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1.- POLARIZACIN POR BASE.- Esta polarizacin es la peor cuando se trata de fijar el punto Q.
La razn es que en la zona activa la corriente de colector es muy sensible a la ganancia de
corriente. En un circuito como ste, el punto Q se desplaz a lo largo de toda la lnea de carga con
cambios del transistor o de temperatura.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente I B:
VCC + IB.RB + VBE = 0. IB.RB = VCC - VBE = IB= (VCC - VBE ) / RB =;
IE= IB(1+)=, IC= IB.=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE:
VCC + IC.RC + VCE = 0. VCE = VCC IC.RC=. Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la I C(sat), y
hacemos VCE=0, entonces tenemos 0= VCC IC(Sat).RC, de donde
IC(Sat)= VCC / RC=, y lo mismo para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y
obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de base, colector y
emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes.
Como el emisor no tiene resistencia su voltaje es V E=0. Ahora podemos hallar el
VB por medio de VBE=VB VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC
hacemos la malla y obtenemos: VCC + IC x RC + VC =0; VC = VCC IC x RC =; Para hallar la
potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula: P D= VCEQ. ICQ=.
2.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DEL EMISOR.- Para estabilizar el punto Q se
introdujo una resistencia en el emisor y se obtuvo esta polarizacin. El proceso de racionamiento
es el siguiente:
S IC aumenta, VE crece y tambin VB. Mayor VB significa menor tensin a travs de RB, con lo que
disminuye IB, en contraposicin al aumento de IC. Se le llama realimentacin porque el cambio de
tensin de emisor alimenta hacia atrs el circuito de base. Tambin se denomina se negativa
porque se opone al cambio original de corriente de colector.
En la polarizacin con realimentacin de emisor nunca lleg a ser popular. El desplazamiento del
punto Q es todava grande para la mayora de aplicaciones de fabricacin masiva.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente IB:
VCC+IB.RB+VBE+IE.RE=0. Como IB=IE/(1+)=, IE/(1+).RB +IERE = VCC -VBE
IE(RB /(1+)+RE) = VCC - VBE = IE= (VCC - VBE ) / (RB /(1+)+RE) =; IB= IE/(1+)=;
IC= IB.=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE: VCC + IC.RC + VCE +
IE.RE = 0. VCE = VCC IC (RC+RE). Para obtener los puntos de corte de la recta
de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la I C(sat), y hacemos
VCE=0, 0= VCC IC(Sat)x (RC+RE), de donde IC(Sat)= VCC /(RC+RE) =, y lo mismo
para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC.
Para hallar los voltajes de base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla
para hallar cada uno de esos voltajes. VE + IE x RE = 0
VE = IE x RE =;
para hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: VB + VBE + IE x RE = 0
VB = VBE + IE x RE=;
ahora hacemos la malla para hallar el VC: VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el VC = VCC IC x RC =;
para hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula: P D= VCEQ x ICQ =.
La finalidad de la polarizacin de retroalimentacin del emisor es compensar las variaciones en ;
esto equivale a que RE sea mucho mayor que RB/(1+).
En circuitos prcticos, sin embargo, no se puede hacer R E lo suficientemente grande como para
compensar los efectos de sin saturar el transistor. Esto hace que la polarizacin de
retroalimentacin de emisor sea casi tan sensible a los cambios de como en la polarizacin de
base. Por lo tanto, la polarizacin de retroalimentacin de emisor no es una forma preferida de
polarizacin, por lo que se debe evitar su uso.
3.- POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE.- En los circuitos de polarizacin anteriores la
corriente de polarizacin IcQ y el voltaje VCEQ de
polarizacin eran una funcin de la ganancia de
corriente () del transistor. Sin embargo, debido a
que el es sensible a la temperatura de los
transistores, lo mejor sera desarrollar un circuito
que fuera independiente de la beta del transistor.
El circuito al que nos referimos es la polarizacin
por divisor de voltaje de la figura 3. Si se analiza
sobre una base exacta la sensibilidad a los
cambios en , resulta ser muy pequea. Si los
parmetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de Ic Q y de VCEQ pueden
ser casi totalmente independientes de beta. Existen dos mtodos que pueden aplicarse para
analizar la polarizacin por divisor de voltaje. El primero que vamos a demostrar es el mtodo
exacto que puede aplicarse a todos los circuitos polarizados por divisor de voltaje. Al segundo se le
llama mtodo aproximado y puede introducirse slo si es satisfecha la siguiente condicin
especfica: 10xR2 xRE.
Anlisis exacto.- El lado de la base del circuito 3(a) puede volver a dibujarse segn se muestra en
la figura 4(a) para el anlisis en C.C. El circuito equivalente de Thvenin a la izquierda de la
terminal de la base puede dibujarse como el de la figura 4(a).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(a). RTh= R1 R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh la fuente de voltaje Vcc regresa al circuito, y el circuito para hallar el voltaje
Thvenin queda como el de la figura 6(a) y se calcula de la siguiente manera: primero se calcula el
V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V 2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y haciendo la malla
vemos que el V2= VTh=.
Despus se vuelve a dibujar el circuito de Thvenin cmo se muestra en la figura 7(a) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(a): - VTh + RThxIB + VBE + IExRE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+), tenemos RThxIB + IB(1+)RE = VTh VBE. Resolviendo para IB tenemos que:
IB = (VTh VBE) / (RTh +(1+)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las dems corrientes por medio de estas dos ecuaciones,
IE= IB(1+)= e IC= IB.=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura
7(a) para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. VB= VBE + VE=VBE+ IE.RE =; VCE =VCCICx(RC+RE );
VE = IExRE =; VC = VCC IC x RC =.
El lado de la base del circuito 3(b) puede volver a dibujarse segn se muestra en la figura 4(b) para
el anlisis en C.C. El circuito equivalente de Thvenin a la izquierda de la terminal de la base
puede dibujarse como el de la figura 4(b).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(b). RTh= R1 R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh las fuentes de voltaje Vcc y VEE regresan al circuito, y el circuito para hallar el
voltaje Thvenin queda como el de la figura 6(b) y se calcula de la siguiente manera: primero se
calcula el V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V 2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y luego
hacemos la malla indicada: - VTh + V2 - VEE=; VTh = V2 - VEE=.
Despus se vuelve a dibujar el circuito de Thvenin cmo se muestra en la figura 7(b) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(b): V Th + RThxIB + VBE + IExRE VEE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+), tenemos RThxIB + IB(1+)RE = VTh VBE + VEE. Resolviendo para IB
tenemos que: IB = (VTh VBE + VEE) / (RTh +(1+)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las dems corrientes por medio de estas dos ecuaciones,
IE= IB(1+)= e IC= IB.=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura
7(b) para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. VB=VBE +VE-VEE =VBE+IE.RE - VEE =;
VCE =VCC+VEEICx(RC+RE ); VE = IExRE - VEE =; VC = VCC IC x RC =.
Analisis aproximado.- La seccin de entrada de la polarizacin por divisor de voltaje se
representa por el circuito de la figura 8. La resistencia Ri es la
resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un
resistor de emisor RE. La resistencia reflejada entre la base y el
emisor est definida por Ri=(1+)RE. Si Ri es mucho mayor que la
resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente
siempre busca la trayectoria de menor resistencia), e I 2 ser
aproximadamente igual a I1, entonces R1 y R2 pueden considerarse
elementos en serie. El voltaje a travs de R2, que en realidad es el
voltaje base, puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor
de voltaje (de ah el nombre para este circuito de polarizacin esto es: V 2=Vcc. R2 /( R1 + R2)= VB.
Debido a que Ri=(1+)RE .RE, la condicin que definir, en caso que pueda aplicarse a la
aproximacin, ser la siguiente: .RE 10.R2. Si la inecuacin se cumple, la aproximacin podr
aplicarse con un alto grado de precisin.
Una vez determinado V2= VB, el nivel de VE puede calcularse a partir de VB = VBE+VE=, entonces
VE =VB - VBE=. Como VE= IE.RE =, entonces IE= VE / RE =, IB= IE / ( 1 + )=, e IC = IB x =.
El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por V CE = VCC ICxRC +IExRE=, pero dado
que ICQ IE VCE = VCC ICx( RC + RE ) =; VC = VCC IC x RC =; PD= VCEQ x ICQ=. Pero las anteriores
ecuaciones tambin las podemos hallar haciendo las mallas que se indican en la figura3.
Ntese que en la secuencia de clculos no hemos utilizado el y que la I B no fue calculada. El
punto Q (que es determinado por ICQ y VCEQ) y es por lo tanto independiente del valor de .
4.- POLARIZACION DEL EMISOR. algunos equipos electrnicos de tienen una fuente de
alimentacin que produce tensiones positivas y negativas. La figura 9 muestra un circuito con dos
fuentes de alimentacin: + VCC y VEE. La fuente negativa polarizada directamente el diodo del
emisor VB=y la positiva lo hace con el diodo del colector. A este circuito o se le conoce con el
nombre de polarizacin de emisor.
Anlisis.- Cuando este tipo de circuito est diseado correctamente, la
corriente de base ser suficientemente pequea como para ser ignorada, lo
que equivale a decir que la tensin de base es de 0V aproximadamente.
Como el VB= VBE+VE=0V, entonces VE = - VBE = - 0,7V.
La resistencia de emisor, desempea un papel clave a la hora de calcular la
corriente de emisor. Para hallar esta corriente, se aplica la ley de Ohm a la
resistencia de emisor como sigue: la parte superior de la resistencia de emisor
tiene una tensin de 0.7V y la parte inferior a V EE. Por tanto, la corriente en
el emisor es igual a la diferencia que hay entre las dos corrientes dividida por
la resistencia emisor. sea IE= (VEE 0,7)/ RE =. Debido a que no aparece
en esta frmula, el punto Q es fijo. Cuando se dispone de una fuente de
alimentacin dividida debe utilizarse una polarizacin del emisor.
Tambin se puede hallar haciendo la malla 1: IB.RB+VBE+IE.RE VEE =0, como la IB = 0A tenemos
+VBE+IE.RE VEE =0, donde IE= (VEE 0,7) / RE =. Una Vez que se conoce la IE, las cantidades
restantes del circuito pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para el
circuito de polarizacin por retroalimentacin del emisor.
Hacemos las mallas que se indican en la figura 9: I B= IE / ( 1 + )=, e IC = IB x =; VCE = VCC +
VEE IC x ( RC + RE ) = VC VE =VC + 0,7= VCC + 0,7 IC x RC=; VB =VBE + IE x RE=; VE = IE x RE VEE =
0,7; VC = VCC IC x RC =; VB= VBE+VE= VBE+ IE.RE =; para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente frmula: PD= VCEQ x ICQ =.
La clave para un buen diseo y de un circuito con polarizacin de emisor es el Valor de R B; este
debe ser pequea, pero qu tanto? Por una deduccin similar a la dada para la polarizacin de
divisor de voltaje, la frmula exacta para la corriente de emisor es: I E= (VEE VBE) / (RE + RB/).
Cuando un circuito de polarizacin de emisor est bien diseado, su tensin es similar a la de
polarizacin por divisor de tensin, cumpliendo la regla de 100:1, tenemos: R B < 0,01 xRE.
Para este caso, se simplifica las ecuaciones para el anlisis: V B0V; IE= (VEE 0,7) / RE =;
VC = VCC IC x RC =; VCE = VCC + VEE IC x (RC + RE ) = VC VE = VC + 0,7= VCC + 0,7 IC x RC=.
Una fuente de error en este clculo simplificado es la pequea tensin a travs de la resistencia de
base de la figura 9. Si una pequea corriente circula por esta resistencia, existir una tensin
negativa entre la base y tierra. En un circuito bien diseado, est tensin de base es menor de
0,1V.
5.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DE COLECTOR.- La figura 10 muestra la
polarizacin por retroalimentacin de colector (tambin llamada autopolarizacin). El resistor de
base retorna al colector en lugar de a la fuente de alimentacin. Esto es lo que distingue la
polarizacin de retroalimentacin de colector de la polarizacin de base.
Accin de la retroalimentacin.- Pues bien suponiendo que la temperatura
aumente, origina que el aumente y por consiguiente la Ic, el voltaje V CE
disminuye debido a la gran cada de voltaje en Rc. Esto significa que hay
menos voltaje en la resistencia de la base, y esto da origen a que haya una
disminucin en IB. Con la IB ms pequea, compensa el incremento original
en la Ic. Como se ve, la polarizacin por retroalimentacin del colector es
ms efectiva que la polarizacin por retroalimentacin de emisor para
estabilizar el punto Q. Aunque el circuito es todava sensible a los cambios de
ganancia de corriente, se utiliza en la prctica dada su sencillez y tener una
mejor respuesta en frecuencia.
Hacemos la malla 1 para obtener la corriente I B: VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE= 0.
Como IB = IC / (IC / ).RB+IC.RC=VCC VBE IC.(RB/ + RC) =VCC VBE IC=(VCC VBE )/ (RB/ +
RC) =. Conocida la IC podemos hallar las otras dos corrientes: I B y la IE por medio de las siguientes
formulas: IB = IC / =, y IE= IB(1+)=.
Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE: VCC + IC.RC + VCE = 0. VCE = VCC IC.RC=.
Para obtener los puntos de corte de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para
hallar la IC(sat), y hacemos VCE=0, entonces tenemos 0= VCC IC(Sat).RC, de donde IC(Sat)= VCC / RC=,
y lo mismo para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para
hallar los voltajes de base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de
esos voltajes. Como el emisor no tiene resistencia su voltaje es V E=0. Ahora podemos hallar el VB
por medio de VBE=VB VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC hacemos la
malla y obtenemos: VCC + IC x RC + VC =0; VC = VCC IC x RC =. Para hallar la potencia que
disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula: P D= VCEQ. ICQ=.
La polarizacin por retroalimentacin de colector tiene otra ventana sobre la polarizacin de emisor;
no se satura el transistor. Conforme decrece la resistencia de base, el punto de operacin se
mueve sobre la lnea de carga de cc hacia el punto de operacin. Pero ste nunca llega a
saturacin, no importa lo baja que sea la resistencia de base
6.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DE COLECTOR Y DE EMISOR.-Las
polarizaciones con retroalimentacin de emisor y de colector representan los primeros esfuerzos
por obtener polarizaciones ms estables para los circuitos con transistores. A pesar de que la idea
de la realimentacin negativa es buena, esos circuitos se quedan a mitad de
camino al no proporcionar la suficiente realimentacin negativa para lograr su
objetivo. Por ello, el circuito que serie en la figura 11. La idea bsica es usar
una combinacin de una resistencia de emisor y una resistencia de colector.
Como se ver, ms cantidad no siempre significa ms calidad. En este caso la
combinacin de los dos tipos de realimentacin en un circuito de desierta
ayuda, pero esto sigue siendo insuficientes para los niveles necesarios en la
produccin en serie.
Para hallar las ecuaciones hacemos primero la malla 1 y obtenemos:
VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE+IE.RE=0; como IE= IB(1+)=, y IC= IB.=;
reemplazamos en la ecuacin IB..RB + IB.RB +IB(1+)RE = VCC VBE
IB( .RB +RB +(1+)RE) = VCC VBE IB= VCC VBE /( .RB +RB +(1+)RE). Una vez conocida la IB
Hallamos IE= IB(1+)=, y la IC= IB.=.
Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE: VCC + IC.RC + IE.RE + VCE = 0. VCE = VCC
IC.RC+IE.RE =, como IC IE tenemos VCE = VCC IC x ( RC + RE ) = . Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la I C(sat), y hacemos VCE=0,
entonces tenemos 0= VCC IC(Sat). (RC + RE ) =, de donde IC(Sat)= VCC / ( RC + RE ) =, y lo mismo para
hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de
base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes.
VE+IExRE = 0 VE =IExRE =; para hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: VB+VBE + IE x RE =0
VB = VBE + IE x RE=; ahora hacemos la malla para hallar el VC: VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el
VC = VCC IC x RC =. Para hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula:
PD= VCEQ. ICQ=.
PROBLEMAS SOBRE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
1.- Para el circuito de la figura 1, 2, 3, 4, 11 y 12 calcular: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD. Si el =200
2.- La figura 7 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA. Determine, si el =200: a).El valor de RB, RE y RC. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
3.- Con la informacin que proporciona la figura 8 y un =80, determine: a).- El valor de RB, RE y RC. b).- Los
voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
4.- Con la informacin que proporcionan las figuras 9 y 10 y un =100 para cada uno de los transistores,
determine: a).- El valor de R1. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC) y el PD.
5.- En el circuito que se muestra en la figura 11, sea el =100. a) Encuentre VTH y RTH para el circuito de la
base. b) Determine: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD.
6.- Para el circuito de la figura 12 calcular: IE, IB, IC, IRL, IRC, VB, VE, VC, VRC y el PD. Si el =200
Pero si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la lnea de carga excitaran al
transistor a saturacin y corte. Esto cortara los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no
ser lineal. Si se escucha con mucha atencin una salida con un parlante.se oir un sonido terrible
porque la seal esta distorsionada.
EL TEOREMA DE SUPERPOSICION PARA AMPLIFICADORES
En un amplificador transistorizado, como el de figura 1, la fuente de cc proporciona corrientes y
voltajes fijos. La fuente de ac produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma ms
simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis en dos partes: un anlisis de cc y un
anlisis de ac. A esto se le llama el teorema de superposicin y se utiliza cuando se analizan
amplificadores transistorizados.
Estos son los pasos a seguir para la aplicacin del teorema de superposicin de circuitos
transistorizados:
Figura 1.- Amplificador en la configuracin de emisor comn con resistencia de emisor totalmente desacoplada. 40 >
Av 400
1.- Redzcase la fuente de ac a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje o abrir una
fuente de corriente. branse todos los capacitores. Al circuito restante se le llama circuito
equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes de cc.Ver figura 2.
2.- Redzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje o abrir
una fuente de corriente. Pnganse en corto todos los capacitores de acoplamiento y de paso. Al
circuito restante se le llama circuito equivalente de ac. Este es el circuito que se utiliza para el
clculo de voltajes y corrientes de ac. Ver figura 3.
3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y ac que se
encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama es la suma de los
voltajes de ac y cc que se encuentran aplicados en esa rama.
Notacin. Para mantener una diferencia entre cc y ac es prctica general utilizar maysculas en las
letras y los subndices para las cantidades de cc. Por ejemplo: I E; IC; IB para las corrientes de cc;
VE;VC;VB los voltajes de cc a tierra; VBE; VCE; VCB para los voltajes entre los terminales.
De la misma forma, se utilizan minsculas en las letras y los subndices para los voltajes y
corrientes de ac: ie; ic; ib para corrientes de ac; ve; vc; vb para voltajes de ac a tierra; vbe; vce; vcb
para voltajes de ac entre terminales.
Es usual tambin utilizar el signo menos para indicar que dos voltajes senoidales estn desfasados
1800 uno con respecto al otro. Por ejemplo, la ecuacin vo = - vin significa que el voltaje de salida
est desfasado 180 con respecto al voltaje de entrada.
RESISTENCIA DEL DIODO DE EMISOR EN A.C.- Para establecer el punto Q, se ha visualizado el
transistor de la figura 4a reemplazado por el circuito equivalente de la figura 4b (el modelo de
Ebers-Moll). Hasta la presente se han hecho aproximaciones de V BE a 0.7V.
La figura 4d muestra la cuerva del diodo que relaciona a I E con VBE. En ausencia de una seal de
ac, el transistor opera en el punto Q, el cual normalmente est colocado en la mitad de la lnea de
carga de cc. Cuando una seal de ac excita a un transistor, se produce un cambio en voltaje y
corriente de emisor; si la seal es pequea, el punto de operacin varia senoidalmente desde Q
hasta un pico positivo de corriente en A, luego a un pico negativo de corriente en B, y de regreso
otra vez al punto Q, donde se repite el ciclo. Esto produce variaciones senoidales en I E y VBE como
se indica.
Si la seal es pequea, los pico A y B estn muy cercanos a Q, y la operacin es aproximadamente
lineal. En otras palabras, el arco entre A y B es casi una lnea recta y debido a esto los cambios en
voltaje y corriente son aproximadamente proporcionales. En lo referente a la seal de AC, el diodo
aparece como una resistencia dada por re=V BE/IE=, donde re=resistencia del emisor en ac;
VBE= pequeo cambio de voltaje de base-emisor; I E= cambio correspondiente en la corriente de
Emisor.
Como los cambios en VBE y en IE son equivalentes a la corriente y al voltaje de ac la resistencia se
escribe normalmente como re = vbe / ie=; donde re = resistencia en ac del emisor; vbe = voltaje
aplicado a los terminales base-emisor; ie = corriente de ac a travs del emisor. Por ejemplo, si vbe
es 10mV e ie = 0,4mA, entonces re = 10mV / 0,4mA = 2,5
La figura 4c muestra el modelo de Ebers-Moll para AC, que se utiliza cuando se analiza un circuito
equivalente de AC de un amplificador. En este modelo, el diodo base a emisor es sustituido por una
resistencia de emisor a la AC
Las variaciones base-emisor son senoidales, como se indica en la figura 4d. Si la seal es
pequea, las variaciones en corriente de emisor sern tambin senoidales; pero cuando la seal de
entrada es grande, la corriente de emisor ya no ser senoidal debido a la no linealidad de la curva
del diodo. Cuando la seal es demasiado grande, la corriente de emisor se extender sobre el
semiciclo positivo y ser comprimida en el semiciclo negativo, como se indica en la figura 4e. Una
onda distorsionada como esta no se escuchara como seal de entrada cuando excite una bocina.
cambia con una unin no rectangular, el valor de re puede diferir algo del que se indica en la
ecuacin re =25mv/IE. A pesar de esto, para localizacin de fallas y diseo preliminar
amplificadores de seal pequea, re =25mv/IE es un excelente principio para cualquier transistor.
BETA DE A.C.- La figura 5 muestra una grfica caracterstica de Ic en funcin de IB. cc es la razn
de la corriente de colector de cc Ic a la corriente de base a cc IB. Como la grfica no es lineal, cc
depende de las coordenadas del punto Q. Por eso, en las hojas tcnicas cc queda especificada
para un valor particular de Ic.
Anlisis matemtico del amplificador de emisor comn con resistencia de emisor totalmente
desacoplada para hallar los parmetros en cc utilizamos el circuito equivalente de cc de la figura 2.
Para hallar los parmetros: Av, Ai, Ap, Zin, Zin(BASE), Zo; partimos de los circuitos equivalentes
del amplificador segn las figuras 3 y 6.
Av=Vo/Vin - Vo ic.rc=0 Vo= -ic.rc; -Vin+ic.re = 0 Vin= ic.re= Vb. Luego Av=
-ic.rc / ic.re
ic. re /ib=; pero =ic/ib ib=ic/= Zin(BASE)= ic. re / (ic/)= Zin(BASE)= .re=;
Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve=ov; Zo=rc=Rc//RL=; Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=.
La figura 7 nos muestra un amplificador en la configuracin de emisor comn con resistencia de
emisor dividida o parcialmente desacoplada. Este amplificador tiene una ganancia de voltaje entre
mayor de 10 y menor o igual a 40. Para poder hallar sus parmetros tanto en cc como en ac
debemos utilizar los circuitos equivalentes de cc figura 8 y el circuito equivalente de ac figura 9 y
10, que nos facilita el calculo
Av= -ic.rc / ic. (re+ rE ) Av= -rc / (re+ rE); Ai= io/iin=
Ai=
Para hallar la Zo(EMISOR), (la impedancia vista desde el emisor) se hace thevenin desde de la
base y hallamos la RTH que es igual a Rf//R1//R2, y tambin se halla el VTH que es el mismo Vin
que hemos hallado hasta ahora es decir. Vin=Vf( Zin / (Rf + Zin), y el circuito equivalente es:
Vin= ie1.re1+ ie2. r'e2 +ie2.Rs = Vin ie2 (re2+Re) =; como ic2 ie2
Vin= ic2 (re2 +Re) =; Av= ic2.Re / ic2 (re2 +Re) = Si Re >>>>> re Av1;
Ai =io/ iin= ic2/ib1=; Ai =(ie2 )/(ie1/ ( + 1 ))=; como ie1 ib2 y ie1 =ie2/ ( + 1 ) Ai = ie2.
( + 1 ) / ( ie2 / ( + 1 ))=; Ai =(+1)(+1). Ap=(pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1;
Rb=R1//R2=; y Zin(BASE)Q1=(re1+ Zin(BASE)Q2)
Ai =(+1)(+1). Ap=(po / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; Rb=R1//R2=; y
Zin(BASE)Q1=(re1+ Zin(BASE)Q2) =; Zin(BASE)Q2=Vb2/ ib2=; si Vb2=Vin2 y ic2 =/ib2=;
Zin(BASE)Q2=ic 2(re2+Re) / ib2 /=; Zin(BASE)Q2= (re2+Re) =; Zin(BASE)Q1=(re
1+ (re2+Re) )=; Zin = Zin=R1// R2// Zin(BASE)Q1 =. Como Rb>>>>>>> Zin(BASE)Q1.
ZinRb= R1// R2=. Zo ZO(EMISOR)Q2 = (ZO(EMISOR)Q1/)+re2 ZO(EMISOR)Q1= (Rth/) + re1=
Zo (EMISOR)Q2 =((Rth/) + re1) / + re2= Zo (EMISOR)Q2 = (Rth+.re1) / . + re2Zo
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN DE BASE COMN
Este amplificador es de muy baja impedancia de entrada y es tan baja que sobrecarga la mayor
parte de las fuentes de seal y por esto la mayor parte de la seal de entrada se pierde en la
resistencia de la fuente (Rf). Este amplificador en forma discreta no se usa a bajas frecuencias, su
aplicacin es sobre todo en circuitos de alta frecuencia por encima de los 10 MHz.
Los dos circuitos que se muestran a continuacin slo tienen estas dos clases de polarizacin que
se emplean para esta configuracin. Lo nico que difiere de estos dos circuitos es el circuito de
polarizacin; porque el circuito equivalente de a.c. es igual para los dos amplificadores as tengan
diferente circuito de polarizacin.
Vin=120mVX13480,742/(1,5K+13480,742)=107,984mV=Vb; V0=107,984MvX39,291=4,242V=Vc;
ic =4,242/3,6K=1,178mA; ib=1,178mA/200=5,892A; ie=201X5,892A=1,184mA;
Ve=75X1,184mA=
Ve=88,834mV; iRL=4,242V/9K=471,333 A; iRC=4,242/6K=707A; if=(120mV107,984mV)/1,5K=;
if=8,01A; AiRealRC=707 A / 8,01A =88,264; AvReal=4,242/120mV=35,35 ApRealRC=88,264X35,35=;
ApRealRC=3120,132;AiRealRL=471,333 A / 8,01A=58,843.
2.- IE=(12 0,7) / (11,2K+100)=1mA; re=25mV/1mA=25; rC=6K//12K=4K; Av=3,6K/(25+100) =32;
Zin(BASE)=200(25+100)=25K; Zin=16K//25K=9756,097; Vin= 180mVX9756,097/ (9756,097+2K)=
1.- Cambio la RE de 1,5K por una de 7,5K, pero su procedimiento no cambia sino el valor de IE.
V2=(15+15)X40K/(40K+80K)=10V IE=(10 0,7) / (7,5K+100)=1,223mA re=25mV/1,223mA
re=20,43; rC=4K//8K=8K/3; Av=(8K/3) / (20,43+100)=22,142; Zin (BASE)=200(20.43+100)=24086;
Zin=40K//80K//24086=12655,361; Vin= 200mVX12655,361/(12655,361+1,5K)=178,806mV=Vb;
Vin=180mVX21734,23/(1,2K+21734,23)=170,581mV=Vb; V0=170,581mVX38,694=6,6V;
iC= 6.6/4423,44=1,492mA; ib=1,492/200=7,46A; ie=201X7,46A=1,499mA; Ve = ieXre=
Ve=1,499mAX100=149,9mV; iRC=6,6/6K=1,1mA; if=(0.18mV 70,581mV)=7,849A;
AiRealRc= iRC / if =1,1mA/7,849A=140,145; AvReal=6.6/0,18=36,666; ApRealRC=140,145X36,666=;
ApRealRC=5138,658; iRL=6,6/18K=366,666 A; AiRealRL=366.666 A/7,849 A=46,715.
Les estoy enviando los 4 ejercicios resueltos para que los analicen y tengan idea de cmo se
resuelven los problemas que les envi y los puedan resolver
PARA RESOLVER
1.- Con la informacin que ofrecen las figuras 1, 2 y 4. Determine, si el =200
a).-Los voltajes y corrientes de a.c, y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa R L.
C).-La ganancia de corriente real en Rc.
2.- De la figura 3. Determine, si el =180
a).- El valor de R1 y Vcc.
b).- Los voltajes y corrientes de a.c. y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa Rc.
d).- La ganancia de corriente real en R L.
3.- Con la informacin que ofrecen las figuras 5, 6 y 7. Determine, si el =200
a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa R C.
C).-La ganancia de corriente real en la carga.
4._ La figura 8 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA.
Determine, si el =200
a).- El valor de RB, RE y Rc.
b).- Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa RC.
d).-La ganancia de corriente real en la carga.
Para analizar este amplificador multietapa de tres etapas como el de la figura1, aplicamos el
teorema de superposicin para analizar primero el circuito de corriente continua y luego el circuito
de corriente alterna.
Para analizar el circuito de corriente de continua se cortocircuita la fuente de voltaje de ac, y los
condensadores se comportan como interruptores abiertos quedando el circuito de la figura 1 como
se muestra en las figuras 2, 3 y 4.
FIGURA 5
Las resistencias R1-1; R1-2; RC2; R1-3 y RC3 que estn a tierra las bajamos a la tierra de abajo para
dejar una sola tierra y poderlo analizarlo mejor como se muestra en el circuito 6, vemos que en la
primera etapa tenemos R1-1 y R2-1 estn en paralelo y la cambiamos por una resistencia equivalente
que la llamaremos RB1, y en la segunda etapa aparecen RE2; R1-2 y R2-2 estn en paralelo y la
cambiamos por una resistencia equivalente que la llamaremos R B2 y por ltimo estudiaremos la
tercera etapa y vemos que la resistencias R C2; R1-3 y R2-3 estn en paralelo y la cambiamos por una
resistencia equivalente que la llamaremos R B3. Las resistencias RC3 y RL conforman la resistencia
equivalente de carga y estn en paralelo y la llamaremos r c4.
FIGURA 6
Ahora hacemos el circuito equivalente del amplificador en ac completo, o sea cambiando los
transistores por sus circuitos equivalentes como se muestra en la figura 7.
Como la ganancia de voltaje del amplificador es igual AV1x AV2xAV3, en la primera etapa la ganancia
es aproximadamente igual a 1, en la segunda etapa la ganancia de voltaje est entre 10 y 40, y la
tercera etapa un la ganancia de voltaje est entre 40 y 400.
Comenzamos calculando las ganancias de voltaje en cada una de las etapas: Av1=Re / (re2+Re)=.
Donde Re= RE1 //RB2 //Zin(BASE)3=, y re2=25mv/ IE2=. La segunda etapa la AV2= - rc2 /(re3+rE)=.
Donde rc2=RC3 // RB3 //Zin(BASE)4=, y la tercera etapa la AV3= - rc3 / re4=. Donde rc3=RC4 // RL=.
Podemos hallar todas las impedancias de base: Zin(BASE)1= ( re1 + Zin(BASE)2 ) =;
Zin(BASE)2= (re2 + Re) =; Zin(BASE)3= (re3+rE) =; Zin(BASE)4= . re4=.
FIGURA 7
Ahora calculamos la Zin para hallar el V in y poder calcular los dems voltajes. Zin=R B1//Zin(BASE)1=;
V in= VFxZin / (RF + Zin)= V b1; VO =AVTxV in = V C4; Vo1= V inxAV1= V e2= V b3; Vo2= Vo1xAV2=;
Vo2= V C3= V b4=; V e1= V in - i e1x re1 =; V e1= V b2=; V e3= i e1x rE3=; V e4=0V.
Hallaremos las corrientes que las vamos a necesitar para hallar algunos voltajes:
i b1= V b1 / Zin(BASE)1=; i e1= (+1) i b1=; i C1= i b1x =; i b2= V b2 / Zin(BASE)2=; i e2= (+1) i b2=;
i C2= i b2x =; i b3= V b3 / Zin(BASE)3=; i e3= (+1)i b3=; i C3= i b3x =; i C4= V C4 / rc3=;
i b4= i C4 / =; i e4= (+1)i b4=.
PROBLEMA DE TRABAJO PARA ENTREGAR EL DIA DEL PREVIO
En el amplificador de la figura 8, c/u de los transistores tienen un =200 calcular:
a.- Los voltajes y corrientes de cc y ac en c/u de las etapas del amplificador, y la potencia que
disipa c/u de los transistores.
b.- La impedancia vista desde la base de Q1.
c.- La ganancia de corriente real que recibe la base de Q 3.
d.- La ganancia de corriente real que recibe Rc 4.
e.- La ganancia de potencia real que disipa la R L.
FIGURA 8
VCE =Vc
-VE=;
Av=-rc/
RL
500 a
3k a
3k
5k
5K a 10k
10K a
20k
20K a 50k
NOTA: Esta tabla se aplica para los
diseos de los amplificadores de
60K a 150k
resistencia de emisor totalmente
desacopladas y tambin en los diseos de base comn.
rC = R L ( X % ) R L
rC = R L ( 20 % ) R L
rC = R L ( 60 % ) R L
rC = R L ( 80 % ) R L
rC = R L ( 70 % ) R L
rC = R L ( 55 % ) R L
rC = R L ( 90 % ) R L
rC = R L ( 85 % ) R L
rC = R L ( 96 % ) R L
rC = R L ( 90 % ) R L
rC = R L ( 98 % ) R L
Av
40 a
40 a
100 a
40 a
100 a
40 a
100 a
40 a
100 a
40 a
400
100
400
100
400
100
400
100
400
400
(Medido) =200.
PROCEDIMIENTO
Vout=Av xVinpp= ; VCE =Vout +K y K 1. Por medio de la tabla anterior
hallo rC. Si Si rC= R L ( X % ) R L=; Rc= rCRL / (RL - rc) =; Av= - rC / re
re= - rC /Av=. Como re=25mV /IE =. (IE Ic)=25mV/ re= Llevo el valor de
Ic a un valor exacto por ejemplo si me da 1.88mA lo llevo a 2mA para asi obtener valores de
resistencias exactas.
Para obtener el valor de VE lo tomo entre 1V VE 4V RE=VE / Ic=; Vcc= VRC+ VCE+ VE =;
VR1=Vcc -VR2=; Pero VR2= VRE+0,6=, e IB=Ic/=; I1=11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=;
Ccin=1 / (2foZin)=; Zinre; Cco= 10 / (2foRL)=; Cbp= 10 / foR2)=.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR PARAFASICO PROBLEMA DISEO._
Disear un amplificador parafsico que cumpla con los siguientes parmetros: Av=1;
Vin=120mVpp;
fo=30Hz;
Ic=2mA;
=200;
RL1=RL2=5,6K;
Zin15K.Clculo la RE=KRL=;Kes una constante que puede
tener un valor entre 1 K 5; RL1=RL2; Rc=RE
VRE=VRC=REIc=; VCEVRE; Vcc= VRC +VCE+ VRE=; como VRE=VRC,
entonces tenemos Vcc=2VRE+VCE=.
El VCE se le dar un valor mayor que el de VRE de tal forma que se
obtenga un Vcc de 12V; 15V; 18V; 24V 30V. VR2= VRE + 0,6 =;
VR1= Vcc - VR2=IB = Ic / (Medido)=; I1=11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=; Ccin=1 / (2foZin)=; Zin=
R1 // R2 // (Medido)(.Re+ re);
Cco= 10 / (2foRL)=; Cco=Cco1=Cco2.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE RC
PROBLEMA DISEO._ Disear un amplificador de
acople RC que tenga los siguientes parmetros: Av=3600:
Vf=2mVpp; RL=6,8K; S=8; (Medido ) =200; fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda: AvT=Av1 x Av2=
Diseo de la segunda etapa: Vout=Avt xVinpp=;
Vce2=Vout+K ; Kes una constante K1
El voltaje de RE2 lo asumimos 0.5<RE2<3.5V;
rc=RL(X%)RL. La(X%) tomamos de la tabla que est en funcin
de Av y de RL: Rc= RL . rc /( RL - rc). Calculamos
la I C:
Ic=25mv/re ; re= rc/Av2;la corriente Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor al
que nos dio en el caculo. Para obtener valores de resistencias que se consigan en el comercio. La
Ic IE.
Clculo de la resistencia de emisor RE: RE=VRE / Ic. Clculo del voltaje en Rc: VRc= IcxRc.
Clculo de la fuente de Vcc: Vcc= VRc+VcE+ VRE2=. Clculos de los voltajes en R1 y R2
VR1=Vcc-VR2=; Y VR2=VRE2+VBE. Clculo de R1 y R2 R2= SxRE2 = ; S es el factor de estabilidad
dado en los parmetros del diseo. R 1= VR1XRin/VR2=. Donde Rin= R2//xRE2=; Clculo de Zin
Zin2= R1 // R2 // .r'e
DISEO DE LA PRIMERA ETAPA
Para disear la primera etapa, tenemos que partir que ya contamos con una fuente de Vcc
calculada en la segunda etapa, que tenemos una resistencia de carga (R L1) que corresponde a la
Zin de la segunda etapa, conocidos estos datos procedemos a disear la primera etapa que es un
amplificador con resistencia de emisor dividida.
Para clculos de polarizacin para esta etapa debemos tener en cuenta el voltaje de colector a
tierra Vc, para as poder facilitar los clculos de Rc
*Clculo de Rc
Vc=Vcc/2=
VRc=Vcc - Vcc/2=
VRc=Vcc/2=
Rc= VRc /Ic
La corriente de colector para esta clase de circuitos la puede dar el diseador,
Teniendo en cuenta que la Ic1 Ic2
*Clculo del VRET
El voltaje en RET para esta clase de circuitos se toma como: VRET=(1/6)xVcc
*Clculo de RET
*Clculo de VCE
*Clculo de rE1 y RE1
RET= Vcc/6Ic=
VCE=Vc-VE
rE1=rC1 /Av RE1= RET- rE1 rc1=Rc1//Zin2
La rE1 calculada solo tomamos el 70%, para as lograr perfectamente la ganancia requerida por el
circuito: r*E1 = 0.7rE1 RE1= RET- rE1*
*Clculo del voltaje en R1 y R2
* Clculo de R1 y R2.
VR2=VRET+VBE=(1/6xVcc)+VBE=; y VR1=Vcc-VR2=; R2=SxRE =; R1=VR1XRin/ VR2. Donde Rin=R2//re
Clculo de Zin: Zin= R1 // R2//x(re + r*E)=
*Clculo de los condensadores de acople..
Ccin= 1 / (2..fc.Zin)=; Cco= 10 / (2..fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2..fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2..fc. RE2)=
Cp= 10 / (2..fc (RC1 + Zin2))=
DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE DIRECTO
PROBLEMA DISEO._ Disear un amplificador de acople directo que cumpla con los siguientes
parmetros: Av=3600:Vf=1,5mVpp;RL=6,8K;S=8;(Medido)=200 ;fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda: AvT=Av1 x Av2=
Diseo de la segunda etapa
Vout=Avt. Vinpp=;Vce2=Vout+;Kes una constante K1
Calculamos la IC: Ic=25mv/re ; re= rc/Av2;la corriente
Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor
al que nos dio en el caculo. Para obtener valores de
resistencias que se consigan en el comercio. La Ic IE.
Seleccin del voltaje en la resistencia de RE2:
RE2= VRE2 / Ic=.
As como existen transistores bipolares npn y pnp; donde el prefijo bi indica que el nivel de
conduccin es una funcin de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un
La figura 4 muestra las polarizaciones normales para polarizar un JFET de canal n canal p. Si es
de canal n se le aplica un voltaje VDD positivo entre el drenador y la fuente, estableciendo un flujo
de electrones libres de la fuente hacia el drenador, si es de canal p sucede lo contrario. Puesto que
los electrones pasan a travs del canal, el flujo de corriente depende del ancho del canal.
Obsrvese que se aplica un voltaje negativo V GG si es de canal n, un voltaje positivo V GG si es de
canal p entre el graduador compuerta y la fuente surtidor, lo que es estandar para todas las
aplicaciones del JFET.
POLARIZACION DE UN JFET
Como podemos observar en la figura 4 el graduador esta polarizado inversamente, segn la teora
vista del diodo entre ms grande sea el voltaje del graduador, el canal se hace ms estrecho
porque las capas de agotamiento se aproximan ms.
VOLTAJE DE CORTE DE GRADUADOR-SURTIDOR (VP)
Cuando el voltaje de graduador alcanza su mximo valor las capas de agotamiento hacen
contacto y el canal de conduccin se estrangula (desaparece). En este caso se corta la corriente
del drenador. El voltaje de graduador que provoca el corte se simboliza como V GS(apagado)=VP
Para todos los niveles de VGS entre 0Vy el nivel de estrechamiento, la corriente I D se encontrar en
el rango entre IDSS y 0 amperios.
Se puede desarrollar una lista similar para los JFET de canal p.
CURVA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA O DE TRANSCONDUCTANCIA.
Para el transistor BJT la corriente de salida Ic y la corriente de control I B fueron relacionadas por ()
beta, considerada como constante para el anlisis que fue desarrollado. En forma de ecuacin,
En esta ecuacin existe una relacin lineal entre Ic e I B. Si se duplica el nivel de I B e Ic, se
incrementar tambin por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relacin lineal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de
un JFET. La relacin entre ID y VGS se encuentra definida por la ecuacin de Shockley:
El trmino cuadrtico de la ecuacin dar por resultado una relacin no lineal entre I D y VGS,
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V GS.
Las curvas caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley no resultan
afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuacin de Shockley o a partir de las
caractersticas de salida en la figura 5. En la figura 7 se proporcionan dos grficas con la escala
vertical en miliamperios para cada grfica. Una es una grfica de I D en funcin de VDS, mientras
que la otra es de ID en funcin de VGS. Con las caractersticas de drenaje a la derecha del eje y es
posible dibujar una lnea horizontal desde la regin de saturacin de la curva denotada V GS=0 y al
eje ID. El nivel resultante de corriente para ambas grficas es I DSS. El punto de interseccin en la
curva ID en funcin de VGS ser el que se mostr antes, ya que el eje vertical est definido
Como VGS= 0v.
CIRCUITOS DE POLARIZACION.
As como en los transistores bipolares se utilizaron unos circuitos de polarizacin para ubicar el
punto Q, tambin se utilizarn unos circuitos de polarizacin muy similares a los del bipolar.
Estos circuitos de polarizacin son:
Polarizacin de graduador o compuerta.
Polarizacin por Autopolarizacin.
Polarizacin por divisor de voltaje.
Polarizacin por surtidor o fuente.
Polarizacin por fuente de corriente.
POLARIZACION DE GRADUADOR O COMPUERTA.
La figura 8a es un ejemplo de polarizacin de graduador (similar a la polarizacin de la base de un
transistor bipolar). La figura 8b muestra un diagrama simplificado. Esta es la peor forma posible de
fijar el punto Q para un amplificador JFET lineal. La razn es que existe una variacin considerable
entre los valores mnimos y mximos de los parmetros de un JFET.
Esto implica que las curvas de transferencia mnima y mximo estn separadas como se muestra
en la figura 8c. La polarizacin por graduador proporciona un voltaje fijo en el graduador, y esto
hace que la ubicacin del punto q dependa fuertemente del JFET empleado.
Para hallar los parmetros del circuito polarizado por graduador de la siguiente ecuacin:
VGS=VG - VS=; como VS=0V, entonces VGS=VG= - VGG. Conocido el VGS podemos hallar la ID, y as
los dems parmetros por mallas. I D=IDSS(1-(-VGG)/VP)=; -VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD- IDRD=;
PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR AUTO-POLARIZACION.
La figura 9a muestra la auto-polarizacin, que es otra forma de polarizar un JFET. Ntese que slo
se usa una fuente de alimentacin en el drenador; no hay alimentacin en el graduador. La idea es
usar el voltaje que se encuentra en el resistor del surtidor R S para producir el voltaje inverso en el
graduador (graduador-surtidor). Esta es una forma de retroalimentacin local similar a la que se
utiliza con transistores bipolares. Teniendo presente la funcin de esta retroalimentacin, se ve que
si la corriente de drenador se incrementa, la cada de voltaje en R S; esto aumenta el voltaje inverso
de graduador-surtidor, lo que provoca que el canal se haga ms angosto y que reduzca la corriente
de drenador. El efecto resultante es desajustar parcialmente el incremento original de la corriente
de drenador.
VOLTAJE DE GRADUADOR.-Puesto que el graduador esta polarizado inversamente (fig. 9a), la
corriente de graduador que fluye a travs de R G es despreciable, por lo que el voltaje de graduador
respecto a tierra es cero:
VG=0V.
El voltaje de surtidor a tierra es igual al producto de la corriente de drenador y la resistencia de
surtidor o fuente:
VS=IDRS= .
El voltaje graduador-surtidor es igual a la diferencia entre el voltaje de graduador y el voltaje de
surtidor: VGS=VG - VS =0V - IDRS= VGS = - IDRS.
Esto significa que el voltaje de graduador-surtidor es igual al valor negativo de voltaje en el resistor
de surtidor, de tal forma que cuanto mayor sea la corriente de drenador, ms negativo se hace el
voltaje de graduador.
LINEA DE AUTOPOLARIZACION.-Todo circuito auto-polarizado tiene una curva de transconductancia y una lnea de auto-polarizacin como se muestra en la figura 9b. La pendiente de la
lnea de auto-polarizacin es -1/Rs puesto que esta lnea es la grfica de la ley de Ohm para la
resistencia Rs. La nica forma de satisfacer tanto la ley de Ohm como la curva de transconductancia es ubicando el punto Q en el punto de interseccin.
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE SURTIDOR.- La figura 9c muestra la variacin del punto Q
cuando cambia la resistencia de surtidor. Cuando Rs es grande, el punto Q desciende sobre la
curva de trans-conductancia o de transferencia y la corriente de drenador es pequea. Cuando Rs
es pequea el punto Q asciende sobre la curva de trans-conductancia y la corriente de drenador
es grande. Existe un valor ptimo de Rs que fija el punto Q cerca del centro de la curva de transconductancia.
ecuacin de 2 grado:
VGS (2VPVP/Rs.IDSS)VGS+VP=0; VGS={(2VPVP/Rs.IDSS) (2VPVP/Rs.IDSS) 4VP}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| | VP |.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID: ID=
VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los dems
parmetros
por medio de mallas por ejemplo:
VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD IDRD=; tambin podemos
hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS
=VDVS=
V DS=VDD IDRD ( IDRS)=;
VDS=VDD ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
DISEO POR EL METODO GRAFICO.- Para disear un
circuito auto-polarizado por el mtodo grfico se toma la
hoja tcnica del JFET que incluye una curva de transconductancia en el cual tiene las coordenadas de I DSS y
VP y se hace lo siguiente: desde el valor de I DSS se traza
una horizontal al eje de las X (VP), luego tomo el valor de
VP y trazo una vertical paralela al eje de la Y (I DSS). Trazo una recta pendiente que se forma entre
el punto de interseccin de las dos rectas que acabo de trazar y el punto de origen, esta recta
corta la curva de trans-conductancia que es exactamente donde se obtiene el punto Q optimo.
Tmese la lectura de las coordenadas del punto Q, y la razn de voltaje a corriente proporciona el
valor de diseo de Rs:
Rs = -VGS/ID. Ver la figura 9d
POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE.-La figura 10a muestra la polarizacin por divisor de
voltaje que es muy similar a la usada con el transistor bipolar. Si el voltaje de Thvenen V TH
aplicado a graduador o compuerta: VTH=(R2/(R1+R2))xVDD. Este es el voltaje de cc del graduador a
tierra. A causa de VGS, el voltaje de surtidor o fuente a tierra es: Vs=V TH-VGS. Por lo tanto, la
corriente de drenador es igual a: I D=(VTH-VGS)/Rs.
Si VTH es lo suficientemente grande como para despreciar la V GS, la corriente de drenador es
aproximadamente constante para cualquier JFET, como se muestra en la figura 10b.
Sin embargo, existe un problema: En un transistor bipolar el V BE es aproximadamente 0.7 V, con
variaciones mnimas de un transistor a otro, pero en los JFET V GS puede variar varios voltios de un
JFET a otro. Con voltajes tpicos de alimentacin, es difcil hacer el V TH lo suficientemente grande
para despreciar a VGS. Por esta razn, la polarizacin por divisor de voltaje es menos efectiva en
los JFETs que en los transistores bipolares.
Si se grafica la ecuacin de I D=(VTH-VGS)/Rs=, se obtiene la lnea de polarizacin mostrada en la
figura 10c. Ntese como la corriente del drenador se incrementa al pasar de Q 2 a Q1. Cuanto
mayor sea el VTH, la lnea de carga se har ms horizontal, pero existe un lmite superior para el
valor de VTH. Por lo tanto, aunque se obtiene una gran mejora en la polarizacin por divisor de
voltaje no es lo suficientemente buena para proporcionar el punto Q fijo que se est buscando.
Como ambas ecuaciones de I D estn en funcin de VGS, y VGS no lo conocemos, entonces
igualamos las dos ecuaciones y despejamos a V GS: (VTH-VGS)/Rs= IDSS(1-VGS/VP); as hemos
eliminado la ID, continuamos con el despeje: (V THVGS) / Rs.IDSS=1 2VGS/VP+(VGS/VP); Si
multiplicamos por VP tenemos: VP(VTHVGS)/Rs.IDSS= VP 2 VGS.VP+VGS. La ordenamos y
obtendremos una ecuacin de 2grado: VGS (2VP(VP / Rs.IDSS))VGS+VP+ VPVTH / Rs.IDSS =0;
VGS={(2VP--VP/Rs.IDSS) (2VP--VP/Rs.IDSS)-4 VP(1(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| | VP |.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID: ID= VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
dems parmetros por medio de mallas por ejemplo: VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD IDRD=;
tambin podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS =VDVS=
VDS=VDD IDRD ( IDRS)=; VDS=VDD ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
Para que la polarizacin por surtidor opere bien, Vss debe ser mucho mayor que
VGS. Sin embargo, un intervalo tpico para VGS est entre -1 y -5 V, donde es
claro que no es posible despreciar el efecto de VGS usando voltajes tpicos de
alimentacin.
Como ambas ecuaciones de ID estn en funcin de VGS, y VGS no lo conocemos,
entonces igualamos las dos ecuaciones y despejamos a V GS: (VssVGS)/Rs=
IDSS(1VGS/VP); as hemos eliminado la ID, continuamos con el despeje:
VssVGS/Rs.IDSS=1 2VGS/VP+(VGS/VP); Si multiplicamos por VP tenemos:
VP(VssVGS)/Rs.IDSS= VP 2 VGS.VP+VGS. La ordenamos y obtendremos una
ecuacin de 2 grado: VGS(2VP(VP/Rs.IDSS))VGS+VP+(VPVss/Rs.IDSS)=0
Resolvemos la ecuacin de 2 grado para hallar el V GS:
VGS={(2VP--VP/Rs.IDSS) (2VP--VP/Rs.IDSS)-4 VP(1(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS||VP|.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID: ID= VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
dems parmetros por medio de mallas por ejemplo: VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD IDRD=;
tambin podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS =VDVS=VDS=VDD
IDRD(VEE IDRS)=; VDS=VDD + VEE ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE.-Existe una forma de obtener un punto Q estable
en los JFETs: se necesita producir una corriente de drenador independiente de V GS. La polarizacin
por divisor de voltaje y la polarizacin por fuente se intento realizar esto, pero como se explico es
difcil despreciar el VGS con valores tpicos de alimentacin ya que V GS puede ser de varios voltios.
Aqu se analizan dos circuitos: con fuente de alimentacin bipolar (ver figura 12a) y con fuente
monopolar (ver la figura 13), en los que el efecto de V GS realmente es despreciable.
figura 16. Esta propiedad es til en el control automtico de ganancia mas adelante.
Vp=VGS(apagado)= -2IDSS/gmo. Es muy difcil medir en forma precisa el valor de V P. Por otro lado, IDSS
y gmo pueden medirse con alta precisin. Por lo tanto, el procedimiento normal es medir I DSS y gmo
para despus calcular el VGS (apagado).
El AMPLIFICADOR DE SURTIDOR COMUN.-En la figura 17 muestra un amplificador en
configuracin surtidor comn (CS). Cuando se aplica una pequea seal de ac en el graduador,
esta produce variaciones en el voltaje entre graduador y surtidor, que a su vez proporciona una
corriente de drenador senoidal. Ya que una corriente alterna fluye a travs del resistor de
drenador,se obtiene a la salida un voltaje de ac amplificado.
INVERSION DE FASE.--Un incremento en el voltaje entre el graduador y el surtidor producen mas
corriente de drenador, lo que significa que el voltaje del drenador est disminuyendo. Puesto que el
semiciclo positivo del voltaje de entrada produce el semiciclo negativo del voltaje de salida, el
amplificador en configuracin CS produce una inversin de fase.
La figura 18 muestra el modelo de ac de un amplificador CS. Ntese que el modelo de ac es similar
al de un amplificador en la configuracin de emisor comn.
amplificadores JFET es mantener la seal pequea. En este caso solo se usa una pequea parte
de la curva de trans-conductancia, lo cual significa que la operacin es aproximadamente lineal.
Para hallar los parmetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
mtodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av: Av= VO/Vin=; VO id rD=0 VO= id rD; donderD = RD /
/RL y la id = gmVgs VO= gmVgs rD y la Vin: Vin Vgs =0 Vin= Vgs = Av=
gmVgs rD / Vgs =
Av= gm. rD. Ai no hay. Ap=(VO) / Zo/ (Vin) /
Zin=;Ap=Av(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=:y Zo=rD
Zo =RD//RL=.
CON RESISTOR DE COMPENSACION.- Algunas veces incluye un resistor de compensacin
sumado a la resistencia del surtidor, como se muestra en la figura 20.
De esta manera, el surtidor ya no est a tierra de ac. La corriente de drenador, al circular por rs
produce un voltaje de ac entre el surtidor y tierra. Si rs es lo suficientemente grande, la
retroalimentacin local puede hacerse mnima la linealidad de la curva de transconductancia.
Entonces la ganancia de voltaje se aproxima al valor ideal de -rd/rs que es la razn de la
resistencia equivalente de drenador a la resistencia de surtidor sin capacitor de paso.
Ntese la similitud con la ganancia de un amplificador bipolar con resistencia de emisor dividida.
Para hacer el anlisis matemtico: La figura 21 nos muestra el circuito equivalente de ac. Ya que
la Rin de un JFET tiende a infinito, toda la corriente de drenador de ac fluye a travs de rs,
produciendo una cada de voltaje de gmVgs.rs.
Despus de hecho el anlisis matemtico se sacan dos conclusiones: primero, la resistencia de
compensacin reduce la Av; segundo las variaciones de gm de un JFET a otro tienen menos efecto
en la Av.
Para hallar los parmetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
mtodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; VO id rD=0 VO= id rD; donde rD =
Para hallar los parmetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
mtodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; VO+ id.Rs=0 VO= id.Rs; donde Rs= Rs //
RL=; y la
id = gmVgs VO= gmVgs. Rs y la Vin: Vin+Vgs + id .Rs =0: Vin=
Vgs + gmVgs.Rs = Vgs(1+ gm.Rs)=
Av= gmVgs Rs / Vgs (1+ gm. Rs)=
Av=gm. Rs /(1+ gm. Rs)= Rs / (1/ gm+ Rs)=;
Av= Rs / (1/ gm+ Rs)=; Si Rs >>>>>
1/ gm entonces la AV1; donde 1/ gm es la resistencia dinmica del dispositivo. Ai no hay. Ap=
(VO) / Zo/ (Vin) / Zin=; Ap=Av(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=: y Zo=1/gm // Rs 1 / gm.
EL AMPLIFICADOR DE GRADUADOR COMUN(CG).- la figura 24 muestra un amplificador
graduador comn (GC).
La figura 25 muestra el circuito equivalente de ac de base comn. El voltaje de ac de salida es igual
a la corriente del drenador por rd. Por tanto, la impedancia de entrada de un amplificador de
graduador comn es baja, a diferencia de los amplificadores (CS y CD), donde la impedancia de
entrada se aproxima a un valor infinito para bajas frecuencias. A causa de la baja impedancia de
entrada con que cuenta el amplificador de CG, este tiene muy pocas aplicaciones.
Para hallar los parmetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
mtodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; VO id rD=0 VO= id rD; donde rD
=RD / /RL y la id = gmVgs VO= gmVgs rD y la Vin: Vin Vgs =0 Vin= Vgs = Av=
gmVgs rD / Vgs =
Av= gm .rD. Ai no hay. Ap=(VO) / Zo/ (Vin) / Zin=;Ap=Av(Zin /Zo)=; Zin= 1/ gm=:y
Zo=rD
Zo =RD//RL=.
EL TRANSISTOR MOSFET
El transistor MOSFET (metal-oxidesemiconductor FET). Cuenta con un surtidor,un graduador y un
drenador. A diferencia del JFET, en el MOSFET el graduador est aislado del canal, por lo que la
corriente del graduador es extremadamente pequea sin importar que el graduador sea positivo o
negativo. Al MOSFET en algunas ocaciones se le denomina FET con graduador aislado.
MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAR.- En la figura 26 muestra un
MOSFET canal tipo n, una barra conductora de material tipo n con una regin tipo p a la derecha y
un graduador aislado a la izquierda. Los elctrones libres pueden fluir desde el surtidor o fuente al
drenador a travs del material tipo n. La regin tipo p recibe el nombre de sustracto (o cuerpo); esta
reduce fsicamente la trayectoria de conduccin a un canal angosto. Los elctrones que fluyen del
ssurtidor al drenador deben pasar a travs de este canal angosto.
A la izquierda del canal se deposita una capa delgada de oxido de silicio (SiO 2). El oxido de Silicio
es lo mismo que el vidrio; un aislante. En un MOSFET el graduador es metlico. Ya que el
graduador, est aislado del canal, la corriente en el graduador es despreciable aun cuando el
voltaje de graduador sea positivo. El diodo pn que existe es un JFET se ha suprimido en el
MOSFET.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO.- La figura 27a muestra un MOSFET con graduador polarizado
negativamente. La alimentacin de V DD fuerza a los elctrones libres a fluir del surtidor al drenador.
Estos electrones fluyen a travs del canal angosto a la izquierda del sustrato tipo p.
Como antes, la tensin del graduador puede controlar el ancho del canal. Entre ms negativo sea
el voltaje en el graduador, ms pequea ser la corriente del drenador. Cuando el voltaje del
graduador es lo suficientemente negativo, la corriente de drenador se corta. Por lo tanto, con un
voltaje negativo en el graduador, la operacin de un MOSFET es similar a la de un JFET. Puesto
que el efecto del voltaje negativo del graduador consiste en empobrecer de electrones libres el
canal.
MODO DE ENRIQUECIMIENTO O DECREMENTAL.- Ya que el graduador de un MOSFET est
aislado del canal, podemos aplicarle un voltaje positivo, como se muestra en la figura 27b. El
voltaje positivo en el graduador incrementa el nmero de electrones libres que fluyen a travs del
canal. Cuanto ms positivo sea el voltaje en el graduador, mejor ser la conduccin de surtidor a
drenador. La operacin del MOSFET con un voltaje positivo de graduador se basa en el
enriquecimiento de la conductividad del canal. En cualquiera de los modos de operacin, a causa
de la capa aislante, la corriente que fluye por el graduador es despreciable. La resistencia de
entrada de un MOSFET es increblemente alta, por lo comn del orden de los diez mil M a diez
mil millones de megohmios.
CURVAS DEL DRENADOR.- Para un MOSFET tipo empobrecimiento las curvas caractersticas del
drenador son muy similares a las de un FET.
representa el canal N. La terminal del drenador sale de la parte superior del canal, y la terminal del
surtidor o fuente se conecta a la parte inferior. La flecha en el sustrato tipo P apunta al material tipo
N del canal. En algunas aplicaciones, puede suministrarse un voltaje al sustrato para tener un
mayor control de la corriente de drenador. Por esta razn algunos MOSFET tiene cuatro terminales
externos. Por lo regular, el fabricante conecta internamente el sustrato al surtidor, resultando un
dispositivo de tres terminales cuyo smbolo se muestra en la figura 28a.
Existe tambin un MOSFET DE CANAL P, o de tipo de empobrecimiento. Consiste en una barra de
material tipo P con una regin tipo N a la derecha y un graduador o compuerta aislada a la
izquierda. El smbolo convencional para un MOSFET con canal tipo p es similar al de MOSFET con
canal tipo n, excepto que la flecha apunta hacia fuera como se muestra en la figura 28a.
POLARIZACION DEL MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO.- ya que el
MOSFET del tipo de empobrecimiento su modo de operar es muy similar a los de
un FET, por lo que se puede no usar todos los mtodos de polarizacin estudiado
para los FET. Estos incluyen. Polarizacin del graduador, autopolarizacin,
polarizacin por divisor de voltaje y polarizacin por corriente del surtidor. Adems
de estos mtodos de polarizacin los MOSFET del tipo de empobrecimiento puede
operar, ya sea en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, puede
fijarse el punto Q en la cordenada de la ID, o sea que el VGS sea igual a cero. Por
lo tanto una seal de ac de entrada aplicada al graduador produce variaciones
arriba y abajo del punto Q. El hecho de que V GS pueda ser cero es una ventaja cuando se trata de
polarizar. Ello permite usar el circuito de polarizacin que se muestra en la figura 29. A este circuito
tan simple no se le apllica voltaje ni al graduador, ni al surtidor. Por lo tanto, VGS=0 e I D=IDSS. El
voltaje de cc en el drenador es: VDS=VDD-IDSSxRD. La polarizacin cero de la figura 29 es una
caracterstica peculiar de los MOSFET. No es aplicable en transistores bipolares o en FET.
Vin =120mv; Vin = Vg =Vgs=120mv; Vo =Vd =Av x Vin =(-8 ) x 120mv= 960mv; id =
Vgs x gm =;
id = 120mv x 2mS = 240mA; if = (Vf Vin) / Rf =; if = (150mv 120mv) /
=;
100K = 300nA;
ApREALRL= PRL / Pf =( Vo / RL ) / (Vf.if )=; ApREALRL= ( (960mv)/ 12k) /
(150mv.300nA)=1706,666;
3.-El amplificador de la figura 3 tiene los siguientes parmetros: Av= 8; Vp= 8V. Si la mxima
corriente que puede circular por el canal N es de 16mA, y su punto de trabajo (Q) en la curva
caracterstica del drenador es de 4mA y 12V. Calcular los voltajes y corrientes de c.c y a.c y la
ganancia de potencia real en RD.
=4m.147.54m=590.163mA; Vs=0V;
if=(Vf - Vin) / Rf =(150mv 147,54mv)/500K
=4,918nA. ApREALRL= PRL / Pf =( Vo / RL ) / (Vf.if )
ApREALRL=VO / (RL.Vf.if )=1.77/(12K.150mv.4,918nA)=353904,026.
5.-Complete el circuito del amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 5, para obtener
los siguientes parmetros: ID=4mA; Av= 10; Vp= 8V;
rm=250 y un VD = 2V. Calcular los voltajes y corrientes de
c.c y a.c y la ganancia de potencia real en la carga.
gm= 1/rm= 1/250=4mS ID= IDSS ( 1 VGS/VP) = ;
gm = ( 2 IDSS / VP )(1 VGS / VP )=, despejamos IDSS en
las dos ecuaciones, y las igualamos:
ID/(1VGS/VP) = gm.VP /2(1VGS/VP); 2ID=gm.Vp(1
VGS/VP 2ID=gm.Vp+gm.VGS =; VGS=(gm.VP +2ID)/
gm=
VGS = (4m (-8) + 2.4m ) / 4m = 6V; hallamos V2
V2=(22+22)22M / (22M+220M)= 4V; - 4 + (-6) + 4mA. RST = 0 RST =10 / 4mA = 2,5K;
Rs =2,5K - 50=; Rs=2,45K; - 22+4m2.5K+Vs=0; Vs= -10+22=-12V; IDSS= 4mA(1- (-6/-8))=
IDSS=64mA; VGS= VG VS= VG=VGS + VS= VG= -6 +(-12)= -18V; VDS=VDVS = 2 - (-12)= 14V;
- 2 - RD.4m + 22= 0; RD=20/4m=5K; Av= - rD / ( rm + rs )=; rD=-Av.(rm+rs)=; rD= (10)(250+50)=3K;
RL=RD.rD/(RDrD) =; RL=5K.3K/( 5K3K)=7.5K; Zin=R1.R2/ R1+R2=; Zin=220M//22M=; Zin=20M;