SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA

SISTEMA INTEGRADO DE GESTIN

Procedimiento Ejecucin de la Formacin Profesional
Integral
GUA DE APRENDIZAJE

Versin: 02
Cdigo: GFPI-F-019

GUA DE APRENDIZAJE N
1
1. IDENTIFICACIN DE LA GUIA DE APRENDIZAJE
Programa
de Cdigo: 1296409
Formacin:
Versin:
Automatizacin
Industrial
Nombre del Proyecto:
DISEO
Y
CONSTRUCCION
DE
MODULOS
DE
ENTRENAMIENTO PARA Cdigo: 657878
LA
AUTOMATIZACION
DE
PROCESOS
INDUSTRIALES.
Fase del proyecto: 1 Fundamentacin

Actividad
(es)
del
Proyecto:
Planear la
automatizacin,
el
mantenimiento
y
el
manejo
de
las
tecnologas
vigentes
incorporadas
en
la
automatizacin.

Actividad (es) de
Aprendizaje:
Reemplazar
componentes
defectuosos en
mquinas y
procesos
automatizados,
con base en los
procedimientos
establecidos en
los manuales
tcnicos de los
equipos

Resultados
Aprendizaje:

de Competencia:

Resultados
Aprendizaje:

de Competencia:

Resultados
Aprendizaje:

de Competencia:

Ambiente de
formacin
ESCENARIO
(Aula,
Laboratorio,
taller, unidad
productiva) y
elementos y
condiciones
de seguridad
industrial,
salud
ocupacional
y medio
ambiente

MATERIALES
FORMACIN
DEVOLUTI
VO
(Herramie
nta equipo)

DE
CONSUMIB
LE
(unidades
empleadas
durante el
programa)

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SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA

GUA DE APRENDIZAJE

SISTEMA INTEGRADO DE GESTIN

Proceso Gestin de la Formacin Profesional Integral
Procedimiento Ejecucin de la Formacin Profesional Integral

Versin: 02
Cdigo: GFPI-F-019

Duracin de la gua (en

horas):
6 hrs

En esta prctica analizaremos toda la teora de los transistores BJT. Aqu se lograr ver
cmo estn conformados los transistores de unin bipolar.
Primero se realizar el estudio de las caractersticas de cada uno de los transistores
utilizados en la prctica, por ejemplo, sus terminales, si son transistores NPN o PNP,
etc. Tambin se tratar muy especficamente en estos transistores BJT sus tres modos
de operacin, corte, activo y saturacin. En donde el modo de operacin de corte, las
uniones Emisor-Base, Colector-Base se encuentran polarizadas inversamente. En modo
de operacin Activo se usa principalmente como amplificador de seales. En el modo
de operacin saturacin, las uniones Emisor-Base y Colector-Base se encuentran
polarizadas inversamente y las corrientes de colector y emisor son mximas.

3. ESTRUCTURACION DIDACTICA DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

OBJETIVOS DE LA PRACTICA A DESARROLLAR:

Comprobar el funcionamiento del transistor BJT como interruptor y como amplificador
de seales pequeas en emisor comn. Realizando los clculos y experimentos
necesarios para confirmar los resultados tericos, simulando y practicos.
I.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno

de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para
amplificacin, regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin
bipolar (BJT) est formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o
dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es
2. INTRODUCCIN
producida
tanto por electrones como por huecos. La figura 1 muestra la construccin
de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo
p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se
identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo
pnp.

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La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemtico de la parte inferior de un BJT

que nos permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor),
respectivamente. Note que los terminales son los mismos para NPN y PNP. Como los
transistores BJT pueden representarse internamente como la unin de dos diodos (ver
figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos en las
prcticas anteriores.
II.

PROCEDIMIENTO

PRACTICA 1: EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

1.
2.
3.
4.

Implementar el circuito de la figura 1.

Describir que sucede cuando se pulsa el interruptor P1.
Se enciende el led rojo?
Marca con color azul la base del transistor. Entra corriente por la base del
transistor? Indica el valor de la corriente de la base. I B =

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Figura 3: Transistor 2N2222 configurado en modo interruptor

PRACTICA 2: EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
5.
6.
7.
8.

Implementar el circuito de la figura 2.

Describe que sucede cuando pulsas P1:
Se enciende el led Rojo?
Qu nivel de tensin habr en la base del transistor? Indica su valor

Figura 3: Transistor 2N2222 configurado en modo interruptor

PRACTICA 3: EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

9. Implementar el circuito de la figura 3.
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8

10.
Describe que sucede cuando cierras L1:
11.
Se enciende el led rojo?
12.
Con el multmetro, vamos a verificar el voltaje y corriente en la base del
transistor. NOTA: Recuerda que para medir corriente se debe de hacer
en serie, por tanto, debes de abrir el circuito y pegar el multmetro
previamente configurado.
13.
El voltaje de base-emisor V BE = ..V, el transistor funciona como un
interruptor cerrado.

Figura 3: Transistor 2N2222 configurado en modo interruptor

PRACTICA 4: EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

14.
15.

Implementar el circuito de la figura 4.

Describe que sucede cuando pulsas P1:

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Figura 3: Transistor 2N2222 configurado en modo Amplificador

TEORIA: El transistor est funcionando como un AMPLIFICADOR de corriente, ya que
con una pequea corriente que entra en la base (IB) logramos una corriente mucho
mayor
por
el emisor (IE) Si acercas el cursor del ratn a la base del transistor podrs ver que el
valor
de IB= 22,9 A =0,0000229 A. Si acercas el ratn al emisor del transistor veras que
IE = 2,32 mA =0,00232A que es en torno a 100 veces mayor, el transistor trabaja
como AMPLIFICADOR. Si aumentamos progresivamente el valor de la pila situada en
la base, aumentaremos la corriente del emisor de forma progresiva.
15.
Aumenta el valor de la fuente de voltaje variable situada en la base poco
a poco y mide el valor de la corriente en la base (IB) y de la corriente en el
emisor (IE). A medida que aumenta esta ltima, el led dar ms luz. Completa
esta tabla:

Voltaje de la Pila

Corriente de la Base

Corriente de la Emisor

0.8 V
1V
1.2 V
1.4 V

0.0000229 A

0.00232 A

IB

IE

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8

1.6
1.8
2.0
3.0
4.0

V
V
V
V
V
Tabla 1: Voltaje vs Corriente

Materiales
formacin
4. RECURSOS
PARAdeEL
APRENDIZAJE
Materiales de formacin
devolutivos:
(Equipos/Herramientas)

ACTIVIDADES
DEL
PROYECTO

(consumibles)

Talento Humano (Instructore

DURACI
N
(Horas)
Descripcin

Cantidad

Descripcin

Cantidad

Especialidad

TERMINOS:

Transistor de unin bipolar

Transistor NPN y PNP
Emisor
Colector
Base
Resistencia de salida
Fuente variable

5. GLOSARIO DE TERMINOS

6. REFERENTES BIBLIOGRFICOS
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8

Cant

BIBLIOGRAFIA.
DATASHEER DIODO SEMICONDUCTOR 1N4007
http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds28002.pdf
DIODOS SEMICONDUCTORES
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/diodos/lab/cur
so/curso.htm
COMPONENTES SEMICONDUCTORES
http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715326-%20PRINCIPIOS
%20DE%20ELECTRICIDAD%20Y%20ELECTRONICA.%20TOMO
%205/EXTRACTO%20DEL%20LIBRO.pdf

7. CONTROL DEL DOCUMENTO (ELABORADA POR)

Instructor: Jose Luis Ordoez Revelo

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