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MATRICULA
15190015
15190100
15190079
15190010
CURSO
TEMA
LABORATORIO DE
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
INFORME
FECHAS
FINAL
NOTA
REALIZACIN
ENTREGA
18 DE JUNIO
DEL
25 DE JUNIO
DEL
NUMERO
06
2016
GRUPO
2016
PROFESOR
G10
Viernes de 2 pm 4 pm
I.
II. OBJETIVOS:
Se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn. Las
tres regiones formadas se llaman emisor, base y colector.
Pueden usarse
como amplificadores o
interruptores. El principio bsico de funcionamiento es el uso de voltaje entre 2
terminales para poder obtener una fuente controlada en la terminal restante
cuando se usa como amplificador. Cuando se usa como interruptor se tiene una
Procedimiento:
1.-Verificar el estado operativo del trasistor, usando el ohmmetro
Resistencia
Directa
inversa
Base-emisor
1168
Mayor a 40M
Base-colector
1144
Mayor a 40M
Mayor a 40M
Valores(R1=56k)
Ic(ma)
Ib(a)
Vce
vbe
Ve
teoricos
7.636
64
120
3.846
0.7
1.696
medidos
6.1
23.5
Ic/Ib=259.574
3.729
0.7
1.866
Tabla 3:
Valores(R2=68K Ic(ma)
Ib(a)
Vce
vbe
Ve
Tericos
6.684
56
120
3.846
0.7
2.408
medidos
5.6
21.1
265.4028
4.47
0.693
1.866
Tabla 4:
tabla
Vo(Vpp)
Vo(vpp)
Av
100mvXseg
8.9V pico-pico
Vo(sin Ce)
Av(sin ce)
2(q1)
3(q1)
1.1V pico-pico
Tabla 5:
P1
100k
250k
500k
1M
Ic(ma)
1.9
0.4
Ib(a)
Vce
9.43
11.47
12.01
12.02
Cuestionario