Les Transistors Bipolaires PDF

Le transistor bipolaire
REPUBLIQUE DU CAMEROUN
REPUBLIC OF CAMEROON
Paix-Travail-Patrie
Peace-Work-Fatherland
MINISTERE DE L'ENSEIGNEMENT SUPERIEUR
MINISTRY OF HIGHER EDUCATION
UNIVERSITE DE DSCHANG
THE UNIVERSITY OF DSCHANG
INSTITUT UNIVERSITAIRE DE TECHNOLOGIE FOTSO VICTOR
Anne acadmique : 2015/2016
Dpartement : Gnie Electrique
Cycle : BTS
Filire : Electrotechnique
Niveau : 1
Cours dlectronique 1
Chapitre 4: Le transistor bipolaire

Introduction
Gnralement en lectronique, en lectrotechnique et en automatique, on est amen
utiliser des composants actifs en vue de raliser une fonction particulire telle que
lamplification ou ladaptation dimpdance. Pour tudier ce genre de circuit, les composants
actifs doivent tre remplacs par leurs modles quivalents, valables souvent uniquement en
dynamique petits signaux. On tudie dans ce chapitre les transistors bipolaires.
I. Constitution, symboles et principe de fonctionnement
I.1. Classification des transistors
Les transistors sont raliss par la jonction de diffrentes zones de semi-conducteurs
de types N et de type P. Il existe deux grandes classes de transistors.
Figure 1: Aperu des diffrents types de transistors.

Les transistors bipolaires sont constitus de trois zones de semi-conducteurs: une
zone N, une zone P et une zone N, pour un transistor NPN, (ou bien une zone P, une zone N
et une zone P, pour un transistor PNP).
Les transistors unipolaires dans lesquels un seul type de porteurs de charge est
responsable du passage du courant. Ce sont les transistors effet de champ ou transistors
F.E.T. (Field Effect Transistors). Ces transistors se rpartissent eux-mmes en deux groupes:
les JFET et les MOSFET. Les MOSFET se subdivisent encore en MOS FET
enrichissement et MOS FET enrichissement-appauvrissement.
IUT-FV de Bandjoun. Cours dlectronique1 pour BTS EL1_ 2015-2016. M. SAHA TCHINDA Beaudelaire
I.2. Constitution du transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est constitu dun monocristal de semi-conducteur
(principalement le silicium) dop pour obtenir deux jonctions, disposes en srie et de sens
oppos. Il existe donc deux types fondamentaux de transistors bipolaires, dits
complmentaires :
les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre
deux zones de type N
les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre
deux zones de type P
Figure 2: Reprsentations schmatiques et symboles des transistors bipolaires.

La couche intermdiaire est appele base. Cette couche est trs mince et est
lgrement dope. Les porteurs majoritaires sont donc en quantit assez faible.
Lune des deux autres zones est appele metteur. Il sagit de la zone la plus dope
du transistor. Son rle consiste injecter des porteurs (lectrons dans le cas dun transistor
NPN) dans la base.
La dernire zone qui est de mme type que lmetteur est appele collecteur. Son
dopage est plus faible que celui de lmetteur et sa gomtrie est diffrente.
Le rle principal du collecteur est de recueillir les porteurs. Le transistor est donc un
composant trois bornes (triple) relies respectivement lmetteur, la base et au
collecteur. Sa reprsentation schmatique, ainsi que les symboles normaliss sont donns la
figure 2 pour les deux types.
I.3. Leffet transistor
Ltude sera mene sur un transistor bipolaire de type NPN qui est le plus utilis et le
plus facile raliser. Le fonctionnement dun transistor de type PNP se dduit en changeant
les rles des lectrons ainsi que des trous et en inversant les signes des tensions
dalimentation et des courants.
Le transistor non polaris
Prenons le cas de trois zones NPN mises cte cte mais lectriquement isoles lune
de lautre, nous aurons la situation de la figure 3 (a). Supposons maintenant que ces zones ne
sont plus isoles lune de lautre, les lectrons libres diffusent travers les deux jonctions ce
qui donne deux zones de dpltion (figure 3 (b)). Ces zones de transition reprsentes en
hachur sont dpourvues de porteurs majoritaires et la barrire de potentiel pour chacune
delles est denviron 0,6 0,7 volt.
Or, puisque les trois rgions dopes nont pas la mme concentration, la zone de
dpltion pntre peu dans lmetteur qui est fortement dop mais profondment dans la base
qui est trs peu dope. Du ct du collecteur, la pntration de la zone de dpltion sera
moyenne.
Figure 3: Transistor bipolaire NPN non polaris.

Leffet transistor: gain en courant
Parmi les diffrentes faons de polariser un transistor de type NPN, une seulement,
prsente un intrt primordial. Si nous polarisons la jonction metteur-base en direct et la
jonction collecteur-base en inverse, nous obtenons la configuration visible sur la figure 4.
Figure 4: Polarisation directe et principe de leffet transistor.

En premier lieu, supposons que seule la jonction BC soit polarise et quelle le soit en
inverse. Elle est traverse par un courant trs faible d aux porteurs minoritaires appel ICB0.
Polarisons maintenant la jonction base-metteur en direct. Les lectrons qui sont
majoritaires dans la rgion de lmetteur (type N) diffusent en grande quantit travers la
jonction metteur-base, polarise en direct, crant ainsi un courant metteur IE. Les lectrons
de lmetteur traversent en majorit la base et arrivent jusquau collecteur. Ainsi lmetteur
injecte ou met des porteurs majoritaires et le collecteur les collecte.
Nous appelons la proportion des lectrons dans le cas du transistor NPN mis par
lmetteur, qui parviennent jusquau collecteur ; est gnralement proche de lunit. Le
courant total devient :
lquilibre, nous navons pas de variation de charges lintrieur du transistor.

En choisissant les sens des courants conformment la convention des rseaux (tout
courant qui arrive un nud est positif et tout courant qui en sort est ngatif), nous pouvons
crire la loi de Kirchhoff:
En liminant IE on obtient :
Cette dernire relation caractrise leffet transistor : en injectant un courant IB trs

faible dans la base, nous commandons un courant de collecteur IC beaucoup plus intense.
varie dans de grandes proportions dun transistor lautre. En effet, dpend surtout de la
diffrence de dopage entre lmetteur et la base ainsi que de celle-ci. Mais une temprature
fixe, reste peu prs constant pour un transistor donn et pour une large variation du
courant IC.
I.4. Fonctionnement en statique en metteur commun
Gnralement, le transistor qui est un composant trois bornes est utilis en tant que
quadriple amplificateur. Dans la plupart des applications, une des bornes est commune
lentre et la sortie. On a donc trois possibilits de montage de transistor: le montage
metteur commun, le montage base commune et le montage collecteur commun. Ltude
sera aborde dans un premier temps en courant continu : cest le rgime statique, ou de
polarisation.
Parmi les trois montages fondamentaux, le montage dit en metteur commun est de
loin le plus utilis. Avec cette configuration, les grandeurs dentre sont le courant de base IB
et le potentiel de celle-ci par rapport celui de lmetteur VBE .Les variables de sortie sont le
courant collecteur IC et le potentiel entre le collecteur et lmetteur VCE.
Caractristique dentre IB = f(VBE) UCE =Cte
Ds que la tension entre collecteur et metteur dpasse 0,7 volt, la jonction basecollecteur devient polarise en inverse et le transistor est en fonctionnement normal. La
caractristique dentre est une caractristique de diode en direct allure exponentielle.
Le rseau dentre IB= f (VBE) se rduit dans la pratique une seule courbe, toutes les
courbes tant confondues.
Caractristiques de transfert IC = f(IB) VCE=Cte
On a vu que le courant collecteur scrit :
Le courant ICE0 peut tre mesur en dconnectant la base (IB= 0) avec une tension VCE
positive de sorte que les jonctions soient normalement polarises. Cest un courant de lordre
dune centaine de A. Ce courant est donc gnralement ngligeable devant IC qui est de
lordre du mA.
La caractristique IC = f (IB) ne passe pas par lorigine, mais par ICE0, qui est trs
proche de lorigine. Elle prsente une lgre courbure pour des courants du collecteur trs
faibles et tend vers une droite ds que le courant IC dpasse quelques centaines de A.
En ralit, le gain en courant CC croit lgrement avec la tension VCE car la largeur de
la zone de dpltion de la jonction base-collecteur augmente aussi. Dautre part, le gain en
courant augmente avec le courant IC avant de baisser de nouveau pour des courants de
collecteur assez levs.
Figure 5: Rseau de caractristiques dun transistor bipolaire NPN.

Caractristiques de sortie IC = f(VCE) IB=Cte
Ds que la tension VCE devient suffisamment positive pour que les deux jonctions
soient normalement polarises, on a :
Si le gain en courant tait rigoureusement constant, les caractristiques seraient des

droites horizontales et quidistantes pour des intervalles IB gaux. En ralit on retrouve les
dfauts des caractristiques de transfert. Pour une tension entre le collecteur et metteur
gale une constante, il y a une courbure de la caractristique de transfert et les
caractristiques de sortie ne sont pas rigoureusement quidistantes. De plus, elles montent
lgrement avec la tension VCE, ce qui traduit la lgre croissance de b avec VCE.
Les caractristiques IC = f (VCE) sont limites par deux zones proches des axes quil
nest pas possible dutiliser (figure 5) :
une zone (ou caractristique) de saturation qui est proche de laxe des courants IC.
Cette zone correspond au cas o les deux jonctions sont polarises en direct ;
une zone (ou caractristique) de blocage qui est proche de laxe des tensions VCE et
obtenue pour un courant de base nul IB. Il nest pas possible davoir IB ngatif cause de la
jonction base metteur.
Dans ces deux zones, on sort du rgime de fonctionnement linaire du transistor et il
faut toujours vrifier (sauf dans le cas de la commutation), que lon est loign de ces
rgions dans le montage tudi.
Caractristiques VBE = f(VCE) IB=Cte
Les caractristiques VBE = f (VCE) IB = Cte prsentent peu dintrt et se prsentent
sous forme de droites pratiquement horizontales. La tension base-metteur ne dpend
pratiquement pas de la tension entre collecteur et metteur ds que cette tension dpasse 1
volt.
I.5. Limites dutilisation dun transistor
Le transistor tant constitu de deux jonctions, il est possible de dterminer les limites
dutilisation de celui-ci partir de celle de la diode. Cest--dire le courant maximum dans
une jonction ainsi que la tension inverse maximale quon peut utiliser sans avoir de claquage.
Tensions de claquage
Nous avons vu lexistence des courants de fuites ICE0 (en base commune et metteur
ouvert) et ICB0 (en metteur commun et base ouverte). Si on augmente exagrment les
tensions, les courants de fuites augmentent par effet avalanche et peuvent tre la cause de la
destruction de transistor par chauffement. Ces tensions ne pas dpasser sont donnes par
le constructeur et sont gnralement notes BVCE0 et BVCB0 (BV est labrviation de
Breakdown Voltage).
Courant maximum
Le courant maximum du collecteur doit rester infrieur une certaine valeur ICmax sous
peine de destruction du transistor.
Puissance maximum
La puissance dissipe par un transistor au repos est donne par la formule suivante:
Cette puissance est limite cause de lchauffement du transistor. La temprature

maximale de la jonction ne doit pas dpasser 200C dans le cas du silicium.
Les coordonnes des points pour lesquels la puissance maximale est atteinte sont
lies par la relation:
Dans le rseau de sortie, cette relation est lquation de lhyperbole de dissipation

maximale H:
Figure 6: Zone de fonctionnement dun transistor.

Le point de fonctionnement devra donc se situer dans la zone appele domaine utilisable.
I.6. Modes de fonctionnement du transistor
Dans le domaine linaire, on utilise les proprits damplification en courant du
transistor. En non linaire, on ne distingue plus que deux cas extrmes traduisant un
fonctionnement binaire, tout ou rien, trs utilis dans les composants logiques.
Figure 7: Phnomne de saturation

a) Fonctionnement linaire
Les courants IC et IB sont proportionnels: IC = IB. est le coefficient damplification du
transistor.
La tension vBE est pratiquement constante et vaut environ 0,7 V pour un transistor
au silicium. Une loi des nuds donne la relation IE = ( + 1)IB.
Le constructeur ne peut prciser la valeur exacte du gain en courant car sa valeur

varie dun chantillon lautre pour une mme srie de transistor. Dans les Data Book, on
trouve un intervalle de valeur : par exemple, 100 < < 300. Ainsi, les montages dutilisation
devront tenir compte de cette dispersion.
b) Fonctionnement non linaire
Deux cas se prsentent :
IB est nul, donc IC aussi. Aucun courant ne circule dans le collecteur, le transistor est
bloqu;
IB est tel que IC naugmente plus cest le courant de saturation ICsat fix par la source,
le transistor est passant.
Les Figure suivantes rsument les informations essentielles pour ce fonctionnement.
Le courant IB est soit nul, donc IC lest aussi ; on dit alors que le transistor est bloqu
(tat logique 0) et quivalent un interrupteur ouvert. Si IB est tel que IC prend une valeur
maximale note ICsat, on se trouve alors dans ltat satur (tat logique 1) o le transistor est
quivalent un interrupteur ferm. Les figures suivantes indiquent les lments essentiels de
ce fonctionnement.
Figure 8: fonctionnement du transistor en commutation
II. Polarisation dun transistor

II.1. Gnralits
Pour pouvoir remplir son rle, le transistor doit tre polaris correctement et en plus le
transistor doit pouvoir rcuprer de lnergie. Cette nergie provient gnralement dune
source de tension continue.
Polariser un transistor cest lui fixer un ensemble de valeurs caractrisant son tat de
fonctionnement. Pour chacun des transistors, les deux jonctions sont polarises par des
sources de tension continue comme lindique la figure suivante.
Ltat dun transistor sera dfini par la connaissance de trois courants IC, IE et IB dune
part, et de trois tensions VCE, VCB et VBE dautre part.
Ces six paramtres ne sont pas tous indpendants puisque :
Il ny a donc que 4 paramtres indpendants, mais le problme qui se pose est le
suivant : comment et suivant quels critres doit-on choisir un point de fonctionnement ?
Quel est le montage le mieux adapt ? Quelles sont alors les valeurs des composants ?
II.2. Polarisation dun transistor NPN

On prend le montage de polarisation de la figure 9. On veut dterminer le point de
fonctionnement ou point de repos pour lequel on utilise la notation avec des indices 0
pour prciser quil sagit bien du point de repos. Pour cela on doit connatre les quatre
variables cites prcdemment : il sagit dune part des deux courants IC0 et IB0 et dautre part
des deux tensions VCE0 et VBE0. Il faut donc dterminer quatre quations :
Figure 9: Polarisation dun transistor NPN par deux sources de tension.
Les deux autres quations seront donnes par le circuit dentre et par le circuit de
sortie :
Lquation donne par le circuit dentre est lquation dune droite appele la droite
dattaque statique du transistor.
Cette droite permet de fixer le courant IB0 du transistor. Le point de fonctionnement
lentre (IB0, VBE0) doit satisfaire la fois lquation du transistor et lquation du circuit
dentre ce qui nous permet de placer ce point lintersection des deux caractristiques.
Figure 10: Effet de la polarisation sur le rseau de caractristiques du transistor NPN.

10
Le circuit de sortie fournit aussi lquation dune droite appele la droite de charge
statique :
Lintersection de cette droite avec la caractristique IC=f(VCE) pour le courant IB0
dtermin dj par le circuit dentre, donne le point de fonctionnement en sortie (IC0, VCE0).
II.3. Circuits de polarisation
Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit tre plac dans la zone linaire
de ses caractristiques.
Cela peut tre fait en principe par deux sources de tension extrieures, mais en ralit,
la polarisation du transistor seffectue par une seule source de tension en combinaison avec
quelques rsistances. Deux exemples de circuits de polarisation souvent tudis sont
reprsents la figure 11 (a) et (b).
Figure 11: Polarisation dun transistor NPN par rsistance de base (a) et par pont rsistif
et rsistance dmetteur.
a) Polarisation par rsistance de base
Pour le montage rsistance de base de la figure 11 (a), on peut crire les quations des
mailles dentre et de sortie :
On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge
statique. Le courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est donn par:
Les dispersions de sont grandes (par exemple b varie entre 50 et 300 pour le transistor
2N2222). En plus, b dpend de la temprature. Le point de fonctionnement est donc instable
ce qui reprsente le principal inconvnient de ce montage.
b) Polarisation par pont rsistif et rsistance dmetteur
11
Le montage deux rsistances de base et rsistance dmetteur de la figure 11 (b)

permet dobtenir une meilleure stabilit du point de fonctionnement.
On utilise le thorme de Thvenin appliqu au pont diviseur de tension constitu de R1,
de R2 et de la tension dalimentation continue VCC:
Figure 12: Transformation par Thvenin de la polarisation par pont rsistif et rsistance
dmetteur.
Les quations des mailles sont :
On utilise les simplifications suivantes:
Contrairement la polarisation par une seule rsistance de base, pour cette polarisation,
le courant IC0 dpend dautant moins de b et de ses variations que la rsistance quivalente
RTH est petite par rapport RE. Il en est de mme pour la tension VCE0 qui dpend du
courant IC0.
Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :
Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :
Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mmes pour les trois
montages fondamentaux (metteur commun, collecteur commun et base commune).
12
III. Comportement dynamique

III.1. Point de repos et variations
Pour son utilisation en amplificateur, on recherche les proprits linaires du transistor.
Il est donc ncessaire de se placer en un point de la caractristique autour duquel le
comportement est linaire. Ce point est le point de repos, il correspond la composante
continue de la grandeur ; tandis que la composante alternative rend compte des variations
autour de ce point.
Lors des tudes, les grandeurs lectriques sont dissocies en la somme de la
composante continue et de la composante variable :
vCEtotale(t) = VCE0 + vCE(t) avec VCE0 = <vCEtotale(t)> soit vCE(t) = vCEtotale(t) VCE0 ;
iCtotal(t) = IC0 + iC(t) avec IC0 = <iCtotal(t)> ;
vBEtotale(t) = VBE0 + vBE(t) avec VBE0 = <vBEtotale(t)> soit vBE(t) = vBEtotale(t) VBE0 ;
iBtotal(t) = IB0 + iB(t) avec IB0 = <iBtotal(t)>.
Par commodit, les tudes sont menes en considrant des variations sinusodales
(autour du point de repos).
III.2. Schma quivalent en basses frquences
Le transistor bipolaire sert souvent amplifier, un courant ou une tension variable en
fonction du temps (donc non continus) : pour simplifier ltude, cette tension (ou courant) est
souvent considre comme tant sinusodale. Le transistor doit tre polaris correctement
avec un point de fonctionnement (IC0, VCE0), lindice 0 dsigne le continu.
Pour un point de fonctionnement bien dtermin, lorsque nous superposons une
tension (ou un courant) alternative, le transistor peut tre modlis par un schma quivalent
sous forme dun quadriple valable en petits signaux. Ce schma est donn la figure 13 (a).
La matrice qui sy attache est la matrice hybride h.
Figure 13: Schma quivalent dun transistor en basses frquences en utilisant les paramtres
h (a) et en utilisant les paramtres universelles (b).
Ces paramtres permettent de calculer par exemple le gain en tension, limpdance
dentre et limpdance de sortie.
13
Mais les paramtres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des
paramtres hybrides : figure 13 (b).
III.3. Dtermination des caractristiques dynamiques (paramtres hybrides)

Les valeurs des paramtres du transistor prsents ci-dessus se calculent en
considrant les pentes des caractristiques autour du point de fonctionnement fix par la
polarisation du transistor. On prsente ci-dessous la dmarche pour les obtenir.
14
VA est la tension de Early
III.1. Schma quivalent en hautes frquences

Ces paramtres universels ne sont valables quen basses frquences. Ce schma
quivalent peut tre complt en ajoutant les condensateurs internes qui correspondent aux
diffrentes jonctions du transistor.
15
Figure 14: Schma quivalent dun transistor bipolaire en hautes frquences.

Schma de Giacoletto
Le comportement du transistor en hautes frquences peut tre dcrit par son schma
quivalent en hautes frquences propos par Giacoletto (figure 14). Cest en effet le schma
quivalent de la figure 11 complt par les trois lments : CBE, CBC et rBB.
Figure 15: Schma simplifi dun transistor bipolaire en hautes frquences.

Dans ce schma hautes frquences (HF) des transistors bipolaires, figurent les capacits
des 2 jonctions PN :
jonction polarise en direct Base-Emetteur ;
jonction polarise en inverse Base-Collecteur. Ainsi que la rsistance de basse rBB . B
tant la base dun transistor interne idal :
la capacit CBC est la capacit parasite dune jonction PN en inverse, cette capacit est
faible et varie en fonction de la tension VBC ses bornes. Sa valeur de quelques pF est
gnralement donne par le fabricant ;
la capacit CBE est (normalement) celle dune jonction polarise en direct. Elle
dpend du courant qui la traverse et peut atteindre une valeur de quelques dizaines
quelques centaines de picofarad. La valeur de cette capacit nest pas en gnrale fournie
directement par le fabricant mais sa valeur se rduit de celle de la frquence de transition fT.
En effet, dans la documentation des transistors, on donne souvent la valeur de la
capacit CBE quand la jonction base-metteur est polaris en inverse VEB<0 (transistor
bloqu ou utilis en inverse).
On peut faire les approximations suivantes :
gm est la pente interne dont la valeur est de lordre : gm 38IC0 en Siemens;
16
Frquence de coupure f et frquence de transition fT
Si la tension VCE est constante en continu, il faut faire figurer un court-circuit sur le schma
quivalent de la figure 16 (a).
Or, en raison du court-circuit le collecteur et lmetteur sont confondus et les 2
condensateurs CBE et CBC se trouvent en parallles (figure 16 (b)).
La capacit totale est : CT = CBE + CBC.
En gnral, CBE CBE et CT CBE
Sachant que ic = gm.vBE, on peut donc exprimer vBE en fonction de iB:
Figure 16 Schma quivalent avec court-circuit (a) et mme schma quivalent simplifi (b).
f est la frquence de coupure 3dBdugainencourant que lon peut se reprsenter par un

diagramme en utilisant des chelles logarithmiques.
17
Figure 17: Variation du vrai gain en courant en fonction de la frquence

On dfinit la frquence de transition fT telle qu cette frquence, le gain en courant
vaut 1. La variation de b tant du premier ordre, il vient : fT 0 f
Cette frquence de transition figure dans les documentations. En gnral, il est donn
la valeur de fT pour 1 point de polarisation donn par exemple, le constructeur donne pour
IC = 10 mA et VCE = 5 V, une frquence de transition fT = 300 MHz. Plus souvent, on donne
la variation de fT avec IC pour une valeur de VCE.
On peut remarquer que fT et CBE sont lis par une relation permettant de dterminer la
valeur de la seconde partir de la valeur de la premire:
Les ordres de grandeur de CBC et CBE permettent dcrire:
Lexemple ci-dessus permet dobtenir une valeur de CBE 200 pF.

Il est remarquer que pour les transistors de puissance, les fabricants donnent par
exemple dans le cas du TIP30:
18

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Le transistor bipolaire

Chapitre 4: Le transistor bipolaire

Figure 1: Aperu des diffrents types de transistors.

I.2. Constitution du transistor bipolaire

Figure 2: Reprsentations schmatiques et symboles des transistors bipolaires.

Figure 3: Transistor bipolaire NPN non polaris.

Figure 4: Polarisation directe et principe de leffet transistor.

lquilibre, nous navons pas de variation de charges lintrieur du transistor.

Cette dernire relation caractrise leffet transistor : en injectant un courant IB trs

Figure 5: Rseau de caractristiques dun transistor bipolaire NPN.

Si le gain en courant tait rigoureusement constant, les caractristiques seraient des

Cette puissance est limite cause de lchauffement du transistor. La temprature

Dans le rseau de sortie, cette relation est lquation de lhyperbole de dissipation

Figure 6: Zone de fonctionnement dun transistor.

Figure 7: Phnomne de saturation

Le constructeur ne peut prciser la valeur exacte du gain en courant car sa valeur

Figure 8: fonctionnement du transistor en commutation

II. Polarisation dun transistor

II.2. Polarisation dun transistor NPN

Figure 9: Polarisation dun transistor NPN par deux sources de tension.

Figure 10: Effet de la polarisation sur le rseau de caractristiques du transistor NPN.

Le montage deux rsistances de base et rsistance dmetteur de la figure 11 (b)

On utilise les simplifications suivantes:

III. Comportement dynamique

III.3. Dtermination des caractristiques dynamiques (paramtres hybrides)

VA est la tension de Early

III.1. Schma quivalent en hautes frquences

Figure 14: Schma quivalent dun transistor bipolaire en hautes frquences.

Figure 15: Schma simplifi dun transistor bipolaire en hautes frquences.

Frquence de coupure f et frquence de transition fT

f est la frquence de coupure 3dBdugainencourant que lon peut se reprsenter par un

Figure 17: Variation du vrai gain en courant en fonction de la frquence

Les ordres de grandeur de CBC et CBE permettent dcrire:

Lexemple ci-dessus permet dobtenir une valeur de CBE 200 pF.

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