Laboratorio N 0: RESISTENCIAS

SEMICONDUCTORAS
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per

ABSTRACT
From experience we conclude that the resistors made of various materials (semiconductor
resistors) do not meet linear characteristics

vs. I ; because this depends on certain

parameters such as temperature, light intensity, among others; which could be verified by
making the construction of graphs with the data.

I.

OBJETIVO

Mostrar al alumno las caractersticas

no lineales de las resistencias
semiconductoras.
Utlizar los instrumentos y construccin
de curvas caracteristicas de los
elementos.

II.

CUESTIONARIO

1.- FUNDAMENTO DE CONDUCCIN

DE LOS SEMICONDUCTORES.
SEMICONDUCTOR:
Un semiconductor es un material a medio
camino entre los conductores y los
aislantes, en lo que a su capacidad de
conducir corriente elctrica respecta. Un
semiconductor en estado puro (intrnseco)
no es ni buen conductor ni buen aislante.
Los semiconductores ms comunes de solo
un elemento son el silicio, el germanio y el
carbn. Los semiconductores compuestos,
tales como el arseniuro de galio y el fosfuro
de indio, tambin son de uso comn. Los
semiconductores de un solo elemento estn
caracterizados por tomos con cuatro
electrones de valencia.
ELECTRONES Y HUECOS:

En un semiconductor intrnseco como

el silicio a temperatura por encima del cero
absoluto, habr algunos electrones que
sern excitados, cruzarn la banda
prohibida y entrando en la banda de
conduccin, podrn producir corriente.
Cuando el electrn del silicio puro
atraviesa la banda prohibida, deja tras de
s un puesto vacante de electrones o
"hueco" en la estructura cristalina del
silicio normal. Bajo la influencia de una
tensin externa, tanto el electrn como el
hueco se pueden mover a travs del
material. En un semiconductor tipo n, el
dopante contribuye con electrones extras,
aumentando
drsticamente
la
conductividad. En un semiconductor tipo p,
el dopante produce vacantes adicionales o
huecos, que tambin aumentan la
conductividad.
Sin
embargo,
el
comportamiento de la unin p-n es la clave
para la enorme variedad de dispositivos
electrnicos de estado slido.

TIPO N:
Es el que est impurificado con
impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en
un semiconductor tipo n, reciben el
nombre
de
"portadores
mayoritarios", mientras que a los
huecos
se
les
denomina
"portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al
semiconductor de la figura, los
electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. Cuando un hueco
llega al extremo derecho del
cristal, uno de los electrones del
circuito
externo
entra
al
semiconductor y se recombina con
el hueco.

Semiconductor Intrnseco:
Intrnseco indica un material
semiconductor
extremadamente
puro contiene una cantidad
insignificante de tomos de
impurezas. En l se cumple:

n=p=ni

material semiconductor intrnseco (puro).

Este proceso, llamado dopado, incrementa
el nmero de portadores de corriente
(electrones o huecos). Los dos portadores
de impurezas son el tipo n y el tipo p.

Semiconductor Extrnseco:
En la prctica nos interesa
controlar la concentracin de
portadores en un semiconductor (n
o p). De este modo se pueden
modificar
las
propiedades
elctricas: conductividad. Para ello
se procede al proceso de dopado.

DOPADO:
La conductividad del silicio y el germanio
se incrementa drsticamente mediante la
adicin controlada de impurezas al

Los electrones libres de la figura

circulan hacia el extremo izquierdo
del cristal, donde entran al
conductor y fluyen hacia el positivo
de la batera. El nmero de
electrones
libres
se
llama n (electrones libres/ m

).


TIPO P:
Es el que est impurificado con
impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes. Como el
nmero de huecos supera el
nmero de electrones libres, los
huecos
son
los
portadores
mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los
electrones libres se mueven hacia
la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. En la figura, los
huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del
circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo

de portadores minoritarios. Los
electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha
a izquierda. Como hay muy pocos
portadores minoritarios, su efecto
es casi despreciable en este
circuito. Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3 y sigue
habiendo huecos de generacin
trmica (muy pocos). El nmero de
huecos se llama p (huecos/ m

).

2.- RESISTENCIA DEL FILAMENTO

EN EL FOCO.
Mientras
ms
se
aumenta la
temperatura del filamento (aumenta el
voltaje entre sus terminales) la luz emitida
por l es ms intensa.

Nosotros en la experiencia variamos la

tensin de la fuente donde haba dos
resistencias una de 100

en serie con

la resistencia del foco, como las

resistencias estaban en serie al aumentar la
tensin estos aumentaban tambin por lo
tanto haba una variacin en la
temperatura y debido a esto una variacin
en la resistencia, pero como la variacin en
la temperatura era mnima la resistencia
del foco no vara mucho.
No
es
conveniente
incrementar
el voltaje que alimenta un filamento pues
esto reduce la vida til de la lmpara. De
hecho es necesario un corto perodo
de calentamiento luego de encenderla, para
despus alcanzar su temperatura estable.
3.- RESISTENCIA SEMICONDUCTORA
LDR:
El LDR (Light Dependent Resistor) o
resistencia dependiente de la luz o tambin
foto resistor, es una resistencia que vara
su resistencia en funcin de la luz que
incide sobre su superficie. Cuanto mayor
sea la intensidad de la luz que incide en la
superficie del LDR menor ser su
resistencia y cuanto menos luz incida
mayor ser su resistencia.

Un termistor PTC es un resistor sensible

trmicamente cuya resistencia aumenta
significativamente con la temperatura.

APLICACIONES:
Las aplicaciones prcticas son los
interruptores y alarmas activados
por la luz o por la oscuridad,
alarmas de barrera luminosa,
alarmas de humo por reflexin,
Rel controlado por luz, donde el
estado de iluminacin de la
fotorresistencia, activa o desactiva
un Relay (rel), que puede tener un
gran nmero de aplicaciones, etc.

APLICACIONES:
Las aplicaciones prcticas son la
proteccin contra sobre corriente,
el arranque del motor, deteccin
del nivel del lquido, calentadores
de autorregulacin, etc.

NTC:

4.- GRFICAS

Un termistor NTC es un resistor cuya

resistencia trmicamente sensible exhibe
una disminucin grande, precisa y
predecible como la temperatura del ncleo
de la resistencia aumenta con el rango de
temperatura de funcionamiento.

CIRCUITO FOCO
RESISTENCIA:

APLICACIONES:

EN

SERIE

CON

Grfica de Corriente del foco vs. Voltaje del foco

Se utilizan para medir la

temperatura, la temperatura de
control y para la compensacin de
temperatura. Tambin pueden ser
utilizados
para
detectar
la
ausencia o presencia de un lquido,
como dispositivos de limitacin de
corriente en los circuitos de
suministro
de
energa,
monitorizacin de la temperatura
en aplicaciones de automocin y
muchos ms.
PTC:
Grfica de Resistencia del foco vs. Voltaje del
foco

CIRCUITO DEL LDR CON EL FOCO:

Grfica de Resistencia del foco vs. Voltaje

del foco

Grfica de Resistencia del LDR vs. Voltaje

del foco

CIRCUITO DEL NTC CON EL FOCO:

Grfica de Resistencia delNTC vs. Voltaje

del foco

Grfica de Corriente del LDR vs. Voltaje

del foco
5.- CIRCUITOS INTEGRADOS
MOC:
Un MOC es un optoacoplador. La gran
ventaja de un optoacoplador reside en el
aislamiento
elctrico
que
puede
establecerse entre los circuitos de entrada y
salida. Fundamentalmente este dispositivo
est formado por una fuente emisora de
luz, y un fotosensor de silicio, que se
adapta a la sensibilidad espectral del
emisor luminoso, todos estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que
por lo general es del tipo DIP(se trata de
un conjunto de interruptores elctricos que
se presenta en un formato encapsulado).

Grfica de Corriente del NTC vs. Voltaje

del foco

 Fototriac: se compone de un
optoacoplador con una etapa de
salida formada por un triac

FUNCIONAMIENTO.
La seal de entrada es aplicada al
fotoemisor y la salida es tomada
del fotorreceptor.
Los optoacopladores son capaces
de convertir una seal elctrica en
una seal luminosa modulada y
volver a convertirla en una seal
elctrica. La gran ventaja de un
optoacoplador reside en el
aislamiento elctrico que puede
establecerse entre los circuitos de
entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los

optoacopladores de potencia son
diodos que emiten rayos infrarrojos y
los fotorreceptores pueden ser tiristores
o transistores.
Cuando aparece una tensin sobre los
terminales del diodo IRED, este emite
un haz de rayos infrarrojo que
transmite a travs de una pequea
gua-ondas de plstico o cristal hacia
el fotorreceptor. La energa luminosa
que incide sobre el fotorreceptor hace
que este genere una tensin elctrica a
su salida. Este responde a las seales
de entrada, que podran ser pulsos de
tensin.

TIPOS DE OPTOACOPLADORES.

Fototransistor: se compone de un
optoacoplador con una etapa de
salida formada por un transistor
BJT.

Fototriac
de
paso
por
cero:Optoacoplador en cuya etapa
de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno
de cruce por cero conmuta al triac
slo en los cruce por cero de la
corriente alterna.

OPTOELECTRONICOS:
La optoelectrnica es el nexo de unin
entre
los
sistemas pticos y
los
sistemas electrnicos. Los componentes
optoelectrnicos son aquellos cuyo
funcionamiento
est
relacionado
directamente con la luz como:

Diodo LED.

Fotodiodo.

Display de 7 segmentos.

Optoacoplador

Esta clase de dispositivos permiten

convertir seales pticas en seales
electrnicas, o viceversa. Sus aplicaciones
son muy extensas y variadas, pero
fundamentalmente se aplican en circuitos
de
comunicaciones,
sistemas
de
sealizacin, productos de consumo
masivo, tecnologa espacial y fsica de
partculas.
6.- OBSERVACIN Y CONCLUSIONES
1. Las resistencias semiconductoras
no siguen un comportamiento
lineal como las resistencias
comunes, sino que tienen un
compotamiento exponencial. Tales

resistencias como el NTC, PTC Y

LDR; que dependen de ciertos
parmetros como temperatura o
intensidad luminosa.
2. Para poder lograr ver grandes
efectos de variacin de las
resistencias semiconductoras se
tiene que experimentar un gran
cambio en la variable que depende
la resistencia de tal; de otra forma
la variacin de su resistencia ser
mnima.Debido a la poca variacin
de los parmetros; en la
experiencia del laboratorio no se
pudo
apreciar
cambios
relativamente altos como para ser
visualizados correctamente.
3. Estas resistencias semiconductoras
(NTC, PTC, LDR) pueden ser
utlizadas como sensores en las
distintas aplicaciones de la
electrnica. Hoy podemos verlas
en accin en proyectos de
domtica, drones, entre otros.

III.

EQUIPOS Y
MATERIALES

Los materiales a utilizar en el laboratorio

son:

IV.

RESOLUCIN DE
CIRCUITOS

Resolviendo el circuito tendremos que:

Aplicando la ley de tensin de Kirchhoff y
la ley de Ohm:

V T +V R=12
1000 I + ( RT ) I =12
Adems la frmula utilizada por los

R ( t ) es:

fabricantes para
B

T
RT ( t )=R25 e

B
T 25

Donde:

01 Termistor NTC
01 Multmetro
01 Protoboard
01 Foco de 120mA - 12V
01 Fuente de alimntacin
programable
01 Fotoresistencia LDR
01 Resistor 100 (2W), 1K,
270K
Cables de conexin

R25 : Resistencia del NTC a

25C
B: Constante

T 25 : Temperatura a 25C

dado en Kelvin

T : Temperatura a la que se

encuentra el termistor NTC

(esa temperatura depende de la
intensidad del foco).

O tambin podra ser expresado por:

B
T

R ( T )=R ( e )
T

Reemplazando en la ecuacin inicial:

1000 I + ( R ( e )) I =12
B
T

R L ( L ) =A ( E )

I=

Donde:

12
B

( )

R 0 e T + 1000

, :

Constantes
que
dependen del material
utilizado

Dependiendo de la tensin del foco,

resistencia del foco y de la distancia del
foco al NTC es que se establece una
relacin entre la temperatura para el NTC
y con la cual se harn los clculos.

E :

Densidad

superficial
de
energa recibida

la

Reemplazando en la ecuacin inicial:

Es decir:

270000 I + ( A( C ) ) I =12

T =T ( V F , R F ,d )
Donde:

I=

V F : Tensin

12
270000+ A ( E )

aplicada al foco

RF : Resistencia del

foco (vara en tiempo)

V.

SIMULACIN

d : Distancia del

foco al termistor

Resolviendo el circuito tendremos que:

Aplicando la ley de tensin de Kirchhoff y
la ley de Ohm:

En la siguiente imagen se puede ver el

circuito con el foco y una resistencia en
serie de 100.

V L +V R =12
270000 I + ( R L ) I =12

En la siguiente imagen se puede ver el

circuito con el LDR en su estado inicial,
sin encender el foco.

En la siguiente imagen se puede ver el

circuito con el NTCa temperatura
ambiente.

En la siguiente imagen se puede ver el

circuito con el LDR en su 4 estado de
intensidad luminosa.

VI.
[1]

[2]

[3]

BIBLIOGRAFA

Robert L. Boylestad and Louis

Nashelsky, Electroni devices and
circuit theory, 10th edition.
Circuitos
y
dispositivos
electrnicos:
Fundamento
de
electrnica, Llus Prat Vias, pg.
355
Fuente del navegador
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clas
es/Dispositivos_Optoelectronicos.p
df

En la siguiente imagen se puede ver el

circuito con el LDR en su 6 estado de
intensidad luminosa.

En la siguiente imagen se puede ver el circuito con el NTC en

su estado a temperaturaambiente (25C).