FACULTAD DE ING.

ELECTRONICA Y ELECTRICA

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Fundada en 1551
FACULTAD DE ING. ELECTRONICA Y ELECTRICA

ALUMNO: PALOMINO HUACCAMAYTA ZOSIMO

CURSO:

CIRCUITOS ELECTRONICO 1

TRABAJO: DESARROLLO DEL CUESTIONARIO DE

DIODOS

Lima - Per
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2016

DESARROLLO DEL CUESTIONARIO TEORICO DE DIODOS

1. En un diodo polarizador, casi toda la tensin externa aplicada
aparece en.
a) nicamente en los contactos metlico.
b) En los contactos metlicos y en la zona p y n.
c) La zona de vaciamiento o deflexin.
RESPUESTA: c
Al estar polarizado de forma inversa la zona de deplexin se
ampla.esto impide que la corriente elctrica fluya a travs del
diodo as formado un circuito abierto.
2. En los diodos LED.
a) Se convierte la energa luminosa en energa elctrica.
b) Se genera radiacin electromagntica visible debida las
recombinaciones de los pares de electrones/huecos.
c) Se produce radiacin electromagntica cuando se supera la
tensin inversa.
RESPUESTA: b
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo
comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica emite
luz.
Existen diodos LED de varios colores y dependen del material con
el cual fueron construidos.
Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo.
Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de
silicio o germanio.
Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se
inyectan electrones y huecos en las regiones P y N,
respectivamente.
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin
de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de
recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aqu
la emisin de luz).
La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de
recombinaciones depende del material semiconductor utilizado
(GaAs, GaAsP,y GaP)
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Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la
emisin de la longitud de onda y por ende el color

3. En un diodo con polarizacin inversa

a) no existe barrera de potencial en la zona de deplexin .
b) existe una corriente inversa de saturacin (Is) debida a la
inyeccin de portadores mayoritarios.
c) existe una corriente inversa de saturacin (Is) dependiente de la
temperatura.
RESPUESTA: c
En polarizacin inversa es ms difcil la conduccin, porque el
electrn libre tiene que subir una barrera de potencial muy grande
de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay conduccin
de electrones libres o huecos, no hay corriente.
En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin
trmica de pares electrn-hueco. Los pocos electrones generados
trmicamente pierden energa y bajan de p a n, es la "Corriente
Inversa de Saturacin" (IS) que es muy pequea.
Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p
a n. Entonces sera negativa en este caso.
Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las
fugas, que se denomina "Corriente de Fugas" (I f).
4. Los diodos zener
a) no conducen con polarizacin directa.
b) presentan una resistencia muy baja en la regin de conduccin
inversa.
c) pueden regular la tensin sin consumir energa.
RESPUESTA: b
Cuando el zener est polarizado inversamente con
pequeos valores de tensin se alcanza la corriente inversa de
saturacin prcticamente estable y de magnitudes despreciables
a efectos prcticos.
Si sigue aumentando la tensin de codo o de giro, donde los
aumentos de corriente son considerables frente a los aumentos
de tensin (aprciese en torno a esta tensin la curvatura de la
grfica). Sobrepasada esta zona a pequeos incrementos de
tensin corresponden aumentos elevados de la corriente Iz
5. En una unin p n, el equivalente de circuito abierto en la regin de
polarizacin inversa, se logra mejor.
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a) a altas temperaturas.
b) a bajas temperaturas.
c) a temperaturas intermedias.
RESPUESTA: b
6. La zona de carga de espacio
a) su anchura depende del dopaje del semiconductor.
b) est constituida por portadores de electricidad.
c) en directa disminuye hasta desaparecer y quemarse.
RESPUESTA: a
La zona de deplexin puede variar segn la cantidad de
impurezas aadidas al material semiconductor
7. En una unin pn sin polarizar y en equilibrio termodinmico.
a) aparece una zona de deplexin en donde la concentracin de
cargas libres (e- y h+) es muy alta
b) la suma de corrientes de difusin y arrastre es cero tanto para ecomo para h+
c) la concentracin de e- y h+ es constante en todo el volumen
RESPUESTA: b
Consideremos,
entonces,
dos
muestras
de
material
semiconductor, una de tipo p y otra de tipo n caracterizadas por
contener una gran concentracin de h+ y de erespectivamente
(Figuras 5.3b y 5.3c). En la unin abrupta o unin escaln que
estamos considerando, las regiones p y n son homogneas. Al
poner en contacto estas dos muestras, aparecern enseguida
flujos por difusin de e- y de h+ tendentes a eliminar los grandes
gradientes de concentracin de portadores existentes en la Unin
Metalrgica.
8. Si comparamos las caractersticas de los semiconductores Si y Ge
a temperatura ambiente.
a) en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de
saturacin (Is) son menores que en el Si.
b) en el Ge la tensin umbral de conduccin (V ) es mayor que en el
Si.
c) en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de
saturacin (Is) son mayores que en el Si.
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RESPUESTA: c
En semiconductores de Ge es mayor la cantidad pura de dicho
material de ah su alto costo
9. En una unin p n, el efecto de la tensin inversa de ruptura debida
al efecto zener.
a) aparece nicamente en diodos con zonas p y n muy poco
dopadas.
b) se debe a la ionizacin de tomos, causada por los choques entre
los portadores que se mueven a alta velocidad y los tomos.
c) se puede utilizar para regular o estabilizar tensiones.
RESPUESTA: c
El diodo zener puede usarse como un diodo normal pero donde
se le saca ms provecho es al regular una tensin mayor o con
mucho rizado.
10. En una unin pn en rgimen permanente.
a)
b)
c)
d)

Existe una zona intermedia de portadores elctricos

Aparecen unas corrientes de difusin
Existe una zona de carga descubierta
Aparece un campo elctrico creciente.
RESPUESTA: d
El diodo zener puede usarse como un diodo normal pero donde
se le saca ms provecho es al regular una tensin mayor o con
mucho rizado.

11. Si en un diodo el voltaje inverso aumenta de 5 a 10 V, la zona de

carga de espacio.
a)
b)
c)
d)

se hace ms pequea.
se hace ms grande.
no le pasa nada.
se rompe.
RESPUESTA: b

12. Cuando un diodo tiene polarizacin directa, la recombinacin de

electrones libres y huecos puede producir.
a)
b)
c)
d)

Calor.
Luz.
Radiacin.
todas las anteriores.
RESPUESTA: d

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Se produce calor cuando por el circuito pasa demasiada corriente
como para que el diodo lo disipe por su cuenta, se genera fotones
en la unin de los materiales en un diodo led y radiacin en forma
de calor o luz
13. El voltaje de codo de un diodo es aproximadamente igual a.
a)
b)
c)
d)

el voltaje aplicado.
la barrera de potencial.
el voltaje de ruptura.
el voltaje de polarizacin directa.
RESPUESTA: b
Al pasar la barrera de potencial el diodo polarizado directamente
se dispara y conduce.

14. Cul de las siguientes afirmaciones es cierta con respecto a la

tensin de ruptura de un diodo Zener?
a)
b)
c)
d)

disminuye al aumentar la corriente.

destruye el diodo.
es igual a la corriente por la resistencia.
es aproximadamente constante.
RESPUESTA: d
Los diodos zener traban en la regin de ruptura o avalancha
regulando la tension en ese punto

15. El diodo bajo polarizacin inversa:

a) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los
portadores mayoritarios no consiguen superarla y pasar a la otra
regin. Por tanto, solamente tendremos la corriente de
minoritarios.
b) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y
solamente los portadores mayoritarios consiguen superarla. Por
tanto tendremos una corriente baja, la corriente de saturacin.
c) Disminuye la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los
portadores minoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos
una corriente baja, la corriente de saturacin.
d) Ninguna afirmacin es vlida.
RESPUESTA: a
16. En la zona de carga de espacio de una unin pn:
a) A mayor polarizacin inversa, ms iones.

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b) Los iones originados en ausencia de polarizacin no se pueden
mover.
c) A mayor polarizacin directa, menos iones.
d) Todas las anteriores son ciertas.
RESPUESTA: d
Zona de agotamiento o zona de vaciado impide que la corriente
elctrica fluya a travs del diodo inversamente polarizado pero
cuando est directamente polarizado esta zona se reduce
17. El efecto Zener en un diodo:
a) Se produce por las grandes velocidades de los portadores
minoritarios.
b) Requiere polarizacin inversa superior a las del efecto avalancha.
c) Se produce en diodos muy dopados.
d) Se produce debido a campos elctricos muy dbiles.
RESPUESTA: c
Efecto Zener se suele dar en diodos muy impurificados, diodos
con muchas impurezas

18. En la zona de carga espacial que aparece en una unin pn sin

polarizar.
a) Los electrones que provienen
recombinan con los huecos
(mayoritarios).
b) Los electrones que provienen
recombinan con los huecos
(minoritarios).
c) No existen cargas libres.

de la zona n (mayoritarios) se
que provienen de la zona p
de la zona p (minoritarios) se
que provienen de la zona n

RESPUESTA: c
Efecto Zener se suele dar en diodos muy impurificados, diodos
con muchas impurezas
19. Si una unin p n se polariza en directa:
a) Los huecos de la zona n (minoritarios) desaparecen por completo
debido al arrastre del campo elctrico que los lleva hacia la zona
p (su lugar natural).
b) Aparece una corriente elctrica en el sentido de la zona n a la
zona p debida al movimiento de los electrones.
c) Aparece una corriente elctrica en el mismo sentido que el campo
elctrico aplicado.

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RESPUESTA: c
Al polarizar una unin directamente los huecos fluyen en direccin
opuesta a la de los electrones esto genera una corriente en ese
sentido.
20. En un diodo polarizado en inversa:
a) Los electrones de la zona n tienden a acercarse a la zona de la
unin.
b) Aparece una corriente tan pequea que es despreciable a efectos
prcticos y que depende de la concentracin de los mayoritarios
de cada una de las zonas.
c) Si la tensin aplicada es lo suficientemente grande la corriente
puede ser tan intensa que se queme el dispositivo.
RESPUESTA: c
Si a un diodo comun se le aplica una tensin mayor a la de
tensin de ruptura este dispositivo se daara.
21. En la zona de deplexin o vaciamiento de una unin pn:
a) A mayor polarizacin inversa aparece ms carga.
b) A mayor polarizacin directa aparece ms carga.
c) La zona no tiene carga, o lo que es lo mismo, es elctricamente
neutra.
RESPUESTA: a
En un diodo cuando se le aumenta la polaridad inversa la zona de
deplexin crece y se genera ms carga entre sus terminales
22. En un diodo en polarizacin inversa la ruptura por efecto zener.
a) Se debe a la alta energa que tienen los electrones, parte de esta
energa se transforma en calor produciendo la ruptura del
dispositivo.
b) El campo elctrico es tan intenso que es capaz de arrancar
electrones de sus enlaces de forma que cada vez hay ms
corriente.
c) Los electrones en su movimiento chocan contra otros fijos en sus
enlaces arrancndolos de los mismos, as, cada vez hay ms
electrones libres y, por tanto, mayor corriente.
RESPUESTA: b
Al dispararse el diodo inversamente polarizado es probable que
este cruzados es decir deja pasar mayor corriente que si
estuviese en buen estado

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23. En una unin pn sin polarizar.
a) Aparece una zona de carga espacial con cargas positivas en el
lado de la zona p y cargas negativas en el lado de la zona n.
b) La zona de carga que aparece no tiene cargas elctricas, por eso
se la llama tambin de vaciamiento.
c) Aparece una barrera de potencial que se opone al flujo de
electrones de la zona n hacia la zona p.
RESPUESTA: c
El voltaje de codo es una especia de barrera que de no ser
igualada o superada no deja fluir la corriente a travs del
dispositivo
24. En una unin pn polarizada en directa, cada zona semiconductora
se comporta como:
a) Sumidero de sus portadores minoritarios.
b) Inyector de sus portadores mayoritarios.
c) Inyector de sus portadores minoritarios.
RESPUESTA: b
Cada zona tiene mayoritariamente huecos o electrones segn
sea N o P, los huecos se desplazan hacia en direccin de la
corriente convencional y los electrones en direccin contraria a
estos
25. Sean las curvas A y B de la figura 2.1 pertenecientes a un mismo
diodo a.
a) La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque la
recombinacin de portadores es menor y se puede extraer mayor
corriente a la misma tensin.
b) La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque la
densidad de corriente de saturacin del diodo aumenta con la
temperatura.
c) La curva B corresponde a la temperatura ms alta, porque la
densidad de corriente de saturacin del diodo disminuye con la
temperatura

RESPUESTA: b

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Las temperaturas
semiconductores.

altas

mejoran

la

conduccin

de

los

26. El efecto zener en la zona de ruptura de una unin pn.

a) Se da cuando la zona p est mucho ms dopada que la zona n.
b) Se debe a la alta energa cintica que adquieren los electrones
libres.
c) Se origina cuando hay campos elctricos muy intensos en la zona
de carga espacial.
RESPUESTA: c
27. En una unin pn polarizada en inversa.
a) Si aumentamos la temperatura aumentar la corriente elctrica.
b) Si aumentamos la temperatura la unin se calentar, pero la
corriente slo aumentar si aumentamos la tensin.
c) La barrera de potencial que aparece en la zona de carga de
espacio impide el paso de cualquier tipo de portador a su travs
RESPUESTA: a
Las temperaturas altas mejoran la conduccin de los
semiconductores, por ende puede pasar ms corriente por el
dispositivo
28. En una unin pn polarizada en directa.
a) Si no ponemos una resistencia exterior para limitar la corriente la
unin se quemar.
b) Podemos tener corrientes prcticamente nulas.
c) El sentido de la corriente depender de cul de las dos zonas es
la que est ms dopada, es decir, de si los mayoritarios son los
huecos o los electrones.
RESPUESTA: b
Si no se alcanza o supera el voltaje de codo no se consigue
corrientes verdaderamente notables que pasan a travs del diodo
29. En una unin pn polarizada en directa, la corriente.
a) es debida al arrastre de los portadores minoritarios a lo largo de
las zonas neutras.
b) La corriente se puede calcular como corriente de recombinacin
de los portadores minoritarios en cada una de las zonas neutras.
c) Se debe nicamente a la difusin de los portadores minoritarios
de cada una de las zonas neutras a travs de la unin.
RESPUESTA: b

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Ya que el desplazamiento de huecos y electrones en sus
respectivas direcciones hace que en las zonas neutras exista un
flujo de electrones (corriente)
30. La corriente inversa de saturacin en un diodo polarizado en
inversa.
a) Aumenta al aumentar la polarizacin inversa.
b) Disminuye, ya con la polarizacin inversa aumenta la zona de
carga de espacio.
c) Es constante.
RESPUESTA: c
Si se polariza inversamente un diodo la corriente seguir siendo
insignificante al aumentar la tensin siempre que no se llegue a la
tensin de ruptura donde el diodo se destruir Las temperaturas
altas mejoran la conduccin de los semiconductores.
31. El tiempo de recuperacin en el diodo
a) es despreciable en circuitos que conmutan a alta frecuencia.
b) limita la frecuencia de trabajo en circuitos digitales.
c) es instantneo cuando se pasa del estado de conduccin al
estado de corte.
RESPUESTA: b

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