Universidad de San Carlos de Guatemala

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Mecnica Elctrica
rea de Electrnica y Comunicaciones
Programa del Curso Electrnica 1
Catedrtico: Carlos Navarro
UNIDAD 1
1.1 Descripcin del diodo semiconductor
1.1.1 Circuitos equivalentes del diodo
1.1.2 Capacitancias de difusin y transicin
1.1.3 Tiempo de recuperacin inversa
1.1.4 Especificaciones Tcnicas del diodo
1.2 Tipos de diodos y su funcionamiento
1.2.1 Diodo de unin
1.2.2 Diodo Zener
1.2.3 Diodo Emisor de Luz
1.2.4 Diodo Schottky
1.2.5 Diodo Varactor (Varicap)
1.2.6 Diodo Tnel
1.2.7 Fotodiodo
1.2.8 Diodo Laser
1.3 Otros dispositivos de dos terminales
1.3.1 Celdas fotoconductoras
1.3.2 Emisores infrarrojos
1.3.3 Termistores
1.3.4 Pantalla de cristal lquido
1.4 Aplicaciones de los diodos
1.4.1 Configuraciones de diodos en serie, paralelo y serie/paralelo
1.4.2 Rectificacin de media onda
1.4.3 Rectificacin de onda completa

1.4.4 Sujetadores
1.4.5 Recortadores
1.4.6 Reguladores
UNIDAD 2
2.1 Descripcin del Transistor de Unin Bipolar BJT
2.1.1 Construccin del transistor
2.1.2 Funcionamiento del transistor
2.1.3 Configuraciones del transistor
2.1.3.1 Base comn
2.1.3.2 Emisor comn
2.1.3.3 Colector comn
2.1.4 Parmetros del transistor
2.2 Polarizacin DC del transistor
2.2.1 Punto de operacin y lnea de carga
2.2.2 Polarizacin fija
2.2.3 Polarizacin de emisor
2.2.4 Polarizacin por divisor de voltaje
2.2.5 Configuracin con retroalimentacin de colector
2.2.6 Configuracin en emisor-seguidor
2.2.7 Configuracin en base comn
2.3 Anlisis AC del transistor
2.3.1 Accin amplificadora
2.3.2 Modelos de AC
2.3.2.1 Modelo re
2.3.2.2 Modelo
2.3.3 Funcionamiento como amplificador
2.3.3.1 Configuracin base comn
2.3.3.2 Configuracin emisor comn
2.3.3.3 Configuracin colector comn
2.3.4 Ganancias de voltaje y corriente
2.3.5 Amplificadores multietapas

UNIDAD 3
3.1 Descripcin del transistor de Efecto de Campo FET
3.1.1 Construccin del transistor
3.1.1.1 FET y JFET
3.1.1.2 MOSFET
3.1.2 Funcionamiento del transistor
3.1.3 Caractersticas de transferencia
3.2 Polarizacin DC del transistor
3.2.1 Autopolarizacin
3.2.2 Polarizacin fija
3.2.3 Polarizacin por medio de divisor de tensin
3.2.4 Configuracin en puerta comn
3.2.5 Punto de operacin y transconductancia
3.3 Anlisis AC del transistor
3.3.1 Accin amplificadora
3.3.2 Modelo AC del transistor
3.3.3 Funcionamiento como amplificador
3.3.3.1 Configuracin polarizacin fija
3.3.3.2 Configuracin autopolarizacin
3.3.3.3 Configuracin divisor de tensin
3.3.3.4 Configuracin fuente comn
3.3.3.5 Configuracin fuente-seguidor
3.3.4 Amplificadores en multietapas

BIBLIOGRAFIA
Jacob Millman, Christos C. Halkias. (1991)Electrnica Integrada. Editorial
Hispano Europea. Novena Edicin. ISBN9788425504327.

Malvino Albert Paul, West Balley College, Principios de Electrnica,

Editorial Mc Graw Hill, sexta edicin. ISBN 84-481-2568-1
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Robert L. Boylestad, Louis
Nashelsky, Editorial Pearson, Decima Edicin,
EVALUACION:
1er. Parcial
2do. Parcial
Trabajo de Investigacin
Laboratorio
Examen Final
Total

25 pts.
25 pts.
05 pts.
20 pts.
25 pts.
100 pts.

Unidad 1 19/02/2016
Unidad 2 01/04/2016
Ultima Fecha 01/04/2016
Exclusiva del Laboratorio de Electrnica
Del 7 al 20 de Mayo segn Calendario

Investigacin: En esta investigacin tiene como objetivo que el estudiante

haga una sntesis de varias lecturas de revistas o artculos cientficos donde
se toque el tema "Desarrollo de las aplicaciones de los semiconductores
en la industria en los ltimos 10 aos y su tendencia hacia el futuro",
realizando el mismo en un mximo de 10 hojas, en letra arial 12 e
interlineado sencillo con mrgenes de 2.5 cm derecho, izquierdo, superior
e inferior de la hoja tamao carta. Al final de cada sntesis tiene que poner
la bibliografa correspondiente, fecha de entrega el da que se realice el
segundo
examen
final,
enviarla
por
correo
electrnico
electronica1navarro@gmail.com