IMFORME PREVIO DE

TRANSISTORES

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERIA
MECNICA

ELECTRNICA INDUSTRIAL I

DOCENTE:
ING. HUAMANI HUAMANI
ALUMNO:
ANCCO FUENTES FRANCIS MANUEL

INTRODUCCION

Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo de vaco, o bulbo, fue sin duda
el dispositivo electr-nico de mayor inters y desarrollo. J. A. Fleming
present en 1904 el diodo de tubo de vaco.Poco tiempo despus, en 1906,
Lee de Forest agreg un tercer elemento, llamado rejilla de control al diodo
de tubo de vaco y el resultado fue el primer amplificador, el trodo. En los
aos quesiguieron, la radio y la televisin dieron un gran estmulo a la
industria de los bulbos. La produccin se elev de aproximadamente 1
milln de bulbos en 1922 a cerca de 100 millones en 1937.A principios de la
dcada de 1930 el tetrodo de cuatro elementos y el pentodo de cinco
tuvieron un rol destacado en la industria de los bulbos de electrones. En
aos posteriores, la industria lleg a ser una de las de primordial
importancia y de rpido avance en el diseo, tcnicas de fabricacin,
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, as como en la
miniaturizacin.
El 23 de diciembre de 1947, sin embargo, la industria de la electrnica iba a
experimentar el advenimiento de una direccin completamente nueva en
cuanto a inters y desarrollo. Fue en la tarde de este da en que Walter H.
Brattain y John Bardeen demostraron la accin amplificadora del primer
transistor en los laboratorios Bell. Las ventajas de este dispositivo de estado
slido de tres terminales sobre el bulbo fueron obvias de inmediato. Era ms
pequeo y ms liviano; no tenaque calentarse ni perda calor; su
construccin era robusta; era ms eficiente, puesto que el dispositivo
consuma menos potencia; estaba disponible al instante para su uso, ya que
no requera un periodo de calentamiento, y se podan obtener voltajes de
operacin ms bajos.

1. FUNDAMENTO TERICO
CONFIGURACION EMISOR COMUN
La configuracin de transistor que ms frecuentemente se encuentra aparece en la
figura
A
para los transistores pnp y npn. Se llama configuracin en emisor comn porque el
emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en
este
caso
es
comn
para
las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
caractersticas
para
describir plenamente el comportamiento de la configuracin en emisor comn: uno
para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de
colector-emisor.
Ambos
se muestran en la figura B

Figura A
Notacin y smbolos utilizados con la configuracin en emisor comn: (a) transistor npn;
(b) transistor pnp.

Figura B
Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin en emisor comn: (a)
caractersticas; (b) caractersticas de base

Saturacin de un transistor
El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado
su
valor
mximo. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de
lquido.
Para
un
transistor que opera en la regin de saturacin la corriente es un valor mximo para
el
diseo
particular. Cambie el diseo y el nivel de saturacin correspondiente puede
elevarse o reducirse. Por supuesto, la corriente de colector mxima define el nivel
de
saturacin
mximo
tal
como
aparece en la hoja de especificaciones.
Normalmente se evitan las condiciones de saturacin porque la unin base-colector
ya no est polarizada en inversa y la seal amplificada de salida se distorsionar. La
figura
A.a
ilustra
un punto de operacin en la regin de saturacin. Observe que en esta regin es
donde
se
unen
las curvas de las caractersticas y el voltaje del colector al emisor est en o por
debajo

de

V CE

sat.

Adems, la corriente del colector es relativamente alta en la curva de las

caractersticas.

Figura C
Regiones de saturacin: (a) real); (b) aproximada.

Anlisis por medio de la recta de carga

Recuerde que la solucin de recta de carga de una red de diodo se encontr
superponiendo
las caractersticas reales del diodo sobre una grfica de la ecuacin de la red que
implica las mismas variables de la red. La interseccin de las dos grficas defini las
condiciones
de
operacin
reales para la red. Se conoce como anlisis por medio de la recta de carga porque la
carga
(resistores de la red) de la red defina la pendiente de la lnea recta que conecta los
puntos definidos por los parmetros de la red.
Se puede aplicar el mismo procedimiento a redes de BJT. Las caractersticas del BJT
se
sobreponen en una grfica de la ecuacin de la red definida por los mismos
parmetros. El resistor de carga RC para la configuracin de polarizacin fija definir
la
pendiente
de
la
ecuacin
de la red y la interseccin resultante entre las dos grficas. Cuanta ms pequea
sea la resistencia, ms pronunciada ser la pendiente de la recta de carga de la red.
La red de la figura D.a establece una ecuacin de salida que relaciona las variables
IC y VCE de la siguiente manera:

V CE =V CC I C RC

Figura D
Anlisis de la recta de carga: (a) la red; (b) las caractersticas del dispositivo

Figura E
Recta de carga de polarizacin fija.

CONFIGURACION DE POLARIZACION DE EMISOR COMUN

PARAMETROS h
Modelo
de
parmetro
h
generalizado
para
un
BJT
Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

NPN.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y
permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisorcomn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la

resistencia del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en

el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua
(DC) en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es

usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido
para convertirlo a impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones
de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa
emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya
que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados
(son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el
modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas
frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado
debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas
frecuencias.

2. CALCULOS Y SIMULACION
2.1 ANALISIS EN DC- PUNTO DE OPERACIN

Haciendo uso de la herramienta se simulacin PROTEUS,

calculamos los siguientes parmetros:

V R 1 = 1.19 v
V R 2 = 8.33 v
V CE = 4.41 v
P =

19%(15k)

2.85 k

A continuacin calcularemos la corriente Base y la Corriente de

Colector usando la Ley de Ohm.
I B=

V R 2 8.33
=
R2 1 M

I B=0.00833 mA

IC =

V R 1 1.19
=
=1.19 mA
R1
1k

I C =1.19 mA

Ahora calculamos
h FE=

=h FE

IC
1.19
=
I B 0.00833

h FE=142.66
Recta de carga

10

ANALISIS DE TRANSISTOR EN DC

11

 Haciendo uso de la herramienta se simulacin PROTEUS,

calculamos los siguientes parmetros:
V RC = 3.73 v
V = 0.56 v

V CE = 4.7 v
P = 90%(100k) = 9

Como podemos apreciar

V CE = 4.7 v entonces podemos

asegurar que el transistor est trabajando en Zona activa.

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 A continuacin calcularemos la corriente de Colector y la

Corriente de Emisor usando la Ley de Ohm, luego hallaremos la
corriente de Base.
IC =

V RC 3.73
=
RC 2.2 K

I C =1.6954 mA

I E=

V 0.56
=
=1.19 mA
R E 330

I E =1.6969mA

I B=I E I C
I B=0.00151 mA

Ahora calculamos
h FE=

=h FE

I C 1.6969
=
I B 1.6954

h FE=1.19 mA

13

2.2 ANALISIS EN AC GANANCIA DE TENSIN

Para el circuito mostrado, solo se aument los condensadores y

la fuente generadora de onda.
Se ajust el Osciloscopio a posicin 0 en Canal A y posicin 0 en
Canal B de manera que tengamos la siguiente grfica:

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 Luego por separado graficamos cada grafica con su respectiva

escala de modo conveniente.

1. Para el voltaje de entrada

Vi

V i p p=( cuadros verticales )( escala )=52.08 mV

V i p p=0.0104 V

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2. Para el voltaje de entrada

V0

V i p p=( cuadros verticales )( escala )=1160.42 mV

V 0 p p=0.66462 V

Clculo de la amplitud
V 0 p p 0.66462
A v=
=
V i p p
0.0104
A v =63.9
A v ( dB ) =20 log ( A v )
A v ( dB ) =36.11 dB

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 Desconectamos el generador de ondas, luego ajustamos el

potencimetro hasta obtener V CE = 2.5 v , para nuestro

caso un valor aproximado

V CE

= 2.76 v

Luego volvemos a conectar el generador de ondas y simulamos

obteniendo los siguientes resultados.

17

 Luego Graficamos por separado con su respectiva escala de

modo conveniente.
1. Para el voltaje de entrada

Vi

V i p p=( cuadros verticales )( escala )=52.08 mV

V i p p=0.0104 V

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2. Para el voltaje de entrada

V0

V i p p=( cuadros verticales )( escala )=1560.42mV

V 0 p p=0.9063 V
Clculo de la amplitud
V 0 p p 0.9063
A v=
=
V i p p
0.0104
A v =87.144
A v ( dB ) =20 log ( A v )

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A v ( dB ) =38.8 dB

3. BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos Boylestad-Dcima Edicin
http://www.rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/parametrostrans.html
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

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