(

MAKALAH

JFET
Junctio
Field

ELEKTRONIKA GEOFISIKA

Effect

Transistor)

Disusun oleh :
MOH.WIRDHAN AL LAIL (H22111277)
DEWI RAHMAWATI L.N (H22113004)
Kelompok IV

PROGRAM STUDI GEOFISIKA JURUSAN-FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS HASANUDDIN
2014

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

Field Effect Transistor atau transistor efek medan atau yang lebih dikenal dengan
FET, adalah suatu komponen semi konduktor yang bekerja berdasarkan pengaturan arus
dengan medan listrik. FET termasuk jenis komponen aktif. FET disebut unifolar junction
transistor atau UJT, karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas, sedangkan transistor yang telah dibahas merupakan bipolar junction transistor atau
BJT karena bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas dan minoritas.Terdapat
FET-FET untuk aplikasi daya rendah, daya menengah, dan daya tinggi yang semuanya
memiliki kemasan yang menyerupai BJT.
FET memiliki tiga buah terminal, yaitu Source (sumber), Drain (buangan), dan Gate
(gerbang). Ketiga terminal ini dapat disetarakan dengan terminal emitor, kolektor, dan basis
pada sebuah BJT, namun terdapat beberapa perbedaan yang cukup penting. Perbedaan
terpenting dari sudut pandang praktis, antara kedua kelompok ini adalah bahwa hampir tidak
ada arus yang mengalir menuju terminal gate sebuah FET.
Pada penggunaan normal, FET disambungkan di dalam rangkaian dengan cara yang
sama sebagaimana halnya sebuah BJT. Terminal source adalah terminal yang paling negatif
dan terminal drain adalah yang paling positif. Ketika tegangan diberikan ke terminal gate,
arus yang disebut arus drain akan mengalir masuk melewati terminal drain dan keluar melalui
terminal source.
SEJARAH FET
Transistor efekmedan diciptakan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan
oleh Oskar Heil pada tahun 1934, tetapi peranti praktis tidak dibuat secara masal hingga
tahun 1990-an.
SIMBOL FET
Dibawah ini simbol FET, saluran N (N - channel) dan saluran P (P - channel)
FET bentuk fisiknya seperti transistor. Fungsinya adalah untuk menaikkan tegangan atau
menurunkan tegangan.
FET memiliki tiga kaki juga yaitu :

Gate (G) adalah kaki input

Drain (D) adalah kaki output

Source (S) adalah kaki sumberFungsinya

biasanya digunakan pada rangkaian power supply jenis switching untuk menghasilkan
tegangan tinggi untuk menggerakkan trafo. Kakinya biasanya sudah pasti yaitu bila kita
hadapkan FET ke arah kita maka urutan kakinya dari kiri ke kanan adalah GATE, DRAIN, R
CEAda dua jenis FET yang sering digunakan yaitu JFET (JUNCTION-FET) dan
MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-FET).
Simbol JFET :

KARAKTERISTIK FET
Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir
sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar terdapat
beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut
adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB).
Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus
input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.
Transistor efek medan,FET,field effect transistor,transistor FET,teori FET,teori transistor efek
medan,definisi FET,definisi field effect transistor,pengertian transistor FET,karakteristik
FET,jenis FET,keluarga FET,keunggulan FET Disamping itu, FET lebih stabil terhadap
temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor
bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja
atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah)
lebih kecil dari pada transistor bipolar. Namun umumnya transistor bipolar lebih peka
terhadap input atau dengan kata lain penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor
bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar.
Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan kata penguatannya

lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon
frekuensi yang lebih lebar. Keluarga Transistor efek medan (field-effect transistor = FET)

yang penting untuk diketaui adalah :

JFET (junction field-effect transistor)
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor).
Transistor efek medan (FET) jenis JFET dibagi dalam 2 tipe, yaitu
JFET kanal-P dan JFET kanal-N. Transistor efek medan (FET) tipe MOSFET dibagi dalam 2
jenis yaitu :
MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET = Depletion-mode metal-oxide semiconductor
FET.
MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET = Enhancement-mode metal-oxide semiconductor
FET).
Jenis-jenis transistor efek medan

Kanal pada FET telah didoping untuk membuat baik semikonduktor tipe-n maupun
semikonduktor tipe-p. Pada FET moda pengayaan, cerat dan sumber dibuat berbeda tipe
dengan kanal, sedangkan pada FET moda pemiskinan dibuat setipe dengan kanal. FET juga
dibeda-bedakan berdasarkan metoda pengisolasian di antara gerbang dan kanal. Jenis-jenis
dari FET adalah:

MOSFET (MetalOxideSemiconductor FET, FET SemikonduktorOksidaLogam)

menggunakan isolator (biasanya SiO2) di antara gerbang dan badan.

JFET (Junction FET, FET Pertemuan) menggunakan sambungan p-n yang dipanjar
terbalik untuk memisahkan gerbang dari badan.

MESFET (MetalSemiconductor FET, FET SemikonduktorLogam) menggantikan

sambungan p-n pada JFET dengan sawar Schottky, digunakan pada GaAs dan bahan
semikonduktor lainnya.

HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor Pergerakan Elektron Tinggi),

juga disebut HFET (heterostructure FET, FET Struktur Campur). Material celah-jalurlebar yang dikurangi penuh membentuk isolasi antara gerbang dan badan.

IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi)

adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai struktur mirip sebuah
MOSFET yang digandengkan dengan kanal konduksi utama yang mirip transistor
dwikutub. Ini sering digunakan pada tegangan operasi cerat-ke-sumber antara 200-

3000 V. MOSFET daya masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan ceratke-sumber antara 1-200 V.

FREDFET (Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET, FET Dioda Epitaksial

Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus untuk memberikan
kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat dari dioda badan.

ISFET (Ion-Sensitive FET, FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur konsentrasi

ion pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus yang mengalir
melalui transistor juga berubah.

DNAFET adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah biosensor, dengan
menggunakan gerbang yang dibuat dari molekul salah satu helai DNA untuk
mendeteksi helaian DNA yang cocok.

APLIKASI
FET mengendalikan aliran elektron (atau lubang elektron pada FET kanal-p) dari sumber
ke cerat dengan mengubah besar dan bentuk dari sebuah kanal konduktif yang dibentuk oleh
adanya tegangan (atau kurangnya tegangan pada FET kanal-p) yang dikenakan menyeberangi
saluran gerbang dan sumber (untuk mempermudah penjabaran, diasumsikan bahwa badan
dan sumber disambungkan). Kanal konduktif ini adalah jalur dimana elektron (atau lubang)
mengalir dari sumber ke cerat. Dengan menganggap sebuah peranti salur-n moda
pemiskinan. Sebuah tegangan negatif gerbang-ke-sumber menyebabkan daerah pemiskinan
untuk bertambah lebar dan menghalangi kanal dari kedua sisi, mempersempit kanal
konduktif. Jika daerah pemiskinan menutup kanal sepenuhnya, resistansi kanal dari sumber
ke cerat menjadi besar, dan FET dimatikan seperti sakelar yang terbuka. Sebaliknya, sebuah
tegangan positif gerbang-ke-sumber menambah lebar kanal dan memungkinkan elektron
mengalir dengan mudah. Sekarang menganggap sebuah peranti salur-n moda pengayaan.
Sebuah tegangan positif gerbang-ke-sumber dibutuhkan untuk membuat kanal konduktif
karena ini tidak terdapat secara alami di dalam transistor. Tegangan positif menarik elektron
bebas pada badan menuju ke gerbang, membuat sebuah kanal konduktif. Tetapi elektron yang
cukup harus ditarik dekat ke gerbang untuk melawan ion doping yang ditambahkan ke badan
FET, ini membentuk sebuah daerah yang bebas dari pembawa bergerak yang dinamakan
daerah pemiskinan, dan fenomena ini disebut sebagai tegangan tahan dari FET. Peningkatan
tegangan gerbang-ke-sumber yang lebih lanjut akan menarik lebih banyak lagi elektron
menuju ke garbang yang memungkinkannya untuk membuat sebuah kanal konduktif dari

sumber ke cerat, proses ini disebut pembalikan. Baik pada peranti moda pengayaan ataupun
pemiskinan, jika tegangan cerat-ke-sumber jauh lebih rendah dari tegangan gerbang-kesumber, mengubah tegangan gerbang akan mengubah resistansi kanal, dan arus cerat akan
sebanding dengan tegangan cerat terhadap sumber. Pada moda ini, FET berlaku seperti
sebuah resistor variabel dan FET dikatakan beroperasi pada moda linier atau moda ohmik.
Jika tegangan cerat-ke-sumber meningkat, ini membuat perubahan bentuk kanal yang
signifikan dan taksimetrik dikarenakan gradien tegangan dari sumber ke cerat. Bentuk dari
daerah pembalikan menjadi kurus dekat ujung cerat dari kanal. Jika tegangan cerat-ke-sumber
ditingkatkan lebih lanjut, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber.
Pada keadaan ini, FET dikatakan dalam moda penjenuhan,[3] beberapa orang menyebutnya
sebagai moda aktif, untuk menganalogikan dengan daerah operasi transistor dwikutub. [4][5]
Moda penjenuhan, atau daerah antara linier dan penjenuhan digunakan jika diinginkan
adanya penguatan. Daerah antara tersebut seringkali dianggap sebagai bagian dari daerah
linier, bahkan walaupun arus cerat tidak linier dengan tegangan cerat. Bahkan jika kanal
konduktif yang dibentuk oleh tegangan gerbang-ke-sumber tidak lagi menghubungkan
sumber ke cerat saat moda penjenuhan, Pembawa muatan tidak dihalangi untuk mengalir.
Dengan menganggap peranti salur-n, sebuah daerah pemiskinan terdapat pada badan tipe-p,
mengelilingi kanal konduktif, daerah cerat dan daerah sumber. Elektron yang mencakupi
kanal bebas untuk bergerak keluar dari kanal melalui daerah pemiskinan jika ditarik ke cerat
oleh tegangan cerat-ke-sumber. Daerah pemiskinan ini bebas dari pembawa dan memiliki
resistansi seperti silikon. Penambahan apapun pada tegangan cerat-ke-sumber akan
menambah jarak dari cerat ke titik kurus, menambah resistansi dikarenakan daerah
pemiskinan sebanding dengan tegangan tegangan cerat-ke-sumber. Perubahan yang
sebanding ini menyebabkan arus cerat-ke-sumber untuk tetap relatif tetap tak terpengaruh
oleh perubahan tegangan cerat-ke-sumber dan benar-benar berbeda dari operasi moda linier.
Dengan demikian, pada moda penjenuhan, FET lebih berlaku seperti sebuah sumber arus
konstan daripada sebagai sebuah resistor variabel dan dapat digunakan secara efektif sebagai
penguat tegangan. Pada situasi ini, tegangan gerbang-ke-sumber menentukan besarnya arus
konstan yang melewati kanal.

PENGGUNAAN
FET yang paling sering digunakan adalah MOSFET. Teknologi proses CMOS
(complementary-symmetry metal oxide semiconductor) adalah dasar dari sirkuit terpadu

digital modern. Lapisan isolasi tipis antara gerbang dan kanal membuat FET rawan terhadap
kerusakan akibat pengosongan elektrostatik selama penanganan. Biasanya ini bukanlah
sebuah masalah setelah peranti terpasang. Pada FET, elektron dapat mengalir pada kedua arah
melalui kanal ketika dioperasikan pada moda linier, dan konvensi penamaan antara saluran
sumber dan saluran cerat agak merupakan keputusan sendiri, karena peranti FET biasanya
(tetapi tidak selalu) dibuat simetris dari sumber ke cerat. Ini membuat FET cocok untuk
mensakelarkan isyarat analog di antara kedua arah (pemultipleks).

DEFINISI JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)

Keluarga FET yang penting adalah JFET (junction field-effect transistor) dan
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan
kanal-N. JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol
arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P,
sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya penjelasan tentang JFET
(junction field-effect transistor) adalah kanal-N, karena untuk kanal-P adalah kebalikannya.

KONSTRUKSI JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR) KANAL N

Konstruksi dasar komponen JFET ( junction field - effect transistor ) kanal-N

adalah seperti pada gambar di atas. Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat
dari bahan tipe - N yang membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke

terminal yang disebut Drain (D) dan bagian bawah di hubungkan ke terminal yang
disebut Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal - N dimasukkan bahan tipe P yang di
hubungkan

bersama

sama

ke

terminal

yang

disebut

dengan

Gate

(G).

Prinsip Kerja Dan Karakteristik JFET Kanal N

Pada saat semua terminal JFET Kanal N belum diberi tegangan bias dari luar,
maka pada persambungan P dan N pada kedua gate JFET Kanal N terdapat daerah
pengosongan. Hal ini terjadi sebagaimana pada pembahasan junction dioda. Pada daerah
pengosongan JFET Kanal N tidak terdapat pembawa muatan bebas, sehingga tidak
mendukung aliran arus sepanjang kanal. Apabila antara terminal D dan S JFET Kanal N
diberi tegangan positip (VDS = positip) dan antara terminal G dan S diberi tegangan nol
(VGS = 0), maka persambungan antara G dan D mendapat bias negatip, sehingga daerah
pengosongan JFET Kanal N semakin lebar. Sedangkan persambungan antara G dan S daerah
pengosongannya tetap seperti semula saat tidak ada bias. Untuk membuat VGS = 0 adalah
dengan cara menghubungkan terminal G dan terminal S pada JFET Kanal N.
JFET Kanal N Dengan VGS = 0 Dan VDS >0

Dengan adanya VDS JFET Kanal N bernilai positip, maka elektron dari S akan
mengalir menuju D melewati kanal N, karena kanal-N tersedia banyak pembawa muatan
mayoritas berupa elektron. Dengan kata lain arus listrik pada drain (ID) mengalir dari sumber

VDS dan arus pada source (IS) menuju sumber. Aliran elektron JFET Kanal N ini melewati
celah yang disebabkan oleh daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan.
Kurva Hubungan ID Dengan VDS

Pada kondisi seperti pada gambar JFET kanal N dengan VGS = 0 dan VDS >0,
aliran elektron sepenuhnya hanya tergantung pada resistansi kanal antara S dan D. Lebih
jelasnya dapat dilihat pada gambar Kurva hubungan ID dengan VDS. Pada saat ini hubungan
arus ID dan VDS masih mengikuti hukum Ohm. Apabila tegangan VDS diperbesar lagi
hingga beberapa volt, maka persambungan G dan D semakin besar mendapat tegangan bias
mundur, sehingga daerah pengosongan JFET Kanal N semakin melebar. Apabila tegangan
VDS JFET Kanal N dinaikkan terus hingga daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan
bersentuhan maka aliran elektron akan jenuh yang disebut dengan kondisi pinch-off seperti
pada gambar dibawah. Pada kondisi ini (arus mulai jenuh dan VGS = 0) tegangan VDS
disebut dengan tegangan pinch-off (Vp). Kenaikan VDS sesudah ini tidak akan menambah
arus ID lebih besar lagi atau ID akan tetap, yakni yang disebut dengan IDSS (drain-source
saturation current). IDSS adalah arus drain maksimum pada JFET Kanal N dengan kondisi
VGS = 0 Volt dan VDS =|Vp|.

JFET kanal N dengan VGS = 0 dan VDS = Vp

Apabila VGS JFET Kanal N diberi tegangan negatip, misalnya sebesar VGS = -1
Volt, maka bias mundur untuk persambungan G-S maupun G-D semakin besar, sehingga
daerah pengosongannya semakin lebar. Dengan demikian untuk mencapai kondisi pinch-off
(kedua sisi daerah pengosongan bersentuhan) diperlukan tegangan VDS lebih kecil. Arus ID
JFET Kanal N akan mencapai titik jenuh (maksimum) pada tegangan VDS yang lebih kecil.
Namun perlu diingat arus bahwa arus jenuh pada VGS bukan nol namanya bukanlah IDSS.