Universidad del Cauca

Facultad de Ingeniera Electrnica Y Telecomunicaciones

Taller de Electricidad y Electrnica

Profesor: Ing.
Estudiantes:

EDGAR MARIO GUSTIN ARTEAGA

Yilber Esteban Flor.
David Alexander Hoyos.

Popayn - Cauca
2015

FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA

*Fuente de corriente constante
*Red de muestreo
*Red de comparacin o error
*Elemento(s) de paso o amplificacin.
*Red de Proteccin contra cortocircuito
Las caractersticas de la fuente a disear e implementar son:
*Voltaje de SALIDA: 9 (NUEVE) VOLTIOS CONSTANTES
*Corriente mxima de carga: 300 mA.
*Proteccin contra CORTO CIRCUITO, que incluye PILOTO de AVISO de cortocircuito .
*PILOTO de AVISO de Funcionamiento general.
1. OBJETIVOS
*Disear una fuente regulada, que cumpla con las especificaciones dadas por el
usuario.
*Utilizar los conocimientos adquiridos en el curso de Electrnica Bsica para
fortalecer y aplicar los fenmenos de rectificacin, filtrado y regulacin de una
seal AC.
*Adquirir destreza en los conocimientos tericos acerca de los dispositivos
electrnicos (estudiados en la materia Electrnica Bsica) y sus diversas
configuraciones segn la aplicacin.
*Analizar las condiciones y diversos parmetros que permiten la mejor regin de
operacin para un dispositivo, y por consiguiente, la mayor estabilidad a los
cambios que pueda sufrir el diseo.

*Adquirir habilidad y destreza para solucionar los problemas que se presentan a

travs de todas las fases de un diseo,

para as formular soluciones que

conlleven al xito del funcionamiento del circuito.

*Implementar el circuito de tal manera que tengamos en cuenta los criterios de
eficiencia y desempeo.
2. ESPECIFICACIONES
*El usuario desea una fuente de poder DC regulada, cuya regulacin est basada
exclusivamente en diodo zner para entregar una potencia mnima de salida: 2.5
W a 0.5 Amps. Tenindose como entrada la seal de lnea que presenta 110Vrms
a 60 Hz. Por tanto el sistema debe entregar un voltaje constante a una carga
delimitada por los valores de salida anteriormente predefinidos.
*Para poder satisfacer las necesidades de usuario es necesario en primera
instancia reducir los valores de voltaje de la seal de entrada a la fuente de poder
regulada para convertirla en una seal pulsante bien sea eliminando los semiciclos
negativos o aprovechando toda la seal y convertirla en una seal unipolar.
Posteriormente es necesario regular ese voltaje para que la seal de salida
presente la menor variacin posible.
*A continuacin se presenta el diagrama de bloques, en el que se sintetizan las
funciones anteriormente descritas y se establecen los submdulos usados para el
diseo de una fuente regulada:

3 DISEO Y JUSTIFICACION DEL CIRCUITO

TRANSFORMADOR. En este modulo se utiliza un transformador q se encarga de

reducir el voltaje primario de 120 vrms de la red a un voltaje secundario de valor
12 V rms, por lo tanto este elemento presenta una razn de vueltas de 1:12
CIRCUITO RECTIFICADOR. se realiza rectificacin de onda completa para evitar
perdidas en la seal de entrada y de esta manera el proceso de conversin de AC
a DC se hace mas fcil a pesar de que el voltaje rectificado no es un voltaje
filtrado contiene una componente DC y una componente de rizo La tensin de
salida es una onda sinosoidal rectificada completa con un valor de pico
aproximadamente igual a la tensin de pico del secundario. La frecuencia del
rizado es el doble de la frecuencia de la red.
FILTRO PASABAJO Se utiliza un filtro de capasitor simple para generar un voltaje
DC pulsante y oscilante pero mas estable.
REGULADOR DE VOLTAGE esta es la etapa donde el voltaje que cae en la
carga RL del circuito anterior se convierte a 9 voltios que es lo que se pide
inicialmente.
Elementos presentes en el circuito regulador
*Elementos de paso de control: se utiliza un transistor
*Fuente de corriente: ubicada al comienzo de la etapa de regulacin
*Referencia de tencion: se constituye como un diodo zener teniendo una
resistencia RZ
*RED DE MUESTREO: circuito de dos resistencias las cuales se usan para
calcular voltajes a partir de la carga gracias a un divisor de voltaje
*PROTECCION CONTRA SOBRECARGA: permite que el circuito no tenga
problemas cuando una resistencia de carga muy pequea requiera de mucha
corriente.
*PROTECCION CONTRA CORTO
*Cuando hay un corto a la salida, 2 diodos en serie se polarizan inversamente y se
abren, esto hace que el transistor que ba a tierra entre en corte y se cortocircuite

4 CALCULO DE COMPONENTES
A continuacin se presenta un anlisis del circuito diseado con los respectivos
clculos tericos que permiten determinar el valor de los elementos a usar
REGULADOR DE VOLTAJE TIPO SERIE

La operacin bsica del regulador se describe mejor utilizando el circuito de la

figura 1b, en la cual el transistor ha sido remplazado por una resistencia variable,
RT. Para variaciones en RL, si VL o Vo debe permanecer constante, la relacin de
RL a RT debe permanecer fija.
Por divisor de voltaje se tiene:
RL
Vo
Vi
RL RT
Adems:
Si hacemos:
tendremos:

Vo = VL
R L k1 RT

RL
k1 RT
k1

k
RL RT k1 RT RT k1 1
(constante como se requera)

(1)

En conclusin, para una reduccin o un incremento de la resistencia de carga

(RL), RT debe cambiar de la misma manera y a la misma tasa para mantener la
misma divisin de voltaje.
Se debe tener presente que la regulacin de voltaje se determina detectando las
variaciones en el voltaje de salida versus la demanda de corriente de carga. Para este
circuito una demanda de aumento de corriente implica una reduccin en RL que se
traducir en una tendencia a reducirse tambin en magnitud Vo. Sin embargo,
aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff (L.V.K.) en la malla de salida.

VBE VZ VO
Analizando la ecuacin anterior una reduccin en Vo (puesto que V Z es fijo o
constante) se traducir en un incremento en VBE. Esto, a su vez, aumentar la
conduccin del transistor, obtenindose por lo tanto una reduccin en su resistencia

colector-emisor. Esto conllevar a mantener Vo en un nivel fijo.

se muestra un regulador de voltaje tipo serie que utiliza un segundo transistor (Q2)
para efectos de control. El voltaje V BE del transistor de control Q2 est determinado
por la diferencia entre V2 (VR2) el voltaje de referencia Vz. El voltaje V 2 sigue a los
cambios producidos en el voltaje de salida Vo. Cualquier tendencia de parte de Vo
a aumentar se traducir en un aumento en V 2 y por consiguiente en el voltaje V BE2,
puesto que, VBE2 = V2 - Vz. Esto hace que el transistor Q2 conduzca ms o
conduzca menos dependiendo del valor de la diferencia de voltaje entre V 2 y Vz.
Un incremento en VBE2, que corresponde a un incremento en I B2 y en IC2 se
traducir en una disminucin en IB1 (suponiendo que IR3 sea relativamente
constante o que decrezca muy poco). El resultado neto es la reduccin en la
conductividad de Q1 y por lo tanto una disminucin en la corriente de salida lo que
ocasiona una estabilizacin de Vo. Siguiendo una secuencia de cambios
tendramos:
VL, V2 ,
VBE2,
IC2, IB1,
R(Q1), VL

IB!

VC!

IL = 0,5A
hfe1 = 100

IR3

IC2

Vi = 30V

V1
VL

hfe2 = 100

- VBE2
VZ = 10V

interpretacin similar para analizar cuando V L disminuye.

Se puede
aplicar
una

REGULADOR DE VOLTAJE CON DOS TRANSISTORES

se puede apreciar el diagrama en bloques de una fuente regulada de voltaje tipo
serie ms completa. se muestra a nivel circuital los componentes de cada uno de
los bloques de la Figura 3.
A Bloque Pre-regulador
Constituido por R3, Q1 y VZ1, que a su vez conforman la fuente de corriente Io:

Io

VZ 1 V BE1
R3
(2)

Esta fuente de corriente constante hace las veces del circuito Pre-regulador.

IL

Io
IB3

IB2

IZR
IB1

Vi

V0

I4

IM

VZ1
IZ1

VR

VM

. REGULADOR DE VOLTAJE TIPO SERIE.

B Bloque Comparador
Conformado por Q2 conocido como el elemento comparador, el cual a travs de
la juntura emisora compara el voltaje muestreado VM con el voltaje de referencia
VR. Cualquier desbalance existente entre estos dos voltajes se aplica a la juntura
emisora de Q2, haciendo conducir en mayor o menor grado, segn sea el caso,
controlando as la inyeccin de corriente en la base del transistor Q3 y por ende el
voltaje de salida Vo.

C Bloque Amplificador
Conformado por Q3 (elemento amplificador), el cual se encarga de amplificar el
error o diferencia de corriente entregado por el comparador (Io IE2) controlndose
de esta forma la inyeccin de corriente en el elemento de paso (transistor Q4).
D Bloques de Muestreo y Referencia
Conformado por R1, Rp y R2 que constituyen la red de muestreo, encargada de
generar el voltaje VM. R4 y R5 son las resistencias de polarizacin de los diodos
zner VR y VZ1
respectivamente y su escogencia se hace con base en las
caractersticas de funcionamiento de cada uno de ellos. R6 da camino a tierra a
las corrientes inversas que se presentan en la base de Q4 cuando la corriente de
carga es mnima. Un valor apropiado para R6 es tomarlo del orden de 27K.

DISEO DE UNA FUENTE REGULADA TIPO SERIE

A continuacin y a manera de ejemplo se desarrolla un anlisis que nos lleva a

implementar las ecuaciones de diseo del circuito de la Figura 4.

Vp= vrms*raz de dos=12*raz de dos = 16.97vp

Vr=10.2
V2=vp-1.4=16.97-1.4=15.57
I.

SELECCIN DE LOS DIODOS ZENER VR y VZ1

A) SELECCION DEL DIODO VR

El voltaje de salida se puede expresar as:
Vo VBE 4 VBE 3 VCE 2 VR
Si los transistores son del mismo material:
VBE 4 VBE 3 VBE

V R Vo 2VBE VCE 2
Entonces:

(3)

En la ecuacin (3) se tiene la expresin para VR en funcin del voltaje VCE2 dado
que Vo y VBE se suponen voltajes constantes. Un buen criterio para la escogencia
del valor de VR es que el voltaje VCE2 sea tal que dicho transistor est en la regin
activa, esto es: VCE2 > 1V (fuera de la regin de saturacin). Se escoge entonces
un valor comercial para VR tal que VCE2 est fuera de saturacin (VCE2 > 1V) pero
que no sea tan alto como para que Q2 no se exponga a daos por disipacin de
Potencia. (Debe recordarse que Q2 podr eventualmente, llegar a disipar una
potencia hasta de VCE2 x Io watios).
Resumiendo se escoge un valor comercial de VR tal que:
Pot (max) Q2
VCE ( SAT ) VCE 2
Io
Una buena eleccin es hacer:
VCE 2 VR

Vo
VBE
2

(4)

Remplazando Vce2 =

9
x= + 0.7
2

Vce2=5.2V
B) SELECCION DEL DIODO VZ1
El voltaje de entrada no regulado Vin se puede expresar como:

Vin VZ 1 VBE1 VEC1 VBE 3 VBE 4 Vo

(5)
Si suponemos que todos los transistores son del mismo material:

VBE1 VBE 3 V BE 4 V BE
Vin VZ 1 V EC1 VBE Vo
V EC1 Vin (VZ 1 V BE Vo )
o tambin:

VEC1 (Vin (V BE Vo )) VZ 1
(6)

La escogencia de VZ1 se va a reflejar en la capacidad que va a tener la fuente para

responder ante variaciones del voltaje de entrada Vin. Esto es, si se escoge un
valor para VZ1 demasiado alto puede suceder que para un valor de Vin mnimo el
(Vin (V BE Vo )) VZ 1
trmino
puede hacerse negativo, si suponemos VBE y Vo
constantes. Pero como esto no es factible que suceda pues el voltaje VCE > 0,
necesariamente deber disminuir Vo para que la ecuacin (6) se siga
satisfaciendo:

VEC1 VEC1 ( SAT )

De acuerdo a lo anterior deber escogerse VZ1 tal que:
lo que lleva a:
(Vin (V BE Vo )) VZ 1 VEC1( SAT )
(7)
La anterior desigualdad puede transformarse en igualdad para el caso en el que
se tenga Vin = Vin(min), o sea:
(Vin(min) (VBE Vo )) VZ 1 VEC1( SAT )
Por lo tanto:

VZ 1 Vin(min) (V BE Vo VEC1( SAT ) )

(8)
Si comercialmente no es posible conseguir un valor para VZ1 que satisfaga con
exactitud la ecuacin (6), deber escogerse entonces VZ1 tal que:
VZ 1 Vin (min) (V BE Vo V EC1( SAT ) )

(9)
Se tiene Vin = 15.57 esto implica
Vinmax= 15.57v+ 0.5v=16.07
Vinmin= 15.57v- 0.5v=15.07
Si comercialmente no es posible conseguir un valor para VZ1 que satisfaga con
exactitud la ecuacin (6), deber escogerse entonces VZ1 tal que:
VZ 1 Vin (min) (V BE Vo V EC1( SAT ) )

Vz1 < 15.07-(o.7+9+0.8)

Vz1=4.57v
II.

SELECCIN DE LA FUENTE DE CORRIENTE

Una vez seleccionado VZ1, se debe escoger el valor apropiado de Io que

mantenga al transistor Q2 en su regin lineal suministrando adems la corriente
necesaria en todo momento al transistor amplificador Q3. Esto es:
Io I B 3 max I E 2
(10)
IE2 es la corriente requerida por el transistor Q2 para permanecer en su regin
lineal, previa escogencia del voltaje VCE2. Es importante aclarar aqu que IE2 va a
estar variando de acuerdo a los requerimientos de la corriente de carga IL, entre
los siguientes valores, a saber:
I E 2 min Io I B 3 max

I E 2 max Io

I B 3 0, I L 0, R L
dado que:

I B 3 max I E 2
Esto es:
Una buena eleccin es hacer:

Pot (max) Q2
VCE 2

I E 2 3I B 3 max
(11)

Io I B 3 max I E 2 Io 4 I B 3 max
Io 4 I B 3 max
Por lo tanto:

I L max I 4 I M
Conociendo ILmax y suponiendo:
I
(I 4 I M )
I
I B 3 max L max
L max
hfe3 hfe4
hfe3 hfe4
Por lo tanto:

Io

Io=

4 I L max
hfe3 hfe4

4(300 mA) 1200 mA

=
100100
10000
Io=0.12mA

Conocida Io puede hallarse el valor de R3:

R3

R3

VZ 1 VBE1
Io

(12)

4.570.7
0.12 mA

R3=33K
Ahora haciendo IZ1>>IB1 se elige un valor de IZ1(ptimo) tal que IZ1(ptimo)
10IB1 y que haga que el diodo VZ1 est trabajando en todo momento en la REGION
ZENER. Esto es:

I Z1

Vin V z1
R5
(13)

Los fabricantes acostumbran a dar un valor mnimo de corriente de trabajo en la

regin zner, que se conoce como corriente de codo. Se escoge entonces RZ1 tal
que:

Vin V z1
I Z 1( codo)
R5
Para los diodos normalmente utilizados un valor tpico de IZ1(codo) puede ser de
unos 10 mA, por lo tanto:
Vin(min) V z1
R5
I z1( codo)
(14)

R5=

15.074.57
10 mA
R5=1K

Debe tenerse cuidado adems de hacer R5 tan pequea pues podran

sobrepasarse los lmites de mxima disipacin de potencia en el diodo,
I Z 1 V z1 PZ 1(max)

I z1

Pz1(max)
V z1

Vin(min) V z1
Vin(min) V z1
R z1
Pz1(max)
I z1( codo)
V z1
III.

(15)

SELECCIN DE LA RED DE MUESTREO

Suponemos que IM >> IB2 por lo que podemos expresar IM como un divisor de
voltaje independiente del efecto de carga que pueda presentar la impedancia vista
desde la base del transistor Q2:
R2 Rp 2
VM
Vo
R1 R2 Rp 2
(16)
Si llamamos a:
Rp Rp1 Rp 2

R R1 Rp1

R R2 Rp 2

VM

R R

Vo
R

Adems:

R R

VM V BE 2 V R
R

Vo VBE 2 VR

R R

R
R 1
R R

VBE 2 V R
Vo

VBE 2 V R
R
Vo

Vo
1 R
VBE 2 V R

(17)
I L (max) I M

I M I B 2

Se ha supuesto que:
. Adems deber cumplirse que:
lo tanto una buena eleccin es hacer:
I M 0.01I L (max)
,
siempre que se cumpla que:
I M 10 I B 2

, por

10 I B 2 I M 0.01I L (max)

entonces:
IM

Una vez escogida

se puede hallar otra relacin que nos permita calcular
R
:
Vo ( R R ) I M
I M I B 2
(recordar que:
)
R R

Vo
IM
(18)

R '=(

R+R=

9v
1)R = 0.5R
0.7+5.1
vo
9
=
=3 K
tm 0.01300 mA

Resolviendo las ecuaciones (17) y (18) se pueden encontrar los valores de

R
.

R
R
Conocidas
y
se escogen el potencimetro Rp y las resistencias R1 y R2
que satisfagan las siguientes relaciones:
R1 R2 Rp R R

R R1 Rp1

R R2 Rp 2

(19)

R= 1K y R=1.2K
IV.

SELECCIN DEL ELEMENTO DE REFERENCIA

Se escoge I4(ptima) de tal manera que el diodo de referencia VR se encuentre en

la regin de regulacin o regin zner.
Vo VR
R4
I 4 ( optima)
(20)
95.2
R4= 10 mA
R4=390
V.
SELECCIN DE LOS TRANSISTORES
La seleccin de los transistores se hace con base en la potencia mxima que
puede llegar a disipar cada uno de ellos. Las potencias para cada uno de ellos
ser:

Transistor Q1:

PQ1 VCE 1 max Io

PQ1 Vin(max) (VZ 1 Vo V BE ) Io

(21)
Transistor Q2:

PQ 2 VCE 2 max I E 2(max)

VCE 2 cons tan te Vo 2V BE V R

Vce2=9+2*0.7-5.2v
Vce2=5.2
PQ 2 (Vo 2VBE VR ) Io
(22)
Transistor Q3:
PQ 3

Vin max (Vo VBE ) I L (max)

hfe4
(23)

Pq3=

15.07( 9+ 0.7 ) +300 mA

100

Pq3=0.001611w

Transistor Q4:

PQ 4 (Vin max Vo ) I L (max)

(24)

Pq4=(15.07-9)+300mA
Pq4=1.8w
PROTECCION CONTRA CORTO
Para asegurar que los diodos se encuentren en la regin de saturacin
suponemos una corriente entre 5mA<=8<=15mA para nuestro caso se toma como
15mA
Con esto hallamos el valor de la resistencia que hace parte de este circuito

Rs=(vo-vdiodos)/8mA=(9-1.4)/8mA=1K
CIRCUITO FINAL

PROTECCION DE CORTE
T1: TIP31
Transistor Switching
R7 Y D1 Y D2
REGULADOR DE CORRIENTE

T2: TIP32
VZ, T2 Y R2
TRANSISTOR DE CONTROL O TRANSISTOR DE PASO
T3: TIP31 (con disipador)
POLARIZACION DEL ZENER DE REFERENCIA
VZR Y R3
CIRCUITO DE MUESTREO
R4, R5 Y R6
AMPLIFICADOR Y DETECTOR DE ERROR
T4: 2N2222A

PLAN DE PRUEBAS
Tabla con diferentes resitencias
RL
PROTECCIO
FUENTE
N CORTO

10,92
10,97
1k
0
0,02
100
0
0
Cto Abierto
0
0

COMP.
0,87
5,03
5
5,03

TRANS.
PASO
11,47
2,20
2,24
2,19

SALIDA

9,16
9
9,18

CONCLUSIONES

la resistencia q se utilice como resistencia de carga preferiblemente sea

una resistencia de potencia

vz: voltaje zener que reduce ms o menos el voltaje de entrada procurando

que en R1 no tenga ms voltaje que en VZ.

El circuito que se encarga de detectar el aumento o disminucin del voltaje

en la carga, es el circuito de muestreo.

BIBLIOGRAFIA
*CUBILLOS mariano, circuitos analgicos I
*pdf
*Analogic Estudent.