Laboratorio 4 Up

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia

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DIODO ZENER Y POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES
PRESENTADO POR RAUL ANTONIO LEAL MENDEZ

COD.1116794997
CARLOS ALBERTO GONZALEZ
COD. 1093769981
MARYORY QUINTERO
COD. 1090495046
PRESENTADO A ING. JESUS SALAMANCA

ASIGNATURA ELECTRNICA 1
GRUPO: AR
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA
VILLA DEL ROSARIO N. DE S.
2016
Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral
INTRODUCCIN
Dentro del laboratorio veremos los diferentes circuitos aplicados para diodo
zener, polarizacin de base y zonas de trabajo del BJT, y la polarizacin por
divisor de voltaje adems de obtener los valores correspondientes a cada
elemento usado.
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas. El diodo Zener es la parte esencial
de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga
y temperatura.
Polarizacin del transistor BJT
La seleccin del punto de trabajo de un transistor se realiza a travs de

diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes.
La polarizacin con una fuente sin resistencia de emisor es poco

recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se
puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor.
La polarizacin con una fuente es mucho ms estable aunque el que

ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto
polarizacin.
La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra

en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva.
Polarizacin por divisor de voltaje: Con este tipo de polarizacin la estabilidad

del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este
trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrn casi inalterables. Es por
esta razn que este tipo de polarizacin es la ms utilizada cuando se trata de
disear un amplificador.
OBJETIVOS:
Objetivo general:
Hacer cada uno de los montajes de los diferentes circuitos y tomar los datos
de las diferentes tablas para proceder a realizar las grficas de trabajo del
diodo y transistores, asi como las zonas en la que trabajan.
Objetivos especficos:
Tomar las mediciones de corriente y voltaje en el diodo Zener.

Trazar la curva de corriente Iz (mA) en funcin del voltaje Vz (V).
Determinar el estado o zona en que est trabajando el transistor (Activa,
saturacin o corte)
Determinar el valor de la relacin Ic / Ib, los voltajes VCE, VBE, VC, VE,
VB, VRB, VRE, VRC, y determinar el .
MARCO TEORICO
DIODO ZENER: El diodo zener basa su funcionamiento en el efecto zener, de
ah su nombre. Recordaremos que, en polarizacin inversa y alcanzada esta
zona, a pequeos aumentos de tensin corresponden grandes aumentos de
corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha regin cuando las condiciones
de polarizacin lo determinen y una vez hayan desaparecido stas, recupera
sus propiedades como diodo normal, no llegando por este fenmeno a su
destruccin salvo que se alcance la corriente mxima de zener Imx indicada
por el fabricante.
Lgicamente la geometra de construccin es diferente al resto de los diodos,
estribando su principal diferencia en la delgadez de la zona de unin entre
los materiales tipo P y tipo N, as como de la densidad de dopado de los
cristales bsicos.
Sus parmetros principales son:
Comportamiento del Zener: Existe otro tipo de diodo, el llamado diodo Zener,
cuyas caractersticas en polarizacin directa son anlogas a las del diodo de
unin estudiado en la prctica anterior (figura 2 a), pero que en polarizacin
inversa se comporta de manera distinta (figura 2 b), lo que le permite tener una
serie de aplicaciones que no posea el anterior.
El smbolo circuital se muestra en la figura 1 y su caracterstica tensincorriente en la figura de abajo
Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula

por l, llamada corriente de saturacin IS, esta corriente permanece
relativamente constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que
el valor de sta alcanza VZ, llamada tensin Zener (que no es la tensin de
ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente
empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de
corriente. El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre
sus extremos para un amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un
drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.
EL ZENER COMO COMPONENTE: Como ha quedado expuesto, el diodo

zener est ideado para trabajar con polarizacin inversa, careciendo
de inters su funcionamiento en polarizacin directa, que es igual al de

cualquier diodo semiconductor.
La siguiente figura corresponde a su caracterstica tensin-corriente, y en ella
nos apoyaremos para estudiar su funcionamiento.
Cuando el zener est polarizado inversamente con pequeos valores de

tensin se alcanza la corriente inversa de saturacin prcticamente estable y
de magnitudes despreciables a efectos prcticos.
Si sigue aumentando la tensin de codo o de giro, donde los aumentos de
corriente son considerables frente a los aumentos de tensin (aprciese
en torno a esta tensin la curvatura de la grfica). Sobrepasada esta zona a
pequeos incrementos de tensin corresponden aumentos elevados de la
corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la regin

de trabajo efectivo del zener. Debemos hacer ciertas consideraciones en este
momento.
1. Se ha de asegurar que en rgimen de trabajo, el diodo sea atravesado
como mnimo por una corriente inversa Iz expresada por el fabricante
para excluir la regin de giro del funcionamiento normal.
2. No se debe sobrepasar en ningn caso Iz max para asegurar la
supervivencia del componente.
3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensin,

Vz; aproximadamente el valor medio de ellos representa la tensin
nominal del zener Vz nominal. Se suele expresar en las caractersticas
un porcentaje de tolerancia sobre la tensin nominal.
4. La potencia disipada en cada momento, Pz vendr expresada por
el producto de los valores instantneos de Vz e Iz
5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados

representan la regin de trabajo
En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que en la regin de
trabajo, el zener es capaz de mantener en sus extremos una tensin
considerablemente estable.
EL ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN: En muchas circunstancias la
tensin aplicada a una carga puede sufrir variaciones indeseables que alteren
el funcionamiento normal de la misma. Estas variaciones generalmente vienen
provocadas por:
1. Una variacin de la resistencia de carga, que lleva emparejada una
variacin de la intensidad de carga.
2. Variaciones de la propia fuente de alimentacin.

3. Por ambas causas.
Si elegimos un diodo zener de tensin nominal igual a la que es necesaria
aplicar a la carga y somos capaces de hacerlo funcionar en su regin de
trabajo, conseguiremos una tensin sin apenas variaciones.
El objeto de este apartado es disear un circuito capaz de conseguirlo, para
ellos nos apoyaremos en ejemplos de cada una de las tres posibles
situaciones.
TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentra prcticamente en todos
los aparatos
electrnicos de
uso
diario
tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades
especficas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores

(base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado
por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de
circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, 32 a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada
tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales
como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor,
corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector
comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores
FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta
en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la
tensin presente en el terminal de puerta y grada la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el
canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable
de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin
amplificada de la tensin presente entre la compuerta y la fuente, de manera
anloga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin
a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por

centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
Transistor PNP
Estructura de un transistor PNP
Transistor NPN
Estructura de un transistor NPN
10
DESARROLLO DEL LABORATORIO

DATOS DATASHEET
VZ: 3.9 V
Iz min: 64 mA
Iz Max: 234 mA
Pz: 1w
Esquemtico:
Hallando Rs:
= = 3.9
=
3.9
=
= 3.9
1
=
= = 64
= + = 64 + 3.9 = 67.9
+ () + = 0
=
10 3.9
=
= 89.83
67.9
11
TABLA DATOS EXPERIMENTALES

VS(V)
VZ(V)
IZ(mA)
0
0
0
VZ(v)
VZ(v)
IZ(mA)
5
3.40
2.2
1
1
0
2
1.62
0.00015
6
3.65
4.61
7
3.82
7.6
3
2.27
0.07
8
3.92
10.83
4
2.92
0.62
9
3.99
14.04
10
4.04
17.65
Curva De Corriente Del Diodo

20
18
16
14
Iz(mA)
12
10
8
6
4
2
0
-2 0
0,5
1,5
2,5
3,5
4,5
Vz(V)
12
POLARIZACION DE BASE Y ZONAS DE TRABAJO DEL BJT

Esquemtico:
Vbb (v)
V (RC) V (RB) Vbe Vce
Zona de trabajo
1
2.6
0.67
0.65 2.6
Activa
2
4.43
1.30
0.68 0.47
Activa
3
4.80
2.28
0.7
0.11
Activa
4
4.84
3.36
0.71 0.09
Saturacin
5
4.86
4.25
0.71 0.08
Saturacin
6
4.88
5.28
0.72 0.08
Saturacin
7
4.89
6.24
0.72 0.07
Saturacin
8
4.89
7.27
0.73 0.06
Saturacin
9
4.89
8.22
0.73 0.06
Saturacin
10
4.89
9.18
0.73 0..05 Saturacin
En los casos en las que las zonas de trabajo son activas y de saturacin las
razn es la siguiente tabla resumen donde se dan a conocer las condiciones
para estar en dicha zona.
13
POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

Esquemtico:
VRe
VRc
Vb
Vc
Ve
Vce
Vbe
1.4V
8.66V
2.02V
3.4V
1.43V
2.2V
0.59V
Re: 69.7 K en el punto medio de carga

Ic: 2.69mA
Ib: 0.23ma
: (2.69 mA /0.23 mA) =11.69
MEDIDAS AL CAMBIAR EL TRANSISTOR

Vc
Vb
Ve
VRe
VRc
Vce
Vbe
6.89V
1.44V
0.86V
0.86V
5.22V
6.01V
0.58V
Ic: 2.69 mA
Ib: 0.23m A
: (2 .69 mA / 0.23 mA) = 11.69
Por casualidad el beta de los dos transistores en este caso era idntico ya
que en la mayora sus betas varan ha si sean de la misma referencia.
14
CONCLUSIONES
Al aplicar calor al transistor vemos que disminuye gradualmente le

voltaje y aumenta de misma forma la corriente debido a que el flujo de
electrones crece de manera considerable al aplicar una fuente de
energa externa como el calor.
Con la polarizacin por Divisor de Voltaje la estabilidad del punto Q es

mucho mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando, los
valores de ICQ, VCEQ se mantendrn casi inalterables. Es por esta
razn que este tipo de polarizacin es la ms utilizada cuando se trata
de disear un amplificador.
15
BIBLIOGRAFIA
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet_pdf/bkc-internationalelectronics/1N4728_to_1N973B-1.pdf
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
http://www.monografias.com/trabajos96/diodo-zenerresumen/diodo-zener-resumen.shtml
16

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DIODO ZENER Y POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES

PRESENTADO POR RAUL ANTONIO LEAL MENDEZ

PRESENTADO A ING. JESUS SALAMANCA

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

La seleccin del punto de trabajo de un transistor se realiza a travs de

La polarizacin con una fuente sin resistencia de emisor es poco

La polarizacin con una fuente es mucho ms estable aunque el que

La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra

Polarizacin por divisor de voltaje: Con este tipo de polarizacin la estabilidad

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Tomar las mediciones de corriente y voltaje en el diodo Zener.

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula

EL ZENER COMO COMPONENTE: Como ha quedado expuesto, el diodo

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

de inters su funcionamiento en polarizacin directa, que es igual al de

Cuando el zener est polarizado inversamente con pequeos valores de

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la regin

3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensin,

5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

2. Variaciones de la propia fuente de alimentacin.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por

Estructura de un transistor PNP

Estructura de un transistor NPN

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DESARROLLO DEL LABORATORIO

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TABLA DATOS EXPERIMENTALES

Curva De Corriente Del Diodo

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POLARIZACION DE BASE Y ZONAS DE TRABAJO DEL BJT

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POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

Re: 69.7 K en el punto medio de carga

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