01 - Semicondutores

Aula 01
Semicondutores
Prof. Alexandre Akira Kida, Msc., Eng. Eletrônica Geral 1

Objetivos
Conceituar:
Condutores, isolantes e semicondutores
Cristais semicondutores
Semicondutores tipos P e N
Junção PN (diodo)
Polarização
Efeito de ruptura
Barreira de potencial

Materiais Elétricos
Do ponto de vista elétrico, os materiais
encontrados na natureza podem ser divididos em
três categorias:
Condutores (bons condutores de eletricidade)
Isolantes (péssimos condutores de eletricidade)
Semicondutores (medíocres condutores de eletricidade)

Materiais Elétricos
Figura. Resistividade dos materiais elétricos

Condutores
Possuem 1 a 3 elétrons na sua órbita mais externa
(valência)
Estes elétrons conhecidos como elétrons livres, e
estão fracamente atraídos pelo seu núcleo
A aplicação de um campo elétrico desloca
facilmente os elétrons de livres de um átomo para
outro

Condutores
Os melhores condutores, como o cobre, ouro e
prata possuem apenas 1 elétron de valência
Exemplo
Prata: 1.59×10
Cobre: 1.72×10
Ouro: 2.44×10 ohm.m
Figura. Cobre, ouro e prata

Isolantes
Possuem 5 a 8 elétrons na sua órbita de valência,
por isso eles não cedem facilmente elétrons (camada
de valência quase completa)
Não possuem elétrons livres
Precisa de uma grande energia para deslocar os
elétrons situados na banda de valência para a de
condução.
O vidro, a mica e a borracha são exemplos de
materiais isolantes

Isolantes
Exemplo de resistividade:
Borracha: 1013 ohm.m
Mica: 1015 ohm.m
Vidro: 1016 ohm.m
Figura. Vidro, mica e borracha

Semicondutores
Materiais tetravalentes (apresentam 4 elétrons na
camada de valência)
Apresentam resistividade entre os condutores e os
isolantes
Os semicondutores mais utilizados são o Germânio
(GE), Silício (SI) e o Gálio (GA)
Exemplo de resistividade:
Silício: 6.40×102 ohm.m
Germânio: 4.610 ohm.m
Gálio: 1.4×10 ohm.m

Semicondutores
Figura. Silício, germânio e gálio

Semicondutores
Figura. Camada de valência dos semicondutores

Semicondutores
Resistência
Semicondutor
Temperatura
Figura. Resistência vs Temperatura.

Silício (Si)
O silício é o semicondutor mais utilizado
Possui 14 prótons e 14 elétrons
4 desses elétrons ficam na órbita de valência
Foi descoberto por Jöns Jacob Berzelius (1823)
É o segundo elemento mais abundante da terra,
perfazendo 25.7% do seu peso (O2 é o mais
abundante)
Presente na argila, granito, quartzo e areia,
normalmente na forma de dióxido de silício

Silício (Si)
Os átomos de Si só ficam quimicamente estáveis
quando há 8 elétrons na camada de valência
Os átomos de Si se combinam para formar uma
estrutura cristalina (cristal), onde cada átomo de
Si compartilha seus elétrons a outros átomos de Si
através de ligações covalentes
As órbitas de valência passam a ter 8 elétrons e
os átomos de Si passam a ser quimicamente estáveis
Os átomos que originalmente possuíam 4 elétrons
na camada de valência, passam a possuir 8

Silício (Si)
Os elétrons não pertencem mais a um único átomo
isolado, eles são compartilhados pelos átomos
adjacentes por meio de ligações covalentes
Existem bilhões delas em um cristal de Si
Figura. Cristal de Si
Silício (Si)
Um semicondutor intrínseco é um cristal puro.
Sendo considerado um material intrínseco apenas se todos
os átomos forem de Si
Na temperatura ambiente, um cristal de Si não é
um bom condutor
Em um semicondutor intrínseco, há apenas elétrons
livres e lacunas geradas termicamente
Adição de impurezas neste cristal
totalmente as características de condutibilidade

Dopagem do Semicondutor
Processo de adicionar impurezas no cristal do
semicondutor
Semicondutor extrínseco
Pode ser realizada da seguinte forma:
Adição de impurezas pentavalentes
número de elétrons livres
Adição de impurezas trivalentes Aumenta o número de
lacunas
Controle da quantidade de impurezas controle
preciso das características do semicondutor

Dopagem do Semicondutor
O processo da dopagem:
1. Primeiro deve-se obter um cristal semicondutor puro.
Na fabricação exige-se um grau de pureza muito
elevado, da ordem de 99,99999999% (equivale a 1g de
impurezas a cada 10 000 toneladas do material)
2. Deve-se fundir o cristal de Si para quebrar as ligações
covalentes, mudando seu estado de sólido para líquido
3. Adiciona impurezas (átomos trivalentes ou
pentavalentes)
Porque o cristal passa por um rigoroso processo de
purificação se depois será adicionada impurezas?
As impurezas eliminadas inicialmente são indesejáveis e
não apresentam aplicação útil
Semicondutor Tipo N
Dopagem do cristal de Si com impurezas
pentavalentes
Arsênio (As), Antimônio (Sb) e Fósforo (P)
Figura. Dopagem do cristal de Si com Antimônio

Semicondutor Tipo N
O Tipo N está relacionado com o negativo
Há excesso de elétrons livres
Elétrons livres
Lacunas minoritários
Eletricamente neutro (número de prótons =
número elétrons)
Também conhecida como impurezas doadoras

Semicondutor Tipo N
Elementos pentavalentes
Figura. Tabela periódica simplificada

Semicondutor Tipo P
Dopagem do cristal de Si com impurezas
trivalentes
Alumínio (Al), Boro (B), Índio (In) e Gálio (GA)
Figura. Dopagem do cristal de Si com Boro

Semicondutor Tipo P
O Tipo P está relacionado com o Positivo
Há excesso de lacunas
Lacunas
Elétrons livres
Eletricamente neutro
Também conhecida como impurezas receptoras

Semicondutor Tipo P
Elementos trivalentes
Figura. Tabela periódica simplificada

Junção PN
Um pedaço de um semicondutor do tipo N ou P se
comportam como um resistor
Figura. Junções P e N

Junção PN
O fabricante pode criar um cristal que de um lado é
um semicondutor tipo P e o outro tipo N
Figura. Junção PN

Junção PN
A junção é chamada de Diodo (etimologia:
contração de dois eletrodos)
Figura. Diodo

Junção PN
A combinação das junções P e N é base da
eletrônica
Alguns dispositivos que utilizam esse princípio:
Diodo
Transistor
Tiristor
Mosfets
IGBTs
Triacs
Diacs

Camada de Depleção
Os elétrons livres do lado n se difundem (espalham)
em todas as direções (analogia com os gases)
Quando os elétrons livres da camada N penetram na
camada P, ele cai em uma lacuna, recombinando-se
Fenômeno:
recombinação
Figura. Camada de depleção

Camada de Depleção
A lacuna desaparece e o elétron livre se torna
elétron de valência
A região próxima a junção PN fica vazia de
portadores, por isso é chamada de camada de
depleção
O átomo pentavalente vira um íon positivo (pois
ele perde um elétron)
O átomo trivalente vira um íon negativo (pois
ganha um elétron)
E formado um par de íons (dipolo) é criado cada
vez que um elétron se difunde através da junção
Exercícios de Fixação
1.1) Uma junção é?
a) A união de uma barra de um semicondutor do tipo P
com um semicondutor do tipo N
b) A difusão de cargas positivas sobre um semicondutor de
germânio.
c) Uma barra de um semicondutor dopada diferentemente
em dois pontos.
d) NDA

Barreira de Potencial
Os dipolos formados próximos a junção PN criam
uma diferença de potencial conhecida como
barreira de potencial
Para os diodos de Ge: 0,3V
Para os diodos de Si: 0,7V
V
 
Figura. Barreira de potencial

Corrente em Semicondutores
Nos semicondutores, tanto os elétrons como as
lacunas contribuem para o fluxo da corrente
Elétrons livres banda
de condução
Lacunas banda de valência
Figura. Barreira de potencial

Corrente em Semicondutores
Figura. Fluxo de elétrons e lacunas em um semicondutor

Tipos de Polarização
Figura. Tipos de polarização

Polarização Direta
Elétrons
Lacunas Livres
As lacunas e os
elétrons livres se
movem em
direção à junção
A tensão deve ser
maior que a
barreira de
potencial
Figura. Polarização direta
Os elétrons fornecido pelo terminal da fonte viajam através

da região n como elétrons livres
Eles se recombinam na junção e viajam na região p como
elétrons de valência, se movendo através das lacunas
Polarização Direta
Elétrons
Lacunas Livres
As lacunas e os
elétrons livres se
movem em
direção à junção
A tensão deve ser
maior que a
barreira de
potencial
Deste modo, quando polarizado diretamente, o diodo (junção

PN) se comporta como um condutor
O diodo se comporta como uma chave fechada

Polarização Reversa
Elétrons
Lacunas Livres
As lacunas e os
elétrons livres se
movem na
direção oposta à
Aumento na junção
camada de
depleção

A camada de depleção aumenta até o valor da tensão reversa aplicada
sobre ele
Assim, não há movimento de elétrons e lacunas neste material

Polarização Reversa
Deste modo, quando polarizado reversamente, o
diodo (junção PN) se comporta como um isolante
Assim, o diodo se comporta como uma chave aberta

Corrente de Portadores Minoritários
Quando o semicondutor PN está reversamente
polarizado ainda há uma pequena quantidade
corrente circulando pelo semicondutor
Corrente Reversa
Corrente de Fuga de Superfície
Entretanto, essas correntes são muito baixas
Em muitos casos, elas são desprezadas

Corrente Reversa
Também conhecida como corrente de saturação
Corrente oriunda dos portadores minoritários
produzidos termicamente
Essa corrente depende apenas da temperatura,
não tendo relação com a tensão reversa aplicada
A energia térmica provoca o rompimento de
algumas ligações covalentes
Por isso que nos semicondutores a resistividade cai

com o aumento da temperatura

Corrente de Fuga de Superfície
Oriunda das impurezas e imperfeições na
estrutura do cristal do semicondutor
Corrente devida as ligações covalentes quebradas na
superfície do cristal
Figura. Ligações covalentes rompidas.
Essa corrente é diretamente proporcional à tensão

reversa aplicada
Ruptura
Existe um limite de tensão reversa suportada pelo
diodo
Uma vez atingida a tensão de ruptura, um grande
número de portadores minoritários aparece
repentinamente na camada de depleção fazendo
com que o diodo conduza
Esses portadores são produzidos pelo efeito
avalanche
Esse fenômeno destrói o diodo
Quando a tensão reversa aumenta, ela fornece mais
energia aos portadores minoritários
Ruptura
Quando essa energia é muito grande esses
portadores esses portadores colidem fortemente
com o cristal, de forma que pode-se liberar elétrons
de valência, formando elétrons livres
Esses elétrons se chocam com outros átomos do
cristal, em um processo geométrico
1 elétron se choca, formando dois elétrons livres;
esses dois se chocam formando 4; e assim
sucessivamente

Ruptura
Figura. Efeito avalanche.

1.2) Polarizar diretamente significa:
a) Alimentar de modo direto um componente respeitando a
polaridade
b) Alimentar de modo inverso um componente respeitando
a polaridade
c) Alimentar um componente polarizado
d) NDA

1.3) No semicondutor polarizado diretamente
a) A barreira de potencial diminui e a camada de depleção
se alarga
b) A barreira de potencial diminui e a camada de depleção
se estreita
c) A barreira de potencial aumenta e a camada de depleção
se alarga
d) A barreira de potencial aumenta e a camada de depleção
se estreita

1.4) Na Figura abaixo, a corrente:
a) Não passa, de forma absoluta

b) Circula corrente direta
c) Passa somente uma corrente de baixa intensidade
d) Passa somente se o fio condutor for de alumínio (Al)

1.5) Os átomos de Si combinam-se segundo um
padrão ligado chamado de:
a) Ligação covalente
b) Cristal
c) Órbita de valência
d) Semicondutores

1.6) A prata é o melhor condutor, quantos elétrons ele
possui em sua camada de valência?
a) 2
b) 1
c) 4
d) 8

1.7) Em um semicondutor intrínseco, cada elétron de
valência estabelece:
a) Um elétron livre
b) Uma ligação covalente
c) Uma lacuna
d) Uma recombinação

1.8) A fusão de um elétron livre com uma lacuna é
chamado de:
a) Ligação covalente
b) Ligação iônica
c) Recombinação
d) Estrutura cristalina

1.9) Na temperatura de zero absoluto (-273 ºC), um
semicondutor intrínseco:
a) Possui alguns elétrons livres
b) Possui poucas lacunas
c) Possui muitas lacunas
d) Não possui lacunas nem elétrons livres

1.10) Em que tipo de semicondutor as lacunas são
portadores minoritários:
a) Semicondutor do tipo P
b) Semicondutor do tipo N
c) Extrínseco
d) Intrínseco

1.11) Classifique cada um dos semicondutores como
tipo N ou P:
a) Dopado com átomos receptores
b) Cristal com impurezas pentavalentes
c) Portadores majoritários são lacunas
d) Átomos doadores foram adicionados ao cristal
e) Elétrons livres são portadores majoritários

1.12) Quantas lacunas há em um condutor na
temperatura ambiente?
a) Muitas
b) Nenhuma
c) Apenas as produzidas pela energia térmica
d) A mesma quantidade de elétrons

1.13) Quantas fluxos de corrente há em um condutor
e semicondutor, respectivamente?
a) 2 e 1
b) 1 e 1
c) 1 e 2
d) 2 e 2

Conclusões
Os semicondutores se comportam como resistores
(não são bons condutores)
Suas características de elétricas podem ser alteradas
ao adicionar impurezas
O semicondutor mais utilizado na eletrônica é o Si
A junção PN: semicondutor formado de um pedaço
de semicondutor do tipo P com um pedaço de
semicondutor do tipo N
O semicondutor do tipo P é formado pela adição de
impurezas trivalentes (alumínio, boro, gálio e índio)

Conclusões
Nos semicondutores do tipo P há um excesso de
lacunas e estas são os portadores majoritários
O semicondutor do tipo N é formado pela adição de
impurezas pentavalentes (arsênio, antimônio e
fósforo)
Nos semicondutores do tipo N há um excesso de
elétrons livres e estes são os portadores majoritários
A junção PN conduz quando polarizado diretamente
Há dois fluxos de corrente em um semicondutor:
elétrons livres e lacunas

Conclusões
A queda de tensão existente na junção PN quando
diretamente polarizada está relacionada com a
camada de depleção (barreira de potencial)
A energia térmica (calor) quebra as ligações
covalentes formando elétrons livres e lacunas
Idealmente, quando polarizado diretamente a junção
PN comporta-se como uma chave fechada
Idealmente, quando polarizado reversamente a
junção PN comporta-se como uma chave aberta
Esse conceito será importante na próxima aula em
que abordaremos a teoria dos diodos

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Figura. Cobre, ouro e prata

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Figura. Silício, germânio e gálio

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Figura. Camada de valência dos semicondutores

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Figura. Resistência vs Temperatura.

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Figura. Dopagem do cristal de Si com Antimônio

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Figura. Tabela periódica simplificada

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Figura. Dopagem do cristal de Si com Boro

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Figura. Tabela periódica simplificada

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Figura. Camada de depleção

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Figura. Barreira de potencial

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Figura. Barreira de potencial

Figura. Fluxo de elétrons e lacunas em um semicondutor

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Figura. Tipos de polarização

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Figura. Polarização direta

Os elétrons fornecido pelo terminal da fonte viajam através

Figura. Polarização direta

Deste modo, quando polarizado diretamente, o diodo (junção

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