L

a mayora de los
ingenieros
de
microondas
entrenados en el arte
de la electrnica de
estado slido han tenido poca o
nulaexposicinalafsicabsicay
principios de operacin de la
tecnologa moderna de la
electrnica de vaco. Como
consecuencia, muchos no pueden
apreciarlacapacidad,eficienciay
confiabilidad de esta notable y
duradera tecnologa, y no
aprovechan sus ventajas como
una solucin efectiva en costos y
paraaplicacionesdealtapotencia
cuando toman decisiones a nivel
de sistema. El objetivo de este
artculo es cerrar parcialmente
esta brecha. No est pensado
como un tutorial en el asunto;
haylibrosdetextodisponiblesparatalefecto[1],[2].Msbien,tienedospropsitos:Proveerallectorunavista
generaldelacapacidadactualdelestadodelarteydarleaconocerlastendenciasdeinvestigacinparaelfuturo
cercano. Ms informacin, y con mayor profundidad, se puede encontrar en [3], que contiene una excelente
coleccindeartculosderevisinenfocadosaampliosaspectosdelacienciaytecnologadelaelectrnicadevaco.

AmplificadoresdeTubos
deVaco

JoeX,Qiu,BaruchLevush,JohnPasour,AllenKatz,
CarterM.Armstrong,David.R.Whaley,JackTucek,
KennethKreischer,yDavidGallagher

TraduccinporRobertoS.MurphyArteaga,INAOE,Tonantzintla,Puebla,Mxico

_____________________________________________
JoeX.Qiu(joe.qiu@arl.army.mil)estenelArmyResearchLaboratory,Adelphi,MD20783.BaruchLevushyJohnPastorestn
conelNavalResearchLaboratory,Washington,DC20375.AllenKatzesprofesordelDepartamentodeIngenieraElctricay
ComputacindelCollegeofNewJersey,yeselpresidentedeLinearizerTechnology,Inc.,Hamilton,NuevaJersey08619.Carter
M.ArmstrongyDavidR.WhaleyestnenlaDivisindeDispositivosElectrnicos,L3Communications,SanCarlos,California
94070.JackTucek,KennethKreischer,yDavidGallagherestnenNorthropGrummanCorporation,RollingMeadows,Illinois
60008.

IEEEmicrowave

magazine38

Diciembre2009

paramtrico
de
La tecnologa electrnica de de
sistemas
electrnicos
al
espacio
vaco es a la vez nueva y
aeja; su legado es
impresionante
y
bien
conocido. Sin embargo, se
estn alcanzando niveles
sorprendentes de desempeo
y
confiabilidad
con
innovaciones modernas que
explotan nuevos materiales,
estructuras
electromagn
ticas, tcnicas de fabricacin
y diseos. La tecnologa de
electrnicadevacohasido,y
continuar
siendo,
la
tecnologaquepermiteclases
enteras de amplificadores de
alta
potencia
y
alta
frecuencia, con las ms
estrictas especificaciones de
uso tanto para sistemas
militares como comerciales.

Estos fuertes requisitos estn Figura 1. Aplicaciones para los amplificadores de alta potencia en funcin de
llevando firmemente a los potenciapromediocontrafrecuencia.
diseadores de sistema elec
trnicosalespacioparamtricodefrecuencia/potencia
helicoidales de onda viajera (TWTs1) ha visto una
queeseldominionaturaldelatecnologaelectrnica
mejoradetresrdenesdemagnitudenlosltimos50
de vaco. Adems de una gran variedad
aos, y se prepara para mayor crecimiento con
de aplicaciones militares y comerciales que requieren
innovaciones frecuentes, como son el uso de varillas
dealtapotenciayaltafrecuencia,losamplificadoresy
desoporteyvarillasdesoportepordepsitoqumico
osciladores electrnicos de vaco (EV) se usan en
enfasevapor(CVD2)dediamanteparaunaremocin
decalormseficiente[7].
campos de la investigacin cientfica como en los

aceleradores de partculas de altas energas y en el

calentamiento de plasmas para fusin termonuclear
controlada. Tambin son ampliamente usados en
muchos sistemas mdicos, como son los generadores
de radiofrecuencia (RF) compactos, y ms
recientemente, en espectrmetros magnticos
nucleares para experimentos de polarizacin nuclear
dinmica [4]. Los sistemas comerciales de
comunicacin satelital, difusin, y hornos de
microondas para uso industrial y domstico, tambin
dependen fuertemente de dispositivos de vaco para
su desempeo confiable en altas potencias, con alta
eficiencia y bajo costo. Slo los dispositivos
electrnicosdevacopuedencumplirmuchosdeestos
fuertesrequisitos[5],[6].LaFigura1muestraelrango
depotenciayfrecuenciaparaaplicacionesclave.
Lafigurademrito,Pf2,capturalahabilidaddeun
dispositivo para generar potencia en RF, en la cual P
es la potencia promedio y f es la frecuencia de

operacin. La Figura 2 muestra el progreso continuo

Figura2.SietedcadasdeprogresoenPf2paravarios
enPf2quevariostiposdedispositivoselectrnicosde
tiposdeamplificadoresdepotencia.
vaco han alcanzado. Por ejemplo, Pf2 para tubos

Diciembre2009

39IEEEmicrowave magazine

La mayora de los ingenieros de

microondas no pueden apreciar las
capacidades, eficiencia y confiabilidad de
la tecnologa electrnica de vaco.

En las ltimas dcadas se han logrado mejoras

importantes en la confiabilidad de los amplificadores
electrnicosdevaco.Lavidamediadeoperacinde
losprincipalestiposdeamplificadoreselectrnicosde

Figura 3. Dominio de desempeo para las distintas

tecnologasdealtapotencia:Tubosdeondaviajera(TWTs)
incluyendotiposhelicoidesycavidadesresonantes,mdulos
de potencia de microondas (un hbrido de estado slido y
TWTs), y amplificadores de potencia de estado slido.
Tambin se muestra la tendencia comn de desarrollo:
mayorpotenciaymsaltafrecuencia.

Figura 4. La figura de mrito Pf2 (f/f) para algunos

amplificadores de potencia en ondas milimtricas,
incluyendo el amplificador de vlvulas de onda viajera
(TWT), mdulo de potencia de ondas milimtricas
(MMPM3), klistrn, y amplificador de potencia de estado
slido(SSPA4).

vaco, siempre substanciosa, es ahora notable. Por

ejemplo, las aplicaciones espaciales requieren vidas
IEEEmicrowave

magazine40

mediasdeserviciodemsde150,000horas(18aos);
los datos actuales para amplificadores de tubos de
onda viajera para aplicaciones espaciales (TWTAs)
muestran una vida media para fallo de 8 millones de
horas [8]. Estas mejoras en la confiabilidad han
llevado a reducciones importantes en los costos de
operacindemuchossistemas.
Mientras tanto, los amplificadores de potencia de
estado slido (SSPAs) han mejorado tambin a
grandespasossucapacidad,teniendocadavezmayor
potencia de salida y mayores frecuencias de
operacin, e implacablemente invadiendo el dominio
tradicionaldedesempeodelatecnologaelectrnica
de vaco [9] (Figura 3). Estas mejoras han sido
posiblesporlosavancesenlosdispositivosbasadosen
materiales semiconductores de banda prohibida
grande(GaN),ascomoentcnicasdecombinacinde
potencia ms eficientes [10], [11]. Como resultado,la
ventaja en potencia de los amplificadores basados en
tubos sobre los SSPAs ya no es obvia en frecuencias
bajasdemicroondas,aunquesiguenteniendomejores
eficienciasquelosSSPAs.Enrespuestaalosretosyla
demanda del mercado, la ltima dcada ha visto
esfuerzos importantes por la industria de la EV para
desarrollar dispositivos con mayor potencia y mayor
anchodebandaenlabandamilimtrica.Msde1kW
de potencia en la banda milimtrica puede ser ahora
provista con alta eficiencia y en un paquete
relativamentepequeo[12].
La necesidad de mayor potencia de seal para
alcanzar las razones seal a ruido requeridas para
transmisionesalargasdistanciasyampliosanchosde
banda de seal (que a su vez requiere de ms altas
frecuencias de operacin) para acomodar volmenes
masivos de datos, es comn para aplicaciones tanto
militares como comerciales. Para medir la habilidad
de los dispositivos para transmitir informacin, la
figura de mrito Pf2(f/f), donde (f/f) es el ancho de
banda fraccional instantneo de un amplificador, se
grafica en la Figura 4 para un nmero de
amplificadoresaosobre30GHz.Laaltanotade100
kW GHz2 es alcanzada por un tubo helicoidal (TWT)
con un imn permanente peridico para enfocar el
haz. Hoy en da, cerca de 1 kW GHz2 puede ser
alcanzadoporunSSPAde35GHz.Elvalormsalto,
cerca de 500 kW GHz2, para dispositivos de enfoque
de solenoide, se debe a su habilidad de transmitir
mayor corriente que los dispositivos con imanes
permanentes peridicos. Sin embargo, los imanes
solenoidessonvoluminososypesados,yrequierende
una fuente de poder aparte, adems de enfriamiento.
Como se comentar ms adelante, los esfuerzos de
investigacinactualesseconcentranenelusodehaces
espacialmente distribuidos, como es el haz laminar,
quepermitiranalcanzarmsde500kWGHz2conun
imnpermanentemspequeo.
Diciembre2009

 Enseguida presentaremos una breve vista general

delosamplificadoresdetuboscomnmenteusadosen
transmisoresdealtapotencia.Sloseanalizarntres
tiposdedispositivos[TWTs,incluyendohelicoidalesy
detipodecavidadacoplada,mdulosdepotenciade
microondas(MPMs5),yklistrones],haciendohincapi
en los avances recientes en la banda milimtrica.
Referencias sobre otros dispositivos de vaco se
pueden encontrar en las mltiples memorias tcnicas
de la IEEE International Vacuum Electronics Conference,
ascomoenlosejemplaresespecialessobreelectrnica
de vaco de la revista IEEE Transactions on Electron
Devices. Estas publicaciones contienen una cantidad
significativadeartculosdepasescomoRusia,China,
Francia,Japn,CoreadelSur,ItaliayelReinoUnido.

EstadoActualdelosTWTAs6
En el diseo de transmisores de alta potencia para
aplicaciones areas, espaciales y mviles, se hace un
fuertehincapienminimizarelconsumodepotencia,
el voltaje aplicado, tamao y peso de los
amplificadores. Para estas aplicaciones, para las
cuales el ancho de banda instantneo tambin es un
requisito,lamejorseleccinsonlosTWTs,helicoidales
ydecavidadacoplada.
Las principales razones de la continuada
dependenciaenamplificadoresdeelectrnicadevaco
como son los TWTAs para aplicaciones de
transpondedoresespacialesyenterminalesterrestres,
sonlaaltapotenciadesalidaylaaltaeficienciadelos
TWTAs. Los valores de potencia disponible tpicos
para comunicaciones satelitales comerciales de
TWTAs y SSPA se comparan en la Figura 5. La
ventajaenpotenciadelosTWTAssobrelosSSPAses
significativa,especialmenteenlasbandasdemsalta
frecuencia. Por otro lado, en las bandas de baja
frecuencia, el manejo de potencia de los TWTAs es
retado por los SSPAs. Por ejemplo, en la banda C,
SSPA modulares disponibles comercialmente son
capaces de producir 1.5 kW de potencia de salida, y
3.0 kW al combinar dos sistemas en fase [13]. Sin
embargo, estos SSPAs son todava relativamente
ineficientes, con eficiencias menores al 20%.
ComparadosconunTWTAlinealizado(LTWTA)que
produceunapotenciaenRF similar,elSSPAdescrito
representara$14,000.00USDmsencostosanualesde
electricidad.
Ladepresindecolectoresunatcnicacomnpara
mejorar la eficiencia de los TWTs [1]. Usando un
colector deprimido, uno puede convertir parte de la
energa cintica del haz de electrones gastado (es
decir, despus de su interaccin con el circuito de
onda lenta) a energa potencial en las fuentes de
alimentacin, y por lo tanto, la eficiencia global del
dispositivoaumenta[1,cap.14].Sepuedelograruna

Diciembre2009

Slo los dispositivos electrnicos

de vaco pueben cumplir con los
estrictos requisitos de un
desempeo confiable.

mejora adicional al usar colectores deprimidos en

multietapas (MSDC7), que pueden igualar de mejor
maneraladistribucindeenergadelhazgastado.La
eficiencia total de los TWTs del estado del arte con
MSDC es mayor al 70% [15], mientras que los TWTA
tpicos presentan eficiencias entre 5060%. La
eficiencia tpica de los SSPA es de aproximadamente
2530%[16].
La linealidad de un amplificador de potencia es
siempre de mucha importancia. Para aplicaciones en
comunicaciones, los TWTAs desde siempre se han
considerado dispositivos de pobre linealidad
comparados con los SSPA. La creencia generalizada
esqueunTWTAdebeoperarseunos34dBdebajode
saturacinparaalcanzarelmismoniveldelinealidad
queunSSPA.Estaaseveracinesincompleta.En[16]
seindicaqueelconsumodepotenciadeunTWTAes
generalmente menor al de un SSPA de slo la mitad
de la potencia RF. Como resultado, para
amplificadores del mismo consumo total de potencia,
un TWTA tiene generalmente mayor potencia lineal
disponible que un SSPA para la mayor parte de la
banda de frecuencia. Los dos amplificadores
presentan el mismo desempeo en linealidad
nicamente para aplicaciones de baja potencia y baja
frecuencia. An ms, la linealidad de un TWTA se
puede mejorar mucho ms que la de un SSPA con el
uso de linealizacin. Como resultado, una mayor
parte de la potencia de RF que el TWTA pierde al
operarconpotenciadesalidareducidaestdisponible
comopotencialineal.

Figura 5. Potencia tpica para amplificadores de alta

potencia usados en comunicaciones satelitales comerciales,
incluyendo amplificadores de onda viajera (TWTA),
amplificadoresdepotenciaklistrn(KPA),yamplificadores
depotenciadeestadoslido(SSPA).

41IEEEmicrowave magazine

La ventaja en potencia de los tubos de

onda viajera sobre los amplificadores de
potencia de estado slido es significativa,
especialmente en las bandas de ms alta
frecuencia.

La linealizacin por predistorsin es una tcnica

sencilla y eficiente para mejorar el desempeo de
ambosTWTAsySSPA[17].SuefectividadenTWTAs
es mayor como consecuencia de su lento transitar a
saturacin y su ms alta nolinealidad. Se ha
demostrado que al aplicar linealizacin de quinto
orden, se pueden alcanzar compresiones de ganancia
demenosde1dBensaturacin,detalmaneraquela
curvadetransferenciacombinadaseaproximaalade
un limitador lineal ideal [18]. Como consecuencia, la
necesidad de operar debajo de saturacin se reduce
significativamente al aprovechar las ventajas de la
mayoreficienciacercadesaturacin.
El efecto de la menor eficiencia al operar
considerablemente debajo de saturacin para lograr
linealidad puede ser mitigado al redisear el circuito
helicoidal para lograr compresin de ganancia y
cambio de fase reducidos. Tambin puede ser
mitigadaalreoptimizarelMSDC(amboseldiseodel
colectorylosvoltajescomprimido)paraacercarsems
a la distribucin de energa del haz gastado en
operacin muy por debajo de saturacin. Esto
aumenta la eficiencia del colector, y por lo tanto, la
eficiencia total. Usando esta tcnica, se han logrado
TWTAsparabandasLyS,conpotenciasdesalidade
200300 W, y eficiencias de 2540%, y razones de
portadoradeochotonosaintermodulacinenniveles
de 70 dBc. Este desempeo es una mejora
considerable sobre sistemas de estado slido con la
misma fidelidad y el doble de eficiencia de los SSPA
[19].
Recientemente, se ha investigado un nuevo
rgimen de operacin de los TWT, hasta ahora no
explorado, basado en la interaccin transversal de un
haz de electrones con un circuito polarizado
circularmente[20].SepredijoqueunTWTtransversal
parabandaCpodrasermseficienteymslineal
unvalorde12dBmspequeoparalarazndeseal
portadora a intermodulacin que un TWT
longitudinal convencional con una potencia de
saturacin comparable. Este tipo de TWTAs, de ser
factibles, podran cubrir los estrictos requisitos para
comunicacionesdealtatasadedatos.
Laltimadcadatambinhavistoungranavance
en el desempeo de TWTs helicoidales. Estos
dispositivos tienen aplicaciones crticas en
comunicaciones de altas tasas de datos, radar de alta
resolucin, y electrnica militar de gran ancho de
banda.Porejemplo,en[21],sereportaundesempeo
IEEEmicrowave

magazine42

sobresalienteparaunTWThelicoidalenbandasCyX
con25kWy8kWdepotenciapicoparaaplicaciones
deradar.Paraaplicacionesencomunicaciones,sehan
demostrado
TWTs
helicoidales
compactos
(aproximadamente1.6kg),paralabandaKa(30GHz)
con 500 W de potencia de onda continua (cw) y
eficienciade55%,yparabandaQ(44GHz)con230W
depotenciacwyeficienciade43%[22].Unfactorde
sumaimportanciaenlasmejorasdeTWTsparaondas
milimtricas es el uso de una metodologa de diseo
basada en simulaciones. Esta metodologa de diseo
depende fuertemente del conjunto de cdigos que se
han desarrollado recientemente para dispositivos
electrnicosdevaco[23][25].
Un TWT de cavidad acoplada usa un circuito de
onda lenta que es mecnica y trmicamente ms
robustoque unhelicoide.Unaestructura decavidad
resonanteesgeneralmentemsgrandeentamaoque
unaestructuradehliceparalamismafrecuencia.Por
lo tanto, puede proveer mayor potencia a la misma
frecuencia u operar a mayores frecuencias que un
TWT helicoidal. Un ejemplo es el TWT de cavidad
acoplada Millitron, de Communication Power
Industries,Inc.[26].Puedeproducir3kWdepotencia
pico y una potencia promedio de 300 W en la banda
W.

Estado Actual de Mdulos de Potencia para

MicroondasyOndasMilimtricas
El MPM [27], [28] es un ejemplo de lo que Robert
SymonsllamaTecnologaApropiada[29].Enelcasode
un amplificador de potencia compacto para
microondasuondasmilimtricas,debajoruidoyalta
eficiencia, la tecnologa apropiada a usarse es una
etapa de amplificacin de entrada de estado slido y
una etapa de salida de vaco. Esta particin de
gananciaentreestadoslidoyelectrnicadevacoes
loquedefinealosMPM.Cuandostossecasancon
electrnica condicionante de potencia miniaturizada,
se tiene como resultado un amplificador modular de
RF de alta densidad de potencia, que puede proveer
100Wymsenlabandademicroondasysobre50W
enlabandamilimtrica.Eldesempeocombinadoen
tamao, peso, eficiencia, ancho de banda y nivel de
ruido, no puede ser alcanzado con cualquiera de las
tecnologas constituyentes independientemente.
Debidoasupequeotamaoyaltaeficiencia,elMPM
es particularmente adecuado para aplicaciones de
recursos limitados, incluyendo comunicaciones
(inalmbricas),radar,yelectrnicamilitar.
Un mdulo de potencia para ondas milimtricas
(MMPM), como su nombre sugiere, es simplemente
un MPM diseado para operar en las bandas de
frecuenciamilimtricas.SehandesarrolladoMMPMs
paraambasbandasKayQ.EnlaFigura6semuestra
una fotografa de un MMPM de primera generacin
Diciembre2009

para banda Ka. En la unidad mostrada, un

amplificador de estado slido de arseniuro de galio
(GaAs) de potencia nominal de 100 mW, maneja un
TWT helicoidal compacto deaumento de potenciade
bajo voltaje (cerca de 7 kV). El MMPM provee una
potenciadesalidade40Wde26a40GHz(con50W
en la banda de comunicaciones de 3031 GHz) en un
empaque enfriado por conduccin de 19.0 cm X 21.6
cm X 3.2 cm, que pesa 2.7 kg. El mdulo mostrado
opera con una fuente de entrada de 28 V dc,
requiriendo 300 W (mx.); sin embargo, otros
formatosdepotenciaprincipal,incluyendo270Vdcy
115 V ac trifsico, son posibles. Todo el alto voltaje
estautocontenidoenelmdulo.

Figura 6. Un mdulo de potencia de microondas de 40 W

para banda Ka con sus componentes/subensambles
identificados. SSA: amplificador de estado slido. TWT:
tubodeondaviajera.Lacubiertadelmdulodepotenciade
microondashasidoremovida.

Desdesudesarrolloinicialenladcadadelos90s,
los MPM han visto avances importantes en
desempeo y funcionalidad. MMPMs de segunda
generacin para bandas Ka y Q, actualmente en
desarrollo por L3 Communications Electron Devices,
proveen el doble de potencia de salida (100 W) con
casi el doble de eficiencia (33%) comparados con los
diseos de primera generacin. Estos avances son el
resultado del uso al mayoreo de modelado y
simulacin avanzados en el diseo de componentes
[23], [24], as como de la continua progresin en la
tecnologa miniaturizada de TWTs de colector
multietapa, y mejoras incrementales en la eficiencia
del condicionamiento de potencia. Interesantemente,
aunque la potencia de los MPMs y MMPMs de
segunda generacin se ha duplicado, su tamao y
peso no han aumentado en la misma proporcin. El
resultadoesunaumentoendensidadesdepotenciade
RF, 1.4 veces la densidad de potencia (W/volumen) y
1.6 veces en densidades de potencia especfica
(W/masa), sobre el desempeo de la primera
generacin.
Diciembre2009

Las directrices futuras en el desarrollo

de mdulos de potencia apuntan hacia
la evolucin continua del desempeo y
funcionalidad de mdulos de potencia
para microondas.

Laadicindeunpredistorsionadorlinealminiatura
[30]enlacadenaRFdelMPMtienecomoresultadoun
aumentoenlapotencialinealnominaldedosymedia
veces (sobre la operacin sin el linealizador) y un
aumento asociado en la eficiencia nominal de un
factor de dos. Estas mejoras en el desempeo lineal
son importantes para aplicaciones digitales y en
comunicacionesconmltiplesportadoras.
Las directricesfuturas en el desarrollode MPMs y
MMPMs apuntan hacia la evolucin continua del
desempeo y funcionalidad de los MPMs. En el
dominio de la potenciafrecuencia, ya se vislumbra
operacin en modo dual de gran ancho de banda
cubriendolasbandasKayQconslounMPMdeun
solo TWT. Al irse moviendo ms alto en frecuencia,
MPMscompactos para banda W, que provean 100 W
para radar y comunicaciones, son vistos como los
habilitadores de la explotacin de aplicaciones para
estaregindelespectroelectromagntico.
La funcionalidad de los MPMs seguir
aumentando. La mayor parte de este aumento se
deber a niveles de integracin ms altos, como los
mostrados por el transmisor MPM (MPMT). El
MPMT es un ensamble de MPMs que provee
enfriamiento integral, muestreado de potencia en
inversa y directa, linealizacin, filtrado de
interferencia armnica y electromagntica (EMI),
controldeinterfacesseriales,yconversinhaciaarriba
opcional de la seal de entrada. El MPMT, por lo
tanto,leproveealusuariodelsistemaunsubensamble
integral que an as conserva todos los atributos
deseables del desempeo de un MPM. Una
comparacin de amplificadores de estado slido y
MPMsenfriadosporairecomprimidopara75100W,
demuestra que el MPMT es dos veces ms pequeo,
ms ligero y ms eficiente que un SSPA equivalente.
Finalmente, y aunque sea una sorpresa para algunos,
seesperaquelaconfiablidaddelMPMTestalapar,
sinomejor,quelaunSSPA.Lapotenciadesalidade
una muestra de MPMs y MMPMs se presenta en la
Figura7.

EstadoActualdelosAmplificadoresKlistrn
LosklistronesoperanenfrecuenciasdeUHFhasta
ondas milimtricas. Tienen alta ganancia, rango
dinmico, eficiencia y bajo ruido, aunque con anchos
de banda relativamente angostos, comparados con
TWTAs. Entre las muchas aplicaciones para los
43IEEEmicrowave magazine

klistrones destaca su uso como el caballo de batalla

para transmisores de alta potencia en difusin
terrestre y comunicaciones satelitales. Los continuos
desarrollos tcnicos han reafirmado su dominio. En
[31], al incorporar MSDC, la eficiencia en saturacin
de un klistrn de 2.4 kW, diseado para la banda de
difusin directa satelital (DBS), aument de 24% a
40%.Estamejorapuederesultarenahorrosdemsde
$10,000 USD en costos de energa por ao. Esta
tecnologa de MSDC ha hecho posible que el klistrn
GEN IV de Communications & Power Industries
(CPIs) haya capturado el 95% del mercado de
amplificadores de potencia de klistrones (KPA) para
enlacessatelitalesdecomunicaciones[32].Lapotencia
tpica
disponible
para
amplificadores
de
comunicaciones comerciales klistrn tambin se
muestraenlaFigura5.

Figura7.Potenciadesalidapromedioparaunamuestrade
mdulos de potencia de microondas (MPMs). Los
diamantesrepresentanMPMsconanchodebandamenora
0.5deoctava;loscuadradossonMPMsconanchodebanda
de una octava; los tringulos corresponden a MPMs con
anchodebandamayora1.5octavas.

Paramuchasaplicacionesunklistrnestlimitado
por alto voltaje, reducido ancho de banda,y potencia
decreciente en altas frecuencias. Se han desarrollado
dos tecnologas notables para atacar estos puntos: El
klistrndeinteraccinextendida(EIK8)yelklistrnde
hazmltiple(MBK).
En el EIK, una o ms de lascavidadesdelklistrn
son reemplazadas por estructuras que contienen ms
de una brecha de interaccin. Comparados con los
klistrones convencionales, los EIK tienen un mayor
anchodebandayunniveldepotenciamayordebido
a la interaccin distribuida. El desarrollo ms
interesante de los EIKs ha sido en la banda de
frecuencia milimtrica [33]. Existen EIKs disponibles
parafrecuenciasdesdelabandaKahastalabandaG.
Porejemplo,unEIKescapazdeentregarunapotencia
promediode400Wa95GHz,y9W(cw)a218GHz
[34].
LosMBKsofrecenlasventajasdemenortamao y
IEEEmicrowave

magazine44

peso, y mayor ancho de banda comparados con los

klistrones de un solo haz. En Rusia se han
desarrolladoextensivamentedispositivosdemltiples
haces [35]. Es muy probable que el mayor nivel de
compactamiento haya sido alcanzado por ISTOK
(Rusia),quienesdesarrollaronunMBKparabandaKu
capaz de entregar 0.4 kW de potencia pico (133 W
promedio),quepesanicamente400g,incluyendoel
imn.

Avances en la Linealizacin de TWTAs de

BandaAncha
Ha habido un gran progreso en la linealizacin de
TWTAs durante los ltimos cinco aos. La
linealizacin se logra todava principalmente por
medio de predistorsin, debido al mayor ancho de
banda y mayores eficiencias que se pueden alcanzar
con esta forma de linealizacin. Linealizacin,
analgicaydigital(basadaenelprocesamientodigital
deseales)seaplicaahoraaTWTAs.Lalinealizacin
digitalofrecelaventajadeunacorreccincasiidealde
larespuestadetransferencia.Unarazndeportadora
de dos tonos a intermodulacin de ms de 50 dB se
puede obtener con un TWTA a 3 dB de potencia de
salidadebajodesaturacin.

Figura8.Sepuedeusarunaconfiguracinpushpullpara
minimizar la distorsin de orden par de ambos el
linealizador y el tubo amplificador de onda viajera. NLG:
generadornolineal.

Figura 9. Desempeo de un amplificador de tubo de onda

viajera linealizado de banda ancha (LTWTA). Razn de
portadora a intermodulacin (C/I) contra reduccin de
potenciadesaturacin(OPBO).

Diciembre2009

 La limitante ms importante de la linealizacin

digital es el ancho de banda. Aunque ahora ya es
posible procesar digitalmente seales con anchos de
banda mayores a 1 GHz, los anchos de banda
prcticos son de 100 MHz o menores, debido a las
limitantes relacionadas con la complejidad, costo y
consumo de potencia de los componentes digitales
disponibles.

Figura10.Razndeportadoraaintermodulacin(C/I)de
unmdulodepotenciademicroondascudruplelinealizado
(LMMPM) contra reduccin de potencia de saturacin
(OPBO).

Hahabidounsignificativoprogresoenlaextensin
delanchodebandadelalinealizacinanalgica.No
fue hace mucho que un ancho de banda de 20% se
consideraba grande. Hoy en da, anchos de banda
multioctava y multi GHz han sido alcanzados [36].
Para amplificadores de una octava o mayor ancho de
banda,productosdedistorsindeambosrdenes,par
e impar estn presentes, as como intermodulacin y
distorsin armnica Un linealizador debe corregir
ambos para alcanzar una respuesta lineal. La
distorsin de orden par puede ser minimizada con
una estructura pushpull. Un enfoque es el uso de
TWTs pushpull para minimizar la distorsin de
orden par del amplificador. Ya que los generadores
nolineales que se usan para corregir distorsin por
intermodulacin de orden impar tambin producen
algo de distorsin de orden par que contribuye a la
distorsin global del amplificador de potencia, una
arquitecturapushpulltambinsetienequeusar.Este
enfoque de diseo se muestra en la Figura 8, que
muestra un linealizador pushpull y un amplificador
de potencia pushpull. Si se requiere una mayor
supresin se puede usar un generador nolineal de
orden par para mitigar la noidealidad de orden
impar. La Figura 9 muestra datos medidos de un
LTWAenelrangode1018GHz.
Para muchas aplicaciones de alta potencia y gran
anchodebanda,noserequieredeungrandesempeo
entodoelrangodeoperacinenfrecuencia,perosen
bandas especficas. Para estas aplicaciones,
linealizadoresmultibandapuedenproveerunmejor
Diciembre2009

Los klistrones de haces mltiples

ofrecen las ventajas de voltaje de haz
reducido, tamao y peso reducidos, y
un mayor ancho de banda.

desempeo que un solo linealizador de ancho de

banda grande. Se han desarrollado linealizadores de
dos y tres bandas, y estn en produccin para las
bandas C, X y Ku. Este enfoque usa dos o tres
mdulos predistorsionadores independientes, que se
pueden conmutar entre amplificadores de entrada y
salida comunes. Usando este enfoque, cada
predistorsionador se puede alinear para lograr un
desempeo ptimo para una banda especfica de
frecuencia.Eldesempeodelarazndeportadoraa
intermodulacin alcanzado por un LTWTA
experimentaltetrabandasemuestraenlaFigura10.
Con los TWTAs en general, mientras ms angosto
seaelanchodebanda,msaltaserlamejoraquese
pueda lograr con linealizacin, aunque se pueden

lograr mejoras sustanciales sobre amplios anchos

de banda continuos de ms de una octava.

Tendencias Futuras en la Investigacin en

ElectrnicadeVaco
Aplicaciones nuevas, tales como comunicaciones de
datos a altas tasas, radar de alta resolucin, e
imgenes activas en las bandas milimtricas y
submilimtricas, requieren de la disponibilidad de
fuentes compactas de potencia a estas frecuencias, lo
queserlafuerzadeempujedelainvestigacinenla
electrnica de vaco en el futuro cercano. Los dos
programas actuales de la Agencia de la Defensa para
Proyectos de Investigacin Avanzados (DARPA;
Defense Advanced Research Project Agency) para
desarrollo de tecnologas de amplificadores en estas
frecuencias son HiFIVE y Electrnica de Terahertz.
HiFIVEestdesarrollandoamplificadoresa220GHz,
y Electrnica de Terahertz a 670, 850, y 1,030 GHz.
Ambosincluyentecnologaselectrnicasdevaco.Los
requisitos que van emergiendo continuarn
empujando el campo de la electrnica de vaco a
nuevos niveles de desempeo como resultado de los
avances en reas tales como las nuevas herramientas
para el modelado y la simulacin basadas en
principios fsicos, ctodos innovativos, y nuevas
tcnicas de fabricacin. Haces de electrones
distribuidos espacialmente, tales como las topologas
dehacesmltiples,yloshaceslaminares,apoyadosen
microfabricacinyrefinamientosenmateriales,medio
magnticos, y fuentes de electrones, contribuirn a
aumentar las oportunidades. Los avances en las
fuentes de poder muy bien podran ser el prximo
pasoimportanteenlareduccindedimensiones.
45IEEEmicrowave magazine

Si los amplificadores electrnicos de

vaco se pueden desarrollar a manera de
explotar totalmente las capacidades del
ctodo fro, se podrn realizar nuevas
metas de desempeo en su operacin.

distintadecero.Sielcampoelctricosuperficialyla
distorsin de la barrera en el vaco son lo
suficientementeelevados,entonceslaprobabilidadde
tuneleo aumenta hasta niveles que permiten que una
corrientesuficienteenelvacoseaextrada.

Algunosejemplosdeestosesfuerzosdeinvestigacin
seofrecenenlassiguientessecciones.

CtodosFrosparaAmplificadoresElectrnicos
deVaco
El ctodo est en el corazn de cada amplificador
electrnico de vaco para RF, proveyendo la potencia
para la circuitera de intercambio de energa que
convierte la energa cintica de los electrones en
energadeunaondaelectromagnticaenpropagacin.
El nico propsito del ctodo es crear un haz de
electrones de alta energa que viaja en el vaco en
relativaproximidadalacircuiteraRFdeldispositivo.
La tecnologa actual emplea casi exclusivamente
ctodostermoinicosesdecir,compuestosmetlicos
quesecalientandediversasformashastacercadelos
1,000 C. A estas temperaturas, los electrones que
normalmente estn fijos a la red metlica del ctodo,
puedenserremovidosdelasuperficiesisusenergas
trmicasexcedenlabarreradepotencialdelvacodel
ctodo. Este mtodo de crear haces de electrones
libres en el vaco se ha empleado continuamente por
msde60aos.
La mecnica cuntica, sin embargo, mantiene la
promesa de alterar fundamentalmente el mtodo
usadoparacrearhacesdeelectroneslibresenelvaco
unoquepermitaunrevolucionariodesempeopara
los dispositivos que lo usan. Estos ctodos fros no
requieren de electrones con altas energas para la
emisindehaces,yensulugarsebasaneneltuneleo
cuantomecnicoatravsdelabarreradepotencialen
el vaco, una barrera alterada por la creacin de un
campo elctrico elevado en la superficie del ctodo.
LaFigura11muestraeldiagramadeenergapotencial
de los electrones en la superficie de un ctodo
termoinico y uno fro, ambos a temperatura
ambiente. En el caso del ctodo termoinico, sin la
energaadicionalqeloselectronesestnligadosala
superficie del ctodo, y no pueden escapar al vaco.
La energa adicional requerida debe provenir del
calentamientodelctodopormediosexternos.
Enelcasodelctodofro,nosecuentaconenerga
trmica adicional. En cambio, la forma de la barrera
devacoesalteradapormediodelaaplicacindeun
campo elctrico elevado en la superficie del ctodo.
La barrera no es reducida a cero, sin embargo, y el
ctodohaceusodeltuneleocuantomecnicoatravs
delabarrera,loquepermiteeltrnsitodeelectronesa
travs de la zona prohibida con una probabilidad
IEEEmicrowave

magazine46

Figura 11. Diagrama de energa para un ctodo

termoinico y un ctodo fro. El alto campo elctrico
superficialdelctodofrodistorsionalabarreradepotencial
ypermitetuneleo.

Figura12.Geometrasuperficialdelctodopara(a)ctodo
termoinico, (b) subestructura microfabricada para un
ctodo fro con una pelcula dielctrica para aumentar el
campo, y (c) ctodo fro microfabricado con pelcula
dielctricayemisorcnicoparaaumentarelcampo.

Para crear los altos campos necesarios en la

superficie del ctodo, se han desarrollado nuevos
mtodosdefabricacindelctodoquereemplazanlos
compuestos metlicos del ctodo termoinico con un
substrato de silicio microfabricado, en el cual se
forman varias estructuras que aumentan el campo
elctrico. En la Figura 12 se comparan la geometra
superficial y los valores del campo elctrico para (a)
un ctodo termoinico, (b) un ctodo fro
microfabricado con una pelcula dielctrica para
aumentar el campo, y (c) un ctodo fro
microfabricado con una pelcula dielctrica y un
emisor cnico para aumentar el campo. La pelcula
dielctricaaumentaelcampounas100vecessobreel
valor del ctodo termoinico, y los emisores cnicos
Diciembre2009

aadenunfactoradicionalde10100vecesenlapunta
del cono, creando campos elctricos que
eventualmente exceden el valor de umbral para
emisin de electrones en el vaco a temperatura
ambiente.

Figura 13. Conceptualizacin de un arreglo de ctodos

fros.

Figura14.Fotografadeuntubodeondaviajeradectodo
frode100W.

Los emisores cnicos de la Figura 12 (c) tienen

dimensiones de micras, y tpicamente, cada uno
produce corrientes en el vaco de 110 mA. Su
reducido tamao y el uso de tcnicas de
microfabricacin permite la manufactura de arreglos
grandesdeestosemisores(104105)ensubstratospara
elctodomuypequeos,tpicamentemsdeunorden
de magnitud ms pequeos que un ctodo
termoinico capaz de producir la misma corriente
total.LaFigura13muestralarealizacintpicadeun
arreglo de ctodos fros. A diferencia de un ctodo
termoinico,laestructuradelctodoesrelativamente
sencilla. La aplicacin de unos 100 V a travs del
substratodelctodoessuficienteparaextraerunhaz
con corriente total. Esta sencilla implementacin
elimina totalmente la estructura de calentamiento del
Diciembre2009

ctodo y el soporte necesario para la operacin de su

contrapartetrmica.
El desarrollo de dispositivos para microondas
usando ctodos fros como los mostrados en las
figuras 12 y 13 ha sido constante en los ltimos 15
aos[37][41],connivelesdedesempeoenaumento
continuoalolargodeesteperodo.Enelltimoao,
un desempeo muy cercanoal requerido para su uso
en sistemas de microondas reales ha sido alcanzado
por un TWT de ctodo fro desarrollado por L3
Communications Electron Devices, en San Carlos,
California [42], con ctodos desarrollados por SRI
International en Menlo Park, California [43]. La
Figura 14 muestra una fotografa del dispositivo,
incluyendo el can de electrones de ctodo fro y la
circuiteradeamplificacindeRF.
LapotenciaenRFylaeficienciadedesempeodel
TWT de ctodo fro se muestra en la Figura 15 para
valores de corriente variando de cero hasta el valor
mximo de operacin del dispositivo. El TWT
demuestra operacin a 100 W y 5 GHz, 22 dB de
gananciaensaturacin,gananciadepequeasealde
33 dB, corrientes de haz de hasta 0.120 A, y ciclos de
trabajo de hasta 10%. Estosparmetros de operacin
sonrelevantesparaalgunasaplicacionesexistentesen
comunicaciones,enlacesdedatosyradar.
Si se pueden desarrollar amplificadores de
electrnicadevacocomolosmostradosenlasfiguras
14 y 15 a manera de poder explotar por completo las
capacidades del ctodo fro, se podran alcanzar
nuevasmetasdedesempeodeoperacin.Elctodo
fro tiene el potencial para afectar todos los aspectos
de operacin, incluyendo la frecuencia mxima del
dispositivo, vida media y confiabilidad, tiempo de
encendido rpido, mxima velocidad de modulacin,
tamao, linealidad y eficiencia. Por su tamao
miniatura,losctodosfroshacenposiblelaoperacin
a altas densidades de corriente, sin los mecanismos
inherentesalosdispositivostermoinicosquelimitan
el tiempo de vida; esta caracterstica es an ms
importante para los aos venideros, en fuentes
compactas de alta frecuencia. La operacin a
temperatura ambiente elimina el complicado diseo
del can de electrones y las tecnologas de
manufactura requeridas para calentar el ctodo a los
1,000 C necesarios, limitando el aumento en
temperatura y la expansin trmica diferencial del
materialquerodeaelcan.Elencendidoinstantneo
tambin es posible con dispositivos que usan ctodos
fros. Las escalas de tiempo para el encendido de un
ctodofrodesdeapagadohastatotalmenteencendido
se reducen en varios rdenes de magnitud, ya que el
ctodotermoinicorespondeenescalasdetiempode
difusintrmica,desegundos,mientrasqueelctodo
frorespondeenescalasdecargadevoltaje,delorden
de nanosegundos. Adicionalmente, el voltaje de
encendidodeestosctodosesunordende magnitud
47IEEEmicrowave magazine

menor al del ctodo termoinico de electrodo

modulado,porloquesereduceelrequisitodelvoltaje
de modulacin y aumenta la razn de modulacin,
ambosenunordendemagnitud.Laimportanciade,
y los beneficios derivados del uso del ctodo fro
dependen de la aplicacin en mente, aunque el
potencial de esta recientemente desarrollada
tecnologaparacambiarloslmitesdeldesempeode
losdispositivosdevacoparaRFesevidente.

AmplificadoresdeHazLaminar
Los amplificadores de haz laminar para ondas
milimtricasofrecenlaperspectivademayorpotencia
ypotenciaespecfica(potenciadesalidaporunidadde
peso y volumen) que lo que se puede obtener con
dispositivos comparables de un solo haz, porque
pueden transportar una mayor cantidad de corriente
en el circuito a un voltaje dado. Esta ventaja es de
particular importancia conforme aumenta la
frecuencia de operacin de los amplificadores
electrnicosdevacohasta100GHzyms,yaquelas
dimensiones del tnel de electrones, as como la
estructuradeondalenta,seescalandeacuerdoconla
longituddeonda,.Enundispositivodeunsolohaz,
elhazdebedetenerundimetrode/10omenor.Las
fuerzasasociadasalacargaespacial,ylosefectosdela
temperatura en el haz, limitan fundamentalmente la
corriente que puede ser transportada por un haz con
un dimetro tan pequeo, por lo tanto limitando la
potencia que puede ser generada. La densidad de
potencia del campo electromagntico que puede ser
tolerada por la estructura y acopladores de
interacciones hazonda tambin est limitada por
efectos de rompimiento y calentamiento, imponiendo
una limitante adicional en la potencia de salida
conforme el volumen de estas estructuras disminuye
conunaumentoenlafrecuencia.Empricamente,la
potencia de salida vara aproximadamente con 3.
Parasolventarestaslimitantesyalavezconservarlas
muchascaractersticaspositivasdelosamplificadores
de onda lenta o de onda estacionaria, es necesario
aumentardealgunamaneralaseccintransversaldel
hazyelvolumendeinteraccinhazonda.Loshaces
laminares proveen una solucin. Un ejemplo de una
estructuralaminarsemuestraenlaFigura16.
Los dispositivos de haz laminar tambin son
atractivosporquelatopologaplanaresrelativamente
simple de fabricar. Esto es particularmente
importante a frecuencias milimtricas y de terahertz,
donde las muy pequeas dimensiones y tolerancias
pueden ser logradas mediante tcnicas litogrficas de
microfabricacintalescomolitografa,galvanoplastia,
y moldeado y grabado profundo con iones reactivos.
Sin embargo, el exitoso desarrollo e implementacin
de dispositivos de haz laminar tambin presenta

IEEEmicrowave

magazine48

Los amplificadores para ondas

milimtricas de haz laminar ofrecen la
perspectiva de una mayor potencia de
la que se puede alcanzar con
dispositivos de un solo haz.

algunos retos difciles, que hasta ahora han

severamentelimitadolarealizacindeestatecnologa.
Dehecho,sehabuscadoteneramplificadoresdehaces
laminares por ms de 50 aos [44], pero, en general,
todavasetienenquedemostrarcomounaalternativa
prctica a los dispositivos de un solo haz. Hay una
cantidad de razones para explicar este difcil
desarrollo. De entrada, y posiblemente la ms
fundamental,esquelaventajadelhazlaminarsloes
vlida si se puede mantener una corriente de
electronesdeaproximadamenteelmismovalorqueel
equivalentedeunsolohaz,yestoesmuydifcilcomo
consecuenciadelasinestabilidadesenelpotencialdel
haz laminar, efectos de borde y fallas en la
uniformidad. Un alto grado de uniformidad para
ambos,elhazyelcampodeRF,esnecesarioalolargo
del ancho del haz para lograr una fuerte y eficiente
interaccin hazonda. Adicionalmente, los circuitos
para interaccin con el haz laminar son
intrnsecamente de sobremodo, y los errores de
fabricacin o fallas pequeas en la alineacin del haz
conrespectoalacircuiterapuedecausarlaexcitacin
de modos no deseados. En consecuencia, dos
obstculos mayores que tienen que ser remontados
para que los amplificadores de haz laminar puedan
alcanzar su pleno potencial son: 1) La formacin y
transporte del haz con la suficientemente alta
perveanciayuniformidad,y2)eldiseoyfabricacin
de circuitos de interaccin adecuados, y la ejecucin
deambosconunaltogradodeprecisin.
La mayor parte de la investigacin sobre haces se
ha enfocado en el transporte magntico, utilizando
imanes permanentes peridicos [45], [46]. Una
configuracinasesrelativamenteligeraycompacta,y
el transporte estable del haz se puede lograr en una
longitud relativamente grande. La principal
desventaja del enfoque por imanes permanentes
peridicosesqueimponeunvalormnimodelvoltaje
para lograr la estabilidad del haz, que por lo general
esmuchomsaltoquelodeseabledesdeelpuntode
vistadelsistema.Laalternativadeenfoquemagntico
usando un campo uniforme o solenoidal puede
proveer una magnitud de campo significativamente
ms alta (y por lo tanto, mayor enfoque), usando
imanes permanentes en lugar de imanes peridicos,
pero esta tcnica usualmente se ha evitado debido a
lasinestabilidadespotenciales[47].

Diciembre2009


Figura15.Potenciamedidaparauntubodeondaviajerade
ctodofroydatosdeldesempeoeneficiencia.

Figura16.Estructuradeondaviajeradecavidadacoplada
yhazlaminar,convistaexpandidadeunacelda.

Paradeterminarlamejortcnicadetransportepara
un haz laminar, estas consideraciones de estabilidad
tienen que ser combinadas con la ecuacin de la
envolvente del haz, que determina la magnitud del
campomagnticorequeridaparabalancearlasfuerzas
extrusivas de la carga espacial y la temperatura del
haz. Para dispositivos de haz laminar de voltajes
relativamentebajos(<2025kV),unhazlaminarpuede
transportardensidadesdecorrientesignificativamente
mayores, y por lo tanto, alcanzar mayor potencia de
salida [48]. El precio que se debe pagar es el de un
ensamble de imanes algo ms pesado y grande. Con
cualquier enfoque, el campo de transporte tiene que
ser muy cuidadosamente ajustado al can de
electrones.
La mayora de las configuraciones para la
circuiteradehaceslaminaresquesehanconsiderado
paraamplificadoresdeondasmilimtricassonyasea
EIK, consistiendo de un nmero de estructuras de
cavidades discretas, o tipo de onda viajera, con la
estructuraadecuadaparareducirlavelocidaddefase
Diciembre2009

de la onda para igualarla a la de los electrones.

Aunque estas configuraciones son anlogas a las
correspondientesymuybiendesarrolladasestructuras
de un solo haz, el diseo y la optimizacin son
complicadasyofrecenungranreto.Adiferenciadel
tnel para el haz de dispositivos de un solo haz, que
est debajo del corte para la frecuencia de operacin
de manera que los elementos circuitales contiguos
estn aislados, un haz laminar es lo suficientemente
ancho como para propagar el modo fundamental
transversal elctrico (TE), que puede ser fcilmente
excitado y puede llevar a oscilaciones y/o alteracin
delhazsielplanodesimetradeltnel,circuitoyhaz
es destruido por fallas en la alineacin, errores de
fabricacin, etc. Adicionalmente, conforme la razn
deaspectodeldispositivodehazlaminaraumenta,es
ms difcil asegurar la uniformidad y la variacin
apropiadadelafasedelhazyelmododelcampoalo
anchodeldispositivo.

Figura 17. Esquemtico del kliostrn de interaccin

extendida(EIK)para94GHzdeNRL.Elimnpermanente
produce un campo uniforme de 8.5 kG en todo el volumen
deinteraccin.

El progreso reciente en el diseo de estas

estructuras de haz laminar, principalmente debido a
cdigos de programacin ms poderosos y mayores
recursos de cmputo, es prometedor. Estos cdigos
permiten evaluar diseos mucho ms realistas, y con
sus rutinas de optimizacin se pueden afinar los
parmetros de manera que la fabricacin de primera
vueltaseaexitosa.Comoejemplo,estassimulaciones
predicenqueunEIKdehazlaminara94GHz,20kVy
3.5A,quetieneuncircuitodeinteraccin<1.5cmen
longitud, puede generar una potencia de salida > 10
kW.Estoesporlomenosunfactordecincosobreun
dispositivodeunsolohazaestafrecuenciayconeste
voltaje de operacin. Un dispositivo basado en esta
simulacin est siendo fabricado (Figura 17), y se
estn realizando esfuerzos para escalar este tipo de
dispositivosalrgimendeterahertz.
49IEEEmicrowave magazine

Fuentes Compactas y de Alta Potencia para

Terahertz
Apartirdelaprimerademostracindeunafuente
electrnica de vaco para operacin en terahertz,
basadaentecnologadeguadeondadoblada(FWG9)
microfabricada [49], Northrop Grumman ha
continuadoconeldesarrollodefuentescompactasde
altapotenciaenTHz,enapoyoavariasiniciativasde
DARPA en THz. Como en los dispositivos
electrnicos de vaco clsicos, estas fuentes de THz
consistendeunafuentetermoinicadeelectrones,un
circuitodeinteraccindeondalentaparaamplificarla
ondadeRF,yuncolectordeprimidopararecuperarla
energa del haz gastado para una eficiente operacin
delafuente.Seusaunimnpermanentesolenoidede
10 kG de NdFeB para confinar magnticamente el
hazdeelectronesconformestepasaporlaestructura
de onda lenta. Dispositivos electrnicos de vaco
basadosenFWGshansidoexitosamentefabricadosy
operados entre 0.6000.675 THz, con niveles de
potencia de ms de 50 mW en ciclos de trabajo de
hasta3%[50].Estoessignificativamentemsaltoque
la capacidad de potencia de fuentes existentes
operandoaestasfrecuencias.
UncircuitoFWGdeondalentaesunaguadeonda
en forma de serpentn, doblada sobre s misma
mltiples veces, con un tnel de haz a lo largo del
centrodelaestructura.LaFWGsediseademanera
quelavelocidadaxialdelaondadeRFenlaguade
onda se pueda emparejar a la velocidad de grupo de
los electrones que estn viajando a lo largo del tnel
dehaz.Parapoderacoplareficientementelaondade
RF al haz de electrones a frecuencias de THz, las
dimensiones de la seccin transversal de la FWG son
delordendedecenasdemicrasporcientosdemicras,
y no deben variar a lo largo de la longitud total del
circuito,queesdevarioscentmetros.
Otro requisito son paredes suaves para minimizar
la atenuacin de la gua de onda debido a la poca
profundidad de piel a frecuencias de THz. La
realizacin de circuitos que cumplen estos requisitos
slo se ha logrado con el uso de tcnicas de
microfabricacin, como son el grabado profundo del
silicioconionesreactivos,enconjuntocondepsitode
cobre por galvanoplastia. La naturaleza planar de la
FWG la hace idnea para estos procesos planares de
microfabricacin, permitiendo procesado en masa y
mltiplescircuitosenunasolaoblea.Adicionalmente,
loscircuitosFWGnosondependientesdeestructuras
frgiles como retculas para lograr la amplificacin, y
porlotanto,sonmsrobustosestructuralmente.Son
fabricados en un bloque slido para tener mejor
manejo termal. Finalmente, los extremos a ambos
lados de la gua de onda en forma de serpentina se
agudizan durante la fabricacin, lo que provee un
modo natural de acoplar la potencia hacia dentro y
IEEEmicrowave

magazine50

hacia fuera del circuito. Las FWGs usadas en las

fuentes de terahertz (Figura 18) fueron fabricadas en
mitades (imgenes de espejo) por medio de un
proceso de dos pasos de grabado profundo por iones
reactivos: Un paso para crear la FWG en s, y un
segundopasoparacreareltneldelhazalolargode
la estructura FWG. Cada mitad fue entonces
metalizada usando galvanoplastia de cobre, fueron
alineadas y unidas, formando el circuito FWG
completo.

Figura 18. Una mitad de un circuito de gua de onda

doblada fabricada con el proceso de grabado profundo por
ionesreactivos.

Figura19.Lafuentedeterahertzantesdelensamblefinal.

Figura 20. Frecuencias de operacin para fuentes de

terahertz.

Adicionalmente al diseo cuidadoso y la

fabricacin exacta del circuito de interaccin FWG, el
diseo del can de electrones electrosttico, los
Diciembre2009

En la banda milimtrica, el desempeo de

los dispositivos electrnicos de vaco muy
difcilmente podr ser igualada por los
amplificadores de estado slido en el
futuro cercano.

imanes para el transporte del haz, y el diseo del

colector son cruciales para obtener dispositivos
compactos y de alta potencia que puedan operar con
una mnima intercepcin de haz y alta eficiencia. El
enfoqueytransportedeunhazde4mAalolargodel
tnel de 60 X 60 m2 (60 maproximadamente el
dimetrodeuncabellohumano)esunretotcnicoya
quelasvariacionesmecnicas,loselectronesemitidos
porlosbordesporelctodo,yloscamposmagnticos
transversales localizados del orden de unas cuantas
decenas de Gauss (menos del 1% del campo axial
total), pueden forzar al haz fuera de eje, lo que
conllevaaunaintercepcindehazsignificante.Enun
prototiporeciente,lafabricacinprecisadelensamble
delcandeelectrones,laalineacinmecnicaexacta
delcanconeltneldelhazenelcircuitoFWG,yla
minimizacindeloscamposmagnticostransversales
hanllevadoaunatransmisindehazde78%paraun
haz de 4.8 mA a 10 kV. Finalmente, el diseo de la
lentedeuncolectordegrafito,deunasolaetapa,fue
optimizado para obtener 92.4% de la energa del haz
de electrones gastado. La fuente de THz justo antes
delensamblefinalsemuestraenlaFigura19.
Despusdelensambleyevacuacin,lafuenteFWG
de electrnica de vaco para THz es montada en el
banco de pruebas en el hueco del imn solenoide
permanente. El enfoque del haz y la transmisin se
controlan con la alineacin del imn, que se ajusta,
relativo a la fuente, con dos etapas de traslacin
triaxial. Una gua de onda de cobre cilndrica sirve
como una gua de onda externa y sobremodo para
transmitir la potencia de salida de RF al detector de
THz.Unabombade2L/smantieneelvaco,ysehace
fluir gas nitrgeno por el imn para estabilizar la
temperaturadelafuentedurantelaprueba.
En la Tabla 1 se resumen las caractersticas de

operacin de un prototipo reciente de una fuente

de THz.Estafuenteopera0.656THz,9.9KV,y46%
de transmisin de haz. La potencia medida en la
ventana de salida fue de 52 mW. En el oscilador, la
gananciadeunasolapasadaseestimaalrededorde15
dB,queesigualalaprdidatotalenlatrayectoriade
retorno. El tamao de la fuente compacta est
principalmente determinado por el tamao del imn
cilndrico, con un dimetro de 8.6 cm y una longitud
de12.5cm.
Seobservaquelafrecuenciadeoscilacinseajusta
porpasosconformeelvoltajedelhazesvariadode9.6
Diciembre2009

kVamsde10kV,comosemuestraenlaFigura20.
Se cree que estos escalones son caractersticos de la
retroalimentacinregenerativadelcircuitoFWGdela
fuente. En general, se encuentra estabilidad de
megahertzdepulsoapulso.Elanchodelneamedido
fuemenora30MHz,comoconsecuenciaparcialdelas
fluctuaciones de la corriente del haz y el voltaje
durante el pulso. Se observ potencia medible entre
607675GHz.

TablaI.ParmetrosdeoperacinparaunafuentedeTHz.
Parmetro
Valor
Potencia en la ventana
52 mW
Frecuencia
0.656 THz
Ganancia de un paso
~15 dB
Voltaje del ctodo
9.9 kV
Duracin del pulso
0.05-1.0 ms
Tasa de repeticin
30 Hz
Ciclo de trabajo, mximo
3%
Campo axial
10 kG
Corriente de emisin
4.6 mA
Corriente de colector
2.1 mA
Transmisin de haz
46 %
Eficiencia de interaccin
0.4 %
Eficiencia de fuente
0.2 %

Hay trabajo actualmente en desarrollo para

extender la tecnologa de dispositivos FWG para
desarrollar amplificadores electrnicos de vaco de
alta potencia y mdulos de potencia completamente
integrables (un amplificador de estado slido
conjuntamenteconunamplificadorFWG)paraoperar
desde0.2THzhastaarribade1THz.

Conclusin
Losamplificadoreselectrnicosdevacocontinan
teniendo una participacin muy importante en
aplicaciones con transmisores de alta potencia. A
frecuencias de microondas, los avances recientes en
dispositivos semiconductores de banda prohibida
grande como el GaN, y tcnicas de combinacin de
potenciaestnhaciendoposiblequelosSSPAsretenla
ventajaenpotenciadelosamplificadoreselectrnicos
devaco,perolosdispositivosdeelectrnicadevaco
todava tienen el dominio en eficiencia a estas
frecuencias. En las bandas milimtricas, la respuesta
de los dispositivos electrnicos de vaco, tanto en
trminos de producto ancho de bandapotencia y
eficiencia, no sern probablemente igualadas por los
SSPAs en el futuro cercano. El uso de linealizacin
aumenta an ms la ventaja en eficiencia de los
amplificadoreselectrnicosdevaco.Eldesarrollode
tecnologa en el rango alto milimtrico y en el
submilimtrico es posible con tecnologas de ctodo
froytcnicasdemicrofabricacin.

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De sus siglas en ingls; Traveling Wave Tube

De sus siglas en ingls; Chemical Vapor Deposition
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De sus siglas en ingls; Milimeter Wave Power Module
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De sus siglas en ingls; Solid State Power Amplifier
5
De sus siglas en ingls; Microwave Power Module
6
De sus siglas en ingls; Traveling Wave Tube Amplifier
7
De sus siglas en ingls; Multiple Stage Depressed Collector
8
De sus siglas en ingls; Extended Interaction Klystron
9
De sus siglas en ingls; Folded Wave Guide
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53IEEEmicrowave magazine