FET Tecnologia

Engenharia Eltrica Eletrnica
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Prof. Alvaro
Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi

Os Transistores Bipolares de Juno (TBJ ou BJT)
Prof. Alvaro
So controlados pela variao da corrente de base (na

maioria das aplicaes)

Os Transistores Efeito de Campo (FET)
Prof. Alvaro
Do ingls Field Effect Transistor

So controlados pela variao da tenso

JFET
J Junction ou Juno
FET
DEPEO
MOSFET
Prof. Alvaro
INTENSIFICAO
MOS Metal Oxid Semiconductor
Semicondutor de Metal xido

FET Canal N
Contato hmico
Dreno (D)
Canal N
Prof. Alvaro
Porta (G)
Gate
Regio de Depleo
Fonte (S)
Source

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
A regio de Depleo no possui portadores livres,
portanto no conduz.
VG = 0 V
VDD +
No passa corrente do Gate
para Dreno.
Prof. Alvaro
VGS = 0V e VDS > 0V

Se VG ficar mais negativo, mais
aumentar a regio de depleo.

Prof. Alvaro
No diodo a polarizao reversa faz aumentar a regio de

depleo.
A corrente que passa atravs da Porta (Gate) IG = 0 A.
Caracterstica relevante do FET.
G D e G S proporcionam alta impedncia de entrada.

Variao dos potenciais reversos de polarizao atravs da
juno p - n de um JFET de canal N.
Prof. Alvaro
25 a 75% dos potenciais reversos do

FET ficam na regio de depleo

Mantendo o VGS = 0V e
Se aumentar VDS, aumenta tambm a regio de depleo.
A corrente ID subir at um determinado nvel:
Limitado pela reduo do canal;
Causando aumento da resistncia do canal
Reduo do Canal
Prof. Alvaro
Aumento da Regio de Depleo

Aumento de VDS

A reduo do canal levar a corrente a um nvel de
saturao.
IDSS
Nvel de Saturao para VGS = 0V

Aumento da Resistncia devido
ao Estreitamento do Canal
Prof. Alvaro
Resistncia do Canal
VP

Os dois parmetros observados devido ao nvel de
saturao quando VGS = 0V
VP
IDSS
Prof. Alvaro
So parmetros dos FETs que aparecem nos data sheets.

ID = IDSS
Prof. Alvaro
IDSS S (Saturation)
VP (Pinch-off)
Pinch-off ou Constrio

IDSS a mxima corrente de dreno para um JFET e
definida pela condio VGS = 0 V e VDS > |VP|
Prof. Alvaro
O valor de VGS para ID = 0 mA definido por VGS = VP

VGS = VP
Para o canal N VP Negativo

Para o canal P VP Positivo

Lugar Geomtrico dos Valores de Pinch-off
Lugar Geomtrico dos Valores de pinch-off

Regio de Saturao
Prof. Alvaro
Regio
hmica

Resistor controlado do tenso.
Regio
hmica
rd =
rO
V
1 GS
VP
rO = a resistncia apresentada por VDS x IDSS

I
I
1
1
= dss = d =
=
V P VDS rO rd
Id
1
=
VDS rd
Prof. Alvaro
rd = a resistncia apresentada na regio

hmica para um determinado valor de VGS
Controle da resistncia pela tenso pode
ser empregado em controle automtico de
ganho.

Prof. Alvaro
SIMBOLOGIA
FET canal N
FET canal P

Curva Caracterstica de Transferncia
No TJB :
I C = f ( I B ) = I B
Varivel de Controle
Constante
Prof. Alvaro
No FET :
I D = I DSS 1
VGS
VP
Varivel de Controle
Constante

Curva Caracterstica de Transferncia
Quando ID = IDSS , VGS = 0 V
Prof. Alvaro
I D = I DSS
V
1 GS
VP
Quando VGS = VP, ID = 0 mA

Ex.1: Dado VP = 4V e IDSS = 8 mA
Calcule VGS = ? para ID = 4,5 mA
I D = I DSS
V
1 GS
VP
VGS
4
2
2 VGS VGS
0,5625 = 1 +
+
4
16
2
VGS
VGS
+
+ 0,4375 = 0
16
2
Prof. Alvaro
4,5 = 8 1
VGS + 8VGS + 7 = 0
VGS e VGS ' = 1 e 7volts

S VGS = 1volt vlido

Calcule VGS = ? para ID = 4,5 mA
4,5 = 8 1
Prof. Alvaro
0,5625 =
VGS
4
1+
I D = I DSS
V
1 GS
VP
VGS
4
VGS
4
= (0,75 1) 4
0,75 = 1 +
VGS
VGS = 0,25 4 = 1volt
10

Calcule ID = ? para VGS = 2V
ID = 8 1
2
4
ID = 8 1
1
2
Prof. Alvaro
ID = 8
1
2
I D = I DSS
V
1 GS
VP
= 8
1
= 2mA
4

Prof. Alvaro
Relaes interessantes de VGS ID
VGS
ID
IDss
0,3 VP
IDss/2
0,5 VP
IDss/4
VP
0 mA
I D = I DSS
V
1 GS
VP
ID
IDSS
IDSS/2
VP
0,3VP
0,5VP
IDSS/4
VGS
11

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Depleo)
O corte;
A saturao e
IDSS
Do JFET semelhante ao MOSFET tipo Depleo;

A diferena est nas curvas caractersticas:
Prof. Alvaro
Se estendem at a polaridade oposta para VGS.

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento
Espessa camada de Material tipo P
O terminal SS pode ser conectado ao terminal
FONTE ou no.
Prof. Alvaro
Quando o terminal SS no conectado ao

terminal FONTE o dispositivo fabricado
com 4 terminais
FONTE e DRENO so conectados atravs
de contatos metlicos regies n dopadas do
tipo n
As regies n dopadas do tipo n so
interligadas entre si por um canal n.
12

Funcionamento
Prof. Alvaro
A PORTA (GATE) permanece isolada do

canal n por uma fina pelcula de xido de
Silcio SiO2.
SiO2 um dieltrico pois estabelece campos
eltricos opostos quando submetidos a um
campo externo aplicado.
No h ligao eltrica entre o gate e o canal n.
Se no h ligao eltrica entre o gate e o
canal n, ento no existe corrente.
A impedncia de entrada exageradamente
alta.

Funcionamento
Para VGS = 0V, no existe campo eltrico
Eltrons percorrem da FONTE para o
DRENO.
Prof. Alvaro
O sentido convencional da Corrente de

DRENO para a FONTE.
13

Funcionamento
VGS negativo = modo depleo
Prof. Alvaro
VGS positivo = modo intensificao

Funcionamento
O que acontece com o Canal n quando o
Prof. Alvaro
VGS positivo?
14
Prof. Alvaro

Simbologia

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
No existe a parte de Depleo.
Por onde passar a corrente

entre o Dreno e a FonteID?
Prof. Alvaro
O SiO2 isolante e portanto o

Gate isolado do Substrato
que isolado da Regio tipo n
15

Smbolo
Substrato desligado
da Fonte (S)
Prof. Alvaro
MOSFET Canal n
Substrato ligado
Fonte (S)
ID = 0A

Intensificao)
Caractersticas
Prof. Alvaro
O controle de corrente para esse dispositivo de canal n

realizado por uma tenso VGS positiva.
MOSFET depleo possui canal
MOSFET intensificao no possui canal (Inexistncia de
Canal).
16

Caractersticas
Para VDS positivo, VGS = 0V e SS ligado Fonte (Source), equivale a:
duas junes p-n reversamente polarizadas entre
as regies dopadas tipo n e os substratos p
que se opem a qualquer fluxo significativo entre o dreno e a fonte.
Prof. Alvaro
ID = 0A

Funcionamento
Prof. Alvaro
Alimentao de VDS e VGS

positiva em relao Source
Corrente de Gate 0A e
independe do valor de VGS
17

Funcionamento
Prof. Alvaro
VGS pressiona as lacunas

(cargas iguais se repelem) para
o substrato p por toda a
extenso da camada de SiO2
O potencial positivo do Gate
repele as lacunas.

Funcionamento
Prof. Alvaro
Limite de esvaziamento da
regio de portadores tipo p
Atrao dos eltrons para a
porta devido ao potencial
positivo.
O resultado uma regio de
depleo prxima camada
isolante de SiO2 livre de
lacunas
18

Funcionamento
Com o aumento de VGS

intensificado a concentrao de
eltrons prximo superfcie
Regio de Depleo
O negativo a fonte de eltrons
Prof. Alvaro
intensificado at um nvel que

a regio induzida tipo n possa
suportar o fluxo entre o Dreno e
a Fonte

Funcionamento
Incio de Pinch-off
O nvel de VGS que produz um

aumento
significativo
da
corrente de dreno chamado de
tenso de limiar.
A
tenso
de
limiar
representado por VT ou VGS(Th)

Prof. Alvaro
Th Threshold = limiar
19

Intensificao)
Prof. Alvaro
Tem o MOSFET
que tem o canal e
o que no tem o canal
Ambos so de intensificao, porm o nome de
intensificao foi dado ao ltimo pois o nico modo de
operao.

Os Transistores Efeito de Campo
(MOSFET tipo Intensificao)
Quando VGS aumenta aps o limiar,
aumenta a corrente de dreno (ID).
Se VGS for mantida e aumentar VDS;
ID atinge um nvel de saturao por
constrio.
VDG = VDS VGS
Prof. Alvaro
VDG D
G
S
VDS
20
Prof. Alvaro

Intensificao)
VDG = VDS VGS
G
Se VGS = 8V e VDS for aumentado de 2V para 5V;
Ento VDG cair de 6V para 3 V;
VDG = 2V 8V = 6V;
VDG = 5V 8V = 3V;
Se VDS aumenta, VDG fica menos positivo;
Reduz as foras atrativas para os eltrons provocando
VDG
a reduo da largura do canal;
O canal reduzido at a condio de saturao
(PINCH-OFF)
VDG D
VDS

Intensificao)
VDG D
VDG sat = VDS VT
Para valores de VGS < VT , ID(MOSFET intensificao) = 0 mA
VT = Nvel de Limiar
G
S
VDS
Lugar Geomtrico de VDS sat
Prof. Alvaro
VDG
VGS = VT = 2 V
21

Intensificao)
Curvas caractersticas de Dreno de um MOSFET VT = 2V e
k = 0,278 10 3 A/V 2
Prof. Alvaro
Lugar Geomtrico de VDS sat
VGS = VT = 2 V

Constante k (A/V 2)
dado pelos valores de VGS (Ligado) e
ID (Ligado)
So valores fornecidos pelo fabricante
Prof. Alvaro
VT
22

De posse do valor de VGS (Ligado) e de ID (Ligado)
Encontra-se k pela frmula
Prof. Alvaro
k=
ID (Ligado)
(VGS (Ligado) VT
)2
ID = k (VGS VT)2
Para qualquer valor dado de VGS, pode-se encontrar ID

desde que k seja conhecido.

Prof. Alvaro
Curva caracterstica de transferncia
23

Manuseio
Alta impedncia de gate;
associada fina camada do isolante SiO2,
Eletricidade esttica acumulada:
no corpo humano ou
qualquer outro material isolante
Pode romper a camada de isolante e danificar o componente.
Prof. Alvaro
Maiores detalhes de manuseio, consultar manual do fabricante ou

livro pag 196.

Os Transistores Efeito de Campo (VMOS tipo Intensificao)
Compensa a baixa potncia limitante do MOSFET;
V do VMOS devido estrutura vertical de crescimento do canal;
Maiores velocidades de chaveamento.
Leitura complementar opcional livro pag 197.
Prof. Alvaro
24

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Do ingls Field Effect Transistor

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VGS = 0V e VDS > 0V

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No diodo a polarizao reversa faz aumentar a regio de

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25 a 75% dos potenciais reversos do

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Aumento da Regio de Depleo

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Nvel de Saturao para VGS = 0V

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

So parmetros dos FETs que aparecem nos data sheets.

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O valor de VGS para ID = 0 mA definido por VGS = VP

Para o canal N VP Negativo

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Lugar Geomtrico dos Valores de pinch-off

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

rO = a resistncia apresentada por VDS x IDSS

rd = a resistncia apresentada na regio

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Quando VGS = VP, ID = 0 mA

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

VGS e VGS ' = 1 e 7volts

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

VGS = 0,25 4 = 1volt

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Relaes interessantes de VGS ID

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Do JFET semelhante ao MOSFET tipo Depleo;

Se estendem at a polaridade oposta para VGS.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Quando o terminal SS no conectado ao

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A PORTA (GATE) permanece isolada do

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

O sentido convencional da Corrente de

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VGS positivo = modo intensificao

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O que acontece com o Canal n quando o

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Por onde passar a corrente

O SiO2 isolante e portanto o

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

O controle de corrente para esse dispositivo de canal n

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