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Aprende a cmo testear MOSFETS y las fallas tpicas

Como continuacin del artculo de quieres ser un buen tcnico en electrnica? Vamos a hablar ms a
detalle de nuestros amigos los MOSFET.
Los transistores MOSFET son muy parecidos a los transistores BJT normales, pero con la gran
diferencia que estos son ms utilizados para aplicaciones de control de voltaje mientras que los BJT
son ms para aplicaciones y control de corrientes o amplificacin. Los MOSFET son como rels que
sirven para conmutar grandes cargas y disipar lo mnimo en forma de energa calrica y estos pueden
ser conmutados con niveles lgicos o de hasta 20v. Por lo tanto, nos los vamos a encontrar en muchas
tarjetas que controlen diferentes cargas y voltajes.
Lo primero que hay que tener en cuenta antes de desoldar un MOSFET para testearlo, es que estos
estarn polarizados con resistencias, estas han de ser averiguadas y medidas como primer test.
Tanto si encontramos una resistencia en corto como si no, podemos sacar el MOSFET para
asegurarnos de que este est en correcto funcionamiento si las lecturas dentro del circuito no son
fiables. Tambin los MOSFET se destacan por tener un Zener de proteccin que mencionar ms
adelante.
Cmo testear un MOSFET?
Bien, una vez tenemos al amigo fuera del circuito lo que cualquier tcnico o ingeniero de reparacin
habr hecho a estas alturas es descargarse el datasheet del componente. A m, personalmente me
gusta hacerme mis dibujos del patillaje y de cmo estn polarizados dentro del circuito para saber
bien que es lo que estoy midiendo y darme una idea de las posibles causas.
Cuando ya tenemos localizadas las 3
patillas, ponemos nuestros multmetro
en modo diodo.

1. Conectamos la sonda negativa al Source del MOSFET.

2. Sujetamos el MOSFET sin tocar ninguna de sus
partes metlicas ni con los dedos ni con las sondas hasta nuevo aviso.
3. Sin mover la sonda negativa del surtidor y el multmetro en modo diodo,
conectamos la sonda positiva en el drenador. Aqu no deberamos estar
obteniendo ninguna lectura.
4. Ahora tocamos con la sonda positiva el "gate" durante unos segundos, y
volvemos a tocar el drenador como en el paso 3, entonces deberemos estar observando una lectura
que representa la carga de capacitancia interna del MOSFET.
5. Sin mover las sondas, podemos tocar con los dedos los terminales de surtidor y gate (o drenador
tambin, en este punto no importa) y observaremos como el transistor se descarga y no da lectura o
lo que es lo mismo lectura infinita o no conductiva.

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Este test no es 100% fiable, pero en la mayora de los casos, suficiente. Cuando los MOSFETS fallan
normalmente suelen estar cortocircuitados entre drenador y puerta. Esto puede poner la
alimentacin del drenador a travs de la resistencia de la puerta, lo cual ha podido ocasionar graves
fallas en esa seccin del circuito. Esta tambin afectar a otras puertas de MOSFETs que estn
conectados en paralelo.
Asi que si los MOSFETs estn daados comprueba todos sus conductores (resistencias de
polarizacin etc) Este hecho es probablemente la razn por la que nos encontraremos el diodo zener
que comentaba al principio conectado entre surtidor y drenador. Este zener en caso de cortocircuito
del MOSFET puede limitar que el dao se extienda.
No nos podemos dejar atrs nuestro instinto analtico y siempre debemos averiguar porque se ha
podido producir esa falla.
Por qu los MOSFETS fallan?
Hay unas cuantas causas por las que un MOSFET puede fallar, aqu menciono las razones ms
importantes.
Exceso de tensin: los MOSFETS tienen muy poca tolerancia a la sobretensin. El dao al dispositivo
puede provocarse incluso por una sobretensin de unos pocos nanosegundos. Los MOSFET han de ser
mirados con atencin en cuanto a tensiones inesperadas.
Sobrecarga de corriente prolongada: Corrientes medias/altas provocan una considerable disipacin
trmica en los MOSFET a pesar de su relativa baja impedancia. Si la corriente es muy alta y el
disipador de calor es pobre, el MOSFET puede ser destruido por el aumento de temperatura. Ten en
cuenta que MOSFETS vecinos pueden estar conectados en paralelo directamente para compartir
cargas de corriente elevadas.
Sobrecarga de corriente transitoria: Una sobrecarga de corriente muy alta, aunque de corta
duracin, pude causar daos progresivos al dispositivo con poco aumento de temperatura apreciable
antes de un fallo.
Disparo de los transistores a la vez: Si las seales de control de 2 MOSFETs opuestos se superponen
estos son activados al mismo tiempo. Esto efectivamente cortocircuita la alimentacin, este
fenmeno nuestros amigos anglosajones lo conocen cmo Shoot-through condition. Si esto ocurre el
condensador de desacoplo de la alimentacin de descarga rpidamente a travs de ambos MOSFET
cada vez que se produce una transicin de conmutacin. Esto se traduce en impulsos de corrientes
muy cortos pero muy intensos a travs de los dispositivos de conmutacin. Las posibilidades de que
shoot-through condition ocurra se reducen al mnimo dejando un tiempo muerto entre las transiciones
de conmutacin, durante el cual ningn MOSFET es activado. Esto deja un tiempo para un dispositivo
sea desactivado antes de que el contrario se active. Sabiendo esto, deberemos estar preparados para
cambiar ms de un MOSFET si estos trabajan juntos.
Exceso de voltaje en la Puerta: Si la puerta del MOSFET es conducida con una tensin demasiado
alta, el aislamiento de metal oxido interno puede llegar a ser perforado dejando el MOSFET fuera de
combate. Tensiones de entrada a la puerta de ms de +15v o +20 en algunos modelos son susceptibles
a causar daos en la puerta y hacer que el MOSFET falle. Debemos tener cuidado de dejar la puerta
libre de picos de tensin que puedan superar las tensiones de voltaje mximas para la puerta. Si esto
ocurre debemos detectar todos aquellos componentes conectados a la puerta del MOSFET para
verificar de donde proviene la falla. No sirve de nada tan solo cambiar el MOSFET, ya que
probablemente si lo hacemos as, se volver a daar prontamente o incluso en directo.
Voltaje de puerta insuficiente o activacin a medias: Los dispositivos MOSFET tan solo se usan para
conmutar grandes cantidades de voltaje porque estos son diseados para disipar el mnimo de energa
cuando estn en pleno funcionamiento. Es responsabilidad del diseador de asegurar que el MOSFET
estar lo suficientemente dimensionado para disipar el mnimo de energa durante su conduccin. Si el
MOSFET no es del todo conmutado este presentar una gran resistencia durante su conduccin lo

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cual har que se disipen grandes cantidades de energa en forma de calor. Una tensin de entre 10 y
15v en la mayora de los MOSFET garantiza el pleno encendido del dispositivo.

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Medir comprobar con un multmetro un Mosfet nuevo o usado
Un MOSFET de potencia presenta por lo general una de las dos siguientes fallas elctricas:
Entra en cortocircuito, y es tan bajo el ohmiaje que presenta que no es necesario retirarlo del
circuito para saber que se encuentra daado, para ello es necesario desconectar el cable que alimenta
la fuente de 50VDC o l fusible de dicho transistor. Esta operacin evita que al aplicar el multmetro
al transistor MOSFET nos de un falso cortocircuito por entrar a cargar los grandes capacitores de la
fuente.
Si has retirado el fusible o el cable de fuente de 50VDC, aplica el multmetro entre tierra del
amplificador, que generalmente se encuentra unido a la carcasa o disipador. Medirs valores de
resistencia muy bajos, menores a 10 ohmios (< 10 ), lo cual nos indica que el transistor MOSFET
est cortocircuitado.
El MOSFET en corto, evidentemente se ver reflejado en que los fusibles de la fuente de 50VDC se
hallan fundidos. No remplazes el fusible sin antes saber que ocasion el fundimiento del fusible. En
algunas fuentes con protecciones electrnicas de cortocircuito, se presentarn dos clases de
protecciones: El voltaje caer a cero y se encender una alarma de SOBRECORRIENTE, o el voltaje
se reducir a un valor bajo- como dos tres voltios, y la corriente se mantendr en un valor limitado
por diseo de la fuente.
La segunda clase de falla que presenta el MOSFET es una alta fuga de drenaje a fuente (Drain a
Source), lo que se traduce en una bajsima ganancia de la etapa en cuestin.
Para esto es necesario retirar el transistor MOSFET de su circuito, con mucho cuidado para no
daar las pistas del impreso.
Valores menores a 100 kilo-ohmios (< 100k ) entre drenaje y fuente sern indicio que se debe
cambiar el componente antes de que entre en cortocircuito y falle en el campo o al aire. Un MOSFET
con fugas altas (< 100k ) llevar en cascada a daarse a otros MOSFETS cuando operan en
amplificadores de alta potencia de varios MOSFETS en paralelo.
Si es posible- y aveces termina siendo necesario, se extrae el mosfet bajo prueba y se aplica el
procedimiento para probarlo como si fuera nuevo, tal como se describe a continuacin.
Cmo medir un Mosfet de cualquier tipo.
Cuando tenemos un mosfet potencia NUEVO, siempre nos entra la duda de si estar en buen estado
antes de realizar la instalacin del mismo en el amplificador, pues sucede muchas veces que el mosfet
es incorrectamente instalado- o sin las precauciones del caso, y al encender el equipo para probarlo
en dinmico, resulta que el mosfet se entra en CORTOCIRCUITO y ya no hay nada que podamos
hacer m;as que cambiarlo por uno nuevo.
Entonces con MOSFET NUEVO, debemos tener primero la precaucin de manipularlo correctamente:
esto es cuidar que no se dae por descargas de electricidad esttica que se hayan acumulado en
nuestro cuerpo y fcilmente pueden perforar la compuerta-fuente del mosfet.
Para evitar tal dao es necesario usar una pulsera antiesttica atada a nuestra mueca mientras que
el otro extremo de la pulsera- el del lagarto, se conecta a la estructura metlica de nuestra mesa o a
la estructura metlica de la habitacin donde nos encontramos, haciendo esto descargamos la
electricidad esttica.
Luego si podemos con seguridad manipular el mosfet y hacer cualquier prueba.

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Ahora debemos tener un multmetro en funcin OHMETRO, con suficiente tensin en circuito abierto
como para "activar" la compuerta del mosfet, en palabras simples LA TENSIN DEL HMETRO EN
CIRCUITO ABIERTO DEBER SER MAYOR A 3.0 VOLTIOS, esto tiene que ver mucho Cmo se
polariza un mosfet.
Se mide la resistencia entre drenaje y y fuente y debe dar un valor superior a 1 Megaohmio, en
algunos mosfets puede llegar a 10 Megaohmios ms.
Se podr notar con la funcin diodo que existe un diodo en paralelo entre la juntura drenaje-fuente,
con el ctodo hacia el drenaje, este diodo proteje al mosfet de los voltajes inversos.
Se aplica voltaje positivo a la compuerta: terminal negativo del hmetro a la fuente(SOURCE) y
terminal positivo del hmetro a la compuerta (GATE), debido a la muy alta impedancia entre
compuerta y fuente se mantiene la carga positiva por varios segundos lo que hace que el mosfet entre
en conduccin total, y esto se puede medir con el hmetro entre fuente y drenaje (DRAIN) con un
valor muy prximo a cero ohmios.
Para apagar el mosfet se aplica carga negativa a la compuerta- o se pueden unir la compuerta con la
fuente del mosfet usando una punta del multmetro: terminal positivo a la fuente y terminal negativo
a la compuerta, as se apaga el mosfet, cosa que se puede comprobar midiendo una muy alta
resistencia entre fuente y drenaje.
(transistor de efecto de campo) , es uno de los componentes mas utilizados en la electrnica
moderna, se le puede ver usualmente en fuentes conmutadas, conversores DC- DC, DC-AC etc.
Saber si un FET esta en buen estado, es muy importante en el campo de las reparaciones, ya que de lo
contrario se tendran muchos inconvenientes para detectar fallas en los circuitos.
La mayora de los circuitos integrados digitales, estn construidos en base a transistores FET, lo que
los hace ms veloces y eficientes, ya que consumen menos corriente y pueden operar con voltajes muy
bajos.
Algunos de estos circuitos integrados pueden funcionar hasta con menos de 1vdc.
Obviamente los transistores FET de nuestro inters, son los que conforman un solo componente
electrnico.
Existen diferentes tipos de transistores FET, los cuales son utilizados en diferentes clases de
circuitos. Los tipos de transistores FET ms comunes, suelen ser los siguientes:
- JFET (Fet de union)
- MOSFET ( Fet de metal oxido)
Pero el tipo de FET que ms encontraras es el MOSFET. Y al igual que los transistores bipolares, el
FET puede ser positivo (Fet de canal P) o negativo (Fet de canal N), adems sus terminales reciben
otras definiciones, como:
- Gate (compuerta) equivalente a la base.
- Drain (drenador) equivalente al colector.
- Source (surtidor) equivalente al emisor.
A diferencia con el transistor bipolar, el transistor FET tiene la compuerta (base) aislada de la
juntura Drenador Surtidor, lo que hace que el FET tenga una entrada de alta impedancia, casi
infinita.

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Esta caracterstica hace que el FET no consuma corriente desde su compuerta, solo basta con un
pequeo voltaje para saturarlo (de 0.5 a 1vdc).
La juntura Drenador Surtidor es equivalente a la juntura Colector Emisor en un transistor bipolar,
pero en el FET esta se parece mas a una resistencia que a un diodo. Esta cualidad hace que el FET
pueda ser utilizado, como un resistor controlado por voltaje, en algunos circuitos.
Prueba del transistor FET
Ahora que sabemos que es un transistor FET, podremos probar su estado con ayuda de un
multimetro analgico o digital. Los pasos para probar un transistor FET, se describen a continuacin.

1- En la funcin de diodos del multimetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del
multimetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal Source.
Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados varan segn
el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito abierto. Si la lectura es baja,
el FET esta en cortocircuito.
2 Sin retirar la punta negra del terminal Drain, colocamos la punta roja en el terminal Gate.
Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el FET presenta una fuga
o esta en cortocircuito.
3- Ahora regresamos la punta roja al terminal Source, con lo que la juntura Drain Source se activa.
Resultado de la prueba: Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de 0.82v,
debido a que el FET se enciende. Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar sus 3 terminales
por medio de un elemento metlico, as el FET regresara a su estado de reposo.

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Cmo probar transistores MOSFET
Puedes encontrar transistores MOSFET discretos en circuitos de audio, radio, energa y otros tipos
de circuitos electrnicos. Estos dispositivos usan un pequeo voltaje de entrada para controlar la
corriente. Por debajo de un umbral de voltaje de un par de voltios prcticamente no conducen la
corriente, pero despus de pasar el umbral por unos cuantos voltios conducen la corriente con fuerza.
Los MOSFETs se dividen en los tipos de canales P y N, y cada uno tiene variedades de modo
incremental y decremental. Puedes probar un MOSFET con un multmetro sencillo y una batera, pero
primero necesitars saber el tipo y modo del transistor.
1 Lee la hoja tcnica del MOSFET. Esta debe describir el tipo de transistor y su modo en la primera
pgina. Identifica los extremos fuente, drenaje y puerta del transistor en base a los diagramas de la
hoja tcnica.
2 Enciende el multmetro y configura su control de funcin para leer la resistencia. Si el medidor no
es un modelo con seleccin automtica de rango, establece el rango de la resistencia en "x100
ohmios". Si el MOSFET es de canal tipo N invierte la polaridad de las puntas para el propsito de
esta prueba.
3 Conecta el clip de conexin a tierra de la muequera en una toma de tierra slida, como un conducto
elctrico o la tierra del chasis de un equipo. Desliza la correa en tu muequera.
4 Toca el extremo fuente del transistor con la punta roja del multmetro y la punta negra en el
extremo puerta. Debes leer una resistencia infinita en el medidor.
5 Coloca el puente de alambre en los extremos puerta y fuente del transistor. Toca el extremo
fuente del transistor con la punta roja del multmetro y el extremo de drenaje con la punta negra. Si
se trata de un transistor decremental podrs leer desde unos cuantos hasta un par de cientos de
ohmios. Desconecta el puente de alambre.
6 Conecta la batera de 9 voltios en el clip para batera. Si tienes un MOSFET canal P, conecta el
cable positivo del clip de la batera en el extremo fuente del transistor y el cable negativo al extremo
puerta. Si el transistor es canal N, conecta el negativo al extremo fuente y el positivo en el de
puerta.
7 Toca el extremo fuente del transistor con la punta roja del medidor y el extremo de drenaje con la
punta negra. Un dispositivo incremental dar una lectura de resistencia de unos cuantos ohmios o
menos, mientras que uno decremental dar como resultado lecturas de cantidades muy altas o
infinitas de ohmios.
8 Desecha el transistor si fall en alguna de las pruebas anteriores.

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Comprobacin de mosfet, foros de electronica.

Te explico mi mtodo:
Los de canal N (Por ejemplo el IRF540):
Se coge una pila o una fuente cualquiera de ms de 8V. Se unen Gate y Drain y de esa unin se
conecta una resistencia de 1k. El otro extremo de la resistencia, se conecta al + de la pila. El source
del mosfet se conecta al menos de la pila. Ahora se agarra el tester y se mide voltaje entre Source y
Drain (o Gate, al fin y al cabo estn unidos ahora). La lectura debe marcar entre 3 y 4 voltios que es
la tensin de estrangulamiento. Si marca 0V o valores muy altos como 8 o 9, est muerto.
Si marca menos de 3 y ms de uno...hummm.
Para los de canal P (Por ejemplo el IRF9540):
Es exactamente lo mismo, se unen las mismas patas, pero esta vez se invierte la pila, de manera que el
+ de la pila vaya al Source.
OTRO MTODO COMPLEMENTARIO.
Con el tester en modo de Diodos, si entre dos o las tres patas hay continuidad, est muerto.
Para los de Canal N:
Con el tester en modo continuidad, apoyo la punta negra del tester en el Source y la dejo ah. Con la
punta roja, le doy un toque al Drain y luego otro toque al Gate y luego regreso al Drain y la dejo
apoyada ah. La lectura deber dar un valor de varios nmeros, pero distinto a cero. Quiz vaya
subiendo.
Para volver a chequiar, debo cortocircuitar G y D y repetir el procedimiento.
Para los de Canal P:
Exactamente igual, salvo que invierto las puntas del tester.