REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIN

INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGA DE ADMINISTRACIN INDUSTRIAL

I.U.T.A
SEDE PUERTO LA CRUZ EDO. ANZOTEGUI

TRANSISTORES

PROFESORA:
ANA SIMONS

BACHILLER:
LEZAMA, YONDER
SOTO, JHONATAN
VSQUEZ, OMAR
PADRON, ALEX

MATERIA:
ELECTRONICA BASICA

C.I.: 20.635.671
C.I.: 25.056.461
C.I.: 25.478.994
C.I.

ESPECIALIDAD:
INSTRUMENTACIN

PUERTO LA CRUZ, 19 DE ENERO 2016

INSTRODUCCIN.
Los sistemas electrnicos en su mayora tienen la necesidad de amplificar las seales. Los
Amplificadores tienen como funcin variar la relacin entre la corriente y el voltaje.
Los amplificadores se pueden clasificar en clase A, .B y C. Siendo los de clase A los que
consumen corrientes continuas altas desde su fuente de alimentacin y los de clase B y C se
caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de sus transistores cuando no hay seal
en la entrada del circuito.
El circuito colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto a la
entrada como a la salida de la configuracin.

Transistores como amplificadores.

La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora
de los sistemas electrnicos. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la
seal dbil y otra por donde se alimenta con, la seal de salida se ve aumentada gracias a la
aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de
entrada.
Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su
entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la
ganancia de un amplificador Es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a
la salida y el de la entrada.
Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia
de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es
vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico
de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin
distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (V p) o Voltios pico-pico
(Vpp).
Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos
de ganancia:

Ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.

De esta forma podemos definir los siguientes parmetros:
1.
2.
3.
4.
5.

Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

Impedancia de entrada (ohmios): Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida (ohmios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / P

El amplificador se caracteriza: Por poder realizar su funcin de manera pasiva,

variando la relacin entre la corriente y el voltaje, manteniendo constante la
potencia (de manera similar a un transformador), o de forma activa, tomando
potencia de una fuente de alimentacin y aumentando la potencia de la seal a su

salida del amplificador, habitualmente manteniendo la forma de la seal, pero

dotndola de mayor amplitud.
La relacin entre la entrada y la salida del amplificador puede expresarse en funcin
de la frecuencia de la seal de entrada, lo cual se denomina funcin de transferencia,
que indica la ganancia de la misma para cada frecuencia. Es habitual mantener un
amplificador trabajando dentro de un determinado rango de frecuencias en el que se
comporta de forma lineal, lo cual implica que su ganancia es constante para
cualquier amplitud de entrada.

Clases de amplificadores.
Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes continuas altas de su fuente de alimentacin,
independientemente de la existencia de seal en la entrada. Esta amplificacin presenta el
inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad de calor, que ha de ser disipada.
Esto provoca un rendimiento muy reducido, al perderse una parte importante de la energa
que entra en l. Tiene una corriente de polarizacin igual a aproximadamente la mitad de
la corriente de salida mxima que pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo
consiste en tres transistores de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de
alimentacin y el otro a la carga.
Clase B
Se caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de sus transistores cuando no hay
seal en la entrada del circuito. sta es la que polariza los transistores para que entren en
zona de conduccin, por lo que el consumo es menor que en la clase A, aunque la calidad es
algo menor debido a la forma en que se transmite la onda. Se usa en sistemas telefnicos,
transmisores de seguridad porttiles, y sistemas de aviso, aunque no en audio.
Clase C
Son conceptualmente similares a los de clase B en que la etapa de salida ubica su punto de
trabajo en un extremo de su recta de carga con corriente de polarizacin cero. Sin embargo,
su estado de reposo (sin seal) se sita en la zona de saturacin con alta corriente, o sea el
otro extremo de la recta de carga

Circuito Colector Comn.

La terminologa de colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto a
la entrada (Base-colector) como a la salida (Emisor-Colector) de la configuracin. El
colector se conecta a las tanto de seal de entrada como a la salida.
Para describir el comportamiento de la configuracin de colector comn, se requiere de dos
conjuntos de caractersticas:

Parmetros de Entrada: Se relaciona a la corriente de entrada (IB) con el voltaje de

entrada (VBE) para varios niveles de voltajes de salida (VCE)
Parmetros de Salida: Se relaciona a la corriente de salida (IE) con el voltaje de
salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Regiones de operacin de Colector Comn.

Desde el punto de vista de diseo de un circuito de un transistor en la configuracin
colector comn, se utilizan las caractersticas de emisor comn.

Teniendo en cuenta a que a= 1; IC= IE, por lo tanto las caractersticas en colector comn
seran casi idnticas a las de emisor comn. Es por ello que como se ha dicho
anteriormente, para el diseo de circuito de transistores en colector comn, se utilizan las
caractersticas de emisor comn.

Caractersticas de Colector Comn.

1. Con este tipo de circuito no vamos a conseguir una amplificacin de tensin, pero
son muy buenos amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.
2. Este circuito tambin se llama seguidor de emisor, nombre que viene porque el
emisor sigue a la base.
3. Este tipo de circuitos tiene un comportamiento muy buen frente a las variaciones de
temperatura y es debido a que tiene conectada una resistencia.
4. El problema que pueden tener este tipo de circuitos es que disipan mucha potencia.
5. La caracterstica ms importante de esta configuracin es que ofrece una alta
impedancia (o resistencia) de entrada y una baja impedancia de salida.
6. La corriente de entrada va a ser muy pequea, mientras que la salida puede llegar a
ser muy grande.

Aplicaciones configuracin Colector Comn.

1. Se usa como adaptador de impedancias, es decir, cuando queramos obtener una baja
impedancia de salida.
2. Logra una muy baja distorsin sobre la seal de salida

La configuracin de emisor comn

La terminologa de EC se deriva del hecho de que el emisor es comn tanto a la entrada
como a la salida de la configuracin. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. la Configuracin Emisor Comn. El emisor es comn a la
entrada (base-emisor) y a la salida (colector-emisor).
Para describir el comportamiento de la configuracin EC, se requiere de dos conjuntos de
caractersticas:
Parmetros de Entrada: Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE). Una vez que el transistor esta
encendido se supondr que el VBE es: VBE = 0.7V
Parmetros de Salida: Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida
(VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

La regin activa
La unin colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unin base-emisor se
polariza directamente. Esta es la regin ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, est formada por la suma de la
corriente de base y la de colector: IE = IC + Bien la configuracin EC, tambin se mantiene
la relacin siguiente que se us en la configuracin BC: IC = IE

La Regin de Corte
Tanto la unin base-emisor como la unin colector-emisor de un transistor tienen
polarizacin inversa.
La IC no es igual a cero cuando IB es cero. Para propsitos de amplificacin lineal (la
menor distorsin), el corte para la configuracin EC se definir mediante: IC = ICEO Para
IB = 0A La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se requiere una seal de salida
sin distorsin

Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin
directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones estn en
polarizacin directa, las corrientes sea nula .Un transistor est saturado cuando: (IC = IE = I
Mxima)

Ganancias de Corriente
Emisor Base Comn Ganancia (alfa) (Beta)
(beta) La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la
de entrada (IB) = La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que
la corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB). Suele tener un rango
entre 40 y 400, con la mayora dentro del rango medio.
(beta) es un parmetro importante porque ofrece una relacin directa entre los niveles
de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC. = Y dado que IE = IC
+ IB IE = IB + IB Se tiene que = + 1

Relaciones entre y

Es posible establecer una relacin entre y utilizando las relaciones dadas anteriormente.
= = +1 1 La ganancia es proporcionada por el fabricante y tambin es conocida
como hFE

Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de
potencia mucho mayores que los de base comn. = =

Caractersticas Generales
Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700 y 1000. Un poco ms que la Base Comn.
Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (50k). Ms baja que la de Base Comn.
Alta ganancia de corriente entre 20 y 300
Alta ganancia de voltaje.

Aplicaciones Configuracin EC
Es la configuracin ms usada, puesto que amplifica tanto corriente como voltaje.
El ms usado para circuitos de baja frecuencia, debido a la alta impedancia de entrada.
Usado en amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio.

Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y

bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro
parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operacin (Q).

Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB
y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas grficas reciben el nombre
de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para
localizar averas en circuitos con transistores.
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado
que la unin base - emisor, es una pin normal, igual que la de diodo, y al polarizarla,
seguir el mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas VCE-IC
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.
Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de
base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representacin
estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores
de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico.
Para IB=0, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est
representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en
saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas.

Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:
En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensin
colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna
del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para VCE=0, sino que hay una transicin
gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V
y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen
pequeas variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se
deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco a la
corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin
del colector entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la
tensin VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy
dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que
el transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa VCE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.

Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada
resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos
la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. La tensin aplicada a esta
resistencia se corresponder con la tensin total aplicada por la fuente VCC menos la cada
de tensin que se produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga

para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturacin, punto de trabajo.
El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente
de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa polarizacin directa a que queda sometido el
diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcticamente nula (slo
circula una pequesima corriente de fuga ICEO). Haciendo una aproximacin, se puede
decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de
carga con el eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de
saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la
operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una
aproximacin, se puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de

saturacin en el transistor.
El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de
trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de
interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.

Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente VCC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por
debajo de la curva de potencia mxima.

Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas

La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin que se da entre la
variacin de la corriente del colector y la variacin de corriente de base. Para determinar
dicha ganancia se puede recurrir a las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor ensayado es la que
se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, segn las cruvas de la figura de la
izquierda, la intensidad de colector variar entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo har entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula as:

Ecuacin Beta
Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el
transistor, es decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, ser para esa tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.

Curva de mxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es que, a partir de
stas se pueden determinar los lmites de funcionamiento del mismo. Estos lmites estn
determinados por una potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su
destruccin.
Veamos en qu consiste ste fenmeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en funcin de la
intensidad que se le aplique a su base I B. Por esta resistencia variable circula una corriente
IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensin V CE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la intensidad de colector IC. (P = VCEIC).
Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un aumento de la
temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la
destruccin del mismo.

La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en

las hojas de especificaciones tcnicas.
As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia mxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la familia de curvas de
colector, para as poder determinar para qu tensiones de colector-emisor y corrientes de
colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor BC107 se deber
cumplir en todo momento la expresin:

Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto
VCEIC=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector
del transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de
funcionamiento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la
potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de
destruccin por la accin del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la
hiprbola, y en la cual la potencia es inferior a 300mW.

Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de un

transistor.
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la
temperatura mxima permitida en la unin colector Tj(max). Esta temperatura nunca debe
ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las
hojas de caractersticas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC107 posee una
Tj (max) de 175C.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin depende de la temperatura
ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a
travs del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la
temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del transistor, y
por lo tanto, menor la potencia mxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la potencia mxima para
una temperatura ambiente de 25C.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia
mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de
reduccin, como la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es
de 125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un
disipador de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta
forma, se consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.

Zonas De Trabajo De Los Transistores

CORTE. No circula intensidad por la base, por lo que, la intensidad de colector y emisor
tambin es nula. La tensin entre colector y emisor es la de la batera. El transistor, entre
colector y emisor se comporta como interruptor abierto.
Ib = Ic = Ie = 0; Vce = Vbat
SATURACIN. Cuando por la base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la
corriente colector considerable. En este caso el transistor entre el colector y emisor se
comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la
batera se encuentra en la carga conectada en el colector
ACTIVA. Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin.
En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que
relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de
base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece
con la denominacin Hfe. Se expresa de la siguiente manera:
= Ic/Ib
Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que
disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un
encapsulado de plstico, normalmente son los mas pequeo ( T0-18, T0-39, T0-92, T0226); Los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa
metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante
radiador (T0-220, T0-218, T0-247); Los de gran potencia, son los que poseen una mayor
dimisin siendo el encapsulado enteramente metlico. Esto favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (T0-3,T0-66, T0-123, T0-213).

CONCLUSIONES.

Un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su

entrada se dice que ha producido una determinada ganancia.
El amplificador varia la relacin entra la corriente y el voltaje de manera similar a
un transformador o de forma activa, tomando potencia de una fuente de
alimentacin.

Los amplificadores clase A presentan inconvenientes de generar una

fuente y cantidad de calor que ha de ser disipados provocando un
rendimiento bajo al perderse una parte de la energa que entra en l.

BIBLIOGRAFIA

https://es.wikipedia.org/wiki/Amplificador_electr%C3%B3nico.
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/9%20Circuitos
%20Amplificadores.pdf.
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/eltransistorcomoamplificad
or.html.