UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTN

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA MECANICA-ELECTRICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I
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EXPERIENCIA N 03
CARACTERIZACIN DEL TRANSITOR BIPOLAR
I.- OBJETIVOS
El BJT fue inventado en 1948 por William Shockley en los laboratorios Bell, y se
convirti el primer transistor en produccin masiva. Tener una buena comprensin de la
fsica del BJT es clave para entender su funcionamiento y aplicaciones. En esta prctica,
vamos a explorar cuatro regiones de operacin del BJT y determinar sus valores
caractersticos: Ganancia en CC y el voltaje de Early VA. El transistor que usaremos es el
2N4401, que es un dispositivo NPN. Se sugiere encarecidamente que lea y entienda la
seccin dedicada a la fsica BJT antes de comenzar este experimento.
II.- FUNDAMENTO TERICO
Desarrollar el fundamento terico de la experiencia
III.- MATERIALES
-

02 Transistores 2N3904 NPN BJT

01 Resistor de 1 M - 1/2 W
01 Resistor de 5 K - 1 W
01 Resistor de 100 - 1 W

IV.- PROCEDIMIENTO
3.1.- DETERMINACIN DE LA REGION DE OPERACIN
1) Arme el circuito mostrado en la figura 1 con RB = 1M, RC = 5K, y RE = 100.
Ajuste el voltaje VCC a 5V.
2) Aumentar VBB hasta IC = 0,5 mA. Mida VBE y VBC. Cul es la regin de operacin del
transistor?
Advertencia: No ponga VBE superior a 5 V para cualquiera de los transistores que
utilizamos. Si lo hace puede daar el transistor de forma permanente.
3) Ahora mida IB. Cul es el valor de ?

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4) A partir del valor encontrado anteriormente, calcular ? Utilice para calcular el IE,
luego medir IE y comprobar si los valores estn de acuerdo.
5) Vamos a examinar la dependencia de la temperatura de la corriente de colector. Ponga
dos dedos alrededor de Q1 para calentarlo, luego medir IB e IC (haga que su
compaero caliente el BJT mientras mide las corrientes si tiene problemas para hacer
las dos cosas al mismo tiempo). Cmo se compara IC respecto al valor que se ha
medido antes que calentar el transistor?

Figura 1: Configuracin del BJT para la medicin

6) Explicar, utilizando la ecuacin que conoce de la corriente de colector, como se espera
que IC vare con la temperatura. Concuerda esto con los resultados experimentales?
En caso negativo, explique por qu sucede esto.
Sugerencia: IS depende de la concentracin ni de portadores intrnsecos y de los
coeficientes de difusin Dn y Dp. Intuitivamente, de qu forma cambia ni, Dn y Dp con
la temperatura?, Cmo cambia IS con la temperatura como resultado?
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7) Mire la hoja de datos del 2N3904. Esta (denominado hFE en la hoja de datos) de
acuerdo con los valores indicados en la ficha tcnica (Sugerencia: Un diagrama de hFE
versus IC est dada bajo el nombre de Typical Characteristics)?, Si los valores no
estn de acuerdo, explique Por qu se presentan estas discrepancias.
8) Establecer VBB a 4 V y VCC a 2 V. Medida IB, IC, VBE, y VBC. Cul es la regin de
funcionamiento del BJT?
9)
10)
Establecer VBB a -3 V y VCC a 5 V. Medida IB, IC, VBE y VBC. Cul es la regin
de funcionamiento del BJT?
11)
Cambie el emisor y el colector del BJT en el circuito (se puede hacer esto
girando fsicamente el dispositivo para hacer frente a la direccin opuesta). Establecer
VBB a 4 V y mantener VCC a 5 V. Medida IB, IC, VBE y VBC. Cul es la regin de
funcionamiento del BJT?
3.2.- DETERMINACIN DEL VOLTAJE DE EARLY ( VA ) UTILIZANDO PSPICE
El aumento de la polarizacin de colector-base ensancha la regin de agotamiento en la
unin. Como resultado, la recombinacin disminuye debido a que la base es ms
empobrecida en huecos mviles, que son la fuente principal de recombinacin para los
electrones inyectados desde el emisor. La regin de agotamiento ampliada tambin
proporciona un campo elctrico mayor para barrer los electrones inyectados en el colector.
Ambos efectos dan lugar a una dependencia adicional de IC con VCE. El voltaje de Early es
utilizado para modelar esta dependencia.

Figura 2. Clculo del voltaje de Early

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1) Conecte un BJT como se muestra en la figura (sin resistencias). Utilice PSPICE para
polarizar el emisor a 0 V y la base en 0,6 V. Haga un barrido del colector de 0 V a 5
V. Mida la corriente a travs del terminal del colector.

2) Realizar la medicin y graficar IC versus VC. Cules dos regiones de operacin son
mostradas y dnde es el lmite?
3) Utilice este grfico obtenido en el punto (2.-) para determinar el voltaje de Early.
4) Repita el clculo de VA para tensiones de base de 0.625 V, 0.65 V, 0.675 V y 0,7 V
(Puede Usted variar el paso de tensiones utilizando PSPICE para obtener los datos de
VA). Depende VA de la tensin de base VB? Por qu?
3.3.- EL BJT COMO DIODO
1) Conecte un BJT conectado a diodo (es decir, la base y el colector estn en corto) al
soporte del ensayo el parmetro del analizador. Use el emisor a tierra en Pspice barrer la
base / colector de 0 V a 0,7 V. Mida la corriente a travs de la base / colector (que acta
como el lado P del diodo).
2) Ejecutar la medicin y trazar la corriente de base / colector IC vs VBE. A qu dispositivo
semiconductor se parece la curva I-V?

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3.3.- EL PAR DARLINGTON (ALTO )

Figura 2: Configuracin Darlington para la medicin

1) Construir el par de Darlington con su segundo BJT como se muestra en la Figura 2
.
2) Mida IB1, IC1, IB2, IC2 e. Calcular 1 = IC1/IB1 y 2 = IC2/IB2.
3) Cul es la ganancia de corriente general, tot = IC2/IB1? Utilice la frmula que deriv en
teora previa para el clculo de la ganancia total de corriente de 1 y 2, y comparar el
clculo a su medida.
V.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
D cinco observaciones y cinco conclusiones de la experiencia.
Ing. G. Carpio R.
Docente DAIEL

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