Universidad Autnoma del Estado de Mxico

Facultad de Ingeniera

Ingeniera en Electrnica

Proyecto terminal

Diseo de inversor trifsico

Alumno:
Ortiz Plata Leopoldo

Toluca, Edo. de Mxico

Junio, 2016
1

ndice general.
Introduccin4
Captulo 1. Electrnica de potencia...5
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.4.1.
1.4.2.
1.4.3.
1.4.4.

Introduccin a la electrnica de potencia y concepto.

Estructura de los sistemas electrnicos de potencia. ...5
Convertidores de potencia..7
Dispositivos semiconductores de potencia..8
Diodo..8
Tiristor.10
MOSFET11
IGBT12

1.5

Seleccin de semiconductores de potencia..13

Captulo 2. Inversores trifsicos

2.1. Aspectos generales...14
2.2 Inversores trifsicos...14
2.3.Modulacin de onda cuadrada 180 de conduccin.16
2.4 Modulacin por ancho de pulso18
2.4.1 ndice de modulacin de frecuencia.20
2.4.2 ndice de modulacin de amplitud.20
Captulo 3.
3.1 Confutacin del circuito..22
3.2 Conduccin 18023
3.3 Proteccin para encendido y apagado de IGBTs 24
3.3.1 Diseo de la red de Snubber25
3.4 Disipador de calor..26
3.5 Proteccin contra sobre corriente27
3.6 Construccion del inversor..28
3.7 Tarjeta de potencia28

3.8 Tarjeta de disparo.29

Bibliografia30

Introduccin.

El desarrollo de dispositivos electrnicos, as como gran cantidad de cargas no

lineales existentes en instalaciones industriales y comerciales tales como
convertidores de potencia (controladores de velocidad de motores, fuentes de
alimentacin conmutadas, hornos etc.), han deteriorado la calidad de la energa en
los sistemas de distribucin y transmisin, causando una operacin no deseada de
los sistemas elctricos
Por tal motivo se ha creado la necesidad de disear y construir prototipos tales
como inversores trifsicos, para luego ser implementados en actividades como:
compensadores estticos de reactivos, compensacin de armnicos, correccin
del factor de potencia, etc., tratando de esta manera reducir la magnitud de dichos
problemas. El avance que han experimentado los semiconductores, en trminos
de frecuencia de conmutacin, prdidas en conduccin y facilidad de manejo han
contribuido en gran medida a la popularizacin de este tipo de convertidores y su
evolucin.
El objetivo de un inversor trifsico es generar energa elctrica de corriente alterna
a partir de una fuente de energa de corriente continua, con magnitudes y
frecuencias deseadas. Se constituye principalmente por dispositivos electrnicos
de potencia, que trabajan como interruptores operando en corte y saturacin con
una secuencia apropiada para obtener tres tensiones de salida simtricas y
balanceadas.
El controlador es otro componente fundamental en la constitucin del convertidor,
es el que genera las seales de encendido y apagado de los dispositivos
semiconductores y garantiza su buen comportamiento. Cualquier tipo de inversor
(monofsico trifsico) utilizan dispositivos con activacin y desactivacin
controlada (es decir BJT, MOSFET, IGBT, MCT, SIT, GTO) o tiristores de
conmutacin forzada, segn la aplicacin. Un inversor se puede clasificar segn el
tipo de entrada en: VSI (Inversor por fuente de tensin), CSI (Inversor por fuente
de corriente), siendo este ultimo utilizado solo en aplicaciones con excitadores de
motores AC de muy alta potencia o en excitadores de control vectorial.

Captulo 1. Electrnica de potencia.

1.1 Introduccin a la electrnica de potencia y concepto.

Durante mucho tiempo ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica
de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores
elctricos, as pues la electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control
para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control, el control
se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los
sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con equipo de potencia
esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de la
energa elctrica. La electrnica se encarga de los dispositivos y circuitos de
estado slido requeridos el procesamiento de la seales para cumplir con los
objetivos de control deseados.
La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de
estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica.
En la electrnica de potencia, el concepto principal es el rendimiento. El elemento
de base no puede trabajar en rgimen de amplificacin, pues las perdidas seran
elevadas es necesario trabajar en un rgimen de conmutacin siendo el
componente base el semiconductor quien trabaja como interruptor. Este
componente que trabaja en conmutacin deber de cumplir las siguientes
caractersticas:

1.2

Tener dos estados claramente definidos uno de alta impedancia (bloqueo) y

otro de baja impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequea
potencia de control.
Ser capaz de soportar altas tensiones cuando esta bloqueado , y grandes
intensidades con pequeas cadas en sus extremos cuando esta en
conduccin.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Estructura de los sistemas electrnicos de potencia.

Todos los sistemas elctricos de potencia muestran una estructura bsica similar
formada por tres bloques: el circuito de potencia el circuito de disparo y bloqueo y
el circuito de control como se muestra en la figura 1.1.

Figura 1.1.

El circuito
de potencia comprende los dispositivos de potencia de
semiconductores agrupados formando las diferentes topologas correspondientes
a cada tipo de convertidor. Los circuitos de potencia son los encargados de actuar
sobre la energa elctrica presente a la entrada del sistema para convertir la
energa elctrica, con la forma deseada disponible en la salida.
El circuito de control se encarga de, controlar el proceso de la conversin de
energa. Este control se realiza comparando la salida del sistema con la salida
deseada, y a partir del resultado, generando las seales necesarias para disparar
y bloquear los semiconductores de potencia de forma adecuada.
Los circuitos de disparo y bloqueo se encargan de dar las seales provenientes de
los circuitos de control los niveles de tensin y corrientes adecuados para poder
disparar y bloquear los semiconductores de potencia, adems de proporcionar el
aislamiento galvnico necesario entre la etapa de potencia y la de control.

1.3

Convertidores de potencia.

La electrnica de potencia se utiliza principalmente para la conversin de la

energa elctrica, mediante operaciones controladas de interrupcin de tensin y/o
corriente, tanto en los sistemas de corriente alterna como de corriente continua.
En la figura 1.2, se presentan el esquema de las cuatro formas de conversin de
energa elctrica entre los sistemas de corriente alterna y continua.

Figura 1.2. Conversin de energa elctrica.

Rectificacin: es el proceso de transformacin de AC a DC.

Inversin: es el proceso de transformacin de DC a AC.
Conversin DC: es el proceso de transformacin de DC a DC de distinto
nivel.
Conversin AC: es el proceso de transformacin de AC a AC de distinto
nivel y/o frecuencia.

Estas cuatro formas de conversin de energa son realizadas con los puentes
convertidores electrnicos de la figura 1.3. Estos puentes se pueden utilizar para
acoplar sistemas de corriente continua y alterna, as como para alimentar,
conectar y desconectar cargas en ambos sistemas de alimentacin.

Figura 1.3. Convertidores elctricos de potencia.

1.4

Dispositivos semiconductores de potencia.

Si los dispositivos de semiconductores de potencia se consideran interruptores

ideales, el anlisis de las topologas de convertidores se facilita en gran medida.
Este planteamiento tiene la ventaja de que los detalles de la operacin de
dispositivos no ocultar la operacin bsica del circuito. Por tanto, se entienden
mejor las importantes caractersticas de los convertidores.
Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se clasifican en tres
grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

Diodos. Estados de conexin y desconexin controlados por el circuito de

potencia.
Tiristores. Son activados mediante una seal de control, pero pueden ser
desactivados por medio del circuito de potencia (control por fase) o por un
circuito de control externo.
Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante seales
de control.

La categora de interruptores controlables abarca varios tipos de dispositivos,

como transistores de unin bipolar (bipolar junction transistors, BJT), transistores
de efecto de campo xido metlico semiconductor (metal-oxide-semiconductor
field effect transistors, MOSFET), tiristores desactivables por puerta (GTO) y
transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IGBT).
Para poder entender mejor el funcionamiento de los dispositivos semiconductores
de potencia a continuacin se presentaran los conceptos estos:
1.4.1 Diodo
Es el dispositivo ms bsico de la electrnica de potencia, est constituido por una
juntura semiconductora PN su encendido se realiza cuando la tensin entre su
nodo y ctodo supera la tensin de ruptura de la componente (v ak vto). Esta
tensin de ruptura se encuentra en baja potencia alrededor de 0,7V para
componentes en silicio y en 0,3V para germanio. En electrnica de potencia los
diodos son de silicio y su tensin de ruptura est en el rango de 1V a 2V. En la
figura 1.4, se presenta el smbolo elctrico del dispositivo, su esquema como
semiconductor y una foto de estos dispositivos.

Figura 1.4. Diodo

El apagado de esta componente se realiza cuando la corriente cruce por cero (iD
= 0) lo cual origina la restitucin de la barrera de potencial en la juntura PN. En la
figura 1.5a, se presenta la curva de tensin corriente del diodo, esta caracterstica
depende de la temperatura de operacin de la componente.
En la grfica se puede observar que la componentes no comienza a conducir
corriente hasta que la tensin entre sus terminales no es mayor a la tensin de
ruptura (vak vto), generalmente esta informacin as como el inverso de la
pendiente de curva en la zona de conduccin (RD) son suministrados por el
fabricante en la hoja de datos del dispositivo. Debido a que la tensin de ruptura
de los diodo es inferior al 0,1% de la tensin en conduccin se puede idealizar la
curva caracterstica de la componente mostrada en la figura 4.5a, para los fines de
anlisis y consideraciones del efecto sobre la carga y red de alimentacin, a la
caracterstica que se muestra en la figura 1.5b.

Figura 1.5. Caractersticas del diodo

1.4.2. Tiristor
El Tiristor o SCR est conformado por tres junturas NP en serie, este dispositivo
reemplazo a los tiratrones y posee controlo de encendido a travs del suministro
de un pulso de corriente en el orden de los 20mA en la compuerta de disparo o
gate, adicionalmente requiere polarizacin nodo ctodo positiva (v ak > 0). Su
apagado al igual que los diodos depende de que la corriente cruce por cero. En la
figura 1.6, se presenta su simbologa, terminales y esquema como semiconductor.
Adicionalmente, en la figura 1.7 se presenta la forma de construir un tiristor a partir
de dos transistores BJT (PNP y NPN).

Figura 1.6.Tiristor o SCR

Figura 1.7. Tiristor a partir de transistores BJT

En la figura 1.8a, se presenta la caracterstica tensin corriente del dispositivo, la

tensin de ruptura de los tiristores se encuentra entre 1V y los 2V
aproximadamente. Al igual que los diodos, la tensin de ruptura de los tiristores es
inferior al 0,1% de la tensin en conduccin, esto permite idealizar la curva
caracterstica a la mostrada en la figura 1.8b.

10

Figura 1.8. Caractersticas del tiristor

1.4.3 MOSFET
Los MOSFET ms utilizados en electrnica de potencia son los canal N, su
smbolo se presenta en la figura 1.9, al igual que los transistores BJT su operacin
se reduce a interruptor electrnico, es decir, en corte y saturacin. La ventaja de
este dispositivo en relacin con el BJT es su polarizacin en tensin y alta
impedancia de entrada. En la figura 1.10a, se presenta la caracterstica de
operacin de los MOSFET en funcin de la tensin gate source.

Figura 1.9. MOSFET

En la figura 1.10b, se presenta la caracterstica ideal de la componente como

interruptor electrnico, es decir, en la zona de corte y saturacin. Esta componente

11

es unidireccional en corriente y requiere siempre la presencia de la seal en el

gate para su operacin.

Figura 1.10. Caractersticas del MOSFET

1.4.4 IGBT.
Los transistores de compuerta aislada o IGBT combinan las caractersticas de los
MOSFET de alta impedancia de entrada y polarizacin en tensin con la baja
impedancia de salida de los BJT lo que origina una alta ganancia de corriente.
Esta componente se construye colocando en cascada un MOSFET que polariza
un par de BJT, su smbolo y esquema interno se presenta en la figura 1.11.

Figura 1.11. IGBT

En la figura 1.12a, se presenta la caracterstica de operacin del IGBT, en funcin

de la tensin base emisor de polarizacin (vBE). En la figura 1.12b, se presenta la
12

caracterstica ideal de operacin del IGBT como interruptor electrnico de

potencia.

Figura 1.12. Caractersticas de operacin del IGBT

1.5

Seleccin de semiconductores de potencia.

La seleccin de un dispositivo de potencia, para una determinada aplicacin, no

depende nicamente de los niveles de la tensin y corriente requeridos, tambin
dependen de su caracterstica de conmutacin, niveles de prdidas en los tres
estados de operacin (conduccin, bloqueo y conmutacin), del grado de
controlabilidad y frecuencia de conmutacin que requiera la aplicacin. Los niveles
de prdidas que pueden manejar los componentes dependen de su capacidad de
disipacin de calor al medio ambiente que est estrechamente ligada con su
disipador.

Captulo 2 Inversores trifsicos.

13

2.1. Aspectos generales.

Los inversores, son circuitos que tienen como finalidad suministrar tensin o
corriente alterna, variable en magnitud y frecuencia a partir de una fuente de
corriente continua. Los rectificadores controlados en algunos casos y dependiendo
del ngulo de disparo pueden trabajar como inversores. Las principales
aplicaciones de los inversores son el control de velocidad y posicin de las
mquinas de corriente alterna, la fabricacin de fuentes ininterrumpidas de
potencia (UPS) para cargas crticas y dispositivos de corriente alterna que
funciones a partir de una batera como los vehculos elctricos

2.2. Inversores trifsicos.

Son usados principalmente en aplicaciones de alta potencia, se pueden hacer
conectando en paralelo tres inversores monofsicos; teniendo la precaucin de
que las seales de control de estos estn desfasadas 120, con el objetivo de
obtener un sistema trifsico equilibrado de tensiones. El esquema de este tipo de
inversor lo podemos ver en la figura 2.1.

14

Figura 2.1. Inversor trifsico a partir de tres inversores monofsicos

Esta solucin necesita tres transformadores monofsicos, 12 elementos

semiconductores controlables y 12 diodos por lo que es poco utilizada en la
prctica cuando se trabaja en el campo de las bajas y medias potencias.
Otra solucin mucho ms empleada, se puede obtener utilizando tres ramas de un
inversor monofsico de medio puente como se observa en la figura 2.2, con seis
elementos semiconductores controlables y 6 diodos sin necesidad de usar
transformador.

Figura 2.2. Esquema del inversor trifsico.

2.3. Modulacin de onda cuadrada 180 de conduccin.

Con esta modulacin cada semiconductor controlable esta en condicin durante
180, coincidiendo tres interruptores de las ramas de conduccin cada 60 como
podemos observar en la figura 2.3. El desfase de control de la rama B con
respecto a la rama A ser de 120 y el de la rama C con respecto a la A ser de
240, ambos en retraso.

15

La carga puede estar conectada en estrella o triangulo. Para la conexin en

triangulo, las intensidades que circulan en cada fase de la carga, son obtenidas
directamente a partir de las tensiones de lnea. Una vez conocidas las
intensidades de fase, las de lnea se obtienen aplicando la primera ley de Kirchoff.
Por la conexin de estrella debemos determinar en primer lugar las tensiones de
fase y lnea.
Para una carga conectada en estrella, tenemos tres intervalos objetos de estudio
en cada medio ciclo, que pueden ser abordados teniendo en cuenta el control que
se realiza sobre los semiconductores de potencia.

Figura 2.3. Formas de onda para modulacin de onda cuadrada con 180 de
conduccin.

Durante el modo 1 para 0t< /3

16

Figura 2.4 Modo 1 y ecuaciones

Durante el modo 2 para

/3 t<2 /3

Figura 2.5. Modo 2

Durante el modo 3 para 2 /3<

17

Figura 2.6. Modo 3

Vemos que en cualquier instante de tiempo, dos instantes de carga permanecen

conectados a la alimentacin y el otro abierto. La tensin de esta terminal
depender de las caractersticas de la carga.

2.4. Modulacin por ancho de pulso.

La modulacin por ancho de pulso (PWM, Pulse Width Modulation) proporciona un
mtodo para disminuir el factor de distorsin armnica (T HD) en la corriente que
suministra el inversor a la carga. La salida de un inversor con PWM con algo de
filtrado, cumple las regulaciones de distorsin armnica total ms fcilmente que
un inversor con salida mediante ondas cuadradas. Si bien la salida con PWM
posee un contenido alto de armnicas, estas son de frecuencias elevadas lo cual
facilita su filtrado y atenuacin por parte de la carga.
La modulacin PWM controla la amplitud de la tensin de salida utilizando
diferentes formas de onda moduladoras o de referencia. Dos ventajas de esta
modulacin son la reduccin de los requerimientos de filtrado y el control de la
amplitud de la salida. Entre las desventajas podemos citar el incremento en las
prdidas del dispositivo interruptor por el mayor nmero de conmutaciones
realizadas y una mayor complejidad de los circuitos de control. La modulacin
PWM puede ser realizada de dos formas:

Bipolar: Cuando el inversor utiliza dos estados +V DC y VDC.

Unipolar: Cuando el inversor utiliza tres estados +V DC,VDC y 0

En las figuras 2.7 y 2.8, se presentan los esquemas de modulacin unipolar y

bipolar para una onda sinusoidal de referencia y una triangular de portadora.

18

Figura 2.7. Modulacin PWM Unipolar

Figura 2.8. Modulacin PWM Bipolar

2.4.1 ndice de Modulacin de Frecuencia.

El ndice de modulacin de frecuencia m f se define como el cociente entre la
frecuencia de la portadora y de la referencia:

mf =

fportadora
freferencia

La seal de salida del PWM posee la misma frecuencia fundamental que la onda
de referencia y armnicas en y alrededor de los mltiplos del ndice de
19

modulacin. La escogencia de ndices de modulacin elevados facilita el filtrado

de la onda de salida, pero incrementa las perdidas en los dispositivos electrnicos
de potencia utilizados en la conmutacin.

2.4.2.ndice de Modulacin de Amplitud.

El ndice de modulacin de amplitud m a se define como la relacin entre la
amplitud de la seal de referencia y la portadora:

ma=

Vpico refrencia
Vpico portadora

Si ma 1, la amplitud de la componente fundamental de la salida del PWM es

linealmente proporcional a ma, es decir:
Vrms= 2m a V D C

De esta forma se puede controlar la amplitud de la componente de frecuencia

fundamental de la salida del PWM al variar m a. Si ma es mayor que uno, la
amplitud de la fundamental de salida se incrementa pero de forma no lineal.

20

Captulo 3. Diseo de un inversor trifsico

3.1 Configuracin del circuito.

Con introduccin dada en los captulos anteriores se comenzara el diseo terico
de un inversor trifsico, as como a su vez cabe destacar que depender de las
pretensiones y especificaciones requeridas para la seleccin de los componentes
que se emplearan en este, las cuales tiene que ser seleccionadas previamente en
las distintas tablas de especificaciones de los componentes.
La Figura 3.1 muestra la topologa de un inversor VSI trifsico en puente completo,
el cual se componen de 6 transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexin
inversa, empleados para conducir la corriente reactiva de retorno a la fuente de
tensin E. Estos inversores se dividen segn su forma de operar en: conduccin a
180 de cada elemento, con lo cual habr 3 elementos en conduccin al mismo
tiempo y conduccin a 120, con 2 elementos por vez. Adems pueden alimentar
los dos tipos caractersticos de cargas trifsicas simtricas: conexin delta y
estrella.

21

Figura 3.1 Inversor puente trifsico de 3 ramas.

3.2. Conduccin a 180

Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores se mantienen activos
durante cada instante del tiempo. Cuando el transistor Q1 est activado, la fase a
se conecta con la terminal positiva del voltaje de entrada. Cuando se activa el
transistor Q4, la fase a se lleva a la terminal negativa de la fuente DC. En cada
ciclo existen seis modos de operacin, cuya duracin es de 60o. Los transistores
se numeran segn su secuencia de excitacin. Las seales de excitacin
mostradas en la Figura 3.2 estn desplazadas 60o unas de otras, para obtener
voltajes trifsicos balanceados.

22

Figura 3.2. Secuencia de la seales de excitacin de los transistores a 180.

3.3. Proteccin para encendido y apagado de los IGBTs.

Esta proteccin ms conocida como red snubber, se puede considerar como un
conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan a un circuito de
potencia, para la proteccin de dispositivos de conmutacin contra las transiciones
de encendido y de apagado, asegurando un rgimen de trabajo seguro.
La funcin principal que desarrollan los circuitos snubber es absorber la energa
procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de
conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o
corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha
de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al
reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y
de la temperatura de la unin. Aunque existen distintos tipos de circuitos, en el
diseo solamente utilizaremos el Snubber de Tensin RCD, el cual es un tipo de
circuito que encuentra un amplio campo de aplicacin en la proteccin de
23

interruptores, como es el caso de los transistores bipolares. Se distinguen dos

utilidades en los circuitos RCD (resistencia condensador y diodo):

Control de la pendiente de subida de la tensin en el interruptor durante

el transitorio de apagado.
Enclavamiento de la tensin en el interruptor

En la Figura 3.3 se observa el esquema de la red snubber a implementar.

Figura 3.3. Red Snubber RCD

Los diodos que se encuentran en paralelo con los IGBTs, los protegen contra altos
picos de voltaje (manteniendo el flujo de corriente en la misma direccin), los
condensadores aseguran un nivel mnimo de voltaje en el dispositivo hasta que la
corriente sea cero, garantizando con esto reducir las prdidas de potencia en la
conmutacin, y las resistencias limitan el pico de corriente de descarga a travs
del transistor a un valor seguro.

3.3.1. Diseo de la red de Snubber.

Para el clculo de la red snubber se aplica el siguiente criterio

24

Capacitor Snubber.
Cs

Iltf
2.Vcd

Resistencia mnima.
Rs

VD
IL

Resistencia mxima.
Rs<

Ton(min)
3 Cs

Donde TON (min) es el mnimo tiempo de encendido. Esto quiere decir que R S debe
ser pequeo para lograr una rpida descarga de CS.

3.4. Disipador de calor.

El disipador de calor en los circuitos electrnicos es una pieza clave, sobre todo si
se trata de electrnica de potencia, donde las elevadas corrientes por los
semiconductores pueden causar su destruccin. Tanto as, que en muchas
aplicaciones, la potencia mxima de un circuito de potencia est limitada por el
diseo trmico del sistema.
La diferencia de temperaturas entre la juntura y el ambiente en condiciones de
estado estacionario est dada por la siguiente ecuacin obtenida del circuito
trmico de la Figura 3.4.

Tj-TA=PAVE (RJ

+R

CS

+R

SA

25

Figura 3.4.Modelo termico basico

Dnde:
PAVE: Representa la potencia de prdida disipada en cada semiconductor.
RJC: Representa la resistencia trmica entre la juntura y la carcasa del
semiconductor.
RCS: Resistencia trmica entre la carcasa del semiconductor y el disipador de
calor.
RSA: Resistencia trmica entre el disipador y el ambiente.
TJ: Representa la temperatura de la juntura del semiconductor.
TC: Representa la temperatura de la de la carcasa.
TS: Representa la temperatura del disipador.
TA: Representa la temperatura ambiente
La resistencia RSA no depende del semiconductor, sino del tipo de disipador a
usar, por tanto es una cantidad que depende del material, el pulimiento de su
superficie, el tamao y la diferencia de temperatura entre el disipador y la
temperatura ambiente.

3.5. Proteccin contra sobrecorriente.

Los convertidores de potencia pueden provocar cortos circuitos o fallas, y las
corrientes resultantes debern eliminarse con rapidez. Con el fin de prevenir
situaciones de riesgo para los usuarios o el convertidor, se instalaron fusibles,
el cual su objetivo es que, en funcionamiento fuera de rango, estos se
26

destruyan antes que otras partes valiosas del convertidor o antes que se
produzcan incendios o explosiones.
Las condiciones a tener en cuenta en la seleccin del fusible son:

1. Irms-fusible Irms-IGBT
2. I2t fusible I2t IGBT
3. Varco-fusible Irms-IGBT
Se puede observar que para esta seleccin de fusible las condiciones se cumplen.

Figura 3.5. Inversor Trifsico con fusibles.

3.6

Construccin del inversor.

Como fuente DC para la utilizacin del inversor se utiliza un rectificador

monofsico de onda completa, constituido por 4 diodos y un condensador
electroltico con la configuracin mostrada en la figura 3.6.

27

Figura 3.6 Rectificador monofsico.

3.7. Tarjeta de potencia.

El circuito de potencia de este inversor se construy en base al diagrama para una
fase mostrado en la figura 3.5. Cada fase del Inversor est montada sobre un
disipador, el cual es comn a las tres fases. Los cuatro mdulos IGBT en puente H
de cada fase, van conectados a una tarjeta comn, en la que se disponen todos
los elementos de potencia, y que adems posee los terminales necesarios para el
control de los IGBTs

3.8. Tarjeta de disparo.

Tarjeta de Disparo Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una seal
de voltaje de alrededor de 15V entre la puerta y el emisor. Como se puede
observar en la figura 3.5, en cada puente hay tres referencias de disparo
diferentes (los dos IGBTs inferiores del puente H tienen la misma referencia). Por
lo tanto, al cambiar de estado los IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de
disparo, lo que hace necesaria la implementacin de un circuito de disparo que
sea capaz de generar los 15V independientemente para cada uno.

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Referencias bibliogrficas.

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Muhammad H., Electrnica de Potencia, Prentice Hall. Mxico, 1996.
Jos Manuel Benavent Gracia, Electrnica de potencia teora y aplicaciones,
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2002.
A.A. Breton Schuwirth, Diseo y Construccin de un inversor Trifsico Multinivel de
Cuatro Etapas para Compensacin Armnica, Masters tesis, Pontificia
Universidad Catlica de chile, 2003.
Edgardo Alberto Portugal Fernndez, DISEO DE UN INVERSOR MULTINIVEL EN
CASCADA MONOFSICO DE BAJO CONTENIDO ARMNICO PARA CARGAS
RESISTIVAS , Tesis para optar el Ttulo de Ingeniero Electrnico, Per, 2006.

29