he= Bro Me= Bar Nv =fo B= Polarizacion fj en CE emisorcomain) 2= Bre 2 = Re A= ra A Ro B Polarzacion por medio del divisor de vote: Z=RIRIBr, Z = Re %= PBR. 2 = Re Re BR Emisor soguidor: Z=PlBRe 2 Am Z,= Re A= ol Realimentaciéa del calecior:Realimentaci6n del colector: Z = Rde Realimentacién de ed del colector: Z=RelBr. 2, = RelRe, Re Z, mgt ge Efecto de la impedancia de carga: ne Ay, VR, +R Ay Efecto de la impedancia de la fuente: RVs 1, "RR Efecto combinado de la carga ¢ impedancia de la fuente: Vo Ry Ye _ ORConexién Cascode: A= AAy Conexién Darlington (con R,): Bo= Bibs oR = RAMP), A =~ a Conexion Daington (sR: = RIB, + Bia) a, = BiB donde Z} = Bx(ry + Bare) . _¥y _ BiBsRe = Rd, A= 7t= Par de realimentacién: WR; Z,= RelPBaRe Ai mee Bb A =I ECUACIONES SIGNIFICATIVAS 1 Diodos semiconductors W= QV, eV = 16 X 10°, Ip = 1 (e™*"'~ 1, ¥e= II. Te = To + 28, E = 188 x 102K, Ve = O7V (6), Ve = O3V(Ge), Ve = 12V (Gaks), Ry = Vella ta = 2600V loon = AVG Malena Po = VolboTe = (A¥2/¥a\(T, ~ 1) X tower 2 Aplicaonesdeldiodo Silico: Vj = 0.7, germuno: Vg = 03V,GaAs: Vy = 12Vsmedinonde: Vig = 0318V,5 onda comple: V,, = 06360, 3) Transioresde niin bipolar Je = [c+ Ip Le= Uses * ganna le = lear = 07 = lle fe = ale + bw, (4 = Sle/Al-kxo = Iexo(t ~ a), Ba = lela Ba = Ale/ Bln. = BIB 1),B = af ~ a), fe= Bla r= (B+ la Pease = Vale 4 Polurizacién deed dekes BJT En general: Vee = 0.7 Vsdc = le, fe = Blo: polarizacion fig: ly = (Voc ~ Vae)/ReVer = Voc ~ tcRe. 1. = Vee Re, esabilizado poe emir Ip = (Ver ~ Vie Rp + (B-+ 1)R9).R: = (B + 1)Re Ver = Vr ~ le(Re + Reb 1g ~ Vege + Ry) dina de vole era: Ry = RR, Ep, ~ Rech + Bly = (En VB + (B + 19) Vex = Voo~ le + Ry) apron: y= 108 Ny = Rel (Ry + Ree = Ve — Vande = fe = Vecelimeis evo: Te= (Voc Vie}/(Re + (Re + Re))s base comin: Iy = (Vee ~ Vne)/ Re transstores de coumutscia: txmass= 1, + istggats= be * I cesta: 5) = Mc/ Mes polariacin ij: S( Feo) = 6 + |: plaizacién deenisoe: S{lco) = (B+ 1K + RalRe\{l + B + ReRe): Aivisor de voltaje S(Fng) = (8 + 1X + Ry/ReYU + f+ Ry/Ry)spoleiascisn por ralimentscisa: S\lpp) = (+ 1X1 + RylRe}{l + B+ Rafe). (ig) = Ae) polio ip: 5Vg) = ~B/ platzcon de emo: SV) = ~BY/(Ry + (B + Ry) vind vou: Sg) = ~B/ (Ra + (B+ Re: plz poe raiment: S(Vae) = ~AURs + (B + 1)Re)S(B) = Allport: (8) = lB poland emir: SB) = UL + Ryle)/(ilt + Ba * Rye) dvirde wohageS(B) = (0 + Ba/Re)/(Bi(l + B+ Roe) poliacién por weaken 5(B) = e+ Ry/Re\/( Bi +B, + Ral), Me = Slr) Ml + SUV) Max + SB) 8B5) Andlisisdecadeun BJT 7, = 26 miV/Ip; CE polarizacién fija: Z; = Br.,Z, = ReoyAy = —Re/re polarizacién de divisor de voltaje: Z; = Ry RIBr., ~Rejrs CE plaizacioa de enor: Z, = RGR, = RoA, = ~Re(Rsemivorseuier:Z, = RylBRe Z, = 12, = Is & Rulr, Z, = RoA, = Role; realimentscién del colecte: Z, = r,j(1/B + Re/Ry).Z, = RelRp A, = ~Rolrsreaimentacién de Br, = RelA, = ~(Rp[ Re)rzefeco del inpedancia decarg: 4 = RA, AR + R)eA;= ~AZR eft dels impeania dela fuente V, = RV(R; + Re) A, = RAy (+R). 1, = WR + Ref combina dea cag yl impedancia de fume: A, = Re /(R, + Ry) A, = (RAB, + R))CR/(R, +R) A= ~ALR/Ry A, = “A(R, + RRs cxsds A, = AA, conerion de Dung: y= Bis onfiguaconen emis seguir p= (Vc ~ Ve}/(Re + Bae) Te= Te = Bolo = RAB BR A= BoRy(Re + BORDA, = 1,2, = r/B + rsconfigucn de amplfeaer bic 7; = RIURIZ|, Zi = Bilt + Bata) Ai = Bo(RiIRa)/(RiURs + Z'),4y = BoRc{ ZZ, = Retr: par de reaimentacisn: ly = (Voc ~ Vuz)/(Re + BiB:Rc), Z.= RAD! = Bite + BIBRA, = ~B\BRa(Re * BIBRA, = BRC + BRE) = WZ, = rl Vos = Vp (1 — Vola) fo = Hal (i Vos = Vif?) (Vas ~ Va) = Ioemenia (Ves ecmsn) ~ Va}? 6 Tramistores defacto decampo [; =A. Ip = last ~ VelVpFlo Tp = Ingsl2 {8 Vos = 03 Vp). Pp = Vaslns ty = Tal(1 — Vag! Vp)’: MOSFET: 7 Polarizaciin delos FET. Poltzacin i: Vos = ~Ves, Vas = Voo ~ Ios utpolasizscién: Vos = ~IoR, Vas = Voo~ In(Rs + Rol, Vs = Ip: visor de vita: Vg = RV (Ry + Ba) Ves = Ve — loRs Vox = Vou ~ ll Rp + Ro; configuraccn en compacta comin: Ves = Vis ~ IRs, Vas = Voo + Vss ~ lly + Rs)scaspespecil: Ves, = OVI, = Joss Vas = Vow ~ JoRo Vo = Vas, ¥s = 0 V, MOSFET tipo eariquecimiente: Ip = K(Ves ~ Ves)? = Inna {Vexecasin) ~ Ves) polarizacin pr realimensacion: Vos = Ves Vs = Voo ~ laos divisor devote: Vz = RyVoo/(R, + Ry), Ves = Vg ~ HRs curva univesak m = Wpl/ locks M = mx VellVelVe = RVaa/(R, + R:) 8 Amplifcadorescon FET 2, AVpa/Molc-anane’ olaizscién fj: Z; = Ro, (Sinn? = RZ = pA, = ~_ all + eR): evo vobe: 2, = R Ry 2, = A.= ~egsfew epi Z,= Bes, = RallftwA, = Beil + gy); compue comin: Z,= Rw Z, = Ro A, = Ry; MOSFET tip nique {a= 24(Vag ~ Vesr):Sonfiguracion por eaimentacin del dena: Z; = Ry[ + Qala) Zo = Rovdy = ~gefuspolizacién por eo det divisor devalije: Z = RR, Z, = Rod, = ~geRo Us| Wol 2a = Saal! ~ Vas!Vel Ba = ar Vln te9 Respuesiaen iecuendia de ransbtores RJT y FET log.a = 2 Slog lag! = 0, logy/6 = logy ~ logy. logl/# = “logy, logyab = Ingo + lngiob, Ga = 10logioPy/Pi, atm = 1Ology Pa/1 When, Gan = 200g Va/V, Ga, = Gay, + Gan, + + Gan, Pag, = OSP,_ BW = f, ~ baja frecuencia f, = 1/2m(R, + RG fig = Y2r1R, + RCo fig = W2aR.Ce R= RA(RB + 1), RR La FET: fi, = W2m (Rag + RICo Sig = W2m(R, + Ri)Ces fy = YPaRC, Reg = Rell galra = © M1); efecto Miller: Cy, = (1 ~ 4,)G,.Gy, = (1 ~ 1/A,)Gs alta frecuencia (BIT): fu, = 1/2Re,.C Ry, = RARIRIRS G = Cy + Ge + (UA) Coe fy 2m Bacitd Ce + Cr) Sr = Boul ET: fa = ia, Co Ro, = Roll nC. = Cy, + Co * Cu Cay = (1 ~ 1/A,)Cyimatipes eapas f= fV2 V7 — ifs prueba de onda cunceada: fy, = 0.35/t, % Incliacia = P= ((V ~ V/V] x 100%, j, = (fn) 10 Amplificadores operacionales § CMRR = Ay/A,; CMRR(log) = 20 logio(Ag/Ac|; Muliplicador de ganaucia constante; Vo/V\ = —Ry/Ri: ‘amplificador no inversor: Vo/¥; = 1 + Ry/Ry seguidor unitario: ¥, = Vs; amplificador sumador: V, = ~[(Ry/'R: Vs + (Rg/Rs)¥2 + (Ry/Rs)Vs Aimgrado: v(t) = ~ (1/R,C) rat 11 Aplexiooesdamplclocopéracoahl kip enc cgnaue: = hoo iva: A= 1+ aude vba Vs = =[UR/R)M, + /M, + (BR) fl av pasa = f2n8C lr sto pss fy = 1BeRC, 12 Amplifcadoresdepotencia Entrada de potencia: P; = Vorlog Salida de ptencia:P, = Veale = IeRe = VielRems = Veale? = (BP\Rc= Vale) pico = Veale!8 = (I8)Rc = Vix/(8Rc) pico pico ficenca: Gx = (P,/P.) * 100;efiiencia msi: Case A, alimentado en serie = 28; tansformador zoplado clase A = S04 push-pull clase B=78.56;relacién de ransformaci: V/V = Ny/N = {Na/M1)R; slidade potent: P, = [ [Verges ~ Verma) (leg, ~ Kg )/8 ampli de potensiaclaseB:P, = Vf(2/= Vg Pe = Vic /(2R}%m = (9/4) Vion Ver] % 1008; Py = Pao/2= (P, ~ Ps Pomixima = Véq/2Ry; Prrdvima = 2Vbn|aRys Pry maxima = 2V F/R, ede disrsén arménica ‘total (THD) = VD} + D+ Dp + --- 108M; disipador de calor: T; = PyDyy + Ty,8y = 40°C!W (aie lore); Py= (Ty ~ Tre * Bes * Ba)