TFE

08/04/2012

SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES

Las propiedades de todo material slido dependen
de los tomos que lo constituyen y de cmo se
agrupan stos, o sea de la estructura cristalina. Para
visualizar las propiedades elctricas de los distintos
materiales resulta til el modelo de bandas de
energa. Para un tomo aislado existen niveles
discretos de energa permitida para los electrones.
En los slidos, los niveles de energa permitidos a
los electrones consisten en bandas continuas,
separadas por bandas de energa prohibida. La
banda energtica inferior es la llamada banda de
valencia, y la superior banda de conduccin. Entre
estas dos bandas se encuentra la banda prohibida
de energa.

aplicar un campo elctrico. Su resistividad se

encuentra en el entorno de 10-5 y 10-6 cm.
Los materiales aislantes se caracterizan por una
zona prohibida ancha. En estos en un amplio rango
de temperaturas, prcticamente todos los electrones
permanecen ligados a los tomos. Por lo tanto al
aplicar un campo elctrico no se consigue corriente
elctrica al no disponer de cargas libres dentro del
material. Su resistividad se aproximadamente del
orden de 1018 cm a temperatura ambiente.

Para los metales existe un solapamiento entre la

banda de conduccin y la de valencia. Al no existir
zona prohibida los electrones pueden moverse
libremente por el slido al aplicarse un campo
elctrico, y por lo tanto el material es un buen
conductor. Por lo tango la estructura cristalina o
disposicin atmica es tal que los electrones (e- de
valencia) estn compartidos por todos los tomos y
se mueven libremente por todo el material. Por lo
tanto la conduccin neta tiene lugar a consecuencia
del movimiento neto de dichos electrones libres al

1.-Bandas de energa de un semiconductor a temperatura

ambiente.

Finalmente en los materiales semiconductores la

banda prohibida es estrecha. Su resistividad se
encuentra entre de 10-3 y 105 cm. A 0K los
semiconductores tienen todos sus electrones en la

SEMICONDUCTORES
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin,
la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

banda de valencia, y la de conduccin est vaca,

por lo tanto a bajas temperaturas pueden ser muy
buenos aislantes. A temperatura ambiente, debido a
la excitacin trmica, algunos electrones tienen
energa suficiente para pasar a la banda de
conduccin. Por lo tanto a elevadas temperaturas
pueden
ser
buenos
conductores.
Este
comportamiento elctrico viene dado por su
disposicin atmica o estructura cristalina.1
Los semiconductores son por lo tanto peores
conductores que los metales pero mejores que los
aislantes. La corriente en un semiconductor
puede darse por dos motivos: por un flujo de
electrones negativos, similar a la corriente en un
conductor, o por el movimiento de huecos, o sea
lugares donde falta un electrn, en direccin
opuesta. Puesto que los huecos representan la
carencia de un electrn, el movimiento de estos se
puede considerar como una corriente de cargas
positivas.

3 Estructura cristalina Si, intrnseco.

A temperaturas superiores, la vibracin trmica de

los tomos de la red cristalina genera que se
rompan los enlaces covalentes, con lo cual las
cargas libres se mueven por el cristal.

El material semiconductor en que la corriente es

debida al movimiento de cargas negativas es
llamado semiconductor n, en tanto cuando la
conduccin se debe al movimiento de los huecos es
llamado semiconductor p.
Dentro de los semiconductores ms utilizados
destacamos el Si, y el Ge.

4 Estructura cristalina Si ante aumento de temperatura,.

La energa necesaria para romper el enlace ha de

ser igual o mayor que Eg (ancho de la regin
prohibida), por lo tanto es una energa de
ionizacin. Para algunos semiconductores este
valor es de:
2 imagen obtenida de: http://solete.nichese.com/silicio.html

Eg (Si) 1,12 eV y Eg (Ge) 0,7 eV a Ta = 300 K.

Se suele representar en un plano de la forma,

donde se representan los enlaces covalentes, los
iones de Si y los electrones de valencia:

La peculiaridad ms destacable de la vacante

dejada en el enlace covalente es que se comporta
como si fuera una nueva partcula libre de carga
positiva +q (q =1,6 10-19 C) y de masa
comparable a la del electrn. Esta partcula
aparente recibe el nombre de hueco.

En los semiconductores ms usuales su estructura

cristalina se suele denominar estructura diamantina.
Poseen enlaces covalentes.

Los huecos a su vez contribuyen a la conduccin

de corriente elctrica. Cuando un enlace est
incompleto, de forma que hay un hueco, es fcil
que un electrn ligado de un tomo vecino
abandone el enlace covalente para llenar el hueco.
Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco
deja, a su vez, otro hueco en su posicin inicial.
Por tanto, el hueco se mueve efectivamente en
direccin contraria al electrn ligado.

ligados entre sus enlaces covalentes. El electrn

liberado inicialmente por la vibracin trmica no
interviene en este proceso y puede desplazarse de
manera totalmente independiente. Se ha convertido
en un electrn de conduccin.
Por lo tanto en un semiconductor intrnseco los
electrones de conduccin y los huecos se
encuentran siempre en igual nmero, ya que al
romper un enlace covalente se crean
simultneamente un electrn de conduccin y un
hueco, que se mueven independientemente.

El movimiento del hueco puede considerarse como

la transferencia de la ionizacin de un tomo a otro
efectuada por el movimiento de los electrones

SEMICONDUCTOR INTRNSECO
El silicio es el material semiconductor ms usado
en la industria del circuito integrado. El silicio
tiene cuatro electrones de valencia y sus tomos
estn unidos por enlaces covalentes. A la
temperatura del cero absoluto la banda de valencia
est completamente llena de los electrones y no se
genera ningn flujo de corriente. Al aumentar la
temperatura del cristal de silicio se incrementa la
probabilidad de romper el enlace covalente. Las
vacantes producidas por los electrones liberados se
denominan huecos. Al proceso de crear pares libres
de electrn-hueco se le denomina ionizacin. Los
electrones libres se mueven entre la banda de
conduccin. El nmero promedio de portadoras
(los huecos o electrones mviles) que existen en un
material del semiconductor intrnseco es definido
por la ley de la accin de masas2:

Por lo que el nmero de portadores presentes en un

semiconductor intrnseco ni es funcin de la
temperatura de trabajo T. Donde ni es el n de
electrones /cm3, y se denomina concentracin
intrnseca del material. ni(Si, Ta)1,5.1010cm-3.
Donde:
T es la temperatura absoluta en K
k es la constante de Boltzmann ( k = 1.38 x 1023
J/K or 8.62x10-5eV/K )
Eg es el ancho de la zona prohibida en eV. Eg
es 1.21 y 1.1eV para el Si a 0K y 300 K,
respectivamente.

A es una constante que depende del material:

La ley de accin de masas, establece que para una

reaccin qumica reversible en equilibrio a una
temperatura constante, una relacin determinada de
concentraciones de reactivos y productos, tienen un
valor constante. Est ley se basa en aadir impurezas a
un semiconductor, dependiendo que tipo de impurezas
podemos deducir conclusiones generales. np=ni2

h es la constante de Planck (h = 6.62 x 10-34 J s or

4.14 x 10-15 eV s).

mo es el resto de la masa de un electrn

mn* es la masa efectiva de un electrn en un
material.

Concentracin de electrones vs. Temperatura

14

10

13

mp* es la masa efectiva de un hueco en el

material.

Conc entrac in de elec trones , c m -3

10

Las concentraciones de los portadores mviles

dependen del ancho de la banda prohibida Eg,
medido respecto a la energa trmica kT. Para
pequeos valores de T ( kT Eg ), ni es pequeo
dando a entender que hay menos transportadores
mviles. Para el silicio, el equilibrio de la
concentracin intrnseca a la temperatura ambiente
es:

12

10

11

10

10

10

10

10

10

260

280

300

320
340
Temperatura, K

360

380

5.- Concentracin electrones con la temperatura

ni = 1.52 x 1010 electrones/cm 3

SEMICONDUCTOR EXTRNSECO
Los semiconductores intrnsecos presentan el
mismo nmero de electrones de conduccin que de
huecos, por lo que no son suficientes para la
mayora de las aplicaciones. Por lo que interesa
aumentar el nmero de portadores. Para ello
aadimos impurezas de forma controlada, en estos
la conduccin se corriente tiene lugar
preferentemente por uno de los dos tipos de
portadores.

encontrndose, an sin estar libre, en un nivel

energtico superior a los cuatro restantes. Si como
antes, consideramos el efecto de la temperatura,
observaremos que ahora, adems de la formacin
de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no
enlazados, ya que la energa necesaria para liberar
el electrn excedente es del orden de la centsima
parte de la correspondiente a los electrones de los
enlaces covalentes. As, en el semiconductor
aparecer una mayor cantidad de electrones
que de huecos; por ello se dice que los electrones
son los portadores mayoritarios de la energa
elctrica y puesto que este excedente de electrones
procede de las impurezas pentavalentes, a stas se
las llama donadoras. Los transportadores
mayoritarios son los electrones y los minoritarios
son los huecos.

Los semiconductores extrnsecos se forman al

aadir determinadas impurezas a los tomos del
cristal de Si.
SEMICONDUCTOR TIPO N
Un semiconductor de tipo N se forma al dopar el
cristal de Si con elementos del grupo V de la
tabla peridica (Sb (Antimonio), As (Arsnico) y P
(Fsforo)). Los tomos de impureza se denominan
donadores. Al tener stos elementos 5 electrones
en la ltima capa, resultar que al formarse, como
antes, la estructura cristalina, el quinto electrn no
estar ligado en ningn enlace covalente,

6.- Material tipo N

8.- Material tipo P

Aun siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue

cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo
se aumente el nmero de electrones libres, al
hacerlo, se incrementa la probabilidad de
recombinacin, lo que resulta en un disminucin
del nmero de huecos p, es decir: n > ni = pi > p,
tal que: np = ni2 Por lo que respecta a la
conductividad del material, sta aumenta
enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo
un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio,
la conductividad es 24100 veces mayor que la del
silicio puro.

Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco

como el formado antes con el salto de un electrn,
sino que tiene un nivel energtico ligeramente
superior al de la banda de valencia.

9.- Obtenido de:

http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes

con facilidad dejando huecos en la banda de
valencia en mayor nmero que electrones en la
banda de conduccin, de modo que ahora son los
huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en
el caso anterior, el incremento del nmero de
huecos se ve compensado en cierta medida por la
mayor probabilidad de recombinacin, de modo
que la ley de masas tambin se cumple en este
caso: p > pi = ni > n, tal que: np = ni2

7.- Obtenido de:

http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor

SEMICONDUCTOR TIPO P

Vemos que para los materiales semiconductores

(intrnsecos o extrnsecos) la ley de accin de
masas es que np=cte. Donde n es la concentracin
de electrones y p la concentracin de huecos.

Un semiconductor tipo P es el que se ha dopado

con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In). En
este caso, las impurezas aportan una vacante,
por lo que se las denomina aceptoras (de
electrones, se entiende).

En los intrnsecos p=n=ni

pn= ni 2
La ley de accin de masas nos permite calcular la
densidad de portadores mayoritarios y minoritarios

En el Silicio tipo P, a temperatura mayor que cero,

el material estar formado por:

en un material extrnseco. El cambio de la

condicin de neutralidad de un semiconductor
implica que:

n + NA=p + ND

Huecos procedentes del dopado.

Huecos procedentes de la generacin trmica
de pares e-/h+.
Electrones procedentes de la generacin
trmica de pares e-/h+.
Electrones y huecos procedentes de
impurezas no deseadas.

Donde:
NA concentracin de aceptores

En este caso, los huecos son los portadores

mayoritarios, y los electrones los minoritarios.

ND concentracin de dadores
n concentracin de electrones

p concentracin de huecos

Si ND> NA tipo N, es decir la concentracin de

dadores es mucho mayor que la concentracin
de electrones intrnsecos. Por ejemplo ND es
tpicamente de 1017 cm-3 y ni=1.5x1010 cm-3 en el Si
a temperatura ambiente. As la concentracin de
mayoritarios y minoritarios viene dada por:

Ms huecos (mayoritarios) que electrones

(minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Un ejemplo de grfico de portadores minoritarios

en semiconductor tipo N a 300K, sabiendo que la
concentracin de dopado vara entre 1013 a 1018
atomos/cm-3. En material tipo N los portadores
minoritarios son los huecos. Du grfico sera:
7

2.5

nn N D
ni2
ND

Concentracin de huecos, cm-3

Si NA> ND tipo P. Los aceptores NA es mucho

mayor que la concentracin de huecos
intrnsecos pi=ni. As que la las concentraciones
mayoritarias y minoritarias vienen dadas por:

1.5

0.5

0
13
10

pp NA

Concentracin de huecos

x 10

14

10

15

16

10
10
Concentracin de dopado, cm-3

17

10

Ilustracin 10.- Grfico variacin portadores minoritarios

(huecos) material tipo N segn la concentracin de dopado.

ni2
NA

NIVEL DE FERMI
El nivel de Fermi, EF, es una energa qumica del
material, que se utiliza para describir el nivel de
energa cuya probabilidad de ocupacin es del
50%.

18

10

EC es la energa de la banda de conduccin

EV es la energa de la banda de valencia
Resto de los parmetros estn definidos
anteriormente.
En un material intrnseco (Si o Ge) mn* y mp* son
de la misma magnitud y EF>>kT con lo que se
simplifica

Dnde:
n es la densidad total de electrones
portadores
ni es la densidad de electrones intrnsecos
EF es el nivel de dopado de Fermi
Ei es el nivel de Fermi intrnseco.
Para semiconductores tipo P, hay un
desplazamiento descendente en el nivel de Fermi.
La densidad total de huecos viene dada por:

Lo que define que la energa de Fermi se encuentra

en el centro de la banda prohibida en un material
semiconductor.
En semiconductor tipo N, se produce un
desplazamiento del nivel de Fermi hacia el borde
del nivel de la banda de conduccin.
El desplazamiento ascendente depende de lo que la
densidad del dopado del electrn ha excedido el
valor intrnseco

11.- Banda energa para a) Intrnseco b) Tipo N y c) Tipo P

DENSIDAD DE CORRIENTE Y MOVILIDAD

En los semiconductores existen dos procesos que
producen corriente elctrica:

estn siempre en movimiento trmico aleatorio, y

se mueve dentro del cristal en todas las
direcciones, en equilibrio trmico y sin campo
elctrico aplicado, el movimiento de todos los
portadores se cancela y la corriente media en
cualquier direccin es nula.

Arrastre: movimiento de portadores en

respuesta a un campo elctrico.

Difusin: movimiento de portadores

debido a un gradiente de concentracin.
Hay un tercer tipo de respuesta que es el proceso
de generacin-recombinacin. Los tres tipos
descritos se dan simultneamente dentro del
semiconductor.

ARRASTRE
El arrastre o deriva es el movimiento de partculas
cargadas en respuesta a un campo elctrico
aplicado. En los semiconductores al aplicar un
campo E, la fuerza resultante sobre los portadores
tiende a acelerar as los huecos (p) en la direccin

Otro fenmeno a destacar, es el movimiento

aleatorio trmico. La energa trmica sirve para
moverse. Los portadores dentro del semiconductor
7

del campo E y a los electrones (n) en sentido

contrario. Pero debido a las colisiones con la red
cristalina la aceleracin de los portadores se ve
interrumpida. El resultado neto es un movimiento
de las cargas positivas en a direccin de E pero con
sucesivos
periodos
de
aceleraciones
y
desaceleraciones por choque. Por lo que se
describe el movimiento en trminos de velocidad
de arrastre o deriva constante, es decir, portadores
del mismo tipo movindose a velocidad constante
en un mismo sentido o en sentido contrario al
campo E aplicado.

En
los
semiconductores
extrnsecos
la
concentracin de uno de los portadores es mucho
mayor que la del otro. Por lo que la conductividad
total en semiconductor extrnseco ser:

En un semiconductor intrnseco, n=p=ni

conductividad intrnseca

DIFUSIN

La densidad total de corriente de arrastre en u

semiconductor extrnseco es:

La difusin es un fenmeno de la cintica de los

gases de partculas clsicas que tiene su origen en
el movimiento aleatorio de agitacin trmica que
las hace recorrer todo el recinto que las encierra.
Despus de un choque cada partcula tiene la
misma probabilidad de dirigirse en cualquier
direccin, lo que hace que exista un flujo neto de
partculas de las regiones ms pobladas a las
menos pobladas que tiende a homogeneizar su
concentracin. Es decir, la difusin se produce
siempre que existan variaciones espaciales de la
concentracin de partculas libres, y no tiene que
ver con que las partculas estn cargadas o no.

Donde:
J es la densidad de corriente
n es la densidad de movimiento de
electrones
p es la densidad de huecos
n es la movilidad de un electrn

Si las partculas poseen carga elctrica, estos flujos

de difusin transportan la carga y por lo tanto hay
corriente elctrica.

p es la movilidad de un hueco
q es la carga de un electrn
E es el campo elctrico

La ley de Fick es una ley cuantitativa que describe

los procesos de difusin de materia o energa en un
medio en equilibrio.

Es decir, la aplicacin de un campo E conduce a

corrientes de arrastre de electrones y de huecos en
el sentido de E.
Sabiendo

, que la conocemos como la ley de

12.- Ley de Fick. D es coeficiente de difusin. Donde n es
concentracin de portadores

ohm, y que representa la proporcionalidad entre

densidad de corriente y campo aplicado, la
conductividad () es

A partir de la conductividad podemos deducir la

resistividad que presenta un semiconductor.

13.- Imagen de:

www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/transporte/difusion/difusion.htm

La ley de Fick afirma que la densidad de corriente

de partculas es proporcional al gradiente de
concentracin.
Asumiendo que hay una difusin de huecos del
rea de alta concentracin a la de baja
concentracin, la densidad de corriente de huecos
en la direccin x es:
CORRIENTES TOTALES DE ELECTRONES
Y HUECOS
Resumiendo lo anterior y teniendo en cuenta que
en el semiconductor se pueden dar ambos
mecanismos:
Donde:

q es la carga de un electrn

Dp es la constante de difusin de huecos

Aunque tengamos los mismos gradientes en las

concentraciones de electrones y huecos, el trmino
de la difusin no es generalmente nulo que que
Dn> Dp por la relacin de Einstein.

p es la concentracin de huecos
Esta ecuacin asume que la concentracin vara a
lo largo de la direccin x, y que es constante en y y
z.

Como hemos visto, existen dos mecanismos

bsicos que provocan el movimiento neto de los
portadores, y que por tanto dan lugar a corriente
elctrica dentro de un semiconductor: movimiento
provocado por campo elctrico, que da lugar a la
corriente de arrastre y el originado por diferencias
de concentracin que da lugar a la corriente de
difusin.

De forma similar lo definimos para la densidad de

corriente del electrn:

El coeficiente de difusin, D es, por lo tanto, una

caracterstica del semiconductor, del portador y de
la temperatura. Y, al igual que depende tambin
de la concentracin total de impurezas. Sus
unidades habituales son cm2/ s .Para el Si Dp =
13cm2/s y Dn=200 cm2/s. Las constantes de
difusin y movilidad estn definidas bajo
condiciones de estado estable de la relacin de
Einstein3:

GENERACIN Y RECOMBINACIN
Es uno de los principales fenmenos de los
portadores. Definimos

Generacin, como el proceso por el cual se

crean pares e--h+ (portadores). Supone en la
teora de bandas de energa la transicin de
un e- desde la BV a la BC (suministrar
energa >=EG). Segn el tipo de energa se
clasifican en: generacin trmica (energa

La relacin de Einstein (o Relacin de EinsteinSmoluchowski) determina la constante de difusin de

una partcula en el estudio del movimiento browniano
mediante la siguiente ecuacin: D = KbT .
Donde D, es la constante; , la velocidad de la partcula
tras una fuerza aplicada; Kb, la constante de Boltzmann
y T, la temperatura absoluta del fluido.

absorbida para liberarse es de origen

trmico) y generacin ptica (el electrn
absorbe un fotn para romper el enlace
covalente).

Si queremos determinar, por ejemplo, cmo afecta

la concentracin de dopado sobre la movilidad y
sobre la resistividad, podemos considerar el
siguiente ejemplo.

Recombinacin, como el proceso contrario a

la generacin, por el cual los e- y los h+ son
destruidos. Supone en la teora de bandas de
energa la transicin de un e- desde la BC a

Dado unos datos empricos que nos permiten

determinar la relacin entre movilidad de
electrones (n) y huecos (p) segn la concentracin
de dopado a 300K.

la BV (liberacin de energa >=EG). Segn el

tipo de energa que desprende el electrn en
este

proceso,

tenemos:

recombinacin

trmica (la energa en exceso se libera en

forma de energa trmica), recombinacin
ptica (la energa en exceso se libera en
forma de fotn, ej. AsGa, es la base fsica de
los LED y el Lser), recombinacin Auger
(proceso contrario a la generacin por

Donde ND y NA son las concentraciones de

donadores y aceptores por centmetro cuadrado.
Podemos obtener la grfica:

impacto, dos electrones libre colisionan, uno

de ellos el que se recombina, cede energa de
exceso al otro en forma de energa cintica).

Movilidad vs dopado
1400

Por lo que hemos destacado, los mtodos de aporte

de energa para los procesos de generacin y
recombinacin pueden ser diferentes, as podemos
destacar los procesos de variacin de la
temperatura que se producen en la generacinrecombinacin trmica cuando se produce la
fotogeneracin.

1200

Bulk Movilidad (cm2/v.s)

1000

Movilidad electrones

800

600

Movilidad huecos

400

Estos procesos se pueden producir en el volumen

del semiconductor o en la superficie, en este ltimo
caso se habla de generacin y recombinacin
superficiales.

200

0
14
10

Estos procesos a su vez afectan al flujo de corriente

en los semiconductores, modificando las
concentraciones de portadores implicados en los
procesos de arrastre y difusin.

15

10

16

17

18

10
10
10
Concentracin dopado en cm-3

19

10

20

10

Ilustracin 14.- Movidad electrones/huecos en funcin cd

concentracin de dopado a 300K

Y si la a 300K la resistividad del Si dopado con

fsforo es:

En
una
situacin
estacionaria
(rgimen
permanente) el nmero de portadores que se
generan por unidad de tiempo y de volumen debe
ser, en promedio igual a los que se recombinan.
Cuando el semiconductor alcanza el estado
estacionario, sin nuevo aporte de energa se dice
que est en equilibrio trmico. En este estado las
concentraciones de electrones y huecos tienen la
propiedad que hemos denominado como ley de
accin de masas: n=p=ni2

Y con boro:

Podemos obtener el diagrama de la resistividad en

funcin de la concentracin de dopado.

10

Resistividad segn dopado

140

120

la ecuacin queda:

R e s is t iv id a d (o h m -c m )

100

80

60
P-tipo
40

20

VC es un valor de 0.5 a 0.8 para unin PN de Si o

de 0.1 a 0.2 para Ge.

N-tipo
0
14
10

15

16

10
10
Concentracin de dopado cm-3

17

10

Cuando se aplica un voltaje Vs al lado P de la

unin y el N se pone a masa, la barrera de
potencial disminuye, lo que permite flujo a travs
de la zona.

Ilustracin 15.- Resistividad Si en funcin de concentracin

dopado de Fsforo o de Boro

UNIN P-N

La regin que rodea la unin se denomina: Zona

de Deplexin, Zona de Carga de Espacio,
Zona de Agotamiento o Zona Dipolar. Su
ancho depende del dopado, material, tensin
aplicada, ..

La unin PN es el bloque constructivo principal

bsico usado en todo dispositivo semiconductor.
Decimos que en un monocristal semiconductor
existe una unin pn, cuando la concentracin neta
de impurezas NdND-NA

Unin p-n

16.- Zona de deplexin, diodo sin polarizar. Obtenido de:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas
/Pagina7.htm

El campo elctrico crea una diferencia de potencial

a travs de la unin, una barrera de potencial VC.

POLARIZACIN DE LA UNIN
Para que haya flujo de corriente en el
semiconductor la diferencia de potencial entre
nodo y ctodo debe ser mayor que cero. Si Vs = 0;
Va-Vk= Vjo= VC , es decir la diferencia de
potencial entre los terminales de nodo y ctodo
debe superar el valor de tensin umbral para que
haya circulacin de corriente. Si Vs > 0, Vs = Va Vjo+ Vk, el potencial de unin Vjo = VC - Vs es

11

decir el potencial disminuye. Si Vs < 0 el potencial

de unin aumenta, Vjo = VC + Vs

Potencial de la Unin vs. Voltaje fuente

1.8
1.6

Para una unin PN de Si con ND=1014 cm-3 y

NA=1017 cm-3 y con ni2=1.04x1020 cm-6 a T=300K.
Podemos obtener al aplicar frmulas anteriores que
se potncial de contacto es de 0,6535 V y podemos
determinar cmo vara el potencial de unin
cuando el voltaje VS se incrementa de -1.0 a 0.7V.

1.4
P o te n c ia l d e la u n ic n , V

Potencial de la unin es Vjo= VC - Vs

1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2
0
0.2
Voltaje fuente, V

0.4

0.6

0.8

Ilustracin 17.- Variacin del potencial de la unin en funcin del

votaje de la fuente

DIODO DE UNIN.
Las propiedades elctricas de los semiconductores
se ven muy alteradas cuando al cristal se
incorporan tomos de otro material llamados
impurezas.

ver afectada. Al unir un material P con uno N, se

alteran completamente las propiedades. Cuando la
terminal positiva de la fuente es conectada al
material P y la negativa al N, los electrones libres
del lado N son atrados a travs de la unin hacia el
contacto positivo, y los huecos positivos del lado P
son atrados en sentido opuesto, hacia el contacto
negativo. Esto recibe el nombre de polarizacin
directa. Aplicando una pequea tensin, circula
una alta corriente, siendo la resistencia directa muy
baja.

Para construir un diodo se le agrega al silicio

tomos de otro elemento, por ejemplo boro. A este
proceso se le llama dopado. El boro se llama
material aceptor porque puede aceptar tomos de
la banda de valencia del silicio. Luego de este
proceso el material dopado resulta ser
semiconductor P, el cual es buen conductor al ser
aplicado un campo elctrico. Luego tomamos otro
trozo de silicio y le agregamos tomos de fsforo.
El fsforo se llama material donador, porque
puede ceder electrones a la banda de conduccin
del silicio, resultando el compuesto un
semiconductor N.

Si ahora invertimos las conexiones de la fuente, los

huecos del lado P tienden a alejarse de la unin
hacia la terminal negativa, y los electrones del lado
N tienden tambin a separarse de la unin, hacia el
terminal positivo, por lo que no circula corriente a
travs de la unin. Este es el sentido de no
conduccin o inverso, donde no existe corriente
aunque se aplique un voltaje muy elevado.(en la
prctica contina existiendo una pequea corriente,
del orden de 10-8 A)

Los diodos de unin consisten en materiales tipo

P y N unidos.
De forma aislada, tanto un material P como uno N
ser puramente resistivo, o sea si se invierte el
sentido de la polaridad de la fuente, la corriente
solo cambiar de signo pero su magnitud no se

12

CARACTERSTICA DEL DIODO

La corriente y la intensidad en un diodo vienen
dados por la ecuacin:

La corriente de saturacin y se incrementa

aproximadamente 7.2%/C para diodos de Si y Ge.
La expresin ser:

Conocida como la ecuacin de Shockley donde:

IS es la corriente de saturacin inversa4 duplica
por cada aumento de 5K en el silicio). y su
valor es del orden de 1014 A 300K (se
duplica por cada aumento de 5K en el Si),
por lo tanto depende de las caractersticas
fsicas y geomtricas del diodo.

Dnde:

n es una constante entre 1 y 2

Ks es 0.072 /C

VT es el voltaje trmico dado por:

T1 y T2 son dos temperaturas diferentes.

Podramos obtener el grfico I-V a las
temperaturas T1=0C y T2=100C para un diodo
de corriente de saturacin a 0 C de 10-12 A.
Asumiendo que la emisin constante del diodo es
1.9. a las temperaturas T1=0C y T2=100C

k es constante de Boltzmann = 1.38x10-23J /

Curva I-V Diodo a dos temperaturas

10

K,

q carga electrnica = 1.6x10-19Coulombs,

T temperatura absoluta en K

o para 100 C

+ para 0 C

A temperatura ambiente 25C el voltaje trmico es

de 25.7 mV
C o r rie n t e (A )

De la ecuacin anterior debemos destacar que el

voltaje trmico y la corriente de saturacin inversa
dependen de la temperatura.
El voltaje trmico es directamente proporcional a
la temperatura.

6
5
4
3
2
1
0
0.45

En polarizacin inversa el diodo no debera conducir

corriente, pero debido al efecto de la temperatura se
forman pares e-h y se genera una corriente que se
denomina corriente inversa de saturacin o corriente de
fugas, su valor suele ser del orden de nA.

0.5

0.55

0.6
Voltaje (V)

0.65

0.7

0.75

Ilustracin 18.- Grfico I/V diodo a dos temperaturas.

13

El modelo de control de carga se aplica a lo que se

denomina Rgimen de pequea seal, es decir,
cuando la parte variable de la tensin aplicada al
dispositivo es pequea comparada con la de
polarizacin.

Y la podemos aproximar a:

El funcionamiento descrito del diodo hasta ahora

es para el rgimen estacionario, es decir cuando
tensiones y corrientes aplicadas al dispositivo son
constantes con el tiempo, obteniendo las relaciones
fundamentales entre corrientes y tensiones en el
diodo (ecuacin de Shockley).

EFECTOS
Con campos elctricos muy intensos; bien porque
dicho campo elctrico es lo suficientemente
elevado como para romper por s mismo los
enlaces covalentes creando pares e-h+ (efecto
cuntico conocido como Efecto Tnel); o bien
porque la tensin es tan elevada que los electrones
se aceleran incrementando su energa cintica de
tal forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
A su vez los electrones liberados se aceleran por
efecto del campo aplicado E chocando con ms
electrones de valencia y liberndolos a su vez
rompiendo los enlaces covalentes (multiplicacin
por Avalancha). El resultado es una avalancha de
electrones que originan una corriente grande. Se
favorece este efecto de avalancha dopando ms un
lado de la unin que el otro, por ejemplo, la zona p,
lo que se denota como p+. En este caso, la anchura
de la zona de transicin es grande, de forma que un
electrn tendr mucho camino libre para ser
acelerado en dicha zona de transicin y alcanzar
una energa suficiente. El efecto avalancha es
mayoritario con polarizacin inversa.

En rgimen dinmico, es decir, cuando tensiones y

corrientes son funcin del tiempo, deja de ser
vlida la ecuacin de Shockley. En rgimen
dinmico las relaciones entre tensin y corriente no
son nicas y dependern de cmo se efecta la
transicin entre estados.
El mtodo de anlisis en dinmico se denomina
Modelo de control de carga. En dicho modelo
aparecen nuevos trminos de corriente que
contribuyen a modificar la carga de minoritarios y
la carga espacial de la zona dipolar. Tambin
tienen en cuenta los efectos capacitivos.

Ruptura zner: Se produce por campo elctrico

muy intenso en la unin, que es capaz de originar
la suficiente fuerza sobre los electrones como para
que rompan directamente su enlace covalente,
dando lugar a portadores de corriente. Este efecto
se produce en diodos muy dopados, con
polarizacin inversa.

19.- Representacin circuito del modelo de control de carga diodo

Cd = capacidad de difusin, asociada con las

variaciones de la carga de minoritarios en las zonas
neutras.
CJ = capacidad de la zona dipolar, asociada a las
variaciones de la carga en la zona dipolar.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
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Ediciones UPC, 1998.
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[En lnea] 1996. [Citado el: 8 de Abril de 2013.] This site provies a large collection of simulations, animations,
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material includes topics ranging from crystal structure and electronic energy band.
http://jas.eng.buffalo.edu/#top.
4. Attia, John Okyere. Electronics and Circuit Analysis using MATLAB. Semiconductor Physics. s.l. : John
Okyere Attia. Boca Raton: CRC Press LLC, 1999.

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