Distribusi Statistik Fermi-Dirac Pada Se

Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
Fisika Statistik
DISTRIBUSI STATISTIK FERMI-DIRAC PADA

SEMIKONDUKTOR
OLEH:
NYOMAN ARI CAHYANI DAMAWATI

(0813021024)
JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
ALAM
UNIVERSITAS PENDIDIKAN GANESHA
2011
BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang Masalah
Dalam
kehidupan
sehari-hari
kita
sering
menjumpai
penggunaan
semikonduktor, terutama dalam alat-alat elektronika karena konduktansinya yang

dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi
doping). Bahan yang dikatakan bersifat semikonduktor adalah bahan dengan
konduktivitas listrik yang berada di antara insulator dan konduktor. Sebuah
semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah,
namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor.
Berdasarkan tingkat kemurnian dari kristal semikonduktor itu sendiri,
semikonduktor terbagi ke dalam dua jenis, yaitu semikonduktor intrinsik dan
semikonduktor ekstrinsik. Sifat hantaran dari semikonduktor akan bergantung
pada bahan dari semikonduktor itu sendiri. Semikonduktor intrinsik memiliki
konduktivitas yang lebih kecil dari pada semikonduktor ekstrinsik, sehingga untuk
memperbesar daya hantar dari semikonduktor tersebut dilakukan pengisian
elektron lain (doping) di pita konduksi atau pembuatan hole (eksitasi elektron)
pada pita valensi. Dalam proses pengisian elektron pada pita energi ini,distribusi
elektron mengikuti distribusi Fermi-Dirac. Karena itu, dalam tulisan ini akan
dibahas lebih lanjut mengenai penerapan fungsi distribusi statistik Fermi-Dirac
pada semikonduktor.
1.2 Rumusan Masalah
Berdasarkan uraian diatas maka dirumuskan masalah sebagai berikut.
1. Bagaimanakah karakteristik dari semikonduktor?
2. Bagaimanakah penerapan statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor?
1.3 Tujuan Penulisan
Tujuan dari penulisan makalah ini adalah sebagai berikut.
1. Untuk mengetahui karakteristik dari semikonduktor.

2. Untuk mengetahui penerapan statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor.
1.4 Manfaat Penulisan
Manfaat dari penulisan makalah ini adalah sebagai berikut.
1. Dapat mengetahui karakteristik dari semikonduktor.
2. Dapat mengetahui penerapan statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor.
1.5 Metode Penulisan
Metode yang digunakan dalam penulisan ini adalah metode kajian pustaka, dimana
penulis mengumpulkan informasi-informasi terkait mengenai distribusi Fermi-dirac dan
semikonduktor dari literatur-literatur maupun dari sumber-sumber internet yang
kemudian disusun secara sitematis.
BAB II
KAJIAN TEORI
2.1 Fungsi Distribusi Statistik Fermi-Dirac
Untuk setiap jenis statistik diasumsikan bahwa entropi adalah sebanding
dengan logaritma peluang termodinamika, dan bahwa suatu keadaan setimbang,
ln W
entropi system bernilai maksimum. Hal ini berarti
sehingga
bernilai maksimum,
d ln W 0
W
n!
Ni ! n Ni !
Berdasarkan persamaan
, akan diperoleh persamaan baru
seperti berikut.
W
n!
Ni ! n Ni !
n!
Ni ! n Ni !
ln W ( ln n ! ln Ni ! n Ni ! )
ln W (ln n ! ln Ni ! ln n Ni )
ln W ln
ln W (n ln n ln Ni ! ln n Ni )
........................................................(1)
Karena jumlah cell sangat besar, dengan demikian n dan Ni merupakan

bilangan yang sangat besar, maka dapat digunakan Pendekatan Stirling, sehingga
persamaan
akan menjadi seperti berikut
ln W n ln n Ni ln Ni n Ni ln n Ni
ln W n ln n Ni ln Ni n ln n Ni Ni ln n Ni
ln W n ln n Ni ln Ni n ln n Ni Ni ln n Ni
d ln W d n ln n Ni ln Ni n ln n Ni Ni ln n Ni
(2)
Jika jumlah partikel dan energi total adalah konstan, akan terdapat persamaan
kondisi seperti berikut.
dN dNi 0
dU wi dNi 0
Untuk mempermudah perhitungan, kalikanlah persamaan pertama dengan (ln

( )
B) dan persamaan kedua dengan

dN x ( ln B ) dNi
x ( ln B ) ln B dNi 0
..............................(3)
dU x ( ) wi dNi
x( ) wi dNi 0
..................................(4)
Persamaan (3) dan persamaan (4) dan kemudian tambahkan dengan persamaan
n Ni
d ln W ln
dNi 0
Ni
, maka akan terbentuk persamaan baru seperti berikut.
n Ni
ln B dNi ( wi dNi ) ln
dNi 0
Ni
n Ni
ln B dNi wi dNi ln
dNi 0
Ni
n Ni
ln
ln B wi dNi 0
Ni
Oleh karena suku
jika
dNi
0,
............................................................(5)
n Ni
ln
ln B wi
Ni
maka
dNi
dan
saling bebas, dalam artian
n Ni
ln
ln B wi 0
Ni
dan
sebaliknya
jika
n Ni
ln
ln B wi 0
Ni
n Ni
ln
ln B wi
Ni
, maka dNi 0. Namun agar
Ni
n
terdefinisi, maka
harus sama dengan nol. Oleh karena itu, akan didapat
persamaan baru seperti berikut.

n Ni
ln
ln B wi 0
Ni
n Ni
ln
ln B wi 0
Ni
n Ni
ln Ni wi
B
n Ni
ln
wi
B Ni
exp wi
n Ni
B Ni
n Ni
Ni
n
B exp wi 1
Ni
n
B exp ( wi) 1
Ni
B exp wi
Jadi didapat
n
B exp ( wi) 1
Ni
, sehingga
Ni
1
n B exp ( wi) 1
.(6)
Persamaan (6) dikenal dengan fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk keadaan
probabilitas termodinamika maksimum.
BAB III
PEMBAHASAN
3.1 Semikonduktor
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti
dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam
seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam
memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak
bebas.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si),
Germanium (Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan
satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun
belakangan, silikon menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini
dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah
oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak
mengandung unsur silikon.
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki
4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8
elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut akan membentuk ikatan
kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0 oK),
struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut.
Gambar 1. struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom
ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat
isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan
listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi
panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya
beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk
menjadi konduktor yang baik.
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu
mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping
dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih
banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat menghantarkan listrik.
Pita Energi
Berangkat dari teori atom, dinyatakan bahwa atom terdiri dari inti atom dan
elektron-elektron yang mengelilingi inti atom, elektron berada pada kulit-kulit
atom berdasarkan tingkat-tingkat energi tertentu. Semakin jauh dari inti kulit atom
yang ditempati oleh elektron, maka energi ikat lektron semakin besar, dan
sebaliknya. Tingkat-tingkat energi pada kristal dapat seperti atom tunggal (lihat
gambar 2). Interaksi antar atom pada kristal hanya terjadi pada elektron dikulit
terluar (elektron valensi). Berdasarkan azas Paulli, pada suatu tingkat energi tidak
boleh terdapat lebih dari satu elektron pada keadaan yang sama. Jadi apabila
terdapat lebih dari satu elektron pada keadaan yang sama,akan terjadi pergeseran
tingkat energi, sehingga tidak pernah terjadi tingkat-tingkat energi yang
bertindihan. Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama
akan saling berhimpit.
Penentuan pita energi secara rinci dibicarakan di fisika kuantum, namun

Gambar 2. Tingkat energi pada atom tunggal dan pita energi pada kristal
secara sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi
pada bahan padat kristal. Pada gambar 3 dapat dilihat ilustrasi struktur pita energi
untuk kristal isolator, kristal semikonduktor, dan kristal isolator. Dimana pada
keadaan kesetimbangan (equilibrium), pita energi tersplit menjadi dua bagian dan
dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau beroperasi,
daerah ini disebut daerah terlarang (= forbidden gap atau band gap). Pita atas
dinamakan pita konduksi, dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi.
Gambar 3. Struktur pita energi untuk: a) bahan isolator, b) bahan semikonduktor,

c) bahan konduktor
Isolator memiliki struktur pita energi seperti pada gambar 3(a), dimana pita
konduksinya tidak terisi oleh elektron (kosong), sedang pada pita valensinya
terisi penuh oleh elektron, dan celah energinya cukup besar ~ 9 eV, sehingga
bahan isolator tidak bisa menghantarkan listrik. Dan agar elektron dari pita valensi
untuk bisa pindah ke pita konduksi dibutuhkan energi eksternal > 9 eV.
Semikonduktor memiliki struktur pita energi seperti ditunjukkan pada gambar
3(b), dimana sebagian dari elektron pada pita valensi pindah menuju pita
konduksi, sehingga meninggalkan hole pada pita valensi. Kemudahan elektron
pindah menuju pita konduksi ini dikarenakan energi gap-nya kecil. Konduktor
memiliki struktur kristal seperti ditunjukkan pada gambar 3(c), dimana pita
konduksinya terisi sebagian oleh elektron, dan tidak ada celah energi antara pita
valensi dan pita konduksi, sehingga elektron-elektron pada pita valensi sangat
mudah untuk pindah menuju pita konduksi. Hal inilah yang menyebabkan bahan
konduktor sangat mudah untuk menghantarkan listrik.
Sebagai gambaran besarnya energi ikat elektron pada kulit atom, telah
dirumuskan oleh model atom Bohr: sebagai atom tinjauan adalah atom hidrogen,
dimana energi ikat tersebut berbanding terbalik dengan kuadrat bilangan kuantum
n yang menunjukan nomor kulit lintasan elektron. Berdasarkan tingkat kemurnian
bahan-nya bahan semikonduktor, dibedakan menjadi 2, yakni semikonduktor
intrinsik (yang belum mengalami pengotoran), semikonduktor ekstrinsik (yang
sudah mengalami pengotoran).
3.2 Fungsi Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
Penerapan fungsi distribusi Fermi-Dirac pada semikonduktor terdapat pada
pengisian pita energi dalam semikonduktor. Dimana elektron dari pita konduksi
yang akan mengisi pita valensi pada semikonduktor harus memiliki besar energi
melebihi energi gap dari semikonduktor itu sendiri, sehingga bahan tersebut akan
terkonduksi dan akan menghantarkan arus listrik.
Diagram pita energi untuk material semikonduktor mirip dengan material
isolator akan tetapi berbeda pada lebar celah energinya. Celah energi pada
semikonduktor hanya sekitar 1 eV. Germanium dan silikon
adalah
material
semikonduktor. Konfigurasi atom Ge [Ar] 3d10 4s2 4p2 dan Si [Ne] 3s2 3p2; kedua
macam atom ini memiliki 4 elektron di tingkat energi terluarnya. Tumpangtindih
pita energi di tingkat energi terluar akan membuat pita energi terisi penuh 8
elektron. Karena celah energi sempit maka jika temperatur naik, sebagian
elektron di pita valensi naik ke pita konduksi dengan meninggalkan tempat
kosong (hole) di pita valensi. Keadaan ini digambarkan pada Gambar 4. Baik
elektron yang telah berada di pita konduksi maupun hole di pita valensi akan
bertindak sebagai pembawa muatan untuk terjadinya arus listrik. Konduktivitas
listrik naik dengan cepat dengan naiknya temperatur. Pada temperatur kamar,
sejumlah electron terstimulasi thermis dan mampu naik ke pita konduksi dan
meninggalkan hole (tempat lowong) di pita valensi. Konduktivitas listrik tersebut
di atas disebut konduktivitas intrinksik.
Gambar 4. Diagram pita energi semikonduktor. Sejumlah elektron naik

Konduktivitas material semikonduktor juga dapat ditingkatkan dengan
penambahan atom asing tertentu (pengotoran, impurity). Jika atom pengotor
memiliki 5 elektron terluar (misalnya P atau As) maka akan ada kelebihan satu
elektron tiap atom. Kelebihan elektron ini akan menempati tingkat energi
sedikit di bawah pita konduksi (beberapa perpuluh eV) dan dengan sedikit
tambahan energi akan sangat mudah berpindah kepita konduksi dan berkontribusi
pada konduktivitas listrik. Atom pengotor seperti ini disebut donor (karena ia
memberikan
elektron
lebih)
dan
semikonduktor
dengan
donor
disebut
semikonduktor tipe n.
Jika atom pengotor memiliki 3 elektron terluar (misalnya B atau Al) maka
akan ada kelebihan satu hole tiap atom. Kelebihan hole ini akan menempati tingkat
energi sedikit di atas pita valensi dan dengan sedikit tambahan energi akan
sangat mudah
elektron
berpindah
dari pita valensi ke hole di atasnya dan
meninggalkan hole di pita valensi yang akan berkontribusi pada konduktivitas

listrik. Atom pengotor seperti ini disebut akseptor (karena ia menerima
elektron
dari
pita valensi) dan
semikonduktor dengan
akseptor disebut
semikonduktor tipe p. Untuk membuat perubahan konduktivitas yang memadai

di material semikonduktor, cukup ditambahkan sekitar 1 pengotor per sejuta atom
semikonduktor.
Distribusi Fermi-Dirac
Kita anggap bahwa distribusi elektron mengikuti distribusi Fermi-Dirac.
.....................................................(7)
Dimana F disebut dengan Energi Fermi atau lever Fermi. Sebuah sistem noninteracting dengan kuantum state diskrit. Sistem tersebut dikontakkan dengan
reservoir pada temperatur T. Dengan i dan j sebgai energi total dari partikel pada
state i dan j berturut-turut. Dimana Wij merupakan probabilitas dari elekton dari
state i berpindah ke state j dalam satuan waktu. Rata-rata jumlah partikel yang
membentuk transisi dari state i ke state j adalah.
Temperatur (T) dimasukkan karena dalam transisi akan terjadi penyerapan atau
pemancaran energi dari atao oleh reservoir. Berturut-turut, jumlah rata-rata
partikel yang bergerak dari state j ke state i adalah.
Kita gunakan prinsip detailed balance yang menyebutkan bahwa dalam keadaan
kesetimbanagan termal (thermal equilibrium) kedua jumlah state tersebut harus
bersamaan, sehingga.
.............................................................(8)
Bila fi merupakan jumlah rata-rata dari elektron pada state i, berdasarkan
prinsip larangan Pauli (Pauli exclusion) dimana setiap state hanya boleh diisi oleh
0-1 elektron pada waktu tertentu. Karenanya 0 fi 1, dan fi juga merupakan
fraksi konfigurasi yang ditempati state i. Dengan cara yangsama, 1-fi merupakan
fraksi konfigurasi yang dimana state i kosong (tidak ada elektron). Jumlah transisi
dari state i ke state j dengan besar M konfigurasi adalah
Karena transisi hanya terjadi bila state i penuh sedangkan state j kosong, maka.
Persamaan diatas sama dengan/setara dengan persamaan berikut.
atau dengan memasukkan persamaan (8), sehingga
Persamaan ini berlaku pada state i tertentu dan state j tertentu. Oleh karena itu, kedua
ruas adalah tidak terikat pada i dan j ;
Persamaan diatas merepresentasikan besarnya F, berikut merupakan hasil dari

persaamaan di atas untuk fi.
Berdasarkan persamaan (7), pada suhu 0 K semua state yang berada di bawah energi
tertentuakan terisi dengan elektron sedangkan semua state yang berada di atas energi
akan kosong. Dimana T0, yang diperoleh dari persamaan (7) dan f(F) = .
Hal ini berarti bahwa; untuk energi dibawah energi Fermi (level Fermi), state
akan terpenuhi oleh elektron (f() > for < F) dan untuk energi dibawah level
Fermi, state akan kosong (f() < for > F).
Untuk energi yang jauh lebih besar dari energi Fermi (-F >> kBT) dapat kita
selesaikan dengan distribusi Fermi-Dirac menggunakan pendekatan distribusi
Maxwell-Boltzmann.
Karena 1+ exp (-F)/ kBT) ~ exp ((-F)/ kBT) untuk -F >> kBT hal ini disebut
dengan kasus non-degenerate. Sebuah semikonduktor yang menggunakan
penerapan statistik Fermi-Dirac disebut degenerated.
Persamaan Kerapatan
Kita menggunakan distribusi Fermi-Dirac (7) pada persamaan berikut.
n
Sehingga untuk kerapatan elektron akan berlaku persamaan berikut.
Persamaan yang sama juga berlaku pada hole dengan kerapatan p untuk energi
dibawah valensi band minimum v.
Kerapatan elekton dan hole dapat dihitung lebih jelas dengan menggunakan
pendekatan parabolic band dengan massa efektif isotropic.
Dengan kerapatan efektif dari state sebagai berikut.
Dan dengan integral Fermi sebagai berikut.
Pada kasus non-degenerate c - F >> kBT dan F - v >> kBT, integral Fermi di
atas dapat diganti dengan fungsi yang lebih sederhana, yaitu.
Sehingga kerapatan elektron akan menjadi.
..(9)
Semikonduktor Intrinsik
Kristal semikonduktor murni yang belum terkontaminasi/ditambahkan oleh
atom-atom lain disebut dengan semikonduktor intrinsik. Dalam hal ini, pita
konduksi elektron hanya dapat terpenuhi oleh valensi sebelumnya dan elektron
tersebut akan meninggalkan lubang (hole) pada pita valensi. Jumlah elektron pita
konduksi adalah sama dengan jumlah hole pada pita valensi.
Kerapatan intrinsik ni pada kasus non-degenerated (pers (9) dapat dihitung
dengan persamaan berikut.
...(10)
Karena energi gap g = c - F. Berdasarkan persamaan (9) dan (10) maka energi
Fermi untuk semikonduktor intrinsik dapat dihitung dengan menggunakan
persamaan berikut.
Hal ini menyatakan bahwa T0, energi Fermi terletak tepat di tengah-tengah
energi gap. Atau dengan kata lain pada semikonduktor intrinsik energi Fermi
berkedudukan tepat di tengah-tengah kedua pita energi karena mempunyai jumlah

elektron yang sama dengan jumlah hole. Pada kebanyakan semikonduktor pada
suhu kamar, energi gap g lebih besar dari pada kBT (Si ; 1,12 eV, kBT = 0,0259 eV
pada suhu kamar). Hal ini menunjukkan asumsi dari non-degeneracy dengan hasil
yang sesuai dengan asumsi.
Doping
Kerapatan intrinsik terlalu kecil untuk menghasilkan konduktivitas yang
memadai (Si: ni = 6,93 x 109 cm-3). Walau demikian, untuk menghasilkan
kerapatan yang lebih besar dapat dilakukan dengan memindahkan beberapa
elektron ke dalam kristal semikonduktor, dimana atom tersebut memiliki lektron
bebas pada pita konduksi atau hole bebas pada pita valensi. Peristiwa ini disebut
dengan doping. Ketidakmurnian ini berkontribusi pada kerapatan dari carrier
(pembawa) yang disebut dengan donor untuk atom yang menyumbangkan
elektronnya ke pita konduksi dan acceptor untuk atom yang menyumbangkan
hole (menangkap elektron) pada pita valensi.
Gambar 5. Ilustrasi energi gap g dan hubungannya dengan c, v, F.

Semikonduktor yang di doping/menerima donor disebut dengan semikonduktor
tipe
N,
dan
semikonduktor
yang
menerima
acceptor
disebut
dengan
semikonduktor tipe P. Ketika kita mendoping kristal Germanium (Ge) yang tiap
atomnya memiliki 4 elektron valensi dengan Arsenic (Ar) yang tiap atomnya
memiliki 5 elektron valensi, maka setiap atom Arsenic akan menyumbangkan 1
elektron valensinya pada Germanium. Elektron bebas ini memiliki ikatan yang
lemah dengan atom Arsenic, energi ikatny sebesar 0,013 eV dan eksitasi termal
menyediakan energi yang cukup untuk mengeksitasi elektron bebas tersebut
melewati energi gap menuju ke pita konduksi. Misal, d dan a merupakan level
energi dari elektron donor dan hole acceptor. Sehingga c - d dan a - v lebih
kecil dari kBT. Hal ini berarti penambahan partikel berkontribusi pada kerapatan
elektron dan kerapat hole pada suhu kamar.
Gambar 6. Ilustrasi level

energi
BAB
IVdonor dan acceptor (d, a)
PENUTUP
4.1 Simpulan
Berdasarkan uraian yang telah dipaparkan sebelumnya, maka diperoleh
kesimpulan sebagai berikut.
1. Semikonduktor adalah suatu material yang memiliki karakteristik diantara
konduktor dan isolator. Semikonduktor sangat bergantung dari temperatur.
Pada temperatur terntentu semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau
bertindak sebagai konduktor, namun daya hantar atau konduktivitasnya lebih
rendah dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang sangat rendah,
material semikonduktor akan memiliki karakter seperti isolator. Penambahan
jumlah impuritas pada material semikonduktor juga dapat menambah sifat
konduktivitas listriknya.
2. Penerapan fungsi distribusi statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor
terdapat pada pengisian pita energi. Energi Fermi dalam suatu semikonduktor
merupakan suatu titik berat energi dari elektron dan hole, atau bisa juga
dikatakan sebagai tingkat energi rata-rata dari elektron dan hole. Dimana
tingkat energi pada bahan semikonduktor tersebut akan mengikuti fungsi

distribusi Fermi-Dirac berikut.
DAFTAR PUSTAKA
Anonim. 2011. Band Theory of Solid. Terdapat pada http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 15 Maret 2011.
Anonim.
2011.
Energy
Gap.
Terdapat
pada
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 15 Maret 2011.
Anonim. 2011. Fermi-Dirac Distribution. Terdapat pada http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 15 Maret 2011.
Anonim. 2011. Intrinsic Semiconductor. Terdapat pada http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 15 Maret 2011.
Jungl, Ansgar. 2008. Mathematical Modeling of Semiconductor Devices. Terdapat pada
http://www.asc.tuwien.ac.at/~juengel/scripts/semicond.pdf Diakses pada tanggal
15 Mei 2011.
Munazir. 2004. Semikonduktor. Terdapat pada http://azkamiru.files.wordpress.com/
2010/01/fis-semikonduktor.pdf Diakses pada tanggal 12 Juni 2011.
Oklilas, Ahmad Fali. 2007. Bahan Ajar Elektronika Dasar. Terdapat pada
http://www.scribd.com/document_downloads/direct/4057827?
extension=pdf&ft=1307875862&lt=1307879472&uahk=nCPbn9u1JFp4nhoBRo
3RdED01pc Diakses pada tanggal 12 Juni 2011.
Sudirham, S. & Utari, N. 2010. Mengenal Sifat-sifat Material (1). Tedapat pada
http://eecafe.files.wordpress.com/2011/03/mengenal-sifat-material-1.pdf
Diakses pada tanggal 15 Mei 2011.
Wikipedia.
2011.
Semiconductor.
Terdapat
pada
http://en.wikipedia.org
/wiki/Semiconductor Diakses pada tanggal 15 Mei 2011.
Yasa. P. 2001. Buku Ajar: Pengantar Fisika Zat Padat : tidak diterbitkan.

Distribusi Statistik Fermi-Dirac Pada Se

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Distribusi Statistik Fermi-Dirac Pada Se

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor