Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as

porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos

polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin
llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N.

La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En
este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre
ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar
formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas
profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda
su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms
polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la

conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en

consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las
proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente
de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin
(pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de
estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi
saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra

ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin
se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener
la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.
El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la
conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin
puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por
esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
PARAMETROS DEL FET
La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la
puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de
puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e
Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico,
son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la
respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la

pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad,
como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs
de 1 voltio.
www.ifent.org/lecciones/fet/default.htm

tiristores

INTRODUCCION:
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan
como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores
ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el
voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2
polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn

La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn
1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin
de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal
de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor.

Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica v-i

Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control
sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera
una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente de

mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen
permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos
conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs
del dispositivo.

MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSITORES.

La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar
mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se
demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la
corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic =

IE + ICBO..(1)

La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente
del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir
de la ecuacin (1):
IC1 =

1 IA + ICBO1(2)

a) Estructura bsica
b) Circuito equivalente
Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales.

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar
para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 =

2IK + ICBO2(3)

Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al

combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 =

1IA + ICBO1 +

2IK + ICBO2.(4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en
funcin de IA obtenemos:
IA =

2 IG + ICBO1 + ICBO2.(5)
1 - ( 1 + 2)

ACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que
1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el
tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general
se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrnhueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga
puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4

Fig.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

TIPOS DE TIRISTORES.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en
general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
es.geocities.com/allcircuits4/tiristores.htm