Dopado de

semiconductores

Semiconductores P y N
En la prctica, para mejorar la conductividad
elctrica de los semiconductores, se utilizan
impurezas aadidas voluntariamente. Esta
operacin se denomina dopado.

Tipos de Dopado
*Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos
tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior.
Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el
arsnico.
*Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos
tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior.
Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Impureza Pentavalente
Cuando un elemento con cinco electrones de
valencia entra en la red cristalina del silicio, se
completan los cuatro electrones de valencia
que se precisan para llegar al equilibrio y
queda libre un quinto electrn que le hace
mucho mejor conductor. De un semiconductor
dopado con impurezas pentavalentes se dice
que es de tipo N.

Impureza Trivalente
Red cristalina del silicio, se forman tres enlaces
covalentes con tres tomos de silicio vecinos,
quedando un cuarto tomo de silicio con un
electrn sin enlazar, provocando un hueco en
la red cristalina. De un semiconductor dopado
con impurezas trivalentes se dice que es de
tipo P.

Union PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por
un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN .
Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en
sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha
regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones
negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones
mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para
recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en

la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la
unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece
una barrera de potencial que repele los huecos de la
regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la
mencionada unin. Una unin PN no conectada a un
circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico
a temperatura constante.

Union PN Polarizada en Directo

Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila
a la regin P y el polo negativo a la regin N , la tensin U de la pila
contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de
cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de
electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido
contraro. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la
unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy
pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada
por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario
al convencional establecido para la corriente elctrica.

Union PN Polarizada en Inverso

Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el
polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la
regin P, la tensin U de la pila ensancha la barrera de
potencial creada por la distribucin espacial de cargas en
la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la
regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la
circulacin de electrones y huecos a travs de la unin.