Professional Documents
Culture Documents
Elettronica I
INTRODUZIONE
I sistemi elettronici rappresentano un importantissima parte della
societ moderna, entrando in modo strettissimo nellorganizzazione
sociale e del singolo individuo. La capacit di intervento di tali
sistemi in qualche modo proporzionale alla loro complessit, a mo
di scrigno di un antico tesoro, in essi racchiusa una enorme
parte della storia scientifica della nostra civilt.
Risultati accumulati negli anni concorrono, insieme a produrre il
risultato.
Lo studente che si accinge ad affrontarne lo studio deve sapere che
moti diversi aspetti dovranno essere esaminati sino a poterne
padroneggiare luso, e che questi aspetti riguardano discipline tra
loro molto diverse, ognuna con suoi propri metodi di analisi.
Alla base di questa lunga strada si pone la meccanica quantistica,
la struttura della materia e lelettronica dello stato solido.
Lo strumento con la quale ha operato lelettronica, fino ad ora,
stato luso di cristalli in cui le propriet quantistiche della
materia risultavano costanti e controllabili, con questi sono stati
costruiti componenti, in cui attraverso il controllo degli
elettroni della materia poteva venire elaborata linformazione.
La tendenza ad aumentare la densit di componenti realizzabili in
un singolo circuito integrato, chip, a portato a componenti sempre
pi piccoli, in cui linfluenza dei fenomeni quantistici tende ad
essere via via pi forte, cos che un richiamo a quello che la
base fisica dei fenomeni appare necessario.
Rappresenta un singolare ricorso, questa necessit di offrire allo
studente, come primo approccio, di nuovo la base fisica.
Inizialmente, negli anni 70, la base fisica fu ritenuta
fondamentale in quanto base della descrizione dei nuovi
componenti che stavano conquistando il mercato, i transistori MOS.
Fu abbandonata quando, affermata la nuova tecnologia CMOS,
linteresse
doveva
rivolgersi
fondamentalmente
verso
le
applicazioni, analogiche e digitali. tornata di attuale ora, a
causa dellinteresse per le nanotecnologie, sia nellinformazione
che nellenergia, e, soprattutto, ora che lelettronica attende un
nuovo salto tecnologico dovuto allormai prossimo raggiungimento
del limite di scalabilit dei MOS, e un ulteriore aumento della
complessit
dei
sistemi
potr
avvenire
soltanto
attraverso
ladozione di nuovi concetti.
La presente dispensa rappresenta una stringata introduzione alla
relazione che esiste tra la base fisica del comportamento della
materia e i componenti elettronici. In questa introduzione molti
concetti, verranno introdotti in modo intuitivo e non rigoroso,
privilegiando la possibilit di mostrare il ruolo di certe
propriet fisiche nella costruzione del componente e rimandando a
corsi successivi un approccio completo.
Elettronica I
determinante
agli
effetti
della
conduttivit
elettrica.Infatti se si stabilisce una differenza di potenziale tra
due punti di un cristallo,cio si crea un campo elettrico fra essi
, gli elettroni subiscono una accelerazione-cui corrisponde un
aumento del loro contenuto di energia- e iniziano a muoversi nella
direzione del campo. chiaro che ci pu avvenire solo se gli
elettroni sono in grado di assorbire detti aumenti di energia ,
cio se esistono livelli energetici vuoti (banda di conducibilit)
corrispondenti ai loro nuovi maggiori contenuti di energia.Ci si
verifica se gli elettroni occupano solo parzialmente la banda di
valenza .
Se la banda di valenza totalmente occupata allora si possono
avere tre casi :il cristallo pu essere CONDUTTORE ,NON CONDUTTORE
,SEMICONDUTTORE.
Se la banda totalmente occupata si ricopre o adiacente con la
successiva banda vuota gli elettroni possono passare da un livello
all'altro con piccolissima spesa di energia ed il cristallo
conduttore. Se la banda totalmente occupata separata dalla banda
successiva vuota da una zona proibita corrispondente ad un salto di
energia Eg possono aversi due casi:
a)se il valore di Eg
elevato il cristallo
non conduttore
(non quindi un metallo ;es. diamante)
b)se il valore di Eg non supera 1,6 ev allora possibile con una
ragionevole spesa di energia far passare elettroni dalla banda
piena alla banda vuota ed il cristallo semiconduttore .(es.
germanio e silicio).
Quanto ora detto spiega perch nei semiconduttori ad un aumento di
temperatura cio della energia media degli elettroni corrisponde un
Elettronica I
ora
ISOLANTI,SEMICONDUTTORI E METALLI
Un materiale scarsamente conduttore di elettricit viene detto
isolante,un eccellente conduttore un metallo,una sostanza la cui
conduttivit presenta valori intermedi tra questi due estremi
detto semiconduttore.
ISOLANTI
La distribuzione delle bande di energia la seguente:
Elettronica I
Banda di conduzione
Eg=4 eV
Banda proibita
Banda di valenza
Eg=1 eV
Banda proibita
Banda di valenza
Elettronica I
Banda di conduzione
Banda di valenza
v=e
dove
(1)
Elettronica I
J=nqv=v
(2)
J=nqv=nq=
dove
OHM.
(3)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Legami covalenti
@ IL LEGAME COVALENTE
La struttura cristallina del germanio e del silicio consiste in una
ripetizione regolare in tre dimensioni di una cella unitaria che ha
la forma di un tetraedro con un atomo a ciascun vertice.
La
struttura
del
germanio
in
due
dimensioni
pu
essere
rappresentata, in modo semplificato, nel modo seguente:
La struttura atomica del germanio presenta in complesso 32
elettroni. In un cristallo di germanio ,come si vede, ciascun atomo
contribuisce con 4 elettroni alla valenza. Il fatto che gli
elettroni di valenza servano ad unire gli atomi adiacenti comporta
come conseguenza che gli elettroni di valenza siano strettamente
vincolati al nucleo. Quindi nonostante siano disponibili 4
elettroni di valenza il cristallo presenta una bassa conduttivit.
LA LACUNA
A temperatura molto bassa (0 k) si vicini alla struttura ideale
della fig. precedente e il cristallo si comporta dunque come
isolante visto che non vi sono portatori liberi di muoversi. A
temperatura ambiente alcuni dei legami covalenti si possono rompere
per opera dell'energia termica fornita al cristallo e il fenomeno
della conduzione diviene possibile. Questa situazione illustrata
nella fig. seguente:
Elettronica I
+4
+4
+4
Elettrone libero
+4
+4
+4
Lacuna
+4
+4
+4
L'assenza
di
un
elettrone
nel
legame
covalente
stato
rappresentato da un cerchietto che prende il nome di lacuna.
L'importanza della lacuna consiste nel fatto che essa si comporta
come portatore di elettricit comparabile sotto tutti i punti di
vista agli elettroni liberi. Il meccanismo con cui una lacuna
contribuisce alla conduttivit evidente. Dovrebbe anche essere
evidente che il moto delle lacuna in una certa direzione significa
in realt il trasporto di una carica negativa per una uguale
distanza ma in verso opposto. Dunque si pu dire che la lacuna si
comporta esattamente come una carica positiva di valore uguale alla
carica dell'elettrone. Da quanto precede ovvio che in un
semiconduttore intrinseco (puro) in numero delle lacune uguale a
quello degli elettroni. L'agitazione termica continua a produrre
nuove coppie lacuna-elettrone mentre altre coppie dello stesso tipo
scompaiono a causa della ricombinazione:
n=p=ni
dove
(4)
DONORI
Se il drogante ha cinque elettroni di valenza si ottiene la seguente struttura:
+4
+4
+4
Elettrone libero
+4
+5
+4
+4
+4
+4
Ione fosforo
Gli atomi di impurit sostituiscono altrettanti atomi di germanio
nel reticolo cristallino. Quattro dei cinque elettroni di valenza
andranno ad occupare dei legami covalenti mentre il quinto sar
Elettronica I
+4
+4
+4
lacuna
+4
+3
+4
+4
+4
+4
Ione boro
Eg=1 eV
Livello energetico accettore
Banda di valenza
(6)
(7)
Elettronica I
10
J=(nn +pp)q =
(9)
@ DIFFUSIONE
Oltre al meccanismo di deriva il fenomeno del trasporto delle
cariche in un semiconduttore avviene anche attraverso il meccanismo
della diffusione.
In un semiconduttore possibile che si abbia una concentrazione di
particelle non uniforme. Come illustrato nella seguente figura la
concentrazione p delle lacune varia con la distanza x nel semic. e
quindi esiste un gradiente della concentrazione dei portatori:
dp/dx
p(x)
JP
x
L'esistenza di un gradiente implica che se si traccia nel
semiconduttore una superficie immaginaria la densit delle lacune
da una parte della superficie sia maggiore rispetto alla densit
dall'altra parte. Ci si pu allora attendere che in un determinato
istante di tempo sia superiore il numero delle lacune che
attraversano la superficie dal lato delle concentrazione maggiore
verso il lato dove la concentrazione inferiore piuttosto che
nella direzione opposta. In totale si ha un trasporto di lacune
attraverso la superficie che costituisce una corrente nella
direzione positiva dell'asse x.La densit di corrente di diffusione
delle lacune JP proporzionale al gradiente della concentrazione
ed espressa dalla relazione :
J P = qD p
dp
dx
(10)
possibile
che
si
presentino
contemporaneamente sia un gradiente dell'energia potenziale (campo
Elettronica I
11
GIUNZIONE
dp
dx
(11)
lacune
libere
Semiconduttore n
+ + + + + +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
Ioni accettori
elettroni
liberi
Ioni donori
Elettronica I
12
ND
-xp
xn
NA
-xp
xn
x
Em
-xp
xn
Elettronica I
13
deve essere uguale a quella dovuta agli ioni accettori, nella zona
p.
xn N D = x p N A
Il campo elettrico pu
densit di drogante:
essere
E = ( x + xp )
E = ( x xn )
calcolato
qN A
assumendo
costante
la
qN D
E (0) = Emax = x p
qN A
= xn
qN D
1 qN A 2 1 qN D 2
xp +
xn
2 S
2 S
W=
2 S N D + N A
V
q ND N A
14
nno
Vj
La
legge
della
giunzione
che
stiamo
per
ricavare
permette
di
Elettronica I
15
JP =q p p - q DP (dp/dx)=0;
q p p = q DP (dp/dx);
riarrangiando lespressione, e facendo uso della relazione
Einstein (DP/p =VT) e della legge di Poisson, otteniamo
di
= (VT/p)(dp/dx) = -(d/dx)
Alla sx della giunzione, e quindi all'interno del materiale di tipo
p, la concentrazione delle lacune assume il valore pari a quello
dell'equilibrio termico, pp0 . All'estremit destra della giunzione
(nel lato drogato n) la concentrazione vale pn0. La tensione di
giunzione,
Vj,
pu
essere
ottenuta
integrando
l'equazione
precedente attraverso la giunzione. In condizioni di circuito
aperto definiamo Vj = VBin, potenziale interno alla giunzione.
Facendo riferimento ai valori dellasse x secondo lo schema della
giunzione introdotto nel paragrafo precedente:
p ( xn )
dp n 0 dp
1
=
=
p p po p
VT
p ( xp )
VJ
1
0 d = VT
VBIn
d
0
ln(pp0/pn0) = (VBin/VT);
ovvero
Elettronica I
16
Zona di svuotamento
ppo
nno
Vj
+
V
JP =q p p - q DP (dp/dx) 0;
Uguagliando ancora i due termini di diffusione e di trasporto:
q p p = q DP (dp/dx);
Il conto simile al precedente. Questa approssimazione detta di
debole iniezione.
Facendo ancora uso della relazione di EINSTEIN (DP/p =VT) e
dellequazione di Poisson:
= (VT/p)(dp/dx) = -(d/dx)
Possiamo
procedere
di
nuovo
allintegrazione
della
forma
differenziale tenendo conto che lequilibrio stato modificato
dalla polarizzazione esterna. In particolare la tensione di
giunzione Vj ora data dal potenziale VBin della barriera
diminuito della tensione diretta V.1
E necessaria adesso unulteriore approssimazione. Alla sx della
giunzione, per la concentrazione delle lacune si assume ancora un
1 Si noti che la variazione di potenziale cade soltanto tra i bordi della zona
di svuotamento, nulla nelle zone p e n non svuotate, perch la zona di
svuotamento lunica dove esistono cariche non compensate, e quindi dove pu
essere del campo elettrico.
Elettronica I
17
p1
dp
=
p
pn ( xn )
p po
dp
1
=
p
VT
VJ
1
0 dV = VT
VBIn V
dV
pn(xn)=pp0 exp(-(VBin-V)/VT);
In base alla legge della giunzione allequilibrio(vedi sopra), con
p1=pp0, p2=pn0 e V21= VBin :
18
@ RICOMBINAZIONE
Il drogaggio presente in un semiconduttore determina il valore dei
portatori, maggioritari e minoritari, allequilibrio. Nel caso il
materiale sia fuori equilibrio, con un numero di portatori diverso
da quello stabilito dal drogaggio, si assiste ad un processo di
generazione dei portatori, se i portatori sono meno di quelli di
equilibrio, oppure ad una ricombinazione nel caso opposto.
Generazione e ricombinazione vengono descritti tramite il modello
SHR, ma nella nostra trattazione si pu adottare una versione
semplificata, valida nel caso in cui un tipo di portatori sia
decisamente minore dellaltro. In questo caso si pu definire un
tasso di ricombinazione, R, cio il numero di portatori che
scompaiono nellunit di tempo e nellunit di volume, come
funzione soltanto della densit di portatori minoritari in eccesso
di quella di equilibrio.
Nel caso di portatori minoritari lacune si avr:
R=
( p pn 0 )
p
Elettronica I
19
R=
(n nn0 )
n
@ EQUAZIONE DI CONTINUIT
La presenza di un tasso di ricombinazione porterebbe, in assenza
di altri fenomeni, alla diminuzione della densit di elettroni.
Accanto alla ricombinazione esiste un altro meccanismo che pu
portare alla modifica della densit di elettroni in un punto del
semiconduttore: la presenza di una divergenza diversa da zero nella
corrente. Presenteremo leffetto nel caso unidimensionale.
Jp(x)
Jp(x+x)
x
Consideriamo un volume di materiale semiconduttore con area 1 cm2 e
spessore x. Affronteremo il problema unidimensionale, in cui
tutte le grandezze possono variare soltanto lungo una dimensione
(x). In particolare assumiamo variabile spazialmente la densit di
corrente delle lacune, Jp. Jp(x)/q allora il numero di lacune
passano attraverso la sezione di 1 cm2 nellunit di tempo, che
entrano nel volume. Dallaltra faccia del volume escono nellunit
di tempo Jp(x+ x)/q lacune. Se la densit corrente in x diversa
da quella in x+ x il numero delle lacune contenute nel volume
considerato viene modificato nel tempo. Il numero delle lacune
dato dalla densit (p) per il volume (x)
J p ( x) J p ( x + x)
dp
x =
dt
q
Dividendo per x e facendo il limite per x --> 0
q
Elettronica I
dJ p ( x)
dp( x)
=
dt
dx
20
dJ p ( x)
dp( x)
= qR
dt
dx
( p pn 0 ) dJ p ( x)
dp( x)
= q
dt
p
dx
(n n p 0 ) + dJ n ( x)
dn( x)
= q
dt
n
dx
( p( x) p n 0 )
p
dJ p ( x)
dx
=0
J p ( x) = qD p
dp ( x)
dx
In realt una piccola variazione di campo elettrico esiste anche nella porzione non svuotata del
semiconduttore (viene detta quasi neutra), ma il suo effetto su un numero di lacune ridotto
trascurabile dal punto di vista della corrente.
Elettronica I
21
( p( x) p n 0 )
p
qD p
d 2 p ( x)
=0
dx 2
( p ( x) p n 0 )
p
qD p
nella
seguente
forma
d 2 ( p( x) p n0 )
=0
dx 2
Non
compaiono
termini
indipendenti
dalla
variabile, questa
equazione descrive quindi il comportamento delle lacune allinterno
della zona esaminata. La dipendenza dal resto della struttura
avviene attraverso le condizioni al contorno.
La soluzione di questa equazione lineare di secondo grado :
( p( x) pn 0 ) = Aex + Be x
Dove
associata.
contorno.
1
D p p
A
=
B
1
Lp
risulta
devono
dalla
essere
soluzione
ottenute
dalle
dellequazione
condizioni
al
( p (0
) pn0
VV
= e T 1 p n 0 = B
VV
L
( p( x) pn 0 ) = e T 1 pn 0 e p
Nel conto della distribuzione dei portatori nelle zone neutre si ignora lo spessore della zona di svuotamento,
introducendo una nova origine a destra (0+ = xn) e a sinistra (0- = xp) della stessa.
Elettronica I
22
llnn nn((xx))
llnn pp((xx))
LLaattoo pp
LLaattoo nn
---
nppp((00 ))
pnnn((00++))
pnnn000
nppp000
+
00--- 00++
xx
Dp
dp( x)
J p ( x) = qD p
=q
dx
Lp
VV
L
e T 1 p e p
n0
Per semplicit in queste dispense il conto per gli elettroni non viene svolto,
utilizzando lanalogia con le lacune verr ottenuto direttamente il contributo
finale alla corrente.
5
Un debole campo elettrico esiste quindi anche nella zona quasi neutra,
sufficiente a spostare i tanti elettroni.
Elettronica I
23
J
Jp
Jn
x
Questa osservazione ci risparmia un complesso conto per la corrente
degli elettroni (maggioritari) in quanto la densit di corrente
totale pu essere valutata come la densit di corrente di lacune
per x=0+.
VV
J p (0 ) = q
p n 0 e T 1
Lp
Dp
Una valutazione analoga deve essere svolta anche per gli elettroni
nella zona drogata p: il loro numero infatti alterato al bordo
della zona di svuotamento (0+) dal potenziale applicato. Anche gli
elettroni diffonderanno nella zona quasi neutra e questo determina
la loro densit di corrente. Si noti che gli elettroni che
diffondono arrivano nella zona p dalla dona di svuotamento:
lequilibrio descritto dalla legge della giunzione provvede a
rimpiazzare ogni elettrone che diffonde con un elettrone prelevato
dalla zona n dove gli elettroni sono maggioritari.
Se facciamo il conto della corrente che in totale scorre nella
giunzione, in termini di elettroni che devono essere forniti
dallelettrodo negativo, ci troviamo due termini:
1) elettroni che servono a rimpiazzare le lacune diffuse nella zona
n e che ricombinano;
2) elettroni che diffondono nella zona p, calcolati al bordo
sinistro della zona di svuotamento (0-). La densit di corrente pu
essere calcolata in modo analogo a quella delle lacune che
diffondono nella zona p, in particolare la densit di corrente pu
essere calcolata per x=0-.
VV
Dn
J n (0 ) = q
n p 0 e T 1
Ln
Elettronica I
24
Jtotale
Jn
Jp
0- 0+
I totale
VV
VV
VV
D
n
T
T
=q
p n 0 e 1 + q
n p 0 e 1 = I S e T 1
Lp
Ln
Dp
TTiippoo nn
R
Raaddiiaazziioonnee
LLnn pp((xx))
nn==N
NDDD
pnnn((00))
pnnn000
00
Elettronica I
xx
25
(12)
dp '( x)
dx
si ha:
J p ( x) =
qD p p '(0)
Lp
x
Lp
(16)
26
campo
@ DISTRIBUZIONE DI FERMI-DIRAC
Una considerazione aggiuntiva, che risulter essenziale nel
prosieguo, quella di distribuzione dellenergia tra gli elettroni
presenti nel materiale, in particolare degli elettroni presenti in
banda di Valenza e in banda di Conduzione.
Energia totale dipende dalla probabilit di occupazione degli stati
elettronici presenti, essendo gli elettroni in intimo contatto con
le vibrazioni termiche (fononi), questa a sua volta dipende dalla
temperatura del materiale. Loccupazione degli stati governata
inoltre dal principio di esclusione di Paoli, in ogni stato possono
esistere solo due elettroni (con spin opposto). Risulta quindi che
gli stati ad energia pi bassa sono completamente occupati, con
probabilit uno.
Allo zero assoluto tutti gli stati sono occupati fino a raggiungere
il numero totale di elettroni (si parla di stati per cm-3 e di
elettroni per cm-3). Il riempimento giunge fino ad un livello
massimo, definito Livello di Fermi (Ef). A temperatura pi alta
alcuni degli elettroni, prossimi allenergia pi alta, Ef, possono
ricevere energia dal reticolo e spostarsi a stati ad energia pi
alta del Livello di Fermi. Questo lascia non occupati alcuni degli
stati con energia al di sotto del Livello di Fermi.
EF
T=0
T>0
La probabilit di occupazione
distribuzione di Fermi-Dirac
f (E) =
di
uno
1
E EF
exp
k BT
stato
descritta
dalla
+1
27
( E EC )
N p ( E ) = V
( EV E )
Elettronica I
28
n = NCe
EC E F
KT
EF EV
KT
p = NV e
n p = N C NV e
EC EV
KT
= ni2
Elettronica I
29
punto di vista
semiconduttore.
energetico
il
comportamento
delle
strutture
@ CELLE SOLARI
Avendo trattato estesamente la struttura del diodo possiamo
estendere la descrizione ad unapplicazione di grande attualit,
quella delle celle solari. Descriveremo in particolare le celle
solari
a
silicio
cristallino,
le
pi
usuali
nel
mercato
fotovoltaico.
Iniziamo notando che lassorbimento della luce nel silicio
cristallino non avviane tutto sulla superficie come ipotizzato
nellesempio
precedente.
In
realt
cause
fisiche
rendono
lassorbimento relativamente basso, specialmente se comparato ad
altri materiali. Inoltre luce con energia al di sotto della gap,
1,1 eV, infrarosso, non pu essere assorbita del tutto.
La luce che proviene dal sole, naturalmente variabile a seconda
delle condizioni metereologiche, stata standardizzata tenendo
conto dellassorbimento dellatmosfera al livello del mare il
quello che viene definito lo spettro AM1.5.
Elettronica I
30
Elettronica I
31
a)
P+
E fotone
Si noti che la presenza di assorbimento porta fuori equilibrio termodinamico i portatori nel semiconduttore, la
distribuzione di probabilit non pi quella della distribuzione di Fermi. Tuttavia, possiamo assumere che siano stati
modificati soltanto i portatori minoritari, mentre i portatori maggioritari sono rimasti immutati. La loro distribuzione
pu quindi essere descritta ancora tramite il livello di Fermi. In questi termini viene utilizzato nel grafico. Il cosiddetto
quasi-livello di Fermi dei portatori minoritari non viene disegnato.
Elettronica I
32
VT
I = A J sc J 0
un
modello
Elettronica I
33
b) fotocorrente
P+
E=-qV
E=-qV
Elettronica I
34
I
I
V
DIODI A BREAKDOWN
Vengono
usati
in
circuiti
del
tipo:
IZ
IZ
VZ
VZ
35
I=JA.
@ DESCRIZIONE DEL DIODO CON IL CONTROLLO DI CARICA
Sappiamo che una polarizzazione diretta abbassa la barriera di
potenziale ,il che permette alle lacune di entrare dal lato p al
lato n,e agli elettroni di entrare dal lato n al lato p. La densit
delle
lacune
in
eccesso
scende
esponenzialmente
con
la
distanza,come si vede dalla fig. seguente. L'area ombreggiata sotto
tale curva proporzionale alla carica Q iniettata.
llnn nn((xx))
LLaattoo pp
llnn pp((xx))
LLaattoo nn
+
pnnn((00++))
nppp((00--))
Pno
pnnn000
nppp000
+
00--- 00++
xx
36
x
Lp
dx = AqLp p ' ( 0 )
La corrente totale delle lacune data da Ip(x) (vedi eq. (13)) con
x=0 ,ossia:
AqD p p ' ( 0 )
I = Ip =
Lp
Eliminando p'(0) dalle due eq. precedenti si ottiene:
Q
I=
con :
L2P
T =
DP
La costante prende il nome di tempo di transito. Eq. (15)
stabilisce che la carica immagazzinata, Q, dovuta ai portatori
minoritari in eccesso, proporzionale alla corrente del diodo. Il
fattore di proporzionalit il reciproco del tempo di transito.
Questa relazione pu essere generalizzata anche al caso in cui
siano rilevanti sia la corrente di lacune che quella di elettroni.
C = abs(dq/dv)
dove dq l'incremento della carica prodotta dalla variazione dv
della tensione.
La tensione applicata alla giunzione varia le dimensioni della zona
di svuotamento e quindi il valore della capacit.
CJ =
Elettronica I
CJ 0
V
1
VBIN
1/ m
37
la
dI
dQ
=T D
dV
dV
dI S e T 1
I T
CD = T
D
dV
VT
La
capacit
di
diffusione
(differenziale)
risulta
proporzionale alla corrente di polarizzazione del diodo.
Elettronica I
essere
38
pE
p
E
I
n0E
p(x)
nB
pC
p0
- + B - +C
WW
0 0
n0C
E
E
C
I
J nB =
V BC
qD nnp0B V BE
(e V T - 1) - ( e V T - 1)
W
(16)
Elettronica I
39
qD ppn0E V BE
(e V T - 1)
Lp
qD ppn0C V BC
J pC = (e V T - 1)
Lp
J pE =
(17)
IE =A ( J nB + J pE)= A
qD nnp0B qD ppn0E V BE
qD nnp0B V BC
+
(e V T - 1) - A
(e V T - 1) (18)
W
Lp
W
IC =A ( J nB + J pC)= A
V BC
qD nnp0B V BE
qD nnp0B qD ppn0C
(e V T - 1) - A
+
(e V T - 1) (19)
W
W
Lp
IS = A
qD nnp0B
;
W
ISE = A
qD nnp0B qD ppn0E
qD nnp0B qD ppn0C
+
ISC = A
+
W
Lp
W
Lp
;
(20)
VVBE
T
I E = I SE e 1
(18, 19 a)
VVBE
T
I C = I S e 1
VVBE
T
I E = I SE e 1
I
IC = S I E = F I E
I SE
Elettronica I
dalla
prima
equazione
(18, 19 b)
40
(21)
D nnp0B
D nnp0B
W
W
F = I S =
; R = I S =
ISE
D nnp0B D ppn0E
ISC
D nnp0B D ppn0C
+
+
W
Lp
W
Lp
(22)
(23)
Elettronica I
41
IE
E0
C0
IC
R I
C
IB
N IE
IE
VCB
VBE
Elettronica I
42
-qVBE
-qVBC
Elettronica I
43
proporzionale
all'integrale del campo elettrico (col segno meno). In altre parole
tra la superficie e l'interno del semiconduttore nasce una
differenza di potenziale. Con i segni della carica e del campo si
ottiene una differenza di potenziale positiva tra superficie e
bulk, usualmente definita come s. La presenza di questa differenza
di potenziale il punto cruciale nella creazione del canale.
Elettronica I
44
Metallo
ossido
semiconduttore
a)
+Q
-Q
x
b)
x
c)
d)
V
S
x
di
Applicando
una
differenza
di
potenziale
tra
Metallo
e
semiconduttore, si accumula una carica ai due estremi dellossido,
in pratica formando una capacit.
Come mostrato nella figura precedente, sul metallo la densit di
carica pu essere molto alta, e pu quindi essere descritta da una
. Nellossido non c carica, essendo un isolante.
Nel semiconduttore la carica che si pu accumulare invece
limitata:
si
possono
infatti
allontanare
le
lacune
dalla
Elettronica I
45
sempre
la
stessa,
rappresentazione si nota per che sorta
potenziale tra il corpo del semiconduttore e la
L'energia
reticolo:
potenziale
si
somma
all'energia
ma assume nullo il
La
differenza
di
V.
In
questa
una differenza di
sua superficie, s.
degli
elettroni
nel
U=-q
Il piegamento delle bande direttamente s se l'nergia misurata
in eV. Questo fa si che presso la superficie, ove il potenziale
maggiore, gli elettroni presentino una energia minore rispetto al
bulk a parit di stato elettronico occupato. In altre parole le
bande si abbassano man mano che ci si avvicina alla superficie
secondo lo schema di figura.
Elettronica I
46
Metallo
Ossido
Semiconduttore
Ec
Zona di accumulazione
Ef
Ev
n = NCe
EC E F
KT
EF EV
KT
p = NV e
Il
numero
di
elettroni
sulla
superficie
dipende
quindi
esponenzialmente
dal
potenziale
superficiale
e
quindi
dal
potenziale di gate.
Esiste quindi un secondo tipo di carica che pu essere accumulato
sulla superficie: elettroni liberi. Questo accumulo diventa
rilevate
soltanto
quando
una
sufficiente
deflessione
della
superficie ha avuto luogo.
Elettronica I
47
Elettronica I
48
Metallo
ossido
semiconduttore
+Q+Q
a)
-Q
-Q
b)
x
d)
V
S
x
Elettronica I
49
(24)
I D = WCOX [VGS V ( y ) VT ] n E
Elettronica I
(25)
50
dV
dy
(26)
ossia
I D dy = WC OX [VGS V ( y ) VT ] n dV ( y )
(27)
I
0
dy = nWC OX
[V
GS
V ( y ) VT ]dV ( y )
(28)
V DS
I D L = nWC OX (VGS VT )V DS
(29)
(30)
51
VMS(x) < VT
(31)
VDS - VG S > VT
la
la
(32)
VCan = VG S - VT
(33)
1
nWC OX (VGS VT )2
2
(34)
Elettronica I
52
Vgs
S
metallo
ossido
x
Vt
VCan
Vds
V(x)
caduta sul
canale
costante
Vgs - Vt
Modulazione di canale
Elettronica I
53
Elettronica I
54