BASE POR CORRENTE CONSTANTE............................................................45

POLARIZAO DE BASE POR DIVISOR DE TENSO....................................................................48

REGULAO DE TENSO EM FONTES DE ALIMENTAO.......................................................63

Curso Tcnico em Eletrnica

CIRCUITOS COMPARADORES TRANSISTORIZADOS...................................................................70

AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM...........................................................................................87

AMPLIFICADOR EM BASE COMUM...................................................................................................96

AMPLIFICADOR EM COLETOR COMUM.......................................................................................103

Curso Tcnico em Eletrnica

DISPARADOR SCHMITT TRIGGER...................................................................................................146

EXERCCIO DE TRANSISTORES BIPOLARARES..........................................................................163

PRTICA DE TRANSISTORES BIPOLARES.....................................................................................167

15.1 VERIFICAO DO FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES.................................................167

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig. 1 Estrutura bsica de um transistor

Como mostrado na Fig.2, a configurao da estrutura, em forma de

Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central

formada de um material tipo n. Esse tipo de transistor denominado de transistor

Curso Tcnico em Eletrnica

Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada central

formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de transistor

Fig.2 Estruturas dos transistores pnp e npn.

Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funes diferindo

1.2 Terminais do Transistor

Fig.3 Estrutura bsica de um transistor de trs terminais.

A camada central denominada de base, sendo representada pela letra B.

Uma das camadas externas denominada de coletor, sendo representada pela

A outra camada externa denominada de emissor, sendo representada pela

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Fig.4 Transistores pnp e npn com a identificao dos terminais.

O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.

blindagem. Essa blindagem consiste de um

1.4 Aspecto Real dos Transistores

Curso Tcnico em Eletrnica

Devido variedade de configuraes, a identificao dos terminais de um

1.5 Teste de Transistor

uso de um multmetro feito em duas etapas:

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig.8 Junes pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).

Portanto, para a deteco de defeitos, o transistor pode ser considerado como

Fig.9 Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.

A deteco de defeitos no transistor consiste em verificar a existncia de curto

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig.10 Deteco de descontinuidades nas junes BC e BE de um transistor npn.

2) Deteco de Curtos Nas Junes

Fig.11 Teste para deteco de curtos nas junes BC e BE de um transistor npn.

3) Deteco de Curto-Circuito entre Coletor e Emissor

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig.12 Teste para deteco de curto-circuito entre os terminais C e E de um transistor npn.

Para o caso de um transistor pnp os testes podem ser conduzidos seguindo o

1.6 Princpio de Funcionamento

Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno

Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do coletor, chamada de juno

Curso Tcnico em Eletrnica