Universidad Nacional De Colombia - Sede Bogota

Facultad De Ingeniera
ctrica Y Electro
nica
Departamento De Ingeniera Ele

nica
Electro
loga-II
Ana
2016-1

Caracterizaci
on de Transistores de Efecto de
Campo y Amplificadores B
asicos

Objetivo

Determinar experimentalmente las caractersticas y comportamiento de los transistores de efecto de campo (MOSFETS), y explorar su aplicaci
on en topologas basicas de amplificacion.

Materiales
Circuito Integrado CD4007
Resistencias
Condensadores
Protoboard

Pr
actica

Los dispositivos MOSFET, encuentran muchsimas de sus aplicaciones en conmutacion como integrados digitales (con
diversos grados de integraci
on), aunque en la actualidad han penetrado fuertemente en el campo de las comunicaciones
en circuitos de radio frecuencia, sobre todo bajo la tecnologa CMOS, es decir, dispositivos complementarios MOS
tanto de canal N como de canal P en el mismo chip. No es com
un encontrar, en presentacion discreta, transistores
MOSFET para se
nal y aplicaciones lineales; solo aquellos utilizados para aplicaciones de potencia son la alternativa
que se encuentra disponible en el mercado.
La informaci
on que se tiene de las hojas de datos de los transistores MOSFET, se circunscribe, aparte de los valores
lmites permitidos de voltaje y disipaci
on de potencia, a los datos relacionados con la aplicacion especfica del circuito
integrado, y no de sus componentes individuales. As que, si de desean conocer los parametros fundamentales Vt , k y
, es necesario medirlos experimentalmente, como se hara en la primera parte de esta practica.
La segunda parte, se enfoca en el dise
no de amplificadores basicos con MOSFET, utilizaremos para esta pr
actica
uno de los transistores MOSFET de canal N del circuito integrado EF 4007, o CD4007, que deben estar previamente
caracterizados, a saber, el factor de transconductancia kn y el voltaje de umbral Vt . Al dar un vistazo a la hoja
de datos del fabricante, este no proporciona informacion sobre estos parametros, ni tampoco sobre la longitud de
modulaci
on de canal. Sin embargo, es posible encontrar informacion detallada en algunos modelos Spice para este
integrado. En el Anexo 1, pueden encontrar algunos vnculos en los cuales se observan modelos Spice. Es posible que
para ser utilizado en el software de simulaci
on de su eleccion, sea necesario realizar algunos cambios.


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3.1

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Caracterizaci
on MOSFET (canal N y P)

En esta parte de la pr
actica se utilizar
a un arreglo de transistores MOS complementario, que viene en forma de circuito
integrado bajo referencias tales como HEF 4007, CD4007, o T C4007, el cual consta de tres MOSFET de canal N
y tres de canal P, que aunque vienen interconectados como un doble par complementario y un inversor, permiten el
acceso a cada dispositivo. El integrado viene en una pastilla DIP de 14 pines y es muy flexible en su utilizaci
on. En
la figura 1 se muestra la asignaci
on de pines completa, es decir, con el sustrato en la parte superior de la misma, y
simplificada en la parte de abajo. Esta u
ltima es la mas conveniente para nuestros propositos.

Figure 1: Configuraciones MOS4007

Un punto crtico que debe tenerse en cuenta, es que los pines 14 y 7, que son conexiones del sustrato de los
transistores de canal P y de los de canal N respectivamente, deben ser conectados de manera apropiada sin importar
que uso se le da a cada dispositivo. As el pin 14 debe ser conectado al voltaje mas positivo existente, y el pin 7 al
m
as negativo. Tambien es necesario observar, que la diferencia de potencial entre los pines 14 y 7, debe estar limitada
a 18 V ; pues de lo contrario puede presentarse una ruptura de voltaje interna. Por razones de seguridad limitaremos
ese valor a 16 V .
Previo al da de la pr
actica:
Consulte y adapte un montaje que le permita determinar directa o indirectamente el valor de los parametros kn ,
Vtn , n , kp , Vtp y p . Recuerde que los transistores MOS de canal N estan identificados por los terminales (3 4 5),
(9 10 12), y (6 7 8). De la misma forma, los transistores MOSFET de canal P estan identificados por los
terminales (6 14 13), (1 2 3), y (10 11 12).
El da de la pr
actica:
Den una explicaci
on clara de las razones por las cuales consideran que su circuito es el indicado para extraer los
par
ametros solicitados. Aseg
urese de llenar la tabla 1 incluyendo la incertidumbre de su medida.


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Table 1: Par
ametros del modelo lineal para MOSFETs.
Vth (V) K (mA/V 2 ) (V 1 )
Canal N
Canal P

3.2

Amplificadores MOSFET

Dise
ne un amplificador de tres etapas, con transistores MOSFET, que cumpla con las siguientes especificaciones:
VCC < 16 V .
10Hz < BWm < 1M Hz.
El voltaje de salida pico a pico debe ser el maximo posible.
ID < 10mA.
Avm > 10 V /V .
Previo al da de la pr
actica:
Analice el comportamiento de los circuitos dise
nados. Obtenga los valores de polarizacion DC y estime el valor
de la transconductancia gm y proceda a calcular los valores de ganancia Avm en peque
na se
nal. Tambien estime las
impedancias de entrada Zi y de salida Zo del amplificador.
Verifique los resultados de su an
alisis con simulaciones. Tenga en cuenta las tolerancias de cada elemento. Observe
la respuesta en frecuencia de los amplificadores. Estime los puntos de corte en alta y baja frecuencia para el ancho de
banda medio del amplificador (BWm ).
El da de la pr
actica:
Comprueben la correcta polarizaci
on de sus dise
nos.
Realicen el c
alculo de corriente de Drenador.
Eval
uen la ganancia, impedancias de entrada y salida, y ancho de banda a partir de sus medidas.
Experimente con los circuitos dise
nados y saque sus propias conclusiones.


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Anexo 1: Modelos SPICE CD4007

NOTA: Antes de usar alguno de los modelos, aseg
urese de entender que significa cada uno de los parametros.

http://people.rit.edu/lffeee/CD4007_SPICE_MODEL.pdf
http://www.cpp.edu/~bolson/web_pages/how_to_spice.htm
http://materias.fi.uba.ar/6625/TPs/TP2/CD4007.lib