Republica Bolivariana de Venezuela

Ministerio Del poder Popular para la educacion

Escuela tcnica carlos jose mujica
Yaritagua - yaracuy

Transistores BJT

alumno:
* maicol Vargas # 07

1) Porque la temperatura afecta el funcionamiento del BJT ?

la temperatura a la que trabaja el transistor se ve afectada por el calor
que se genera en l cuando circula una determinada intensidad. Esto

influye de manera significativa en los transistores, ya que la corriente

inversa de saturacin aumenta con la temperatura, aumentando as la
corriente de colector para la misma intensidad de base (aumenta ).
Existen pues sistemas para compensar las variaciones debidas a la
temperatura.

2) Explique segn la clasificacin NPIN y PIVP, el funcionamiento del

transistor PNP
El transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones
del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a
que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor
dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP
son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado
al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga
elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en
la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

3) explique la relacin entre la tensin Base-Emisor para que el BJT

funsione como amplificador.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes
dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en
cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera

un elemento activo, 32 a diferencia de los resistores, condensadores e

inductores que son elementos pasivos.3
4) Explique cuando un transistor esta en zona activa
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa
y la unin base-colector en inversa.6 Debido a la agitacin trmica los
portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que
existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin
del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor
est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en
inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva
es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin
agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones
"vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores
minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en
mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la
base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

5) Busque las caractersticas del transistor 2N3904 y 2N3906

Transistor 2N3904: Es uno de los ms comunes transistores NPN
generalmente usado para amplificacin. Este tipo de transistor fue
patentado por Motorola Semiconductor en los aos 60, junto con el
Transistor PNP 2N3906, y represent un gran incremento de eficiencia,
con un encapsulado TO-92 en vez del antiguo encapsulado metlico.

Est diseado para funcionar a bajas intensidades, bajas potencias,

tensiones medias, y puede operar a velocidades razonablemente altas.
Se trata de un transistor de bajo costo, muy comn, y suficientemente
robusto como para ser usado en experimentos electrnicos.

Transistor 2N3906:

Transistor Bipolar (BJT) PNP

Dispositivo diseado para operar como amplificador y suiche de

propsito general con corrientes de colector de 10A a 100mA
IC: -200mA, PD: 625mW, VCEO: -40V, VCBO: -40V, VEBO: -5V
fT: 250MHz
Encapsulado: TO-92
6)Para un transistor de media potencia Qu se debe aplicar para

amplificar?
Cuando un transistor se ha polarizado con un punto de funcionamiento
prximo al punto medio de la recta de carga, y se aplica una pequea
seal alterna a la base del transistor, en el colector se tiene la misma
seal que en la base, pero de con una amplitud mayor. Antes de pasar a
ver el funciona-miento bsico de un circuito amplificador, conviene tener
claros los conceptos de condensador de acoplo y desacoplo que se
exponen a continuacin.

7) Cuales son los parmetros medibles en un amplificador BJT

En activa inversa, se obtiene una solucin completamente anloga, pero
intercambiando los papeles del emisor y del colector.
Como la ecuacin de difusin es lineal, la solucin general (con
inyeccin de huecos por parte del emisor y del colector) puede
expresarse como la superposicin de las soluciones obtenidas en activa
(inyeccin slo por parte del emisor) y activa inversa (inyeccin slo por
parte del colector). Esto se ilustra en la siguiente figura:

8)Como es la seal de salida en un amplificador emisor comn

Para que una seal esa amplificada tiene que ser una seal de corriente
alterna. No tiene sentido amplificar una seal de corriente continua, por
que sta no lleva ninguna informacin.
En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de
corrientes (alterna y continua). La seal alterna es la seal a amplificar y
la continua sirve para establecer el punto de operacin del amplificador.
Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no sea
distorsionada.

En el diagrama se ve que la base del transistor est

conectada a dos resistores (R1 y R2).

9) Cuales son la curvas caracteristicas medibles en un BJT

En este apartado vamos a introducir el BJT como una fuente de corriente
controlada por tensin. Supongamos una unin PN polarizada en inverso.
Se puede considerar que es una fuente de corriente casi ideal porque la
corriente que la atraviesa es independiente de la tensin entre sus
extremos, como se ilustra en la Figura 3.2.1.
Sin embargo, presenta un inconveniente: la corriente es muy pequea

(IS) y est limitada por la generacin trmica de minoritarios en las

cercanas de la unin. Esta corriente podra, no obstante, incrementarse
generando minoritarios, por ejemplo, mediante luz (ver Figura 3.2.2).
Adems, con la intensidad de la luz podemos controlar la intensidad de
la fuente de corriente. Sera bueno poder hacer esto elctricamente.
Para ello, podramos aadir una unin ms al sistema, puesto que en
una unin P+N se inyectan huecos desde la zona P+ en la zona N y el
nmero de huecos inyectados depende de la tensin aplicada en esta
unin. Por tanto, se tiene entonces una fuente de corriente controlada
por tensin (que determina el nmero de huecos inyectados en el
semiconductor N), como se observa en la Figura

Una unin PN en inverso se comporta como una

fuente de corriente: la corriente no depende de la tensin en inverso
aplicada, sino de lo rpido que se reponen los minoritarios que caen por
la barrera de potencial.

10) Qu dispositivo se utilizan para exitar un amplificador BJT y que

dispositivo se utilizan para reproducir audio en un BJTE?
BJT
Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de
transistores, es necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s.
Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretacin entre
amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los
acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.
BJTE

Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer

amplificador se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin
utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa est superpuesta
con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de la
salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacin de la
segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de
polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de
tensin de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla.