Professional Documents
Culture Documents
Polarizacin
directa
E2
B2
C2
Pol.
inversa
-B
Polarizacin -
E2
C1
E1
VCC
ig
Rg
Vg
B2
C2
directa
La estructura de 4 capas
puede soportar tensin sin
conducir corriente, ya que
una unin queda polarizada
inversamente
-B
iB1
+
C1
E1
VCC
Tiristores
iB1 genera iC1 =
iB2
iC2
ig
Vg
Rg
+
iB1
iC1
1iB1
iC2 =
2iB2
2 1iB1
iB1 = ig + iC2 = ig +
Es decir, iB1
2 1iB1
2 1iB1
>> iB1
iB1
Tiristores
Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados,
dependiendo del estado anterior:
- Con la estructura de 4
capas sin conducir
- Con la estructura de 4
capas conduciendo
iCC = 0 A
0V
VCC
VCC
0,5 V
VCC
0,9 V
0,7 V
VCC/R
0,7 V
0V
iCC
VCC
Tiristores
Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas conduzca?
iCC
VCC/R
iCC
0,9 V
Vg
0,9 V
R
iC2
Rg
VCC/R
iC1
VCC
B1
VCC
El SCR
Silicon
Controlled
Rectifier
Estructura interna
nodo
(A)
iA
P
N-
VAK
P-
Ctodo
(K)
N
Puerta
(G)
El SCR
iA [A]
Disparo
por
sobretensin
nodo-ctodo
VAK [V]
-600 V
0
Polarizacin inversa
(ruptura como un diodo)
600 V
Polarizacin directa y tensin
menor de la disparo por
sobretensin nodo-ctodo
El SCR
iA [A]
Disparo
por
sobretensin
nodo-ctodo
Disparo por
puerta
-600 V
ig3
ig4
ig2
ig1
ig = 0
600 V
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4
VAK [V]
El SCR
Caractersticas de un
ejemplo de SCR
El TRIAC
Tiristor de
AC
Terminal 2
(T2)
T2
T2
P
N-
PN
Puerta
Terminal 1 (G)
(T1)
Smbolo
G
T1
Equivalente
T1
Estructura
interna
El TRIAC
iT2 [A]
Disparo
por
sobretensin
T2-T1
VT2T1 [V]
-600 V
0
Polarizacin inversa: se
comporta como en
polarizacin directa
600 V
Polarizacin
directa
a
tensin menor de la
disparo por sobretensin
T2-T1
El TRIAC
Disparo por
sobretensin
T2-T1
Disparo por
puerta
ig4
-600 V
ig = 0
ig1
ig3
ig2
ig3 ig4
Disparo
por
sobretensin
T2-T1
Las corrientes de
puerta pueden ser
positivas o negativas
Slo disponible
en algunos triacs
ig2
ig1
ig = 0
Hay 4
posibles:
modos
(cuadrantes)
K
LASCR
DISPOSITIVOS RELACIONADOS
DISPOSITIVOS RELACIONADOS