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Chapitre 4
Transistor Bipolaire
1. Description et symbole :
Le transistor bipolaire est un composant lectronique discret constitu de trois lectrodes
Reprsentant la succession de trois semi-conducteurs, respectivement de type P-N-P ou N-P-N. Il
s'agit, dans le premier cas, d'un transistor NPN, et dans le deuxime cas, d'un transistor PNP.
E C E C
P N P
B B
C C
B B
E E
Par construction, les jonctions base - metteur et base - collecteur ne sont pas identiques. Le
transistor ne fonctionne pas de manire symtrique :
- Le collecteur et l'metteur ont des dopages trs diffrents.
- L'metteur est beaucoup plus dop que la base.
- La base est plus mince.
- La flche qui repre l'metteur indique le sens passant de la jonction base - metteur.
2. Effet Transistor :
L'effet transistor apparat lorsqu'on polarise la jonction base - metteur en direct et la jonction
base - collecteur en inverse.
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ISET Nabeul
E C IC = ICOB
B VCC
Figure IV-2
C E
Figure IV-3
Alimentons un transistor NPN comme indiqu la figure IV-3. la jonction base - metteur est
polarise en direct, VBE =0,7V (pour le silicium) Le courant de base est donn par :
EB 0, 7 EB
IB =
RB RB
Ce courant ne dpend que des lments extrieurs et est indpendant du transistor. La
caractristique IB=f(VBE) est celle d'une diode polarise en direct. Le courant de collecteur est nul
IC =0 .
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ISET Nabeul
B
VCC
IE
Figure IV-4
La jonction base - metteur est polarise en direct. Des trous sont injects de la base vers
l'metteur alors que des lectrons passent de l'metteur vers la base. Cette diffusion donne
naissance un courant IE. Ce courant est essentiellement d aux lectrons injects de l'metteur
(plus dop que la base). D'autre part, on a : VCB = VCC VBE VCC est positive, donc, la jonction
Par construction, le collecteur capte un nombre d'lectrons (courant IC) beaucoup plus
EB
important que la base. Le courant de base, I B , est indpendant du transistor. Il est
RB
ncessaire pour maintenir la concentration de trous dans la base.
Conclusion : L'effet transistor consiste contrler, l'aide du courant de base IB, relativement
faible, un courant de collecteur IC, beaucoup plus important.
Mise en quation :
Considrons le schma de la figure IV-5. La jonction base-collecteur est polarise en inverse.
La jonction base-metteur est polarise en direct.
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IC IE
VCB EB
IB
RB
Figure IV-5
Le courant IC rsulte :
- du courant de fuite en base commune ICOB qui intervient sur le schma de la figure IV-2
- du courant IE provenant des lectrons injects par l'metteur, 0,9 0,995
soit,
IC = I E + IC 0 B
Et
I E = IC + I B
De ces deux quations, on tire :
I
IC = I B + C0B
1 1
Que l'on crit sous la forme :
IC = I B + IC 0 E
Avec :
= : c'est le gain en courant en metteur commun
1
IC 0 B
I COE = : C'est le courant de fuite en metteur commun.
1
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On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune l'entre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
- base commune utilis en haute frquence,
- collecteur commun utilis en adaptation d'impdance,
- metteur commun utilis en amplification et le plus commun.
Le montage metteur commun (figure IV-6) :
Figure IV-6
Les bornes d'entre du tri ple sont la base et l'metteur; les grandeurs d'entre sont : IB et VBE.
La sortie se fait entre le collecteur et l'metteur; les grandeurs correspondantes sont IC et VCE.
Figure IV-7
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Rseau de sortie
C'est le rseau I C = F (VCE ) I B = Cte . Dans ce rseau on distingue trois zones :
- VCE: faible (infrieure 0,7V), la jonction base - collecteur est polarise en directe. Le
courant IC varie linairement avec VCE.
- VCE : grand, il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche.
Selon les transistors la tension de claquage varie de 30V 250V.
- VCE intermdiaires, le courant collecteur est donn par la
relation : I C = I B + I C 0 E + kVCE
IC = I B
est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain varie avec le courant collecteur, la tension
VCE , et la temprature (terme ICEO ).
IB, tant fois plus faible que Ic. On peut considrer que la puissance dissipe dans le
transistor est :
P = VCE.IC
IC = I B + IC 0 E
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Figure IV-8
Rseau d'entre :
C'est le rseau IB = f(VBE) VCE =Cte . Ds que VCE 0, 7V , toutes les courbes sont
pratiquement confondues. La courbe est identique la caractristique d'une diode (jonction base-
metteur). Pour un transistor au silicium VBE varie trs peu et reste voisin de la tension seuil de la
jonction base-metteur, soit 0,7V.
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Figure IV-9
Nous allons chercher dterminer la valeur du courant IC et de la tension VCE en fonction des
lments du montage. Nous disposons de deux quations :
- lune provenant du transistor, donne par le rseau de caractristiques IC = f(VCE) IB =Cte
- 1'autre rsultant de la loi des mailles : E = RC I C + VCE
La droite reprsentative de cette quation est appele droite de charge statique. Traons cette
droite dans le systme d' axes IC = f (VCE ). Figure IV-10.
Figure IV-10
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Les valeurs de IC et de VCE sont les coordonnes du point d'intersection de la droite de charge
statique et de la caractristique IC = f(VCE) correspondant la valeur de IB impose par le rseau
d'entr.
(quelques diximes de volt). Toute augmentation de IB est pratiquement sans effet sur la
valeur de IC. Le transistor se comporte, entre collecteur et metteur, comme un
interrupteur ferm. On note : VCE VCEsat
- Le point B pratiquement sur 1'axe des VCE. IC est trs faible. Le transistor est bloqu. II se
comporte, entre collecteur et metteur, comme un interrupteur ouvert.
Figure IV-11
Pour que le transistor soit satur (point de fonctionnement en S), il faut que son courant de
collecteur IC soit infrieur I B , soit : I C I B
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Exemple :
Figure IV-12
E VCESat E
IC =
RC RC
la condition de saturation s'crit :
E E
RB RC
Soit :
RB RC
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matriau semi-conducteur utilise, une deuxime lettre renseigne sur la nature du composant, puis
vient un groupe de trois chiffres (pour les produits "grand public") ou deux chiffres et une lettre
(produits industriels).
Exemple:
A: diode, signal
C: transistor, low power, audio frequency
D: transistor, power, audio frequency 100 999
B: silicium F: transistor, low power, high frequency ou
R: switching device, low power (e.g. thyristor) 10 99 + lettre
U: transistor, power switching
Y: diode, rectifier
Exemples:
la BA159 est une diode signal, le BC547 est un transistor faible puissance, le BD135 est un
transistor de puissance.
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