Tema 1.5.1.desbloqueado

Desarrollo y Construccin
de Prototipos Electrnicos
U.D. 1.5.- Elementos complementarios de circuitos
Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura

en semiconductores: Radiadores de calor
Introduccin
En un dispositivo semiconductor, la circulacin de corriente elctrica produce una perdida
de energa que se transforma en calor. El calor produce un aumento de temperatura en el dispositivo
semiconductor, y, si este aumento es incontrolado, inicialmente se pueden dar dos situaciones:
1. Reduccin de la vida til del componente.
La vida media de un semiconductor se cifra en unas 100.000 horas (unos 12 aos) de
funcionamiento ininterrumpido y algunos fabricantes llegan a afirmar que la vida til de un
semiconductor se reduce a la mitad por cada 10 C de elevacin de temperatura sobre la especificada
en sus valores mximos absolutos.
2. Destruccin del dispositivo.
Si el semiconductor se caliente hasta alcanzar o superar la mxima temperatura de la unin
especificada por el fabricante, provocar la destruccin irreversible del mismo.
Conclusiones:
1) El estudio trmico de los dispositivos en potencias medias y elevadas resulta fundamental para un
ptimo rendimiento de los mismos.
2) En electrnica de potencia la refrigeracin tiene un papel importantsimo para optimizar el
funcionamiento y alargar lo ms posible la vida til del semiconductor.
Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Es evidente que la capacidad de evacuacin de calor al medio ambiente variar segn el tipo
de cpsula, pero en cualquier caso ser demasiado pequea, por lo que ser necesaria una ayuda
adicional para transferir el calor mediante un dispositivo, denominado refrigerador (heatsinks),
radiador o disipador de calor, que presente un mayor volumen y superficie actuando de puente entre la
cpsula y el medio ambiente para evacuar el calor.
En la tabla se resumen las tres formas bsicas de transmisin de calor desde un foco
calorfico al espacio que lo rodea.
CONDUCCIN
Se trata del principal medio de transferencia de calor y se basa en la transferencia de energa
cintica entre molculas, es decir, se transmite por el interior del cuerpo mediante circulacin de
calor. La tendencia ser conseguir una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo,
momento en el que la cantidad de calor que atraviesa el cuerpo ser mxima. En este tipo de
transmisin de calor es fundamental tener en cuenta la conductividad trmica de cada sustancia.
CONVECCIN
Consiste en transmitir el calor de un slido mediante la circulacin de un fluido que lo transporte a
otro lugar. Si el proceso se realiza de forma natural se denomina conveccin natural y si la
circulacin del fluido es provocada se denomina conveccin forzada.
RADIACIN
Cualquier cuerpo que est a una temperatura por encima de cero grados Kelvin emite calor
mediante emisiones electromagnticas. La emisin depende del estado de la superficie, siendo las
mate ms favorables que las plidas y el color negro tiene el mayor poder de radiacin, razn que
justifica el ennegrecimiento de los radiadores de calor.
En lo referente a disipacin de temperatura en semiconductores, tan solo se tienen en
cuenta las dos primeras dado que la transmisin por radiacin es despreciable a las temperaturas
en que se va a trabajar.
Recordatorio sobre conceptos de temperatura

En el sistema internacional la unidad de temperatura es el Kelvin (K), que es igual a 1/273'16
de la temperatura del punto triple del agua (equilibrio slido, lquido, vapor).
Escala centgrada. Se atribuyen valores a las temperaturas de dos puntos fijos: cero grados para el
hielo en el punto de fusin y 100 grados para el agua en ebullicin (para una presin de 1 atmsfera en
ambos casos).
Escala Fahrenheit. Se eligen los puntos fijos de 32 F para el hielo en el punto de fusin 96 F para el
cuerpo humano. Puede pasarse de temperatura centgrada (TC) a Fahrenheit (TF) y viceversa mediante
las formulas:
T C=
T F 32
1.8
T F =321.8T C
Escala Kelvin. La temperatura del punto triple del agua es 273'16 K. Se elige este nmero para obtener
un intervalo de 100 K entre el punto de fusin del hielo, 273'15K, y el punto de ebullicin normal del
agua, 373'15K. Con esta eleccin, una diferencia de 1K es igual a la diferencia de 1 grado en la escala
centgrada.
Escala Celsius. Se define a partir de la escala Kelvin por:
T Celsius =T Kelvin 273.15

En la prctica la escala Celsius se confunde con la escala centgrada. En la tabla siguiente se dan las
ecuaciones que permiten cambiar entre escalas:
De
T en C
T en F
T en K
a T en C
T en F 32/1.8
T en K 273.16
a T en F
1.8T en C 32
1.8T en K 460
a T en K
T en C 273.16
[T en F 32/1.8]273.16
Circuito trmico
La cpsula de un dispositivo semiconductor no es suficiente para disipar el exceso de temperatura que
se genera en la unin.
Para que un semiconductor disipe la potencia generada, es imprescindible mantener la temperatura de
la unin por debajo del valor mximo dado por el fabricante, por lo que si esta aumenta para
mantenerla a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica que se genera en la
unin.
Siempre que exista una diferencia de temperatura entre dos puntos se producir un flujo de energa
calorfica del punto ms caliente al ms fro, aunque existen factores que dificultan el paso de energa y
que se denominan resistencias trmicas.
Haciendo un smil con la ley de Ohm podemos establecer un circuito trmico en el que las
temperaturas las asemejamos a las tensiones, las resistencias elctricas a las resistencias trmicas y
le flujo de energa calorfica a una corriente elctrica. En la figura vemos esquematizado lo dicho
anteriormente.
jc
cd
da
Donde:
Tj=Temperatura de la unin del semiconductor;
Ta=Temperatura ambiente;
Tc=Temperatura de la capsula del semiconductor; Td=Temperatura del disipador;
PD=Potencia disipada en el semiconductor; jc=Resistencia trmica entre la unin y la
capsula; cd=Resistencia trmica entre capsula y disipador; y da=Resistencia trmica
entre el disipador y el ambiente.
Circuito trmico
Por similitud con el circuito elctrico podemos decir que:
Sustituyendo y despejando:
T j T a
P D=
jc cd da
T j T a =P D ja
Resistencias trmicas
La resistencia trmica se define como el
cociente entre la variacin de temperatura entre dos
puntos y la potencia que pasa entre ellos. Se mide en
C/W o K/W y como hemos indicado se representa con
la letra griega Theta ().
Para el estudio detallado de las resistencias
trmicas vamos a tomar como base el ejemplo que
aparece en el APLICATION BULLETIN SBOA021 de
agosto de 1992 de la firma BURR-BROWN realizado por
Hubert Biagi. Se trata del circuito de la figura en el que
se realiza un estudio basndose en un modelo trmico
para encapsulado T03.
La temperatura de la unin vendr dada por:
T j =T a P D ja
La resistencia trmica total es:
ja = jc cd da
Resistencias trmicas
El clculo de un circuito como el anterior arroja los datos de la tabla, que con posterioridad veremos
como obtenerlos.
ALTA POTENCIA
BAJA POTENCIA
Unidades
Tj
jc
Tc
cd
Td
da
Ta
Potencias
100 W
10 W
10 W
1W
147
37.2
157
38.2
C/W
0.8
0.8
0.8
0.8
67
29.2
149
37.4
C/W
0.12
0.12
0.4
0.4
55
28
145
37
C/W
0.3
0.3
12
12
25
25
25
25
Esquema para un montaje

con encapsulado TO220.
Resistencias trmicas: Resistencia unin-capsula, jc

Es la resistencia trmica entre la unin del cristal semiconductor y la cpsula en la que se
aloja el dispositivo. El calor generado en la unin debe pasar desde este punto al exterior.
Generalmente es un dato que suministra el fabricante y en cualquier caso depende del tipo de
cpsula empleada en su fabricacin.
Exteriormente no se puede variar o influir en dicho valor. Puesto que los semiconductores
tienen diferentes encapsulados es posible obtener diferentes resistencias trmicas entre la unin y la
cpsula. En la tabla siguiente y a titulo orientativo, se muestran algunas resistencias trmicas tpicas.
Encapsulado
2jc (C/W)
T0-3...................
0,5 a 6
T066..................
1,5 a 15
T092..................
175 a 200
T0220................
1,7 a 5
Los fabricantes suministran este dato de forma explicita o de forma implcita, con datos que
permiten su calculo, o bien de forma indirecta mediante curvas.
En cualquier caso los datos que suministran los fabricantes no son independientes y se
relacionan entre s.
Los datos asociados son:
Potencia que puede disipar el dispositivo,
Mxima Tj permitida,
Resistencia trmica,
Temperatura para la que se especifican los datos anteriores.

Ejemplo:
Vamos a utilizar las hojas de datos de distintos fabricantes de un mismo dispositivo
semiconductor para ver en que forma nos suministran los datos antes citados. En concreto vamos a
analizar los transistores BD136/137/140. Se trata de transistores de silicio de media potencia con
encapsulado T0126 mixto de plstico y metal.
En la hoja de caractersticas de la firma FAIRCHLD SEMICONDUCTOR , dentro
de los valores mximos absolutos, podemos leer:
Symbol
Parameter
Value
Units
PC
Collector Dissipation (Tc = 25 C)
12,5
PC
Collector Dissipation (Ta = 25 C)
1,25
Tj
Juntion Temperature
150
Este fabricante no explicita caractersticas trmicas, aunque veremos como se

pueden obtener.
En la hoja de caractersticas de ON SEMICONDUCTORTM en valores mximos,
leemos:
Rating
Symbol
Value
Units
Total Device Dissipation @ TA = 25 C
PD
1,25
Total Device Dissipation @ TC = 25 C
PD
12,5
Tj, Tstg
150
Operating and storage Juntion Temperature Range

Este fabricante suministra los siguientes datos trmicos:
2jc = 10 C/W y 2ja = 100 C/W


En la hoja de caractersticas de la firma PHILIPS SEMICONDUCTORS(), dentro de
valores lmite, leemos:
Symbol
Ptot
Tj
PARAMETER
Total power Dissipation
CONDITIONS
MAX.
UNIT
(Tmb 70 C)
150
Juntion Temperature

Rth j-a (Resistencia trmica unin - ambiente) = 100 K/W
Rth j-mb (Resistencia trmica unin - base de montaje) = 10 K/W
El fabricante ST suministra los siguientes datos:
Symbol
Parameter
Value
Units
Ptot
Total Dissipation at Tc 25 C
12,5
Ptot
Total Dissipation at Tamb 25 C
1,25
Tj
Max. Operating Juntion Temperature
150

Rth j-case (Resistencia trmica unin - capsula) = 10 C/W
Vamos a ver como todos los datos nos permiten llegar a las mismas conclusiones. Si el circuito
trmico lo forman el encapsulado y la unin semiconductora, aplicando la similitud con el circuito
elctrico, podemos poner:
T j T c
P D=
jc
T j T a
P D=
ja

FABRICANTE
DATOS SUMINISTRADOS
DATOS CALCULADOS
FAIRCHLD
Pc (Tc=25 C)-12,5W
Pc(Ta=25 C)-1,25W
Tj=150 C
T j T c 15025
=
=10 C /W
PD
12.5
T j T a 15025
ja =
=
=100 C /W
PD
1.25
ON Semiconductor
PD(Tc=25 C)-12,5W
PD(TA=25 C)-1,25W
Tj=150 C
2jc=10 C/W
2ja=100 C/W
Suministra todos los datos de forma

explicita
Philips
Ptot (Tmb70 C) - 8W
Tj=150 C
2jc=10 K/W
2ja=100 K/W
T j T c 15070
=
=8W
jc
10
T T a 15070
P D= j
=
=0.8 W
ja
100
ST
Ptot (Tc25 C) - 12,5 W

Ptot (Ta25 C) - 1,25 W
Tj=150 C
2jc=10 C/W
jc =
P D=
T j T a 15025
ja =
=
=100 C /W
PD
1,25
10
Resistencias trmicas: Resistencia unin-cpsula, jc

Vemos que Philips suministra los datos en dos escalas de temperatura. Vamos a realizar los
clculos pertinentes para ver la potencia disipada a 25 C de temperatura de cpsula y ambiente.
Para poder efectuar el clculo y tener unidades congruentes debemos pasar las temperaturas
a la escala Kelvin.
150 C = 150 - 273,16 = - 123,16 K
25 C = 25 - 273,16 = -248,16 K
Ahora calculamos la potencia disipada:
Para una Tc = 25 C = - 248,16 K tenemos:
P D=
T j T c 123.16248.16 K
=
=12.5 W
jc
10 K /W
Para una Ta = 25 C = - 248,16 K tenemos
T j T a 123.16248.16 K
P D=
=
=1.25 W
ja
100 K /W
Podemos concluir diciendo que todos los fabricantes nos

suministran, como mnimo, los datos necesarios para conocer
todos los parmetros que necesitamos.
Otra forma de suministrar estos datos es mediante la curva de reduccin de potencia (Power Derating).
En el ejemplo anterior, esta curva tan solo la suministra FAIRCHILD y es la que adjuntamos
seguidamente.
11
Resistencias trmicas: Resistencia unin-cpsula, jc

PC (W), POWER DISSIPATION
20.0
17.5
Power Derating
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
25
50
75
100
125
150
TC (C), CASE TEMPERATURE
En algunas ocasiones los fabricantes nos darn este dato en

forma analtica indicando el factor de reduccin de potencia
para temperaturas superiores a la indicada para los datos
suministrados.
En el ejemplo que nos ocupa ON Semiconductor nos indica
que el margen de reduccin (Derate Above) es de 10 mW/C
para una PD = 1,25 W dado a una Ta = 25 C y de 100 mW/C
para una PD = 12,5 W dado a una Tc = 25 C.
Este dato nos va a permitir obtener la potencia que puede
disipar nuestro semiconductor a una temperatura diferente a
la especificada.
Ejemplo: Calcular la potencia que puede disipar el transistor
del ejemplo anterior, a una temperatura de 70 C en la
175
cpsula, a partir de los datos indicados, de un factor de
reduccin de 100 mW/C.
Podemos decir que la potencia se va a reducir en un valor
dado por:
100 mW
7025C
= 4500 mW = 4.5 W T c =70 C P 70=12.54.5=8 W
1 C
La potencia PD indicada en los casos anteriores es la dada por el fabricante (normalmente a una temperatura
de 25C de cpsula o ambiental) y no es la potencia que disipar el dispositivo semiconductor en un circuito
concreto.
Ejemplos propuestos
Obtener los datos de mxima disipacin de potencia, Tj y trmicos de las hojas de datos de distintos
fabricantes para los transistores 2N3055 y TIP31A incluyendo las curvas de reduccin de potencia.
Efectuar los clculos necesarios para obtener los datos no expresado de forma explicita en las hojas
de datos. Repetir el ejercicio anterior para dispositivos como TRIAC, transistores MOSFET, reguladores
de tensin (78XX, 79XX, LM 317, L 200...), etc.
12
Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Es una resistencia externa al dispositivo semiconductor sobre la que podemos influir de
cara a reducir el tamao necesario de disipador. Esta resistencia va a depender de los
siguientes factores:
Sistema de fijacin del disipador y el componente.
Estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto, limpieza de las
mismas, pinturas de terminacin, etc.
Tipo de material que se interpone entre ambas superficies, que puede ser:
a. Pastas conductores del calor, que pueden ser o no ser conductoras de la
electricidad. La ms corriente es la silicona trmica.
b. Lminas aislantes elctricas (se pueden emplear de forma conjunta con la pasta
conductora del calor), como la mica, el kalafilm, etc.
c. Lminas aislantes elctricas que no precisan de siliconas.
Tipo de contacto entre cpsula y disipador, que podr ser:
a. Directo
b. Directo ms pasta de silicona.
c. Directo ms mica aislante.
d. Directo ms mica aislante ms pasta de silicona.
13

En el montaje del componente la mnima fuerza requerida para un buen contacto trmico vara segn el
tipo de encpsulado. La resistencia trmica de contacto se reduce al incrementar la fuerza de contacto,
pero no sigue una funcin proporcional, como vemos en la figura.
Resistencia trmica de contacto (C/W)
8
7
6
5
Contacto con aislante elctrico (mica)
4
3
Contacto en seco
Contacto con grasa trmica (silicona)
1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Fuerza de contacto (N)
14
eda
ire
ci
dea
io
des
tic
ula
ic
ers
dor
pa
isi
Part
Int
ul
Caps
Entre las dos superficies existen muchos puntos de contacto, pero no una superficie de contacto,
como vemos en la figura, de manera que es conveniente considerar:
El uso de silicona que rellene los intersticios de aire
La limpieza de las superficies.
Debemos procurar que la resistencia entre la cpsula y el disipador sea lo ms reducida posible a fin
de facilitar la circulacin del calor. Para conseguir este fin, adems de realizar una correcta seleccin
del montaje adecuado, debemos tener en cuenta los siguientes factores:
a. Mantener las superficies tan lisas y planas como sea posible.
b. Mantener la zona de contacto entre ambas tan grande como sea posible.
c. Los pasadores, tornillos o pernos usados para sujetar el semiconductor al refrigerador se deben
apretar adecuadamente, tanto como sea posible sin deteriorar los elementos y segn el par de apriete
recomendado por el fabricante.
15

En la tabla se dan los valores tpicos de resistencia trmica cpsula-disipador para los principales
encapsulados segn los elementos empleados en el montaje.
Formas de contacto
Directo
Directo ms
silicona
Directo ms mica
Directo ms mica
ms silicona
T03
0,25 C/W
0,12 C/W
0,80 C/W
0,40 C/W
T03P
0,40 C/W
0,20 C/W
2,10 C/W
1,50 C/W
T05
1.0 C/W
0,70 C/W
T039
1.0 C/W
0,70 C/W
2.0 C/W
1,50 C/W
Cpsula
16

Formas de contacto
Directo
Directo ms
silicona
Directo ms mica
Directo ms mica
ms silicona
T059
1,20 C/W
0,70 C/W
T066
1,10 C/W
0,65 C/W
T0126
1,40 C/W
1.0 C/W
1,40 C/W
1,30 C/W
T0220
0,80 C/W
0,50 C/W
1,40 C/W
1,20 C/W
TO202
0,80 C/W
0,50 C/W
1,40 C/W
1,20 C/W
Cpsula
17

En las tablas podemos apreciar que el menor valor de resistencia trmica entre la
cpsula y el disipador se da cuando existe un contacto directo con pasta de silicona.
Este tipo de montaje ser el elegido si no se requiere aislamiento elctrico entre la
cpsula y el disipador.
En estas mismas circunstancias, y si no es posible el uso de silicona, lo ms
apropiado es el montaje con contacto directo.
En el caso de ser imprescindible el aislamiento elctrico el montaje ms apropiado
es el que emplea mica y silicona.
El montaje con solo mica solamente se emplea si se requiere poca disipacin de
calor y un buen aislamiento elctrico.
Todos estos aspectos son decisivos a la hora de seleccionar el sistema de montaje
puesto que cuanto ms pequea sea la cd menor ser la superficie de aleta refrigeradora
necesaria.
18
Resistencias trmicas: Resistencia del refrigerador, do da

Representa el paso por conveccin al aire del flujo de calor a travs del refrigerador. Este
dato, una vez calculado nos suministra el valor incgnita del refrigerador a emplear. Los principales
factores de los que depende son:
a. Coeficiente de transferencia por conveccin. Este parmetro depende de la cantidad de aire que
se mueva por la superficie del disipador. Se puede expulsar ms calor si se fuerza que el aire se mueva
por encima de la superficie del radiador, ya sea de forma natural por su colocacin vertical, o de forma
forzada mediante el empleo de ventiladores.
b. Otro factor que afecta a esta resistencia es la emisividad. Un cuerpo negro absorbe y emite calor
mejor que cualquier otra sustancia. Es lgico entonces que los disipadores se construyan con
materiales que tengan buena emisividad. La emisividad del cuerpo negro estndar es 1. Por ejemplo, la
emisividad de la laca de cualquier color est entre 0,8 y 0,95 y la da la pintura grasa de cualquier color
entre 0,92 y 0,96. Tngase en cuenta que el trmino cuerpo negro tiene poco que ver con el color ptico
de un material. Cuerpos de cualquier color pueden tener altas emisividades y ser considerados como
cuerpos negros. Por ejemplo, el aluminio anodizado tiene una emisividad de 0,8 independientemente
de su color ptico.
c. Un ltimo factor que determina esta resistencia es el rea del disipador, y la proximidad al
semiconductor. Este motivo origina la construccin de los disipadores a base de aletas.
19
Resistencias trmicas: Resistencia unin - ambiente ja

Esta resistencia trmica va a depender de la presencia o no de dispositivo refrigerador y de la
temperatura ambiental.
Cuando hablamos de resistencia trmica unin ambiente sin disipador nos referimos a la
suma de resistencia entre la unin y la cpsula y la resistencia entre la cpsula y el ambiente.
Se trata de un parmetro que especifican, implcita o explcitamente los fabricantes.
ja = jc ca
Cuando hablamos de resistencia unin ambiente con disipador nos referimos a la suma de
resistencias unin cpsula ms cpsula disipador ms la propia resistencia del disipador.
ja = jc cd d
Se trata de un valor dependiente del tipo de disipador que usemos, que ser un valor a
determinar y de la resistencia entre la cpsula y el disipador, que depender del tipo de montaje y de
los parmetros anteriormente descritos.
Ley de Ohm trmica

Fijndonos en todos los factores dados hasta ahora es fcil determinar el circuito equivalente
de la figura que aparece en el APLICATION BULLETIN SBOA021, que vamos a simplificar al de la figura
siguiente, que nos permite establecer la ley de Ohm trmica y escribir la ecuacin adjunta.
jc
cd
da=d
equivalente = ja = jc cd d
20
Ley de Ohm trmica

La transferencia de calor en un sistema como el anterior vendr dada por:
T j Ta
T j Ta
PD =
=
ja
jc cd d
Naturalmente la ecuacin se establece para el circuito trmico completo debiendo adaptarse
la misma a las condiciones particulares en caso de faltar algn elemento.
La potencia que puede disipar un dispositivo en funcin de la temperatura de la cpsula ser
la dada por la ecuacin siguiente, que nos permitir calcular la Tc conocidas la potencia que debe
disipar y la jc cuando el dispositivo se monta sin disipador.
T j Tc
PD =
T c = T j P D jc [ sin disipador ]
jc
Si le montamos un disipador, podemos poner:
Tc Ta
PD =
T c = P D cd d T a [CON disipador ]
cd d
De forma similar a la anterior, podemos obtener la temperatura del disipador a partir de
alguna de las ecuaciones siguientes:
T d = P D d T a
T d = T c P D cd
21
Temperaturas e imgenes trmicas

En nuestro circuito trmico intervienen cuatro temperaturas caractersticas segn los puntos
destacables del circuito y que analizamos seguidamente.
Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la unin, Tj

El valor mximo de temperatura de la unin es un dato que deben suministrar los fabricantes
y es aquel valor al que no debemos llegar o sobrepasar para no deteriorar el dispositivo. Suelen
especificarlo como Tjmax o bien con el margen de temperatura de trabajo (operating temperature range).
Si por cualquier motivo no tenemos accesibilidad a este dato nos resultar til la tabla
siguiente, en la que se dan los valores tpicos de distintos dispositivos semiconductores, figurando
resaltado el valor a emplear.
Dispositivo semiconductor
Rango de Tj en valores mximos
Unin de Germanio
100 a 125 C
Unin de Silicio
150 a 200 C
JFET
150 a 175 C
MOSFET
175 a 200 C
Diodos Zener
150 a 175 C
Diodos Unin
150 a 200 C
UJT
100 a 125 C
Tiristores
100 a 125 C
Debemos distinguir entre la temperatura mxima de unin permitida para un determinado

dispositivo semiconductor y la temperatura de unin a la que pretendemos que trabaje dicho dispositivo
y que lgicamente, siempre deber ser menor.
22

En nuestro problema de diseo del circuito trmico debemos mantener la temperatura de la
unin por debajo del valor mximo especificado.
Para nuestros clculos vamos a adoptar un coeficiente k que nos proporcione un margen de
seguridad para obtener valores de temperatura entre el 50 % y el 70% de la mxima.
Le asignaremos valores a k segn el margen de seguridad que pretendamos y las
condiciones que establezcamos.
Valor de k
0,5
0,6
Condiciones de funcionamiento
Mximo margen de seguridad.
Diseos normales a temperaturas moderadas poco caliente.
Mayor tamao de refrigerador.
Diseos en los que se puede trabajar con temperaturas medias.
Permite economizar con el tamao y precio del refrigerador.
Mximo riesgo para el semiconductor.
Mximo economa en disipador.
0,7
Exige que el refrigerador se site en el exterior del equipo y en posicin

vertical. Se puede mejorar la disipacin si se emplean cajas metlicas, como
veremos seguidamente.
Por tanto en nuestros clculos debemos modificar la temperatura de unin segn la ecuacin:
T j = kT jmax
23

Si sujetamos el semiconductor al chasis del equipo, y este es metlico, puede proporcionar
una disipacin adicional. Para tenerlo en cuenta en los clculos necesitamos conocer la resistencia
trmica de las chapas.
En el baco de la figura vemos las curvas

que nos permiten determinar la resistencia trmica
de chapas de aluminio montadas verticalmente en
funcin de su espesor.
Los valores para chapas de cobre son
entre un 10 y un 15 % menores y para chapas de
hierro o acero entre un 10 y un 15 % mayores.
24
Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la cpsula, Tc

No es un dato que se pueda suministrar en los manuales ya que depende de la potencia que debe
disipar el dispositivo en un circuito concreto, de las caractersticas y tipo de montaje del disipador y de la
temperatura ambiente. Ser por tanto un factor a calcular cuando conozcamos los datos citados.
Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura del disipador, Td

No va a resultar un dato relevante y lo podemos obtener a partir de las ecuaciones
correspondientes. Obtendremos un valor de temperatura inferior a la obtenida para la cpsula.
En condiciones normales y si hemos elegido convenientemente el factor k, la temperatura que
alcanzarn, tanto la cpsula como el disipador, ser tan elevada como para no poder tocarlos con las manos.
Pero este extremo no es motivo de preocupacin ya que hemos tomado las medidas necesarias para no
alcanzar el valor mximo de Tj.
No obstante si queremos disminuir la temperatura debemos recalcular una aleta de refrigeracin
ms grande.
Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura ambiente, Ta

Cuando hablamos de temperatura ambiente, referida a clculos trmicos sobre un dispositivo
semiconductor, no nos referimos a condiciones ambientales del ser humano, o temperatura del medio
ambiente, sino a la temperatura existente en el entorno ms cercano al disipador. Pensemos que el
dispositivo va a ir montado en una caja, que puede ser o no ser metlica, que puede disponer de ms o
menos orificios de refrigeracin, que el disipador se puede situar en el interior o en el exterior del
equipo, etc. De una forma lgica debemos pensar que la temperatura en el entorno del dispositivo va a
depender de la temperatura ambiental de la zona geogrfica donde se site el equipo. Nos podemos
encontrar con temperaturas extremas si hablamos de zonas geogrficas como Andaluca u otra regin
del norte de Alemania. El equipo se puede situar o no junto a una ventana, un radiador de calor,
cualquier mquina que genere calor, ambiente poco ventilado, etc.
Diremos como conclusin que a la hora de elegir la temperatura ambiente de clculo debemos ser
generosos, sobre todo si no estn perfectamente claras las condiciones ambientales donde va a
trabajar el dispositivo, extremo que suele ser el ms normal.
25
Imgenes trmicas
Normalmente las medidas de temperaturas se efectan con sondas de prueba o termopares,
pero hoy da que los dispositivos son mucho ms pequeos y complejos, disipando ms potencia/cm2,
que las generaciones previas los requerimientos de los fabricantes a los ingenieros de diseo han
llevado a estos a utilizar las tcnicas de imgenes trmicas obtenidas por infrarrojos. Esta tcnica de
medida sin contacto permite medir la temperatura de cualquier superficie.
Las imgenes trmicas son instrumentos que permiten obtener, con los instrumentos
adecuados, datos de temperatura en cada pixel de la imagen sin ms que situar el cursor del ratn
sobre el pixel correspondiente. Las imgenes pueden ser digitalizadas, almacenadas, procesadas,
manipuladas, y lgicamente impresas.
En la figura vemos una imagen trmica de una placa de circuito impreso donde se aprecian
las variaciones de la temperatura en distintas zonas de la placa.
Se puede interpretar la temperatura en funcin de la gama de colores y puede ser medida con
la aparamenta correspondiente.
26
Imgenes trmicas
El desarrollo de la tecnologa de deteccin por infrarrojos permite su empleo en la medida de
temperatura, trazado de mapas, deteccin de incendios forestales, vigilancia de la tierra, etc. Esta
tecnologa se basa en la propiedad que tiene cualquier cuerpo de irradiar energa infrarroja cuando su
temperatura es superior a los 0 K. La cantidad de energa irradiada viene dada por:
4
= eBT Vatioscm
Donde :
= energia irradiada
e = emisividad
12
2
4
B = constante de Boltzman 5.6710 Wcm K
En la figura vemos la imagen trmica, realizada por la empresa Compix, de un
semiconductor con encapsulado T03 y una mala disipacin.
27
rea de operacin segura SOA (Safe Operating Area)

La mxima capacidad de trabajo de un transistor viene determinado por su rea de Operacin
Segura (SOA). Esta caracterstica la suministran los fabricantes en forma grfica reflejando la corriente
de colector Ic como una funcin de la tensin VCE, Ic = f (VCE). En las figuras vemos las curvas SOA de
varios transistores bipolares.
SOA BD136/138/140
28
SOA 2N3055
29
SOA TIP31 Y TIP32

Para valores bajos de VCE el transistor puede entregar la mxima corriente de colector con total
seguridad. La superacin de la mxima corriente permitida puede provocar la destruccin del componente,
bien porque los hilos de conexin interna acten como fusibles, bien por rotura de la unin. A medida que
VCE aumenta, la potencia que tiene que disipar el dispositivo se incrementa hasta el punto de mxima
temperatura de unin permitida. Todos los puntos de la lnea que limita trmicamente la regin de
funcionamiento se caracterizan por tener una disipacin de potencia (VCE IC) constante. Si se sigue
aumentando la VCE llegamos a otro tramo de curva que decrece ms rpidamente disminuyendo la mxima
corriente que puede entregar el transistor de forma segura. Esta regin se denomina de ruptura secundaria
(Secoudary breakdoun). El lmite final lo delimita el valor mximo de la tensin de ruptura del transistor, que
por supuesto tampoco debe ser excedida.
30
Vamos a analizar unas

curvas tericas como las
de la figura adjunta que
representan grficamente
los lmites de utilizacin
del transistor.
La regin para rgimen de
funcionamiento continuo
la podemos subdividir,
mediante la recta aa, en
dos zonas:
Una zona de baja potencia,
donde la disipacin ser
pequea y en la que se
puede situar el punto de
trabajo sin peligro alguno.
La temperatura de la unin
ser baja y el refrigerador a
utilizar, si resulta necesario,
ser pequeo.
Una zona de gran potencia
en la que se puede situar el
punto de trabajo pero en la
que
se
alcanzarn
temperaturas
de
unin
elevadas,
siendo
imprescindible
valorar
adecuadamente el radiador
de calor a emplear.
31

La curva que delimita la
regin de funcionamiento
continuo corresponder a
unas
condiciones
de
temperatura
que
nos
indicar el fabricante. Por
encima de esta curva
seguimos en una zona de
alta potencia en la que el
transistor se puede situar
momentneamente.
Los
lmites intermedios definen
el tiempo durante el cual
puede permanecer en dicha
zona el punto de trabajo.
Esta zona es para trabajos
en conmutacin o rgimen
de impulsos.
Una ltima zona, que se
conoce como SOAR (Safe
Operating Area Reverse
Biased), es la que se
delimita por una corriente Ic
prcticamente nula y un
valor extremo de VCE,
corresponde al estado de
bloqueo del transistor y la
base
polarizada
inversamente.
32
Clculo del disipador

Una vez recopilados los datos necesarios de las hojas de caractersticas del fabricante y decidido el
tipo de montaje a realizar la ecuacin a emplear para un montaje completo ser:
kT j T a
kT j T a
PD =
d=
jc cd
jc cd d
PD
Ejemplo 1:
Disponemos de un regulador de tensin LM317 con encapsulado T0220 que debe disipar, en un
determinado circuito, una potencia de 5 W. Se pide calcular el refrigerador necesario para cualquiera
de los montajes estudiados. Obtener las temperaturas de cpsula y radiador en los distintos casos y
para distintos valores de la constante k.
Consultando la hoja de caractersticas del LM 317 obtenemos los siguientes datos para Ta = 25 C:
Tj = 125 C y jc = 5 C/W
Montaje directo
De las tablas vistas obtenemos cd = 0,8 C/W para encapsulado TO220 en montaje directo.
Dando valores a k y sustituyendo el resto de datos en la ecuacin 1 obtenemos los siguientes valores:
0.512525
Para k =0.5 d =
50.8=1.7 C /W
5
Si buscamos en el anexo A podemos seleccionar un disipador HSAP25
como el de la figura con una longitud de aleta de extrusin de 100mm, que
se caracteriza por una d = 1,7 C/W.
HSAP25
33

Procedemos ahora al calculo de temperaturas, obteniendo:
T c = P D cd d T a = 50.81.725=37.5 C
T d = P D d T a = 51.725=33.5 C
T j = P D jc cd d T a = 550.81.725=62.5 C
0.612525
Para k =0.6 d =
50.8=4.2 C /W
5
Seleccionamos un disipador HSAP31-2 como el de la figura con una longitud de aleta de

37,5mm y d = 4,2 C/W. El clculo de temperaturas nos arroja los siguientes datos:
T c = P D cd d T a = 50.84.225=50 C
T d = P D d T a = 54.225=46 C
T j = P D jc cd d T a = 550.84.225=75 C
HSAP31-2
0.712525
Para k =0.7 d =
50.8=6.7 C /W
5
Escogemos un disipador HS27 para montaje horizontal, como el de la figura, con

d = 6,8 C/W y una longitud de 32 mm.. El clculo de temperaturas nos arroja los
siguientes datos:
T c = P D cd d T a = 50.86.825=63 C
T d = P D d T a = 56.825=59 C
T j = P D jc cd d T a = 550.86.825=88 C
HS27
34
Montaje directo ms silicona
De las tablas vistas obtenemos cd = 0,5 C/W.
0.512525
Para k =0.5 d =
50.5=2 C /W
5
Buscamos en el anexo A y seleccionamos un disipador HSAP29-1 como el
de la figura con una longitud de aleta de 75 mm y una d = 2 C/W. Las
temperaturas sern:
HSAP29-1
T c = P D cd d T a = 50.5225=37.5 C
T d = P D d T a = 5225=35 C
T j = P D jc cd d T a = 550.5225=62.5 C
Para k =0.6 d =
0.612525
50.5=4.5 C /W
5
Si buscamos en el anexo A no encontramos un disipador que tenga esta resistencia trmica, por lo que
tenemos dos posibilidades:
1 Seleccionar un disipador que se adapte al valor de resistencia trmica calculada de otro catalogo,
teniendo en cuenta las posibilidades de disponibilidad material del mismo si el fin ltimo es montar
el circuito y no solo efectuar clculos de prueba.
2 Seleccionar un disipador con una resistencia trmica lo ms parecida posible a la de calculo,
teniendo en cuenta que a menor resistencia de disipador menores sern las temperaturas. Si
escogemos un disipador HSAP31-2 como el adoptado para k = 0,6 en montaje directo con una
longitud de aleta de 37,5mm y d = 4,2 C/W tendramos las siguientes temperaturas:
35
T c = P D cd d T a = 50.54.225=48.5 C
T d = P D d T a = 54.225=46 C
T j = P D jc cd d T a = 550.54.225=73.5 C
Para k =0.7 d =
0.712525
50.5=7 C /W
5
Seleccionamos el refrigerador HS17 como el de la figura con una d =

7,1 C/W. Tenemos las siguientes temperaturas:
T c = P D cd d T a = 50.57.125=62.5 C
T d = P D d T a = 57.125=60.5 C
T j = P D jc cd d T a = 550.57.125=88 C
HS17
Montaje directo ms mica

De las tablas vistas obtenemos cd = 1.4 C/W.
0.512525
Para k =0.5 d =
51.4=1.1 C /W
5
De nuevo nos encontramos con la situacin de no encontrar el perfil exacto
al calculado. Si seleccionamos el perfil HSAP19-2 del anexo A que vemos en
la figura, con una longitud de aleta de 100 mm y d = 1 C/W, tenemos las
temperaturas siguientes:
HSAP19-2
36
T c = P D cd d T a = 51.4125=37 C
T d = P D d T a = 5125=30 C
T j = P D jc cd d T a = 551.4125=62 C
Para k =0.6 d =
0.612525
51.4=3.6 C /W
5
Podemos seleccionar, en el anexo A, un radiador HSAP32-2 como el de la

figura con una longitud de aleta de 75 mm y una d = 3,5 C/W, que nos da
los siguientes resultados de temperatura:
HSAP32-2
T c = P D cd d T a = 51.43.525=49.5 C
T d = P D d T a = 53.525=42.5 C
T j = P D jc cd d T a = 551.43.525=74.5 C
Para k =0.7 d =
0.712525
51.4=6.1 C /W
5
En esta ocasin la consulta del anexo nos conduce a una situacin de mayor
diferencia entre la resistencia calculada y la inferior ms prxima. Elegimos
un radiador HS30-3 como el de la figura con una aleta de 50 mm y una d = 5,5
C/W.
T c = P D cd d T a = 51.45.525=59.5 C
T d = P D d T a = 55.525=52.5 C
T j = P D jc cd d T a = 551.45.525=84.5 C
HS30-3
37
Montaje directo ms mica ms silicona

De las tablas vistas obtenemos cd = 1.2 C/W.
0.512525
Para k =0.5 d =
51.2=1.3 C /W
5
Seleccionamos en el anexo A el radiador HSAP22 de la figura con una
longitud de 87,5 mm y d = 1,3 C/W. Las temperaturas son:
T c = P D cd d T a = 51.21.325=37.5 C
T d = P D d T a = 51.325=31.5 C
T j = P D jc cd d T a = 551.21.325=62.5 C
HSAP22
0.612525
Para k =0.6 d =
51.2=3.8 C /W
5
En el anexo A encontramos el perfil HSAP33-1 de la figura con una
longitud de aleta de extrusin de 100 mm y d = 3,5 C/W. Las
temperaturas son:
T c = P D cd d T a = 51.23.525=48.5 C
T d = P D d T a = 53.525=42.5 C
T j = P D jc cd d T a = 551.23.525=73.5 C
HSAP33-1
38
0.712525
Para k =0.7 d =
51.2=6.3 C /W
5
De forma similar a las vistas anteriormente los clculos nos conducen a
un perfil HS30-3 con una aleta de 50 mm y una d = 5,5 C/W. Las
temperaturas son:
T c = P D cd d T a = 51.25.525= 58.5 C
T d = P D d T a = 55.525=52.5 C
T j = P D jc cd d T a = 551.25.525=83.5 C
HS30-3
Vamos a reflejar todos los resultados obtenidos en una tabla para poder analizarlos ms rpidamente.
Datos de partida: LM 317 con encapsulado T0 220.
Condiciones de disipacin de potencia: PD = 5 W con Tj = 125 C; jc=5 C/W y Ta= 25 C
Tipo de montaje cd (C/W)
2d
k = 0,5
Tc Td
Tj
2d
k = 0,6
Tc Td
Tj
2d
k = 0,7
Tc T d
Tj
DIRECTO 0,8
1,7 37,5 33,5 62,5 4,2 50 46 75 6,8 63 59 88
DIRECTO + SILICONA 0,5
2 37,5 35 62,5 4,2 48,5 46 73,5 7,1 62,5 60,5 88
DIRECTO + MICA 1,4
1
37 30 62 3,5 49,5 42,5 74,5 5,5 59,5 52,5 84,5
DIRECTO + MICA + SILICONA 1,2
1,3 37,5 31,5 62,5 3,5 48,5 42,5 73,5 5,5 58,5 52,5 83,5
C
C/W
C
C/W
C
Unidades C/W
39

Tipo de montaje cd (C/W)
2d
k = 0,5
T c Td
Tj
2d
k = 0,6
Tc Td
Tj
2d
k = 0,7
Tc Td
Tj
DIRECTO 0,8
1,7 37,5 33,5 62,5 4,2 50 46 75 6,8 63 59 88
DIRECTO + SILICONA 0,5
2 37,5 35 62,5 4,2 48,5 46 73,5 7,1 62,5 60,5 88
DIRECTO + MICA 1,4
1
37 30 62 3,5 49,5 42,5 74,5 5,5 59,5 52,5 84,5
DIRECTO + MICA + SILICONA 1,2
1,3 37,5 31,5 62,5 3,5 48,5 42,5 73,5 5,5 58,5 52,5 83,5
C
C/W
C
C/W
C
Unidades C/W
Conclusiones:
Si no requerimos aislamiento elctrico el montaje ms favorable resulta el directo con
silicona, escogiendo el valor de d en funcin de las exigencias de temperatura.
Si se requiere aislamiento elctrico el montaje ms favorable es el directo con mica y
silicona, escogiendo de nuevo el refrigerador en funcin de las exigencias de temperatura.
Los otros dos sistemas de montaje arrojan datos de temperatura similares a los
anteriores pero con refrigeradores de menor resistencia trmica, con lo que resultarn ms
costosos.
En cualquier caso debemos considerar que la potencia a disipar es baja y que la
temperatura considerada es la de especificacin de datos de fabricante.
La eleccin del perfil de disipador lo hemos efectuado sobre catlogo, pero en la
prctica mandarn los criterios de economa, sin olvidar la seguridad, y disponibilidad del perfil
concreto. Hemos seleccionado perfiles lo ms cortos posible, pero prcticamente los criterios
dependern tambin del tamao de la caja que va a contener el equipo y si se puede o no montar
el refrigerador en el exterior del equipo. Tngase en cuenta que si el disipador va en el interior de
la caja podemos considerar como temperatura ambiente 50 C sin ser demasiado exigentes.
40

Ejemplo 2:
Efectuar los clculos de las temperaturas de unin, Tj, ambiente, Td y de capsula, Tc para la
tabla del APLICATION BULLETIN SBOA021 asumiendo que se monta un dispositivo con
una jc = 0,8 C/W en encapsulado T03 y considerando una Ta = 25 C. Para las aplicaciones
de alta potencia consideramos el sistema de montaje directo + silicona y para las
aplicaciones de baja potencia el montaje directo + mica + silicona. Para alta potencia se
escoge un radiador con d = 0,3 C/W y para baja potencia d = 12 C/W .
ALTA POTENCIA : 100 W

T c = P D cd d T a = 1000.120.325= 67 C
T d = P D d T a = 1000.325=55 C
T j = P D jc cd d T a = 1000.80.120.325=147 C
ALTA POTENCIA : 10 W
T c = P D cd d T a = 100.120.325= 29.2 C
T d = P D d T a = 100.325=28 C
T j = P D jc cd d T a = 100.80.120.325=37.2 C
41
BAJA POTENCIA : 10 W
T c = P D cd d T a = 100.41225= 149 C
T d = P D d T a = 101225=145 C
T j = P D jc cd d T a = 100.80.41225=157 C
BAJA POTENCIA : 1 W
T c = P D cd d T a = 10.41225= 37.4 C
T d = P D d T a = 11225=37 C
T j = P D jc cd d T a = 10.80.41225=38.2 C
Reproducimos la tabla con los datos obtenidos, que coincide exactamente con vista.
Unidades
Tj
jc
Tc
cd
Td
da
Ta
ALTA POTENCIA
BAJA POTENCIA
Potencias
100 W
10 W
10 W
1W
147
37.2
157
38.2
C/W
0.8
0.8
0.8
0.8
67
29.2
149
37.4
C/W
0.12
0.12
0.4
0.4
55
28
145
37
C/W
0.3
0.3
12
12
25
25
25
25
Observese la diferencia
de temperatura en la
unin para la misma
potencia y distintas
condiciones de montaje.
Evidentemente la eleccin
del disipador para la
aplicacin de 10 W en
baja potencia no ha sido
la adecuada.
42

Ejemplo 3:
Disear el disipador necesario para mantener la temperatura de unin inferior a 150 C en un sistema
con los siguientes datos:
Encapsulado T0 220 con montaje directo + silicona sin aislamiento elctrico.
PD = 5 W
jc = 3 C/W
Tj mx = 150 C
Ta mx = 50 C
Vamos a elegir un valor de k=0,6 puesto que hemos determinado una Ta elevada y asumiendo que
vamos a trabajar con temperatura elevadas para una potencia a disipar de 5 W.
De las tablas obtenemos cd = 0,5 C/W, luego la resistencia trmica del disipador vendr dada por:
kT j T a
0.615050
d=
jc cd {Para k =0.6} d =
30.5=4.5 C /W
PD
5
Elegimos un disipador HSAP31-2 como el de la figura con una longitud de
aleta de 37,5mm y d = 4,2 C/W. Las temperaturas son:
T c = P D cd d T a = 50.54.250=73.5 C
T d = P D d T a = 54.250=71 C
T j = P D jc cd d T a = 530.54.250=88.5 C
HSAP31-2
43

Ejemplo 4:
Vamos a justificar mediante un ejemplo sencillo por que debemos de valorar analticamente la
necesidad de refrigerador.
Supongamos que de un transistor dado conocemos que puede disipar un mximo de 116 W para una
Tc=25 C, Tj max=200 C y ja=35 C/W. El transistor lo montamos en un circuito donde debe disipar 90 W
con un disipador de 0,6 C/W, con jc = 1,5 C/W y cd = 0,12 C/W.
A primera vista podramos pensar que, con el margen de potencia disponible, el transistor no corre
ningn riesgo, pero la realidad es bastante diferente.
La potencia mxima que puede disipar el transistor sin disipador viene dada por:
T j T a 20025
P D sin disipador =
=
= 5W
ja
35
Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricante.
La potencia mxima que podr disipar el montaje propuesto ser:
T j T a
20025
P D con disipador =
=
= 78.8 W
jc cd d 1.50.120.6
Si hacemos disipar al transistor 90 W provocaremos la destruccin del mismo.
Si consideramos el factor de correccin de temperatura la potencia mxima ser an menor,
es decir:
kT j T a
0.720025
P D con disipador =
=
= 51.8 W
jc cd d 1.50.120.6
44

Si hacemos disipar al transistor 90 W provocaremos la destruccin del mismo.
Dnde nos estamos equivocando?. Evidentemente en la interpretacin de los datos de
fabricante, que nos indica que el dispositivo puede suministrar la potencia indicada siempre que se
mantenga la temperatura de la cpsula a una temperatura igual o menor que 25 C, lo que en la prctica
resulta bastante complicado.
T jmax T c 20025
P D=
=
= 116.7 W
jc
1.5
Veamos el error que cometemos calculando el disipador que necesitamos, que ser:
kT j T a
0.720025
d=
jc cd {Para k =0.7} d =
1.50.12=0.34 C /W
PD
90
Obtenemos un valor negativo, lo que nos indica que el dispositivo no puede funcionar bajo esas
condiciones puesto que no existe disipador que lo haga posible.
La mxima potencia disipable en valor absoluto ser:
kT j T a
kT j T a
0.720025
jc cd P D
P D
=70.99 W
PD
jc cd
1.50.12
45
Otras consideraciones de diseo: Variacin de la resistencia trmica con la longitud

Una primera aproximacin nos conducir
a decir que si tenemos un determinado
radiador con una resistencia trmica d y
lo dividimos en dos partes iguales,
obtendremos dos radiadores cuya
resistencia trmica (d) sea justo el doble
de d. Nada ms lejos de la realidad, pues
depender
de
la
geometra
y
caractersticas propias del fabricante. En
estos casos no hay ms remedio que
consultar las hojas de datos de
fabricantes, que en el caso de grandes
radiadores de extrusin incluyen grficas
de variacin de resistencia en funcin de
la longitud.
El
trmino
extrusin
indica
la
conformacin de aletas por moldeado del
metal dejando espacios entre ellas por
donde pueda circular el aire y facilitar la
evacuacin del calor.
Para comprender mejor lo dicho
anteriormente vamos a analizar un
radiador especifico como el modelo P39
de la firma Semikron, como el de la
figura y las curvas dadas por el
fabricante.
46
Otras consideraciones de diseo: Variacin de la resistencia trmica con la longitud

Vemos en primer lugar que la obtencin de datos debemos hacerla en funcin de la potencia que
debemos disipar.
Por ejemplo, para una longitud de 100 mm de aleta de extrusin las resistencias que obtenemos son:
75 = 0,5 C/W
100 = 0,46 C/W
150= 0,41 C/W
200= 0,38 C/W
El radiador disipa ms eficientemente cuanto mayor es la potencia, lo que resulta lgico, pues se
calentar ms. Dicho de otra forma, el rendimiento del refrigerador, disminuye con la longitud. Si por
ejemplo, para disipar 200 W tomamos una longitud de 100 mm y una de 200 mm obtenemos:
Longitud
100 mm
200 mm
Potencia a disipara 200 W
Conclusin
0,38 C/W La resistencia trmica al disminuir la
longitud a la mitad no aumenta al
0,29 C/W doble.
Finalmente, una vez calculada la resistencia trmica de radiador necesaria y la potencia que debemos
disipar, elegimos la longitud de aleta de refrigeracin y vemos que, por ejemplo, para una resistencia
trmica de 0,4 C/W obtenemos las siguientes longitudes en funcin de la potencia:
L75 = 160 mm
L100 = 130 mm
L150 = 110 mm
L200 = 90 mm
Confirmando que la resistencia trmica del radiador es funcin de la longitud de aleta de extrusin.
47
Otras consideraciones de diseo: Varios semiconductores en un solo radiador

Vamos a ver, mediante un ejemplo, como otro clculo intuitivo nos conduce a un error de
clculo notable.
Disponemos de semiconductores con encapsulado T03 que tienen una Tj max = 200 C, una
jc = 1,5 C/W y los montamos con mica y aisladores en los tonillos de sujecin para
obtener aislamiento elctrico entre la cpsula y el disipador. Consultando la tabla
correspondiente vemos que cd = 0,8 C/W.
Vamos a suponer que necesitamos montar dos semiconductores de este tipo y que los
vamos a montar en un mismo disipador, debiendo disipar cada transistor 30 W.
Un primer clculo de resistencia del disipador nos conduce a:
T j T a
20030
170
d=
jc cd =
1.50.8=
2.3=0.53 C /W
PD
60
60
Hemos supuesto una temperatura ambiente de 30 C y hemos cometido un error que vamos
a analizar mediante el circuito trmico que se establece.
48
Otras consideraciones de diseo: Varios semiconductores en un solo radiador

En la figura siguiente dibujamos el diagrama correspondiente, que por analoga elctrica,
tratamos igual que las asociaciones de resistencia elctricas.
La resistencia trmica equivalente es de 1,15 C/W en lugar de los 2,3 C/W que supusimos en el
clculo anterior. La resistencia trmica entre la unin y el disipador se ha reducido a la mitad por el uso
de dos semiconductores debido al establecimiento de dos caminos para el flujo de calor. El clculo del
disipador ser:
T j T a
20030
d=
jc cd =
1.15=1.68 C /W
PD
60
Siendo la diferencia obtenida notable en tamao y precio

49
Otras consideraciones de diseo: Factores de reduccin por posicin

En conveccin natural la posicin del radiador es fundamental para facilitar la circulacin
de aire. Como sabemos, el aire caliente pesa menos que el aire fro, por lo que un radiador,
situado verticalmente evacuar mejor el calor que si lo situamos horizontalmente.
Una vez calculada la resistencia trmica del disipador, podemos adaptar su valor segn los
coeficientes de posicin que vemos en la figura y obtendremos una resistencia de
disipador dada por:
d posicin =F p d
50
Calculo de radiadores de calor por conveccin forzada

Calculada la resistencia trmica del disipador procedemos a calcular un nuevo valor que
resultar de aplicar a dicho disipador un flujo de aire a una velocidad determinada.
Denominaremos d ( c n) a la resistencia trmica del disipador en conveccin natural y d ( c f) a
la resistencia trmica del disipador con conveccin forzada.
Vamos a efectuar el clculo en base a dos factores que modifican el valor de d ( c n) y que
son:
Factor de forma, Ff. Debe ser un valor indicado por el fabricante para los disipadores
especialmente diseados para conveccin forzada, aunque si no disponemos del mismo
podemos efectuar su calculo de forma simple mediante la relacin entre la superficie de la
seccin transversal del rea abarcada por las aletas y la superficie total abarcada por el
flujo de aire. En la figura esquematizamos el valor del factor de forma.
S aletas
F f=
S aire
Valor mximo: 1
Valor mnimo: 0.5
Valores inferiores a 0.5 no
compensan la conveccin forzada
51
Calculo de radiadores de calor por conveccin forzada

Factor de velocidad, Fv. Es un factor que va a depender de la velocidad del aire, y
lgicamente ser menor cuanto mayor sea la velocidad. El Fv lo obtenemos del grfico de
la figura.
Con estas condiciones la resistencia trmica del disipador ser:
d cf = d cnF vF f
Los clculos as realizados tienen validez cuando la circulacin de aire se establece en el

sentido de las aletas de extrusin.
Tan solo nos queda escoger un ventilador que se adapte a las condiciones que hemos
diseado, para lo que debemos recurrir a catlogos de fabricante.
No haremos ms hincapi en el tema por salirse del propsito de este tema, que no ha sido
otro que dar una visin generalizada de los problemas de disipacin de temperatura en
semiconductores.
52
Materiales auxiliares
Pastas de silicona.
Son pastas rellenas de xido metlico, en las que se combinan las propiedades de gran
conductividad trmica y alto grado de aislamiento, lo cual asegura una excelente
transmisin de calor entre los dispositivos semiconductores y los disipadores de calor.
Hay compuestos que contienen una base de silicona mientras que otros se basan en
fluidos sintticos, que reducen cualquier riesgo de contaminacin.
Conductividad trmica 0,9 W/m K
Pastas sin silicona.
Son compuesto sin silicona y con buena transferencia de calor que contiene diferentes
polvos de xido metlico (cermico) que proporcionan buena conductividad trmica.
Presentan unas excelentes caractersticas antideslizamiento, un amplio margen de
temperaturas de funcionamiento y una excelente conductividad trmica incluso a
temperaturas elevadas.
Conductividad trmica: 2,5 W/mK.
Compuestos de silicona
Aceite con base de silicona con diferentes polvos de xido metlico (cermico) que
proporciona excelente conductividad trmica y una gama de temperaturas de
funcionamiento muy amplia. Para usarse donde sea necesario disipar gran cantidad de
calor de forma rpida y efectiva. Posee una conductividad trmica alta incluso a
temperaturas elevadas. Excelentes caractersticas antideslizamiento
Conductividad trmica: 3,0 W/mK
53
Aglomerantes.
Adhesivo acrlico de endurecimiento rpido, pensado para generar un camino trmico entre
un disipador de calor y un componente o PCB. El material, un lquido viscoso, fluye bajo
prensin para crear una buena unin con excelente disipacin de calor.
El objetivo del adhesivo es sustituir las cintas, las pinzas mecnicas y epoxis, y por lo tanto
tambin es til en el montaje de sensores de temperatura.
Para lograr una buena unin, hay que aplicar el activador a una de las superficies de
contacto, cubrir la otra con una fina capa de adhesivo y luego unirlas a presin.
Conductividad trmica 0,82 W/m C a 30C.
Lminas impregnadas de silicona (No conductoras).
Estn diseadas para dispositivos estndar montados con pinzas. Este mtodo de montaje
reduce el tiempo de ensamblado, ya que no hacen falta casquillos de aislamiento ni fijacin
mecnica mediante tornillos y tuercas.
Resistencia trmica:
TO220: 1,5 C/W
TO3P: 0,65 C/W
54
Lminas impregnadas de silicona (Conductoras).
Son trmicamente conductoras (no precisan aadir pasta conductora), para emplear como alternativa a
la grasa rellena de silicona, para usos en los que se requiere conductividad elctrica junto a una
excelente transmisin de calor. El comportamiento trmico es comparable al de la grasa rellena de
silicona, pero no se producen los problemas derivados de la contraccin o secado en largos perodos
de tiempo.
Resistencia trmica:
TO3: 0,05C/W
TO3P: 0,15C/W
TO220: 0,65C/W
Arandelas aislantes de goma de silicona.
Reforzadas con fibra de vidrio para montar semiconductores de potencia. Se elimina as la necesidad
de pastas disipadoras de calor.
Resistencia trmica:
TO126: 4,8C/W
TO220:1,85C/W
TO3: 0,4C/W
TO3P: 0,82C/W
Grapas para transistores
Diseadas para poder fijar en un solo punto transistores de potencia con encapsulados tipo TO220,
TO3P o similares, a sus disipadores. Aseguran una intensa presin en el centro que maximiza las
propiedades de transferencia trmica al disipador; slo se necesita un orificio circular para instalar dos
transistores.
55
Juegos de montaje
Cubiertas para transistores

Cubiertas de nylon para transistores tipo TO3. Cuando estn instaladas, stas cubren el
transistor y los tornillos de montaje, limitando la posibilidad de cortocircuitos. La parte
superior de la cubierta presenta un taladro de 2mm de , que facilita la insercin de una
sonda de prueba.
56
Ejemplo de montaje de un disipador

Vamos a ver grficamente como montar un dispositivo con encapsulado TO3 sobre un
disipador suponiendo que necesitamos aislamiento elctrico, es decir utilizaremos el
sistema de montaje directo ms mica aislante ms pasta de silicona. En la figura vemos los
materiales necesarios y su empleo
57

Utilizamos el vstago del destornillador plano para dar una capa uniforme de silicona sobre
la parte plana del semiconductor y situamos la mica sobre el dispositivo y damos otra capa
de silicona.
1
3
58

Situamos el conjunto montado sobre el disipador procurando centrar los agujeros
(podemos ayudarnos del destornillador plano) e insertamos los aislador en la posicin que
vemos ayudandonos de los alicates.
En uno de los agujeros montamos en el siguiente orden: el

tornillo, la arandela grover, el terminal de soldadura (hace la
funcin de arandela plana) y la tuerca.
En el otro agujero montamos en el siguiente orden: el
tornillo, la arandela grover, la arandela plana y la tuerca.
59

Procedemos al apriete de las tuercas con ayuda de la llave y el destornillador teniendo
especial cuidado de que el dispositivo quede centrado en los agujeros del disipador.
60

Aspecto final del montaje desde diferentes puntos de vista
61
i
ac
t
n
se
re
p
a
l
e
d
Fin
62

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Desarrollo y Construccin

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura

Recordatorio sobre conceptos de temperatura

T Celsius =T Kelvin 273.15

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Esquema para un montaje

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia unin-capsula, jc

Resistencias trmicas: Resistencia unin-capsula, jc

Collector Dissipation (Tc = 25 C)

Collector Dissipation (Ta = 25 C)

Este fabricante no explicita caractersticas trmicas, aunque veremos como se

Total Device Dissipation @ TA = 25 C

Total Device Dissipation @ TC = 25 C

Operating and storage Juntion Temperature Range

2jc = 10 C/W y 2ja = 100 C/W

Resistencias trmicas: Resistencia unin-capsula, jc

Este fabricante suministra los siguientes datos trmicos:

Total Dissipation at Tamb 25 C

Max. Operating Juntion Temperature

Este fabricante suministra los siguientes datos trmicos:

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia unin-capsula, jc

Suministra todos los datos de forma

Ptot (Tc25 C) - 12,5 W

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia unin-cpsula, jc

Para una Ta = 25 C = - 248,16 K tenemos

Podemos concluir diciendo que todos los fabricantes nos

Resistencias trmicas: Resistencia unin-cpsula, jc

TC (C), CASE TEMPERATURE

En algunas ocasiones los fabricantes nos darn este dato en

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Resistencia trmica de contacto (C/W)

Contacto con grasa trmica (silicona)

Fuerza de contacto (N)

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia cpsula - disipador, cd

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia del refrigerador, do da

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Resistencias trmicas: Resistencia unin - ambiente ja

Ley de Ohm trmica

Ley de Ohm trmica

Temperaturas e imgenes trmicas

Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la unin, Tj

Rango de Tj en valores mximos

Debemos distinguir entre la temperatura mxima de unin permitida para un determinado

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la unin, Tj

Exige que el refrigerador se site en el exterior del equipo y en posicin

Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la unin, Tj

En el baco de la figura vemos las curvas

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura de la cpsula, Tc

Temperaturas e imgenes trmicas: Temperatura del disipador, Td