ELECTRNICA ANALGICA

Docente: Xavier Serrano

Materiales Semiconductores
Conductores : Permite el flujo generoso de carga

cuando una fuente de voltaje es aplicada a sus

terminales
Aislantes / Dielectrico: Presenta un nivel muy inferior

de conductividad al estar en presencia de una fuente

de voltaje aplicada a sus terminales
SEMICONDUCTOR: Posee un nivel de conductividad

intermedio entre los conductores y dielectricos

Materiales Semiconductores:
Silicio - Germanio
Alta pureza (1:1x106)
Impurezas Cambio de conductividad (dopado)
Atomos en patron bien definido (cristal), Material

monocristal

Estructuras Atomicas y Enlace Covalente

Atomos tetravalentes
Potencial de ionizacion

Caracteristicas
Materiales Intrinsecos - Portadores Intrinsecos
1.5x1010 /cm3 Silicio
2.5x1013 /cm3 Germanio

Un incremento en la temperatura del material

puede causar un aumento sustancial en la cantidad

de electrones libres del mismo.
El germanio y el silicio presentan una reduccin de
resistencia al aumento de Temperatura

Niveles de Energia
+ Distacia del nucleo Mayor estado de energia

 W=QV [eV]

W=QV = (1.6x10-19 C) (1v)

W=QV = 1.6x10-19 J
Si

aadimos impurezas a los materiales

semiconductores intrnsecos, aparecen estados
de energa en las bandas prohibidas que reducen
Eg.

Materiales tipo P y tipo N

Concepto.- Material extrnseco es un
semiconductor en el que se aaden tomos
de impureza (dopado).

Impureza de Boro en un material tipo p

(Generacin de un hueco)

Impureza de Antimonio en un material

tipo n (Generacin de un electrn libre)

 En un material tipo N, el electrn se denomina portador

mayoritario y el hueco portador minoritario

En el material tipo P, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario

Portadores mayoritarios y
minoritarios

En un material de tipo n, el electrn se denomina portador mayoritario y

el hueco, portador minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn es
el portador minoritario.

Diodo Semiconductor
El diodo es la unin de un material tipo n y un tipo p.
Los electrones y los huecos en la regin unin (regin

agotamiento) se combinan y como consecuencia,

originando una carencia de portadores en la regin
cercana a la unin.

Polarizacin Inversa
El nmero de iones positivos en la regin de empobrecimiento del material
tipo n se incrementa debido a que los electrones libres son atrados por el

potencial positivo. De la misma manera pasa en el material tipo p.

Resultado: Barrera grande flujo de portadores se reduce a cero.

Polarizacin Directa
Reduccin considerable de la zona de agotamiento

intenso flujo de portadores mayoritarios.

Is = Corriente de Saturacion Inversa
k = 11600/n, con n=1 para Ge y n=2
para Si en niveles relativamente bajos
de corriente (bajo el punto de inflexin
de la curva), y n=1 para Si y Ge, para
la seccion de rapido crecimiento de la
curva
.
Tk=Tc + 273
VD = Voltaje aplicado al diodo.

Polarizacin Directa
Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las
caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden
definir mediante la siguiente ecuacin, conocida como ecuacin de
Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa:

Polarizacin Directa

Caractersticas del diodo de silicio

La direccin definida de la
corriente convencional en
la regin de voltaje positivo
corresponde a la punta de
flecha del smbolo de diodo.

Comparacin de diodos de Ge, Si y

GaAs (Arseniuro de Galio).

Variacin de las caractersticas del

diodo de Si con la temperatura
En la regin de polarizacin
en directa las caractersticas
de un diodo de silicio se
desplazan a la izquierda a
razn de 2.5 mV por grado
centgrado de incremento de
temperatura
En la regin de polarizacin
en inversa la corriente de
saturacin en inversa de un
diodo de silicio se duplica
por cada 10C de aumento de
la temperatura.

DIODO IDEAL

Las caractersticas de un diodo ideal son las siguientes:

Permite la conduccin de corriente en una sola direccin.
Representa un circuito cerrado en la regin de conduccin
Representa un circuito abierto en la regin de no conduccin

DIODO IDEAL
Circuito Cerrado

R D = VD / ID = 0 / (2, 3 n) = 0
Circuito Abierto
R D = VD / ID = (2, 3 . n) / 0 = Infinito

Comportamiento del diodo en cc y

ca

DIODO REAL
Parmetros del diodo
Tensin umbral
Es la tensin a la que la barrera de potencial
desaparece y el diodo empieza a conducir, desde
esta tensin en la curva del diodo se observan
grandes incrementos de corriente para pequeos
incrementos de tensin.
Corriente directa mxima (Imax)
Mxima intensidad de corriente que puede
conducir el diodo sin destruirse.
Corriente inversa de saturacin (Is)
Es la pequea corriente establecida al polarizar
inversamente el diodo, debido a la formacin de
pares electrn hueco debido a la temperatura.

Tensin de ruptura
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto de avalancha.
Potencia disipada
Mxima potencia que puede disipar un diodo en
condiciones normales de operacin.

Circuitos Equivalentes para Diodos

Notacin de diodos
semiconductores

El nodo se asocia con el potencial mayor (positivo)

El ctodo con la terminal con el potencial menor (negativo)

Pruebas de diodos
Comprobar el estado mediante un multmetro digital usando:

La funcin de verificacin de diodos

Pruebas de diodos
La funcin de hmetro

La resistencia en polarizacin directa de un

diodo semiconductor es muy baja en
relacin con el nivel de polarizacin inversa.
Para el caso de polarizacin inversa, la
lectura aparecer muy alta.
Si la lectura muestra un nivel alto de
resistencia en ambas direcciones, se trata de
un dispositivo defectuoso (conexin abierta)
Si la lectura muestra un nivel muy bajo de
resistencia en ambas direcciones, indica que
el dispositivo est en cortocircuito.

Referencias
Robert L. Boylestad_ Louis Nashelsky-Electrnica_

Teora de Circuitos y Dispositivos ElectrnicosPrentice Hall (2009)