MATERIALES ELECTRICOS

JUNTURA PN
Consideremos por separado un Semiconductor Tipo N y un semiconductor tipo P. Analicemos el Diagrama
de Bandas de cada uno por separado.
El semiconductor Tipo N tendr una concentracin de electrones en la Banda de Conduccin dada por:
donde EFn es el nivel de Fermi en el semiconductor tipo N

nn = NC exp [-(Ec EFn) ]

kT

Donde EFn es el nivel de Fermi en el semiconductor tipo N

El semiconductor Tipo P tendr una concentracin de huecos en la Banda de Valencia dada por:

pp = NV exp [-(Ev EFp) ]

Donde EFp es el nivel de Fermi en el semiconductor tipo N
kT
Donde EFp es el nivel de Fermi en el semiconductor tipo N
Haciendo el producto la concentracin intrnseca ser

ni =

NC NV exp [-EG ]
2kT

Trabajando con estas expresiones se puede llegar a:

nn = ni exp [ (EFn Eg/2) ]

kT

pp = ni exp [ (Eg/2 EFp) ]

kT

El semiconductor Tipo N tendr su nivel de Fermi ( EF,n) cercano a la banda de Conduccin y su valor ser:

EF,n = Eg
2

+ kT ln( nn )
ni

El semiconductor Tipo P tendr su nivel de Fermi ( EF,p) cercano a la banda de Valencia y su valor ser:

EF,p = Eg
2

- kT ln( pp )
ni

Semiconductor Tipo P

Banda de Conduccin

Semiconductor Tipo N

Banda de Conduccin
Ec

Ec
EF,n

Ei

Ei

EF,p
Ev
Banda de Valencia

Ev
Banda de Valencia

Como puede observarse el nivel de Fermi esta mas alto en el semiconductor tipo N que en el tipo P, lo que
significa que hay electrones ocupando estados de mayor energa en el lado N que en el lado P, como era de
esperar, pues el semiconductor N tiene mas electrones en la banda de Conduccin que el tipo P.
Si juntamos el Semiconductor tipo N con el semiconductor tipo P habr electrones del lado N que pueden
pasar al lado P por que estn ocupando estados de mayor energa. Esto sucede hasta que el nivel de Fermi
se iguala en los dos semiconductores. El nivel de Fermi debe ser el mismo en ambos semiconductores por
que se encuentran en equilibrio trmico. Por lo tanto el diagrama de bandas se modifica como indica la
figura siguiente. En las zonas lejanas de la Juntura el nivel de Fermi tiene que estar ubicado como eran
originalmente. En la zona P cercano a la banda de Valencia y en la zona N cercano a la banda de
Conduccin, por lo tanto las bandas deben modificarse para cumplir esta condicin.

Semiconductor Tipo N

Semiconductor Tipo P

Banda de Conduccin
Ec

Banda de Conduccin

Ei

Ec
EF,n

EF,p
Ev

Ei

Banda de Valencia

Ev
Banda de Valencia

xp

xn

El salto energtico que se modifican las bandas es la diferencia que exista antes de juntar los dos
materiales entre los niveles de Fermi en el semiconductor tipo N y el Tipo P:

Eo = EF,n - EF,p = kT ln(nn pp )

ni2
Expresando esta diferencia energtica en Volt
Tenemos el potencial de Juntura:
Vo

= kT ln(nn pp )
q
ni2

o tambin

Vo

= kT ln(ND NA )
q
ni2

Otra forma de interpretar esto es de la siguiente manera: cuando juntamos dos semiconductores
extrnsecos, uno del tipo N y otro del tipo P formamos una juntura PN. Lo que sucede es que los
huecos, que son mayoritarios de lado P pasan al lado N por difusin a causa del gradiente de
concentracin. Lo mismo sucede con los electrones del lado N, pasan al lado P por difusin a
causa del gradiente de concentracin.
Este es un fenmeno mecnico nicamente, que tiende a uniformizar las concentraciones de
huecos y electrones en ambos semiconductores.
Pero al pasar los huecos hacia la zona N dejan iones fijos negativos justo al lado de la juntura
metalrgica. Similarmente los electrones que pasan hacia la zona P dejan iones fijos positivos
justo al lado de la juntura.
Tener en cuenta que antes de unirse los dos semiconductores eran neutros con iones fijos
positivos de las impurezas ND en el lado N y con iones fijos negativos de las impurezas NA en el
lado P. Cuando juntamos las dos pastillas semiconductoras siguen siendo neutras en conjunto,
pero en la zona de juntura hay una separacin neta de cargas positivas del lado N
(correspondientes a las impurezas ND ionizadas positivamente) y cargas negativas del lado del
lado P (correspondientes a las impurezas NA ionizadas negativamente)
A esta zona se la llama la ZONA DE DEPLEXION
En esta zona, como consecuencia de la separacin de cargas aparece un Campo Elctrico .
Este campo lo que hace es repeler los huecos de la zona P que queran difundirse a la zona N,
pero tambin cualquier hueco de la zona N lo arrastra hacia la zona P.
Con los electrones pasa lo mismo pero con sentido opuesto, el campo trata de repeler los
electrones de la zona N que se quieren difundir hacia la zona P y arrastra a los electrones de la
zona P hacia la zona N.
En otras palabras, el campo elctrico SE OPONE a la difusin tanto de electrones como de
huecos, hasta que se establece un equilibrio entre la tendencia de difusin y el campo elctrico.
Campo Elctrico

P (NA)

+
+
+
+
+

N (ND)

Difusin de huecos IDp

Flujo por campo de Huecos IEp
Difusin de electrones IDn
Flujo por campo de electrones

IEn

En condiciones de equilibrio la corriente por difusin de huecos IDp debe cancelarse con la
corriente por campo de huecos IEp. Como as tambin la corriente por
difusin de electrones IDn, debe cancelarse con la corriente por campo de electrones
IEn.
JDp = JEp

JDn = JEn.

JDp = q Dp dp/dx

JEp = q p p E

dp = p E dx
pero Dp
p
Dp
p
Entonces: dp = dV
p
VT

= VT

E dx = dV

Si integramos esta expresin entre los lmites de la zona P donde la concentracin de equilibrio es
ppo a travs de la juntura hasta la zona N donde la concentracin de huecos es pno obtendremos:
ln( ppo/ pno )

Vo
VT

o tambin

Vo = kT ln(ND NA )
q
ni2

Este es el llamado potencial de Juntura: VJo = VT ln(ND NA )

ni2

RESUMEN:
En equilibrio trmico y sin polarizacin exterior y sin ninguna fuente exterior de energa

Existe una tendencia de difusin de mayoritarios, huecos ppo del lado P y electrones nn del
lado N a difundirse a la zona del frente de minoritarios p no huecos del lado N y npo
electrones del lado P
Aparece un campo elctrico en la zona de deplecin que frena la tendencia de difusin. Este
campo elctrico tiene asociado un potencial elctrico que es el potencial de juntura VJo que
frena la difusin.
A este potencial no lo podemos medir salvo que se rompa la condicin de equilibrio. Un
ejemplo de esto es el principio de funcionamiento de las celdas solares, que cuando se
ilumina la zona de juntura, si se mide un potencial y se lo aprovecha para generar energa.

JUNTURA PN CON POLARIZACION DIRECTA:

Si aplicanos una tensin externa V a la juntura en sentido directo (Zona P positiva y zona N
negativa)

ppo

nno

Ba
nd
a
de
Co
nd
uc de la zona de deplexin lo que hace que aumente la
Disminuimos el campo elctrico
ci
difusin.
Esta tensin externa se resta nal potencial de juntura V favoreciendo la difusin,
Jo

provocando una inyeccin de portadores minoritarios

Electrones de la zona N con una concentracin nno se difunden hacia la zona P donde la
concentracin es mucho menor npo
Huecos del lado P con una concentracin ppo se difunden hacia la zona N donde la
concentracin es mucho menor pno

Suponemos lo que se llama inyeccin de bajo nivel de tal manera que los niveles de la
concentracin inyectada sean despreciable frente a la concentracin de mayoritarios y que no se
altere localmente al lado de la juntura la neutralidad elctrica. Tambin suponemos que los
portadores atraviesan la zona de deplexin sin recombinarse.

Concentracin

ppo

nno
Ba
nd
a
de
Co
nd
uc
ci pno
n

npo

Ba
Ba
Hacemos las siguientes
definiciones:
nd
nd
Ponemos el ejea de las x horizontalmente de tal manera que x=0 esta en la juntura. aLlamamos al
de de deplexin del lado N como x y al ancho de la zona de deplexin
de del lado P
ancho de la zona
n
Co total como x
Co
como xp y al ancho
m = xn + xp
nd
nd
uc
Entonces la concentracin
de portadores inyectados justo al lado de la juntura en uc
xn ser pn(xn) y
ci
ci
en xp ser np(xp) Intuitivamente se observa que estas concentraciones dependen de la tensin
n
aplicada V. nAnalizando para los huecos
xp

Partiendo de la expresin de: dp = dV

p
VT

Integrando esta expresin entre los lmites de la zona P donde la concentracin de equilibrio es p po a
travs de la juntura hasta xn donde la concentracin de huecos es pn(xn) obtendremos:
es pn(xn) = ppo exp[-( VJo V)/ VT] trabajando con esta expresin podemos poner:
pn(xn) = pno exp(-V/ VT) O sea que la concentracin inyectada depende del valor de equilibrio pno
multiplicado por el exponencial de la tensin aplicada a la juntura. Esta es la llamada LEY de la
JUNTURA y es la que determina por que aparece el termino exponencial en la ecuacin de I
versus V.
Esta inyeccin de huecos (portadores minoritarios) penetra en la zona N y se van recombinando
hasta alcanzar el valor de equilibrio pno Aplicando lo que se vio en Semiconductores, la Ecuacin
de Continuidad:
La concentracin de minoritarios huecos inyectados disminuye exponencialmente hasta el valor de
equilibrio y es:
pn (x) = [ pn (xn) - pno] exp[ ( x - xn ) ] + pno
Lp

x > xn

Donde Lp es la Longitud de Difusin de los huecos en la zona N y es la subtangente de la funcin

exponencial de pn (x)
Calculando la densidad de corriente de difusin que origina este gradiente de concentraciones:
JDp (x) = -q Dp dp
dx
JDp (x) = q Dp (pn(xn) - pn0)
Lp

exp (x - xn)
Lp

x > xn

Esta corriente tambin vara exponencialmente como las concentraciones

Falta Agregar
RESUMEN
Concentracin
de portadores
Sem. Tipo P (NA)

- +

Sem Tipo N (ND)

- +
np(-xp) - + pn(xn)
- +
IT

IDp(x)

IDp(x)
np(x) Qn - +

Qp

pn(x)

npo

pno
-WP

Ln

-xp 0 xn Lp

WN

V
IDp(xn) = q AE Dp dpn(x) para x = xn
dx
Donde pn(x) = pn(xn)- pno

IDn (-xp) = -q AE Dn dnp(x) para x = -xp

dx

y np(x) = np(-xp)- npo

Por otro lado de acuerdo a la ley de la Juntura

pn(xn) = pno exp. (V/VT)

np(-xp) = npo exp. (V/VT)

La corriente total en la juntura ser la suma de ITotal = I = IDp(xn) + IDn (-xp)

Considerando que en la zona de deplexin no hay ni recombinacin ni generacin
Entonces
ITotal = I = q AE {Dp pno + Dn npo} exp [(V/VT) - 1]
Lp
Ln

= IS exp [(V/VT) - 1]

I = IS exp [(V/VT) - 1]
Se obtiene el mismo resultado que si se resuelve la ecuacin diferencial de continuidad
Lo que pasa que la corriente de difusin es proporcional al gradiente y este gradiente es
directamente la concentracin de exceso inyectada sobre la longitud de difusin, para cada tipo
de portador.
Este es el modelo ms simple para deducir la ecuacin de la corriente de la juntura en funcin
de la tensin directa.

Considerar por ejemplo

Si V = 2,3 VT = 2.3*26mV = 59.8mV (aprox. 60mV) exp [(V/VT) = 10 o sea que I = 10 IS
Entonces para V= 120mV I = 100IS o sea que por cada ves que la tensin aumenta 2,3 veces la
corriente lo hace aproximadamente 10 veces.

Otra forma muy simple de representar el funcionamiento del diodo es considerando la carga
inyectada.
Se llama carga inyectada. A los huecos inyectados por la zona P a la zona N y a los electrones
inyectados por la zona N a la zona P. No confundir con la carga fija de la zona de deplexin.
La carga inyectada son los portadores que pasan por difusin a la zona neutra, fuera de la zona
de campo de la regin de carga espacial , como tambin se la conoce a la zona de deplexin
Cuando la juntura se polariza directo se inyecta la carga Qp y la Carga Qn Si la polarizacin es
nula (en vaco) la carga inyectada vale cero. Esta carga inyectada se esta recombinando en
forma permanente mientras se mantenga la polarizacin directa. O sea que se esta perdiendo
carga a una relacin de Q/ donde es el tiempo de vida de los portadores minoritarios
inyectados. Pero Q/es una corriente y es precisamente la corriente del diodo:

I = Q/
Donde es el tiempo promedio entre p y n y Q es la suma de Qn y Qp
Esta es una ecuacin muy simple, lastima que no podemos trabajar midiendo carga, lo que se
mide y utiliza normalmente es la tensin por eso es que no se usa esta ecuacin.

Otra cuestin importante de ver con este modelo es el efecto capacitivo:

Como se dijo: Cuando la juntura se polariza directo se inyecta la carga Qp y la Carga Qn Si la
polarizacin es nula (en vaco) la carga inyectada vale cero y en inverso esta carga es menor
que el valor de equilibrio npo y pno

Dibujo de concentraciones con polarizacin directa, inversa y nula

Pero como se dijo con polarizacin directa la tensin V aplicada a la juntura es positiva, con
polarizacin cero V = 0 y con polarizacin inversa V es negativa, o sea que tenemos una
variacin de la carga inyectada con la tensin aplicada:

dQ/dV
y esto es un efecto capacitivo que se llama CAPACIDAD DE DIFUCION, por que es originado
por la carga inyectada por difusin cuando se polariza en directo.

CD = dQ/Dv = d(I. dVdI/dV pero dI/dV es la pendiente de la curva

I = f(V) de la Juntura en el punto de polarizacin . (O sea que la juntura est polarizada con
una corriente I)
Esta pendiente es la conductancia incremental de la juntura con la polarizacin I y es la inversa
de la resistencia incremental

dI/dV = g = 1/rd
Entonces

CD = 1/rdluego CD* rd
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