ELECTRNICA INDUSTRIAL

CAPITULO I. -INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA

DE POTENCIA

1.1 HISTORIA

La historia de la electrnica de potencia empez en el ao de 1900

(figura 1.1), con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se
descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vaco de
rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su
aplicacin en el control de la energa hasta la dcada de 1950 (figura 1.2).

Figura 1.1. Hechos significativos en la evolucin de la Electrnica de Potencia.

La primera revolucin de la electrnica se inici en 1948 con la invencin

del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayora de las
tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en este
descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo
PNPN, que se defini como un Tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR),
figura 1.2.
La Segunda revolucin de la electrnica empez en 1957 con el desarrollo
del Tiristor comercial por General Electric Company, figura 1.2. Ese fue el principio
de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han
introducido diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas
de conversin. En la actualidad la revolucin de la electrnica de potencia nos
est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con
una eficiencia cada vez mayor. [14]
1

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Figura 1.2. Hechos significativos en la evolucin de la Electrnica de Potencia.

Figura 1.3 Hechos significativos en la evolucin de la Electrnica de Potencia.

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A continuacin se presentara un pequeo estudio de cmo estaban

conformado los siguientes dispositivos: el Ignitrn y el Tiratrn, que fueron los
ltimos dispositivos que se utilizaron en la electrnica de potencia en el control de
la energa.
1.1-1 El Ignitrn

En 1932 se introduce el ignitrn, desarrollado por Slepian y Ludwing. ste

es un rectificador de mercurio lquido de tres electrodos. Su nombre fue derivado
del mtodo del encendido del arco.
El Ignitrn es una Vlvula grande de ctodo fro que se usa para conmutar
corrientes intensas. El nodo es generalmente un bloque de carbono y el ctodo
una bolsa de Mercurio. El electrodo activador o encendedor es una varilla de
Carborundo (carburo de silicio) especialmente conformada y parcialmente
sumergida en el Mercurio. Cuando pasa por el encendedor (interruptor) una
corriente muy intensa se produce una emisin electrnica en los puntos de
contacto con el Mercurio que se evapora para formar un paso conductor entre los
electrodos. Las versiones mayores de ignitrones tienen cubiertas compuestas de
metal y vidrio con un sistema de enfriamiento por agua similar al de los
rectificadores de arco de Mercurio de los cuales se han derivado.
Este dispositivo puede soportar tensiones de hasta 20,000 Volts y corrientes
de varios miles de amperios, siendo la cada de tensin en conduccin de 15 a 20
Volts. Su estructura bsica y caracterstica de voltaje y corriente se muestran en la
figura 1.4.

Figura 1.4. Ignitrn. a) Estructura. b) Smbolo. c) Caracterstica de VAK-IA.

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La conduccin se provoca en el momento deseado aplicando un impulso de

20 a 50a y unos cientos de voltios entre la terminal de disparo llamado ignitor y el
ctodo, elctricamente conectado a la cubeta que contiene el mercurio. El nodo
debe estar previamente polarizado a tensin positiva respecto al ctodo.

El ignitor termina en una punta de material semiconductor refractario como

Carburo de Boro o grafito. Penetra ligeramente en el mercurio y deforma la
superficie produciendo una potente fuente emisora de electrones, al serle aplicado
el impulso de disparo, una distribucin de potenciales entre la punta y el lquido
que alcanza gradientes del orden de millones de voltios por centmetro. El
mercurio prximo se ioniza inmediatamente y dispara la vlvula en unos 10 s,
siendo los electrones emitidos por el lquido encargados de soportar la conduccin
posible. Cuando la intensidad de nodo se hace muy pequea, la ionizacin no se
puede mantener y el ignitrn se apaga o se bloquea.

Se trata de un componente muy robusto que puede manejar una gran

potencia y soportar bien sobre-tensiones y sobre-corrientes. El disparo por ignitor
es muy simple y fiable, aunque algunas veces suelen conectarse dos en paralelo
para mayor seguridad. La tensin en conduccin, es bastante elevada, es un
inconveniente por que el rendimiento resultante no es muy bueno y el tamao de
la vlvula debe ser grande por razones de disipacin de temperatura.

Se construyen ignitrones de gran potencia con el tanque refrigerado por

agua mediante un serpentn (conducto). Para evitar el deterioro del nodo de
grafito por calentamiento, se realiza con una gran superficie receptora y se
apantalla de la radiacin calorfica que recibir del mercurio mediante un cono y un
anillo directivos de grafito (figura 1.5). el camino que debe recorrer el plasma
electrnico hacia el nodo aumenta de esta forma y tambin lo hace ligeramente
la cada de tensin en conduccin.

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Figura 1.5. Ignitrn blindado. Seccin axial.

Los ignitrones se emplean en instalaciones de rectificacin de alta tensin e

intensidades y en locomotoras elctricas con motores de CD. Un ignitrn para
locomotora puede tener un peso de 60 Kg. [1][6][15]

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1.1-2 El Tiratrn

En 1929 se introduce el Tiratrn, desarrollado por A. Whull. ste es un tubo

de ctodo caliente que contiene gas inerte o vapor de mercurio a baja presin. La
introduccin del gas en un tubo electrnico trodo altera radicalmente sus
caractersticas de funcionamiento. El Tiratrn acta como un rectificador diodo a
gas con una rejilla de control. En la figura 1.6 se muestra el smbolo del tiratrn de
ctodo caliente. Entre el nodo A y el ctodo C se encuentra la rejilla de control o
de mando G.

Figura 1.6. Smbolo de tiratrn de ctodo caliente.

En un tiratrn de ctodo caliente, la corriente que pasa por una carga se

puede controlar variando la polarizacin de la rejilla de control. La rejilla de control
requiere de una tensin negativa o bien, una tensin positiva para que comience a
operar.
En la figura 1.7a se muestra un circuito de un tiratrn conectado como
rectificador de media onda. En esta figura se observa una fuente de alimentacin
variable (VC). Con dicha fuente, se puede variar la polarizacin de la rejilla de
control y por lo tanto, se puede reducir el intervalo de tiempo durante el cual
conduce el tiratrn (figura 1.7b). En esta figura, la forma de onda entre nodo y
ctodo muestra que, con el control de polarizacin ajustado a un valor, el tubo de
ctodo caliente no conduce hasta que se alcanza la tensin V 1. Cuando alcance
dicha tensin, entonces se dispara y conduce durante el intervalo t . Durante el
semiciclo negativo se bloquea el tiratrn. La forma de onda del voltaje de carga y
de la corriente de carga BA (figura 1.7b), indica que el comienzo de la conduccin
se ha retrasado hasta el instante correspondiente a B, esto se debe por la
aplicacin de una polarizacin negativa a la rejilla de control. Durante el intervalo
CD (figura 1.7b) en que el tubo esta conduciendo, la corriente en la rejilla
disminuye aproximadamente hasta cero.

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(a)

(b)

Figura 1.7. a) Tiratrn conectado como rectificador de media onda con el control de VC y
b) Formas de onda.

Los tiratrones de ctodo caliente dieron lugar a una reduccin considerable,

ya que en los Tiristores se han encontrado una profunda aplicacin como vlvulas
de conmutacin en los dispositivos de rel y de conmutacin.
Los inconvenientes de los tiratrones se concretan en la vida til, que es
relativamente pequea, tambin a la gama de temperatura ms limitada que la de
los Tiristores, ya que ellos pueden operar en una gama de variacin de la
temperatura ambiente comprendida entre 15 y 40 0C. [1][6][15]
1.1.-3 Definicin De La Electrnica De Potencia

Durante mucho tiempo ha existido la necesidad de controlar la potencia

elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por
motores elctricos, as pues la electrnica de potencia ha revolucionado la idea del
control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control, el
control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de
los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia
esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de la
energa elctrica. La electrnica se encarga de los dispositivos y circuitos de
estado slido requeridos en el procesamiento de las seales para cumplir con los
objetivos de control deseados.
La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la
electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica.
En la figura 1.8 se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la
energa, la electrnica y el control.
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Figura 1.8. Relacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control

La electrnica de potencia o electrnica de las corrientes fuertes es una

tcnica relativamente nueva que se ha desarrollado a partir de la Electrnica y de
la Electrotecnia, gracias al avance tecnolgico en la fabricacin de los
semiconductores de potencia. Ha alcanzado un lugar importante en la tecnologa
moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia,
que son controles de calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes
de alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos y sistemas de corriente
directa de alto voltaje (HVDC). Con las tendencias actuales en el desarrollo de los
dispositivos de potencia y los microprocesadores, las aplicaciones de la
electrnica de potencia cada da ms es indefinida. [2] [15]

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Algunas aplicaciones de la electrnica de potencia son:

Abre puertas elctricos
Acondicionamiento del aire
Alarmas
Alarmas contra robo
Amplificadores de audio
Arrancadores para turbinas de gas
Atenuadores
Atenuadores luminosos
Calderas
Calefaccin por induccin
Cargador de Bateras
Centelladores luminosos
Charolas para calentar alimentos
Computadoras
Controles de calor
Controles lineales de motor de induccin
Corriente Directa de Alto Voltaje (HVDC)
Electrodomsticos
Electroimanes
Elevadores
Fuentes de alimentacin para aeronaves
Fuentes de alimentacin para laser
Grabaciones magnticas
Gras y tornos
Herramientas elctricas
Herramientas manuales de potencia

Molinos
Secadoras
Vehculos elctricos
Ventiladores
Fuente de alimentacin para radar/sonar
Controles de hornos
Controles de motor
Fuentes de alimentacin
Interruptores estticos(sistemas no-break)
Bombas y compresores
Fotocopias
Controles de seales de trnsito
Sistemas de seguridad
Relevadores estticos
Controles de temperatura
Balastras para lmparas de arco de mercurio
Fuentes de alimentacin no interrumpibles
Soldadura
Lavadoras
Juguetes
Trenes
Reguladores de voltaje
Fuentes de poder para aplicaciones
espaciales [2] [15]

Un equipo electrnico de potencia consta fundamentalmente de:

a) Un circuito de potencia, compuesto de semiconductores de potencia y
elementos pasivos (transformadores, bobinas y capacitores, etc.)
b) Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el
primero y genera unas seales de excitacin que determinan la conduccin
de los semiconductores controlados (Tiristores) con una fase y una
secuencia convenientes.
En la figura 1.9 se presenta un diagrama de bloques de un equipo electrnico
de potencia. [3]

Figura 1.9. Diagrama de bloques de un equipo electrnico de potencia.

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1.1-4 Sistemas Y Tcnicas De Control De Potencia

La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la conmutacin

de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de
los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la
velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado
tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadoresmicrocomputadoras tiene un gran impulso sobre el control y la sntesis de la
estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo
de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que
pueden compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder y la
inteligencia del cerebro.
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como
interruptores mediante la aplicacin de seales de control a la terminal de
compuerta de los Tiristores. La salida requerida se obtiene mediante la variacin
del tiempo de conduccin de estos dispositivos de conmutacin. En la figura 1.10
se muestran los voltajes de salida y las caractersticas de control de los
dispositivos de interrupcin de potencia de uso comn. Una vez que un Tiristor
est en modo de conduccin, la seal de la compuerta ya sea negativa o positiva
no tiene efecto.
Cuando un dispositivo semiconductor de potencia est en modo de
conduccin normal, existe una pequea cada de voltaje a travs del mismo. En
las formas de onda de voltaje de salida de la figura 1.10, estas cadas de voltaje
se consideran despreciables. [2] [15]

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Figura 1.10. Caractersticas de voltaje-corriente de los Dispositivos Semiconductores de Potencia.

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1.1-5 Topologa De Circuitos Electrnicos De Potencia

Desde que se desarroll el primer Tiristor de rectificador controlado de

silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos
semiconductores de potencia. Hasta 1970, los Tiristores convencionales se haban
utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones
industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos
se pueden dividir en cinco tipos principales:
1.- Diodos de potencia.
2.- Tiristores.
3.- Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT).
4.- MOSFET de potencia.
5.- Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin
estticos (SIT).
Los Tiristores se pueden subdividir en trece tipos:
Rectificador Controlado de Silicio (SCR)
Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
Tiristor de Triodo Bidireccional (Triac)
Tiristor Bidireccional de Silicio (Diac)
Interruptor Unilateral de Silicio (SUS)
Interruptor Bilateral de Silicio (SBS)
Interruptor de Apagado por Compuerta (GTO)
Interruptor Controlado de Silicio (SCS)
Diodo de Cuatro Capas (Diodo Shockley)
Interruptor Direccional de Silicio (SIDAC)
Transistor Mono-unin (UJT)
Transistor Mono-unin Programable (PUT)
Rectificador Controlado de Silicio Activado por Luz (LASCR)
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad
(o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn
disponibles hasta 3000 Volts, 3500 Amperes, y la especificacin de los diodos de
recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 Volts, 1000 Amperes. El tiempo de
recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5ms. Los diodos de recuperacin rpida son
esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas
frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un nodo y un ctodo. Los diodos
Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy
pequeo, tpicamente en nano-segundos. La corriente de fuga aumenta con el
voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando
el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje
directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de
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ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de
bloqueo.
Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se
agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en
perno y el otro como de disco empacado a presin (figura 1.11).

Figura 1.11. configuraciones de diodos de uso general.

Un Tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta.

Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia
el ctodo, el Tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un
potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el Tiristor est en un modo de
conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el Tiristor
contina conduciendo. Cuando un Tiristor est en un modo de conduccin, la
cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 Volts. Un
Tiristor que conduce, se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea
igual o menor que el potencial del ctodo. Los Tiristores conmutados en lnea se
desactivan en razn de que el voltaje de entrada sea senoidal, y los Tiristores
conmutados en forma forzada se desactivan, mediante un circuito adicional de
conmutacin.
En la figura 1.12 se muestran varias configuraciones de Tiristores de
control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo plano, y tipo de aguja.

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Figura 1.12. Configuraciones de Tiristores.

Los Tiristores conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones

de hasta 6000 Volts, 350 Amperes. El tiempo de desactivacin de los Tiristores de
bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible
obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-Volts, 2000-Amperes.
El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin
externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el Tiristor es capaz de
aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los LASCR, se fabrican
hasta 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son
adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC.
Para aplicaciones de corriente alterna de baja potencia de los TRIAC, se utilizan
ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor,
as como interruptores de corriente alterna.
Las caractersticas del TRIAC son similares a dos Tiristores conectados en
inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs
de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin.
En la figura 1.13, se presentan las especificaciones de Dispositivos
Semiconductores de Potencia. [2] [15]

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Figura 1.13. Dispositivos de Potencia.

1.1-6 Ventajas Y Desventajas De Los Semiconductores

Las principales razones tcnicas para la utilizacin de sistemas electrnicos

y de potencia son a menudo la gran velocidad y la dinmica de regulacin que se
asocia a sus dispositivos. La soldadura sin proyeccin, el tren sobre colchn
magntico, la fabricacin por electroerosin y las mquinas herramientas son
buenos ejemplos de ello.
Las principales razones econmicas son la reduccin del peso y el volumen
(lo que compone, a menudo, un ahorro importante de hierro y de cobre) y el buen
rendimiento de los equipos. La alimentacin en modo conmutado en los
televisores reduce el costo de produccin. En los equipos informticos, tienen la
ventaja de una reduccin en la disipacin trmica en salas climatizadas. En los
medios de transporte, la alimentacin en modo conmutado permite obtener
ganancias en peso y en volumen, lo que se traduce finalmente en la reduccin del
peso y del consumo de los vehculos. [15]
A continuacin se presentara algunas ventajas y desventajas de los
semiconductores y de los dispositivos que fueron reemplazados por estos mismos.
Ventajas Y Desventajas De Los Semiconductores
VENTAJAS

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Menor costo
Menor tamao
Mayor rapidez de conmutacin
Libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior)
Capacidad en manejo de altas corriente
Operacin silenciosa
No necesitan de sistemas de enfriamiento
Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones
Ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico)
Insensibilidad a las sobrecargas

DESVENTAJAS

No provee aislamiento elctrico (los reveladores s)

Requiere de cuidado en su conexin
Les puede afectar la alta temperatura
Fciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones
Requieren voltajes regulables

Ventajas Y Desventajas De Los Dispositivos Reemplazados

VENTAJAS

Proveen aislamiento elctrico

Capacidad de manejar altas corrientes (tambin los Tiristores tienen capacidad
de manejar corrientes altas)
DESVENTAJAS

Costo elevado
Son voluminosos
Lentos en la conmutacin o funcin
Ruidos al trabajar
Requieren de sistemas de enfriamiento
Requieren del efecto de rebote elctrico

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