For both cases, D1 and CB form a conventional bootstrap circuit that allows VOA to

operate as a high-side driver for Q1, which has a maximum drain voltage of 1500 V.
The boot-strap start up time will depend on the CB cap chosen. See application
note, AN486: High-Side Bootstrap Design Using Si823x ISODrivers in Power
Delivery Systems. VOB is connected as a conventional low-side driver, and, in
most cases, VDD2 is the same as VDDB. Note that the input side of the Si823x
requires VDD in the range of 4.5 to 5.5 V (2.7 to 5.5 V for Si8237/8), while the
VDDA and VDDB output side supplies must be between 6.5 and 24 V with respect
to their respective grounds. It is recommended that bypass capacitors of 0.1 and 1
F value be used on the Si823x input side and that they be located as close to the
chip as possible. Moreover, it is recommended that 0.1 and 10 F bypass
capacitors, located as close to the chip as possible, be used on the Si823x output
side to reduce high-frequency noise and maximize performance.
En ambos casos, D1 y CB forman un circuito de arranque convencional (funcione
con encendido automtico) que permite que la VOA funcione como un excitador de
lado alto para Q1, que tiene un voltaje de drenaje mximo de 1500 V.
El tiempo de arranque del bootstrap en alto depender de la capacitor CB elegida.
Vea la nota de la aplicacin, "AN486: Diseo de Bootstrap de alto-lado utilizando IS
Drivers Si823x en sistemas de suministro de energa". VOB est conectado como
un controlador de bajo nivel convencional, y, en la mayora de los casos, VDD2 es
el mismo que VDDB. Tenga en cuenta que el lado de entrada del Si823x requiere
VDD en el rango de 4,5 a 5,5 V (2,7 a 5,5 V para Si8237 / 8), mientras que las
fuentes de salida VDDA y VDDB deben estar entre 6,5 y 24 V con respecto a sus
respectivos motivos. Se recomienda que se utilicen condensadores de bypass de
0,1 y 1 F en el lado de entrada Si823x y que estn situados lo ms cerca posible
del chip. Adems, se recomienda utilizar condensadores de bypass de 0,1 y 10 F,
situados lo ms cerca posible del chip, en el lado de salida Si823x para reducir el
ruido de alta frecuencia y maximizar el rendimiento.
La familia de controladores aislados Si823x combina dos controladores
independientes y aislados en un solo paquete. Los Si8230 / 1/3/4 son controladores
de lado alto / bajo, y los Si8232 / 5 son controladores de bajo nivel dual. Estn
disponibles versiones con corrientes mximas de 0,5 A (Si8230 / 1/2) y 4,0 A
(Si8233 / 4/5).
Todos los controladores funcionan con una tensin de alimentacin mxima de 24
V. Estos controladores utilizan la tecnologa de aislamiento de silicio propietaria de
Silicon Labs, que proporciona voltaje de resistencia de 600 V cc (2.5 kVacRMS) por
UL1577 y tiempos de propagacin rpidos de 50 ns. Las salidas del convertidor
pueden conectarse a tierra a los mismos motivos o separados o conectarse a una
tensin positiva o negativa.
Las entradas compatibles con el nivel TTL estn disponibles en configuraciones de
entrada de control individual (Si8230 / 2/3/5) o PWM (Si8231 / 4).
La alta integracin, el bajo retraso de propagacin, el pequeo tamao instalado,
la flexibilidad y la rentabilidad hacen que la familia Si823x sea ideal para una
amplia gama de aplicaciones aisladas de unidad de puerta MOSFET / IGBT.
Conexiones de la fuente de alimentacin
Los requisitos de aislamiento requieren suministros individuales para VDDI, VDDA y
VDDB. Las tapas de desacoplamiento de estos suministros deben situarse lo ms

cerca posible de los pines VDD del Si823x. Los valores ptimos para estos
condensadores dependen de la corriente de carga y de la distancia entre el chip y
el regulador que la alimenta. Se recomiendan los condensadores de baja
resistencia efectiva en serie (ESR), como el tantalio.
Consideraciones sobre la Disipacin de Potencia
El diseo adecuado del sistema debe asegurar que el Si823x funcione dentro de
lmites trmicos seguros a lo largo de todo el rango de carga. La disipacin de
potencia total Si823x es la suma de la potencia disipada por la corriente de
suministro de polarizacin, las prdidas de conmutacin interna y la potencia
suministrada a la carga. La ecuacin 1 muestra la disipacin de potencia Si823x
total. En un sistema sin superposicin, tal como un controlador de lado alto / bajo,
n = 1. Para un controlador de doble lado bajo con cada controlador que tiene una
carga independiente, n puede tener un valor mximo de 2, correspondiente a un
100 % De superposicin entre las dos salidas.
1. Operacin Bootstrap
La operacin de arranque (que se muestra a continuacin) es sencilla: CB se carga
durante la unidad de lado bajo donde Q2 est encendido y Q1 est apagado.
Durante este perodo, la corriente de carga fluye desde VDD a la entrada VDDA
ISOdriver ya travs del bucle de carga de la resistencia bootstrap RB a travs del
diodo D1, CB y Q2 a masa. Al final del perodo de accionamiento del lado bajo, Q2
se apaga y Q1 se enciende haciendo que la fuente de tensin en Q1 suba
rpidamente hacia su voltaje de drenaje. Esta accin inversa polariza el diodo de
arranque D1 desconectando el suministro VDD terrestre de CB.
Dado que el lado bajo de CB se hace referencia a la fuente MOSFET (GNDA), se
mantiene una tensin de polarizacin de lado alto de VDD-0,7 V entre la fuente Q1
y la puerta a travs del pasador OUTA. Desde este punto hasta el final del perodo
de accionamiento del lado alto, CB suministra toda la corriente necesaria para
mantener el funcionamiento del conductor de lado alto.
La figura siguiente muestra la ondulacin CB tpica. El final del ciclo de carga de CB
es seguido de cerca por un dV / dt negativo alto como carga de puerta de fuentes
de CB a Q1. Despus de transferir QG, el voltaje en CB cae cuando la corriente se
obtiene de la entrada VDDA para mantener la OUTA en su estado alto. Obsrvese
que la diferencia entre el valor real y mximo alcanzable de VCB se debe a la cada
de RB y D1, y que la amplitud de ondulacin CB es una funcin de los valores de
QG, VDD corriente y CB. Adems, RB se utiliza tpicamente en sistemas de baja
frecuencia para limitar la corriente de pico y rara vez se utiliza en sistemas que
funcionan por encima de 100 kHz.

Hoy en da el dixido de carbono en la atmosfera ha alcanzado el nivel ms alto

registrado en la atmosfera. La solucin a este problema est aqu.
En una hora
El dixido de carbono en la atrmosfera, alcanzo el nivel mas alto registrado en la
atmosfera en el mundo 395ppm de CO2
La solucin a este problema el mas grande en esta hera, esta ah
En una hora el sol irradia mas energa que ocupa toda la humanidad en un ao,
una fuente ilimitada e inagotable.
Y justamente en chile en el desierto de atacama, el lugar con los cielos mas
transparentes, donde se da por lejos la mejor radiacin solar.
El potencial es enorme, con menos del 0,5% de la superficie del desierto de
atacama, cubierto por paneles fotovoltaicos, se podra reemplazar la generacin
elctrica de todo chile 25kmx25km.
Ademas gracias a la enorme baja que ha experimentado el costo de la energa
solar en los ltimos aos. Hoy en Chile, la energa solar producida en el desierto de
atacama, es mas barata que la energa producida con carbn. Sin embargo la
demanda elctrica requiere suministro continuo, y el pic de la demanda elctrica
en Chile ocurre a las 10 de la noche