Instituto Tecnolgico Superior de Martnez de la

Torre
Ingeniera en Mecatrnica
5 Sem. A

Electrnica Analgica
Tema 3

Practicas Transistores
Integrantes:
Castillo Martnez Adalid Victoria
Contreras Peruyero Sergio Arturo
Daz Lpez Roberto Alan
Martnez Alarcon Katerin Itzel

Ing. Luis Alberto Madrid Hernndez

Martnez de la Torre, Ver (23/10/2016)

Introduccin
Desde la invencin del transistor en 1951 por W. Schockley la electrnica sufri avances
impresionantes que la condujeron al CI. El transistor es un dispositivo de tres terminales
capaz de amplificar seales elctricas.
Un transistor tiene tres zonas de dopaje: el emisor, la base y el colector. Es un dispositivo
npn por que tiene una zona p entres dos zonas n.

El Colector es la zona que esta dopada de forma intermedia y su tarea es recolectar la

mayor cantidad de electrones que se encuentran en la base.
La Base es la zona menos dopada y en la base se recombinan los electrones inyectados
El emisor es la zona ms grande de las tres y su tarea es inyectar la mayor cantidad de
electrones a la base y que se recombinen para llegar al colector.

Smbolo de un transistor:

El transistor de la figura anterior tiene dos uniones: una entre la base y el emisor y la otra
entre la base y el colector, por tanto el transistor es similar a dos diodos contrapuestos.
Cada diodo tiene una cada de potencial de 0.7V para Silicio a temperatura ambiente, por
eso se les denomina simplemente Diodo emisor y Diodo colector.

Curva de Salida de un Transistor

Midiendo

I C y V CE se obtienen los datos para la curva de

I C en funcin de V CE :

Zonas de Funcionamiento:
La curva exhibe cuatro zonas de funcionamiento en un transistor. La zona central donde

V CE

puede variar e

I C se mantiene casi constante es la zona ms importante del

transistor ya que representa el funcionamiento normal y se le llama zona activa, para estar
en ella hay que polarizar al diodo emisor directamente y al diodo colector inversamente.
Otra zona de funcionamiento es la zona de ruptura, el transistor nunca debe trabajar ah
ya que podra causar su destruccin o degradacin.
Despus tenemos la parte ascendente de la curva, donde

V CE

est desde 0 hasta

pocas decenas de voltios, est pendiente es la zona de saturacin, para estar en esta
zona ambos diodos tanto el de emisor y de colector estn polarizados directamente.
Finalmente otra zona inesperada es la de la parte inferior de la curva, esta es la zona de
corte donde la corriente de base es cero y existe una pequea corriente de fugas por el
colector.

Polarizacin del Transistor

Si se conectan fuentes de alimentacin a las terminales del transistor se obtienen
corrientes a travs de l y se puede saber en qu zona de funcionamiento est
trabajando.
Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector directamente obtendremos el
funcionamiento del transistor en saturacin.

Al polarizar el diodo emisor y el diodo colector inversamente el transistor funcionar en la

zona de corte.

Al polarizar directamente el diodo emisor e inversamente el diodo colector el transistor

funcionar en la zona activa.

Parmetros del Transistor

La Alfa de un transistor es una medida del cociente de la corriente de colector con
respecto a la corriente de emisor y representa que tan eficaz es el paso de esa corriente a
travs del transistor:

 CD =

IC
IE

La Beta del transistor es una medida de la ganancia que existe de la corriente de colector
con respecto a la corriente de base:

CD =

IC
IB

Hoja de Caractersticas
Estos transistores de pequea seal pueden disipar un vatio o menos, cuando se estudian
estos Dispositivos se debe comenzar por las limitaciones mximas.
Algunos parmetros son los siguientes:

Corriente de colector mxima

Potencia mxima del transistor
Ganancia de corriente

IC
PD

CD =h FE

Objetivo
En la prctica se estudiar un nuevo dispositivo semiconductor el transistor, se estudiarn
sus polarizaciones, la curva del transistor y los parmetros ms importantes del mismo
con el objeto de introducir al estudiante a predecir su funcionamiento y detectar averas en
el dispositivo.

Tema
3.1 Transistor Bipolar (BJT)

Materiales Utilizados
Fuente de alimentacin fija de 5v
Transistor npn 2N2222A con hoja de caractersticas
Resistencias de varios valores especificados en los circuitos
Multimetro Digital
Protobard
Cable AWG calibre 22 y cables dupont
Caimanes para conecciones

Desarrollo