Tema 2 Unin PN.

Ideas del captulo 3

Samuel Lpez Ruiz

1. Unin PN
Unin entre semiconductores tipo N y tipo P.
Nd=ND-NA (concentracin neta de impurezas).

Intervienen dos procesos: Arrastre y difusin.

La difusin es debida a la diferencia de concentracin en las regiones N y
P. Esto provoca a su vez un campo elctrico que se opone a la difusin.
Difusin de electrones del tipo N al tipo P y huecos del tipo P al tipo N.
En la zona de transicin hay pocos portadores libres (zona de
vaciamiento o transicin).

2. Potencial Interno
Potencial que aparece en la zona de vaciamiento debido a la densidad de
carga y el campo elctrico.
Se puede explicar de dos maneras:
Espacialmente:

Teora de bandas: Nivel de Fermi no vara.

Se obtiene que depende de n y p:

Vbi =

KT n p nn
ln

q ni2

3. Aprox. Vaciamiento
Importante calcular, densidad de cargas, campo elctrivo y V(x).
Se consigue mediante ecuacin de Poisson.
Se hace una aproximacin para facilitar solucin:
Suposicin de que los portadores mviles son pocos en cantidad en
comparacin con los iones donadores y aceptores de la regin de
transicin.
NA>> np o pp

Zona P: Distribucin de carga= -q*NA

ND>> nn o pn .

Zona N: Distribucin de carga= q*ND

Densidad de carga =0 en las regiones masivas.

Con esto se obtiene una ecuacin para obtener el campo elctrico de

forma ms sencilla. Se obtiene una relacin muy importante:
IMPORTANTE
Na*xp=Nd*xn

La anchura de la zona de transicin (W) viene determinada por el

que est MENOS dopado.

4. Polarizacn directa o inversa.

Todo lo anterior-> Equilibrio trmico.
Si se polariza cambia el potencial de la regin de vaciamiento.
Vj=VN+VP-VA.

Polarizacin directa: Positivo Zona P

Disminuye W. Depende de VA.

Polarizacin inversa: Positivo Zona N

Aumenta W.

5. Graduada linealmente.
Para facilitar resultados.
xn=W/2
xp=W/2
6. Diodo ideal

Modos que puede circular la corriente:

J P = J P desp + J P diff = q p p qD p

p
x

En equilibrio: J P desp = J P diff

NO SON NULAS !
Polarizacin directa:
Se reduce la barrera, aumenta la difusin de huecos (huecos inyectados). En el
lado N se denominan portadores minoritarios inyectados. Incremento
exponencial. (funcin de Fermi,distribucin de portadores).
Corriente neta aumentar de forma exponencial con VA.
Componente de arrastre permanece fija.

Polarizacin inversa:
Aumenta la barrera.
Componente de difusin disminuye respecto a del equilibrio trmico.
La corriente de arrastre se mantiene.
Corriente: NEGATIVA
PEQUEA
INDEPENDIENTE DE VA
SENSIBLE A VARIACIONES DE TEMPERATURA