ELECTRNICAINDUSTRIAL

UNIDAD1
UNIDAD
1
DISPOSITIVOSSEMICONDUCTORES
DE ELECTRNICA INDUSTRIAL
DEELECTRNICAINDUSTRIAL

Enlaelectrnicadepotenciasecombinanlapotencia,laelectrnicayelcontrol
P t i T t conelequipoestticoyrotatorioparalageneracin,
Potencia.Trata
l
i
tti
t t i
l
i
transmisinydistribucindelaenergaelctrica.
Electrnica.Trataconlosdispositivosycircuitosdeestadoslidoparael
p
procesamientodesealesquecumplanconlosobjetivosdeseadosenelcontrol.
q
p
j
Control.Trataconlascaractersticasdeestadoestableydinmicasdesistemas
delazocerrado.
Electrnicadepotenciasepuededefinircomolasaplicacionesdelaelectrnicade
estadoslidoparaelcontrolylaconversindelaenergaelctrica.
El
Elequipomodernodeelectrnicadepotenciaemplea
equipo moderno de electrnica de potencia emplea
1)Semiconductoresdepotenciaquesepuedenconsiderarcomoelmsculo,y
2)Lamicroelectrnica,quetieneelpoderylainteligenciadeuncerebro.
Aplicaciones
p
Controlesdetemperatura,deiluminacin,demotores
Fuentesdepoder
Sistemasdeimpulsindevehculos
Sistemas de corriente directa en alto voltaje (HVDC de sus siglas en ingls
Sistemasdecorrientedirectaenaltovoltaje(HVDC,desussiglaseningls
highvoltage directcurrent)
Transmisionesflexiblesdeca (FACT,deflexibleac transmissions)

Historiadelaelectrnicadepotencia

Rectificador
dearcode
mercurio

1956
Thyristor (SCR)

Transmission Mechanicville
to Schenectady,NY
Schenectady, NY

Silicon Transistor

1948 Invention of
Germanium Transistor

1956
Thyristor (SCR)

MCT(TiristorcontroladoporMOS)
IGCT(Tiristorconmutadoporcompuerta
integrada
Gate Turn Off(GTO)Thyristor

Triac

High performance
Adjustable Speed MotorDrives
Active Power LineConditioning
ActivePower
Line Conditioning Circuits
Uninterruptible Power Supplies

HistoriadelaElectrnicadePotencia
1900
19101940
1948
1956
19601970
19701980
1970
1980
19801990
19902000
20002010
20102020

Rectificadordearcodemercurio
R
tifi d d
d
i
Rectificadordetanquemetlico,Tuboalvacocontroladoporla
rejilla,Ignitrn,Fanotrn,Tiratrn.
SeinventaelTransistordegermanio
Transistordesilicio,Tiristororectificadorcontroladodesilicio(SCR)
Triodoparacorrientealterna(TRIAC),Tiristordeapagadoporcompuerta
(GTO),CircuitosintegradosBipolaryMOS.
BJT de potencia Mosfet de potencia Microprocesadores de 8 y 16 bits
BJTdepotencia,Mosfetdepotencia,Microprocesadoresde8y16bits
TiristorcontroladoporMOS(MCT),Tiristorconmutadoporcompuerta
integrada(IGCT)
Variadoresdevelocidaddemotoresdeca
RelevadoresdeestadoslidoeInterruptoresdepotencia,Pantallasplanas
deTVacolor
Plantassolaresdepotencia,Variadoresdevelocidaddemotoresdealta
potencia Sistemas de acondicionamiento de potencia de lnea activa
potencia,Sistemasdeacondicionamientodepotenciadelneaactiva,
Fuentesdepoderininterrumpibles,Vehculoselctricos

Dispositivossemiconductoresdepotencia
Estosdispositivossepuedendividirenformageneralentresclases:
1) diodosdepotencia
2) transistores
3) tiristores.
Losdiodosdepotenciasondetrestipos:
1)depropsitogeneral
2)dealtavelocidad(orecuperacinrpida)
3)deSchottky
)d
h k

Diodosdeusogeneral
d d
l

Tiempoderecuperacininversa

Eltiempoderecuperacininversat
l
d

d d f
l
l d
rr sepuededefinircomoelintervalodetiempo
entreelinstanteenquelacorrientepasaporceroduranteelcambiodeconduccin
directaalacondicindebloqueoinverso,yelmomentoenquelacorrienteen
j
p
p
sentidoinversohabajadohastael25%desuvalorpicoI
RR.Lavariabletrr
rr dependede
latemperaturadelaunin,delavelocidaddecadadelacorrienteensentido
directo,ascomolacorrienteensentidodirectoantesdelaconmutacin,IF.

Lostransistoresdepotenciasondecuatroclases:
1)BJT (Transistorbipolardeunin)
2)MOSFET depotencia(Transistordeefectodecampometalxidosemiconductor)
3)IGBT (Transistorbipolardecompuertaaislada)
4)SIT (Transistordeinduccinesttica)
TransistoresNPN

MOSFETdepotencia

Lostiristoressepuedendividirenoncetipos:
os s o es se puede d d e o ce pos
a) tiristordeconmutacinforzada(SCR)
b) tiristorconmutadoporlnea,(SCR,TRIAC)
c) tiristordeapagadoporcompuerta(GTO,desussiglaseninglsgateturnoff
th i t )
thyristor)
d) tiristordeconduccininversa(RCT,desussiglaseninglsreverseconducting
thyristor)
e) tiristordeinduccinesttica(SITH,desussiglaseninglsstatic
g
g
induction
thyristor)
f) tiristordesactivadoconasistenciadecompuerta(GATT,desussiglaseningls
gateassisted turnoffthyristor)
g) rectificadorcontroladodesiliciofotoactivado
rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR,desussiglaseningls
(LASCR de sus siglas en ingls
lightactivated silicon controlled rectifier
h) tiristorabiertoporMOS(MTO,porsussiglaseninglsMOSturnoff)
i) tiristorabiertoporemisor(ETO,porsussiglaseninglsemitter turnoff)
j) tiristorconmutado porcompuertaintegrada(IGCT,porsussiglaseningls
integrated gatecommutated thyristor)
k) tiristorescontroladosporMOS(MCT,porsussiglaseninglsMOScontrolled
thyristor)

GTOs

Tiristores

Intervalosdepotenciadelossemiconductoresdepotenciacomerciales

Aplicacionesdelosdispositivosdepotencia

TRIAC

Especificacionesdeinterruptor
Lascaractersticasdelosdispositivossemiconductoresprcticossondistintasdelasdelos
elementosideales.Losfabricantesdelosdispositivossuministranhojasdedatosque
describenlosparmetrosylascapacidadesdesusproductos.Hayparmetrosimportantes;
losmsimportantesentreellosson:
Capacidadesdevoltaje:voltajespicorepetitivosdirectoeinversoycadadevoltaje
directo en estado cerrado
directoenestadocerrado.
Capacidadesdecorriente:corrientespromedio,razcuadrticamedia(rms),depico
repetitivo,depiconorepetitivoydefugaenestadoabierto.
Velocidadofrecuenciadeinterrupcin:transicindeunestadototalmentenoconductor
hastaunestadototalmenteconductor(cerrado),ydeunototalmenteconductorauno
totalmentenoconductor(abertura);sonparmetrosmuyimportantes.
(
);
p
y p

FIGURA1.10
td =tiempodedemora
= tiempo de demora
tr =tiempodesubida
tn =tiempoactivado
ts=tiempodealmacenamiento
tiempo de almacenamiento
tf =tiempodebajada
to =tiempodesactivado

fs =

1
1
=
Ts tenc + tn + tapag + to

Capacidaddedi/dt :eldispositivonecesitauntiempomnimoparaquetodasusuperficie
conductoraintervengaparaconducirtodalacorriente.Silacorrienteaumentacon
rapidez,elflujodeellapodraconcentrarseenciertareginydaaraldispositivo.Ladi/dt
p
,
j
p
g
y
p
/
delacorrienteatravsdeldispositivoselimita,enelcasonormal,conectandoenserieal
dispositivounpequeoinductorllamadoamortiguadorenserie.
Capacidad
p
dv/dt :undispositivosemiconductortieneunacapacitanciainternaenla
p
p
unin,CJ.Sielvoltajeatravsdelinterruptorcambiaconrapidezduranteelcerrado,la
aberturaytambinalconectarelsuministroprincipaldelacorrienteinicial,laCjdv/dt de
lacorrientequepasaporCJ puedeserdemasiadoaltaycausardaosaldispositivo.La
dv/dt delvoltajeatravsdeldispositivoselimitaconectandouncircuitoRCatravsdel
mismo,alquesellamaamortiguadorshunt,amortiguadorenparaleloosimplemente
amortiguador.
Prdidasporconmutacin:duranteelcerrado,lacorrientedirectaaumentaantesdeque
elvoltajedirectobaje,ydurantelaabertura,elvoltajedirectoaumentaantesdequela
corrientebaje.Laexistenciasimultneadevoltajesycorrientesaltoseneldispositivo
causaprdidasdepotencia,comoseveenlafigura1.10b(diapositivaanterior).Debidoa
sunaturalezarepetitiva,representanunaparteapreciabledelasprdidas,ycon
frecuenciasonmayoresquelasprdidasdeconduccinduranteelestadocerrado.

Requisitosdeactivacindecompuerta:elvoltajeylacorrientedeexcitacinde
compuertasonparmetrosimportantesparaencenderyapagarundispositivo.Las
necesidades de potencia y energa del excitador de la compuerta son partes muy
necesidadesdepotenciayenergadelexcitadordelacompuertasonpartesmuy
importantesdelasprdidas,ydelcostototaldelequipo.Sisenecesitanpulsosgrandesy
largosdecorrienteparacerrarlayabrirla,lasprdidasporactivacindecompuerta
puedenserimportantesencomparacindelasprdidastotales,yelcostodelcircuito
impulsorpuedesermayorqueeldeldispositivomismo.
readeoperacinsegura(SOA,desussiglaseninglsSafe Operating Area):lacantidad
de calor generada en el dispositivo es proporcional a la prdida de potencia; es decir, al
decalorgeneradaeneldispositivoesproporcionalalaprdidadepotencia;esdecir,al
productodelvoltajeporlacorriente.ParaqueeseproductoseaP=viconstante,eigualal
valormximoadmisible,lacorrientedebeserinversamenteproporcionalalvoltaje.Esto
estableceellmiteSOAdelospuntosadmisiblesdeoperacinenestadoestableenlas
coordenadasvoltajecorriente.
d
d
lt j
i t
I2tparaproteccinconfusible:senecesitaesteparmetroparaseleccionarelfusible.La
p
y q
queladelfusible,paraqueeldispositivoquede
p
q
p
q
I2tdeldispositivodebesermayor
protegido cuandohaycondicionesdecorrientedefalla.
Temperaturas:lastemperaturasmximasdeunin,cajayalmacenamientoson
normalmente entre 150C
normalmenteentre150
Cy200
y 200C
Cparalauninylacaja,yde
para la unin y la caja y de 50
50C
Chasta175
hasta 175C
Cparael
para el
almacenamiento.
Latemperaturadealmacenamientoeslatemperaturaalaqueseencuentraeldispositivocuando
noseleaplicaningunapotencia.

Resistenciatrmica:resistenciatrmicaentreuninycajaR JC; resistenciatrmicaentre

caja y radiador R CS yresistenciatrmicaentreradiadoryambiente,R
cajayradiador,R
y resistencia trmica entre radiador y ambiente R SA.Ladisipacinde
La disipacin de
potenciadebeserrpidadesdelaobleainterna,atravsdelpaqueteyfinalmentehaciael
mediodeenfriamiento.Eltamaodelossemiconductoresinterruptoresdecorrientees
pequeo,nomayorde150mm,ylacapacidadtrmicadeundispositivoaisladoes
demasiadobajacomoparaeliminarconseguridadelcalorgeneradoporlasprdidas
internas.Engeneral,losdispositivosdepotenciasemontanenradiadores.Porloanterior,
laeliminacindelcalorrepresentaunaltocostodeequipo.

Pdiss =Power
Power dissipated

R sa
,
R sa ,

R sa =

T j Ta
Pdiss

( R jc + R cs )
R CS
,

Rectificadorcontroladodesilicio,SCR

J1
J2
J3

(VRBD)

(VFBD)
IL =Corrientedeenganche
Eslacorrienteandicamnimanecesariaparamanteneraltiristorenestadodeencendido,
inmediatamente despus de haberse activado y retirar la seal de la compuerta.
inmediatamentedespusdehaberseactivadoyretirarlasealdelacompuerta.
IH =Corrientedesostenimiento
Eslacorrientemnimadenodoparamanteneraltiristorenelestadodeencendidodespus
quehaestadoconduciendounaaltacorriente.

ModelodelSCRdedostransistores
Lacorrientedelcolectoren
untransistorBJTestdada
por

I C = I E + I CBO
Donde eslagananciade
corrientedebasecomn,
IE eslacorrientedeemisore
ICBO eslacorrientedefugade
LacorrienteatravsdelSCRestdadapor

launincolectorbase

SilacorrienteIG seaumentadeformarepentina,digamosdesde0hasta1mA,lacorrienteIA
aumentarinmediatamente,incrementandoanmsa1 y2.ConestoIA aumentaran
ms producindose un efecto regenerativo o de retroalimentacin positiva Si (1+2)tiende
msproducindoseunefectoregenerativooderetroalimentacinpositiva.Si(
) tiende
alaunidad,elresultadoseruna IA grande,yeltiristorseencenderconunapequea
corrientedecompuerta.

ENCENDIDODELSCR
Untiristorseenciendeaumentandolacorrienteandica.Estosehacedeunadelas
siguientesmaneras:
Trmica.Silatemperaturadeuntiristoresalta,hayunaumentoenlacantidaddepares
electrn hueco que aumenta las corrientes de fuga Este aumento en las corrientes hace
electrnhueco,queaumentalascorrientesdefuga.Esteaumentoenlascorrienteshace
aumentar1y2.Debidoalaaccinregenerativa,1+2puedetenderalaunidad,yel
tiristorsepuedeactivar.Estetipodeactivacinpuedecausaravalanchatrmica,yenel
caso normal se evita.
casonormalseevita.
Luz.Sisedejaincidirluzenlasunionesdeuntiristor,aumentanlospareselectrnhuecoy
eltiristorpuedeactivarse.Lostiristoresactivadosconluzseenciendendejandoquelaluz
incidasobrelaobleadesilicio.
Al
Altovoltaje.Sielvoltajeensentidodirecto,denodoactodo,esmayorqueelvoltaje
l j Si l l j
id di
d d
d
l l j
derupturaensentidodirectoVBO,pasaunacorrientedefugasuficienteparainiciarla
activacinregenerativa.Estaclasedeactivacinesdestructiva,ysedebeevitar.
dv/dt.Silarapidezdeaumentodelvoltajenodoctodoesalta,lacorrientedecargade
/
p
j
,
g
lasunionescapacitivaspuedebastarparaactivareltiristor.Unvaloraltodelacorrientede
cargapuededaaraltiristor,ysedebeprotegercontraunaaltatasadv/dt.Losfabricantes
especificanlatasadv/dt mximaadmisibleensustiristores.

Corrientedecompuerta.Siuntiristorestpolarizadoensentidodirecto,lainyeccinde
corrientedecompuertaalaplicarvoltajedecompuertapositivo,entrelasterminalesde
la compuerta y el ctodo enciende al tiristor Al aumentar la corriente de compuerta
lacompuertayelctodo,enciendealtiristor.Alaumentarlacorrientedecompuerta,
disminuyeelvoltajedebloqueoensentidodirecto,comoseveenlacaractersticaIV.
Lafigura7.8muestralaformadeondadela
corriente andica que sigue a la aplicacin de
corrienteandica,quesiguealaaplicacinde
lasealdecompuerta.Hayunretardollamado
tiempodeencendido,ton,entrelaaplicacinde
lasealalacompuertaylaconduccindeun
tiristor.Sedefineaton comoelintervalode
tiempoentreel10%delacorrientede
compuertaenestadoestable(0.1IG)yel90%
delacorrienteeneltiristor,enestadode
de
la corriente en el tiristor en estado de
encendido(0.9IT).ton eslasumadeltiempode
retardotd yeltiempodeelevacintr .Se
defineatd comoelintervalodetiempoentre
10% de la corriente de compuerta (0 1IG) y
10%delacorrientedecompuerta(0.1I
y
10%delacorrienteenelestadodeencendido
(0.1IT).tr eseltiemponecesarioparaquela
corrientedelnodosubade10%dela
corriente
del nodo suba de 10% de la
corrientedeestadodeencendido(0.1IT) al
90%delacorrientede estadodeencendido
(0.9IT).

Figura7.8Caractersticasdencendido

Sedebentenerencuentalossiguientespuntosparadisearelcircuitodecontrolde
compuerta:
1.Lasealdecompuertadeberetirarsedespusquehayaencendidoeltiristor.Una
sealdecontrolcontinuaaumentaralaprdidadepotenciaenlaunindela
compuerta.
2. Mientras el tiristor est polarizado en sentido inverso, no debe haber seal de
2.Mientraseltiristorestpolarizadoensentidoinverso,nodebehabersealde
compuerta,porquedelocontrariopuedefallaracausadeunaumentoenlacorriente
defuga.
3.ElanchodelpulsoenlacompuertatGdebesermayorqueeltiemponecesariopara
quelacorrienteandicaaumentehastaelvalordelacorrientederetencinI
l
i
di
h
l l d l
i
d
i IH.Enla
E l
prctica,elanchotG delpulsosehace,enelcasonormal,mayorqueeltiempode
activacinton deltiristor.

iG (t )

APAGADODELTIRISTOR
Untiristorqueestenelestadoencendidopuedeapagarsereduciendolacorrienteen
sentido directo hasta un valor inferior al de la corriente de retencin IH.Hayvarias
sentidodirectohastaunvalorinferioraldelacorrientederetencinI
Hay varias
tcnicasparaapagaruntiristor.Entodaslastcnicasdeconmutacin,lacorriente
andicasemantieneinferioralacorrientederetencinduranteuntiempo
suficientementelargoparaquetodoelexcesodeportadoresenlascuatrocapasfluyan
oserecombinen.
Conmutacinnatural
oporlnea

trc

Eltiempodeapagado,tq, eselvalormnimodelintervaloentreelmomentoenquela
corrienteenestadodeencendidohabajadoacero,yelmomentoenqueeltiristores
capazderesistirelvoltajeensentidodirecto,sinencenderse.
d
i ti l lt j
tid di t i
d
Conmutacinforzada

oscilanteLC,quedando
cargadoelcondensadoraigual
tensinconsignoopuestoal
quetenapreviamente.

SeenciendeprimeroaltiristorQ2conloqueel
capacitorCescargadoalvoltajeVsatravsdela
i C
d l l j V
d l
carga.Q2seapagaporsisoloporconmutacin
natural.
AlencenderaQ1,latensindeCquedaaplicadaaQ2
Q ,
q
p
Q
consunodonegativorespectoalctodo,
apagndolo.LaconduccindeQ1ylatensinenCda
origenaunsemiciclo delcircuito

Estainversindelatensinen
Cpermitequealencender
nuevamenteelQ2,lacarga
d lCt
delCtengalapolaridad
l
l id d
adecuadaparaapagaral
tiristorQ1.

ParmetrosdelSCR
VDRM
VRRM
VRSM
IT(RMS)
ITSM
I2t
PGM
PG(AV)
IGM
TJ
Tstg
RJC
RJA
IDRM,IIRRM
VTM
IGT
VGFM
VGRM
VGT
IL
IH
tq
dv/dt
di/dt

Voltajedepicorepetitivomximoenestadodebloqueodirecto
V l j d i
Voltajedepicorepetitivomximoenestadodebloqueoinverso
ii
i
d d bl
i
Voltajeinversodepicomximonorepetitivo
Corrienteeficazmximaensentidodirecto
Corrientepicoocasionalmximoensentidodirecto
Ef
Esfuerzotrmicomximo(seleccindefusible)
t i
i
( l i d f ibl )
Potenciadecompuertapicomximodirecto
Potenciadecompuertapromediomximo
Corrientedecompuertamximadirectaquesoporta
R
Rangodetemperaturadeoperacindelaunin
d t
t
d
i d l
i
Rangodetemperaturadealmacenamiento
Resistenciatrmica,unincaja
Resistenciatrmica,uninambiente
C i t d f
Corrientedefugamximarepetitivaenestadodebloqueodirectooinverso
i
titi
t d d bl
di t
i
Voltajedenodoactodomximoenestadoencendido
Corrientededisparodelacompuertamnimarequeridaparaencenderaltiristor
Voltajedecompuertadirectomximo
V lt j d
Voltajedecompuertainversomximo
t i
i
Voltajededisparodelacompuertamnimorequeridoparaencenderaltiristor
Corrientedeenganche
Corrientedesostenimiento
Ti
Tiempodeapagado
d
d
Velocidaddeincrementomximadelvoltajeentrenodoyctodo
Velocidaddeincrementomximadelacorrientedenodo

Ejemplo.
Enelsiguientecircuitolafuentedevoltajedeca es v = 300 2 sen (120 t )
ElSCRQtienelosparmetrosV
l
l

d /d =5V/s.Determinarsilos
/
l
DRM=VRRM=400V,dv/dt
parmetrosdelSCRcumplenconlorequeridoporlafuentedeca.

Laamplituddelvoltajedeca es Vm = 300 2 = 424.26 V

EstevaloresmayorqueelVDRM yelVRRM delSCR,porlotantonocumple.
V
Laderivadadelvoltajedeca
j
es dv = 1200 ( 300 2 ) cos (1200 t ) = 159942.25cos
599 . 5cos (t ) ,
dt

Elvalormximodeestaderivadasepresentaenloscrucesporcerodelasealde
voltaje,comoent =0,t = ,t =2,etc.Haciendot =0,resulta
dv
dt

= 0.159942
max

V
s

Estevaloresmenorqueladv/dt mximadelSCR,
porlotantoscumple.

ElTRIAC Triodo decorrientealterna

Aplicaciones:
InterruptordeCA
Atenuadoresdeiluminacin Controldefase
ControldemotoresdeCA
Controldecalefaccin
Fuentesdealimentacin

Cuadrantesdeoperacin

Laformanormalde
encendidodelTRIACes
mediante la aplicacin
mediantelaaplicacin
deunpulsodecorriente
decompuerta(iG),la
cualpuedeserpositivao
negativay,dependiendo
delapolaridaddel
voltajeentrelas
terminales MT2 y MT1
terminalesMT2yMT1
(vT),sepuederequerir
msomenoscorriente
dedisparo.

LasensibilidaddependedelaestructurafsicadelTRIAC,peroengeneral,se
requieremenoscorrientededisparoenelcuadranteI ymscorrientededisparo
enelcuadranteIV.

CorrientededisparodelTRIAC2N6346
VDRM
DRM =200V,I
= 200 V IT(RMS) =8A
=8A

EjemplodeInterruptorcontroladoporvoltaje
Paraevitarfallasduranteelencendido,la
corrientededisparodebeserde5a10
veceslacorrientemnimarequerida(IGT)
paradispararelTRIAC.
LaIIGT del2N6346esde12a75mA
La
del 2N6346 es de 12 a 75 mA ,
mientrasqueIGM =2A.
Otrosparmetrosson:
VDRM=200V,I
=200V
IT(RMS)=8A,dv/dt
=8A
dv/dt =5V/s
= 5V/s
Encadacaso:
EnqucuadrantesoperaelTRIAC?
Es segura la operacin del TRIAC?
EsseguralaoperacindelTRIAC?

Investigaryestudiarlaestructurafsica,simbologa,nombredelasterminales,
g y
,
g ,
,
curvasIVyparmetrosde:

Dispositivosderompimientounilateralounidireccional
Diodode4capas
Interruptorunilateraldesilicio,SUS

Di
Dispositivosderompimientobilateralobidireccional
ii
d
i i
bil
l bidi
i
l
Interruptorbilateraldesilicio,SBS
Diodo para corriente alterna o diodo de disparo bidireccional, DIAC
Diodoparacorrientealternaodiododedisparobidireccional,DIAC