Encapsulados De Los Diodos

Wainder Peinado Regalado, Ana Mara Osorio Velazco

Pamplona Norte de Santander
Universidad de Pamplona
wainderpere@hotmail.com, amariaosoriov@gmail.com
Resumen- Este documento presenta el encapsulado de los
diodos, la curva caracterstica de voltaje vs corriente de est,
tiempo de recuperacin en inversa de est, capacitancia de
transicin y difusin de est, la idea es tener en cuenta todo lo
referente a os diodos, como se forman y como es su corriente en
directa como en inversa, ya que ellos se forman de una manera
diferente en inversa que en directa,

Abstract- This document presents the encapsulation of the

diode , the characteristic curve of voltage vs. current is ,
recovery time Reverse is , capacitance transition and diffusion
of this , the idea is to consider everything about you diodes , as
form and as its direct current and reverse , since they are
formed in a different way than in direct inverse .

I.

INTRODUCCION

Es conocido generalmente en el campo de la electrnica,

Como uno de los primeros componentes ms importantes al
momento de montar un circuito, y contiene ciertas
caractersticas que se representaran en graficas e imgenes,
este elemento tiene su caracterstica al momento de
disearse, como su polarizacin (inversa o directa), ya que
para cada tipo de uso tiene un componente diferente, gracias
a estos conceptos se implementara la aplicacin de apartes
tericos vistos con anterioridad, la veracidad o verificacin
de los mismos mediante la prctica.

II.

MARCO TEORICO.

En dependencia de la tensin o voltaje que soportan, la

intensidad de la corriente de trabajo, la funcin especfica
que tendrn asignada dentro de un circuito electrnico y la
potencia que disipan en watt, los diodos se comercializan con
diferentes tipos de encapsulados. Adems, un diodo
especfico puede tener tamao y caractersticas de trabajo
diferentes, as como diferente forma de encapsulado.

Figura 1
En esta ilustracin aparecen varios diodos de
caractersticas y usos. Diferentes y con encapsulados
tambin diferentes.
El tipo de encapsulado de estos diodos se identifica con
las. Siguientes. Siglas:
1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO-3, 5.- TO-48,
6.- SOD-23, 7.- KBL, 8.- WOW. Adems de estos
ejemplos existen muchos. Tipos ms de. Encapsulados.
Muestra de dos diodos rectificadores de silicio de
diferentes caractersticas y encapsulados tambin diferentes,
ambos comparados con un cntimo de euro. El diodo de
arriba, de menor tamao, puede soportar una corriente de 1
ampere y trabajar con un voltaje de 1000 volt. A ese diodo le
corresponde un encapsulado DO-41. El diodo de abajo, de
mayor tamao, puede soportar una corriente de 10 ampere y
trabajar, igualmente, con un voltaje de 1000 volt, pero a
diferencia del anterior a ste le corresponde un
encapsulado R-6.

Figura 2

III. CURVA CARACTERSTICA.

A. Polarizacin Directa.

Para el caso en que el diodo esta polarizado directamente,

existir una representacin grfica, esta representacin est
dada por una curva tpica del diodo que relaciona valores
representativos del mismo, estos comprenden como primera
instancia la corriente en funcin de la tensin. Este suceso se
puede evidenciar en la Fig. 4. En ella se observa como
cuando el valor de tensin es 0,7 V aproximadamente
(umbral), la intensidad de la corriente adopta un
comportamiento de crecimiento progresivo, esto debido a que
un aumento determinado de la tensin dar origen a un
aumento en la corriente respectiva.
Figura3,

polarizacin directa.

primera es la llamada Corriente de portadores minoritarios,

la segunda Corriente superficial de fugas.
La corriente de portadores minoritarios est dada debido
a la energa trmica que crea pares de electrones libres y
huecos, mientras que la corriente superficial de fugas se da
debido a impurezas en la superficie e imperfecciones en la
estructura interna del material.

IV. TIEMPO DE RECUPERACION EN INVERSA DEL

DIODO.

El tiempo de recuperacin en inversa de un Diodo es trr=

5S
y la velocidad de reduccin de la corriente del Diodo es
di/dt=80A/s.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
trr= ta+ tb
Por lo tanto, trr, representa el tiempo que durante el apagado
del diodo, tarda la Intensidad en alcanzar su valor mximo
(negativo) y retornar hasta un 25 % de dicho valor
(Tpicamente 10 seg para los diodos normales y 1 seg
para los diodos de recuperacin rpida),
El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa
por trr. Cuando el diodo est polarizado directamente y el
voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se
debera observar que el diodo cambia en forma instantnea
del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo,
debido a un nmero considerable de portadores minoritarios
en cada material, el diodo se comportar como se muestra en
la siguiente figura:

Figura 4. Curva caracterstica directa e inversa del

Diodo.

B. Polarizacin Inversa.

Cuando el diodo se encuentra polarizado en forma inversa,

como primera medida se conoce que el voltaje de la fuente
respectiva caer directamente sobre el diodo en cuestin, por
lo cual tendr un comportamiento de circuito abierto, es
decir, no se dar la circulacin de corriente (cave aclarar que
de forma prctica esta no es notoria, ms sin embargo
tericamente existe una corriente ciertamente pequea, que
para el caso oportuno no se ha de considerar, esta corriente
es denominada corriente inversa de fugas). Este suceso
tambin se puede observar en la Fig. 4.

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que

los portadores minoritarios regresen a su estado de
portadores mayoritarios en el material opuesto.
tt - Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la
corriente inversa se reduzca al nivel asociado con el estado
de no conduccin.

C. Corrientes en el diodo polarizado inversamente.

Tcnicamente el comportamiento del diodo polarizado de

forma inversa ciertamente posee dos tipos de corrientes. La

V.

CAPACITANCIA DE TENSIN Y DIFUSIN.

Todo dispositivo electrnico o elctrico es sensible a la

frecuencia.

Es decir, las caractersticas terminales de cualquier

dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la resistencia
de un resistor bsico, como el de cualquier construccin, es
sensible a la frecuencia aplicada. A frecuencias de bajas a
medias se puede considerar que la mayora de los resistores
tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos
altas frecuencias, los efectos parsito capacitivos e
inductivos empiezan a manifestarse y afectan el nivel de
impedancia total del elemento.
En el diodo los niveles de capacitancia parsita son los que
tienen un mayor efecto. A bajas frecuencias y a niveles
relativamente bajos de capacitancia, la reactancia de un
capacitor, determinada por xc= 1/2pifC en general es tan
alta que se le puede considerar de magnitud infinita,
representada por un circuito abierto e ignorada. A altas
frecuencias, sin embargo, el nivel de XC puede reducirse al
punto de que crear una trayectoria de puenteo de baja
reactancia. Si esta trayectoria de puenteo ocurre a travs del
diodo, en esencia puede evitar que ste afecte la respuesta de
la red. En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos
capacitivos que tienen que ser considerados. Ambos tipos de
capacitancia estn presentes en las regiones de polarizacin
en directa y en inversa, pero uno predomina sobre el otro en
cada regin por lo que consideramos los efectos de slo uno
en cada regin.
En la regin de polarizacin en inversa tenemos la
capacitancia de transicin o de regin de empobrecimiento
(CT ) en tanto que en la regin de polarizacin en directa
tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusin
(CD ).

Por ejemplo los diodos de silicio marcaran una cada de

voltaje de 0.7v y los de germanio de 0.6v; los diodos
schottky tienen una cada de voltaje pequea, de solo 0.3v.
A continuacin se describe la forma de probar los diodos
comunes encontrados en los circuitos electrnicos,

1- Seleccione la escala Diodos en el multmetro.

2- Coloque la punta roja (positiva) en el nodo del diodo
y la punta negra (negativa) en el ctodo.
3- Observe la lectura en el display del multmetro, la prueba
de diodos en general nos dar como resultado 400 a 700 v.
4- Ahora invierta el orden de las puntas de prueba, en esta
prueba del diodo el multmetro no deber registrar ningn
valor.
Conclusiones: Si al probar el diodo este no mide
absolutamente nada, entonces el diodo se encuentra en
circuito abierto, si el diodo nos registra un valor de 0 o
cercano a l, entonces el diodo est en corto circuito.
Si el diodo nos registra un valor en ambos sentidos, se debe
a que el diodo tiene fugas y debe cambiarse.
VII.

FORMAS DE PROBAR UN DIODO.

En este artculo se entendio el concepto de los diodos y sus

direntntes tipos de encapsulados que existen, tambin se
aprendio la manera de como probar un diodo si queda en
corto o circuito abierto, y sus respectivas graficas, en inversa
e directa y sus curvas de caracterista.
VIII. BIBLIOGRAFIA

Capacitancias de transicin y difusin contra polarizacin

aplicada en un diodo de silicio.

Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos. Dcima edicin Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
http://electronicacompleta.com/lecciones/el-diodo/attachment/diodo-12/
http://www.kitelectronica.com/2016/02/como-probar-un-diodo.html

Representacin grfica y analtica de la curva caracterstica,

del Diodo de germanio y silicio. Christofer J. Homen1
VI.

FORMAS DE PROBAR UN DIODO.

La prueba de diodos es muy simple; recuerde que un diodo

conduce la corriente en un solo sentido.
Adems los diodos marcaran diferencias en los resultados de
medidas dependiendo de su tipo y material de construccin.