FISICA

ELECTRONICA
Tomo I

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

MODULO I
MECANICA CUANTICA
PARTE I :
LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

MECANICA CUANTICA
PARTE I : LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
INTRODUCCION
Fsica Clsica y Fsica Cuntica
EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
La radiacin del cuerpo negro y el cuanto de Planck
Formulacin de Rayleigh - Jeans
Hiptesis de Planck
El efecto fotoelctrico
Einstein y la interpretacin del efecto fotoelctrico
La radiacin electromagntica,... onda o corpsculo?
El Efecto Compton
Explicacin de Compton
Algo ms a partir de Compton.....
Regularidades en los espectros atmicos
El lenguaje de los espectros
Las series espectrales del hidrgeno
Las series espectrales: un enigma pendiente

INTRODUCCION
FISICA ELECTRONICA

MODULO I

Fsica Clsica y Fsica Cuntica

La Fsica Clsica nos muestra el universo como anlogo a un
inmenso mecanismo susceptible de ser descripto con absoluta precisin
por la localizacin de sus partes en el espacio y su modificacin en el
decurso del tiempo, mecanismo cuya evolucin, en principio puede ser
prevista con rigurosa exactitud cuando se posee cierto nmero de datos
acerca de su estado inicial.
Louis De Broglie

Qu implicancias tiene esta afirmacin del clebre fsico de nuestro siglo?

Supongamos un sistema fsico, por ejemplo, una partcula. En un
instante de tiempo t=to, se puede establecer el estado fsico del sistema. Es
as como, en el contexto de la Fsica Clsica, podemos decir que la partcula,
en un instante determinado tiene asociado un estado caracterizado por los
valores que asumen su velocidad, su momento lineal, su energa... Los
valores vo, po, Eo, por ejemplo, asociados al to. , van a definir lo que
llamamos el estado del sistema en ese instante.
Del mismo modo, si conocemos el estado inicial, asociado al instante
to, la Fsica Clsica nos permite determinar con exactitud los valores
asumidos por las variables de estado en un instante t1 posterior, valores que
se suceden con continuidad. As, la partcula caracterizada por (xo, po) en
t=to y por (x1, p1) en t=t1, pasa por todos los valores intermedios de x y p
entre to y t1.
Esta posibilidad de previsin rigurosa de los fenmenos futuros a
partir de los fenmenos actuales, posibilidad que implica que el porvenir est
contenido en cierto modo en el presente y que no le aade nada, constituye
lo que se ha dado en llamar el determinismo clsico.
Hasta aproximadamente el ao 1900, todos los fenmenos fsicos
que se estudiaban podan describirse dentro del marco de la Fsica Clsica.
En particular, para la comprensin de las propiedades electrnicas de los
materiales, las descripciones empleadas hasta entonces respondan a
enfoques fenomenolgicos basados en observaciones experimentales. Las
leyes halladas en este campo de la Fsica fueron obtenidas a partir de
magnitudes y de relaciones entre magnitudes de tipo macroscpicas.
Ninguna hiptesis relativa a la estructura de la materia fue necesario realizar
para formular las ecuaciones que describan dichos fenmenos.
Esos resultados hallados empricamente conservan su campo de
aplicacin, tal el caso de la ley de Ohm, las ecuaciones de Maxwell, cuando
intervienen magnitudes tales como diferencias de potencial, intensidades de
corriente, entre otras. Sin embargo, cuando se busca explicar fenmenos de
naturaleza microscpica, tales como interacciones de tipo electrn- slido,
por ejemplo, se ponen de manifiesto las limitaciones del enfoque clsico.
Puesto que para la comprensin de la fsica de los electrones y de los
dispositivos tecnolgicos asociados debemos encarar el estudio de la
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

materia a partir de su estructura, el enfoque clsico se nos presenta

insuficiente.
Es en 1901, a raz de un hallazgo de Planck, que se inicia un gran
cambio en el campo de la Fsica. Esta es la poca en la que eran objeto de
estudio en las comunidades cientficas, los fenmenos en los que las
radiaciones electromagnticas aparecan asociadas con la materia, tanto en
mecanismos de emisin como de absorcin; poca en la que se buscaba, a
travs del estudio de la estructura de la materia, dar explicacin a fenmenos
experimentales que no podan ser descriptos a travs de la Fsica Clsica.
Podra afirmarse que existan, por entonces, una serie de problemas y
experiencias conflictivas que desafiaban a la comunidad cientfica. Entre
todos ellos, podemos destacar: la radiacin del cuerpo negro, el efecto
fotoelctrico, el efecto Compton, los espectros de emisin y absorcin de
distintos gases

El anlisis y explicacin de estas experiencias, las que

involucran mecanismos en los que entran en juego tanto la
radiacin como la materia asociados a procesos de
absorcin o emisin, permitir comprender el modo en que,
en las primeras dcadas de este siglo, se fuera generando
un nuevo modo de pensamiento, origen de la Fsica
Cuntica.

EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
Este problema est vinculado a la medicin ptica de temperaturas.
A principios de siglo, cuano se necesitaba medir una temperatura, se
empleaban mtodos basados en la dilatometra , ya sea por el empleo de un
termmetro , o la medicin a travs de la elongacin por dilatacin de una
varilla o de un fleje metlico.
Estos mtodos se volvan problemticos o imposibles a temperaturas
elevadas, fundamentalmente debido a la prdida de linealidad de la
elongacin de los metales con la temperatura.
l = l - lo =

T + T2 + .......

Un mtodo alternativo, ( slo vlido, en ese entonces, para

temperaturas elevadas), consista en observar el color de la luz emitida por
una sustancia u objeto que estuviera a alta temperatura.
De la experiencia se conocia que cuando se observaba un objeto
dentro de un horno, este objeto y las paredes internas del horno, iban
o
adquiriendo, a temperaturas mayores a 450 C , un color rosado que, a
FISICA ELECTRONICA

MODULO I

medida que la temperatura suba, se converta en rojizo, luego en rojo,

posteriormente en amarillo, pasando al blanco amarillento y finalmente al
blanco azulado.
Este fenmeno permita realizar una escala color - temperatura,
logrndose por este mtodo una medicin aproximada de la tempratura.
Al estudio del modelo fsico - matemtico de este fenmeno, para la
comprensin de la correlacin color - temperatura, se lo conoce como el
estudio de la radiacin del cuerpo negro.

La radiacin del cuerpo negro y el cuanto de Planck

El origen de la teora de los cuantos se encuentra en las investigaciones
hechas hacia 1900 por Max Planck sobre la teora de la radiacin del cuerpo
negro.
En la naturaleza no existen estrictamente cuerpos negros. Este concepto
fsico es una abstraccin terica construda como necesidad para el estudio
de esos fenmenos asociados al comportamiento de los hornos. Tal como
la partcula y el rayo luminoso , el cuerpo negro es, desde el punto de
vista del estudio fsico-matemtico, una representacin idealizada de
determinados sistemas reales.

Desde una perspectiva cientfica.., qu es un cuerpo negro?

Para su definicin resulta conveniente revisar algunos conceptos
vinculados con la radiacin del calor.
Podemos caracterizar la intensidad de la radiacin de calor
mediante el flujo de energa medido en vatios. El flujo de
energa emitido por la unidad de superficie del cuerpo emisor en
todas direcciones, se denomina emitancia luminosa del
cuerpo. Designamos esta magnitud con la letra U. La emitancia
luminosa es una funcin de la temperatura.
Puesto que la radiacin se compone de ondas de diferentes
frecuencias , si quisiramos determinar el flujo de energa
radiante emitido por un cuerpo a una determinada temperatura,
UT , deberamos conocer su poder emisivo () a esa
temperatura, para cada frecuencia, e integrarlo a lo largo de
todo el espectro de frecuencias.

As,
UT = 0 T d
Por otra parte, si analizamos la absorcin por un cuerpo del flujo
de energa radiante provocado por ondas electromagnticas,
veremos que del total incidente, una parte es absorbida por el
mismo. La relacin entre la absorbida y la incidente es lo que se
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

denomina capacidad de absorcin del cuerpo, la cual es, al

igual que el poder emisivo, una funcin de la temperatura y de la
frecuencia de la radiacin incidente. Por definicin, la capacidad
de absorcin (), no puede ser mayor que la unidad.
Para el cuerpo que absorbe completamente la radiacin de
todas las frecuencias que inciden sobre l, 1. Este cuerpo se
denomina cuerpo negro.
Una cavidad provista de un pequeo orificio se comporta como un
cuerpo negro.
La radiacin que penetra
hacia el interior a travs del orificio,
antes de salir del mismo, sufre una
reflexin repetida. Parte de la
energa es absorbida en cada
reflexin, como resultado de lo cual
toda la radiacin de cualquier
frecuencia se absorbe en esa
cavidad.

Por esa misma razn, el interior de una habitacin en un da soleado

parece oscuro, al ser observado desde lejos a travs de una ventana abierta
Un horno se comporta como un cuerpo negro. Cualquier radiacin que
choque contra el pequeo orificio de un horno tiene prcticamente cero
probabilidades de ser reflejada en la direccin inversa. Adems la radiacin
en el interior del horno est en equilibrio para cada temperatura y cualquier
radiacin que proceda del orificio es caracterstica del cuerpo negro a esa
temperatura.
Existe una relacin entre el poder emisivo y la capacidad
de absorcin de cualquier cuerpo, fundamentada a travs del
concepto de equilibrio trmico: aquel cuerpo que emita ms
energa, deber absorber ms.
Esta relacin expresa una ley establecida por Kirchoff: La
relacin entre el poder emisivo y la capacidad de absorcin
no depende de la naturaleza del cuerpo, sino que para
todos los cuerpos es una misma funcin universal de la
frecuencia y de la temperatura.

(, T)

(, T) = (, T)

El poder emisivo y la capacidad de absorcin pueden variar

extraordinariamente al pasar de un cuerpo a otro; pero la
relacin entre ellos ser igual para todos los cuerpos. Para el
FISICA ELECTRONICA

MODULO I

cuerpo negro, (, T) 1 por definicin. Por consiguiente, de

la relacin anterior, se infiere que la funcin universal de Kirchoff
(, T) representa el poder emisivo del cuerpo negro terico.
Si mantenemos las paredes de la cavidad ( o del horno), a cierta
temperatura T, del orificio saldr una radiacin bastante cercana por su
composicin espectral a la del
cuerpo negro terico a esa misma
temperatura. Al descomponer esa radiacin en un espectro con ayuda de
una red de difraccin y medir la intensidad de las diferentes zonas del mismo
en funcin de las longitudes de onda, puede determinarse
experimentalmente el aspecto de la (, T) y de su equivalente (, T).
(Recurdese que y estn relacionadas por la velocidad de la luz como
= 2 c/).
A partir de estos resultados se han determinado varias relaciones.
Las distintas curvas se refieren a diferentes valores de la temperatura T del
cuerpo negro:
Es posible observar que el mximo del poder emisivo se desplaza hacia el
lado de las ondas ms cortas al aumentar la temperatura. As, la longitud
de onda a la cual se produce el mximo de las curvas, se desplaza hacia
el azul a medida que se aumenta la temperatura del horno. Esto
concuerda con la observacin comn que un horno caliente al blanco
estar a mayor temperatura que uno al rojo. La ley experimental que
describe este comportamiento fue hallada por Wien y expresa:

mx. T = cte.

Ley de Wien :

A partir de las curvas, se deriva

tambin que:

2000 0K

(,T ).1010 W/m3

1790 0K

el flujo de energa emitido por la

unidad de superficie del cuerpo
emisor en todas las direcciones
dentro de la cavidad, o emitancia
luminosa, (rea bajo cada curva
de la distribucin espectral),
aumenta fuertemente con la
temperatura.

1600 0K

3
2
1
1
2,36

3 (m)
0,59 .105(s-1)

Se
formul
entonces
una
segunda relacin, la ley de Stefan Boltzmann, en un esfuerzo por describir estas curvas. Esta ley establece que
la emitancia luminosa del cuerpo negro es proporcional a la cuarta potencia
de la temperatura absoluta:
1,18

Ley de Stefan-Boltzmann :

O. VON PAMEL

0 (, T) d() = . T 4

S. MARCHISIO

Donde se denomina constante de Stefan - Boltzmann, cuyo valor

-8
2 4
experimental es 5,7. 10 W / (m .K ).

Formulacin de Rayleigh - Jeans

Las leyes de Stefan - Boltzmann y de Wien dan, sobre la composicin de
la radiacin del cuerpo negro y sobre sus modificaciones en funcin de la
temperatura, datos muy importantes que la experiencia ha verificado
perfectamente, pero no fijan de un modo completo la forma de la ley de la
reparticin espectral. Inmediatamente result que no se poda avanzar no
teniendo en cuenta ms que consideraciones termodinmicas, y que , para
determinar completamente la forma de la ley de composicin espectral, haba
que introducir hiptesis sobre la manera cmo la materia emite y absorbe la
radiacin , y que haba por lo tanto que aventurarse en el terreno de las
hiptesis atmicas abandonando el terreno ms slido de la Termodinmica.
Para ello se propusieron distintas relaciones, pero slo una, la formulacin
de Rayleigh-Jeans, tena base terica.
En base a un razonamiento clsico, se reconoci que la radiacin
proveniente del horno (cuerpo negro) era emitida por los tomos calientes de
las paredes. En virtud de que se conoca que las cargas en oscilacin en una
antena o dipolo podran emitir radiacin electromagntica, esta hiptesis fue
natural. En particular se pens que los tomos podran tratarse como dipolos
oscilantes con diferentes frecuencias de oscilacin.
Al estudiar el equilibrio que se establece en un recinto isotermo como
consecuencia de los intercambios de energa entre los osciladores y la
radiacin ambiente segn los mtodos del Electromagnetismo Clsico, se
pudo hallar una ley de reparticin espectral:

(, T) = cte. 2 . < > ;

siendo la cantidad < > la energa promedio del dipolo
oscilante igual a KT y calculada mediante la expresin:

<>=

FISICA ELECTRONICA

. e-

/KT

e-

/KT

MODULO I

.
Tal como se puede observar en
la
figura,
sta
concuerda
satisfactoriamente con los datos
experimentales slo para longitudes
de onda muy largas y diverge
considerablemente del experimento
para longitudes de onda cortas. La
relacin seala que la curva debera
aumentar sin lmite a medida que
se hace ms pequea. Vimos, sin
embargo, que la curva experimental
alcanza un mximo en algn valor
de y a continuacin disminuye
hacia cero a medida que
disminuye.

( ,2000 0 K ) .1011 W/m 3

formula de
Rayleigh-Jeans

10
8
6
4
2
0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Esta falla de la ley de Rayleigh - Jeans a longitudes de onda corta se

denomin catstrofe ultravioleta , en virtud de que la falla ocurre en las
longitudes de onda ultravioletas y ms cortas. La densidad total de la energa
de la radiacin del cuerpo negro obtenido en base a la ley de Rayleigh
debera ser infinita a toda temperatura.
Sin embargo, desde el punto de vista clsico, la deduccin de la frmula
de Rayleigh - Jeans es irreprochable. Por esta razn, la divergencia de esta
frmula del experimento indica la existencia de regularidades incompatibles
con las concepciones de la Fsica Clsica.

Hiptesis de Planck
Uno de los fsicos que estaba trabajando en la bsqueda de un marco
terico explicativo para la radiacin del cuerpo negro fue Max Planck. Ya
haba desarrollado una relacin emprica que describa con xito la
informacin experimental de la curva de la distribucin espectral de la
energa de la radiacin del cuerpo negro. Examinando los resultados de la ley
de Rayleigh, Planck pudo advertir que la inexactitud proceda del papel
demasiado importante que desempean en la imagen csica de los
intercambios de energa entre los osciladores atmicos y la radiacin, los
osciladores de alta frecuencia. Esto era lo que conduca al crecimiento
montono de la densidad espectral con la frecuencia, la llamada catstrofe
ultravioleta.
Con el objeto de restringir el papel de los osciladores de alta frecuencia,
Planck introdujo en su descripcin un elemento extrao a las concepciones
clsicas. Postul que la materia no puede emitir energa radiante ms que
por cantidades finitas (cuantos de energa) proporcionales a la
frecuencia de la radiacin. De este modo resulta:
cuanto de energa

O. VON PAMEL

= h.
9

S. MARCHISIO

Si la radiacin se emite en porciones , su energa deber ser mltiplo

de esa magnitud. La energa emitida por los osciladores atmicos como
radiacin electromagntica puede tomar entonces slo ciertos valores
permitidos: 0, 1 , 2 , 3 , y as sucesivamente.
Genricamente:

n = n. = n. h. ;

con n = 0, 1, 2, ....

A partir de los datos experimentales Planck calcul el factor de

proporcionalidad, h, de valor 6.64. 1034 J / s, conocido actualmente como
constante de Planck.
Poniendo en juego esta hiptesis de la cuantificacin de la energa de
los osciladores atmicos, Planck encontr una ley de reparticin espectral de
la radiacin del cuerpo negro que reproduce la curva experimental.

(, T) = cte. 2 . < >

siendo la cantidad < > la energa promedio de los
osciladores atmicos, ahora de un valor diferente del KT
que resultaba en la frmula de Rayleigh. A partir de esta
hiptesis de cuantizacin de la energa de los osciladores,
en el clculo de la <> Planck reemplaza la expresin:

<> =

. e

/KT

0 n.o e- n.o/KT

d
por:

/KT

<> =

0 o e- n.o/KT

En estado de equilibrio, la distribucin de las oscilaciones

por valores de energa debe cumplir tambin con la ley de
Boltzmann, pero en el clculo de la < >, al considerar
slo los valores permitidos de las energas proporcionales a
la frecuencia de la radiacin (hiptesis de cuantizacin de
Planck), la < > resulta ahora:

h.

<> =
e

h . / KT

; con =
-

(en vez del resultado de Rayleigh:

Por lo que :

FISICA ELECTRONICA

<> = KT)

(
, T) = cte. 3.
h
KT
h . / 2
e
- 1

10

MODULO I

La frmula final obtenida acuerda con las leyes termodinmicas de

Stefan y del desplazamiento de Wien ya analizadas. Por el contrario, no
coincide con la frmula de Rayleigh nada ms que para las frecuencias
h./

dbiles y las altas temperaturas. En este caso, puesto que el exponente e

2KT

se puede hacer aproximadamente igual a 1+ h./2KT, la < > que

resulta de la hiptesis de cuantizacin de la energa de Planck se aproxima a
KT. En ese rango, los intercambios energticos entre materia y radiacin
ponen en juego un gran nmero de los pequeos granos de energa; todo
sucede entonces sensiblemente como si estos intercambios se hiciesen de
una manera continua por lo que los razonamientos clsicos conducen a
rsultados bastante aproximados.
Por el contrario, para altas frecuencias y bajas temperaturas, los
intercambios de energas ponen en juego un reducido nmero de grandes
granos de energa, por lo que las discrepancias con el razonamiento clsico
se hacen evidentes.
El trabajo de Planck sobre esta materia fue publicado en 1900. Fue
bastante radical para la mayora de los fsicos de la poca. En un intento por
salvaguardar la naturaleza continua de la radiacin de acuerdo con la teora
de las ondas electromagnticas que se apoyaba sobre innumerables
verificaciones, el mismo Planck sostuvo por un tiempo que la materia sera
capaz de acumular de una manera continua una parte de la energa radiante
que cayera sobre ella, pero no poda emitirla ms que por cantidades finitas.
Esto no pudo ser defendido por mucho tiempo.
En 1905, Eintein mostr que el concepto cuntico de Planck poda ser
aplicado a un fenmeno proveniente de un campo diferente de la Fsica,
pero que involucraba la absorcin de radiacin electromagntica por la
materia: el efecto fotoelctrico.

El efecto fotoelctrico
Otro conjunto de resultados experimentales sin explicacin en el
comienzo de este siglo se relacionba con el efecto fotoelctrico. Se
denomin efecto fotoelctrico a la emisin de electrones por una
sustancia bajo la accin de la luz. Este efecto se observa de la siguiente
manera:

Luz
Tubo de vidrio al vacio

Se vaca todo el aire de

su interior y se conecta el
tubo en serie con una
batera
y
con
un
galvanmetro
sensible,
segn se indica.

Placas

O. VON PAMEL

Se
encierran
dos
electrodos metlicos en un
tubo de vidrio, como se
muestra en la figura.

11

S. MARCHISIO

Claro est, no fluir corriente en el circuito en virtud de que las dos

piezas de metal en el tubo no se tocan, por lo que el circuito est abierto. La
resistencia de esta porcin del circuito es infinita.
Sin embargo, si se ilumina una de las superficies metlicas, llamada
placa, con una luz de longitud de onda suficientemente corta, fluye una
corriente estacionaria en el circuito. Obviamente, esta corriente est
sustentada por los electrones emitidos por la placa bajo la accin de la luz,
los que se desplazan a lo largo del tubo hacia el colector positivo, cerrando el
circuito.
Distintas observaciones experimentales de este fenmeno permiten
establecer que:
existe una determinada longitud de onda llamada longitud de onda
crtica (c) que es caracterstica para cada metal. Unicamente
longitudes de onda ms cortas que la c pueden causar este efecto.
independientemente de lo dbil que sea el haz de luz, para cualquier
<c los electrones son emitidos en el instante en que la luz alcanza
la placa. Sin embatgo, un haz muy intenso de luz, con >c, har que
los electrones abandonen la placa nicamente despus que sta haya
sido calentada al rojo.
aunque el nmero de electrones emitidos por la placa (intensidad de la
corriente) es proporcional a la intensidad del haz luminoso, las energas
cinticas de los electrones emitidos no dependen de la intensidad
luminosa.
la determinacin experimental de la energa cintica mxima de los
electrones emitidos (K), para una misma placa, bajo la accin de la luz de
diferentes longitudes de onda (diferentes frecuencias), permite obtener
una ley matemtica que expresa:
K = A. B
= c / , con c = velocidad de la luz
siendo: A y B constantes y

m1

Cs
u1

K
u2

m2

m3

Na
u3

1
2
FISICA ELECTRONICA

Si la misma experiencia se
repite para disintos materiales de la
placa, es posible obtener una familia
de curvas de la energa en funcin de
la
frecuencia
que
resultan
representaciones de rectas de
idntica
pendiente
y diferente
ordenada al origen. Ntese la
existencia de una frecuencia mnima
o umbral (u). Esta se vincula con c
, siendo u= c /c
De
estos
resultados
12

MODULO I

experimentales podemos inferir la caracterstica esencial del efecto

fotoelctrico:
La energa cintica de los electrones emitidos es
nicamente funcin de la frecuencia de la radiacin
incidente y no depende de modo alguno de su intensidad.

Einstein y la interpretacin del efecto fotoelctrico

La interpretacin terica del mecanismo que desemboca en la
liberacin de los llamados fotoelectrones no resultaba satisfactoria a partir de
las concepciones clsicas.
La teora ondulatoria de la luz, apoyada sobre bases inquebrantables
hacia 1900, conduce a considerar la energa radiante como repartida
uniformemente en la onda luminosa. Un electrn golpeado por una onda
luminosa recibe la energa radiante de un modo continuo, por lo que la
cantidad de energa que recibe el electrn por segundo es proporcional a la
intensidad de la onda incidente y no depende de la longitud de onda.
Einstein tuvo en 1905 la idea notable de que las leyes del efecto
fotoelctrico indican la existencia de una estructura discontinua de la
luz. As generaliz los resultados de Planck a fin de obtener un modelo de la
luz:
Planck consider que un oscilador podra variar su energa perdiendo o
ganando cuantos de magnitud h , donde es la frecuencia natural del
oscilador .
Einstein postul entonces que cuando un oscilador pierde un cuanto
de energa h, el oscilador emite un pulso de luz o fotn que
transporta una cantidad de energa h , siendo la frecuencia de la luz
emitida la misma .
A partir de considerar a la luz como un haz de fotones donde cada
fotn transporta un cuanto de energa, Einstein interpret las leyes del
efecto fotoelctrico.
Cuando la luz choca contra una superficie, los fotones chocan contra los
electrones encerrados en el material. Si se requiere realizar un trabajo para
arrancar un electrn del material, los cuantos de luz deben tener por lo
menos esa cantidad de energa. La cantidad se denomina funcin
trabajo del material. Esto explica el c , la longitud de onda crtica (y la
frecuencia umbral u ) para la emisin de electrones, en forma bastante
natural.

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

Si los fotones tienen una energa tal que h > , entonces los
fotones sern capaces de liberar electrones. de otra manera no fluir
corriente. Por lo tanto tenemos:

u = / h

o lo que es lo mismo: c

= hc /

De este modo, la medicin de la longitud de onda crtica debera

permitirnos determinar la funcin trabajo del material.
A cualquier longitud de onda <c, (o frecuencia >u) ,cada fotn
tendr suficiente energa para liberar un electrn . Esta energa adicional
aparecer como energa cintica del electrn emitido. Considerando
nicamente los electrones emitidos con mayor rapidez (mayor energa
cintica), tenemos que la energa del fotn incidente es igual al trabajo
que debe realizar el electrn para liberarse del material, sumado a la
energa cintica del electrn una vez emitido.
Esto es:

= +K

de donde podemos obtener la expresin terica o ecuacin

fotoelctrica de la energa cintica en funcin de la frecuencia de
la luz incidente y as poder comparar con la ley conocida a partir
de las experiencias. As:
ecuacin fotoelctrica terica

K
K

ley emprica

= A B

La comparacin de estas dos expresiones muestra que son

de forma idntica . En efecto, por medicin se sabe que la
constante experimental A es exactamente igual a h , como se
predice en la ecuacin fotoelctrica. Por lo tanto, la teora de
Einstein del efecto fotoelctrico es un xito completo.

La radiacin electromagntica,... onda o corpsculo?

Ni la teora de la radiacin del cuerpo negro de Planck ni la teora
fotoelctrica de Einstein seran muy aceptables si se consideraran
separadas. Cada una hace una suposicin concerniente a los cuantos de
energa radiante contraria a la forma en que se consider en esa poca el
comportamiento de los objetos de laboratorio y la luz. El hecho de que en
ambas teoras se haga uso de estos mismos conceptos, y la misma
constante fsica para lograr explicaciones para dos fenmenos
completamente diferentes, hace sospechar que estas teoras y los nuevos
conceptos tienen validez. Desde esa poca se han acumulado otras pruebas,
y los fsicos reconocen que la radiacin electromagntica, cuano interacta
con la materia, se comporta como cuantos o fotones, con energa h . Esto,
claro est, no invalida nuestras ideas anteriores concerniente a la forma en
FISICA ELECTRONICA

14

MODULO I

que la luz se desplaza en el espacio, en virtud de que la naturaleza cuntica

de la luz no es evidente excepto cuando choca con la materia. Su
movimiento a travs del espacio evidentemente es igual al de las ondas y
puede describirse de mejor manera en trminos de ondas.
A partir de los cuantos de luz de Einstein es imposible describir la luz y la
radiacin electromagntica en la forma que describiramos una casa o una
silla. En el caso de la radiacin electromagntica debemos conformarnos con
describirla en trminos de lo que sta hace, en trminos de su
comportamiento.
Sabemos que la luz sufre difraccin e interferencia y, por lo tanto, aparece
como una onda bajo las circunstancias en que estos fenmenos se ponen de
manifiesto. Es decir, la radiacin electromagntica puede describirse
adecuadamente, por lo que se refiere a su movimiento a travs del
espacio en trminos de onda.
Sin embargo, cuando la radiacin interacta con la materia de manera
tal que provoque una transferencia de energa de la materia a la
radiacin, o viceversa, se requiere una descripcin en trminos de
cuantos de energa o de fotones.
Una imagen puramente corpuscular de la radiacin no permite definir una
frecuencia, una longitud de onda, es decir, magnitudes relevantes en una
descripcin ondulatoria y cuyos valores pueden ser deducidos de los
fenmenos de interferencia y difraccin. Y es precisamente a travs del uso
de esas magnitudes que Einstein define la energa del fotn: fotn = h. .
La constante de Planck, por otra parte, aparece vinculando, a modo de
puente, el aspecto ondulatorio de la luz (), bien conocido despus de
Fresnel, y el corpuscular (fotn, cuanto, corpsculo), revelado por el
descubrimiento del efecto fotoelctrico.
De todo esto concluimos que, conceptualmente:
la radiacin electromagntica se considera mejor como un
medio diferente de transporte de energa, que posee
propiedades peculiares. Estas propiedades son en parte las
de las partculas cunticas y en parte, los de ondas.

El Efecto Compton
Las propiedades corpusculares de la luz se manifiestan con ms claridad
en un fenmeno asociado a la dispersin de la radiacin que recibi el
nombre de efecto Compton.
Se sabe que, si una radiacin golpea un cuerpo material, una parte de la
energa de esta radiacin es dispersada en todas direcciones en forma de
radiacin difusa. La teora electromagntica interpreta esta dispersin
diciendo que, bajo la influencia del campo elctrico de la onda incidente, los
O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

electrones contenidos en el cuerpo material, entran en vibracin forzada y se

convierten en fuentes de pequeas ondas esfricas secundarias que
dispersan as en todas las direcciones una parte de la energa aportada por
la onda primaria. Segn esta interpretacin, la vibracin dispersada bajo la
accin de una onda primaria monocromtica (de frecuencia p), debe tener
exactamente la misma frecuencia que esta onda primaria; por ende, lo
esperable en este caso sera: d = p.
Durante mucho tiempo, esta teora, asentada sobre la base del
comportamiento ondulatorio de la radiacin, se mostr satisfactoria para la
interpretacin de las experiencias de dispersin realizadas.
Un estudio ms preciso de la dispersin de los rayos X por diversos
materiales, realizado por Compton, puso de manifiesto en 1923, un efecto no
observado anteriormente.
Esto es:

haz incidente de
rayos X

adems de la dispersin sin

cambio de frecuencia prevista
por la teora electromagntica, se
produce otra dispersin de
frecuencia
menor,
completamente imposible de
prever por el razonamiento
clsico.

grafito

rayos X dispersados

Esquema del experimento de

Compton.

Explicacin de Compton

= 00

= 450

= 900

=1350

Esta figura muestra los

resultados tpicos de la dispersin
encontrados por Compton.
El hecho esencial
observado por Compton es que:
la radiacin dispersada de
frecuencia menor a la de la
incidente, tiene una frecuencia
variable
con
el
ngulo
de
dispersin, pero independiente de
la naturaleza del material.
(A0)

Compton y Debye interpretaron el

fenmeno asimilando la dispersin con cambio de frecuencia a un choque
FISICA ELECTRONICA

16

MODULO I

elstico entre un fotn incidente y un electrn contenido en la materia

enlazado dbilmente con los tomos.
Su teora se desarrolla apoyndose sobre los teoremas de la conservacin
de la energa y de la cantidad de movimiento en la colisin.

dispersado h/
incidente h/

En el momento del choque hay cambios

de energa y cantidad de movimiento entre el
fotn y el electrn. Como la frecuencia del
fotn es proporcional a su energa, hay
disminucin de la frecuencia (prdida de
energa del fotn) en el momento del choque.

P de los electrones
En la figura, esta radiacin dispersada est caracterizada por una
longitud de onda mayor que la de la incidente.
Esta experiencia puso entonces en evidencia que: el fotn es pues un
corpsculo, al que no slo se le puede caracterizar con un valor de
energa, sino que adems, como partcula, es capaz de transferir
cantidad de movimiento.
Pero, cul es la cantidad de movimiento de esta partcula que,
como radiacin, se desplaza a la velocidad de la luz c ?
Como partcula relativista:

= m.c2

energa

p=
y cantidad de movimiento

/c

p = m.c

Por otra parte:

No debemos olvidar los atributos de partcula y de onda con que, a
partir de Einstein caracterizamos a la radiacin al interactuar con la
materia.
Recordemos que:
energa del fotn

= h.
p=

Puesto que, como vimos:

/c

Podemos calcular:
cantidad de movimiento del fotn

pfotn = h /

o, lo que es lo mismo:

O. VON PAMEL

p = h. / c

17

S. MARCHISIO

Veamos entonces cmo Compton plante las ecuaciones a partir de las

leyes de conservacin de la energa y de la cantidad de movimiento para el
sistema de las dos partculas antes y despus del choque.
cantidad de movimiento:
antes

despus

Segn el eje x :

pax = h/

h/
cos + m.vx = pdx

y en el eje y

pay = 0

h/
sen m.vy = pdy

siendo la longitud de onda despus de la dispersin y m la masa

del electrn.
energa
antes
Ea = h.c/

despus
=

h.c/
+ m.vx + m.vy = Ed
2
2

Con estas ecuaciones se puede despejar en funcin de :

= + h . (1- cos )
m.c
Obsrvese que en esta ecuacin de Compton se predice que =
cuando = 0. Por otra parte, a medida que aumenta, la
longitud de onda de la radiacin dispersada tambin aumenta,
tal como se observ en la experiencia, pudindose reproducir
los valores experimentales.

La interpretacin de la otra porcin de la radiacin dispersada, aqulla

cuya longitud de onda no cambia, es la siguiente. En el estudio precedente
consideramos al electrn levemente ligado, esto es cierto para los electrones
ms externos de los tomos. No debemos olvidar a los electrones ms
cercanos al ncleo, para los cuales, la energa de la radiacin encidente no
es suficiente, por lo que dichos electrones no pueden ser dislocados del
tomo y no pueden dar energa adicional.
El fotn acta entonces como si chocara contra un objeto masivo: el
tomo como un todo. Si la ecuacin de Compton se aplicara , la masa del
electrn debera ser reemplazada por la masa del tomo, algo as como
20.000 veces mayor que la masa del electrn. Como resultado, y son
esencialmente idnticas para estos fotones dispersados.
FISICA ELECTRONICA

18

MODULO I

Algo ms a partir de Compton.....

Un anlisis ms profundo de estos resultados nos lleva a considerar que:
el efecto Compton plantea conceptualmente la necesidad de una
interpretacin probabilstica de la mecnica Cuntica.
La experiencia realizada por Compton involucra a sistemas de electrones,
no a electrones tomados aisladamente. No se puede predecir para qu lado
ser dispersado tal o cual electrn, pero s se tiene una sistemtica (ver las
grficas de la distribucin de los electrones dispersados a distintos ngulos),
cuando el nmero de electrones es grande. Por lo que: la teora
desarrollada por Compton y Debye no permite predecir cmo
evoluciona un electrn, pero s, cmo se comportan, en promedio, un
nmero grande de electrones.

Regularidades en los espectros atmicos

Adems de la radiacin del cuerpo negro y del efecto fotoelctrico, las
particularidades observadas en los espectros producidos por varios
elementos qumicos era otro fenmeno que requera explicacin de parte
de los fsicos a comienzos del siglo XX.
Un mtodo experimental empleado frecuentemente a comienzos de siglo
para analizar la composicin de distintos elementos de la naturaleza
consista en examinar la luz emitida por los mismos en ciertas condiciones de
excitacin trmica o elctrica. Lo que se buscaba era la obtencin de
espectros de emisin; para ello, se dispersaba dicha luz a travs de un
prisma.

El lenguaje de los espectros

Un espectro se obtiene a partir de la siguiente disposicin experimental.

lampara de
descarga

prisma

pantalla

espectro gaseoso

diafragma

Podemos, por ejemplo, examinar la luz producida por el filamento

caliente de un tubo incandescente. En ese caso el espectro aparecer como
una banda luminosa continua integrada por los colores del arco iris. A ste
se lo denomina espectro continuo y es caracterstico de la radiacin
emitida por un cuerpo slido incandescente.

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

Tambin podemos obtener un espectro a partir de una muestra de

hidrgeno gaseoso u otro gas a bajas presiones, confinado en un tubo de
vidrio e inducido a emitir luz, por ejemplo, por calentamiento. Si examinamos
dicha luz con un prisma, no observamos un espectro continuo, sino un
espectro de emisin de lneas, conformado por unas pocas, separadas
lneas de color. En este caso, la fuente no est emitiendo radiacin de todas
las longitudes de onda (colores), sino de ciertas y determinadas longitudes
de onda. Ms an, si se investiga un tipo diferente de gas, por ejemplo, helio,
se puede encontrar que el espectro de lneas es diferente.
Cada tipo de gas tiene su propio y nico espectro de lneas.
Cada patrn correspondiente a un gas determinado se constitua en su
huella digital . Esto permiti el inicio del desarrollo de una importante rama
de la Fsica que se llama anlisis espectral.
A travs de la determinacin y comparacin de espectros gaseosos fue
posible durante mucho tiempo a los cientficos identificar sustancias en la
atmsfera y estudiar la composicin de las estrellas. Asimismo el desarrollo
de la espectroscopa experimental condujo al descubrimiento y clasificacin
de un nmero incalculable de lneas caractersticas para los distintos gases.
En un principio, no era evidente que existieran regularidades empricas en
estos espectros y ms an, ningn avance satisfactorio se haba realizado
en el intento por encontrar un mecanismo fsico con el cual explicar este
comportamiento de los gases cuando eran sometidos a algn modo de
excitacin.

Las series espectrales del hidrgeno

Sin embargo, el estudio de los espectros atmicos sirvi de llave para la
comprensin de la estructura de los tomos. Ante todo, se advirti que las
lneas de los espectros atmicos no estn en desorden, sino que se
anan en grupos o series de lneas. Esto se observ ms claramente en el
espectro del tomo ms simple, el hidrgeno.

6562.8 0A

4861.3 0A

En 1885 J. Balmer public un

artculo titulado Nota relativa a las
lneas espectrales del hidrgeno .
Haba encontrado una relacin
emprica entre las longitudes de
onda de la serie de lneas de
emisin del hidrgeno en la regin
visible y ultravioleta cercana a
travs de la siguiente frmula:

4340.5 0A

4101.7 A

= 0

n
2

Frmula de Balmer
2

n - 2

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO I

donde 0 es una constante; n un nmero entero distinto para cada

lnea. En particular, n deba ser igual a 3 para la primera lnea (roja); n = 4
para la segunda (verde); n = 5 para la tercera (azul); y n = 6 para la cuarta
(violeta).
Su xito residi en el excelente acuerdo entre los valores calculados por
su frmula y medidas anteriores realizadas por Armstrong de las mismas
cuatro longitudes de onda. Asimismo, asign a n el valor 7 para otra
hipottica lnea. Predijo de este modo la longitud de onda de una lnea
perteneciente al espectro del hidrgeno existente en la regin ultravioleta.
Balmer tambin admiti la posibilidad de que existiesen otras series del
hidrgeno hasta entonces desconocidas, y que las longitudes de onda de las
2
lneas en ellas se obtuviesen reemplazando el 2 , en el denominador de su
2
2
2
ecuacin por 1 , 3 , 4 , y as sucesivamente.
Si inclumos en la ecuacin de Balmer todas estas consideraciones,
y la expresamos en trminos de la inversa de la longitud de onda,
nos queda:

1 =R ( 1
2

1 )
2

frmula generalizada
de Balmer

la que, para diferentes valores de m y de n fue corroborada

experimentalmente, dando lugar a las llamadas series:
de Lyman :

m = 1 ; n = 2, 3, 4, ...

de Pashen:

m = 3 ; n = 4, 5, 6 ,...

de Brackett:

m = 4 ; n = 5, 6, 7,....

de Pfund:

m = 5 ; n = 6, 7, 8, ...

En esta frmula generalizada de Balmer para las series del

hidrgeno, R es la denominada constante de Rydberg. Su valor,
redondeado hasta las milsimas, a partir de una determinacin
experimental es:
R = 109737,309 + 0,012 cm -

Las series espectrales: un enigma pendiente

Aunque la frmula de Balmer no sirviese directamente para la descripcin
de los espectros de otros gases distintos del hidrgeno, inspir frmulas
anlogas y sirvi de base para vislumbrar algn orden en otros espectros,
an ms complejos. La constante de Rydberg tambin estaba presente en
O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

estas nuevas frmulas empricas. Esto haca cada vez ms evidente la

existencia de un mismo mecanismo fsico bsico detrs de la gran
variedad de observaciones espectroscpicas. Haba que descubrirlo para
comprender el espectro de los gases en lugar de describirlos en trminos de
frmulas experimentales.
Sin embargo, para la solucin del enigma haba que reunir otros elementos
y ahondar en el conocimiento de la estructura de la materia. Haca falta un
modelo de tomo.

FISICA ELECTRONICA

22

MODULO I

MODULO II
MECANICA CUANTICA:
LA ECUACION DE SCHROEDINGER

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Contenidos
HACIA EL CONOCIMIENTO DE LA ESTRUCTURA ATOMICA
El tomo de Thomson
La experiencia de Lenard
El origen del tomo nuclear: Rutherford
Limitaciones del modelo de Rutherford
El modelo de Bohr del tomo de hidrgeno
Limitaciones del modelo de Bohr
Hiptesis de De Broglie: el electrn como onda
El experimento de Davisson - Germer
La ecuacin de Schroedinger
A partir de la dualidad onda - corpsculo del electrn

HACIA EL CONOCIMIENTO DE LA ESTRUCTURA ATOMICA

FISICA ELECTRONICA

MODULO II

El tomo de Thomson
Una de las cuestiones fundamentales sin respuesta an en 1900 se
relacionaba con la estructura de los tomos. La carga y la masa del electrn
se conocieron en forma aproximada, as como tambin las masas de los
diferentes tomos, juntamente con las estimaciones de los qumicos del
nmero de electrones de cada uno.
3

En virtud de que las masas de los tomos son del orden de 10

veces mayores que la masa de los electrones en ellos, y como el tomo es
elctricamente neutro, en 1900 se crea que la mayor porcin de la masa
tomica llevaba una carga positiva.
El modelo ms ampliamente aceptado de estructura atmica en 1900
era el modelo de Thomson.
En ste se consideraba el tomo prcticamente como un globo
-10
fludo positivamente cargado de un dimetro aproximado de 10 m, en el
que los electrones se hallaban embebidos. Se crea que la densidad de la
esfera era razonablemente uniforme. Debido a esta mezcla ntima de carga
positiva y negativa dentro del tomo, todas las porciones del tomo eran casi
elctricamente neutras.
Cualquier modelo de tomo que se propusiera por entonces deba
poder explicar los espectros atmicos. En base a su modelo, Thomson pudo
dar cuenta de la emisin de luz por los tomos en base a suponer que,
cualquier modo de excitacin de los mismos deba imprimir movimiento a sus
cargas constitutivas.
Segn la teora de Maxwell, los electrones oscilando respecto de su
posicin de equilibrio dentro del globo fludo positivo producira la emisin de
radiacin electromagntica. Sin embargo, ni este modelo ni otros que se
propusieron por entonces poda explicar la emisin de luz en las frecuencias
discretas y especficas de las series espectrales, tal como aparecen en la
frmula de Balmer del hidrgeno.

La experiencia de Lenard
El modelo atmico de Thomson fue sometido a prueba seriamente
por Lenard en 1903.
Dispar un haz de electrones a travs de una delgada hoja de metal
y midi las propiedades de los electrones que podan atravesar una hoja.
Segn el modelo de Thomson, la situacin podra describirse como se
muestra en la figura.
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

hoja metalica

Las pelculas utilizadas por

Lenard eran realmente varias capas de
miles de tomos de espesor, y
consecuentemente sus hojas eran en
realidad ms gruesas que la mostrada.

Puesto que segn el modelo de

Thomson, los tomos eran pequeas
esferas de densidad prcticamente
uniforme, Lenard esperaba que el haz
de electrones perdiera gran cantidad
de su energa a medida que pasara a travs de la hoja.

electrones

Su experimento mostr resultados bastantes diferentes.

Podemos sintetizar el aporte de Lenard:

la mayor parte de los electrones que eran disparados contra la

hoja pasaban en lnea recta, sin ser desviados. De este modo
concluy que el modelo de Thomson del tomo era incorrecto.
propuso en su lugar que el tomo consiste de agregados muy
pequeos de carga positiva y negativa. La porcin mayoritaria
del este modelo de tomo era espacio vaco ocupado por unos
cuantos electrones que flotaban en l.

El origen del tomo nuclear: Rutherford

Los experimentos como el desarrollado por Lenard, ms bien
rudimentarios, inspiraron a E. Rutherford y colaboradores para disear y
llevar a cabo investigaciones ms precisas. Las mediciones ms completas
de este tipo fueron llevadas a cabo por Geiger y Marsden en el laboratorio
de Rutherford en 1911. Sus experimentos difirieron en varios aspectos del
de Lenard.
Utilizaron partculas emitidas por varios materiales radiactivos en
vez de electrones como partculas de bombardeo. Rutherford y sus
colaboradores haban mostrado previamente que las partculas son
ncleos de helio de gran energa.
Estas partculas, de una masa aproximadamente 2.000 veces mayor
que la de los electrones, no deberan ser desviadas notablemente por
colisiones con los electrones. Era esperable que su desvo o dispersin fuera
debida a la acumulacin de pequeas dispersiones causadas por los
sucesivos choques con los electrones.

FISICA ELECTRONICA

MODULO II

Como blanco utilizaron una delgada hoja de oro. El oro tiene ventajas
sobre otros materiales: se forja con facilidad en hojas muy delgadas.

material
radiactivo

haz de
particulas

luz

ojo
amplificador

escudo de plomo

pantalla
fluorescente

hoja de oro

diagrama del experimento de Geiger-Marsden

El emisor de partculas radiactivas fue blindado con plomo, y slo
se permita emerger una porcin de las partculas como un haz angosto.
Este haz incida sobre la hoja de metal. Como detector de las partculas , se
utiliz una pequea pantalla fluorescente. Cuando una partcula chocaba
contra la pantalla, se produca un pulso de luz. (Esto es similar a la accin
fluorescente de la pantalla de TV que produce luz cuando los electrones
chocan contra l). Colocando la pantalla a diferentes ngulos con relacin al
haz directo, se poda contar con el nmero de partculas dispersadas a
diferentes ngulos.
Los resultados de Geiger y Marsden confirmaron las mediciones
llevadas a cabo por Lenard .

Algunas de las partculas

eran reflectadas casi en lnea recta
hacia atrs, indicando que haban
chocado de frente con un objeto
masivo.

Particulas

Estos resultados indicaron

claramente que: la mayor porcin
de la masa del tomo est
bastante concentrada en una
fraccin
muy
pequea
del
volumen del tomo.

Por otra parte, investigaciones muy detalladas mostraron claramente

que la eleccin del metal no afectaba la mayor dispersin de las partculas .
Este fue el origen del concepto moderno del tomo nuclear:

el tomo consistente de un ncleo de dimensiones del orden 1014

m de dimetro, que contiene casi toda la masa del tomo,
excepto en lo que se refiere a la masa de sus electrones.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

el ncleo tambin contiene una carga positiva Ze, donde Z es el

19
nmero atmico del elemento y e es la carga elctrica, 1.60 x 10C. Dispersados a travs de la regin exterior del ncleo dentro de
10
una esfera 10- m de dimetro, se encuentran los Z electrones
del tomo.
puesto que la relacin entre el radio del ncleo y el radio del tomo
5
es aproximadamente 10- , la mayor porcin del tomo es espacio
vaco.

Aunque estos argumentos cualitativos indicaron que deberamos

aceptar un modelo nuclear para el tomo, el conocimiento cientfico requiere
algo ms que conclusiones basadas exclusivamente en razonamientos
cualitativos. La comunidad cientfica prefiere deferir la aceptacin de un
modelo hasta que pueda mostrarse que un estudio matemtico del modelo
conduce a una prediccin cuantitativa de los resultados experimentales.
Por esta razn, deba desarrollarse una teora cuantitativa para
dispersin de las partculas por el tomo para poder comparar sus
predicciones con los resultados experimentales ya conocidos. La teora
cuantitativa para esta situacin fue proporcionada por primera vez por
E.Rutherford, dando fuerza a su modelo.

Limitaciones del modelo de Rutherford

En sntesis, el modelo atmico de Rutherford era un modelo
planetario:
el tomo estaba formado por un ncleo cargado positivamente
rodeado por una nube de electrones orbitando a su alrededor en
movimiento circular con velocidad constante.

v
-e
r

En el tomo planetario la fuerza de

atraccin coulombiana es la que proporciona la
fuerza centrpeta para ese movimiento. Por lo
tanto, los electrones estn acelerados.

+e

De
acuerdo
con
la
teora
electromagntica clsica, el electrn orbital deba
por ello radiar continuamente, lo cual explicaba la
emisin de luz por los tomos. Obviamente, esta
emisin de luz no era discreta.
Adems, si la luz es emitida por el electrn en su movimiento
peridico, el principio de conservacin de la energa exige que la radiacin
emitida origine una disminucin en la energa del electrn.

FISICA ELECTRONICA

MODULO II

En el modelo de Rutherford, la energa resultaba funcin del radio

orbital. Por lo tanto, el electrn radiante se ira moviendo segn una
espiral hacia el ncleo y colapsara. Este modelo es autodestructivo.

El modelo de Bohr del tomo de hidrgeno

Conociendo los xitos y fracasos del modelo de Rutherford, Niels

Bohr se dispuso a reconciliar la idea del tomo planetario con la
evidencia experimental de su estabilidad y de las precisiones empricas
de Balmer acerca de los espectros gaseosos. Es as como para elaborar
su modelo, presentado en 1913, tom elementos del modelo de
Rutherford e introdujo algunos conceptos cunticos de Planck y
Einstein. Por esa poca, las primeras hiptesis cunticas ya haban dado
sus frutos en la explicacin de la radiacin del cuerpo negro y el efecto
fotoelctrico.
El mayor xito de Bohr fue da explicacin al espectro de
emisin del hidrgeno.
Veamos las caractersticas bsicas de su modelo a travs de sus
Postulados:
el tomo es un pequeo sistema solar con un ncleo en el
centro y electrones movindose alrededor del ncleo en
rbitas bien definidas. El ncleo hace las veces de sol y los
electrones, de los planetas. La interaccin es coulombiana.
Para el tomo de hidrgeno:
F coul. = F cent.
2

e
= m.v
2
4..0.r
r

donde m es la masa del electrn; 0 permisividad del vaco y e la

carga elctrica.
La energa cintica del electrn puede escribirse a partir de ello
como:
-

energa cintica del e :

m.v
2

e
8. .. 0. r.

Las rbitas estn cuantizadas o seleccionadas. Esto es, los

electrones pueden estar slo en ciertas rbitas. Cada rbita
permitida tiene una energa asociada a ella, de modo que a
la rbita ms externa le corresponde energa mayor. Los

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

electrones no radan energa ,- no emiten luz-, mientras se

encuentran en esas rbitas estables.
Llamemos a los radios de las rbitas estables de Bohr r1, r2,
etc. Un electrn que se mueve en tal rbita tiene tanto energa
cintica como energa potencial elctrica.
e

En una posicin del electrn distante

del ncleo en un valor r, podemos escribir:

energa potencial del e- :

e .V =

e .
4. . 0. r
2

Por lo tanto la energa total del electrn

cuando se encuentra en la rbita de radio r4 se
puede escribir como:
Etotal

Er4

Ecinet.

Epot.

8. .. 0. r4

e
8. .. 0. r4

e
4. . 0. r4

Resolviendo, resulta:
Er4

Del mismo modo para una rbita r5 resulta:

Er5

e
8. .. 0. r5
2

A medida que el electrn se acerca al ncleo, r disminuir y la

energa de los electrones tambin.
Los electrones pueden saltar desde una rbita permitida a
otra. Si el electrn lo hace desde una de menor energa a
otra mayor, debe ganar una cantidad de energa,- absorber
un cuanto de energa radiante,- igual a la diferencia de
energa asociada en cada rbita. Si pasa de una energa
mayor a otra de menor valor, el electrn debe perder la
correspondiente cantidad de energa radiada como cuanto
de luz.
De este modo, si consideramos una transicin del electrn
desde la rbita de radio r5 a la de radio r4 podemos escribir:
Er5 Er4
FISICA ELECTRONICA

=
8

h.

5--4

MODULO II

siendo en este caso h. 5--4 igual al cuanto de energa emitido

como radiacin por el tomo de hidrgeno.
Si reemplazamos por las expresiones ya presentadas nos queda:
h.

e
8. .. 0. r5
2

5--4

e
8. .. 0. r4

o lo que es lo mismo:
h.

5--4

e
8. .. 0.

( 1/ r4

1/ r5 )

Esta relacin se puede expresar en trminos de la inversa de

la longitud de onda.
Para ello empleamos la relacin ya vista:
por el producto h.c. De este modo:
1/ 5-4 =

e
. ( 1/ r4
8. .. 0. h.c.

= c/ y dividimos

1/ r5 )

hallado a travs del modelo terico del tomo de Bohr

Tenemos as una relacin para la longitud de onda de la luz
emitida en una transicin o salto del electrn entre las rbitas n=5 y
n =4, de radios r5 y r4 respectivamente, hallado a travs del
modelo terico del tomo de Bohr.
Es posible contrastarla con la informacin experimental. Si
Bohr estuviera en lo cierto, la longitud de onda as calculada
debera ser emitida por los tomos de hidrgeno. La informacin
est en los espectros, en las determinaciones con base emprica de
las lneas correspondientes al hidrgeno.
Recordemos la frmula de Balmer:

1 =R ( 1 - 1 )
2
2
m
n

frmula generalizada
de Balmer

con m y n enteros, siendo m < n

Existe sorprendente semejanza entre ambas. Bohr encontr que
poda hacer coincidir su forma exactamente si se cumpla:

seleccin de las rbitas

O. VON PAMEL

m.vn.rn = n. h
9

S. MARCHISIO

por cuantizacin del momento

angular del electrn

siendo:
n un nmero entero diferente para cada rbita;
vn la velocidad del electrn en la rbita;
rn el radio correspondiente a n.
Reemplazando rn y utilizando la expresin de la energa cintica
del electrn para eliminar vn , se puede obtener en nuestra
transicin de la rbita 5 a la rbita 4:
1/ 5-4 =

e .m
2 3
0. h .c.

. ( 1
2
4

1 )
2
5

Esta expresin de la inversa de la longitud de onda

correspondiente a la transicin que venimos analizando, calculada
a partir de la teora de Bohr, coincide con la expresin experimental
o frmula de Balmer si hacemos m = 4 y
n =5.
El clculo de la constante:

e .m

0.2 h3.c.
concuerda dentro del error experimental con la constante de
Rydberg ; representada por R en la frmula de Balmer.

Limitaciones del modelo de Bohr

La teora del tomo de hidrgeno de Bohr es satisfactoria para
obtener un modelo fsico que conduzca a los resultados experimentales
observados en el caso de la luz emitida por los tomos de hidrgeno.
Tambin es notable en tanto proporciona una base para el carcter
cuntico de la luz. El fotn es emitido por el tomo cuando el electrn cae de
una rbita a otra; es entonces un pulso de energa radiada.
Sin embargo, la teora tiene un gran inconveniente. Bohr no pudo
proporcionar alguna razn para explicar la existencia de las rbitas
estables y para la condicin de seleccin de las mismas.
Bohr encontr por prueba y error que la condicin de
cuantizacin del momento angular del electrn en unidades h./ 2
daba
el resultado correcto.

FISICA ELECTRONICA

10

MODULO II

La condicin es muy similar a la de un estudiante que conoce la

respuesta a un problema y a continuacin la obtiene por un mtodo que no
puede justificar. Nadie se siente muy feliz en esa situacin.

Hiptesis de De Broglie: el electrn como onda

El primer intento fructfero para justificar la relacin encontrada por

Bohr para la seleccin de las rbitas estables fue realizado por Louis De
Broglie en 1923. Tena slo 31 aos y ese trabajo constituy su tesis
doctoral.
De Broglie introdujo la idea de que los electrones deban, al
igual que la radiacin electromagntica, poseer una propiedad
de dualidad onda - partcula. En otras palabras, el sugiri,
basndose en la reciprocidad general de las leyes fsicas, la
naturaleza ondulatoria de los electrones.
Vincul la longitud de onda de un electrn (onda) y el
momento p de una partcula mediante la constante de Planck en
una relacin anloga a la del fotn:

De Broglie

h / m.v

Dado que h es un nmero muy pequeo, electrn de De Broglie

es pequea; por lo que las propiedades ondulatorias del electrn
slo se manifiestan en los niveles atmicos y subatmicos.
En base a esta hiptesis, De Broglie razon que:
dado que un electrn orbitando acta como onda, su
tiene que estar relacionada con la circunferencia de su
rbita.
el electrn deba ser una onda que se interfiere a s misma.
Slo si la interferencia de la onda es constructiva
(resonancia), puede la rbita electrnica mantenerse
estable.

La rbita en este caso no es posible puesto que

la onda interfiere en forma destructiva sobre s
misma.

O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

Veamos lo que se obtiene de este razonamiento:

La circunferencia de la rbita del electrn onda debe igualar
exactamente De B ; 2. De B ; 3. De B ; etc. Si r es el radio de la
rbita circular, la longitud de la circunferencia es 2..r.
Podemos escribir por lo tanto:
2..r. = ; 2; 3 ; etc.;
en general:
2..r. = n.

; con n entero

Esto define slo algunos posibles valores para el radio

de la circunferencia. Asimismo, este anlisis
conduce a
los valores permitidos de momento angular del
electrn. En
efecto:
Puesto que

= h / m.v ,

la circunferencia tiene valores:

2..r. = h / m.v ; 2 .h / m.v ; 3. h / m.v ; etc.
por lo que a partir de la hiptesis de De Broglie el momento
angular del electrn es:
m.v.r = h./ 2 ; 2. h./ 2 ; 3. h./ 2 ; etc.
En forma general:

m.v.r = n. h./ 2

El experimento de Davisson - Germer

La existencia de las ondas de De Broglie fue escasamente ms
atractivo que el simple enunciado de Bohr acerca de la existencia de las
rbitas permitidas.
Pero en 1927 se encontr una prueba experimental que
favoreci la existencia de estas ondas y esta prueba fue de tal
naturaleza que result concluyente.
Davisson y Germer estaban investigando la dispersin de un haz
de electrones por medio de un cristal de metal (nquel)

FISICA ELECTRONICA

12

MODULO II

fu e n te d e
electr on es

c r is ta l

esquema
del experimento
de Davisson y
Germer

d e te c to r

La experiencia consista en lo siguiente:

A un haz de electrones se le da una energa conocida. Se acelera a
los electrones a travs de un diferencia de potencial V. Davisson y Germer
efectuaron mediciones del nmero de electrones dispersados por el cristal de
nquel sobre el que hacan incidir el haz.
El resultado inesperado fue que los electrones se dispersaban en
gran cantidad a determinados ngulos especiales y a otros no.
Esto dio origen a nuevas experiencias empleando cristales
adecuadamente orientados. Buscaban ver si era posible aplicar la ley de
Bragg. Los resultados fueron contundentes:
la dispersin del haz de electrones por un cristal poda compararse a
los fenmenos de difraccin e interferencia luminosa mediante una
red.
los electrones se reflejaban de la misma manera que deban ser
reflejadas las ondas de De Broglie; por lo tanto se concluy que los
electrones tienen propiedades ondulatorias.
Se pueden comparar los patrones de intensidad de los electrones al
ser dispersados por un cristal (experiencia de Davisson- Germer) con los
generados cuando una luz pasa a travs de una rendija.
x

Patrn de intensidad
distancia para el fenmeno
de interferncia.

onda

intensidad

y
onda

Interferencia de ondas
luminosas
intensidad

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

haz de
electrones

Patrn de intensidad obtenido

con electrones

intensidad

La ecuacin de Schroedinger
Desarrollando las ideas de De Broglie sobre las propiedades
ondulatorias de la materia, E. Schroedinger obtuvo, en el ao 1926 (antes
de la experiencia de Davisson y Germer), su clebre ecuacin.
El compar el movimiento de una micropartcula con una funcin
compleja de la posicin y el tiempo, a la cual denomin funcin de onda y
design como funcin (psi).
La funcin de onda caracteriza el estado de la micropartcula. La
expresin para se obtiene de la solucin de la ecuacin de Schroedinger,
expresada como:
2

-h
2
8 m

+ U = i.h.
2

ecuacin de Schroedinger

aqu: m es la masa de la partcula; i la unidad imaginaria; el

operador de Laplace, el resultado de la accin del cual sobre cierta funcin,
es la suma de las segundas derivadas parciales por las coordenadas.
2

= 2 + 2 + 2
x

con la letra U en la ecuacin de Schroedinger se designa una funcin

de las coordenadas y el tiempo, cuyo gradiente tomado con signo inverso
define la fuerza que acta sobre la partcula. En el caso que la funcin U
no dependa directamente del tiempo, la misma tiene el sentido de
energa potencial de la partcula.

FISICA ELECTRONICA

14

MODULO II

De la ecuacin de Schroedinger se deriva que la forma de la funcin

est definida por la funcin U; o sea, por el carcter de las fuerzas que
actan sobre la partcula.
La ecuacin de Schroedinger es la ecuacin fundamental de la
mecnica cuntica no relativista. La misma no puede ser deducida de
oreas relaciones. Debe ser considerada como el punto de partida
fundamental, cuya justeza se demuestra por el hecho de que todas las
consecuencias que se derivan de la misma concuerdan con los datos
experimentales.
Cmo estableci Schroedinger su ecuacin?
Parti de una analoga ptico-mecnica que consiste en la
similitud de las ecuaciones que describen el recorrido de los rayos
lumnicos y las ecuaciones que describen la trayectoria de las
partculas en la mecnica analtica. En ptica, el recorrido de los
rayos satisface el principio de Fermat; en mecnica, la forma de la
trayectoria satisface el llamado principio de la accin mnima.
Ecuacin de Schroedinger cuando la funcin U es independiente del
tiempo
Si el campo de fuerzas en el cual se mueve una partcula es
estacionario, la funcin U no depende explcitamente del tiempo y representa
la energa potencial. En ese caso, la ecuacin de Schroedinger se
descompone en dos factores; uno de los cuales depende slo de las
coordenadas y el otro, slo del tiempo:

(x, y, z, t) = ( x, y, z ). e -i..t
si consideramos la relacin entre la energa E de la partcula y la
frecuencia angular :
E = h. / 2
el factor dependiente del tiempo toma la forma:

e -i..t = e-i(2 E/h)t

Por lo que podemos escribir:
-i(2 E/h)t
(x, y, z, t) = ( x, y, z ). e

Si colocamos esta expresin en la ecuacin de Schroedinger nos

queda:
2

-i(2 E/h)t

-h .e

O. VON PAMEL

+ U . e-i(2 E/h)t = i. h. (-i. 2 E) e-i(2 E/h)t

15

S. MARCHISIO

8 m

2 h

Simplificando la expresin nos queda la ecuacin diferencial que

define la funcin :
ecuacin de Schroedinger
para estados estacionarios

-h

2
8 m

Esta ltima expresin

frecuentemente toma la forma:

de

+ U = E

la

ecuacin

se

Schroedinger

= - 82m / h2 . ( E - U ).

Revisemos los pasos generales de acceso que se siguen cuando se

utiliza la ecuacin de Schroedinger en la mecnica cuntica en un campo
estacionario..

Por tratarse de un campo estacionario, la energa de la partcula se

mantiene constante. Sustituimos U por la energa potencial de la partcula
en funcin de las coordenadas x, y, z, y se resuelve la ecuacin para .
La intensidad de la onda se encuentra haciendo . En los casos en que
es un nmero complejo, la intensidad se calcula multiplicndola por su
complejo conjugado.
2

Interpretamos que la intensidad es proporcional al nmero de

partculas que e encuentran en el punto en consideracin. Si tenemos
nada ms una partcula en vez de un grupo o haz de partculas, la
intensidad ser proporcional al nmero de veces que encontramos la
partcula en el punto dado si determinamos su posicin en un gran
nmero de observaciones independientes.

A partir de la dualidad onda - corpsculo del electrn

cmo podemos representar al electrn con propiedades de
partcula - onda?
Las propiedades de los electrones pueden ser descriptas en forma
general por la funcin de onda (psi), la cual, como vimos, es funcin
del tiempo y del espacio. Tomemos, por ejemplo una funcin sencilla
general, de tipo armnica.(Recordemos que cualquier otra forma de onda,

FISICA ELECTRONICA

16

MODULO II

puede ser descompuesta por Fourier en ondas armnicas de diferente

frecuencia)

= sen ( k.x - .t)

siendo k = 2../ el nmero de onda y
= 2.. . la frecuencia angular
Esta funcin de onda no es representacin de ninguna onda o
entidad fsica. Debe ser entendida solamente como una descripcin
matemtica que nos permite analizar el comportamiento del electrn
en forma conveniente.
La dualidad onda -partcula puede ser comprendida mejor
suponiendo que el electrn puede ser representado por una
combinacin de trenes de onda de diferentes frecuencias entre y
+ ; y diferentes nmeros de onda entre k y k + k .
Podemos estudiar esto, suponiendo al principio slo dos ondas.

1 = sen ( k.x - .t) y 2 = sen [ ( k + k).x - ( + ) t]

La superposicin de ambas da como resultado una nueva funcin :

= 1 + 2 = 2.cos.( .t - k. x ) . sen [ ( k + k).x - ( + ) t]

2

Esta expresin describe una onda senoidal, de frecuencia intermedia

entre y + , con una amplitud levemente modulada por una funcin
coseno.

modulacin de la
amplitud

onda

vg
x
vf
x
paquete de ondas
De este modo podemos distinguir lo que se llama un paquete de onda
Analicemos ms detalladamente la superposicin de ondas.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

 Supongamos que y k fueran idnticos para las dos ondas (equivale

a = k = 0). En este caso, se obtiene un paquete de onda
infinitamente largo, una onda monocromtica. Esto se correspondera con
la imagen ondulatoria del electrn. No nos indica nada acerca del lugar
donde se encuentra la partcula.

v = vf

A
x

y k muy grandes. Esto nos llevara a obtener paquetes de onda

pequeos. Si adems consideramos un nmero grande de diferentes
ondas en vez de dos, barriendo frecuencias entre y (
+ ), se
obtiene un nico paquete de onda. El electrn quedara as
representado como partcula.

vg
x

Debemos distinguir diferentes velocidades

La velocidad de la onda material (de De Broglie) es la llamada velocidad
de la onda o velocidad de fase v. Como hemos visto la onda material
es una onda monocromtica (o un chorro de partculas de igual
velocidad, cuya frecuencia, longitud de onda, momento o energa pueden
ser determinados con exactitud).La ubicacin de las partculas, sin
embargo, est indeterminada, puesto que se extiende entre - y
+
.
Mencionamos tambin que una partcula puede ser entendida como
compuesta de un grupo de ondas o paquete de ondas . Cada onda
individual tiene una frecuencia levemente diferente entre los valores y
( + ). En forma apropiada , a la velocidad de una partcula se la llama
velocidad de grupo vg . La envolvente propaga con la velocidad de
grupo; es la velocidad de la partcula en movimiento. La ubicacin de
FISICA ELECTRONICA

18

MODULO II

una partcula puede ser conocida en forma precisa, mientras, su

frecuencia no.
Esto nos conduce al Principio de incertidumbre de Heisemberg
A partir de De Broglie, la aceptacin de esta descripcin de las
partculas atmicas nos lleva a aceptar este principio asombroso implcito en
ella, que es adems un hecho de la Mecnica Cuntica:
Si el momento de una partcula se conoce con
precisin, entonces su posicin es desconocida. Si
la posicin de una partcula se conoce con precisin,
entonces su momento es desconocido. Se puede
expresar simblicamente:
( px ) . ( x ) h / 2

De esta relacin inferimos que la posicin y el momento de una

partcula nica no se pueden conocer simultneamente con exactitud.

En base al mismo razonamiento podemos llegar a una

segunda relacin de incertidumbre que implica a la
energa de una partcula y al tiempo en el cual obtuvo
esa energa. Se expresa como:
( E ) . ( t ) h / 2

Si el concepto de onda de De Broglie de las partculas es cierto,

entonces, las relaciones de incertidumbre son ciertas. En ltimo anlisis,
stas son consideraciones experimentales, no tericas. En realidad no se
ha podido hasta la fecha imaginar un experimento que contradiga el
principio de incertidumbre.
El anlisis experimental revela que esta incertidumbre surge
bsicamente debido a la naturaleza ondulatoria de los fotones y de la
materia:
la incertidumbre de la medida de p, -lo mismo que de la
medida de x- , en la expresin
( px ) . ( x ) h / 2

no es debida a un descuido del observador o a un

deficiente equipo experimental ; se trata de algo inherente a la
naturaleza de los fenmenos.

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

Esto mismo puede decirse en relacin con el par de

propiedades energa y tiempo.
Como consecuencia de ello, a partir de Heisemberg se vio la
necesidad de abandonar el concepto clsico de rbita. Por otra parte se
demostr que , en un experimento ilustrativo de las caractersticas
ondulatorias de la luz era imposible , observar sus propiedades
corpusculares; y viceversa. Adems, la Fsica Cuntica incorpora un
resultado nuevo y muy importante en lo experimental:

En el contexto de la Fsica Cuntica toda observacin

modifica lo observado.

En particular, si queremos observar un rbol o un edificio, se requiere

que stos estn iluminados, para lo cual es necesario contar con un
extraordinariamente grande nmero de fotones; pero este hecho no provoca
alteracin apreciable en lo observado.
En cambio, en el orden microscpico, con el objeto de observar una
partcula, sta debe ser golpeada por un fotn de alta energa. Es necesario
en este caso considerar que el momento de la partcula debe cambiar
durante el proceso de observacin.
Se puede verificar que an el experimento mejor elaborado no puede
violar la relacin de incertidumbre de Heisemberg. Es por ello, que en
nuestro recorrido hacia la bsqueda del conocimiento en el mundo
microscpico de la materia, nuestra capacidad para conocer el estado
exacto de una partcula est limitado por las relaciones de
incertidumbre, insospechadas en el contexto de la Fsica Clsica, e
incluidas en el marco de la Fsica Cuntica.

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO II

MODULO III
MECNICA CUNTICA
PARTE III
Modelos de potencial
Objetivos:
A travs del desarrollo del presente mdulo se pretenden
lograr tres objetivos fundamentales :
1- introducir modelos de potencial simples
que ilustren los principales fenmenos que se
presentan en la Mecnica Cuntica.
2- mostrar cmo se calcula mediante la
ecuacin de Schroedinger
3- generar capacidad de modelar y de
interpretar modelos

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Modelos de potencial.
Un mtodo de anlisis a partir del clculo de la funcin de onda
Como hemos visto en el marco del trabajo de Schroedinger, la
funcin de onda no tiene interpretacin fsica real, debiendo ser entendida
como una descripcin matemtica que nos permite analizar el
comportamiento de los electrones en los tomos de una manera
conveniente.
Desde un punto de vista prctico, podemos considerar entonces a
como una magnitud intermedia cuyo conocimiento nos permitir calcular
algunas otras magnitudes, reales stas, que s tienen una interpretacin
fsica, aunque de orden estadstico. Por otra parte, la forma de dicha funcin
quedar definida por la forma de la funcin potencial U que se considere.
Para conocer esas magnitudes y resolver as problemas que
involucren comportamientos cunticos de la materia, es necesario plantear
la representacin de la funcin potencial ms aproximada a la situacin
concreta en estudio. Es decir, se requiere trabajar con modelos de potencial
representados matemticamente por la funcin U de la ecuacin de
Schroedinger, que contendr la informacin caracterstica en cada caso.
Es as como a travs de una seleccin adecuada de la funcin
potencial podremos modelar el tomo, una barra de metal, la unin de dos
metales, un slido cristalino, el efecto de un campo elctrico sobre un
material, etc. Asimismo, y de acuerdo con la situacin a modelar, los
potenciales a considerar sern diferentes. Segn su tipo, stos pueden ser
expresados en coordenadas cartesianas ortogonales, en coordenadas
radiales, etc.
A modo de ejemplo, si queremos modelar un tomo, podemos
suponer en principio al electrn encerrado en una caja de potencial
cuadrada; un modelo mejor resultara de considerar un potencial central del
2
tipo - e /r , aunque este tipo de potencial hace ms dificultosa la resolucin
de la ecuacin de Schroedinger.
A lo largo de este mdulo nos proponemos analizar slo potenciales
simples; stos, no obstante, con menor o mayor aproximacin, modelarn
situaciones que se nos presentan habitualmente en el estudio de los
materiales. De todos los casos propuestos, resolveremos con detalle
aqullos que consideramos ms formativos para los objetivos de este curso;
de los restantes, desarrollaremos el modelo y expondremos las soluciones y
los principales resultados que de ellas se desprenden.
Concretamente estudiaremos
cartesiano, crecientes en complejidad,
FSICA ELECTRNICA

distintos

potenciales

de

MODULO III

tipo

desde:
la casilla de potencial unidimensional
hasta :
el potencial peridico de un cristal
para finalizar estudiando:
el potencial central de tipo electrosttico, o lo que es lo mismo, la
representacin del tomo de hidrgeno.

Resolucin de la ecuacin de Schrodinger para un electrn

en una casilla de potencial unidimensional

La resolucin de la ecuacin de Schrodinger en problemas

atmicos y moleculares es muy dificultosa, y se escapa de los alcances de
este curso.
- 8 2m
2
2
2
------ - + ----- -- + --- ---- = - ---------- ( E -U )
h2
2y
2z
2x

Sin embargo, para comprender el carcter de los resultados del

estudio mecnico cuntico del tomo, que se realizar mas adelante , vale
la pena examinar la resolucin de la ecuacin de Schrodinger en un caso
simple.
Resolvamos primero un modelo imaginario llamado casilla de potencial.
En este modelo imaginaremos el tomo como si fuera un cubo, en el
cual se encuentran encerrados los electrones. Este sera un caso en el que
la funcin potencial ha de ser expresada en trminos de tres dimensiones,
las que se corresponderan con tres aristas perpendiculares entre s del
cubo considerado.
Puesto que en la representacin aproximada del tomo aislado no
consideramos una direccin privilegiada para la funcin potencial, podemos
encarar su resolucin a partir de considerar un modelo unidimensional.
As, resolveremos primeramente la ecuacin para un potencial
unidimensional.
En este modelo, el electrn puede moverse solamente en una
direccin, por ejemplo, en el eje x, en el intervalo definido por las cotas (x=0;
x = a ). (ver figura)

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

E (x)
U=

casilla de potencial
unidimensional

x
x=0

x=a

En los lmites del intervalo, la energa potencial U del electrn es

constante y por comodidad, la tomaremos igual a cero. Fuera de los lmites
del intervalo, la energa potencial se vuelve infinitamente grande, esto
significa que el electrn no puede salir del intervalo 0 < x < a.
Si partimos de la expresin original de la ecuacin de Schrodinger
independiente del tiempo, para este caso concreto la ecuacin toma
la forma:
-h 2
2
-------- ------ = E
82m 2x

Para la resolucin de esta ecuacin es necesario hallar la funcin y

un valor tal de la energa E del electrn que satisfaga la ecuacin.
Por otra parte, puesto que el electrn slo puede estar dentro del
intervalo, se puede escribir:

= = 0 y 2 = 1
2

expresin que da la probabilidad igual a 1 de estancia del electrn en

el interior de la casilla. Esto fija las condiciones de contorno para la
funcin de onda :
( x < 0 ) = ( 0 ) =( a ) = ( x > a ) = 0
Las funciones que satisfacen las condiciones sealadas son:

n = A sen n x
a
donde n = 1,2,3...... y
A = cte.

El valor n = 0 est excluido pues implicara = 0 en la

casilla, o sea, la ausencia del electrn.
2

FSICA ELECTRNICA

MODULO III

Sustituyendo por su valor en la ecuacin de Schrodinger se pueden

hallar los valores de la energa E:
2 2

nh
En = ---------2
8ma

donde n = 1 , 2 , 3 , .......

Habiendo obtenido los valores de n y de En hemos resuelto la

ecuacin de Schroedinger para la casilla de potencial unidimensional.
Slo falta hallar la constante A. Para ello recordemos que:
a

0 x = 1
2

_____
de donde, reemplazando se obtiene A = 2/a

Resulta importante reflexionar acerca de estos resultados.

Ante todo debemos sealar la gran diferencia entre las imgenes
cuntica y clsica del problema.

Imagen cuntica

Imagen clsica

La
energa
asume
determinados valores discretos

La energa asume cualquier

valor

E = n2
16

En = n E1
con n 0
h2
E1 = ------8ma2

O. VON PAMEL

n=4

La energa
asume
valores
continuos.

n =3

n =2

n =1

n =0

S. MARCHISIO

 n (x)

3 2

(x)

2 = cte.
2 2

= cte.

1 2
1
a x

La probabilidad de encontrar
a la partcula vara en el
intervalo

La probabilidad de encontrar
a la partcula es igual en todo el
intervalo

Representaciones de la funcin de onda y de la probabilidad segn las

imgenes cuntica (izquierda) y clsica (derecha)

Casilla de potencial tridimensional

De la solucin de la ecuacin de Schroedinger obtenida para la
casilla de potencial unidimensional se hace comprensible la existencia de un
conjunto discreto de niveles energticos del electrn en el tomo.
Con el fin de aclarar otras particularidades de la estructura
electrnica es conveniente estudiar el movimiento de los electrones en una
casilla de potencial tridimensional.
En este problema el
electrn esta confinado en un cubo
de arista a, el origen de
coordenadas se fija en uno de los
ngulos del cubo.

z
a

La energa potencial de la
partcula en el interior de la casilla
es constante.( por simplicidad
igual a cero). Fuera de ella posee
una
magnitud
infinitamente
grande.

a
x
FSICA ELECTRNICA

MODULO III

Por esto ltimo, el electrn no puede salir de la casilla bajo ninguna

circunstancia.
Como en el problema anterior, tenemos en este caso una situacin
imaginaria; sin embargo existe un fenmeno real que en cierta medida
responde a las condiciones impuestas: esto es el movimiento de los
electrones en un pedazo de metal. Estos se mueven en todas direcciones
pero no salen fuera de los lmites del pedazo. Por eso, este modelo se
utiliza en le teora del estado metlico.
En el caso dado, es necesario hallar la solucin de la ecuacin de
Schroedinger en tres dimensiones.
El mtodo que se emplea frecuentemente durante la resolucin de
problemas semejantes es el siguiente:
Se analiza la ecuacin, y se prueba dividirla en partes, cada una de las
cuales encierra slo una de las tres coordenadas. Si esto se logra
entonces el problema se simplifica en gran manera.
En nuestro caso vemos si esto es posible. As consideramos:
U (x,y,z) = U (x) + U (y) + U (z)
E (x,y,z) = E (x) + E (y) + E (z)
Supongamos que podemos en nuestro caso representar :
(x,y,z) = X (x) . Y (y) . Z (z)
Sustituyendo en la ecuacin de Schroedinger sta puede
expresarse como suma de tres ecuaciones idnticas para cada una
de las variables del tipo :
X
- 8 m
------ = ----------- E (x) - U (x) X
2
2
x
h
2

De esta forma, la divisin efectuada nos redujo el problema

tridimensional a tres de una dimensin que nos es conocido. Por lo
tanto :
ny y
nz z
nx x
X (x) = Ax sen ---------- ; Y (y) = Ay sen ---------- ; Z (z) = Az sen ---------.
a
a
a
con : nx =1,2,.. ; ny = 1,2.. , nz = 1,2,..
y adems

O. VON PAMEL

E = E (x) + E (y) + E (z) = ( nx + ny +nz ) .

h .
2
8ma

S. MARCHISIO

 A partir de lo obtenido podemos puntualizar:

El paso de un problema unidimensional a uno tridimensional
provoca la aparicin de tres nmeros ( nx , ny , nz ) de valores enteros
en la expresin de la funcin de ondas.
As en la casilla de potencial unidimensional, el electrn slo tiene un
grado de libertad, en el potencial tridimensional, tres, pues el movimiento es
posible en las direcciones de cada una de las tres coordenadas x , y, z. Si
adems es capaz de girar sobre su eje entonces aparece el cuarto grado
de libertad, etc.
Si a una misma energa responden
varios estados distintos, los que son
caracterizados por distintas funciones de
se dice que el nivel
ondas, entonces
energtico dado es degenerado.

nx= 1 ny= 2 nz= 1

nx= 2 ny= 1 nz= 1
nx = 1 ny= 1 nz= 2

Dependiendo del nmero de estados, la degeneracin puede ser

doble, triple, etc.
El anlisis mecnico - cuntico de los distintos casos del movimiento de
los electrones en una zona limitada del espacio (p.ej. un tomo, una
molcula) muestra que la funcin de ondas de la partcula siempre
contiene parmetros sin dimensiones, los cuales pueden tomar una
serie de valores enteros.
Estos parmetros se llaman nmeros cunticos.
La cantidad de nmeros cunticos contenidos en la solucin es igual
al nmero de grados de libertad de la partcula.
Se llama nmero de grados de libertad al nmero de componentes
independientes del movimiento de la partcula.

Escaln de potencial
Supondremos al electrn propagndose en el sentido positivo de la
coordenada x, encontrndose con una barrera de potencial Vo ( alto de la
barrera ), que es mayor que la energa total E del electrn, pero de un valor
finito.
La figura siguiente representa esta situacin.

FSICA ELECTRNICA

MODULO III

V(x)

Para resolver este

caso tenemos que
escribir
las
dos
ecuaciones (para las
regiones I y II), que
resultan
de
la
expresin
de
la
ecuacin
de
Schroedinger..

Vo
E
I

II

En la regin ( I ) , V = 0 por lo tanto la ecuacin de Schroedinger se

reduce a la ecuacin del electrn libre :
2m
-------- + ------- E = 0
2
2
x
h
2

y en la regin ( II ) :
2m
-------- + ------- ( E - Vo ) =0
2
2
x
h
2

Las soluciones a estas ecuaciones son:

(I)

donde :
y

I = A ei x + B e-i x

= 2mE / h2
( II )

donde : =

II = C e x + D e- x
2m

/ h2 ( E - Vo)

Definiendo nuevos parmetros : = i =

2m

/ h2 ( Vo - E ),

con lo que resulta = / i , podemos hacer :

II = C e x + D e - x
Aplicando condiciones de contorno encontramos :

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

 si x entonces

II 0 lo que implica que debe ser C = 0

si x = 0

I (x=0) II (x=0)

entonces

por lo que A + B = D

Tambin debe ser ( I /x )x=o (II /x)x=o

reemplazando:

A i + B i = - D

de donde obtenemos :
A = D/2 ( 1+ i / )
B = D/2 ( 1 - i / )

con D amplitud de la onda electrnica en la regin II .

En la figura se observa la penetracin de la barrera de potencial por
los electrones.
V(x)

Vo

Este modelo es ilustrativo

de lo que ocurre en el borde
de un material.

e-x
+

II

En efecto , cuando los electrones van del seno del material hacia su
superficie, al llegar a ella, mantienen su estado de movimiento. En ese
instante el material gana una carga equivalente positiva, y los electrones se
ven atrados por la accin de esta fuerza atractiva. Al cabo de un cierto
recorrido invierten su sentido de movimiento y retornan al seno del material.

V(x)

Vo

e-x
+

I
a

FSICA ELECTRNICA

II
x

10

Obsrvese
que,
en
promedio, los electrones se
encuentran ms afuera del
material que los iones de la red,
generndose as un campo
elctrico en la superficie del
material, por lo que un modelo
de potencial ms realista de los
bordes del material sera el de
la figura.

MODULO III

Por otro lado obsrvese que al intentar poner en contacto dos

materiales estas colas de electrones en las superficies generan repulsin
electrosttica evitando la adhesin.

Efecto tnel.
Consideremos ahora que la barra de potencial posee un espesor a,
muy delgado, menor que la penetracin de los electrones en la barrera.

V(x)

Si del otro lado de ella

(regin
III)
existen
estados cunticos libres,
los electrones podrn
atravesarla

Vo

I
0

II
a

III
x

Este fenmeno se denomina efecto tnel.

Electrones en un pozo de potencial finito.

Consideremos ahora no ya una barrera de potencial, sino una
regin con dos barreras finitas a cada lado de ella.
En la figura se grafica 3 es decir para n =3

V(x)

Vo

e-x
+

3
I

II

O. VON PAMEL

III
a

11

S. MARCHISIO

En funcin de la distancia 0 a podremos representar modelos distintos , si

esta distancia es del orden del las dimensiones del tomo, este modelo
representar una aproximacin al modelo de ste, si la distancia 0 a es
muchos rdenes de magnitud mayor que la del tomo, tendremos el modelo
de un material con sus dos bordes.
Si estudiramos cualquiera de estos modelos en tres dimensiones,
los resultados seran equivalentes a estudiar tres veces el problema en una
dimensin.

Electrones en un pozo de potencial asimtrico

Este potencial se aproxima al que ve un tomo al acercarse a otro
para constituir una molcula.

V(x)
V=

e-x
+

I
0

II

Vo

III
a

Escaln de potencial con un campo elctrico aplicado a

uno de sus lados.

V(x)

Vo
3

Vo + E.(x - a )
+
I

II
a

FSICA ELECTRNICA

Con este potencial se

puede modelizar el borde de
un material al que se le
aplica un campo elctrico en
uno de sus extremos. (Por
ejemplo lo que sucede entre
placas de un capacitor con
dielctrico de aire)

12

MODULO III

Escaln de potencial con un campo elctrico intenso

aplicado a uno de sus lados. Emisin por campo intenso..
Este potencial se emplea para explicar la emisin de electrones
desde la superficie de un electrodo en presencia de un campo elctrico muy
intenso.
V(x)
Vo +E (x-a ) con E >>1

Obsrvese que un electrn

puede llegar a cruzar a
travs de la barrera de
potencial por efecto tnel

Vo
3
II

I
0

III

Transmisin y reflexin de electrones a travs de un

escaln de potencial
Supongamos un haz de partculas con energa cintica E que se
mueve en direccin de un escaln de potencial V0.
Analicemos el caso :
E > Vo
Clsicamente el haz, al encontrar el escaln lo debera cruzar en uno u
otro sentido variando solo su energa cintica, pero cunticamente ocurre
algo radicalmente distinto: parte del haz lo atraviesa, y parte de ste se
refleja.
V(x)
E

V(x) haz transmitido haz incidente

T
I
E
R haz reflejado

haz incidente haz transmitido

I
T
R haz reflejado

Vo

Vo
haz transmitido

I
0

II
a

II
a

La condicin de contorno viene dada en ambos casos por :

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

I = T + R ( en x = a )
Obsrvese que clsicamente no debera haber onda reflejada.
Esto es equivalente a lo que se presenta para una onda
electromagntica, en una lnea de transmisin frente a un cambio de la
impedancia de sta. ( en este caso el cambio de potencial es equivalente al
cambio de impedancia).
Para ondas electromagnticas en el rango de la luz visible esto
equivaldra al cambio de ndice de refraccin del medio.
En este caso el haz de partculas se comporta como una onda (Recordar
la dualidad partcula onda ).

Reflexin de electrones frente a una barrera de potencial .

Si la barrera es infinita.

En este caso I = R

V(x)
V=

I
R

E
V0 =0
0

Obsrvese que en esta reflexin no se producir un cambio de fase.

Si en cambio encontramos un pozo de potencial finito en el camino, se

producir un cambio de fase.

V(x)
Vo =

Este surge de considerar en

el clculo de Schroedinger el
potencial -V en la regin II.

I haz incidente
R haz reflejado

0
x
I

II

III
-V

FSICA ELECTRNICA

14

MODULO III

El electrn en el potencial de una molcula diatmica.

Consideremos los casos :
1- E1 < Vo
Si el ancho de la barrera de altura Vo es tal que no se produce
efecto tnel , entonces los electrones de energa E1 funcionarn cada uno
como electrones ligados al respectivo ncleo. (ver figura)

V
Vs =

2- E2 > Vo

E2
Vo

En este caso el
electrn prcticamente no
ver la barrera de altura Vo
y se mover a lo largo de
toda la molcula. (ver figura)

E1

E1

x
nucleos

El electrn en el potencial peridico de un cristal

Estudiaremos el caso para E < Vo.

V
Vo
E
II

II

II

x
-b

Es evidente que este caso es una simplificacin del potencial real

que existe en un cristal.
Como simplificacin, sta no tiene en cuenta, fundamentalmente el
potencial real de los tomos (que depende de 1/r) ni el solapamiento de los
potenciales de los tomos individuales.

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

V
Potencial superficial
Un modelo mejor es el de
Muffin
que
se
puede
observar en la figura,
aunque
sigue
siendo
unidimensional.

nucleos

Retornando nuestro modelo simplificado vemos que podemos

escribir la ecuacin de Schroedinger para las regiones I y II de la siguiente
forma :

(I)

2m
------ + ------ E = 0
2
2
x
h

( II )

2m

------ + ------ ( E - Vo ) = 0
2
2
x
h

para abreviar escribiremos, como en problemas anteriores:

2 = 2m /h2 E
2 = 2m /h2 ( Vo - E)

La resolucin simultnea de estas ecuaciones es dificultosa. Bloch

mostr que la solucin para este tipo de ecuaciones tiene la forma:

(x) = u(x) . ei kx
En la ecuacin de Bloch, u(x) es una funcin peridica, la cual
posee la periodicidad de la red en el sentido de las x. No posee una
amplitud constante en el sentido x, cambiando peridicamente ( Amplitud
modulada). Obviamente es distinta para cualquier otra direccin de la red.

u
u
2
ikx
------ = ( ------- + ------- 2ik - k u ) e
2
2
x
x
x
2

calculando

y remplazando en las ecuaciones para las zonas I y II obtenemos:

FSICA ELECTRNICA

16

MODULO III

(I)

u
u
2
2
------- + 2ik ----- - ( k - ) u = 0
2
x
x

( II )

u
u
2
2
------- + 2ik ----- - ( k + ) u = 0
2
x
x

estas ecuaciones son conocidas y sus soluciones son :

(I)

uI = e - i k x ( A e i x + B e - i x )

( II ) uII = e - i k x ( C e - x + D e x )
A , B , C , D pueden determinarse a partir de las siguientes
condiciones de continuidad y periodicidad (en a+b ) :

uI (x=0) = uII (x=0)

uI /x

x=0

= uII /x

uI (x=a) = uII (x= -b)

uI /x

x=0

= uII /x

x= a

x=-b

Reemplazando nos queda :

A+B =C+D

A ( i - ik ) + B ( -i - ik ) = C ( - - ik ) + D ( - ik )
A e( i - i k ) a + B e( - i - i k ) a = C e( i k +

)b

+ D e( i k - ) b

A i( - k)e i a ( - k ) -B i( + k)e - ia ( + k ) =
= -C ( + ik)e ( i k + ) b + D ( - ik)e ( i k - ) b
Por lo tanto hemos resuelto el problema. En este caso, sin embargo,
el conocimiento de no es lo que reviste mayor importancia. En
cambio, es de sumo inters determinar una condicin para la
existencia de las soluciones de la ecuacin de Schroedinger en las
regiones I y II.
Esta condicin limitar los posibles niveles de energa En .
Para hallarlos bastar emplear el ltimo sistema de cuatro
ecuaciones. Recordemos que para que en este sistema existan soluciones
basta con estudiar su determinante.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

Planteando el determinante e igualndolo a cero, y empleando las

ecuaciones de Euler se llega a:
-
--------- sinh( b) sin( a) + cosh( b) cos( a) = cos k(a + b)
2
2

Para simplificar la discusin supondremos que:

b es pequeo;
Vo es grande
y el producto Vo. b., denominado poder de la barrera de potencial,
permanece finito. Como es posible observar en la representacin del
modelo simplificado, Vo.b. es el rea de la barrera de potencial.

Si Vo es muy grande, entonces E se puede considerar que es

pequeo respecto de Vo y por lo tanto obtenemos :
=

2m

. Vo

/ h

multiplicando por b obtenemos :

b=

2m

/ h . (Vo b) b
2

0 , entonces b debe ser muy

como , Vo.b debe ser finito y b

pequeo; por lo tanto :

cosh( b ) 1

sinh( b ) b

Por otra parte, podemos despreciar

comparado con a.

comparado con

Reemplazando en nuestra ecuacin nos queda :

m

/ h2 Vo b sin a + cos a = cos ka

Si llamamos:
2

P = m Vo b / h

FSICA ELECTRNICA

18

MODULO III

y b

Finalmente obtenemos :

P.

sin a

/a + cos a = cos ka

Esta es la relacin deseada que provee las soluciones permitidas de

la ecuacin de Schroedinger, puesto que slo algunos valores de a
son posibles debindose cumplir cos(ka) 1. Esta condicin se
aprecia en la figura:

P.sina/a + cosa

solucion
solucion

-4

-3

-2

-1

6
5
4
3
2
1

2 3

4
a

0
-1
-2

Si recordamos que E se relaciona con , siendo:

2 =2m/h2 E ,

podemos concluir que slo algunos valores de E estn definidos.

El anlisis de estos resultados nos permite arribar a la siguiente

conclusin:
como a es funcin de la energa, la limitacin de
estos valores de a significa que un electrn que
se mueve en un potencial variable peridico,
puede ocupar slo ciertas zonas de energa
permitida.

Fuera de estas zonas o bandas , se encuentran entonces zonas

de energa prohibida.
De la figura se obtiene que para valores crecientes de a las zonas o
bandas de energa prohibida se vuelven mas pequeas.

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

Como el tamao de la bandas de energa permitidas y prohibidas varan

segn vare P. Se presentan 4 casos de inters.
Considerando los valores de V0b ( fuerza del potencial barrera ) y su
proporcionalidad con p, tenemos:

V0b grande p grande las bandas permitidas se estrechan.

Vob pequeo p chico las bandas permitidas se agrandan

V0b0 P0 cos a = cos ka =k , por lo tanto obtenemos:

E=h2k2/2m energa de los electrones libres.

V0b P (sin a)/a 0 lo cual es solo posible si a = n

2 h2
2
2 2 2
o , = n /a lo que lleva a : E = -----------. n2 pozo de potencial
2ma2
con barrera infinita.

El electrn en un potencial central de tipo

electrosttico.
El tomo de hidrgeno. Explicacin mecnico-cuntica.
Es el ms simple de los tomos, pues tiene solamente un electrn
que se mueve en el campo del ncleo.

En este caso la funcin de la

energa potencial U en la ecuacin
de Schroedinger , toma la forma :

e
U(r) = -----r

Por lo tanto debemos escribir

la ecuacin de Schroedinger en
coordenadas polares, lo que hace
que su solucin sea un problema
matemtico ms complicado.

z
x = r sen cos
y = r sen cos
z = r cos

FSICA ELECTRNICA

20

MODULO III

Sealaremos en este caso solamente las principales caractersticas

de esta solucin y examinemos su sentido fsico.
En este tipo de problemas, para describir el movimiento del electrn,
es cmodo hacer coincidir el origen del sistema de coordenadas polares con
el ncleo del tomo.
Si en el sistema rectangular (cartesiano) de coordenadas, la
posicin de la partcula esta dada por las coordenadas x, y, z , en el
sistema polar ella se determina por la magnitud del radio vector r (distancia
del centro ) y por los ngulos ( ngulo de latitud ) y ( ngulo de
longitud ).
En la figura anterior se ve en qu forma las coordenadas polares
estn relacionadas con las rectangulares.
Habamos visto que en una casilla (cuadrada) de potencial
tridimensional, la funcin de onda poda expresarse como producto de
funciones de cada una de las variables.
Por lo tanto la funcin debe representarse en forma de producto
de tres funciones cada una de las cuales contiene solamente una variable:
(r, , ) = R ( r ) . ( ) . ( )
La expresin R(r) se denomina parte radial de la funcin de onda ,
y el producto ( ) . ( ) parte angular.
La presencia de tres grados de libertad conduce a que en la
solucin aparezcan tres magnitudes que pueden tomar slo nmeros
enteros, tres nmeros cunticos; ellos se representan por las letras n , l ,
m.
Estas magnitudes entran en las expresiones de las componentes
tanto radial como angular de la funcin de ondas.
En el caso ms general el resultado de la solucin de la ecuacin de
Schroedinger para el tomo de hidrgeno se puede expresar como
tres funciones de las coordenadas radial y angulares de la siguiente
forma:

R ( r ) = F1 ( n, l )
( ) = F2 ( l, m )
( ) = F3 ( m )

O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

donde los nmeros cunticos n, l , m pueden tomar los siguientes

valores :
n = 1, 2, 3, 4, .................,
l = 0, 1, 2, 3, ................., ( n - 1)
m = 0, 1, 2, 3 , .........., l
Como veremos ms adelante, los nmeros cunticos n, l, m
caracterizan al movimiento del electrn no slo en el tomo de hidrgeno,
sino tambin en cualquier otro tomo.

De acuerdo a los posibles valores de los nmeros cunticos se

determinan los distintos estados electrnicos en el tomo.

Para caracterizar el estado de los electrones en los tomos se

utilizan las siguientes designaciones:
n se representa por cifras
l con letras minsculas en correspondencia con el
esquema:
l .......................0

l .......................s

Las primeras cuatro letras coinciden con las designaciones de las

series espectrales
Estas surgen de las transiciones de los electrones
correspondan a determinados valores del numero cuntico l.

que

Las dos ultimas letras son tomadas por estar en el alfabeto

despus que la f.
De esta forma, la escritura 1s debe entenderse como la
representacin del electrn que tiene n = 1 , l = 0 , la escritura 2p
como la representacin del electrn que tiene n = 2 ; l = 2 , etc.
El numero de electrones en el tomo con valores dados n, l se da
2
con el ndice en la parte superior. As la escritura 2s muestra que
en el tomo hay dos electrones con n = 2 ; l = 0

Retomemos las expresiones resultantes de la solucin de la

ecuacin de Schroedinger para el tomo de hidrgeno en el caso ms
general. En particular, en la expresin de la funcin R, se ve que los
nmeros cunticos n, l entran en la misma. Por eso ellos determinan la
funcin de la distribucin radial de la probabilidad de estancia del
electrn en el tomo.
FSICA ELECTRNICA

22

MODULO III

Las grficas de estas funciones para el tomo de hidrgeno se

muestran en las siguientes figuras:

4r2 R2(r)
n=1
l=0
En el eje de las coordenadas
2
estn situados los valores de R
( r ), multiplicados por 4r2.

Las
magnitudes
dadas
caracterizan la probabilidad de
estancia del electrn en una
fina capa esfrica de radio r ,
esta
probabilidad
es
2 2
proporcional
a
4r R (r)dr
donde dr es el espesor de la
capa.

2s n = 2
l=0

1s
2p n = 2
l=1
0

4 r (A0)
3s

n=3
l=0

3p

n=3
l=1

n=3
l=2
8 10 12 14 r ( A0)
3d

2 4

Distribucin radial de la probabilidad de estancia del electrn

para distintos estados del tomo de hidrgeno.

De la figura se deduce que a diferencia de la teora de BohrSomerfeld , de acuerdo con la cual el electrn se mueve por rbitas
predeterminadas, la mecnica cuntica nos muestra que el electrn puede
encontrarse en cualquier parte del tomo. Sin embargo, la probabilidad
de su estancia en distintas zonas del espacio no es igual, de esta forma,
si pudiramos observar el electrn en el tomo veramos que se encuentra
ms frecuentemente en unas zonas que en otras.

Por eso a las representaciones modernas les corresponde el

concepto de la nube electrnica, cuya densidad en distintos puntos est
determinada por la magnitud 2 .

Por eso en la literatura cientfica en vez de utilizar el trmino rbita,

ahora se utiliza el termino orbital, correspondiendo a cada orbital una
determinada funcin de ondas .
Es posible representar las nubes electrnicas para los distintos
estados de los electrones.

O. VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

 Las figuras representan la forma de las superficies que limitan el

espacio, en el cual esta encerrada gran parte de la nube electrnica
(90%). Ntese que La forma de estas superficies se determina por la
componente angular de la funcin de ondas: ( ). ( ) .

1s

2pz
x

z
2py

2px
x

y
y
z

3d z2

3d x2 - y2
x

FSICA ELECTRNICA

z
3d x y

3d y z

3d x z

24

MODULO III

MDULO IV

TOMOS, MOLCULAS,
MICROSLIDOS

OBJETIVOS :
A partir de conocimientos elementales de la Mecnica Cuntica, en
el presente mdulo nos proponemos discutir un modelo de la materia
basado en consideraciones energticas.
No es objeto de este mdulo brindar una teora muy elaborada del
tema, sino introducirnos en un modelo que nos ser de utilidad a la hora de
querer interpretar el funcionamiento fsico de dispositivos electrnicos.
Para elaborar este modelo de materia partiremos de estudiar su
componente mas simple, es decir el tomo, a partir de l veremos como se
construye una molcula, y a partir de sta construiremos el slido.

O.Von Pamel

S. Marchisio

El tomo
FISICA ELECTRONICA

MODULO IV

Nmeros cunticos de los electrones en los tomos.

Los nmeros cunticos caracterizan el movimiento de los electrones
no solo en los tomos de hidrogeno sino tambin en cualquier otro tomo.
Estas caractersticas son muy importantes para la comprensin de
las propiedades de las sustancias y la naturaleza del enlace qumico.
Por ello debemos examinar ms detalladamente su sentido:

Los nmeros cunticos n, l, m, determinan las particularidades

geomtricas de la nube electrnica.

Ellos tambin estn enlazados con las caractersticas fsicas del

movimiento del electrn.
La energa del electrn en el tomo de hidrgeno slo depende

de la magnitud n ; la resolucin de la ecuacin de Schroedinger da la

relacin :
4
me e
E = --------2
2
n h
En vista de que n determina la principal caracterstica del electrn en
el tomo de hidrgeno, o sea, su energa, recibi el nombre de nmero
cuntico principal.
El nmero cuntico l se llama nmero cuntico orbital, l determina la
magnitud del momento orbital de la cantidad de movimiento del electrn
L , es decir :
_______
L = h l ( l + 1 )

Como sabemos el momento de la cantidad de movimiento es un

vector, su direccin se determina por el nmero cuntico m, en otras
palabras m caracteriza la disposicin del orbital en el espacio.
La direccin del vector puede ser dada por la magnitud de la
proyeccin sobre cualquier eje, por ejemplo, en el eje z. La proyeccin del
momento orbital de la cantidad de movimiento se determina por la relacin:
Lz = h m
m se llama nmero cuntico magntico ya que de el depende la

proyeccin del momento magntico orbital del electrn.

Los nmeros cunticos n, l, m, que figuran en la ecuacin de

Schroedinger para el tomo de hidrgeno, no determinan con plenitud el
movimiento de los electrones en los tomos.
O.Von Pamel

S. Marchisio

El estudio de espectros y otras investigaciones mostraron que hay

que aadir a estas caractersticas otras ms. Surge de la experimentacin
que el electrn tiene un cuarto grado de libertad; brevemente se puede
decir que el electrn gira alrededor de su eje. Este movimiento se llama
spin.

El spin es una propiedad fundamental del electrn, como su carga y

su masa, experimentalmente se demuestra que la proyeccin del momento
propio de la cantidad de movimiento del electrn slo puede tener dos
valores:
+ h
y - h
Los signos
giro del electrn.

+ y -- corresponden a diferentes direcciones de

Se denomina s, al nmero cuntico de spin, el que slo puede

tener dos valores + y -

El spin puede ser tomado en cuenta en la expresin para la funcin

de ondas introduciendo un factor.

Los cuatro nmeros cunticos n, l, m, s, caracterizan completamente

el movimiento del electrn en el tomo.

Por cuanto la energa

del electrn en el tomo de
hidrgeno se determina con la
magnitud n y no depende de
los
restantes
nmeros
cunticos, evidentemente, el
electrn puede tener varios
estados con una misma
energa, estos estados se
denominan degenerados.

-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = +1
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
n = 2 ---------

l = 0 ------- m = 0
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = --1
-------- s = 1/2

La degeneracin desaparece con la accin de un campo elctrico o

magntico exterior que acte sobre el electrn en el tomo.
Un electrn en un estado de un mismo n, pero de diferentes l, m,
s, interacciona de distintos modos con el campo exterior. Como resultado,
las energas de esos estados se vuelven desiguales.
Con esto se explica la desintegracin de las lneas espectrales
cuando se introduce una fuente de radiacin en el campo magntico o
elctrico (efectos Stark y Zeeman).
Todo lo que fue dicho sobre el tomo de hidrgeno es aplicable
completamente a otros sistemas monoelctricos anlogos, como ser :
+
2+
He , Li , etc.
FISICA ELECTRONICA

MODULO IV

La energa del electrn en estos casos se expresa como :

4

me e z
E = ------------2
2
n h

tomos polielectrnicos
Anlisis mecnico-cuntico de los tomos polielectrnicos.

Los niveles energticos y la distribucin de la densidad

electrnica en los tomos polielectrnicos, en principio, pueden
ser calculados tericamente por los mtodos de la mecnica
cuntica.
Sin embargo , se encuentran dificultades matemticas muy
grandes, pues en tales clculos es necesario resolver la
ecuacin de Schroedinger para muchas partculas. En ese caso
ella tiene la forma :

8 m e z
8
( ------ + ----- + ----- )+ ------- ( ----- Uk ) + ----- E = 0
k=1
2
2
2
2
2
x k
y k z k
h
rk
h
2

k=n

Aqu la suma se extiende a todos los electrones que hay en

el tomo.

rk es la distancia del k-simo electrn al ncleo.

Uk considera la energa de repulsin de los electrones entre s.
2

Esta es igual a la suma e / rki tomada desde i = 1 hasta i = n

donde rki es la distancia entre los electrones k e i .

La resolucin exacta a este problema an no se ha hallado;

sin embargo, se han elaborado mtodos aproximados.

Anlisis cualitativo de los tomos polielectrnicos:

O.Von Pamel

S. Marchisio


Como en el tomo de hidrogeno, en los tomos polielectrnicos el
estado de cada electrn se determina por los valores de los cuatro nmeros
cunticos n, l, m, s.
Estos nmeros pueden tomar los mismos valores que en el tomo
de hidrgeno.
.
- energa
------ f
------ d
------- s
------- p
------ d
------- s
------ p
------ d
------s

En los tomos polielectrnicos el

electrn se mueve no slo en el campo
del ncleo, sino tambin en el campo de
los otros electrones, esto conlleva a que
las energas de los electrones que
poseen igual n pero distintas l sean
diferentes.
Por esto la energa de los
electrones
en
los
tomos
polielectrnicos se determina por los valores
de los dos nmeros cunticos n, y l .

------ p
------ s

------p

Adems la energa crece tanto

con el aumento de n como de l .

------ s

Esto ltimo puede apreciarse en

la figura.
------s
n=1
2

Principio de exclusin de Pauli.

El estado de los electrones en los tomos polielectrnicos siempre
responde a la ley mecnico-cuntica formulada por Pauli :

En cualquier sistema molecular o atmico no puede haber

dos electrones que tengan los cuatro nmeros cunticos
iguales.

El Principio (prohibicin ) de Pauli limita el nmero de electrones

en el tomo que poseen un valor determinado n.

En la tabla de la pgina siguiente se muestran los estados posibles

que pueden ocupar los electrones para los valores de n : 0, 1, 2.

FISICA ELECTRONICA

MODULO IV

Se puede hallar que para n = 3 el nmero mximo de electrones es

18, para n = 4, es 32 , etc.

Nmeros cunticos para los distintos estados de e

n

3
1

0
+/- 1

1
0

2
+/- 1

+/- 1

+/- 2

+ 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2
- 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2

smbolos de los orbitales

1s

2s

2px

2py

2pz

3s

3px

3py

3pz 3dx2

3dxz

3dyz

3dxy

+ 1/2
- 1/2
3dx2-y2

nmero mximo de
electrones con un valor

10

dado de l
nmero mximo de
electrones con un valor

18

dado de n

En general podemos decir que : el nmero mximo de electrones

2
en el tomo que pueden poseer el valor dado n es igual a 2n ( n 0 ).
Al conjunto electrnico con igual n se lo denomina capa.
La periodicidad de las propiedades qumicas y fsicas de los
elementos est condicionada por el llenado paulatino de capas
electrnicas. En la estructura de cada capa siguiente se repiten las
particularidades de la capa anterior, esto permite confeccionar la
tabla peridica de los elementos.

Molculas.
Explicacin mecnico-cuntica del enlace covalente.
Antes de pasar a la exposicin de los resultados del anlisis
mecnico-cuntico de las molculas, es necesario conocer la dependencia
entre la energa potencial de la molcula y la distancia entre tomos.

Energa potencial entre molculas.

O.Von Pamel

S. Marchisio

Analicemos dos tomos cuyos ncleos se hallan a una distancia r

uno del otro.
Veamos cmo cambia la energa
potencial del sistema si cambia r.

E
ncleo 1

ncleo 2

Es cmodo considerar la energa

potencial igual a cero para el estado en
0
r
que los tomos se encuentran a una
distancia infinitamente grande uno del
otro. Esta situacin corresponde a la no existencia de interaccin entre ellos.
Si los tomos son capaces de unirse en una molcula, durante la
disminucin de la distancia entre ellos empiezan a actuar fuerzas de
atraccin y la energa potencial del sistema disminuye.
Esta disminucin contina hasta cierta distancia r0 .
Durante
la
siguiente disminucin de r
la
energa
potencial
comienza a crecer debido
a las fuerzas de repulsin,
las que tienen una
magnitud considerable a
distancias pequeas entre
los tomos.

E , eV

3
2
1
0

r,

A0
-1
-2
Zona de atraccin
-3
-4
-5
r0

La dependencia
de la energa potencial
con respecto a r es una
curva que presenta un
mnimo.
En la figura se
representa la curva de
energa
potencial
correspondiente
a
la
molcula de hidrgeno.

Analicemos ahora la curva de energa potencial para dos tomos

que no pueden unirse en molcula .
En este caso, para todos los valores de r, prevalecen las fuerzas de
repulsin provenientes de las envolturas electrnicas.

FISICA ELECTRONICA

MODULO IV

La
curva
de
energa potencial tiene la
forma representada en la
figura y se observa que
con la disminucin de r la
curva
asciende,
sin
presentar mnimos.

Las curvas analizadas de la energa potencial para las molculas

son una descripcin formal de la suma de los cambios energticos, los
cuales tienen lugar en los tomos cuando disminuye la distancia entre
ncleos.

Si la molcula se encuentra en un estado no excitado, entonces

su energa es mnima. Por esto en una molcula no excitada los ncleos se
encuentran a una distancia equilibrada r0.

Est claro tambin que el mnimo de la curva de la energa

potencial corresponde a la energa de ruptura del enlace de la molcula Eenl,
tomada con el signo contrario, pues, esta magnitud representa la energa
que es necesario gastar para separar los tomos que componen la molcula
y llevarlos fuera de los lmites de interaccin. ( tericamente a una distancia
infinitamente grande uno del otro)

Resultados del anlisis mecnico - cuntico de la molcula

de hidrgeno segn Heitler y London.

electrn 1
r12

electrn2

rb2

ra1
ra2

rb1

Si representamos las
distancias entre las partculas,
como est hecho en la figura,
entonces la expresin para la
energa potencial se escribe de

Rab
+

En la molcula de
hidrgeno hay dos electrones,
que se mueven en el campo de
dos ncleos .

la siguiente forma :

O.Von Pamel

S. Marchisio

e
e
e
e
e
e
U = ------ + ------ ------ ------ ---- -- ----r12
ra1
ra2
rb2
rb1
Rab

Durante la construccin de la funcin de ondas de los electrones de

la molcula de hidrgeno, Heitler y London tomaron por base la funcin de
ondas del electrn en el tomo de hidrgeno en un estado normal, el estado
1s .

tomo 1

tomo 2

Heitler y London supusieron que para la unin de dos tomos de

hidrgeno, la funcin de onda resultante podra ser la combinacin
simtrica o la antisimtrica de la funciones de onda de los tomos
individuales.
Los resultados de realizar dichas combinaciones se representan a
continuacin:
Se obtienen dos curvas a y s respectivamente.

s = 1 + 2

a = 1 - 2

s 2

a 2

A partir de ellas se calculan a y s .

2

Los resultados del clculo de la energa de los electrones en la

molcula de H2 se representan a continuacin :

FISICA ELECTRONICA

10

MODULO IV

E , eV
1- curva experimental.
4
3
2
1

2- clculo con la ayuda de

la funcin de ondas
simtrica.

3
2

0
-1
-2
-3

r ,A

3- clculo con la ayuda de

la funcin de ondas
antisimtrica.

-4
-5
0 0,6

1,8 2,4 3,2 3,8 4,2

En la figura se muestra la distribucin de la densidad electrnica en

un sistema compuesto por dos ncleos y dos electrones, calculada con la
ayuda de las funciones de onda .

simtrica

antisimtrica

Recordemos que la densidad de la nube electrnica se determina

por el cuadrado de la funcin de ondas
Las zonas de mayor densidad de la nube electrnica estn hechas
en la figura, ms oscuras.

As pues, cuando funciones de onda simtricas se suman,

entonces la densidad de la nube electrnica entre los ncleos aumenta; en
este caso se dice que las nubes electrnicas (ms exactamente , las
funciones de onda ) recubren una a la otra.
La cobertura de nubes electrnicas no se puede considerar como
una simple superposicin de una nube electrnica de un tomo aislado
sobre la nube electrnica de otro tomo aislado.

O.Von Pamel

11

S. Marchisio

s = 1+ 2 1 + 2
2

Durante la formacin del enlace qumico o covalente es como si las

nubes electrnicas se estirasen una al encuentro de la otra.

En el caso de la funcin de ondas antisimtrica, la densidad de la

nube electrnica entre los tomos cae hasta cero: los electrones se repelen
del espacio de los ncleos y el enlace qumico no surge.

Las nubes electrnicas de los tomos de hidrgeno pueden tener

igual o diferente orientacin mutua de los spines de los electrones :
spines antiparalelos

los tomos se unen en molcula

spines paralelos

los tomos se repelen

Distintos tipos de enlaces entre molculas

Cabe mencionarse que aparte del enlace covalente existen otros
tipos de enlaces entre molculas. Si bien no es objeto de este curso hacer
un anlisis de ellos, los mencionamos:
Enlace covalente
Enlace metlico
Enlace inico
Enlace de van der Walls
Enlace puente de hidrgeno

Comparacin de los diagramas energticos del tomo

aislado y de la molcula.
Al estudiar la conformacin de los tomos se vio que el electrn en el
tomo slo puede ocupar estados (que quedan determinados por los
nmeros cunticos n , l , m , s ) cuyos nmeros cunticos asuman valores
enteros, en general.
Para cada uno de estos estados del electrn, est asociado un
determinado valor de la energa, an cuando existan a menudo varios
estados con la misma energa.

FISICA ELECTRONICA

12

MODULO IV


As pues , emplearemos diagramas de niveles energticos que
describen los estados que puede tener un electrn en un tomo.

Energa total del electrn

Ionizacin
Estados ligados ( E = - E1 / n2 )
18 e

continuo
discreto

n=3
( d ) l=2

8e

n=2
( p ) l= 1

2e

- E1

n=1
( S ) l=0

Los diversos estados corresponden a capas que slo pueden

acomodar a un nmero particular de electrones. El principio que conduce a
esta limitacin del nmero es, segn vimos, el Principio de exclusin de
Pauli.

Los niveles de energa de un tomo aislado no coinciden con los del

tomo en la molcula, o ms an, en un slido. En la figura se representan, arriba- los diagramas energticos de dos tomos de hidrgeno aislados, y abajo-, los mismos, cuando constituyen una molcula.

E3

E2

Energa potencial

E1
E

r
E3
E3
E3
E2
E1

O.Von Pamel

13

S. Marchisio

En realidad se ha empleado en esta representacin una imagen o

aproximacin semiclsica del tomo, la cual, si bien no es estricta, resulta
conveniente a los fines de visualizar el fenmeno que estamos analizando.

Al estar los tomos fijos a muy corta distancia uno del otro, la
atraccin que cada ncleo ejerce sobre sus electrones se ve perturbada por
la accin del ncleo vecino.

Esto se manifiesta en un desdoblamiento que tiene lugar

principalmente en la ltima capa ocupada cumpliendo as con el Principio de
exclusin de Pauli. Esto es as pues en esta capa los electrones de los
tomos constituyen un nico sistema, lo que no ocurre con las capas
anteriores.

En la figura se puede observar que los niveles internos E1 , E2 ,

prcticamente no se han desdoblado debido a que los electrones que los
ocupan no interaccionan entre s.

El nivel E3 se ha desdoblado en dos nuevos niveles E3 y E 3 , uno

mayor y otro menor que el nivel original.

Cmo interpretar esta imagen semiclsica?

El eje horizontal de la figura carece de

significado; sin embargo, a fin de una mayor
visualizacin de la estructura atmica, resulta
til asignarle una representacin fsica.
Esta puede ser, dentro de un tomo, la
distancia electrn-ncleo.

E1

r1

A la distancia para la cual la funcin de

onda se hace mxima, (esto ocurre en los
llamados radios de Bohr), la podemos
considerar como el radio ms probable de la
rbita del electrn.

En la figura se puede ver en qu forma

se hace la conversin :

donde se interceptan los niveles de energa con el potencial se

ubican las rbitas clsicas de Bohr.

En el diagrama de la figura el nivel 1 corresponde a la mnima

energa que puede tener el electrn en tomo. En el tomo de hidrgeno es
-13,58 eV. (Recordar, sin embargo, las limitaciones del modelo de Bohr).

FISICA ELECTRONICA

14

MODULO IV


La abscisa r1 representa el radio clsico de Bohr para esa
energa. Para esta energa el electrn presentar mxima probabilidad de
encontrarse a la distancia r1 del ncleo.

r1 E
r

En la figura se aprecia la
aproximacin semiclsica
para una molcula.

Con los recaudos ya expuestos acerca de esta tipo de

representacin, analicemos haciendo uso de ella, qu ocurre con los niveles
de energa del tomo aislado y con los desdoblamientos vistos al constituirse
la molcula, cuando se constituye un slido.

Slidos
Diagramas de energa en un slido
Si analizamos un slido debemos generalizar nuestro estudio para
una cantidad muy grande de tomos .

Si todos los tomos se encontraran muy separados unos de otros,

los estados permitidos de este sistema de N tomos, coincidirn con los de
un tomo aislado N veces ( N sistemas independientes ).

Si a continuacin imaginamos que los tomos se aproximan unos

con otros hasta constituir el slido, los electrones que ocupan los niveles de
energa exterior comenzarn a interactuar entre s (mientras que los
interiores permanecen sin darse cuenta de los otros tomos).

O.Von Pamel

15

S. Marchisio

E
rs

ra

r
Sus rbitas se
alterarn notablemente,
de forma tal que puedan
llegar
a
intercambiar
posiciones de un tomo al
siguiente, con lo que los
estados
resultantes
contendrn movimientos
orbitales a travs de todo
el slido.

E4

E3

E2

E1
Los resultados de esta interaccin se pueden ver en la figura :
vaco

cristal

ncleos

banda de energa permitida

E3
E2
E1

Se puede demostrar que las energas externas de este

desdoblamiento no varan. Por lo que debemos aceptar que :

En un slido de 1cm existen 10

los niveles E4 y E4 .
3

23

niveles discretos de energa entre

Una cantidad tan grande de niveles discretos determina que

podamos considerar estas zonas como bandas continuas de valores de
energa permitidos.

FISICA ELECTRONICA

16

MODULO IV

Definimos :
Banda de valencia a la ltima capa que se encuentra
totalmente ocupada.
Banda de conduccin a la mas baja de las bandas vacas o
parcialmente ocupadas.
Banda prohibida (en caso de existir) a la regin comprendida
entre las bandas de conduccin y de valencia.

Es necesario subrayar que las bandas son de energas permitidas

y ellas pueden estar ocupadas por electrones o no. En cambio una
banda prohibida siempre esta vaca.

Como vemos la cantidad de desdoblamientos depende de la

cantidad de tomos.

2p

6N

2s

2N

1s

2N

tomo aislado

2 tomos que
interactan

3 tomos que
interactan

sistema formado
por N tomos

La cantidad de desdoblamientos tambin depende de las distancias

interatmicas.

En la figura se representan los niveles energticos de en un slido

en funcin de supuestas separaciones atmicas caracterizadas por r,
(distancia at-at )
Para interpretar el diagrama vamos a suponer que formamos el
slido aproximando gradualmente los tomos que lo constituyen, hasta
alcanzar la distancia interatmica real r0.
sta obviamente ser diferente para materiales con distintas
caractersticas estructurales.

O.Von Pamel

17

S. Marchisio

Analizamos en especial la ltima capa n ( donde se manifiesta la

interaccin ) con las subcapas l correspondientes .

E (eV)

r0

r4

r3 r2

r1

r (A0)

Ec

l= 1
capa n
ltima capa
l=0

Eg
Ev

l= n-2
penltima capa
l=0

Si la separacin entre tomos es grande ( r1 ) no existe, como

vimos, interaccin entre los electrones y por consiguiente no hay
desdoblamiento de los niveles l ni existencia de bandas.
Podramos considerar en este caso que estamos frente a la
presencia de un gas.

A medida que los tomos se van acercando (por ej. a una distancia
r2 ) existe desdoblamiento de niveles y aparecen dos bandas de energa
separadas por una zona vaca de estados permitidos.
La magnitud r2 no representa an, en este ejemplo la distancia
interatmica correspondiente a un slido, por lo que necesitamos acercar
an ms los tomos para constituirlo.

Para distancias menores ( entre r3 y r4 ) el desdoblamiento es tal

que la separacin entre el mnimo valor de la energa correspondiente a l=1
y el mximo para l =0 es muy pequea, quedando constituida (a los fines
prcticos) una nica banda que contendr la suma total de los electrones
que ocupaban las dos bandas anteriores.

Para un valor de r fijo comprendido en el intervalo ( r3 , r4 ), el

diagrama de energas ser en este caso el siguiente .
FISICA ELECTRONICA

18

MODULO IV

estados

E (eV) r0

r (A )
vacios

4p
4s

ocupados
3s

En la figura se nota la no existencia aparente de zonas prohibidas

intermedias. Estamos en este caso en presencia de un conductor .

Para distancias interatmicas menores que r3 , la configuracin de

bandas genera nuevamente la banda prohibida.
En este caso, los electrones (que estaban en su totalidad contenidos
en esa banda nica ), seguirn la ley de la mnima energa, por la cual, irn
primero ocupando los estados permitidos de la banda inferior quedando la
superior completamente llena, completamente vaca, o
incompleta
dependiendo ello de la configuracin electrnica de los tomos que
constituyen el slido.
Por otro lado, la zona energtica prohibida que se genera no es igual
a diferentes distancias interatmicas.
Para comparativamente mayores
distancias
interatmicas
(las
ms
prximas a la banda nica), el diagrama
energtico es el que corresponde a un
semiconductor.

E (eV)

Eg

Si los tomos estn an ms

prximos entre s vemos que el ancho de
la zona prohibida es mayor.
Para un slido en el que el ancho
de
la
banda
se
presenta
comparativamente mayor, el diagrama
ser el de la figura.

E (eV )

Eg

Estamos en presencia en este

caso de un aislante
Dada su estructura electrnica y
el Eg , la banda de conduccin de un
aislante se encuentra vaca an a altas

O.Von Pamel

19

S. Marchisio

temperaturas.

La mayor parte de los materiales que estudiaremos en el curso son

slidos semiconductores. Dentro se ellos, veremos los que tienen estructura
del tipo carbono: Si , Ge.
En la figura podemos observar los niveles energticos en funcin de
las distancias interatmicas para este tipo de materiales, marcando con r0 la
distancia interatmica real.
E

AsGa Si Ge

Ntese adems el
ancho
de
la
banda
energtica prohibida Eg .

Para tener un orden de magnitud de Eg , estos son :

= 5,5 eV aislador (casi perfecto )
Eg (carbono)
Eg (arseniuro de galio) = 1,5 eV semiconductor
= 1,1 eV semiconductor
Eg ( silicio )
= 0,7 eV semiconductor
Eg (germanio)
Eg ( cobre )
= 0,0 eV conductor
Nota :
Obsrvese que si se aumenta la temperatura del material la red se
dilatar aumentando la
Ancho de la banda prohibida (eV)
distancia
interatmica,
1.6
por lo tanto, de la figura
1,42
anterior surge que el Eg
1.5
del
material
debiera
1.4
disminuir
con
la
1.3
temperatura.
1.2
1.1
1,12
Las
grficas
1.0
ilustran
este
hecho
.
0.9
0.8
0,66
0.7
0.6
0
200 400 600
800 T(0K)

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO IV

 Nota :
Puede notarse, analizando la estructura de bandas del cobre que se
representa en la figura, el solapamiento de las bandas 4s y 3d para la
distancia interatmica real r0.
E

r0

r
4p
4s

3s

El hecho de que exista solapamiento de bandas no implica que

haya electrones que ocupan estados energticos indefinidos.
En el caso especfico del cobre, el nmero de electrones en la
banda correspondiente al nivel 4 es N; mientras que el nmero de estados
permitidos es 32 N ( N nmero de tomos del slido ).
Estos electrones ubicados en el 4s, pueden moverse libremente en
tantos estados permitidos que el cobre ser as un buen conductor.

O.Von Pamel

21

S. Marchisio

MODULO V
MATERIA CONDENSADA
SLIDOS Y LQUIDOS

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

FISICA ELECTRONICA

MODULO V

Estructura de la sustancia

Estados de agregacin de la materia

En funcin de la distancia entre las partculas y de las fuerzas de
interaccin entre ellas, la sustancia puede encontrarse en los estados:
slido, liquido, gaseoso, plasma .

A una temperatura suficientemente baja, la sustancia se encuentra

en estado slido.

dpp

Tp

O O O O O
O O O O O
U>K

Las
distancias
entre partculas ( dpp ) son
del orden de la dimensin
de las partculas( Tp ).
La
energa
potencial media ( U ) es
mayor que su energa
cintica media ( K ).
El movimiento de

las partculas que componen los cristales es muy limitado.

Las fuerzas que actan sobre ellas las mantienen cerca de las
posiciones de equilibrio, por eso la probabilidad de permanencia de las
partculas en estos lugares es mxima.
Con esta circunstancia est relacionada la propiedad de los cuerpos
slidos de forma y volumen propios, y la gran resistencia a la dislocacin.

Como resultado de la fusin de los slidos se forman los lquidos .

dpp

o o
o o

Dpp

Tp

o o
o
o o

O. VON PAMEL

UK

La
sustancia
lquida se diferencia de la
slida en que no todas las
partculas
estn
distribuidas a distancias
del mismo orden del
tamao de ellas, como en
los slidos. Una parte de
las
molculas
se
encuentran a distancias
considerablemente
mayores.

S. MARCHISIO

En este estado la energa potencial media es aproximadamente

igual a la energa cintica media.
Los estados lquido y slido con frecuencia se unen bajo el
nombre comn de estado condensado.

Como resultado de la evaporacin (ebullicin) el lquido pasa al

estado gaseoso.

Tp

Dpp

En este estado,
las
partculas
se
encuentran a distancias
que considerablemente
sobrepasan
sus
dimensiones .
Por
eso
las
fuerzas de interaccin
entre ellas son muy
pequeas, lo que se
traduce en que puedan

K >> U

desplazarse libremente.
La energa cintica media de las partculas de un gas es mucho
mayor que la energa potencial media de las mismas.
Si en la sustancia slida todas las partculas constituyen un
agregado entero, y en el lquido una gran cantidad de agregados
voluminosos y resistentes, en los gases pueden encontrarse solo partculas,
compuestas de 2 - 5 molculas, y su nmero, con frecuencia es
comparativamente pequeo.

A estos estados de agregacin debemos agregar un cuarto estado

denominado plasma .

Este estado, el ms
abundante en la naturaleza,
presenta propiedades distintas
a las de los anteriores.

En l, la materia que
lo constituye est formada por
iones positivos y negativos, de
forma
tal
que,
tomado
globalmente es neutro, pero si
lo consideramos localmente,
no lo es.

Temperatura

FISICA ELECTRONICA

de

MODULO V

la

sustancia
Resulta interesante a fin de aclarar ideas ver qu se entiende por
temperatura en cada uno de los estados anteriormente descriptos :

Temperatura de un slido:
La temperatura en un slido es la energa interna de ste.

Bsicamente viene dada por la energa interna (de vibracin) de las

molculas que lo componen.

Temperatura de un gas:

En un gas monoatmico la temperatura est dada por la energa

cintica media de traslacin, que es 3/2 kT.
En un gas poliatmico habr que tener tambin en cuenta las
energas de vibracin y de rotacin (sumando kT por grado de libertad
que se agregue ) Pej. : para una molcula diatmica ser 5/2 kT.
Para gases reales influye la compresibilidad. En este caso, al
reducirse las distancias moleculares aparecern potenciales entre las
molculas. Por ese motivo hay que considerar las correcciones hechas por
Van der Walls en cuanto al volumen molecular .

Temperatura de un lquido

Al ser el lquido un estado intermedio entre un gas y un slido, hay

que considerarlo como a un gas muy comprimido, donde la interaccin
molecular adquiere la mxima relevancia .

Temperatura de un plasma:

En un plasma podemos llegar a tener iones positivos, negativos y

electrones. Consideramos dos situaciones:
a- Plasma no colisional:
Esencialmente puede estar formado por iones positivos, negativos y
electrones que colisionen poco entre s.
La diferencia de masas entre iones y electrones se traduce en una
diferencia en las energas cinticas de ambos. Tenemos que
considerar entonces que coexisten dos temperaturas: la electrnica
Te y la inica Ti dadas ambas por las energas cinticas medias de
los electrones y de los iones respectivamente. Esto es as bajo el
supuesto que la masa de los iones positivos y negativos es parecida,
de lo contrario podran llegar a aparecer tres temperaturas: Te , Ti+ ,
Ti- .
b- Plasma colisional :
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Predominan las colisiones entre partculas por lo que las

energas cinticas de electrones y de iones se igualan en el
tiempo. Esta igualacin se traduce en una unificacin de la
temperatura media del plasma, la que se denomina
temperatura del plasma Tp.

Estado condensado.
Para facilitar el estudio de este estado vamos a considerar a los lquidos y
los slidos segn la siguiente subdivisin:
estado condensado

Slidos

Amorfos

Cristalinos

Lquidos

Vidrios

Amorfos

Cristalinos

Slidos.

Slidos cristalinos.
La propiedad fundamental de los slidos cristalinos (cristales) es la
regularidad de la distribucin de los tomos en ellos, constituyendo lo que se
llama una red cristalina.
sta est compuesta por una unidad bsica (celda de la red) que
se repite a lo largo de ella. Es por ello que para el anlisis de la estructura
de un cristal basta estudiar esta celda unitaria considerando que todas las
propiedades se repiten de una celda a la otra.
Las redes cristalinas se subdividen en varios tipos, en dependencia
de:
el tipo de partculas que la forman
el tipo de enlace entre ellas

Cristales covalentes:
FISICA ELECTRONICA

MODULO V

En ellos los tomos estn

ligados entre s por enlaces direccionales
localizados. (electrones de valencia en
orbitales p ).
La
red
cristalina
est
determinada por la orientacin y la
naturaleza
de
estos
enlaces
direccionales.
En la figura se representa la red
cristalina del diamante.
Cada esfera representa un
ncleo de carbono y cada barra un par
de electrones de enlace localizado.
Debido a su estructura electrnica rgida los cristales covalentes
tienen varias caractersticas microscpicas comunes:
son extremadamente duros y difciles de deformar;
son malos conductores de la electricidad puesto que no hay
electrones libres que transporten carga;
son malos conductores del calor puesto que no hay electrones
libres que transporten energa de un lugar a otro;
muchos de ellos son transparentes debido a que la diferencia Eg
entre bandas es mayor que las energas fotnicas del espectro
visible.
Cristales inicos
Consisten
en
un
arreglo regular de iones
positivos
y
negativos
resultantes de la transferencia
de uno o ms electrones de
una clase de tomo a otro.

En las figuras se
representan
las
redes
cristalinas del NaCl y del
CsCl respectivamente.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Los iones
de tal modo que
una configuracin
sus interacciones
mutuas.

se disponen
se produce
estable bajo
electrnicas

Estos cristales :
son duros, frgiles y tienen alto punto de fusin debido a las
fuerzas electrostticas relativamente fuerte entre iones;
son malos conductores de la electricidad, pero a altas
temperaturas, los iones pueden adquirir una cierta movilidad que
se traduce en una mejor conductibilidad elctrica;
son malos conductores del calor al carecer de electrones libres;
algunos absorben fuertemente radiacin infrarroja.

cristales metlicos
Son cristales cuyos elementos tienen energas de ionizacin
relativamente pequeas y cuyos tomos tienen unos pocos electrones
dbilmente ligados que son fcilmente puestos en libertad usando la energa
que se libera al formarse el cristal.
De este modo los metales tienen una red regular compuesta de
iones positivos esfricamente simtricos que se forman cuando los
electrones ms externos quedan en libertad.
Dentro de esta estructura hay un gas electrnico formado por los
electrones libres, los que son responsables de la unin.
Estos se mueven ms o menos libremente dentro de la red cristalina
y por lo tanto no estn localizados.
Estos cristales :
son maleables debido a la simetra del enlace;

FISICA ELECTRONICA

MODULO V

 son excelentes conductores elctricos por la presencia de

electrones libres;
son excelentes conductores
libres;
son opacos y tienen
electromagntica.

un

trmicos debido a los electrones

alto

coeficiente

de

reflexin

Cristales moleculares

Estn hechos de sustancias cuyas molculas no son polares .

En estas molculas todos los electrones estn apareados de tal
modo que no se pueden formar enlaces covalentes entre tomos de dos
molculas diferentes.
En este tipo de cristales las molculas conservan su individualidad,
estn ligadas entre s por las mismas fuerzas intermoleculares que existen
entre las partculas de un gas o de un lquido: las fuerzas de van der Walls.
stas son muy dbiles y corresponden aproximadamente a las fuerzas entre
dos dipolos.
Las fuerzas de van der Walls provienen de la interaccin de estos
dipolos elctricos instantneos si bien en promedio estas molculas no
tienen un momento dipolar elctrico instantneo.
Algunos ejemplos de cristales moleculares son : CH4 , Cl2 , CO2 ,
los gases nobles, etc ..
Estos cristales :
son muy compresibles y deformables con punto de fusin muy
bajo;
no son conductores elctricos;
no son conductores del calor.

Cristales con enlace de hidrgeno

Estrechamente relacionados con los cristales inicos estn los
slidos con enlace de hidrgeno, que se caracterizan por tener molculas
fuertemente polarizadas con uno o mas tomos de hidrgeno tales como el
H2O y el HF.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Los iones positivos de

hidrgeno, debido a que son
relativamente pequeos, pueden
atraer el extremo negativo de otras
molcula formando cadenas como:
(H F ) ( H F ) ( H F ) ........
+

Esto es particularmente
interesante en el caso del hielo en
el cual las molculas tienen el
arreglo tetradrico que se muestra
en la figura.
Esta
estructura
relativamente abierta del hielo
explica el mayor volumen que el
hielo tiene en comparacin con el
agua en la fase lquida.

Cristales con ms de un tipo de enlace

Algunos slidos son combinacin de varios tipos de enlaces.

Un ejemplo de ello es el grafito que consiste en capas de tomos de

carbono dispuestas en forma de hexgono. En este caso los tomos de
cada capa estn ligados entre s por enlaces covalentes localizados y no
localizados.
Los electrones de los enlaces no localizados estn en libertad de
moverse paralelamente a las capas, lo que explica la conductibilidad
elctrica paralela a las capas de grafito y la no conductividad en direccin
perpendicular a ellas.
FISICA ELECTRONICA

10

MODULO V

Estas capas estn unidas entre s por fuerzas dbiles de van der
Walls, lo que explica la naturaleza escamosa y resbaladiza del grafito. Esta
caracteriza lo hace til como lubricante.

Sistemas cristalinos
Como dijimos, un cristal es una estructura que para su estudio
puede ser reducida a una unidad mnima denominada celda.
Si bien existen 14 tipos de celdas o cristales, las que resultan de
mayor inters para el estudio de los semiconductores presentan estructuras
reducibles a una red cbica.
stas son:

a - cbica
b - cbica centrado en las caras
c - cbica centrado en el cuerpo

A continuacin se presentan los principales sistemas cristalinos que

estn en la naturaleza.
En stos hay 14 tipos distintos de cristales comprendidos en 7
sistemas.

O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

FISICA ELECTRONICA

12

MODULO V

Planos cristalinos.
A continuacin se presentan los principales planos cristalinos para
un sistema cbico. Los planos cristalinos se identifican mediante la
representacin en coordenadas cartesianas del vector unitario normal al
plano en cuestin.
x

( 1,0,1 )

( 0,0,1 )
y

y
z

( 0,1,0 )

( 0,1,1 )

y
z

z
( 1,0,0 )
y
z

( 1,1,1 )

y
z

Cabe destacar que existen

determinadas propiedades que slo se
presentan sobre determinados planos
cristalinos. Un ejemplo de ello lo
constituye la superconduccin en
materiales cermicos.

( 1,1,0 )
y
z

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

Super-redes
En la actualidad las modernas tcnicas de fabricacin de cristales
permiten obtener cristales formados de modo tal que a continuacin de una
capa cristalina de una especie se superpone otra de una especie diferente y
as sucesivamente.
Estas tcnicas permiten alterar la estructura energtica del cristal a
lo largo del mismo, alterando asimismo sus propiedades elctricas y pticas.
De esta forma se pueden fabricar microlentes y/o microespejos,
dentro de algunos dispositivos.
Un ejemplo de aplicacin tecnolgica de super-red lo constituyen las
fibras pticas no lineales.

Slidos amorfos.
Las sustancias amorfas se diferencian de las cristalinas por la
isotropa (no hay direcciones privilegiadas en su interior). Son distinguibles
de las cristalinas debido a que su transicin del estado slido al lquido no va
acompaada de cambios bruscos de propiedades.

V sustancia cristalina
slido

lquido
fusin

sustancia amorfa

slido
lquido
reblandecimiento

T
T
En un slido amorfo existe entre las temperaturas Ta y Tb una zona
de reblandecimiento. Entre esas temperaturas el material evoluciona
paulatinamente ablandndose cada vez ms desde un slido rgido a un
FISICA ELECTRONICA

14

MODULO V

lquido. En esta zona operan las mquinas inyectoras de plstico, goma,

cera, etc. No profundizaremos ms sobre el tema por no ser ello objeto de
este curso.

Lquidos.
Es un estado intermedio entre el slido y el gaseoso.
A elevadas temperaturas las propiedades del lquido se acercan a
las del gas no perfecto y a bajas temperaturas a las de la sustancia slida.
Un liquido se puede explicar representando su estructura como la
acumulacin
de
agregados
ultramicroscpicos
significativamente
deformados, o bien en forma de una malla estructural continua, en la cual
los elementos de orden estructural estn limitados por los vecinos ms
cercanos.
La primera suposicin significa que un gran numero de islotes
cristalinos estn divididos por zonas de partculas de desordenada
disposicin.
La segunda suposicin lleva a la representacin casi cristalina del
lquido en la cual el orden del cristal se va perdiendo capa a capa.
Es difcil decir qu punto de vista es preferible.
Lo importante es que en el lquido existe un orden determinado, el
que es tanto ms superior cuanto ms se acerca el lquido al punto de
fusin.

Lquidos cristalinos.
Estos lquidos se diferencian de los corrientes por su anisotropa.
sta se revela de manera ms notable en sus propiedades pticas .
Estos lquidos cristalinos se observan en muchos compuestos
orgnicos de grandes molculas, generalmente de forma alargada.
En un lquido corriente la orientacin y disposicin de las molculas
son completamente arbitrarias. En otras palabras, en el movimiento trmico
las molculas del lquido efectan movimientos caticos tanto de traslacin
como de rotacin.

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

En un cristal lquido considerado como un todo las molculas estn

dispuestas desordenadamente en el espacio, sin embargo su orientacin
mutua es ordenada.
La orientacin ordenada de las molculas conduce a la anisotropa.
Generalmente los cristales lquidos no son monocristales sino un
agregado policristalino compuesto de gran cantidad de cristales lquidos en
forma de gotitas, orientados entre s de distinta manera.

lquido amorfo

lquido cristalino

Los cristales lquidos en general parecen lquidos turbios. Esto es

debido a la dispersin desordenada de la luz en los lmites entre las distintas
gotitas.
Con ayuda de un intenso campo elctrico o magntico, en algunos
caso se puede conseguir que todas las gotitas adquieran la misma
orientacin.
De esta forma se obtiene un cristal lquido casi transparente.

Cabe destacar que muchos lquidos cristalinos que son anistropos,

antes de solidificarse y convertirse en cristales, atraviesan por una breve
fase istropa.
Distintos tipos de cristales Lquidos.
FISICA ELECTRONICA

16

MODULO V

De acuerdo con el ordenamiento o disposicin presentado

inicialmente por sus molculas, los cristales lquidos evidencian tres clases
diferentes de mesofases: nemtica, esmtica y colestrica.
Esto se ilustra en la siguiente figura.

Grados de libertad de las macromolculas de los distintas cristales lquidos

nemtico

esmtico

colestrico

Cristales lquidos Esmticos :

La orientacin natural de sus dipolos en ausencia de campo elctrico

los hace ferroelctricos. A partir de esta propiedad sus principales
aplicaciones son :
Direccionamiento de luz lser
Memorias termo-pticas de imgenes
Radiografa ultrasnica

Cristales lquidos Colestricos :

Son las sustancias mas pticamente activas que se conocen pues

rotan el plano de la luz polarizada entre 20/mm de espesor hasta
18000/mm de espesor ( 50 vueltas/mm ).
Tambin varan su estructura con la temperatura, por lo cual al ser
iluminados con luz blanca la reflejan selectivamente, formndose distintos
colores al variar la temperatura. El orden de reflexin es :
( T< 0,5C )
temperatura baja ( 0,5C )

temperatura alta ( 50C )

( T> 50C )

incoloro
rojo
amarillo
verde
azul
violeta
incoloro

Este proceso es reversible, por lo que es posible emplearlos para

medir temperaturas superficiales.
O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

De la misma forma su estructura vara con la presin, los campos

elctricos, los magnticos y los agentes qumicos .
Al igual que con la temperatura, al ser iluminados con luz blanca, en
todos los casos la reflejan selectivamente, formndose los distintos colores
al variar la presin, los campos elctricos, los magnticos y los agentes
qumicos.
Esta propiedad permite fabricar distintos tipos de sensores.

Cristales lquidos nemticos :

Sus molculas tienen la forma de filamentos. Cuando son puestas

entre dos placas paralelas se pueden conseguir tres formas de orientacin
de las molculas :
Homeotrpica :
orientacin
perpendicular a las placas
Homognea :
las placas

de

las

molculas

orientacin de las molculas paralela a

Torsionada o giratoria :
en una placa la orientacin de
las molculas es paralela a esta y en la otra perpendicular. En
este caso la orientacin de las molculas gira 90 de una placa a
otra.
Las propiedades pticas de estos cristales son alteradas
fuertemente por campos elctricos, magnticos y fuerzas mecnicas.
Debido a su simetra cristalina se comportan como cristales
uniaxiales cuyo eje ptico es paralelo a la direccin de alineacin de las
molculas.
Son birrefringentes (su birrefringencia es siempre positiva) y la
constante dielctrica, la susceptibilidad magntica y la resistividad son
anistropas.
Estas propiedades permiten la fabricacin de deflectores y
moduladores magneto-pticos. Una de las aplicaciones ms difundidas es
su empleo en la fabricacin de visualizadores o displays de cristal lquido
(LCD).

Visualizadores ( Displays)

FISICA ELECTRONICA

18

MODULO V

En particular para visualizadores se emplean cristales nemticos.

En la figura siguiente se muestran los tres modos de visualizacin
de un LCD:

LCD

LCD

LCD

Trasmisivo

Reflectivo

Transflectivo

A su vez existen tres modos o tcnicas de operacin de un LCD:

Modo de dispersin nemtica.
Modo nemtico giratorio o de efecto de campo
Modo anfitrin invitado
En la tabla siguiente se comparan los tres mtodos :

Tcnica empleada

Ventajas

Inconvenientes

Dispersin
nemtica

sencillez de construccin
no necesita polarizadores

mayor conductividad
mayor consumo
vida mas corta

Nemtica
Giratoria

bajas tensiones de trabajo

baja conductividad
bajo consumo

elevado tiempo de respuesta

necesidad de polarizadores

Anfitrin
invitado

posibilidad de colores
mayor brillo
mayor ngulo visual
menor distorsin por paralaje

bajo contraste
mayor tensin de operacin

Display reflectivo con cristal nemtico en modo torsionado

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

Este display se construye mediante el empleo de determinados

cristales lquidos que tienen la propiedad de rotar el plano de polarizacin de
la luz en 90 grados y perder esta propiedad cuando se les aplica un
determinado campo elctrico. Este efecto se logra a travs de la aplicacin
de una tensin V entre sus bordes.
El esquema de un display es el siguiente :
En el recipiente
(transparente ) que contiene al
cristal lquido se dibujan los
caracteres
con
una
tinta
transparente y se conectan al
circuito de polarizacin.

Modo de funcionamiento
Aparte del cristal lquido con el correspondiente circuito de
polarizacin el display cuenta con el siguiente arreglo de elementos :

polarizador cristal lquido

polarizador

espejo

Analicemos en los esquemas la marcha de los rayos de luz con y sin

polarizacin del cristal liquido

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO V

 sin polarizacin
polarizador cristal lquido

polarizador

espejo

Cuando el cristal lquido no se encuentra polarizado la luz entra sin

polarizacin y sale polarizada.
con polarizacin
polarizador cristal lquido

polarizador

espejo

Cuando el cristal lquido se polariza, al perder su propiedad de

rotacin de la luz, sta no puede atravesar el segundo filtro polarizador
siendo absorbida por ste. La ausencia de luz har aparecer el nmero
deseado.
Obsrvese que el tono grisceo de los displays se debe a que
siempre se pierde al menos el
50 % de la luz en uno de los filtros
polarizadores.

Visualizadores en modo anfitrin-invitado

Dispersas entre las molculas del cristal lquido (anfitrionas) se

encuentran las molculas de un tinte dicroico ( invitadas ).
O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

Sin polarizacin ambas permanecen paralelas al plano de los

electrodos transparentes; las molculas anfitrionas absorben parte del
espectro dando aspecto coloreado al display.
Con tensin aplicada las molculas se encuentran perpendiculares
al plano y la luz atraviesa el display sin ser modificada; por lo tanto el display
se vera claro. De este modo en este display se vern nmeros o caracteres
brillantes sobre fondo coloreado .

Lquidos amorfos.
Estos lquidos se diferencian de los cristalinos por su isotropa (no
tienen direcciones privilegiadas en su seno). Esto se debe a que las
molculas en su interior, debido al efecto trmico efecta movimientos
caticos tanto de traslacin como de rotacin.
No es objeto de este curso profundizar en este tema.

Vidrios.
Un vidrio es un material formado por enfriamiento del estado lquido
normal. En ese proceso sufre un cambio no discontinuo tal como la
cristalizacin hacindose ms rgido debido a un aumento de la viscosidad .
Se asume normalmente que un lquido se convierte en vidrio cuando
3
su viscosidad es superior a 10 poises.
Consideramos por lo tanto que un vidrio es un cuerpo slido con un
denso empaquetamiento de tomos. Estos se caracterizan por no mantener
entre s las distancias regulares y ordenadas que mantienen los cristales.

FISICA ELECTRONICA

22

MODULO V

La formacin de vidrios es una consecuencia de una cristalizacin

impedida. Es por eso que en la gran mayora de los casos se obtienen a
partir de un proceso de fundido y muy rara vez por condensacin de
vapores.
Cuando algunos silicatos se funden y se enfran bruscamente, no
cristalizan sino que solidifican en forma de vidrio y estos vidrios de silicato
son de gran utilidad prctica.
Vidrios con estructuras reticulares, los que en general son muy
difciles de dilucidar, los forman no slo el SiO2 y los silicatos, sino tambin
otros xidos como el B2O3 , GeO2 , P2O5 , As2O3 , y As2O5 .
Tales vidrios al calentar no funden a una determinada temperatura
sino que se ablandan gradualmente y pasan despus al estado lquido. Por
calefaccin prolongada en el punto de reblandecimiento (templado) puede
en ocasiones pasar al estado cristalino.
Otros sistemas se reblandecen formando vidrios tales como el KNO3
(con un 30 - 47% de Ca(NO3)2 ). Lo mismo ocurre con algunos compuestos
asociados por enlaces de hidrgeno tales como el cido fosfrico y sulfrico
concentrados, glicerina y otros alcoholes.
Aunque la palabra vidrio se puede asociar a silicatos, cermicos y
materiales no metlicos relacionados con ellos, se ha descubierto que el
6
enfriamiento muy rpido ( 10 grados/seg ) de ciertas aleaciones fundidas,
da lugar a materiales metlicos que son rgidos y tienen estructuras
moleculares cuasi-lquidas .
Estos vidrios metlicos tienen una fuerza excepcional, resistencia a
la corrosin y fcil magnetizacin.
En general, los vidrios son ms ricos en energa que los
correspondientes compuestos cristalinos, lo que quiere decir que son ms
inestables, y que pueden pasar al cristal al perder exceso de energa.

Polmeros
Se llaman polmeros a los cuerpos cuyas molculas estn formadas
por un gran nmero de grupos que se repiten, llamados unidades
monmeras . Los grupos que se hallan en los extremos de la molcula,
llamados grupos finales, se diferencian por su estructura de las unidades
monmeras fundamentales. El nmero de unidades monmeras que hay en
una molcula recibe el nombre de grado de polimerizacin.
Los polmeros se dividen en lineales y tridimensionales:

O. VON PAMEL

23

Polietileno
HHHHHHH

S. MARCHISIO
... -C-C-C-C-C-C-C...

HHHHHHH
T fl

* En los lineales cada unidad

monmera est unida solamente
a dos unidades monmeras
vecinas.
Son
solubles,
forman
disoluciones
verdaderas
y
pueden existir en estado lquido.

* En los tridimensionales
aparecen enlaces transversales
de manera que constituyen una
red espacial.
No son fusibles ni solubles;
solamente se pueden hinchar en
un disolvente, absorbiendo una
cantidad limitada del mismo, pero
conservando, en lo fundamental,
las propiedades del slido.

FISICA ELECTRONICA

24

Poliestireno
H H H H H

-----C----C----C----C----C----
H C H C H
CH CH CH CH

CH CH CH CH
CH

CH

MODULO V

MDULO VI

MATERIA CONDENSADA
EFECTO DE LAS IMPUREZAS EN LOS
SLIDOS

Objetivos:
Estudiar cmo se alteran sustancialmente las propiedades
de un material mediante el agregado de impurezas. En
particular, el inters del estudio es la modificacin de las
propiedades pticas y elctricas.

O.VON PAMEL

S. MARCHISIO

Imperfecciones de las redes cristalinas

FISICA ELECTRONICA

MODULO VI

Las redes cristalinas no son perfectas.

Las imperfecciones de la red tienen un efecto muy importante en las
propiedades:
mecnicas (elasticidad)
elctricas
pticas
Podemos diferenciar algunas imperfecciones tpicas. stas son:
vacante

tomo intersticial

dejada por un tomo que falta

generada por un tomo que sobra

O
O

Impureza sustitucional
tomo de otra especie que reemplaza
a otro de la red

Impureza intersticial
tomo de otra especie que ocupa un
intersticio de la red

dislocacin de arista

O.VON PAMEL

S. MARCHISIO

Esta imperfeccin se puede ver como si desde el tope de la red se

hubiese empujado una capa extra de tomos hasta medio camino.

O
O

Aleaciones:
Una aleacin se forma cuando a un material base se le hacen
agregados de otros materiales llamados aleantes.
Tiene como fin obtener una sustancia que posea determinadas
propiedades diferentes de las que poseen sus componentes aisladamente.
Estas propiedades dotan a cada aleacin de una utilidad especfica, por lo
general vinculada a mayor resistencia a la corrosin, maleabilidad, etc.
En general el trmino aleacin se emplea para los compuestos
metlicos, aunque en la actualidad tambin se ha extendido esta
denominacin a combinaciones de compuestos no metlicos.
Las aleaciones pueden ser del tipo sustitucional o intersticial.
En el presente curso hablaremos de los efectos de los materiales
aleantes cuando estos estn en una proporcin respecto al material base
mayor al 1/1000. Si la proporcin es menor, los llamaremos impurezas y
hablaremos de sus efectos.

Efectos de las impurezas en las redes cristalinas.

FISICA ELECTRONICA

MODULO VI

Introduccin
Las impurezas, an en pequeas cantidades, tienen un efecto
importante sobre las propiedades mecnicas, elctricas y pticas de los
materiales.
Como vimos, estas impurezas pueden ser intersticiales
sustitucionales. Podemos caracterizarlas de la siguiente manera:

sustitucionales: se trata del reemplazo de un tomo de la red por

otro tomo extrao al cristal que destruye el orden de la estructura
peridica. La distribucin de impurezas en el material resulta
aleatoria.
intersticiales: se trata del agregado de un tomo extrao a la red
que se ubica en los espacios que quedan entre los tomos de sta.
Mediante el agregado de este tipo de impurezas tambin se
destruye el orden de la estructura peridica, pero adems se pueden
generar compuestos que no podran existir en situaciones de
equilibrio.
Actualmente con la comprensin del efecto de las impurezas sobre
los materiales se han desarrollado mtodos para impurificar materiales
puros y obtener as, de stos, nuevas propiedades. Esto no quita que en
muchos casos sea imposible fabricar materiales sin impurezas indeseables.
Un caso de especial inters para este curso es el estudio del efecto
de las impurezas de tipo sustitucional en los semiconductores.
Tambin tocaremos brevemente el tema del efecto de las impurezas
en conductores y aisladores.

Impurezas en semiconductores

O
O
O
O
O

O
O
O
O
O

O
O

O
O

O
O
O
O
O

O
O
O
O
O

En gran parte de las aplicaciones

prcticas se requieren semiconductores en
los que se haya realizado la sustitucin de
tomos de la red por tomos de impurezas
6
en pequeas cantidades.( un tomo en 10 a
9
10 ).
Debido al gran desarrollo tecnolgico
que histricamente se ha alcanzado en torno
al germanio y el silicio, los emplearemos
como
ejemplo
de
los
principales

semiconductores a estudiar.

O.VON PAMEL

S. MARCHISIO

De todos modos cabe destacar que existen otros materiales

semiconductores que rpidamente los van desplazando en la actualidad; tal
es el caso del AsGa .

IIIB

IV B

VB

1 0 ,8 1

1 2 ,0 1

1 4 ,0 0

13

14

15

Al

Si

2 6 ,9 8

2 8 ,0 8

3 0 ,9 7

31

32

33

Ga
6 9 ,7 2

Ge

As

7 2 ,5 9

7 4 ,9 2

49

50

In

Sn

Sb

1 1 4 ,8 2

1 1 8 ,6 9

1 2 1 ,7 5

81

82

83

Ti
2 0 4 ,3 7

IIIB

IV B

VB

Al

Si

Ga

Ge

As

In

Sn

Sb

Ti

Pb

Bi

51

Pb

Bi

2 0 7 ,1 9

2 0 8 ,9 8

Dado su configuracin electrnica, tanto el silicio como el germanio

tienen cuatro (4) electrones de valencia no completando niveles p. Esto
puede observarse en el extracto de la tabla peridica.
En la figura se representa la estructura del cristal .
Estructura
diamantina de un
cristal.

Para : C, Si y Ge
a = 5,56 , 5,13
y 5,66 0A
respectivamente

Vemos que cada tomo tiende a compartir uno de sus cuatro

electrones de valencia con cada uno de los tomos vecinos de los cuales
toma tambin un electrn en proceso anlogo.
FISICA ELECTRONICA

MODULO VI

Esta disposicin de pares de electrones compartidos es lo que

denominamos enlace covalente.
Debido a que el
diagrama en el espacio es
algo
complejo,
resulta
conveniente,
como
simplificacin desde el punto
de vista grfico -, una
representacin en el plano.

.
+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

En el anlisis no
debe olvidarse, sin embargo,
que los fenmenos ocurren
en el espacio.

+4

Efectos de las impurezas donantes.

Sustituimos algunos tomos del semiconductor puro por otros que
presentan un electrn de valencia en exceso, pero que por lo dems, son
aproximadamente iguales al tomo semiconductor puro.

IIIB

IV B

V B

1 0 ,8 1

1 2 ,0 1

1 4 ,0 0

13

14

15

A l

S i

2 6 ,9 8

2 8 ,0 8

31

32

33

G e

A s

7 2 ,5 9

7 4 ,9 2

49

50

In

S n

S b

1 1 4 ,8 2

1 1 8 ,6 9

1 2 1 ,7 5

81

82

T i

P b

B i

2 0 7 ,1 9

2 0 8 ,9 8

2 0 4 ,3 7

Observamos adems en la
figura, que aquellos elementos
de la tabla peridica que
guardan en todos los aspectos
mayor semejanza con los
tomos de SI y Ge son el fsforo
(P) y el arsnico (As). La
impureza encajar sin dificultad
en la estructura covalente
quedando un electrn sobrante.

3 0 ,9 7

G a
6 9 ,7 2

En nuestro caso concreto

de semiconductores de Si o Ge
(grupo IV de la tabla peridica),
los tomos de impurezas
corresponden al grupo V.

51

83

ste queda sin cumplir

funcin alguna en los enlaces
que mantienen la unidad del cristal y realiza movimientos orbitales alrededor
de la impureza.

O.VON PAMEL

S. MARCHISIO

Las impurezas de este tipo, tomos pentavalentes que suministran

al cristal electrones que pueden ser liberados fcilmente, (con energas
menores a 0,1 eV) son las impurezas donantes.

.
+4

+4

El semiconductor as
constituido es de tipo n porque
conduce
la
corriente
principalmente
mediante
electrones
de
conduccin
cargados negativamente.

+4

.
+4

+4

+5

+4

+4

En
este
caso
semiconductor
tipo
n,
electrones de conduccin son
portadores
mayoritarios
corriente.

+4

de
los
los
de

Efecto de las impurezas aceptantes.

Nuevamente consideremos el semiconductor puro.

IIIB

IV B

1 0 ,8 1

1 2 ,0 1

1 4 ,0 0

13

14

A l

S i

2 6 ,9 8

2 8 ,0 8

3 0 ,9 7

15

31

32

33

G a

G e

A s

6 9 ,7 2

7 2 ,5 9

7 4 ,9 2

49

50

In

S n

S b

1 1 4 ,8 2

1 1 8 ,6 9

1 2 1 ,7 5

81

82

83

T i
2 0 4 ,3 7

P b
2 0 7 ,1 9

Sustituyamos alguno de
sus tomos por otros de
caractersticas similares, pero que
presentan un electrn de valencia
en defecto.

V B

Los tomos que pueden

constituirse en impurezas debido
a su similitud con los de Si o Ge
son el aluminio (Al), el galio (Ga),
y el indio (In).

51

Estos pertenecen al grupo

III de la tabla peridica.

B i
2 0 8 ,9 8

Cuando uno de los tomos no completa su estructura de enlaces

con los tomos vecinos, se crea una falta o vacante de electrones, llamada
hueco que tiene asociada una carga positiva. Esto es as debido a que es la
falta de algo negativo.

FISICA ELECTRONICA

MODULO VI

Como las fuerzas de enlace en un cristal covalente son muy

intensas, el hueco es muy atractivo para los electrones que constituyen los
dems enlaces en el cristal. En consecuencia, uno de los electrones ligados
podr saltar a la vacante, creando a su vez una nueva que a su vez ser
atractiva para los dems electrones de valencia.
Las impurezas de este
tipo, - tomos trivalentes -, se
llaman aceptantes y como
aaden huecos al material hacen
al semiconductor de tipo p.

.
+4

+4

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

En
este
caso
la
circulacin de corriente se explica
por desplazamiento de los huecos
o faltantes de electrones, que se
constituyen
en
portadores
mayoritarios para el material tipo
p.

Nota

La descripcin que acabamos de hacer del movimiento de los

electrones y los huecos responde al llamado modelo de enlaces. Esta es
una simplificacin que emplea una imagen clsica.
En este modelo el hueco est localizado en una longitud de pocos
0
A , esencialmente en las dimensiones del tomo.
Si aplicamos el principio de incertidumbre de Heisemberg, vemos
que a la temperatura ambiente ( T = 300 K ), la partcula, tratada como gas
ideal, tendr:
energa cintica media por grado de libertad = kT
2

m v = 3/2 kT

debido a lo cual:

7 cm

de lo cual resulta que a temperatura ambiente: v = 10

/seg.

Si por sencillez suponemos que el movimiento aleatorio de una

partcula sita su energa con aproximadamente la misma probabilidad en
cualquier valor del intervalo comprendido entre un tercio y el triple de su
valor medio, entonces vale:
P m v
h
0
luego, por el principio de incertidumbre :
r ------ 60 A
mv
Como la separacin entre tomos de la red cristalina es de 2 a
0
0
2,5A , se deduce que la localizacin del hueco en una esfera de R = 60 A
(r), se extiende sobre unos 7000 tomos. Por lo tanto, la nocin de hueco
O.VON PAMEL

S. MARCHISIO

que salta entre tomos vecinos, en su movimiento aleatorio, carece de

significado fsico.
Deducimos que el modelo presentado solo nos sirve para tener
presentes los resultados principales referentes a los electrones de
conduccin y a los huecos, pero no como representaciones precisas de su
dinmica.

Modificacin de la estructura de bandas debida a las

impurezas sustitucionales.

El diagrama de bandas
de energa de un material
semiconductor puro se altera
por el agregado de impurezas.

Energa de los electrones

banda de conduccin

Es necesario ubicar en
l los estados de energa
permitidos de los tomos
donantes y aceptantes, segn
sean los materiales tipo n o p
respectivamente.

Eg 1eV
banda de valencia

Agregado de impurezas donantes.

Si en un cristal muy puro de un semiconductor, - silicio o germanio-,
se aade una impureza donante se producen los siguientes cambios en su
estructura electrnica:
la impureza deja los estados energticos permitidos y prohibidos del
semiconductor puro esencialmente intactos e inalterados.
por cada impureza aadida aparece un nuevo estado electrnico.

FISICA ELECTRONICA

10

MODULO VI

Energa de los electrones

banda de conduccin
Ec

Ed
Eg

banda de valencia

El
electrn
sobrante
del
tomo
donante no se encuentra
en libertad de deambular
por el cristal sino que
realiza
movimientos
similares a los de los
electrones en sus rbitas
atmicas alrededor de la
impureza sin constituir un
enlace en la red.

El estado energtico correspondiente (Ed) no coincide por lo tanto ni

con la banda de valencia ni con la de conduccin.
Este estado energtico se encuentra en la banda prohibida prximo
al fondo de la banda de conduccin (Ec). El nivel del donante Ed se
encuentra aproximadamente a:
0,01 eV para el germanio
0,04 eV para el silicio
por debajo de Ec .
!

Nota :

No es contradiccin aceptar que dentro de la banda prohibida

existan estados permitidos.
La banda prohibida es del semiconductor, mientras que los estados
permitidos son de las impurezas.
A temperaturas muy bajas (prximas al 0 K) el nuevo estado se
encuentra ocupado por el electrn adicional procedente de la impureza.
0

Agregado de impurezas aceptantes

De manera similar, se pueden incorporar a un cristal puro impurezas
controladas de valencia tres (3) que producen, en el diagrama de bandas,
cambios similares a los vistos anteriormente. Podemos sintetizar:
Las bandas del semiconductor quedan esencialmente inalteradas.
Por cada impureza aadida aparece un nuevo estado electrnico.

O.VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

Energa de los electrones

banda de conduccin

La ubicacin del estado

electrnico en el diagrama
de
bandas
del
semiconductor puro es
prxima al tope de la
banda de valencia (Ev) y
dentro de la banda
prohibida.

Eg
Ea
Ev

.
banda de valencia

La diferencia entre el nivel aceptante (Ea) y Ev es:

0,01 para el germanio
0,05 para el silicio
por arriba de la banda de valencia
El nuevo estado se encuentra vaco a temperaturas muy bajas, pero
puede ser ocupado por un electrn excitado trmicamente desde la banda
de valencia. En este caso el electrn excitado al nivel aceptante deja atrs
huecos en la banda de valencia.
!

Nota :

En las figuras siguientes se grafican los niveles energticos de

distintas impurezas del Si.
En ellas, los niveles por arriba del centro del Gap o banda energtica
prohibida, se miden desde la base de la banda de conduccin hacia abajo.
Son niveles donantes a menos que se los indique con una A.
Los niveles por abajo del centro del Gap se miden desde el tope de
la banda de valencia hacia arriba. Son niveles aceptantes a menos que se
los indique con una D.

Niveles energticos de impurezas en Si a 300 0K

Li Sb P As Bi Te Ti C Mg Se Cr Ta Cs Ba S Mn Ag Cd Pt Si
.069 .14 .21

.11A

. 14

.033 .039 .045 .054

donantes
1,12 eV

Centro del gap

.42

aceptantes

.35D
.17

FISICA ELECTRONICA

.2A
.3 .32

.25 .25A .25

.4 .41 .43

12

.26

.25A
.43 .36A .45A
.34A
.53
.
.5 .5 .48
.55 .36 .49D
.45D .33D .3
.3D .19D

MODULO VI

Niveles energticos de impurezas en Si a 300 0K

.11A

.22
.31A .28 .27

.25 .25A

.26 .25

.3

.17 .16 .14

.38A

.37

.51 .51

.35A .33 .36A

.

1,12 eV

donantes

.55A .54A .53A .49

Centro del gap

.42

.4

.53
.34D .33D .5D .5D .4

.34D .37 .41

.4

aceptantes
.3 .34
.072 .16

.35D

.35
.17 .26 .29D

.23 .30D .25D

.24 .35D .27 .31D

.045 .067

B Al Ga In Tl Pd Na Be Zn Au Co V Ni Mo Mg Zr Ge Cu K Sn W Pb O Fe

Bandas de impurezas.
18

Cuando la concentracin de impurezas es muy grande (Ni >10 )y

los niveles donantes (o aceptantes) interaccionan entre s, el principio de
exclusin de Pauli provoca el desdoblamiento de niveles generando una
banda permitida de impurezas dentro de la banda prohibida del cristal.
Las siguientes figuras representan los modelos en este caso.

Energa de los electrones

banda de conduccin
banda de las impurezas donantes

Energa de los electrones

Ec

banda de conduccin

Ec

banda de las impurezas aceptantes

.

Ev

Ev

banda de valencia

banda de valencia

Prcticamente la banda de impurezas se puede hacer crecer hasta

el punto de hacer desaparecer la banda prohibida.
De esto ultimo surge que la banda de impurezas se puede hacer
crecer paulatinamente a lo largo del semiconductor hasta convertirlo en un
conductor , permitiendo que la union conductoer semiconductor se realice en
forma continua.
Ambas situaciones se observan en la figura siguiente:

O.VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

E n er g a d e los electr on es
ban d a d e con d u ccin
. Ec
Eg

Eg = 0

. Ev
ba n d a d e va len cia

Impurezas indeseables.
En muchos procesos de fabricacin de cristales es imposible evitar
que el material puro no incorpore impurezas indeseables.
Las impurezas indeseables agregaran niveles energticos al
material, algunos de los cuales, - los que se encuentran dentro de la banda
prohibida -, alteraran las propiedades elctricas y pticas del material.
Un ejemplo tpico indeseable de impurificacin es el que se produce
durante el proceso de fabricacin del monocristal silicio al incorporar
oxgeno como impureza.
La impureza oxgeno
genera niveles de impureza
aproximadamente en la mitad
de la banda prohibida.

Energa de los electrones

banda de conduccin

Estos
niveles
de
impurezas indeseables limitan
las transiciones electrnicas
de una a otra banda.

niveles de impurezas

banda de valencia

! Nota:
Las imperfecciones cristalogrficas de la red (dislocaciones, etc)
generan, del mismo modo que las impurezas indeseables,
niveles
energticos dentro de la banda prohibida. Puesto que stos alteraran las
propiedades del material, se busca que estas imperfecciones sean las
menores posibles.

! Nota:
FISICA ELECTRONICA

14

MODULO VI

Se pude considerar a la superficie del material como una

discontinuidad de la red cristalina. En consecuencia, sobre sta existirn
enlaces incompletos que darn lugar a la aparicin de gran nmero de
estados cunticos.
Es decir esto causar que en la superficie del material exista un
mayor nmero de estados cunticos que en su interior. Es esperable por ello
que las propiedades en la superficie del material sean distintas a las de su
interior. Ms adelante analizaremos este tema con mayor profundidad.

Impurezas en conductores.
Como es previsible, las impurezas no existen slo asociadas a los
semiconductores. Las impurezas en un conductor generarn niveles
energticos que caern necesariamente dentro de la banda continua
conduccin-valencia de ste. Sus efectos sern la alteracin de las
propiedades elctricas y magnticas del material puro.
En la figura siguiente se observa la resistividad de tres muestras de
sodio con impurezas diferentes.
Obsrvese que se puede escribir:
= i + t ,
sta es la llamada regla de Mathiessen, donde:
i (resistividad residual) es la
resistividad del metal debido
a las impurezas. sta resulta
independiente
de
la
temperatura, aunque vara de
una muestra a otra.

(Resistividad) en .m

2.10

-2

1.10

-2

t es la resistividad debida a
las vibraciones trmicas, por
lo cual aumenta con la
temperatura.
10

20 T ( K)

Metalizaciones

O.VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

Las metalizaciones que se emplean en los circuitos integrados

constituyen un ejemplo de material que es frecuentemente objeto de
impurificacin. La metalizacin en integrados se realiza tanto para hacer
contactos al semiconductor como para transportar la corriente de un
dispositivo a otro del circuito integrado, formando las denominadas pistas
conductoras.
Las metalizaciones ocupan alrededor del 60% del rea de un chip y
por lo tanto tienen una influencia esencial en todos los aspectos
relacionados con la reduccin del tamao de los chips. Del mismo modo, la
mayor parte de los fallos detectados en los circuitos integrados se debe a las
metalizaciones.
Para mejorar las prestaciones de stas, los metales empleados se
impurifican para mejorar sus propiedades, estas impurificaciones dependen
del uso y del problema a resolver.
Materiales para contactos hmicos
Los contactos de tipo hmico son aquellos contactos metalsemiconductor que presentan la menor resistencia posible al paso de
corriente. Sin embargo lo reducido de los modernos componentes hace que
la resistencia de contacto no sea tan despreciable.
El material inicialmente usado para contactos fue el aluminio, pero
este material presenta el problema que se disuelve parcialmente en el silicio
con el que entra en contacto produciendo efectos muy adversos:
cortocircuitos.
Estos problemas se pueden paliar en parte si en vez de depositar
aluminio puro se deposita una aleacin sobresaturada de Si(2%) con lo que
se evita el efecto anterior.
Materiales para pistas conductoras

La corriente que circula por las pistas conductoras de un circuito

integrado es baja. Sin embargo, debido a su pequea seccin transversal, la
6
2
densidad de la misma puede alcanzar valores de hasta 10 amperios/cm .
Un problema muy grande que destruye muchas pistas conductoras
es la electromigracin.
Este efecto se produce cuando la densidad de corriente es tan
elevada que un nmero relativamente grande de tomos es desplazado de
su posicin de equilibrio por choques con los electrones que transportan la
corriente.
FISICA ELECTRONICA

16

MODULO VI

Como consecuencia de este proceso, hay lugares que quedan

desprovistos de tomos del material conductor producindose un circuito
abierto que impide la posterior circulacin de corriente. Estos tomos
desplazados pueden acumularse en otras zonas de la pista conductora, la
que aumenta de tamao pudiendo llegar a contactar una lnea conductora
cercana con lo que se produce un cortocircuito.
Las lneas de interconexin fabricadas con aluminio del tipo Si(2%)Al
son bastante sensibles a los fenmenos de electromigracin. Sin embargo la
adicin de pequeas cantidades de cobre mejora mucho las propiedades
frente a este problema. Esto es debido, al parecer, a que los tomos de
cobre se colocan en las juntas de grano de los policristales del material
conductor evitando la difusin de tomos a lo largo de la pista conductora.

Impurezas en aisladores.
En la banda prohibida de un material, sea cristalino o no, aparecen
niveles debido a imperfecciones de diverso tipo, tales como dislocaciones,
tomos de impurezas extraos, tomos del material en exceso o defecto,
estructuras en forma de mosaico, etc.
Tengamos en cuenta que estos niveles en un aislador son muy
pocos y por lo tanto no alteran la posicin energtica del nivel de Fermi, el
cual se encuentra aproximadamente en el centro de la banda prohibida.
Estos niveles en cuanto a sus efectos son totalmente equivalentes a
los de impurezas; por este motivo hablaremos indistintamente de ambos.
Estos niveles aparecen distribuidos en todo el Gap, obviamente,
algunos ms cerca de la banda de conduccin y otros ms cerca de la
banda de valencia, segn sea su origen. En particular, los niveles
provenientes de dislocaciones y otros defectos de la red aparecern cerca
de la banda de conduccin.
En general en los aisladores podemos encontrarnos con dos tipos
de niveles: los indeseables y los que pueden ser incorporadas a stos para
obtener propiedades especficas.
Existen diferencias en el origen y la ubicacin energtica de estos
niveles en el aislador segn sea el tipo de enlace molecular y/o su estructura
cristalina, a saber:
En cristales inicos las imperfecciones de la red provienen del
exceso o defecto de iones y/o electrones. Podemos citar, por ejemplo:
tomos intersticiales, impurezas de valencia en exceso o defecto, etc.

O.VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

 En materiales amorfos, en general, los niveles indeseables que

suelen ser producto del proceso de fabricacin del material, comprenden
una larga variedad de defectos que han sido ya enumerados. En general,
stos generan niveles en la banda prohibida cercanos a la banda de
conduccin, hasta 1eV por debajo de ella.

Energa de los electrones

banda de conduccin
1eV

Eg 5 eV

Estos niveles son equivalentes a

los niveles de impurezas de un
semiconductor tipo n, excepto que se
encuentran en menor cantidad

A temperatura ambiente unos

pocos electrones de impurezas se
encuentran en la banda de conduccin
pudiendo desplazarse por todo el material.
stos son los causantes del campo
interno de los dielctricos as como de su
calentamiento al operar en alta frecuencia.
Se puede decir que son en gran medida
determinantes del proceso de ruptura
dielctrica.

banda de valencia

Nota:

En los componentes electrnicos, el SiO2 es usado como aislador.

Durante el proceso de fabricacin de estos dispositivos es inevitable la
+
+
aparicin de impurezas en el xido, - iones de K y P -, como as cargas
positivas y negativas atrapadas en el xido, las cuales afectan el
funcionamiento de los dispositivos. Un tratamiento ms extenso del tema se
realizar ms adelante.
!

Nota:

En algunos cristales preciosos las impurezas son responsables del

color de la gema. Por ejemplo, el corindn puro (Al2O3) debera ser
transparente, pero el rub (que es Al2O3 con algunas impurezas de cromo) es
de color rojo. Esto es debido a una fuerte absorcin de la regin verde del
espectro por los tomos de cromo.

FISICA ELECTRONICA

18

MODULO VI

Energa de los electrones

banda de conduccin
1eV
1eV

banda de conduccin

En alguno de ellos se introducen

impurezas que logran que el salto de los
electrones de una banda a la otra se
realice a travs de determinados niveles
especficos que hacen a la aplicacin.
ste es el caso de un lser, un cristal
de centelleo. Este ltimo se esquematiza
en la figura.

Partculas en el slido cristalino.

Existen partculas de singular importancia dentro del slido cristalino
que intervienen en muchos de los procesos fsicos internos.
Estas partculas estn caracterizadas por la cuantificacin de la
energa por lo que su naturaleza es cuntica.
Como una alternativa de clasificacin podemos dividirlas en dos
grupos:
Las que poseen carga y las que no.
Las partculas que transportan carga son:
el
el
el

electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco

Si bien parecera que nos referirnos al electrn con distintos

nombres, hay que tener en cuenta que ste, al estar sometido a la
interaccin con la red, reacciona en forma distinta frente a una misma accin
externa.
Empleando las leyes de la dinmica es fcil corroborar esta
afirmacin.
Si:

F
m = --------a

Entonces, frente a la aplicacin de una misma fuerza F , a ser

distinta segn en qu banda se encuentre o qu carga tenga:

O.VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

masa

carga

me
m*c
m*v
mh

e
e
e
+e

electrn libre
electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco

con : me < m*c < m*v =mh

actuarn como partculas de distinta masa y/o carga

A stas las analizaremos en profundidad ms adelante.
Las partculas no cargadas que transportan energa-momento son:
el fotn
el fonn
el plasmn

interaccin
fotn

asociada a

electromagntica

energa

momento

emisin por
decaimiento
electrnico

E = h

p = h/c

E = h

p = h/v
con v << c

fonn

mecnica

vibracin
de la red

plasmn

mecnica

vibracin
colectiva de
electrones o
huecos

E = h

Analicemos la variedad de estas ltimas:

Fotn.
Es la partcula asociada a una radiacin electromagntica.
Su energa

E = h

Su momento

p = h / c

Su masa

est determinada por la frecuencia de la radiacin.

es muy dbil.

m = E / c es despreciable dentro del slido. (c: velocidad

de la luz )

Los fotones transportan energa de un lugar a otro del cristal. Un

fotn nace, por ejemplo, cuando un electrn y un hueco se constituyen en un

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO VI

enlace o se recombinan transportando la energa que el electrn perdi al

caer en ese pozo de potencial.
El fotn muere cuando impacta sobre un electrn cedindole
energa suficiente para separarse del hueco, rompiendo el enlace.
Fonn
El fonn es la partcula asociada a una vibracin mecnica de la
estructura cristalina.
La onda de vibracin mecnica se propaga y su energa esta
cuantificada y asociada a la frecuencia de vibracin.
La energa de esta onda puede variar dentro de amplios lmites, por
lo cual la frecuencia asociada abarca un espectro amplio de posibilidades.
Existen as fonones snicos y pticos, segn que la frecuencia
vare desde valores audibles, hasta valores correspondientes a las
frecuencias lumnicas. De todos modos cualesquiera sea su frecuencia, la
vibracin es mecnica y no de carcter electromagntico, vibrando la
estructura cristalina .
La energa

E = h (como partcula cuntica )

El momento p = h / v = h / ,
toda onda que viaja a la velocidad v .

siendo

= v / ,como en

Para una misma frecuencia, - o misma energa-, se observa que el

momento del fonn es muy superior al del fotn, ya que v << c, por lo cual
resulta :
fonn << fotn

y el momento

pfonn >> pfotn.

El concepto de temperatura esta ntimamente ligado a la existencia

de fonones. Su nmero aumenta al aumentar la temperatura.
Al chocar un fonn contra un electrn que forma un enlace le
transfiere no slo energa sino tambin cantidad de movimiento. De esta
forma libera al electrn dejando un hueco .
Si se unen un electrn y un hueco reconstruyendo un enlace, la
energa que se desprende determina nuevos fonones.
Plasmn
El plasmn es la partcula asociada a una vibracin mecnica
colectiva de los electrones o los huecos. La onda de energa mecnica se
propaga en el gas de electrones o de huecos.
O.VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

Su energa esta cuantizada y puede hallarse una frecuencia

asociada a ella.
Para que un plasmn pueda propagarse, es necesario que la
densidad de portadores sea muy grande debido a que la energa pasa de
uno a otro por interaccin entre ellos.
El plasmn es de mayor importancia prctica en los metales donde
23
3
el nmero de portadores es del orden de 10 electrones / cm .
Las frecuencias del plasmn en los metales es del orden de las del
rango lumnico, pero no debe olvidarse que la naturaleza de la vibracin es
mecnica.

Efecto de las impurezas en los slidos amorfos

Mediante el agregado de impurezas es posible alterar
sustancialmente el comportamiento elctrico y/o ptico de un material dado;
de esta forma un polmero supuestamente aislador puede ser convertido en
un conductor o en un semiconductor.
No es objetivo de este curso tratar con profundidad todos los
posibles efectos de las impurezas en todos los materiales, ni detallar todos
los mecanismos fsicos por los cuales se produce la conduccin elctrica en
stos. Veamos los casos que consideramos ms formativos.

Efecto de las impurezas en los polmeros

Como sabemos, los polmeros son materiales aislantes, es decir no
conducen la corriente elctrica, y de hecho, tienen aplicaciones como
aislantes de cables.
A partir del descubrimiento en 1973 que el polmero plilitiancil (SN)
es conductor se ha comenzado una intensa investigacin en polmeros
conductores.
Varias son las formas de convertir el material aislante en conductor.
Una de ellas es similar a como se convierte el silicio que en estado puro a
temperatura ambiente es aislante, en semiconductor, mediante el agregado
de pequeas cantidades de impurezas.
Polmeros conductores.
Una primera posibilidad de convertir el polmero en conductor
consiste en doparlo con tomos o molculas donadoras de electrones.
(dopaje tipo N ).

FISICA ELECTRONICA

22

MODULO VI

En 1977 se descubri que un polmero muy tpico como el

poliacetileno aumentaba tremendamente su conductividad elctrica
mediante el agregado de pequeas cantidades de elementos tales como el
iodo, bromo, litio y pentafloruro de arsnico (AsF).
La figura muestra cmo la conductividad elctrica del poliacetileno
se puede aumentar hasta en ocho rdenes de magnitud.
Otros muchos polmeros conductores han sintetizados desde 1979,
destacndose entre ellos el tetrafloruro de polipirriol y varios poliparafetilenos
dopados con AsF o metales alcalinos.
log
+2

(CH(ASF2)x)n

La
conductividad
elctrica de estos materiales en
funcin de la temperatura se
representa en la figura.

( CHIx)n
(CHBrx)n

-2

-4
-6
5%

molar
15%

10%

Tc = 0,3 K
106

Grafito
+AsF5

10 5

El polmero con mayor

conductividad elctrica que se ha
desarrollado es el SNBr. Su
conductividad se ubica tan slo dos
rdenes de magnitud por debajo del
cobre.

(SNb0,4)x
Fe
(SN)x

104

Si

103
102

n-Ge
{CH(AsF6 )0,1}4
{(PPP) (AsF6)0,4}4

101
100

En el
polmero ste
semiconductor.

KCP
{(PPS)(AsF6)1,45}4
{PPV(AsF5)}4
50

100

150 200

250

300 350

contacto metalacta como un

T ( 0K)

Efecto de las impurezas en los vidrios.

O.VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

El agregado de impurezas a los vidrios altera sus propiedades.

Podemos caracterizar algunas de estas modificaciones:

Propiedades mecnicas: se puede disminuir la temperatura de

reblandecimiento. Los vidrios de cuarzo ( SG ) {silicon glass}
presentan fluidez a temperaturas muy altas.

Los vidrios tipos fosfosilicatos (PSG) conteniendo una proporcin

de fsforo entre el 6 y 8% son excelentes aislantes. stos permiten obtener,
una vez depositados, superficies totalmente planas a temperaturas de
0
0
1000 C a 1100 C. Cuando no es posible alcanzar dichas temperaturas se
emplean los vidrios borofosforosilicatos (BPSG) que adquieren fluidez a
0
800 C. Esta disminucin del punto de fluidez permite el uso de estos ltimos
como recubrimiento de los chips electrnicos al final del proceso.

Propiedades pticas: se pueden modificar las propiedades

pticas de varias formas. Las estudiaremos segn el material
resultante tenga propiedades pticas lineales o no lineales.

Materiales lineales - Guas de ondas

El fenmeno de guiar luz a travs de un camino no necesariamente
recto es conocido hace mas de 100 aos y se realiza a travs de las guas
de ondas. stas pueden ser monodimensionales, fibras pticas o
planares.
La figura presenta el comportamiento de una fibra ptica, en donde
se observa cmo la luz, mediante reflexiones interiores, es guiada en
direccin de la fibra.

Indice de refraccin
1.49
1.48

Indice de refraccin

1.47
.

1.46
.

1.45
60

30

30

60

radio de la fibra ( micrones)

radio de la fibra

En su centro, sta puede

forma cuadrada que impide que la
FISICA ELECTRONICA

24

presentar un perfil de ndice de

luz escape.
MODULO VI

A partir de la ptica Geomtrica recordamos

los rayos de luz que se propaguen por el interior de una fibra, al
incidir sobre una de sus paredes, se reflejarn y/o refractarn segn se
muestra en el recuadro:

n1 > n2

n2 sen 2 = n1 sen 1

por lo tanto:
sen 2 = n1 /n2 sen 1
si n1 > n2

siempre habr refraccin

si n2 > n1
habr refraccin slo para
2 < c , donde c = arc sen n1 /n2

n2
n1 < n2
c

para i > c la luz no puede pasar al

medio 1, reflejndose en su totalidad.

n2
Por lo tanto podemos concluir que dentro de una fibra slo se
propagaran los rayos que incidan con 90 i > c , puesto que los otros, al
cabo de un nmero dado de reflexiones, habrn desaparecido. Esto es
porque en cada reflexin tambin tenemos una refraccin que se lleva parte
de la intensidad del rayo fuera de la fibra.
Por otra parte es fcil ver que si la fibra se curva, se producirn
perdidas por refraccin como se observa en la figura:

como por causa de la curva de radio r :

< ; si = c > c
el rayo se refractar en parte segn la ley de Snell
r

Es fcil ver que cuanto mayor sea r menor ser la prdida por
refraccin en la fibra ptica.
A partir de la ptica Fsica recordamos

O.VON PAMEL

25

S. MARCHISIO

 para que un rayo de luz de longitud de onda pueda propagarse a

travs de una rendija de dimetro D, debe ser: D

D.sen

si el rayo de luz incide segn un ngulo con respecto al eje de la

rendija, ver una rendija de dimetro D = D.sen , por lo tanto ahora slo
se podrn propagar longitudes de onda tales que D.sen .
Si la fibra es suficientemente delgada 1 de dimetro, solo hay una
posibilidad de camino para la luz (colineal con el eje de la fibra) y recibe el
nombre de monomodo. La longitud de onda en este ejemplo es de 1 =
1000 nm, corresponde al infrarrojo cercano. Recordemos que el visible
comprende el intervalo 400 - 800 nm.
Para fibras de mayor dimetro los caminos de transmisin aumentan
y las fibras reciben el nombre de multimodo.

De la ptica cuntica recordemos que:

La luz a lo largo de su trayecto pierde intensidad debido a los

fenmenos de absorcin y dispersin. El parmetro que mide esta perdida
es el decibelio dB o decibelio por km dB/km.
Un dB es definido como: dB = 10 log I/I0, donde Io es la intensidad
que incide en la fibra y I la que sale por el otro extremo.
En cuanto a los materiales, actualmente se comercializan: Slice
(SiO2) y los vidrios tipo fluorizanatos ( floruro de metales pesados ). Estos
ltimos nacen de mezclas tipo ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF.
El corazn de la fibra es obtenido mediante el dopaje con un xido
de boro.
La evolucin de la atenuacin para diferentes vidrios y fibras a lo
8
veces hasta la actualidad, lo cual
largo de la historia ha mejorado 10
permite mandar seales luminosas o informacin en la luz a mas de 100 km
sin necesidad de repetidoras.

FISICA ELECTRONICA

26

MODULO VI

Materiales tales como Al2S3 o GeO2 presentan mnimos de

atenuacin en la regin de 2 5 en donde se colocaran las futuras
ventanas pticas en las comunicaciones.
Fibras planares, son aquellas que guan la luz a lo largo de su
superficie. La figura muestra una representacin esquemtica de este tipo
de fibras.
Su aplicacin esta dirigida
actualmente
hacia
la
ptica
integrada tanto en dispositivos
activos como pasivos.
Los materiales usados en
esta aplicacin son cuarzo, Slice,
LiNbO3 y BSO .

n + n
sustrato

Para guiar la luz a travs de

una pequea capa delgada cerca
de la superficie debe producirse un
pequeo aumento del ndice de
refraccin en esa zona. Esto se consigue bien con implantacin inica (He,
O,etc.) o mediante tratamientos qumicos .
En la actualidad se han empezado a usar en gua de ondas planares
, materiales semiconductores con estructura de pozo cuntico o super red.

Materiales no lineales :
Son aquellos en los cuales la respuesta del slido a la luz presenta
un comportamiento super lineal.
El comportamiento no lineal ms conocido es el efecto de inversin
de poblacin que da lugar a la emisin lser.
Los materiales utilizados como lseres los podemos dividir en
materiales dielctricos o aisladores y semiconductores.
La tabla de la pgina siguiente muestra los lseres sintonizables de
matriz dielctrica, que, como se puede ver, combinan la impureza que emite
la radiacin con la matriz que los contiene.
Con ellos se consigue emisin lser desde el visible hasta
infrarrojo (5 ) .
Es importante comentar el uso de los microlseres.

el

Un microlser es una fibra ptica de dimetro 1-2 (monomodo) que

contiene la impureza que emite la radiacin luminosa.
O.VON PAMEL

27

S. MARCHISIO

Material
Ti:saphire
CO :M gF
CO :KznF
Co:KznF
Co:KM gF
Co:Z n F
NiM gF
NiKM gF
Ni:M gO
Ni:CAM G AR
Ce:YLF
Ce:LaF
SM :CaF
Ho:YAG
Ho:YLF
Ho:BaYF
Alexandrite
Emerald
Emerald
Cr:Z nW O
Cr:Z nW O
Cr:G SAG
Cr:G G G
Cr:LLG G
Cr:YSG G
Cr:YG G
Cr:G SG G
Cr:G SG G
Cr:G SG G
Cr:KZ nF
V:M gF
V:CsCaF
Cr:SrAlF 5

ran g o d e
o p eracio n
660-986
1520-2280
1650-2280
1700-2260

1600-1740

708.5
745

658-720
729-809
980-1090
735-820

742-842
766-820
785-865
1070-1150
1240-1340
1825-1020

FISICA ELECTRONICA

tep eratu ra
d e trab ajo
RT
80K
80K

Estos microlseres pueden

ser puestos en marcha con
pequesimas potencias de bombeo
y, se estiman de gran utilidad en las
comunicaciones pticas.

77K
77K
77K
77K
>80K
80K

<210K
77K
77K
RT
RT

Los materiales empleados

son fibras de slice con iones de
tierras raras y monocristales de
LiNbO3 impurificados con Nd.

RT
77K
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
80K
RT

28

MODULO VI

Mdulo VII

Los cristales en interaccin con el medio

ambiente.

Parte 1: En estado de equilibrio

Objetivos :
Estudiar el comportamiento de los cristales frente al agregado de energa
externa de distinto tipo:
Energa trmica
Energa radiativa
Energa mecnica

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Efectos del agregado de energa exterior al cristal

FISICA ELECTRONICA

MODULO VII

La cesin de energa exterior al material puede ser debida a

diferentes orgenes.
Cualquiera sea la forma en que se la provea, el efecto principal
sobre la estructura del cristal es la rotura de enlaces.
Esto da lugar a la aparicin de tantos pares electrn-hueco como
enlaces rotos (cargas liberadas) sin que afecte la neutralidad elctrica del
cristal en su conjunto.

Interpretacin del incremento de la energa de los huecos y

los electrones segn el modelo de bandas.
Los diagramas de bandas representados en la figura indican energa
de los electrones.
Cuando se incrementa la
energa de un electrn, ste va a
una posicin superior en el
diagrama de bandas.

Energa de los electrones

Ec energa potencial del electrn

energa potencial del hueco

Ec

Cuando decimos que se

incrementa la energa del hueco, lo
que esto significa, es que se
incrementa la energa de los
electrones ligados (de valencia), o
lo que es lo mismo, stos toman
posiciones ms altas en el
diagrama de bandas.

Ev

Energa de los electrones

Energa cintica del
electrn

Entonces, el incremento de
energa de un hueco, se representa
por un hueco que se mueve hacia
abajo en la banda de valencia.

Ev

Es
importante
que
consideremos por ltimo, que el
nivel ms bajo en la banda de
conduccin determina la energa del
electrn de conduccin cuando est
en reposo, es decir, su energa potencial; por lo que Ec es el nivel que
marca la energa potencial del electrn.
En forma anloga, el extremo superior de la banda de valencia Ev
representa la energa potencial de un hueco.

Energa cintica del

hueco

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Si un electrn posee una energa superior al nivel Ec o un hueco

posee una energa inferior al nivel electrnico Ev, stos poseen energas
cinticas determinadas por la diferencia entre sus niveles de energas y el
extremo de la banda respectivo.
Las formas debido a las cuales se les transfiere suficiente energa
desde el exterior a los electrones para que se liberen de sus enlaces, e
incluso adquieran energa cintica son variadas.
Sin embargo, hay dos efectos de gran inters.
Ellos son:

La cesin de energa trmica, que se manifiesta en el material con

una modificacin de su estado trmico.

La cesin de energa luminosa, -de diferentes longitudes de onda-,

o efecto producido por radiacin electromagntica.

Nota :

Estudiar los efectos trmicos significa estudiar cmo se comporta el

material a una temperatura dada.
No debe confundirse esta idea con el flujo de energa, -llamado
calor-, el cual, entregado o cedido por lo que genricamente podemos
llamar sistema, y fuera de los llamados puntos correspondientes a los
cambios de estado (slido, lquido, gas), hace que la temperatura del
sistema vare.
En los slidos, la temperatura es una medida de la energa interna
del material. Cuando hablamos de la temperatura en un cristal, sta es la
energa de vibracin de los tomos alrededor de sus posiciones de
equilibrio.
Los mecanismos por los
pueden ser de distinta ndole:

cuales se suministra energa al slido

Radiacin
Conduccin
Conveccin
Calentamiento Joule
Calentamiento por prdidas dielctricas a alta frecuencia.
Etc.
Nota :

Cuando hablamos de estudiar los efectos de la radiacin

electromagntica sobre el material, haremos una abstraccin terica,
FISICA ELECTRONICA

MODULO VII

suponiendo que estamos en una situacin en la cual sta no es capaz de

modificar la temperatura del material. De no ser as, estaramos en
presencia del caso anterior.

Efectos trmicos sobre el cristal.

Podemos suponer un cristal a temperaturas muy bajas, prximas al

0 K.
Sabemos
por
Termodinmica, que en estas
condiciones, la energa promedio
de los tomos de la red es mnima.

Energa de los electrones

Los electrones tienden a

ocupar, de todos los estados
disponibles, aqullos que tienen
mnima energa sin violar el
principio de exclusin de Pauli. As
es como los electrones irn
tomando
aquel
estado
que
corresponda a la menor energa de
los que estn disponibles.

Ei

A 0 K estarn ocupados
todos los niveles energticos permitidos hasta el nivel E1, quedando vacos
todos los estados permitidos por encima de ste.
A temperatura ambiente, la energa promedio de los tomos de la
red aumenta.
Energa

stos vibran alrededor de

sus posiciones de equilibrio. Lo
mismo ocurre con los electrones de
los enlaces en equilibrio trmico con
el cristal.

Estados
Estados
parcialmente
ocupados
1,3 eV a 300 0K

Ei

En este caso, la ocupacin

de los estados electrnicos no se
efecta en forma tan ordenada
como la vista anteriormente,
existiendo niveles energticos por
que pueden
encima de E1,
permanecer
por
momentos
ocupados.

Estados
ocupados
T0
T>0
conductor

Es til considerar la temperatura como un agente externo que

introduce una incertidumbre en la energa de cada electrn.
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Sin embargo ningn electrn puede violar el principio de exclusin

de Pauli y el incremento o disminucin de energa puede ocurrir slo si el
estado que el electrn asume se halla originalmente vaco.
Esto determina que haya una franja de niveles de energa (para
0
T>0 K) que parte del tiempo estn ocupados y parte vacos.
Se puede hallar en promedio el ancho de esta franja de energas
0
para cada temperatura, encontrndose que a T = 300 K, su valor es 1,3eV.
En un semiconductor, -en el
que Eg es en algunos casos
bastante menor al electrn voltio-,
una variacin de la energa de
1,3eV
genera en la banda de
0
conduccin, -vaca a 0 K-, un cierto
nmero de portadores.

Energa

Ei

En cambio en caso de un
aislante, -con Eg 2 eV-, el efecto
energtico de la temperatura no es
suficiente para generar portadores
en la banda de conduccin.

AsGa

Si

Ge

En
el
caso
de
los
conductores, el efecto de la
temperatura los hace que los electrones puedan trasladarse a niveles ms
0
altos de energa, que estaban vacos a 0 K.
En algunos casos puede incluso lograrse extraer electrones del
metal.

Efecto termoinico
Emisin de electrones en los metales por efecto trmico
Para liberar un electrn de un cuerpo, es decir, para que el electrn
sea emitido por la superficie, ste debe tener:
una cantidad de energa suficiente para vencer las fuerzas
superficiales que lo ligan al cuerpo.
una velocidad dirigida hacia el exterior.
La agitacin trmica da a los electrones movimientos de vibracin
aleatorios.
Para la emisin es necesario considerar slo aquellos electrones de
alta energa cuyas velocidades tengan componente normal a la superficie
FISICA ELECTRONICA

MODULO VII

dirigidas hacia el exterior; de ah, que slo haya algunos electrones en esas
condiciones.
La cantidad de energa que un electrn debe poseer para que
escape de la superficie es Eb.

Energa
vaco

metal

energa de un
electrn en
reposo en el
vaco E0v

vaco

W
Eb = E0v E0m
E1
x
energa de un electrn en
reposo en el metal E0m

sta depende
del material y del
estado de la superficie.

La
energa
suplementaria
por
sobre la ms alta a
0
0 K, (E1 en la figura),
que hay que proveer
para la emisin, es la
llamada trabajo de
extraccin o funcin
trabajo del material
W. Normalmente se

expresa:
W = Eb E1
siendo

Eb : energa barrera
E1 : energa ms alta de

los electrones a 0 K.

La corriente de emisin para una dada superficie unidad, a una

determinada temperatura, puede expresarse segn la ecuacin:
I = Ao S T e
2

donde suele llamarse b0 =

eW

/k

eW

/kT

e : carga del electrn

S : rea de la superficie emisora
T: temperatura absoluta
k : constante de Boltzmann
W: funcin trabajo
h : constante de Planck

4mek
siendo A0 = -------------3
h
2

Esta ecuacin es la llamada de Dusman-Richardson.

Con ella puede predecirse la corriente de emisin de todo metal de
propiedades conocidas a la temperatura T.
sta sirve para proyectar dispositivos de emisin termoelectrnica e
indica tambin el lmite de corriente impuesto en su funcionamiento.
La tabla siguiente muestra los valores de las constantes de emisin
para distintos materiales.
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Valores de las constantes de emisin para algunos metales

Material
Carbono
Cesio
Molibdeno
Nquel
Platino
Tantalio
Torio
Tungsteno

A0 x104
amp/m2/grado2
60,2
16,2
60,2
26,8
32,0
60,2
60,2
60,2

b0
54500
21000
49900
32100
61700
47600
39400
52400

Ew Punto de fusin 0K
eV
4,70
..............
1,81
301
4,30
2895
5,00
1725
5,32
2047
4,10
3123
3,40
2118
4,52
3655

Debido a la dependencia entre la temperatura y la corriente

emisin, las vlvulas electrnicas deben funcionar en un margen
temperaturas relativamente limitado, correspondiendo el lmite inferior
temperaturas a la temperatura que da emisin suficiente y el superior
determinado por la temperatura de fusin del material.

de
de
de
es

En la figura se observa la
variacin de la densidad de emisin
en funcin de la temperatura para el
tungsteno en su margen normal de
trabajo.

Emisin ( A/ cm2 )
2,0

1,5

De todo lo anterior podemos

deducir que las condiciones que
deben
reunir
los
materiales
adecuados para funcionar como
emisores electrnicos son:

1,0

conductores
trabajo

0,5

2500

2600

baja

funcin

estabilidad mecnica a altas

temperaturas.

0
2400

de

2700

Temperatura K

Los materiales de empleo

ms frecuente en la construccin de
ctodos o emisores de vlvulas
electrnicas se especifican en la tabla siguiente. En ella aparecen slo los
datos ms relevantes.

FISICA ELECTRONICA

MODULO VII

Caractersticas de los materiales para ctodos usuales

Material

Tungsteno
Tungsteno toriado
Revestidos de oxidos

A0 x 104

Ew
eV

60,20 52400
3,00 30500
0,01 11600

Concentracin
de
semiconductores

b0

4,52
2,60
1,00

Rendimiento de
emisin
mA/Vatio
4 a
20
50 a 100
100 a 10000

electrones

Temperatura de trabajo
0
K
2500 a 2600
1900 a 2000
1000 a 1200

huecos

en

Semiconductores intrnsecos

Segn hemos visto, se denominan semiconductores intrnsecos a

los semiconductores totalmente puros.
En stos, por cada electrn excitado que pasa a la banda de
conduccin queda un hueco en la banda de valencia. Dicho de otra forma, la
concentracin n de electrones es igual a la concentracin de huecos p .
Llamamos a sta concentracin intrnseca del semiconductor ni,
pudiendo expresarse que:
p = n = ni.

1019
1018
1017
1016
1015
1014
1013
1012
1011
1010
109
108

O. VON PAMEL

portadores /cm3
para el Silicio
a 0K
entre :
T=100 0C
y 0 0C
n
1000

1200
900
700
600
500
450
400
350
320
290
265
250

De acuerdo a lo ya
analizado,
la
concentracin
intrnseca es una funcin de la
energa vibracional de la red o
temperatura.
Por otro lado, ni es
funcin de la energa requerida
para romper un enlace, es decir,
de Eg.
Ambas
dependencias
fueron corroboradas en forma
experimental
para
distintos
semiconductores, concluyndose
S. MARCHISIO

que:
Para un dado semiconductor, ni aumenta rpidamente
con el aumento de la temperatura.
Para una dada temperatura ni disminuye bruscamente
con el aumento de Eg.
Mediante un anlisis minucioso podemos hallar la expresin
cuantitativa entre ambas dependencias.
ni e Ea

sta es:

/ kT

donde Ea la energa de activacin aproximadamente igual a

Eg

/2

Podemos observar en la figura siguiente cmo se hacen manifiestas

estas dependencias.
Si quisiramos dar
forma
numrica
a
la
proporcionalidad
que
expresamos sera necesario
recurrir
a la funcin de
distribucin de Fermi Dirac, (ver Anexo)-, con lo que se
puede deducir:

ni (cm -3 )
10 18
10 17
10 16
10 15
GaAs

Si

Ge

ni = 2 ( 2 m k T / h )
2

10 14
Eg = 1,4 eV

1,1

0,7

10
10

11

donde :

10 10

0,5

para Eg >> kT

10 13
12

3/2

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0 3,5
1000 / T(0 K)

m masa del electrn

h
la constante de
Plank
k
la constante de
Boltzman

Nota :
-5

Debido a que kT a temperatura ambiente es de 8,6. 10 eV, (kT<<

Eg ), la dependencia de ni con la temperatura proviene del trmino
exponencial.
Esta concentracin es el resultado del equilibrio dinmico entre
pares de electrn y hueco que se crean incesantemente y otros tantos
que se recombinan.
FISICA ELECTRONICA

10

MODULO VII

Semiconductores extrnsecos
Tipo n
Segn vimos en los semiconductores extrnsecos tipo n, los
donantes suministran niveles de energa que estn representados como
niveles localizados en la banda prohibida.
La diferencia de energa entre Eg y Ed corresponde a la energa de
ionizacin del electrn adicional del donante, el cual, al ganar esta energa,
pasa a la banda de conduccin.
Esto ocurre para los donantes a temperaturas ms bajas que en el
caso del semiconductor intrnseco.
0

Aproximadamente a 50 K prcticamente todos los tomos de

impurezas estn ionizados con lo que se alcanza lo que se llama ionizacin
completa.
Podemos afirmar que dada esta condicin, la concentracin de
electrones n = Nd donde Nd es la concentracin de impurezas donantes del
cristal.
A partir de la temperatura para la cual se produce la ionizacin
completa, Nd es independiente de ella.
Podemos ver en la figura la dependencia con la temperatura de la
concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco tipo n.
n ( c m -3 )

Segn la figura
vemos que a bajas
temperaturas, (regin
1), la concentracin de
electrones n proviene
de
las
impurezas
donantes.

S i lic io ti p o N

3 .1 0 16

2 .1 0 16
n
1 .1 0 16
ni
0
0

100

200 300

400 500 600

T (0K )

700

La posicin de
la curva depende de la
concentracin
de
donantes,
y
su

pendiente, de la energa de ionizacin Ed.

Una vez ionizados todos los donantes se considera la regin 2,
donde la concentracin de portadores no cambia bsicamente.
Finalmente a temperaturas ms elevadas (regin 3) se produce la
excitacin a travs de la banda prohibida.
La pendiente en esta regin es igual a la de los semiconductores
intrnsecos, o sea: Eg / 2k .
O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

La temperatura a la cual la cantidad n = Nd recibe el nombre de

temperatura intrnseca. sta marca el lmite en el cual se pierden las
caractersticas extrnsecas del material.
La siguiente grfica permite comparar la evolucin de n con la
temperatura para distintos semiconductores extrnsecos.
n (cm-3)
3.10

Silicio y Germanio tipos N

16

2.1016
n

Si

1.1016
Ge

ni

En
ella
se
observan
las
concentraciones
de
portadores
con
la
temperatura
del
Si
dopado con arsnico
16
3
(1,15 e tomos/cm ) y
del Ge dopado con
15
arsnico
(
7,5.e
3
atomos/cm ).

0
0

100 200 300 400 500 600 700

T(0K)

Tipo p.

Si analizamos lo que ocurre en el caso en que los tomos de

impurezas son aceptantes, las condiciones son similares.
Vimos ya que el semiconductor tipo p tiene niveles de impurezas
aceptantes dentro de la banda prohibida cerca de la banda de valencia y la
magnitud de la energa de ionizacin de los huecos es del mismo orden que
la de los donantes.
Si revemos el diagrama de la figura anterior, la concentracin de
huecos a temperaturas bajas ser la que corresponde a las impurezas
aceptantes, por lo que: p = Na
A temperaturas intermedias (regin 2), la concentracin de
impurezas se hace independiente de la temperatura, puesto que estamos en
zona de ionizacin completa.
A temperaturas ms altas (regin 3), la concentracin de portadores,
respecto a la temperatura, coincide con la del semiconductor intrnseco.
En general tanto impurezas donantes como aceptantes estn
presentes simultneamente, por lo que la concentracin de los
correspondientes portadores mayoritarios va a estar dadas por:
n = Nd Na si
FISICA ELECTRONICA

12

Nd > Na
MODULO VII

p = Na Nd

si

Na > Nd

Por ltimo puede adelantarse que la concentracin de portadores y

su variacin con la temperatura resultan elementos de suma importancia en
el anlisis de la conductividad de un dado material.
Veremos esa dependencia en detalle en el estudio del movimiento
de portadores. ( Fenmeno de conduccin)

Ocupacin de los estados electrnicos

En los captulos previos hemos visto que los electrones pueden
tener distintos niveles de energa.
Para cada nivel de energa existe un nmero de estados cunticos
que pueden ser llenados por electrones. Estos estados cunticos pueden
estar ocupados o no.
Vamos a analizar ahora qu es lo que determina la probabilidad que
un estado energtico dado est ocupado o no por un electrn.
Dado que las partculas con las que tratamos son de origen
cuntico, no se puede describir el fenmeno mediante el empleo de una
estadstica clsica como es la de Maxwell-Boltzman. (Ver Anexo)
En estos casos debemos emplear las estadsticas cunticas
desarrolladas para describirlas.
stas son las de Bose-Einstein, que se emplea para describir
partculas de spin entero, y la de Fermi-Dirac que se emplea para el caso
de las partculas que poseen spin semientero.
Como nos interesa estudiar la probabilidad de ocupacin de estados
por electrones (spin ) aplicaremos los resultados de la estadstica de
Fermi-Dirac.

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.

La distribucin de energas de los electrones en un slido est

determinado por las leyes de la estadstica de Fermi-Dirac.
Su principal resultado nos da la probabilidad de que un estado
electrnico de energa E est ocupado por un electrn, siendo:

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

1
f ( E ) = -----------------------

1 + e ( E Ef ) / k T

E : nivel de energa
considerado
k : constante de Boltzman
T : temperatura absoluta
Ef : Nivel de Fermi

Para nuestro propsito es importante notar que el nivel de Fermi es

la energa a la cual la probabilidad de ocupacin de un estado
energtico por un electrn es exactamente igual a para cualquier
temperatura, segn se desprende de la funcin de distribucin f ( E ) .
sta se representa en la figura para el caso de un semiconductor
intrnseco.
En la parte izquierda de la misma mostramos la probabilidad de
ocupacin de estados de los
electrones como una funcin de la
E
energa de los estados.

Ec
Ef

Ev

En la banda de conduccin
hay gran nmero de estados. Sin
embargo,
la
probabilidad
de
ocupacin de estados por los
electrones es pequea, por esto
habr muy pocos electrones en la
banda de conduccin

f(E)

Por otro lado hay tambin gran nmero de estados en la banda de

valencia. Muchos de ellos estn ocupados por electrones, por lo que la
probabilidad de ocupacin de estados es aproximadamente la unidad.
Vemos adems (a la derecha de la figura) que habr muy pocos
estados electrnicos no ocupados, es decir pocos huecos en la banda de
valencia.
La funcin de distribucin de Fermi-Dirac es simtrica alrededor del
nivel de Fermi Ef .
De esta forma si el nmero de estados energticos en la banda de
valencia y conduccin es el mismo, y si el nmero de electrones en la banda
de valencia es el mismo tambin, el nivel de Fermi debe estar localizado en
el medio de la banda denominada prohibida. En realidad la ubicacin es algo
por debajo del medio debido a que el hueco tiene una masa mayor que el
electrn de conduccin.
Esto es lo que ocurre en un semiconductor intrnseco.
Generalmente en el caso de un intrnseco nos referimos al nivel de
Fermi como nivel de Fermi intrnseco simbolizndolo como Ei.
FISICA ELECTRONICA

14

MODULO VII

En un semiconductor tipo n,
la concentracin de electrones en la
banda de conduccin es mayor que
en el caso del intrnseco.

Ef

Sin embargo, ya que la

densidad de estados de energa en la
banda de conduccin es la misma
que en el caso de intrnseco,
podemos deducir que en un
semiconductor tipo n, el nivel de
Fermi, y con l, la funcin de
distribucin de Fermi-Dirac completa,
estar corrida hacia arriba en el
dibujo de bandas de energa.

f(E)

Por otro lado en un

semiconductor tipo p tanto el nivel
de Fermi como la funcin de
distribucin se vern corridos hacia
abajo.

Ef

Para energas del orden de

algunos kT por encima del nivel de
Fermi (Ef ) , (por ejemplo : Ef + 3kT),
la distribucin de Fermi-Dirac puede aproximarse mediante la simple frmula
:

1 f(E)

f (E)= e(E

Ef )/ kT

para E > Ef .

Si contemplamos el caso de energas algunos kT por debajo del

nivel de Fermi , podemos aproximar f (E) por :
f (E)= 1 e(

Ef E ) / kT

para E < Ef .

Nota 1.

Estas expresiones aproximadas podran haberse deducido a partir

del empleo de la estadstica de Boltzman.
Por lo que podemos afirmar que la estadstica de Boltzman provee
una buena aproximacin de la de Fermi -Dirac para energas de algunos kT
alejados de Ef .
!

Nota 2

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

Si Nc es la densidad de estados efectivos en el borde inferior de la

banda de conduccin, el nmero de electrones que ocupa esos estados a
una temperatura T se puede calcular como
Ec

N ( Ec ) = Nc f (E) E
0

Nota 3

De la misma forma que f (E) indica la probabilidad de que un estado

cuntico est ocupado por un electrn, podemos analizar 1 f (E) que
representara la probabilidad que un estado cuntico no este ocupado por un
electrn.
Esto, en la banda de valencia, significa que un estado cuntico est
ocupado por un hueco.
En forma matemtica se puede expresar esta probabilidad como:
1
1 f (E) = ---------------------( Ef E ) / kT
1+e
Esta situacin queda claramente evidenciada en la figura donde se
ha superpuesto, esquemticamente, la funcin f sobre los niveles que
constituyen los lmites de las bandas de conduccin, prohibida y de
valencia.

can tidad de
electron es
libres

Ec
can tidad de
h uecos

Ef
can tidad de
electron es
ligados

Ev

Comparando las funciones f (E)

y
1 f (E) se llega a la
conclusin de que ambas pueden expresarse por una sola curva, como se
hizo en la figura anterior.
Por ello en un semiconductor intrnseco, -con igual nmero de
electrones libres que de huecos-, el nivel de Fermi debe encontrase situado
muy prximo al medio del salto de energa.
FISICA ELECTRONICA

16

MODULO VII

Nota 4

La energa de Fermi (Ef ) puede ser considerada como el

equivalente al centro de masa energtico entre los electrones y los huecos.
As bastar poder describir el movimiento de uno de ellos para obtener
automticamente el del otro.

Variacin de la posicin energtica del nivel de Fermi con la

temperatura

En los semiconductores extrnsecos hemos visto que:

A bajas temperaturas el nivel de Fermi se encuentra situado entre
los niveles de impurezas y la respectiva banda. (De conduccin para los N y
de valencia para los P) .
Recordemos adems que para temperaturas mayores que la
temperatura del semiconductor que denominamos intrnseco, bsicamente
desaparecen las diferencias entre materiales extrnsecos e intrnsecos,
comportndose todos como si fueran intrnsecos.
Por lo tanto a altas temperaturas el nivel de Fermi del extrnseco
debiera ser el mismo que el del intrnseco. Por lo que podemos concluir que:
A medida que aumente la temperatura, el nivel de Fermi del
extrnseco se mover desde su posicin inicial hasta alcanzar el nivel
correspondiente al intrnseco.
E
Ec
EF
Ei

En
la
figura
se
esquematiza esta variacin
para un material N, en la que
por simplicidad se ha omitido la
disminucin que sufre Eg con
el aumento de la temperatura

En la figura se grafica cmo varia el nivel de Fermi para materiales

N y P con la temperatura para distintas concentraciones de impurezas.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

N i = 1 0 12

E F - E i (e V )
0 ,6
0 ,6
0 ,4
0 ,2
0
-0 ,2
-0 ,4
-0 ,6

N i = 1 0 16

N i = 1 0 18
Ec

N
Ei
P
Ev

150

300

450

600

T (0K )

NOTA : convencin de dibujo para las grficas

De ahora en ms, cuando se dibujan niveles de Fermi y niveles de
impureza, a menos que se indique explcitamente lo contrario, la posicin
relativa de stos ser la correspondiente a bajas temperaturas.

Semiconductores en equilibrio con el medio ambiente

Concentracin de electrones y de huecos.

Sobre la base de la Mecnica Cuntica se puede determinar el

nmero de estados energticos de las bandas de valencia y de conduccin
por centmetro cbico Nv y Nc respectivamente.
A stos se los llama densidad efectiva de estados en las bandas de
3/2
valencia y conduccin y ambos son proporcionales a T .
Los valores para el Ge, Si, AsGa, y SiO2 se pueden observar en la
siguiente tabla.

FISICA ELECTRONICA

18

MODULO VII

peso atmico o
molecular
tomos/cm 3 o
moleculas/cm 3
estructura del
cristal

Ge
72,60

Si
28,09

AsGa
114,63

SiO2
60,08

4,42 x 1022

5 x 1022

2,21 x1022

2,3 x1022

Diamantina
8 tomos por
celda unitaria

Diamantina
8 tomos por
celda unitaria

Zinc-Blenda
8 tomos por
celda unitaria

Red aleatoria
tetragonal de
SiO4
50% coovalente
50% inica

cte. de la red
cristalina (A0)
densidad
(g/cm3)
salto de
energa (E g)
(eV)

5,56

5,44

5,65

------------

5,32

2,33

5,32

2,27

1,67

1,11

1,40

1,44 x 1019

2,08 x 1019

7 x 1018

------------

6 x 1018

1,04 x 1017

4,7 x 1017

--------------

densidad efectiva
de estados

banda de
cond. Nc ( cm 3
)
banda de val.
Nv ( cm -3 )

Por otro lado vimos que se puede evaluar la probabilidad de

ocupacin de estos estados cunticos por electrones a partir de la funcin
de distribucin f(E).
Con estos elementos podemos calcular las concentraciones de
electrones y huecos dentro del semiconductor.
representar la concentracin de
El producto Nc..f (E)E=Ec
electrones n en la banda de conduccin.
Por lo que:

n = Nc e

( Ec Ef ) / kT

Anlogamente se puede evaluar la concentracin de huecos p en la

banda de valencia, siendo:
p = Nv e

( Ef Ev ) / kT

Estas ecuaciones, en concordancia con lo expresado en la seccin

previa, muestran que:
cuando el nivel de Fermi se encuentra prximo al borde de la
banda de conduccin Ec, la concentracin de electrones aumenta y decrece
la de huecos.
Cuando Ef esta prximo al borde de la banda de valencia Ev , la
concentracin de electrones decrece y la de huecos aumenta.
O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

A partir de estas mismas ecuaciones pueden obtenerse las

concentraciones de electrones y huecos en funcin de la concentracin
intrnseca, y el nivel de Fermi intrnseco, siendo:
n = ni e

( Ef Ei ) / kT

p = ni e
donde :

( Ei Ef ) / kT

Ei = ( Ec + Ev ) + kT ln (

Nv

/ Nc )

El nivel de Fermi intrnseco est de esta forma ubicado en las

proximidades de la mitad de la banda prohibida, desplazada solamente por
un trmino que es normalmente de pequeo valor.
Debido a esto, para muchos propsitos, vamos a aproximar
considerando que el nivel de Fermi intrnseco esta en el medio o en la mitad
de la banda prohibida.

Condicin de equilibrio trmico.

A partir de las expresiones que nos dan las concentraciones de

electrones y huecos se hace evidente que su producto es independiente del
nivel de Fermi.
Concluimos entonces que el producto n.p es independiente del tipo
de semiconductor, as como de la concentracin de huecos y electrones
individualmente.
p.n = ni = Nc Nv e
2

Eg / kT

En el equilibrio trmico, la generacin y recombinacin de

2
pares electrn hueco se hallan balanceados y el producto n.p = ni se
mantiene constante aun cuando los portadores no sean los mismos en
dos instantes diferentes.
De esa forma podemos emplear la constancia del producto n.p
como un criterio de equilibrio en semiconductores.
Se puede corroborar, de la observacin de la ecuacin de equilibrio,
la dependencia exponencial de la concentracin de portadores del intrnseco
con la temperatura, tal cual lo habamos visto como un resultado
experimental.
Es importante notar sin embargo, que la real dependencia con la
temperatura es algo ms fuerte debido a que Nc y Nv varan como vimos con
3/2
T .

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO VII

Efectos radiativos sobre el cristal

Rotura de enlaces por radiacin electromagntica.

Para entender el comportamiento de los electrones en la estructura

de la materia frente a la incidencia de radiacin electromagntica, es
necesario considerar la luz (visible o no) como paquetes cuantizados de
energa.
Estos fotones poseen, como hemos visto, una energa:
c

Efoton = h = h / .
La absorcin de la luz puede interpretarse ahora como un proceso
de colisin
Al incidir la luz sobre un slido, los fotones chocan con los
electrones de los enlaces y son absorbidos por stos.
Sin embargo, como la energa se conserva durante el proceso, la
energa inicial del electrn de enlace (Ei ) sumada a la energa del fotn
incidente, debe ser igual a la energa final del electrn.
Esta condicin puede sintetizarse como:

Efinal = Einicial + h / .

Sin embargo no todas las transiciones electrnicas son posibles,

puesto que las energas Ei y Ef deben ser compatibles con el espectro
electrnico y el principio de exclusin.
Por lo tanto:
Ei debe ser la energa de un estado en una banda permitida
y ocupada inicialmente por un electrn.
Ef debe ser la energa de un estado en una banda permitida
e inicialmente vaco.

estados
vacos

Ef

El proceso de absorcin de
radiacin electromagntica se ilustra
en la figura para un semiconductor
0
puro a 0 K.

Podemos considerar este

proceso desde un ngulo un poco
distinto.

hc/
E Fermi
estados Ei
ocupados

O. VON PAMEL

fotn

Para que la radiacin de

longitud de onda pueda ser
absorbida por un determinado slido
21

S. MARCHISIO

es necesario que haya:

un estado Ef permitido y vaco , y
un estado Ei permitido y ocupado , y que
la diferencia Ef - Ei sea igual a la energa del fotn incidente.
Si analizamos en especial que ocurre para los distintos diagramas
de bandas ya vistos, podemos concluir que :
0

estados vacios a 0 K

Eg1
Ef

Ef
Eg2

hc /

Ei

en el caso de los
metales , cualquiera sea el
valor de siempre podemos
encontrar Ei y Ef que
satisfacen
la
condicin
necesaria.

En el caso de los
semiconductores y aislantes,
Eg1 > Eg2 > hc /
para valores de la longitud de
0
estados ocupados a 0 K
onda tales que la energa del
fotn es menor que el ancho
de la banda prohibida Eg , la condicin requerida no puede ser satisfecha.
Una determinada radiacin podr ser absorbida en el semiconductor
c
o en el aislante si: h / Eg .

Respuesta espectral
El valor c correspondiente al signo igual de la frmula anterior
determina la longitud de onda de corte o umbral de longitud de onda larga:
c = h / Eg =
c

1,24

/ Eg ( eV) ( m )

Que obviamente depender de cada material.

En el Ge

Eg = 0,67 eV

c = 1,73 m

En el

Si

Eg = 1,1 eV

c = 1,13 m

En el

AsGa

Eg = 1,3 eV

c = 0,903 m

En el

PGa

Eg = 1,8 eV

c = 0,700 m

Las curvas de sensibilidad espectral para el Si y el Ge se dibujan en

la figura siguiente:

FISICA ELECTRONICA

22

MODULO VII

respuesta relativa (%)

100
visible

Estas curvas de
sensibilidad son de
forma similar a las de
los metales.

infrarrojo

75

Obsrvese que
el lmite de longitud de
onda
larga
es
ligeramente superior a
25
los valores de c
calculados debido a las
0
de
0.5
0.9 1.13
1.7 (m) excitaciones
impurezas.
Conforme
la longitud de onda disminuye ( < c , o , f > fc ), aumenta la respuesta y
alcanza el mximo.

50

Un aspecto interesante que hace a la radiacin electromagntica

sobre los conductores es la fotoemisin.

Fotoemisin en conductores.

Debemos considerar a este

efecto en forma similar al visto como
emisin termoinica , ya que en
ambos casos se logra liberar
electrones mediante el agregado de
energa exterior. (excitacin)

metal
K
X

En este caso debemos tener

presente lo ya visto en el efecto
fotoelctrico.

Si el cuanto de energa transportado es igual o mayor que la funcin

trabajo de una superficie, entonces el fotn puede incidir sobre un tomo de
dicha superficie y producir la emisin de un electrn.
El fotn es absorbido si su energa era mayor que la funcin trabajo.
El exceso de energa aparece en forma de energa cintica del electrn
emitido.
2

Esto puede sintetizarse como: h = e W + m v

Esta ecuacin dice que la energa del fotn incidente se transfiere al

electrn en dos formas, una, ew, para vencer la funcin de trabajo y otra,
como energa cintica que adquiere el electrn despus de la emisin.

O. VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

Cada fotn no produce la emisin de un electrn, sino que muchos

fotones son reflejados por la superficie.
Como eW tiene un valor determinado para cada superficie, se
deduce que hay un valor mnimo de energa del fotn.
O sea, una frecuencia limite 0 (umbral de frecuencia fotoelctrica),
por debajo dela cual no hay emisin.
As : 0 =
/h y para radiacin excitadora de esta frecuencia la
corriente de emisin se hace cero.
eW

construccin de un tubo
fotoelectrnico tpico

Esto proporciona un mtodo

de medida de las funciones trabajo
de diversos materiales, midiendo el
umbral
de
frecuencia
fotoelectrnica.
Se pueden obtener valores
concordantes con los termoinicos
en superficies muy limpias.

Luz

Las sustancias de baja funcin

trabajo son las mejores para
ctodos fotoelectrnicos:
As, el cesio, el potasio, el rubidio,
el sodio, el litio, combinados con
capas de oxgeno o hidrgeno,
permiten elegir las frecuencias de
trabajo, o las longitudes de onda, a

Ctodo
Anodo
lo largo de todo el espectro visible.

Concentracin adicional de electrones y huecos en un semiconductor

por excitacin luminosa.

El anlisis de la variacin de la concentracin de portadores en este

caso puede sintetizarse a partir de la figura.
En ella se muestra el diagrama de energas de un semiconductor
con impurezas aceptantes y donantes.
Si esta muestra se ilumina con fotones de suficiente energa, son
posibles las transiciones siguientes:

FISICA ELECTRONICA

24

MODULO VII


Puede crearse un par electrn-hueco por un fotn de alta energa lo
que se denomina excitacin intrnseca

Un fotn puede excitar un

electrn donante a la banda de
banda de conduccion
conduccin.
nivel donante

ED

EA

nivel aceptante

banda de valencia

Un fotn puede excitar un

electrn de valencia a un estado
aceptante.
Las dos ltimas transiciones
se denominan transiciones de
impurezas.
El
aumento
en
la
concentracin de portadores es
debido principalmente a la excitacin
extrnseca.

Nota :
Obsrvese que estos casos
en menor medida tambin son
posibles:

b a n d a d e c o n du c c i on

Ed

En la figura se agreg un
nivel de impurezas en el centro de
la banda Ei.

Ei

Observe
que
las
transiciones que comienzan en Ea
suponen que este estado este
ocupado y Ed y Ei vacos.

Ea

Suposicin
anloga
transicin Ei, Ed

ba nd a d e v a l e n c i a

para

la

Las transiciones que comienzan en la banda de valencia y terminan

en Ei y Ed suponen que estos estn vacos.

Nota

En todos los casos analizados se debe cumplir que las reglas de

seleccin cunticas permitan las transiciones entre estos estados. ( Las

O. VON PAMEL

25

S. MARCHISIO

condiciones anteriores son necesarias y con esta ultima se convierten en

suficientes)
!

Nota

Observe que lo dicho para semiconductores es extrapolable a

aislantes si uno toma las precauciones del caso (inexistencia de estados
aceptantes, y Eg mayor)
!

Nota :

A las transiciones intrnsecas tambin se las denominan efecto

termoinico interno o efecto fotoinico interno. Segn el origen de la
transicin sea trmico o lumnico.
!

Nota :
Comparemos los distintos efectos:

Fenomenos termicos Fenomenos radiativos

efecto
termoionico
fotoelectrico
produce
emision de electrones emision de electrones
se produce por absorcion de energia absorcion de fotones
interna
se produce a altas temperaturas del temperatura ambiente
material
efecto
fotoelectrico interno fotoelectrico interno
semiconductores
transiciones
produce
transiciones
electronicas banda a electronicas banda a
banda
banda
se produce por absorcion de energia absorcion de fotones
interna
de energia mayor a
Eg
se produce a
temperaturas
temperatura ambiente
mayores que Eg
efecto
fotoelectrico interno
aislantes
produce
transiciones
electronicas banda a
banda
se produce por
absorcion de fotones
de energia mayor a
Eg
conductores

FISICA ELECTRONICA

26

MODULO VII

que una
fuerza de tipo mecnica aplicada sobre un
EfectosRecordemos
de las fuerzas
mecnicas
material produce en ste una deformacin.

En el rango elstico del material la deformacin de ste (en el

sentido de la fuerza) es proporcional a la fuerza aplicada:
F = k . x
donde : x es la deformacin que sufre el material
Por lo tanto en lo que sigue hablar de fuerzas o de deformaciones
ser equivalente

Piezoelectricidad
El efecto piezoelctrico fue observado por primera vez por Pierre
Jacques Cune, quien al aplicar un peso (deformacin) a un cristal de
cuarzo detect una carga elctrica proporcional en su superficie.
Es decir en sus caras surgen cargas elctricas distintas. Al invertir la
deformacin se invierte el signo de las cargas.
Un ao despus se demostr el fenmeno contrario: al aplicar una
tensin elctrica al cristal se obtiene un desplazamiento (deformacin)
proporcional a sta.
Adems : al invertir la polaridad de la tensin aplicada se
cambia el sentido del desplazamiento de sta.

O. VON PAMEL

27

S. MARCHISIO

No toda la materia presenta el

fenmeno de piezoelectricidad, slo los
cristales que poseen simetra atmica
presentan esta propiedad, pues son
susceptibles de sufrir un desequilibrio
elctrico.

El efecto piezoelctrico se
produce a lo largo de los ejes elctricos
del cristal X1 , X2 , X3, perpendiculares a
su eje ptico.

Z
X3
X1

El efecto piezoelctrico se
observa en cristales de: cuarzo,
turmalita, sal de Rochelle, titanato de

X2

bario, blenda de zinc, entre otros.

Explicacin cuntica
Cuando deformamos un material, variamos las distancias
interatmicas (las reducimos con una compresin y las aumentamos con un
estiramiento).
El efecto piezoelctrico se produce en dielctricos (aisladores), en
estos una deformacin traer aparejada una variacin de las bandas
energticas como se observa en la figura:

Ec
EF
Ev

Si se deforma el
material en toda su
extensin
en
forma
homognea,
solo
se
producir una variacin de
Eg.
Pero
si
la
deformacin
no
es
homognea o si se realiza
en solo una parte del
material, aparecer entre
distintos
puntos
del
material una variacin de
las energas EC y Ev, la
que traer aparejada la
aparicin de una tensin
microscpica V

FISICA ELECTRONICA

28

MODULO VII

Cristales de cuarzo
Los cristales de mayor uso son los cristales de cuarzo (SiO2) .
Estos se cortan en laminas o placas de distintas formas y tamaos
para darles propiedades determinadas.
Al cortar un cristal de cuarzo en bruto siguiendo distintos ngulos
segn los ejes, se puede obtener una gran variedad de placas con diferentes
propiedades de frecuencia y temperatura.
Ciertas placas obtenidas con este procedimiento se denominan
placas normales y se clasifican en dos grupos X e Y.
La dimensin del espesor de las placas del grupo X es normal al eje
X (eje elctrico) del cristal en bruto del cual se obtuvieron.
En cambio en el grupo Y la dimensin del espesor es paralela al eje
Y (eje mecnico).
La denominacin de las placas normales es: AT, BT, CT, etc.
La frecuencia de resonancia de los cristales depende de las
dimensiones de la placa, en combinacin con el modo de vibracin.
El margen de frecuencias de resonancia que se puede obtener es
amplio, va desde 400 Hz a 125 mhz.
A mayor tamao de placa menor frecuencia de resonancia.
En cuanto al limite superior de frecuencias que se puede obtener,
queda limitado por el tamao ms chico que se pueda ser manejado sin que
se rompa durante su funcionamiento.
Los modos de vibracin del cuarzo son: el Flexor, el transversal y el
longitudinal.

Flexor

El modo flexor consiste

en un movimiento de curvatura o
en un arqueo.

Longitudinal

O. VON PAMEL

El longitudinal es un
movimiento a lo largo de la
extensin de la placa partiendo
del centro.

29

S. MARCHISIO

Transversal

El transversal,
que es el ms complejo,
consiste
en
el
desplazamiento de dos
planos paralelos de la
placa en sentidos opuestos, conservando estos su paralelismo.
Todos los tipos de vibracin se pueden producir en un modo
fundamental o en uno armnico.
Para cada modo de vibracin se pueden trabajar unas frecuencias
solamente:
Modo flexor
Modo longitudinal
Modo transversal

0,4
40
100

a
a
a

100 KHz
15000 KHz
125000 KHz

Una de las caractersticas ms importantes del cuarzo es su

perfecto acoplamiento mecnico que posibilita su uso en circuitos
ELECTRONICOS.
Los cristales poseen dos frecuencias de resonancia: una en serie y
otra en paralelo.

L1

C1

La frecuencia de resonancia en
serie depende de los valores de la
autoinduccin distribuida (L1 ) y de la
capacidad distribuida ( C1 )

La frecuencia resonante en
paralelo, depende de los factores ya
mencionados y de la capacidad paralela (C0).

C0

La impedancia que presenta el cristal depende del tipo de

resonancia: es mnima para la resonancia serie y mxima para la resonancia
paralelo.

Fabricacin de laminas de cristal de cuarzo

Existen dos tipos de cristales de cuarzo: naturales y sintticos.

El cuarzo natural se presenta en vetas y geodas (masas minerales
huecas tapizadas de cristales).
El cuarzo sinttico se obtiene a partir del crecimiento de cristales,
generalmente posee mejor estructura que los naturales, y es el que se
emplea en electrnica.

FISICA ELECTRONICA

30

MODULO VII

El cristal en bruto deber ser cortado en laminas. Para ello primero

se sita el eje ptico (z) de este y se talla una cara paralela a dicho eje,
luego se determina el eje elctrico (x) mediante rayos x. A continuacin se
deduce el eje mecnico (y) pues se conoce que es perpendicular a los ejes
X,Z.
Una vez conocidos los ejes el cristal se corta en secciones, que
luego se cortan en hojas delgadas a lo largo del eje Z , de modo que la
longitud de la hoja que de paralela al eje X o Y .
Las hojas se cortan en pequeos cuadros llamados hojas en
blanco, y se pulen hasta hallar las dimensiones deseadas mediante un
proceso de esmerilado de precisin.
Despus de haber sido limpiadas y verificadas, las hojas en blanco
Se graban con una solucin qumica y se les aplica un punto de soldadura
de plata en las dos caras opuestas para colocar los terminales conductores.
A
continuacin
los
Cristal
conductores se sueldan en los
contactos de plata. Luego el
Metalizacion cristal pasa por una calibracin de
frecuencia y se coloca en un
soporte que en general consiste
Capsula
en un tubo de vidrio cerrado al
vaco o en un recipiente metlico
Base
cerrado hermticamente.

Terminales

El cristal ya montado pasa

por una verificacin final de
frecuencia y se deja envejecer
durante un corto periodo de tiempo, pasado el cual queda listo para su
empleo en circuitos ELECTRONICOS.
Al resultar imposible fabricar cristales totalmente libres
impurezas, la frecuencia de resonancia varia con el tiempo.

de

El proceso de envejecimiento se emplea para determinar la calidad

de los cristales, puesto que los cristales deficientes varan de frecuencia
mas rpidamente.

Aplicaciones del efecto piezoelctrico

Las principales aplicaciones de este efecto son:

Los osciladores de cristal empleados en circuitos
La produccin de ultrasonido
Transductores (acelermetros, de fuerzas, de deformaciones, etc.)
O. VON PAMEL

31

S. MARCHISIO

MDULO VIII
La materia en interaccin con el medio
ambiente
Parte 2 : bajo condiciones de no equilibrio

Objetivos :

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

La materia fuera del estado de equilibrio

FISICA ELECTRONICA

MODULO VIII

Si bien por comodidad analizaremos los semiconductores bajo

condiciones de no equilibrio, los principales resultados son aplicables tanto a
aislantes como a conductores teniendo en cuenta el apropiado ancho de la
banda prohibida.

Semiconductores bajo condiciones de no equilibrio

Introduccin :

En captulos anteriores analizamos el proceso de generacin de

pares electrn-hueco en distintos materiales debido a su interaccin con el
medio ( trmica y luminosa ).
Vimos especficamente el aumento de la concentracin de
portadores debido al agregado de energa radiante.
Opuesto al proceso de generacin descripto, existe un proceso de
recombinacin de pares.
ste tiene lugar cuando un electrn de conduccin pierde su energa
de ionizacin y cae al nivel del hueco.
En el equilibrio, la velocidad de generacin (nmero de enlaces rotos
por unidad de volumen y unidad de tiempo) y la velocidad de recombinacin
de pares se hallan balanceadas.
2

El producto n.p = ni se mantiene constante.

El equilibrio as logrado, siendo un equilibrio dinmico, es slo de
concentracin de portadores, y es constante a pesar que la generacin y
recombinacin continan incesantemente .
Existen, sin embargo, medios para variar esas concentraciones en el
2
semiconductor, resultando en estos casos el producto n.p diferente de ni .
(ya sea incrementando la generacin por sobre la recombinacin o viceversa
)
En este captulo nos interesa analizar la respuesta de los
semiconductores frente a este tipo de perturbaciones.
El comportamiento de muchos de los elementos semiconductores
queda caracterizado por su tendencia de retorno al equilibrio que se
manifiesta por :
la recombinacin de portadores , o
la generacin de pares
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

segn sea el tipo de perturbacin.

Para la descripcin del retorno al equilibrio se necesitan examinar
ciertas magnitudes:
tiempo de vida de portadores
longitud de difusin
velocidad de recombinacin
El proceso a causa del cual se pierde la condicin de equilibrio en el
semiconductor es el de inyeccin de portadores.
ste puede adoptar diferentes formas :
iluminacin
polarizacin adecuada de un contacto metlico puntual
fuente de corriente
etc.,

Inyeccin ( salida del equilibrio )

Si consideramos situaciones de no equilibrio en la cual se viola la
condicin :
2
n . p = ni
podemos distinguir dos tipos de desviaciones :

cuando n . p > ni
hablamos de inyeccin de
portadores en exceso.
2

Luz

Una forma de proveer

estos portadores se representa
en la figura.

material tipo p
E

cuando n . p < ni nos

referimos a la extraccin de
portadores del semiconductor .
2

Niveles de inyeccin .

Podemos hablar de distintos niveles de inyeccin; esto es:

FISICA ELECTRONICA

MODULO VIII

 Inyeccin de bajo nivel

Inyeccin de alto nivel
Para un dado semiconductor, es posible alcanzar uno u otro nivel de
inyeccin. Conceptualmente, la diferencia entre ambos est relacionada con
la magnitud de las correspondientes concentraciones de impurezas en
juego. Podemos analizar el significado de lo dicho a travs del anlisis de lo
representado en la figura siguiente.
En sta se considera el caso de un semiconductor de silicio tipo n,
pero el anlisis es aplicable tambin a un semiconductor tipo p.

nno

pn

1016
1014
10

Nd

pn

12

ni para
0
a T = 300 K

1010

pno

Concentracin de donantes
Nd =1016cm-3
Para el Si a temperatura ambiente
( T 300 0K ) la concentracin
intrnseca es :
ni = 1010 cm-3
por lo que en condiciones de equilibrio
es:
el Si
n . p = ni2 = 1020 cm-6

Concentracin de portadores n
n
n
18
n
10

108
106

nno , pno concentraciones de electrones y

huecos
respectivamente
en
un
semiconductor tipo n en equilibrio.

104
102
equilibrio inyeccin inyeccin
bajo
alto
nivel nivel

nn , pn concentraciones de electrones y
huecos en un semiconductor tipo n
fuera del equilibrio.

Inyeccin de bajo nivel

Consideremos el caso en el que, de alguna forma, - por ejemplo,

iluminando el material -, podamos introducir en el material semiconductor
portadores en exceso de ambos tipos en iguales concentraciones, de modo
tal de mantener la neutralidad de la carga espacial.
12

Podemos suponer que creamos 10 pares electrn-hueco / cm .

Esto implica que aumentamos la concentracin de electrones y de huecos
12
4
16
en 10 cada una; por lo tanto, si pn0 = 10 , y si nn0 = 10 ,
12
4
12
12
3
entonces :
pn = pn0 + 10 = 10 + 10 10 huecos / cm
12

nn = nn0 + 10

O. VON PAMEL

16

= 10

12

+ 10

10 electrones / cm
16

S. MARCHISIO

De esta forma, mientras la magnitud del cambio en la concentracin

de electrones es la misma que la correspondiente a los huecos:
el cambio relativo en la concentracin de electrones, - portadores
mayoritarios -, es despreciable, y
el cambio relativo en la concentracin de huecos, - portadores
minoritarios -, es significativo.
Esta condicin, en la que la concentracin de portadores en exceso
(n) es despreciable en comparacin con la concentracin de dopaje
16
-3
(Nd=10 cm ), - o lo que es lo mismo n = p << Nd -, corresponde a
inyeccin de bajo nivel .

Inyeccin de alto nivel .

En este caso la concentracin de portadores inyectados en exceso

es comparable (o mayor) que la concentracin de iones donantes. En este
caso: n = p Nd . De aqu que el cambio relativo en la concentracin de
portadores mayoritarios sea significativo.
Por ej. : si n = 10 , entonces :
16

+ 10

16

16

+ 10 = 2 . 10

nn= nn0 + 10 = 10

16

1 . 10

16

pn = pn0 + 10 = 10

16

16

16

Este tipo de inyeccin afecta la conductividad del material base .

La inyeccin de alto nivel es importante en la operacin de algunos
dispositivos semiconductores.
A lo largo de este captulo y mientras no se aclare lo contrario a lo
largo de este curso, nos ocuparemos solamente de casos de retorno al
equilibrio en bajos niveles de inyeccin.

Retorno al equilibrio

Cuando las concentraciones de portadores se alejan de sus valores

de equilibrio, stas tratarn de alguna forma de retornar a sus valores
anteriores.
Se pueden distinguir distintos casos:

FISICA ELECTRONICA

MODULO VIII


En el caso que ocurra inyeccin de portadores, ( n . p > ni ), el
retorno al equilibrio es a travs de la recombinacin de los minoritarios
inyectados con los mayoritarios.
2

En el caso de extraccin de portadores , ( n . p < ni ), el retorno

al equilibrio es a travs del proceso de generacin de pares electrn hueco.
2

Se pueden analizar distintos casos en los que se provocan

desequilibrios de concentraciones en el material semiconductor. En stos se
ponen de manifiesto las distintas magnitudes o parmetros que intervienen
en la descripcin del proceso de retorno al equilibrio.

Decaimiento de portadores inyectados - Tiempo de vida

Imaginemos una situacin experimental en la cual un trozo de

semiconductor homogneo tipo n es iluminado uniformemente. En estas
condiciones podemos considerar diferentes casos.
En particular suponemos:

que la luz es de frecuencia suficiente como para crear pares electrn

hueco en todo el material,

que
es
luz absorbida uniformemente
absorbida uniformemente
en
todo el volumen
de la muestra,
x
Concentracin de portadores minoritarios

pl

y que no hay
recombinacin
superficial

p .G l
p n0
x

Durante la iluminacin, - a la que suponemos de corta duracin -, se

habrn creado un cierto nmero de pares electrn-hueco y este nmero
estar en exceso sobre el caracterstico del equilibrio trmico a la
temperatura de la muestra.
Al cabo de este proceso las dos concentraciones de portadores se
habrn incrementado en cantidades iguales.
En la figura anterior se represent el incremento de la concentracin
de minoritarios debido a la incidencia de luz, el cual, en las condiciones del
experimento ha alcanzado el valor pl.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Al suspenderse la accin de la luz los portadores en exceso se irn

recombinando por pares hasta restablecer el equilibrio. Este proceso no es
inmediato. Los portadores tienen una cierta vida media antes de
recombinarse y un tiempo durante el cual el portador existe antes de
recombinarse.

pn(t)- pn0
pL - pn0
1.0
0.8

p = 10 ( unidades arbitrarias )

0.6
0.4
0.2
0

1.0
0.1
1

10

t ( unidades arbitrarias )
As, la concentracin de minoritarios decae a medida que transcurre el
tiempo.
Se asocia entonces un tiempo de vida p, definido operativamente como el
tiempo durante el cual la concentracin de portadores minoritarios en exceso
1
decae en /e de su magnitud.
La figura anterior muestra la evolucin temporal descripta para
distintos valores de p.
La expresin que representa la ley de variacin encontrada para el
decaimiento de la concentracin de portadores es :
pn( t ) = pn0 + ( pl pn0 ) e

-t / p

Decaimiento espacial de la concentracin de portadores - Longitud de

difusin

Imaginemos ahora una nueva experiencia empleando un pulso

luminoso de corta duracin sobre la barra uniforme. Suponemos adems
que la luz es de una frecuencia tal que su accin slo afecta en forma
superficial al material. sta nos permitir conocer otra caracterstica de la
distribucin de los minoritarios inyectados.

FISICA ELECTRONICA

MODULO VIII

luz incidente no penetrante

Concentracin de portadores minoritarios

pn (x)
pn (0)
Fp
Fn

En vez de
iluminar
la
totalidad
de
la
muestra,
lo
hacemos slo en
un extremo, de tal
forma
que
la
absorcin
se
produce en una
capa muy delgada.

pn0
x

Una vez ms, despus del pulso, hay generacin de pares electrnhueco, pero ahora slo en el extremo donde la luz es absorbida.
En las condiciones de baja inyeccin que estamos considerando no
se lleva al sistema muy lejos del equilibrio en ningn punto y los portadores
inyectados comparten el movimiento aleatorio (trmico) de la red, al igual
que todos los portadores.
An cuando el movimiento es totalmente aleatorio, habr ms
partculas que se alejen del extremo que recibi el pulso de luz respecto de
las que provienen del resto de la muestra, debido a que en ese lugar hay
inicialmente mayor concentracin de portadores. Ocurre as el proceso de
difusin que provoca un flujo que depende de la diferencia o gradiente de
concentraciones de las partculas.
Asociada a este proceso , podemos definir la longitud de difusin
(Lp) como el trecho medio recorrido por los portadores antes de
recombinarse.
-2

Esta longitud es normalmente del orden de 10 cm .

p n (x) - p n0
p n (o) - p n0
1.0
0.8

Lp = 100 (unidades arbitrarias )

0.6
0.4

Obsrvese que en
este caso hay difusin
tanto de mayoritarios
como de minoritarios y
ambas
en
igual
direccin lo cual genera
corrientes opuestas .

10

En la figura se
grafica la forma en que
decae la concentracin
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
de
portadores
x (unidades arbitrarias )
minoritarios inyectados
en exceso en funcin
de x, tomando como parmetro la longitud de difusin .
0.2

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Podemos expresar matemticamente esta dependencia mediante la

ley:
pn(x) = pn0 + ( pn (0) pn0 ) e

-x / Lp

siendo: pn (0) el valor de la concentracin de minoritarios en x = 0

! Nota :
Puede verse la analoga entre las expresiones que dan :

la distribucin de minoritarios inyectados en funcin de x en rgimen

permanente (para diferentes Lp )

el decaimiento de la concentracin de minoritarios inyectados en

funcin del tiempo en rgimen transitorio ( para distintos p )
En ambos casos hay una modificacin de minoritarios :
En el primer

sta se da en un punto dado del espacio y puede

observarse su penetracin (rgimen estacionario)

En el segundo la modificacin se da en un instante de tiempo

(rgimen temporal )
Con el aumento de x, o con el paso del tiempo se alcanza la
concentracin de minoritarios en equilibrio. Los parmetros a tener en
cuenta son respectivamente Lp y p.
Obviamente ambos conceptos esta ntimamente relacionados.

Efectos de la recombinacin superficial .

Consideremos ahora
una muestra de material
semiconductor homogneo tipo n iluminada
uniformemente como en
el primer caso analizado,
pero
ahora
sin
suspender
la
iluminacin.

luz absorbida uniformemente

x
Concentracin de los portadores minoritarios
pn(x)

Fp
Fn

pl

p Gl
pn0
x

FISICA ELECTRONICA

10

Suponemos adems
que la velocidad de
recombinacin de los
MODULO VIII

portadores inyectados se encuentra incrementada hacia un lado de la

muestra como se observa en la figura .
Debido a la velocidad de recombinacin mayor
correspondiente a la superficie x = 0 , la concentracin de los portadores
minoritarios en exceso ser menor en este plano que en el cuerpo del
semiconductor .
Resulta de esto que los portadores mayoritarios y minoritarios
difundirn creando un flujo de cargas hacia la superficie donde se
recombinarn.
Debido a que los electrones y huecos se recombinan de a
pares (uno a uno) , el flujo de huecos hacia la superficie ser igual al flujo de
electrones. Es por ello que no habr flujo de corriente neto.
Para describir la distribucin espacial de los portadores
minoritarios inyectados necesitamos considerar diferentes valores para la
magnitud velocidad de recombinacin en el extremo de la muestra.
Si esta fuera prxima a cero, estaramos en realidad en un
caso que da como resultado una concentracin de portadores en exceso
constante (en rgimen permanente) para toda la muestra .
Por lo tanto no estaramos en el caso considerado, es decir
mayor recombinacin en un extremo.
Si la velocidad de recombinacin fuera suficientemente elevada
(matemticamente tendiente a infinito), la distribucin de los portadores
minoritarios en exceso va a variar segn sea el valor de la longitud de
difusin Lp siendo de todos modos siempre nula en x = 0 y con tendencia
creciente, - en forma ms o menos lenta segn Lp -, hacia el valor que
corresponde a la mxima concentracin de minoritarios agregados al
semiconductor.
Recordemos
que
en
esta
experiencia no se
suspende
la
iluminacin que da
la concentracin pl

p n (x ) - p n 0
p L - p n0
L p = 1 (u n id ad es ar bitr ar ias )
1 .0
0 .8

10

0 .6
0 .4
0 .2
0

100
10

20

30

40

50

60

70

80

90

x ( u n id ad es ar bitr ar ias )

100

Este anlisis
puede sintetizarse
en
la
representacin de
la figura .

Puede encontrarse tambin la ley que expresa

concentracin de minoritarios a lo largo de la muestra, obtenindose :

O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

la

pn (x) = pl ( pl pn0 ) e

-x / Lp

Cintica del proceso de recombinacin .

En la seccin anterior hemos visto el retorno al equilibrio de la
distribucin de portadores minoritarios en casos de inyeccin, analizada para
x crecientes o al paso del tiempo.
Este retorno al equilibrio depende de un parmetro que caracteriza
el proceso de recombinacin : 1 / p .
_______
Obsrvese que Lp = Dp . p con Dp : difusividad de huecos.
Si, como vimos, el p representa el tiempo de vida medio en que los
portadores en exceso ( pn - pn0 ) permanecen sin recombinarse, la velocidad
de retorno al equilibrio, - nmero de recombinaciones netas por unidad de
tiempo ( U ) -, luego de la perturbacin, va a depender inversamente de p y
directamente de la cantidad de minoritarios inyectados (pn - pn0 ).
Matemticamente :

U = ( pn - pn0 ) . 1 / p .

Conviene mencionar aqu que p depende de ciertos factores fsicos

tales como la estructura del material y el dopaje.
Ms adelante vamos a analizar las distintas formas de
recombinacin, con distinto p, que tienen lugar debido a estos factores
fsicos.
! Nota :
Hablamos de recombinaciones netas en el sentido siguiente :
Cuando consideramos el total de las recombinaciones tenemos que tener
en cuenta:

Las recombinaciones de los portadores generados trmicamente

que corresponden a la condicin de equilibrio.

Las recombinacin de los portadores que fueron generados por

algn otro mecanismo (inyeccin ), por ejemplo, la luz.
En el retorno al equilibrio nos va a interesar analizar
recombinaciones de los portadores generados por sobre
correspondientes al equilibrio trmico; es decir, evaluadas
recombinaciones correspondientes a la generacin trmica en equilibrio,
FISICA ELECTRONICA

12

MODULO VIII

las
los
las
las

vamos a restar del total de las recombinaciones para obtener aqullas que
llamamos netas o de portadores en exceso.
2

Como vimos, la condicin de equilibrio ( n.p = ni ) proviene de

considerar que la velocidad de generacin trmica es igual a la de
recombinacin de los portadores generados trmicamente.
En smbolos podemos expresar :

G ter = R ter

( en equilibrio )

Debido a esto, para evaluar la velocidad asociada a las

recombinaciones netas, debemos considerar:
Rtotal G ter = U
Para simplificar la notacin, en lo siguiente vamos a considerar que:

R representa la velocidad del total de las recombinaciones y

U la velocidad de recombinacin neta o de los pares en exceso.

Distintos casos de recombinacin

Recombinacin banda a banda

Ec

Ev

Cuando se recombinan
directamente electrones que se
encuentran en la banda de
conduccin con huecos en la
banda de valencia hablamos de
recombinacin banda a banda.

Podemos esquematizarla
mediante la figura .

En este tipo de recombinacin el electrn debe perder energa del

orden de Eg. Este proceso lleva asociada la emisin de luz o calor.
Como vimos, los pares electrn hueco generados por distintos
mecanismos no se recombinan instantneamente. En este caso la velocidad
de recombinacin depender de la concentracin de los portadores
(mayoritarios y minoritarios).
Esto es debido a que para que sea posible la recombinacin en
estas condiciones, un electrn de conduccin debe encontrar un hueco y

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

este proceso tendr lugar con una frecuencia que depender del nmero en
que estn presentes unos y otros.
Podemos escribir :
R = k . nn. pn k . nn0 . pn

( k constante de proporcionalidad )

En bajos niveles de inyeccin : nn nn0

La velocidad de generacin trmica en equilibrio (o de
recombinacin de los portadores generados trmicamente), ser
proporcional a las concentraciones en equilibrio. Es decir :
G = k . nn0 . pn0
Expresando la velocidad de recombinacin neta como:
U = ( pn - pn0 ) / p .
Como adems:
Tenemos

U=R-G
R - G = k nn0 ( pn - pn0 ) = ( pn - pno ) / p = U

De donde obtenemos :

p =

/ k .nn0

Esto nos indica que el tiempo de vida de los portadores minoritarios

en exceso es inversamente proporcional a la concentracin de los
mayoritarios. Al analizar la expresin recordar que estamos considerando
una muestra de material semiconductor tipo n.
! Nota :
Esta forma de recombinacin es caracterstica del arseniuro de
galio. En el germanio y el silicio este proceso carece de relevancia. Esto se
debe a que durante el proceso de preparacin de la muestra se introducen
impurezas indeseables de oxgeno que hace que el tiempo de vida vare
notablemente debido a la forma de preparacin de sta.
Si bien en forma terica p slo depende de nn0 , en la prctica se ve
que son importantes tanto la estructura de bandas como las imperfecciones
e impurezas, cuyas concentraciones variarn con el mtodo de preparacin
de la muestra.
Consideremos ahora el proceso de recombinacin-generacin que
tiene lugar debido a la accin de tales imperfecciones.
Recombinacin - Generacin a travs de centros intermedios.

FISICA ELECTRONICA

14

MODULO VIII

Descripcin del mecanismo.

Como hemos visto, las imperfecciones dentro del semiconductor

pueden modificar la perfecta periodicidad de la estructura cristalina, y como
resultado de ello, introducir niveles de energa dentro de la banda prohibida,
adems de los ya vistos niveles de impurezas donantes y aceptantes.
Estos niveles de energa actan como lugares de paso en la
transicin de electrones y huecos de una banda a la otra.
Debido a que la probabilidad de transicin depende del tamao del
salto, las imperfecciones pueden hacer tales transiciones ms probables y
consecuentemente, pueden ejercer una influencia muy marcada en la
disminucin del tiempo de vida de los portadores en exceso .

Los principales
saltos debido a los
centros intermedios se
esquematizan en la
figura.

2
a : antes

3
d: despus

d
4

En particular se
representa el estado del
centro de recombinacin
antes y despus de
cada proceso.

Las flechas indican la transicin electrnica.

1- es la captura de un electrn de la banda de conduccin por un
centro.
2- es el proceso inverso, la emisin del electrn desde el centro a la
banda de conduccin.
3- es la captura de un hueco de la banda de valencia por un centro;
(puede ser descripto tambin como la transicin de un electrn desde un
centro a la banda de valencia).
4- es la emisin de un hueco desde un centro a la banda de
valencia, tambin descripto como la transicin de un electrn de la banda de
valencia a un centro, dejando atrs un hueco en la banda de valencia .

Interpretacin del tiempo de vida p en este caso

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

Podemos hacer una evaluacin aproximada del p en este caso

manejando las variables fsicas del material que entran en juego.
Vimos que la existencia de numerosos centros de recombinacin
influye en la disminucin del tiempo de vida de los portadores.
De ah que, por ejemplo, para que el retorno al equilibrio ocurra en
un tiempo pequeo ( p pequeo), los portadores en exceso debern
encontrar en su recorrido un nmero importante de centros de
recombinacin que adems posean una cualidad (rea de captura)
importante.
Esta cualidad representa la mayor o menor posibilidad de atraccin
del centro de recombinacin sobre el portador.
Adems de estas consideraciones acerca de los centros de
recombinacin, influye en la magnitud p la velocidad del portador.
Si la velocidad trmica que alcanza en su deambular por la red es
mayor, el tiempo de vida antes de recombinarse disminuye.
Esto nos permite aventurar una expresin de p que coincide con la
encontrada a partir de un anlisis ms detallado.

Resulta as :

siendo :

1
p = -----------p vt Nt

p : el rea de captura o la medida de cun cerca debe llegar el

portador para se capturado.
vt : velocidad trmica de los portadores a temperatura ambiente.
Nt : concentracin de centros de recombinacin.
El centro es el lugar donde se recombinan el electrn y el hueco.

Ntese que el tiempo de vida hallado en este caso es independiente

de la concentracin de electrones. Esto es debido precisamente a que hay
una gran abundancia de ellos en el material tipo n, siendo su concentracin
mucho mayor que la concentracin de huecos.
Es por ello que podemos considerar que la probabilidad de que un
electrn se acerque al centro es mayor que la probabilidad de que lo haga
un hueco. As, si bien un hueco es capturado por un centro intermedio, el
electrn ser inmediatamente capturado por el mismo centro.
La velocidad de recombinacin va a depender, por lo dicho,
fundamentalmente de la velocidad de captura del minoritario.

FISICA ELECTRONICA

16

MODULO VIII

Efectos de otro tipo de imperfecciones

Trampas

Existe
an
otro efecto que se
manifiesta con un
tiempo aparente de
vida mucho ms largo
que el descripto.

Ec

Et

Ello se debe a
imperfecciones
llamadas trampas que
luz o calor
no actan de la forma
Ev

descripta
anteriormente,
sino
que permiten que el electrn (portador generado en exceso ) en el material p
regrese a la banda de conduccin antes de recombinarse con el hueco.

Er

De esta forma el electrn puede pasar un tiempo considerable ligado

a las trampas (Et en la figura) antes de encontrar un centro de
recombinacin (Er).
En este caso, aunque el tiempo total de vida del electrn puede ser
de varios minutos, solamente una pequea fraccin de ese tiempo
transcurre en la banda de conduccin.
La diferencia entre las trampas y los centros de recombinacin se
basa en al alta probabilidad de que los electrones evadan las trampas y
pasen a la banda de conduccin comparado con la baja probabilidad de que
los electrones se recombinen con el hueco.
En general existen procesos anlogos para los huecos.

Luminiscencia : Fluorescencia y fosforescencia

La recombinacin de un electrn con un hueco produce luz, a este

fenmeno se lo denomina luminiscencia.
Desde un punto de vista descriptivo, podemos decir que si el
proceso que transcurre entre la creacin de un par electrn-hueco y la
-3
recombinacin del electrn con ese u otro hueco es menor a 10 seg.,
estamos frente a un fenmeno de fluorescencia.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

Del mismo modo, si el tiempo que transcurre para dicho proceso es

-13
seg. diremos que estamos frente a un fenmeno de
mayor que 10
fosforescencia .
Obsrvese que las sustancias fluorescentes, por el tiempo
considerado, no presentarn estados trampa en la banda prohibida.
Las fosforescentes esencialmente contendrn impurezas tipo
trampa. Los compuestos del fsforo se caracterizan por este tipo de estados
de ah el nombre de fosforescentes.
Segn sea la diferencia energtica entre Er y Ev , ser el color de la
luz que emita la sustancia fosforescente.

Estados metaestables

Existe un tipo de estados de impurezas donde al caer el electrn no

puede seguir cayendo hacia la banda de valencia, pero en el que puede
permanecer largo tiempo. Se trata de estados metaestables.
En el estado metaestable se tiene el mismo momento angular l que
en la banda de valencia por lo tanto no pude haber transicin al no cumplirse
que l = 1 (condicin necesaria para que exista transicin electrnica).
Cuando por la cercana de uno de estos estados, - ocupado ya por
un electrn -, pasa un fotn cuya energa sea igual a la diferencia de
energas entre el estado metaestable y Ev , entonces el electrn decae a Ev y
el fotn emitido (de igual energa al incidente) tiene la misma direccin que
el incidente.
El proceso presenta tres etapas :
1electrn
Ec
Em
Ev
1

foton incidente
foton emitido

ionizacin

del

2cada
del
electrn en el estado
metaestable
3- el fotn incidente
permite el decaimiento

Efecto lser
Este efecto se logra en materiales que presentan estados
metaestables. Consta de tres procesos :

FISICA ELECTRONICA

18

MODULO VIII

1- inyeccin de electrones a la banda de conduccin por algn

mecanismo, por ejemplo mediante luz;
2- inversin de la poblacin: los electrones decaen al estado
metaestable quedando fuera del equilibrio.
3- emisin de luz coherente: gran cantidad de electrones decae .
emitiendo luz monocromtica coherente .
Para lograr un haz, se refuerza este efecto a lo largo de un eje en el
que en un extremo se coloca un espejo y en el otro un semi espejo.

.
.

.
.
.

Cristal con estados metaestables

encerrado entre un espejo y un
semiespejo.
El cristal se excita mediante el
agregado de luz exterior
Al desexcitarse emite fotones en
cualquier direccin.
Unos pocos en la direccin del eje
ptico espejo-semiespejo , los que .
se reflejan sobre este eje.
Estos estimulan la emisin en la .
direccin del eje ptico reforzando
la intensidad de luz en la direccin
del eje ptico.
Este proceso se repite
continuamente. En un momento
dado el haz se hace tan intenso
que se lo ve surgir por el
semiespejo.

Un fotn que incida a lo largo del eje ptico provocar la emisin de

fotones cuya direccin coincidir con este eje.
Al llegar a un extremo, supongamos el del espejo, el haz se reflejar
sobre si mismo y volver a recorrer el cristal a lo largo del eje mientras
sigue incrementando fotones .
Al llegar al otro extremo, parte se reflejar y continuar el proceso, y
parte saldr como haz lser.

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

Cristales centelladores.

banda de conduccin
estados de impurezas

banda de valencia

En estos cristales hay

niveles de impurezas que
presentan la caracterstica de
que el electrn decae a travs
de varios saltos entre ellos.
Si estn energticamente
equiespaciados , la absorcin
de un fotn de alta energa se
traduce en la emisin de
varios de energa menor .

Esto permite que un fotn en el rango x, no visible, pueda ser visto

indirectamente a travs de estas emisiones que se producen en cada salto.
Obsrvese que se produce una amplificacin del nmero de fotones
absorbido.

Expresin general
semiconductor

del

flujo

de

portadores

en

el

Hasta aqu hemos introducido las ideas que fundamentan la

dinmica del movimiento de huecos y electrones de conduccin en un
semiconductor.

FISICA ELECTRONICA

20

MODULO VIII

Vimos en el captulo anterior el arrastre ( en respuesta a un campo

elctrico ) y completaremos en ste con la difusin ( resultado natural del
movimiento trmico aleatorio cuando no es uniforme la concentracin en el
espacio ) y recombinacin (intento de volver a las concentraciones de
equilibrio por ambos tipos de portadores).
De hecho, todos estos procesos representan la respuesta del
semiconductor cuando se perturba su estado de equilibrio por medios
exteriores.
Nos interesa ahora conocer cual es la expresin del flujo de cargas
en el semiconductor .
Si bien ya contamos con algunos resultados importantes de los
distintos procesos, en forma separada, stos se dan, muchas veces, en
forma simultnea.
Consideramos al semiconductor en dos estados diferentes a saber :
en equilibrio
fuera del equilibrio ( caso de inyeccin )
2

Caso del semiconductor en equilibrio ( n . p = ni )

Para poder dar la expresin del flujo de portadores en este caso,
conociendo los distintos procesos dinmicos, debemos dar una definicin.
Llamamos flujo F de cualquier especie al nmero de entes de esa
especie que atraviesan la unidad de rea en la unidad de tiempo .
Se hace evidente a partir de lo expresado que un proceso que tiene
lugar en el semiconductor aportar directamente al flujo de portadores si
provee un desplazamiento neto por unidad de tiempo .
En el caso de un semiconductor en equilibrio los distintos procesos a
considerar son :
generacin de pares por efecto trmico: el efecto fundamental de

la generacin sobre el semiconductor es suministrar portadores

(despreciando la transferencia de impulso).
La generacin en s misma no provee un desplazamiento de cargas
en una direccin determinada por lo que no aporta al flujo de portadores en
el semiconductor.
Recombinacin de pares : este caso es opuesto al anterior en

cuanto al efecto que produce sobre al concentracin de portadores, pero

similar al anterior en cuanto tampoco genera en s un desplazamiento neto
de cargas .
O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

Este proceso por lo tanto no aporta al flujo de portadores en el

semiconductor .
Difusin: en un semiconductor donde por alguna causa (debido a

los procesos de generacin y recombinacin o a su estructura), la

concentracin de portadores no es uniforme. Las cargas, realizando
movimientos aleatorios, se desplazan en el sentido de las concentraciones
decrecientes.
La difusin por tanto s aporta al flujo que estamos considerando
siendo ste proporcional al gradiente de concentraciones .
Arrastre ( accin del campo elctrico ): vimos en el captulo

anterior cmo un campo elctrico genera desplazamiento de portadores de

uno u otro signo en el semiconductor .
El flujo de electrones y huecos resulta proporcional al campo .
Como tienen cargas de signos opuestos se mueven en sentido
contrario , pero tambin conducen la corriente en el mismo sentido.

si consideramos simultneamente los dos procesos que proveen al

flujo en el semiconductor, ste ser la suma de las componentes de
arrastre y difusin .
Podemos escribir la densidad de corriente de huecos : ( Jp ) como :
Jp =

q p p E q Dp p
x
arrastre

y la de electrones :

Jn = q n n E

difusin

+ q Dn n
x

Obsrvese que los trminos de arrastre en las dos ecuaciones

tienen el mismo signo algebraico porque el campo elctrico origina
corrientes de igual sentido con las partculas cargadas con signos opuestos.

En cambio los trminos de difusin tienen signos algebraicos

opuestos porque un gradiente dado de concentracin hara que los dos tipos
de partculas se difundieran en el mismo sentido y por lo tanto transportaran
corrientes elctricas en sentidos opuestos debido a los signos opuestos de
las cargas.

En el caso de equilibrio que estamos considerando tanto Jn como Jp

son idnticamente nulas pues se compensan los trminos de arrastre y
difusin .

FISICA ELECTRONICA

22

MODULO VIII

Caso del semiconductor en condiciones de inyeccin en bajo nivel .

Vimos que en un semiconductor pueden crearse portadores en

exceso, tanto huecos como electrones de conduccin por distintos mtodos.
Las caractersticas dinmicas principales de estos portadores en
exceso es que son arrastrados por un campo elctrico, que se difunden
alejndose de las regiones de concentracin elevada y que desaparecen
por recombinacin.
En este caso tambin podemos escribir ecuaciones similares a
las vistas en el caso de equilibrio, que dan el flujo de cargas en el
semiconductor considerando ahora las concentraciones de equilibrio ms
las generada en exceso donde figuran n y p .

! Nota :
En el caso del semiconductor fuera de equilibrio la recombinacin
provee una variacin de concentracin por unidad de tiempo (velocidad de
recombinacin neta) y una distribucin de portadores no constante en
algunos casos a lo largo del eje x.
El flujo de portadores que se origina debido a este hecho se produce
mediante el mecanismo de difusin .
La recombinacin en s misma no provee flujo de portadores en el
semiconductor. Los portadores inyectados difunden debido a que existe
recombinacin que hace disminuir las concentraciones de huecos y
electrones; es decir, provee gradiente de concentraciones.

El efecto Thompson en metales y semiconductores .

Este efecto es interesante para ilustrar lo anteriormente expuesto.

En metales

O. VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

Supongamos una
barra metlica que se
calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la
figura .

distribucin de portadores

metal
portadores generados trmicamente

fuente de

Obsrvese
la
distribucin de portadores
en exceso as como la
corriente de difusin.

calor

En la
tercer
representacin en la figura
se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se
produce el retorno al
equilibrio.

difusin de portadores

desaparicin del proceso

distribucin de portadores generados

trmicamente

campo externo
arrastre
difusin

El efecto Thompson
se produce cuando al
fenmeno de inyeccin
trmica le agregamos el
arrastre de portadores por
parte del campo elctrico.
El campo elctrico
aplicado dar origen a la
aparicin de una fem. entre
los extremos de la barra.

difusin

En semiconductores

FISICA ELECTRONICA

24

MODULO VIII

El
proceso
ser
similar
excepto
que
tendremos dos tipos de
portadores.
Puede
observarse en la figura la
aparicin de la fem.

sem icon ductor

fuen te de

calor

ban da de con duccin

creacin

de pares

cam po elctrico extern o

cam po elctrico extern o

O. VON PAMEL

25

S. MARCHISIO

MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte :
Conduccin elctrica
objetivos:
En el presente mdulo se pretende lograr tres objetivos
fundamentales :
1- introducir un modelo de conduccin
elctrica en slidos.
2- extender este modelo a gases y lquidos
3- ver ejemplos donde el modelo no rige

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Contenidos del mdulo

El proceso de conduccin
Introduccin :
Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red
Msa eficaz:
Centros de dispersin ( o desviacin )

Movimiento trmico
Movimiento por campo elctrico
Velocidad de arrastre . Movilidad

El proceso de conduccin segn el diagrama de bandas

EXTENSIN DEL MODELO A CONDUCTORES Y AISLADORES.
Conductores.
Aisladores.
Validez del modelo

Conduccin elctrica en gases

Conduccin elctrica en lquidos
Resistividad
Resistividad de un semiconductor
Variacin de la resistividad con la temperatura
Variacin de la resistividad con la iluminacin
Corriente fotoconductiva y resistencia ( L D R )

Difusin
Expresin general del flujo de portadores en el
semiconductor
Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall
Superconductividad .
Modelo de la molcula de dos electrones:

Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

El proceso de conduccin

Introduccin :
Una de las propiedades que distinguen a un slido de otro es su
posibilidad o no de conducir una corriente elctrica.
Recordemos que la intensidad de corriente representa la carga
transportada por unidad de tiempo a travs de una superficie normal a ella
(debe existir entonces un desplazamiento neto de cargas en una direccin
determinada ).
La intensidad depender :
del nmero de cargas que puedan moverse libremente y
de

la velocidad con que lo hagan

Debido a esto , para hablar de intensidad de corriente es necesario

que haya cargas ( electrones o huecos ) que puedan alcanzar niveles de
energa cintica que estn disponibles.
Por ultimo , es importante tener en cuenta que las intensidades son
el resultado de los movimientos de muchsims cargas individuales y no la
componente originada por el movimiento de una cualquiera .
Vamos a analizar por separado cuales son los posibles cambios en
el estado de movimiento de los portadores en el cristal , as como quienes
los generan con el objeto de posibilitar la comprensin de su dinmica.

Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red

Msa eficaz:

Podemos describir el comportamiento electrnico del slido en

funcin de los portadores de corriente tratados como partculas
Su movimiento en este caso no es el espacio libre , sino
circunscripto al cristal .
En el , los tomos de la red forman una serie de valles y montaas
que impiden el movimiento libre de los portadores de corriente.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Las partculas cargadas

interaccionan con la red y sus
movimientos se vern afectados
por la influencia de esta ultima.

Potencial
a

Distancia

Por esta razn , al ser

tratados como partculas dentro
del cristal , se les asocia un valor
de msa que difiere del de la
carga libre .

A esta msa se la llama : msa eficaz ( m* )

En estas condiciones , todos los efectos de los potenciales de la
red peridica regular se hallan incluidos por completo en el parmetro m*
.
La msa eficaz del electrn ( me* ) es menor que la del hueco ( mh*).
De acuerdo a lo dicho puede interpretarse el porque :
Para ello recordemos que los huecos deben moverse a nivel
de los potenciales de la red , mientras los electrones lo hacen por sobre
estos . ( Banda de conduccin )

Centros de dispersin ( o desviacin )

De acuerdo al tem. anterior , a partir de considerar el concepto de

msa eficaz , se independiza el movimiento de los portadores de los efectos
del potencial peridico regular de la red.
Los centros de dispersin ( blancos de choque ) que se presentan
en la trayectoria del electrn pueden ser de dos clases :
a - Imperfecciones locales y transitorias producidas por las
vibraciones elsticas de los tomos del cristal.
b - Impurezas de tomos extraos al cristal que destruyen
el orden de la red peridica.
Pasaremos a analizarlas con ms detalle :
Vibraciones elsticas:
A temperaturas normales , las desviaciones o dispersiones ms
importantes se deben a deformaciones del cristal asociadas a vibraciones
trmicas.

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

potencial periodico regular

Potencial
a
a

potencial alterado por

vibraciones termicas

Los tomos se
hallan ms separados o
ms concentrados en una
regin de lo que lo estn
en la red peridica ideal.

Estas variaciones
alteraran
el
potencial
elctrico
en
las
proximidades de dichas
regiones
,
y
estas
diferencias de potencial representan campos elctricos aplicados sobre ellas
que alteran la direccin y magnitud de la velocidad y de la cantidad de
movimiento de la partcula cargada.
Dispersin por las impurezas:

El efecto de las impurezas donantes o aceptante ionizadas puede

hacerse importante segn sean la temperatura y su concentracin.
Las impurezas de uno u otro signo desviaran a los portadores por
atraccin o repulsin segn su signo con una eficacia que depender de la
direccin inicial del movimiento de la partcula mvil respecto a la fija.

Nota:
Desde luego , ambas forms de dispersin pueden combinarse ,
cuando por ejemplo , se produzca una compresin vibratoria en una regin
del cristal que contenga un tomo de impureza cargado.

Movimiento trmico

Los tomos el cristal y los electrones de conduccin estn siempre

en movimiento trmico aleatorio.
Los tomos vibran alrededor de sus posiciones medias en la red
cristalina y los electrones se mueven muy rpidamente en todas direcciones
sufriendo nmerosos choques aleatorios con los tomos vibrantes.
En estas condiciones :
Los electrones no transportan globalmente corriente
alguna en ninguna direccin , porque , por termino medio , se mueven
tanto en una direccin como en otra.
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

2
1
7

Puede sintetizarse
lo dicho mediante la
observacin de la figura en
la que se representa en
forma sencilla el tipo de
movimiento
trmico
aleatorio de un electrn.

3
4

Movimiento por campo elctrico

Cuando se aplica un campo elctrico, la distribucin de potenciales
de la red se modifica, segn se ve en la figura.
El campo elctrico se
ejerce de igual manera sobre
todos los portadores de un tipo
dado presentando una tendencia
estacionaria a moverse en la
direccin de la fuerza del campo.

Potencial
a
W

.
Potencial

F1

Al
incrementar
su
.. .
Distancia velocidad el electrn tambin
cambia su energa.
campo electrico
Hay sin embargo una
condicin adicional que aparece
F2
debido a la ndole cuntica del
electrn: el cambio de velocidad
F3
F4
slo se produce si tal cambio no
implica un cambio de banda.

Es decir, un electrn no
puede ser acelerado de la
primera a la segunda banda , ni
de la segunda a la tercera , en general el electrn no puede cruzar ninguna
discontinuidad de energa .
x -a

x+a

El proceso de aceleracin es adems compatible con el principio de

exclusin de Pauli, es decir un electrn cambia su velocidad siempre y
cuando el estado que el electrn tenga que asumir este desocupado.
Si esto no sucede el proceso de aceleracin se detiene.
FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

Es evidente que en una banda totalmente ocupada no puede ocurrir

ningn proceso de aceleracin , ya que los electrones en el tope de la banda
no pueden ser acelerados ( porque cualquier aceleracin los desplazara a la
banda siguiente ), estos electrones impiden que otros sean acelerados al
estado que ellos ocupan y as sucesivamente hasta alcanzar por fin los
electrones en el fondo de la banda.
Al mismo tiempo que el electrn se acelera ocurren otros procesos
completamente independientes :
el electrn choca con barreras que
encuentra en su camino , tales como impurezas , imperfecciones , la
superficie del cristal , la falta de orden de los tomos del cristal debida a
oscilaciones trmicas , etc. .(dispersiones ya analizadas ).

Velocidad de arrastre . Movilidad

De acuerdo a lo visto en el tem. anterior , aparece, una componente

adicional de la velocidad, por sobre el movimiento trmico o el proveniente
de las dispersiones.

2
1
7

movimiento termico aleatorio

4

7
6

E

3 2

1arrastre del E

Esta
velocidad
adicional,
llamada
velocidad de arrastre , vd ,
tendr
una
direccin
opuesta al campo elctrico
para los electrones e igual
ala del campo para los
huecos.

Se encuentra que
la fuerza resultante crece
con
esta
velocidad
promedio, como en las
fuerzas de origen viscoso.

1
3

4
movimiento combinado del electron en el campo E

La velocidad de
arrastre, por lo tanto ser
proporcional a la intensidad
del campo aplicado.
vd = E

A este factor de proporcionalidad se lo llama movilidad y sus

2
unidades son : cm / volt.seg.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Las movilidades de los portadores pueden expresarse en termino de

sus cargas y msas eficaces. Para su valor tambin es importante el tiempo
entre colisiones sucesivas de los portadores.
Podemos escribir :
vd = ( q . tcol / m* ) . E = E
siendo:
q = carga
tcol = tiempo entre colisiones
m* = msa eficaz
E = campo elctrico
= movilidad

Nota:
El resultado que aparece en la expresin obtenida para vd proviene
de un anlisis en el que se supone que el tiempo entre colisiones es
independiente del campo elctrico.
Esto es cierto , si la velocidad vd es pequea comparada con las
7
velocidades trmicas de los portadores ( del orden de 10 cm/seg. para el
silicio a temperatura ambiente ).
Cuando el valor de vd se hace comparable al de las velocidades
trmicas ,su dependencia respecto del campo elctrico se aleja un poco de
la simple relacin de proporcionalidad a la vista .

vd ( cm/seg )

La variacin de vd
con el campo elctrico
puede interpretarse
a
partir de la observacin de
la figura.

10 x106
8
6
4

En
ella
se
representan los resultados
experimentales de vd vs.
E.

2
0
0

0.4

0.8

1.2

1.6

2 x 104

E (V/cm )

Puede observarse
que cuando el campo se
hace suficientemente importante se alcanza una velocidad limite superior
que deja de depender del valor del campo.
Otra conclusin que puede extraerse de las curvas concierne al
valor de la movilidad , en ella se ve claramente la diferencia entre el valor
de las movilidades de los huecos y de los electrones.

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

Nota: ( diodo gunn )

Un dispositivo que aprovecha la existencia de una velocidad limite

superior para la velocidad de los electrones es el mal llamado diodo gunn,
puesto que es una simple barra de material semiconductor n muy dopado.
En las grficas
observar
el
principio
funcionamiento

semiconductor N

podemos
de
su

Si cerramos la llave, el
terminal negativo de la batera
inyectar electrones en el extremo de
la barra.

Los electrones inyectados

en la barra , se acelerarn en virtud
del campo elctrico aplicado.

V(x)

Enseguida alcanzaran la
velocidad limite y comenzaran a
moverse con v = cte. , por lo que
se formara un frente de electrones
que se mover a lo largo de la
barra con velocidad constante.

V(x)

Por detrs de este frente

se irn acumulando electrones con
v = cte. , esta acumulacin de
cargas apantallar primeramente el
campo que ven las cargas que son
inyectadas por el terminal negativo
de la batera.

O. VON PAMEL

V(x)

S. MARCHISIO

Este apantallamiento se incrementara por la adicin de cargas a

este paquete as formado hasta hacer desaparecer el campo detrs de el.
Por lo tanto cesar la inyeccin
de cargas . Ahora en la barra slo
tenemos un paquete de cargas que se
desplaza a velocidad cte.

E
V(x)

Cuando el paquete llegue al

otro extremo de la barra , el campo se
restablecer
y
recomenzar
el
proceso.
x

Finalmente,
sobre
la
resistencia se vern pasar una serie de pulsos de corriente que se repetirn
con un periodo:
= l /v
donde :
l : longitud de la barra
v : velocidad limite de los electrones en el material

El proceso de conduccin segn el diagrama de bandas

Especficamente vamos a analizar en detalle , la representacin del
proceso de conduccin, tomando como ejemplo un material semiconductor
homogneo tipo n.

En la figura puede
observarse una muestra de
semiconductor tipo n sin
polarizacin.

semiconductor n

energia de los electrones

banda de conduccion
Ef
banda de valencia
energia de los huecos

En esta figura siguiente se ve la misma muestra de material con una

polarizacin de +2 volt. aplicados a uno de sus terminales. En ella se

FSICA ELECTRNICA

10

MDULO IX

pueden observar adems las correspondientes bandas de energa en

funcin de la posicin a lo largo de la muestra.
Los electrones en
la banda de conduccin se
+2V
acelerarn debido al campo
aplicado.

Ee
U

Eh

Debido a que en
este proceso la energa
total de los electrones no
cambia significativamente,
el aumento de energa
cintica
traer
como
compensacin
una
disminucin de la energa

potencial.
Este hecho se hace evidente en la ultima figura donde vemos que el
electrn se aleja hacia arriba (ganando energa cintica) del borde inferior de
la banda de conduccin Ec que representa como ya analizramos la energa
potencial del electrn.
Cuando el electrn sufre una colisin (en promedio al haber
recorrido una longitud de colisin) pierde parte de su energa cintica y la
transfiere a la red del semiconductor. Este es el proceso de conversin de
la energa cintica en calor. (este fenmeno se conoce como efecto joule)
A continuacin, luego de que el electrn perdi total o parcialmente
su energa cintica, vuelve a acelerarse repitiendo el proceso. sta es la
forma en que puede esquematizarse la conduccin en el diagrama de
bandas.
En este anlisis consideramos un semiconductor homogneo, es
decir, aqul que posee una concentracin de impurezas uniforme. Por esta
razn, en las figuras anteriores hemos indicado el nivel de Fermi
conservando la misma distancia respecto a la banda de conduccin a lo
largo de toda la muestra.

Nota:

O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

+ 2V

semiconductor P

Ee

U
Eh

Obsrves
e que para un
semiconductor
tipo p ocurrir lo
mismo
si
cambiamos
electrones en la
banda
de
conduccin
por
huecos
en
la
banda
de
valencia.

En este caso la corriente de huecos tendr la direccin de la

corriente convencional.
EXTENSIN DEL MODELO A CONDUCTORES Y AISLADORES.
Obsrvese que este modelo puede ser extendido con facilidad a
conductores y aisladores, mediante el cambio de Eg y del nmero de
portadores de carga N del material en cuestin.
Recordando que:
Ncond > Nsc.ext > Nsc.int >> Naisl.
y que:
Egaisl > Egsc > Egcond = 0

Conductores.

En este caso un N es muy elevado y Eg = 0

Estas
caracteristicas
del material, hacen que un
campo muy pequeo inicie la
conduccin. En la teora clsica
Ee
este campo se considera igual
a cero, pero a la luz de este
modelo vemos que para que se
U
produzca
el
efecto
joule
debemos tener un campo
acelerador a la vez que
colisiones con la red por lo cual
este modelo se ajusta a la realidad y por lo tanto es aplicable.
+V

conductor

Aisladores.
En este caso N es muy pequeo respecto de los anteriores y Eg es
grande.
FSICA ELECTRNICA

12

MDULO IX

+V

aislador

Ee
U

Por
lo
tanto
el
fenmeno de circulacin de
corriente ser despreciable,
pero s se harn visibles dos
fenmenos
colaterales
observados por la Fsica
Clsica.

Si colocamos entre las

placas
de
un capacitor plano los
Eh
electrones de las impurezas
ionizadas se desplazarn hacia el extremo lindante con la placa positiva
crendose as un campo elctrico interno de sentido opuesto al aplicado.
Si aplicamos un campo
elctrico variable en el tiempo,
los electrones en cada semiciclo de este se desplazarn en
contra de la direccin del
campo aplicado, colisionando
segn el modelo propuesto y
cediendo por lo tanto energa a
la red cristalina fenmeno que
conocemos
como
calentamiento dielctrico a altas

diagrama del hemiciclo positivo

Ee

Ea

frecuencias.

Validez del modelo

Al ser ste un modelo muy sencillo, (su sencillez lo hace muy

potente ), su empleo puede ser generalizado para explicar la conduccin
elctrica, no slo en materiales slidos como hemos visto sino tambin en
gases y en lquidos. Para esto recordemos el modelo que hemos realizado.
ste consta de ideas fundamentales :
* 1- un agente externo genera portadores de carga libres
* 2- un campo externo acelera estos portadores
*3- luego de haber recorrido una cierta distancia estos
portadores colisionan con otras partculas cediendo toda o
parte de su energa cintica
* 4- estas otras partculas ganan la energa que los portadores
de carga pierden incrementando su energa propia

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

* 5- el incremento de energa propia se traduce en un aumento

de temperatura y / o energa cintica de estas ltimas.
Resumiendo para los slidos :
agente externo
conductor
semiconductor
n
semiconductor
p
aislador

temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz

portador de
carga
e

colisiona con

efecto

ion de la red

ion de la red

ion de la red

ion de la red

aumento
temp.red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
aumento
temp. red

Conduccin elctrica en gases

Los gases estn formados por tomos y molculas elctricamente
neutros, y en condiciones normales se comportan como aisladores .
Al ionizarlos, es decir, al quitar electrones a los tomos y/o
molculas que forman el gas, se convierten en conductores de la
electricidad.
En esta situacin los tomos ( o molculas ) del gas se transforman
en iones positivos .
Por otra parte los iones negativos se forman en los gases al ligar
tomos o molculas neutras con electrones libres.
Se denomina trabajo de ionizacin Wi al trabajo realizado en contra
de las fuerzas de ligadura entre un electrn y las dems partculas del tomo
( o la molcula ).
Este trabajo Wi depende de la naturaleza qumica del gas y del
estado de energa del electrn en el tomo o molcula . Al aumentar la
ionizacin , es decir el nmero de electrones arrancados del tomo ,
aumenta el valor de Wi .
El agente ionizante por excelencia de los gases es la radiacin
csmica, en un gas monoatmico generara dos tipos de portadores de
cargas :
portadores de carga negativos :
msa :

e,
me

portadores de carga positivos : tomos parcialmente ionizados

msa :
ma >>> me

FSICA ELECTRNICA

14

MDULO IX

Aplicado un mismo campo elctrico E , como a = F / m

tendremos entonces:
1- todos los electrones se movern en la misma direccin y por lo
tanto no colisionarn entre si.
2- dem para los iones.
3- dada la diferencia de msa la velocidad de los electrones ser
mucho mayor que la de los iones dem con las energas
cinticas para este tipo de gas ( dado que Ec = 3/2 kT ) habr
dos temperaturas de partculas distintas Te >>Ti
4- al cabo de una trayectoria libre media los electrones en promedio
colisionarn con los iones.
5- esto har que aumente Ti a expensas de Te .Se observara un
aumento de la temperatura y presin del gas.
Si el fenmeno colisional fuera muy grande prodramos llegar a
obtener un plasma termalizado en el cual Ti = Te = Tp ( temperatura
del plasma).
En este momento podramos completar la tabla hecha para
materiales slidos de la siguiente manera:

gas

radiacion
cosmica

e
iones +

e-ion

aumento temp. y
presion gas

En gases no monoatmicos , en alguna situacin , podran llegar a

aparecer tambin iones negativos (que se forman cuando un tomo neutro
captura un electrn), por lo que podramos llegar a tener tres tipos de
portadores ,que en plasms no colisionales podran llegar a dar existencia a
tres temperaturas distintas.
Para plasmas colisionales valdra el resultado anterior .

Conduccin elctrica en lquidos

En un liquido polar como el agua la conduccin elctrica
depender de la cantidad de iones (aniones y cationes) que se formen por
disociacin de sales , cidos o bases que estn presentes en ella (las que
podemos suponer como impurezas ) estos iones sern los portadores de
carga .
En este caso los dipolos del solvente hara de agente externo
ionizante.

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

Otra vez se presenta un fenmeno de conduccin elctrica con

cargas de ambos signos, pero, a diferencia de los gases ambos son
masivos y de masas parecidas.
En su movimiento estos iones colisionaran con las molculas de
agua y con los iones de signo opuesto, el efecto ser un aumento de la
temperatura del liquido.
Completando ahora la tabla para estos casos
liquido polar

dipolos

iones +
iones -

colisiones entre las

distintas moleculas

aumento
temp.liquido

Resistividad
La densidad de corriente J que fluye a travs del material se
expresa o define por el producto del nmero de electrones por unidad de
volumen que pueden ser acelerados ( n ) , la carga del electrn ( q ) y la
velocidad media vd.
Por lo cual podemos escribir :
2

n q tcol
J = n q vd = n q E = ------------ . F
m*
La resistividad ( resistencia por unidad de longitud de un cristal,
cuya seccin transversal es la unidad de rea ) viene dada por el cociente
entre el campo elctrico E y la densidad de corriente J , es decir :
1
m*
= --------- = ------------2
nq
q tcol n

Resistividad de un semiconductor

En el caso de un semiconductor los portadores de corriente pueden

ser mayoritariamente electrones o huecos .
Analizaremos en especial cada tipo de semiconductor desde el
punto de vista de su resistividad.
a- tipo n

FSICA ELECTRNICA

16

MDULO IX

En este caso , los portadores mayoritarios de corriente son

electrones de conduccin .
La expresin particular de la resistividad es inmediata a partir de la
general ya vista , por lo que :
1
= ------------q n n
b- tipo p
En forma anloga para el semiconductor tipo p :
1
= -------------q n n
Por ultimo como en los semiconductores hay dos clases de
portadores con movilidades diferentes y a veces con diferentes
concentraciones , la formula se generaliza de la forma :
1
= ------------------q ( n n + p p )
Es menester recordar que aunque ambos portadores se desplacen
en sentidos opuestos conducen corrientes en el mismo sentido.
Debemos recordar adems que, para evaluar la concentracin de
portadores debemos basarnos en las ecuaciones ya vistas :
n = ND - NA

si ND > NA

P = NA - ND

si NA > ND

Nota:
En la figura siguiente se grafica la correlacin entre el nmero de
impurezas y la resistividad , para un semiconductor de silicio impurificado
con fsforo y boro ( dopado n y p ) a temperatura ambiente.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

N Densidad de dopantes (cm-3)

21

10

1020
Boro

1019
1018
1017
1016

Fosforo

1015
1014
1013
1012

10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104

Resistividad ( / cm )

Variacin de la resistividad de los materiales con la temperatura

Cuando deducimos el valor de , ( resistividad ) en una muestra del
material , la expresamos en funcin del nmero de portadores que pueden
ser acelerados (n ) y del tiempo entre colisiones ( tcol ) llegando a:
m*
= --------------2
q tcol n
Esta es una de las frmulas ms importantes de la fsica del slido.
Nos dice que la resistividad de una sustancia determinada es
inversamente proporcional al nmero de electrones que puede ser
acelerado ,as como , al tiempo entre colisiones Tcol .
En otras palabras : si se duplica el nmero de electrones que
pueden ser acelerados , o el lapso transcurrido entre dos colisiones
consecutivas , la resistencia se reduce a la mitad.
Basndonos en ella , se puede ahora discutir las propiedades
elctricas de los distintos materiales .

FSICA ELECTRNICA

18

MDULO IX

Las cantidades que varan de cristal a cristal son n y tcol y , ambas ,

adems, varan con la temperatura.
Estudiemos pues separadamente el efecto de ambas variaciones.

1- Influencia de la variacin de Tcol con la temperatura sobre la

resistividad.

El tiempo entre colisiones consecutivas depende de varios factores y

esta relacionado con el nmero de centros de dispersin ( blancos de
choque ) que se presentan en la trayectoria del electrn .
A temperaturas muy bajas
tomos se congelan .

los movimientos vibratorios de los

Por lo tanto , el lapso entre colisiones a temperaturas muy bajas

depende crticamente de la perfeccin de la estructura cristalina y de las
impurezas que tenga el cristal.
El efecto de las colisiones producidas por las vibraciones elsticas
cambia notablemente con la temperatura
A la temperatura ambiente ( 300 K ) , las vibraciones atmicas
constituyen en al mayora de los casos , los centros de dispersin ms
abundantes e importantes.
1-a metales

Conviene destacar que si el nmero n de la formula de resistividad

fuera independiente de la temperatura , la resistividad de todos los cristales
debera decrecer a medida que la temperatura decrece, pues:
Si T decrece :
* Las vibraciones atmicas del cristal disminuyen .
* Hay por lo tanto menos centros de dispersin.
* Los electrones encuentran menos blancos con los
cuales chocar y el lapso entre colisiones sucesivas
se hace mayor, y
* Al aumentar Tcol , la resistividad decrece.
Este argumento slo se aplica a los metales , en cuyo caso es valida
la suposicin de que n es casi independiente de la temperatura .

1-b semiconductores

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

En los dems casos ya vimos que la variacin de n con la

temperatura es tan importante que anula el efecto descripto arriba y produce
un aumento (en muchos casos muy grande ) de la resistividad a medida que
T crece.

2- Influencia de la variacin de la concentracin de portadores n con la

temperatura

2-a metales
En este caso n es casi independiente de la temperatura por lo tanto
si T crece , entonces tcol disminuye , por lo tanto crece al crecer T.
2-b semiconductores ( termistores )
2-b-1 extrnsecos
Segn hemos visto la concentracin de portadores n en el caso de
un semiconductor extrnseco tiene una dependencia con la temperatura que
puede visualizarse a travs de la figura.( trazo lleno )
n (cm -3 )

Silicio tipo N

3 .10 1 6

2 .10 1 6

3
n

1 .10 1 6
ni
0
0

100

20 0 3 00

400 50 0 60 0
T (0K )

7 00

En
esta
distinguimos tres zonas (
para n ) , en donde a altas y
bajas temperaturas ( zonas
1 y 3 ) se incrementa con
ella segn las leyes ya
analizadas y en otra ( zona
2
)
n
se
mantiene
prcticamente constante.
Vemos que a 0 K ,
la ausencia de portadores
libres
hace
del
semiconductor un aislante

perfecto .
Cuando la temperatura crece , los electrones de los tomos de
dopaje consiguen la suficiente energa como para llegar a la banda de
conduccin y por lo tanto aumenta la conductividad del material ( 50 K ).
De 50 a 500 K , la disminuye porque las movilidades disminuyen.
A partir de los 500 K , el aumento brusco se debe al paso de
operacin extrnseca a intrnseca de del semiconductor.
FSICA ELECTRNICA

20

MDULO IX

La figura muestra la
variacin de conductividad con
al temperatura del silicio tipo P
15
3
con NA = 10 atom/cm .

conductividad (mu/m)
50
40
.

30
20
.

10

temp
200

400

600

La figura es para un
dado semiconductor , para otro
semiconductor y distinto dopaje
slo se modifican las escalas y
no la forma de la curva .

Si una resistencia esta

construida con un semiconductor extrnseco , en cierto rango de trabajo , al
variar la temperatura , la conductividad disminuye y por lo tanto su
resistividad aumenta , a estos termistores se los denomina PTC. (coef. de
temp. pos. )

2-b-2 Intrnsecos
La dependencia de ni con la temperatura puede observarse tambin
en la figura siguiente.
De ella podemos deducir
que si el termistor emplea un
semiconductor
intrnseco,
la
conductividad
aumenta,
la
resistencia disminuye por lo que
estos se denominan NTC. ( coef.
negativo.)

conductividad (mu/m)
50
40
.

30
20
.

10

temp
200

400

600

Variacin de la resistividad de los materiales con la

iluminacin
Si se irradia un semiconductor aumenta su conductividad.
Este efecto fotoconductivo se explica de la siguiente forma : la
conductividad de un material es proporcional a la concentracin de
portadores de carga presentes.
Como vimos la energa radiante suministrada al semiconductor
rompe los enlaces covalentes , y se crea un exceso de pares electrn hueco
respecto a los generados trmicamente.
O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

Estos portadores de corriente en exceso disminuyen la resistencia

del material y , por lo tanto , tal dispositivo se denomina fotorresistencia o
fotoconductor.
Para una variacin de la intensidad de la luz de 100 lmenes / pie
cuadrado , la resistencia de un fotoconductor comercial puede variar varios
kilohms.

Corriente fotoconductiva y resistencia ( L D R )

Los
portadores
generados por fotoexcitacion
se movern bajo la influencia
de un campo aplicado.

foton

Si no se recombinan
, llegaran a los contactos
hmicos en los extremos de
la barra semiconductora ,
constituyendo entonces la corriente del dispositivo.

Esta corriente puede calcularse si se conoce la velocidad a la que se

generan los portadores por la luz y el tiempo de vida media de esos
portadores.
Si se expone el semiconductor a una iluminacin L se librea un
nmero de electrones por segundo N que depende de la iluminacin y de las
dimensiones del material , siendo :
N=ldL
donde :

: cte. que depende de la longitud de onda de la longitud

de onda de la radiacin lumnica recibida.
L : iluminacin
d : distancia entre electrodos
l : longitud de la muestra

Si se aplica entre electrodos una tensin V los electrones se

desplazarn con una velocidad v proporcional al campo E .
v = E = V/d
La constante de movilidad vimos que se llama movilidad.

FSICA ELECTRNICA

22

MDULO IX

No todos los electrones

llegan al electrodo positivo , si no ,
slo aquellos que han sido liberados
a una distancia del ctodo inferior a
v. , siendo la vida media de un
electrn libre .

dv

La
fraccin
de
electrones
que
continuara
corriente ser :

d v

los
la

v./d
y la fotocorriente y medida se obtiene a partir de :
i=Nqv/d =qlLV/d
donde q : carga elctrica del electrn.
Por lo tanto la resistencia R causada por la luz vale :
ql
-1
R = V / i = ------------- L
d
El tiempo de vida generalmente no es constante sino que depende
de la longitud de onda y de la iluminacin L
= o ( ) L

La relacin ente R y L podr expresarse con bastante aproximacin

a:
R=A L

De las ecuaciones anteriores resulta que :

q 0 l
A = --------------d
Para obtener una LDR sensible es necesario que A sea lo ms bajo
posible. Esto se logra eligiendo un sulfuro de cadmio con altos valores de :
, , 0 as como aumentando la relacin l / d tanto como sea posible.

O. VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

material fotoconductor
ventana
capsula
metalica
sustrato
ceramico
terminales

semiconductor de CdS , vista interior

Esto
se
logra
usando
una
larga
y
estrecha tira de material
doblando varias veces
para que cubra poca
superficie..
Esta
disposicin se completa
dando a los electrodos
forma de peines con las
puntas intercaladas.

Estos fotoconductores disipan sin problems 300 mW y pueden

disearse para manejar sin problems varios vatios.
Existen otros tipos de dispositivos fotoconductores para aplicaciones
especificas :

ultravioleta
100
R
e
s
p
u
e
s
t
a
r
e
l
a
t
i
v
a

80

ZnS

4000

visible 7000

infrarrojo

CdS

60

PbS
PbTe 900K

Si

40

CdSe

20

PbSe

Ge
InSb 50k

GaAs

0
3000

5000

10.000

20.000

50.0000

La celda de sulfuro de plomo ( SPb ) presenta un pico en la curva

de sensibilidad a 2.9 m y por lo tanto se usa para deteccin infrarroja , o en
medidas de absorcin infrarrojas.
La clula de Selenio es sensible en todo el espectro visible ,
especialmente en el azul.

Difusin

Si suponemos una muestra del material en la cual la concentracin

de impurezas no es uniforme , los electrones se difundirn bajo la influencia
del gradiente de concentracin.

FSICA ELECTRNICA

24

MDULO IX

100.000

L a s z on a s m a s oscu r a s cor esp on d en

a u n a m a yor con cen tr a cion d e electr on es.

Aparece entonces una corriente

neta de Difusin proporcional a las
diferencias de concentraciones.
A la constante de proporcionalidad
se la llama difusividad o coeficiente de
Difusin D .

ID

El valor de este coeficiente fue

hallado por Einstein en funcin de la movilidad siendo :
KT
D = --------
q
Como existen dos movilidades distintas tambin se deducen
difusividades distintas:
KT
D = -------- p para el caso de los huecos
q
KT
D = -------- n para el caso de los electrones
q

Expresin general
semiconductor

del

flujo

de

portadores

en

el

Hasta aqu hemos introducido las ideas que fundamentan la

dinmica del movimiento de huecos y electrones de conduccin en un
semiconductor.
Vimos en este captulo el arrastre (movimiento en respuesta a un
campo elctrico ) que completa con la difusin ( resultado natural del
movimiento trmico aleatorio cuando no es uniforme la concentracin en el
espacio ) y recombinacin, tratadas en el captulo anterior (intento de volver
a las concentraciones de equilibrio por ambos tipos de portadores).
De hecho, todos estos procesos representan la respuesta del
semiconductor cuando se perturba su estado de equilibrio por medios
exteriores.

O. VON PAMEL

25

S. MARCHISIO

Nos interesa ahora conocer cual es la expresin del flujo de cargas

en el semiconductor .
Si bien ya contamos con algunos resultados importantes de los
distintos procesos, en forma separada, stos se dan, muchas veces, en
forma simultnea.
Consideramos al semiconductor en dos estados diferentes a saber :
en equilibrio
fuera del equilibrio ( caso de inyeccin )

Caso del semiconductor en equilibrio ( n . p = ni )

Para poder dar la expresin del flujo de portadores en este caso,
conociendo los distintos procesos dinmicos, debemos dar una definicin.
Llamamos flujo F de cualquier especie al nmero de entes de esa
especie que atraviesan la unidad de rea en la unidad de tiempo .
Se hace evidente a partir de lo expresado que un proceso que tiene
lugar en el semiconductor aportar directamente al flujo de portadores si
provee un desplazamiento neto por unidad de tiempo .
En el caso de un semiconductor en equilibrio los distintos procesos a
considerar son :
generacin de pares por efecto trmico: el efecto fundamental de

la generacin sobre el semiconductor es suministrar portadores

(despreciando la transferencia de impulso).
La generacin en s misma no provee un desplazamiento de cargas
en una direccin determinada por lo que no aporta al flujo de portadores en
el semiconductor.
Recombinacin de pares : este caso es opuesto al anterior en

cuanto al efecto que produce sobre al concentracin de portadores, pero

similar al anterior en cuanto tampoco genera en s un desplazamiento neto
de cargas .
Este proceso por lo tanto no aporta al flujo de portadores en el
semiconductor .
Difusin: en un semiconductor donde por alguna causa (debido a

los procesos de generacin y recombinacin o a su estructura), la

concentracin de portadores no es uniforme. Las cargas, realizando

FSICA ELECTRNICA

26

MDULO IX

movimientos aleatorios, se desplazan en el sentido de las concentraciones

decrecientes.
La difusin por tanto s aporta al flujo que estamos considerando
siendo ste proporcional al gradiente de concentraciones .
Arrastre ( accin del campo elctrico ): vimos cmo un campo

elctrico genera desplazamiento de portadores de uno u otro signo en el

semiconductor .
El flujo de electrones y huecos resulta proporcional al campo .Como
tienen cargas de signos opuestos se mueven en sentido contrario , pero
tambin conducen la corriente en el mismo sentido.

si consideramos simultneamente los dos procesos que proveen al

flujo en el semiconductor, ste ser la suma de las componentes de
arrastre y difusin .
Podemos escribir la densidad de corriente de huecos : ( Jp ) como :
Jp =

q p p E q Dp p
x
arrastre

y la de electrones :

Jn = q n n E

difusin

+ q Dn n
x

Obsrvese que los trminos de arrastre en las dos ecuaciones

tienen el mismo signo algebraico porque el campo elctrico origina
corrientes de igual sentido con las partculas cargadas con signos opuestos.

En cambio los trminos de difusin tienen signos algebraicos

opuestos porque un gradiente dado de concentracin hara que los dos tipos
de partculas se difundieran en el mismo sentido y por lo tanto transportaran
corrientes elctricas en sentidos opuestos debido a los signos opuestos de
las cargas.

En el caso de equilibrio que estamos considerando tanto Jn como Jp

son idnticamente nulas pues se compensan los trminos de arrastre y
difusin .

Caso del semiconductor en condiciones de inyeccin en bajo nivel

Vimos que en un semiconductor pueden crearse portadores en

exceso, tanto huecos como electrones de conduccin por distintos mtodos.
Las caractersticas dinmicas principales de estos portadores en exceso es
que son arrastrados por un campo elctrico, que se difunden alejndose

O. VON PAMEL

27

S. MARCHISIO

de las regiones de concentracin elevada y que desaparecen por

recombinacin.
En este caso tambin podemos escribir ecuaciones similares a
las vistas en el caso de equilibrio, que dan el flujo de cargas en el
semiconductor considerando ahora las concentraciones de equilibrio ms
las generada en exceso donde figuran n y p .
! Nota :
En el caso del semiconductor fuera de equilibrio la recombinacin
provee una variacin de concentracin por unidad de tiempo (velocidad de
recombinacin neta) y una distribucin de portadores no constante en
algunos casos a lo largo del eje x.
El flujo de portadores que se origina debido a este hecho se produce
mediante el mecanismo de difusin .
La recombinacin en s misma no provee flujo de portadores en el
semiconductor. Los portadores inyectados difunden debido a que existe
recombinacin que hace disminuir las concentraciones de huecos y
electrones; es decir, provee gradiente de concentraciones.

El efecto Thompson en metales y semiconductores .

Este efecto es interesante para ilustrar lo anteriormente expuesto.

En metales

FSICA ELECTRNICA

28

MDULO IX

Supongamos
una
barra
metlica que se calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la figura .

distribucin de portadores

metal
portadores generados trmicamente

fuente de

calor

Obsrvese la distribucin de
portadores en exceso as como la
corriente de difusin.
En la tercer representacin
en la figura se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se produce el
retorno al equilibrio.

difusin de portadores

desaparicin del proceso

distribucin de portadores gen erados

trm icam en te

El efecto Thompson se
produce cuando al fenmeno de
. inyeccin trmica le agregamos el
arrastre de portadores por parte del
campo elctrico.
El campo elctrico aplicado
dar origen a la aparicin de una
fem. entre los extremos de la barra.

cam po extern o
arrastre
difusin

difusin

En semiconductores

El proceso ser similar excepto que tendremos dos tipos de

portadores. Puede observarse en la figura siguiente la aparicin de la fem.

O. VON PAMEL

29

S. MARCHISIO

sem icon ductor

fuen te de

calor

ban da de con duccin

creacin

de pares

cam po elctrico extern o

cam po elctrico extern o

Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall

El movimiento de los portadores de carga adquiere nuevas
caractersticas en presencia de un campo magntico.
En el estudio de estas caractersticas, se emplea un filamento de un
slido al que se aplica un campo E en sentido longitudinal y un campo H
perpendicular a E.
Como consecuencia se produce en el filamento un voltaje en
direccin perpendicular a las de E y H .

Este voltaje se llama voltaje hall y es un efecto de suma utilidad en

la fsica de los semiconductores , porque permite estudiar directamente la
concentracin de los portadores de carga y su tipo de signo .
Analicemos el efecto hall segn la geometra de la siguiente figura.

FSICA ELECTRNICA

30

MDULO IX

En ausencia del campo magntico los electrones se mueven en una

direccin x opuesta a la direccin de E y se produce una densidad de
corriente Jx.
Efecto Hall en un semiconductor intrinseco
y

La fuerza f sobre el electrn

es igual a:

fx = q Ex

Ez

Si slo se aplica el campo

magntico H en la direccin de z ,
la fuerza magntica sobre un
electrn estar dirigida en la
direccin y , y ser igual a:

Ey

Hz

fm = - 1/c v x H

Efecto Hall en distintos materiales

donde :

fmy = -1/c vx. Hz

Esta fuerza empujara a los

electrones ( cargas negativas ) en
la direccin de la superficie inferior
del filamento.Como consecuencia
se formara un campo elctrico Ey
que cancelara el efecto del campo
magntico.

H
x
Semiconductor intrinseco
Ey

Hz
Semiconductor tipo N

---

J x Hz
vx Hz
Ey = ---------- = --------c
nqc

-- ----

Semiconductor tipo P

La medida de este campo

elctrico Ey nos da la concentracin
de electrones n.

+++ +++ +++

Conductor

El campo elctrico ser

negativo cuando los portadores de
cargas estn constituidos por
huecos ( semiconductores tipo p) .

--- - --- ---

El campo elctrico es mucho mayor en los semiconductores que en

los metales , debido a que en estos ltimos n es mucho mayor .
Al medir simultneamente el efecto Hall y la conductividad elctrica
se obtiene el valor de la movilidad H , denominada movilidad Hall, ya que:
J x Hz
1
Fy . = ---------- . qn = ----- Jx Hz H
nec
c

Superconductividad .
O. VON PAMEL

31

S. MARCHISIO

La superconductividad es un fenmeno caracterizado esencialmente

por la ausencia de resistencia al paso de la corriente elctrica.
As pues un superconductor puede dejar pasar cantidades
importantes de corriente, incluso a travs de una seccin muy estrecha sin
sufrir perdidas por calentamiento. Del mismo modo , si se induce una
corriente en un anillo superconductor la corriente puede circular
indefinidamente por el anillo sin ninguna atenuacin.
Este estado de superconduccin lo presentan solamente algunos
materiales cuando son enfriados a temperaturas muy bajas.
Sin embargo , no es esta la nica propiedad que se observa en los
materiales superconductores . Otra propiedad muy caracterstica es la
repeler los campos magnticos inducidos en las proximidades del material
superconductor. Este fenmeno se pone de manifiesto por la experiencia de
levitacin magntica o efecto Meissner , que consiste en la suspencin o
flotacin en el aire de un imn cuando se sita encima de una muestra
superconductora.
En la actualidad existen dos modelos que se emplean para explicar
este fenmeno . Nos limitaremos a presentar uno de ellos , por simplicidad
el que ms se aproxima a los modelos empleados en este curso.

Modelo de la molcula de dos electrones:

Este modelo supone que por debajo de una temperatura critica que
denominaremos de superconduccin Ts los iones estn fijos en sus
posiciones de equilibrio ( sin vibrar alrededor de ella ).

En la figura
se observa un corte
plano de una red
cristalina en la cual
todos los iones se
encuentran inmviles
en sus posiciones de
equilibrio.

FSICA ELECTRNICA

32

MDULO IX

Cuando
un
electrn
de
conduccin ( mvil a lo largo de la red , y
por lo tanto alejado del ncleo del ion ),
se acerca a ella , la atraccin
electrosttica entre este y los iones ,
har que la red se deforme.

Los iones ms prximos al

electrn saldrn de su posicin de
equilibrio acercndose a este.

A medida que el electrn avanza,

avanza con el la deformacin , la cual
tiene la forma aproximada de dos troncos
de pirmide unidas en su base menor.

Si aparece otro electrn en la

misma direccin , vera que la red
deformada forma una especie de cono .

Esto hace que este electrn siga

la misma trayectoria que el anterior.
Obsrvese la siguiente figura.

Por lo tanto la configuracin de

fuerzas de la red sobre los electrones
hace parecer como si estos se atrajeran
constituyendo una molcula , que se
desplaza por la red.

Obviamente esta molcula slo

puede existir dentro de la red cristalina
cuando esta a temperaturas menores a Ts.
Al estar formada por dos electrones de spin , su espn (suma
algebraica de ambos ser 0 o 1. Por lo tanto al ser de spin entero , esta
molcula no responder no a la estadstica cuntica de Fermi-Dirac y si lo
har a la estadstica cuntica de Bose-Einstein.
Por lo tanto para ella no regir el principio de exclusin de Pauli.
O. VON PAMEL

33

S. MARCHISIO

Por lo tanto todas las molculas de dos electrones que se formen

podrn tener la misma energa ( como los fotones ) , si esto ocurre se pude
demostrar que cualquier perdida de energa por colisin contra la red es
despreciable.
Es decir podemos suponer que se mueven sin colisionar con la red
por lo que su resistividad ser igual a cero.

Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores

En altos niveles de corriente, la concentracin de portadores

inyectados puede exceder por mucho la concentracin de dopaje del
material ( p ej.: pn >> ND ).
En este caso para que se mantenga la neutralidad de carga en el
material , la concentracin de electrones y de huecos debe igualarse.
Por lo tanto la concentracin de mayoritarios tambin se
incrementara cuando los portadores minoritarios se incrementen .
Esta condicin se conoce como modulacin de la conductividad
del semiconductor.
En la situacin de modulacin de la conductividad ,
el
semiconductor , aparece como si estuviera ms fuertemente dopado
cuando el nivel de inyeccin se incrementa.
Recordemos que cuanto ms dopamos un material este se vuelve
ms conductor , es decir su resistividad disminuye. (vease la figura
siguiente)
A altos niveles de corriente, una significativa carga espacial estar
presente en todo el material.

FSICA ELECTRNICA

34

MDULO IX

N Densidad de dopantes (cm-3)

21

10

1020

Ms adelante veremos que

esta ultima har
desaparecer las
diferencias entre regiones neutras y
regiones de carga espacial .

Boro

1019
1018
1017
1016
1015

Fosforo

1014
1013
1012
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104
Resistividad ( / cm )

Nota :
Un fenmeno similar ocurrir durante la descarga de arco en un gas.

O. VON PAMEL

35

S. MARCHISIO

MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte :
Conduccin elctrica
objetivos:
En el presente mdulo se pretende lograr tres objetivos
fundamentales :
1- introducir un modelo de conduccin
elctrica en slidos.
2- extender este modelo a gases y lquidos
3- ver ejemplos donde el modelo no rige

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Contenidos del mdulo

El proceso de conduccin
Introduccin :
Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red
Msa eficaz:
Centros de dispersin ( o desviacin )

Movimiento trmico
Movimiento por campo elctrico
Velocidad de arrastre . Movilidad

El proceso de conduccin segn el diagrama de bandas

EXTENSIN DEL MODELO A CONDUCTORES Y AISLADORES.
Conductores.
Aisladores.
Validez del modelo

Conduccin elctrica en gases

Conduccin elctrica en lquidos
Resistividad
Resistividad de un semiconductor
Variacin de la resistividad con la temperatura
Variacin de la resistividad con la iluminacin
Corriente fotoconductiva y resistencia ( L D R )

Difusin
Expresin general del flujo de portadores en el
semiconductor
Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall
Superconductividad .
Modelo de la molcula de dos electrones:

Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

El proceso de conduccin

Introduccin :
Una de las propiedades que distinguen a un slido de otro es su
posibilidad o no de conducir una corriente elctrica.
Recordemos que la intensidad de corriente representa la carga
transportada por unidad de tiempo a travs de una superficie normal a ella
(debe existir entonces un desplazamiento neto de cargas en una direccin
determinada ).
La intensidad depender :
del nmero de cargas que puedan moverse libremente y
de

la velocidad con que lo hagan

Debido a esto , para hablar de intensidad de corriente es necesario

que haya cargas ( electrones o huecos ) que puedan alcanzar niveles de
energa cintica que estn disponibles.
Por ultimo , es importante tener en cuenta que las intensidades son
el resultado de los movimientos de muchsims cargas individuales y no la
componente originada por el movimiento de una cualquiera .
Vamos a analizar por separado cuales son los posibles cambios en
el estado de movimiento de los portadores en el cristal , as como quienes
los generan con el objeto de posibilitar la comprensin de su dinmica.

Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red

Msa eficaz:

Podemos describir el comportamiento electrnico del slido en

funcin de los portadores de corriente tratados como partculas
Su movimiento en este caso no es el espacio libre , sino
circunscripto al cristal .
En el , los tomos de la red forman una serie de valles y montaas
que impiden el movimiento libre de los portadores de corriente.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Las partculas cargadas

interaccionan con la red y sus
movimientos se vern afectados
por la influencia de esta ultima.

Potencial
a

Distancia

Por esta razn , al ser

tratados como partculas dentro
del cristal , se les asocia un valor
de msa que difiere del de la
carga libre .

A esta msa se la llama : msa eficaz ( m* )

En estas condiciones , todos los efectos de los potenciales de la
red peridica regular se hallan incluidos por completo en el parmetro m*
.
La msa eficaz del electrn ( me* ) es menor que la del hueco ( mh*).
De acuerdo a lo dicho puede interpretarse el porque :
Para ello recordemos que los huecos deben moverse a nivel
de los potenciales de la red , mientras los electrones lo hacen por sobre
estos . ( Banda de conduccin )

Centros de dispersin ( o desviacin )

De acuerdo al tem. anterior , a partir de considerar el concepto de

msa eficaz , se independiza el movimiento de los portadores de los efectos
del potencial peridico regular de la red.
Los centros de dispersin ( blancos de choque ) que se presentan
en la trayectoria del electrn pueden ser de dos clases :
a - Imperfecciones locales y transitorias producidas por las
vibraciones elsticas de los tomos del cristal.
b - Impurezas de tomos extraos al cristal que destruyen
el orden de la red peridica.
Pasaremos a analizarlas con ms detalle :
Vibraciones elsticas:
A temperaturas normales , las desviaciones o dispersiones ms
importantes se deben a deformaciones del cristal asociadas a vibraciones
trmicas.

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

potencial periodico regular

Potencial
a
a

potencial alterado por

vibraciones termicas

Los tomos se
hallan ms separados o
ms concentrados en una
regin de lo que lo estn
en la red peridica ideal.

Estas variaciones
alteraran
el
potencial
elctrico
en
las
proximidades de dichas
regiones
,
y
estas
diferencias de potencial representan campos elctricos aplicados sobre ellas
que alteran la direccin y magnitud de la velocidad y de la cantidad de
movimiento de la partcula cargada.
Dispersin por las impurezas:

El efecto de las impurezas donantes o aceptante ionizadas puede

hacerse importante segn sean la temperatura y su concentracin.
Las impurezas de uno u otro signo desviaran a los portadores por
atraccin o repulsin segn su signo con una eficacia que depender de la
direccin inicial del movimiento de la partcula mvil respecto a la fija.

Nota:
Desde luego , ambas forms de dispersin pueden combinarse ,
cuando por ejemplo , se produzca una compresin vibratoria en una regin
del cristal que contenga un tomo de impureza cargado.

Movimiento trmico

Los tomos el cristal y los electrones de conduccin estn siempre

en movimiento trmico aleatorio.
Los tomos vibran alrededor de sus posiciones medias en la red
cristalina y los electrones se mueven muy rpidamente en todas direcciones
sufriendo nmerosos choques aleatorios con los tomos vibrantes.
En estas condiciones :
Los electrones no transportan globalmente corriente
alguna en ninguna direccin , porque , por termino medio , se mueven
tanto en una direccin como en otra.
O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

2
1
7

Puede sintetizarse
lo dicho mediante la
observacin de la figura en
la que se representa en
forma sencilla el tipo de
movimiento
trmico
aleatorio de un electrn.

3
4

Movimiento por campo elctrico

Cuando se aplica un campo elctrico, la distribucin de potenciales
de la red se modifica, segn se ve en la figura.
El campo elctrico se
ejerce de igual manera sobre
todos los portadores de un tipo
dado presentando una tendencia
estacionaria a moverse en la
direccin de la fuerza del campo.

Potencial
a
W

.
Potencial

F1

Al
incrementar
su
.. .
Distancia velocidad el electrn tambin
cambia su energa.
campo electrico
Hay sin embargo una
condicin adicional que aparece
F2
debido a la ndole cuntica del
electrn: el cambio de velocidad
F3
F4
slo se produce si tal cambio no
implica un cambio de banda.

Es decir, un electrn no
puede ser acelerado de la
primera a la segunda banda , ni
de la segunda a la tercera , en general el electrn no puede cruzar ninguna
discontinuidad de energa .
x -a

x+a

El proceso de aceleracin es adems compatible con el principio de

exclusin de Pauli, es decir un electrn cambia su velocidad siempre y
cuando el estado que el electrn tenga que asumir este desocupado.
Si esto no sucede el proceso de aceleracin se detiene.
FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

Es evidente que en una banda totalmente ocupada no puede ocurrir

ningn proceso de aceleracin , ya que los electrones en el tope de la banda
no pueden ser acelerados ( porque cualquier aceleracin los desplazara a la
banda siguiente ), estos electrones impiden que otros sean acelerados al
estado que ellos ocupan y as sucesivamente hasta alcanzar por fin los
electrones en el fondo de la banda.
Al mismo tiempo que el electrn se acelera ocurren otros procesos
completamente independientes :
el electrn choca con barreras que
encuentra en su camino , tales como impurezas , imperfecciones , la
superficie del cristal , la falta de orden de los tomos del cristal debida a
oscilaciones trmicas , etc. .(dispersiones ya analizadas ).

Velocidad de arrastre . Movilidad

De acuerdo a lo visto en el tem. anterior , aparece, una componente

adicional de la velocidad, por sobre el movimiento trmico o el proveniente
de las dispersiones.

2
1
7

movimiento termico aleatorio

4

7
6

E

3 2

1arrastre del E

Esta
velocidad
adicional,
llamada
velocidad de arrastre , vd ,
tendr
una
direccin
opuesta al campo elctrico
para los electrones e igual
ala del campo para los
huecos.

Se encuentra que
la fuerza resultante crece
con
esta
velocidad
promedio, como en las
fuerzas de origen viscoso.

1
3

4
movimiento combinado del electron en el campo E

La velocidad de
arrastre, por lo tanto ser
proporcional a la intensidad
del campo aplicado.
vd = E

A este factor de proporcionalidad se lo llama movilidad y sus

2
unidades son : cm / volt.seg.

O. VON PAMEL

S. MARCHISIO

Las movilidades de los portadores pueden expresarse en termino de

sus cargas y msas eficaces. Para su valor tambin es importante el tiempo
entre colisiones sucesivas de los portadores.
Podemos escribir :
vd = ( q . tcol / m* ) . E = E
siendo:
q = carga
tcol = tiempo entre colisiones
m* = msa eficaz
E = campo elctrico
= movilidad

Nota:
El resultado que aparece en la expresin obtenida para vd proviene
de un anlisis en el que se supone que el tiempo entre colisiones es
independiente del campo elctrico.
Esto es cierto , si la velocidad vd es pequea comparada con las
7
velocidades trmicas de los portadores ( del orden de 10 cm/seg. para el
silicio a temperatura ambiente ).
Cuando el valor de vd se hace comparable al de las velocidades
trmicas ,su dependencia respecto del campo elctrico se aleja un poco de
la simple relacin de proporcionalidad a la vista .

vd ( cm/seg )

La variacin de vd
con el campo elctrico
puede interpretarse
a
partir de la observacin de
la figura.

10 x106
8
6
4

En
ella
se
representan los resultados
experimentales de vd vs.
E.

2
0
0

0.4

0.8

1.2

1.6

2 x 104

E (V/cm )

Puede observarse
que cuando el campo se
hace suficientemente importante se alcanza una velocidad limite superior
que deja de depender del valor del campo.
Otra conclusin que puede extraerse de las curvas concierne al
valor de la movilidad , en ella se ve claramente la diferencia entre el valor
de las movilidades de los huecos y de los electrones.

FSICA ELECTRNICA

MDULO IX

Nota: ( diodo gunn )

Un dispositivo que aprovecha la existencia de una velocidad limite

superior para la velocidad de los electrones es el mal llamado diodo gunn,
puesto que es una simple barra de material semiconductor n muy dopado.
En las grficas
observar
el
principio
funcionamiento

semiconductor N

podemos
de
su

Si cerramos la llave, el
terminal negativo de la batera
inyectar electrones en el extremo de
la barra.

Los electrones inyectados

en la barra , se acelerarn en virtud
del campo elctrico aplicado.

V(x)

Enseguida alcanzaran la
velocidad limite y comenzaran a
moverse con v = cte. , por lo que
se formara un frente de electrones
que se mover a lo largo de la
barra con velocidad constante.

V(x)

Por detrs de este frente

se irn acumulando electrones con
v = cte. , esta acumulacin de
cargas apantallar primeramente el
campo que ven las cargas que son
inyectadas por el terminal negativo
de la batera.

O. VON PAMEL

V(x)

S. MARCHISIO

Este apantallamiento se incrementara por la adicin de cargas a

este paquete as formado hasta hacer desaparecer el campo detrs de el.
Por lo tanto cesar la inyeccin
de cargas . Ahora en la barra slo
tenemos un paquete de cargas que se
desplaza a velocidad cte.

E
V(x)

Cuando el paquete llegue al

otro extremo de la barra , el campo se
restablecer
y
recomenzar
el
proceso.
x

Finalmente,
sobre
la
resistencia se vern pasar una serie de pulsos de corriente que se repetirn
con un periodo:
= l /v
donde :
l : longitud de la barra
v : velocidad limite de los electrones en el material

El proceso de conduccin segn el diagrama de bandas

Especficamente vamos a analizar en detalle , la representacin del
proceso de conduccin, tomando como ejemplo un material semiconductor
homogneo tipo n.

En la figura puede
observarse una muestra de
semiconductor tipo n sin
polarizacin.

semiconductor n

energia de los electrones

banda de conduccion
Ef
banda de valencia
energia de los huecos

En esta figura siguiente se ve la misma muestra de material con una

polarizacin de +2 volt. aplicados a uno de sus terminales. En ella se

FSICA ELECTRNICA

10

MDULO IX

pueden observar adems las correspondientes bandas de energa en

funcin de la posicin a lo largo de la muestra.
Los electrones en
la banda de conduccin se
+2V
acelerarn debido al campo
aplicado.

Ee
U

Eh

Debido a que en
este proceso la energa
total de los electrones no
cambia significativamente,
el aumento de energa
cintica
traer
como
compensacin
una
disminucin de la energa

potencial.
Este hecho se hace evidente en la ultima figura donde vemos que el
electrn se aleja hacia arriba (ganando energa cintica) del borde inferior de
la banda de conduccin Ec que representa como ya analizramos la energa
potencial del electrn.
Cuando el electrn sufre una colisin (en promedio al haber
recorrido una longitud de colisin) pierde parte de su energa cintica y la
transfiere a la red del semiconductor. Este es el proceso de conversin de
la energa cintica en calor. (este fenmeno se conoce como efecto joule)
A continuacin, luego de que el electrn perdi total o parcialmente
su energa cintica, vuelve a acelerarse repitiendo el proceso. sta es la
forma en que puede esquematizarse la conduccin en el diagrama de
bandas.
En este anlisis consideramos un semiconductor homogneo, es
decir, aqul que posee una concentracin de impurezas uniforme. Por esta
razn, en las figuras anteriores hemos indicado el nivel de Fermi
conservando la misma distancia respecto a la banda de conduccin a lo
largo de toda la muestra.

Nota:

O. VON PAMEL

11

S. MARCHISIO

+ 2V

semiconductor P

Ee

U
Eh

Obsrves
e que para un
semiconductor
tipo p ocurrir lo
mismo
si
cambiamos
electrones en la
banda
de
conduccin
por
huecos
en
la
banda
de
valencia.

En este caso la corriente de huecos tendr la direccin de la

corriente convencional.
EXTENSIN DEL MODELO A CONDUCTORES Y AISLADORES.
Obsrvese que este modelo puede ser extendido con facilidad a
conductores y aisladores, mediante el cambio de Eg y del nmero de
portadores de carga N del material en cuestin.
Recordando que:
Ncond > Nsc.ext > Nsc.int >> Naisl.
y que:
Egaisl > Egsc > Egcond = 0

Conductores.

En este caso un N es muy elevado y Eg = 0

Estas
caracteristicas
del material, hacen que un
campo muy pequeo inicie la
conduccin. En la teora clsica
Ee
este campo se considera igual
a cero, pero a la luz de este
modelo vemos que para que se
U
produzca
el
efecto
joule
debemos tener un campo
acelerador a la vez que
colisiones con la red por lo cual
este modelo se ajusta a la realidad y por lo tanto es aplicable.
+V

conductor

Aisladores.
En este caso N es muy pequeo respecto de los anteriores y Eg es
grande.
FSICA ELECTRNICA

12

MDULO IX

+V

aislador

Ee
U

Por
lo
tanto
el
fenmeno de circulacin de
corriente ser despreciable,
pero s se harn visibles dos
fenmenos
colaterales
observados por la Fsica
Clsica.

Si colocamos entre las

placas
de
un capacitor plano los
Eh
electrones de las impurezas
ionizadas se desplazarn hacia el extremo lindante con la placa positiva
crendose as un campo elctrico interno de sentido opuesto al aplicado.
Si aplicamos un campo
elctrico variable en el tiempo,
los electrones en cada semiciclo de este se desplazarn en
contra de la direccin del
campo aplicado, colisionando
segn el modelo propuesto y
cediendo por lo tanto energa a
la red cristalina fenmeno que
conocemos
como
calentamiento dielctrico a altas

diagrama del hemiciclo positivo

Ee

Ea

frecuencias.

Validez del modelo

Al ser ste un modelo muy sencillo, (su sencillez lo hace muy

potente ), su empleo puede ser generalizado para explicar la conduccin
elctrica, no slo en materiales slidos como hemos visto sino tambin en
gases y en lquidos. Para esto recordemos el modelo que hemos realizado.
ste consta de ideas fundamentales :
* 1- un agente externo genera portadores de carga libres
* 2- un campo externo acelera estos portadores
*3- luego de haber recorrido una cierta distancia estos
portadores colisionan con otras partculas cediendo toda o
parte de su energa cintica
* 4- estas otras partculas ganan la energa que los portadores
de carga pierden incrementando su energa propia

O. VON PAMEL

13

S. MARCHISIO

* 5- el incremento de energa propia se traduce en un aumento

de temperatura y / o energa cintica de estas ltimas.
Resumiendo para los slidos :
agente externo
conductor
semiconductor
n
semiconductor
p
aislador

temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz

portador de
carga
e

colisiona con

efecto

ion de la red

ion de la red

ion de la red

ion de la red

aumento
temp.red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
aumento
temp. red

Conduccin elctrica en gases

Los gases estn formados por tomos y molculas elctricamente
neutros, y en condiciones normales se comportan como aisladores .
Al ionizarlos, es decir, al quitar electrones a los tomos y/o
molculas que forman el gas, se convierten en conductores de la
electricidad.
En esta situacin los tomos ( o molculas ) del gas se transforman
en iones positivos .
Por otra parte los iones negativos se forman en los gases al ligar
tomos o molculas neutras con electrones libres.
Se denomina trabajo de ionizacin Wi al trabajo realizado en contra
de las fuerzas de ligadura entre un electrn y las dems partculas del tomo
( o la molcula ).
Este trabajo Wi depende de la naturaleza qumica del gas y del
estado de energa del electrn en el tomo o molcula . Al aumentar la
ionizacin , es decir el nmero de electrones arrancados del tomo ,
aumenta el valor de Wi .
El agente ionizante por excelencia de los gases es la radiacin
csmica, en un gas monoatmico generara dos tipos de portadores de
cargas :
portadores de carga negativos :
msa :

e,
me

portadores de carga positivos : tomos parcialmente ionizados

msa :
ma >>> me

FSICA ELECTRNICA

14

MDULO IX

Aplicado un mismo campo elctrico E , como a = F / m

tendremos entonces:
1- todos los electrones se movern en la misma direccin y por lo
tanto no colisionarn entre si.
2- dem para los iones.
3- dada la diferencia de msa la velocidad de los electrones ser
mucho mayor que la de los iones dem con las energas
cinticas para este tipo de gas ( dado que Ec = 3/2 kT ) habr
dos temperaturas de partculas distintas Te >>Ti
4- al cabo de una trayectoria libre media los electrones en promedio
colisionarn con los iones.
5- esto har que aumente Ti a expensas de Te .Se observara un
aumento de la temperatura y presin del gas.
Si el fenmeno colisional fuera muy grande prodramos llegar a
obtener un plasma termalizado en el cual Ti = Te = Tp ( temperatura
del plasma).
En este momento podramos completar la tabla hecha para
materiales slidos de la siguiente manera:

gas

radiacion
cosmica

e
iones +

e-ion

aumento temp. y
presion gas

En gases no monoatmicos , en alguna situacin , podran llegar a

aparecer tambin iones negativos (que se forman cuando un tomo neutro
captura un electrn), por lo que podramos llegar a tener tres tipos de
portadores ,que en plasms no colisionales podran llegar a dar existencia a
tres temperaturas distintas.
Para plasmas colisionales valdra el resultado anterior .

Conduccin elctrica en lquidos

En un liquido polar como el agua la conduccin elctrica
depender de la cantidad de iones (aniones y cationes) que se formen por
disociacin de sales , cidos o bases que estn presentes en ella (las que
podemos suponer como impurezas ) estos iones sern los portadores de
carga .
En este caso los dipolos del solvente hara de agente externo
ionizante.

O. VON PAMEL

15

S. MARCHISIO

Otra vez se presenta un fenmeno de conduccin elctrica con

cargas de ambos signos, pero, a diferencia de los gases ambos son
masivos y de masas parecidas.
En su movimiento estos iones colisionaran con las molculas de
agua y con los iones de signo opuesto, el efecto ser un aumento de la
temperatura del liquido.
Completando ahora la tabla para estos casos
liquido polar

dipolos

iones +
iones -

colisiones entre las

distintas moleculas

aumento
temp.liquido

Resistividad
La densidad de corriente J que fluye a travs del material se
expresa o define por el producto del nmero de electrones por unidad de
volumen que pueden ser acelerados ( n ) , la carga del electrn ( q ) y la
velocidad media vd.
Por lo cual podemos escribir :
2

n q tcol
J = n q vd = n q E = ------------ . F
m*
La resistividad ( resistencia por unidad de longitud de un cristal,
cuya seccin transversal es la unidad de rea ) viene dada por el cociente
entre el campo elctrico E y la densidad de corriente J , es decir :
1
m*
= --------- = ------------2
nq
q tcol n

Resistividad de un semiconductor

En el caso de un semiconductor los portadores de corriente pueden

ser mayoritariamente electrones o huecos .
Analizaremos en especial cada tipo de semiconductor desde el
punto de vista de su resistividad.
a- tipo n

FSICA ELECTRNICA

16

MDULO IX

En este caso , los portadores mayoritarios de corriente son

electrones de conduccin .
La expresin particular de la resistividad es inmediata a partir de la
general ya vista , por lo que :
1
= ------------q n n
b- tipo p
En forma anloga para el semiconductor tipo p :
1
= -------------q n n
Por ultimo como en los semiconductores hay dos clases de
portadores con movilidades diferentes y a veces con diferentes
concentraciones , la formula se generaliza de la forma :
1
= ------------------q ( n n + p p )
Es menester recordar que aunque ambos portadores se desplacen
en sentidos opuestos conducen corrientes en el mismo sentido.
Debemos recordar adems que, para evaluar la concentracin de
portadores debemos basarnos en las ecuaciones ya vistas :
n = ND - NA

si ND > NA

P = NA - ND

si NA > ND

Nota:
En la figura siguiente se grafica la correlacin entre el nmero de
impurezas y la resistividad , para un semiconductor de silicio impurificado
con fsforo y boro ( dopado n y p ) a temperatura ambiente.

O. VON PAMEL

17

S. MARCHISIO

N Densidad de dopantes (cm-3)

21

10

1020
Boro

1019
1018
1017
1016

Fosforo

1015
1014
1013
1012

10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104

Resistividad ( / cm )

Variacin de la resistividad de los materiales con la temperatura

Cuando deducimos el valor de , ( resistividad ) en una muestra del
material , la expresamos en funcin del nmero de portadores que pueden
ser acelerados (n ) y del tiempo entre colisiones ( tcol ) llegando a:
m*
= --------------2
q tcol n
Esta es una de las frmulas ms importantes de la fsica del slido.
Nos dice que la resistividad de una sustancia determinada es
inversamente proporcional al nmero de electrones que puede ser
acelerado ,as como , al tiempo entre colisiones Tcol .
En otras palabras : si se duplica el nmero de electrones que
pueden ser acelerados , o el lapso transcurrido entre dos colisiones
consecutivas , la resistencia se reduce a la mitad.
Basndonos en ella , se puede ahora discutir las propiedades
elctricas de los distintos materiales .

FSICA ELECTRNICA

18

MDULO IX

Las cantidades que varan de cristal a cristal son n y tcol y , ambas ,

adems, varan con la temperatura.
Estudiemos pues separadamente el efecto de ambas variaciones.

1- Influencia de la variacin de Tcol con la temperatura sobre la

resistividad.

El tiempo entre colisiones consecutivas depende de varios factores y

esta relacionado con el nmero de centros de dispersin ( blancos de
choque ) que se presentan en la trayectoria del electrn .
A temperaturas muy bajas
tomos se congelan .

los movimientos vibratorios de los

Por lo tanto , el lapso entre colisiones a temperaturas muy bajas

depende crticamente de la perfeccin de la estructura cristalina y de las
impurezas que tenga el cristal.
El efecto de las colisiones producidas por las vibraciones elsticas
cambia notablemente con la temperatura
A la temperatura ambiente ( 300 K ) , las vibraciones atmicas
constituyen en al mayora de los casos , los centros de dispersin ms
abundantes e importantes.
1-a metales

Conviene destacar que si el nmero n de la formula de resistividad

fuera independiente de la temperatura , la resistividad de todos los cristales
debera decrecer a medida que la temperatura decrece, pues:
Si T decrece :
* Las vibraciones atmicas del cristal disminuyen .
* Hay por lo tanto menos centros de dispersin.
* Los electrones encuentran menos blancos con los
cuales chocar y el lapso entre colisiones sucesivas
se hace mayor, y
* Al aumentar Tcol , la resistividad decrece.
Este argumento slo se aplica a los metales , en cuyo caso es valida
la suposicin de que n es casi independiente de la temperatura .

1-b semiconductores

O. VON PAMEL

19

S. MARCHISIO

En los dems casos ya vimos que la variacin de n con la

temperatura es tan importante que anula el efecto descripto arriba y produce
un aumento (en muchos casos muy grande ) de la resistividad a medida que
T crece.

2- Influencia de la variacin de la concentracin de portadores n con la

temperatura

2-a metales
En este caso n es casi independiente de la temperatura por lo tanto
si T crece , entonces tcol disminuye , por lo tanto crece al crecer T.
2-b semiconductores ( termistores )
2-b-1 extrnsecos
Segn hemos visto la concentracin de portadores n en el caso de
un semiconductor extrnseco tiene una dependencia con la temperatura que
puede visualizarse a travs de la figura.( trazo lleno )
n (cm -3 )

Silicio tipo N

3 .10 1 6

2 .10 1 6

3
n

1 .10 1 6
ni
0
0

100

20 0 3 00

400 50 0 60 0
T (0K )

7 00

En
esta
distinguimos tres zonas (
para n ) , en donde a altas y
bajas temperaturas ( zonas
1 y 3 ) se incrementa con
ella segn las leyes ya
analizadas y en otra ( zona
2
)
n
se
mantiene
prcticamente constante.
Vemos que a 0 K ,
la ausencia de portadores
libres
hace
del
semiconductor un aislante

perfecto .
Cuando la temperatura crece , los electrones de los tomos de
dopaje consiguen la suficiente energa como para llegar a la banda de
conduccin y por lo tanto aumenta la conductividad del material ( 50 K ).
De 50 a 500 K , la disminuye porque las movilidades disminuyen.
A partir de los 500 K , el aumento brusco se debe al paso de
operacin extrnseca a intrnseca de del semiconductor.
FSICA ELECTRNICA

20

MDULO IX

La figura muestra la
variacin de conductividad con
al temperatura del silicio tipo P
15
3
con NA = 10 atom/cm .

conductividad (mu/m)
50
40
.

30
20
.

10

temp
200

400

600

La figura es para un
dado semiconductor , para otro
semiconductor y distinto dopaje
slo se modifican las escalas y
no la forma de la curva .

Si una resistencia esta

construida con un semiconductor extrnseco , en cierto rango de trabajo , al
variar la temperatura , la conductividad disminuye y por lo tanto su
resistividad aumenta , a estos termistores se los denomina PTC. (coef. de
temp. pos. )

2-b-2 Intrnsecos
La dependencia de ni con la temperatura puede observarse tambin
en la figura siguiente.
De ella podemos deducir
que si el termistor emplea un
semiconductor
intrnseco,
la
conductividad
aumenta,
la
resistencia disminuye por lo que
estos se denominan NTC. ( coef.
negativo.)

conductividad (mu/m)
50
40
.

30
20
.

10

temp
200

400

600

Variacin de la resistividad de los materiales con la

iluminacin
Si se irradia un semiconductor aumenta su conductividad.
Este efecto fotoconductivo se explica de la siguiente forma : la
conductividad de un material es proporcional a la concentracin de
portadores de carga presentes.
Como vimos la energa radiante suministrada al semiconductor
rompe los enlaces covalentes , y se crea un exceso de pares electrn hueco
respecto a los generados trmicamente.
O. VON PAMEL

21

S. MARCHISIO

Estos portadores de corriente en exceso disminuyen la resistencia

del material y , por lo tanto , tal dispositivo se denomina fotorresistencia o
fotoconductor.
Para una variacin de la intensidad de la luz de 100 lmenes / pie
cuadrado , la resistencia de un fotoconductor comercial puede variar varios
kilohms.

Corriente fotoconductiva y resistencia ( L D R )

Los
portadores
generados por fotoexcitacion
se movern bajo la influencia
de un campo aplicado.

foton

Si no se recombinan
, llegaran a los contactos
hmicos en los extremos de
la barra semiconductora ,
constituyendo entonces la corriente del dispositivo.

Esta corriente puede calcularse si se conoce la velocidad a la que se

generan los portadores por la luz y el tiempo de vida media de esos
portadores.
Si se expone el semiconductor a una iluminacin L se librea un
nmero de electrones por segundo N que depende de la iluminacin y de las
dimensiones del material , siendo :
N=ldL
donde :

: cte. que depende de la longitud de onda de la longitud

de onda de la radiacin lumnica recibida.
L : iluminacin
d : distancia entre electrodos
l : longitud de la muestra

Si se aplica entre electrodos una tensin V los electrones se

desplazarn con una velocidad v proporcional al campo E .
v = E = V/d
La constante de movilidad vimos que se llama movilidad.

FSICA ELECTRNICA

22

MDULO IX

No todos los electrones

llegan al electrodo positivo , si no ,
slo aquellos que han sido liberados
a una distancia del ctodo inferior a
v. , siendo la vida media de un
electrn libre .

dv

La
fraccin
de
electrones
que
continuara
corriente ser :

d v

los
la

v./d
y la fotocorriente y medida se obtiene a partir de :
i=Nqv/d =qlLV/d
donde q : carga elctrica del electrn.
Por lo tanto la resistencia R causada por la luz vale :
ql
-1
R = V / i = ------------- L
d
El tiempo de vida generalmente no es constante sino que depende
de la longitud de onda y de la iluminacin L
= o ( ) L

La relacin ente R y L podr expresarse con bastante aproximacin

a:
R=A L

De las ecuaciones anteriores resulta que :

q 0 l
A = --------------d
Para obtener una LDR sensible es necesario que A sea lo ms bajo
posible. Esto se logra eligiendo un sulfuro de cadmio con altos valores de :
, , 0 as como aumentando la relacin l / d tanto como sea posible.

O. VON PAMEL

23

S. MARCHISIO

material fotoconductor
ventana
capsula
metalica
sustrato
ceramico
terminales

semiconductor de CdS , vista interior

Esto
se
logra
usando
una
larga
y
estrecha tira de material
doblando varias veces
para que cubra poca
superficie..
Esta
disposicin se completa
dando a los electrodos
forma de peines con las
puntas intercaladas.

Estos fotoconductores disipan sin problems 300 mW y pueden

disearse para manejar sin problems varios vatios.
Existen otros tipos de dispositivos fotoconductores para aplicaciones
especificas :

ultravioleta
100
R
e
s
p
u
e
s
t
a
r
e
l
a
t
i
v
a

80

ZnS

4000

visible 7000

infrarrojo

CdS

60

PbS
PbTe 900K

Si

40

CdSe

20

PbSe

Ge
InSb 50k

GaAs

0
3000

5000

10.000

20.000

50.0000

La celda de sulfuro de plomo ( SPb ) presenta un pico en la curva

de sensibilidad a 2.9 m y por lo tanto se usa para deteccin infrarroja , o en
medidas de absorcin infrarrojas.
La clula de Selenio es sensible en todo el espectro visible ,
especialmente en el azul.

Difusin

Si suponemos una muestra del material en la cual la concentracin

de impurezas no es uniforme , los electrones se difundirn bajo la influencia
del gradiente de concentracin.

FSICA ELECTRNICA

24

MDULO IX

100.000

L a s z on a s m a s oscu r a s cor esp on d en

a u n a m a yor con cen tr a cion d e electr on es.

Aparece entonces una corriente

neta de Difusin proporcional a las
diferencias de concentraciones.
A la constante de proporcionalidad
se la llama difusividad o coeficiente de
Difusin D .

ID

El valor de este coeficiente fue

hallado por Einstein en funcin de la movilidad siendo :
KT
D = --------
q
Como existen dos movilidades distintas tambin se deducen
difusividades distintas:
KT
D = -------- p para el caso de los huecos
q
KT
D = -------- n para el caso de los electrones
q

Expresin general
semiconductor

del

flujo

de

portadores

en

el

Hasta aqu hemos introducido las ideas que fundamentan la

dinmica del movimiento de huecos y electrones de conduccin en un
semiconductor.
Vimos en este captulo el arrastre (movimiento en respuesta a un
campo elctrico ) que completa con la difusin ( resultado natural del
movimiento trmico aleatorio cuando no es uniforme la concentracin en el
espacio ) y recombinacin, tratadas en el captulo anterior (intento de volver
a las concentraciones de equilibrio por ambos tipos de portadores).
De hecho, todos estos procesos representan la respuesta del
semiconductor cuando se perturba su estado de equilibrio por medios
exteriores.

O. VON PAMEL

25

S. MARCHISIO

Nos interesa ahora conocer cual es la expresin del flujo de cargas

en el semiconductor .
Si bien ya contamos con algunos resultados importantes de los
distintos procesos, en forma separada, stos se dan, muchas veces, en
forma simultnea.
Consideramos al semiconductor en dos estados diferentes a saber :
en equilibrio
fuera del equilibrio ( caso de inyeccin )

Caso del semiconductor en equilibrio ( n . p = ni )

Para poder dar la expresin del flujo de portadores en este caso,
conociendo los distintos procesos dinmicos, debemos dar una definicin.
Llamamos flujo F de cualquier especie al nmero de entes de esa
especie que atraviesan la unidad de rea en la unidad de tiempo .
Se hace evidente a partir de lo expresado que un proceso que tiene
lugar en el semiconductor aportar directamente al flujo de portadores si
provee un desplazamiento neto por unidad de tiempo .
En el caso de un semiconductor en equilibrio los distintos procesos a
considerar son :
generacin de pares por efecto trmico: el efecto fundamental de

la generacin sobre el semiconductor es suministrar portadores

(despreciando la transferencia de impulso).
La generacin en s misma no provee un desplazamiento de cargas
en una direccin determinada por lo que no aporta al flujo de portadores en
el semiconductor.
Recombinacin de pares : este caso es opuesto al anterior en

cuanto al efecto que produce sobre al concentracin de portadores, pero

similar al anterior en cuanto tampoco genera en s un desplazamiento neto
de cargas .
Este proceso por lo tanto no aporta al flujo de portadores en el
semiconductor .
Difusin: en un semiconductor donde por alguna causa (debido a

los procesos de generacin y recombinacin o a su estructura), la

concentracin de portadores no es uniforme. Las cargas, realizando

FSICA ELECTRNICA

26

MDULO IX

movimientos aleatorios, se desplazan en el sentido de las concentraciones

decrecientes.
La difusin por tanto s aporta al flujo que estamos considerando
siendo ste proporcional al gradiente de concentraciones .
Arrastre ( accin del campo elctrico ): vimos cmo un campo

elctrico genera desplazamiento de portadores de uno u otro signo en el

semiconductor .
El flujo de electrones y huecos resulta proporcional al campo .Como
tienen cargas de signos opuestos se mueven en sentido contrario , pero
tambin conducen la corriente en el mismo sentido.

si consideramos simultneamente los dos procesos que proveen al

flujo en el semiconductor, ste ser la suma de las componentes de
arrastre y difusin .
Podemos escribir la densidad de corriente de huecos : ( Jp ) como :
Jp =

q p p E q Dp p
x
arrastre

y la de electrones :

Jn = q n n E

difusin

+ q Dn n
x

Obsrvese que los trminos de arrastre en las dos ecuaciones

tienen el mismo signo algebraico porque el campo elctrico origina
corrientes de igual sentido con las partculas cargadas con signos opuestos.

En cambio los trminos de difusin tienen signos algebraicos

opuestos porque un gradiente dado de concentracin hara que los dos tipos
de partculas se difundieran en el mismo sentido y por lo tanto transportaran
corrientes elctricas en sentidos opuestos debido a los signos opuestos de
las cargas.

En el caso de equilibrio que estamos considerando tanto Jn como Jp

son idnticamente nulas pues se compensan los trminos de arrastre y
difusin .

Caso del semiconductor en condiciones de inyeccin en bajo nivel

Vimos que en un semiconductor pueden crearse portadores en

exceso, tanto huecos como electrones de conduccin por distintos mtodos.
Las caractersticas dinmicas principales de estos portadores en exceso es
que son arrastrados por un campo elctrico, que se difunden alejndose

O. VON PAMEL

27

S. MARCHISIO

de las regiones de concentracin elevada y que desaparecen por

recombinacin.
En este caso tambin podemos escribir ecuaciones similares a
las vistas en el caso de equilibrio, que dan el flujo de cargas en el
semiconductor considerando ahora las concentraciones de equilibrio ms
las generada en exceso donde figuran n y p .
! Nota :
En el caso del semiconductor fuera de equilibrio la recombinacin
provee una variacin de concentracin por unidad de tiempo (velocidad de
recombinacin neta) y una distribucin de portadores no constante en
algunos casos a lo largo del eje x.
El flujo de portadores que se origina debido a este hecho se produce
mediante el mecanismo de difusin .
La recombinacin en s misma no provee flujo de portadores en el
semiconductor. Los portadores inyectados difunden debido a que existe
recombinacin que hace disminuir las concentraciones de huecos y
electrones; es decir, provee gradiente de concentraciones.

El efecto Thompson en metales y semiconductores .

Este efecto es interesante para ilustrar lo anteriormente expuesto.

En metales

FSICA ELECTRNICA

28

MDULO IX

Supongamos
una
barra
metlica que se calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la figura .

distribucin de portadores

metal
portadores generados trmicamente

fuente de

calor

Obsrvese la distribucin de
portadores en exceso as como la
corriente de difusin.
En la tercer representacin
en la figura se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se produce el
retorno al equilibrio.

difusin de portadores

desaparicin del proceso

distribucin de portadores gen erados

trm icam en te

El efecto Thompson se
produce cuando al fenmeno de
. inyeccin trmica le agregamos el
arrastre de portadores por parte del
campo elctrico.
El campo elctrico aplicado
dar origen a la aparicin de una
fem. entre los extremos de la barra.

cam po extern o
arrastre
difusin

difusin

En semiconductores

El proceso ser similar excepto que tendremos dos tipos de

portadores. Puede observarse en la figura siguiente la aparicin de la fem.

O. VON PAMEL

29

S. MARCHISIO

sem icon ductor

fuen te de

calor

ban da de con duccin

creacin

de pares

cam po elctrico extern o

cam po elctrico extern o

Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall

El movimiento de los portadores de carga adquiere nuevas
caractersticas en presencia de un campo magntico.
En el estudio de estas caractersticas, se emplea un filamento de un
slido al que se aplica un campo E en sentido longitudinal y un campo H
perpendicular a E.
Como consecuencia se produce en el filamento un voltaje en
direccin perpendicular a las de E y H .

Este voltaje se llama voltaje hall y es un efecto de suma utilidad en

la fsica de los semiconductores , porque permite estudiar directamente la
concentracin de los portadores de carga y su tipo de signo .
Analicemos el efecto hall segn la geometra de la siguiente figura.

FSICA ELECTRNICA

30

MDULO IX

En ausencia del campo magntico los electrones se mueven en una

direccin x opuesta a la direccin de E y se produce una densidad de
corriente Jx.
Efecto Hall en un semiconductor intrinseco
y

La fuerza f sobre el electrn

es igual a:

fx = q Ex

Ez

Si slo se aplica el campo

magntico H en la direccin de z ,
la fuerza magntica sobre un
electrn estar dirigida en la
direccin y , y ser igual a:

Ey

Hz

fm = - 1/c v x H

Efecto Hall en distintos materiales

donde :

fmy = -1/c vx. Hz

Esta fuerza empujara a los

electrones ( cargas negativas ) en
la direccin de la superficie inferior
del filamento.Como consecuencia
se formara un campo elctrico Ey
que cancelara el efecto del campo
magntico.

H
x
Semiconductor intrinseco
Ey

Hz
Semiconductor tipo N

---

J x Hz
vx Hz
Ey = ---------- = --------c
nqc

-- ----

Semiconductor tipo P

La medida de este campo

elctrico Ey nos da la concentracin
de electrones n.

+++ +++ +++

Conductor

El campo elctrico ser

negativo cuando los portadores de
cargas estn constituidos por
huecos ( semiconductores tipo p) .

--- - --- ---

El campo elctrico es mucho mayor en los semiconductores que en

los metales , debido a que en estos ltimos n es mucho mayor .
Al medir simultneamente el efecto Hall y la conductividad elctrica
se obtiene el valor de la movilidad H , denominada movilidad Hall, ya que:
J x Hz
1
Fy . = ---------- . qn = ----- Jx Hz H
nec
c

Superconductividad .
O. VON PAMEL

31

S. MARCHISIO

La superconductividad es un fenmeno caracterizado esencialmente

por la ausencia de resistencia al paso de la corriente elctrica.
As pues un superconductor puede dejar pasar cantidades
importantes de corriente, incluso a travs de una seccin muy estrecha sin
sufrir perdidas por calentamiento. Del mismo modo , si se induce una
corriente en un anillo superconductor la corriente puede circular
indefinidamente por el anillo sin ninguna atenuacin.
Este estado de superconduccin lo presentan solamente algunos
materiales cuando son enfriados a temperaturas muy bajas.
Sin embargo , no es esta la nica propiedad que se observa en los
materiales superconductores . Otra propiedad muy caracterstica es la
repeler los campos magnticos inducidos en las proximidades del material
superconductor. Este fenmeno se pone de manifiesto por la experiencia de
levitacin magntica o efecto Meissner , que consiste en la suspencin o
flotacin en el aire de un imn cuando se sita encima de una muestra
superconductora.
En la actualidad existen dos modelos que se emplean para explicar
este fenmeno . Nos limitaremos a presentar uno de ellos , por simplicidad
el que ms se aproxima a los modelos empleados en este curso.

Modelo de la molcula de dos electrones:

Este modelo supone que por debajo de una temperatura critica que
denominaremos de superconduccin Ts los iones estn fijos en sus
posiciones de equilibrio ( sin vibrar alrededor de ella ).

En la figura
se observa un corte
plano de una red
cristalina en la cual
todos los iones se
encuentran inmviles
en sus posiciones de
equilibrio.

FSICA ELECTRNICA

32

MDULO IX

Cuando
un
electrn
de
conduccin ( mvil a lo largo de la red , y
por lo tanto alejado del ncleo del ion ),
se acerca a ella , la atraccin
electrosttica entre este y los iones ,
har que la red se deforme.

Los iones ms prximos al

electrn saldrn de su posicin de
equilibrio acercndose a este.

A medida que el electrn avanza,

avanza con el la deformacin , la cual
tiene la forma aproximada de dos troncos
de pirmide unidas en su base menor.

Si aparece otro electrn en la

misma direccin , vera que la red
deformada forma una especie de cono .

Esto hace que este electrn siga

la misma trayectoria que el anterior.
Obsrvese la siguiente figura.

Por lo tanto la configuracin de

fuerzas de la red sobre los electrones
hace parecer como si estos se atrajeran
constituyendo una molcula , que se
desplaza por la red.

Obviamente esta molcula slo

puede existir dentro de la red cristalina
cuando esta a temperaturas menores a Ts.
Al estar formada por dos electrones de spin , su espn (suma
algebraica de ambos ser 0 o 1. Por lo tanto al ser de spin entero , esta
molcula no responder no a la estadstica cuntica de Fermi-Dirac y si lo
har a la estadstica cuntica de Bose-Einstein.
Por lo tanto para ella no regir el principio de exclusin de Pauli.
O. VON PAMEL

33

S. MARCHISIO

Por lo tanto todas las molculas de dos electrones que se formen

podrn tener la misma energa ( como los fotones ) , si esto ocurre se pude
demostrar que cualquier perdida de energa por colisin contra la red es
despreciable.
Es decir podemos suponer que se mueven sin colisionar con la red
por lo que su resistividad ser igual a cero.

Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores

En altos niveles de corriente, la concentracin de portadores

inyectados puede exceder por mucho la concentracin de dopaje del
material ( p ej.: pn >> ND ).
En este caso para que se mantenga la neutralidad de carga en el
material , la concentracin de electrones y de huecos debe igualarse.
Por lo tanto la concentracin de mayoritarios tambin se
incrementara cuando los portadores minoritarios se incrementen .
Esta condicin se conoce como modulacin de la conductividad
del semiconductor.
En la situacin de modulacin de la conductividad ,
el
semiconductor , aparece como si estuviera ms fuertemente dopado
cuando el nivel de inyeccin se incrementa.
Recordemos que cuanto ms dopamos un material este se vuelve
ms conductor , es decir su resistividad disminuye. (vease la figura
siguiente)
A altos niveles de corriente, una significativa carga espacial estar
presente en todo el material.

FSICA ELECTRNICA

34

MDULO IX

N Densidad de dopantes (cm-3)

21

10

1020

Ms adelante veremos que

esta ultima har
desaparecer las
diferencias entre regiones neutras y
regiones de carga espacial .

Boro

1019
1018
1017
1016
1015

Fosforo

1014
1013
1012
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104
Resistividad ( / cm )

Nota :
Un fenmeno similar ocurrir durante la descarga de arco en un gas.

O. VON PAMEL

35

S. MARCHISIO

APNDICE I
FSICA ESTADSTICA

O. Von Pamel

S.Marchisio

Contenidos del Mdulo

Elementos de Fsica Estadstica
Introduccin
Probabilidad del estado de un sistema
Valores medios de las magnitudes fsicas

Estadstica Clsica
Ley de equiparacin de la energa por grados de libertad
Distribucin de Maxwell-Boltzmann

Estadsticas Cunticas
Generalidades
Estadstica de Bose-Einstein
Estadstica de Fermi-Dirac

Fisica Electronica

Apendice I

Elementos de Fsica Estadstica

Introduccin

Se llama Fsica Estadstica a la parte de la Fsica que estudia las

propiedades macroscpicas de los sistemas basndose en los conceptos
cintico-moleculares y en los mtodos de la Estadstica Matemtica.
La Fsica Estadstica estudia los sistemas que se encuentran en
estado de equilibrio o prximos a l.
El objeto de la Fsica Estadstica es hacer el anlisis del
comportamiento y de las propiedades de estos sistemas basndose en
determinadas hiptesis acerca de su estructura atmica.

En la Fsica Estadstica se suponen conocidas las propiedades y

leyes del movimiento propio de los tomos, molculas y partculas
elementales que se estudian en la Mecnica Cuntica.
En muchos casos el estado de un sistema arbitrario constituido por
n partculas con s grados de libertad puede ser descripto por la Mecnica
Clsica mediante n.s coordenadas generalizadas
y n.s momentos
generalizados, es decir se dan 2.n.s variables independientes.
El espacio cuyos ejes coordenados son las 2ns coordenadas y
momentos generalizados se denomina espacio de las fases o espacio fsico.

El comportamiento de los sistemas formados por un gran nmero de

partculas es descripto por leyes Estadsticas que se diferencian de las leyes
que se emplean para describir a cada una de las partculas que componen
el sistema macroscpico.
El comportamiento de una partcula aislada, como por ejemplo, su
trayectoria, resulta ser irrelevante cuando se define el sistema
Estadsticamente.
Por esta razn, el estudio de las propiedades de un sistema se
reduce a buscar los valores medios de las magnitudes fsicas que
caracterizan el estado de dicho sistema en conjunto.
Una diferencia esencial entre los sistemas que se describen
Estadsticamente y los sistemas para cuya descripcin son suficientes las
leyes de la Mecnica es que el comportamiento y las propiedades de los
primeros son independientes en alto grado de su estado inicial.

La relacin que existe entre las leyes que describen el movimiento

de las partculas aisladas, - llamadas leyes dinmicas -, y las leyes
Estadsticas, se pone de manifiesto en el hecho de que las propiedades de
todo sistema macroscpico, estudiado estadsticamente, varan
O. Von Pamel

S.Marchisio

considerablemente en dependencia de las leyes de movimiento de las

partculas por separado.

Probabilidad del estado de un sistema

Cada uno de los diversos estados que puede presentar un sistema

tiene una cierta probabilidad de producirse.
La probabilidad wi de un estado i se define como el lmite de la
razn de tiempo ti durante el cual el sistema se encuentra en ese estado, al
tiempo total T de observacin del sistema, cuando T aumenta
indefinidamente. As podemos escribir:
wi = lim ti
T

T
Si una magnitud fsica determinada M es funcin unvoca del estado
y toma el valor Mi , quiere decir que el sistema se encuentra en el estado i .

La probabilidad del estado i-simo de un sistema coincide con la

probabilidad de que la magnitud fsica M tome un valor Mi.
Si N es el nmero total de mediciones de la magnitud M y Ni es el
nmero de mediciones en virtud de la cual se ha hallado que M tiene el
valor Mi, resulta que:
wi = lim Ni
N

Cuando el estado del sistema vara continuamente, hay que

referirse, no al valor de Mi, sino a un intervalo de valores de esta magnitud.
La probabilidad dw(M) de que la magnitud M tenga un valor que se
encuentre en el intervalo entre M y M + dM ser:
dw(M) = lim dtM
T

T
donde dtM es el tiempo durante el cual el sistema se encuentra en
los estados correspondientes a los valores de M comprendidos entre M y M
+ dM ; los valores de dtM y de dw(M) son proporcionales al intervalo dM. Es
decir :
dw(M) = f(M) dM
siendo f(M) la densidad de
distribucin de las probabilidades.

Fisica Electronica

probabilidad

funcin

Apendice I

de

Las condiciones de normalizacin de las probabilidades de un

estado pueden evaluarse de la siguiente forma:
cuando los estados son discretos :

i wi = 1

cuando el estado varia continuamente :

dw(M) = f(M) dM = 1

Valores medios de las magnitudes fsicas

El valor estadstico medio de la magnitud M se designa por M y se
determina de la manera siguiente:

si M vara en forma discreta M = i m wi

si M vara en forma continua: M = M dw(M) = M f(M) dM ,

donde la suma y la integracin, en cada caso, se extiende a todos

los estados posibles del sistema

Estadstica clsica
Ley de equiparacin de la energa por grados de libertad

En un sistema que se describa por las Estadstica Clsica, cuyo

estado se caracterice por ser de equilibrio termodinmico, a cada grado de
libertad de una partcula le corresponde una misma energa igual a K.T,
siendo k la contante de Boltzman y T la temperatura absoluta.
Todos los grados de libertad de un sistema definido por la Mecnica
Clsica son iguales energticamente. Esta es la esencia de al ley de la
equiparacin de la energa por grado de libertad.
Esta ley tiene un campo de aplicacin limitado y deja de ser vlida si
el sistema se define cunticamente.

Distribucin de Maxwell-Boltzmann

O. Von Pamel

S.Marchisio

La ley o distribucin de Maxwell-Boltzmann establece la distribucin

de las molculas de un gas, por coordenadas y velocidades, en presencia de
un campo de fuerzas potenciales arbitrarias.
Las frmulas de esta distribucin que ms se utilizan son:
2 Ep
-1 ( v2 + ---------- )
vp2
m

dnv = 4.n0

v2 dv

2
p

donde :
vp :

es la velocidad ms probable de las molculas

el nmero de molculas por unidad de volumen del gas

dnv :
en las proximidades del punto (x, y, z), cuyas velocidades estn
comprendidas entre v y v + v.
Ep(x,y,z): la energa potencial de las molculas en el punto del
campo de fuerzas exterior que se considera
el nmero de molculas por unidad de volumen del gas
n0 :
en el punto en que Ep =0
2

- px +py +pz

- Ep(x,y,z)

2mkT

dw =
.

e
1
3/2
(2 mkT)

kT

dpx dpy dpz . const e

dE(p)
distribucin de Maxwell

dx dy dz

dE(x,y,z)
distribucin de Boltzmann

siendo :
dw :
la probabilidad de que las coordenadas y las proyecciones
de los momentos de la molcula se encuentren en el elemento de
volumen del espacio fsico d = dx dy dz dpx dpy dpz y Ep(x,y,z) la
energa potencial de la molcula en el campo de fuerzas exterior.

De esta forma la distribucin de Maxwell-Boltzman se puede

considerar como una funcin de distribucin que representa el producto de
las probabilidades de dos sucesos independientes, a saber:
de la probabilidad de un valor dado del impulso de la molcula
(dw(p) )

Fisica Electronica

Apendice I

 de la probabilidad de una posicin dada de dicha molcula en el

espacio ( dw(x,y,z) )

Obsrvese que:
la energa total es E = Ec + Ep
y

Ec = ( px +py +pz )/2m

Podemos reescribir la ltima ecuacin como:

-E
kT

dw =

e
const.
3/2
(2 mkT)

Estadsticas cunticas
Generalidades

Se llama Estadstica cuntica a la teora que describe a los sistemas

constituidos por un nmero de partculas bastante grande para las que rigen
las leyes cunticas.
El estado de un sistema mecnico - cuntico arbitrario que tenga s
grados de libertad, se puede considerar en la llamada aproximacin
cuasiclsica, de forma anloga a como se hace en la Mecnica Clsica.
Pero en este caso se impone una limitacin a los posibles estados
del sistema, a saber:
A cada estado cuntico de s grados de libertad le
corresponde una celda en su espacio fsico cuyo
s
volumen es h .
Esto ltimo est de acuerdo con el Principio de Incertidumbre de
Heisemberg.
La variacin del estado del sistema puede tener nicamente carcter
discreto, es decir: el sistema salta de unas celdas del volumen fsico a
otras.
En la aproximacin cuasiclsica el paso a la celda fsica contigua
corresponde a una variacin muy pequea de las propiedades del sistema.
De este modo se puede considera que dichas propiedades varan en forma
continua.
O. Von Pamel

S.Marchisio

La distribucin de las partculas por las celdas del espacio fsico de

seis dimensiones (z , y , z, px , py , pz ) caracteriza un microestado
determinado del sistema .

La Estadstica Cuntica tiene por objeto buscar las funciones de

distribucin de los sistemas de partculas en el espacio de fase.
Una diferencia esencial entre las Estadsticas cunticas y la clsica
es la observacin consecuente, por parte de las primeras, del principio de la
indistinguibilidad de las partculas idnticas.
Cuando se resuelven problemas de distribucin de partculas
idnticas en un espacio de fase, en la Estadstica Cuntica carece de
sentido plantearse cual de estas partculas se encuentra en una celda dada
de dicho espacio.
El nico problema que se plantea es el de hallar el nmero de
partculas que hay en una celda dada.
El microestado de un sistema no vara si las partculas cambian de
sitio entre s dentro de una misma celda fsica o entre celdas diferentes.

Estadstica de Bose-Einstein

Esta Estadstica se emplea para describir sistemas de partculas de

spin entero o bosones (por ejemplo: Fotones , pares de Cooper y algunos
ncleos)
Se cumple en los sistemas definidos por funciones de onda
simtricas.

Para hallar la funcin de distribucin correspondiente a la Estadstica

de Bose Einstein, se divide todo el volumen fsico en pequeos elementos
I , en cada uno de los cuales hay gi estados con energas que van desde
Ei hasta Ei + Ei .
Si en un elemento dado de volumen de fase I hay Ni partculas,
stas se pueden distribuir de todas las maneras posibles entre los gi
estados de energa Ei.
gi = I / h

El nmero de estados es:

La probabilidad termodinmica de distribucin de las partculas por

estados en el espacio fsico permite hallar la distribucin ms probable
siempre y cuando:

Fisica Electronica

Apendice I

se conserven: la energa total del sistema

y
el nmero total de partculas

E = Ni .Ei
N = Ni

En lugar del nmero de partculas Ni ( Ei ) que hay en el intervalo

de energas Ei , se determina, por regla general, la densidad de poblacin
de los estados que tienen una energa dada; es decir, el nmero de
partculas ni que hay en un estado, el cual recibe le nombre de funcin de
distribucin de Bose-Einstein .

1
N ( Ei )
n i = ------------------- = ------------------------ gi
Ei -

e
siendo :

kT

- 1

el potencial qumico referido a una partcula , y

k la constante de Boltzman

El subndice i se omite algunas veces ya que esta funcin de

distribucin es vlida para cualquiera de los elementos del volumen fsico.

Estadstica de Fermi-Dirac

Esta Estadstica se emplea para describir sistemas de partculas de

spin semientero o fermiones, tal el caso de electrones, protones, neutrones,
etc.; es decir partculas para las que vale el principio de exclusin de Pauli.
En estos sistemas, en un estado cuntico, no puede haber ms de
una partcula.

La resolucin del problema de encontrar la distribucin ms

probable de las partculas por estados cunticos con la condicin de que:
se conserven:
la energa total del sistema
y
el nmero total de partculas

O. Von Pamel

S.Marchisio

conduce a la funcin distribucin de Fermi-Dirac:

1
N ( Ei )
n i = ------------------- = ------------------------ gi
Ei -

kT

+ 1

donde los smbolos empleados tienen la misma significacin que en

la Estadstica de Bose-Einstein.

NOTA 1:

Las funciones de distribucin de las Estadsticas clsica y cunticas

se pueden escribir de una sola forma:

1
n i = -------------------------

e
donde :

= 0 y
= -1
= +1

=0

Bose-Einstein
Maxwell-boltzmann

Ei -
kT

para la de Maxwell-Boltzmann
para la de Bose-Einstein
para la de Fermi-Dirac

en la figura se muestra la
forma de la funcin distribucin para
las tres Estadsticas.

Fermi-Dirac
1

E
2kT

NOTA 2:

En Fsica es comn denominar a la funcin de distribucin, cualquiera

sea la estadstica considerada, con f(E). Por lo tanto :

Fisica Electronica

10

Apendice I

1
nI = f(E) = -------------------------

Ei -
kT

NOTA 3:

Cuando aplicamos la Estadstica de Fermi-Dirac a un material,

entonces = EF (energa de Fermi).
Obsrvese que la probabilidad de ocupacin del nivel de Fermi por
parte de un electrn en un material para cualquier temperatura, es :
f(EF) = .

O. Von Pamel

11

S.Marchisio