Electronica Analogica

,
ELECTRONICA
,
ANALOGICA
Fernando Ramrez Rojas
!l\casa
abiertaaltiempo
Universidad Autnoma
Metropolitana
Azca potza leo
I
I
I
\
ELECTRONICA ANALOGICA
COLECCIN
LIBRO DE TEXTO
1993
El.lECTRONICA ANALOGICA
UNIVERSIDAD AUTONOMA METROPOLITANA
Casa ab,ella alliempo UNIDAD AZCAPOTZALCO
UNIVERSIDAD AUrONOMA METROPOLITANA

Rector General
Or. Gustavo A. Chapela Castaares
Secretario General
Dr. Enrique Femndez Fassnacht
UNIDAD AZCAPOTZALCO
Rector
Lic. Edmundo Jacobo Molina
Secretario
Mtro. Adrin de Garay Snchez
Coordinador de Extensin Universitaria
Jos Lever
Jefa de la Seccin Editorial
Mtra. Silvia Pappe
Diseo de portada
Luisa Martnez
Cuidado de la edicin
Ma. Emilia Gonzlez
ISBN 970-620-301-X
1993 Universidad Autnoma Metropolitana

Unidad Azcapotzalco
Av. San Pablo No. 180
Azcapolzalco, Mxico D.F., 02200
la. edicin, 1993

2. edicin, 2005
Impreso en Mxico
Printed in Mxico
CREDITOS
M. en C. Jerry Reider Burstin

lng. Vicente Yuri Plata Garnica
lng. M. A. Martn Gonzlez Ziga
lng. Carlos Ral Espinosa Olivera
lng. Hugo Julio Solano Cndor
lng. Nora Amaya Segura
En forma especial, agradezco el trabajo realizado por la Ing. Sara

Cruz Kato, ellng. Alejandro Altamirano Plascencia y Fernando
Acosta Crespo, quienes estuvieron a cargo de la redaccin, los
diagramas y la revisin de estilo respectivamente.

Mxico, D.F. a 22 de marzo de 1993.
INDICE
Prlogo
1. CONVENCIONES Y MODELO DEL TRANSISTOR
1.1
Factores de relacin para inecuaciones
1.2
Convenciones (nomenclatura)
1.3
Modelo del transistor bipolar de unin a seal grande
1.4
Regin de activa directa
1.5
Efectos capacitivos de la unin PN
1.5.1 Comportamiento de la regin de deplesin de una unin PN en polarizacin
directa y polarizacin inversa
1.5.2 Efectos capacitivos en el transistor en la regin de activa directa
1.6
Voltaje de rompimiento del transistor
1.7
Dypendencia de la ganancia en coniente del transistor debido a las condiciones de
operacin (nivel de corriente de colector y temperatura)
1.8
Parmetros de referencia para el transistor
1.9 . Modelo de peqnea seal para el transistor bipolar de unin
1.9.1 Definicin de pequea seal
1.9.2 Obtencin del modelo hbrido 1t en emisor comn
1.9.3 Efectos de la frecuencia en el modclo de pequea seal
1.9.4 Elementos parsitos en el modelo de pequea seal
1.9.5 Modelo completo de pequea seal para el transistor bipolar de unin
1.9.6 Modelo hbrido 1t simplificado para el transistor bipolar de unin
11. EL METODO DE PARALELOS APARENTES
11.1 Introduccin
11.2 Justificacin del mtodo
11.3 Restricciones
11.4 Anlisis tradicional de circuitos
11.5 Mtodo de Paralelos Aparentes
11.6 Anlisis de circuitos con el Mtodo de Paralelos Aparentes
111. PAR DARLINGTON
IlI.1 Introduccin
111.2 Transistor equivalente del Par Darlington
111.3 Polarizacin del Par Darlington
111.4 Anlisis en pequea seal del Par Darlington CC - CE
111.5 Anlisis comparativo entre un emisor comn y el Par Darlington CC - CE
IV. PAR CASCODO (CE - CB)
IV.I Introduccin
IV.2 Configuracin del circuito Par Cascodo
II
15
16
17
18
20
20
21
22
24
24
24
24
26
29
30
31
31
35
35
35
37
42
45
55
55
59
59
71
77
80
7
IV.3
IV.4
IV.S
IV.6
Anlisis en CD (polarizacin)
Anlisis en pequea seal
Anlisis comparativo entre un emisor comn y el Par Cascodo CE - CB
Circuitos con cargas activas
V. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONSTANTE

V.l Introduccin
V.2 Espejo de Corriente
V.2.1 Anlisis en CD [/" = F(l.))
V.2.2 Anlisis en CA [Clculo de r m , a pequea seal]
V.3 Caractersticas de la Fuente de Corriente
V.4 Espejo de Corriente Mejorado
VA.I Anlisis en CD [/" = F(l.)]
V.4.2 Anlisis en CA [Clculo de r,,,, a pequea seal]
V.S Espejo de Corriente Cascodo
V.S.I Anlisis en CD[I" = F(l.)]
V.S.2 Anlisis en CA [Clculo de r,", a pequea seal]
V.6 Fuente de Corriente Widlar
V.6.1 Anlisis en CD [/" = F(l.)]
V.6.2 Anlisis en CA [Clculo de r"" a pequea seal]
V.7 Fuente de Corriente como carga activa
V.7.1 Anlisis en CD
V.7.2 Anlisis en CA [Clculo de r,,,, y Av = V/Vi a pequea seal]
VI. PAR DIFERENCIAL (PAR ACOPLADO POR EMISOR)
VI.1 Introduccin
VI.2 Anlisis a seal grande
VI.2.1 Anlisis del comportamiento de le I e le"2 en funcin de V.,
VI.2.2 Anlisis del comportamiento de V"d en funcin de Vid
VI.3 Rango de Rechazo a Seales en Modo Comn
VI.4 Anlisis en pequea seal
VIA.l Anlisis del Par Diferencial en funcin de los voltajes de entrada y de salida
referidos a tierra. Clculo de la matriz A
VI.4.2 Anlisis del Par Diferencial en funcin de los voltajes de entrada y de salida
diferenciales y comunes. Clculo de la matriz~'
VI.S Razn de Rechazo en Modo Comn
VI.6 El concepto del Medio Circuito
VI.6.1 Anlisis en Modo Comn Puro
VI.6.2 Anlisis en Modo Diferencial Puro
VI.6.3 Anlisis de la resistencia de entrada
VI.7 Ejemplo de anlisis de un circuito Par Diferencial mediante el concepto del Medio
Circuito
11
81
84
88
90
95
97
98
100
100
103
103
104
106
107
107
109
109
110
1l l
111
112
117
119
120
122
124
126
127
131
136
137
137
142
146
147
VII. RESPUESTA EN FRECUENCIA

VII.l Introduccin
VII.2 Filtro pasivo de paso bajo de ler. orden (LP)
VII.3 Filtro pasivo de paso alto de ler. orden (l-IP)
VIIA Modelo hbrido 1t de alta frecuencia
VII.S Estimacin de la respuesta en frecuencia mediante el anlisis del circuito en frecuencias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas
VII.5.1 Anlisis a freeuencias medias
VII.S.2 Anlisis a frecuencias altas
VII.S.3 Anlisis a frecuencias bajas
VII.S.3.1 Efecto de los capacitores de acoplo eB y Ce
VII.S.3.2 Efecto del capacitor de desvo CE
VII.6 Mtodo de las Constantes de Tiempo para obtener la respuesta en frecuencia de sistemas electrnicos
VIII. RETROALIMENTACION
VIII.l Introduccin
VIII.2 Relaciones bsicas de los sistemas reU'oalimentados
VIII.3 Caractersticas generales de amplificadores con retroalimentacin negativa
VillA Tipos de amplificadores y sus modelos
VIII.S Conceptos de sistemas retroalimentados
VIII.S.l Topologa de amplificadores retroalimentados
VIIL5.2 Anlisis de las resistencias de entrada y de salida
Vlll.6 El amplificador retroalimentado real
VIII.6.1 Anlisis del bloque "P"
VIII.6.2 Identificacin de los puntos de muestreo y comparacin en circuitos con
transistores
VIII.6.3 Mtodo de anlisis aproximado para amplificadores retroalimentados
reales
Ejemplo I. Amplificador colector comn
Ejemplo 11. Amplificador emisor degenerado
Ejemplo 111. Amplificador con dos transistores
IX. AMPLIFICACION DE POTENCIA
IX.l Conceptos bsicos de la amplificacin de potencia
IX.2 Clases de operacin para amplificadores
IX.3 Clculos de la eficiencia para los amplificadores clase "A" y clase "B"
A.l
AmplifIcadores clase "A" con acoplamiento directo
A.2
Amplificadores clase "A" con acoplamiento por transformador
8.1
Amplificador clase "B"
IX.4 Amplificador de potencia clase "B" ("AB") en simetra complementaria
IX.4.1
Etapa de salida (amplificador de transconductancia)
IX.4.1.1 Circuito de prepolarizacin
IXA.1.2 Circuito Bootstrap
IXA.1.3 Fuentes de corriente como sustitucin del circuito Bootstrap
IX.4.1.4 Configuracin de la etapa de salida con Pares Darlington
155
160
164
169
174
177
179
188
189
199
212
231
231
232
235
236
239
245
249
251
257
261
262
269
277
287
289
289
289
292
295
298
299
302
312
319
320
9
IX.4.1.5
IX.4.1.6
IX.4.2
IX.4.3
Multiplicador de V. E
Configuracin de la fuente de alimentacin
Driver o pre-excitador clase "A" (amplificador de voltaje)
Mejoras al amplificador de potencia (cambio de topologa de transresistencia a topologa de voltaje)
IX.4.3.1 Ventajas del amplificador de voltaje comparado con el amplificador de
transresistencia
IXA.3.2 Amplificador retroalimentado de voltaje
IX.4.4
Mtodo simplificado de diseo de amplificadores de potencia en simetra
complementaria
1) Transformador [T,)
2) Puente rectificador [D" D" D" D.,)
3) Filtros de la fuente de alimentacin [CD)
4) Protecciones [FD)
5) Etapa de potencia [Q" Q,)
6) Excitadores clase "B" [Q" Q,)
7) Fuente de corriente [1,)
8) Multiplicador de V8E [QM' R'M' R'M)
9) Pre-excitador clase "A" [QA)
10) Par diferencial [QE ' Q; . lEE' R EE )
11) Bloque [3 de retroalimentacin [R,., RG , Col
12) Filtro de rizo superior [R x' Cxl
13) Filtro de rizo inferior [R, ,C,)
14) Filtros LP y HP [R 8D, C8D ' RLP CLP )
Lista de componentes
APENDICE A. EJEIl.CICIOS PROPUESTOS

I.
Modelo lubrido 1t para el transistor bipolar de unin
II.
El Mtodo de Paralelos Aparentes
III. Par Darlington
IV. Par Cascodo
V.
Circuitos de corriente constante
VI. Par Diferencial
VII. Respuesta en frecuencia
VIII. Retroalimentacin
IX. Amplificacin de potencia
APENDICE B. OBTENCION DEL MODELO HIBRIDO 1t EN BASE COMUN
Obtencin de modelo lubrido 1t en base comn a partir del modelo hbrido 1t en emisor comn
APENDICE C. PAR CASCODO
Anlisis de la ganancia en voltaje para varios casos respecto de la relacin
de ro y R uc
BIBLIOGRAFIA
10
323
324
325
331
332
332
336
339
339
340
341
341
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358
358
359
362
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367
369
369
370
371
371
374
377
381
387
389
PROLOGO
El estudio de la Electrnica Analgica, comprende desde el comportamiento de los semiconductores y la
unin "pn", hasta los modernos circuitos integrados lineales, que pueden procesar seales muy complejas.
El objetivo de estos apuntes es el de mostrar cmo f1lncionan los circuitos bsicos que conforman a los
Amplificadores Operacionales y a los Amplificadores de Potencia, es decir, slo cubren una parte de lo
que constituye la Electrnica Analgica.
La ubicacin de estos apuntes, en forma grfica, dentro del campo de la Electrnica, ser la siguiente:
~-e-m-ic-o-n-d-u-ct-o-re:J
c-==--]~=~
(DiOdO~
Unin PN
~-~-=J
Transistores bi polares
[ y de efecto de campo
ELECTRONICA
ANALGICA
-----=r
J
~~'";~~'[;;'"' I
Cir-cu~it~s-b--si-c-o-s
de un OPAMP
Apuntcs dc
clcctrnica analgica
discrctos basados
en el OPAMP
f~~g~~dOS J
- Cllcuitos
[
lineales
--..
!I
Estos apuntes se encuentran divididos en nueve captulos, los cuales se estructuraron de la siguiente
forma:
En el primer captulo se establecen las convenciones y el modelo electrnico del transistor que se
utilizan en el resto de los captulos,
El captulo 2 presenta un mtodo de anlisis de circuitos desarrollado en la Universidad Autnoma
Metropolitana Azcapotzalco desde el ao de 1984, el cual se ha venido enriqueciendo gracias a la
contribucin de profesores y alumnos de la Licenciatura de Electrnica. Esta es la primera publicacin de dicho mtodo de anlisis y se emplea mucho en la mayora de los captulos.
En los captulos 3, 4, 5 Y 6, se presentan y analizan los cuatro circuitos bsicos de acoplamiento
directo: Par Darlington, Par Cascodo, Reguladores de Corriente y Par Diferencial.
El captulo 7 muestra el anlisis de circuitos electrnicos desde el punto de vista de su respuesta en
frecuencia, presentando dos mtodos de anlisis: por circuitos elctricos a travs del anlisis de su
Funcin de Transferencia y mediante el Mtodo de las Constantes de Tiempo.
En el captulo 8 se presenta la Teora de Retroalimentacin aplicada a circuitos electrnicos,
mostrando detalladamente las tcnicas de anlisis empleadas.
En el captulo 9 se estudian los amplificadores de potencia, principalmente el Amplificador en
Simetra Complementaria. Se incluye tambin un Mtodo Simplificado de Diseo de Amplificadores
de Potencia en Simetra Complementaria.
Se incluyen tres apndices conteniendo el desarrollo del Modelo Hbrido "n" en base comn, un
anlisis del circuito de acoplamiento directo "Par Cascodo" y una serie de ejercicios propuestos sobre
los nueve captulos anteriores.
Hago notar que estos apuntes se han realizado gracias a la contribucin del M. en C. Jerry Reider Burstin,
y de varios profesores y alumnos de la Licenciatura de Electrnica de la Universidad Autnoma
Metropolitana Azcapotzalco, cuyos nombres aparecen en los crditos.
12
CAPITULO 1
CONVENCIONES Y MODELO
DEL TRANSISTOR
I.1 FACTORES DE RELACION PARA INECUACIONES

En la mayora de los anlisis de circuitos electrnicos, se presentan relaciones entre parmetros que
simplifican o facilitan el anlisis y la interpretacin de los resultados que se obtienen. Tales relaciones
corresponden a los casos en que un parmetro es "mucho mayor ()" o "mucho menor<)" que otro.
Sin embargo, para poder manejar estas expresiones en forma prctica, se necesita sustituir las relaciones
anteriores por un "factor conocido" que permita obtener valores definidos para los parmetros. Por
experiencia, se ha observado que un factor de 10 unidades cumple aproximadamente con las relaciones
propuestas.
Ejemplo:
l. Resistencias en paralelo
Si R, R, entonces se puede tomar
con lo cual se obtiene lo siguiente:
1, J
R,
a)R,IIR, = R,
b) 1 =1, + /, =/,
=:> R,
se comporta como circuito abierto viltual.
2. Resistencias en serie
Si R,R, tomando
R,2 IOR, 1
<;
+
V,
>
R,
- <+
+-
.se obtiene lo siguiente:
;> R,
a)R, +R,= R,
b)V=V+V,=V,
=:>
'<-
R, se comporta como corto circuito virtual.
15
3. Polarizacin de/lransislor bipolar de unin
a) Para R. ~"RE se puede tomar
b) Para 1,,
lB se toma
\1,.?IOI.
4. Respuesta en frecuencia
Cuando se dibuja el Diagrama de Bode (magnitud y fase) de un circuito, se considera que los polos y ceros
del sistema comienzan a tener efecto una dcada (10) antes del lugar (frecuencia) en que se encuentran, y
su efecto permanece constante una dcada despus del lugar en que se encuentran.
5. Constanles de tiempo y periodos de seales

En algunos casos, se desea que un capacitor se comporte como fuente de voltaje, lo cual se logra haciendo
que la constante de tiempo de descarga del capacitor sea "mucho mayor ()" que el semiperiodo de
alguna seal (T/2):
't
= R.C. T/2 se puede tomar
1.2 CONVENCIONES (NOMENCLATURA)

Por convencin y para que los anlisis presentados en estos apuntes sean claros, se propone la siguiente
nomenclatura para indicar algunas caractersticas de las seales:
- - _ Variables de AC (seal grande o pequea seal, dependiendo
del contexto)
- - _ , Variables de DC (polarizacin, constantes)
_ _ _, Variables totales (AC + DC)
16
Ejemplo:
.. t
1.3 MODELO DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION A SEAL GRANDE

Definicin de seal grande
Se considera un anlisis de seal grande cuando el comportamiento dcl transistor es no-lineal, es decir,
cuando la relacin entre ( y VI" es no lineal.
El modelo matemtico del transistor bipolar de unin es el que corresponde al Modelo de Ebers-Moll
para seal grande.
BO~-
17
Activa directa
Rompinent(}
',.
Saturacitn
('f...>-+--+--.-J
Rompimiento
Activa Inversa
1.4 REGION DE ACTIVA DIRECTA

En la regin de activa directa, que es donde el transistor se emplea como amplificador, la corriente de
colector est controlada por el voltaje de la unin base-emisor mediante la relacin:
Obsrvese que la corriente de colector no slo depende del voltaje base-emisor, sino que tambin
depende del voltaje colector-emisor.
Explicacin de la dependencia de lc con el V IIE y VC/i

/c
= F( V/lb)
En el transistor, el emisor presenta un dopado muy fuerte, la base un dopado medio y el

colector tiene un dopado ligero. Adems, el ancho de la base es pequeo comparativamente
con el ancho del emisor y del colector.
Al operar el transistor en Activa Directa, la unin BE se polariza en directa y la unin BC
en inversa. Cuando el emisor inyecta portadores a la base, stos se convierten en portadores
minoritarios, que son afectados por la polarizacin inversa de la unin Be, constituyendo
el flujo de estos portadores la corriente de colector.
Ejemplo:
n++
E-----1
p,,~
,
,"
p+:
,\.......-- n1'1
: '
)'~
.' ............
:
( VII' I > VII'n )
"
I-
VBE
/c
BE - - - - ,
1
18
/p"
c,----'
Para un VOE se tiene una eierta eoneentracin de portadores en la base, y aquellos que
son "eubiertos" por ta regin de deplesin de la unin BC, eonstituyen la eorriente de
eoleetor le .
"
Si el voltaje de la unin BE aumenta (VnE > V. E.), aumenta la "pendiente" de la distribucin

de portadores minoritarios en la base, cJn lo eual aumenta el "rea" cubierta por la regin
de deplesin de la unin BC, aumentando as la eorriente de coleetor a le > le .
I
'ti
le = F (Vet:) Al variar el voltajeeolector-emisor, se altera el ancho de la regin de deplesin de las uniones

BE y BC, eon lo eual el aneho efectivo de la base se altera y la reeombinaein que se produee en
ella tambin vala, afectando el nivel de la con'iente de base y el nivel de la corriente de coleetor.
Si la corriente de basc se mantiene constante (eon algn cireuito externo al transistor), al

variar el voltaje colector-emisor, variar el ancho de la regin de deplcsin de la unin BC,
alterando el nivel de la corriente de eolector eomo lo muestra la grfiea de ir vs 1'('1; y la
ecuacin del transistor.
____-"'<:,"-~::cc---:.:.c.
-'
II~-----
----1-
.Vet::
Se observa qll~ la prolongacin de las curvas de ic vs "n: ' eOlia al senlieje negativo de v o :
en un punto que corresponde al voltaje de EARLY (V).
19
1.5 EFECTOS CAPACITIVOS DE LA UNiN PN

1.5.1 Comportamiento de la regin de deplesin de una unin PN en polarizacin directa y
polarizacin inversa
Concemracin de Portadores
+
P
+
+
Concentracin de Portadores
- +
+
~p"J
- +
+
_ _ _~-'--~'-'-~L~
Cj
ID
"'t.
Id<I,
20
lI
+ " .... X
J
a; VD
(,>(.
-+----+J-J f-l
Polarizacin inversa iD ~ 1,
En polarizacin inversa se fonna la capacitancia de juntura (C), debida a la carga manifestada por las
impurezas ionizadas dentro de la regin de carga espacial. La dependencia dc esta capacitancia con el
voltaje aplicado es:
I
I
I
---+.
'Va
_ _ _ _ _ _ _ _ _-L _ _L-._ _LI
'Va
2
donde:
Cjo
VD
'Va
VD
== Capacitancia de unin sin voltaje aplicado (VD == O).

== Voltaje aplicado a las tenninales de la unin pn.
Potencial de la Barrera de Potencial de la unin pn.
Polarizacin directa (iD ~ Id)

En polarizacin directa se forma, adems dc la capacitancia de juntura, la capacitancia de difusin Cd
debida al exceso de portadores que aparecen a ambos lados de la regin de carga espacial (fuera de la
regin de carga espacial). La capacitancia total es la suma de las capacitancias Cj y Cd
1.5.2 Efectos capacitivos en el transistor en la regin de activa directa

En el transistor se presentan los siguientes efectos capacitivos:
Unin BE
Esta unin se polariza en directa, por lo que presenta dos efectos capacitivos: Cj y C d
~'
'1
n++
'\
I
~
""1,
Cj .. _ _ _
p+
\~p
~Q
Ch~f--21
En el dibujo se tiene que:

Cj = Cj <
C" = C,
Capacitancia de unin del emisor

- Capacitancia de base
Unin BC
Esta unin se polariza en inversa presentando solamente el efecto capacitivo C~ .
1.
p+
1
I
I
yf-l
n-
~C
Cl'
En el dibujo:
e =e )
Capacitancia de unin del colector
1.6 VOLTAJE DE ROMPIMIENTO DEL TRANSISTOR

Los transistores de baja potencia tienen una base delgada, con lo cual se logran betas (~ = le /1 B) elevadas,
pero el voltaje de IUptura VegO es pequeo. Esto se debe a que el voltaje de mptura se produce cuando la
regin de deplesin de la unin BC alcanza a la regin de deplesin de la unin BE (el ancho efectivo de
la base es cero), y como el ancho fsico de la base es pequeo, el voltaje de mptura se presenta a un valor
pequeo.
Transistor de baja potencia
1
E
h
W
r
l
I I
Ancho reducido
22
-L---=======t=-!-------.v CE
VCEO
> l
Los transistores de potencia tienen una base muy ancha, presentando betas (~= le/ls) pequeas, pero
el voltaje de ruptura V CEO es elevado. Esto es as porque las regiones de deplesin de las uniones Be y BE
requieren de un voltaje muy elevado para unirse en la base (ancho efectivo de la base igual a cero), debido
a que el ancho fsico de la base es grande.
Transistores de potencia
B
<---Ia~
+.
~-~C
---------~
Aneho grande
.-c-----j
1.7 DEPENDENCIA DE LA GANANCIA EN CORRIENTE DEL TRANSISTOR DEBIDO A LAS CONDICIONES DE OPERACIN (NIVEL DE CORRIENTE DE COLECTOR Y TEMPERATURA)
125C
25C
_ - - - - - - - - - - . . -55C
-L----j---t--------t-------.le (mA)
.01.1
10
lOO
Ganancia de corriente esttica
Ganancia de corriente dinmica (de pequea seal)

La beta del transistor ~ = le IIB no es un parmetro constante. Su valor depende del tipo de transistor y de
las condiciones de operacin del mismo, como puede observarse de la grfica anterior.
1.8 PARAMETROS DE REFERENCIA PARA EL TRANSISTOR

Con el fin de analizar cuantitativamente los circuitos que se presentarn, se supondr que los parmetros
del transistor empleado en la mayora de los anlisis tienen un vaior promedio dado por las siguientes
cantidades:
VA~
lOO v
V BE = 0.6 v
VeE
SAY
= 0.6 V
Estos valores se considerarn posteriormente como "Valores de Referencia".
1.9 MODELO DE PEQUEA SEAL PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN

1;9.1 Definicin de pequea seal
Se considera un anlisis en pequea seal cuando el comportamiento del transistor es lineal, es decir,
cuando la relacin entre (y v., (componente de AC) es lineal.
24
(No lineal)
(Lineal)
Como se observa, para que la relacin entre ic Y v'o sea lineal, se requiere que las variaciones
de i c Y V BE sean pequeas. Esta condicin sc puede obtener matemticamente a partir de la relacin entre
i c Y V OE de la siguiente forma:
1-,= 1CQ
e"""
Haciendo Vi = vh, Yexpandiendo por series de potencias:
como i, = i c - 1CQ entonces:
"
~
VT
Vi
l~
+ 2: VT 2
2
Vi
l!g
+ 61 V -,v-. + ...
r
25
Si s~ cumple que v,VT (VI' = 25 mV @ To ,"' 125CJ ). ~ntonces los factores
V,. elevados a potencias
de 2 o mayores, tendern a cero y el trmino que domina ser el trmino lineal para
leQ
1,- =-V.=g
V.. . '
"" V
porque
(3..)"_
Vi'
VI'
para n = 2, 3, 4, ...
Por lo tanto, el modelo de pequea seal para el transistor depender de donde se encuentre el punto
de operacin Q del transistor.
1.9.2 Obtencin del modelo hbrido lt en emisor comn
le
~ _
80>------1
....-------oC
+
VeE
E
Los parmetros gm' r., r" y r" del Modelo Hbrido lt, se obtienen a partir del Modelo de Ebers-Moll para
seal grande. El procedimiento consiste en encontrar la pendiente de la tangente al punto de operacin
definido en las curvas i e vs v' i. vs v i e vs vCE e i. vs vCE respectivamente.
A continuacin se presenta el desarrollo matemtico para cada uno de estos parmetros:
Transconductancia (gm]
Definicin
die \
gm=-dv v
BE
26
L-"
=0
UJ
Valor de la g", en el punto de operacin "Q"
Resistencia de entrada [r.l

Definicin
'O
.L._==:'--
V 81:
Valor de la r. en el punto de operacin "Q"

27
Resistencia de salida [rJ

Definicin
__=
VA
...L
-... V
Cfi
_!S&
!'J.l
c
=--
I ~A I
r" =
I,v
!'J. V8E
VA
<ti
Valor de la r" en el punto de operacin "Q"
CQ
Resistencia entre colector y base [r.l

Definicin
...L------------~VCE
I
28
r. = l3"r"
Valor de la r. en el punto de operacin "Q"
En circuitos integrados, se pucde lograr que los transistores prescnten una resistencia entre colector y
base (r") mucho mayor que el producto ~oro' Por tanto, ser importante especificar si cl valor de esta
resistencia corresponde a un transistor discreto (r" = ~oro)o a un transistor integrado (r, ~"ro)
1.9.3 Efectos de la frecuencia en el modelo de pequea seal
El comportamiento del transistor (en pequea seal) en funcin de la frecuencia, se modela mediante las
capacitancias C" C"' y C'" A continuacin se explican dichas capacitancias:
Capacitancia de base [C,l

Esta capacitancia se elebe a la capacitancia ele juntura elel emisor Cj , y a la capacitancia de elifusin elc la
base Ch'
E.----1
1
:~
I
I
I
I
I
I
~u
e:,
Cb
-------"
Capacitancia de colector [C.J

La capacitancia ele colector se elebe a la capacitancia ele la juntura base-colector.
I
I
I
I
I
I
I
I
yp
h
~
"
29
Capacitallcia de slIbsfralO
l C..J
Esta capacitancia se forma entre el colector y el substrato o cucrpo del transistor dc la unin colector
substrato.
\.~
,,
p
\.
1 )1 1
Il
\..p
---
---
- - -- - -
Substrato
=== /,~c",
1.9.4 Elementos parsitos en el modelo de pequea seal

Las resistencias asociadas a los contactos metlicos de las terminales del transistor. constituyen los
elementos parsitos del mismo.
B
<
rh
.
E
30
[ex
r
l
h
J
"r
l.
1.9.5 Modelo completo de pequea seal para el transistor bipolar de unin
r
b
re'
r"
Bo--
C
~ g",v,
rr
Ir"
Ea---
VA
r =-
"
1CQ
r~
= flPo r o
oE
c,'
C",,=la3pf
r,.,
=0.2alJf
.
r" = 50 a 5000
=0.2 al pf
r, = 20a 5000
1111
1("
l a 3Q
1.9.6 Modelo hbrido 1t simplificado para el transistor bipolar de unin

A frecuencias medias las reactancias de las capacitancias Crr y C" son muy grandes comparativamente con
los valores dc 11"" y 1I por lo que se considerarn como circuitos abiertos.
Las resistencias debidas a los contactos metlicos de las terminales, presentan valores muy pequeos
r.r r,
respecto a los valores de r
11
r " y r 1I , y se considerarn cOlno corto circuito.
31
El modelo hbrido TI: simplificado ser el siguiente:
r.
I
+
VI
fr,
--l\/V'v--
I
I
c1gm
V,
~r"
Modelo h(brido 1t simplificado para el transitar bipolar de unin
r. se tomar en cuenta solamente cuando su valor sea del mismo orden que las resistencias resultantes
del circuito que se analice. De lo contrario se considerar como circuito abierto J' ~ !JI'"
R.
(r
32
r).
CAPlfULOl1
El. METODO DE PARALELOS
APARENTES
11.1 INTRODUCCION
El Mtodo de Paralelos Aparentes que se presenta a continuacin, es un mtodo de anlisis aplicable a
circuitos que funcionan en seal pequea y que contienen uno o varios elementos activos (transistores o
vlvulas), pudiendo representar a dichos elementos por el modelo hbrido n o algn modelo equivalente
a ste. Lo anterior permite trabajar con transistores bipolares de unin (Bn), transistores de efecto de
campo (JPET y MOSPET) y con vlvulas al vaco (TRIODO, TETRODO y PENTODO).
Principalmente, con este mtodo, se pueden obtener fcilmente los valores exactos de las resistencias
de entrada y de salida de cualquier circuito que contenga los dispositivos anteriores. Tambin, como una
extensin de las aplicaciones de este mtodo, es posible determinar en forma sencilla la ganancia de voltaje
(valor exacto) de los circuitos.
.
1I.2 JUSTlFICACION DEL METODO

Este mtodo fue desarrollado durante el trimestre 84-0 en la Universidad Autnoma Metropolitana
Azcapotzalco como consecuencia de la imparticin del curso de Electrnica IV, Yde la necesidad de contar
con una forma de cxposicin de la materia que fuera lo ms sencilla, clara y exacta posible respecto al
anlisis de los circuitos que contienen el curso.
El Mtodo de Paralelos Aparentes evita el desarrollo algebraico que implica el planteamiento de los
sistemas de ecuaciones y su solucin, permitiendo encontrar fcilmente los resultados exactos de las
resistencias de entrada y salida y de la ganancia en voltaje, a partir de los circuitos completos (caso general)
que se analizan, facilitando la interpretacin de los resultados y, adems, se pueden obtener todos los casos
particulares que de dichos resultados se deriven.
1I.3 RESTRICCIONES
La aplicacin del mtodo se restringe a circuitos que cumplan con las siguientes condiciones:
1. El circuitofunciona a pequea seiJa/. Esto permite que los dispositivos activos se puedan representar
por un modelo lineal.
2. El circuito funciona a frecuencias medias. A frecuencias medias la magnitud de las reactancias
asociadas a los efectos capacitivos e inductivos del circuito, es mucho mayor que el valor de las
resistencias del mismo, pudiendo considerar de esta manera que el circuito presenta un comp011amiento resistivo.
3~ Se puede llevar al circu.ito a UlUl topologta formada por dos vell/anos cuyos elementos sean
resistencias y una o dosfuemes de voltaje controladas. Si el circuito contiene varios dispositivos
activos de tal forma que se tengan ms de dos ventanas en el circuito completo, se proceder a
analizarlo por grupos (topolgicos) que contengan dos ventanas y que cumplan con la presente
restriccin.
Con base en lo anterior, se presentan a continuacin los modelos de los dispositivos activos (transistor
y vlvulas) que se usarn en las secciones siguientes:
Modelo para el Transistor Bipolar de Unin (B.JT)
,-----,----oc
80--,
+
rn
r"
..tu ::;:;g", r"
Modelo para el Transistor de Efecto de Campo (.JFET y MOSFET)
Ge>--
,-----'t------{) D
r"
Modelo para la Vlvula al Vaco (TRIODO, TETRODO y PENTODO)
Go-----,
r-----,-.-~p
r"
(*)
Este parmetro " ~ " no existe para el transistor de efecto de campo ni para la vlvula al vaco. Se
define solamente para completar la "analoga" con el modelo BJT.
Se supone que existe una analoga directa entre los parmetros de los modelos anteriores. La analoga es:
36
-~r~-
BlT
--
I----~-_.-
----~-----
lFET o MOSFET
Vlvula al vaco
-'---~r-------
----~~------
r
__.. __ .~_,L
r"
r"
v"
v,
v,
1-----------
--~-
" ----
--------
~---~~-- ~---- I-------~ -~~--
-----'-p "
--~--
f----
1----------
11
11
I1.4 ANALISIS TRADICIONAL DE CIRCUITOS

Por anlisis tradicional se entender el planteamiento y solucin de los sistemas de ecuaciones correspondientes al circuito que se estudia (por el mtodo de corrientes de maBas o voltajes nodales), o bien, se
puede trabajar con el circuito reducido a paltir de ciertas aproximaciones que se propongan.
A continuacin se presentan los resultados obtenidos con este tipo de anlisis para tres de las
configuraCiones bsicas del BJT: Base comn, Colector comn y Degeneracin de emisor (la configuracin de Emisor comn no se muestra por lo simple que resulta su anlisis). Aun cuando estos resultados
se refieren a configuraciones bsicas del B.JT, esto no impide que los mismos resultados (con las
sustituciones correspondientes) se puedan aplicar a circuitos con transistores de efecto de campo o
vlvulas.
Configuracin de Base Comn

Circuito en AC
r ",1
e
+
+
V,'
r'-.J
v,
B
L---------<O>---------+------()--'
37
Circuito a Pequea Scal
g",v
R.'
Circuito Equivalente
--_J\
R:
\--+~O--~-{+-)--./\f',I\---c>----t----.
+-
+
Vi
V,
V"
+
B
Valores exactos obtenidos por el anlisis de las corrientes de malla del circuito:
(R lAc + rJ r,
r - ------''---'''''---'''-''- - R
+ r" + r, (1 + .t)
LAC
R'+r
.<
,
Resultados particulares obtenidos de las expresiones anteriores:

38
R 1AC
r_
,
~--
gm
1-1"
r,o' ~
R: (1 + 1-1" ) + r"
r.w/
!JI!
~ rl
1-1
r
(>
Configuracin de Colector Comn

Circuito en AC
r..ul
r;
R'
.~
vvv
-D~
+
-.
E
B
+--
+
v
v.,.' "-'
"
v;
>R
LAC
--
_L
Circuito a Pequea Seal
r,uf
r,
v,
R..'
~-----A, \ ~--()-----Ie-- ...----,+----,
+
v,
'-----------<O}-----------
39
Circuito Equivalentl'
r,
r-_'I /,'
r.,u
\~_-+_--c>--<lB>-----'\l\rn.l\r_.-.;Ei-_-{)---+_~
+ v,
RlAC
Vi
'---------0---
Valores exactos:
r ::::::
R ,AC [rn + r" (1 + P" ) l + r" r n
r
,.1
Resultados particulares:
r sal =8m
40
=__r-""-O[_R-,,-_:_+_r2n~l_ _
R: + r n + r" ( 1 + p" )
Configuracin con Degeneracin de Emisor

Circuito en AC
+
v,
v"
Circuito a Pequea Seal

r .1"<1/
r,
R.,'
r,
+
v,
v,
v"
RlAC
Circuito Equivalente
'~d
~_",R,,:,\~---r>--~--_~--'-"<B--------A,r\,/\~~~E-~~I--_~
+
----
VI
-'
41
Valores exactos:
[ Y,
+ R uc + Y" ( I + ~" ) ] + Y,
( r"
+ R'AC)
Y" +R'AC+ Re
Y.<<JI
RE [R;
A v - RE [
+ Y, + Yo ( I + ~" ) ] + Y"
R.~' + rrr + RE
+ Y,)
[R_AyJ
LAC
Y,
(R:
tJ""
+ R uc + r" ( I + ~" ) ] + Y, (
r"
+ RLAc )
Resultados particulares:
11.5 METODO DE PARALELOS APARENTES

Este mtodo se puede aplicar para analizar cualquier circuito que contenga uno o varios elementos activos
(transistores o vlvulas). El anlisis consiste en obtener directamente las expresiones de las resistencias
de entrada y de salida del circuito completo o de cada etapa de ste.
Apoyndose en los resultados anteriores, se puede determinar tambin la ganancia en voltaje del circuito
total o de las etapas del mismo, aplicando divisores de voltaje entre las resistencias reales y equivalentes
de la configuracin. Esto resulta ms sencillo que el anlisis por malla o por nodos.
El nombre del mtodo se justifica por los resultados que se obtienen al aplicarlo, ya que las expresiones
correspondientes a los valores exactos de las resistencias de entrada y salida aparentan ser un paralelo
exacto de las ramas que forman una de las ventanas del circuito. El paralelo exacto "desaparece" debido
a la existencia de la fuente de voltaje controlada, la cual introduce los factores I + }. o l + 11., segn sea
el caso, los cuales transforman el paralelo exacto en paralelo aparente.
42
Explicacin del mtodo
Se definen las resistencias R, YR, de la siguiente fOTIlla:
o sus equivalentes
o sus equivalentes
La explicacin del mtodo queda resumida en los siguientes pasos y reglas:
Paso 1
Dibujar la topologa del circuito de tal fOTIlla que presente dos ventanas formadas por resistencias y una
o dos fuentes de voltaje controladas.
Ejemplo:
Regla l. El factor I +~" slo podr afectar a la resistencia r" (o su equivalente), mientras que el factor
I + /.1" slo podr afectar a la resistencia r" (o su equivalente).
Paso 2
Escribir la expresin de la resistencia equivalente que se quiera calcular. considerando que la fuente de
voltaje controlada se pasiva (se iguala a cero). Esta expresin contiene el paralelo exacto de las ramas
de la ventana que forma el circuito.
Ejemplo:
ri
+
v
/.1y,
+-
v,
R,
r.,..
R,
R1AC
43
r,=R, 11 1R,+R"cJ=
"
R, [ R, + N,." I
.
R,+R,+R,~\(
r",,=R,+R, 11 R:=R,+
R,R:
_.!........!.......
R,+R:
El paralelo exacto se destmir al considerar el efecto de la fuente dc voltajc controlada.

La aplicacin de las siguientes reglas se basa en la posicin relativa que tengan las resistencias
R, y R, (en la topologa formada por las dos ventanas), a paltir del par de terminales en las que se quiera
conocer la resistencia equivalente.
Por ejemplo, en la siguiente configuracin:
r,u/
r
~ty,
R'
A ;;' A
R,
V V V
...-
-+
v:9
>
R,
V,
<
;>
Rle
='=
1. Para r,,. R, est en serie con la ventana que contiene a R,.

2. Para r. R, est en paralelo con la rama que contiene a R,.
Regla 2. Si R , (o R,) est en serie con la ventana que contiene a R, (o R, ). se afecta R, (o R ,) (la
resistencia contraria de la serie) por su factor cOITespondiente en el numerador nicamente.
Ejemplo:
r,ml
J.l"V I
+
R:t
VI
R,
=..:=44
R,
r,"OR,+
.W
R:' R, FACTOR
R' + R
.'
Regla 3. Si R, (o R,) est en paralelo con la rama que contiene a R, (o R, l, se afecta R, (o R2 ) (la misma
resistencia que se toma como referencia para el paralelo) por su factor correspondiente en el denominador
nicamente.
Ejemplo:
L
v,
11,,1',
R,
~R'"
R,
=-
R,
[
= R, + R
l R, + R1AC ]
1AC
+ R,
[';'CTOR
11.6 ANA LISIS DE CIRCUITOS CON EL METODO DE PARALELOS APARENTES

A continuacin se presentan varios circuitos con transistores bipolares de unin analizados con el Mtodo
de Paralelos Aparentes. Nuevamente se repite que el procedimiento de anlisis es vlido tambin para
circuitos con transistores de efecto dc campo o con vl vulas al vaco.
Configuracin de Base Comn

Paso 1
~--A.R/\: ~
+
V,
",
r .'<11
+
'----------------0--.-+-----------(:>--'
B
45
Paso 2
r~r
11 [ .
'" +
R
IAC
r[r+R .]
] =' "
{,le
rf( + r" + R1AC
R' r
IIR'=r+'
.'
" R .,-' +rIt
Valor exacto para r i (regla 3):

r. [ r"
r"
+ R IAC ].
+ R{,C + r. ( 1 + ~" )
Valor exacto para r",{ (regla 2):

r
=r
.,,,1,,
R:
r. ( l + J.l" )
+ -::.-.::..~_:....:~
R' +r
.'
Il
Ganancia en voltaje (valor exacto) por divisores de voltaje:
=-':':-
A
v
v"
R LAC ( l + ~,,)
r" +R LAC
Configuracin de Colector Comn

Paso 1
ri
R'
.'
r.w<l
Vi
46
"
R IAC
Paso 2
+ R '] = Ro [ r. + R,.']
[r
n
.<
r+r+R'
o
.<
lI:
Valor exacto para ri (regla 2):
r. = r + RUlC ro ( I + ~" )
,.
R
LAC + ro
Valor exacto para r,., (regla 3):
r
'O,
ro [r. + R:]
= ---'~"---'-~r+R'+r(I+A)
n
.<
()
1-'"
A = v" =
v
Vi
(r" 11 R UlC ) ( I + ~o)

r. + (r" 11 R LAC ) ( I +~,,)
Configuracin con Degeneracin de Emisor

Paso 1
r,
r ., .. /
+
Vi
V"
---{)-------.+-------o--'
47
Paso 2
r,=r,+R E 1I [r,,+RlCl
r,,,,=r,,+R E 1I [r,+R:]
r
_"'/
=r
"
Re [r, + R:]
+ ---"'----"--'--'-
R.+r
+R'.'
1:
n:
Valor exacto para r, (regla 2):
= r + R" [R + r" ( l + [3" )]
LAC
'J'(
RI; + R'AC + r"
Valor exacto para r,ol (regla 2):

r.
= r + RE [ R: + r, ( I + fl" )]
.",1"
R +R'+r
F.
.'
R
EQ
=r
_ r
"
= RE [ R
LAC + r" ( I + [3" )]

R I::LAC
+R + T"
Las expresiones de las resistencias de entrada y de salida y de la ganancia en voltaje para cada una de
las configuraciones anteriores, coinciden con los resultados que se obtienen empleando el anlisis
tradicional. Para comprobarlo es necesario reacomodar las expresiones de manera que presenten la misma
estructura.
A partir de los resultados encontrados por este mtodo (resultados exactos), se pueden obtener todos
los casos particulares que se deriven de stos, sustituyendo las aproximaciones correspondientes en cada
expresin (por ejemplo: ro RLAC ; R: r., etc).
Aplicacin del Mtodo de Paralelos Aparentes a circuitos con dos o ms transistores
Configuracin de Par Diferencial
Como ejemplo para mostrar la aplicacin de este mtodo al anlisis de circuitos ms complicados, se
presenta un circuito par diferencial con cargas activas y fuente de cOlTiente. Se obtendrn los valores de
r, ' r", y A,", en modo comn puro.
,.
48
t'
Q7
V
v. ()-"
",
Q,
Q,
\----<)
r=r=r=r
v.
(/1
"4
"2
(15
'2
r"1
,----i----r
= r = 2r
"2
":,-
"~
Q,
Al analizar el circuito en modo comn puro, se puede aplicar el concepto del medio circuito. Por lo
tanto el circuito de pequea seal queda como sigue:
Paso 1
e,
\r-'--o---,---o..J
",
+
r
",1
o------+---------o--'----{)
Paso 2
r " =r 11 +r"1 11 [r <JI +rJ4 ]
1
r"",
= Ir",
11
[R/ + r'l
J\
1I
r"4
Valor exacto para r" (regla 2):
=r
"1
[r
"4
+ r {JI (1 + 13 " )]
+ ---'--~---'------',!tI
r +r +r
,,]
04
"1
r.
,." = .11
r + r"1
1
[\3" 3+~]
49
Valor exacto para
r"",
(regla 2):
=r
r
.'''',
11
"4
1Ir +
"l
[R'~!tl
+ r (1
+ 11" )]
r"1 +R'' +r11
"1
Ganancia en voltaje por divisores de voltaje:
R,
I;Q
=r
+2]
1>.
_P,-,-
"1
CO/lfiguracin de Par Darlington
Como ltimo ejemplo, se aplica el Mtodo de Paralelos Aparentes, a una configuracin de Par Darlington,
en forma traslapada, es decir, se analiza la posicin relativa de las resistcncias r Y r .. ' y despus, la
posicin relativa de las resistencias r1[2 y r"2 ,como si fueran dos mallas independien~es, '
K
r1[60
R,
C'iO
so
->
...t."l ::;: J.l"2 ::;:
r /tI = ~ " X
rl
Q,
R1A ("
r"1 = ~ ""2
r
Eo
-
gm,
gm,
=13
"
Paso!
r
EO
"EQ
",
R.'
+
v, rv
1l",V,
r
+
+-
v,
v.,
v,
",
+
rK,
r"2
v"
+ !J."2 v2
50
~.., = ~'" =~..
Q,
v,
Jl
"EQ
R LAC
Paso 2
Para RUle
-~.
se tiene:
[1'", +1',,') ]
l'
= l' +
l'
ICt:Q
1f2
.
r +r +r
ni
"2
l'
"EQ
Valor exacto (parcial) para
l'
= l'
[1' "1 + l'11
11
"2
(1' /tI + R ., )]
11
2
(regla 2 aplicada a l'/tI y
ll EQ
l'
r
:lJ:/j
=r
l'
n~
l' ):
"1
)]
[1'": + l'"1 (1 + f~ "
L:~
r +r +r
III
n~
Valor exacto (total) para
"2
"
"~
"1
(regla 3 aplicada
a l'~ y
-
l'
):
1'[1'+1'(1+13)]
Il')
ti...
"1
1'" + r ' ( 1'+ /-l ) + l' + l'
ti
r,IOV
Valor exacto (parcial) para
l'
0=
11 2
<In!
(rcola
3 para
b
"
l'
"::,
"1
"::,
l' ):
11 2
1'" ( 1'" + R, )]
1'''' [ 1'", +
l'
--;--;;-:--;'"R
11,
.'
1f
~ ~ ~ _ .-~-,-~-=--:-
"IOQ
l'
11-,
(1+13 )+1'
l'
"2
"
(1' 11 + R., )
1
+~'-~-
r+
r n + R .'
II
<J
Valor exacto (total) para r"EQ (regla 2 para 1'''' y 1"'):
+'~, (_~'" ( l + /-l" ) + R, )]
1'" [1'''
::'
1"
11;:
-"U,}
+ r nI + R '
.~~-,-
c-:-----:-'~--c-
1'(1'
(l+p)+R)
11...:1 1
"
.\
1'(1+13)+1'+-"
"2
""1
r +r +R
1'[:-
/tI'
51
CAPITULO III
PAR DARLINGTON
111.1 INTRODUCCIN
El Par Darlington es lin sistema formado por dos transistores que permite tener una ganancia en corriente
elevada, por lo que se le emplea mucho en circuitos de potencia.
Existen dos tipos de pares Darlington:
1. Par Darlington colector-comn emisor-comn (CC-CE).

2. Par Darlington emisor-comn emisor-comn (CE-CE).
Cada tipo de Par Darlington se puede representar como un solo transistor equivalente con una ~
equivalente asociada a ste. A continuacin se presentan cada lll10 de los Pares Darlingtoll, haciendo un
anlisis en CD para los dos tipos y un anlisis en pequea seal para el tipo CC-CE.
m.2 TRANSISTOR EQUIVALENTE DEL PAR DARLINGTON

Par Darlington colector-co!Jln emi..,wr-comn
En este tipo de Par Darlington, el primertransistor (Q) se encuentra en configuracin de colector-comn

y el segundo transistor (Q,) se encuentra en configuracin de emisor-comn.
Debido al compOltamiento que presentan, tanto en voltaje como en corriente, cada una de las terminales
del par, se definen los siguientes transistores equivalentes:
NPN EQUtV ALENTE
Q,
E",u
EEQ
C"(.I
en)
QUJ
PNP EQUIV ALENTE
Anlisis en CD
Las principales relaciones de voltajes y corrienles para el Par Darlington Ce-CE se presentan ,r continuacin:
55
r;vc:
-
+)
+
CH.
Q,
+~
."
+
v("/;'
VUI..,
Ve,.;'
",:,,-'1
Q,
+
V
e(
~+
--------..-
Ver
"'
''',
Corrientes
Voltajes
Caracterstica
principal del
tipo CC-CE
Q, nunca se satura
Ganancia de corriente
le,
Sean
13, =1
Ir
13, = I
Con base en las relaciones anteriores se define la

con
Pero:
Como:
Sigue:
Finalmente:
56
'
8
13 equivalente como:
e
Par Darlington emisor-comn emisor-comn

Para este tipo de Par Darlington, los dos transistores (Q I Y Q,) se encuentran en configuracin de emisor
comn.
Con base en el compOltamiento de voltaje y corriente de este tipo de Par Darlington, se definen los
siguientes transistores equivalentes:
Q,
=?
BEQ
QEQ
NPN EQUIV ALENTE
B"Q
BEQ~
E'ooQ
E"Q
EEQ
EEQ
Q,
~~
-.
B EQ
QEQ
PNP EQUIV ALENTE
Q I siempre determina la posicin del emisor y la polaridad del transistor equivalente en el par.
Anlisis ell CD
De la misma fonna que en el caso anterior, se presentan a continuacin las principales relaciones de voltajes
y corrientes para el Par Darlington CE-CE:
57
------+
V cu
+ +\
+
VEB
. ,
/VCB' +
B
VeE ,
Q,
~-V
BE
Q,
V rc
V aC2
Vcri
-1"
+---
Q,
---+
1".,
Corrientes
Caracterstica
principal del
tipo CE-CE
V Be:2 = VCE. I
J,..
Q, nunca se salura
Ganancia de corriente
1
CI
PI
A,
e2
p'=r
Tomando en cuenta las relaciones anteriores, se define la Pequivalente como:
[Po =~:
EQ
Pero:
As:
Queda:
58
con
= 1,..- 1
+ J,.
2
1"
1",
Q,
Je,
J"
B
Voltajes
Sea
--1"
1" I
J" I
~
~
1II.3 POLARIZACION DEL PAR DARLINGTON

Debido a que cualquiera de los tipos del Par Darlington, se puede analizar como un transistor equivalente,
los mtodos de polarizacin del par sern los mismos que se emplean para polarizar a un solo transistor,
usando el valor de la p" equivalente en las ecuaciones correspondientes, y tomando en cuenta el voltaje
de encendido de la unin base-emisor equivalente para cada configuracin.
IfI.4 ANALISIS EN PEQUEA SEAL DEL PAR DARLINGTON CC-CE

El anlisis en pequea seal consistir en obtener el modelo hbrido 11: para el transistor equivalente
(r'eQ , r"EQ , gm ) en configuracin de emisor-comn, a partir del modelo compuesto del Par Darlington:
EQ
@
E +/,
)1
",
i"
+
",
"2
I,.E i.,
59
lh
80-=:::",
+.?
v <>r
~
<'. 'EQ
Para el anlisis, se toma en cuenta lo siguiente:

/
PI = -.2
I =-'.-'.
II
8,
~I
lh I
= ~,=~o
Puede considerarse:
le
/ el =/El =/8 =2
A
2
P"
la corriente de colector de Q,
Entonces:
60
es~"
veces menor a la corriente de colector de Q,:
1 -
e,
---
61
~r =1'",
"ti
Vii
r
",-- - 1,_,
-~~
,.----
'\
(1",
V
8H1
_R r
1-"" ,....._
r "1 -
--
/e,
/'"
-C_-
(~::~, L
-".VC/;"l
/ c,
----
~r"'=~d
~ ~=====~~~~~~=::V"C:E'-'
-I/c-, I
----- __
-\3"/C
1
62
V C:
1
2
Clculo de los parmetros del modelo hbrido 1t equivalente en configuracin de emisor comn
1) Transconductancia equivalente
\'
~@;)
+
+
vh
i
~
Q
rn,
gm1vh
v"
r
1
'" (J
+-'-
",
@)
-----.
rn,
"2
Vh
g m1. vh
li"
v,.
r
2
ji,
"1-
Q
-
Se toma:
<
v"
= i 1 + i,.~. ',.
'
,
= v,. + v,.
I
pues
,I
'2
Como:
Entonces:
v" = 2v,~
Por lo tanto:
La gm es la gm del transistor Q, dividida entre 2. Esto es as porq~e la corriente i, es casi igual a i,., ,
EQ
es decir, el transistor Q, contribuye con la mayora de la corriente de salida i,.. Entonces solamente el
voltaje v,'.., tiene control sobre i'., ~ i . Ycomo se tiene que V h I = v" Y v" = v" 1
+'v"" ' entonces solamente
la mitad del voltaje de entrada ,e" ticne efecto sobre el control de'la corriente i, .l'or tanto. la transconductancia equivalente es:
~
63
g""
gml:'U
=2
2) r, equivalente
'EQ
:-...=i+--.@)
+
vb
+-_ _---'
",
L -_ _
;)
Vb
r------+Q
'----------.,
r,,
"~
rf!)
O------------------<~E?='---
Transformando el modelo del transistor a fuente de voltaje para simplicar el anlisis, resulta:
'EQ
1
B EQ
~
EI
VI
!-lIV I
,:-.+-Oo--+---.fi\/\/\r-.....---{+~
+ V.
"1
CI
(.
.......--
\r-+.....---OCEQ
C,
B,
v,
E,
",
fl",v,
L------.o---------<~------+------+-----o
EEQ
Nota: El valor de r, depende de la terminacin que tenga el' circuito a la salida (entre CEQ y EEQ):
circuito abiert~ corto circuito o algn valor de resistencia.
64
Clculo de rneQ con terminaciu de circuito abierto a la salida (ie = O)

Planteamiento de las ecuaciones de corrientes de malla:
i)
(r. , + r. )
ii)
- r
"
-r 1
=V,
+ ( r'2+ r", + r", ) 1,
= - Jl", v, + Jl"2 v,
'
iii)
v I =1.... r TT]
iv)
v,=(l-I,)r
,
"
" '
Sustituyendo iii) y iv) en ii):
[Jl", r., - (Jl", + 1 ) r.,] 1, + [r., (Jl", + 1 ) + rOl + r",] 1, = O
v)
Por lo tanto, i) y v) quedan:
r., + r.,
[Jl". r., - ( Jl", + 1 ) r.,
- r"
ro, ( Jl", + 1 ) + r", + r",
1, ]
[ 1,
o bien:
Al. + BI,
= V,
el, + DI,
=0
Resolviendo para ( :
M
1'..
VD
AD-BC
=-' =--'---
Entonces:
r
'EQ
AD-BC
l.D
BC
D
=-'-=-----=A--
Sustituyendo:
65
AD- BC= r" r" (~l .., + 1 ) + r., r", + r" r", + r,,' (~l", + 1 ) + ...
... r/t r,.\ +r~ r(J2 +rIr. r r"l
11 -r'(1I
rtz ro:! +1)
2
2
/t
AD-BC
D
r., [ r", (
=r +
",
~" + I ) + r,'2]
[r" ( [1", + I ) + r", + r,'2]
Finalmente:
r.,[ r", (~, + 1) + r,'2]

[r" ( [1", + 1 ) + r", + r",]
El resultado anterior se puede simplificar si se toman en cuenta las siguientes relaciones:
r_"2 ([12 + 1 ) + r" 1 + r2 = r2 (1 + t-'r{,,) + r1lz + r,(1
2)
...
~r
Q
02
+r I +r =2ru I +r~
f'
1t 2
Como r2 r_"2 entonces

Por lo tanto:
r 1t
fl.
Po
EQ
r1)2 r1f
= ."
=2~r
" 2 +r1f 2
3r. ,
. = O ( circuito abierto a la salida)
=--'paral
2'
;
Clculo de r /tEQ con tenninacin de corto cirewlo a la salida ( v

.
Para r 1t
66
~.
= O)
, si la terminacin del circuito es corto circuito, se tendr lo siguiente:

EQ
I.
BEQ
--+
BI
CI
i,
+--
CEQ
B,
VI
+
+ V,
fl"j VI
E I
'1
",
v,
"
v,=O
..t"2 V2
E,
rlt
EEQ
EQ
El circuito se reduce a:
l,
---
r'1
BEQ
BI
flo j v
E I
CI
CEQ
B,
VI
+ V,
v, =0
"
Lo-F
E,
_ EEQ
r1I :
1Q
Calculando r n
EQ
por el MPA:
II r"l) ( 1 + ~" )
Simplificando la expresin anterior mediante las siguientes relaciones:

t)
2)
Queda finalmente:
11
fQ
=r
1(1
+ r (1 + P"
A )
11
~ 2r
!tI
; para v =O (corto circuito a la salida)
67
Resumiendo:
para i,. = O
para v,. = O
3) r" equivalente:
BEO
BI
R.'
(:)
EI
VI
'1
J...lo,v
"1
"EQ
CEO~
CI
B,
+
r
Vi
"
",
(:)
+ V,
E,
-+O
-:fEO
Nota: r "EQ se calcula con terminacin de R~ a la entrada.

Planteamiento de las ecuaciones de corrientes de malla:
., 1
- r 1
-O
-r 1
+ (r0 1 + r "2 + r., ) 1,
- rrc 1:...
=~
v_~
(JI
I
02
-O
- r7(,12
+ (R, + r'l + r" ) 1,
=0
i)
ii)
iii)
"2
., '
,(
=V
Planteamiento de las ecuaciones de los voltajes de control:
= - r'11,
iv)
VI
v)
v, = r" (/, - 1, )
Sustituyendo las ecuaciones iv) y v) en las ecuaciones i) y ):
68
+~
", v
i')
ro, 1<
ii')
r 1
",
=V<
+ (f.t rtI - r Z [1 + f.to2

] ) 1,
-
'
o[
=0
1t
Por lo tanto, el sistema de ecuaciones queda:
-r
",
-r
1,
/,
"
Resolviendo el sistema para 1, :

.I
!:>
/ =--'
,
Entonces, del circuito se observa que la resistencia r

r
V,
"E<2
Vx
"EQ
ser:
!:>
=-=---=-V
/ : <MI!:>
.l
r
=::
_~2
.t
'
r
_
"EQ
:::: r
"2
1':d,1 V,
Tomando en cuenta las siguientes relaciones, se puede simplificar la expresin para r

1)
r ni r"2 Rs entonces rni +r +R.,

If
OEQ
= rnI
2)
3)
4)
r JI:!. [1 + J.l"::, ] = r1':2 + ~ />":

r = r + r "[ y r (J, r"2 r1(2
2
Jl
entonces r "1 + r n:! + r 1(2 [1 + J.l"2 ]
= 2r"[
69
fl "1 r II I =~r
yrn:.._
[l+ll
]=r +RIJ" r"..._
=rIr..,.+r
~r"
""]
1" f'..,
"
_
1
1
S)
1(.,
entonces fl", r., - r., [ l + fl", ] ~ r", ( ~" - 1 ) ~ ~"r",

Por lo tanto:
r!tI = 13o r
Como:
"EQ
/t
13 1 entonces:
f}
2rnI r"1 +r/tI r"1
"2
r", Ir., r", ~" 1

3r11 r"1
=r
",
Adems: r
"EQ
= ~"r
, con lo cual resulta:
=r
"2
El Modelo Hbrido 7t equivalente en Emisor Comn para la configuracin Darlington resulta:
3
-2 r_," ::;; r1tl:.~Q ::;; 2r_")
70
De este modelo se observa lo siguiente:

1) La resistencia de entrada del par es un poco mayor a la resistencia Y, del transistor Q, . Sin embargo,
como Q trabaja con un nivel de corriente de base que es ~. veces menor que la corriente de base de
Q" la resistencia de entrada del par resulta mucho mayor que la resistencia Y, del transistor Q, .
2) La resistencia de salida del par es un poco menor que la resistencia Y" del transistor Q,. Esto se debe
a la presencia del colector del transistor Q, conectado al colector del transistor Q" lo cual genera
una impedancia que se encuentra en paralelo con la Y" del transistor Q, .
3) La transconductancia equivalente del par es la mitad del valor de la trasconductancia del transistor
Q" debido a que el voltaje aplicado a la entrada del par se divide en dos partes iguales en las uniones
base-emisor de Q, y Q,. Adems el transistor Q, maneja casi la totalidad de la corriente de salida
del par, por lo cual slo el voltaje de entrada aplicado a la unin base-emisor de Q, (Ih de Vi)
controlar la corriente de salida de par.
m.5ANALISIS COMPARATIVO ENTRE UN EMISOR COMUNYELPARDARLINGTONCC-CE

Para este anlisis se emplearn valores numricos, considerando que los circuitos se encuentran polarizados con una corriente de colector de le = ImA (le = lmA para el par Darlington).
EMISOR COMUN
le = ImA
VA = loov
V r =25mV
~,,=200
Re =5KQ
grn =40mA IV
Y,=5KQ
r,,= looKQ
r. =20MQ
r.'
, =r, =5KQ
Y SlJI
'=r o = IOOKQ
= V"v. =
',.
A =-;-=
I
lb
_ g
A
f'
'" e
=_ 200''(r
R )
"
e
= 200
<l
71
PAR DARLlNGTON
le'" ImA
VA'" looV
VT ", 25mV
[3" = 200
Re "'5KQ
r-+--- r~al '

r
____----t--o
v"
Fe
VO+--l
Q,
gm I "'0.2mAIV
r
"
g m, ",40mA1V
'" IQ
r ",2MQ
"]
", = 4000MQ
'" 1,958,872Q
3~
"
", '" looKQ
", = 20MQ
1.5MQ '" - 2I , 2MQ
=5KQ
= 2r
ni
r (}EQ "'3 r 2 "'66.6 KQ
r.' - r n -1,958,872Q- 2MQ

I
EQ
r,., ' = r f>EO '" 66.6

.
KQ
Vo
A v "'-=
-g
Re"'-Ioo;(r"EQ Re )
v
mea
.'
A f = 7"
=[3
l
le
72
EQ
= 40,000
Comparando los resultados entre s se observa lo siguiente:

1) La r i ' del Par Darlington es ms grande que la del emisor comn, debido a que QI del par, demanda
una corriente de entrada ~o veces menor que la que demanda el emisor comn.
2) La r,o' ' del Par Darlington es menor que la del emisor comn.
3) La Av = V o / Vi para el Par Darlington es la mitad de la Av del emisor comn. Esto se debe a que la
g m del Par es la mitad de la g del emisor comn (ver el anlisis que se present al obtener la
EQ
g
del par Darlington).
lit
/liBO
4) La Al = i / i h es mucho mayor en el Par que en el emisor comn, y es igual a la

configuracin.
t
~0w
de la
El efecto de Q, es:
* Aumentar la impedancia de entrada.

* Aumentar la ganancia de corriente.
73
CAPITULO IV
PAR CASCODO (CE - CB)
IV.I INTRODUCCIN
En un sistema electrnico retroalimcntado, si la ganancia del bloque amplificador es elevada, se puede
lograr desensitivizar al sistema con respecto a variaciones de sus parmetros, como son:
h FE , VSEON ' V" Vee , cte., adems de mejorar su linealidad, respuesta en frecuencia, impedancias de entrada
y salida, etc,
Por ejemplo, para un sistema retroalimentado como el que se muestra:
~
,<y
x
A
A =--"=---
x,
l+~A
Si A -) = entonces Al -) 1I~ y, por lo tanto, la ganancia del sistema retroalimentado no depender de

los parmetros del bloque A, el cual puede estar formado por transistores.
La bsqueda de configuraciones con transistores que pennitan lograr altas ganancias para emplearse
dentro de sistemas retroalimentados (obtenindo,~e las ventajas que se mencionaron anterionnente), ha
llevado al desmTollo de la configuracin Par Cascado, el cual, adems, presenta un ancho de banda grande.
Las caractersticas de un transistor en configuracin de emisor comn son:
,----!----- r.m
r,
r.<<11 '= r"
v"
Como se puede observar la r wl ' est limitada por el valor de r" y, por lo tanto, la ganancia Av mxima que se podra obtener estara limitada al valor de -gmr" = -fl", en el caso de que Re fuera mucho
mayor que r,,'
En cuanto a la respuesta en frecuencia del emisor comn, se puede asegurar que el ancho de banda
(BW) para Av ' = 1'" Iv, se reduce conforme se aumenta la ganancia en voltaje A,. = v" Iv, ' Esto se debe a
77
que la capacitancia colector-base (e,) del transistor se refleja hacia la base A,. veces ms grande que su
valor original.
Por Miller:
2
I
o---1L----J1-o
+
V,
Z2
V2
-~-
-=
Donde:
kz
k- I
__
Z_
Z2 - - -
1- k
Z, V
2
k=-<
I
v,
Considerando a z como la reactancia capacitiva de

pequea seal del emisor comn se obtiene:
e"
y aplicando el Teorema de MilIer al modelo de
---j "
R.'
V,
Vi
e'L
+
r
r,
V.
k=A =--" < I

v
z,
78
Vi
"
SI
El circuito resultante quedara (Av
1):
o-wv--r-rR,
V+
V+
(I+Av)C
O'----'-_~--I~-"'-I'
+
V+
r"
v"
Si la ganancia es alta (Av 1), esta capacitancia tendr un valor elevado, lo cual produce que su
reactancia sea pequea a una frecuencia menor quc si su valor fuera cercano a C,' (lo cual oculTira si la
ganancia en voltaje Av fuera menor o igual a la unidad).
Este hecho no permite que un emisor comn con ganancia elevada de voltaje, se pueda emplear como
amplificador de banda ancha (BW grande) o en altas frecuencias.
Las caractersticas de un transistor en configuracin de base comn son:
ri
Ru,c
R,
+
V".
r-+--+-DV"
r""
= r" + (RE 11 R, 11 r,)
(1
+ J..l,)
Vi
La configuracin base comn presenta un ancho de banda (BW) muy grande comparado con el de
emisor comn. Esto se debe a que la configuracin de CB no presenta alguna capacitancia en el trayecto
de retroalimentacin v. (colector) a Vi (emisor).
Otra ventaja de ~B es su elevada resistencia de salida, con la cual se podra lograr una ganancia en
voltaje mxima de Av = gmr,", (r"" rJ mucho mayor que la ganancia mxima de un emisor comn.
La desventaja de CB es su resistencia de entrada baja comparada con la que presenta un CE. Si la
configuracin se va a emplear como amplificador de voltaje, entonces se requiere de una r' alta, como
la de CE.
79
Del anlisis anterior se concluye que para obtener un amplificador con un ancho de banda elevado,
resistencia de entrada alta, resistencia de salida alta y ganancia en voltaje elevada, se necesitan combinar
las caractersticas de las configuraCiones anteriores: CE y CB.
IV.2 CONFIGURACION DEL CIRCUITO PAR CASCODO

El Par Cascodo es un circuito de acoplamiento directo formado por una etapa de entrada en emisor comn
y una etapa de salida en base comn.
La caracterstica de resistencia de entrada alta la proporciona el emisor comn, y la resistencia de salida
alta y ganancia en voltaje elevada las proporciona el circuito en base comn.
Como base comn presenta un ancho de banda grande, entonces la etapa del emisor comn deber
presentar tambin un ancho de banda grande, para lo cual se requiere que su ganancia en voltaje sea mnima
(para el caso del Par Cascodo, la ganancia en voltaje del emisor comn es Av = -1.0 para RfA(' r).
R,
v,
o----A./Vv
,
r, =rn
v.,
Av =- 1.0
Cli
A vBC = gm (r",,'1I R uc )
6+;"
"
_
>R
L I I
CE.
' = (~ r) 11 r
LAC
A = v"
v
v.,
BW grande para Av
80
"
-v
.,
"
Circuito con transistores:
Ru.c
v"
+ V;,
Q,
Vi
Q,
IV.3 ANALlSIS EN CD (POLARIZACION)
(+
+Vol'
V,.,.
Q,
V BE
Q,
+
vR
F.
Del circuito se observa que los dos transistores manejan la misma corriente de colector le (suponiendo
[3,, 1), por lo que los valores de los parmetros del modelo hbrido 1t de los dos transistores son iguales.
Para polarizar el Par Cascado, se fija la corriente le polarizando primero al transistor Q, en emisor
comn por el mtodo conocido (R/lB [3"R E ).
Del siguiente circuito para Q,:
81
+ Vcc:
!JCI
RI
f"~
R,
(I
RR8
Q,
RE
R,
V 'O---V
R+R
1
,
B8
cc
R8B = RIIIR,
Se obtiene la ecuacin para fe :

1
P(VBB -. VB ON )
Ahora, haciendo que se cumpla que RE

f
;: se obtiene lo siguiente:
e,
V 8E )
ON
RE
(VBB-
o bien:
f
CI
~..l.[
R,
R R +R
El,
V _V
ce
ON
BE
Como el transistor Q, presenta una ganancia en voltaje de -l.O (se demostrar ms adelante), y si se
aplica voltaje de pequea seal en la base de QI' en su colector no habr una variacin muy grande de
v
' por lo que el voltaje colector-emisor de polarizacin de QI (VeE ) se puede fijar a un valor cercano al
eE
,para que el resto del voltaje disponible de la fuente de alimentacin lo pueda aprovechar el
Ve:
SAT 1
transistor Q"
82
el cual s va a proporcionar toda la ganancia en voltaje del Par Cascado.
Basndose en este criterio, se establece que el valor del voltaje de polarizacin V" para Q, debe cumplir
con la condicin:
V2V
+V.
/'
BE,:!
Ct
SA l'l
+VRE
donde:
VOE
= Voltaje de encendido de la unin base-emisor de Q, (0.6 V).
VCE: = Voltaje de colector-emisor de saturacin de Q, ( o{).6 V).

AT
VR = Cada de tensin en la resistencia de emisor de Q, (RE)' si existe.
e
El circuito de polarizacin para Q, se disea tomando en cuenta que el valor de voltaje + V" debe ser
independiente, lo ms posible, de la conexin de la base del transistor Q,. Esto se logra haciendo que la
corriente J" a travs de las resistencia R, y R, sea mucho mayor que la corriente de base Jode Q,.
Del siguiente circuito para Q,:
'
Jc,
I =._-'[3 + 1
n,
Tomando un factor de 10 para relacionar 1" e 1,,0' se tiene:
Por tanto, las ecuaciones para calcular R, y R, sern:
_ _V-'-CL'_
R, + R.,
I c,
210-'
[3
(1)
.......... (2)
IV.4 ANALlSIS EN PEQUEA SEAL

El anlisis en pequea seal consistir en obtener el modelo para el circuito equivalente del Par Cascodo
(r.nEQ, r "EQ ,8 m ) en emisor comn a partir del modelo completo del par.
EQ
O-'-~...j
Vi
-~
Considerando el modelo hbrido 1t CE para Q, y Q,:
+
Vi
.-----.----+--_-{+-}__l-_..--_e_---,
+
+
V,
"2
"
",
",
A partir de este circuito se obtendr el modelo siguiente para el circuito equivalente:
Bo-
>-
v >r
b
E~
84
<
nEQ
'>
+ 8m
r
E/ b
<
"EQ
Redibujando el circuito original se tiene:
l'!t
EQ
l'
"EQ
'h
-.
+
v, vh
+
v,
o--
Jl"2 V2
Q-i
+
l'
1'"
~12
R,
@~
Clculo de los parmetros del modelo hbrido 1t equivalente en configuracin de Emisor Comn
1)
equivalente:
1',
Por simple observacin
2)
1'"
Haciendo v.
l'n
EQ
= l' =l'
1t
1l
equivalente:
l'
"EQ
= O, entonces v, = O Y g
\...
v,
In
= OYel circuito se reduce a:
l'
~"2V2
+-
>
>1'"
<
I
v,
l'
"t:Q
o'u
~J
l'
. ~'A
'VVv
+---
;,
>1'
<
<
> "
<
;,
;>1'
.>
"2
+
~~
85
Por el MPA:
VALaR EXACTO
Considerando ",
1, Il"2 == g"':,":,
r y r"1 r ,queda:
t""1
2
!t 2
+
"2
-r
/HU -
r"1 r1t;! Ilu,,>

r
'==r +r g
~
1'2
",
n'2
"2
==r
"2
(l+A)=
tJ"2
3
"2
"2
Entonces:
r
f}f~Q
==Arll r
1-'""
11
Ahora:
rn EQ == Po..
A r si r,,
A"r"
..
t-'
r
::;::p"r"
"EQ
3)
SI
rlJ
- P,r"
Transconductancia equivalente
", '" o
Para el clculo de la g
se prefiere considerar el modelo hbrido 1t CE para Q I Y el modelo hibrido 1t
CB para Q, (consultar el '~pndice B), con lo cual se facilita el anlisis.
+
V
86
"
r,.
Tomando V h = v, e i,. = ie2=/ 1-g

v cuando ve = O.
.
1"2
Del circuito se observa que la carga del colector de Q, es:
r
R.l:Q =r") IIr IIr"2 =-::'lIr

2
1'.
<1.
J,
1
r.
pero re. ::;: _:::: -
g...
~,.
rol
entonces:
Por lo tanto:
ve =-g
2
/11
l
gm
R F-Q v=-grv=-g-v=-v
1
m e. 1
IIl
I
'
)
La amplificacin de voltaje de Q, es:

V
",
Av, =-=-1.0
v,
Este valor de amplificacin de voltaje de Q, (emisor comn) slo es vlido para el caso en que
R e r,.. Si esto no se cumple, entonces el valor de la ganancia de voltaje de Q, vara (no es -1.0). Ver el
apndice C para los casos en que RUle = r,. y RUle r,..
Continuando con el anlisis:
1, --
g'" V "2 --
g (- v)
1 - g vI - g '" v.
1M
ni
Por lo tanto:
1
g"'EQ=~
.
/,
La transconductancia del circuito ( g

) es igual a la transconductancia de cualquiera de los dos
.
mEO
transistores Q, o Q,.
87
El modelo hbrido lt equivalente para la configuracin Cascodo es:
80------,
.---------.-----{) C
o-----~----------------<>__--__OE
De este modelo se observa lo siguiente:

1) La resistencia de entrada del par es alta, igual al valor de la resistencia de entrada de la configuracin
de un solo transistor en emisor comn.

2) La resistencia de salida del Par es muy alta comparada con el valor de la resistencia r" del transistor
Q,. Esto se debe a que el emisor del transistor Q, no se encuentra conectado a tierra, sino que tiene
una resistencia (entre emisor y tien'a) de valor r", la cual, junto con r. y R" se reflejan r.acia el
colector de Q" produciendo as un valor muy grande para r" .
3) La transconductancia equivalente es igual a la transconductaHha de cualquiera de los transistores,
debido a que ambos transistores manejan la misma corriente de colector, la cual est controlada con
e.1 voltaje de la unin base-emisor ( v.) del transistor Q, .
4) Como no existe un trayecto de retroalimentacin ( C") de la salida (colector) hacia la entrada (base)
en el circuito equivalente, el Par Cascodo presenta una buena respuesta en frecuencia, es decir, tiene
un ancho de banda grande.
IV.S ANALlSIS COMPARATIVO ENTRE UN EMISOR COMUN y EL PAR CASCODO

CE-CB
Para este anlisis se considera que ambos circuitos se encuentran polarizados con una corriente de colector
1e = lmA.
EMISOR COMUN
1e = ImA
gm=40mAIV
r.=
.--+--ri
Vi
88
r.m
r,,= 100KIJ.
+-~Ov"
0---+---1 Q
5KIJ.
13.. = 200
Y,' -Y,-5Ko.
y '=y
.WJ/
()
A v = --"
V.
= 100Ko.
= -
g Re = - 200 .' (
(Y
Re )
)
In
PARCASCODO
gmi =g"'2 =40mAIV
VA = lDOV
Y
r--+----r~al
~,,=200
+--0 V"
V;,
"1 = Y"2
o---lQ,
V;~QI
Yn =Y =5Ko.
EQ
7t
g m =g m =40mAIV
EQ
Y"EQ = (Ap""
Y ) 11 Y11 = 20Mo. 11 Y~l
Y =Y/tEQ =5Ko.
Y.,..,
~
=Y EQ = 20Mo. 11 Y
Av = v'.'
gm Re = - 200 ; (
EQ
"EQ
Re )
De los resultados anteriores se observa lo siguiente:

1) Y,' Y Av tienen el mismo valor para los dos circuitos.
2) r"" ' es mucho mayor para el Par Cascodo que para el emisor comn.
3) El ancho de banda del Par Cascodo es mayor que el del emisor comn, debido a que la etapa de
emisor comn del Par Cascodo tiene ganancia de -1.0, con lo cual su ancho de banda es grande.
89
La funcin de Q, es la de proporcionar una impedancia de entrada grande, mientras que Q, tiene la

funcin de proporcionar tina impedancIa de salida alta, con lo cual se puede lograr tambin una ganancia en voltaje elevada (recurdese que el Par Cascodo se compoIta como un amplificador de transconductancia).
IV.6 CIRCUITOS CON CARGAS ACTIVAS

En algunos sistemas electrnicos se requiere obtener ganancias elevadas (de voltaje o corriente) para
mejorar las caractersticas del mismo, como en el caso de los sistemas retroalimentados, en los cuales, al
tener una ganancia de lazo elevada, el sistema mejora en su respuesta en frecuencia, distorsin, no
linealidad, impedancias de entrada y salida, variaciones de Vee ' etc. Como ejemplo, los amplificadores
operacionales tienen una etapa de amplificacin de voltaje diferencial (con una ganancia muy elevada
Av-t
= ).
Tanto en el circuito de emisor comn como en el Par Cascodo, para lograr obtener las ganancias
mximas de stos, se necesitaran emplear resistencias fsicas de carga de valor muy alto
R ue r" o R ue ~f" . Esto traera como consecuencia la necesidad de emplear valores muy altos
de la fuente de alimentacin V ec debido a la gran cada de tensin que se producira en la resistencia de
colector (en CD).
Este problema se puede resolver utilizando fuentes de corriente como cargas activas en los circuitos.
La caracterstica de las fuentes de cOlTiente es que presentan una resistencia de valor muy elevado en CA,
con pequeas cadas de tensin entre sus terminales en CD. Una fuente de corriente ideal puede sopoItar
cualquier cada de tensin entre sus terminales y presenta una resistencia infinita a las seales de CA.
Considerando fuentes de corriente ideales, las ganancias en voltaje mximas que tendran las configuraciones de emisor comn y Par Cascodo seran:
EMISOR COMUN CON CARGA ACTIVA
+---0 v"
Vi
o---jQ
para g", = 40mAIV y r"
AV
MAX
90
--
grro l' -
11
fA'"
= 100KQ
(--4000)
PAR CASCaDO CON CARGA ACTIVA
.;--~
Q, __---<>-----0 v"
v,Q----j
Para gm = 40mAIV , r" = 100KQ y~" =200 :
Si r I-l APo r :
(1
AV
MAX
-_gAr-_AIl
mI-'" ,,tJ o-..."
(-800,000)
Si r = p"
A r :
1-1
(J
(-400,000)
Sin embargo, las fuentes de corriente reales constmidas con transistores, presentan resistencias de valor
finito a las seales de CA, por lo que la ganancia en voltaje mxima que se puede obtener con estos circuitos,
se ver afectada por la resistencia asociada a las fuentes de corriente como cargas activas.
91
CAPITULO V
CIRCUITOS DE CORRIENTE
CONSTANTE'
V.l INTRODUCCION
Las Fuentes de Corriente (reguladores) con transistores tienen dos usos principales en los circuitos
integrados analgicos:
1) Como Elementos de Polarizacin
Son ms econmicos que los resistores en trminos del rea de integracin, particulatmente cuando
el valor de la corriente de polarizacin es pequea. Es insensible a las variaciones de la fuente de
alimentacin (voltaje) y a las variaciones de temperatura.
2) Como Dispositivos de Carga en Etapas de Amplificacin (Cargas Activas)
La resistencia incremental de la Fuente de Corriente es muy alta, lo cual pennite tener ganancias de
voltaje elevadas con bajos voltajes de alimentacin.
Una Fuente de Voltaje es un elemento natural que se puede generar por qumica o por mecnica.
Una Fuente de Corriente no existe. Existen Reguladores de Corriente que emplean generacin de
voltaje como fuente de energa primaria.
Las caractersticas ideales para una Fuente de Voltaje y para una Fuente (Regulador) de corriente se
muestran a continuacin:
v ----------
j----------
~-------------.
+ V
L-
Fuente de COlTiente
Fuente de Voltaje
.
Para construir dichas fuentes, se pueden emplear transistores bipolares de unin, ya que las earactelsticas de ste se aproximan bastante a las caractersticas ideales de las fuentes. Obsrvense las caractersticas
de i ti vs V BE Yde i c vs v ee como aproximaciones a las caractersticas ideales de las Fuentes de Voltaje y
Corriente respectivamente.
'e
-<.... Veto:
V m:
Aproximacin a una
Fuente de Voltaje
Aproximacin a una
Fuente de Corriente
95
De lo anterior se observa que si la carga en un circuito con transistores se encuentra conectada en el

emisor, el transistor se comporta como Fuente de Voltaje (ver la figura 1); y si la carga se encuentra
en el colector, el transistor se comportar como un Regulador de Corriente (ver la figura 2).
ll,,=ete
+
VI. = ete
Fuente de Voltaje
Figura I
Fuente de Corriente
Figura 2
Para ambos circuitos se requiere de un voltaje de referencia VR El transistor se emplea para transformar
los niveles de corriente que maneja la carga respecto a la corriente (I B) que se demanda del voltaje de
referencia (VR ) Esto es, al demandar un nivel bajo de corriente al voltaje de referencia, se asegura que el
valor de ste permanezca lo ms constante posible, permitiendo obtener as una buena regulacin del
voltaje en la carga (V) o de la corriente en la carga (I,,) .
Uno de los problemas que se presenta en los dos circuitos anteriores, es lograr un voltaje de referencia
constante, independiente de las variaciones de Vee , h,e ' temperatura, etc.
Algunos circuitos que permiten lograr un voltaje de referencia a partir de la fuente de alimentacin se
muestran a continuacin.
D,
(A)
(B)
Fuentes (Reguladores) de Corriente
96
(e)
En el circuito (A), VR es sensible a las variaciones de Vee , h FC y temperatura.

En el circuito (B), VR y VBC presentan distinta variacin respecto a la temperatura.
En el circuito (e) se presenta el mismo problema que tiene el circuito (B), a menos que el diodo D,
presente las mismas caractersticas de la unin BE del transistor.
Si el diodo D, en el circuito (e) se sustituye por una unin base-emisor de un transistor Q, que sea
idntico al transistor Q" entonces el Regulador de Corriente ser insensible a las variaciones de temperatura, pues el voltaje de referencia VR, producido por la unin BE del transistor Q" compensar las
variaciones producidas en la unin BE del transistor Q" Un ejemplo de este circuito es el Espejo de
Corriente.
~V
EE
Espejo de Corriente
V.2 ESPEJO DE CORRIENTE

En este circuito, el voltaje de referencia se genera mediante la cada de tensin en la unin base-emisor
del transistor Q,. En la rama formada por la resistencia RR y el transistor Q, fluye una corriente de
referencia 1R' que se reflejar a la rama fOlmada por la carga y el transistor Q I como una corriente 1". Por esta
razn al circuito se le llama Espejo de Corriente.
El valor de la corriente de salida 1.. puede ser insensible a variaciones de las fuentes de alimentacin (si
Ve," - (- V",,) V." ) Ya variaciones de ~ y temperatura (si Q I es idntico a Q, y ~ 1 ).
A continuacin se presentan los anlisis en CO y en CA para el Espejo de Corriente.
97
V.2.! Anlisis en en
[/" = F ( IR)]
+ Vec
t..
l. ~
earga
r,.,,
le ..
Id
~\
"
Va 2
Suponiendo que Q, y Q, son idnticos:

I s, = I s, ,corrientes de saturacin inversa
A
PI
= P2
A = Po
A 1
queda:
le
lA
=l., + lB, = 2 13,:;
1" =le,; VeE = V BE,
Sumando corrientes en el colector de Q,:
21e
1-1 - - ' =o=;
R
el
J3
IR
le1 = - - =
2' 1e =1
1+-
(1)
(1
13"
Si
13,,
1 entonces:
Vee - (- VEO) - VBE ,
RR
Este circuito se utiliza en circuitos monolticos, en los cuales se puede lograr que los transistores Q, y
.
Si el valor de 130 no es mucho mayor que 1, entonces de la ecuacin (1) se observI que 1" =le IR .
Para reducir este error si los transistores no tienen una 13" muy alta, se emplea el siguiente cir~uito:
Q, sean idnticos,
98
IR
v"
carga
-----+
Ic
Q,
lB ,
lc,
Q,
En el calcetar de Q, se obtiene:
pero:
entonces:
1=1+
R
c,
2
~J ~"
--/.
+ 1) e,
Pero como Q, '" Q, y V",
= VIIC, ' se cumple que 1e, = le, = (, y resulta:
l =1..
"
(~
~.-_.I~R
2
I +=,~~
~"+~,,
1" difiere en un factor de 2/(~:' + ~J de la Iu- Aun cuando ~" no sea muy alta, se puede considerar que:
~
~
En algunos circuitos, como en este caso, se utilizan dos fuentes de alinlcntacin: + Vcc y - Vu : . Esto
se hace as con el objeto de poder realizar acoplamiento directo con otros circuitos_
99
V.2.2
Anlisis en CA [Clculo de r"., a pequea seal]
Dibujando el circuito de pequea seal del Espejo de Corriente original, se obtiene lo siguiente:
r .u
@
RR
f{[;)
+
+
r
v,
",
v,
carga
"
Como el emisor de Q, est conectado a tierra y como v,
= v, = O, entonces:
Si Iv = lmA Ytomando los dems valores de referencia: r,,,= r" = lOOK.
V.3 CARACTERISTICAS DE LA FUENTE DE CORRIENTE

Para los Reguladores de Corriente, se definen cuatro caractersticas principales: Compliancia, Rango de
Operacin, % de Regulacin y Figura de Mrito.
A continuacin se presenta la definicin de cada una de ellas, basndose en el anlisis del Espejo de
Corriente presentado anteriormente.
Las grficas para i vs. v e i e vs. v eE para el circuito del Espejo de Corriente, se muestra a continuacin:
"2
2
Q
100
I
I
1MAX
I--;;----
'
~I
I
I
di =.__
1 /
__
0
dV(J
ro
---'
COMPLIANClA
( ~V"MAX)
I
I
I
I
I
CARACTERISTICAS
DE i" vs v" EN
lA CARGA
L-------------;I---~--,--,-:----:-------....
V ee - (- Vee)
I
I
'
'
v"
V ee ," + V
(POSITIVO) ,re
CARACTERISTICAS DE
i e vs V eE EN EL
--------.
-~--~-
J'
ee'SAT
TRANSISTOR Q,
--.v
I
I
CE2
(NEGATIVO)
1..-----__---1...--+,1
1...
_1
Q,--ACIlVA
Q, - SATURACION
RANGO DE OPERACION
DE lA FUENTE DE CORRIENTE (Q,-ACTlVA)
El Espejo de Corriente se puede modelar como:
~ -,---------,:-J~
1
I
~I
~_x
}<>r,,,,
<-
carga
+--- 1
..J
101
A partir de las grficas anteriores y del modelo dc la Fuente, se definen
la~
siguientes caractersticas:
1) Compliancia
Es el mximo incremento de voltaje v" que se puede generar en la carga (L\v" ) sin que el circuito
x
pierda su funcionamiento como Regulador de Corriente. Para lograr est<i se necesita que los
transistores que forman la fuente se mantengan operando en la regin de activa directa.
Para el Espejo de Corriente anterior, la compliancia es:
Compliancia =( + V ee ) - (Ver
) - ( - V cr )
2SAT
lIas
2) Rango de Operacin
El Rango de Operacin para la Fuente de Corriente se define como el intervalo de voltajes dentro
del cual, los transistores que forman la Fuente de Corriente operan en la regin de activa directa.
Para el circuito anterior, este rango sera:
Rango de Operacin: [ ( - V eE + V ee
) , (
2 SAT
EOS
+ Vee ) ]
3) % de Regulacin
Es el porcentaJ'e de variacin de la corriente de salida respecto a la corriente /
, cuando se conecta
"MAX
una carga al Regulador de Corriente.
% de Regulacin =
/ "MAX - /"
CON CARGA
100%
"MAX
4) Figura de Mrito
La Figura de Mrito se define como el voltaje de Thevenin del Regulador de Corriente a circuito abierto.
Entre ms alto es el valor de la Figura de Mrito, son mejores las caractersticas del Regulador: mayor
r."" ' mejor regulacin, etc.
Para el Espejo de Corriente anterior, la figura de mrito es:
Figura de Mrito = V"
Como:
/ 0MAX =/r....2 yr,=r

,entonces:
."1
rl
VA
VtI =/e r =/e -=V
/
A
2
!1
e,
Tomando los valores de referencia V",

102
= VA = 100 V .
=/
r. ,
0MAX .'"
V.4 ESPEJO DE CORRIENTE MEJORADO

Para mejorar las caractersticas del Espejo de Corriente, se puede aumentar el valor de la res istencia de
salida incluyendo resistencias en los emisores de los transistores Q 1 Y Q, . Esto permite mejorar el % de
Regulacin y la Figura de Mrito de la Fuente.
V.4.1 Anlisis en en [1" '" F (IR)]
carga
,...-t-,-.-r
tI''''
e,
Se suponc, solamente:
p, ' [3,
Entonces:
IR~le
"'lE 1,1" ~lc2. ~/,.-"2
En la malla formada por las junturas BE de Q, y Q, y las resistencias de emisor:
R,.JI IR - RE"21" = V. E2 -- V'o' 1
Si se tiene: RE-1
R "2 ,entonces IR
<
I{} ,le1
le 2 Y Vn,.'1-
V"E
'
.. 2.
Por tanto: V., - V. E ---) O, son valores muy prximos entre s.

,
1
Como consecuenCIa:
\03
Donde:
El funcionamiento de este circuito prcticamente no depende de los transistores siempre y cuando:

A) Q, y Q, sean razonablemente parecidos (del mismo tipo).
B) No haya diferencia de temperalllra entre Q, y Q, .
C) La razn RE I / RE., no sea extremadamente grande o pequea.
En la prctica:
0.2~
RE
T
E
~ 5.0
Si no se observa esta restriccin, la discrepancia entre los valores de VBE y V B, causar que ya no se
" entre 1" e IR'
'
,
cumpIaIa relaclon
V.4.2 Anlisis en CA [Clculo de r,,,, a pequea seal]

Para el clculo de r"" , se considera el circuito completo con los modelos de pequea seal pues el emisor
de Q, no est puesto a tierra de CA.
Corto-circuito externo
en la unin CB de Q,
1
+
r
104
",
El transistor Q, con el corto-circuito en la unin CE se modela como sigue:
G Q---.--------.------1r--o
r
0,
r0.,
'Y o--~--__<o'0'
r,
",
mI
mi
r 1 =r/tI 1I-lIr
=g- = r('.
g
('1
JI
donde r, es la resistencia de juntura del emisor.

De este J!nodo, la base de Q, "ve" una terminacin a tierra formada por RR ,RE, Y el equivalente de
Q,:
Aplicando el MPA al circuito completo resulta:
.,
",
+ v
Rs,
R E,
carga
105
R,:, [ R" + r" ( I + fl.., ) ]

r !Uf ~ r"2 + -"----''----''----.:....._
Valor exacto
De este resultado se observa que la r,.., para este circuito es mayor que la r.../ del Espejo de Corriente sin
resistencias de emisor.
Si se cumple que R s, RE y R E r" entonces se obtiene lo siguiente:
La resistencia de emisor
1","/
= r .., + RE, ( 1 + ~'" )
REo se refleja hacia el colector

de"Q, como RE, ( I + ~'" )
Criterio para determinar el valor de RE,

RE, no puede ser muy pequea porque la r.../ de la fuente disminuye (tiende a r).
RE no puede ser muy alta porque la cada de tensin en ella en CD ser muy alta y se pierde compliancia
, de la fuente, (
,= -
.'
RE
REo'
1.. ) .
Y RE2 se escogen de tal manera que la cada de tensin en ellas [ R..

. IR o RE 2 1,. ], sea del orden del
. <:'1
V BE de cualquiera de los dos transistores.
RE
V.S ESPEJO DE CORRIENTE CA8CODO

Para aumentar todava ms la resistencia de salida del Espejo de Corriente, se necesita aumentar el valor
de la resistencia de emisor (RE)' pero esto ocasionara que la Compliancia de la Fuente se redujera
demasiado. Para evitar esto, se tsa la resistencia de salida de un emisor comn (1") como resistencia de
ensor RE ' lo cual evita que se genere una cada de tensin elevada sobre 1".., permitiendo as tener una
Compliania alta para la Fuente. Obsrvese en el diagrama del Espejo de Corriente Cascodo, que el transistor
Q, acta como fuente de corriente para el ensor del transistor QI' presentndole una resistencia de valor 1"".
Considerando VBE = O.6Vy VEE
~~m
= O.6V, se tiene del circuito que VEE) =O.6V, lo cual permite lograr
la mxima compliancia para la Fuente, pues Q, est al borde de saturacin (EOS):
106
'
.-------.--0 + Vcc
. - - - - j - - - rwl
VCCJ = VBC4 + V" 2 - V..1 =0.6V (EOS)
V.S.l Anlisis en CD [ ,,, = F ( l R )
Haciendo un anlisis en CD similar al que se realiz para el Espejo de COlTiente anterior, se puede
demostrar que:
1"=1
el
Vcc- 2VBC RR
(-
_I_c_,_=_I_c,_=_lc_,_=_I_c_,_1
VEE
para~,,
V.S.2 Anlisis en CA [Clculo de r", a pequea seal]

Para calcular el valor de r,,,/ por el MPA, se plantea el siguiente circuito, en el cual los transistores
Q, y Q4 se consideran como resistencias de valor r, (= l/g.l debido a la conexin que presentan
J
(colector y base en corto circuito):
r
.,
\~-----,
carga
107
Como r, = r, r", y suponiendo R. (r,. + r,. ) y r, + r, -) O, entonces:

1~
1) r
= r
11 r
r j ..
2) (r,
J~
J.j
1t.1
I~
"
1~
).\
t'i..
+ r, ) 11 RR = r, + r,.
I~
J~)2
3) v, -7 O
Por lo tanto, el nodo A se comporta, aproximadamente, como una tierra virtual (su potencial es muy
cercano a cero volts porque r,. y r,. son muy pequeas), por lo que el circuito simplificado queda como
},
'4
sIgue:
carga
Aplicando el MPA para calcular r .. ~ resulta:
Valor exacto
Tomando en cuenta que~"
1 y r..,
rn , ' el resultado se puede simplificar:
Entonces, el valor de r,.., es:
si
108
Para 1" = lmA Ycon los valores de referencia:
= 200 X
r,",
lOOK = 10M
mI
= 200 X
100K = 20M
si
r 11 = 1-'""
Ar
SI
V.6 FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR

Esta Fuente es una variacin del Espejo de Corriente. Se pueden obtener corrientes de salida muy
pequeas con corrientes de referencia grandes, lo cual permite que la resistencia de referencia RR no sea
de valor grande, ahorrando de esta manera rea de integracin.
V.6.1 Anlisis en
Suponiendo VA
cn [/" = F
-7
~; ~"
(IR) ]
I e \
= lB,
-7
O:
y utilizando la ecuacin del transistor:
Si Q,=Q, se cumple que I s , = I s2 y:

donde
o bien:
con
109
Para propsitos de diseo. IR e 1" son datos conocidos y permiten detemnar el valor requerido para R", '
V.6.2 Anlisis en CA [Clculo de r", a pequea seal]
El circuito de pequea seal de la Fuente de Con'iente Widlar. se dibuja considerando que el transistor
Q, se comporta como una resistencia de valor r,. debido al corto circuito que presenta entre colector y
base.
']
@Q
r.\'/~I
@
+
v, r,,
RR
",
r,.
carga
']
RE,
Redibujando el circuito y considerando RR 11 re.

JI
"
= r" (rO'.
JI
RR) resulta:
JI
~",v,
+-
+ v,
r,.
carga
']
Aplicando el MPA para calcular r,," se obtiene:
Valor exacto
ComorX re :
2
jl
r,,,, = ro, + (Re, 11 r" ) (1 + ~"2)

110
Si se cumple que RE, r", , entonces:
r,:-
~'
=r +R
"2
{';2
(1+IIJ
r"2
Para esta Fuente de Corriente se tiene la ventaja de que la r,"/ es alta comparada con la del Espejo de
COITiente sencillo.
V.7 FUENTE DE CORRIENTE COMO CARGA ACTIVA

Una de las aplicaciones de las Fuentes (Reguladores) de COITiente, es como carga activa en circuitos
amplificadores. A continuacin se mnestra el anlisis de un circuito emisor comn con carga activa (la
aplicacin de la Fuente de Corriente como elemento de polarizacin se ver en el siguiente captulo
correspondiente al Par Diferencial).
V.7.! Anlisis en
eD
Del circuito:
~~-~,
le,
'.\'(jl
le,
-----j--{) +
k"
VEe2 = V ec
- Vc!'
'
. '1
+0-----.-----1 Q,
v.
'~
Las curvas de i e vs.
v eE
para Q, y Q, se muestran a continuacin:
'e ,
le:!
r-----------
"Re
If
[REF
\-'rl"., .
Caracterstica para Q,
= CONSTANTE
1--(
elO2
Canlcterstica para Q,
111
Superponiendo las grficas anteriores en una soia, resulta:
ie,
ic~
.Ji
!
580mV= VD"
570
fl
560
1-
QI
Q, y Q, en
activa directa
-
V CE
Vec
=v
(>
~I
saturado
Q2 -- saturado
De la grfica anterior se puede obtener la funcin de transferencia entre v" y v, :
v"
V ee
!,,
,
----~------------- I - - -
i,
_______J_____ -----------------+--t----",----O ----'-----I---'--+I--VCESAT
0.560V -.t
1L
v'
0.580V
IR
VI' In T = 0.570V
s
De esta funcin de transferencia se observa que el circuito presentar una ganancia en voltaje muy alta
debido a la pendiente de la curva.
V.7.2 Anlisis en CA [Clculo de r,./ YAv = v" Iv, a pequea seal]

La Fuente de Corriente formada por Q2 y Q, se puede modelar como una Fuente de Corriente ideal con
su resistencia asociada.
112
",
v"
Vi
r.l:aJ
A pequea seal, la resistencia que presenta la Fuente de Corriente al colector del transistor
Q, es ' .." = '''2 . Por lo tanto, el modelo del circuito a pequea seal queda:
+0------,
+
v
r,
r
I
",
V"
o-----~---__<~
-=-
A
v
=, v" = _ g
Vi
(r 11, ) = _ g r" =
m
"1
"2
_~,
2
=:
w,
r"1 1I r"2 ::::-E.

2
AV =
.,"/
=-"
113
Con los valores de referencia. se obtiene:

A
=r
.....1
4000
= _ 2000
= IOOK
2 =50K
Obsrvense los valores tan altos de la ganancia en voltaje y de la resistencia de salida.
114
CAPITULO VI
PAR DIFERENCIAL
(PAR AC()PLADO POR EMISOR)
VI.1 INTRODUCCION
Un sistema amplificador muy bien construido puede manejar seales del orden de 2mV aproximadamente
como mnimo con respecto a tierra. La razn de esto es, que a ese nivel de amplitud el ruido es muy
apreciable en la seal que se desea amplificar.
l (grande)
R
A A
v.,. "'--'
-
~~' dtJ:~R'
."
+ ~VV\--O-
-r
%-
Sistema de
terminacin
simple
ij
Ruido
Distorsin por ruido
ambiental inducido en la lnea
de transmisin de la
seal
\v., =Av I
Con un Par Diferencial se pueden manejar seales del orden de 2..V debido al mecanismo de
funcionamiento del Par, el cual permite rechazar seales en modo comn, como lo sera el ruido. Para
lograr esto, se requiere que el Par Diferencial reciba una seal diferencial.
Para obtener una seal diferencial a partir de una fuente de seal referida a tierra, se puede emplear
algn circuito que se pueda modelar como si fuera un transformador con derivacin central en el
secundario.
R,
+
+
v,
"
11
Fuente de seal diferencial

117
Al enviar una seal diferencial a travs dc una lnca de transmisin, el ruido afectar a las lneas activas
con la misma amplitud (seal en modo comn), mientras que la seal enviada se encontrar en fomla
diferencial entre las dos lneas activas.
1(grande)
.','-----j
1-1
-
Seal en modo comn
Ruido ambiental
Seal diferencial
Para este sistema se tiene lo siguiente:
VI
= v.,. + v,
} v"
= K (v,
- v, )
v" = K [(v, + v,_) - (- v, + v,) 1= K 2v,
donde:
v, = Voltaje de ruido (comn)
v, = Voltaje de seal (diferencial)

La funcin principal del Par Diferencial es RECHAZAR seales en modo comn y AMPLIFICAR
seales en modo diferencial. Para lograr esto, el mecanismo de funcionamiento del Par es tal que, en
modo diferencial, se comporta como un emisor comn (con ganancia - 8 m (r" 11 R c
y en modo comn
se comporta como un emisor degenerado (con ganancia aproximada de - Rc IR EE ). Como generalmente
el valor de RE' es muy alto, entonces esta ganancia es muy pequea.
118
Av" = -g,fie
(grande)
t--~--.{)
Av
<
(pequea)
v 12
+ ,-------{Q
v.12
= -Rc/R EE
""
"<
+
v.
'" - -'L
~-'L
R EE
Configuracin de emisor comn

(modo diferencial)
Configuracin de emisor degenerado

(modo comn)
VI.2 ANALISIS A SEAL GRANDE
Re
Re
+ -
O-
O-
1"" 1
",
le, le,
-l
l-
Q,
+
V.
"
"2
V. F.,
Q,
- V. E,
+
V
"
Anlisis en CD
Este anlisis est dividido en dos partes. En la primera parte se estudia el comportanliento de las cOlTientes
de colector le, e le, como funcin del voltaje diferencial Vi" .
En la segunda parte se estudia el comportamiento del voltaje de salida diferencial v" en funcin del
"
voltaJ'e de entrada diferencial v .
'"
119
VI.2.1 Anlisis del comportamiento de 1c, el c, en funcin de Vid

De la malla fonnada por las dos junturas base-emisor se tiene:
-~ l'.
"
+ Vo'""'
V8~'
"'2
+ v.';, :::: O
Tambin:
Suponiendo ls I = ls;
2
J
el
~, = ~, =~" y VA = VA :
I
"BEI/Vr
SI
e("BEI-v8E2YVr : :; ; e (Vjl-vi2YVT
ISz eVBE2IVr:=
/c
2
lc
T
=
Por lo tanto:
(1)
e'i/vT
C2
Se define:
I=
Vid
Vi, -
v'l
como voltaje diferencial de entrada
Sumando corrientes en el nodo E y suponiendo R EE -> 00:

le
1 =_2
0. a
"
lEE = _1 (lc + lc )
cx.
I
2
(2)
Despejando le de la ecuacin 2:
J
le, =
alEE -
le,
(3)
Pero, de (1):
le
lc, = le, le:
=le,
e-'id/vT
Entonces, sustituyendo (4) en (3):
120
(4)
le =
I
alEE
1 + e-vidlVr
(5)
En fonna anlogo para le :

2
alEE
1 + eVidlVT
....................................................................................................................................(6)
A continuacin se muestran grficamente los resultados obtenidos para le e le en funcin del voltaje
'
,
d1'ferencl'al V . .
',/
-4---
0.5
aJEE
-RANGO DE OPERAClN-1
UNEAL (4VT)
UMITE DE OPERACIN (8VT)
L--
BASE Q, MAS POSITIVA
BASE Q, MAS POSJ71VA
'\
--'
121
En la grfica se puede observar el rango de v, de operacin lim:al. que va dcsde - 2 Vrhasta + 2 V r , as

como el lmite de operacin (respecto a v, ) d~l Par Diferencial, desde - 4 V, hasta + 4 V r . Se le llama
lmite de operacin porque, para estos val~res de v i, , se produce una conmutacin de corriente de una
rama hacia la otra en el Par Diferencial, es decir, cuando Vi es - 4 Vr la corriente de colector del transistor
Q, es casi igual al valor de la fuente de corriente de polariz5cin (aJE/)' mientras que el transistor Q, tiene
una corriente de colector casi cero. Cuando v. es + 4 V, sucede lo contrario.
'"
VI.2.2 Anlisis del comportamiento de v en funcin de v.'d
UJ
Para los voltajes de salida se tiene lo siguiente:
Se define:
vo" = VO'l
v'"
como voltaje diferencial de salida
y tomando en cuenta los valores de 'e I e 'e, (ecuaciones 5 y 6 respectivamente):
1 + e1~ ,I IVT )
Se resuelve la cantidad entre parntesis como sigue:

1
i)
'/2
1 + e-O>:::::
ii)
es del tipo
e'/2
e;K/2
-1-+ e-x:::::;
ex12
+ e- x12
esdel tipo
Por lo tanto:
e
e
u
Ahora: sinh u =
122
e -e
xl2
+e
-.>:/2
-.>:/2
.>:/2
~x12
+e
x/2
-11
--2'
cosh u
tanh u
-x/2
e - e
e x/2 + e -:</2
sinh u
cosh u
e -e
e" +e
11
-"
cce'_/cc'_--=e_-_'Icc'
Si u=Yz : tanh (~)2 - ex/2+e-x/2
V.
'd
Conx=-.
VT
--------,-------,
V
V.
"d
'd
VT
- 0.462
2VT
- 0.762
3 V.,
- 0.905
4Vr
- 0.964
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _...L
"d
-aJ'ERC
La funcin dc transferencia del Par Diferencial v ",] vs. v.'d se puede emplear para ....,generar una seal
senoidal a partir de una seal triangular cuya amplitud est comprendida entre - 2Vr y + 2 V r . La senoidal
puede tener menos del 1% de distorsin ..
123
D1STORSION < 1%
v'J
"J
T - - -
----1L---=+-~---1-----.. V.
I
',1
~~
I
-1
f---+----....
~~---------
1-l v.
'"
TRIANGULAR
VI.3 RANGO DE RECHAZO A SEALES EN MODO COMUN

Se define el voltaje de entrada comn como:
.Para que el Par Diferencial pueda RECHAZAR seales en modo comn y AMPLIFICAR seales
en modo diferencial, requiere que los transistores Q, y Q, del Par, operen en la regin de activa directa
y que la fuente de corriente tenga la mxima compliancia (sus transistores deben operar tambin en la
regin de activa directa).
El Rango de Rechazo a Seales en Modo Comn, es el intervalo del voltaje de entrada en el cual el Par
Diferencial puede rechazar seales de modo comn. Este intervalo depende del tipo y valor de Re ' as
como del tipo de la fuente de corriente lEE. El criterio para determinar los lmites superior e inferior del
intervalo, consiste en asegurar que en dichos lmites todos los transistores del circuito operen en la regin
de activa directa. Esto se logra con valores de Re pequeos.
124
Ejemplo:
IK
5001JA
V il 0 - - - - - QI
500IJA
Q2 j - - - - - - - { ) V
'2
Suponiendo que el modelo de la fuente de corriente de polarizacin (ICE' R".,) corresponde al de un

Espejo de Corriente sencillo con dos transistores, entonces el lmite inferior del voltaje comn que se puede
aplicar al circuito ser:
-15V + V
- VEE
CE,"::! +I V =I
- 15V+O.6V+O.6V= -13.8V
BE
I
, Voltaje de encendido de la unin Base-Emisor
Voltaje mnimo sobre la fuente de corriente
El lmite superior del voltaje comn de entrada al circuito est determinado por la cada de tensin sobre
las resistencias Re' Considerando un Ve"
= O.6V para Q, y Q, (Veo = V CE.'"' - V 8E =
' .
.
.,""EOS)
. V - O6V
.
= O. OV), entonces e11 umte supenor sera:
O6
+ 15V - V e8
+ Vee
- leRe
= +
Q
L_
,
L.;:J
15V-O.OV-O.5V= + 14.5V
Cada de tensin sobre Re

Voltaje CB mnimo en el lmite de saturacin
Rngo de Rechazo a Seales en Modo Comn:

[- 13.8V, + 14.5V 1(para el ejemplo).
Estos lmites obtenidos son vlidos si al circuito se le aplican seales en modo comn puro. Si la seal
de entrada presenta componentes de seal comn y de seal diferencial, entonces estos lmi tes varan de
acuerdo a la amplitud de la seal diferencial que se aplique al circuito.
125
En el ejemplo anterior, si el valor de N,. aumenta, el lmite superior del intervalo se reduce. El Par
Diferencial se disea para que presente el mayor Rango de Rechazo a Seales en Modo Comn, para
lo cual se deben conectar resistencias Ne de valor pequeo.
VI.4 ANALISIS EN PEQUEA SEAL

El Par Diferencial se considera un circuito de cuatro pares de terminales. por lo que su funcin de
transferencia se expresar en forma de matriz de transferencia.
El anlisis del Par en pequea seal se puede hacer desde dos puntos de vista diferentes pero relacionados
entre s:
1) En funcin de los voltajes de entrada y salida referidos a lieITa (voltajes nodales).
+
v.
+
v
",
"
Amplificador
Diferencial
+
v.
"
O
Donde
21
+
v
v"2 : : : A 21 v.'1 + A2'1V.'2

N
",
!-
<! = [~" ~ ,,]
v"1 -A,1v.'1 +Apv.

~ '2'
es la matriz de transferencia.
22
2) En funcin de los voltajes de entrada y salida diferenciales y comunes.
+
v". =A nnv.'e +A t"m-- ,v.
m
'el
+
v.
'd
126
Amplificador
Diferencial
.
+
v",
"el
=A,<1II-<"mV.'., +A dm V.',/
[A
A
A,,,-d ]es la matriz de transferencia.
donde ~* = A''''
l/m-<T11
Jrn
Se definen:
Vi"
v. + v
'1
'2
=--2--;
v
"1
V. ::::: V
+ v"2
'1
'd
"d
'2
=v
"1
(/2
El anlisis del circuito, con los voltajes diferenciales y comunes, se puede hacer de dos formas: con
hase en los elementos A,I' A '" A" YA" del anlisis anterior o aplicando el Concepto del Medio Circuito.
VI.4.1 Anlisis del Par Diferencial en funcin de los voltajes de entrada y de salida referidos a tierra.
Clculo de la matriz A
o--
All
v.
"
A l,
-----o
",
v =A 1I v'1
",
+
v
o-
._----{)
A '2
"
L--
v"~ =A 21;
v I +A.--. .,v./1
V
"2
A~2
o-
+ A I2 V i1
.____
Red de 4 pares de terminales.

Se requiere detinir 4 prametros.
Se describe esta red mediante las ecuaciones:
\!
"1
-=A"v_'1 +A,"v
- '2
v"';! =A 21 v'1 +A.,..,v.

~~ '2
donde:
",
A =\' 11
v"
l'
\ ",') '" (]
.
",
A 11 =\'"
,-
~.
(]
"
127
= _."2
21
V
"
v
A
v.
'" ()
=....:2
22
v.
"
"
V.
"
'"
A continuacin el anlisis se har para un caso particular en el cual la resistencia de colector Re es

mucho menor que r" .
Suponiendo R e r". [3, =[3, = [3" resulta el modelo:
(Tomando en cuenta le , =le Par balanceado)
+
v.
"
+v
.l-'
a) Obtencin de ve en funcin de v'1 y v..
'2
Sumando corrientes en el nodo E:
VI
v2
v"
-+g
v +gm2
v +r-r
mI
R= 0
EE
'/C
7t
Pero como:
VI=V. -V ,
"
'
V 2 :::::Vi ,-V"
entonces:
v.'1 - ve
v.'2 -
12
128
+gm (V." -V)+g

(V. -V)+-'-e
m
e
r'lt
- ' =0
R EE
ni
+~JV'
+(g +~JV.
-(2g
r
YIf.
1)" R1
= 2g
( m +- + rrr;
Vi
V=
"
EE
+-;:
&11/
V"
'2
'[
Tt
+1.+_
m
r7f. R JV e =0
'[
+ V.)
'2
EE
+ V.'2
rft
b) Obtencin de
v.'1 + V'2
2+ ( +\JR
g",
(V
2+
(1+_
1
&'"
EE
g",r
"1
Ahora bien, v"1
=-
'.
g vIRe =
m
-g
2+
)R EE
en funcin de v. y V
v./1 + v.'2
gmREE (1 +
~,,)
.
'2
Re (v.'1 - V )
e
Sustituyendo el valor de v, .
v=-gR
{JI
m
c'
"
+ v.
'2
= _ gmRc
129
" R.
rJ 1 + 2g R,.,.(1 1 +- )~
-~-
1 'v, - v " -
,.
1+
[3,.
V.""
'
2g
)?n( 1 + ~,,)
= _ g",Rc
2
= _
gmRc
2
............................(7)
V0] =A" V/] +A'2 V.'2

130
"'"'' ,.,
,,,
(8)
As pues, por analoga de las ecuaciones (7) y (8), Ytomando en cuenta que por simetra se cumple que
A" =A 22 YA 12 =A" ,queda:
A"
g",R c
= --2-
1+ gmR (11+--B"1)
liE
1+
I
2g",l?'f ( 1 +
VI.4.2Anlisis del Par Diferencial en ~uncin de los voltajes de entrada y de salida diferenciales y
comunes. Clculo de la matriz A
0----1
A,.",
+
---
v"
= \ v
l'
1fI
+
V
(}----
A ,"'_,,,,
',/
0~----1
A,",
+
V
l'
"d
"
+ A ,-".-d", v.'el
.
=A ,J"'-'III v'1 +A ,1m v'<1
",)
Red de 4 pares de tenninales.

Se requiere definir 4 parmetros.
l31
v.12
'"
v. =.v. - V.
'd
"
12
(voltaje de entrada diferencial)

(voltaje de entrada comn)
v.
'd
+'<o
2
V. =V.
'1
'd
V. = V . - /2
/<.
(voltaje nodal de entrada 1)

(voltaje nodal de entrada 2)
(voltaje de salida diferencial)
v1>1 +v1>2
V"'--2
tic
(voltaje de salida comn)

(voltaje nodal de salida 1)
V
V
"d
=v - "2
u<.
2
(voltaje nodal de salida 2)
Se definen:
, Amplificacin en Modo Comn Puro
, Amplificacin de Modo Diferencial a Modo Comn

132
~.
'd
, Amplificacin de Modo Comn a Modo Diferencial
'" o
"d
A<1111 =V.-
,,
~.
'd
, Amplificacin en Modo Diferencial Puro
"" (1
Para encontrar los valores de A,... ' A''''_dm' Adm-,m y A"m en tlminos de A" ' A 12 , A2I YA22 se procede
como Sigue:
Para v :
"c
v =v +v )
"(: 2l ( "1
2
v(11 =A"v.'1 +A 12 v;
'2
v"2 =A 2I v'1 +A,Y

-- '2
Substituyendo:
\. =
(A"vi, + A 12 vi, + A2I Vi, + A"v,,)

v.
+ -'d'
:::: V
2'
i,
il
v.::::
'2
'ti
V. - - '.
Agrupando:
v", =t[A"Vi, +tA"V'd +A 12 v.,.-&A 12 vi ,,+A 2I V., +1A2IVi,+A"Vi,-1A,,',,,,]
.......................(9)
Para
v
"d
"d
==v
"1
-v
"";!
v",j =:A 11'1

v +A l.'~
. y . ~A.,.1'1
v -A.--':,
. .,v
133
V""
=A"
h ~}A" (v" - '~/)-A" (v,.

+
'~/)-A" (v., - '~/)
v",/ =A 11 vi, +-A

v --A
v -'2-A 21 v'd -A 22 v'.
2 11 v' J +A 1::.,
2 12 v'd -A,.1',
-A"v
2 ~. 'd
v.." = (A" +A,,-A 2I -A,,) v,.. +~ (A" -A"-A,, +A,,) v," =A"",..",'\ +A".y,.,
(10)
Igualando coeficientes para la ecuacin (9) y para la ecuacin (10), resulta:
como A II
l
A..", = 2
;:::
A 22
A 12;::: A21 ' entonces:
(2A" +2A,,) =A" +A"
A..... =A" +A,,\
A"m'''m=A''m~'''=O solamente se cumple si A" =A" Y A,,=A 2I , lo cual resulta cuando el Par
Difcrencial est balanceado de manera que gmi = g111... , r = r1f y r"1 = r (los transistores del Par son
2
l
idnticos).
. '
It
"'l
Para A,m Y A"m , se sustituyen los valores de A" YA" obtenidos en el anlisis anterior (IV .4.1):
Acm =
134
~Rc
1+ g",R {I+
E
glllR c
1+
tf
._---';l_~
2g",R {1 + ~,,)
E
1
~---
g",R"
~"
1+
1+
{1 1)
20
R 1 +-0111 ;;.
A
1-'"
"A
Ji"'R_c
vlido slo cuando r,,
I+ 2g",Rli/i (1 + rFJ
n" -
Re
1-'"
1+
el",
(11 +-IJ
-~'~=-!~
1
1 + .----(- 1J
')'RI+-
'R
o
;::;;-~
-8",
~"
+1
+ g",R c{ 1 +
A
"m
= _ 8",Rs:.
t J_
I
1+-------2
(l+l..~
~,,)
R
8", ce
135
vlido slo cuando r"
Re
VI.5 RAZON DE RECHAZO EN MODO COMUN

La Razn de Rechazo en Modo Comn (CMRR) se defme como la relacin, en dB, entre la amplificacin
en modo diferencial (A,,) y la amplificacin en modo comn (A,,). Entre ms grande sea el valor del
CMRR, el Par Diferencial rechazar ms las seales en modo comn, esto es, la amplificacin de las
seales en modo comn ser muy pequea comparada con la amplificacin de las seales en modo
diferencial.
CMRR
= 20 log
Aflm
A
,m
Sustituyendo los valores de A dm YA,m que se obtuvieron en la seccin anterior, se obtiene:

CMRR = 20l0g [1 + 2 gmRE{ I +
CMRR =
136
~,,)]
20 log [2gA (1 + ~,,)]

E
1\
~+I
l l + - ,-= l ~'-'Pero'' e
~,,)
e ~fl
(
-= l
- -= le' entonces:
u"
le R ee ) '
CMRR -= 20 log 2 V
(
ee
\ -=
.-. 20 log (leeR
CMI'R
V'T
)
va'l'd
lOSO'1 o cuan do r,, R e
Del resultado anterior se observa que la Razn de Rechazo a Seales en Modo Comn (CMRR),
depende solamente de la figura de mrito (le.Ree) de la fuente de corriente que se emplea para polarizar
al Par Diferencial.
VI.6 EL CONCEPTO DEL MEDIO CIRCUITO

El anlisis del Par Diferencial mediante el concepto del Medio Circuito se puede aplicar a un Par que opere
en Modo Comn Puro o Modo Diferencial Puro, y no requicrc que sc cumpla la restriccin quc r" sea
mucho mayor que Re' es decir, este tipo de anlisis es ms general en ese aspecto,
VI.6.1 Anlisis en Modo Comn Puro
-0+
...2...-",
,-----\ Q,
v.,
R ee
-
Como se demostr que:

v
A
-= . .:3.
= O entonces v
drn-o"
= n
Vi
",1
=Oy:
'J
137
V
"<1
==v
V
",
"1
+_=v
2
",
v
",
v";:: =v1/ - -2= v",
1,
Este resultado significa que los voltajes nodales en los colectores de los transistores contienen, cada
uno de ellos, el voltaje de salida en modo comn.
Tomando el modelo a pequea seal y partiendo a R':E en dos resistencias 2RHE en paralelo:
+
V,
Como V es igual para los dos transistores y v.'1 = v,.2 = v.'(. entonces:
I!
v.'1 =v.'2 =v. fe'
tambin: gmv,
= gmv, ,
r1
=r
"2
V
<'
quedando:
Por lo tanto, el circuito se puede dividir en dos mitades idnticas, pudiendo as analizar solamente una
mitad.
138
l
-
Re
Re
--O
-'L-'"
~-'"
-
Vi,
r"
gmvh
+
v
"
-0
~ gmvh
VI>
~h
rrt
VI
= V2
El circuito resultante de una mitad queda:
<R
'-<>----------4--'L-_~------~---D -
Redibujando el circuito para aplicar el MPA:
r,
r $<11,
VV\,-~--{)~j
L-
---'
139
Nota: Como la R i", de la fuente de voltaje Vi se considera de O 12 , entonces la resistencia r" conectada
entrc colector y base. se puede dibujar como se muestra en el diagrama.
Clculo de la resistencia de entrada en modo comn puro (ri )
r. = r + 2R. [Re + ro (1 + ~)
',/{
2R EE +R c +r(>
] - - - - Valor exacto
Si r" Re Y ro 2R.. entonces:

r. = r + 2REFr" (1 + ~)
',Ir
r,.
Este valor coincide con la resistencia de entrada de un emisor degenerado en el cual se cumplen las
condiciones propuestas anteriormente.
Obsrvese que el valor de r",u se puede determinar de la expresin para ri, :
2RE [Re + ro (1 + ~) ]
2R,,+R c +ro
Si ro Re y ro 2R.. entonces:
Ir.~ =
2R.. (1
+~) I
Clculo de la resistencia de salida en modo comn puro (r,.,,)
- - - - Valor exacto
Si r. R c y r. Re entonces:
140
Clculo de la amplificaci6n en modo comn puro (A ,,J
Re
vo, , : : : : : _ - - V
r" + Re '
VX
= v. -
=--r +r
/"
Vh -
......................................................................(a)
J.l V
...................................................................... (b)
(. h
r.
(e)
"u.. .
Sustituyendo (e) en (b) y (b) en (a):
A = - ' = -Re- - [ 1-(1+ 11 )

V
t'"
i
r + R C'
r +r
1:/11
,.
"
1t
- - Valor exacto
l.!IU
Si r" Re Y r" 2REE entonces:
A
cm
!!s. [r.. J.l.rn]

u -
fJ
r1C + r
UI
2R
A )
1+--'(l+
r
p"
Este valor coincide con el que se obtuvo

anteriormente para A"" = A 11 + A" .
141
V1.6.2 Anlisis en Modo Diferencial Puro
Re
v",/+
-v
"d
Q,f----,
.----IQ,
v.
Como se demostr que:
entonces v",
= O, Y
v
v"d
v =v +~= +"1c
2
2
v
v
v =v -~=-~
"2
(".2
2
Este resultado significa que los voltajes nodales en los colectores de los transistores representan, cada
uno de ellos, la mitad del voltaje de salida diferencial.
Tomando el modelo de pequea seal en modo diferencial puro:
142
V.
+ --"!
2
En modo diferencial puro, cuando uno de los transistores proporciona corriente de AC al nodo E
(g",v, > O), el otro transistor demanda la misma cantidad de corriente (g",v, < O) del nodo E, por lo que la
cOlTiente neta sobre R EE es cero (debido a la componente de pequea seal). Por tanto, la cada de tensin
sobre R"" cs cero y se puede sustituir por un COIto circuito.
+
V.
'"
v,
r,
v,
',
Es obvio que basta con analizar tan slo una mitad del circuito.
143
r /2
'd
+
+
v.
vh
.2 +
2 -
r,
<
Clculo de la resistencia de entrada en modo diferencial puro (r.',1 )

Por inspeccin:
r.
'd
-=r
2
If
~
r.' =2r
1t
r
"
-{)
r,,$
r.
'd
Clculo de la resistencia de salida en modo diferencial puro (r'"l
Del circuito se observa que:
'i
144
Re
Re
r.wl
.-
r"2
"1
Clculo de la ganancia en modo diferencial puro (A J , )
v
A Jm =~.'
V.
(a)
'J
v.
'J
v =." 2
...................................................................... (b)
Sustituyendo (b) en (a):
A e/m
"d = - g
=-V.
ni
(r 11 R el
(J
'd
145
VI.6.3 Anlisis de la resistencia de entrada

La seal de entrada en modo comn
puro se aplica entre cada una de las
bases y tierra:
La seal de entrada en modo diferencial puro se aplica entre las dos bases:
Q,
12,
Q,
V.
~
Vi,.
R EE
2
-
-VEE
+Vcc
-VEE
+Vcc
r.
r.
'd
'd
Q,
Ir
'd
-VEE
146
La resistencia de entrada en B 1 YB2 no es:
r i vale slo para la componente Vi

1'." vale slo para la componente v.'
~
Vi
V;
Se ca1cu1a: l.., = l..'e + I.'d =-r. " + -r. d ,
'.
'd
Si 1',, Re Y1',, 2REf' entonces:
r. =21'
'd
'
El circuito equivalente aproximado para modelar la r i ser:
>
(B"
+ 1) 2Ri1'
<
VI.7 EJEMI'LO DE ANA LISIS DE UN CIRCUITO PAR DIFERENCIAL MEDIANTE EL

CONCEPTO DEL MEDIO CIRCUITO
Calcular 1'.. ' 1''''', ' A,,", 1',,,, r".J,,' A"", YCMRR para el siguiente circuito:
1"7
+ V CC = + 15V
V BE =0.6V
V CE
14.7K
RI
v.
v.
VA
"
'1
R,
- VE< =
29.4K
15V
1) Clculo de las corrientes de polarizacin IR 1 e IR ,
IR , =
R2
+ 15V-0.6V-(-15V)
29.4Kil
2) Clculo de los parmetros hbridos 1t :

a) Para QI' Q,. Q4 y Qs; I c = lmA
gm=40mAIV
r.=5Kil
ro= 100Kil
b) Para Q,; I c = 2mA
gm=80mAIV
148
=0.6V
SAT
lmA
= lDOV
13.. = 200
r.=2.5KQ
r =50KQ
"
r Jl A
Po r (J
3) Modelando las fuentes de corriente, el circuito resultante es:
~------()+
Vcc = + l5V
lOOK
IOOK
V"2
V,O-'1
50K
- VCC = - l5V
Anlisis en pequea seal

4) Anlisis en modo comn puro
..-----.----..-----~
+
lOOK
5K
V"
IOOK
o>-------------<~-------<O_---__r
8. =40mA/V
149
Rcdibujando el circuito para aplicar el MPA:
r,
r
J.1"vlo
5K
+ v.
2 (50K)
"
= 5Kn +
--:~
100K
v., +
r.
r,ul,
100K
2 (50Kn) [IOOKn + 100Kn (~" + i) ]

2 (50Kn) + 100Kn + 100Kn
,,,,,
r", ,
2 (50Kn ) + 5Kn
~,,=200
= 6.738Mn
= 100Kn 11 r = lOOKn 11 [IOOKn + 2 (50Kn) [5Kn (11" + 1 )
v",
11" = gmr" = 4000
lJ
=99.947Kn
100Kn
lOKn + 100Kn
[1
1- (
5Kn]
(r;, - 5K)
+ 11,) 5Kn +
A,m = - 0.9844
5) Anlisis en modo diferencial puro
r.12
',
+
+
v.
2 +
2
150
100K
100K
2
2
r.
=.o
'd
2 (5KQ)
=.o
lOKQ
r,., = 2 (l00KQ 11 100KQ) =.o 100KQ

d
v.
A d"
=.o
~ =.o
g" (lOOKQ
11
100KQ) = - 2000
'd
6) Clculo del CMRR

dm
CMRR =.o 20 log A
A,m
=.o
2000 ) =.o 66157 dB

20 log ( 0.9844
Resumen de resultados
r i =.o
,.
6.738MQ
'd
= 10Kn
, = 99.947Kn
r.,
A dm = -2000
CMRR
=.o
66. 157dB
151
- - - - - - - -
(~APITULO
VII
RESPUESTA EN FRECUENCIA
,
VII.! INTRODUCCION
Para un sistema electrnico, al cual se le aplica una seal de entrada X (/) Y responde con una seal de
salida Y (/), se puede definir su funcin de transferencia, mediante la relacin de las Transformadas de
Laplace correspondientes a X (1) Y Y (/) de la siguiente forma:
X(I)
Y(I)
X(s)
se definen:
=L
(X(I)}
Y(s) = L (Y(s)}
y la Funcin de Transferencia queda definida como:
y (s)
( s + a ) ( s + a, ) .. ' ( s + a )
"
(s+b,,)(s+b,) ... (s+b m )
F(s) --~-"
-
X (s)
Los valores de "s" para los cuales el valor de F(s) se hace cero, se llaman CEROS de la funcin de
transferencia (s = - all , s = -a, ,... , s = -a,,). Los valores de "s" para los cuales el valor de F(s) se
indetermina, se llaman POLOS ( s = -b", s = -b, ,..., s = -bm ).
/
La Funcin de Transferencia de un sistema electrnico, permite estudiar el comportamiento de ste en
el tiempo, analizado el comportamiento de la Funcin Compleja "F(s)" de variable compleja "s", esto es:
donde:
L
FIs)
Sistema
Electr~ico
IDlt)~
'--~-
1-
IDIs)
-~~
/DI ti = Dominio del tiempo

IDI ti = Dominio de la variable
compleja "s"
s = (J + jm
FIs) = Funcin compleja de variable compleja
Re ( F(s) } + 1m ( F(s) }
L
= Transformada directa de
Laplace
[,. = Transformada inversa de
. Laplace
--'
155
Corno se observa en la figura anterior. la Transformada de Laplace permite obtener la Funcin de

Transferencia del Sistema Electrnico. Dicha funcin es un concepto matemtico abstracto que permite
predecir el comportamiento del sistema en el tiempo. Se prefiere estudiar el comportamiento del sistema
a travs de la Funcin de Transferencia F(s) en el dominio de la variable compleja "s", porque su
anlisis puede ser menos complicado que el tratar de estudiar al sistema directamente en el dominio del
tiempo "t" a travs de la Ecuacin Diferencial Integral que lo detine.
La funcin F(s), por ser una funcin compleja (con parte real e imaginaria) de variable compleja
(tambin con parte real e imaginaria), requiere de cuatro dimensiones para representarse grficamente.
Debido a esta limitante, se pueden usar dos formas de representacin grfica para dicha funcin, las cuales
son las siguiente:
1) Graficar independientemente las panes real e imaginaria de la funcin F(s).
{] m{ F (s) }
fRe (F(s)}
;/1}
l/lO)
<J
-'0
2) Grrncar independientemente la magnitud y la fase de la funcin F( s).
IF(s) I
/
La segunda fonna de representacin grfica, permite relacionar directamente la Funcin de Transferencia F(s) con la respuesta en el tiempo y en la frecuencia, del sistema que se est analizando.
La representacin de las funciones IF(s) I y ~ corresponden a superficies en tres dimensiones como
se muestra en las siguientes figuras:
156
IF(s) I
En las grficas anteriores, al hacer un cOlte transversal' I de las superficies generadas, mediante el plano
IF(s) I y joo (cr = O), Yel plano F(s) y joo (cr = O) , se obtiene el perfil de la superficie correspondiente en
.
dichos planos.
j>
-",!:-:,,-: -:' --,: ....
- - .r'- - -
~ ~
- -," - -/ - -
/'~/II-; ... - -,'':. -",- -:,"':;'
,:- -- -/- -;'" -. --- ... --.......
Al dibujar la grfica del perfil obtenido en el semiplano formado por IF(s) I y jOO > O (cr = O), Y IF(s)
y joo > O (cr = O) ,se obtiene el Diagrama de Bode o de Respuesta en Frecuencia de un sistema cuya
funcin de transferencia es F(s).
" NOTA: Estos cortes corresponden a la excitacin de F(s) con una seal senoidal pura del tipo
- .
= coSOOI JsenOOI ,
:tjllJl
157
IFUro) I
(lag)
+--- MAGNITUD
I-------==;:I-------ro
(lag)
F(jro)
(lin)
L~~~--"..----:-~:;~
Diagrama de Bode o diagrama de Respuesta en Frecuencia
La ubicacin de los polos y ceros de la Funcin de Transferencia F(s) en el plano complejo "s", permite
conocer el comportamiento y la respuesta del sistema, cuando a ste se le aplican seales de pmeba como
son:
1) Impulso \
~
Generan la Respuesta Transitoria del sistema
Genera la Respuesta en Frecuencia del sistema
Escaln
2) Senoidal
Por ejemplo, si se analiza un sistema de segundo orden con dos polos complejos y conjugados en el
plano "s", se tienen las siguientes relaciones:
Plano
s "
Donde:
ro
0=
Frecuencia natural del sistema
ro"
0=
Frecuencia natural amortiguada
"
rod
0=
ro .,JI-l"~
11
ro Frecuencia de resonancia
0=
ro
0=
ro .,JI- 2l"
""
1;
158
0=
Coeficiente de amortiguamiento
Respuesta Transitoria al Escaln Unitario

,
OOd
K,
1.0
X ----.
Sistema
1.0
X"
"
= 00" (1 - ,'
.........
/""'\
'-./
Respuesta en Frecuencia
X"
X;
X;
( log )
-4dB/dec
Sistema
I ---.
)
X"
() =()
l'
~2'
11
V 1-2,
En este captulo se estudiar la Respuesta en Frecuencia de dos redes pasivas de Paso B ajo y de Paso
Alto (en las secciones VIl.2 y VIl.3 respectivamente), y el comportamiento del modelo hbrido 1t en alta
frecuencia (en la seccin VIl.4).
El anlisis y diseo de circuitos con transistores, respecto a su respuesta en frecuencia, se puede realizar
de varias maneras:
1) Por Simulacin del Circuito en Computadora:
Este tipo de estudio genera resultados muy precisos del comportamiento en frecuencia del circuito.
2) Por Estimacin de la Re~puesta en Frecuencia mediante el Anlisis del Circuito de Frecuencias
Bajas. Frecuencias Medias y Frecuencias Altas independientemente:

Este anlisis es aproximado y su ventaja radica en que no se requiere el uso de la computadora.
3) Por el Mtodo de las Constantes de Tiempo (polo dominante):
Este mtodo permite determinar, en forma aproximada, el valor de las frecuencias de corte baja y
alta para el circuito que se analice. Es un mtodo ms sencillo que los dos anteriores, aunque su
desventaja es que slo proporciona el ancho de banda del circuito.
159
El mtodo de anlisis del inciso 2) se presenta en la seccin VII.5, aplicndolo a un case patticular de
un amplificador de una etapa con un transistor en emisor comn, sin embargo, dicho mtodo se puede
aplicar, en forma similar, a cualquier otro circuito electrnico.
El Mtodo de las Constantes de Tiempo se presenta en forma general en la seccin VII.6 y se aplica,
como ejemplo, a varias configuraciones con transistores bipolares y de efecto de campo.
VII.2 FILTRO PASIVO DE PASO BAJO DE ter. ORDEN (LP)

Para el circuito RC mostrado, se obtendr su funcin de transferencia F(s), evalundola a lo largo del eje
jID (a = O) para conocer su respuesta en frecuencia.
Ntese que la excitacin proviene de una fuente de voltaje y la

respuesta se observa sobre un circuito abierto.
Considerando a la resistencia R y al capacitorC como dos impedancias Z(s) y -Z,(s), el circuito se puede
dibujar como se muestra a continuacin:
v, (s)
donde:
Z2(S)
V,(s) = [Z(s) + Z'(s) ] l(s)

Vo(s)
= Z,(s) l(s)
La funcin' de transferencia ser:

F(s) = Vo(s)
V(s)
. _ _~-,,-(,,-,s)c-l-'.-(s,,--)_
F(s) =
[Z(s) + Z,(s)] l(s)
160
Z2(S)
V.(s)
2, (s) = R, 2, (s)
Tomando:
= sC
1
F(s)=
sC
1
R+-
1
=_-,,-1_
sRC+ l
l +sRC
sC
Vr;z~
~~
Esta funcin tiene un polo real y negativo y un cero en el infinito:

F(s)
=O
jl
_-",1__
1+ s,RC
--~------f---~a
l
RC
l + s,RC --->
sl' =
l
RC
s,
-7
00
Para conocer el valor de la funcin a lo largo del eje Jl, se toma s =jl, a
F(jl)
= F(s)
= O.
Lw = l + j~RC
Se pueden tomar los valores de la magnirud y el ngulo de fase recordando que:
a kjb \_
I 'Ia"+b"
.,.-y-~
- -kl lajbl=
\
161
1(/~-=ARCTAN
J'b
k
Por tanto: si a
+ b/k
I
--~= ARCT4N-'-
(/
(/~
= 1, b = OlRC, k = 1,0:
I1" (j0l) I = -r.=~l~"T
~1+(OlRC)2
IF(jOl)
Definiendo
00P
= -ARCTAN Ol~C = -
= Isi, distancia del polo s

l'
l'
ARCTAN (OlRC)
al origen:
1
RC
00 = -
/'
11" (j0l) 1
IF(jOl)
= - ARC TAN
(00/00,.)
IF(jOl)1
20 log F (j0l )
F(jOl)
O
0.1
1.000
0.995
O.OOdB
-0.04dB
O.()"
-5.7
0,2
0.5
0.981
0.894
-O.l7dB
-0.96dB
_11.3
-26.6
LO
2.0
0.707
0.447
-3.0IdB
-6.99dB
-45.0
-63.4
5.0
10
0.196
0.100
-14,15dB
-20.04dB
-78.7
-84.3
00
0.000 ,
-oodB
-90.0
00/00"
162
1
.y 1 + (00/00,,)'
Para las expresiones anteriores se obtienen las siguientes curvas:

20/og IFUw) I
0.1
1,0
10
OdB 1"='''''''''=:::::::::::==:=---'07-:,,-,-----.-~.
,,
-3dB
,,
,,
--c----+-.
w/w"
-20 dB/dec
""\/
,,
,,
,
CARACTERSTICA DE MAGNITUD
,
,,
,
,
-20dB
1.0
10
0 -~j-,--'-------------+I---------------tl- W/W,.
0
CARACTERsTICA DE FASE
-45
- 45"/dec
/
-900
Las curvas en trazo continuo representan la funcin exacta tanto para la magnitud
cOln<J
para la fase.
163
Las lneas en trazo intenumpido constituyen la llamada aproximacin asinttica.

En general, para una red pasiva de Paso Bajo, la Funcin de Transferencia F(s) tiene el siguiente formato:
F(s)
=K
donde:
1
l +sCR".
K = Valor de la funcin de transferencia para

s =O ( o jw = O, frecuencia cero)
R". = Resistencia de Thevenin vista por el
capacitor e
Por ejemplo, si no se cumple que la fuente de voltaje excitadora sea ideal y la respuesta no se observa
sobre un circuito abierto, la red pasiva tendr la siguiente configuracin:
De acuerdo con el fonnato general de la Funcin de Transferencia, la relacin entre V,,(s) y VJs) ser:
donde:
RL
R,+R+RL
R,,, = ( R + R,) 11 RL
y la relacin entre V,,(s) y V(s) ser:
donde:
K=
RL
R+RL
, R,,=RIIRL
.
Obsrvese que en la Funcin de Transferencia F 2(s), el voltaje definido corno V,(s) se comporta corno
una fuente de voltaje independiente ideal.
VII.3 FILTRO PASIVO DE PASO ALTO DE ter. ORDEN (HP)

Para el circuito Re mostrado, se obtendr su Funcin de Transferencia F(s), evalundola a lo largo del
eje jw =O) para conocer su respuesta en frecuencia.
164
If-
Ntese que la excitacin proviene

de una fuente de voltaje y la respuesta se observa sobre un circuito abierto.
R>
V(s)
rv
-o
Vo(s)
<
-o
--
Considerando a la resistencia R y al capaeitor C como dos impedancias 2,(.1') y 2,(.1'), el circuito se

puede dibujar como se muestra a continuacin:
2,(.1')
------O-------C-----.-----o
+
V(s)
donde:
V,(s)
=[2(s) + 2,(s)J 1(.1')
VJs)
= 2,(.1') 1(.1')
+
2,(.1')
VJs)
La Funcin de Transferencia ser:

V(s)
F(s) =-'-'V/s)
F(s)
2,(.1') 1(.1')
2,(.1')
[2,(.1') + 2,(.1')] 1(.1')
2,(.1') + 2,(.1')
--'---'--
Tomando:
F( s)
2,(.1') = .I'~, 2,(.1')
=R
.I'RC
=----'1 R-'----- ----+R
sC
F(s) =
I +sRC
sRC
1 +sRC
165
Esta tlmcin tiene un polo real y negativo y un cero en el origen:
F (s)
p
F (s,) =O
--7 co
jl
V-
V-
sRC
"
1 +sI'RC
s,RC
--7 co
1 + s,RC
=O
V-
V-
1 + sl'ReO' O
s,RC= O
V-
V-
.1'1'
1
RC
I
RC
s , =0
Para conocer el valor de la funcin a lo largo del eje jl, se toma s =jl, cr = O.
= F(s) \'"iW
F (jl)
jlRC
1+ jlRC
1 + jlRC
jlRC
\'"j"'= -1-+-=-1==--1_-_ = I
F (jl) = F (s)
jlRC
F (jl)
= F(s)
-} lRC
\'"j"'= -1--,,1-""-1- } lRC
Se obtienen los valores de la magniuld y el ngulo de fase si se considera que:

a jb
-kjb
\ a k
I=k
'b
I .".--,
la} 1= k '1a-+b-
= ARC TAN b/k = ARC TAN I!.
Por tanto: si a = 1, b = l/lRC, k = 1.0 :

166
alk
FUoo)
Definiendo 00" =
00
"
= +ARCTAN l/~RC -- +AReTAN(oo~c)
ISI' I ,distancia del polo s" al origen:
l
=-
Re
IF (joo) I
20log I(joo) I
O.!
0.000
0.100
-<>edB
-20.04dB
+90.0
+84.3
0.2
0.5
0.196
0.447
-14.15dB
-6.99dB
+78.7"
+63.4 .
1.0
2.0
0.707
0.894
-3.0IdB
-0.96dB
+45.0
+26.6
5.0
0.981
0.995
-0.17dB
-0.04dB
+ 11.3
+5.7
1.000
O.OOdB
0.0
00 /00
10
167
Para las expresiones anteriores se obtienen las siguientes curvas:

20/og IF (w) I
0.1
1.0
OdB lt----------:~::::::======"""
-3dB
10
......~""f--.)/Wl'
CARACTERSTICA DE MAGNITUD
-20dB
+900
CARACTERSTICA DE FASE
+45
0-+--+
0.1
-1-1--------------'-4\-----. W/W,.
1.0
10
Las curvas en trazo continuo representan la funcin exacta tanto para la magnitud como para la fase.
168
Las lneas en trazo interrumpido constituyen la llamada aproximacin asinttica.

En general, para una red pasiva de Paso Alto, la Funcin de Transferencia F(s) tiene el siguiente formato:
F(s)=K-_I~
K = Valor de la funcin de transferencia para

s --t = (o j(J) --t =, frecuencia muy alta)
R". '" Resistencia de Thevenin vista por el
capacitor C
donde:
l +sCR,,,
Por ejemplo, si no se cumple que la fuente de voltaje excitadora sea ideal y la respuesta no se observa
sobre un circuito alJierto, la red pasiva tendr la siguiente configuracin.
R,
1-
V,(s)
V/s)
+
R
V,,(s)
RL
--o
De acuerdo con el formato general de la Funcin de Transferencia, la relacin entre V.,(s) y V,(s) ser:
M-'(S-)-
R 11 RL
C~V-,(s-) =-R-,+-R-I~IRL
donde:
R IIR L
-,
R+RIIR
s
l.
R,
--=1:..-_ _
sC [R, + (R 11 RJ ]
= R + (R 11 R L)
lo'
y la relacin entre V,,(s) y V(s) ser:

Fo(s)
.
V (s)
=-'-' = I
V(s)
. -----'---l +
l
sC [R 11 R,J
donde:
K = 1.0. R". = R 11 R,.
Obsrvese que en la Funcin de Transferencia F,(s), el voltaje definido como V(s) se comporta como
una fuente de voltaje independiente ideal.
VII.4 MODELO HIBRIDO 1t DE ALTA FRECUENCIA
Debido a la presencia de las capacitan~ias C. y C, en el modelo hbrido 1t del transistor en altas frecuencias,
los valores de la impedancia de entrada en la base del transistor 2,(s), la ganancia en corriente de (. e i,
(~" (s)) y la relacin de corrientes entre i, e i, (u" (s)), no son constantes, pues dependen de la frecuencia
a la que opera el transistor.
169
zw
..
Se busca conocer ~ = - - en altas frecuencias, para lo cual se coloca un corto ClrclIlto a la salIda
"
l,(s)
= O)
Y se analiza, en primer lugar, el comportamiento de la impedancia de entrada en la base del

transistor Z,(s).
(V,
Z,(s)
les)
..o-@
-L
'--_-c>--_-.._r_,_ _
.--r,,----<J---,.JV.
-4-
=O
13
"
=Z-(s)
lh (s) vco"
como
V,
= O =c}
l,(s)
= gY.cs)
El corto-circuito en la salida pone en paralelo a C, y C,' ; sus capacitancias se suman y la expresin de

Z,(s) ser:
r
Zh(S)
I
s(C.+C,,)
.-~'----
I
+ ---''----
1+ sr. (C.
+ C,,)
s (C.+C,,)
jO)
Esta impedancia de entrada exhibe un polo real y negativo y un cero en el infinito. El diagrama de Bode
correspondiente a la magnitud es:
170
20log IZ" (jO)
I
----------------- 20log r,
Como V,,(s) = Z,,(s) 1,,(.1'). se ve que
V,,(s) disminuye en altas frecuencias
con 1,,(.1') constante en magnitud,
-20dB/dec
/
'--------~---------------''''-. .
O)
V,,(s)
1 (s)
"
r,
1 +sr,(C,+C,,)
1,,(.1')
~"
1 (,-)
I + srn (Cn + C)'"
1I
Por lo tanto:
1(,')
~ (.1')=-'~=_
"
1,,(.1')
r~
f-',, _ _
I + sr, (C, + C )
"
Evaluando en s = jO), resulta:
~(jl) = jlr,~~,
l+
Se define
l~ '"
+ C,,)
~,
como la frecuencia a la cual la magnitud de

e,,)
valor en baja frecuencia (frecuencia de corte de ~" J:
r,(C,
A
f-'"
U J
l
~" decae 3dB por debajo de su
= 1 +J'(~"O) / l~ J
171
El diagrama de Bode para la magnitud I~" (jO) ) es similar al de IZ, (jO) ) l
20/og
IZ (jOI
b
I-----~.. -.. -----.--------- 20/og~"
-20dBldec
,/
En el diagrama, O)T es la frecuencia para la cual la magnitud de ~o(jO es unitaria.

Los fabricantes de transistores danfT (y por tanto O)T) como dato. La capacitancia C" es tambin un
dato:
CJ,.
C =c =
"
J,
-\j 1 + (V)
-2!!.
'1'"
C"
VeH O V eE ' dado a un cierto voltaje_
Con lo anterior se puede obtener el valor de C. de la siguiente manera:

Para 00
O)
Para 00 = O)T: ~o
I~
(joo)j
=~=
oo~. ~
0)/00
~
I= o: .13. = \'0,
O)
(jO) )
C.+C"
172
O)
OOT
= ~o O)~
y el valor de C n se puede calcular mediante la siguiente expresin:
Cn = m
gm - C"
r
Para el clculo de
Uo
(s)
=(s)/I, (s), se plantea la siguiente relacin:
u,,(s)
p"
(1+A) 1+ sr(c+c)]
n
n
"
1-'"
1+ 1-'0
A
.J,)"
Tomando
u (s) "
p"
,,~ +
1 +_n-:-n,
Ce)
1+ p"
1:
Uo
~~--~-::;-:-
r (C
1+ s
Evaluando en s
+C )
Po
1-1
=jm, resulta:
u"
u Um ) - -----''----
"
r(C+C)
I + jm
~o
"
"(m]
I +J - -
pom~
u (jm) = - _ o_
o
m
mr
I +j-
La expresin de la magnitud est dada por:
173
. I
a,.
,. (jOl) = ..+ (w/ol,)'
ol, es tambin la frecuencia de corte de a,. , y esto explica el por qu un transistor en confIguracin de
base comn tiene una extraordinaria respuesta en frecuencia.
VII.S ESTIMACIN DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA MEDIANTE EL ANALlSIS DEL

CIRCUITO EN FRECUENCIAS BAJAS, FRECUENCIAS MEDIAS Y FRECUENCIAS
ALTAS
Este mtodo de anlisis se presenta aplicado a un ejemplo en particular, para obtener la respuesta en
frecuencia de una etapa de amplificacin con un transistor en configuracin de emisor comn.
+Vcc
Re
R
R.-
Ce
-j
CB
+
v.,. "v
Vi
R,
Re
V ,.
R,.
Ce
Se dibuja ahora el circuito para seal pequea, pero tomando en cuenta las capacitancias tanto externas
al transistor como parsitas internas del dispositivo:
R,
+
Vi
174
+
V"
Esta red es excesivamente complicada para su anlisis. Como las magnitudcs de Cn y C. son mucho
menores a las de CE' C B y Ce (en un circuito bien diseado), entonces es posible definir las bandas de
frecuencias que siguen, si se considera que el amplificador contiene redes tanto de paso alto como de paso
bajo.
FRECUENCIAS
BAJAS (LF)
.......--
FRECUENCIAS
MEDIAS (MF)
. . : - - - - - - - - - - ' ' - - - - ' - - - - - - - . ..

. : ,.
EFECTO DE
REDESHP
20log Av
' FRECUENCIAS
, ALTAS (HF)
BANDA DE PASO
..
. EFECTO DE
',REDESLP
13dB
L-
r;
(00)
fe
(oo e)
f"
(00,,)
_'__+.
(00)
fe: Frecuencia central de la banda de paso
l.. '" .yr;. 1"
(media geomtrica)
f L : Frecuencia de C0l1e inferior

f,,: Frecuencia de corte superior
Para la banda de frecuencias medias (MF):

Los capacitares C ,;, C H y Ce actrul como corto-circuitos.
Los capacitares Cn y C. actan como circuitos abiel1os.
175
c.
CB
R,
rv
r"
v.
RB
v.
V .
Ce
Re
RL
v"
Para la banda de frecuencias altas (HF):

Los capacitores CE' CB y Ce actan como corto-circuitos.
Los capacitores C. y C. ejercen influencia.
R,
C.
CB
+
vb
rv v,
Vi
RB
Para la banda de frecuencias bajas (LP):

Los capacitores CE' CB y Ce ejercen influencia.
Los capacitores C. y C. actan como circuitos abiertos.
176
Ce
+
r"
Re
Vu
RL
c.
R .'
Ce
rv v,
v.,
-1
+
vh
ro
C.
RB
Re
"
RL
VII.S.l Anlisis a frecuencias medias

Clculo de las ganancias en voltaje Av = v" Iv; y Av'
Redibujando el circuito correspondiente:
=V
Iv,..
r.
"
Simplificando el circuito resulta:
v.,
!., =R-
.'
177
v= R i
,
+
.
v" = - R)'g mv
V.l
=-
v,
. R
v"
.'
=-
g RYv.
171
R,
v -g R v
-"
/11)"'-AV g""Il y
v_, - V
,
Tambin: v
.1
A '
.t.\
=R i
.' .'
= _ g,fl,R,
R,
Considerando un caso particular donde:

r.=5KQ
= l00KQ
gm=40mAlV
ro
~o = 200
R.=20KQ
f r = IS0MHz
R,=600Q
C.=SpF
C.=37.4pF
VA = l00V
Queda:
Av' = -166
R, =5220,
R,=4.76KQ
178
(45.6dB)
(44MB)
Vn.5.2 Anlisis a frecuencias altas

Clculo de las ganancias en voltaje AvCs) = V,,(s)lV,(s) y Av'(s) = V,,(s)lV,(s).
El circuito respectivo es:
----------_._----------------------,
R,
v"(s)
Simplificando el circuito resulta:

V(s)
Transformacin de fuente a equivalente Norton.
[(.1')=-'-'-
R,
ZJs)
R,
= R, 11 R. 11 r,
La red resultante puede analizarse por el mtodo de nodos:

B:
V(s)
- [(s)
+ --R' + sC 11 V{s)
+ sC1[V(s)
- V f'(s)]
,
,
1'
,
C:
sC, [V,,(s) - Vi(s)]
=O
v (s)
+gYi(S) +8
=O
,.
o bien:
B:
C:
1
(R , + sC
11
+ sC1) 1V(s)
- sCl-lV " (s) = [(s)
'
,
'
" - sC1) 1V(.\)

'
( 1:>",
+(sc + R1 ) V (s)
11
"
=O
179
Resolviendo el sistema de ecuaciones para V,(s) y V.(s), resulta:
V,(s)
=R,
1+ RyC.s
1
1 + (RxC. + (R, + R y + gmR,R) C.) s + R,RyC.Cl ,(s)
..................................( I )
......................(2)
La ganancia en voltaje Av(s) ser:

C.
A (s) - V,,(s) R
v
- V,(s) - - gm y
I--s
gm
Funcin con un polo real y negativo y un cero

real y positivo.
Tomando valores numricos: gm = 40mA/V, R y = 4.76 KQ, C. = 5 pF ;
A (s) = -190.
v
8.00 x lO"
1+
Paras ~ O: IAv(O)! = 190
(45.6dB)
Paras~oo: iAv(oo)i=1.0
(OdB)
42.0x 10
Cero en +8.00 x 10' radlseg

(1.27 GHz)
6
Polo en - 42.0 x 10 radlseg
(6.68 MHz)
El diagrama de polos y ceros queda:
jffi
..
6
-42.0x 10
180
+ 8.00 x 10'
+45.6dB f - - - - - - , .
-20dB/dec
OdB--+---+
6
42.0 x 10 rad/seg
(6.68 MHz)
*------
8.00 x 10' rad/seg

(1.27 GHz)
2.28 dec
---7'
La ganancia en voltaje Av'(s) se obtiene a partir de la ecuacin (2) sustituyendo J.(s)
= V~~.)
V(s)=-gRR
"
m
r
~
As pues:
Esta funcin tiene dos polos reales y negativos, un cero real y positivo y un cero en el infmito.
181
Con valores numricos: R,

C, = 51'F:
= 600Q,
166
R,
= 4.76KQ,
8.oox 10'
R,"
= 40mA/V,
1-
-------"=~~-;2;---
1+
1.84 x 10
Para s -> O: IA;(O)
= 522fL
1A;(s) =
R.
I = 166
C.
= 37.4I'F,
s
2.15 x 10"
(44.4 dB)
Cero en +8.00 x 10' radlseg
(1.27 GHz)
Polo en - 1.85 x 10 radlseg
(294 KHz) -> (0.392
Polo en -1.17 x 10' radlseg
(185 MHz)
f~)
El diagrama de polos y ceros queda:

jro
------*------'l'~'---_j----------.____O_____
- 1.85 'x 106
+ 8,00 x 109
- Ll7 x 10
El diagrama de respuesta en altas frecuencias se muestra en la siguiente pgina:
182
(J
2010g IAv' Uro) I
+44.4dB
--20dB/dec
OdB
-j----------:-::-:--cc:-r--'k--+--;;--I-------.. ro
---g5x 10'
(294 KHz)
- 11.6 dB
306x 10
(48.6 MHz)
lJ 1.17 x
10'
8.00x 10"
r (185 MHz) (1.27 GHz)
(rad/seg)
(f)
..
J,
2.22 dec - - - _ + '
dB
+___---- 2.80 dec - - - - . _.

-45.1 dB
.84 dec
-20
/dB/dec
: <4-------+- :
183
Anlisis de los resultados

l. Comportamiento de la impedancia de entrada del circuito a frecuencias altas
La razn por la cual Ay'(s) = V,,(s) IV,(s) tiene una frecuencia de corte alta ms pequea que AV<s) = V,,(s)
IV;(s) es:
A '(s)
= V,,(s) = V,,(s)
V (s)
.'
Av' (s)
=Ay(s).
V.(s)
I
V;(s)
V (s)
J
Z(s) 1 (s)
"
R, .l,(s)
Z(s)
AV<s) .~:-
Donde Z.(s) es la impedancia total entre la base del transistor y tierra (incluye r., C.' C.' Ro Y R).
Su valor ya est dado en la ecuacin (1) obtenida anteriormente:
I +RC,s
,.
Entonces:
V;(s) R,
V,(s) = R,
Numricamente:
1
AV<s) = - 190
1+
184
1 (s)
+ (R,C. + (R, + R, + gmR,R,) C,') s + R,R,.c.C"s'
s
s
6
4.20 x 10
Con base en las expresiones anteriores se observa que:

V.(s)
Av'(s)~AV<s)' - '-
V,(s)
C
1--' s
A '(s) ~ _ g R _.':'.-. R,
v
l +R }'C11S
l +R,.C,s
R .<
o sea:
S
9
Av'(s)
=-
190
1 ~-
S
6
l+ 8.00: 10, .0.870 .(1 + _.!.-~2).0(: ~O s )

42.0 x 10
1.85 x 10'
1.17 x 10'
A'(s)=l66"
1 - -s- 8.00xI0'.
1+
(1+s
)(
S)
1.85 x 10
1.17 xIO
'1
A continuacin se dan los diagramas de polos y ceros correspondientes. Se ve que la funcin V;(s) IV,(s)
y por tanto Z,(s) es la que introduce el lmite de ancho de banda. La limitante principal se debe a que la
impedancia en la base de un transistor es fuertemente capacitiva. Si la excitacin proviene de una fuente
de seal cuya impedancia de salida sea alta, esta caracterstica capacitiva en la base causa una disminucin
en la amplificacin de voltaje a altas frecuencias.
185
jlfJ
: +--
+_8_._0 - <~
11-
- 42:; 1"
'
(J
Cancelacin
polo-cero
jlfJ
- 1.17 x 10:
10'
V(s)/V/s)
- 1.85 x 10
--}/~--O;...t---*---_+------------------.---.;---.
(J
- 42.0 X lO
jlfJ
--')C)(r-------o~---+_-----------------c.:..:o_- ... (J
-1.I7xlO'
-1.85xI0
+8.xlO'
Este polo limita el ancho de banda del amplifica' - - - - - - - - . - - - dor (polo dominante: su distancia al polo o cero
que le sigue en magnitud es mayor a 2 octavas).
2. Efecto Miller
Se puede explicar la fuerte limitacin en el ancho de banda causado por la componente capacitiva en la
base del transitor si se considera el efecto de amplificacin que el circuito produce sobre Cp
+
V,,(s)
186
Circuito exacto
R"
Circuito aproximado
Considerando que la ganancia del circuito a frecuencias medias es Av = v" Iv; =

el Teorema de Miller al circuito exacto, resultando lo siguiente:
o----e:z=J--o+
+
V,(s)
- gmR,., se puede aplicar
VJs)
V,(s)
l/sC
1 - Av
1 - (- gmR)
I
Z=sCv
Z=--=--~
C, representa el efecto de amplificacin que produce el transistor sobre C v .
y considerando
resulta:
Z
1
sC
1
sCEQ
~Z=-=-"
por lo tanto
C EQ = C, + C,
= C, + [1 + gJ?,J C"
187
Entonces del circuito aproximado se obscrva quc pr,'scnta dos redes de paso bajo, cuyas frecuencias dc
corte se encuentran en:
I
ffi=--------''------I
(R, 11 RB 11 r,) [C, + (1 + g"R) C,J
ffi2 =R
1l 2
I
C
I
RC
)'
EQ2
I!
Con valores numricos:

R,=600Q
RB =20KQ
R,=4.76KQ
r,=5KQ
g",=40mAIV
= 1.93 X 10 radlseg
00, = 42 X 10 radlseg
6
00,
C,=37.4 pF
C,,=5pF
(307 KHz)
(6.7 MHz)
Cuando se aplica el Teorema de MilIer a un circuito para analizar su respuesta en frecuencia, solamente
es vlida la frecuencia ms pequea que se obtenga, puesto que en las frecuencias mayores a sta, la
ganancia en voltaje Ay = v/v, que se emplea en dicho teorema para los clculos de Z. y Z, ' ya no tiene
un valor constante.
De acuerdo a lo anterior, la frecuencia menor es 00, ' la cual representa una aproximacin de la frecuencia
de corte alta del circuito exacto. Comparando el valor exacto con el valor aproximado obtenido por MilIer
se obtiene lo siguiente:
Valor real para f H = 294 KHz.
Valor aproximado por MilIer:fH = 307 KHz.
Este valor constituye una aproximacin razonable, pues representa un error de s610 el 4.4%.
VII.5.3 Anlisis a frecuencias bajas
Clculo de las ganancias en voltaje Ay(s) = V.,(s) I V,(s) Y Av' = V.(s) I V,(s) .
Se redibuja el circuito:
188
2,(s)"
C.
R.'
1l-t_-t--~
+
V,(s) "v
2,(s)'
V;{s)
Vh~) f'
----+-------'
V,,(s)
El anlisis de este circuito es extremadamente complicado pues 2,.(s)' y por tanto 2,{s)" varan con la
frecuencia. Del mismo modo, 2",ls)' y 2,js)" tambin lo hacen. As pues, las expresiones para las
frecuencias de corte de paso alto debido a C R, CE y Ce no son explcitas, resultando una funcin de
transferencia de alto orden. Para obtener una solucin que sea fcil de interpretar se pueden separar los
efectos de C. y Ce por un lado y Ce por el otro.
VII.5.3.! Efecto de los capacitores de acoplo C" y Ce

Se supone CE' muy grande de modo que el emisor est bien derivado a tierra:
+
V,(s)
"v
V,(s)
+
r"
Tomando el equivalente de Thevenin del circuito de salida y considerando R;
= R. 11 r,
y R, = r" 11 Re :
189
R,
V(s)
V,(s) "-'
Se tiene un circuito formado por dos mallas similares.

Basta analizar una de ellas y extender el resultado a la otra:
1) Para la malla de entrada:
= R, + sCB =
1 + sR,CB
,
sC
' Z2(S) = R B
Vb(s)
Z2(S)
V,(S)
Z(s) + Z2(S)
Vb(s)
V,(S)
1 + sR,C
sCB
--=-"'-".B + R
R;
=
sRB'CB
1 + sR,CB+sR;CB l+s(R,+R;)CB
sCB
Vb(s)
V,(s)
190
sR;CB
I + seR, + R;) CB
2) Para la malla de salida:

V,,(s) -1 Vo(s),
Ambas funciones de transferencia tienen un cero en el origen y un polo real y negativo.

Los diagramas de polos y ceros correspondientes se dan a continuacin junto con los diagramas de Bode
para la magnitud:
joo
--------,)~~.-------------------_e)_----
(J
V,,(s)
ves)
sR;Co
I + seR, + Ro') Co
----"1
I + seR, + R;) Co
sRo'C.
I
=------'''----
_-'--_+ R +R'8
,f
sRo'C,
Ru'
191
= -=-R~8_'-c
R , +R'
8
1+
I
s(R, +R;) C8
R,
v,(s) - R,
Vb(s) _
1
I
00
--..b!'
Con:
I
OOL8
=-c(R=--+--cR=--)-C=,
R'
B
I
R,R;
I
-.
= - (R IIR')
R s R .v +R'
R
'
8
B
s
I
Rx
=-(R
IIRB IIr)=R
s
1t
R
20/0g Vb
V,
(joo)
~LB
-I------'-~----------_.oo
20/og
;x,
R,
=R, ..JI + (OOL8/00)'

192
jm
- - - - - - - ' ) ( , - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ( ) - - - - - - - - - - - - - - - . <J
V,,(s)
Vh(s)
=-
gmR"
I + s(R A + RJ Ce
sRLCe
= -g"/?,-
---'---mI +-----'&..
V,,(s)
Vh(s)
Con:
m
'_C
= - g./?,
I
m
I +-----'&..
s
= ---'------
(R A + R/. ) Ce
193
R"R,.
~-----::R +R
A
= R, 11 R, =,.
t
(>
11
Re' 11 R,
,
=R
,.
V
20/og _" (jm)
V.
20/og gno R)' - ....
"'.~-----------
"-+20dB/dec
/
- + - - - - - - - fI -- - - - - - - - - - - - m
mLC
_" (jro) - gR'
V.
1
-1J+(m u 1m)'
Escribiendo la funcin completa:

A '(s) = V.,(s)
v
V,(s)
= V,,(s)
V.(s)
V.(s)
V,(s)
m
s
1 +--m
AJ(s) =
194
g)t'
,
No se puede ilustrar el diagrama de polos y ceros ni el diagrama de Bode para la magnitud, puesto que
no se conocen las posiciones relativas de OOLe Y OOw . Se requiere aplicar los valores numricos.
Para obtener AJs) se toma en cuenta lo siguiente:
Cn
~f-'----I--'
V,(s)
-1-
V/s)
'-------~---_.-
JOO
--- ---
V,,(s) _
.~o------" (J
V(s) --l-l-SR.'CH -~=-=

----,-_.vR'C
sR. Cll
B
B
195
J:, (joo)
2010g
00'
Ul
-+-------,......- - - - - - - -..... 00
-" (j00)
Vi
+20dBlde,'

La expresin de V,,(s) I V,(s) es la misma que se obtuvo en el anlisis anterior para Vals) I V,(s) .
Por lo tanto, la expresin comple.ta para A,,(s) = V,,(s)/V,(s) ser:
V (s) V,(s)
A,,(s)=-"_ - = -g.fi
V,(s) Vi(s)
y
Para estas funciones tambin se requiere aplicar los valores numricos si se desean obtenerlos diagralli.l"
correspondientes.
Evaluando las funciones anteriores resulta:
Tomando Ce = I~F , CB = I~F Yconsiderando los otros valores numricos dados:
-1
RA = r 11 Re =(
l
3+
l ,)
"
100 X 10' 10x 10'
R;
= 9.09KQ
=R. 11 r =(20xIO
1 3+ 1 3)-' =4.00Kil
5xIO
1
(9.09
=
00=
LB
196
52.4 radlseg
lO' + 10 X lO') X lO""
(8.34 Hz)
1
=
1
(R, + R;) C. (600 + 4.00 X lO' ) X lO""
= 217
rad/seg
(34.6 Hz)
= 250
rad/seg
(39.8 Hz)
jJ
)(
)(
- 217
- 52.4
;'ro de 2" orden
A/s) =
190
--;(--::-::-2-'4")-l~2~5"'0')
1+~
1+~
jJ
-.tfr~---------(J
-1),<.-(-------*-----11..,
"-
- 250
- 52.4
Cero de 2" orden
197
Los diagramas de respuesta en haja frecut.::ncia correspondientes a las expresiones anteriores, se

+44.4dB
+ 32.0dB
+20dB/dec.
((JLa
+40dB/dec
O dB
:<'1 e
-I-~/--------~i
8.29
radlseg
( 1.32 Hz)
((J,.
constituye el
lmite inferior
de la banda de
paso
-=.- - - - - - + 1: -=---------..
52.4
rad/seg
( 8.34 Hz )
(01.8
(j)
217
radlseg
( 34.6 Hz )
..............,
+45.6dB
((J
---------
+ 32.0 dB
((JL;
+40dB/dec:
8.29
radlseg
( 1.32 Hz)
198
= ((JL
constituye el
lmite inferior
de la banda de
paso
VII.5.3.2 Efecto del capacitor de desvo Ce

Se suponen CB y Ce muy grandes de modo que el acoplamiento a la fuente excitadora y a la carga son
perfectos, pero el emisor no est bien derivado a tierra:
R,
+
VJs) "v
V,(s)
Vh(s)
~ r,
+ gm Vh(s)
r"
R.
Se toma:
Obteniendo los equivalentes de Thevcnin entre los puntos B y G, Y e y E:

,
V (s)
,
RB
= --~ V{s),
R,+R B
R,'
--l\IV'v-------,
r"
,---.J\
Vh(s)
r,
v (s)
V,'(s) "v
L------_.o>--
__<~---------'
199
Planteando las ecuaciones de malla del circuito resultante:
1:
-V:(s)+R:I,(s) + r,l,(s)+zis) [/,(s)-I,,(s)J
11:
g",r'y.(s) + rJ,,(s)
Como V.(s)
=O
+ RL"J,,(s) + Z,(s) [/,,(s) - 1,(s)J = O
= r ,I,(s), se reordenan las ecuaciones:
JI,(s) - Z,(s)/,,(s) = V: (s)
1:
[ R: + r, + Z,(s)
\l:
[gmr"r, - Z,(s)J I,(s)
+ [r" + RLAC + Z,,(s)J I,,(s) = O
Resolviendo las ecuaciones para I,(s) e I,,(s), resulta:
I(s)=
"
Z,(s) [R,'
Z (s) - (3 r
~,
""
+ r, + Rw : + r" (1 + (3)] + (R: + r,) (r" + RLAC )
'V'(s)
,
Como: V,,(s) = RLAJ,,(s) , y V,(s) = V: (s) - R:I,(s), entonces la ganancia en voltaje A ,,(s) queda:
A (s)
v
= V,,(s)
V,(s)
V: (s) - R:I,(s)
y sustituyendo las expresiones correspondientes a I,(s) e I,,(s) y simplificando el resultado se llega a:
La funcin resultante es semejante a la del circuito amplificador con un solo transistor bipolar en
configuracin de emisor degenerado excepto que R, ha sido sustituido por 2is). Para conocer el
comportamiento en funcin de la frecuencia, se substituye 2,,(s) por su ecuacin:
R"
k)= I +sR
Obteniendo finalmente el siguiente resultado:

200
E E
Esta funcin tiene la fonna:

s
1+A v(s)
<
= K - - -sZE-
1+(O"
Diagrama de polos y ceros:
---
"~)C(;:---- " - - - - - ( ) - - - - -
donde:
Amplificador de voltaje para la
configuracin de emisor degenerado
201
El diagrama dc Bodc para la magnitud dc Av (jw) es:
20/ogA v,, ._
20/og
IKI +----,/
_".~--
+20dB/dec
-I----------i--------r----w
ro",;
Sc pucdc conoccr al valor dc Av" si se hacc tender s

transformacin algebraica quc se detalla a continuacin:
-7
en la funcin, o bien, si sc cjcrcc la
donde:
Sustituyendo las expresiones dc 00", w7.E Y K c~ la ltima exprcsin y simplificando cl rcsultado sc

obtiene:
y la expresin para AJs) se pucde escribir como:
202
Evaluando la expresin anterior resulta:

Con CE = 100llF Ylos otros valores numricos dados:
K= -4.85
Av" = -190
= 10 rad/seg
(1.59 Hz)
(62.6 Hz)
00" = 393 rad/seg
(13.7 dB)
(45.6 dB)
OOZE
s
1+A,,{s) = - 4.85
10
s
1+ 393
- 190
+ 45.6dB - -- ------ - -- ------ - ---- - - ----- -- ---- -
1 +JQ
s
393
1+s
er-- - - - - - - - -
+ 20dB/dec
+ 13.7dB
OdB
+-----~
-1--------------+-------------------_. l
10
rad/seg
(1.59 Hz)
393
(j)
rad/seg
(62.6 Hz)
Para fines de diseo, se puede toinar en cuenta lo siguiente:
203
La caracterstica con pendiente de +20dBldc(' implica proporcionalidad directa:
como:
R y = ro 11 Re 11 R L = r" 11 R uc
y dado que:
entonces:
ro R lAe (relativamente)
R, ~ Rue
La frecuancia <OZE correspondiente al cero est dada por el inverso de la constante de tiempo en la red
del emisor:
p"r" -RE
I
P,r"Ri:.'E ~ RECE
Como la frecuencia <OpE correspondiente al polo es la que constituye el verdadero lmite inferior en la
banda de paso, en lo que al emisor se refiere, es necesario seleccionar el valor del capacitor de emisor
poniendo atencin a este punto. Esto se hace notar en contraste con el caso de los capacitores de
acoplamiento, para los cuales las frecuencias correspondientes a los polos constituan el lmite inferior de
la banda de paso, antes de analizar el efecto del capacitor de emisor.
204
2010g Av UOl)
2010g g R
m
LIMITE INFERIOR
DE LA BANDA DE PASO
:.;._~l_+--__B_A_N_D_A_D_E_P_A_S_O_-
+ 20dB/dec
R'
B
+40dB/dec
0------'---4)
------/-----------+00
---1-I
. RB'C.
(EFECTO DE POLO)
20/og
2010g
1"
C>'I'
\'
lA" UOl) I
LMITE INFERIOR
DE l.A BANDA DE PASO
I --- --- ----- --- -- -- -- ---- ----
- -------- ---
L--
BANDA DE PASO
-,.-------------
+ 20dB/,dec
2010g I K\
+--------/
-_----;.------,"----'--------_00
1
RECE
(EFECTO DE CERO)
(EFECTO DE POLO)
205
Ahora, para la ganancia en voltaje A,.'(s) = VJs)/V,<.v). resulta:
V,,(s)
RlAcil/(s)
Av (s)=--=
V{s) R +R.
R~" V,'(s)
"
Sustituyendo las expresiones correspondientes a l/s) e I,,(s) y simplificando el resultado, se obtiene:
v (s)
Av'(s) =-'-'-
V,(s)
= K'
Funcin semejante a Av(s) excepto que sus parmetros tienen valores diferentes.
Donde:
K'
R n_.
-R LAC (A
r -R)
__
p"
E
R,+rB R,,[R,' +rn+RlAc+r" (1 +~,)]+(R,' +r,) (r,,+RlA()
/1
R"C..
La expresin anterior para Av' (s) se puede escribir de otra forma mediante la siguiente transformacin:
I+ _s_ _S_(OOz; + 1)
Av' (s) = K' _ _ = K'
I+ _s_ __s_ (oop;s + 1)
(O's
00'
---'Z"'E--;-_ _----c:-
",ZE
ffi pE
00'
PE
00'
l+~
00'
I +---!:L
donde:
. 00 '
A '=K'-ff....
Vi>
206
roZE'
Sustituyendo las expresiones de mp ;

obtiene:
mlE' Y K' en la ltima expresin, y simplificando el resultado se
A,:.'(s) =
y la expresin para Av'(s) se puede escribir como:

m'
s
mf'E'
I+-~s
l
Av'(s) = K'
+~ZE
Tomando valores numricos y recordando que CE = 100llF :

(13.4 dB)
K= -4.69
Av,: = -166
lzc'
(44.4 dB)
s
1+-
A '(s)
v
= - 4.69 _l--. = s
1+ 353
m",,'
= 10 rad/seg
= 353 rad/seg
(1.59 Hz)
(56.2 Hz)
10
1+-166 _ _s.....
353
1 +-.1'-
2010g IAv' Um) I
+ 44.4d8
+20dB/dec
+ 13.4dB -+-------../
;
OdB -+-------'-------------'---------- m
10
353
(f)
nu//sl'g
(159 Hz)
J"(Ul/Sl'g
(56.2 Hz)
207
En cuanto a la relacin entre las magnitudes de. 00,; y 007.E', se pueden aplicar los mismos conceptos
que para OOlE . Sin embargo, es ms sencillo encontrar el valor de CE en trminos de la magnitud
del polo para la funcin A.,(s), para luego encontrar la magnitud de rop ; .
Para conocer la respuesta global en el rango de bajas frecuencias se puede suponer que los efectos de
CH y Ce' por un lado y CE' por el otro, son mutuamente excluyentes, es decir, no se afectan entre s. En
realidad, esto no es cierto pero, como ya se indic, el anlisis exacto es tan complicado que se acostumbra
tomar la superposicin de los efectos como si se cumpliera lo antes supuesto.
20/og
iAvUoo)1
+ 45.6dB
+ 20BIdee --...
+41.7dB
0.20
dee .
: 4
~ +40dBldee
+ 14.5dB
0.68dee
10.0
radlseg
(1.59Hz)
---j'--
52.4
radlseg
'----(8.34Hz)
+60dBldec ~
O.72dee
-28.6dB
1'+-- + 40dBIdee
208
250
393
radlseg radlseg
(39.8Hz) (62.6Hz)
+44.4dB
+20B/dec _ _
+40.2dB
0.21
_ dec _
.-----------..:
+40dB/dec.
+ 15.4dB
OOzr,:'
OdB-t----+-1- 10.0
rad/seg
( 1.59Hz)
(OLe
I
52.4
rad/seg
"'-(8.34Hz)
+ 60dlJ/dec
+--r--- O.72dec
0.62dec
..
)~B'
(J)~E'
--+
217
353
rOO/seg rad/seg
ro
(f)
(34.6Hz) (56Hz)
--+
- 27.7dB-
/ . - - + 40dlJ/dec
Los diagramas de Bode resultantes para las magnitudes de Av Uro) y Av' Uro) se obtienen de la superposicin de los efectos de Ce Y C8 por un lado, y CE por el otro. En el caso particular dado por los valores
numricos, el lmite inferior de la banda de paso ocurre debido al efecto de CE'
Los diagramas para las tres bandas de frecuencia (LF, MF YHF), se pueden conjuntar en uno solo. Se
ve como se logra una funcin de tipo continuo para-la magnitud respecto a la frecuencia, sin escalonamientos ni discontinuidades. A continuacin se dan los diagramas completos para las magltudes tanto de
Av Uro) como Av'Uro).
209
1) Diagrama completo de la Respuesta en Frecuencia para la ganancia en voltaje AvUro).
+ 45.6dB
-------------------~------~---------~
+41.7dB
+ 14.5dB------------
- 23.6dB- - - - -- - ---
Amplificacin:
3dB abajo de 45.6dB
190
@
rad/seg
8x lO'
rad/seg
(62.6Hz)
(6.68MHz)
(1.27GHz)
if,)
(fe)
(fH)
(45.6dB)
f L =62.6Hz
f H =6.68MHz
210
42x lO
128 x lO'
rad/seg
(20.4KHz)
393
rad/seg
2004KHz
(lmite inferior)
(lmite superior)
2) Diagrama completo de la Respuesta en Frecuencia para la ganancia en voltaje A;(jro).
+ 44.4dB
-----------------~----___r--------~
+ 40.2dB
+ 15.4dB
OdB ~--~I---_+I---+_I - - - - j f - - - - 353
25.6 x 10) 1.85 X lO'
- I1.6dB
rad/seg
- 27.7dB
- 45.1dB
Amplificacin:
rad/seg
-:>,;----_ 00
(f)
rad/seg
(52.6Hz) (4.07 KHz) (294KHz)

(f,')
(fe')
(fH')
- - - - -- -- -- -- - - - -- -- - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - -- -- -- -- -- ---
= 166
3dB abajo de 44.4dB
(44.4dB)
f L = 56.2Hz
_1" = 294KHz
: .....
@
\'
4.07KHz
(lmite inferior)
(lmite superior)
;'-'q';'
:".,
"
...
'
~,
.,
211
VII.6 METODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO PARA OBTENER LA RESPUESTA EN FRECUENCIA DE SISTEMAS ELECTRONICOS
Este mtodo de anlisis y diseo de sistemas electrnicos respecto a su respuesta en frecuencia, tiene las
siguientes limitaciones:
1) Es vlido slo para funciones de transferencia con polos reales.
2) El sistema debe presentar un polo dominante en frecuencia alta y un polo dominante en frecuencia
baja.
3) Con este mtodo slo se puede conocer en fonna aproximada, la posicin de las frecuencias de corte
alta (coH ) y baja (coJ para un sistema electrnico.
Una gran ventaja de este mtodo es que las frecuencias de corte coH YCOL se pueden conocer calculando
las constantes de tiempo asociadas al circuito, pudiendo relacionar de esta manera la respuesta en
frecuencia del circuito con los componentes especficos que producen dicha respuesta.
Mtodo de las constantes de tiempo
CI
C2
C2
Re
a frecuencias altas
conteniendo resistores
y fuentes controladas
Red
afrecuencias bajas
conteniendo resistores
y fuentes controladas
C"
Para una red elctrica formada por resistores, fuentes controladas, "n" capacitores independientes a
frecuencias altas y "m" capacitores independientes a frecuencias bajas, se pueden establecer las siguientes
reglas:
1) El valor aproximado de la frecuencia de corte alta coH se obtiene mediante la siguiente expresin:
COH = -'l-~l'----'l-I
- + - + ... + COH
coH2
coH
/1
con:
donde R,;" significa la resistencia de Thevenin calculada en las terminales del capacitor C" con
todos los dems capacitores considerados como circuitos abiertos.
212
2) El valor aproximado de la frecuencia de corte baja 001. se obtiene mediante la siguiente expresin:
con:
1
=--_.
00
L
R-I J C'
I
1
=--'
00
L
. 00
R-22 C2 '
1
=----
m Roo
mm
I.
donde Rm: significa la resistencia de Thevenin calculada en las terminales de capacitol' Cm con
todos los dems capacitores considerados como cortos circuitos.
La demostracin de las expresiones anteriores se puede consultar en el captulo 11 de la bibliografa (2).
Ejemplo de aplicacin del mtodo
Ejemplo 1. Anlisis de un amplificador de una etapa con un transistor en emisor comn.
Re
R,
R,
Ce
IOK
220K
Cn
l~F
--<r--j +
I~F
R,
22K
RE
IK
"
0----
+
V
"
RL
lOK
lO0~F
VT =25mV
V, = lOOV
g",=40mAIV
r.= 5Ko.
r,,= lOOKI:l
r. ~.r"
~,,=200
Ie = lmA
R8 = R, 11 R, = 20KI:l
R"c = Re 11 R L = 5KI:l
a) Clculo de 00/1 para Av = v" IV i y 00/1' para Av'

Se dibuja el circuito a frecuencias altas:
~,,=4000
C, = 37.4pF
C. = 5pF
= v.. Ivs'
213
R,
+
v,
c.
R' =R IIr =4KQ

R,=r" 11 Re 11 RL =4.7KQ
v
PuraA =--"
v v.,
pues
v.=O
,
R.
R:"= R.=4.7K
con
Por lo tanto:
1
4.7 X lO' x 5 X 10- 12

OOH
=42.5 x 10 Rad/seg
PuraA = v.
v
con:
214
vs
R:. =0.
O)
H
(6.77 MHz)
1
=--.....::.-_-
R:" C" + R:. C.
,--------------_._---------------_.,
R,
-{)
,-.
v. =0
R"
L-.
R'
B
Vb
vv
v.< =0
RY
-o
-
r R';"
A' A
+ 8 Vb
-O
Vb::S: R;
L'-<
+ g/nVh
=..:=-
.2;R
>,
Por lo tanto:
1
00"
00"
103.3 x 10' x 5 X 10-
= 1.86 x
10' radlseg
12
+ 522 x 37.4 x
10-
12
(297 KHz)
Resumiendo:
Para Av = v" Iv,
00"
= 42.5 x 10' radlseg
00,,'
= 1.86 x
10' radlseg
b) Clculo de OOL para Av =v" Iv, y OOL' paraA;

Se dibuja el circuito a frecuencias bajas:
(6.77 MHz)
(297 KHz)
=v" Iv s'
215
C8
R,
+
Ce
Vb
v .,
rv
v,
r,
r
"
R8
Re
"
con:
r
-O
v.=o
,
R;;,
1"
0---.
~R
")..,
<
R=R 8 '=4KQ
88
V.=o
,
Re
+
R'
8
Vb
Por lo tanto:
1
(J)L
= 4 x 10' x 10'" + 25 x 100 x lO'"
(J)L
= 702.6 rad/seg
+ 19-x-IO-:''-x-IO-...
(112 Hz)
con:
R .'
v,=O
R~
Bn
r
+
v.,
R;;' ,
1
+
v.
+
R'
8
~ gmvb
Ry
Vo
'=R'+R
=4600
8
.J
217
R,
V,=O
R - ' = R 11
tE
+r \
[ (r+11.)+ R+ 11RR.)(r
11 R, + ro + R
B
r.(l
.,
"loAd
= R 11
[r + R 11 R ] =270,
n
UC
R,
v.' =0
R'
8
Por lo tanto:
00'
L
OOL'
1_-;- +
1
+ _ _-71_-,4600 x 10'" 27 x 100 x 10'"
19 x 10' x 10'"
_-..0.
=640.4 radlseg
(l02Hz)
Resumiendo:
ParaAy = V o IV i
OOL
ParaA;=volvs
= 702.6 radlseg
ooL'=640.4radlseg
(112 Hz)
(l02Hz)
e) Clculo de la ganancia a frecuencias medias

ParaA y = vo = -g,fl
Vi
Ay
218
= -188
'
= -(40xlO-~
(45.48 dB)
(4.7 x 10')
\3" + I
.'
ParaA'=v/v=
v
A' =
R'
B
R., +R'
B
.A v
4x 10'
x( -188)= -163.5
600+4x 10'
(44.27 dB)
d) Los diagramas de respuesta en frecuencia correspondientes, sOn los siguientes:
v., dB - -
A =--"
A'=--"
v
v
dB----
.'
45.48dB --
44.27dB .----
OdB
/
~:-
- -:- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ~, ,
i\
,
+---+--11----------------11-6--\--6---.. . . ro
t (72.6
~12Hz)
1.86 x 10
(297KHz)
42.5 x 10
(6.77MHz)
(radlseg)
(J)
640.4
(102Hz)
219
Ejemplo 2. Anlisis de un amplificador de dos etapas con tmnsistores bipolares. Configuracin Par
Cascodo.
+Vcc
Re
lOK
R,
Ce
ltF
'+
v,
v;
vo
ltF
R.
VT =25mV
VA =lOOV
130 = 200
le= lmA
R. =Rtll R z = 20KO
I
R.z =R,. 11 R. = 20KO
R'Ae = Re 11 R L = 5Ko.
gmI =g ro =40mAIV
2
r ni = r""2 =5Ko.
r \=r
= lOOKo.
2
= rI-l 2
r' = 250.
r l11
11(J\ = 1102 =4000

C1[1 =C1(2 =50pF
e111 =CJ.l =5pF
2
a) Clculo de ron para Av = volv; y ron' para Av' =volvs '

Se dibuja el cireuito a frecuencias altas:
va
ro 11 rej ~ r.j =250.

220
~(lo
RL
lOK
= - - - - - '1
-----H
R.:.. , C,. I +R;2 C1':2 +R,:..2 C"....2
O)
con:
r R",
v.=o
,
R'
o
R'
o
4'
_.
.. -
: v~
9._
v.=o
K 12
~---___..---_~-.-.:__._.-----_-------J
r" 11 r,
v.=o
,
'" \~~lt---~
'/"
~-+-~~.--'\
+
R'
B
ro
r" 11 r 'j
_-----
----
----_
221
Por lo tanto:
1
OO=-------=----~~---~----
H 25 x 5 x 10- + 25 x 50 x 10- 12 + 5 x 10' x 5 X 10- 12

12
(6.03 MHz)
ooH=37.9x 10 radlseg
con:
RO'/tI =R'
IIR =5220
B
,f
= (Ra' 11 R,) (1 + gmrJ + ro. = 2 (Ra' 11 R,) + r.
R;, '
= 1.07KO
R;, '
Wn =r"j =250
2
R;2
Ruc = 5KO
Por lo tanto:
,
roH
::::
OOH'
= 17.3 X lO' radlseg
522x50xlO
-12
+1070x5xlO
1
+25x50x10
12
12
(2.76 MHz)
Resumiendo:
ParaA v= v. Iv,
Para Av'
= v.lvs
ooH=37.9x lO' radlseg
:
:
OOH'
= 17.3 X lO'
radlseg
(6.03 MHz)
(2.76 MHz)
b) Clculo de OOL para Av = v. Iv, y OOL' para Ay' = v.lvs

Se dibuja el circuito a frecuencias bajas:
222
+5xlO x5xlO
12
grn V '2
Ce
t-----{+-}--.---1
vrv
.,
Vi
V"
con:
R::
= R B,
R -,
EE.
!1 r" = R;
r
R 11--"ER+l
1-'0
,,- - - - - - - -- - --- - _.
= 4000Q
(ver el ejemplo 1)
= r f) = 25Q
(ver el ejemplo 1)
_. - - .. -. -- -- _. -. -- .. -. - - _. -. --- - - -- - - - --,
l-loV1>2
V,=O
,~-
R'
B
- - - .. - _. _. - -
R - = R 11
88
RBB
B1
R 8 11
1
I
R;;,
.J
- - -=
-- - - _
"
Ruc
- _.. - _..
[r + r" [R LAc+ ro (1 + 130)]]

'11:
2ro + R uc
[r + 3,,ro]
2 =R
1II
81
= 20kQ
223
r"
r---~~---_---1+-+--.J\,I\!',~~-+-<o-o
R'
r"
Por lo tanto:
(0=
(OL
l
1
1
l
+
+
x
4 x 10' X 10-6 25 x 100 x 10-6 20 x 10' x 100 X 10-<> 20 X lO' X 10-<>
= 700.5 Rad/seg
(111.5 Hz)
con:
R - '= R 11
EF.
RBB
224
r. + R. 11 R'J
2
'=27U
13+1
"
= RB I =20KU
(ver ejemplo 1)
Por lo tanto:
1
-----+
4600 x 10-<
ro = 638.3 radlseg
1
1
1
+
+---"27 x 100 X 10-< 20 X lO' x 100 X 1O-{; 20 x lO' X 10-6
(101.6 Hz)
Resumiendo:
ParaA v= v" Iv.,
roL = 700.5 radlseg

roL' = 638.3 radlseg
(111.5 Hz)
(101.6
H~J
e) Clculo de la ganancia a frecuencias medias.
Av = - 200
Para A '
v
Av' =
(46.0 dB)
RB: .
= v"Iv
=
Av
.f
R +R'
.'
4x10' ,x(-2oo)=-173.91
600+4x 10
(44.8dB)
225
d) Los diagramas de respuesta en frecuencia correspondientes. son los siguientes:
=--"v
Vi
v
":=-2.
v,
dB - -
dB
46.0dB
44.8dB
.... : - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - :
.- ... - .... ~
'
i - + -i- + - - - - ro
O d B - lI - -_,i- - J . - - + - - - - - - - - - - - -l
.
\
,
700.5
17.3 x 10 37.9 x 10
(rad/seg)
i(l1l.5Hz)
L 638.3
(101.6Hz)
226
(2.76MHz) (6.03MHz)
(f)
CONCLUSIONES SOBRE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON EL METODO DE

LAS CONSTANTES DE TIEMPO
1. Comparando los diagramas de respuesta en frecuencia obtenidos para el Emisor Comn y el Par
Cascado, se observa que el Par Cascado presenta un mayor ancho de banda para Av' = v" Iv, que el
Emisor Comn.
2. Este mtodo permite conocer Ia(s) pmte(s) del circuito que inf!uye(n) en mayor proporcin en los
valores de ()II' ()H', ()L y 0\':
a) Para ()II y ()/I' influyc ms la mayor constante de tiempo R,;" C", la cual generalmente se asocia
a la mayor resistencia de Thevenin (R,;" ) que se obtuvo en el circuito a frecuencias altas.
b) Para 00 / y ooL' influye ms la menor constante de tiempo R",:, C"" la cual generalmente se asocia
a la menor resistencia de Thevenin (R",: ) que se obtuvo en el circuito a frecuencias bajas.
3. A travs de los ejemplos presentados puede observarse lo sencillo del mtodo para obtener una
aproximacin al valor de las frecuencias de corte alta y baja, lo cual, en combinacin con lo dicho
en el punto (2), pennite realizm' anlisis y diseos de la respuesta en frecuencia de circuitos
electrnicos, de una manera simple.
227
CAPITULO VIII
RETROALIMENTACION
VIII.1 INTRODUCCION
El empleo de la retroalimentacin negativa en los sistemas electrnicos permite mejorar las caractersticas
de stos e insensibilizarlos contra variaciones de algunos parmetros internos y externos del sistema.
X, --"""'"+--1,-". l-__X-,-,
\ - - - - - - ,---->-,X,'
[!=.-
L---_ _X-"f
- -'
Para un sistema retroalimentado como el que se muestra, la retroalimentacin negativa consiste en que
un aumento en la seal de salida X" (producido por algn parmetro del sistema) genera un aumento en la
seal retroalimentada Xf y una disminucin en la seal de entrada Xi (Xi = X, - Xf ), lo cual hace que la
salida (X,) disminuya, lo cual producir que el sistema permanezca insensibk a dicha variacin.
La retroalimentacin positiva tiende a aumentar la amplificacin del circuito (la amplitud de X,), pues
Xi =X, + X" lo cual produce inestabilidad en el sistema, ya que crea uu proccso regenerativo. Este
fenmeno se emplea en los osciladores.
VIII.2 RELACIONES BSICAS DE LOS SISTEMAS RETROAUMENTA.DOS

Para el sis tema mostrado anteriormente, se define:
( I ).,
A = Ganancia del bloque "A"
(2)
= Ganancia del bloque "P"
De las ecuaciones (1) y (2) se obtiene lo siguiente:

(3)
X,,=AX,
=> X,= ~AX,

(4)
.................. (5)
Xf =AX
P"
donde se defme:
Ganancia de Lazo (adimensional)
Scmpre se debe cumplir que XI seu' del' mismo tipo que Xi yX,. Del circuito anterior, para retroalimentacin ncgativa, se dcbe cumplir:
231
(6)
..
[iX -iJ
'
.'
Sustituyendo la ecuacin (5) en la (6):
X=X-RAX
,
"
tJ
o bien,
x, = (1 + I3A) Xi
I=
D
donde se define:
I + I3A - - - Factor de Desensitivizacin
Se define tambin:
AXi
(1 + I3A) Xi
A =
f
A
1+ I3A
A
- - - - Ganancia del Sistema Retroalimentado
l+I3A
Si I3A > O ( 13 > Oy A > O o 13 < O y A < O ) se tiene retroalimentacin negativa, cuyo efecto es disminuir
la amplificacin del circuito (amplificadores),
Si I3A < O se tiene retroalimentacin positiva, cuyo efecto es aumentar la amplificacin del circuito
(osciladores).
VIII.3 CARACTERISTICAS GENERALES DE AMPLIFICADORES CON RETROALIMENTACION NEGATIVA

1) El sistema se hace insensible a las variaciones de los parmetros del bloque "A",
Si la ganancia de lazo es muy grande (I3A 1), entonces:
Como se puede observar, no aparece el factor de amplificacin "A" en la ganancia del sistema
retroalimentado, lo cual permite desensitivizar al amplificador respecto de los parmetros de los elementos
activos del mismo.
232
,
i
2) Mejora la respuesta en frecuencia del amplificador.

Sea un amplificador con una frecuencia de corte mil con la siguiente funcin de transferencia:
A"
A(s)=-~
S
1+-mil
2010g IA(jm) I
l----------~G
2010gA"
"
m
l
Al retroalimentar se obtiene:
)
Aj.s
AW
= 1 + ~A(s) = 1 + ~A"
1
1 + _ _5_'_
(1 + ~A) mil
1
Ais)=A - - l'
"[
1+mil
A
A (s)=-~
I
1+mil
donde:
A~"
A"/l+A
=
Y milI
"
= (1 + AA
) mil
p"
+ ~A" veces respecto al valor de A.

l + ~A" veces respecto al valor de mil
A"f disminuye l
milI aumenta
Nota: Esto es vlido solamente para sistemas de primer orden como el del ejemplo.
233
20/og IA (jo
20/og A"
20/og A"f
r-----~---"
. .
~l ~ ~~ ~ ~ ~ ~ ~ .~.~.~ ~ ~~ ~~ ~ ~~ ~ ~
- - - - - - - - - - - . ' - - - - - + - . - - - '...." ' _ ro
con
("
I
3) Reduce la distorsin introducida por la nolinealidad de los elementos que forman el amplificador.
La distorsin disminuye al aumentar el valor del factor de desensitivizacin D = I + ~A
v" (V)
SIN RETROAl.lMENTACIN~
(GANANCIA "A" MUY ALTA)
5
~.
3
2
/ ..- - - CON RETROAl.lMENTACIN

(GANANCIA AI= l/(3)
----l-.L...--7=.L...~=-'--:;t"---'---;=c'--;=~~_;I=~\-,.
v, (111 V)
-600
-1
-2
-3
-4
. -5
600
4) El sistema se hace insensible al ruido.
Si el amplificador introduce mido, el efecto de ste sobre la salida del amplificador se minimiza con
un valor elevado del producto ~A.
Ejemplo:
A =
A . = _.I -
I + ~A
No depende de "A", que es el bloque en el cual se introduce el mido.
La principal ventaja de un circuito retroalimentado en el cual se cumple que ~A

de retroalirnentacin Af =
~.
La retroalimentacin
234
1, es quela ganancia
se puede controlar a un valor preciso a travs de la red de retroalimentacin
es fcilmente controlable y, por tanto, A tambin es controlable, en contraste
con el valor de A el cual no se puede controlar muy bien, debido a las variaciones en la amplifIcacin
producidas por los elementos activos de dicho bloque.
VIII.4 TIPOS DE AMPLIFICADORES Y SUS MODELOS

Los amplificadores se clasifIcan en funcin del tipo de seales que manejan a la salida y a la entrada.
1) AmplifIcadores de Voltaje (entrada de voltaje y salida de voltaje)
G
V
= ve . A =A
,
Vi
+
Vi
o--
-Id
RL-JOQ
~}
rxal
Idealmente: r., ~
r.fUl -o} O
2) AmplifIcador de Transresistencia (entrada de corriente y salida de voltaje)
i---'
A
~R;
-
'VVv
r .,<tl
Idealmente: r i
m.
~
3) Amplificador de Transconductancia (entrada de voltaje y salida de corriente)
235
0-1,. ( ~,.
'_ ~ 3c__~.t._ ",_v,_~
+
G
__
-~
-0--
.>_,_",
..
-+--0---
.5
Idealmente: r ......
4) Amplificador de Corriente (entrada de cOlTicnte y salida de corriente)
i.---+-
, O-
-_..!!........
} f!-,I ~~R,
Idealmente: r i
......
..... -- -
O-
VIII.S CONCEPTOS DE SISTEMAS RETROALIMENTADOS

La estructura bsica de un amplificador retroalimentado con un solo lazo de retroalimentacin se muestra
a continuacin:
-7+
FUENTE
DE
SEAL
.v
I-~
i :
.
ii
:i,s
RED
AMPllFICADOR
+
Vi
DE
BAS/CO
<fA"
COMPARAaON -=--
i
~
236
RED
DE
REIROAllMENTACION"p"
,-------------,r-------;---,--------,
RED
+ .
DE
v,,:
CARGA
MUFSIREO
r-=-;- ,-----------'
'--r-----,---'
FUENTE DE SEAL: Este bloque representa la seal que va a ser amplificada. La fuente de seal
siempre se modela como una fuente ideal para los sistemas retroalimentados, y puede ser de voltaje
o de corriente.
t.,
CARGA: La carga recibir la seal de salida (voltaje o corriente).

RED DE MUESTREO: Esta red tiene como funcin muestrear o medir la seal de salida, la cual puede
ser de voltaje o de corriente.
. .....
A
----
v"
CARGA
'-------'
Muestreo de Voltaje,
muestreo de Nodo, o
muestreo en Paralelo (Shunt)
------~--~~.:..:.:.:.:.:.~-==_l---I
A
--L_----l--q
CARGA
~
.. ~-L-_--.J
;,--.
- - - L_ _ j - - - - Muestreo de Corriente,
muestreo de Malla, o
muestreo en Serie (Series)
237
Obsrvese que el voltaje se muestrea en paralelo y la corriente se muestrea en serie, es decir el

bloque "P" se comporta como un vltmetro o un amprmetro respectivamente.
RED DE COMPARACION: Esta red compara la seal de entrada o de referencia X, con la seal de
retroalimentacin XI' generando una seal de error Xi = X, _. X/que se aplica a la entrada del bloque "A".
.....
~=
v,
Vi
..
Fuellle
de
seal
c-_~
I
Comparacin de Voltaje,
comparacin de Malla, o
comparacin en Serie (Series)
~'-
..
-------'--.'""-'-""--"
'"1'>---+------4~---------
c[=
::~:. lI~""""'""'~',e-,J==
Cothparacin de Corriente,
comparacin de Nodo, o
comparacin en Paralelo (Shunt)
Obsrvese ahora que el voltaje se compara en serie y la corriente se compara en paralelo, es decir,
el bloque "P" se comporta como una fuente de voltaje o de corriente respectivamente.
RED DE RETROALIMENTACIN: Generalmente este bloque cst formado por una red pasiva, la
cual puede contener resistores, capacitores e inductores. En la mayora de los casos es una red puramente
resistiva. Una funcin de la red de retroalimentacin es convertir la seal muestreada de la salida a la forma
de seal apropiada para su comparacin.
238
AMPLU'ICADOR BASICO: El amplificador bsico es alguna de las cuatro configuraciones presentadas en la seccin anterior. Este circuito amplifica la diferencia de seales que se obtiene de la red de
comparacin, siendo tambin responsable de la desensitivizacin y el control de la salida en un sistema
retroalimentado.
VIII.5.1 Topologa de amplificadores retoalimentados
Existen cuatro tipos bsicos de amplificadores retroalimentados con un solo lazo de retroalimentacin y
son los siguientes:
1. Amplificador Retroalimentado de Voltaje (voltage-series feedback o shunt-series feedback)
...
SEAL
CV
MV
-+
+
v,
+
v..
.....
CARGA
: ....
I
+
+
v..
VI
MV = Muestreo de Voltaje
CV = Comparacin de Voltaje
2. Amplificador Retroalimentado de Corricnte (eun'ent-shunt feedbaek o series-shunt feedback)
CC
...... ,_.
MC
A
SEAL
CARGA
si
II
-+
MC = Muestreo de Corriente
CC = Comparacin de Corriente
239
3. Amplificador Retroalimentado de TranscoIlductancia (current-series feedbck o series-series feed-
back)
Cv
SEAL
MC
.......
v,
Vi
:-----
:,I"
i"
---+
CARGA
~.
----
MC = Muestreo de Coniente
CV = Comparacin de Voltaje
4. Amplificador Retroalimentado de Transresistencia (voltage-shunt feedback o shunt-shunt feedback)
i,
-+
CC
MV
+
v"
MV = Muestreo de Voltaje
CC =Comparacin de Coniente
240
Considerando que el bloque ~ se comporta idealmente, para cada topologa se definen las siguientes
seales, ganancias y resistencias de entrada y salida:
1. Amplificador Retroalimentado de Voltaje
ri
--
CV
,--
MV
r .'(I/
S
E
+4
Vx
Vi
A
L
-.
~" ~A."
A'a~
. y y\---
....-J +
+
V
"
;::
~.
"
~~V"
+
VI
-
Vi
I.
R
lAC
-"
r.' = r., (1 + ~Av )
A -tA =-"A ,. =A V
+
V
Resistencias:
Ganancias:
v
+
V
"
-
--4
'=
=rD
r
r
r
r =_.~=~
''r 1 + ~A, D'
VI
~=v"
D'
= l + pAA "
Obsrvese que la resistencia de entrada retroalimentada (ri ) es mayor respecto a la resistencia de

entrada del amplificador de voltaje (r) por el factor de desensitivizacin D = l + ~Av' siendo la red de
comparacin una red en serie. Asimismo, la resistencia de salida del sistema retroalimentado (r.m'j, ) es
menor respecto a la resistencia de salida del amplificador de voltaje (r,,,,) por el factor de desensitivizacin
D' = l + ~A,., siendo la red de muestreo una red en paralelo.
De lo anterior se puede concluir lo siguiente:
i)
La resistencia de entrada y salida del amplificador (r y r.",), mejoran su valor al retroalimentarlo

(r.~ y r>U / ), pues r.~ es grande y r(11/ es pequea, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
1
amplificador de voltaje.
241
Cuando la red de comparacin es una red en serie, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado aumenta respecto al valor de la r del amplificador.
Cuando la red de muestreo es una red en paralelo, la resistencia de salida del sistema retroalimentado disminuye respecto al valor de la r,", del amplificador.
ii)
iii)
2. Amplificador Retroalimentado de Corriente
r.
ce
'
-4
S
E
-4
A
L
Me
t,
~A' t,-'
+--
Resistencias:
A~AI=O';
li
Ru.C -)
"
ji"
Ganancias:
c-- -
-i
l
--.....
~3i"
RLAC
L..
A=oA, \
---"-+
r::;:;:
Ti
Ti
1+ 3A
r"'''I =o r",,1 (1 + tJAA i )
= r.~u P'
3=o!?
lo
D =o 1 +
PA,
D' =o 1 + 3A i
Obsrvese que la resistencia de entrada retroalimentada (r. ) es menor respecto a la resistencia de

'
entrada del amplificador de corriente (r) por el factor de desensitivizaci6n D =o I + 3A, ' siendo la red de
comparacin una red en paralelo. Asimismo, la resistencia de salida del sistema retroalimentado (r,,,, )
242
es mayor respecto a la resistencia de salida del amplificador de corriente (r,,,,l por el factor de
desensitivizacin D' = I + BA" siendo la red de muestreo una red en serie.
i)
Las resistencias de entrada y salida del amplificador (r, y r,,,,l, mejoran su valor al retroalimentarlo
(r. y r, ), pues r cs pequea y r ,"es grande, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
'1
ii)
iii)
''''1
.IU'!
amplificador de corriente,
Cuando la red de comparacin es una red en paralelo, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado disminuye respecto al valor de la r, del amplificador.
Cuando la red de muestreo es una red en serie, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
aumenta respecto al valor de la r"" del amplificador.
3. Amplificador Retroalimentado de Transconductancia
r.
'1
ev
Me
A
1
---"+
+
r,.",
v,
L
L-
__
-1"
GO!laflCS:
Resis!ell('as:
r' r
= r. (l +!le ) = r D
'
t..J M
,
r
.\IIl
= r ",' (1 +!le
)= r
JJ
rn
_,,,/
D'
[) = 1 + BG"
1)'
= 1 + j)(;",
2.43
Obsrvese que la resistencia de cnlrada retroalimenlada (1', ) es mayor respecto a la resistencia' d

I
entrada del amplificador de transconduct:mcia (1') por el factor de desensitivizacin D = I + pG M' siendo
la red de comparacin una red en serie. Asimismo, la resistencia de salida del sistema rctroalimentado
(1''''1) es mayor respecto a la resistencia de salida del amplificador de transconductancia (1',.,,) por el factor
de desensitivizacin D = I + P.G
,siendo la red de muestreo una red en serie.
tJ '"
i)
ii)
iii)
Las resistencias de entrada y salida del amplificador (ri y 1',), mejoran su valor al retroalimen, ), pues r. es grande y l' / es grande, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
tarlos (l'.'1 y r .,u,'r
.'u,/
amplificador de transconduetaneia.
Cuando la red de comparacin es una red en serie, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado aumenta respecto al valor de la r i del amplificador.
Cuando la red de mucstreo es una red en serie, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
aumenta respecto al valor de la 1'"" del amplificador.
4. Amplificador Retroalimentado de Transresistencia

r.
~-
'
---L
ce
--'i
1:::::;
MV
l'
A
tI',
~R",iiV
A'U
+
v
...-J+
"
"
L
~
--
--o
L_
'--.-.
( Dpv"
+
v
"
+
v
"
Resisrencias:
Ganancias:
r.
1 + pR M
r. =--'-=......!.
'
R m =RM
RUC -) ""
i
p=~
V"
D'
244
= 1 + PR
l'
l'
::;::~_.w_'_=~
""r
l + P.R
tJ m
D'
Obsrvese que la resistencia de entrada retroalimentada (r. ) es menor respecto a la resistencia de

'[
entrada del amplificador de h'ansresistencia (r) por el factor de desensitivizacin D = 1 + ~RM' siendo la
red de comparacin una red en J;laralelo. Asimismo, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
(r'"1) es menor respecto a la resistencia de salida del amplificador de transresistencia (r,J por el factor
de desensitivizacin D' = I + ~R,", siendo la red de muestreo una red en paralelo,
i)
ti)
iii)
Las resistencias de entrada y salida del amplificador (ri Yr,.,), mejoran su valor al retroalimentarlo
(r. y r / ), pues r. es pequea y r, es pequea, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
~
'Uf
~
~al
'
amplificador de transresistencia,
Cuando la red de comparacin es una red en paralelo la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado disminuye respecto al valor de la r i del amplificador.
Cuando la red de muestreo es una red en paralelo, la resistencia de salida del sistema retroali
mentado disminuye respecto al valor de la r,., del amplificador.
VIII.S.2 Anlisis de bis resistencias de entrada y de salida

Clculo de las resistencias de entrada (rI ) y de salida (r..'U / ) para un circuito retroalimentado, considerando
f
ideal al bloque "W',
Resistencia de entrada cuando se tiene comparacin de voltaje
i)
r.
'{
~I
v
"
cv
+
l.
Vi
+
vI
..
t,
e
A
x..
X..
R
G
A
f)
X..
Del circuito se tiene lo siguiente:

r,
'/
v
(
:::;:-!.
245
donde:
por lo tanto:
= v + llAv.
AA)
t J , ,= (1 + 1
- 'v.
,
.l
como i, = Vi Ir, resulta:

V,
r.=-:-=
'
l..<
(1 + I3A) v,
Vi
=r(I+I3A)
Ir;.
'
I r. = r (1 + I3A) cuando se tiene comparacin de voltaje

I
ii)
'/
Resistencia de entrada cuando se tiene comparacin de crriente
r.
'
l'
~;
ee
r---- ---+
~---
~ri
l-
_J
donde:
por lo tanto:
246
X"
G
A
---+
X"
e
A
R
"
como v
= ir; , resulta:
r.,
r.
'1
Ui)
1+
I3A
cuando se tiene comparacin de corriente
Resistencia de salida cuando se tiene muestreo de voltaje
MV
~AXiVVV
I~
A.~.I"~
X.,
X,
-J
A
L
.
XI
+
vx
-
donde:
X, = X., - Xf . X~ = O . XI = PAv
1
J:
por lo tanto:
.
1o
v, -A (- f3v)
(l
+ PA) v,
-----247
entonces:
r
::::
'''J
v,
=:;
i,
(1 + 13,1) v,
r,,,1
:::::. --""-~
~ + 13,1
rsu /
= - - - cuando se tiene muestreo de voltaje
""
1 + 13,1
-----
Resistencia de salida cuando se tiene muestreo de corriellle
iv)
Me
S
E
x,
A
L
x,
~:r
I..-J
-">----.-
donde:
por lo tanto:
entonces:
r
.,"(AI
248
=-=
i,
(l + 13,1) ir
i, ., '"'=rsal (l +13,1)
(3
'''J
I
--
XI
r mJ = r,", (1 -1- ~A) cuando se tiene muestreo de corriente
VIII.6 EL AMPLIFICADOR RETROALIMENTADO REAL

Hasta el momento se ha supuesto que el bloque "W' se comporta idealmente, esto es, que sus resistencias
de entrada y de salida son:
i)
ii)
iii)
iv)
Resistencia de entrada = = cuando hay muestreo de voltaje.

Resistencia de entrada = O Q cuando hay muestreo de corriente.
Resistencia de salida = O Q cuando hay comparacin de voltaje.
Resistencia de salida = = cuando hay comparacin de corriente.
En un sistema retroalimentado real lo anterior no se cumple, por lo cual es necesario ineluir en el anlisis
de dichos sistemas, el valor de las resistencias de entrada (r. ) y salida (r, ) del bloque "~", considerando
-'''11
f\
sus efectos de carga sobre el bloque "A".
Las expresiones obtenidas en las secciones anteriores para los sistemas retroalimentados, se siguen
cumpliendo an al considerar los efectos de carga del bloque "W' sobre el bloque "A". La nica diferencia
ser el valor obtenido en cada expresin:
I
- - - - - - - - A =-"
s
E
A
L
x,
x,
"
"
I-<
e
A
R
G
A
r ,..I
-XI
\
X
"
249
AmplifIcador Retroalimentado Ideal

A
Amplificador Retroalimentado Real

A =
A
I + ~A
r.' = r., ( I + ~A ) para
ev
r ' = R., (
r.' = rl(
I + ~A) para ce
,
r""
= r", (
r '
I + ~A' ) para ev
=RI(l
+ ~A') para ce
,
rO,] = R,,,, ( 1 + ~A" ) para
I + ~A ) para Me
r,", = r,",I (1
A'
1 + ~A'
r,"] =R",,I( 1 + ~"
+ ~A) para MV
Me
) para MV
donde, para el amplificador sill rctroalimclltar, se definen los siguientes parmetros:
lb
-----~.----A.
__1
= X"
X,
~~l
-.J
)(,
X;
X"
~
r-
r.
'p
A" =A'\
RUC: -lo Il li RI.AC
-lo ""
Ganancia del bloque "A" considerando los efectos de carga del bloque "A"
I )
P (r.'l} y r.mp
A " - Ganancia del bloque "A" considerando los efcctos de carga del bloque "A"
(r.'p y r..'Up
I ) sin
p
considerar la resistencia de carga del sistema
A' -
250
R, -
Resistencia que presenta el bloque "A" a la entrada, junto con los efectos de carga del bloque
"A"
P ( r m1fl )
R,
o-b-
v,
.;>
r.<atl}
v_,,-,,--
'AA
- o
R,
.'
cv
~
A
ce --
~< r.
>"'/~
<
-<>'
--_._---
---~
R,o,-Resistencia que presenta el bloque "A" a la salida, junto con los efectos de carga del bloque "W'
(r )
'~
VIII.6.1 Anlisis del bloque "W'
Entrada
Salida
1-------<0
0-----
XI
1:>---------1
r _"'1(\
X"
f--------{~
'---------'
'~
La funcin de transferencia del bloque "W' se calcula como la relacin XI IX", aplicando una fuente de
prueba a la entrada (de voltaje o corriente segn el tipo de muestreo) y dndole una tenninacin a la salida,
(dependiendo del tipo de amplilicndor y del bloque de comparacin) la cual podr ser:
251
i) Circuito abierto cuando la cO"'l'ar(lcill es de l'o[wje
i,= O
f'
Ic----Jl''
(Terminacin en circuito
abierto (i,= O)
p = ~ 1ir'"
para comparacin de voltaje y muestreo de voltaje
p= ~ I~""
para comparacin de voltaje y muestreo de corriente
La terminacin es en circuito abierto (ir = O) debido a que, idealmente, sa es la impedancia que le

presenta la entrada del bloque "A", a travs del bloque de comparacin de voltaje cuando la fuente de
seal de voltaje se pasiva (v, = O).
252
cv
SEAL
~~
-O-
+
v..
cv
SEAL
~,.
Vi
-
V,
=0
V.I,
v;
r.=
,
00
i
~
V/
r;
.,v
r;
I.
TerminacIn en
circuito abierto (i =O)
Corto circuito cuando la comparacin es de corriente
~ =!L
v"
para comparacin de corriente y muestreo de voltaje
v"'o
253
~ =.'L I
1"
para comparacin de corriente y muestreo de corriente
Yj"'tl
La terminacin es en corto circuito (VI = O) debido a que, idealmente, sa es la impedancia que le presenta
el bloque "A", a travs del bloque de comparacin de (~orriente cuando la fuente de seal de corriente
se pasiva (i, = O).
-SEAL
ce
SEAL
----'r,
i
ce -c.
.6
,. =0
ri=O
f--
il
Ir
--'-+
L-+
~
J3
VI
J3
.., vL
~I
, en
ermm{lClon
carIO circuito
(VI =
O)
-La resistencia de entrada r. se calcula aplicando una fuente de prueba a la entrada del bloque "~" y
'p
dndole una terminacin a la salida, de la misma forma que en el clculo de la funcin de transferencia
de "W'.
r.rp = v_.
_1/_ .
,-----,
._1_,
--0---
I
I
I
,---- +
I
--'-+
I
I
VI
VI
_
1..----0---4
r
;ll
r
254
r.'p =
ji.1
i ll
= v,
iC(
= v,
i..
para comparacin de voltaje
para comparacin de corriente
"'Il
v=o
ji
.1
"P", y
La resistencia de salida r.",~ se calcula aplicando una fuente de prueba a la salida del bloque
dndole una terminacin a la entrada dependiendo del tipo de muestreo que se tenga.
-~
---0--,
+
J3
1
1
v"
,1
V"
'
-----{5--1
--o-~
r.u1p ::::; iv, \
-1-
para muestreo de voltaje
V,,_o
,---
V,
r .ml = .
P l .<
"
"o
para muestreo de corriente
Para muestreo de voltaje, la terminacin es COito circuito debido a que, idealmente, sa es la impedancia
que le presenta el bloque "A", a travs del bloque de muestreo de voltaje cuando lafuente de seal de
entrada al bloque "A" se pasiva (Xi = O).
--
MV
-. e
i
~::
+
- AX,
+
v
"
--
MV
"
R
G
'----
"
-1-
r......1 =0
A
--i
AX=O
,
"
=!
e
A
R
G
A
[~--t
"
----+
J3
+
v
"':'r
T.ermmaCl
- \ ' n en
cono circuito (v" = O)
255
Para muestreo de corriente, la terminacin es circuito abierto debido a que, idca lmerite, sa es la
impedancia que le presenta el bloque"A", a travs del bloque dc muestreo de corriente cuando la fuente
de seal de entrada al bloque "A" se pasiva (Xi = O).
Me
~Axl'
Me
-~-
R
G
6
AX.=O
'?
L-.
-':':""'r--
,,,' ;:::::?
00
G
A
1-
L-
'----
----"-
11
11
v"-
V:r-
1-
Terminacin en
circuito abierto (i" = O)
Los cuatro modelos posibles del bloque "W' son:
ev
ev
MV
r.<<ll
+ ()--
------. l"
Me
'~
"
'11
-----o
0-
ee
ee
MV
Me
i--..
i-...
-..i"
0+
rxalp
r.
'~
"
-0-
256
r_,<.111\
r.
'~
-o
VIII.6.2 Identificacin de los puntos de muestreo y comparacin en circuitos con transistores
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION (BJT)

De acuerdo con el funcionamiento del transistor bipolar, el cual consiste en controlar la corriente de
colector mediante el voltaje base-emisor, se pueden tener dos tipos de retroalimentacin:
1. Retroalimentacin local. Se presenta cuando existe la resistencia de emisor RE' teniendo los
siguientes dos casos:
a) El voltaje de salida v" se define en el emisor.
---~o+
v"
b) El voltaje de salida v" se define en el colector.
---0+
2. Retroalimentacin global o externa. Se presenta cuando existe(n) algn(os) elemento(s) conectado(s) entre dos nodos de un mismo transistor o de varios transistores.
Tipo de muestreo:
a) Si el punto de muestreo coincide con la definicin del voltaje de salida, el muestreo es de voltaje,
independientemente del nodo del transistor (emisor o colector).
257
MV
..... - - -
1/
r---~~--D
-- - - - ------1
MV
\.','
r-----..---{) +
I
V'O
l-
b) Si lo anterior no se cumple, el punto de muestreo slo se podr encontrar en el emisor y ser muestreo
de corriente_
.-----{) +
v"
---------1
L+---
1---------L,------'
Me
e) La base queda excluida como punto de muestreo_

Tipo de comparacin:
a) Si el punto de comparacin se encuentra en el emisor, la comparacin es de- voltaje.
+0--
+ v-,
CV
b) Si el punto de comparacin est en la base, la comparacin es de corriente.
258
I
c) El colector queda excluido como punto de comparacin.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET y MOSFET)
El transistor de efecto de campo es un dispositivo que controla la corriente de drain mediante el
voltaje gate-source, por lo que se pueden tener los siguientes tipos de retroalimentacin:
1. Retroalimentacin local. Se presenta cuando existe la resistencia de source R" teniendo los siguientes
dos casos:
a) El voltajc de salida v" se define en la terminal de source:
O-
-1-
MV
Vi
v,
--.-L
-
CV
-----o +
v
vI
"
.-L-
b) El voltaje de salida v" se define en la terminal de drain:
J-t
-1-1-
v,
-.-L
-
.-L-
v.
, -
~v >(
CV
0+
:.K
259
2. Retrolllimentacicn global () externa. Se presenta cuando cxiste(n) algn(os) c1clnento(s) conectadn(s) entre dos nodos de un mismo transistor o de varios transistores.
Tipo dc mucstrco:
a) Si el punto de muestreo coincide con la definicin del voltaje de salida, el muestreo es de voltaje
independientemente del nodo del transistor (source o drain).
MV
:/
f---.'--{)
+
v
~-~
- - - --->1---,
'-----------_._---------------------'
b) Si lo anterior no se cumple, el punto de muestreo slo podr encontrarse en la terminal de source
y ser muestJ:eo de corriente.
t"
.----{IJ---"I ~
I
I
1
Me
c) La terminal de gate queda excluida como punto de muestreo.

Tipo de comparacin:
Para un transistor de efecto de campo, slo puede existir comparacin de voltaje y ser en la terminal
de souree o en la terminal de gate, quedaildo excluida la terminal de drain como punto de comparacin.
260
VIII.6.3 Mtodo de anlisis aproximado para amplificadores retroalimentados reales

A continuacin se presenta un mtodo de anlisis aproximado para amplificadores retroalimelltados reales.
(nicam(~nteen
Este mtodo es aproximado porque al calcular las resistencias r.'p y l' /P del bloque "rl"
tJ
esos casos), se considerar que las resistencias de entrada (1') y salida (1',) del bloque "A" son ideales
de acuerdo al tipo de amplificador representado por este bloque. Esta consideracin es necesaria para
simplificar el anlisis de los sistemas retroalimentados, sin embargo, podr comprobarse posterionnente
que dicha consideracin no introduce errores significativos, y constituye una buena aproximacin al
comportamiento real del sistema.
Los pasos propuestos para este mtodo de anlisis son los siguientes:
.I<t
l.
Sistema retroalimentado
l. Dibujar el diagrama electrnico propuesto en AC.

2. Identificar los puntos y tipos de muestreo y comparacin.
3. Dibujar la topologa del circuito retroalimentado (diagrama electrnico agrupado en los bloques
definidos para un sistema retroalimentado). La resistencia de carga y las resistencias de
polarizacin de entrada se deben dibujar fuera de los bloques del sistema retroalimentado.
11.
Sistema sin retroalimentacin (Se abre la retroalimentacin como un paso auxiliar en el anlisis
del sistema)
y calcular XI IX ,1''p Y r .H' /(l .

4. Aislar el bloque "rl"
tJ
5. Dibujar el circuito auxiliar resultante en pequea seal (este circuito consiste del circuito en
Pequea seal del bloque "A", incluyendo adems a las resistencias r.'(l y r.''''(1/ como efectos de
carga).
6. Calcular: A' = X/X: ' A" = A'
R Y R,,,.
{>
LAC
-)
o ti
lAC
---J -
111. Sistema retroalimentado tomando en cuenta los efectos de carga
= l + ~A' y D' = l + ~A"
7. Calcular: D
8. Calcular: A
A"
I+~A'
A'
D
A"
A"
1 + ~A"
D'
A'=--~=-
l'
'1
=R.DparaCV
'
,.'{ = R, ID para CC
r,"/{
= R,o' D' para Me
,. / = R
\<J, {
,,'
/ ID' para MV
La explicacin para cada paso del mtodo de anlisis, se har mediante tres ejemplos diferentes:
261
Ejemplo l. An,lisis de un amplificador con un transistor en configuracin de colector comn. Calcular

Af,ryr,.
'r
_", f
Circuito Propuesto
R,
r
R,'
+
v,
rv
'
R,
v,
Paso 1: Dibujar el diagrama electrnico propuesto en AC.
r.
'
R'
~._-l------..j
RB=R,
+
V,_
262
I\..J
v,
11
R,
Paso 2: Identificar los puntos y tipos de muestreo y comparacin.
\r----c)--~p-------I Q
+ v,
MV
..-/"
+
v , '\..,
+
RLAC v"
Paso 3: Dibujar la topologa del circuito retroalimentado.

r
+
v,
'
'-+
CV
-O-
v,
MV
--
I~-
v+
I
~-J
M
:>
'> R1AC
"::?N
v
+
"
Amplificador Retroalimentado de Voltaje

Paso 4: Aislar el bloque "P" y calcular P= X/X" ,r~ y r",/~,
- Clculo de
p:
\' I
p = -!
\'
"
por ser comparacin de voltaje.
''" 11
263
\'
Del circuito: \' :::: \' . entonces:

I
J3
,.
~ = _-.:.:.
\'"
= 1,0
por lo tanto:
- Clculo de r :
'~
;=0
f
--
---+
.---:-
_-'
O
J3
r =
p
~'I
l..
if~l)
~v,
'1\
Del circuito: i, = O, por lo tanto:
- Clculo de r ,'u ,p
,
---.
+
v,,=O
v,
~-f
por ser muestreo de voltaje.
264
~-----
Del circuito: v, 'o O, por lo tanto:
Paso 5: Dibujar el circuito auxiliar resultante en pequea seal.
Rm.l
li
+ 4Vi
Vi
r _mlp =0
O-
~'
:. !" _T""
;;
~--
A'v =._~V
Paso6:CalcularA~=v/v; {.'=A~I
- Clculo de
A>
Del circuito: v" = g",v".
,,~
; R
R
LAC
"
r. =
'p
00
-r~r
:'
~uc
"-
Ruc
V
Av =...:'.
v.
A>A~I
-} ""
Y R",,.
---> ...
l
l
r"Ruc
r" +R uc
= V,=
, v.,
Por lo tanto:
265
- Clculo de {':
"-A'I
,
~"r-'l
'-'", ,,- t"
, <~,
1I 1..t('
- Clculo de R,:
Del circuito:
R=r
,
,
- Clculo de R,",:
Del circuito, pasivando v; = O, resulta que
abre en sus terminales (gmvh, = O), quedando:
v, = v" = O Y la fuente de corriente controlada es cero y se
Paso 7: Calcular D = 1 + [3A~ y D' = l + [3A;'.

A panir de este paso, se vuelve a trabajar eon el sistema retroalimcntado, pero tomando en cuenta los
efectos de carga del bloque "[3". El sistema retroalimentado con efectos de carga se puede modelar como
se muestra a continuacin:
CV
MV
r
'
+o-t:
v,
v,
o---
fR 9
A
"
'---{)
R_,,,E
"'/1
J\
-l
>.
+
v"
~R
LAC
-"
Ahora, el bloque [3 se considera ideal, pues sus efectos de carga ya estn incluidos en R, R,", YA:'.
D
266
= 1 + [3A> 1 + (1.0) (il"R uc
\
r" + R uc )
ID' =
+~,,]
Paso8:CalcularA vI =A'ID;A
'=A"ID';r
y r I .
v
V
v
'1
'''''j
- Clculo de Av:
1
Suponiendo ~"RLAC r", queda:
- Clculo de A ' :
'1
A '=
'1
Generalmente
~"
~"
I + ~"
I y queda:
lA.;
= 1.0
- Clculo de r. :
'1
r =RD=r
[
Suponiendo r" RIACY
~"
'
ti
(,;,+(1 +R
+~JRIACJ
r
"
fAC
1, queda:
r = r(r" (1 + 8m Ruc ))
'1
It
[i-r+
'L- 11
Y"
RR
PllnLAC
I
267
- Clculo de r"'fI :
Como /l,,
1 , qucda:
Los resultados obtenidos mediante las tcnicas de retroalimentacin y mediante el anlisis del amplificador como un circuito elctrico, se muestran a continuacin en forma comparativa:
~-
=~
vI
V
Resultados por
Tcnicas de
Retroalimentacin
Resultados por
Tcnicos de
Circuitos Elctricos
+ 1.0
+ 1.0
Condiciones
.'
r.
'1
rrr. + P,.RJ.AC
r _'"<Ji
IIg m
"
+ (1 + 13) R'AC
IIg m
l--~- /l,, 1.0
/-l,, 1.0
Como se puede observar, los resultados son iguales, excepto el correspondiente a r. , en el cual el valor
'1
obtenido por retroalimentacin tiene un error muy pequeo: un factor de uno (1.0) comparado con 13". Este
error se debe a la aproximacin hecha al considerar que el bloque "A" no presenta efectos de carga al
bloque "13".
268
Ejemplo 11. Anlisis de un amplificador con un transistor en configuracin de emisor degenerado.

Calcular: AI,r' Y r I .
,IU
Circuito Propuesto
,--------.-0 + Vcc
R,
Ce
r.
CB
R.,,'
'1
'<"1
~I
v"
+
v,
R.
R,
Re
'-------(>---_.----0.----
Paso 1: Dibujar el diagrama electrnico propuesto en AC.
269
Paso 2: Identiticar los puntos y tipos de muestreo y comparacin.
R:
r '
J\j\/\--~+D--~H--+::--+-V-i -l
j~
.---
/'
Q~
_Me
v,
v,
RE
ev
-----o---+------~~-----------'
r.
ev
'
+o-t
v,
-o
Me
..... ~~
+
~
Vi
+
V
"
-~
'----
----".
+
V
~Rf
Amplificador Retroalimentado de Transconductallcia
270
t"
_.~
RJAC
Paso 4: Aislar al bloque "W' y calcular
= X IX"I~
,r
y r "'I
rl
- Clculo de ~:
~ = v \ .
In
por scr comparacin de voltaje.
''-' 1
Del circuito: v= -i"RE' entonces:

-iR
A=_"
P
i"
-"=-R
- Clculo de r .
'1\
---
i,= O
1,
---+
O---j----.---j----{J-,
'1\
Del circuito: i,
v,
l'
:::::
'11
V.
/R E
= v/RE'
entonces:
=R E
f-;:;l
~
271
- Clculo de r , :
." ~
..
r .,ulp =vi
...
por ser muestreo de corriente.
;,,"'0
Del circuito: i, = V/RE"

,
'''/p
v
/R E
=--'--=R
Vx
entonces:

-----------------------~------,
------------, i
--+
Ru,c
L_
L-
c
M
=~'- - - - -
Vi
272
Paso 6: Calcular G~ = vV; : G:"'
= G~
R, Y R"".
RuC
--?
Il
- Clcu lo de G~ :
Del circuito: i = --g v (
"mhc
Y"---- _ _ )
r " + r.'r\
r"
V
=:: - - - /".
y.,
.w
1I
+y
.J
r(.
v. :::: - - - V
I
11
1>
+ \, '"
R (+ r
.
11:
Por lo tanto:
- Clculo de G>
- Clculo de R :
Del circuito: R = y
'''''11
+-r, = R,.. +
Y,
I R=R+r
,
f:
J{
- Clculo de R.", :
Del circuito, pasivando v: = O, resulta que v, = v,.,. = O Y la fuente de cOll'iente controlada es cero y se
abre en sus terminales (1:",1',,, = O), quedando:
R "'/ =r'1 +r" =R.+r
1,
"
1
~.=R"+r,,J
Paso
. 7'. Calcular D = I + "G.
P If y D'
1+
1>(;' ,
~I
273
A partir oc este paso. se \'ue!vc a trahajar con el sistcnla ntroalilllcntado pero tomando en cuenta los
efectos de carga Jd hloque "~". El sistema retroalimentauo con efectos dc carga se puede Inodelar como
se muestra a continuacin:
~~t-C_V+"+CH_--=--::,--~~~C_'-""~~--~....-~+--+_M_C +--_r'+"\_'-."J
v~
~,
R uc'
--0----
+
V
f
Ahora, el bloque ~ se considera ideal, pues sus efectos de carga ya estn incluidos en Ri ' R".{ Y C;: .
D= l +(-R
8"r,,r,
)(
E
"
(r" + RE + RUle) (R" +
D = (r" + RE + R ,Ac) (RE + rrr) + 8m r ,,r.RE""

[
(r" + RE + R,Ac ) (RE + r,)
D'
= (r" + RE) (RE +r,) + 8
r ,,r.RE
(r" + RE) (RE + r,)
Paso 8: Calcular C M =
- Clculo de" G M
274
c*
; ;G
e:,'
= D'
; r, y r,"y'
r,))
Suponiendo r" R" y r,, R"A'" resulta:
- Clculo de G m ' ,
f
Suponiendo r,, R" ' resulta:
- Clculo de r. :
'
r.
'(
Suponiendo ro
HE y r,,
Rr.:ll'
=Rf)
,
resulla:
r = r -+- R. + ~/',,~.~
'r
l:
r"
275
I
~
r=r
'1
If
+(n~rl)R,.
p"
--
C,!cuio de r.",, :
Suponiendo r, RE' resulta:
A continuacin se muestran en forma comparativa, los resultados obtenidos del anlisi s del amplificador
mediante tcnicas de retroalimentacin y mediante tcnicas de circuitos elctricos.
--
Resultados por
Tcnicas de
Retroalimentacin
.. _-
i
GMI - -"
v .'
r,+(l + ~JRE
r.
'1
~"
~"
r,+(I+~JRE
~.~
Condiciones
Resultados por
Tcnicas de
Circuitos Elctricos
r,,R'AC
r,, RE
r, + (1 + ~J RE
~.
r, + O + ~J RE
r,, RLAC
-----
r" + REO + 11,.)
r.n,'
r" +Rp + 11,.)
RE
r, RE
~
Como se puede observar, para este easo los resultados obtenidos son idnticos.
276
rr,
Ejemplo 111. Anlisis de un amplificador con dos transistores. Calcular A,
1"1
Y r",,.
Circuito Propuesto
Ce
'-~~--i f---~-,
r--I---r""f
l'
R'
i.
'
____- - - - - - 1 Q,
"
----Wr--- I f---t-----<i>-1
Cn
+
v,
L -_ _
R,..
.J
Paso 1: Dibujar el diagrama electrnico propuesto cn AC.
,.
"
R,'
+
v,
'---
--l
277
Paso 2: ldcntillear los puntos y tipos de muestrco y comparacin.
Q,
+
v,
~
-
MC

,
MC
..-+
Y( ~R<:
o'r
---Jo-
R,
Q,
e,
'\I\/'v---
--~
R,..,
Paso 4: Aislar el bloque "[3" y calcular ~ = XI IX", r~ y r",~.

- Clculo de ~:
ti
.....-
v=O
I
-+
A./
RF
~
<:>R
"
f-' rL':!.
l"
278
""'o
por ser comparacin de corriente.
'
~ ....
:~"
RE
2 "
Del circuito: i= -~--, entonces:

R F + Re
R,.,
- Clculo de r. :
'11
~
FI
v =0
......0--+----.-
'._'--t----fD--'
r
L--
r;
f\
= v"
l,
,-=" (1
'~
---l
por ser comparacin de coniente.

v
Del circuito: i, = R .II'R .', entonces;

,.
El
=-~'~-=R 11
'11
V,
F
1-;:UI = R,.. 11 RE
- Clculo de r .'UI
El
-"t>
--o
r ,,,11\
_ _ _ _ _ _ _ _ _--J
279
'''I JI
:::;
l'
--:-~
por ser muestreo de
l'OITH.'ntc.
',,"'1'
Del circuito: i
1',
=:
R,+ R",
entonces:
r
-""11
v,
- -v,- - = R,. + R",_
Ir,
.'Cl ~
=R"+R,,'1

,. - -
- -- . - - -- - --
.' Ri
1
_-.!.
'11
--+-----{)--~.---+---+-.+--~ - - - - 0 - - '
' p
,,
,
+
V pQ
-
Me .
cv
"
~
:
:
l(
:~
H-
~r
r..,,1
'p
--'----------~~-:~--J:--
:L....
.... J
V pQ
~~i ':1._
_o.,'= }.,
r
_,;_ _....
280
,---------------_ ..
Observacin
Debido a la Topologa del circuito, los elementos encerrados en lnea discontinua, forman otro sistema
retroalimentado de Transconductancia, como se muestra en el diagrama anterior. Este nuevo circuito se
debe analizar nuevamente como un sistema retroalimentado, modelndolo posteriormente como un
amplificador de Transconductancia, como se muestra en la patte inferior, y sustituyndolo en el circuito
original.
Para el modelo del Amplificador de Transconductancia, encerrado en lnea discontinua en la patte inferior
de la pgina antel10r, y basndose en los resultados obtenidos en el Ejemplo n, se tiene lo siguiente (para el
caso en que l' R 1AC y l' 1' ):
"
"'11
- ~"2
G'=G'
"'
MI
l' '
1{
~~-
R"C-~"
.....
= l'
JI:;!
1'_
"2
+ (1 + PA
)
"2
r.'o
+ (1 + ~"2 ) r.'fl
---------------'
Finalmente, el circuito auxiliar en pequea seal resulta:
,------------------------------_._-,
R.,../
.' R,
_ ........_--..1
~" l", ]~T:-' .'._._._.'_'._'._._._.__ '_:~ R;i

4...
t _:"_"__
.i::'..... -.... -.--..: 1
0-4--'.......
_i_'.
A, = '7
--------------
Paso 6: Calculat A;
= i" /(
{ ' =A;
ti
Ri Y R"".
fAC
-, Il
. Clculo de A; :
r
Del circuito: i
"
'''',
r"'l
'c'" 'v I'IJ
+ R uc
\' 1 = ', (1' ,,,1 \

1
11
r:tI )
281
'
"
5
Por lo tanto:
A, =-=
.'
"
lA"
,
I --:~
= A-,'
R
UC
----} II
G'II
[(r 11 R(. 1I r ') (r ,
"' m
"1
1
'
.'" P
l
III~)]
11 1
- Clculo de R;:
Del circuito:
- Clculo de Roo':
Del circuito, pasivando (= O, resulta v, = O, gm,v, = O Y la primera fuente de corriente controlada se
abre en sus terminales, por lo que resulta vPQ = O Y Gm;vPQ = O, Y tambin se abre ea sus terminales la
segunda fuente de corriente, quedando:
Paso 7: Calcular D y D':
r.
'
1.,
-.
ee 1;.'
--..
Me
,---
t" f~ t"
j
i
--+
s,,1
Re
.2
;:R
{2
E
1
~
.;;
{
1-
282
.J
-4
A.AA
R
[
D=l+PAI'=l+-~.. R
R ,..
E
2
r'"I'c'
m
1 +R
_ .ml!
LAC
[(g)(r IIR cllr')(r , llr

"'1
"1
1
'1
,,' )
/tI
)'J ]
Re
D'
= 1 + PA"' = 1 +
'
R .+ R
f
A'
Paso 8: Calcular A I = ;
;A
A;'
'r
D' ,
Ti!
[C'g
(r
"'1 mI "1
11
Re
11
r.') (r
'1
11 r
.,,, O
nI
)J
r"'lj "
- Calcular de Al:
r 'G '
___":'L--"Y._ [(g ) (r 11 Re 11 r.') (r I
r ' +R
"'1
"1
-1
'["'P
IAC~_
.ml,
A I =
1+
R [r'C'
.
+R
_--'2._.
R +R
F
/:;.1.
ml(
r'
"'//
m(
11
[(g )(r 11 Re 11 r') (r

mI
"1
'
)J
re 1
'" 11
11 r
/1
)J ]
LAC
'------~-
- Clculo de A':
'(
A'=
I
1 + ----"'--- [C "'' g mi (r"1 11 Re 1 11 r')

(r><lll
I 11 r.)J
'[
"1
R ,..+ R E
2
- Clculo de r :
'f
'(
R,
D
(RF+Re,l1l r.,
D
Clculo de r .'''[I :
Los resultados obtenidos no se pueden simplificar, pues no se conocen los valores relativos de algunas
de las resistencias.
283
CAPITULO IX
AMPLIFICACION DE POTENCIA
IX.! CONCEPTOS BASICOS DE LA AMPUFICACION DE POTENCIA

La configuracin de un sistema completo de amplificacin es la siguiente:
Pre-Amplificador
Xs
Amplificador
de Potencia
(Amplificador de
seal grande)
x,
--'-
(Amplificador de
pequea seal)
X"
Dispositivo
de Carga
donde Xs' Xi y X" pueden ser seales de voltaje, corriente o potencia.

Generalmente la seal de voltaje Xi entregada por el Pre-amplificador al Amplificador de Potencia, tiene
una amplitud aproximada de 1.0 VRMS ' 1.0 Vp o 1.0 Vpp.
Los amplificadores de potencia son sistemas electrnicos encargados de transferir la energa de una
fuente de alimentacin a una cierta carga (tubos de rayos catdicos, bocina, servomotor, etc.), de acuerdo
a una seal de control eX) .
[ientede
Alimentacin
P cc
"
P,
,,
,-
PL
Amplificador
de Potencia
-,
"
Dispositivo
de Carga
Donde:
P cc - es la potencia promedio entregada por lafuente de alimentacin.
Fuente de
f-V-,c",-c
Alimentacin
~J
"
Pe - es la potencia promcdio diSIpada en el colector del transistor ( o transiSlores ) de potencia.
287
I'n
(1) i, (1) dI
"
T .""t>,~"l~
+-~~Resislellcia
rrrnica al
amhi<'llle
~~~_.
Esta potencia representa la energa cintica de los electrones (E,,.J, la cual se convierte en calor por el
bombardeo del colector por esos electrones (Pe)'
es la potencia promedio disipada en la carga.
P l. =Ptoe +Pl'AC
PL -
donde:
P
IOC
PL
- Potencia disipada en la carboa por una componente de DC en ella.
- Potencia disipada en la carga por una componente de AC en ella.

AC
Pi - Es la potencia de excitacin.
Como caractersticas generales de los amplificadores de potencia, se tienen las siguientes:
a) Debe reproducir a la seal dc cxcitacin lo ms fielmente posible.
b) El funcionamiento debe ser lo ms cficiente. La eficiencia para un amplificador de potencia queda
definida por la siguiente relacin:
1) =,
POTENCIA DE AC ENTREGADA A LA CARGA

POTENCMENTREGADA POR LA FUENTE DE ALIMENTACION 100%
1)
288
PLAr
=~-
P ee
100%
IX.2 CLASES DE OI'ERACION PARA AMPLIFICADORES

La clase de operacin para un amplificador se define de acuerdo al ngulo de conduccin de la corriente
de los dispositivos encargados del manejo de la seal. A continuacin se listan dichas clases:
Clase
Angula de conduccin
e =360
---_._ .. _ - -
Para algunos circuitos de potencia se han desarrollado amplificadores que no quedan comprendidos en
la clasificacin anterior, dando lugar a los amplificadores clase "D ", clase" F", clase "c" y clase "[{".
La eficiencia depende de la clase del amplificador:
A. Amplificador clase "A" : 11..,." = 25% o 50% dependiendo dcl tipo de acoplamiento.
l. Acoplamiento directo: 11....,. = 25%.

2. Acoplamiento por tran.~f()rmad()r: 1111l"~::: 500/0.
B. Ampliticador clase "8" : 11..,,,
78.5%.
IX.3 CALCULOS DE LA EFICIENCIA PARA LOS AMPLIFICADORES CLASE HA"

Y CLASE "B"
A.I Amplificador clase HA" con acoplamiento directo
Un amplificador clase "A" con acoplamiento directo. puede presentar la siguiente confIguracin:
-~---o + V,<.
+
1'"
N,
N,
N.
+
CH
-----j
+
f-----+----i Q,
289
r-----------------------'-------/
/
/
/
/
le
/
/
QI
~==~"'"'~---
lI{o'(j 1/
/
/
1) Potencia Promedio entregada por la Fuente de Alimentacin (Ve!).
Suponiendo i B (1) i c (t) para una h FE

I
P ce = T
1, la ecuacin anterior se simplifica a:
f Vcci c (/) Rl. dI =TI f Vcc (lc + i. (/)) dI

T
Para una seal i" (/) peridica, se cumple que su integral en un perodo completo es cero:
f i. (t) dI = O
T
por lo tanto:
290
2) Potencia Disipada en la Carga (RJ.
donde:
3) Potencia Disipada por el Transistor (Q,).
4) Clculo de Eficiencia Mxima (11m.J.

Para obtener la mxima eficiencia del amplificador, el transistor debe estar polarizado para Mxima
Variacin Simtrica en la carga, entonces:
y la mxima potencia efectiva (RMS) en la carga en AC (suponiendo Ve/'
.h"
= O V) ser:
y como la potencia entrcgada por In fucnte de alimentacin es:
V~c
P('('= Vcc1cQ = 2R,.
entonces, la mxima cficiencia del amplificador queda:
v'
100% = . '}
/8R
,." 100% = 25%
V;,/2R,
291
Amplificador cla.\l' "'1-\" con aco!)!amiento din.::cto: 11 '''.1\ = 25
f
}(.
)) Relacin entre 1', y P, .

..1('
La mxima potencia disipada en el colector del transistor (Q,), se onticnc cuando no hay seal, es decir:
V,
-V
mm
cc,
c c - 'R
c 1-~2"
Q'
maxP e ~ V ec 'c - ,;. R L cuando no hay seal (V", ~ 'm ~ O).

Q
Q
Entonces, para Mxima Variacin Simtrica, ,.(Q = V,.,/2R 1. :
La relacin de maxPc a maxP, ser:

'AC
De esta ecuacin se observa que para obtener 1.0 Walt de disipacin en la carga en AC
(maxPI.AC ~ I.OW), se requiere que el transistor Q, sea capaz de soportar 2.0 Watts de disipacin en el
colector; es decir:
.
maxPc~
2 (maxP L
)
AC
2 (l.OW)
2.0W
6) Caractersticas del Amplificador Clase "A" con Acoplamiento Directo,

Sin seal aplicada al amplificador, existe la mxima disipacin de potencia en el transistor y
tambin existe potencia disipada en la carga R ,. (potencial no til),
ii) Para obtener l.O Wall en la carga, e1transistor debe manejar 2,0 Walls,
iii) La eficiencia mxima es del 25%.
i)
A.2 Amplificador Clase"A" con acoplamiento por transformador

Este tipo de amplificador se emplea para eliminar la componente de OC sobre la carga R ,., mejorando as el
aprovechamiento de energa en la carga, con respecto al amplificador anterior con acoplamiento directo.
292
+
v,
~'-------DC
,,-AC
~ -=-<~Q=----V
Il f: Q
-------r---+--
/'11:::'
- - - -----------1
I
R'/.
~
v c;;
2Vn
R, _. Resistencia elctrica del devanado primario (N,) del transformador T"
1) Clculo de la Eficiencia Mxima (lle,..)'

Como puede observarse de la grfica, el circuito queda polarizado para Mxima Variacin Simtrica
en v , con un Ve = V(.,., y la cOll'ientc 1,. ser igual al valor pico mximo de la seal que puede mancJ'ar
"
I-:Q.
este amplificador; es decir le = 1m

. d"lSIpa da en 1aQcarga es:
L a potencia
y la potencia entregada por la fuente de alimentacin es:
Por lo lanto. la eficiencia ser:

(V I )/2
100% = ---"'-!!'~~1"/("
( V I
100% = 50-'-""'-~"("I("
Para obtener la mxIma efIcIencIa en la carga en AC. se supone un V, 1 = OV y. por lo tanto. el valor
,,"
mximo de V ser V"". y la I ser leU:
nI
InaxP
'"e
ec
V'/'"
= --= V leti
Entonces. la mxima ellciencia queda:

ma'xP,
11
"M"
- -F)- .
100% = 50%
nla.\ -
ce
AmplifIcador elase "A" con acoplamiento por transformado: 11"""
= 50%
2) Relacin entre Pe y P L
..le
La mxima potencia disipada en el colector del transistor (Qcl, se obtiene cuando no hay seal, es decir:
maxP e = V ee le cuando no hay seal (V",

Q
= 1", = O).
Entonces, la relacin de maxP c' a maxPf- ser:

AC
De esta ecuacin se observa que para obtener 1.0 Watt de disipacin en la carga en AC (maxP L ), se
requiere que el transistor Q sea capaz de soportar 2.0 Watt de disipacin en el colector, es decir: <le
maxP e =2(maxPL )=2(1.0W)=2.0W
<le
3) Caractersticas del Amplillcador Clase "A" con Acoplamiento por Transformador.

i)
Sin seal aplicada al amplificador, existe la mxima disipacin de potencia en el transistor.
ii) No existe potencia disipada en la carga R,. cuando no hay seal.
ii) Para obtener 1.0 Watt en la carga, el transistor debe manejar 2.0 Watts.
iv) La eficiencia es del 50%.
294
B.l Amplificador clase "B"

Este tipo de amplificador de potencia permite aumentar la eficiencia 11 y disminuir la potencia manejada
por los transistores del amplificador.
Existen dos configuraciones principales: el amplificador push-pull y el amplificador en simetra
complementaria.
- Amplificador push-pull
;
I
Q2
1.-
le
""':\
J",
/Q
1 .__--=o'&V'---__ V CE
.V~
v
: m""
: C EQ
le' -I--+-Q
...
r-:----~:::::===~~~:~-
V CE
295
1) Potencia Promedio entregada por la Fuent~ de Alimen!acin
{V-,-J.
La forma de onda dc la corriente entregada por la fuente de alimentacin es pulsante, como se nlucstra
en la grfica siguiente:
,------------------------------------,
Valor promedio dc la corriente:
IW = ~
11:
Por lo tanto, la potencia entregada por la fuente de alimentacin para operar a los dos transistores del
amplificador, ser:
P"
=2
1 )
V V,_,_
-'" Vcc = 2 It --( TI:
l.
n:
2) Potencia Disipada en la Carga.
3) Potencia Disipada en los Transistores (Q, y Q,).
~(Q
(."
l'
Q)
2:::::; P ce - P /.
A('
V,cv,,,
=-1t ~R/.
V,~,
2R .
L
4) Clculo de la Eficiencia Mxima (Tiro,,).

La mxima potencia de la carga en AC, se obtiene cuanelo V,c = O. es e1ecir. cuanelo Vm
~
'ut
para cada transistor, y el valor ele 1", sera:
o
1m
_.~!!!-_ V cc
Re
La mxima potencia en la carga en AC ser:
296
Re (para Vm
= V,-cl
= Ve = Vec
~
InaXP
::::
V 1
V'
_..!!!-'!!.. .:::::
"AC
-~-
2R"
=~
2R,
y la potcncia cntrcgada por la fucntc de alimentacin ser:
l'
ce
V'"
'R
V ee
n
2V:e
nR
=2-'~-=-~
L
"
cntonccs, la mxima eficiencia del amplificador queda:
ll m
;lJ{ :::::
, rJR
maxP,
Vce'
.... L
AC
--1'-- . 100% = --2-~2Vec 17rR L
ce
TI
'lm<lx
-,le
100% = -
100%
= 78.5%
[AmPlificador clase BE"

5) Relacin entre P(. y P,
11 m", = 78.5%
La mxima potencia disipada por los colectores de los transistorcs, se obtiene derivando la ecuacin
planteada en el inciso (3) con respecto a Vm ' y obtcniendo el mximo dc dicha funcin, esto es:
a Pe (Q, '
aV'"
Q,)
2Vee
----nR"
Igualando la derivada a cero, queda:
y despejando el valor de V"" se obticne:
Entonccs, la mxima potcncia disipada por los transistorcs Q, y Q, scr:
Illaxl'c (Q, ' Q,)
r ----;-)
ee
ee
1I
=:;2 VR,. (2V
----;- I (2 V,e \ ( 2R,)
297
max}),
~-
.'IV,
4 V,',
(NI
2rr"R,
(.
~ \/'
maxE', (Q, ' Q,)=~c'
le' 1<,
para un
1', _ 2 11,,-
rr
Por lo tanto, la relacin entre P,. y Pes:

1A("
IDaxP,.
2 \/:" /rr-'I<,
.'\
= -----,-~- ='--'- ~ 0.'1
maxP .-Ie
\1'C(~.
/"J 1< I
rr-
~----
De esta ecuacin se observa que para obtener 10.0 Watts de disipacin en la carga en AC
(m axP,.A(' = 10,0 W), se req uiere una maxP c = 004 (maxP,) = 4.0 W, lo que equivale a seleccionar
transIstores con una capacidad de 2,0 Watls cada uno,
.
Con este tipo de amplificador se puede obtener, en la carga. hasta cinco veces la potencia especificada
en cada transistor.
6) Caractersticas del Amplificador Clase "E".
i)
ii)
iii)
iv)
Sin seal aplicada al amplificador, no hay potencia disipada en los transistores, ni en la carga.
Para obtener 10.0 Walts en la carga, cada transistor debe manejar 2,0 Watls,
No existe componente de DC en la carga.
La eficiencia mxima es del 78,5%.
IX.4 AMPLlFICADOR DE POTENCIA CLASE "B" ("AB") EN SIMETRIA

COMPLEMENTARIA
Para obtener una potencia de salida (P,) elevada, se requiere que el voltaje de salida (vJ y la con'iente de
salida (i,) sean elevadas. Esto se logra consttuyendo el amplificador de potencia con dos etapas: la primera
etnpa (driver o pre-excitador) funciona corno amplificador de voltaje y la segunda etapa (etapa de salida)
ser un amplificador de transconductancia (amplifica la corriente de salida a partir del voltaje que recibe
de la primera etapa).
Fuente de Alimentacin
Amplificador de Potencia
Driver
o
Pre-excitador
(amplificador
de voltaje)
298
Etapa de
salida
(nmplificador
de transconductancia)
V"' l",
p,.
IX.4.I Etapa de salida (amplificador de transconductancia)

Las configuraciones con transistores bipolares que presentan amplificacin de corriente a pattir de un
voltaje de entrada son: emisor comn y colector comn.
Para lograr una alta eficiencia con esas configuraciones, se requiere que operen en clase "B", por lo
que se hacen necesarios dos transistores: uno para manejar el semicicIo positivo de la seal y el otro para
manejar el semicicIo negativo.
Las formas de onda para las configuraciones de EC y CC operando como amplificadores cIase "B" se
v,
--{) v"
EMISOR COMUN
--'.
vio---
COLECTOR COMUN
299
Si se stlInanlos \'ulta.lcs de salida (le l~q;[lrcs de t;-ansistnrcs de clda cunligllraCH)I1. sc obtiene la forma
de unua cOlnp\cta de la seal dc entrada. La configurac'l{lIl de cnlisor ('olnllll tiene los sl'lllicic1os montados
sohre las componentes de De dc + V,.,. y - Vn ., micntras quc la configuracin dc colector comn

presenta los semiciclos de la seal sin componente de De. Por lo anterior. la configuracin de colector
cOlnn facilita la SlIlna de voltajes en un nodo, mientras que ell'lnisor cOlnn requiere de un sUlnador
ms clahorado a causa de la componcnte de De.
En la figura que se muestra a continuacin se obscrva la suma dc los voltajes dc sal ida en un nodo (para
la configuracin de colector comn):
\' f:
+ Ver
0,
/N;;:O
Y,
\:TI \',
R,
ll"
SWJ/(/
\'"
R"
~
0,
-Vcc
l'c..,
-]
Al sumar las seales en un nodo, las resistencias de carga de cada transistor quedan en paralelo,
resultando una resistencia equivalente entre el nodo de slIma (los emisores de los transistores) y tierra. El
circuito toma entonces la forma que se muestra en la siguiente figura:
.---j0,
Vi
'----jQ,
300
El amplificador de potencia en simetra complementaria es un amplificador que opera en clase "B" (en
principio; prcticamente opera en clase "AB") teniendo una eficiencia mxima terica de 78.5%.
El principio de funcionamiento de este amplificador se basa en dos configuraciones de seguidor emisor
construidas con transistores complementarios (npn y pnp) como se muestra a continuacin:
Q,
IJ
+ Vcc
+ v
"
~--_.-
(-) R L (+)
Q,
+ V
cc
Esta conexin de los transistores complementarios Q, y Q, (cada uno operando en clase "B") presenta
simetra respecto a la lnea punteada.
En este circuito cuando V; > Oel transistor Q, conduce y Q, se corta, teniendo los flujos de corriente
que se indican con el nmero 1. Cuando v; < O, Q, conduce y Q, se corta y el flujo de corriente es el que
+0.6V
+-.;..----~c_-----I~t
'.
-0.6V
-A ...
( VIIE,)
-0.06V
.. ,---'V nE"!
0.6V
v"
A -0.6V .......
-A + 0.6V
~-l---:7"+-'-+---VRl:;;1
..
: .;
..
..
( V IIE
';"
..
'\7
)
I
301
se muestra ahora C()n ('1 nmero 2. l.()s vollaj('s desarroilados sobre R f se alternan con l:t polaridad indicada.
El ngulo de conduccin de cada transistor es de Be == 1~O\l (clase '"13'). La ganancia en corriente es el
valor de la hl de los transistores.
El problerrm que se presenta es el voltaje necesario que requieren las uniones baseemisor de cada
transistor para "encender". Esto es, mientras \', no sea mayor que los voltajes de encendido de las uniones
base-emisor, los transistores no conducen, introduciendo Distorsin de Cruce, COIllO puede observarse
en la grlica anterior.
IXA.I.I Circuito de I'rel'olarizacin

Para reducir esta distorsin se necesita inciuir, en la configuracin bsica del amplificador, un circuito
de prepolarizacin, cuya funcin es la de montar la seal Vi sobre componcntes de voltaje directo de
+0.6V y -0.6V (aproximadamente) para Q, y Q, respectivamente, de manera que cada transistor comience
a conducir para voltajes de 1', > O y v, < O, y no v, > 0.6 V Y v, < -0.6 V como en el circuito original. En la
tigura siguiente se muestra un circuito que cumple con la condicin anterior:
.O.6V+
'e
----1~ ...
'~
\JIU;"
V,
val'
-----------.. Vtu:
O-
0.6V
(
(/
'e
7 -;?
SL
O.6V
( !J )
Aplicando el circuito (b) a la configuracin original del amplifIcador, resultara el siguiente circuito:
-ie
+
0.6V
+
v,
-.
Vee
Rc
- 0.6V
v,
0.6V
0.6V
'e ,
le
+ V
ec
l
le
302
Como no es prctico emplear fuentes de O.6V independientes de las fuentes de V cc" se pueden emplear
divisores de voltaje resistivos para generar los voltajes de + O.6V.
v.,
Las resistencias Re se incluyen en los emisores de los transistores para lograr estabilidad trmica del
circuito. El valor de R"debe ser pequeo (ID, O.SD) para no "perder" voltaje de salida en esas resistencias.
Las uniones baseemisor de los transistores varan su voltaje de "encendido" si varia la temperatura,
mientras que el voltaje de prepolarizacin generado por las resistencias R, y R, no presenta la misma
variacin de voltaje de las uniones, por lo que, si existe alguna variacin de temperatura, aparecera de
nuevo la distorsin de cruce. Para evitaresto, se prefiere modificar el circuito como aparece a continuacin:
Q,
+
O.6V
:0-b
'-."::C
'---0 v
+
O6V
Q,
-vcc
Este circuito permite acoplar trmicamente las uniones base..emisor de los transistores con los diodos
de prepolarizacin montndolos en el mismo disipador, con el objeto de compensar las variaciones de
voltajes de las uniones pn debidas a cambios en la temperatura, evitando as que aparezca la distorsin
de cruce a cualquier temperatura.
Al incluir el circuito de prepolarizacin se presentan dos nuevos problemas: la resistencia dinmica
de entrada r, del ampliEcador tiende a disminuir y la variacin mxima de l'" queda muy abajo de
I veel (V" < I Veel).
IIM\
30:\
- Anlisis de r, y
v"
A. Comportamiento de v
+/"
VR
1
R"
"
- Q,
------..
lB ,
D,
+
v,
D,
1,,1
lID,
1,,1
1/",
1,,1
I'I~
."--
R"
"
R,
+
\/r-{"
Q:
-J
V ee - ll6V
RR
------1----L--.~
VD
0.6V
Modelo y Punto de Operacin para los diodos D, Y D 2

1) Si v", = O ==> Q, y Q, estn en el lmite de corte a activa (EOC) y se tiene que
1," 1 = 1,-2 = O; 1" 1 =
I = O . i = O Y v = O.
~
82
'"
"
En estas condiciones, los diodos D, y D, se encuentran polarizados con una corriente:
y la cada de tensin en las resistencias R B es de VR = V ec - 0.6 V pudiendo expresar 1, como:

B
"
o
304
_VRB, , ]
R
S -
"
De esta ecuacin se observa que la corriente de prepolarizacin de los diodos (para que mantengan
un volt'\e de encendido de 0.6V) depende de la cada de tensin en las resistencias Ra- .
2) Si v; > O =} Q, conduce (activa) y Q2 se corta, entonces:
VB > 0.6V ; Ve > O; L
1
"1
=i
1O"
> O ; lB > O ; VR < VR

B
ti"
Como Is, depende de la cada de tensin en RIJ' entonces al disminuir VRB disminuye Is, .
Cuando Q, conduce, la corriente de polarizacin del diodo D, disminuye, debido a que I s, disminuye e
lB , aumenta:
ID, disminuye muy rpido

El diodo D, estar en el lmite de conduccin cuando suceda que lB = I s ' lo cual ocurrir para un
I
I
.'
determinado valor del voltaje de entrada, al cual se llamar V.
(V.) : V
=
V n - 0.6 V. En este
1).
ICRITlCO
'OUT
'CHIT
1
momento se tendr la mxima corriente de base de Q, (In) y la mnima corriente en el diodo DI (lo = O).
~------_._---------------_-:'
v.
=0.
\ 'our
----l---~-----+vI)
I D, =0 I
-----.
0----4
'ClUT
Circuito equivalente cuando v, = V.'('HIT

305
- Clcul" uc
\1
(cuando \' = V
.
A"
LasqxprcSlpn~s(icJ~,.~) J"
"
(1)
7=
..
"C/o:/1
,R
y la expresin pam
s"ln:
V,,- 06V
R" + (~.. + 1) (R" + R;)
..
\1.. 1. ,
/, = (~ ..
+ 1) /"
cs :
('R"
(2)
+ 1 J = (~.. + 1) (Vee - 0.6 V) R

.. , (~ ... ).R, R /1 + (~
+ 1) (R+
R) "
."
(,
l.
\1 =
De las ecuaciones 1 y 2 se puede uemostrar que
~.I.
aumenta si:
l'
'CRI'I
~ .. aumenta (/. es peque fa y V"H es pequeo) .

R", RE aumentan.
R. disminuye (VR. es pequeo y \1.. -Vee ).
Lo que se desea es que el valo~ de\!.. se acerque. lo ms posible a VII' lo cual se lograr si R" < R,
y si se puedUevar al transistor Q, al borde de saturacin (EOS) (~.. aumenta, RH
disminuye).''''',.,
(Re' RE aumentan)
Ejettlplo numrico:
* Vd/ores de Referencia:
V,.,=20V; ~".+ 1 =40; R,.. +R,.= IOQ; R,,=2Q;R,,=SQ; R B = IkQ; v=v
,
'OUT
J=
20V - 0.6V
IKQ+40x IOQ
13.S6mA
\ \!" = JE R L = 0.5543A x SQ =4.434V \
* Si ~" + I
se aumenta a 80
J=
/1
20V - 0.6V
IKQ + So,x;loq
10.7SmA
JE ,"" SO xl 0.7S xl 0-' A 0= 862.2mA

,306
,.1
~ =0.862M x 80 =6.898V I
7 =~v-o.~=
10.78mA
IKO+40x200
JEc~40x
10.78x lO' A =431.1mA
~ = 0.431A x 16? = 6.898V 1

"Si R" disminuye {{ 5000
7=
B
20V-0.6V
=21.56mA
5000 + 40 x IOn
7" = 40 x 21.56 x IO"A = 862.2mA
~ = 0.8622A x 80 = 6.898 vi
Como puede observarse, los tres ltimos valores de C-" (6,898V) son mayores que el valor de referencia
(4.434V).
n. Clculo de r, mnima (resistencia dinmica a seal grande)

Cuando v, alcanza el valor de V'CH.IT , el diodo D, se abre. Si v aumenta ms. entonces v ya no podr
I
"
"seguirlo" porque D, se mantendr apagado (abierto).
: D (OFF)
:
R"
RI.
Considerando V,.,. = 20V:
13" +
7",~
D,
+
v,
............ '''Q,
1 = 40: Ro = 1KO:
"
l'
I
= V
'(
.'111'
(Corle)
7""1 = 554.3/1l/\
/,
. "'RII
/".,
= ---- =
13 + 1
13.86111/\
"
307
V, (MI
..
v'CHIT ~ 20V -
V,.,> R,.l,
11
(IKU) (I 3.86
'011"1"
'c/UT
- 0.6V
0m
1O"A) - 0.6V
~5.54W
_v-"C"'H.''.... - O,6V - (RR,
V(_~)
'_
5.54W - 0.6V - (- 20V)

IKU
'CR/T
r'CRrr ~ 24.94111A
V'CHIT
5.543 V
ri~-l-~ 2494 10-'
i
CRJT
222.2n
Mientras ms negativa sea la fuente (- VeJ, ms pequeo ser el valor de r, puesto que el circuito
demandar una corriente 1; muy alta.
Resumiendo los resultados del anlisis anterior:
+Vec
Ro
Q,
;~
DI
RE
D,
RE
Q,
RB
-O-Vce
)
Q
Para los valores de Vee = 20V; RE +R L=lOQ(RE=2Q, RL~8Q), ~,,+1=40 y RB=IKU,setiene

lo siguiente:
>" = 4.434 V < Vee

2) r = 2~2_2U < R B
3) VieHIT - 5.543V < V ee
308
Para mejorar el amplificador, se tratar de hacer que \1" sea cercano a VCC' Esto se logra haciendo que
los transistores Q, y Q,lleguen al lmite de saturacin. La configuracin que resulta cuando v alcanza el
valor de V (D, apagado) es:
'['HIT
~ D, (OFF)
'CRIT
(}----e
En esta configuracin Q, nunca podr llegar a saturarse, porque la unin Be no puede polarizarse en
directa (Va < Ve ) .
I
I
Para que Q, llegue al lmite de saturacin (EOS) y el valor de \1" pueda ser cercanO a V ec ' se necesita
que Va > Ve Yque el diodo D, se mantenga en conduccin, tal como se observa en la siguiente figura:
I
V,0---'
309
o bien. que la corriente de has,,"' de{!I'""ScH1mny()r'oigtlal-:qu((Ia Cocri'nle de base Ihniul'a para si.lturacill
Ull ~ J,: ), Y que el diodo J) sL'"lllantengaeil '(:()l1uuccin L~Om() se :.llnccia ac . . mtinuacin:
I
1"""
\i
V("("
/" ,
-----
Q,
D,
l'
R,
0--
+
v
"
R,
La fuente de corriente es equivalcnte a la fuente de voltaje V, en scric con la resistencia RIf"

Para que la fuente de voltaje V, mantega una cada de tensin constante sobrc R", y de esta manera
logre polarizar a los diodos y al transistor comportndose como fuente de corriente, se requierc que V,
"siga" el voltaje dc entrada, es decir, si Vi aumenta o disminuyc su valor (respccto a tierra), cntonccs V,
debe aumentar o disminuir su valor en la misma cantidad. Esto se logra con el circuito siguiente:
9+
Vcc
R"
Q,
V, +
D,
R
Vi 0----
D,
V, +
Q,
R.
---
V ec
El utilizar una fuente de voltaje (V) o de corriente (1) independicntes de V ee resulta imprctico, por lo
que la fuente de voltajc se simula con un capacitor que permita lograr una constante de tiempo alta, de
manera que casi no se descargue y proporcione el voltaje V" haciendo que la cada de tcnsin sobre R/2
permanezca prcticamente constante, como se aprecia en la figura siguiente:
310
En el circuito de la figura anterior, la resistencia R ll se divide en dos parte iguales. La razn de esto es:
1) Establecer un trayecto de corriente desde la fuente de alimentacin hasta uno de los nodos de los
capacitares (C,aC,), permitiendo as que los capacitares puedan cargarse a un voltaje inicial, igual
al voltaje de Thevenin generado entre sus extremos.
2) Dejar "libres" a los nodos "x", de manera que el voltaje generado en dicho nodo por el eapacitor
cuando se apliquc seal al amplificador vare libremente su valor, de acuerdo al voltaje de la seal
de salida sumado con el voltaje inicial de carga del capacitor (C,aC,), pudiendo tener valores dc
voltaje en el nodo "x" con respecto a tierra, mayores al valor de la fuente de alimentacin ( V ee ).
Se prefiere conectar los capacitares C , y C, a V" en lugar de V, ' ya que se tiene mayor disponibilidad
de corriente en el nodo "y" para cargar a los capacitares.
Obsrvese que si la constante de tiempo de descarga de los capacitares es alta, la diferencia de potencial
sobre las 1<,/2 conectada a los diodos, permanece casi constante, compoltndose como fuente de corriente
y permitiendo que los transistores puedan llegar al borde de saturacin.
Este cireuito se conoce como Circuito Bootstrap.
311
IX.4.1.2 Circuito Bootstntp
R,12
R.12
;:
+V("(_
Q
P
lver
-+
D,
v,
Q,
/s,
+ v" _
-~
R,.
D,
-==
C.,
N
t-'-"----+---fQ,
Anlisis del circuito

1) Criterio para la seleccin de C.
Las trayectorias principales de carga y descarga de los capacitares se muestran en la siguiente figura
para el capacitar C8 ,
Carga
Q, - Corte ; Q, - Activa
R./2
~.
+
Vc
312
+Vcc
-C8
Descarga
Q, - Activa Q, - Corte
;. V cc
'--r--+-----i Q I
V:r:5'
R,
Considerando que RE R/2, y que r"e (resistencia dinmica de la unin base-emisor) R/2,
entonces durante la descarga del capacitor, la constante de tiempo que se presenta, est dada por la relacin:
Si el amplificador va a operar a una frecuencia mnimafMIN ' el pelodo de la seal correspondiente ser
mximo TMAX ([M/N'" I/TMAx). Para lograr que el capacitor no alcance a descargarse en cada semiciclo
de la seal (TMAx /2), se propone que su constante de tiempo de descarga ""t" sea mucho mayor que la
duracin de cada semiciclo (TMA /2):
Re
8 B
M/N
>~
1"
JMIN
Por lo tanto:
2) Determinacin de R n
Con Vi'" O Y V" '" O, los capacitores tendrn el siguiente voltaje:
VRB
Vee - 0.6 V
VQ ",V,+0.6V+T'NF",0.6V+---2--
entonces:
- VeE'SA7' '" VeC'

Para v., > O, suponiendo VaSAT '" O, entonces VE'IMAX '" Vee
.
La corriente 1H
por lo menos, debe tluir por la resistencia de base 'j"- I.YI' para poder saturar a Q"
adems deber tlt:':~:por esta resistencia, una cOlTiente "extra" para IlIante~er en conduce in al diodo D,
313
. .
. 1('
t/"I) y que \". se ""transmita" a la hasl'lk: (j._ EntonLl'~ lac,~lda'lk tCllsill ;..uhrl' "'i:
;\!
estar.} dada por la
diferencia de tensin l'ntre los plintos ."Q" y P cll<lI11hl :,..'\ <lInpllricadm opere a Inxlna seal
(V
YV
para V
~ l' ):
'"\fA'
1'1 M.-I.'
'\1l \
1/"
"
+ 0,6 \/ :
li
'.1/.1.\
~ 1/
.. __ Ni
V
NI. -+- R, . '_11.\.\
+ \/", : \/
"\1..1.\
".1/.-1\
Entonces:
Yel valor de
R
-,!!.
ser:
/<1' V(J-VI'
..' < ._,,----.
2 --
3) Clculo de r,
El valor de r, se obtiene cuando se aplica el mximo Vi al amplificador, y se calcula mediante el siguiente
circuito:
Q,
D,
V
DI
'MIIXO--------
lI
-~
1.
D,
'Mil,\'
It
en
R,.
R.12
M
dIe e
Il
NI< /2
-Ve!
La relacin de corrientes en el nodo de entrada ser:
314
1
-
adems:
con:
VN = V
-O.6V
'MAX
VQ = V"o\111X + V.c.n
Vl'= Vi
+O.6V
MAX
La resistencia r i se calcula de la siguiente manera:
'MAX
r='-~-
'AMX
4) Determinacin de las corrientes de carga y descarga de los capacitores del circuito Bootstrap
.-----~---~~-~o +
V""
R,,/2
Qt----,
1- - - -
1 _ _ ..
I
I
D,
8,,/2
Para \' ::;: +
V, \/-\ ,la corriente aproximaua de caru.a

dd capacitor C II ser:
.....
\
315
__ -v"---(v,, )
---- -
1,
R. /2
",
",
y la corriente aproximada de descarga del capacitor e" , ser:
con:
VQ =V"MAX + VCR
VN = V
'Mil);:
--O.6V
VM =V"MAX - Ven
Ejemplo numrico:
Para
V'MAX = Vce =20V;
VeE =OV; VE
- .,"1
MAX
=20V
- Clculo de R. (para v., = V'MAX ):
Ve. = Vec ~l!.6V

Vp = V
'MAX
20V: O.6V = 20 6v = IO.3V
+ O.6V = 20V + O.6V = 20.6V
VE =Vec-VCE =20V-OV=20V
Re
90.
V
=-- V
=----20Vo= 18V
"MAX
RE + Re
E'MAX
lO. + 90.
1
.<tI1
VQ = V"MAX + Ve. = 18V + IO.3V=28.3V

20V =2A
10.+90.
316
2(28.3 V - 20.6 V)
50 x 10-' A
R. 308.0.
<
2
2
308.0.
1541:2
Se selecciona una ; de 100.0. (R.
/, =
= 200.0.), con lo cual se genera el siguiente valor de l. (para Vi = O):
vcc- 0.6V
RB
20V - 0.6V
=97mA>/
=50mA
200n
"MAX
Por lo tanto, resulta:
R.
- = 100.0.
2
R. = 200.0.
/,=97mA
- Clculo de
=
'MIN
c.
10
F
JMIN
10
40 Hzx 200.0.
= 1250.F
[;:N =
1250llF
- Clculo de Ti
R.
Para -2 = 100.0. Y V'MAX = V ce =,20V

VN = V
'MAX
-0.6V=20V-0.6V= 19.4V
VM = V
- Vc. = 18V - 10.3 V = 7.7V
VQ = V
+ V c = 18V + 1O.3V = 28.3V
"MAX
"MAX
Vp=V.
'MAX
+0.6V=20V+0.6V=20.6V
/ = _V,,-Q_-_V-,-P /.
D, R /2
= 28.3V 'MU
20.6V
100.0.
SO x 10-' A
/" , = 27mA
317
. = 1[> - 1[>, = 117 x 10' A - 27 x 10 ' ,1 = 90111/\
1,
I/..t.\
' M 1\'
JQV
r =l~" = ---'=---,- = 222.2n
,
'MAX
90 X 10' A
;;:Jl
[-,=222.2n
- Corriente de carga del capacitar Cll

1,
11,
VII - (- Vc,)
= - '- - , - - - 1
R II
/2
o,
7.7V - (-- 20\1)
loan
- COlTiente de descarga del capacitor
.,
-1I7x 10 A= 160lllA
ll
- Resumen de los resultados numricos

(para v _
= V
):
.
_'",M:::A.:c.'
loon
83mAi
-,
= 160mA
le
II V
....- - + - - - - -
lB
10m
77mA1
/'
'MAX
SOmA
Q,
...------I-~=.-I
v.
l.
'MAX
CB
=90mA
-+
'MAX
20v
v{}MAX ~18v
In
+
1().3V
RE
-~RI.=9n
. +
I -=2Amp
"MAX
CB 1O.3v
N
loon
M
loon
= 160mA
C
~----------o
'----277mA
318
----
jle
- V,.,. = - 20v
I
...L
Nota: Todos los valores son aproximados porque se calcularon sin tomar en cuenta las corrientes de
carga y descarga (l60mA + lGOmA) de los capacitares del Bootstrap que se derivan del nodo
de salida (lGOmA + lGOmA).
rX.4.1.3 Fuentes de corriente como sustitucin del circuito Bootstrap
Las fuentes de eorrientc que sustituycn al circuito Bootstrap sc construycn con transistOl"cs y pucden scr
dc dos tipos:
r.
Pucnte dc corricnte "source" (fuente)
+
2v JW
D
---->-
+ V:r:
R:
1"
Carga
--V,-t"
Los diodos D.! y D/I se pucdcn sustituir por un diodo Zencr (D) para aplicar un voltaje de rcfercncia
en la base dcl transistor.
La cOlTienle de salida para cste circuito se calcula con la siguientc relacin:
.' 19
2. Fuente de corriente "sink" (pozo)
V.
]Carga
+
L..-
---'
La corriente de salida tiene la misma expresin que la del circuito anterior:
Las caractersticas del circuito Bootstrap en comparacin con las caractersticas de las Fuentes de
Corriente son:
a) El circuito Bootstrap es ms sencillo y econmico, pero slo funciona para frecuencias mayores a
lafM1N
b) Las Fuentes de Corriente emplean un circuito ms elaborado, no tan econmico como el anterior,
pero permiten que el amplificador funcione desde frecuencia cero o DC.
IX.4.1.4 Configuracin de la etapa de salida con Pares Darlington

Para aumentar el valor de la r, de la etapa de salida (amplificador de transconductancia) se necesita
aumentar el valor de R B , lo cual se puede lograr empleando Pares Darlington, que demanden una corriente
de base (lB ) pequea, con lo cual se requerir una menor corriente de polarizacin (1) proporcionada
por el circ&to Bootstrap o por la fuente de corriente, logrando con ello un valor mayor de la resistencia
de entrada (r,).
Los pares Darlington que se pueden emplear son los siguiente:
320
1. CC-CE
~r
~-(
NPN-EQ
PNP - EQ
ReE
----1
EEa
2. CE-CE
CEa
RBE
B lCa
PNP - EQ
NPN-EQ
R. E
Con los Pares Darlington anteriores, se pueden tener cuatro configuraciones dc amplificadores: dos
configuraciones complementarias y dos configuraciones casi-complementarias.
r--~-~----"--{)
+ V ec
~L
-
L-~
~--{)
Ve<.
COIt{ig uraciulles comp!ement{l das
321
--------------
D,
Vio--~
D,
Vi
0---+
Configuraciones
casi-complementarias
El circuito de la siguiente figura corresponde a una configuracin que permite tener retroalimentacin
en la etapa de salida (con muestreo de voltaje y comparacin de voltaje).
D,
Vi
:::L
.D4 _
+ l,
322
Cuando Q I Y Q, conducen, la confIguracin del circuito es la siguiente:
-MV
IX.4.1.5 Multiplicador de
VIII!
Los diodos del circuito de prepolarizacin que se emplean para compensar el voltaje de las uniones
base-emisor de los transistores de salida, se pueden sustituir por un circuito llamado Multiplicador de
VHE , cuya funcin es la de permitir un ajuste muy exacto del voltaje necesario para reducir la distorsin
decmce.
- Anlisis
Del circuito, se tiene lo siguiente:
323
......(2)
Haciendo !'J /,. y sustituyendo (2) en (1):
R
1+_1
R,
Se define n
RI
=1+R
donde n es el nmero de uniones base-emisor que se quieren compensar con el circuito multiplicador
de V. c
Generalmente la resistencia R, se divide cn dos (R, variable y R, fija) con el objeto de poder hacer
un ajuste fino del voltaje de Vc",- El preset R, se co~~cta entre ba;~ y emisor para proteccin de los
transistores de potencia. En caso de que el pre~et se "abriera", el transistor QM se satura (Ve" ~ O) y los
transistores de potencia se apagan.
IX.4.l.6 Configuracin de la fuente de alimentacin

El amplificador de potencia se puede polarizar con una o dos fuentes de alimentacin, presentando as
siguientes configuraciones:
1. Dos fuentes de voltaje (+ Vcc y - Vcc )
1,
Q,
324
2. Una fuente de voltaje (+ 2Vcc )
+2Vcc
1,
lCARGA
~+2Vcc
Cv
Q,
DA
;f
+
DB
+f~;l
RE
+-+V .........
ce
RE
("~
DESCARGA
1,
-
Cuando se emplea una sola fuente de voltaje (+ 2 Ver)' se requiere el uso de los capacitores de
acoplamiento C i y C", para evitar que las componentes de OC se apliquen a la fuente de Vi o a la carga R/..
La desventaja que se presenta al emplear capacitores de acoplamiento, es que la respuesta en frecuencia
del amplificador se ve afectada por stos. Un amplificador de este tipo no puede funcionar desde Oc.
IX.4.2 Driver o pre-exeitador clase HA" (Amplificador de voltaje)
_:r:::m:i:_
[_0
Amplificador de Potencia
V"
'"
P,
Driver
o
Pre-excitador
(Amplificador
de voltaje)
Etapa de salida
(Amplificador
de transconductancia)
1'", l".
P"
El pre-excitadores un amplificador con un transistor en configuracin de emisor comn con carga activa
que permite tener una ganancia en voltaje muy alta.
Generalmente. el pre-excitador sustituye a una de las fuentes de corriente o circuito Bootstrap de la
red de prepolarizacin. El circuito bsico consiste en un transistor en emisor comn con carga activa y
retroalimentado como se muestra a continuacin.
325
R,
El colector del transistor Q" se comporta como fuente de corriente para la red de prepolarizacin.
conservando la simetra de las fuentes de corriente de valor 1. de dicha red. Este circuito es un amplificador
de transresistencia. Para que n.mcione como pre-excitador de los transistores de salida, en el circuito de
colector se introduce el circuito de prepolarizacin (diodos o multiplicador de V R,), y los transistores de
potencia en configuracin de seguidor emisor, como se observa en la siguieute figura.
~ 1,
Q,
+
BIAS
CC
Ri
Ci
~J\/\I\r-1I
RE
R,
+
v"
R,
L-o~ ---,_+~
'--------------~_
.. " ' - ' - - " ' - ' - ' - - - -
Ntese que QA acta como una n.lente de corriente similar a la fuente' de corriente 1,.. Adems, para que
en el nodo de los emisores se logre un voltaje de + VEC = (1/2) [ + 2Vccl se debe cumplir que IC = J,.
A
- Anlisis cualitativo del circuito

1) Para Vi =OV, los transistores Q I Y Q, se encuentran al borde de conduccin, con le = lE = lB = O, Y
el capacitor C" se carga a + V ce
En este momento:
326
2) Para v, > Ov entonces 'eA > 1., Yla corriente "extra" que demanda QA y que no puede proporcionar la
fuente de corriente de 1" se obtiene del eapaeitor C" a travs del transistor Q, que entra en conduccin
mientras Q, se corta.
+
BIAS
v"
+
R,
t--,--.t
(+)
'e
3) Para Vi < OV,

< 1, y la corriente "extra" que no puede absorber c1transistor QA' fluye a la carga
RJ. a travs delt;ansistor Q, (y del capaeitor C,,) que entra en conduccin mientras Q2 se corta.
+
BIAS
1\
C"
v,
+
R,
R,
C,
"~LR'
Q"
327
~~
~~
- Anlisis cuantitativo del circuito
1) Clculo de R, y R,
Sin seal aplicada,
Vi
=O e
IC
= /,.
Se proponc que /R, /8,,:
r----------'---------------
/
=---,'-'-
donde: /B
A
~"M1N
1.,
Haciyndo /R, = 10 lB ' entonces:

A
El valor de R, ser:
, 2) Criterio de seleccin para R, y Ci

El pre-excitador jtmto con la etapa de potencia (amplificador de corriente), forman un amplificador de
Transferencia (R M ), que se puede modelar, en forma aproximada, como si fuera un amplificador
operacional configurado como se muestra a continuacin:
328
R,
Ric~ll-
ri
,.,
--:-+
i, ~
i,
MV
1I
Vi
"
RL
TIERRA VIRTUAL
(VB ~ OV)
A
La ganancia en voltaje del amplificador est dada por la reh.cin:

~,._------
I Av<~~-% \
l _ . _.: _ _ "':"'_.~-:.
y su valor, nrrr"lh".(e, es del orden '\. 411 a :00 para ampificadorcs de potencia.
- Delcrminacin de R i
A partir de la potencia de salida P" sobr.; "na

1\
msi~tencia de
I\V
carga R L se puede determinar el valor de
V"' V" Y V" para una onda senoidaL
V" es el voltaje RMS (efectivo o eficaz) de salida.

1\
11;. es el voltaje pico de salida.

I\V
V" es el voltaje pico-pico de salida.
y adems:
Vi es el vo1t:ye RMS (efectivo o eficaz) de entrada.

1\
Vi es el voltaje pico de entrada.

I\V
V, es el voltaje pico-pico de ejltrada.
329
AV
Conociendo V'M.I.\"
Y 11,.11..1.\ para lograr P,
(V
I/AX
')1..1\
) . St.~ puede detl'l'minar el \'alor de 1\ :

\
I R' = IA,I
R, -1 donde \ R' =. r , 1
- Determinacin de C,
Suponiendo una R, = Odel generador de voltaje v, y conociendo el valor de j~lN' entonces:
~ dB
v,
0.5dB
__. . . ,!....__;;;;:.~_ _
_..... _.L
3dB
~.
: --':L--
-+----------- - - - - - - -...... f
fL
siendo f L =
I
, el valor de C queda expresado en funcin de f M,N
21tRC
C=_I_=-_-,---I_, 21tJ;R
21t (113) f M, ,/?
330
como:
IX.4.3 Mejoras al amplificador de potencia (cambio de topologa de transresistencia a topologa de

voltaje)
El pre-excitador clase "A" cstudiado anteriormente, usa una sola fucnte de alimentacin de 2 VeC'
En algunos casos, sc prefiere rcferir la seal de entrada al centro de la fuente de alimentacin empleando
dos fuentes de + V ee y - VCC' con lo cual puede eliminarse el eapaeitor de salida (eJ, y como el rizo es
simtrico en las fuentes de+ Vee y - V ee ' se cancela cn el punto medio del amplificador (V,,) , aumentando
la Razn de Rechazo a la Fuente de Alimentacin (al RIZO) PSRR.
0-
.~~
o~---
------_..t
Este circuito prcsenta un PSRR bajo y una relacin seal a mido (SIN) pobre,
331
0-
V,
~
-
~-/-~
~'1R,
Q,
o-t----------------------+ {
El circuito mostrado anteriormente presenta un PSRR ms alto y una mejor relacin seal a ruido (S/N).
Por lo anterior, se prefiere referir la entrada al centro de la fuente de alimentacin, y esto se puede logrAr
cambiando la topologa del Amplificador de transresistencia (R M ) (invierte fase) a Amplificador de
voltaje (Av) (no invielte fase).
IX.4.3.1 Ventajas del amplificador de voltaje comparado con el amplificador de transresistencia

1) Eleva la impedancia de entrada.
2) Aumenta la ganancia de lazo, lo cual permite aumentar la desensitivizacin del circuito retroalimentado, mejorando los siguientes parmetros:
a) Reduce la resistencia de salida r m /. Esto ocasiona que el factor de amortigu3miento (Damping)
(R L / r,) aumente, con lo cual se reduce la distorsin de intermodulacin en la bocina.
b) Reduce la distorsin del amplificador.
c) Mejora el ancho de banda.
IX.4.3.2 Amplificador retroalimentado de voltaje

Para cambiar la topologa del amplificador de trasresistencia a amplificador de voltaje, se cambia el punto
de comparacin de la base del pre-excitador QA al emisor dc un transistor QE que se incluye para la
conversin del amplificador. Los circuitos bsicos de Jos pre-excitadores como amplificadores de
transresistencia y de voltaje, se muestran a continuacin:
332
ce
v; 0--+----1 QA
(b)
(a)
Obsrvese en el circuito anterior, que la base del transistor QA sigue recibiendo una corriente
proporcional a la seal de salida retroalimentada, quedando de esta forma, inalterado el funcionamiento
del amplificador, en lo que al pre-excitador QA y la etapa de potencia (QI y Q,) se refiere.
El circuito completo para el amplificador de voltaje se muestra a continuacin:
Filtro LP
-de rizo (opcional)
--0 +V
ce
<-O.6v
e, /
. . . . . . . . <Ov
+ o----j H----f
v,
-4
~--[Q2
R,
R,.
--
Filtro LP
de rizo (opcional)
R 1 Y R, en la base de Qc deben polarizar la base a un valor ligeramente negativo - 0.6 V) para que
V,,=OV.
Se incluyen tambin dos filtros de rizo R,C, y R,e, con el objeto de disminuir, lo ms posible, el rizo
de las fuentes de alimentacin + Ve, y - Vec> para evitar quc dichas variaciones en las fuentes de
alimentacin, produzcan variaciones en la polarizacin del transistor Q,,, el cual podra amplificadas como
si se tratara de la seal de entrada. Al aumentar la ganancia de lazo del ampliticador por la introduccin
del transistor Q", las etapas de entrada del ampliticador se van haciendo cada vez ms sensibles a las
variaciones de las fuentes de alimentacin (rizo), no pudiendo distinguir entre seal y rizo.
333
La red de retroalimentacin est fonnaua mr R f_.\' R, .. de modo que:
El capacitor Ce se calcula para que su reactancia (Xc. ) a la frecuencia mnima de operacin (f~f1N) sea
aproximadamente 0.1 Re' es decir, se necesita que la re~istencia Re; se encucntre concctada al emisor dc
Q,. y a la resistencia R,., a partir de la frccuencia mnima de operacin (/"/N)'
- Topologa del circuito retroalimentado

.
~.
jf
CV
Q,
MV
R"
+
V
.'
+
Rp
>
;>
--
Q"
QE
v.,
RE
el
;>R c
<'
o-
+
v
Q,
"
<
L..-_
'------------- -
+
Vi.
-
;:-,
;:-Re
,.
Rp =R,IIR,
Se puede reemplazar al transistor QE por un par diferencial, lo cual permite lograr una amplificac;in
desde DC (fMlN ~ O) Yaumentar la ganancia de lazo.
.
El circuito, con esta configuracin, se muestra en la siguiente fIgura:
334
-----------------------------------,
_----fQ,
t---t-------QA
FILTROS PASA
ALTO Y PASA BAJO
R,
'---+----.-..JVV\,---4>----.....- - Q -Vcc
le,
'--------------------_._------------Obsrvese que ahora el voltaje de prepolarizacin en la base de Qli es aproximadamente cero volts,
pudiendo conectar directamente Vi a la entrada del amplificador. Los filtros HP y LP sc cmplean
generalmente, para determinar las frecuencias dc corte (lmites) de la banda de paso del amplificador.
- Topologa del circuito retroalimentado

.
J[
<='-~
QE
v .'
Vi
0------
~-
REE
Y'!'J
":LfQE'
~R,
MV
fReE
-J ~R'
+
v.
>
<
<
R
l.
AAA
+
V,
~-
Q,
~RG
VR~
335
IX.4.4 Mtodo simplificado de diseo de amplificadores de potencia en simetra complementaria

Este mtodo de diseo se presenta con un ejemplo numrico que cumple con las especificaciones
propuestas en el inciso "A", empleando la configuracin mostrada en el inciso "B".
A) Especificaciones para el amplificador de potencia
Potencia de salida: Po = 36.0 W

Resistencia de carga: R L = 8n
Resistencia de entrada: r i = 10 Kn
Sensibilidad: Vi = 1.0 V (rms)
Frecuencia mnima de operacin: /M/N = 20 Hz
Frecuencia mxima de operacin:/MAx = 20 KHz
B) Configuracin propuesta para el amplificador de potercia
R, 12
+---\----.--
QA
L_+t-~VVV .---+-----~-----.-..-_o
C-
'I ,.
"'='"
336
13
- V cc
C) Configuracin propuesta para la fuente de alimentacin
~
t
l20vAC
fl)H z
TI
,.--'
~ II'~_ ~V,
I~ y,
------
D4 L
-'
_1 +
Fo
~Co
D,L Yo
D,Le'
D"
--TI
Ll-
Co
COM
+F
T+
"
lcc
--
Diseo de la fuente de alimentacin

i) Clculo de Vee
La ecuacin emprica para determinar la potencia de salida P" en [uncin de la fuente de alimentacin
es la siguiente:
-"1 L :L 4)
2
P"
Vee
. ,.,." , ,.. ,.., , -., . ".. ".,.,.,
(1)
t t- cadas de tensin en los transistores de poli" -- ..,

L- cadas resistivas en la etapa de potencia
- '----~-carga del amplificador
De la ecuacin (1) se obtiene la expresin para Vee como funcin de la potencia de salida:
---
--
RL
2(RL+ :L +4)
4Q
18
8Q
25
16Q
40.5
--~---
-...
337
Entonces para Rl. = Xi) Y P" = 36W, se tiene:
ii) Detenninacin de Ice
El valor RMS de v" es:
V" =-{ P"R L =

V,,=
f36.0 x 8
16.97V(~17.0V)
~, = {2 v.. = {2 x
El valor pico de v" es:
17.0
/\
V,,=24.0V
El valor pico de 1" es:
Por lo tanto, el valor de la corriente promedio (lec) entregada por la fuente de alimentacin ser:
1"
/\
1"
,,
,,
,
,,
,,
,-'-
--
,,
._~.....li,'--~,~"~--"'--_~--'"--
- - - Conduccin de QI
- -'- - - - C', Conduccin de Q,
,
.
I /\
l
1ce =~'l
n' (' =-x3.00=0.955A
1t
\ lcc =0.94
338
~\-
,,
~-'I
1) Transfornuulor [ 1',
Voltaje: Tomando en cuenta una cada de tensin de aproximadamente 1.0V ( @ Ir = I.OA) en polarizacin directa para los diodos D" D" D, Y D" el voltaje V, en el secundario dcl transfo011ador ser:
30.0 + 1.0
., 2.
[v, =
= 21.9V
22VJ
Corriente: Considerando que se tiene un puente rectificador de onda completa y carga resistiva, la
capacidad de corriente del secundario se calcula de la siguiente manera:
~
1t
I =---- 1, = - - - = x 0.955
, 4{2 ce 4{2
= 1.66A
El margen de corriente (2.0 - 1.(6) A se utiliza para alimentar el resto del amplificador (10 que no
es Q, y Q,).
El transformador T, se especifica como:
Transformador de 120V AC a M.OV AC con
derivacin central (22V AC - 22V AC)
y capacidad de corriente de 2.0A
2) Puente rectificador [D" D" D" D, J

Voltaje: Los diodos deben sop0l1ar un voltaje inverso igual al voltaje pico de todo el secundario. Se
acostumbra especificar el doble del valor anterior para tener un margen de proteccin para los diodos.
VRIIM 2 2 (20,) = 2 (2 {i- x 44.0)
III
= 124.5V
MAXIMUM
WORKING
REVERSE
[ VRIIM = 200V
Corriente: Los diodos lkbcn conducir una cOlTiente promedio igual a la mitad dc la corriente total (/('(.).
Se acostumbra especificar el doble del valor anterior para tener un margen de proteccin para los diodos.
339
Los rectificadores se seleccionan con base en los valores de 1FAV Y VRWW

DIODO
VRWM
VF
lN4001
IN4002
IN4003
IN4004
50
lOO
200
400
1.1
---
1.1
1.1
1.1
IFAV
1.0
1.0
1.0
1.0
Se selecciona el rectificador IN4003.
~: D"
--_o IN400~
D" Y D,
3) Filtros de la fuente de alimentacin [C"l

Para determinar el valor del filtro (capacitar) C", se caleula la media geomtrica entre los lmites
o\Jt',nidos para el capacitor C" con los siguientes criterios:
Valor mnimo: Se obtiene el valor mnimo de C" cuando su reactancia, a la frecuencia de rizo; es la
dcima parte del valor de la resistencia equivalente de la fuente (C" se comporta como cortocircuito para
el voltaje de rizo).
Donde:
Entonces:
=.
R
EQ
~cc= 30.0 =.180Q

12
I 66
Xc =. 0.1 x 18.0 =. 1.8Q
"
I
2nj X
=. ---~~ conj
"MIN
C
"M/N
=. 2f,
,L
Co
=. -----~=.
2n x 120 x 1.8
~: =.737~tF
~'-----'
340
=.
120Hz
"
737.tF
Valor mximo: Se obtiene el valor mximo de Co cuando su constante de tiempo asociada con R EQ es
diez veces mayor que el perodo de la frecuencia de rizo (/) (Cose comporta como fuente de voltaje).
CoMAX
I
R
6Q D
=HlT
I
l
l
Donde: T , =-=-=
J, 120 8.33mseg
Entonces:
_ 10'(
oMAX - REQ
10 x 8.33 X 10- = 4 629 F

18.0
,~
El valor de Coser la media geomtrica entre los valores obtenidos anteriOrmente.
Generalmente se especifica el valor comercial prximo superior, con un voltaje mayor o igual que el
voltaje de salida de la fuente de alimentacin (Vee)
4) Proteccones [Fa]
Los fusibles se especifican con un valor comercial prximo superior al valor de la con-iente pico mxima
en la carga.
F o : 120VI220V
3.0A
Diseo del amplificador de potencia

5) Etapa de potencia [Q" Q,]
Clculo de los valores mximos de voltaje, corriente y potencia para los tnmsistores Q, y Q,.
341
, ' ,o, , ' .. ~ '-_.
RE
+ v"
R, R"
Clculo de la potencia disipada por cada transistor. Para un amplificador clase "AB", se obtuvo la
expresin de la mxima potencia disipada en los transistores de potencia: '
i)
,
=,. T='x---S-= 11,39W
I
V ee
1t
ii)
(30.0)
1t
El voltaje entre colector y emisor que debe sclpOltar cada transistor, se obtiene considerando a un
transistor en corte, y al otro al borde ele saturacin. El transistor qte est en crte deber soportar
un voltaje igual a la fuente de alimentacin total.
VeE
MAO<
=2Vce =2x30.0=60.0V
iii) La mxima corrientecle colector que deben manejar los transistores, generalmente se especifica
al doble de la corriente pico mxima en la carga.

/\
leMAX =2/,=2x3.00=6.00A
(
Por lo tanto, se deben seleccionar transistores con las siguientes caractersticas:
Pv
MAX
2 Pe
MAX
= 11.39W
/\
ICM 2 I L,
.
MAX
= 21" = 6.00A
Consultanelo el Manual de Transistores de Potencia, se seleccionan los transistores siguientes:

342
,----
I CM
VCEO
TRANSISTOR
p @
1; = 200"C
-~
h'EM/N @ I c- =4.0A
---
--------
--
"
("CfW)
-----~
2N3055 (NPN)
60V
I5A
115W
20
1.52
MJ2955 (PNP)
60V
15A
115W
20
1.52
iv) Diseo tnnico
Empleando un circuito elctrico para encontrar el disipadnr adecuado a cada transistor, se proponen las
siguientes analogas:
Potencia mxima disipada .....
Diferencia de temperaturas .....
Resistencia trmica
.....
Fuente de corriente
Diferencia de potencial
Resistencia elctrica
Con las siguientes convenciones:
..... Resistencia Trmica entre la juntura (unin) del transistor y su encapsulado (case).
,
j
e" -; Resistencia Trmica entre el encapsulado (case) y el disipador (sink).
e", ..... Resistencia Tnnica entre el disipador (sink) y el ambiente.
El modelo elctrico queda de la siguiente fonna:

,--_ _~J'__.~ +-- Temperatura de la unin (~
= 2oo"C)
1lI~)\
j ,;
Pe'MA,X
+ - Temperatura
1~
Pe
MAX
= 1.52C/W
e"
= 1.0 C/W
e",=
= 200C
Jm."
:!:
= II.39W
"
amhiel7le (1'" = 25C)
(se propone para un montaje con mica y grasa de silicn)
T" = 25 oC
343
Del circuito. para una T
= 200 "c. sc obtiene:
. ,\.,
I nn....
l'
-1'
1",,",'(
II
O +O +O
, (MAX -
l'
.'u
Por lo tanto, la resistencia trmica del disipador ser:
TIMAX -1'u
PC
OJ' -O
<".'
MAX
Sustituyendo valores:
200 - 25
" ,
OH' =1139 - 1.52 - 1.0 = 12.84 C/W
0'" = 12.84 C/W
Consultando las especificaciones de disipadores proporcionadas por el fabricante, se selecciona un

disipador de aluminio natural modelo" 1637" de tres aletas, con una longitud de 20mm, teniendo con ello
una resistencia trmica menor de 12.84 "C/w.
Disipador de aluminio modelo 1637

344
Curvas Trmicas del Disipador

de Aluminio Modelo 1637
e," (OCIW)
15
1-
13 -'11 --
;L:
~"""""
-8
'If--_ _
'"
-+I~----+
.-.-.~_.-
r'------------j1c-------lOngilUd (mm)
"'-'-'' -'
~,
20
5~
Aluminio Natural
- - Aluminio Anodizado Negro
8,'o ~ 11.5 "CIW < 12.84 "C/W
Las resistencias de emisor se proponen de 0.5Q con una potencia de disipacin de:
1\2
P D = 1" Re = (3,00)
0.5 = 4.5Watts
Re = 0.5W4.5W
2 unidades de lQ/5W
en paralelo
Para R.e se usa un valor que se encuentre en el intervalo de 22Q OS; RBe OS; 100Q, Con R.e = looQ la
especiticacin del par 2N3055 - MJ2955 pasa de V ceo = 60V a VCCR = 70V, con lo cual queda asegurado
el lmite de voltaje colector - emisor para dichos transistores.
A travs de R. e aparece un voltaje V. e del transistor de salida correspondiente y que nunca excede los
1.5V. Entonces:
R. e = lOOQ/O,5W
6) Excitadores clase "B" [Q, Y
Q,l
Clculo de los valores mximos de voltaje, corriente y potencia para los transistores Q, y Q,.
345
Clculo de la corriente pico mxima de Q:< y Q.
i)
/\
Con el valor de h",

...t'
sIguIente lOfIna:
M/N
/\
de los transistores '2N3055 - MJ2955, se obtiene el valor de le

.1
= le
de la
4
/\
1"
3.00
lc , =le =-h--=20= l50mA
/\
/\
f"F'MIN
ii) Los excitadores estarn sujetos prcticamente al mismo voltaje que los transistores de salida, esto
es, el V eE
ser:
'MAX
W) La potencia mxima de disipacin de los excitadores se calcula como:
Po
MAX
Pc
(Q" Q,)
MAX
h",
11 39W
=~--'---=569.5mW
20
MIN
Por lo tanto, se deben seleccionar transistores con las siguientes caractersticas:
Po
MAX
569.5mW
,
VCED 2 60.0V
lCM 2 l50mA
Consultando el Manual de Transistores de Potencia, se seleccionan los transistores siguientes:
346
TRAN SISTR
VCEO
I CM
PT
T=
150C
J
h'E
MIN
I c =200mA
--
TIP29 A (NPN)
60V
lA
30W
40
TIP29 B (NPN)
80V
lA
30W
40
TIP30 A (PNP)
60V
lA
30W
TIP30B (PNP)
80V
30W
1A
1'-
1"
4.167
62.5
4.167
62.5
40
4.167
62.5
40
4.167
62.5
---,
000
(oc/w) ("C/W)
Para aumentar el margen de seguridad de los transistores con respecto al V<EO se selecciona el par
complementario TIP29BrrIP30B, los cuales tienen un VCfiO =80V> 60.0V.
Tomando la especificacin de la resistencia de la juntura al ambiente dada por el fabricante aja
= 62.5 C/W, se puede calcular el potencial trmico de la unin 1'. para la potencia de trabajo PD
=
J
MAl(
569.5mW.
-
r--------__.J
t P
D MAX
+ T
TJ
= PI'
-"MAX}II
+T
<l
= 569.5 x
"
= 25C
lO" x 62.5 + 25
= 60.59 OC
Como TJ = 60.59 oC < T'mal( = 150 oC, los excitadores Q, y Q, no requieren disipador.
1Q" Q, - TIP29BrrIP30B \
7) Fuellte de corriellte [1],
Tomando una 13"ror igual al producto de las betas de los transistores, resulta:
,
Entonces la cOlTiente de base pico de Q,y Q, ser:
1\ .'.
/\
/\
=13-"-=
la, =1.,
c,"
,.
1ao
'
-SOO =3-75mA (~4_0mA)
ror
/\
=l.,:
/\
Se propone una l, igual al doble del valor de lB,

/\
-1
l, = 21'1 = 2x4.0x 10 =8mA
Il,
(Valor Inicial) 1
= 8mA
i) Diseo del Circuito Bootstrap

--.-----------.-~o+ V ee
@t-----.
t----+--J
B
1
A
S
.------1
" - - - - - - - - - - { ) - V ee
- Clculo de R/2
En el circuito, se tiene lo siguiente para Vi = OV (sin aplicar seal al amplificador):
V p = 2V. E = 2 xO.6 = 1.2V

V
= Vee; V = 30.0; 1.2 = 15.6V

p
VN = -2VBE = -2xO.6= -1.2V

El capacitar c. se carga con un voltaje dado por la siguiente relacin:
348
/\
Al aplicar al amplificador la,mxima

amplitud de la seal de entrada (v. = V '~X ), se genera en la salida
A
I
=V
el mximo valor pico de la seal v

A
=A24.0V.
= Vt'MAX ), los voltajes nodales en Q y en P seran los siguientes:
MAX
BaJ'o estas condiciones (v. = V.'MAX Y v
tJ
/\
VQMAX = VQMAX + Ve.

Vp
MAX
/\
/\
=V
+1
MAX
Entonces, la resistencia R.
RB
1NF _
INF
Re + 2V.E
MAX
= 24.0 + 15.6 = 39.6V
(MAX)
=24.0+3.0xO.5+2(1.5)=28.5
12 se calcula a partir de la siguiente expresin:
VQMAX -VP
MAX
I.
Con este valor de R. 12 ( = 12(00), la corriente 1, se modifica a (para Vi = O):
V - Vp
ee
=--""-,---'.
R.
30 - 1.2 = 12mA
2400
La potencia disipada en R. 12 ser:
R.=24000
R
. ;, = 1200Q/0.5W
1,= 12mA
- Clculo de C.
C. se calcula para que se comporte como una fuente de voltaje a partir de la frecuencia mnima de
operacin (perodo mximo de la seal).
C.
2.
2C
. =IO
TMAX
l
donde TMAX =----- con
fM/N
= 20Hz
JMIN
1
Entonces: TMAX = 20 = 50.0mseg
349
10 x 50.0 x 10-'
2(1200)
= 20S.3
Tomando los valores prximos superiores comerciales de capacitancia y voltaje, se tiene:
IC8=220~F/25V I
ii) Diseo de la Fuente de Corriente con Transistor
D,
D,
R,
~--lQ,
lREF
.V,
--1
B
1
A
------0
-Vec
- Clculo de R-,
Del circuito:
1.2 - 0.6
12 x 10-'
P R = I;R, = (12x
.'
= son
10-')' (50) = 7.2mW
[ R, = 50n/0.25W
R, puede estar formada por el paralelo de dos resistencias de 100n, o una resistencia fija de 33n y un
preset de 27n.
350
- Seleccin de Q,
El transistor Q, debe cumplir con:
-1
PeMItX ;:: 2Vee 1.=

60x 12x 10'
.\
= nOmW
Con base en los clculos anteriores, se selecciona un transistor TIP30B con las siguientes especificacIOnes:
TIP30B (PNP)
Vec = 80V > 60.0V

"
le = l.OA > 24mA
Q, - TIP30B
Pv
MAX
30W > nOmW
Pv =2W> nOmW
L_
sin emplear disipador
El transistor TIP30B tiene una h FE
M/N
1
B..
= 40, por lo cual su lB ser:

=__
1 ,_ = 12 x 10-' = 300..tA
h.fE
40
M1N
Proponiendo una IREe = IOIB, = 10 x 300 x lO"" = 3mA, entonces el valor de
vcc- VREF-
(-
VeC>
RREF
IREe
R HEe = 19.6KQ
RREe
ser:
30.0 - l.2 - (- 30.0)

c1
3 X IO
-_o (18KQ)
351
Para los diodos D, y D, se propone emplear los diodos de pequea seal lN4148 o1N914.
DIODO
IN914
IN4148
75mA
75mA
ID, Y D, -IN4148] con
I'MAX
(75mA) > 1", (3mA)
8) Multiplicador de VBn [Q~, R 1M , R,)
1,M
.-
f'+
R'M
QM
Ve.
R'MA
R'M
R'M
Como el voltaje colector-emisor de trabajo de QM es cercano a 4 VD' (4 x 0.6

seleccionar un transistor BC547B o 2A237B, con las siguientes especificaciones:
leM
PD
= 100mA
1, = 12mA
= 62.5mW
t .> Pe = V eE 1 =2.4 x 12 X 10-' = 28.8mW

MAX
----sin disipador
QM-BC547B
Este transistor tiene una k,.
T~
de 150. Con dicho valor se obtiene una l. de:

M
1,
k'ETYP
=--- =
l.
M
12 x 10-'
150
Para determinar el valor de 1, ' se propone lo siguiente:

M
352
SO.v\
= 2.4 V),
se puede
Como 1,. 18 ,entonces:

M
612.40 - - , (6800)
Para n = 4, se tiene:
R'M=20400 - - (18000)
Dividiendo R2M en dos parte R'M y RUf como:

A
R'M
R'M
=4700
=4700
(fija)
(preset)
Los valores de "n" que se obtienen con los valores mximo y mnimo de R2M son:
8
R 'M
1800
8
n=l + = 1+--=4 2
RUf
470'
1800
n= 1+ -'M= 1 +--=291
R2M
940'
Entonces, los valores propuestos de R1M' R2M Y R2M son:

A
R2M = 4700 /O.5W

A
R:JMB =4700/0.5W (preset)

353
R c, = 1800 /O.5W
10) Par diferencial [Q", QE' , lEE' RmI
+ Vcc
REE
lliE~
r.,
Q;
QE
lCE~
IR CE~
~lcE
~l,
ICo
-+
lB
Rc E
Q.
-VCC
Del circuito, se observa que:
30.0-0.6 =4045.870
7.26x IO-J
El valor de R EE se ajusta con:
R EE = 39000 (fija) + 4700 (preset)
R EE = 39000 /O.5W (fija) +
4700/0.5W (preset)
Las especificaciones para QE y
Q; sern:
355
Con base en los datos anteriores, se
propone,emplc~r
el transistor TIP30B (2) con:
VCfO = 80V> Vcc
MAX
= 60V
Qc' Qc' - TIP30B 1
Como la impedancia de entrada del Par Diferencial es alta, el valor de la impedancia de entrada dada
como especificacin (r; = IOKn), deber ser igual al valor de R. del circuito. Por esto, se propone
R. = IOKn, y para que el Par Diferencial est balanceado, se propgne RF = R. = IOKn . Obsrvese en
. el ~ircuito que ambas resistencias (R. y R,.), estn conectadas entre las bases Dde Qc y Qc' respectiva: mente. R. est conectada tambin a t~erra fsica, y R F est conectada al nodo de salida, el cual presenta
. un potencfal de cero volts (tierra virtual) cuando no hay seal aplicada. De esta manera, cada base de los
transistores Qc y Qc' "ve" el mismo valor de resistencia conectadas al mismo potencial de cero volts.
11) Bloque ~ de retroalimentacin [R", Ro' Col
La ganancia en voltaje (Av) del amplificador retroalimentado de voltaje, est determinada por la
y
y tambin' por el bloque ~ de retroalimentacin, de la siguiente forma (suponiendo
relacin de
una ganancia de lazo "Av" muy grande):
v" v;,
=13I = v"v;
AV
donde el bloque
(1)
de retroalimentacin est formado por la siguiente red:
'Rv
"
l'
'--_,
356
Ro
v
"
.-J
y los valores de Vo y
v; son:
Vo=.. PoPL = ..J36.0x 8 = 16.97V ~ 17.0V

V; = 1.0VRMS
~ dato proporcionado en las especificaciones del amplificador
Sustituyendo los datos anteriores en la ecuacin (1), resulta:
Despejando el valor de R G:
lOKQ
=625Q---.
II
ll.O )
(560Q)
('17.0 _
c;::
560Q /O.5W
El capacitor CG se calcula haciendo que la resistencia R G est completamente conectada a tierra a la

frecuencia mnima de operacin, en otras palabras, la reactancia del capacitor CG deber ser mucho menor
que el valor de R G a la frecuencia mnima de operacin.
Por lo tanto:
Despejando a CG:
C
G
l
21tf M1N (0.1) R G
1
21t (20) (0.1) (560)
CG = 142.IJ.lF _ _o (l50.tF)
El voltaje especificado para CG se propone de 25V.
357
12) Filtro de rizo superior [Rx ' C.I
,'.
Se propone un R, RFE , por lo cual resulta un valor de R, de:

R = RE~= 4045 =40450
lOO
lOO
.
IR,
= 390
105WJ
C, se calcula haciendo que su reactancia Xcx sea mucho menor que el valor de R, a la frecuencia de
rIZO.
Por lo tanto:
X =
CX
I
2rtJ;C,
O IR
"
Despejando Cx ' resulta:

C =
I
, 2rtJ; (0.1) R,
= 2rt (120) (0.1) (39)
C, = 340.071lF - - , (330.tF)
El voltaje especificado para Cx deber ser mayor a VCC' Se propone 50V.
[5
= 330llFl50V
13) Filtro de rizo inferior [R", C,]
Se propone una R, Re:

E
R = R CE = 180 = 180
, 10
10
R, = 180/0.5W 1
El clculo de Cy ser de acuerdo al siguiente criterio:

358
Entonces:
21tJ, (0.1) R,
._-,,-1
21t (120)(0.1) (18)
C,=736.82IlF _ _o (10001lF)
El voltaje especificado para C, ser mayor a Vcc' Se propone 50V.
C, =
l000IlF/5~
14) Filtros LP y HP [Ro , Cn , R,p, C IP]

o
o
La red formada por las resistencias R. y R IP , Y por los capacitores C. y CLP ' forman dos filtros
D
D
(aproximadamente): un filtro pasa bajas (LP) fonnado por R IP y C IP , y un filtro pasa altas (HP) formado
por R. y C. Estos filtros afectan la respuesta en frecuencia del amplificador en la siguiente forma:
D
IAvl
dB
0.5dB
'Wt, ............ \...........:.....................m......... . .F
l."
/1,
f------+-I---~I- - - - - - - - - + - j--+-- - -f
'
C.D
:
11
IR.
o:
HP
ro - -=--=-::c--
H_R_LP_C_,P_ _
__
359
La relacin entre las frecuencias mnima y mxima (JWN y
(JL y fH)' son las siguientes:
!"u) con las frccuencias de corte respectivas
-0.5dB
o bien:
1
-v + (lL)2 =
1
0.944
f M /N
l
1;. = 0.3493fMIN ; f L="3 f M/N
~(fMAX)2
F
J 11
= -0.5dB
dEl
o bien:
l
~ 1 + (fMAX )2 =0.944
f"
i) Diseo del filtro HP [R BD'
con:
360
BDJ
Entonces, para C8 resulta:

D
C8D =
21t
(1"3\~fMINRBo = 21t (1\

"3/ 20I)(lOx 10)
1
C8 = 2.38flF - - , (3.3flF)
D
FILTROHP
R8
= 10KO/0.5W
C8
=3.3flF/IOV
fe =4.82Hz
f.flN = 13.8Hz
ii) Diseo del filtro LP [R u ' C/.p]
con:
Rl.p =
I
10
R
BD
= "lO x 10 x 10 = 10000
El valor de C/.P ser:
C _
I.P - 21t (3fuAx ) R Le
I
21t (3) (20 x 10' ) (1000)
C Le = 2.65nF - - (2.7nF)
FILTROLP
RI.P = IKO /O.5W
CI.P = 2.7nF
f Jl = 58.94KHz
f MAx = 20.59KHz
361
LISTA DE COMPONENTES
- Transistores
Q,. Q, - 2N3055, MJ2955

Ql' Q, - TIP29B. TIP30B
Q,- TIP30B
QM-- BC547B
QA - TIP29B
Q" QE' - TIP30B x 2
-Diodos
D" D,. Dl' D,. - IN4003 x 4
D,. D. - lN9l4 x 2 o lN4l48 x 2
- Resistencias
RE - 0.5Q/4.5W x 2
(2 de H2I5Wen paralelo) x 2
RaE - IOOQ/O.5W x 2
Ra
1.2KQ10.5W X 2
R, - 50Q/O.25W
(2 de lOOQ/O.25Wen paralelo)
R2M - 470Q/O.5W
A
R'MB - 470Q/O.5W (preset)

Re E
362
l80Q/O.5W
Re.. - 404SDJO.SW
Rn o
RF -
IOKDJO.5W
lOKilIO.SW
R, - 39Q10.5W
R, - lSQlO.5W
R LP -
lKQlO.SW
- Capacitares
Co - 2200I1FISOV x 2
C n - 220I1FI2SV
C, - 330l1FISOV
C,. - IOOOI1FISOV
C n - 3.311F11OV
o
- Transformador
T,-120VAC
44VAC C/T (22VAC-22VAC)
2.0A
- Fusibles
F o - 120V1220V - 3.0A
363
APENDICEA.
EJERCICIOS PROPUESTOS
1. MODELO HIBRIDO 1t PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION
I.l
a) Calcular los parmetros del modelo hbrido 1t para un transistor con las siguientes caractersticas:
~. '" 200
1e '" ImA
Q
b) Si la corriente de polarizacin le aumenta o disminuye qu sucede COn los valores de r" ro' r" y
gm (aumentan, disminuyen, no seQalteran)? Justificarla respuesta con base en las curvas del transistor.
c) Establecer una relacin general entre r" r", r" y gm' Y la corriente de polarizacin leQ'
d) Cul es la condicin para que un circuito funcione a seal pequea? Justificar la respuesta.
e) Por qu el modelo de seal grande del BJT es no-lineal y el modelo de seal pequea es un modelo
lineal? Justificar la respuesta.
f) A qu se deben las capacitancias C, y C" en el BJT?
g) Son iguales los modelos de pequea seal para un transistor NPN y un PNP? Por qu?
h) Deducir el modelo de pequca seal para un transistor de efecto de campo JFET en Fuente Comn.
11. EL MTODO DE PARALELOS APARANTES
1I.1
Para cada configuracin que se muestra, calcular r:, r",,', Av = v" IV i Y Av' '" v. Iv,.
a) Emisor Comn
+Vec
Re
Ce
R,
~"I\
+
v,
Cs
r ,oi'
v----H---t--+-i Q
+
Vi
RE
lc
Vo
RL
367
+Vcc
R,
ri
5tl /
Vi
.-
R,
RE
CE V+
RL
Nota: Excepto para el Emisor Comn, emplear el modelo hbrido

controlada y aplicar el mtodo de corrientes de malla.
368
"
1t
utilizando la fuente de voltaje
E
E
H.2
Repetir el anlisis anterior, aplicando el Mtodo de Paralelos Aparentes para detenninar las expresiones de r,' y r,",', y auxilindose de divisores de voltaje, obtener las expresiones de
Av = ve Iv; y Av' ,= ve Iv, . Compararlos resultados de esta parte (H.2) con el punto anterior (U.l).
111. PAR DARLlNGTON
HU
Obtener el transistor equivalente para el Par Darlington CC - CE en Emisor Equivalente Comn.
Calcular la f3 equivalente y el modelo de pequea seal equivalente (r1C , r"EQ ,y g m ). Cul es su
EQ
EQ
caracteflshca prmclpal?
..
(>
HI.2
Obtener el transistor equivalente (NPN) para el Par Darlington CE - CE en Emisor Equivalente

Comm. Calcularla f3 equivalente y el modelo de pequea seal equivalente (r , r
y g ). Cul
EQ
"EQ
mEQ
es su caracteflshca prmclpal?
...
".
tr
UU
Qu aplicaciones puede tener el Par Darlington CC - CE YCE - CE?
IV. PAR CASCODO

IV.I
A qu se debe que el Par Cascodo presente un ancho de banda ms grande que un Emisor Comn
con idntica ganancia en voltaje Av' = v" Iv,? Explicar.
IV.2
Deducir el circuito equivalente a pequea seal para el Par Cascodo.
369
IV.3
Qu criterios se aplican para polarizar al transistor Q, (EC) y cules para el transistor Q, (BC)?
J lIslftcar la respuesta.
--o v"
+ V88 o - - - - - i Q,
Vi
0-----1 Q,
V. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONSTANTE

V.I
Para un espejo de corriente, explicar que significan los siguientes conceptos; regulacin, compliancia
y rango de operacin.
.
V.2
Para la fuente de corriente Widlar que se muestra, cunto debe valer RE para obtener una figura de
mrito de JOVA ?
,---.----,---0+ Vcc
J"
= ImA
J3 " = 200
VA =' 100
V BE =0.6V
V CE =0.6V
J"(l/
VT =25mV
r l1
370
Pfy
VI. PAR DIFERENCIAL

Vl.l
Qu aplicaciones tiene el Par Diferencial? Por qu?

VL2
Explicar conceptualmente cmo es posible que el Par Diferencial puede amplicar seales en modo
diferencial y rechazar seales en modo comn,
VL3
Para qu valor de v;J se produce la conmutacin de corTiente de una rama hacia la otra del Par
Diferencial? En qu familia lgica se emplea y qu ventajas tiene sobre las dems familias lgicas?
VL4
Qu es el
Ran~o
de Rechazo a Seales en Modo Comn" Explicar.
VI.5
Por qu I\"..... /t"

relacin'!
-::::
1\".", ,,,,
-:=
o'.' i,<)u condiciones debe cumplir el circuito para que sea vjlida esta
VI.6
,Qu es la Razn de Rechazo a Seales en Modo Comn" Explicar conceptualmente,

VII. RESl'l)ESTA EN FRECUENCIA
VILl
Al analizar un circuito electrnico, (,por qu se trabaja en el dominio lk "s" en vez de lrab..~ar en el

dominio dd tiempo'?
VIL2
Por qu si los polos tienen una componente real e imaginaria, presentan una respuesta oscilatoria
amortiguada como respuesta transitoria a una entrada escaln. y un pico resonante en la respuesta en
frecuencia '!
VIU
(',Qu' l'S la Respuesta en l:rccllcncia de una funcin

proviene r.)
lk
transferencia'? Cu;1
L'S
su ()rigen (de dnde
:171
VU.4
Qu son
()p
y ()T? Cmo se puede calcular C, en funcin de IcQ C,. y f T?
VIl.S
Cmo son, comparativamente. los diagramas de Bode de Magnitud de ~,,(jro) y
configuracin del transistor estn relacionados?
0."
(jro)? Con qu
VIl.6
Por qu es vlido separar el anlisis en frecuencia de un Amplificador con transistor en tres partes:
Frecuencias Bajas, Medias y Altas?
VII.?
Mediante el Mtodo de las Constantes de Tiempo, calcular las frecuencias de corte f L y
v
v
Av = --" y f L * y J;* para Av' =-", para los siguientes circuitos:
v.,
v.'
a) Emisor Comn
~----+--{)
+ Vcc
Re
10K
R,
CB
--'V\I'v---j1----4-----1
372
60012
+ ItF
Ce
....-----jl f----,
ItF
v"
1c = lmA
Q
f"
para
b) Emisor Degenerado
Re
IOK CC
lilF
I C =lmA
Rl,
R2
v,
IOK
R B =R I 11 R2 =20KO
22K
c) Base Comn
CE
--1 f----.,...--"
6000 + lilF
IC
= lmA
R 8 = R,II R 2 = 20KO
d) Colector Comn
R,
IC
1.tF
600n
...-----.1 r---+--,
Vi
CE
= ImA
R8 =R I IIR 2 =20KO
"
373
VIII. RETRALlMENTACIN
VIII. I
Menciona 5 ventajas que proporciona el empleo de la retroalimentacin negativa en los sistemas
electrnicos.
VIII.2
Explicar (se puede emplear dibujos) cmo es el efecto de carga del bloque A al ~ y del bloque ~ al A,
para los dos tipos de muestreo y los dos tipos de comparacin.
VlIl.3
Indicar los pasos a seguir para analizar un circuito retroalimentado, explicando cada llno de ellos.
VillA
Qu tipo de muestreo y comparacin tienen los siguientes amplificadores?:
VOLTAGE-SERIES FEEDBACK,
VOLTAGE-SHUNT FEEDBACK,
CURRENT-SERIES FEEDBACK y
CURRENT-SHUNT FEEDBACK?
VIII.5
Calcular A, AJ',
,. ,
~r
r.', ,. / Y ,. /' para los siguientes circuitos. Dibujar la topologa del circuito y
'1
"U
''''f
el circuito auxiliar con los efectos de carga de la red de retl"Oalimentacin.
a) Circuito 1
r---------------.------------------,
+ VDD
R'
.'
Ce
C,
fRs
Re
374
+
v"
RL
b) Circuito 2
+VDD
RD
R',
Co
-1
v'
.'
rv
Ca
Rs
Re
RL
v"
c) Circuito 3
d) Circuito 4
R,
R e,
~-----lQ2
+
R ,.
v,,
375
e) Circuito 5
t) Circuito 6
I
\
>--~--{)v"
Emplear el siguiente modelo para el Amplificador Operacional:
+ ...
r
A A"A
+0
;
~ri
<;
+ A vv e
:;=
376
vo
0-
g) Circuito 7
R,
+
v'., rv
R,
IX. AMPLIFICACION DE POTENCIA

IX.!
Definir la eficiencia 11 para un amplificador de potencia y explicar su significado.
IX.2
Calcular la eficiencia mxima 11 M AX para un amplificador clase "A" con acoplamiento directo y con
acoplamiento por transformador. Cunta potencia manejan el transistor y la carga?
IX.3
Para qu se emplea la red de prepolarizacin en el circuito que se muestra? Por qu se emplean
diodos en dicha red? Qu nuevo problema introduce esta red? Explicar.
r-----.---0
+ Vce
377
IXA
Qu es un circuito Bootstrap? Para qu se emplea y cmo funciona') Explicar.

IX.5
Para qu se emplean los Pares Darlington en los amplificadores de potencia')

IX.6
Explicar cmo funciona el pre-excitador c1asc "A" de un amplificador de potencia, indicando las
trayectorias de las corrientes para cada semiciclo de la seal de entrada.
IX.7
Por qu se prefiere alimentar cl amplificador con dos fucntes simtricas en vez de utilizar slo una
fuente de voltaje?
IX.8
Disear un amplificador de potencia que cumpla con las siguientes especificaciones:
P" = 100 Watts

SENSIBILIDAD = 1.0 volt (RMS)
R L =812
r.. =20K12
f M1N = 10Hz
f MAx=60KHz
Proponer valores comerciales para todos las componentes.
378
APENDICEB
OBTENCION DEL MODELO HIBRIDO
EN BASE COMUN
TI:
Ol;lTENCION DE MODELO HIBRIDO

HIBRIDO 1t EN EMISOR COMUN
1t
EN BASE COMUN A PARTIR DEL MODELO
Partiendo del modelo hbrido 1ten emisor comn, se obtiene la siguiente secuencia de transformaciones:
Modelo Hbrido 1t en emisor comn:
Redibujar el circuito anterior:
'Vv
@Ol--+---{...-}---+----O
;.
~r.
<
0--+-----------0
Dividiendo la fuente de corriente controlada en dos partes, resulta:
Obsrvese que la suma de corrientes

en cada nodo del circuito no se ha
alterado con respecto al circuito original.
381
La fuente de comente que h" ClIdado en praie ~on r,. tiene tambinel voltaje de c~ntrol v, en Sl!S
mismas terminales. por lo cual se campana como una resistencia de valor IIg m " Esto sucede as porque al
aplicar un voltaje ", a dicha fuente, sta responde con una corriente proporcional al voltaje aplicado y a
la constante 11 gm"
'+.,'
:t
=?
/'.
ig,,,v,
Tornando en cuenta lo anterior, el circuito resultante queda corno sigue:
3~
,
----+------<>----"0
Como r, = f~, entonces el paralelo de las resistencias r, y 1/8 m lo domina la resistencia 118 m Y el
circuito se puede simplificar:
I~
~FE
382
La resistencia 11g", corresponde a la resistencia base-emisor vista desde el emisor, y se le llama

resistencia de juntura del emisor r,. Cambiando la polaridad del voltaje de control vh (= - v,) se obtiene
el circuito final del Modelo Hbridb 1t en Base Comn:
383
APENDICEC
PARCASCODO
PARCASCODO
ANALISI1' DE LA GANANCIA EN VOLTAJE PARA VARIOS CASOS RESPECTO DE LA
RELACION DE r" Y Ru.e
Se definen los siguientes trminos:
Av - Ganancia en voltaje de la primera etapa del Par Cascado: emisor comn.

ce
Av - Ganancia en voltaje de la segunda etapa del Par Cascado: base comn.

Be
RL
ce
Resistencia de carga que presenta la etapa en Base Comn a la etapa Emisor Comn.
Av" Ganancia en voltaje del Par Cascado v/v,.
-)-_JVV\,---j-<>]
/-l"V2
+
v,
",
v,
"~
Ru.e
"
0---
------.-.--------+--
---
A VOl' =g m R IAC
A I,= -g",R 1AC
2) Si R,.,
= r"
.....
3) Si R'AC
=}
r"
A..'IX' =
=}
-2
; R,Te = 2r'j
R'AC = 13"r"
A
Vf;c
= _13"2
A vnc :::: K",r,.
A l'
=_"
c.......
A ,...
t.r"
2
387
Las ecuaciones correspondientes para A"
,R,
"fe
fC
R
LEC
tiC
r,(r"
r,( 1 + ~.J
+ R/AC)
+ r" + R IAC
lAC
VBC
r +R
"
YAv son:
,A"
LAC
-(1+
J1"
Como se puede observar, los valores de las ganancias en voltaje dependen de la relacin. entre r" y
R lAc
388
'
BIBLIOGRAFIA
l. Paul R. Gray and Robert G. Meyer. Anlisis y Diseo de Circuitos Integrados Annlgicos. Prentice
Hall.
2. Jacob Millman and Arvin Grabe!. Microelectronics. Mc Graw Hill.
3. M.S. Ghausi. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados .lnteramericana.
4. Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de Seales.lnteramericana.
5. c.J. Savant, Martin S. Roden and Gordon L. Carpenter. Diseo Electrnico. Addison-Wesley Iberoamericana.
6. Robert Boylestad and Louis Nashelsky. Electrnica Teora de Circuitos. Prentice Hall.
7. David Bez Lpez. Anlisis de Circuitos por Computadora usando SPICE. Alfaomega.
389
ELECTRNICA ANALGICA La ed'lcin

Se termin do imprimir en estuvo a cargo de
el mes de septiembre del ao 2005 la Seccin de Produccin
en los talleres de la Seccin y Distribucin Editoriales
de Impresin y Reproduccin de \a Se imprimieron
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40-ANTOLOGIAS CBr
40.00
ELECTRNICA ANALGICA
El estudio de la Electrnica Analgica comprende desde el comportamiento de los
semiconductores y a la unin "pn", hasta los modernos circuitos integrados lineales,
que pueden procesar seales muy complejas.
El objetivo de estos apuntes es mostrar cmo funcionan los circuitos bsicos que
conforman a los Amplificadores Operacionales y a los Amplificadores de Potencia,
es decir, solo cubren una parte de lo que constituye la Electrnica Analgica.
Estos Apuntes se encuentran divididos en nueve captulos, los cuales se estructuraron de la siguiente forma:
Captulo 1- Se establecen las convenciones y el modelo electrnico del transistor que se utilizan en el resto de los capitulos.
Captulo 2- Presenta un mtodo de anlisis de circuitos desarrollado en la
Universidad Autnoma Metropolitana Azcapotzalco desde el ao de 1984, el
cual se ha venido enriqueciendo gracias a la contribucin de profesores y alumnos de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica.
Esta es la primera publicacin de dicho metodo de anlisis y se emplea mucho
en la mayora de los captulos.
Captulos 3, 4, 5 Y 6- Se presentan y analizan los cuatro circuitos bsicos de
acoplamiento directo: Par Darlington, Par Cascodo, Reguladores de Corriente
y Par Diferencial.
Captulo 7- Muestra el anlisis de circuitos electrnicos desde el punto de
vista de su respuesta en frecuencia, presentando dos mtodos de anlisis: por
circuitos elctricos a travs del anlisis de su Funcin de Transferencia y
mediante el Mtodo de las Constantes de Tiempo.
Captulo 8- Se presenta la Teora de Retroalimentacin aplicada a circuitos
electrnicos, mostrando detalladamente las tcnicas de anlisis empleadas.
Captulo 9- Se estudian los amplificadores de potencia, principalmente el
Amplificador en Simetra Complemenaria. Se incluye tambin un Mtodo Simplificado de diseo de Amplificadores de Potencia en Simetra Complementaria.
Apndices- Se incluyen tres apndices que contienen el desarrollo del
Modelo Hibrido "ti" en base comn, un anlisis del circuito de acoplamiento
directo "Par Cascodo" y una serie de ejercicios propuestos sobre los nueve
captulos anteriores.
* SECCION EDITORIAL/CE
RAMIREZ
LIBRO DE TEXTO
~~2::
11111111111111111111111111111111111
20-UAM-AZCAPOTZALCO
35.00
35.00
* 07-LIBROS DE TEXTO

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Fernando Ramrez Rojas

UNIVERSIDAD AUTONOMA METROPOLITANA

Casa ab,ella alliempo UNIDAD AZCAPOTZALCO

UNIVERSIDAD AUrONOMA METROPOLITANA

1993 Universidad Autnoma Metropolitana

la. edicin, 1993

M. en C. Jerry Reider Burstin

En forma especial, agradezco el trabajo realizado por la Ing. Sara

Fernando Ramrez Rojas

V. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONSTANTE

VII. RESPUESTA EN FRECUENCIA

APENDICE A. EJEIl.CICIOS PROPUESTOS

I.1 FACTORES DE RELACION PARA INECUACIONES

Si R, R, entonces se puede tomar

con lo cual se obtiene lo siguiente:

se comporta como circuito abierto viltual.

.se obtiene lo siguiente:

R, se comporta como corto circuito virtual.

3. Polarizacin de/lransislor bipolar de unin

a) Para R. ~"RE se puede tomar

5. Constanles de tiempo y periodos de seales

= R.C. T/2 se puede tomar

1.2 CONVENCIONES (NOMENCLATURA)

1.3 MODELO DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION A SEAL GRANDE

1.4 REGION DE ACTIVA DIRECTA

Explicacin de la dependencia de lc con el V IIE y VC/i

En el transistor, el emisor presenta un dopado muy fuerte, la base un dopado medio y el

( VII' I > VII'n )

Si el voltaje de la unin BE aumenta (VnE > V. E.), aumenta la "pendiente" de la distribucin

le = F (Vet:) Al variar el voltajeeolector-emisor, se altera el ancho de la regin de deplesin de las uniones

Si la corriente de basc se mantiene constante (eon algn cireuito externo al transistor), al

1.5 EFECTOS CAPACITIVOS DE LA UNiN PN

_ _ _ _ _ _ _ _ _-L _ _L-._ _LI

== Capacitancia de unin sin voltaje aplicado (VD == O).

Polarizacin directa (iD ~ Id)

1.5.2 Efectos capacitivos en el transistor en la regin de activa directa

En el dibujo se tiene que:

Capacitancia de unin del emisor

Capacitancia de unin del colector

1.6 VOLTAJE DE ROMPIMIENTO DEL TRANSISTOR

Transistor de baja potencia

Ganancia de corriente esttica

Ganancia de corriente dinmica (de pequea seal)

1.8 PARAMETROS DE REFERENCIA PARA EL TRANSISTOR

Estos valores se considerarn posteriormente como "Valores de Referencia".

1.9 MODELO DE PEQUEA SEAL PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN

Haciendo Vi = vh, Yexpandiendo por series de potencias:

como i, = i c - 1CQ entonces:

Si s~ cumple que v,VT (VI' = 25 mV @ To ,"' 125CJ ). ~ntonces los factores

V,. elevados a potencias

1.9.2 Obtencin del modelo hbrido lt en emisor comn

Valor de la g", en el punto de operacin "Q"

Resistencia de entrada [r.l

Valor de la r. en el punto de operacin "Q"

Resistencia de salida [rJ

Valor de la r" en el punto de operacin "Q"

Resistencia entre colector y base [r.l

Valor de la r. en el punto de operacin "Q"

Capacitancia de base [C,l

Capacitancia de colector [C.J

1.9.4 Elementos parsitos en el modelo de pequea seal

1.9.5 Modelo completo de pequea seal para el transistor bipolar de unin

1.9.6 Modelo hbrido 1t simplificado para el transistor bipolar de unin