Fundamentos de ingeniera electrnica

Ing. Leonardo Taboad

Int
Aguilar Ne
Arvalo Uribe D
Guerrero Ayala Mig
Landa Cs
Jurez Hernndez Mar

Jiutepec, Mor. Febrero

UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL ESTADO

DE MORELOS

Prctica #5
Identificacin de

FICHA TCNICA
Fundamentos de ingeniera electrnica
Fecha de
elaboracin:
Nombre del
profesor:
Nombre de la
prctica
Nmero de la
prctica

20 Febrero

201
6

Ing. Leonardo Taboada Lmes

Identificacin de transistores BJT
5

Justificacin

Duracin en horas:

Comprobar los valores de ganancia de amplificacin HFe,

as como identificar el tipo de transistor, pnp o npn.

INTRODUCCIN

Que son los transistores PNP Y NPN?

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen ms N en su nombre, esto quiere
decir que utilizan partculas subatmicas de signo Negativo para transportar la
corriente. Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con ms P en su nombre, por lo

que utilizan partculas subatmicas de signo Positivo para transportar la

corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores
depende de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los signos de voltaje de
entrada difieren dependiendo del tipo de transistor. Otra diferencia es el material
con el que estn elaborados ya que generalmente los PNP se construyen con
Germanio mientras los NPN ms comnmente son construidos con Silicio.

Qu es el HFE?
La ganancia de corriente emisor comn est representada por

o por hFE. Esto

es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente

continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro
parmetro importante es la ganancia de corriente base comn,

La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de

corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente
tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta

estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un

transistor NPN):

OBJETIVOS
Identificar con el multmetro la base, si el transistor es pnp o npn.
Medir hfe con multmetro y anotar valor en la tabla.

MATERIAL REQUERIDO
Multmetro
Protoboard
Pinzas de corte y punta
BC548 y BC558, TIP41YTIP42

METODOLOGA
Se tom cada transistor y se configuro el multmetro para medir transistores.
Para pruebas pnp npn:

Se procedi a realizar las mediciones con las puntas del multmetro

intercambiando de positivo a negativo y al momento de dar lectura
corroborando la informacin en las datasheet de cada transistor.
Para prueba Hfe:
Se configuro el multmetro en modo de lectura de Hfe, despus se procedi a
colocar cada transistor en el puerto de lectura de Hfe del multmetro.

DESARROLLO

Se realiz la prctica siguiendo la metodologa descrita en la seccin previa.

A continuacin se muestra evidencia de las lecturas Hfe de cada transistor.

Transistores NPN

Lectura Tip41C

Lectura BC548

Transistores PNP

Lectura BC558

Lectura Tip42C

RESULTADOS

Modelo de transistor

VBE

VBC

BC558

628 V

631 V

BC548

629 V

626 V

Tip42C

552 V

551 V

Tip41C

548 V

545 V

PNP

NPN

Modelo de transistor
BC558

343 Hfe

BC548
Tip42C
Tip41C

193 Hfe
85 Hfe
33 Hfe

CONCLUSIONES

Se concluye que se pudieron comprobar los valores de Hfe de cada transistor

de acuerdo a su respectiva datasheet.
Tambin se pudo comprobar el tipo de transistor que se tena, ya sea PNP o
NPN, con la ayuda del multmetro. Al colocar las puntas de manera inversa la
medicin es nula o 0.