146 TRANSISTORES

DE UNIN BIPOLAR
C
B
E
R

FIG. 3.21
Configuracin en colector comn
utilizada para igualar impedancias.

Una configuracin de circuito en colector comn aparece en la figura 3.21 con el resistor de
carga conectado desde el emisor a tierra. Observe que el colector est unido a tierra aun cuando
el transistor est conectado del mismo modo que en la configuracin en emisor comn. Desde
un punto de vista de diseo, no se requiere un conjunto de caractersticas en colector comn para seleccionar los parmetros del circuito de la figura 3.21. Se puede disear utilizando las caractersticas en emisor comn de la seccin 3.6. En la prctica, las caractersticas de salida de la
configuracin en colector comn son las mismas de la configuracin en emisor comn. Para
la configuracin en colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE contra VCE
con un rango de valores de IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con
las caractersticas en emisor comn como en colector comn. Por ltimo, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas en emisor comn si IC se reemplaza con IE para las caractersticas en colector comn (puesto que a  1). Para el circuito de
entrada de la configuracin en colector comn bastan las caractersticas bsicas en emisor
comn para obtener la informacin requerida.

3.8

LMITES DE OPERACIN

Para cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que garantizar que no
se excedan las capacidades nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin mnima. Dicha regin se defini para las caractersticas del transistor de la figura 3.22. Todos los
lmites de operacin se definen en una hoja de especificaciones del transistor descrita en la
seccin 3.9.
Algunos de los lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del
colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el colector) y el voltaje mximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como 50 mA y
VCEO como 20 V. La lnea vertical en las caractersticas definida como VCEsat especifica el VCE
mnimo que se puede aplicar sin caer en la regin no lineal llamada regin de saturacin. El nivel de VCEsat est por lo comn cerca de 0.3 V, especificado para este transistor.
El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente ecuacin:

(3.16)

PCmx = VCE IC

mx

Regin
de
saturacin

mx

Regin
de corte

mx

FIG. 3.22
Definicin de la regin de operacin lineal (sin distorsin) para un transistor.

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia del colector se especific como 300 mW. El problema es cmo graficar la curva de disipacin de potencia del colector especificada por el hecho de que

PCmx = VCE IC = 300 mW

VCE IC = 300 mW

En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300
mW. Si decidimos que IC sea el valor mximo de 50 mA y sustituimos en la relacin anterior
obtenemos

VCE IC = 300 mW

VCE150 mA2 = 300 mW

VCE =

300 mW
= 6V
50 mA

Por consiguiente vemos que si IC  50 mA, entonces VCE  6 V en la curva de disipacin de

potencia como se indica en la figura 3.22. Si ahora decidimos que VCE tenga su valor mximo
de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:

120 V2IC = 300 mW

IC =

300 mW
= 15 mA
20 V

el cual es un segundo punto en la curva de potencia.

Si ahora seleccionamos un nivel de IC en el intervalo medio como 25 mA y resolvemos para
el nivel resultante de VCE obtenemos

VCE125 mA2 = 300 mW

y

VCE =

300 mW
= 12 V
25 mA

como tambin se indica en la figura 3.22.

En general se puede trazar un estimado preliminar de la curva real con los tres puntos antes
definidos. Desde luego, cuantos ms puntos haya ms precisa es la curva, aunque todo lo que se
requiere suele ser un estimado preliminar.
La regin de corte se define como aquella que est debajo de IC  ICEO, y la cual tambin hay
que evitar para que la seal de salida tenga una distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones slo se da ICBO. Entonces hay que utilizar la ecuacin ICEO  bICBO para tener una idea
del nivel de corte si las curvas de las caractersticas no estn disponibles. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 garantizar una distorsin mnima de los niveles de la seal, corriente y voltaje de salida que no daarn el dispositivo.
Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como sucede a veces), basta con asegurarse de que IC, VCE y su producto VCEIC queden
comprendidos en el intervalo siguiente:

ICEO F IC F ICmx
VCEsat F VCE F VCEmx
VCE IC F PCmx

(3.17)

Para las caractersticas de base comn el siguiente producto de cantidades de salida define la
curva de potencia mxima:

(3.18)

PCmx = VCB IC

3.9

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSITOR

Como la hoja de especificaciones es el vnculo de comunicacin entre el fabricante y el usuario,

es de particular importancia que la informacin provista se reconozca e interprete correctamente. Aun cuando no se incluyeron todos los parmetros, un gran nmero de ellos son conocidos.

HOJAS DE 147
ESPECIFICACIONES
DEL TRANSITOR

148 TRANSISTORES
DE UNIN BIPOLAR

Los restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har referencia entonces a esta hoja de especificaciones para repasar la forma en que se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada como figura 3.23 se tom directamente de la publicacin
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un
transistor de propsito general con el encapsulado e identificacin de las terminales que aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas y caractersticas
elctricas. Las caractersticas elctricas se dividen a su vez en caractersticas de encendido,

VALORES NOMINALES MXIMOS

Smbolo

2N4123

Unidad

Voltaje de colector a emisor

Valor nominal

VCEO

30

Vcd

Voltaje de colector a base

VCBO

40

Vcd

Voltaje de colector a base

VEBO

5.0

Vcd

Corriente del colector - Continua

IC

200

mAcd

Disipacin total del dispositivo @ TA = 25C

PD

625

mW

Tj,Tstg

5.0
55 a +150

mWC
C

Se reduce a ms de 25C
Intervalo de temperatura en la unin de

2N4123
CPSULA 29-04 ESTILO 1
TO-92 (TO-226AA)
3 Colector

2
Base

operacin y almacenamiento
1
23

1 Emisor

CARACTERSTICAS TRMICAS
Caracterstica

Smbolo

Mx.

Unidad

Resistencia trmica, unin para cpsula

RuJC

83.3

C W

TRANSISTOR
DE PROPSITO GENERAL

Resistencia trmica, unin para medio ambiente

RuJA

200

C W

NPN DE SILICIO

CARACTERSTICAS ELCTRICAS (T = 25C a menos que se especifique lo contrario)

Caracterstica

Smbolo

Mn.

V(BR)CEO

30

Vcd

Voltaje de ruptura de colector a base

(IC = 10 Acd, IE = 0)

V(BR)CBO

40

Vcd

Voltaje de ruptura de emisor a base

(IE = 10 Acd, IC = 0)

V(BR)EBO

5.0

Vcd

Corriente de corte en el colector

(VCB = 20 Vcd, IE = 0)

ICBO

50

nAcd

Corriente de corte en el emisor

(VBE = 3.0 Vcd, IC = 0)

IEBO

50

nAcd

hFE

50
25

150

Voltaje de saturacin de colector a emisor (1)

(IC = 50 mAcd, IB = 5.0 mAcd)

VCE(sat)

0.3

Vcd

Voltaje de saturacin de base a emisor (1)

(IC = 50 mAcd, IB = 5.0 mAcd)

VBE(sat)

0.95

Vcd

fT

250

Capacitancia de salida
(VCB = 5.0 Vcd, IE = 0, f = 100 MHz)

Cobo

4.0

pF

Capacitancia de entrada
(VBE = 0.5 Vcd, IC = 0, f = 100 kHz)

Cibo

8.0

pF

Capacitancia de colector a base

(IE = 0, VCB = 5.0 V, f = 100 kHz)

Ccb

4.0

pF

Ganancia de corriente de seal pequea

(IC = 2.0 mAcd, VCE = 10 Vcd, f = 1.0 kHz)

hfe

50

200

hfe

2.5
50

200

NF

6.0

dB

CARACTERSTICAS APAGADO
Voltaje de ruptura de colector a emisor (1)
(IC = 1.0 mAcd, IE = 0)

CARACTERSTICAS ENCENDIDO
Ganancia de corriente de CD(1)
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 1.0 Vcd)
(IC = 50 mAcd, VCE = 1.0 Vcd)

CARACTERSTICAS DE SEAL PEQUEA

Ganancia de corriente-Producto de ancho de banda
(IC = 10 mAcd, VCE = 20 Vcd, f = 100 MHz)

Ganancia de corriente - Alta frecuencia

(IC = 10 mAcd, VCE = 20 Vcd, f = 100 MHz)
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 10 V, f = 1.0 kHz)
Figura de ruido
(IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k ohm, f = 1.0 kHz)
(1) Prueba de pulsos: ancho de pulso 300 ms. Ciclo de trabajo pesado = 2.0%

(a)

FIG. 3.23
Hoja de especificaciones del transistor.

Mx.

Unidad

MHz

Figura 1 - Capacitancia

Figura 2 - Tiempo de conmutacin

10

200
ts
100

5.0

C ibo

3.0
Cobo

2.0

1.0
0.1

70
50

Tiempo (ns)

Capacitancia (pF)

7.0

td
tr

30
20

tf

VCC = 3 V
10.0
IC / IB = 10
7.0 VEB (apagado) = 0.5 V
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
Voltaje de polarizacin en inversa (V)

5.0
1.0

20 30 40

2.0 3.0

5.0

10

20 30

50

100

200

IC, Corriente del colector (mA)

(b)

(c)

CARACTERSTICAS DE SEAL PEQUEA DE AUDIO

FIGURA DE RUIDO
(VCE = 5 Vcd, TA = 25C)
Ancho de banda = 1.0 Hz
Figura 3 - Variaciones de la frecuencia

Figura 4 - Resistencia de fuente

14

12

f = 1 kHz
Resistencia de fuente = 200
IC = 1 mA
MF, Figura de ruido (dB)

12

Resistencia de fuente= 200

IC = 0.5 mA

Resistencia de fuente = 1 k
IC = 50 A

6
4

0
0.1

0.2

0.4

IC = 1 mA

10
8

IC = 0.5 mA
IC = 50 A

6
4

IC = 100 A

Resistencia de fuente = 500

IC = 100 A
2
4
10
f, Frecuencia (kHz)

20

40

0
0.1

100

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

20

40

100

RS , Resistencia de la fuente (k)

(d)

(e)

PARMETROS h
VCE = 10 V, f = 1 kHz, TA = 25C
Figura 5 - Ganancia de corriente

Figura 6 - Admitancia de salida

300

100

hoe Admitancia de salida ( mhos)

hfe Ganancia de corriente

MF, Figura de ruido (dB)

10

200

100
70
50
30
0.1

0.2

0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)

10

50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1

(f)

0.2

0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)

10

(g)

FIG. 3.23
Continuacin

149

Figura 8 Relacin de alimentacin de voltaje

10

10

7.0

h re Relacin de alimentacin
de voltaje ( 104 )

hie Impedancia de entrada (k )

Figura 7 Impedancia de entrada

20

5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1

0.2

0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)

h FE Ganancia de corriente CD (normalizada)

(h)

10

5.0
3.0
2.0

1.0
0.7
0.5
0.1

0.2

0.5
1.0
2.0
5.0
I C , corriente del colector (mA)

10

(i)

CARACTERSTICAS ESTTICAS
Figura 9 Ganancia de corriente CD

2.0

VCE = 1 V

TJ = +125 C
+25 C

1.0
0.7

55 C

0.5
0.3
0.2
0.1
0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0
5.0 7.0 10
I C, Corriente del colector (mA)

20

30

50

70 100

200

(j)

FIG. 3.23
Continuacin

apagado y de seal pequea. Las caractersticas encendido y apagado se refieren a lmites de cd, en tanto que las de seal pequea incluyen los parmetros de importancia para la
operacin de ca.
Observe que en la lista de valores nominales mximos VCEmx = VCEO = 30 V con ICmx = 200
mA. La disipacin mxima del colector PCmx = PD = 625 mW. El factor de reduccin de capacidad bajo la capacidad nominal mxima especifica que la capacidad nominal mxima debe reducirse 5 mW por cada 1 de aumento de la temperatura arriba de 25. En las caractersticas
apagado ICBO se especifica como 50 nA y en las caractersticas encendido VCEsat = 0.3
V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 a 150 en IC  2 mA y VCE  1 V y un
valor mnimo de 25 a con una corriente alta de 50 mA al mismo voltaje.
Los lmites de operacin ya se definieron para el dispositivo y se repiten a continuacin en
el formato de la ecuacin (3.17) con hFE  150 (el lmite superior) e ICEO  bICBO = (150)
(50 nA) = 7.5 mA. Por cierto, en muchas aplicaciones el valor de 75 mA  0.0075 mA se puede considerar que aproximadamente de 0 mA.
Lmites de operacin

7.5 mA F IC F 200 mA
0.3 V F VCE F 30 V
VCE IC F 650 mW

150

En las caractersticas de seal pequea el nivel de hfe (bca) aparece junto con una grfica de
cmo vara con la corriente del colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se muestra el efecto de la temperatura y de la corriente del colector en el nivel hFE (bca). A temperatura ambiente
(25C) observe que hFE(bcd) es un valor mximo de 1 cercano al valor de 8 mA. A medida que
IC se incrementa ms all de este nivel, hFE se reduce a la mitad del valor con IC igual a 50 mA.

Tambin baja a este nivel si IC se reduce al bajo nivel de 0.15 mA. Como sta es una curva
normalizada, si tenemos un transistor con bcd  hFE  50 a temperatura ambiente, el valor
mximo a 8 mA es 50. En IC  50 mA se ha reducido a 502  25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se dividi entre el valor mximo de
hFE a esa temperatura e IC  8 mA. Observe tambin que la escala horizontal de la figura 3.23j
es una escala logartmica (en el captulo 9 analizaremos a fondo las escalas logartmicas).
Quiz desee regresar a las grficas de esta seccin cuando revise las secciones iniciales del
captulo 9.
Antes de concluir esta descripcin de las caractersticas, observe que no se dan las caractersticas reales del colector. En realidad, la mayora de las hojas de especificaciones de los fabricantes no contienen las caractersticas completas. Se espera que los datos proporcionados
basten para utilizar el dispositivo de forma efectiva en el proceso de diseo.
Como se seal en la introduccin a est seccin, todos los parmetros de la hoja de especificaciones no se definieron en las secciones o captulos anteriores. Sin embargo, en los captulos siguientes se har continuamente referencia a dicha hoja de la figura 3.23 conforme se
vayan introduciendo los parmetros. La hoja de especificaciones puede ser una herramienta muy
valiosa en el diseo o modo de anlisis y vale la pena reconocer la importancia de cada parmetro y de cmo puede variar con los niveles variables de corriente, temperatura, etctera.

3.10

PRUEBA DE UN TRANSISTOR

Del mismo modo que con los diodos, hay tres rutas que podemos seguir para verificar un transistor: podemos usar un trazador de curvas, un medidor digital, o bien un ohmmetro

Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.50 despliega la respuesta en la figura 3.24 una vez que se
han ajustado correctamente todos los controles. Las pantallas pequeas a la derecha muestran la
escala que se va a aplicar a las caractersticas. La sensibilidad vertical es de 2 mAdiv, lo que
produce la escala de abajo a la izquierda de la pantalla del monitor. La sensibilidad horizontal
es de 1 Vdiv y produce la escala que aparece debajo de las caractersticas. La funcin escaln
indica que la separacin entre las curvas es de 10 mA comenzando con 0 mA para la curva inferior. Puede utilizar el ltimo factor de escala para determinar de inmediato la bca en cualquier
regin de las caractersticas. Multiplique el factor mostrado por el nmero de divisiones entre
las curvas IB en la regin de inters. Por ejemplo, determinemos bca en un punto Q de IC  7 mA

20 mA
Vertical
por divisin
2 mA

18 mA
80 A
16 mA
70 A
14 mA

Horizontal
por divisin
1V

60 A
12 mA
50 A
10 mA
40 A

Por escaln
10 A

8 mA
30 A
6 mA
20 A
4 mA

gm
por divisin
200

10 A
2 mA
0 A

0 mA
0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V

9V

10 V

FIG. 3.24
Respuesta de un trazador de curvas para un transistor 2N3904.

PRUEBA DE UN
TRANSISTOR

151