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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)

ELECTRONICA ANALOGA

ELEMENTO DE CONTROL Y PROTECCION CONTRA CORTO CIRCUITO

GILDARDO LEON PARRA FLOREZ

CARLOS ANDRES HERRERA GONZALEZ
EDUAR HERNAN AGUIRRE
TUTOR
JESUS OMAR VARGAS
243006_10.

Escuela de Ciencias Bsicas, Tecnologa e Ingeniera

Tecnologa en Automatizacin Electrnica
MEDELLIN
Mayo 2015

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INTRODUCCION

El presente trabajo nos permitir conocer y manipular los elementos de control como
son los transistores y su aplicabilidad en el control de carga de corrientes altas,
utilizados las frmulas que permiten obtener los valores de los componentes
electrnicos.

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ELEMENTOS DE CONTROL
Para el diseo de la fuente de alimentacin se solicita se emplee un transistor
Darlington y en las libreras de componentes de PSpice se cuenta con el transistor
Darlington cuyo nmero de referencia es 2N6059 es necesario comprobar si este
transistor es adecuado usarlo en el diseo del regulador serie teniendo en cuenta los
parmetros de la hoja de caractersticas dada por el fabricante frente a los
requerimientos del diseo.

3.1 De la hoja caracterstica del Transistor 2N6059 completar la siguiente tabla:

Ic
12A

hfe
IC = 6 A VCE = 3 V
IC = 12 A VCE = 3 V

750
100

vceo

ptot

IB

100V

150w

0.2A

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3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga I L= 900mA y se
conoce tambin el voltaje de salida regulado calcular el valor de la resistencia de
carga RL

La Fuente de Alimentacin debe satisfacer las siguientes especificaciones:

Corriente de carga regulada: 900mA
Voltaje DC de salida regulado: 12V.
Tomando como voltaje de salida regulado=

12v

RL = VL/ IL
RL= 12v/900 mA
RL=12v/0.9 A
RL= 13.33

RL
13.33

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3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia que se
disipara para una corriente de carga de 900mA o calcular el valor de la potencia
disipada en el transistor teniendo en cuenta las siguientes formulas:
PD= VCE IL
R:/

PD=8v . 0.9A= 8.8

VCE = VS - Vsal

= 20-12

= 8V

PD
8.8

La potencia se disipa en las uniones. Veamos un ejemplo concreto:

Entonces el valor de la potencia total o potencia disipada lo calcularemos usando esta

frmula:

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El transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico
dispositivo.
La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue
inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner
dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un
nmero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado.
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una
ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de
fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse
fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de
ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta
de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores
individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por
la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que

hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje baseemisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada V BEi es de aproximadamente

0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin
base-emisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin.
El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe
permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a
la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer
transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal.

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(En ecuaciones,

, as

siempre.) Por lo tanto, la

tensin de saturacin de un transistor Darlington es un V BE (alrededor de 0,65 V en

silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente
0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se
traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado
con un nico transistor.
Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer
transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al
dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una
resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia
permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin
base-emisor, permitiendo un rpido apagado.
Cdigos en los transistores Hay tres series principales de cdigos de transistores: *
Cdigos que comienzan con B (o A), por ejemplo BC108, BC478 La primera letra B es
para silicio, A es para germanio (raramente usado). La segunda letra indica el tipo o uso
habitual; por ejemplo C significa baja potencia audio frecuencia; D significa alta potencia
audio frecuencia; F significa baja potencia alta frecuencia. El resto de los cdigos
identifican los transistores particulares.

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No hay ninguna lgica obvia para el sistema de numeracin. Algunas veces se agrega
una letra al final (ej: BC108C) para identificar una versin especial del tipo principal, por
ejemplo una ganancia de corriente ms alta o un tipo de encapsulado distinto. Si un
proyecto especifica una ganancia de corriente ms alta la versin (BC108C) debe ser
usada, pero si se da el cdigo ms general (BC108) cualquier transistor con este cdigo
es adecuado. * Cdigos que comienzan con TIP, por ejemplo TIP31A TIP se refiere al
fabricante: transistor de potencia Texas Instruments. La letra al final identifica las
versiones con diferentes rangos de voltaje. * Cdigos que comienzan con 2N, por
ejemplo 2N3053 El cdigo inicial '2N' identifica el componente como un transistor y el
resto del cdigo el transistor en particular. No hay ninguna lgica obvia para el sistema
de numeracin
3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse en la
prctica o no justifique su respuesta:
R:/
SI

NO

X
Los transistores Darlington se emplean en circuitos donde se necesitan controlar
grandes cargas con corrientes muy pequeas.

LA PROTECCION CONTRA CORTO CIRCUITO

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Los reguladores estn equipados con un circuito de proteccin cuyo propsito es limitar
la corriente del elemento en serie (o incluso anularla). Los circuitos de proteccin se
disean para estar inactivos bajo condiciones de operacin normal y activarse tan
pronto como se intente exceder el correspondiente lmite de seguridad.
El propsito del circuito de proteccin contra sobrecarga es evitar que la corriente
que circule por el transistor en serie exceda un nivel de seguridad predeterminado,
como sucedera en caso de cortocircuitar la salida.

Finalmente con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la fuente de

alimentacin es necesaria la implementacin de alguna tcnica de proteccin contra

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corto circuito, es por ello que se usara el arreglo de limitacin constante de corriente el
cual para este diseo limitara 1.2A la mxima corriente a circular en la carga I SL
3.5 Calcule el valor de Rlim:

Rlim
6.66

Rlim=(20v-12v)/ 1.2A
Rlim=8/1.2
Rlim=6.66

La frmula para el clculo de una resistencia limitadora es en general.

R =(vcc-vL)/IL
Donde:
R es la el valor de la resistencia buscada en ohm.
Vcc es el voltaje con que se alimenta el circuito, es decir el de la fuente.
VL es el voltaje del dispositivo que queremos poner a funcional.
IL es la corriente de consumo del dispositivo que pondremos a funcional.
3.6. Explique cmo funciona esta tcnica de proteccin y cul es su principal
desventaja
R:/

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La desventaja es acerca de su dificultad para distinguir entre la corriente de falla en uno
u otro punto cuando la impedancia entre esos puntos es pequea en comparacin hacia
el lado de la fuente, conduciendo hacia la posibilidad de que se presente pobre
discriminacin.

CONCLUSIONES

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Es importante tener en cuenta los valores mnimos y mximos de un
transistor consultando la hoja de caractersticas dada por el fabricante.

Conseguimos la limitacin de la constante de corriente que circula,

implementando alguna tcnica de proteccin contra cortocircuito.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

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http://electronicabasica00.blogspot.com/2013/06/calculo-de-resistenciaslimitadoras-y.html

http://ricuti.com.ar/No_me_salen/ELECTRICIDAD/AT_potencia.html

https://www.youtube.com/watch?v=m4eqor4_GFk

https://www.youtube.com/watch?v=9M4_fgOLkSs