LAB.

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Lunes: 10AM 12AM

G2

U.N.M.S.M
Facultad de Ing. Electrnica,
Elctrica y Telecomunicaciones
Cdigo de
matricula

Apellidos y Nombres

Arroyo Angeles, Alfredo Oscar

Chira Martnez, Jhonatan
Sovero Acosta, Erick Bonjovi
Fernandez Ludea, Mario
Curso

Dispositivos
Electrnicos
Informe
Final

15190100
15190003
15190040
14190083

Tema
CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (Silicio y Germanio)
Fechas
Realizacin

Nmero

Pgin
a1

Nota
Entrega

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Lunes: 10AM 12AM

I.
II.

26-09-16

Grupo

Profesor

G2 (Lunes 10-12am)

Ing. Luis Paretto Q.

TEMA: CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR (Silicio y

Germanio)
OBJETIVOS:

III.

19-09-16

G2

Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores

INTRODUCCIN TEORICA:

Diodo
Es el dispositivo electrnico semiconductor ms
sencillo, es unidireccional y se puede encontrar,
prcticamente en cualquier circuito electrnico. Se
fabrican en versiones de Silicio (la ms utilizada) y
Germanio (diodo Schottky).

de

En su interior, los diodos constan de dos zonas; N y P:

a) N: esta dopada con impurezas pentavalentes. Se
obtienen
electrones libres.
b) P: esta dopada con impurezas "Aceptoras",
trivalentes. Como el nmero de huecos supera el
nmero
de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los
minoritarios. Ambos estn separados por una
juntura
llamada barrera o unin; es de 0.3 voltios en el
diodo de
germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo de silicio. Puede comportarse
como un conductor o impedir el paso de la corriente elctrica, dependiendo de su
polarizacin.
Polarizacin Directa:
Pgin
a2

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Lunes: 10AM 12AM

G2

El diodo permite la circulacin de corriente slo cuando se encuentra polarizado en forma

directa, que es cuando el
terminal
nodo
tiene
polaridad
positiva
con respecto al terminal
ctodo;
en este caso, se dice que el
diodo se
comporta
como
un
conductor, y se produce una
circulacin de corriente por
el
circuito,
en
el
sentido
convencional.
Polarizacin inversa:
Cuando el diodo se polariza
en
forma inversa, (negativo en el nodo y positivo en el ctodo), a nivel prctico, ste se
comporta como un circuito abierto, es decir, no circula corriente. Pero realmente s existe
una cierta corriente, que por ser tan pequea no se considera a efectos prcticos. Dicha
corriente se denomina corriente inversa de fugas (IR), y es muy dependiente de la
temperatura. Su valor es del orden de nA en el silicio, y de mA en el germanio.

Diodos Rectificadores

Son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarizacin directa.

Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodos rectificar una seal. Los
hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje inverso que
pueden soportar.
Para convertir la corriente de A.C en C.C, se hace uso de los diodos rectificadores de
silicio; son muy utilizados en la actualidad. Los circuitos electrnicos que comnmente los
emplean son los siguientes:
a)
b)
c)
d)
e)

Conversores de corriente alterna en continua.

Fuentes de alimentacin.
Rectificacin en el circuito del alternador de automviles.
Como proteccin de tensiones inversas.
Cargadores de bateras.

Caractersticas de los Diodos Rectificadores en polarizacin Directa.

a) Tensin Umbral: Es la tensin necesaria para
resistencia que existe en la juntura p-n del diodo. En
rectificadores 1N4001-1N4007 es 0.6 volts, con un
0.7 volts.

Pgin
a3

vencer
la
los diodos
mximo de

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G2

b) Corriente Mxima con Polarizacin

Directa: Indica la mxima intensidad puede
soportar un diodo con polarizacin directa.
Sobrepasado este valor, se quema debido a una
disipacin excesiva de potencia.

c) Cada de Tensin con

Polarizacin Directa (Vf): Es la
tensin que disipa el diodo ya
comporta como una pequea
resistencia. Estos valores estn
directamente relacionados con la
potencia disipada y la corriente
mxima que puede soportar.

que se

d) Mxima disipacin de Potencia en Polarizacin Directa: Como ocurre con una

resistencia, un diodo puede disipar una potencia sin peligro de acortar su vida ni
degradar sus propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el diodo y
la corriente es igual a la potencia disipada por ste. Normalmente en diodos
rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya que toda la
informacin acerca de la destruccin del diodo (por calor) ya est contenida en el lmite
mximo de corriente.

Caractersticas de los Diodos Rectificadores en Polarizacin Inversa.

a) Tensin Inversa (VR): Son los valores lmites de la tensin que puede soportar el
diodo en estado de bloqueo.
b) Tensin Inversa de Ruptura: Es la tensin negativa, cuyo valor es capaz de
provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10
milisegundos, causando la destruccin del diodo.
Pgin
a4

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Lunes: 10AM 12AM
c) Tensin inversa de pico repetitivo
(VRRM): Es la mxima tensin que puede
soportada en picos de 1 milisegundo (ms),
repetidos cada 10 ms de forma continuada.

G2

ser

d) Corriente Inversa Mxima: Esta

corriente
inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial.
Como toda la corriente que alimenta un circuito debe pasar por los rectificadores de la
fuente de alimentacin, los diodos rectificadores deben ser capaces de disipar cierta
cantidad de potencia con el mnimo de "fugas" en inverso. Por lo tanto, generalmente se
fabrican mediante "uniones p-n para tener mayor capacidad de transporte, y con Silicio
(en vez de Ge), pues se puede usar a unas decenas de grados ms que el Ge. Adems,
las corrientes inversas de fuga (Io) son unas 1000 veces menores en los diodos de Si que
en los de Ge.

IV.
V.

MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR:

1. Una fuente de corriente continua de voltaje
2. Un multmetro analgico de CC.
Marca: Sew
Modelo: ST-505
N de serie: 9570634
Sensibilidad: 50K/V

ajustable.

3. Un miliampermetro
de DC.
Marca:
Modelo:
no
N de serie:
Sensibilidad:

analgico
Yokogawa
est claro.
85BAC231
0.1K/A

4. Un
DC.

microampermetro

Pgin
a5

analgico

de

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Marca: Yokogawa
Modelo: 205101
N de serie: 85BA0027
Sensibilidad: 1K /30A

5. Resistores fijos: 100

6. Diodo
semiconductor
de
Silicio
y
7. Un multmetro digital.
Marca: Fluke
N de serie: 79
8. Cables con conectores cocodrilo/ banano

VI.

G2

Germanio

(10)

PROCEDIMIENTO:

1.-Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la Tabla 1
2.-Armar el circuito de la Figura (1)
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro,
observar y medir la corriente y el voltaje directo
diodo, registrar sus datos en la Tabla 2 (Usar
miliampermetro)

del

R=100
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a) registrando los datos en la Tabla 3. (Uso del microamperimetro)
3.- Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los datos en la Tabla 4
4.- Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al paso 2, proceder a llenar las
tablas 5 y 6

VII.

DATOS OBTENIDOS. INTERPRETACIN:

Tabla N1 (Silicio)
R. Directa R. Inversa
()
()
544 Pgin >30M
a6

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Vcc(
v)
Id(m
A)
Vd(v
)

0.55

0.6

0.1

0.2

0.65 0.71
0.4

0.8

0.8

0.9
5

1.23

1.6

2.5

5.0

0.48 0.51 0.54 0.57 0.60

1
1
3
5
9

0.6
3

G2

1.55

1.76

8.0

10.0

1.97

2.26 2.77

12.0

15.0 20.0

0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.72

3
6
6
4
4
6

Tabla N2
Tabla N3
Vcc(
v)
Vd(v
)
Id(
A)

0.0

2.0

4.0

6.0

0.01

1.93
4

3.95

5.87

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

9.89

12.4
1

15.4

20.3
2

7.9
0

Tabla N4

(Germanio)
R. Directa
()
0.217

R. Indirecta
()
0.145M

Tabla N5
Vcc(
v)
Id(
mA)
Vd(
v)

0.2
4
0.0
0.1
69

0.
26
0.
2
0.
19

0.3

0.3
2

0.4
9

0.6

0.8
4

1.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

0.2
41

0.2
41

0.2
72

0.2
95

0.3
37

0.3
72

1.4
3
10.
0
0.3
91

1.6
5
12.
0
0.4
08

1.9
7
15.
0
0.4
31

2.5
20.
0
0.4
63

Tabla N6
Vcc(v
)
Vd(v)

0.
0
0.
1

1.0

2.0

0.95 1.93
1
9

4.0

6.0

8.0

3.9
7

5.9
4

7.9
1

Pgin
a7

10.
0
9.9
3

12.0

15.0

18.0

20.0

12.5
8

15.4
4

18.4
8

20.3
4

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Lunes: 10AM 12AM
Id(A
)

1.55 2.05

2.5

2.6

4.2

G2

4.4

5.6

10

VIII. CUESTIONARIO FINAL. DESARROLLO:

1. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos de las Tablas 2 y 3 (Si). Calcular
la resistencia dinnimca del diodo.
Grfico de la Tabla 2
25
20
15

Id (mA)

10
5
0
0.45

0.5

0.55

0.6

Vd
Grfico de la Tabla 3

Pgin
a8

0.65

0.7

0.75

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Lunes: 10AM 12AM

G2

1
0.9
0.8
0.7
0.6

Id (uA)

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0

10

15

20

25

Vd
Resistencia dinmica para el silicio:
Rd=

(0.7260.481)V
=12.311
( 200.1 ) mA

2. Construir el grfico Id=F(vd) con los datos de las Tablas 5 y 6 (Ge). Calcular
la resistencia dinmica del diodo.
Grfico de la Tabla 5

Pgin
a9

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Lunes: 10AM 12AM

G2

25
20
15

Id (mA)

10
5
0
0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

Vd
Grfico de la Tabla 6
12
10
8

Id (uA)

6
4
2
0
0

10

15

Vd
Resistencia dinmica para el germanio:

Pgin
a 10

20

25

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Lunes: 10AM 12AM

Rd=

G2

(0.4630.169)V
=14.773
(20.00.1) mA

3. Interpretar los datos obtenidos de las tablas.

-

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 2 podemos notar

que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un donde el
voltaje del diodo es casi estable.
El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3 observamos que
pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a travs de este no
aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarizacin inversa es muy
grande.
Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 5 se
dan las mismas observaciones.

Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 6 hay un cambio y se da el

paso de corriente a travs del diodo, debido a que este se encuentra
polarizado inversamente.

4. Exponer sus conclusiones del experimento.

-

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a travs de l
si es que esta en polarizacin directa, mientras que estando en polarizacin inversa la
corriente no lo har (idealmente).
Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir que idealmente es
nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente es del orden de los
microamperios (A) o nanoamperios (nA).
Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del diodo hecho del
silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza ms rpidamente la
regin de condicin en comparacin con el segundo.

5. Explicar los controles de operacin de la Fuente DC utilizada.

Pgin
a 11

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Lunes: 10AM 12AM
Del equipo: Fuente Regulada BK 1630; alimentacin 110-120 AC
salida regulada de 0v a 30v con regulacin de corriente de un rango
amperes

1.-Determina la corriente mxima seguridad para el

para ser encendido. Si ese valor es mayor que 0.5.A
modelo 1610 o superior para el modelo 1630 1.5.A,
interruptor HI-LO a HI. Si es inferior a estos valores,
interruptor HI-LO a LO.

G2

volts;
de 0 a 3

dispositivo
para
el
coloque el
fije
el

2.- Temporalidad toque la (+) y (-) de la fuente de

alimentacin, junto con un cable de prueba.
3.- Giro el control de Voltaje grueso lejos del cero
suficientemente para el indicador de CC.
4.- Ajustar el control de corriente para el lmite de
deseado. Lea el valor de la corriente en el
ampermetro.

corriente

5.- El limitador de corriente (sobrecarga proteccin) ha sido establecido. No cambie la configuracin

actual de control despus de este paso.
6.- Eliminar el cortocircuito entre el (+) y (-) terminales y se conecta la operacin de constante voltaje.

IX.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para
su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su
funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el
propsito de resolver algn problema.
Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan
en un solo tipo de diodo.

XI. BIBLIOGRAFA:
CIRCUITOS ELECTRICOS Dorf-Svoboda, 5ta edicin, Alfaomega grupo editor,
Mxico, 2003.
Pgin
a 12

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Lunes: 10AM 12AM

G2

TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELLECTRONICOS BoylestadNashelsky, 8va edicin, Pearson educacin, Mxico, 2003.

Pgin
a 13