Kompakter 690V-Umrichter mit SiC-

Schottkydioden fr sinusfrmige
Ausgangsspannung

Der Technischen Fakultt der

Universitt Erlangen-Nrnberg
zur Erlangung des Grades

DOKTOR-INGENIEUR

vorgelegt von

Benno Weis

Erlangen, 2008
 Als Dissertation genehmigt von
der Technischen Fakultt der
Universitt Erlangen-Nrnberg

Tag der Einreichung: 10.10.2007

Tag der Promotion: 09.05.2008
Dekan: Prof. Dr.-Ing. habil. J. Huber
Berichterstatter: Prof. Dr-Ing. B. Piepenbreier
Prof. Dr. rer.nat. M. Stoisiek

2
Vorwort

Die vorliegende Arbeit entstand whrend meiner Ttigkeit als Entwicklungsingenieur im

Kompetenzzentrum Leistungselektronik des Bereiches Automation and Drives der Siemens
AG in Erlangen.

Bei Hrn. Prof. Dr.-Ing. B. Piepenbreier mchte ich mich fr die freundliche Betreuung dieser
Arbeit, die konstruktiven Anregungen und die bernahme des ersten Gutachtens bedanken.
Hrn. Prof. Dr. phil. nat. M. Stoisiek danke ich fr die bernahme des Koreferats, des zweiten
Gutachtens sowie die anregenden Diskussionen, die mein Verstndnis fr
Leistungshalbleiter erweitert haben.

Fr die Anregung zu dieser Arbeit mchte ich mich ganz herzlich bei Hrn. Dr. rer.nat. H.
Mitlehner und Hrn. Prof. Dr.-Ing. M. Bruckmann bedanken. Des Weiteren bedanke ich mich
bei meinen Vorgesetzten, Hrn. G. Bock und Hrn. Dr.-Ing. E. Baudelot, fr die wohlwollende
Untersttzung und das kreative, innovative Arbeitsumfeld. Bei meinen Kollegen, Hrn. Dr.-Ing.
H. Schierling, Hrn. Dr.-Ing. R. Polley, Hrn. Dr-Ing. F. Bauer, Hrn. Dipl.-Ing. R. Gospos und
Hrn. Dipl.-Ing. R. Freydman mchte ich mich fr die anregenden Diskussionen sowie die
angenehme Arbeitsatmosphre bedanken. Bei den Firmen infineon AG und SiCED GmbH,
insbesondere bei Hrn. Dr. M. Ruff und Hrn. Dr.-Ing. D. Peters, mchte ich mich fr die
konstruktive Zusammenarbeit auf dem Gebiet der SiC-Schottkydioden bedanken.

Bei meinen Eltern mchte ich mich fr die permanente Untersttzung bedanken, die sie mir
whrend meiner Schulzeit und meines Studiums zukommen lieen.

Der hohe private zeitliche Aufwand, der im Besonderen bei Dissertationen neben einer
Industriettigkeit anfllt, hat fr meine Familie eine besondere Belastung dargestellt. Deshalb
bedanke ich mich ganz besonders bei meiner Frau und meinen Kindern, die mir einen
groartigen Rckhalt geboten und whrend dieser Zeit viel Geduld entgegengebracht haben.

3
4
Inhaltsverzeichnis:

1 Einleitung ..........................................................................................................................7
2 Halbleiterbauelemente des motorseitigen Wechselrichters ............................................10
2.1 Der IGBT ................................................................................................................10
2.1.1 Trench-IGBT .......................................................................................................10
2.1.2 Planarer IGBT.....................................................................................................11
2.1.3 Ansteuerbedingungen beim Abschalten des IGBT.............................................13
2.1.3.1 Maximale berspannung ............................................................................14
2.1.3.2 Abschaltfestigkeit im Kurzschlussfall ..........................................................14
2.1.3.3 Belastung der Komponenten der Potenzialtrennung ..................................17
2.1.3.4 Verlustersparnis durch schnelles Schalten .................................................20
2.1.4 Dynamische Sttigungsspannung ......................................................................21
2.2 Die Freilaufdiode ....................................................................................................24
2.2.1 Die Si-pn-Diode ..................................................................................................24
2.2.2 Die SiC-Schottkydiode........................................................................................29
2.2.2.1 Der Schottky-Kontakt ..................................................................................30
2.2.2.2 Die Driftzone ...............................................................................................34
2.2.2.3 Parallelschaltbarkeit von SiC-Schottkydioden ............................................35
2.2.2.4 Bestimmung der Chipgre der SiC-Dioden ..............................................41
2.2.2.5 Dynamisches Abschaltverhalten der SiC-Schottkydiode ............................45
2.2.2.6 Einschaltverhalten der SiC-Schottkydiode..................................................49
2.3 Auslegung des Umrichters fr verschiedene Dioden..............................................50
2.3.1 Berechnung der Verlustleistung im Umrichterbetrieb .........................................50
2.3.1.1 Berechnung der Durchlassverluste.............................................................50
2.3.1.2 Berechnung der Schaltverluste...................................................................53
2.3.1.3 Verluste bei Ausgangsfrequenz 0Hz...........................................................54
2.3.1.4 Verlustoptimierung fr kleine Ausgangsfrequenzen ...................................57
2.3.2 Thermisches Modell............................................................................................60
2.3.3 Berechnung des erforderlichen Halbleiteraufwands ...........................................68
2.4 Unipolarer Hochvoltschalter ...................................................................................73
2.4.1 Struktur des SiC-JFET........................................................................................74
2.4.2 Durchlassverhalten .............................................................................................75
2.4.3 Nachbildung des Schaltverhaltens .....................................................................76
2.4.4 Berechnung des Halbleiterbedarfs im Umrichterbetrieb .....................................80
2.5 Moduldesign ...........................................................................................................85
3 Auslegung des Sinus-Ausgangsfilter ..............................................................................92
3.1 Bestimmung der auslegungsrelevanten Ausgangsspannung.................................92
3.2 Auslegung der Filterdrossel ....................................................................................97
3.2.1 Magnetische Dimensionierung der Filterdrossel.................................................98
3.2.1.1 Grundlagen .................................................................................................98
3.2.1.2 Bestimmung des Ripplestroms .................................................................100
3.2.2 Thermische Dimensionierung der Filterdrossel ................................................102
3.2.2.1 Kupferverluste...........................................................................................102
3.2.2.2 Hystereseverluste .....................................................................................102
3.2.2.3 Wirbelstromverluste ..................................................................................104
3.2.2.4 Integrations- und Khlkonzept fr den Sinusfilter .....................................105
3.2.3 Rckwirkung des Ripplestroms auf die Halbleiterdimensionierung ..................108
3.2.3.1 Simulation der zustzlichen Halbleiterverluste .........................................108
3.2.3.2 Ermittlung des kostenoptimalen Ripplestromes........................................112
3.2.4 Auswahl der Schaltfrequenz .............................................................................114
3.3 Auslegung Kondensator .......................................................................................117

5
 3.3.1 Dimensionierung der Filtereckfrequenz ............................................................117
3.3.2 Dmpfung des Filters........................................................................................120
3.3.2.1 Bestimmung der existierenden Dmpfung................................................120
3.3.2.2 Bestimmung der frequenzabhngigen Drosselverluste ............................121
3.3.2.3 Auswirkungen der Dmpfung und des Motors auf die
bertragungscharakteristik........................................................................................122
3.3.3 Selbsterregung .................................................................................................124
3.4 Asymmetrischer Filter ...........................................................................................128
3.4.1 Spannungsbelastung des Motors .....................................................................129
3.4.2 Resonanz des asymmetrischen Filters.............................................................135
3.4.3 Lagerstrme......................................................................................................137
3.5 EMV-Verhalten .....................................................................................................143
3.5.1 Grundlagen und Messaufbau ...........................................................................143
3.5.2 Leitungsgebundene Straussendung ...............................................................145
3.5.3 Strahlungsgebundene Straussendung ...........................................................149
4 Zusammenfassung........................................................................................................152
5 Abstract .........................................................................................................................154
6 Abkrzungen und Formelzeichen .................................................................................155
7 Literaturverzeichnis .......................................................................................................160

6
1 Einleitung
Stromrichter zur Regelung drehzahlvernderlicher Antriebe gewinnen in der Anwendung
immer mehr an Bedeutung. In zunehmendem Mae ersetzt diese Konfiguration die
klassische Lsung, bei der ein Motor direkt am Netz betrieben wird. Zum einen Teil ist dies
durch die vorteilhafte Performance der drehzahlvernderlichen Antriebe begrndet, zum
anderen bieten drehzahlvernderbare Antriebe Mglichkeiten zur Energieeinsparung ([12],
[27]).

Netz Gleichrichter Wechselrichter Motorleitungen

Zwischenkreis und Motor

Abbildung 1: Standardmige Ausfhrung eines drehzahlvernderlichen Antriebes

Dem Motor wird hierbei durch den Frequenzumrichter ein in Frequenz und Amplitude
variables Spannungssystem geliefert, das durch Schalthandlungen des Wechselrichters aus
der konstanten Zwischenkreisspannung erzeugt wird. Diese Schalthandlungen werden durch
Pulsweitenmodulation derart gesteuert, dass an den Motorklemmen eine Spannung anliegt,
die in ihrem Frequenzspektrum die gewnschte Amplitude bei der gewnschten
Grundfrequenz enthlt.

Neben vielen Vorteilen besitzt die standardmige Ausfhrung eines drehzahlvernderlichen

Antriebes den Nachteil, dass das Frequenzspektrum der Motorspannung neben der
gewnschten Grundfrequenz auch Oberschwingungen enthlt, die betrchtliche Amplituden
bei hohen Frequenzen besitzen. Diese hochfrequenten Spannungsanteile fhren zu
hochfrequenten Strmen im Motor. Zur Wandlung der elektrischen Energie an den
Motorklemmen in mechanische Energie an der Welle trgt jedoch nur der grundfrequente
Stromanteil bei ([19], [80]). Die hochfrequenten Anteile im Motorstrom hingegen erzeugen
lediglich Verluste im Motor, die dessen Ausnutzung reduzieren.

Ein weiterer Nachteil der gepulsten Umrichterausgangsspannung besteht darin, dass die
hohe Spannungssteilheit die Isolation des Motors in erhhter Weise beansprucht ([10], [29]).
Dies ist insbesondere dann von Nachteil, wenn ein Antrieb vom Betrieb am starren Netz auf
einen drehzahlvernderlichen Antrieb umgerstet werden soll, ohne den Motor zu ersetzen.
Die fr den Netzbetrieb konzipierten Motoren sind hufig nicht in der Lage, die hohe
Spannungssteilheit des Umrichters zu verkraften, so dass ein Motoraustausch erforderlich
wird.

Ein dritter Nachteil der gepulsten Umrichterspannung betrifft die Verkabelung zwischen
Umrichter und Motor. Mitunter werden an dieser Stelle sehr lange Leitungen erforderlich.
Dies ist beispielsweise in der chemischen Industrie anzutreffen. Dort sind hufig sehr
groflchige, weitlufige Anlagen anzutreffen, bei denen die Frequenzumrichter in
klimatisierten Rumen zentral angeordnet sind, whrend sich die Motoren weit entfernt in der
Anlage befinden. In diesem Fall flieen durch die unvermeidbaren Kapazitten der

7
Motorleitungen zu einem Kabelschirm oder Bezugserde nicht zu vernachlssigende Strme,
die den Wechselrichter des Umrichters thermisch belasten. In der Praxis ist daher fr die
Frequenzumrichter eine maximal zulssige Lnge der anschliebaren Motorleitungen
definiert [116]. Darber hinaus ist fr die gepulsten Spannungen der Einsatz geschirmter
Motorleitungen erforderlich, um unzulssige Beeinflussungen anderer Gerte zu verhindern.
Diese geschirmten Motorleitungen sind deutlich teurer als die ungeschirmte Variante. Zudem
trifft auch hier der Sachverhalt zu, dass bei der Umrstung eines Antriebes am starren Netz
auf einen drehzahlvernderlichen Antrieb die vorhandenen Motorkabel gegen geschirmte
Motorleitungen ersetzt werden mssen, wobei der Installationsaufwand erheblich sein kann.

All diese Argumente haben in der Vergangenheit dazu gefhrt, dass in einigen
Anwendungen, z.B. in der chemischen Industrie, sogenannte Sinusfilter am Ausgang des
Frequenzumrichters eingesetzt werden. Diese Sinusfilter filtern die hochfrequenten
Spannungsanteile aus der Motorspannung aus, so dass eine sinusfrmige Spannung an den
Motorklemmen vorliegt. Zu diesem Zweck muss die Eckfrequenz des Sinusfilters zwischen
der gewnschten Grundfrequenz des Antriebes und der Schaltfrequenz des Wechselrichters
liegen. Die oben genannten Schwierigkeiten knnen dann reduziert oder ganz behoben
werden.

Der Nachteil dieser Lsung besteht darin, dass bei heute blichen standardmigen
Schaltfrequenzen von 1 - 4 kHz der Sinusfilter aufgrund seiner niedrigen Eckfrequenz eine
grovolumige und teuere Komponente darstellt. Die mgliche Schaltfrequenz des
Wechselrichters wird durch die Schaltverluste begrenzt und sinkt mit steigender Spannung
des Antriebssystems, weil Halbleiterbauelemente mit hoher Sperrspannung besonders hohe
Schaltverluste verursachen.

Das Ziel dieser Arbeit besteht darin, Lsungsmglichkeiten fr ein Umrichterleistungsteil zu

erarbeiten, das im Vergleich zu heute mit erhhter Schaltfrequenz arbeitet, so dass die
Eckfrequenz und damit der Aufwand fr den Sinusfilter reduziert werden kann. Zu diesem
Zweck werden in dem ersten Teil der Arbeit unterschiedliche Halbleiterlsungen bzgl. einer
Dimensionierung des Motorwechselrichters miteinander verglichen, wobei ein besonderes
Augenmerk auf der Verwendung von Bauelementen aus dem Halbleitermaterial
Siliziumkarbid liegt. Im zweiten Teil der Arbeit werden die Realisierung des Sinusfilters und
dessen Rckwirkungen auf den Umrichter diskutiert.

Die erarbeiteten Ergebnisse werden an einem Demonstratorumrichter verifiziert. Die

gewhlte Schaltungstopologie des Demonstratorumrichters ist in Abbildung 2 dargestellt:

690V- EMV Netz Netzstromrichter ZK Motorstromrichter Sinus- Motorleitungen

Netz - - Ausgangsfilter und Motor
Filter filter

Abbildung 2: Topologie des Demonstratorumrichters

Weil die Schwierigkeiten der hohen Schaltfrequenz des Wechselrichters insbesondere bei
hoher Anschlussspannung des Versorgungsnetzes auftreten, soll der Demonstrator fr eine
Anschlussspannung von 690V konzipiert werden. Als Nennleistung des Demonstrators wird
18,5kW gewhlt, was im mittleren Leistungsbereich heutiger Umrichterreihen liegt, so dass
die Ergebnisse mglichst gut auf niedrigere und hhere Leistungen bertragen werden

8
knnen. Die Ausfhrung der netzseitigen Umrichtertopologie ist fr die Dimensionierung des
motorseitigen Wechselrichters und des Sinus-Ausgangsfilters von untergeordneter
Bedeutung, so dass sie im weiteren Verlauf der Arbeit nicht weiter betrachtet, sondern nur an
dieser Stelle kurz erlutert wird:

Als netzseitige Schaltungstopologie wird eine rckspeisefhige, unter dem Begriff

Fundamental Frequency Front End (F3E) [95] bekannte Schaltungsanordung verwendet,
die den Ansatz der Arbeit nach einer kompakten Gesamtlsung untersttzt. Diese
Schaltungsanordnung verwendet auf der Netzseite einen aktiven Gleichrichter aus IGBTs
und Dioden, wobei die IGBTs nur mit der Frequenz des Netzes (z.B. 50Hz) getaktet werden
und somit kaum Schaltverluste anfallen. Wegen dieser geringen Schaltfrequenz sind die
Halbleiter des netzseitigen Gleichrichters auf optimales Durchlassverhalten ausgelegt; der
Einsatz von Schottkydioden als Freilaufdioden wre im netzseitigen Gleichrichter deshalb
nicht sinnvoll. Als passive Komponenten bentigt diese netzseitige Umrichtertopologie
Wechselspannungskondensatoren auf der Netzseite, die in Verbindung mit der Induktivitt
des Netzes einen Netzfilter bilden. Im Gegensatz zu der klassischen Topologie des
Spannungszwischenkreisumrichters entfllt eine netzseitige Drossel. Der
Gleichspannungszwischenkreis wird mit minimaler Kapazitt, im Fall des
Demonstratorumrichters mit 10F, ausgefhrt. Diese Kapazitt dient nicht wie im klassischen
Spannungszwischenkreisumrichter der Energiespeicherung, sondern lediglich der
Begrenzung von Schaltberspannungen des Wechselrichters. Der Verlauf der
Zwischenkreisspannung zeigt nicht einen konstanten Wert, sondern weist charakteristisch
einen Wechselspannungsanteil mit der sechsfachen Frequenz des speisenden Netzes auf.
Der Netzstrom besteht in erster Nherung aus 120 Stromblcken, in denen bei konstanter
Leistungsentnahme der Motorseite ebenfalls Frequenzanteile mit der sechsfachen
Netzfrequenz enthalten sind. Fr tiefer gehende Ausfhrungen zum Betriebsverhalten der
netzseitigen Fundamental Frequency Front End Umrichtertopologie wird auf die Literatur
([43], [95]) verwiesen.

9
2 Halbleiterbauelemente des motorseitigen
Wechselrichters
In diesem Kapitel soll die Dimensionierung und Optimierung der Halbleiterbauelemente fr
den motorseitigen Wechselrichter vorgenommen werden. Wesentliche Komponenten des
Motorwechselrichters sind die IGBT-Chips, die Freilaufdiodenchips und der Modulaufbau.

2.1 Der IGBT

Im ersten Schritt soll ein geeigneter aktiver Halbleiterschalter fr den Motorwechselrichter

ausgewhlt werden. In der praktischen Anwendung hat sich fr Netzanschlussspannungen
zwischen 230V und 690V der IGBT als alleinige Halbleiterstruktur durchgesetzt ([80], [124]).
Entscheidend fr die Bewertung eines IGBT ist der Kompromiss zwischen
Durchlassverlusten und Abschaltverlusten. Dieser Kompromiss wird mit steigender
Sperrspannung eines Bauelements immer schwieriger, da bei angenommener gleich
bleibender Durchlassspannung die erforderliche gespeicherte Ladung in der schwach
dotierten Mittelschicht quadratisch ansteigen muss [15]. Da im vorliegenden Fall ein
Umrichter mit einer Ausgangsspannung von 690Vac entwickelt werden soll, sind IGBTs mit
einer zulssigen Sperrspannung von 1700V erforderlich, bei denen dieser Kompromiss eine
noch strkere Rolle spielt als bei 1200V-Bauelementen. Dies ist der Grund dafr, dass 690V-
Umrichter heute in der Regel mit geringerer Schaltfrequenz betrieben werden als 400V-
Umrichter.

Die heute verfgbaren wesentlichen IGBT-Technologien fr 1700V Sperrspannung sind

Trench-IGBTs und planare IGBTs ([24], [65], [66], [124]).

2.1.1 Trench-IGBT

Der schematische Aufbau der Halbzelle eines Trench-IGBTs sowie die zugehrige
Ladungstrgerverteilung im Durchlasszustand sind schematisch in Abbildung 3 gezeigt.

Der Trench-IGBT zeichnet sich vor allem durch seine guten Eigenschaften im
Durchlassverhalten aus. Dieses wird durch die verhltnismig hohe
Ladungstrgerberschwemmung erreicht. Die Injektion der Minorittsladungstrger erfolgt
beim IGBT ausschlielich aus dem p+-Gebiet der Collectorseite (das emitterseitige p-Gebiet
ist durch den Inversionskanal von dem emitterseitigen n+-Gebiet zu dem schwach dotierten
n--Mittelgebiet berbrckt), deshalb nimmt die Konzentration der freien Ladungstrger in der
n--Mittelzone von der Collectorseite zum emitterseitigen pn-bergang ab. Allerdings stauen
sich beim Trench-IGBT im Bereich unter dem Trench-Gate die freien Ladungstrger, weil die
Lcher durch die schmale Ausfhrung des Emitterbereiches nicht ungehindert abflieen
knnen. Abhngig von der konkreten geometrischen Ausfhrung des Bereiches zwischen
den Trench-Gates kann dadurch im Bereich unter dem Trench-Gate die Konzentration der
freien Ladungstrger verhltnismig hoch gehalten oder im Vergleich zum tiefer liegenden
n- Gebiet sogar wieder angehoben werden, wodurch die gute Durchlasseigenschaft des
Trench-IGBTs erreicht wird. Der Nachteil der hohen gespeicherten Ladung liegt in erhhten
Abschaltverlusten, weil die gespeicherte Ladung beim Abschalten ausgerumt werden muss.

10
 A B

G E x x
Inversions-
kanal n+
n+
n,p n,p
p p

Elektronen

n- n p n p

Lcher-
injektion
n+ n+ n+

p+ p+ p+

C A - A B - B

A B

Abbildung 3: Trench-IGBT Struktur und Ladungstrgerverteilung im Durchlasszustand entlang

den Linien A-A und B-B

Die Trench-Technologie fr IGBTs ist verhltnismig neu. Sie wird heute von den meisten
Herstellern fr Standard-IGBTs der aktuellen Chipgeneration eingesetzt. Diese Standard-
IGBTs sind fr eine Schaltfrequenz von ca. 4kHz bei 1200V-IGBTs und fr eine
Schaltfrequenz von ca. 1,5kHz fr 1700V-IGBTs optimiert.

2.1.2 Planarer IGBT

Alternativ zum Trench-IGBT sind planare IGBTs verfgbar. Die Planarstruktur war vor
Einfhrung der Trench-Struktur bei IGBTs dominant. Die Struktur und
Ladungstrgerverteilung eines solchen IGBTs sind schematisch in Abbildung 4 gezeigt.

11
 A
x

E G n+

p
n+ n,p
p
Elektronen

Inversionskanal

np

n-

n+ Lcher- n+
injektion
p+
p+

C A - A

Abbildung 4: Planarer IGBT Struktur und Ladungstrgerverteilung im Durchlasszustand

entlang der Linie A-A

Der planare IGBT zeichnet sich durch sehr gutes Abschaltverhalten aus, kann aber die
Durchlasswerte des Trench-IGBT nicht erreichen, da insbesondere im Bereich des
emitterseitigen pn-berganges weniger freie Ladungstrger vorhanden sind und die
Zelldichte weniger hoch realisiert werden kann.

Bei beiden Strukturen besteht nun die Mglichkeit, durch die Dotierung des p+-
Collectorgebietes und des n+-Bufferlayers die Ladungstrgerverteilung genau einzustellen.
Zwei typische IGBTs der jeweiligen Technologie fr 1700V/50A (Infineon) besitzen die
folgende Kennwerte ([54], [56]):

Bezeichnung Durchlassspannung bei Abschaltverluste Technologie

Nennstrom

FS50R17KE3 2,4V 15,5mWs trench

FS50R17KS4F 4,9V 7mWs planar

Tabelle 1: Durchlassspannung und Abschaltverluste verschiedener IGBTs

Diese Datenblattwerte, insbesondere die Abschaltverluste, sind als Richtwerte zum Vergleich
der Technologien zu verstehen. Bei der Anwendung im Umrichter sind diese Verluste stark
von der Ansteuerung und dem Aufbau des Leistungsteils abhngig, so dass sie an einem
Demonstrator messtechnisch erfasst werden mssen.

12
 uce_planar ic_planar uce_trench
ic_trench
kV A kV A
kV A kV A
1.2 30 1.2 30

1.0 25 1.0 25

0.8 20 0.8 20

0.6 15 0.6 15

0.4 10 0.4 10

0.2 5 0.2 5

0.0 0 0.0 0

-0.2 -5 -0.2 -5
29 30 31 32 33 34
s

Abbildung 5: Abschaltverhalten des schnellen planaren IGBT und des Trench-IGBTs

In Abbildung 5 sind das Abschaltverhalten des schnellen planaren IGBTs und des Trench-
IGBTs vergleichend dargestellt. Die Farben magenta und rot zeigen die Collector-Emitter-
Spannung und der Collectorstrom des Trench-IGBT, schwarz und blau die quivalenten
Messkurven des planaren IGBT. Die in Tabelle 1 zu erkennende Tendenz wird durch die
Messung besttigt. Ursache fr die erhhten Abschaltverluste des Trench-IGBTs ist die
hhere Anzahl gespeicherter Ladungstrger, die beim Abschalten als Tailstrom zu erkennen
sind.

Aus dieser Messung kann die Schlussfolgerung gezogen werden, dass IGBTs in Trench-
Technologie fr niedrige Schaltfrequenz zu bevorzugen ist, whrend der planare IGBT fr
hohe Schaltfrequenz das bessere Verhalten erwarten lsst. Da in der vorliegenden Arbeit mit
erhhter Schaltfrequenz gearbeitet wird, stellen planare IGBTs die bevorzugte Variante dar.
Im weiteren Verlauf der Arbeit wird deshalb mit planaren IGBTs gearbeitet.

2.1.3 Ansteuerbedingungen beim Abschalten des IGBT

Fr die Schaltgeschwindigkeit beim Abschalten des IGBT sind mehrere Kriterien zu

bercksichtigen, die im Folgenden kurz erlutert werden sollen:

13
2.1.3.1 Maximale berspannung

Aus der im Kommutierungskreis unvermeidlichen Streuinduktivitt und der Forderung, dass

die beim Abschalten auftretende berspannung am IGBT dessen maximale Sperrspannung
Usmax nicht berschreiten darf, ergibt sich:

di
U CE max = U zk + Ls U s max (1)
dt

Bei dem vorliegenden Demonstratorumrichter befinden sich IGBT und Diode in einem
Halbleitermodul. Die durch den inneren Aufbau bedingte Streuinduktivitt ist im Datenblatt
angegeben, sie betrgt 30nH [56]. Zu dieser Streuinduktivitt addieren sich noch die
Streuinduktivitt des Zwischenkreiskondensators und der Leistungsverschienung. Der
Zwischenkreiskondensator ist bei der verwendeten F3E-Topologie als Folienkondensator
realisiert. Dieser besitzt eine Eigeninduktivitt von 30nH [30]. Die
Zwischenkreisverschienung wird bei dem Demonstratorumrichter als mehrlagige Leiterplatte
ausgefhrt, wobei die stromfhrenden Kupferflchen zum positiven und negativen
Zwischenkreisanschluss mit so geringem Abstand wie mglich ausgefhrt werden. In
Summe wird im Demonstrator eine Streuinduktivitt von 100nH fr den Kommutierungskreis
erreicht. Bei einer maximalen Zwischenkreisspannung von 1200V und einer maximalen
Halbleitersperrspannung von 1700V ergibt sich eine zulssige berspannung von 500V. Fr
die zulssige Stromsteilheit ergibt sich somit nach Gl. (1):

di U U zk 500V
= smax = (2)
dt Ls 100nH

Die maximal zulssige Stromsteilheit betrgt somit 5kA/s. Bei einem maximalen Strom von
100A bedeutet dies eine Stromfallzeit von 20ns. Derart schnelle Stromflanken knnen auch
bei sehr schneller Ansteuerung der vorgestellten IGBTs nicht erreicht werden. Deshalb stellt
das Kriterium der maximal zulssigen berspannung im vorliegenden Fall keine Begrenzung
der Schaltgeschwindigkeit dar.

2.1.3.2 Abschaltfestigkeit im Kurzschlussfall

Ein weiteres Kriterium fr eine Begrenzung der Schaltgeschwindigkeit ist die

Abschaltfestigkeit im Kurzschlussfall [80]. Dieses Kriterium beinhaltet zwei unterschiedliche
technische Hintergrnde:

Zum einen darf wiederum die maximal zulssige berspannung nicht berschritten werden.
Gegenber Kapitel 2.1.3.1 verschrft sich die Anforderung, weil der abzuschaltende Strom
nun nicht mehr von den Betriebspunkten des Umrichters abhngt, sondern von dem
Entsttigungsstrom der IGBTs, welcher typischerweise den fnf- bis achtfachen Wert des
IGBT-Nennstromes betrgt.

Zum anderen bildet der dynamische Avalanche eine Grenze fr die Abschaltfestigkeit.
Ausgehend von der in Abbildung 4 erluterten Ladungstrgerverteilung im statischen
Durchlasszustand vor dem Abschalten wird diese Problematik in Abbildung 6 anhand der
Ladungstrgerverteilung und dem elektrischen Feldverlauf whrend des Abschaltvorgangs
veranschaulicht:

14
 x x x

n+ n+ n+

p p Emax p
Emax

n,p n,p,E n,p,E

w1
n p
n-+p* n-

w
n p n-
n p

n+ n+ n+

p+ p+ p+

statischer Abschaltvorgang statischer

Durchlasszustand Sperrzustand

Abbildung 6: Ladungstrgerverteilung und elektrisches Feld im IGBT in unterschiedlichen

Betriebspunkten

Im statischen Sperrzustand ist in der schwach dotierten Mittelschicht die Dichte der sehr
geringe freien Ladungstrger sehr gering (n, p << ND), der Feldgradient wird nach Gl. (9) (s.
Kap. 2.2.1) von der Grunddotierung der Mittelschicht bestimmt. Die in diesem
Betriebszustand von dem IGBT aufgenommene Sperrspannung kann nach Gl. (10)
berechnet werden und entspricht der Flche unter der Kurve des elektrischen Feldes.

Whrend des Abschaltvorganges muss nun vom IGBT Sperrspannung aufgenommen

werden, whrend noch Strom durch den IGBT fliet. Im mittleren Bild von Abbildung 6 sind
die Verteilung der Ladungstrger und des elektrischen Feldes zu einem Zeitpunkt whrend
des Abschaltvorganges dargestellt. Der Gradient des elektrischen Feldes wird wiederum
durch die effektive Dotierung im Bereich des Feldes bestimmt. Allerdings addiert sich nun zu
der Grunddotierung in diesem Gebiet die Ladung der Lcher, durch die der ber das
elektrische Feld flieende Strom getragen wird. Deshalb ergibt sich in dem Gebiet des
elektrischen Feldes ein steilerer Feldgradient. Da aber zu einem Zeitpunkt, in dem noch
Strom durch dem IGBT fliet, bereits die volle Zwischenkreisspannung aufgenommen
werden muss, steigt gegenber dem statischen Sperrzustand die maximale elektrische
Feldstrke am pn-bergang an. Gleichzeitig reduziert sich die effektive Basisweite des IGBT
von der gesamten Dicke w des schwach dotierten Mittelgebietes auf den Wert w1. Je
schneller die Spannung am IGBT ansteigt, desto strker wirkt dieser Effekt.

Der dynamische Avalanche spielt grundstzlich bei jedem Abschaltvorgang eine Rolle, er
wird jedoch umso kritischer, je hher der abzuschaltende Strom ist. Da im Kurzschlussfall
der Strom weit grer ist als in regulren Betriebspunkten des Umrichters, ist auch der
dynamische Avalanche im Kurzschlussfall am kritischsten.

Im Fall eines Umrichters mit integriertem Sinusfilter ist ein harter Kurzschluss fr die IGBTs
am Umrichterausgang ausgeschlossen, da im Kurzschlusspfad immer mindestens eine
Filterdrossel liegt, die den Stromanstieg drastisch reduziert. Dadurch kann jeder externe
Kurzschluss vom Umrichter mit Hilfe der Ausgangsstrommessung erkannt werden. Eine
Abschaltung erfolgt somit bereits an der betriebsmigen berstromschwelle und nicht erst
an dem Entsttigungsstrom der IGBTs.

15
 Kurzschluss-
stelle
U

Uzk V
W
UCU
UCV

Abbildung 7: Kurzschluss zwischen zwei Phasen am Umrichterausgang

Der Ausgangsstrom des Wechselrichters wird in der Filterdrossel gemessen. Im Fall eines
Kurzschlusses am Umrichterausgang nach Abbildung 7 treibt die Zwischenkreisspannung
einen Kurzschlussstrom in der Fehlerstelle, falls die Halbleiter dementsprechend
eingeschaltet sind. Im gezeigten Beispiel fliet ein Kurzschlussstrom, wenn in Phase U der
obere und in Phase V der untere IGBT eingeschaltet sind. Stromwandler nach dem Stand
der Technik sind in der Lage, innerhalb von t= 10s einen Strommesswert zu liefern und
somit auch einen Kurzschlussstrom zu erkennen. Falls sichergestellt werden kann, dass ein
Betrag des Stromes deutlich ber dem Nennstrom innerhalb dieser 10s nicht auftreten
kann, kann ein hoher Kurzschlussstrom und somit eine hohe Belastung der Abschaltfhigkeit
der IGBTs ausgeschlossen werden.

Die Anstiegsgeschwindigkeit des Kurzschlussstromes hngt von dem Induktivittswert der

Filterdrossel ab. Bei Umrichtern ohne Ausgangsfilter ist dieser Wert nahezu null, wodurch
der Kurzschlussstrom innerhalb von einer Mikrosekunde bis auf den Entsttigungsstrom der
IGBTs, etwa dem fnf- bis achtfachen Nennstrom der IGBTs, ansteigen kann. Dass bei
Umrichtern mit Sinusfilter der Stromanstieg wesentlich langsamer sein muss, zeigt folgende
Plausibilittskontrolle:

Im bestimmungsgemen Betrieb wird der Umrichter mit seiner Schaltfrequenz getaktet.

Abhngig von dem Sollspannungswert whrend einer Modulationsperiode kann ein
Spannungszeiger nahezu die gesamte Zeitdauer der Modulationsperiode betragen. Fr die
Plausibilittskontrolle wird der Extremfall angenommen, dass ein Spannungszeiger fr die
gesamte Dauer der Modulationsperiode konstant ist. Ist dies ein Spannungszeiger, der in
Phase U den oberen IGBT einschaltet und in Phase V den unteren IGBT, so ist die
Ausgangsspannung des Wechselrichters in diesem Fall identisch wie bei der beschriebenen
Kurzschlussbedingung. Sind zum Zeitpunkt dieser Modulationsperiode die Spannungen UCU
und UCV identisch (Nulldurchgang der verketten Motorspannung), so herrscht whrend der
gesamten Modulationsperiode der gleiche Zustand wie whrend des Kurzschlusses.

Die Induktivitt des Sinusfilters ist mindestens so zu bemessen, dass der Ripplestrom in
diesem Betriebszustand nicht unzulssig gro wird. Auf genauere Dimensionierung der
Drossel wird in Kap. 3.2 eingegangen. Bei Schaltfrequenzen unter 100kHz ist die
Modulationsperiode lnger als 10s, so dass ein Kurzschlussstrom innerhalb von 10s
maximal auf den Wert des Ripplestroms ansteigen kann. Der Ripplestrom muss von dem
IGBT bestimmungsgem beherrscht werden. Deshalb stellt ein Kurzschlussstrom innerhalb
von 10s keine erhhte Belastung gegenber dem bestimmungsgemen Betrieb dar. Erst
bei Schaltfrequenzen ber 100kHz knnte ein Kurzschlussstrom eine erhhte Belastung
darstellen. Da zwischen betriebsmigem Strom und Entsttigungsstrom des IGBT in der
Praxis aufgrund der Halbleiterspezifikation ein groer Sicherheitsbereich von mindestens
einem Faktor 2 liegen muss, sind kritische Strme erst bei noch hheren Schaltfrequenzen
plausibel.

16
Diese Erkenntnis hat weit reichende Konsequenzen fr die Dimensionierung des IGBT. Sie
bedeutet, dass der IGBT in seiner Abschaltrobustheit nicht fr kurzschlussfestes Verhalten
ausgelegt sein muss, da der im Kurzschlussfall zustzlich flieende Strom unter dem
Nennstrom des Umrichters liegt. Dies ermglicht Freiheiten in der Optimierung bezglich
Schalt- und Durchlassverlusten gegenber Umrichteranwendungen ohne integrierten
Sinusfilter.

Ein harter Kurzschluss an den Ausgangsphasen des Wechselrichters kann somit nur durch
einen internen Fehler im Umrichter erzeugt werden und nicht durch einen externen Fehler
seitens des Anwenders. In der Schutzphilosophie der heutigen Umrichter im Bereich
<100kW hat sich durchgesetzt, den Wechselrichter gegen interne Gertefehler nicht zu
schtzen, da diese bei geeignetem Umrichterdesign extrem selten auftreten. Diese
Schutzphilosophie soll als Stand der Technik auch in dem zu realisierende Demonstrator
verwendet werden, so dass auch von dieser Seite kein kurzschlussfestes IGBT-Design
erforderlich ist.

Damit ist auch das Abschaltverhalten im Kurzschlussfall kein Kriterium, das die
Schaltgeschwindigkeit begrenzt, lediglich die Abschaltfestigkeit im bestimmungsgemen
Betrieb ist zu gewhrleisten.

2.1.3.3 Belastung der Komponenten der Potenzialtrennung

Ein weiterer Gesichtspunkt, der bei der Auswahl der Spannungssteilheit zu bercksichtigen
ist, ist die Belastung von Komponenten zur Potenzialtrennung. Diese Komponenten sind
erforderlich, um Steuersignale und Hilfsspannungsversorgungen auf dem jeweils
erforderlichen Potenzial zur Verfgung zu stellen. Eine typische Applikation ist in Abbildung 8
gezeigt:

Potenzial-
trennung DCP

Opto-
koppler
C1
T1
U, f Steuer- UStA
C satz Ansteuer-
schaltung
fr T1

C2
U
SNT-
Primr
seite

Trans- T2 UU
formator

DCN

Abbildung 8: Potenzialtrennung in einem Umrichter

Um den IGBT T1 ansteuern zu knnen, ist es erforderlich, an dessen Gate-Emitter-Strecke

eine definierte Spannungskurvenform zur Verfgung zu stellen. Von einem Referenzniveau
(z.B. dem negativen Anschluss DCN des Zwischenkreises, s. Abbildung 8) muss eine
bestimmte Energie zum Treiben der kapazitiven Last am Eingang des IGBT sowie eine

17
digitale Information, wann der IGBT ein- bzw. ausschalten soll, fr jeden IGBT bertragen
werden. In Abbildung 8 wird fr das Referenzniveau der negative Zwischenkreisanschluss
verwendet, die absolute Lage des Referenzniveaus ist fr die dynamische Belastung der
potenzialtrennenden Bauteile jedoch beliebig, da die dynamische Belastung nur von der
nderung von Potenzialen bestimmt wird.

Die Energie wird in den meisten Fllen durch ein Schaltnetzteil mit einem Transformator
bertragen. Die digitale Information kann durch verschiedene Komponenten wie
Optokoppler, Impulsbertrager, magneto-resistive bertrager oder Lichtwellenleiter
bertragen werden. Als Stand der Technik hat sich im Bereich von Umrichtern der
Optokoppler als potenzialtrennendes Bauelement etabliert, da er kostengnstig ist, keinerlei
Einschrnkungen bzgl. des zu bertragenden Aussteuergrades erfordert und seit vielen
Jahren im Feldeinsatz bewhrt ist.

Alle potenzialtrennenden Bauteile besitzen aufgrund endlicher Ausdehnung und

vorgegebener Materialeigenschaften eine parasitre Kapazitt ber die Potenzialtrennstelle
von ihrer Primr- zur Sekundrseite. In Abbildung 8 sind hierfr die Kapazitten C1 und C2
eingetragen. Wechselt nun das Potenzial der Ausgangsphase U von DCN auf DCP bzw.
umgekehrt, so tritt diese Spannungsnderung nahezu unverndert auch an den
Kondensatoren C1 und C2 auf, da alle weiteren Kondensatoren, die C1 und C2 mit den
Potenzialen DCN bzw. U verbinden, Sttzkondensatoren mit wesentlich hheren
Kapazittswerten sind.

Durch diese Spannungsnderung muss in den Kapazitten C1 und C2 ein Strom flieen, der
dUU
proportional zum Kapazittswert und zur Spannungsnderung ist. Bei einer Kapazitt
dt
kV
von 10pF und einer Spannungssteilheit von 10 ergibt sich ein Strom von 100mA.
s

Dieser kapazitive Strstrom kann zum einen die Funktionsweise des potenzialtrennenden
Bauelementes selbst beeinflussen. Im Fall eines Optokopplers kann es dazu fhren, dass
dieser Strom in der Sendediode des Optokopplers fliet und zu einem unbeabsichtigten
Einschaltvorgang fhrt. Aus diesem Grund sollte die Sendediode eines Optokopplers im
ausgeschalteten Zustand immer direkt mit einem parallel geschalteten, nahe an den
Bauteilpins angeordneten Transistor kurzgeschlossen werden, der diesen Strstrom ohne
nennenswerten Spannungsabfall fhren kann.

Zum anderen knnen die Strstrme zu Fehlfunktionen in der IGBT-Ansteuerung oder der
primrseitigen Pulserzeugung fhren. In einer Schaltung nach Abbildung 8 kann dies
anschaulich dargestellt werden:

18
 Potenzial-
trennung DCP

Opto-
koppler
P15
T1 D1
U, f Steuer- UStA
C satz
C1
UC1
R1 UR1
U

N15 IU

UU
T2 D2

DCN
Abbildung 9: Strung der Ansteuerung

In Abbildung 9 ist eine typische Halbbrckenschaltung dargestellt. Der Laststrom IU sei

negativ und T2 sei ausgeschaltet, der Laststrom fliee durch D1. T1 sei zunchst
eingeschaltet und wird nun abgeschaltet, um den Wechsel des Potenzials U vorzunehmen.

Das Abschalten von T1 bewirkt an UU keine Vernderung, da D1 weiterhin den Strom fhrt.
Lediglich der Optokoppler der Ansteuerung von T1 wird ausgeschaltet.

Nach Ablauf der Verriegelungszeit schaltet nun T2 ein. Der Laststrom kommutiert von D1 auf
T2, D1 nimmt Spannung auf. Der Spannungsanstieg an D1 bildet sich in gleicher Weise an
C1 ab. Die Spannung UC1 hat vor der Kommutierung das Potenzial der
Zwischenkreisspannung betragen, diese Spannung wird nun whrend der Kommutierung bis
auf 0 abgebaut. Dadurch fliet ein Strom von C1 in die Ansteuerschaltung von T1 hinein.

Der Optokoppler dieser Ansteuerschaltung ist ausgeschaltet, der Strstrom muss ber R1
abflieen. Damit verursacht er ber R1 einen Spannungsabfall UR1, der mglicherweise zu
einem fehlerhaften Einschalten von T1 fhren und die Brckenschaltung zerstren kann.

Deshalb ist bei der Ausfhrung der Potenzialtrennung darauf zu achten, dass der
Spannungsabfall an R1 mglichst klein zu halten ist. Da die
Spannungsnderungsgeschwindigkeit hoch gewhlt werden soll, um die Schaltverluste
gering zu halten, knnen folgende Manahmen getroffen werden:

a) Verwendung eines Optokopplers (oder eines anderen potenzialtrennenden

Bauelementes) mit geringer Koppelkapazitt bzw. Schirmung: mit dieser Manahme
wird der Strstrom reduziert. In einer konkreten Anwendung sind geeignete
Optokoppler einzusetzen, allerdings sind geringe Koppelkapazitten auch bei sehr
strfesten Optokopplern unvermeidbar [1].
b) Verwendung eines Optokopplers mit niederohmigem Ausgang: besitzt der Ausgang
des Optokopplers eine Gegentaktstufe, so wird der Widerstand R1 berflssig, weil
der Optokoppler im ausgeschalteten Zustand aktiv gegen das negative

19
 Versorgungspotenzial der Ansteuerschaltung von T1 schaltet und somit einen
niederohmigen Pfad fr den Strstrom zur Verfgung stellt. Diese Manahme
reduziert nicht den Strstrom, sondern dessen Auswirkungen. Fr die externe
Schaltung ist das Problem damit gelst, allerdings muss im Optokoppler eine
geeignete Ansteuerung dieser Gegentaktstufe existieren; fr die Anwendung besteht
jedoch der Vorteil, dass die dU/dt-Festigkeit eines solchen Optokopplers im
Datenblatt spezifiziert ist.
c) Sttzung des Ausgangssignals des Optokopplers durch einen zustzlichen
Kondensator: Wird R1 ein Kondensator parallel geschaltet, so kann dieser den
kurzzeitigen Strstrom fhren, ohne dass an R1 ein unzulssig hoher
Spannungsabfall auftritt. Auch diese Manahme reduziert nicht den Strstrom selbst,
sondern dessen Auswirkung. Die in diesem zustzlichen Kondensator gespeicherte
Energie wird bei jedem Schaltvorgang in Verlustwrme umgesetzt; der Widerstand R1
ist entsprechend auszulegen.

Neben mglichen Fehlfunktionen der Ansteuerung knnen hohe Strstrme zu erhhten

Abstrahlungswerten in der EMV-Messung fhren.

Fr sehr schnelle Optokoppler, die in Frequenzumrichtern standardmig verwendet

kV kV
werden, ist ein sicherer Betrieb bis 15 spezifiziert. Deshalb soll der Wert von 15 fr
s s
den Demonstratorumrichter eingehalten werden. Auswirkungen der Schaltgeschwindigkeit
auf die Schaltverluste, die eine Motivation fr hhere Schaltgeschwindigkeit darstellen
knnten, werden im folgenden Kapitel behandelt.

2.1.3.4 Verlustersparnis durch schnelles Schalten

Letztendlich entscheidet ber die Attraktivitt sehr schnellen Schaltens die mgliche
Verlusteinsparung, die dadurch erzielt werden kann.

In Abbildung 10 ist ein typischer Abschaltvorgang bei einem Strom von 23A und einer
Zwischenkreisspannung von 1000V dargestellt. Die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
kV
betrgt 12 . Es ist zu erkennen, dass auch bei dem in Abbildung 10 verwendeten IGBT
s
mit niedrigem Tailstrom noch ca. 50% der Schaltverlustenergie im Tailbereich anfllt. Diese
Verlustenergie ist durch die Technologie des IGBT bestimmt und kann durch die Wahl der
Schaltgeschwindigkeit nicht reduziert werden [97], so dass durch schnelleres Schalten nur
50% der Abschaltverlustenergie fr mgliche Reduzierungen zur Verfgung stehen.

Angesichts dieser Tatsache wurde fr den Demonstratorumrichter entschieden, eine

kV
maximale Spannungsanstiegsgeschwindigkeit von 15 zu verwenden. Dieser Wert ist die
s
Obergrenze, bei der noch standardmige Bauteile fr die Potenzialtrennung eingesetzt
werden knnen. Darber steigt mit hheren Schaltsteilheiten auch die Problematik bzgl.
kV
elektromagnetischer Vertrglichkeit (EMV), so dass 15 als geeigneter Kompromiss fr
s
die Spannungssteilheit gewhlt wurden.

20
 uge Uce Ic Es
V kV A mWs
20 1.05 28 2.8

15 0.90 24 2.4

10 0.75 20 2.0

5 0.60 16 1.6

0 0.45 12 1.2

-5 0.30 8 0.8

-10 0.15 4 0.4

-15 0.00 0 0.0

-20 -0.15 -4 -0.4

29.5 30.0 30.5 31.0
s

Abbildung 10: Schaltverlustenergie whrend eines Abschaltvorganges eines planaren IGBT

1700V/50A

2.1.4 Dynamische Sttigungsspannung

An dieser Stelle soll noch das Phnomen der dynamischen Sttigungsspannung erlutert
werden. Damit ist gemeint, dass ein IGBT beim Einschalten nicht unmittelbar nach der
Schaltflanke des Stromes als Durchlassspannung seinen stationren Wert erreicht, weil zu
diesem Zeitpunkt erst wenige gespeicherte Ladungstrger in der schwach dotierten
Mittelschicht vorhanden sind. Der Aufbau der stationren, in Abbildung 3 und Abbildung 4
gezeigten Ladungstrgerverteilung erfordert eine gewisse Zeit [15]. Whrend dieses Aufbaus
der Ladungstrgerberschwemmung zeigt der IGBT erhhte Durchlassverluste. Dieses
Phnomen ist bei niedriger Schaltfrequenz wenig relevant, da der Zustand, dass der IGBT
einschaltet, verhltnismig selten vorkommt. Bei hoher Schaltfrequenz ist das Phnomen
jedoch zu bercksichtigen, da es entsprechend hufiger vorkommt und der Zeitraum des
Einschaltens gegenber der gesamten Leitdauer ein greres Gewicht bekommt.

In Abbildung 11 ist der Einschaltvorgang eines schnellen planaren IGBT 1700V/50A gezeigt.
Der Test zeigt einen Betrieb bei kleiner Zwischenkreisspannung und groem Laststrom.
Durch die kleine Wahl der Zwischenkreisspannung kann die Spannung am IGBT im unteren
Bereich sehr gut aufgelst werden.

21
 uce ic

V A
40 100
38 95
36 90
34 85
32 80
30 75
28 70
26 65
24 60
22 55
20 50
18 45
16 40
14 35
12 30
10 25
8 20
6 15
4 10
2 5
0 0
-2 -5
-4 -10
80 90 100 110
s
Abbildung 11: Dynamische Sttigung des planaren IGBT 1700V/50A beim Einschalten

Es ist zu erkennen, dass nach der schnellen Einschaltflanke bei ca. 82 s der IGBT noch ca.
5s bentigt, um seine stationre Durchlassspannung zu erreichen. Dass der stationre
Wert in Abbildung 11 bei ca. 87s erreicht wird, ist daran zu erkennen, dass die
Durchlassspannung am IGBT nach diesem Zeitpunkt wieder ansteigt, was auf den
steigenden Laststrom zurckzufhren ist.

Die Wirkungsweise der dynamischen Sttigungsspannung ist direkt in einem Mess-

Auswertungsprogramm fr Halbleiterverluste im Umrichterbetrieb schwer zu bercksichtigen,
da bei einer Zwischenkreisspannung von ca. 1000V der Bereich der letzten 20V nur schwer
zu erkennen ist. Deshalb soll sie durch eine geeignete, einfache Modellbildung nachgebildet
werden. Diese Modellvorstellung basiert auf einem schematisch gezeichneten Verlauf der
IGBT-Collectorspannung nach Abbildung 12:

22
 UCE

UCE1

UCEsat
t
t0 t1 tx t2
Abbildung 12: Schematischer Einschaltvorgang eines IGBT

Whrend des gesamten Einschaltvorganges wird der Laststrom des kommutierenden

Umrichterzweiges als konstant angenommen; er ist deshalb in Abbildung 12 nicht
eingezeichnet.

Der Abbau der Collectorspannung whrend des Einschaltvorganges findet im Intervall [t0;
t1]statt. Zum Zeitpunkt t1 erreicht die Collectorspannung des IGBT jedoch noch nicht den
Wert UCEsat, sondern nur den Wert UCE1. Man beachte hierbei die gestreckte Darstellung der
Ordinate.

Der Zeitpunkt tx bezeichnet das Ende des Intervalls, innerhalb dem die Schaltverluste
ermittelt werden. Die Wahl dieses Zeitpunktes ist sehr wichtig, um zuverlssige Aussagen
ber Schaltverluste machen zu knnen. Wird tx zu frh gewhlt, beispielsweise tx < t1, so
werden die Schaltverluste als zu gering bewertet. Wird tx zu spt gewhlt, so werden bei den
Schaltverlustenergien zustzlich Durchlassverlustenergien mit bewertet. Diese knnen mit

E add 1 = U CEsat I Last (t x t 0 ) (3)

berechnet werden und knnen fr groe Werte von tx betrchtlich werden.

blicherweise wird tx = t1 gewhlt. In diesem Fall wird jedoch der Verlustenergieanteil der
dynamischen Sttigungsspannung nicht bercksichtigt. Dieser betrgt

t2

E dyn = ((U CE (t ) U CEsat ) I Last ) dt (4)

t1

Um dies auszugleichen, kann der Zeitpunkt tx verschoben werden. Im einfachsten Fall kann
fr tx = t2 gewhlt werden. Allerdings hat diese Lsung wieder den Nachteil, dass eine
zustzliche Durchlassverlustenergie

E add 2 = U CEsat I Last (t 2 t 0 ) (5)

mit berechnet wird und die Messergebnisse verflscht.

23
Idealerweise wird der Zeitpunkt tx so gewhlt, dass die Gleichung

t2

(U
tx
CE (t ) U CEsat ) dt = U CEsat (t x t 0 ) (6)

erfllt ist. In diesem Fall wird der nach Beendigung des Integrationsintervalls anfallende
Verlustenergieanteil der dynamischen Sttigungsspannung den zuvor bei der
Schaltverlustenergie zuviel gewerteten Anteil an Durchlassenergie kompensieren.

2.2 Die Freilaufdiode

2.2.1 Die Si-pn-Diode

In heute blichen Frequenzumrichtern werden als Freilaufdioden im Motorwechselrichter bei

Anschlussspannungen ab 230Vac nahezu ausschlielich pin-Leistungsdioden eingesetzt.

A x

p+
p+
n,p

n p

n-

n+ n+

K
Abbildung 13: pin-Leistungsdiode, Struktur und Ladungstrgerverteilung
Abbildung 13 sind schematisch die Struktur und die Ladungstrgerverteilung im Leitzustand
fr eine pn-Leistungsdiode dargestellt ([96], [109]). Wie auch beim IGBT muss bei der
Dimensionierung eines realen Bauelements ein Kompromiss zwischen Durchlassspannung
und Abschaltverlusten gefunden und fr den Anwendungsfall optimiert werden.

24
Die Durchlassspannung einer pn-Leistungsdiode setzt sich im Wesentlichen aus zwei
Anteilen zusammen:

Den ersten Anteil bezeichnet man als Schwellenspannung. Dieser Anteil ist in erster
Nherung unabhngig von dem in der Diode flieenden Strom. Er ergibt sich durch
Diffusionsspannungen an dem p+n und am nn+-bergang der Diode und hngt von den
Dotierungen der einzelnen Gebiete ab. Nach [109] kann die Schwellenspannung einer pn-
Diode berechnet werden durch

k T p l nr
,
U th = ln (7)
q ni 2

wobei pl und nr die Anzahl der injizierten Ladungstrger aus dem p+ bzw. n+- Gebiet in die
schwach dotierte Mittelschicht darstellen. Die Schwellenspannung realer Si-Leistungsdioden
liegt etwa bei 0,8V.

Der zweite Anteil der Durchlassspannung einer pn-Diode wird als Driftzonenspannung
bezeichnet. Er reprsentiert den Spannungsabfall ber der schwach dotierten Mittelschicht
der Diode.

w2
=
( p + n ) Q I
U Drift (8)

In dieser Gleichung kann der Zusammenhang der Speicherladung Q mit der Driftspannung
UD sehr anschaulich dargestellt werden. p und r bezeichnen die Beweglichkeit der Lcher
bzw. Elektronen und sind Materialkonstanten des Halbleitermaterials. Soll der
Driftspannungsabfall fr einen gegebenen Strom I konstant bleiben, so muss die
Speicherladung Q quadratisch mit der Dicke der Mittelschicht w ansteigen. Die Dicke der
Mittelschicht hngt bei sperrgepoltem pn-bergang wiederum unmittelbar mit der
Sperrfhigkeit der Diode zusammen:

p+
E

n-

w
n+

x
K

Abbildung 14: Feldverlauf in der pn-Leistungsdiode im Sperrzustand

25
Bei sperrgepoltem pn-bergang ergibt sich der in Abbildung 14 gezeichnete Feldverlauf mit
der Beziehung

dE q N ( x )
= fr N(x)=const. (9)
dx

Hierbei ist angenommen, dass die Dichte der freien Ladungstrger in der Raumladungszone
so gering ist, dass diese bei der Berechnung des elektrischen Feldes vernachlssigt werden
knnen.

Die maximale Sperrspannung, die von der Diode aufgenommen werden kann, kann unter
der Annahme, dass das Maximum der E(x)-Verteilung gerade den Wert der
Durchbruchfeldstrke Ekrit erreicht, durch Integration des elektrischen Feldes ber die
Bauelementdicke errechnet werden. Da der Feldgradient in den hoch dotierten Gebieten p+
und n+ wesentlich hher ist als in der schwach dotierten Mittelschicht, errechnet sich die
Sperrspannung zu

w
U s max = E ( x )dx (10)
0

Anschaulich kann die Sperrspannung der Diode als Flche unter der Kurve des elektrischen
Feldes gesehen werden. Soll nun die Durchbruchspannung eines Bauelementes erhht
werden, so erfordert dies eine Vergrerung der Dicke w des schwach dotierten
Mittelgebietes, weil einer Erhhung der Feldstrke E physikalische Grenzen gesetzt sind, da
die maximale Durchbruchfeldstrke Ekrit des spezifischen Halbleitermaterials nicht
berschritten werden darf.

Um die Durchlassspannung einer Diode trotz steigender Sperrfhigkeit konstant zu halten,

bedeutet dies gem Gl. (8), dass mit steigender Durchbruchspannung Usmax einer Diode
wegen der nherungsweise linearen Zunahme der Dicke w ihrer Mittelschicht die in der
Diode gespeicherte Ladung Q quadratisch zunehmen muss. Vernachlssigt man die
Ladungstrgerrekombination whrend des Abschaltvorgangs, so kann die Speicherladung
bei jedem Abschaltvorgang der Diode messtechnisch erfasst werden:

t0 t1 t2
t
Q

Abbildung 15: Schematischer Strom beim Abschalten einer pin-Diode

26
Beim Abschaltvorgang muss die in der Diode gespeicherte Ladung Q ausgerumt werden,
damit die Diode Spannung aufnehmen kann. Dieser Vorgang ist als Diodenrckstrom
sichtbar, wobei das Integral des Rckstromes die Speicherladung Q darstellt. Da die Diode
ab dem Zeitpunkt t1 Spannung aufnimmt, fhrt dieser Diodenrckstrom zu Abschaltverlusten
in der Diode. Zustzlich addiert sich der Diodenrckstrom zu dem Laststrom fr den
einschaltenden IGBT, so dass er in dem IGBT zu einer Erhhung der Einschaltverluste fhrt.

Im vorliegenden Fall ist eine Diode fr eine maximale Sperrspannung von 1700V
erforderlich. Eine solche Diode ist standardmig als 50A-Chip verfgbar. Zustzlich zu
dieser Diode wurde noch ein zweiter Si-pn-Diodenchip getestet, der zunchst nur als
Labormuster verfgbar ist, jedoch fr hhere Schaltfrequenz optimiert wurde und daher
mglicherweise eine interessante Alternative darstellt.

Die Durchlassspannung der Standarddiode wurde gemessen:

Kennlinie Diode Si

40

35

30

25

25 C
I [A]

20
125 C

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
U [V]

Abbildung 16: Durchlasskennlinie der Si-Standarddiode

Fr die schnelle Si-Diode wurde folgende Durchlasskennlinie gemessen:

Kennlinie Diode SiFast

40

35

30

25

25 C
I [A]

20
125 C

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
U [V]

Abbildung 17: Durchlasskennlinie der schnellen SiFast-Diode

27
Bei beiden Dioden ist der fr pn-Dioden typische negative Temperaturkoeffizient der
Durchlassspannung zu erkennen. Die Kennlinien bei 125C zeigen keinen allzu groen
Unterschied. Die Durchlassspannung der schnellen Diode ist nur geringfgig hher als die
der Standarddiode. Ein grerer Unterschied ist bei 25C sichtbar. Dies legt die Vermutung
nahe, dass vor allem bei Raumtemperatur die Speicherladung der schnellen Diode deutlich
geringer ist.

Fr einen Vergleich der beiden Dioden ist neben den statischen Eigenschaften auch das
dynamische Verhalten ausschlaggebend. Um dieses zu charakterisieren, ist eine
vergleichende Messung der beiden Dioden in Abbildung 18 dargestellt:

Spannung_Si Strom_Si
Spannung_SiFast Strom_SiFast
kV A kV A
1.25 80 1.25 80

1.00 60 1.00 60

0.75 40 0.75 40

0.50 20 0.50 20

0.25 0 0.25 0

0.00 -20 0.00 -20

-0.25 -40 -0.25 -40

189.5 190.0 190.5 191.0 191.5 192.0 192.5 193.0
s

Abbildung 18: Abschaltverhalten der Standard-Si-Diode und der schnellen Si-Diode, 125C

Bei diesem Versuch wurden beide Dioden mit dem gleichen IGBT abkommutiert. Die
Zwischenkreisspannung betrgt ca. 1100V, dies ist ein Wert in der Nhe der oberen
zulssigen Zwischenkreisspannungsgrenze eines 690V-Umrichters. Die Dioden wurden auf
eine Temperatur von 125C vorgeheizt, um einen realistischen Belastungszustand
nachzubilden. Der Vorstrom durch die Dioden vor dem Abschaltvorgang betrug ca. 35A.

In Abbildung 18 ist zu erkennen, dass die Speicherladung der schnellen Diode geringer ist
als die der Standarddiode. Dabei reduziert sich jedoch nicht die Rckstromspitze, sondern
vielmehr der Rckstrom im hinteren Bereich der Speicherzeit. Damit zeigt die schnelle Diode
nach der Rckstromspitze einen deutlich schnelleren Rckgang des Stromes als die
Standarddiode. Da diese Stromsteilheit nach der Rckstromspitze in Verbindung mit der
Streuinduktivitt des Kommutierungskreises die berspannung an der Diode bestimmt, ist

28
die schnelle Diode deutlich strker belastet als die Standarddiode. Der Rckstrom selbst
betrgt bei beiden Dioden etwa das Doppelte des Vorstromes der Diode. Dies ist ein
verhltnismig hoher Wert, wenn man bedenkt, dass der Vorstrom in Abbildung 18 ca. 70%
des Diodennennstromes betrgt. Dies ist zu erklren durch die hohe
Sperrspannungsfestigkeit der Diode von 1700V und durch die hohe Schaltgeschwindigkeit,
die erforderlich ist, um geringe Gesamtschaltverluste zu erreichen.

Die Speicherladung ist ein Ma fr die Verlustenergie, die in der Diode bei dem
Schaltvorgang umgesetzt wird. Fr diese Verlustenergie gilt:

E offd = U d (t ) I d (t ) dt (11)

Da der Verlauf der beiden Diodenspannungen Ud(t) nahezu identisch ist, sind die
Unterschiede in der Speicherladung ein anschauliches Ma fr die unterschiedlichen
Schaltverluste. Die Unterschiede in der Speicherladung finden sich zudem zu einem
Zeitpunkt, in dem die Spannung an der Diode bereits verhltnismig hoch ist. Dadurch
gehen die unterschiedlichen Speicherladungen stark in einen Unterschied in den
Schaltverlusten ein.

Fr die Einschaltverluste des IGBT gilt dies in hnlicher Weise. Den Strom des IGBT beim
Einschalten erhlt man, wenn man den gemessenen Diodenstrom aus Abbildung 18 um den
Laststrom nach oben verschiebt, so dass die Kurve bei 0A beginnt. Fr die Spannung am
IGBT gilt

U CE (t ) + U d (t ) = U zk = const , (12)

sofern man induktive Spannungsabflle vernachlssigt. Dies ist zulssig, da bei dem
gezeigten, relativ kleinen Strom induktive Spannungsabflle nur eine untergeordnete Rolle
spielen.

Die Verluste des IGBT beim Einschalten knnen aus den gemessenen Kurven somit
berechnet werden zu

E onIGBT = (U zk U d (t ) ) (I Last + I d (t ) ) dt (13)

An dieser Gleichung ist zu erkennen, dass die unterschiedliche Speicherladung bei den
Einschaltverlusten des IGBT eine geringere Rolle spielt als bei den Ausschaltverlusten der
Diode. Zum einen bildet der Diodenrckstrom nur einen Teil des IGBT-Stromes, da im IGBT
noch der Laststrom fliet. Zum anderen wirkt nun der umgekehrte Effekt wie bei der
Auswirkung auf die Schaltverluste der Freilaufdiode: die Unterschiede in der Speicherladung
treten in einem Zeitbereich auf, in dem der IGBT seine Spannung bereits weitgehend
abgegeben hat. Aus diesem Umstand lsst sich die generelle Aussage ableiten, dass mit
zunehmender Schaltgeschwindigkeit die Verlustanteile whrend des Einschaltvorganges
eines IGBT zunehmend von der Diode bernommen werden.

2.2.2 Die SiC-Schottkydiode

Wie bereits beschrieben, fhrt die Speicherladung in bipolaren Bauelementen zu

Schaltverlusten. Deshalb muss fr Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz die
Speicherladung der verwendeten Halbleiterbauelemente reduziert werden. In der Praxis
haben sich fr Anwendungen mit sehr hoher Schaltfrequenz, wie z.B. Schaltnetzteile,

29
deshalb unipolare Bauelemente wie MOSFETS oder Schottkydioden durchgesetzt [110], die
berhaupt keine Speicherladung besitzen.

Abbildung 19 zeigt die Struktur einer Schottkydiode:

A

Metall

n-

n+

K
Abbildung 19: Struktur der Schottkydiode

Auf der Anodenseite wird das p-Gebiet der pn-Diode durch eine Metallschicht ersetzt. Die
Sperrspannung des Leistungshalbleiters wird wiederum in einem schwach dotierten n--
Gebiet aufgenommen, dessen Dicke von der erforderlichen Sperrspannung abhngt. Die
Grenzflche zwischen dem Metall und der schwach dotierten Schicht des Halbleiters wird als
Metall-Halbleiter-bergang oder Schottky-Kontakt bezeichnet. Die Durchlassspannung der
Schottkydiode ergibt sich aus der Summe des Spannungsabfalls am Metall-Halbleiter-
bergang und dem ohmschen Spannungsabfall ber dem schwach dotierten Mittelgebiet,
sofern man ohmsche Kontaktwiderstnde an Kathode und Anode vernachlssigt.

2.2.2.1 Der Schottky-Kontakt

Der Schottky-Kontakt bildet sich an der Grenzflche zwischen einem Metall und einem
Halbleiter [100]. Zu seiner Beschreibung sei zunchst angenommen, Metall und
Halbleitermaterial seien separiert.

In Abbildung 20 sind die Energieniveaus von einem Metall und einem Halbleiter dargestellt.
Aufgrund der Materialstruktur knnen nur bestimmte definierte Energieniveaus von den
Elektronen eingenommen werden. Die Vielzahl nahe beieinander liegender mglicher
Energieniveaus wird als Energieband bezeichnet. Das Energieband, das von gebundenen
Elektronen der ueren Schale, den Valenzelektronen, besetzt wird, wird als Valenzband
bezeichnet und ist in Abbildung 20 als graue Flche dargestellt. Sobald ein Elektron zur
elektrischen Leitfhigkeit beitragen soll, muss es zustzlich Energie aufnehmen und somit
ein hheres Energieniveau besetzen. Die Energieniveaus der Elektronen, die zustzliche
Energie besitzen und die nahe beieinander liegen, werden als Leitungsband bezeichnet. Das
Leitungsband ist in Abbildung 20 farbig dargestellt.

30
Abbildung 20: Darstellung der Energieniveaus in Metall und Halbleiter

Im Metall existieren sehr viele frei bewegliche Elektronen, weil oberhalb des Fermi-Niveaus
beliebig viele freie Zustnde anzutreffen sind, wodurch das Material leitfhig wird. Im
Halbleiter existiert dagegen zwischen dem obersten Niveau des Valenzbandes und dem
untersten Niveau des Leitungsbandes ein Bereich von Energie, in dem keine freien Zustnde
existieren. Dieser Bereich wird als Bandlcke bezeichnet und ist eine wichtige Kenngre
eines Halbleitermaterials.

Die Wahrscheinlichkeit, dass ein bestimmtes Energieniveau von einem Elektron besetzt wird,
wird durch die Fermiverteilung beschrieben [44]:

1
f (E) = E EF (14)
1+ e kT

Der Parameter EF bezeichnet das Energieniveau, bei dem die Wahrscheinlichkeit 0,5 betrgt
und wird als Fermi-Niveau bezeichnet. Bei hohen Energieniveaus nhert sich die
Fermiverteilung dem Wert null (die Aufenthaltswahrscheinlichkeit ist sehr gering), bei
niedriger Energie dem Wert eins. Der Abstand des Fermi-Niveaus vom Vakuumlevel wird als
Austrittsarbeit bezeichnet.

Bei einem undotierten Halbleiter liegt das Fermi-Niveau in der Mitte der Bandlcke. Wird der
Halbleiter mit einem Element der 5. Gruppe dotiert (z.B. Phosphor), so werden zustzliche
Elektronen eingebracht (n-Dotierung), die lokale Zustnde nahe des Leitungsbandes haben.
Die Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektron in das Leitungsband gelangen kann, nimmt zu, das
Fermi-Niveau nhert sich abhngig von der eingebrachten Dotierkonzentration dem
Leitungsband.

31
 Energie

Vakuumlevel

EC
EFH

EV

Halbleiter f(E)
0,5 1

Abbildung 21: Definition des Fermi-Niveaus, Beispiel n-dotierter Halbleiter

Bei der Betrachtung des Schottkykontaktes wird analog zu Abbildung 20 von einem n-
dotierten Halbleiter ausgegangen, dessen Fermi-Niveau ber dem Fermi-Niveau des Metalls
liegt. Werden die beiden Festkrper kontaktiert, so flieen im Bereich der Grenzflche
Elektronen von dem Halbleiter in das Metall, die Fermi-Niveaus von Metall und Halbleiter
gleichen sich einander an. Diese Elektronen hinterlassen in dem Halbleiter positiv geladene
Ionen, die somit eine Raumladungszone bilden. Die Menge der erforderlichen Raumladung
hngt hierbei von dem Unterschied zwischen den Austrittsarbeiten M des Metalls und H
des Halbleiters ab. Dieser Unterschied wird als Schottkybarriere b bezeichnet und ist
proportional zu der Differenz zwischen dem Fermi-Niveau des Metalls und der unteren
Leitungsbandkante des Halbleiters:

EC E FM
b = (15)
q

Das Potenzial im Festkrper wird durch die Poisson-Gleichung beschrieben. Diese lautet im
eindimensionalen Fall:

d 2
= , (16)
dx 2
r 0

wobei die gesamte im betrachteten Gebiet eingeschlossene Ladung beschreibt. Die

eingeschlossene Ladung besteht aus der Ladung der ionisierten Donatoren und der freien
Elektronen und Lcher. In der Raumladungszoneknnen knnen die freien Ladungstrger
vernachlssigt werden, so dass unter der Annahme vollstndiger Ionisation gilt:

32
 = q ND (17)

A x x x

Metall p E O

+ +
+ +
+ +

n-

a) Struktur b) Ladung c) Feld d) Potenzial

Abbildung 22: Feldverlauf und Potenzial an der Schottkybarriere

Der Verlauf des elektrischen Feldes kann mit

q ND
E = grad = dx (18)
0
berechnet werden.

Im Metall ist eine sehr groe Anzahl an Ladungstrgern vorhanden, die nach Gl. (18) zu
einem extrem hohen Feldgradienten fhrt. Im Metall ist aufgrund des hohen Gradienten
keine ausgedehnte Raumladungszone vorhanden, in erster Nherung kann das elektrische
Feld an dieser Stelle als Sprung auf null nachgebildet werden.

Wird an die Anschlsse der Schottkydiode eine externe Spannung angelegt, bei der die
Anode ein negatives Potenzial gegenber der Kathode annimmt, so wird der Abfluss der
Elektronen aus dem Halbleitermaterial in das Metall verstrkt. Die Raumladungszone weitet
sich auf, und die Diode nimmt Sperrspannung auf.

Wird durch eine externe Spannungsquelle das Potenzial der Anode gegenber der Kathode
erhht, so wird die Raumladungszone aus Abbildung 22 reduziert und das interne Potenzial
abgebaut. bersteigt der Betrag der positiven externen Spannung an der Anode das interne
Potenzial des Schottkykontaktes, so knnen Elektronen von der Kathode ber den Metall-
Halbleiter-bergang zur Anode flieen; die Diode befindet sich im Durchlasszustand. Die
berwindung des internen Potenzials ist an den externen Kontakten der Diode als
Schwellenspannung messbar. Die Hhe dieser Schwellenspannung hngt von dem internen
Potenzialverlauf und somit von b ab.

33
2.2.2.2 Die Driftzone

Die schwach dotierte Schicht des Halbleitermaterials wird als Driftzone bezeichnet. Sie ist
erforderlich, um die Sperrspannung der Schottkydiode aufzunehmen. Mit zunehmender
Sperrspannung wird das elektrische Feld am Metall-Halbleiter-bergang zunehmen. Nach
Gl.(18) ist der Feldgradient durch die Dotierung bestimmt, die aufgenommene
Sperrspannung kann ber das Integral ber das elektrische Feld bestimmt werden.

Die maximale Sperrspannung, die eine Schottkydiode aufnehmen kann, wird durch die
maximale Feldstrke begrenzt, die im Halbleiter auftreten darf und durch die Hhe der
Schottky-Barriere, die den Sperrstrom bestimmt. Oberhalb dieser maximalen Feldstrke
knnen in den Atomen der Raumladungszone freie Elektronen und Lcher durch Aufbrechen
der Atombindungen erzeugt werden. Der Sperrstrom steigt in diesem Fall lawinenartig an
und durch die gleichzeitig anliegende hohe Spannung wird in der Diode sehr hohe
Verlustleistung umgesetzt, die zu einer Beschdigung der Diode fhrt. Aus diesem Grund
darf de maximal zulssige elektrische Feldstrke in der Diode nicht berschritten werden.

Ekrit2

Ekrit1

w2 x

w1
Abbildung 23: Verlauf des elektrischen Feldes bei Materialien mit unterschiedlicher kritischer
Feldstrke

Die Hhe der maximal zulssigen kritischen Feldstrke ist fr die Auslegung einer Diode von
groer Bedeutung. In Abbildung 23 ist der Verlauf des elektrischen Feldes fr zwei
Bauelemente dargestellt, deren kritische Feldstrke sich um den Faktor 2 unterscheidet. An
beiden Bauelementen liegt die gleiche Sperrspannung an, die durch die Flche unter der
Kurve des elektrischen Feldes festgelegt ist. Die Diode mit der hheren kritischen Feldstrke
bentigt eine proportional geringere Dicke w. Darber hinaus sind der Feldstrkegradient
und damit die Dotierung der schwach dotierten Mittelschicht proportional hher. Unter der
Annahme vollstndiger Ionisation berechnet sich der Driftwiderstand der Diode zu [109]:

w
R Drift = (19)
q n N D A

mit: w: Dicke der Diode

q: Elementarladung
n: Beweglichkeit der Elektronen
ND: Dotierungskonzentration in der schwach dotierten Mittelschicht
A: Flche der Diode

34
Die zulssige Dotierungskonzentration wird als kritische Ladung bezeichnet und ergibt sich
aus der Poisson-Gleichung zu

E krit
q ND = (20)
w

Die maximale Sperrspannung, die die Diode aufnehmen kann, betrgt

1
U s max = w E krit (21)
2

Durch Einsetzen von Gl. (20) und Gl. (21) in Gl. (19) ergibt sich der Driftzonenwiderstand in
Abhngigkeit der kritischen Feldstrke zu:

2
4 U s max
RD = (22)
n E krit A
3

Der Driftzonenwiderstand reduziert sich somit mit der dritten Potenz des kritischen
elektrischen Feldes des Halbleitermaterials. Fr den Vergleich zwischen Silizium und
Siliziumkarbid berwiegt dieser Einfluss deutlich gegenber den Unterschieden in n und .
Das kritische elektrische Feld in Silizium betrgt 24V/m. Fr Siliziumkarbid liegt diese
kritische elektrische Feldstrke etwa bei 200 - 300V/m ([5],[117]). Deshalb knnen
Schottkydioden in Siliziumkarbid bei einer gegebenen Sperrspannung mit wesentlich
geringerem spezifischem Durchlasswiderstand realisiert werden. Fr eine erforderliche
Sperrspannung von 1700V kann eine Diode mit einem spezifischen Driftwiderstand von
2mcm2 bei einer Temperatur von 25C erreicht werden. In Silizium wre dieser Wert
rechnerisch um den Faktor 1000 hher. In der Praxis sind Silizium-Schottkydioden wegen
des hohen Driftzonenwidestandes nur bis zu einer Sperrspannung von ca. 200V verfgbar,
fr hhere Sperrspannung mssen pn-Dioden eingesetzt werden, deren schwach dotiertes
Mittelgebiet im Durchlasszustand von Ladungstrgern berschwemmt wird. Fr hohe
Schaltfrequenz bietet eine Schottkydiode jedoch einen immensen Vorteil durch die fehlende
Speicherladung und dadurch bedingt die wesentlich geringeren Schaltverluste.

2.2.2.3 Parallelschaltbarkeit von SiC-Schottkydioden

Da bei Bauelementen aus SiC die Dichte von Defekten auf dem Wafer im Vergleich zu
Silizium sehr hoch ist, knnen mit wirtschaftlicher Ausbeute nur verhltnismig kleine Chips
hergestellt werden. Um dennoch Stromrichter mit der geforderten Ausgangsleistung bis
55kW herstellen zu knnen, mssen diese Chips parallel geschaltet werden.

35
 A

ILast

Uth1 Uth2

Rdrift1 Rdrift2

Rsub1 Rsub2

Abbildung 24: Parallelschaltung zweier Schottkydiodenchips

In Abbildung 24 ist ein Modell fr die Parallelschaltung von zwei Chips dargestellt, es ist auf
beliebig viele Chips erweiterbar. In der Parallelschaltung wird die Summe der
Schleusenspannung und des Spannungsabfalls am Driftwiderstand und des
Substratwiderstandes fr alle Chips identisch sein. Die Aufteilung des Laststromes auf die
einzelnen Chips wird von den einzelnen Impedanzen bzw. von den Toleranzen der
Impedanzen zwischen den einzelnen Chips abhngen. Hierbei ist zwischen zwei Effekten zu
unterscheiden:

a) Aufgrund von Fertigungstoleranzen knnen einzelne Parameter unterschiedliche

Werte aufweisen.
b) Aufgrund dieser Toleranzen knnen die Chips unterschiedliche Temperaturen
annehmen. Diese unterschiedlichen Temperaturen knnen wiederum zu weiteren
Parameterunterschieden fhren. Diese temperaturbedingten Parameterunterschiede
knnen auch bei Parametern auftreten, die keine fertigungsbedingten Abweichungen
besitzen.

Die Schleusenpannung eines SiC-Schottkydiodenchips wird im Wesentlichen durch die

Eigenschaften des Schottkykontaktes bestimmt. Bei gegebener Temperatur sind
Unterschiede in der Schleusenspannung zwischen einzelnen Chips vernachlssigbar.
Allerdings ndert sich die Schleusenspannung mit der Temperatur. Fr die Hhe der
Schwellenspannung gilt [9]:

k T I Last
U S = b + ln ** 2 (23)
q A T A

A** bezeichnet hierbei die effektive Richardson-Konstante. Im praxisrelevanten

Arbeitsbereich mit einer Stromdichte bis 300A/cm2 und einem Temperaturbereich zwischen
270K und 500K ist der Logarithmusterm immer negativ. Mit steigender Temperatur nehmen
sowohl der Logarithmusterm als auch sein Vorfaktor betragsmig zu, so dass die Hhe der

36
Schwellenspannung mit der Temperatur abnimmt. Bei der Betrachtung eines
Temperaturbereiches zwischen 273K und 423K ergibt sich jedoch nur eine nderung dieser
Schwellenspannung unter 0.1V, so dass dieser Effekt nur einen sehr geringen Einfluss
besitzt.

Die Berechnungsformel fr den Driftwiderstand ist in Gl. (19) gegeben. Fertigungsbedingte

Toleranzen des Driftwiderstandes treten in erster Linie bei der Dicke w der Driftzone und
deren Dotierung ND auf. Diese Unterschiede knnen durch die Messung der statischen
Durchlasseigenschaften der Diodenchips eines Wafers ermittelt werden.

Abbildung 25: Kumulative Hufigkeit des Gesamtwiderstandes (Summe aus Driftzonenwider-

stand und Substratwiderstand) fr Dioden aus 3 SiC-Wafern bei T=300K (Quelle: Fa. SiCED)

In Abbildung 25 ist zu erkennen, dass innerhalb eines Wafers der Durchlasswiderstand der
Schottkydioden um maximal 25m voneinander abweicht. Bezieht man alle Wafer in die
Betrachtung mit ein, so betrgt die maximale Abweichung 43m.

Die temperaturabhngige Gre in Gl. (19) ist die Beweglichkeit der Elektronen n. Die
Temperaturabhngigkeit der Beweglichkeit ist aus Messungen bekannt [61]:

n
T
n (T ) = n (300 K ) (24)
300

Der Exponentialterm n ist von der Dotierung der Epitaxieschicht abhngig, auch diese
Abhngigkeit ist messtechnisch bekannt. Bei der betrachteten Dotierungskonzentration von
4*1015/cm3 betrgt der Exponentialterm n = -2,6.

Der zweite Widerstand Rsub aus Abbildung 24 bezeichnet alle weiteren ohmschen
Widerstnde in der Schottkydiode. Dies sind vornehmlich der Substratwiderstand des SiC-
Grundmaterials und ohmsche Kontaktwiderstnde. Da diese Widerstnde bei 1700V-
Bauteilen deutlich kleiner als der Driftwiderstand sind, ist es in erster Nherung zulssig,
deren Parameterstreuungen und Temperaturabhngigkeiten zu vernachlssigen.

37
Mit diesen Werten kann unter Verwendung der thermischen Ersatzwiderstnde der SiC-
Diodenchips eine Berechnung der Stromverteilung auf die einzelnen Chips durchgefhrt
werden. Neben der statischen Abweichung aufgrund der Parameterstreuungen ist vor allem
die temperaturbedingte Abweichung aufgrund der temperaturabhngigen Beweglichkeit n(T)
von Interesse. Trgt man die Durchlasskennlinie eines Chips bei verschiedenen
Temperaturen auf, so ist zu erkennen, dass fr alle praxisrelevanten
Umrichterausgangsstrme die Durchlassspannung der Diode einen positiven
Temperaturkoeffizienten besitzt. Dies ist auch aus dem Datenblatt eines Moduls mit SiC-
Schottkydioden ersichtlich.

Abbildung 26: Durchlasskennlinie der 42A SiC-Diode [56]

Ein Diodenchip einer Parallelschaltung, der aufgrund von Parametertoleranzen einen

geringeren Driftwiderstand besitzt und somit einen erhhten Laststrom fhrt, wird strker
erwrmt als die benachbarten Diodenchips der Parallelschaltung, weil die Spannung in der
Parallelschaltung fr alle Dioden identisch ist. Der positive Temperaturkoeffizient fhrt dazu,
dass der Driftwiderstand des einen Diodenchips zunehmen wird und somit dem erhhten
Laststrom entgegenwirkt. Deshalb ist eine berproportionale Konzentration des Laststroms
auf eine einzige Diode nicht zu befrchten.

Die Kennlinie der Diode fr eine Sperrschichttemperatur von 120C zeigt einen
charakteristischen Knick bei einer Durchlassspannung von ca. 3,3V. Dieser ist dadurch zu
erklren, dass der Randabschluss der Diode mit einem implantierten pp+-Ring ausgefhrt ist.
Diese Technologie ist in der Literatur als junction termination edge (JTE) bekannt. Bei sehr
hoher Stromdichte kann dieser p+-Ring Ladungstrger in die Diode injizieren, da er als der
Schottkydiode parallel geschaltete pn-Diode wirkt, deren Schleusenspannung in SiC etwa
2,8V betrgt. Dieses Verhalten verbessert die Robustheit der Schottkydiode bei Belastung
mit hohem Stostrom, ist sonst jedoch fr das elektrische Verhalten irrelevant, da derart
hohe Stromdichten in der Praxis nicht erreicht werden.

Der beschriebene positive Temperaturkoeffizient der Schottkydiode stellt zwar sicher, dass
keine Stromkonzentration auf eine Diode in der Parallelschaltung auftritt, dennoch ist fr die
Dimensionierung eines Umrichters eine quantitative Aussage erforderlich, mit wie viel
Fehlverteilung des Laststrom bei einer bestimmten Anzahl parallel geschalteter Dioden zu

38
rechnen ist. Dies kann mit Hilfe einer iterativen thermoelektrischen Berechnung ermittelt
werden.

Fr die thermische Nachbildung der Parallelschaltung wird eine einfache Ersatzanordnung

verwendet. Bei dieser befinden sich alle Diodenchips auf einer thermisch unendlich gut
leitfhigen Oberflche, die eine vorgegebene Temperatur besitzt und somit die Oberflche
einer Modulbodenplatte nachbildet. Die Temperatur dieser Oberflche ist konstant und somit
unabhngig von den Verlusten der Diodenchips. Die Temperatur der Diodenchips ergibt sich
durch den thermischen Widerstand der Chips zu dieser Bodenplatte und die in der Diode
anfallenden Verluste, die von der Stromaufteilung in der Parallelschaltung abhngen.

Als Startbedingung fr die Iteration wird eine worst case Bedingung gewhlt, die sich aus
den Bauelementdaten aus Abbildung 25 ergibt. Es wird dabei angenommen, dass bei einer
Parallelschaltung von n Chips ein Chip einen minimalen Widerstand und die anderen n-1
Chips den maximalen Widerstand aufweisen. Die Schleusenspannungen der Chips werden
als gleich angenommen

Mit diesen Startbedingungen werden die Stromaufteilung, die Verlustleistung und die daraus
resultierende neue Chiptemperatur berechnet. Anschlieend wird fr die nchste
Iterationsschleife aus dieser Chiptemperatur der neue Widerstand mit Hilfe von Gl. (19) und
Gl. (24) sowie die neue Schleusenspannung mit Gl. (23) berechnet. Fr weitere
Iterationsschleifen ist die Vorgehensweise identisch. Die Iteration wird abgebrochen, sobald
die Temperaturnderung der Chips im Vergleich zum letzten Iterationsschritt einen
vorgegebenen Wert unterschreitet.

Um eine Abschtzung zu erhalten, inwiefern der Temperaturkoeffizient auf die

Stromverteilung berhaupt einen Einfluss hat, wurde die Stromverteilung in Abhngigkeit der
Parallelschaltzahl berechnet:

Stromkonzentration im heiesten Chips

1.11
Vernachlssigung des positiven Temperaturkoeffizienten

1.1
Strom im heiesten Chip/ Strom bei

1.09
identischen Chips

Bercksichtigung des positiven

Temperaturkoeffizienten
1.08

1.07

1.06

1.05

1.04
2 3 4 5 6 7 8 9 10
Anzahl parallelgeschalteter Diodenchips

Abbildung 27: Einfluss des positiven Temperaturkoeffizienten

Vernachlssigt man die Temperaturabhngigkeit der Schottkydiode, so wird die

Stromaufteilung unmittelbar von der Differenz der Durchlasswiderstnde aufgrund von

39
Parameterstreuungen bestimmt. Mit den Bauelementdaten aus Abbildung 25 ergibt sich
damit die schwarze Kurve in Abbildung 27. Diese kann analytisch berechnet werden:

R2
I Last n 1
R n
R1 + 2 R2
I1
= n 1 = n 1
(25)
I mittel I last R
R1 + 2
n n 1
mit:

I1: Strom durch den Chip mit geringerem Widerstand

Imittel: Strom durch einen Chip bei identischen Widerstnden
ILast: Gesamtstrom, der durch die Parallelschaltung fliet
R1: Widerstandswert des einen Chips mit minimalem Ron
R2: Widerstandswert eines Chips mit maximalem Ron
n: Anzahl der parallel geschalteten Chips

Fr eine sehr hohe Anzahl parallel geschalteter Chips nhert sich der Grenzwert von Gl. (25)
fr n dem Wert R2/R1 an. Rechnet man dies mit den Werten aus Abbildung 25 fr einen
Wafer umgerechnet auf 80C, so ergibt sich ein Grenzwert von ca. 1,12.

In der magentafarbenen Kurve aus Abbildung 27 kann der Einfluss des positiven
Temperaturkoeffizienten abgelesen werden. Die Stromfehlverteilung wird bei den fr den
Demonstratorumrichter verwendeten Chipdaten um ca. 10% reduziert. Fr die praktische
Anwendung bedeutet dies, dass trotz des verhltnismig starken positiven
Temperaturkoeffizienten aus Gl. (24) noch 90% der parameterbedingten Fehlverteilung
bestehen bleiben. Diese darf somit bei der Auslegung der Parallelschaltung nicht mit dem
Argument eines positiven Temperaturkoeffizienten vernachlssigt werden.

Die aufgrund der parameterbedingten Streuungen auftretende Temperaturberhhung am

heiesten Chip ist unter Bercksichtigung der temperaturabhngigen Bauelementgren in
Abbildung 28 dargestellt:

Temperaturberhhung des heiesten Chips

1.2
Temperatur heiester Chip/ Temperatur bei

Chips aus verschiedenen Wafern

1.18

1.16

1.14
identischen Chips

1.12

1.1

1.08
Chips aus einem Wafer
1.06

1.04

1.02

1
2 3 4 5 6 7 8 9 10
Anzahl parallelgeschalteter Diodenchips

Abbildung 28: Temperaturberhhung des heiesten Chips

40
Auch bei dieser Berechnung wurden die Daten aus Abbildung 25 verwendet. Durch die
Verwendung von Chips aus nur einem Wafer kann die Temperaturberhhung halbiert
werden, weil auch die Rnder der Verteilung um den Faktor 2 reduziert werden. Diese
Temperaturberhhung ist die relevante Gre bei der Auslegung der Parallelschaltung.

Soll die Temperaturberhhung weiter abgesenkt werden, so ist dies ber eine geschickte
Selektion der Chips eines Wafers fr eine Parallelschaltung mglich. Hierbei kann die
Tatsache ausgenutzt werden, dass die Schwankung des Driftwiderstandes bei Chips auf
einem Wafer technologisch bedingt und somit systematisch ist. Die wesentliche Ursache fr
die Schwankung sind Unterschiede in der Dotierung des Driftgebietes, die whrend der
Epitaxie entstehen. Diese Dotierung ist in der Wafermitte maximal und sinkt zum Rand in
erster Nherung rotationssymmetrisch ab. Werden die Chips beim Einbau in ein
Halbleitermodul gem einer Spirale von auen nach innen oder umgekehrt entnommen, so
kann die Temperaturberhhung innerhalb einer Parallelschaltung minimiert werden. Fr
dieses optimierte Verfahren wurde ein Patent angemeldet [57].

Ron

Start

Linker Wafer- Rechter

Waferrand mitte Waferrand

Entnahmereihen-
folge der Chips

Abbildung 29: Vorteilhafte Chipentnahme zur Reduzierung der Stromfehlverteilung in der

Parallelschaltung

2.2.2.4 Bestimmung der Chipgre der SiC-Dioden

Mit den Halbleiterbauelementen sollen Umrichter im mittleren Leistungsbereich realisiert

werden. Hierfr wird ein Bereich von 15kW bis 55kW ausgewhlt, was einem
Umrichterausgangsstrom von 19A bis 62A entspricht. Bei Standardumrichtern mit
Siliziumbauelementen knnen derartige Ausgangsstrme ohne Parallelschaltung von Chips
realisiert werden, die genannten Einschrnkungen, die durch Parallelschaltung entstehen,
sind somit nicht relevant.

Neben den positiven Eigenschaften des Halbleitermaterials Siliziumkarbid besteht ein

wichtiger Nachteil darin, dass die Anzahl der Defektstellen auf einem Wafer deutlich grer
ist als bei einem Siliziumwafer ([103], [133]). Da eine Defektstelle den betroffenen Chip
unbrauchbar macht, fhren diese Defektstellen zu einer Reduzierung der Ausbeute und
somit zu einer Steigerung der Kosten. Aufgrund der Anzahl der Defektstellen wird die
Ausbeute durch die Gre der Halbleiterchips bestimmt, da bei groen Chips durch eine
Defektstelle eine grere Halbleiterflche verworfen werden muss. Bei zufllig verteilten
Defektstellen mit der Defektdichte D auf dem Wafer gilt fr die Ausbeute fr Chips mit der
Flche AChip:

41
Ausbeute = e
D AChip (26)

Bei gegebener Defektdichte nimmt die Ausbeute mit grer werdender Chipflche ab. Dies
wrde nahe legen, dass die Chipflche mglichst klein gewhlt werden muss, um die
Ausbeute zu maximieren. Allerdings ist das entscheidende Kriterium fr die bestmgliche
Ausnutzung des Wafers nicht allein die Chipausbeute, sondern die Flche des Wafers, die
zur aktiven Stromfhrung genutzt werden kann. Der Chiprand mit der Breite bRand ist fr die
aktive Stromfhrung nicht nutzbar. Er besteht aus einem ersten Bereich, der fr den Abbau
des elektrischen Feldes von der Anode auf der Chipoberflche bis zur Sgekante, die auf
Kathodenpotenzial liegt, genutzt wird. Der zweite Bereich des Chiprandes ist fr den
mechanischen Sgevorgang erforderlich, der den Wafer in einzelne Chips zerteilt. Fr eine
gegebene Chipflche und eine gegebene erforderliche Randbreite wird die
Flchenausnutzung des Chips maximal, wenn der Chip als Quadrat ausgefhrt wird. In
diesem Fall gilt:

Ausnutzung Chip =
Aaktiv ,Chip
=
( AChip 2 b Rand )
2
(27)
AChip AChip

Bei gegebener Randbreite wird die aktive Flche fr mglichst groe Chips maximal. Die
gesamte aktive Waferflche ergibt sich durch Multiplikation von Gl. (26) und Gl. (27) bei
Vernachlssigung der Unstetigkeiten am Waferrand:

Aaktiv ,Wafer
Ausnutzung Wafer = = Ausnutzung Chip Ausbeute (28)
AWafer

Zur Veranschaulichung sind die einzelnen Gren schematisch dargestellt:

AChip
bRand

Aaktiv,Chip

Aaktiv,Wafer

Defektstelle

Abbildung 30: Definition von Randbreite, Chipflche, aktiver Chipflche und aktiver
Waferflche

42
Fr eine Defektdichte von 5 Defekten/cm und einer Randbreite von 100m sind die
Flchenausnutzung eines guten Chips, die Ausbeute und die Flchenausnutzung des
Wafers als Funktion der Chipgre dargestellt:

100
AusnutzungChip
90

80

70

60
AusnutzungWafer
[%]

50
Ausbeute
40

30

20

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
2
Chipflche/[mm ]

Abbildung 31: Ausnutzung der Waferflche, berechnet aus Ausbeute und Ausnutzung der
Chipflche

Die aktiv nutzbare Waferflche als Funktion der Chipgre zeigt ein charakteristisches
Maximum, im vorliegenden Fall liegt dies bei einer Chipgre von ca. 3mm2. Da dieses
Maximum fr die tatschliche Gestaltung des Chips von groer Bedeutung ist, wird es fr
verschiedene Randbreiten und Defektdichten dargestellt:

Optimale Diodenflche

20

18
16
14
18-20
12 16-18
Optimale
10 14-16
Chipflche/[mm2]
12-14
8
10-12
6 8-10
4 6-8

2 4-6
2-4
0
0-2
450 10
Rand- 8 9
250 6 7
breite 4 5
brand/ 50 2 3
1
[m] 0 Defektdichte D/[cm-2]

Abbildung 32: Optimale Chipflche in Abhngigkeit von Randbreite und Defektdichte

43
Mit einer sinkenden Anzahl von Defektstellen kann die Chipflche vergrert werden. Mit
zunehmender Randbreite nimmt die optimale Chipgre ebenfalls zu, wobei in diesem Fall
die aktiv nutzbare Waferflche sinkt:

Maximal mgliche Waferausnutzung

0.9

0.8

0.7
0.9-1
0.6
0.8-0.9
0.5 AusnutzungWafer 0.7-0.8
0.6-0.7
0.4
0.5-0.6
0.3 0.4-0.5

0.2 0.3-0.4
0.2-0.3
0.1
0.1-0.2
0 0-0.1
0
50 1
2
3
4
Rand- 250 5
6
breite 7
450 8 Defektdichte D/[cm-2]
brand/[m] 9
10

Abbildung 33: Maximal mgliche Waferausnutzung in Abhngigkeit von Randbreite und

Defektdichte

Fr eine optimale Ausnutzung des Wafers wird angestrebt, sowohl die Defektdichte als auch
die Randbreite mglichst gering zu halten.

Die Maximierung der aktiv nutzbaren Waferflche stellt das wichtigste Optimierungsziel fr
ein kostenoptimiertes Halbleitermodul dar. Allerdings spielen bei dieser Optimierung fr eine
geeignete Ausfhrung des Halbleitermoduls noch andere Punkte eine Rolle, die an dieser
Stelle erwhnt werden sollen:

Die Verwendung von vielen kleinen Chips verbessert den Freiheitsgrad, in einem
Halbleitermodul, die Chips auf eine grere Flche zu verteilen. Dies spart zwar
keine Verlustleistung, die fr die Auslegung des Khlsystems des Umrichters
magebend ist, aber die Halbleiterflche kann besser ausgenutzt werden, weil
der Temperaturhub reduziert wird. Dieser Vorteil kann nur am Einzelfall eines
Halbleitermoduls quantitativ bewertet werden, da er von dem Fllgrad des Moduls
mit Chips und dem Layout der DCB abhngt.
Eine hohe Parallelschaltzahl fhrt zu einem Derating aufgrund nicht idealer
Stromverteilung (s. Kap. 2.2.2.3)
Eine minimale Chipflche ist erforderlich, um den Chip mittels eines Bonddrahtes
zu kontaktieren.
Kleine Chips erhhen einzelne Fertigungsschritte, z.B. Sgen des Wafers, Testen
und Bonden der Chips. Diese Themen sind im Einzelfall von der
Fertigungstechnologie abhngig und knnen nur fr konkrete Beispiele
quantifiziert werden.

44
2.2.2.5 Dynamisches Abschaltverhalten der SiC-Schottkydiode

Der wesentliche Vorteil der Schottkydiode zeigt sich in ihrem dynamischen Abschaltverhalten
[16]. Da in der Schottkydiode keine Speicherladung existiert, mssen beim Abschaltvorgang
auch keine Minorittsladungstrger ausgerumt werden.

IGBT-Einschalten der Testmodule, 35A, 125C

2400 200
Si
2100 150
1800 100
SiFast
1500 50
Uce/[V

Ic/[A]
SiC
1200 0
900 -50
600 -100
300 -150
0 -200
0.00 200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00
t/[ns]

Abbildung 34: Kommutierungsvorgang von Si-Dioden und der SiC-Schottkydiode

In Abbildung 34 sind die Zeitverlufe von Strom (oben) und Spannung (unten) an einem
IGBT whrend des Kommutierungsvorgangs beim Einsatz unterschiedlicher Freilaufdioden
dargestellt. Die roten und blauen Kurven zeigen den Kommutierungsvorgang der 1700V-
Standarddiode aus dem Halbleitermodul FS50R17KE3 [54] (Si) und einem fr schnelles
Schalten optimierten 1700V-Diodenmuster (SiFast), deren Strom- und Spannungsverlufe
an der Diode bereits in Abbildung 18 dargestellt wurden.

Der Kommutierungsvorgang der SiC-Schottkydiode (grne Kurven) zeigt das erwartete

Verhalten der fehlenden Speicherladung. Fr den einschaltenden IGBT ergeben sich
dadurch folgende Vorteile, die zu reduzierten Schaltverlusten fhren:

1) Durch die fehlende Speicherladung wird der Strom im einschaltenden IGBT reduziert,
der durch den Halbleiter fliet, solange noch hohe Spannung am IGBT anliegt.
2) Der Zeitbereich vom Nulldurchgang bis zur Rckstromspitze verschwindet bei der
Schottkydiode vollstndig. In diesem Zeitbereich ist eine pn-Diode nur zu einem sehr
geringen Ma in der Lage, Spannung aufzunehmen, so dass beim
Kommutierungsvorgang mit einer pn-Diode in diesem Zeitbereich hohe Verluste im
einschaltenden IGBT anfallen.
3) Die zulssige Schaltgeschwindigkeit des Kommutierungsvorgangs wird vor allem
bei pn-Dioden mit hoher Sperrfhigkeit zum groen Teil von dem Abrissverhalten
der pn-Diode bestimmt. Der Abriss uert sich in einer hohen Stromsteilheit des
Diodenstromes in dem Zeitbereich nach der Rckstromspitze, die in Verbindung mit
unvermeidlichen Streuinduktivitten des Kommutierungskreises zu einer hohen
kurzzeitigen Spannungsbelastung der Diode fhrt. Die Schaltgeschwindigkeit muss
so begrenzt werden, dass im ungnstigsten Betriebspunkt den blicherweise eine
hohe Zwischenkreisspannung, ein niedriger Laststrom und eine niedrige Temperatur
darstellen weder die maximale Sperrfhigkeit der Diode berschritten wird noch die
Diode durch dynamischen Avalanche zerstrt wird. Da bei der Schottkydiode keine
Speicherladung ausgerumt werden muss, entfallen diese Dimensionierungskriterien.
Die Schaltgeschwindigkeit wird deshalb nicht mehr durch die Eigenschaften der

45
 Leistungshalbleiter begrenzt, sondern durch Systemanforderungen wie
beispielsweise die maximal zulssige Spannungssteilheit an potenzialtrennenden
Bauelementen wie Optokopplern.

An der Schottkydiode selbst sind in den Kurvenverlufen nach Abbildung 34 berhaupt keine
Abschaltverluste erkennbar. Allerdings ist anhand der Kurvenverlufe schwer abschtzbar,
ob tatschlich berhaupt keine Schaltverluste auftreten. Da die Flche der SiC-Diode aus
Kostengrnden mglichst klein sein soll, knnten bei hoher Schaltfrequenz auch geringe
Schaltverluste zu nennenswerter Temperaturerhhung fhren.

Deshalb sollen die Verluste der Schottkydiode kaloriemetrisch erfasst werden. Hierzu wurde
ein Zwei-Quadrantensteller (2QS) mit Spannungsumkehr verwendet. Dieser wurde mit zwei
Halbleitermodulen aufgebaut, wobei in Halbleitermodul 1 nur eine SiC-Schottkydiode
verwendet wird und in Halbleitermodul 2 die brigen erforderlichen Bauteile. Beide
Halbleitermodule wurden auf unterschiedliche Khlkrper montiert.

Modul und Modul und

Khlkrper 1 Khlkrper 2

T1 D2

D1 T2

DUT

UZK
ILast CZK
LLast RLast

ULast

Abbildung 35: 2QS zur Ermittlung der Schaltverluste der SiC-Schottkydiode

Mit dem 2QS wird in der Last ein Gleichstrom aufgebaut. Hierbei existieren folgende
Schaltzustnde:

I. T1 und T2 sind eingeschaltet: In diesem Fall fliet ein Strom durch T1, die Last, T2
und den Zwischenkreiskondensator. Die Spannung an der Last ist gleich der
Zwischenkreisspannung, der Strom in der Last steigt an.
II. T1 ist eingeschaltet, T2 ist abgeschaltet: Der Strom fliet ber T1, die Last und D2.
Die Spannung an der Last ist sehr klein und gleich der Durchlassspannung von T1
und D2. Der Strom in der Last wird durch den Spannungsabfall an den Halbleitern
und dem ohmschen Anteil der Last geringfgig abgebaut.
III. T1 und T2 sind abgeschaltet: An der Last liegt die negative Zwischenkreisspannung
an. Der Strom fliet ber die beiden Dioden. Er wird in der Last abgebaut.
IV. T2 ist eingeschaltet, T1 ist ausgeschaltet: Der Strom fliet ber T2 und D1, das
Verhalten in der Last ist identisch zu Schaltzustand II.

46
 ULast ILast

UZK
Imittel

0
t

-UZK

Schalt-
IV I II III IV
zustand
Abbildung 36: Verlauf von Strom und Spannung in der Last

Die Spannungs-Zeit-Flche an dem ideal induktiven Teil der Last muss im

eingeschwungenen Zustand null sein. Im Schaltzustand I muss deshalb positive Spannungs-
Zeit-Flche aufgebaut werden, die in den Schaltzustnden II, III und IV kompensiert wird.
Der Mittelwert des Stromes stellt sich dementsprechend ein. Je krzer die Schaltzustnde I
und III im Vergleich zu II und IV gewhlt werden, desto geringer ist der Stromripple.

Werden die Schaltzustnde im gleichen Mastab verkrzt oder verlngert, so bleibt der
Mittelwert des Laststromes erhalten, whrend sich die Schaltfrequenz der Leistungshalbleiter
ndert. In der betrachteten Schottkydiode bleiben somit die Durchlassverluste identisch,
whrend eventuell vorhandene Schaltverluste mit der Schaltfrequenz ansteigen.

Um die Fehler in der Messung zu minimieren, ist es zweckmig, nicht direkt ber
proportionale Vernderungen der Schaltzustnde die Schaltfrequenz zu verndern. In
diesem Fall wrde der Ripplestrom mit kleinerer Schaltfrequenz steigen, weil die Leitdauern
der Zustnde I und III ansteigen. Die betrachtete Diode D1 fhrt jedoch nur in den
Schaltzustnden III und IV Strom, beim bergang von IV nach I wird sie abkommutiert. Die
wesentlichen Durchlassverluste entstehen somit im Intervall IV. Deshalb werden die
Ansteuerpulse der Transistoren so eingestellt, dass der effektive Strom in D1 und somit der
effektive Strom im Intervall IV mglichst identisch bleiben. Insbesondere soll der Strom beim
bergang von IV nach I immer identisch sein, damit das Schalten der Diode bei definierten
Bedingungen stattfindet. Durch Messen des Stromes in D1 knnen die Ansteuerpulse
dementsprechend adaptiert werden. Wichtige Randbedingung ist, dass die bezogene
Leitdauer von D1 immer konstant bleibt.

Mit diesen Randbedingungen wurde die Temperatur des Khlkrpers unter dem Modul von
D1 nach der Anordnung in Abbildung 49 bei unterschiedlichen Schaltfrequenzen erfasst:

47
 Temperaturerhhung SiC-Schottkydiode

6
Temperaturerhhung/[C]

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Schaltfrequenz/[kHz]

Abbildung 37: Temperaturerhhung der Schottkydiode bei unterschiedlicher Schaltfrequenz

Die Messung wurde bei einem Diodenstrom von 5A durchgefhrt. Im Vergleich zum
Diodennennstrom von 42A ist dies ein relativ kleiner Wert. Er wurde gering gewhlt, um die
Temperaturerhhung aufgrund der anfallenden Schaltverluste mglichst wenig mit
Durchlassverlusten zu berlagern.

Die gemessenen Temperaturerhhungen sind durchweg sehr gering. Bei dem Khlkrper
wurde darauf geachtet, den thermischen Widerstand gro zu halten, d.h. nur natrliche
Konvektion und ein Khlkrper ohne Khlrippen wurden verwendet. Als Messungenauigkeit
wirkt insbesondere eine Vernderung der Luftstrmungsverhltnisse, z.B. durch ffnen von
Fenstern etc. Deshalb wurde die Messeinrichtung abgedeckt. Alle diese Manahmen
besitzen jedoch den Nachteil, dass die Messzeit bis zum Erreichen eines stabilen Zustandes
verlngert wird. Bei der vorliegenden Messung war eine Messzeit von 3 Stunden fr einen
Messpunkt erforderlich.

In Abbildung 37 ist deutlich zu erkennen, dass die Temperatur der Diode mit steigender
Schaltfrequenz zunimmt. Im Rahmen der Messgenauigkeit bildet die Kurve der
Temperaturerhhung eine Gerade, wobei die Steigung die der Schaltfrequenz proportionalen
Verluste widerspiegelt, whrend der Offset die Durchlassverluste reprsentiert. Bei einer
Schaltfrequenz von 16kHz tritt auf dem gegebenen Khlkrper eine Temperaturerhhung
aufgrund der Schaltfrequenz von ca. 1,5C auf, was der Hlfte der Durchlassverluste bei 5A
entspricht. Diese Temperaturerhhung ist nicht besonders gro, soll jedoch bei der
Auslegung mit bercksichtigt werden.

Die Ursache fr diese dynamischen Verluste liegt in der Tatsache, dass auch bei einer
Schottkydiode beim Abschalten eine Ladung ausgerumt werden muss. Hierbei handelt es
sich um die freien Elektronen der Dotierungsatome in der schwach dotierten Zone, in der die
Raumladungszone aufgebaut wird. Dieses Phnomen ist in der Literatur ([110], [111])
beschrieben. Fr Dioden mit vergleichbarer Performance in Durchlassrichtung ist diese
Ladung bei SiC-Bauelementen im Vergleich zu Si-Bauelementen aufgrund der stark
reduzierten Dicke deutlich reduziert.

48
2.2.2.6 Einschaltverhalten der SiC-Schottkydiode

Neben den Abschaltverlusten stellen auch die Einschaltverluste eine mgliche

Verlustleistungsquelle fr die Erwrmung der Bauelemente dar. Die Einschaltverluste von
Dioden werden im Allgemeinen vernachlssigt, weil sie deutlich geringer als die
Ausschaltverluste sind. Da die SiC-Diode jedoch extrem kleine Ausschaltverluste besitzt,
sollen die Einschaltverluste an dieser Stelle ebenfalls betrachtet werden.

Mit Hilfe einer Chopperschaltung wurden der Verlauf von Strom und Spannung beim
Einschalten einer SiC-Schottkydiode und einer Si-Freilaufdiode gemessen. Fr eine
optimierte Auflsung der Spannungsmessung wurde dieser Versuch bei kleiner
Zwischenkreisspannung von ca. 45V durchgefhrt, um eine bersteuerung der
Eingangsverstrker des Oszilloskops zu vermeiden.

12 150

9 125

6 100

3 75

Ud[V]
Id/[A]

0 50
Si

-3 25

-6 0
SiC

-9 -25

-12 -50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
t/[ns]
Abbildung 38: Einschaltverhalten der Si-Diode (rot) und der SiC-Schottkydiode (grn)

Das Einschaltverhalten der Dioden ist aus Abbildung 38 ersichtlich, wobei die oberen beiden
Kurven jeweils den Strom, die unteren beiden Kurven jeweils die Diodenspannung
darstellen. Zunchst leitet der IGBT des Halbbrckenzweiges, die Zwischenkreisspannung
von ca. 45V liegt an der Diode an. Mit dem Beginn des Abschaltvorganges nimmt der IGBT
Spannung auf, analog sinkt die Spannung an der Diode. In der Kurvenform der Spannung an
der Diode ist der charakteristische Verlauf der IGBT-Spannung erkennbar, die zunchst
langsam und dann beschleunigt ansteigt.

Mit dem Nulldurchgang der Spannung an der Diode kann die Stromkommutierung beginnen,
die sich ber einen Zeitraum von etwa 100ns erstreckt. Die Si-Diode zeigt einen
ausgeprgten Spannungsabfall in Vorwrtsrichtung, um den Strom zu fhren. In diesem
Zeitabschnitt ist die Ladungstrgerinjektion in der Si-Diode noch nicht vollstndig erfolgt. Mit
zunehmender Zeitdauer wird die Si-Diode mehr und mehr mit Ladungstrgern
berschwemmt, so dass ihre Spannung in Vorwrtsrichtung abnimmt und schlielich ihren
statischen Endwert erreicht. Die maximale Spannungsspitze an der Si-Diode betrgt knapp

49
50V. Im Bereich der erhhten Vorwrtsspannung treten in dieser Diode Einschaltverluste
auf, die jedoch gegenber den Ausschaltverlusten der Si-pn-Diode unter 1% betragen und
damit so gering sind, dass sie bei der thermischen Auslegung vernachlssigt werden
knnen.

Bei der SiC-Schottkydiode findet keine Modulation der Leitfhigkeit statt. Der statische
Endwert wird nahezu ideal sofort beim Einschalten erreicht, ohne dass eine
Spannungsspitze erkennbar ist. Einschaltverluste sind in diesem Fall nicht messbar, die
gesamten Verluste werden ber die Durchlassverluste erkannt.

2.3 Auslegung des Umrichters fr verschiedene Dioden

2.3.1 Berechnung der Verlustleistung im Umrichterbetrieb

Bei der Berechnung der Verlustleistung wird auf ein Modell gem [17] bzw. [62]
zurckgegriffen.

2.3.1.1 Berechnung der Durchlassverluste

Bei der Berechnung der Durchlassverluste werden die gemessenen Durchlasskennlinien zu

Grunde gelegt. Der nichtlineare Verlauf der Durchlassspannung als Funktion des
Laststromes, der bei dem IGBT und der pn-Diode im Wesentlichen durch die injizierenden
p+n bzw. nn+ bergnge und bei der Schottkydiode durch die Schottky-Barriere bestimmt
wird, soll hierbei durch eine lineare Nherung nachgebildet werden:

U CEN U CE 0
U CE = U CE 0 + IC (29)
I CN

bzw. fr die Diode

U DN U D 0
U D = U D0 + ID (30)
I DN

Diese Nherung ist in Abbildung 39 grafisch dargestellt:

40 40

ICN 35 IDN 35
30 30

25 25
ID/[A]
IC/[A]

20 20

15 15

10 10

5
5
0
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0 1 2 3 4 5
UCE0 UCEN UD0 U/[V] UDN
UCE/[V]

Abbildung 39: Linearisierung der Durchlasskennlinien von IGBT und Diode

50
Mit diesen Diagrammen kann zu jedem Zeitpunkt der augenblickliche Wert der
Durchlassverluste in Abhngigkeit vom Strom berechnet werden.

Der Stromverlauf in einem Halbleiterschalter ergibt sich aufgrund der Modulation. Die
wesentlichen Zeitverlufe bei Anwendung der Sinus-Dreieck-Modulation sind in Abbildung 40
dargestellt:

tp
1.1
1

M
0.5
spannung
i

strom
i
0
pulsed
i
T1
i
0.5

1
1.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0 2
winkel
i

Abbildung 40: Zeitlicher Verlauf von Grundschwingungsspannung (rot), gepulster Spannung
(magenta), Ausgangsstrom (cyan) und IGBT-Strom (blau) ber einer Periode des
Grundschwingungsstromes

In Abbildung 40 ist eine Grundschwingungsperiode des Ausgangsstromes einer

Wechselrichterphase dargestellt. Mit einem Phasenwinkel folgt dieser Ausgangsstrom der
Grundschwingung der Spannung nach. Die Spannung wird durch Pulsweitenmodulation des
Wechselrichters bereitgestellt, wobei in den Zeitrumen, in denen die gepulste
Ausgangsspannung in Abbildung 40 den Wert 1 annimmt, die entsprechende
Wechselrichterausgangsphase durch Einschalten des oberen IGBTs T1 mit dem positiven
Zwischenkreisspannungspotenzial verbunden wird; analog wird die
Wechselrichterausgangsphase mit dem negativen Zwischenkreisspannungspotenzial
verbunden, wenn die gepulste Spannung den Wert -1 annimmt.

Durchlassverluste in T1 treten auf, solange T1 eingeschaltet ist und Strom fhrt. In

Abhngigkeit des Modulationsgrades M und des Phasenwinkels berechnet sich die relative
Einschaltdauer innerhalb einer Modulationsperiode tp als Funktion des Winkels des
Laststromes zu:

51
 1
= (1 + sin ( + )) (31)
2

Hierbei ist bereits bercksichtigt, dass die Spannungssollwertkurvenform eine Sinusfunktion

mit relativem Scheitelwert M darstellt; grundstzlich ist Gl. (31) auch auf andere
Sollwertkurvenformen bertragbar.

In den Zeiten der positiven Stromhalbschwingung, in denen T1 nicht leitet, fliet der
Laststrom durch die gegenberliegende Diode D2. Whrend der negativen Stromhalbwelle
fhren T2 und D1 den Strom, so dass whrend dieser Halbwelle im betrachteten IGBT T1
keine Durchlassverluste anfallen.

Innerhalb einer Modulationsperiode tp der positiven Stromhalbwelle fhrt T1 whrend seiner

relativen Einschaltdauer den Laststrom, fr die verbleibende Zeit der Modulationsperiode
ist T1 ausgeschaltet und somit stromlos. Whrend der Einschaltdauer wird angenommen,
dass sowohl die Stromamplitude ICT1 als auch der Wert der Durchlassspannung UdT1
konstant sind. Fr die Verlustenergie in T1 whrend einer Modulationsperiode gilt somit:

U U CE 0 1
E dT 1 = U dT 1 I CT 1 t p = U CE 0 + CEN I C I C (1 + M sin ( + )) t p (32)
I CN 2

Der Stromverlauf im Motor wird als sinusfrmig angenommen

I C ( ) = I C max sin (33)

Dadurch ergibt sich die Durchlassverlustenergie in einer Modulationsperiode zu

U U CE 0 1
E dT 1 ( ) = U CE 0 + CEN I C max sin I C max sin (1 + M sin ( + )) t p (34)
I CN 2

Fr die Berechnung der Durchlassverluste kann die Modulationsperiode tp beliebig klein

angenommen werden, ohne dass sich die Gesamtverlustenergie innerhalb der
Stromhalbwelle ndert, da sich die Anzahl der Modulationsperioden innerhalb der
Stromhalbwelle gleichermaen erhht. Dadurch geht die Modulationsperiode tp in eine
differentielle Modulationsperiode dtp ber. Diese kann als Funktion des Winkels des
Laststromes ausgedrckt werden:

d
dt p = T (35)
2

Die Verlustleistung whrend einer Stromgrundschwingung ergibt sich dann als Integral ber
die Verlustenergien aller differentiellen Modulationsperioden, bezogen auf die
Grundschwingungsdauer T:

T U CEN U CE 0
I C max sin + U CE 0 sin
2
1 I
PdT 1 = 2 2 C max I CN d (36)
T 0
(1 + M sin ( + ))

Durch Integration von Gl. (36) ergibt sich:

52
 1 M cos U CEN U CE 0 2

1 M cos
PdT 1 = I C max U CE 0 * + +
I + (37)
2 3
C max
8 I CN
8

Die Berechnung der Durchlassverluste der Diode erfolgt analog. Der Unterschied besteht
darin, dass die Diode whrend der Modulationsperiode tp genau zu dem Zeitpunkt leitet, in
dem der IGBT ausgeschaltet ist. Statt Gl. (31) ergibt sich fr die Leitdauer der Diode

1
= (1 sin ( + )) (38)
2

und folgerichtig fr die Durchlassverluste der Diode:

1 M cos U DN U D 0 2

1 M cos
PdD 2 = I C max U D 0 +
I (39)
2 3
C max
8 I CN
8

2.3.1.2 Berechnung der Schaltverluste

Neben den Durchlassverlusten bilden die Schaltverluste der Leistungshalbleiter eine zweite
Art von Verlusten, die insbesondere fr hohe Schaltfrequenzen wichtig und mitunter
dominant gegenber den Durchlassverlusten werden. Fr die Berechnung der Schaltverluste
wird wiederum die Stromkurvenform aus Abbildung 40 herangezogen [112].

Innerhalb einer Modulationsperiode wechselt das Potenzial der betrachteten Ausgangsphase

zweimal seine Polaritt.

UA
T1 D1
UZK

CZK

UZK

T2 D2
0
UA t
tp

Abbildung 41: Schaltvorgnge innerhalb einer Modulationsperiode

Ist der Ausgangsstrom der Wechselrichterphase positiv, so treten innerhalb der betrachteten
Modulationsperiode tp am Leistungshalbleiter T1 je einmal Ein- und Ausschaltverluste auf.
Dies gilt auch fr die Diode D2. Analog treten die Schaltverluste in der negativen
Stromhalbwelle in T2 und D1 auf.

53
Zur Berechnung der Schaltverluste ber eine Grundschwingung des Ausgangsstromes
werden zunchst die Ein- und Ausschaltverlustenergien von Transistor und Diode bei einer
festen Zwischenkreisspannung in Abhngigkeit vom Ausgangsstrom bei verschiedenen
Laststrmen gemessen. Aus den gemessen Sttzstellen wird anschlieend nach der
Methode der kleinsten Abstandsquadrate eine Ausgleichskurve durch die Messstellen gelegt.
Als Kurvenform fr die Ausgleichskurve hat sich in der Praxis ein Polynom zweiter Ordnung
bewhrt. Die Schaltverlustenergie in Abhngigkeit des Stromes ergeben sich somit zu:

E s ( I ) = K 0 + K1 I + K 2 I 2 (40)

Analog zu den Durchlassverlusten treten auch die Schaltverluste in einem

Leistungshalbleiter nur whrend einer Halbwelle des Grundschwingungsstromes auf. Bei
einem sinusfrmigen Verlauf des Ausgangsstromes ergeben sich die Schaltverluste in einem
Leistungshalbleiter somit zu

1
f ( 0 + 1 C max sin + K 2 I C max sin 2 ) d
2
Ps =
2
s
0 (41)
K 0 K1 K2 2
= fs ( + I C max + I C max )
2 4

Mit dieser Formel knnen die Schaltverluste fr den Umrichter berechnet werden. Es ist
leicht zu erkennen, dass sie unabhngig vom Leistungsfaktor sind, da die Schaltverluste in
den Bauteilen immer auftreten, unabhngig davon, ob das anschlieende Leitintervall fr
den IGBT oder die Diode lnger ist.

Eine Randbedingung fr eine Berechnung der Schaltverlustleistung nach Gl. (41) besteht
darin, dass davon ausgegangen wird, dass whrend der gesamten Grundschwingung
Schalthandlungen stattfinden und die Schaltfrequenz zeitinvariant ist.

Dies wird zum Beispiel dann verletzt, wenn der Umrichter nahe an seinem maximalen
Aussteuergrad arbeitet und im Bereich des Maximums der Grundschwingung der
Ausgangsspannung einzelne Schalthandlungen aufgrund der Verletzung von Mindestzeiten
nicht ausgefhrt werden. Soll dieser Effekt mit bercksichtigt werden, mssen die
Schaltverluste fr jede einzelne tatschliche Schalthandlung ermittelt werden. Vorzugsweise
ist dies mit Hilfe eines Simulationsprogrammes durchzufhren.

Ein weiterer Anwendungsfall, in dem die oben geforderte Randbedingung verletzt wird, ist
dann gegeben, wenn die Schaltfrequenz nicht wesentlich hher als die
Umrichterausgangsfrequenz gewhlt wird. Ein solcher Betrieb ist von Umrichtern mit sehr
hoher Ausgangsleistung bekannt. Bei diesen Anwendungen kann es vorkommen, dass
systematisch in bestimmten Bereichen der Grundschwingung des Ausgangsstromes keine
Schalthandlungen vorgenommen werden. Im vorliegenden Fall, in dem der Umrichter fr die
Verwendung eines Sinus-Ausgangsfilters optimiert wird, ist fr ein optimiertes Filterdesign
die Schaltfrequenz deutlich hher als die Umrichterausgangsfrequenz, wie in Kap. 3 erlutert
wird.

2.3.1.3 Verluste bei Ausgangsfrequenz 0Hz

Mit Gl. (41) und Gl. (37) bzw. Gl. (39) knnen fr jeden Leistungshalbleiter die Verluste ber
einer Grundschwingungsperiode berechnet werden. Diese Berechnung ist zutreffend,
solange die Ausgangsfrequenz des Umrichterausgangsstromes so hoch ist, dass sich

54
innerhalb einer Grundschwingungsperiode die Temperatur eines Halbleiterchips nicht
wesentlich ndert. Denn durch die Integration in den genannten Gleichungen wird ein
Mittelwert ber die in der betrachteten Periode anfallenden Verluste errechnet. Fr die
stationre Betrachtung des Umrichters bei hoher Ausgangsfrequenz, die fr die meisten
Anwendungen im Vordergrund steht, ist diese Vorgehensweise geeignet, da thermische
Zeitkonstanten in der Aufbautechnik der Halbleitermodule und Umrichter diese
Mittelwertbildung vornehmen.

Die Betrachtungsweise wird unzureichend, wenn der Umrichter bei so kleiner

Ausgangsfrequenz betrieben wird, dass die Leistungshalbleiter und deren Umgebung
innerhalb einer Grundschwingungsperiode ihre Temperatur wesentlich ndern, d.h. die
Periodendauer der Grundschwingung in den Bereich der thermischen Zeitkonstanten des
Halbleiters kommt. Dieser Betriebszustand wird anhand eines in der Stromrichtertechnik
blichen Raumzeigermodells erlutert.

W
Abbildung 42: Raumzeiger des Scheitelwertes des Ausgangsstromes in einem
stnderbezogenen Koordinatensystem

In Abbildung 42 ist der Raumzeiger des Scheitelwertes des Ausgangsstromes dargestellt.

Die Raumzeigerdarstellung von Gren basiert auf der Theorie elektrischer Maschinen,
wobei als anschauliche Erklrung das Diagramm als Schnitt durch den Stator einer
elektrischen Maschine mit Blick in Richtung der Maschinenachse betrachtet werden kann.

In Abbildung 42 ist ein stehendes, statorbezogenes Koordinatensystem gezeigt. In diesem

Koordinatensystem rotiert der Stromzeiger I mit der Kreisfrequenz des Ausgangsstromes
gegen den Uhrzeigersinn. Der augenblickliche Betrag der Strme in den einzelnen Phasen
U, V und W ergibt sich durch die Projektion des Stromzeigers I auf die jeweilige Achse. Bei
konstantem Betrag und konstanter Kreisfrequenz des Stromzeigers ergeben sich somit die
bekannten dreiphasigen sinusfrmigen Ausgangsstrme des Umrichters.

Ist die Kreisfrequenz des Stromzeigers I sehr klein, so verweilt der Stromzeiger sehr lange in
Richtung einer Achse. In diesem Fall ist die Temperatur an einem Halbleiterchip ber eine
Grundschwingungsperiode nicht mehr konstant. Die Berechnung der Chiptemperatur ist in
diesem Fall nicht mehr ber einfache statische Gleichungen mglich, sondern es ist eine
transiente Simulation mit einem thermischen Modell erforderlich.

Je geringer die Ausgangsfrequenz wird, desto lnger verweilt der Stromzeiger an einer Stelle
und desto grer wird die Temperaturdifferenz, die innerhalb einer

55
Grundschwingungsperiode am Halbleiterchip auftritt. Im Extremfall ist die Ausgangsfrequenz
gleich null, so dass der Stromzeiger steht. Fr den Umrichter bedeutet dies, dass an seinem
Ausgang ein Gleichstrom fliet. Abhngig von den Anforderungen der Regelung kann der
Stromzeiger nun genau in der Richtung einer Motorphase, z.B. der Phase U stehen. In
diesem Fall fliet in der Phase U dauerhaft der Scheitelwert des Ausgangsstromes als
Gleichstrom. Durch die Projektion des Stromzeigers auf die Phasen V und W ergibt sich,
dass in diesen jeweils die Hlfte des Scheitelwertes des Ausgangsstromes in negativer
Richtung fliet.

V
/2
M
W
/2

Abbildung 43 Maximale Umrichterausgangsstrme bei einer Ausgangsfrequenz von 0Hz

Dieser Betriebspunkt ist wieder stationr und kann somit auch einfach berechnet werden.
Zur Ermittlung des worst case kann somit auf die transiente Simulation verzichtet werden.
Der Betrag des Stromzeigers wird durch das Drehmoment bestimmt, das an der Motorwelle
abgenommen wird, und entspricht im worst case dem Scheitelwert des Stromes. Mit der
Auslegung des Umrichters auf diesen Betriebspunkt sind alle anderen Betriebspunkte kleiner
Schaltfrequenz mit abgedeckt.

Bei dem Betrieb mit Ausgangsfrequenz 0Hz werden am Ausgang des Frequenzumrichters
nherungsweise nur Nullzeiger ausgegeben, da die Ausgangsspannung ebenfalls null ist.
Unter Nullzeigern werden die Schaltzustnde verstanden, bei denen alle drei
Umrichterausgangsphasen gleichzeitig entweder mit dem positiven (positiver Nullzeiger)
oder dem negativen (negativer Nullzeiger) Zwischenkreispotenzial verbunden werden, so
dass sich zwischen den Phasen die Spannung null ergibt. Alle anderen Schaltzustnde
werden als aktive Zeiger bezeichnet; diese erzeugen eine treibende Spannung zwischen den
Phasen des Motors. Im Betriebspunkt der Umrichterausgangsfrequenz null werden diese
aktiven Zeiger nur zur Deckung der ohmschen Verluste im Stator der Maschine, den
Motorleitungen und den Durchlassverlusten im Wechselrichter bentigt. Bei Sinus-Dreieck-
Modulation und Raumzeigermodulation werden der positive und der negative Nullzeiger
abwechselnd mit einer Leitdauer von je 50% innerhalb der Modulationsperiode angelegt.

Die Berechnung der Durchlassverluste ergibt sich somit in der Phase U, in der der maximale
Strom steht, zu:

U CEN U CE 0
PdTU 0 = (U CE 0 + I C max ) I C max
I CN (42)
U U CE 0 2
= 0.5 U CE 0 I C max + 0.5 CEN I C max
I CN

Analog knnen die Durchlassverluste in den Transistoren der Phasen V und W berechnet
werden, in denen jeweils die Hlfte des maximalen Stromes fliet:

56
 2
I C max U CEN U CE 0 I C max
PdTV 0 = PdTW 0 = 0.5 U CE 0 + (43)
2 I CN 4

Fr die Durchlassverluste in den Dioden ergibt sich analog:

U DN U D 0
PdDU 0 = (1 ) (U D 0 + I D max ) I D max
I DN (44)
U DN U D 0 2
= 0.5 U D 0 I D max + 0.5 I D max
I DN

2
I D max U DN U D 0 I D max
PdDV 0 = PdDW 0 = 0.5 U D 0 + (45)
2 I DN 4

Die Schaltverluste im Betrieb bei einer Ausgangsfrequenz von 0Hz knnen auf Basis von Gl.
(40) fr die Phase U berechnet werden:

2
PsU 0 = f s ( K 0 + K 1 I C max + K 2 I C max ) (46)

Fr die Werte K0, K1 und K2 sind jeweils die Koeffizienten der Ausgleichsparabeln der
gemessenen Schaltverluste aus Kap. 2.3.1.2 fr IGBT bzw. Diode zu verwenden.

Analog lassen sich die Schaltverluste der stromfhrenden Bauelemente aus den Phasen V
und W berechnen:

2
I I
PsV 0 = PsW 0 = f s ( K 0 + K 1 C max + K 2 C max ) (47)
2 4

2.3.1.4 Verlustoptimierung fr kleine Ausgangsfrequenzen

Der Betriebspunkt bei Ausgangsfrequenz 0 stellt fr die Bauelemente, die in der Phase mit
dem hchsten Strombetrag den Strom fhren, eine sehr hohe Belastung dar, die fr die
Dimensionierung des Frequenzumrichters sehr wichtig ist. Bezglich der Durchlassverluste
ist aus Gl. (42) und Gl.(44) ersichtlich, dass die relative Leitdauer des oberen und unteren
Nullzeigers eine Mglichkeit darstellt, die Verluste in einem einzelnen Bauelement gezielt zu
reduzieren oder zu erhhen.

Fr einen Wechselrichter aus Si-IGBTs und SiC-Freilaufdioden liegt nun die Situation vor,
dass die Flche der Freilaufdioden sehr viel teuerer ist als die Flche der IGBTs. In diesem
Fall ist es wnschenswert, die am strksten belastete Diode so weit wie mglich zu
entlasten, wobei eine Mehrbelastung des IGBT bzgl. der Kosten weniger relevant ist. In
anderen Anwendungen, die beispielsweise IGBTs mit einer Trench-Technologie einsetzen,
die wesentlich teuerer als eine einfache Dioden-Technologie ist, kann dies umgekehrt sein,
die allgemeine Motivation zur gezielten Entlastung eines einzelnen Bauelementes ist jedoch
identisch.

Eine Entlastung der Diode, die den hchsten Phasenstrom zu fhren hat, kann dadurch
erfolgen, dass die Einschaltdauer dieser Diode reduziert wird. Eine minimale Einschaltdauer

57
ergibt sich durch die Tatsache, dass durch diese Manahme die Verluste in den Dioden der
anderen beiden Phasen ansteigen. Eine ideale Einschaltdauer ergibt sich, wenn die Verluste
der Dioden mit den beiden hchsten Phasenstrmen gleich werden.

1
0.866

0.5

Iu

Iv
0

Iw

0.5

1 1
0 5 10 15 20 25 30
0 30
Abbildung 44: Phasenstrme bei unterschiedlichen Stromwinkeln

Fr eine vollstndige Betrachtung der mglichen Phasenstrme am Umrichterausgang

gengt ein Ausschnitt von 30 fr mgliche Stromwinkel, da sich dieser Ausschnitt innerhalb
der 360 fr eine Umdrehung lediglich fr alle Leistungshalbleiter wiederholt.

In Abbildung 44 ist der Strom in Phase V betragsmig maximal. Zhlt man aus dem
Umrichter herausflieende Strme positiv, so wird in diesem Umrichter bei konventionellen
Modulationsverfahren die obere Diode der Phase V am strksten belastet. Der relevante
Auslegungspunkt fr die Leistungshalbleiter des Umrichters liegt bei 30, da bei dieser
Rotorlage der maximale Strom in dieser Diode fliet.

Aus Abbildung 44 ist auch sofort die Grenze eines Verfahrens zur Optimierung der Verluste
durch geschickte Wahl des Nullzeigers zu sehen. Bei 0 sind die Strme in den Phasen V
und W betragsmig gleich. In diesem Punkt betrgt der ideale Aussteuergrad 50% wie bei
konventionellen Verfahren, da eine Entlastung der Diode in Phase V sofort eine
berbeanspruchung der Diode in Phase W verursacht.

Die ideale relative Leitdauer der Diode in Phase V in Abhngigkeit des Stromwinkels
berechnet sich aus dem Verlustverhltnis:

PDW ( )
V ( ) = (48)
PDV ( ) + PDW ( )

Bezogen auf die Verlustleistung bei konventioneller Modulation ergibt sich die verbleibende
Verlustleistung in der Diode zu dem doppelten der idealen Leitdauer. Der Faktor 2 ergibt sich
aus der Tatsache, dass bei konventioneller Modulation das Tastverhltnis 0.5 betrgt.

58
Betrachtet man diese Verluste fr Schottkydioden, so treten nur Durchlassverluste auf, da
die Schottkydiode keine Schaltverluste verursacht. Mit der Linearisierung der
Durchlassverluste nach Gl. (30) bestehen die Durchlassverluste P(I) der Diode bei
konstantem Strom aus einem linearen Term, der durch die Schwellenspannung bestimmt
wird, und einem quadratischen Term, der durch den differentiellen Widerstand bestimmt
wird.

Wie hoch die mgliche Einsparung ist, hngt demnach von der Durchlasskennlinie der
verwendeten Bauelemente ab. Die Grenzwerte knnen jedoch allgemein berechnet werden.

Ein Grenzwert ergibt sich, indem man ein Bauelement annimmt, das nur eine
Schwellenspannung und einen differentiellen Widerstand von 0 besitzt. Ein solches Bauteil
ist nicht realistisch. Nherungsweise wird dieses Verhalten erreicht, wenn man eine Diode
mit sehr geringer Stromdichte betreibt. Bei diesem Bauelement steigen die Durchlassverluste
linear mit dem Strom.

Den zweiten Grenzwert bildet ein Bauelement mit rein ohmschem Verhalten. Diese Kennlinie
wird von einem unipolaren Halbleiterschalter, z.B. einem MOSFET oder einem JFET
erreicht. Bei einem solchen Bauelement steigen die Verluste quadratisch mit dem Strom.

In Abhngigkeit des Stromwinkels sind die verbleibenden Verlustleistungen fr die beiden

Grenzbauelemente dargestellt:

0.9

0.8

Pquad
0.7

Plin

0.6

0.5

0.4

0.4 0.3
0 5 10 15 20 25 30
0 30

Abbildung 45: Verbleibende Verlustleistung bezogen auf den Auslegungswert bei

konventioneller Modulation

Fr die Auslegung eines Umrichters ist aus Abbildung 45 der ungnstigste Fall auszuwhlen.
Bei konventioneller Modulation ist dieser Auslegungspunkt bei einem Stromwinkel von 30,
weil dort ein Phasenstrom maximal wird.

Es ist zu erkennen, dass bei dem verbesserten Modulationsverfahren die maximalen

Verluste bei einem Stromwinkel von 30 stark reduziert werden knnen, so dass dieser
Stromwinkel nicht mehr die Auslegung bestimmt. Der auslegungsrelevante Stromwinkel liegt
mit dem verbesserten Verfahren bei 0. In diesem Betriebspunkt sind die Strme in den

59
Phasen V und W identisch, so dass das neuartige Modulationsverfahren an diesem Punkt
keinen weiteren mehr Vorteil bringt.

Abhngig von der Kennlinie kann die auslegungsrelevante Verlustleistung der verwendeten
Diode im Vergleich zu konventioneller Sinus-Dreieck-Modulation oder
Raumzeigermodulation auf Werte zwischen 75% und 86% abgesenkt werden.

Aus Abbildung 45 ist weiterhin zu erkennen, dass bei dem Bauelement mit hohem
ohmschem Anteil in der Kennlinie die verbleibende Verlustleistung strker abgesenkt werden
kann. Dies ist dadurch zu erklren, dass sich die Reduzierung des Stromwertes in diesem
Fall strker bemerkbar macht.

Bei Umrichtern ohne Sinus-Ausgangsfilter kann die starke thermische Belastung einzelner
Bauelemente bei Ausgangsfrequenz null durch eine Absenkung der Schaltfrequenz reduziert
werden. Bei dem Demonstratorumrichter ist dies aus folgenden Grnden nicht mglich:

a) Bei Umrichtern mit Sinusfilter besteht die Gefahr, dass die abgesenkte
Schaltfrequenz in den Bereich der Resonanzfrequenz des Sinusfilters trifft und
dieses anregt.
b) Fr SiC-Schottkydioden ist die Reduzierung der Schaltfrequenz wenig hilfreich, weil
die Schottkydioden nahezu keine Schaltverluste verursachen und ihre hohe
thermische Belastung allein aus Durchlassverlusten resultiert. Lediglich eine
indirekte Entlastung der SiC-Diode durch Absenkung des Temperaturniveaus des
Khlkrpers wre mglich, weil die IGBTs bei der geringeren Schaltfrequenz weniger
Verluste erzeugen.

Aus diesen Grnden ist die Auswahl der Nullzeiger nach dem Kriterium der thermischen
Belastung der Halbleiter fr den Demonstratorumrichter besonders attraktiv.

2.3.2 Thermisches Modell

Fr die rechnerische Auslegung eines Umrichters ist ein thermisches Modell erforderlich, das
von den berechneten Halbleiterverlusten auf deren Erwrmung schlieen lsst ([64], [127]).
Obwohl der primre Fokus im vorliegenden Fall auf den relativen Unterschieden zwischen
einzelnen Halbleiterlsungen liegt, sollen dennoch mglichst anwendungsnahe
Randbedingungen gewhlt werden.

Das stationre thermische Modell basiert auf einem Ersatzschaltbild nach Abbildung 46. In
diesem werden Temperaturen als Spannungspotenziale, Verlustleistungen als Stromquellen
und thermische Widerstnde von Komponenten als Widerstand dargestellt:

Tjt Tjd

RthjhT
PD RthjhD
Th 5*PT

PT
Th 5*PT

Rthha

Ta
Abbildung 46: Thermisches Ersatzschaltbild des Umrichters beim Betrieb mit hoher
Ausgangsfrequenz

60
Durch den Transistor werden in das thermische Modell die Verlustleistung PT, durch die
Diode die Verlustleistung PD eingespeist. Sowohl fr den IGBT als auch fr die Diode wird
die Verlustleistung PT bzw. PD durch die Addition der Schalt- und Durchlassverluste nach
obigen Gleichungen berechnet.

Die Halbleiter selbst werden durch einen thermischen Widerstand RthjhT und RthjhD
modelliert. ber diesem thermischen Widerstand fllt in dem thermischen Ersatzschaltbild
nach Abbildung 46 ein Temperaturhub ab. Dieser reprsentiert den Temperaturhub der
Sperrschicht des Halbleiterchips gegenber der Oberflche des Khlkrpers. Es wird dabei
angenommen, dass innerhalb des Halbleitermoduls keine thermische Kopplung zwischen
den einzelnen Chips besteht, sondern der Wrmeaustausch allein ber die Bodenplatte
stattfindet. Diese Vereinfachung ist in der Praxis nicht ganz erfllt, weil ber die Keramik und
die Bodenplatte des Halbleitermoduls ein gewisser Wrmeaustausch stattfinden kann.

Die Oberflche des Khlkrpers wird mit der einheitlichen Temperatur Th angenommen.
Auch dies stellt eine Vereinfachung dar, weil die Oberflche des Khlkrpers somit unendlich
gut leitend modelliert wird, in der Realitt ist ein geringer Temperaturgradient auf der
Oberflche des Khlkrpers vorhanden. Die beiden beschriebenen Vereinfachungen wirken
gegenlufig und kompensieren sich somit teilweise.

Die Halbleiterverluste, die z.B. fr den Transistor durch Gl. (37) und Gl. (41) berechnet
werden, beziehen sich nur auf einen Transistor des Wechselrichters. Fr die Erwrmung der
Bodenplatte gegenber Khlkrper und Umgebungstemperatur mssen jedoch alle Chips
bercksichtigt werden. Dies erfolgt durch eine Superposition mit zwei weiteren
Verlustleistungsquellen, die jeweils die Verlustleistung der anderen fnf Chips der
Wechselrichterbrcke einbringen. Bei hoher Ausgangsfrequenz ist diese Vorgehensweise
korrekt, da alle Halbleiterchips identische Verluste verursachen.

Die gesamten Verluste aller Halbleiterchips bewirken einen Temperaturhub der Oberflche
des Khlkrpers gegenber der Umgebungstemperatur. Dieser bergangswiderstand zur
umgebenden Khlluft wird durch Rthha modelliert.

Wie in Kapitel 2.3.1.3 gezeigt, sind die Halbleiterverluste bei kleiner Ausgangsfrequenz fr
die Chips unterschiedlicher Phasen nicht mehr identisch. Wird der Umrichter bei einer
Ausgangsfrequenz von 0Hz betrachtet, so sind nur noch 6 statt 12 Halbleiter mit Verlusten
beaufschlagt, da die Stromrichtung sich nicht mehr ndert. Fr den worst case, in dem der
Stromzeiger nach Abbildung 42 genau auf einer Phase steht, ist der Betrag des Stromes in
den beiden anderen Phasen identisch. Das modifizierte Ersatzschaltbild fr diesen
Betriebspunkt ergibt sich zu:

TjTU TjDU TjTV TjDV

RthjhT RthjhD
RthjhT RthjhD
PDU
Th PDV
PTV
PTU
PTV
PDV
Rthha

Ta
Abbildung 47: Thermisches Ersatzschaltbild bei Ausgangsfrequenz 0Hz

61
Die Parameter des thermischen Modells knnen durch eine standardmige Rth-Messung
bestimmt werden. Fr die fr diese Messung erforderliche Bestimmung der
Halbleitertemperatur wird der Effekt ausgenutzt, dass sich die Schwellenspannung am pn-
bergang eines Leistungshalbleiters mit der Temperatur verndert.

Nach [109] gilt fr die Schleusenspannung an einem pn-bergang:

kT p+ N D
U= ln 2
(49)
q ni

mit p+: Dotierungskonzentration im p-Gebiet

ND: Dotierungskonzentration in der schwach dotierten Mittelschicht
n i: intrinsische Ladungstrgerkonzentration
k: Boltzmann-Konstante
q: Elementarladung
T: absolute Temperatur in Kelvin

Mit steigender Temperatur nimmt die Anzahl der intrinsischen Ladungstrger stark zu. Es
gilt:

Eg

2
ni = N c N v e kT (50)

mit: Nc, Nv: Anzahl der mglichen Zustnde im Leitungs- und Valenzband
Eg: Bandabstand

Setzt man Gl. (50) in Gl. (49) ein, so ergibt sich fr die Schwellenspannung:

Eg kT N N
U= ln +c v (51)
q q p ND

Die effektiv vorliegenden Dotierungskonzentrationen sind immer geringer als die Anzahl der
mglichen Zustnde im Leitungs- bzw. Valenzband, wodurch der Logarithmusterm in Gl. (51)
immer einen positiven Wert liefert. Somit ist mit steigender Temperatur eine Abnahme der
Schwellenspannung messbar.

Fr die Bestimmung des thermischen Widerstandes wird die Schwellenspannung in

Abhngigkeit von der Temperatur zunchst in einer Eichkurve aufgezeichnet. Der
Messaufbau ist in Abbildung 48 skizziert:

10mA

Spannungs-
DUT
messung

Temperatur-
Heizplatte
messpunkt

Abbildung 48: Messaufbau fr die Eichung Chiptemperaturerfassung

62
Bei der Eichmessung wird das auch als DUT (device under test) bezeichnete zu messende
Halbleiterbauelement (in Abbildung 48 ist exemplarisch eine Diode dargestellt) auf einer
Heizplatte montiert. Mit dieser Heizplatte wird eine definierte Temperatur eingestellt. Das
DUT wird mit einem definierten Messstrom bestromt und gleichzeitig wird die Spannung am
DUT erfasst. Dies wird fr den gesamten zu betrachtenden Temperaturbereich durchgefhrt,
so dass als Ergebnis eine Messkurve der Durchlassspannung als Funktion der Temperatur
vorliegt.

Der Messstrom ist so zu whlen, dass er eine mglichst geringe zustzliche Erwrmung des
DUT erzeugt, da diese als Fehler in das Messergebnis eingeht. Im vorliegenden Fall einer
40A bzw. 100A-Diode wurde ein Messstrom von 10mA gewhlt. Die Erwrmung durch
diesen Messstrom ist < 0,01K.

Nach der Eichung erfolgt die eigentliche Messung des thermischen Widerstandes. Bei dieser
Messung wird gleichzeitig der thermische Widerstand des Khlkrpers und des
Halbleitermoduls erfasst.

200A

10mA
Schalter

Spannungs-
DUT messung (Tj)

Khlkrper Temperatur-
messpunkt
Khlkrper
(Th)

Temperaturmesspunkt
Umgebungstemperatur
(Ta)
Abbildung 49: Aufbau zur Messung des thermischen Widerstands

Bei der Messung wird der Halbleiter auf den spter verwendeten Khlkrper montiert. In
Abbildung 49 ist exemplarisch eine Diode eingezeichnet, fr einen IGBT erfolgt die Messung
identisch. ber eine Hochstromquelle wird eine definierte, konstante Verlustleistung PV in
den Halbleiter eingebracht, die diesen erwrmt. Der Betrag der eingebrachten
Verlustleistung ist theoretisch beliebig, zur Reduzierung von Fehlern soll diese
Verlustleistung jedoch in der gleichen Grenordnung liegen wie spter beim
Umrichterbetrieb.

Wie in Abbildung 46 gezeigt, wird in dem Halbleitermodul eine ideale thermische Kopplung
der einzelnen Verlustleistungsquellen auf der Oberflche des Khlkrpers angenommen. Um
dies in der Messung mglichst realistisch nachzubilden, wird die Verlustleistung nicht nur in
den DUT-Halbleiterchip eingebracht, an dem die Durchlassspannung gemessen wird,
sondern in alle IGBT- bzw. Diodenchips. Mit dieser Manahme wird eine gleichmige

63
Erwrmung des Halbleitermoduls whrend der Messung erreicht, die auch im spteren
standardmigen Betrieb vorliegt.

Nachdem ein stabiler thermischer Zustand erreicht ist, wird die Hochstromquelle
abgeschaltet und unmittelbar danach die Messstromquelle zugeschaltet. Nach der
Umschaltung erfolgt in mglichst kurzer Zeit die Messung der Durchlassspannung am DUT.
Der Zeitbereich der Umschaltung muss so kurz sein, dass in dieser Zeit keine nennenswerte
Abkhlung des DUT erfolgt. ber die Eichkurve kann die Chiptemperatur des DUT bestimmt
werden. Fr die IGBTs und die Freilaufdioden sind getrennte Messungen durchzufhren.

100

90 TjD

80
Th
70

60
T/[C]

50

40

30
TjD - Th
20

10

0
1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+00 1.00E+01 1.00E+02 1.00E+03 1.00E+04
t/[s]
Abbildung 50: Messung der Akhlkurve fr Khlkrper (blau) und Diode (rot) sowie die
Differenz der beiden Messwerte (magenta)

In Abbildung 50 sind die Messwerte der Abkhlkurve fr einen Aufbau nach Abbildung 49
dargestellt. Die Umgebungstemperatur Ta ist whrend der gesamten Versuchsdauer
konstant und betrug in der Messung 20. Dieser Wert stellt sich an beiden Messpunkten als
Endwert nach langer Versuchsdauer ein. Die Darstellung der Zeitskala erfolgt im
logarithmischen Mastab, um den Bereich kurzer Zeiten besser sichtbar zu machen.
Abbildung 50 zeigt die Messung an einer Diode, analog wurde auch die Messung an einem
IGBT durchgefhrt.

Die stationren thermischen Widerstnde lassen sich aus der Differenz der Messwerte
unmittelbar nach der Abschaltung der Verlustleistungsquelle (t < 10-4 s) berechnen:

T jT Th
Rth jhT = 6 (52)
PV

T jD Th
Rth jhD = 6 (53)
PV

64
 Th Ta
Rthha = (54)
PV

Mit der beschriebenen Messmethode zur Bestimmung des thermischen Widerstandes lsst
sich grundstzlich auch das zeitvernderliche thermische Verhalten des Umrichters bei
Lastspielen exakt berechnen. In diesem Fall werden aus der Messung thermische
Zeitkonstanten ermittelt wird. Im thermischen Ersatzschaltbild werden diese durch
thermische Kapazitten bercksichtigt. Fr den Fall einer einzelnen Diode, die auf einen
Khlkrper montiert ist und deren thermisches Verhalten durch zwei Zeitkonstanten
nachgebildet werden soll, ergibt sich damit folgendes Ersatzschaltbild [108]:
Tjd Rthjcd Th Rthha

Cthd Cthh
Pd
Ta
Abbildung 51: Physikalisches thermisches Ersatzschaltbild einer auf einen Khlkrper
montierten Diode

Der Temperaturhub an der Diode ist die Differenz der Temperaturen von Sperrschicht und
Khlkrper (magenta, s. Abbildung 50). Diese Differenz klingt nach einer Zeit von ca. 350ms
1
auf ihres Anfangswertes ab. Dieser Wert stellt die Zeitkonstante
e

Diode = Rth jcd Cthd (55)

der Diode dar.

Fr den Temperaturhub der Oberflche des Khlkrpers zur Umgebung kann die Ermittlung
der Zeitkonstante analog erfolgen. In der Messung in Abbildung 50 ist der Temperaturhub
der Khlkrperoberflche nach einer Zeitkonstante von Khlkrper = 150s auf 1 abgesunken.
e

Das thermische Ersatzschaltbild nach Abbildung 51 besitzt den Nachteil, dass im

allgemeinen Fall aufwndige thermische Simulationen zu seiner Berechnung erforderlich
sind. Im vorliegenden Fall der Messung aus Abbildung 50 kann jedoch die Tatsache
ausgenutzt werden, dass die beiden Zeitkonstanten Diode und Khlkrper um etwa zwei
Grenordnungen voneinander entfernt liegen. Fr schnelle nderungen der Verlustleistung
Pd im Bereich von Diode kann somit Cthh als Kurzschluss betrachtet werden. Analog kann fr
langsame Vorgnge im Bereich von Khlkrper Cthd als hochohmig betrachtet werden.

Anschaulich bedeutet dies, dass bei einer Beaufschlagung des Halbleiterchips mit einer
sprungfrmigen Verlustleistung der Temperaturhub des Halbleiterchips gegenber der
Oberflche des Khlkrpers bereits seinen stationren Endwert erreicht hat, bevor die
Oberflche des Khlkrpers ihrerseits einen nennenswerte Temperaturhub gegenber der
Umgebungstemperatur erfhrt. Deshalb kann in diesem speziellen Fall der gesamte
transiente Wrmewiderstand als Addition der einzelnen Wrmewiderstnde nach einem

65
Partialbruchnetzwerk gerechnet werden, in dem alle thermischen Kapazitten den
thermischen Widerstnden parallel liegen:

t

t

ZthgesD = Rth jhD 1 e Diode + Rth
1 e
Khlkrper (56)
ha

Mit dieser Methode einer zeitabhngigen thermischen Berechnung kann der zeitliche
Temperaturverlauf in einem Lastspiel berechnet werden. Innerhalb eines Lastspiels treten
blicherweise fr eine kurze Zeit stark erhhte Laststrme auf, gefolgt von lngeren Zeiten
reduzierter Belastung. Allerdings erfordert eine zeitabhngige Berechnung nach Gl.(56)
einen erhhten Simulationsaufwand gegenber der einfachen stationren Berechnung, da
die einzelnen thermischen Widerstnde mit der zeitvernderlichen exakten Verlustleistung
multipliziert werden.

Liegen die geforderten Zeiten eines Lastspiels weit entfernt von den ermittelten thermischen
Zeitkonstanten des Aufbaus (beispielsweise um eine Grenordnung), so kann auf die
genaue Berechnung des transienten thermischen Verhaltens verzichtet werden und es
knnen nur stationre Zustnde betrachtet bzw. Lastspiele mit quasistationrem Verhalten
nachgebildet werden.

Bei einem fr viele Applikationen relevanten Lastspiel muss fr 3s ein erhhter Strom Imax
gefhrt werden, gefolgt von 297s Nennstrom Inenn. Die Zeitdauer des erhhten Stromes liegt
um eine bzw. zwei Grenordnungen von den thermischen Zeitkonstanten des Aufbaus
entfernt. Generell kann jeder zeitabhngige Term aus Gl. (56) in diesem Fall durch zwei
mgliche Extremflle nachgebildet werden:

a) t<< : In diesem Fall wird der Term zu null. Die Dauer des Lastspiels ist so kurz, dass
an dem betrachteten Element keine Temperaturerhhung feststellbar ist.
b) t>> : In diesem Fall betrgt der Wert des Terms den Wert des stationren
thermischen Widerstandes, da die Exponentialfunktion zu null wird. Die Dauer des
Lastspiels ist so lange, dass das betrachtete Element vollstndig durchwrmt wird

Die 3s Dauer des erhhten Stromes bewirkt im Khlkrper nur einen geringen,
zeitinvarianten Temperaturhub, da dessen Zeitkonstante wesentlich grer ist. Im
Halbleiterchip und im Halbleitermodul bewirkt diese Dauer jedoch eine vollstndige
Durchwrmung auf Basis der Verlustwerte fr den erhhten Strom. Die maximale
Temperatur am Halbleiterchip kann somit einfach berechnet werden. Fr das Beispiel der
Diode gilt:

297 Pnenn + 3 Pmax

T jD = Ta + Rthha + Pmax Rth jhD (57)
300

Die Verwendung zeitabhngiger Formeln ist somit nicht erforderlich.

Fr die einzelnen thermischen Widerstnde der Halbleiterchips wurden folgende Werte

gemessen:

66
 K
RthjhIGBT = 0.13
W
K
RthjhDiodeSi = 0.63
W
K
RthjhDiodeSiC = 0.515
W

Bemerkenswert ist hierbei die Tatsache, dass die Si-Diode mit einer Flche von 33,64mm2
einen hheren thermischen Widerstand besitzt als die SiC-Diode mit einer Gesamtflche von
18,42mm2. Dies liegt in der Tatsache begrndet, dass die Si-Diode aus einem einzelnen
Chip besteht, whrend die SiC-Diode aus einer Parallelschaltung von 6 Chips besteht, die so
weit voneinander entfernt angeordnet sind, dass sie eine wesentlich bessere
Wrmespreizung besitzen. Dies ist ein wichtiger Vorteil bei der Parallelschaltung von vielen
kleinen Chips gegenber einem groen Chip.

Fr die thermische Auslegung des Umrichters wird neben den thermischen Widerstnden
der Halbleiterchips noch der thermische Widerstand des Khlkrpers bentigt, der im Fall
des Demonstratorumrichters durch forcierte Luftkhlung mit einem Volumenstrom von 0,022
m3/s entwrmt wird. An dieser Stelle ergibt sich ein Problem, die Parallelschaltung von
Halbleitermodulen zu bercksichtigen:

Werden auf einem Khlkrper mehrere Halbleitermodule montiert, um einen gegeben Strom
zu fhren, so ist die thermische Beschreibung der Halbleitermodule einfach, da der Strom
auf die Halbleitermodule aufgeteilt werden kann. Somit knnen bei einer Verdopplung der
Halbleitermodule doppelt so viele Verluste eingespeist werden, um einen identischen
Temperaturhub an den Halbleitermodulen zu erzeugen. Dies ist dann mglich, wenn die
Temperaturerhhung in einem Halbleitermodul nur vernachlssigbare Rckwirkungen auf die
Temperaturerhhung in einem benachbarten Halbleitermodul besitzt. Im Fall des
Demonstrators ist dies erfllt.

Bei der Betrachtung des Khlkrpers ist diese einfache Vorgehensweise nicht mehr mglich.
Sie wre nur dann richtig, wenn fr jedes zustzliche Halbleitermodul auch ein zustzlicher,
identisch groer Khlkrper und beim angenommenen Beispiel forcierter Luftkhlung - mit
eigenem Lfter eingesetzt werden wrde. Diese Annahme ist in der Praxis jedoch nicht
realistisch. Um realistische Werte zu erhalten, muss vielmehr fr jede gerechnete Anzahl von
Halbleitermodulen ein Aufbau auf einem Khlkrper definiert und dessen thermischer
Widerstand messtechnisch erfasst werden.

Bei der thermischen Auslegung des Demonstratorumrichters soll als wesentliche Aussage
berechnet werden, wie viele Halbleitermodule einer bestimmten Ausfhrung fr die
Realisierung der erforderlichen Betriebspunkte bentigt werden. Um den messtechnischen
Aufwand bei der Bestimmung des thermischen Widerstandes des Khlkrpers zu begrenzen,
wurde dieser fr eine Anordnung von ein, zwei und drei Halbleitermodulen gemessen. Bei
der Messung wird die Oberflche des Khlkrpers in etwa proportional zur Anzahl der
Halbleitermodule erhht, der Khlmitteldurchsatz steigt bei der Erhhung von einem auf drei
Halbleitermodule jedoch nur um etwa den Faktor zwei an. Mit den Messwerten wird eine
Ausgleichskurve generiert, anhand derer der thermische Widerstand von Anordnungen mit
einer hheren Anzahl von Halbleitermodulen abgeschtzt wird.

67
 0.12

0.1

0.08
Rthha/[K/W]

0.06

y = 0.0994x-0.7246
0.04

-1
y = 0.1x
0.02

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Anzahl Halbleitermodule

Abbildung 52:Thermischer Widerstand des Khlkrpers als Funktion der Anzahl der
Halbleitermodule bei forcierter Luftkhlung mit einem Volumenstrom von 0,022 m3/s

Die Ausgleichskurve zeigt erwartungsgem eine hyperbolische Form. Die drei Messwerte
wurden an Aufbauten ermittelt, die einer praxisgerechten Aufbauform entsprechen. Mit
steigender Modulanzahl ist der thermische Widerstand nicht direkt umgekehrt zur Anzahl der
verwendeten Halbleitermodule, sondern geht weniger stark zurck; die entsprechende
theoretische Kurve fr umgekehrt proportionales Verhalten ist in Abbildung 52 mit
eingetragen. Die schwarze Kurve wrde dann erreicht werden, wenn mit steigender Anzahle
der Halbleitermodule auch die Oberflche des Khlkrpers und der Lfter mit ansteigen
wrde sowie sich die Halbleitermodule nicht gegenseitig beeinflussen wrden. Tatschlich
jedoch steigt der Khlluftstrom weniger stark als die Anzahl der Halbleitermodule, und eine
gegenseitige Beeinflussung der Halbleitermodule findet statt.

2.3.3 Berechnung des erforderlichen Halbleiteraufwands

Mit den ermittelten Daten ist nun eine Auslegung des Demonstratorumrichters fr
verschiedene Betriebspunkte mglich. Verglichen werden 3 Halbleitermodule 1700V/100A in
B6-Brckenschaltung mit folgender Chipbestckung:

A. Planare IGBT-Chips mit Standard Si Dioden

B. Planare IGBT Chips mit SiFast Dioden
C. Planare IGBT Chips mit SiC-Schottkydioden

Aus Grnden der bersichtlichkeit werden hier noch einmal die Verlustkennlinien der zu
vergleichenden Leistungshalbleiter dargestellt:

68
 Schaltverluste der Halbleitermodule (T=125C)

18.00
Einschalten IGBT mit Si-Diode
16.00
14.00 Einschalten IGBT mit
SiFast-Diode
12.00
E/[mWs]

10.00 Ausschalten Si-Diode

8.00 Ausschalten SiFast-Diode

6.00
Ausschalten IGBT
4.00
2.00 Einschalten IGBT mit SiC-Diode
0.00
0.00 10.00 20.00 30.00 40.00 50.00 60.00
I/[A]

Abbildung 53: Vergleichende Darstellung der Halbleiterschaltverluste

Linearisierte Durchlasskennlinien, T = 125C

60

Si-Diode SiFast-Diode SiC-Diode IGBT

50

40
I/[A]

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6
U/[V]

Abbildung 54: Vergleichende Darstellung der linearisierten Durchlasskennlinien

Fr die Berechnung wurden folgende Randbedingungen zugrunde gelegt:

Berechnet werden die Verluste fr motorischen Betrieb (cos=0,9), generatorischen

Betrieb (cos=-0,9) und Ausgangsfrequenz null (cos=0).
Der Umrichter wird dauerhaft mit Nennstrom betrieben. Zustzlich erfhrt er eine
kurzzeitige berlast (3s) mit 150% Nennstrom [116], die jedoch so selten auftritt
(Wiederholfrequenz <300s), dass sie den dauerhaft wirksamen Effektivstrom nur
unwesentlich beeinflusst. Die Temperaturabhngigkeit der unipolaren
Leistungshalbleiter wird bercksichtigt, bei den bipolaren Leistungshalbleitern wird sie
vernachlssigt.

69
 Bei motorischem und generatorischem Betrieb muss die Chiptemperatur eines jeden
Leistungshalbleiters unter 125C liegen. Diese Temperatur ist der empfohlene
Arbeitsbereich der Leistungshalbleiter gem Datenblatt ([54], [56]).
Bei Ausgangsfrequenz null muss die Chiptemperatur eines jeden Leistungshalbleiters
unter 150C liegen. Diese Temperatur ist die spezifizierte maximale Chiptemperatur.
Da der Betrieb bei Ausgangsfrequenz null nicht als der dauerhaft relevante
Betriebspunkt fr die Anwendung betrachtet wird, wird in diesem Fall eine erhhte
Temperatur zugelassen.
Die Temperatur des Khlkrpers darf maximal 110C betragen. Bei heieren
Khlkrpern ist in der Anwendung mit Problemen bei Bauteilen in der Nhe des
Khlkrpers zu rechnen.
Die Umgebungstemperatur betrgt 40C. Dies ist heute eine gngige Randbedingung
fr die Auslegung von Umrichtern [116].
Der Vergleich wird fr Schaltfrequenzen von 4kHz, 16kHz und 64kHz durchgefhrt.

Als Ergebnis des Vergleichs wird die Anzahl der Halbleitermodule bewertet, die zur
Realisierung eines bestimmten effektiven Ausgangsstromes erforderlich sind.

4kHz

Si

4
Anzahl Halbleitermodule

SiFast

3
SiC

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ausgangsstrom/[A]

Abbildung 55: Erforderliche Halbleitermodule bei einer Schaltfrequenz von 4kHz

In Abbildung 55 ist die Anzahl der erforderlichen Halbleitermodule bei einer Schaltfrequenz
von 4kHz in Abhngigkeit des Umrichterausgangsstromes angegeben. Die gewhlten
Sttzstellen entsprechen einem realistischen Leistungsspektrum einer Umrichterreihe von
2,2kW bis 55kW.
Auch bereits bei der Schaltfrequenz von 4kHz sind Vorteile fr die schaltverlustarmen
Halbleitervarianten zu erkennen. Allerdings ist der Vorteil nicht besonders gro, so dass bei
einem zu erwartenden hheren Preis der schnellen Si-Diode und besonders der SiC-
Schottkydiode dieser durch die Einsparung in der Halbleiterflche mglicherweise nicht
kompensiert werden kann.

Selbstverstndlich wird in der Realitt immer eine ganzzahlige Anzahl von Halbleitermodulen
zum Einsatz kommen. In Abbildung 55 wrde dies durch ein Aufrunden der jeweiligen
Lsung auf den nchsten ganzzahligen Wert erfolgen. Diese Diskretisierung wird in der
Anwendung dazu fhren, dass bei einigen Ausgangsstrmen kein Vorteil gegenber einer

70
Standardlsung erzielt werden kann, der bergang zur nchst hheren Anzahl jedoch bei
erhhtem Umrichterausgangsstrom stattfindet und so bei einzelnen Ausgangsstrmen
Vorteile entstehen. In einer konkreten Anwendung hngt ein solches Ergebnis jedoch stark
von der Verfgbarkeit der Halbleiterbauelemente in verschiedenen Stromtragfhigkeiten ab,
die je nach Hersteller und Betrachtungszeitraum variieren. Deshalb wird in dieser Arbeit der
grundstzliche technische Vorteil durch die stetige Darstellung gezeigt und die
Diskretisierungseinflsse bleiben unbercksichtigt.

16kHz

10
Si
9
SiFast
8
Anzahl Halbleitermodule

3
SiC
2

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ausgangsstrom/[A]

Abbildung 56: Erforderliche Halbleitermodule bei einer Schaltfrequenz von 16kHz

Betrachtet man die erforderlichen Halbleitermodule bei 16kHz Schaltfrequenz, so sind die
Vorteile der schnell schaltenden Lsungen weitaus offensichtlicher. In diesem Betriebspunkt
sind die Schaltverluste dominant. Mit der SiC-Schottkydiode kann nahezu das gesamte
Leistungsspektrum mit 3 Halbleitermodulen abgedeckt werden.

Bei der Auslegung des Umrichters wurden die Berechnungen bei einer Anzahl von 10
Halbleitermodulen abgebrochen. Diese zunchst willkrliche Grenze trgt dem Umstand
Rechnung, dass eine so groe erforderliche Halbleiterflche keine sinnvolle Lsung zur
Realisierung des erforderlichen Betriebspunktes darstellt.

Fr die Halbleitermodule mit Si-Freilaufdioden aus Abbildung 56 bedeutet dies, dass

oberhalb einer bestimmten Leistung keine standardmige Realisierung mglich ist. Die
Ursache hierfr kann aus der Kennlinie der Schaltverluste in Abbildung 53 abgeleitet werden.
Bei der Betrachtung der Abschaltverluste der Si-Dioden ist zu beobachten, dass diese
Verluste jedoch mit steigendem Laststrom nur verhltnismig gering ansteigen.

Im Umkehrschluss bedeutet dies, dass auch bei sehr kleinem Laststrom bzw. geringer
Stromdichte noch nennenswerte Schaltverluste in der Diode auftreten. Physikalisch liegt dies
an der Tatsache, dass auch bei kleinem Laststrom bereits eine
Ladungstrgerberschwemmung der schwach dotierten Mittelschicht der Diode stattfindet.
Diese injizierten Ladungstrger mssen beim Schaltvorgang ausgerumt werden. Dieser
Umstand trifft fr alle bipolaren Bauelemente zu. Der IGBT ist hiervon ebenfalls betroffen, die
Auswirkung ist allerdings weniger stark als bei der Si-Diode, weil der IGBT fr schnelles
Schalten und somit mglichst geringe Speicherladung optimiert ist.

71
Eine Erhhung der Halbleiterflche bei konstantem Laststrom bedeutet eine Reduzierung
der Stromdichte des einzelnen Halbleiterchips. Da die Speicherladung im Diodenchip jedoch
weitaus weniger stark als der Laststrom selbst zurckgeht, steigt die in der Summe aller
Diodenchips vorhandene Speicherladung mit der Halbleiterflche stark an. Damit steigen
auch die Verluste der Gesamtanordnung an, wodurch die gewnschte Reduzierung der
Halbleitertemperatur durch Vergrerung der Chipflche und somit Verbesserung des
thermischen Widerstandes groteils zunichte gemacht wird.

Bei der Betrachtung der Ergebnisse ist zu bercksichtigen, dass die Anzahl der
erforderlichen Halbleitermodule auch ein Ma fr die entstehende Verlustleistung ist. Somit
sinkt bei einer steigenden Anzahl erforderlicher Halbleitermodule der Wirkungsgrad des
Umrichters. Gleichzeitig steigt die Baugre des Umrichters an, weil die hohe Anzahl von
Halbleitermodulen den Khlkrper vergrert. Die Baugre des Khlkrpers kann anhand
des Verlaufs des thermischen Widerstandes als Funktion der Anzahl der Halbleitermodule
aus Abbildung 52 abgeschtzt werden.

Wirkungsgrad 16kHz

100
SiC
98

96

94
Wirkungsgrad/[%]

SiFast
92

90

88

86
Si
84

82

80
0 10 20 30 40 50 60
Nennleistung/[kW]

Abbildung 57: Wirkungsgrad der Umrichtervarianten bei 16kHz Schaltfrequenz

Der Wirkungsgrad des Umrichters mit Si-Standarddiode nimmt mit steigender Leistung stark
ab. Diesem Umstand liegt die beschriebene Tatsache zugrunde, dass mit steigendem
Umrichterausgangsstrom die Leistungsfhigkeit des Khlkrpers weniger stark als
proportional ansteigt (s. Abbildung 52). Um die anfallenden Verluste dennoch abfhren zu
knnen, muss die Halbleiterflche stark vergrert werden und die Stromdichte in den
Halbleitern nimmt ab. Wie oben beschrieben, fhrt die vergrerte Halbleiterflche zu einer
erhhten Speicherladung. Dieser Effekt macht sich vor allem in der Si-Freilaufdiode
bemerkbar, weil diese nicht fr geringe Speicherladung optimiert ist. Qualitativ ist das
Verhalten auch bei der schnellen Si-Diode zu erkennen, allerdings in weit geringerem
Ausma. Der Umrichter mit der SiC-Schottkydiode zeigt den typischen steigenden
Wirkungsgrad mit steigender Leistung. Mit 98% ist der Wirkungsgrad akzeptabel,
insbesondere unter Bercksichtigung der hohen Schaltfrequenz.

72
 64kHz

10
Si SiFast
9
SiC
8
Anzahl Halbleitermodule

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ausgangsstrom/[A]

Abbildung 58: Erforderliche Halbleitermodule bei einer Schaltfrequenz von 64kHz

Betrachtet man eine Schaltfrequenz von 64kHz, so kann mit Si-Freilaufdioden auch die
kleinste Leistungsklasse nicht mehr realisiert werden. Rechnerisch wird kein stabiler Punkt
erreicht, weil durch eine Flchenvergrerung der Halbleiter die Verluste strker ansteigen
als der thermische Widerstand abnimmt.

Auch bei der SiC-Lsung steigt der Halbleiteraufwand an, die hchste Leistungsklasse kann
ebenfalls nicht mehr realisiert werden. Dies liegt in der Verwendung des Si-IGBTs, der trotz
high speed Ausfhrung noch immer eine Speicherladung und somit prinzipiell das gleiche
Problem wie die Si-Dioden besitzt. Bei sehr hohen Schaltfrequenzen wird der Punkt erreicht,
an dem unipolare Hochvoltbauelemente trotz ihrer hohen Durchlassverluste eine bessere
Performance zeigen.

2.4 Unipolarer Hochvoltschalter

In diesem Kapitel soll betrachtet werden, inwiefern ein unipolarer Hochvoltschalter als
Alternative zu der Kombination aus schnellem IGBT und SiC-Schottkydiode interessant ist.

Fr Silizium sind unipolare Bauelemente mit einer Sperrspannung von 1500V und hher nur
in Einzelfllen mit geringer Stromtragfhigkeit verfgbar [107]. Diese hochsperrenden
MOSFETs sind fr Schaltnetzteile mit hoher Frequenz und Leistungen <200W optimiert.

Das Halbleitermaterial SiC stellt jedoch auch hier in der Zukunft mglicherweise neuartige
Bauelemente zur Verfgung, die fr Anwendungen im Frequenzumrichter von Interesse sind.
In der Literatur wird sowohl ber SiC-MOSFETs als auch ber SiC-JFETs berichtet. Fr die
Anwendung im Frequenzumrichter erscheint nach der Literatur der JFET als die Struktur, die
zuerst fr eine realistische Anwendung in Frage kommt, weil hier bereits ber
Labormusterbauelemente mit einer Stromtragfhigkeit von mehreren Ampre fr einen
Halbleiterchip berichtet wird ([38], [40], [75]).

73
2.4.1 Struktur des SiC-JFET

Die grundstzliche Struktur eines solchen SiC-JFETs [75] wird im Folgenden kurz erlutert:

p+
S
lateraler Kanal
n
n+
p+

n-

n+

Abbildung 59: Struktur des SiC-JFET

Auf einem n+ -dotierten SiC-Wafer wird zunchst in einem ersten Epitaxieverfahren eine
niedrig dotierte n- -Schicht aufgewachsen. Die Dicke dieser schwach dotierten Schicht ist
proportional zur erforderlichen Sperrspannung des Bauelements. An der Oberflche dieser n-
-Schicht wird anschlieend eine p+ -Wanne sowie ein n+ -Sourcegebiet implantiert. Mit
einem zweiten Epitaxieschritt wird anschlieend ein weiteres n-Gebiet aufgewachsen, das in
dem JFET als Kanalbereich verwendet wird und an der Oberflche mit dem n+-Sourcegebiet
technologiebedingt kurzgeschlossen wird. Auf diesem zweiten n-Gebiet wird schlielich noch
ein p-Gategebiet implantiert, das derart ausgefhrt wird, dass dieses p+-Gate einen Teil der
gegenberliegenden p+-Wanne berdeckt und zwischen diesen beiden p+-Gebieten ein
lateraler n-Kanal eingeschlossen wird.

Wie aus Abbildung 59 zu erkennen ist, handelt es sich bei dem JFET um ein Bauelement,
das im nicht angesteuerten Zustand leitend ist. Von dem Drainanschluss an der Unterseite
des n+-Substrates bis zum Sourceanschluss auf der Bauelementoberseite existiert ein
durchgngiger Pfad mit n-Gebieten. Wird nun am Drainanschluss eine positive Spannung
gegenber Source angelegt, so arbeiten die n-Gebiete als Widerstand, wobei die
Leitfhigkeit des jeweiligen Gebietes proportional zu seiner Dotierung ist. Die
Durchlasskennlinie des JFET ist rein ohmsch, da kein pn-bergang im Durchlasspfad liegt,
der eine Schwellenspannung verursachen knnte.

Wie auch bei MOSFETs besitzt der JFET in Rckwrtsrichtung eine interne pn-Diode, die
dem Kanal parallel liegt. Die Schwellenspannung dieser Diode betrgt ca. 2,8V. Dieser Wert
ergibt sich aus den Materialeigenschaften von SiC [74].

Soll der JFET abgeschaltet werden, so muss an seinem Gateanschluss eine negative
Spannung gegenber dem p+-Sourcegebiet angelegt werden. Bei einer solchen negativen
Spannung wird sich am p+n-bergang zwischen p+-Gate und n-Kanal eine
Raumladungszone in das Kanalgebiet ausbreiten, die von freien Ladungstrgern nicht
passiert werden kann. Wird die negative Spannung am Gate so weit erhht, dass die

74
Raumladungszone das p+-Wannengebiet erreicht, so ist der gesamte Kanalbereich
abgeschnrt und ein Stromfluss ist nicht mehr mglich. In diesem Betriebszustand ist der
JFET ausgeschaltet und kann Sperrspannung aufnehmen.

In der Literatur [38] wird berichtet, dass JFETs fr eine Sperrspannung von 1200V mit einem
spezifischen On-Widerstand von 10 mcm2 bei Raumtemperatur realisiert worden sind. Da
der Durchlasswiderstand des Driftgebietes fr unipolare Bauelemente quadratisch mit der
Sperrspannung steigt, ist fr 1700V etwa mit dem doppelten spezifischen Driftwiderstand zu
rechnen, whrend der Kanal- und Substratwiderstand gleich bleibt. Ziel dieses Kapitels ist es
jedoch, das grundstzliche Potenzial eines solchen unipolaren SiC-Schalters abzuschtzen.
Da der JFET eine noch recht neue Struktur darstellt, die bisher nur in
Labormusterstckzahlen produziert wurde, sind an dieser Stelle noch Verbesserungen zu
erwarten. Fr die Bewertung des JFETs soll daher mit einem spezifischen On-Widerstand
von 15 mcm2 gerechnet werden.

2.4.2 Durchlassverhalten

Besonders interessant ist an dem JFET wie an allen unpolaren Schaltern, dass er bei
eingeschaltetem Kanal in der Lage ist, in beiden Richtungen ohne Schwellenspannung
Strom zu fhren. Dies bedeutet, dass auf den Einsatz einer Freilaufdiode verzichtet werden
kann. Dadurch kann die Anzahl der Chips in einem Halbleitermodul halbiert werden. Dies
vereinfacht die Aufbautechnik in einem Halbleitermodul.

Die Durchlassverluste eines Bauelementes, das in beiden Richtungen Strom fhrt, knnen
durch die Addition von Gl. (37) (Durchlassverluste des IGBT) und Gl. (39) (Durchlassverluste
der Freilaufdiode) berechnet werden. Sie ergeben sich im allgemeinen Fall zu:

1 M cos U CEN U CE 0 2

1 M cos
Pd = I C max U CE 0 + + I +
2 8 C max
8 3
I CN

(58)
1 M cos U DN U D 0 2

1 M cos
+ I C max U D 0 + I
2 8 C max
8 3
I CN

Der unipolare JFET besitzt wie alle Feldeffekttransistoren keine Schwellenspannung, so

dass die Terme proportional zu UCE0 und UD0 aus Gl. (58) entfallen. Der ohmsche Widerstand
ist zudem unabhngig davon, in welcher Richtung der Strom durch den JFET fliet. Damit
gilt in Gl. (58):

U CEN U CE 0 U DN U D 0
= = RdJFET (59)
I CN I CN

Fr den Stromfluss von Source nach Drain (techn. Stromrichtung) ist die Annahme eines rein
ohmschen Durchlasswiderstandes nur unterhalb der Einsatzschwelle der parasitren pn-
Diode gltig. In Siliziumkarbid liegt diese Einsatzschwelle bei ca. 2.8V [5]. Bei dem
angenommenen spezifischen Durchlasswiderstand von 15 mcm2 wird dieser Wert ab einer
Stromdichte von 187A/cm2 erreicht. Ab dieser Stromdichte wird die Durchlassspannung in
Rckwrtsrichtung geringer als bei der Annahme der rein ohmschen Kennlinie. Fr die
Auslegung wird dieser Umstand jedoch nicht bercksichtigt, weil im Fall rein motorischen
Betriebes (cos = 1) der Strom immer in Vorwrtsrichtung durch den JFET fliet und dieser
Betriebspunkt somit den auslegungsrelevanten worst case darstellt. Die Durchlassverluste
fr den JFET vereinfachen sich somit zu:

75
 2
R I
PdJFET = dJFET C max (60)
4

Gl. (60) ist unabhngig vom Lastwinkel cos. Die Auslegung der Chipflche wird damit
unabhngig vom Lastwinkel am Umrichterausgang. Dies ermglicht eine gleichmigere
Ausnutzung der Halbleiterflche, da in Anwendungen mit aktivem Schalter und separater
Freilaufdiode der Schalter fr motorischen und die Freilaufdiode fr generatorischen Betrieb
ausgelegt werden muss. Betrachtet man nur die Durchlassverluste (Gl. (37) und Gl. (39)) so
trgt im motorischen Betrieb der aktive Schalter nahezu alle Verluste, whrend die
Freilaufdiode unbelastet ist. Im generatorischen Betrieb treten die Verluste nur in der
Freilaufdiode auf.

Durch den Ersatz der Schalter-Dioden-Kombination durch einen rckwrts leitfhigen

Schalter kann in Summe signifikant Halbleiterflche eingespart werden. Nimmt man an, die
Durchlasskennlinien von aktivem Schalter, Freilaufdiode und rckwrts leitfhigem Schalter
seien identisch, so sind auch die erforderlichen Halbleiterflchen fr alle drei Bauelemente
identisch. Da in der Schalter-Dioden-Kombination zwei Bauelemente bentigt werden und
mit dem rckwrts leitfhigen Schalter nur eines, knnte die gesamte Halbleiterflche in
diesem Fall halbiert werden.

2.4.3 Nachbildung des Schaltverhaltens

Das dynamische Verhalten des JFET zeigt zum heutigen Zeitpunkt noch einige
Abweichungen von dem Verhalten eines idealen unipolaren Schalters [129]. Dies ist
insbesondere beim Abkommutieren des JFETs durch eine uere Spannung der Fall.

DCP
D

n+

T1
n-

UZK p+ n+
n
S
p+

ILast
D
G T2
S
DCN

Abbildung 60: Kommutierung in einem JFET-Halbbrckenzweig

76
Abbildung 60 ist die Kommutierung in einer JFET-Halbbrcke gezeigt. Vor dem
Kommutierungsvorgang fliet der konstante Ausgangsstrom IA in Rckwrtsrichtung durch
den oberen JFET T1 zum positiven Zwischenkreispotenzial DCP (grne Linie). T1 bernimmt
in diesem Betriebszustand somit die Funktion einer Freilaufdiode. Das Gate von T1 ist
eingeschaltet, so dass der Strom durch den n-Kanal von T1 flieen kann.

Nun soll der Ausgangsstrom auf des JFET T2 kommutiert werden. Vor dem
Kommutierungsvorgang ist das Gate von T2 ausgeschaltet, so dass T2 Sperrspannung
aufnehmen kann. Nach klassischem Kommutierungsverfahren muss nun zunchst das Gate
von T1 ausgeschaltet werden. Nach Verstreichen einer Wechselrichtersperrzeit, die
sicherstellt, dass T1 tatschlich sicher abgeschaltet hat, kann nun T2 eingeschaltet werden
und den Laststrom bernehmen (rote Linie).

In dem Zeitraum der Wechselrichtersperrzeit, in dem beide Gates der JFETs ausgeschaltet
sind, muss der Laststrom weiter durch T1 flieen, da T2 noch sperrt. Der Kanal von T1 ist
jedoch bereits geschlossen, so dass der Laststrom durch die parasitre pn-Diode von T1
flieen muss (blaue gestrichelte Linie). Indem diese SiC-pn-Diode aktiviert wird, werden in
das n- -Gebiet von T1 Ladungstrger injiziert. Beim anschlieenden Einschalten von T2
mssen diese Ladungstrger wie bei jeder pn-Diode wieder ausgerumt werden. Dadurch
entstehen nicht unerhebliche Abschaltverluste, weil der unipolare SiC-JFET beim
Kommutieren aus dem Freilaufzustand das Verhalten einer schnellen bipolaren Diode zeigt.

Diese Problematik ist in der Literatur von Si-MOSFETs bekannt. Als mgliche Lsung wird
dort ein Ansteuerverfahren vorgeschlagen, das als synchroner Gleichrichterbetrieb
bezeichnet wird [128]. In diesem Verfahren werden das Einschalten von T2 und das
Ausschalten von T1 derart koordiniert, dass der Laststrom vom Kanal des oberen FET in den
unteren FET kommutiert, ohne dass die parasitre pn-Diode aktiviert wird und ohne dass ein
Brckenkurzschluss entsteht.

Dieses Verfahren erfordert eine hohe zeitliche Przision der beiden Ansteuersignale, die
zudem noch auf unterschiedlichem Potenzial liegen. In der Literatur wurde diese Aufgabe
durch Hochvolt-ICs gelst, die sowohl den oberen als auch den unteren Schalter ansteuern
und die Potenzialtrennung intern via junction Isolation oder dielectric Isolation realisieren.

Diese Technologien fr Hochvolt-ICs sind heute jedoch nur fr Halbleiterbauelemente bis

600V Sperrspannung verbreitet; einzelne Hochvolt-ICs fr 1200V Sperrspannung sind
ebenfalls bekannt [58]. Fr 1700V Sperrspannung sind keine Hochvolt-ICs verfgbar, so
dass die Lsung dieser Problematik weiterer Innovationsschritte bedarf [88].

Auf der anderen Seite befindet sich die JFET-Struktur noch stark in der Optimierungsphase,
so dass in der Zukunft deutliche Verbesserungen vor allem des dynamischen Verhaltens
erwartet werden knnen. Um das Potenzial des unipolaren Hochvoltschalters abschtzen zu
knnen, soll statt gemessener Schaltverluste eine einfache theoretische Nachbildung des
Schaltvorganges verwendet werden, das einem idealisierten Verhalten nahe kommt. Fr
tiefer gehende Betrachtungen des Schaltverhaltens sei auf die Literatur ([15], [34])
verwiesen.

Zur Abschtzung der Schaltverluste des idealisierten Hochvoltschalters soll das Modell nach
Abbildung 61 verwendet werden. Der Einschaltvorgang findet im Zeitraum [t0; t2] statt.

77
 U,I

UZK

ILast

t
t0 t1 t2 t3 t4 t5
Abbildung 61: Idealisiertes Schaltverhalten des unipolaren Hochvoltschalters

Zum Zeitpunkt t0 beginnt der einschaltende JFET mit dem Stromaufbau. Bis zum Erreichen
des Laststromes wird ein linearer Stromverlauf angenommen. Die Steilheit des
Stromanstieges wird theoretisch nur durch die Streuinduktivitt des Kommutierungskreises
begrenzt

di U ZK
, (61)
dt Ls

woraus sich bei 1000V Zwischenkreisspannung und einer Streuinduktivitt von 100nH eine
kA
maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit von 10 errechnen lsst. In realen
s
Ansteuerschaltungen wird die Stromanstiegsgeschwindigkeit jedoch durch eine Begrenzung
des Gatestroms eingestellt; fr Umrichter mit Nennstrmen <100A ist eine maximale
di kA
Stromanstiegsgeschwindigkeit von =1 zu beobachten. Die Verlustenergie im Intervall
dt s
[t0; t1] in Abhngigkeit vom Laststrom berechnet sich somit zu:

I last
di
t1 dt di di di I
2

E on1 = (U DS I D )dt = ((U ZK Ls ) t )dt =(U ZK Ls ) Last (62)

dt dt dt di
t0 0 2
dt

Zum Zeitpunkt t1 hat der Strom im einschaltenden JFET den Laststrom erreicht. Der im
Freilauf arbeitende JFET wird verlustfrei abkommutiert, d.h. der synchrone
Gleichrichterbetrieb wird als ideal angenommen. Damit fallen in diesem im Freilauf
arbeitenden JFET keine Schaltverluste an. Der einschaltende JFET kann nun unmittelbar mit

78
dem Abbau seiner Sperrspannung beginnen; die Spannungsnderung wird nach den in
du kV
Kapitel 2.1.3 dargelegten Grnden mit = 15 gewhlt.
dt s
Fr die Schaltverluste in diesem Intervall [t1; t2] gilt:

di
U ZK Ls
dt
du
t2 dt di du
E on 2 = (U DS I D )dt = (((U ZK Ls ) t ) I Last )dt
t1 0 dt dt
di 2 (63)
(U ZK Ls )
= dt I
Last
du
2
dt

Mit dem Zeitpunkt t2 ist der Einschaltvorgang abgeschlossen. Nun folgt die Leitphase des
JFET, in der Verluste als Durchlassverluste auftreten. Zum Zeitpunkt t3 beginnt der
Abschaltvorgang des JFET. Dessen erste Phase ist gekennzeichnet durch einen linearen
Anstieg der Drainspannung des JFET. Parasitre Kapazitten am JFET und der Last sollen
in dieser Betrachtung vernachlssigt werden. Dann gilt fr die Schaltverluste im Intervall [t3;
t4]:

U ZK
du
t4 2
dtdu U (64)
E off 1 = (U DS I D )dt = t I Last )dt = ZK I Last
0 dt du
t3
2
dt

Im Intervall [t4; t5] fllt der Laststrom bis auf 0. Die Fallzeit in diesem Intervall ist von internen
Eigenschaften des Schalters abhngig und nahezu unabhngig von der Hhe des
abzuschaltenden Stromes. Sie wird mit tf bezeichnet. Vereinfacht wird die
Stromnderungsgeschwindigkeit im Intervall [t4; t5] als linear angenommen. Aus
Messergebnissen kann diese Fallzeit mit 50ns angenommen werden. Fr die Schaltverluste
im Intervall [t3; t4] gilt:

t5 tf
I Last I
E off 2 = (U DS I D )dt = ((U ZK + Ls ) ( I Last Last t )dt
t4 0 tf tf
(65)
I I Last t f
= (U ZK + Ls Last )
tf 2

Zum Zeitpunkt t5 ist der Ausschaltvorgang des JFET abgeschlossen. Einen Tailstrom wie
beim IGBT gibt es nicht, da es sich um ein unipolares Bauelement handelt.

79
2.4.4 Berechnung des Halbleiterbedarfs im Umrichterbetrieb

Mit Gl. (62) bis Gl. (65) knnen die Schaltverluste des idealisierten unipolaren
Hochvoltschalters in Abhngigkeit des Laststromes berechnet werden. Als
Schaltkreisparameter werden die gleichen Werte verwendet, die auch bei den
Verlustmessungen des IGBT mit Freilaufdiode ermittelt wurden:

Zwischenkreisspannung UZK = 1000V

Streuinduktivitt Ls = 100nH
du kV
Spannungssteilheit beim Ein- und Ausschalten = 15
dt s
di kA
Stromanstiegsgeschwindigkeit beim Einschalten =1
dt s
Stromfallzeit beim Ausschalten tf = 50ns

Mit diesen Werten ergeben sich folgende Schaltverluste:

3.5 Einschalten IGBT

Ausschalten IGBT
mit SiC-Diode
3
Ausschalten JFET
2.5
E/[mWs]

2 Einschalten JFET

1.5

0.5

0
0 10 20 30 40 50 60
Strom/[A]

Abbildung 62: Berechnete Schaltverluste eines unipolaren Hochvoltschalters

Die zu erwartenden Schaltverluste des JFET sind um etwa 20% geringer als die
gemessenen bei dem schnellen IGBT mit der SiC-Schottkydiode. Die Ursache fr diesen
Unterschied liegt zum berwiegenden Teil in den Tailverlusten und der dynamischen
Einschaltspannung des IGBT, da die Steilheiten fr Strom und Spannung identisch
angenommen wurden.

Im Umkehrschluss ist bei der thermischen Auslegung zu erwarten, dass die Schaltfrequenz
eines Umrichters mit JFETs um maximal 20% erhht werden kann, wobei hierbei
Durchlassverluste und thermischer Widerstand noch nicht betrachtet sind. Da die Motivation
fr einen Umrichter mit JFETs jedoch der Wunsch nach deutlich hheren Schaltfrequenzen
ist, wird es erforderlich sein, fr einen JFET-Umrichter die Schaltsteilheiten deutlich zu
erhhen.

80
 4

3.5 Einschalten IGBT

Ausschalten IGBT
mit SiC-Diode
3
Ausschalten JFET
2.5
E/[mWs]

2 Einschalten JFET

1.5

Ausschalten JFET fast

0.5

Einschalten JFET fast

0
0 10 20 30 40 50 60
Strom/[A]

Abbildung 63: Schaltverluste des JFET bei erhhter Schaltgeschwindigkeit

Bei der Berechnung der mit JFET fast bezeichneten Schaltverlustenergien wurden die
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit und die Stromanstiegsgeschwindigkeit um den Faktor
10 erhht sowie die Stromfallzeit um den Faktor 10 reduziert. In dieser Lsung ist eine
nahezu proportionale Absenkung der Schaltverluste mglich, weil in dem Modell fr die
Schaltverluste nahezu alle Terme linear von der Schaltgeschwindigkeit abhngen. Allerdings
kV
ist zu bercksichtigen, dass in diesem Fall eine Spannungssteilheit von 150 erreicht wird,
s
die an allen Bauteilen auftritt, die die Potenzialtrennung fr Stromversorgung und
Ansteuerbefehle der oberen JFETs gewhrleisten. Ein gesamter Schaltvorgang besitzt eine
Dauer von ca. 10ns. Dies ist deutlich schneller als heute in Frequenzumrichtern realisiert und
kann somit als Extremabschtzung verwendet werden, welches Potenzial ein unipolarer SiC-
Hochvoltschalter in einer praktischen Anwendung haben knnte.

Die angenommenen Durchlassverluste von 15mcm2 fr den unipolaren Hochvoltschalter

werden aus Grnden der Vergleichbarkeit ebenfalls in einem Diagramm mit der SiC-
Schottkydiode und dem schnellen IGBT dargestellt:

Linearisierte Durchlasskennlinien, T = 125C

60

SiC-Schottky-Diode IGBT
50

SiC-JFET
40
I/[A]

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6
U/[V]

Abbildung 64: Linearisierte Durchlasskennlien fr SiC-JFET, SiC-Schottkydiode und Planaren

Si IGBT

81
Aus Grnden der Vergleichbarkeit wurde bei der Berechnung der Durchlasskennlinie der
JFET mit identischer Halbleiterflche wie die SiC-Schottkydiode zu Grunde gelegt. Im
vorliegenden Fall betrgt die SiC-Flche 12,6mm2. Durch die identischen Bezugsflchen ist
sichergestellt, dass Ergebnisunterschiede zwischen den bentigten Flchen von JFET und
Schottkydiode in erster Nherung ein Ma fr die Materialkosten darstellt, sofern man davon
ausgeht, dass die SiC-Flche sowohl bei einem JFET-Modul als auch bei einem Modul mit
Si-IGBTs und SiC-Schottkydioden den Modulpreis dominiert. Damit sind die berechneten
erforderlichen Halbleiterflchen der einzelnen Chipvarianten in erster Nherung proportional
zum jeweiligen Aufwand fr die Bauelemente. Bei dieser Betrachtung werden zwei Effekte
vernachlssigt:

die beim JFET im Vergleich zur Schottkydiode aufwndigere SiC-Technologie

die erforderliche Si-Halbleiterflche bei der Lsung mit IGBT und Schottkydiode

Diese Effekte besitzen bzgl. des erforderlichen Halbleiteraufwandes gegenlufigen Charakter

und kompensieren sich zumindest teilweise, so dass die Annahme eines identischen
Modulpreises gerechtfertigt ist.

An den Kennlinien in Abbildung 64 ist auffllig, dass der Widerstand des JFETs hher ist als
der On-Widerstand der Schottkydiode. Da die Dicke der schwach dotierten Epitaxieschicht
zur Aufnahme der Sperrspannung bei beiden Bauteilen sehr hnlich ist, resultiert dieser
Unterschied zum berwiegenden Teil in dem Durchlasswiderstand des Kanals in Abbildung
59, der mit der zweiten Epitaxieschicht gebildet wird [75].

Mit den Schaltverlusten und den angenommenen Durchlassverlusten kann nun analog zur
Auslegung mit IGBT und Freilaufdiode berechnet werden, welche Chipflche des unipolaren
Hochvoltschalters zur Realisierung der Umrichterreihe erforderlich ist.

16kHz

JFET
5
JFET
Anzahl Halbleitermodule

ultrafast
4

3
IGBT mit SiC-
Schottkydiode
2

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ausgangsstrom/[A]

Abbildung 65:Anzahl der erforderlichen Halbleitermodule mit unipolaren Hochvoltschaltern bei

16kHz

Bei einer Schaltfrequenz von 16kHz ist mit dem unipolaren Hochvoltschalter eine um 50%
grere SiC-Flche erforderlich als sich bei der Berechnung mit der SiC-Schottkydiode als
Freilaufdiode zu dem schnellen IGBT ergibt. Mit dem schnellen Schalten knnen ca. 20% der
erforderlichen Halbleiterflche eingespart werden, aber der Bedarf liegt immer noch ber der
erforderlichen Flche der Schottkydiode.

82
Ursache hierfr sind die erhhten Durchlassverluste des unipolaren Hochvoltschalters.
Betrachtet man die Schaltverluste des JFET ultrafast vereinfacht als vernachlssigbar, so
erklren die Durchlassverluste den Unterschied zwischen dem JFET ultrafast und der SiC-
Schottkydiode.

Zustzlich erfhrt der mit standardmiger Schaltgeschwindigkeit betriebene JFET noch

Schaltverluste, die in der Schottkydiode nicht angefallen sind, sondern von dem
groflchigen IGBT bernommen wurden. Um diese Schaltverluste abzufhren, bentigt der
JFET zustzliche Flche zur Reduzierung seines thermischen Widerstandes.
Wirkungsgrad 16kHz

100

99.6

99.2
JFET ultrafast
98.8
Wirkungsgrad/[%]

98.4 JFET

98
IGBT mit SiC-
97.6 Schottkydiode
97.2

96.8

96.4

96
0 10 20 30 40 50 60
Nennleistung/[kW]

Abbildung 66: Wirkungsgrad des Umrichters mit unipolarem Hochvoltschalter

Betrachtet man die Verluste und den Wirkungsgrad, so ist zu erkennen, dass der unipolare
Hochvoltschalter gegenber der Kombination aus IGBT und SiC-Schottkydiode Vorteile
bietet. Mit der schnellen Lsung kann der Wirkungsgrad um 0,7% gesteigert werden.
Allerdings stellt sich die Frage, ob dieser Vorteil den groflchigeren Einsatz der teueren
SiC-Bauteile rechtfertigt.

bertrgt man das Verhalten der Bauelemente auf eine Schaltfrequenz von 64kHz, so
werden die Vorteile des unipolaren Hochvoltschalters sichtbar.

64kHz

10
JFET
9

8
Anzahl Halbleitermodule

6 IGBT mit SiC-

Schottkydiode
5

4 JFET
ultrafast
3

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ausgangsstrom/[A]

Abbildung 67: Anzahl der erforderlichen Halbleitermodule mit unipolaren Hochvoltschaltern bei
64kHz

83
Mit dem schnellen Schalten steigt der Bedarf an zustzlicher Halbleiterflche kaum an,
whrend bei konventioneller Schaltgeschwindigkeit nahezu eine Verdopplung der
Halbleiterflche erforderlich ist. Gegenber dem Halbleitermodul mit IGBT und SiC-
Freilaufdiode kann die Flche bei dem schnellen Schalten ebenfalls reduziert werden.
Allerdings ist bei einer Schaltfrequenz von 64kHz die SiC-Schottkydiode in dem
Halbleitermodul nicht mehr optimal ausgenutzt, weil die Verluste des IGBT den Modulbedarf
bestimmen.

Wirkungsgrad 64kHz

100

99.4

98.8 JFET ultrafast

98.2
Wirkungsgrad/[%]

97.6
JFET
97

96.4

95.8 IGBT mit SiC-

Schottkydiode
95.2

94.6

94
0 10 20 30 40 50 60
Nennleistung/[kW]

Abbildung 68: Wirkungsgrad des Umrichters mit unipolarem Hochvoltschalter bei 64kHz
Schaltfrequenz

Bezglich des Wirkungsgrades zeigt der unipolare Halbleiterschalter allerdings deutliche

Vorteile gegenber der Variante aus IGBT und Schottkydiode. Dies wird durch die
vergleichsweise hohen Schaltverluste des IGBT verursacht. Der Wirkungsgrad bei dem sehr
schnell schaltenden JFET mit 64kHz Schaltfrequenz ist im Vergleich zu dem Ergebnis bei
16kHz nur minimal verschlechtert.

Fr einen echten Aufwandsvergleich zwischen unipolarem Hochvoltschalter und der

Kombination aus IGBT und SiC-Schottkydiode msste der Chipsatz von IGBT und
Schottkydiode fr jede Frequenz optimiert werden. Da die Schaltverluste des IGBT (s.
Abbildung 53) analog zu den Schaltverlusten der Si-Freilaufdioden wenn auch in
geringerem Mae - bei kleinem Strom nicht proportional sinken, wird bei sehr hohen
Schaltfrequenzen die erforderliche IGBT-Flche berproportional ansteigen und schlielich
einen Punkt erreichen, an dem eine Lsung nicht mehr mglich ist.

Auf derartige Vergleiche soll an dieser Stelle verzichtet werden, weil sie eine detaillierte
Betrachtung jedes individuellen Einzelfalles erfordern, der durch eine Anwendung
vorgegeben wird. Als generelle Abschtzung fr die erforderliche JFET-Flche im Bezug auf
die Schottkydiodenflche kann ein Vergleich der Verluste von JFET und SiC-Schottkydiode
verwendet werden. Fr eine Grenzbetrachtung knnen die Schaltverluste des unipolaren
Hochvoltschalters zu null angenommen werden, indem sein Schaltverhalten als ideal
betrachtet wird. Dann ergibt sich die minimal erforderliche Halbleiterflche des unipolaren
Hochvoltschalters unabhngig von der Schaltfrequenz allein aus den Durchlassverlusten.
Die Durchlassverluste der Schottkydiode mssen im generatorischen Betriebspunkt
berechnet werden, da sie dort maximal sind.

84
 2 100

1.8 90

1.6 80

Temperaturhub JFET/[K]
1.4 70

1.2 60
PJFET/PSBD

1 50

0.8 40

0.6 30

0.4 20

0.2 10

0 0
0 10 20 30 40 50
In/[A]

Abbildung 69: Verhltnis der Durchlassverluste von JFET und Schottkydiode und
Temperaturhub des JFET bei idealem Schaltverhalten und identischer Halbleiterflche

Unter diesen Randbedingungen ergibt sich auf Basis der Durchlasskennlinien von SiC-JFET
und SiC-Schottkydioden aus Abbildung 64 die rote Kennlinie fr die bezogenen Verluste des
JFET. Die fehlende Schwellenspannung des unipolaren Hochvoltschalters macht sich bei
kleinem Strom stark bemerkbar, so dass bis ca. 9A der JFET trotz hherem
Durchlasswiderstand geringere Verluste verursacht. Bei hherem Strom kehrt sich dieses
Verhltnis um.

Die blaue Kurve in Abbildung 69 zeigt die Temperaturerhhung des JFET, die bei dem
jeweiligen Laststrom entsteht. Sie dient zur Abschtzung eines realistischen
Arbeitsbereiches. Heutige Leistungshalbleiter sind mit einer maximalen Junctiontemperatur
von 125C spezifiziert. Nimmt man eine Khlkrpertemperatur von 100C unter dem
Halbleitermodul an, so ergibt sich ein zulssiger Temperaturhub von 25C fr den Chip.
Betrachtet man dies als typischen Arbeitsbereich, so kann aus Abbildung 69 die Aussage
abgeleitet werden, dass bei der gewhlten Flche des JFET von 12,6mm2 maximal ein
Effektivstrom von 27A gefhrt werden kann. Bei diesem Strom sind die Verluste des JFET
allerdings bereits um ca. 50% hher als die Verluste der Schottkydiode.

Zusammenfassend kann festgehalten werden, dass fr Anwendungen mit hoher

Schaltfrequenz (z.B. ber 50kHz) der JFET trotz der hheren Durchlassverluste ein sehr
interessantes Potenzial besitzt. Allerdings ist es dann fr die Ausnutzung der Vorteile
erforderlich, die Schaltgeschwindigkeit gegenber dem heutigen Stand der Technik um eine
Grenordnung zu erhhen. Fr Schaltfrequenzen bis 16kHz wird ein Vorteil gegenber der
Schottkydiode selbst bei idealem Schaltverhalten nur bei geringen Stromdichten unter
90A/cm2 sichtbar. Bereits heute wird mit Si-Bauelementen diese Stromdichte erreicht, mit
SiC knnte sie nur fr Sonderanwendungen interessant sein, in denen zur Vermeidung von
Verlusten die Bereitschaft fr hohe Materialkosten existiert.

2.5 Moduldesign

Fr die favorisierte Lsung mit schnellem Si-IGBT und SiC-Freilaufdiode ist ein geeignetes
Halbleitermodul zu entwerfen. In dem betrachteten Leistungsbereich von 2,2kW bis 55kW
knnen Umrichter realisiert werden, die ihre gesamte Stromfhrung auf einer mehrlagigen
Leiterplatte realisieren und auf Kupferschienen vollstndig verzichten. Diese Aufbautechnik
ermglicht eine kostengnstige und platzoptimierte Lsung, da auf einer Leiterplatte die

85
erforderlichen Luft- und Kriechstrecken geringer ausgelegt werden knnen als bei der
Verwendung einer Kupferverschienung.

Demzufolge entsteht auch an das Halbleitermodul die Forderung, direkt ber Lt- oder
Druckkontakte die Leiterplatte zu kontaktieren. Derartige Halbleitermodule sind
standardmig z.B. seitens Fa. Infineon verfgbar. Allerdings sind die Luft- und
Kriechstrecken bei diesen Halbleitermodulen nur unwesentlich grer als der minimale, von
Normen geforderte Abstand. Fr einen Einsatz z.B. in verschmutzter Umgebung ist dies
nicht optimal.

Deshalb soll in diesem Kapitel ein optimiertes Modul erarbeitet werden. Dieses Modul soll
zum einen mglichst groe Luft- und Kriechstrecken realisieren und zum anderen einen
mglichst niederinduktiven Kommutierungskreis sowie eine mglichst geringe Einkopplung
von Lastsignalen in die Ansteuersignale gewhrleisten. Als Basis wird hierbei ein Modul mit
Ltpins gewhlt, weil mit dieser Technologie der erforderliche Leitungsbereich sicher
abgedeckt werden kann und darber hinaus in dieser Technologie mit verhltnismig
geringem Aufwand neuartige Pinanordnungen realisiert werden knnen.

Lastseite
U V W NTC

DC+ DC+

DC- DC-

GU1 GL1 GU2 GL2 GU3 GL3

Ansteuerseite

Abbildung 70: Modul mit Pinlayout nach Stand der Technik

In Abbildung 70 ist ein standardmiges Halbleitermodul [55] mit einer B6-Brcke fr einen
dreiphasigen Wechselrichter mit einem Temperatursensor dargestellt. Der Bereich der
Anschlusspins entspricht einer Flche am Modulrand, zustzlich ist die interne
Halbleiterschaltung mit ihren Anschlussleitungen an die Pins eingezeichnet. An der unteren
Lngsseite des Moduls sind alle Anschlsse fr die Steuerbefehle angeordnet. An der
gegenberliegenden Lngsseite befinden sich die Anschlsse fr die AC-Lastabgnge des
Wechselrichters. An den beiden kurzen Seiten befinden sich die
Gleichspannungsanschlsse.

Bewertet man diese Ausfhrungsform nach der Strfestigkeit, mit der Einkopplungen in die
Ansteuerkreise vermieden werden, so fllt auf, dass induktive Einkopplungen von der

86
Lastseite auf die Ansteuerseite durch den groen Abstand zwischen Lastseite und
Ansteuerseite gut unterdrckt werden. Allerdings mssen auf der Ansteuerseite sehr viele
Ansteuerungen untergebracht werden. Dies hat zur Folge, dass die Ansteuerschaltungen
nicht ideal nahe an den Modulpins angeordnet werden knnen. Damit sind lngere
Zuleitungen von den Ansteuerschaltungen zu den Modulpins erforderlich, die fr induktive
Einkopplungen anfllig sind.

Betrachtet man kapazitive Strkopplungen, so erweist sich die Ansteuerseite als sehr
problematisch. Durch die Vielzahl der Ansteuerungen, die auf einer Modulseite platziert
werden mssen, werden Kreuzungen von Leitungen unterschiedlicher und zudem schnell
vernderlicher Spannungsniveaus in verschiedenen Lagen der Leiterplatte nur schwer zu
umgehen sein. Diese Kreuzungen stellen eine groe Einkopplungsquelle kapazitiver
Strstrme dar, da der Abstand der Signale in zwei benachbarten Leiterplattenlagen nur
0,5mm betrgt und somit eine groe Koppelkapazitt zwischen den Leiterbahnen existiert.

In Abbildung 70 sind Pins mit jeweils gleichem bzw. nur geringfgig unterschiedlichem
Potenzial jeweils mit identischer Farbe dargestellt. Dies bedeutet, dass zwischen allen
Bereichen unterschiedlicher Farbe mglichst hohe Luft- und Kriechstrecken eingehalten
werden sollen, um ein robustes Verhalten des Umrichters bzgl. Spannungsberschlags,
insbesondere beim Betrieb in verschmutzter Umgebung, zu erreichen.

Bei dem Modul aus Abbildung 70 existieren 13 Bereiche, an denen unterschiedliche

Potenziale mittels Luft- und Kriechstrecken voneinander getrennt werden mssen. Diese
hohe Anzahl an erforderlichen Luft- und Kriechstrecken beschrnkt die mgliche
Ausdehnung jeder einzelnen Luft- und Kriechstrecke. Dieses Problem verschrft sich mit
zunehmender Anschlussspannung des Umrichters; bei dem betrachteten System mit einer
Anschlussspannung von 690V wirken sich die Luft- und Kriechstrecken gravierend aus.

U, GU1 V, GU2 W,GU3

DC+ DC+

DC- GL1 GL2 GL3 NTC DC-

Abbildung 71: Modul mit optimierter Pinanordnung

Zur Verbesserung wurde eine Ausgestaltung des Halbleitermoduls nach Abbildung 71

realisiert [54]. Bei dieser Lsung sind die Last- und Steuersignale eines Spannungsniveaus
rtlich zusammengefasst. Lediglich der positive Zwischenkreisanschluss bleibt getrennt, um
einen symmetrischen Anschluss zu gewhrleisten. Die Anzahl erforderlicher Potenzialgrben
kann bei dieser Lsung von vormals 13 auf 6 reduziert werden. Dies ermglicht einen

87
groen Abstand zwischen den einzelnen Potenzialinseln, wodurch die Durchschlagfestigkeit
bei Spannungsberschlgen unter Verschmutzung verbessert wird. Kapazitive
Streinkopplung wird ebenfalls durch die groen Abstnde minimiert.

Das Problem der induktiven Streinstrahlung ist zu bercksichtigen, da nun rtlich nahe an
den Ansteuerschaltungen auch der hohe Laststrom fliet. Die induktive Einkopplung kann
minimiert werden, indem die Laststrombahnen nicht direkt unterhalb der
Ansteuerschaltungen gefhrt werden. Eine Lsung ist im Detail fr jede einzelne
Entflechtung zu finden, grundstzlich wirkt sich jedoch positiv aus, dass aufgrund der lokal
einheitlichen Spannungsniveaus bei der Trennung von Last- und Steuerkreisen keine hohen
Abstnde wegen Spannungsfestigkeit eingehalten werden mssen.

Ein weiteres Ziel bei dem Moduldesign besteht darin, die Anzahl erforderlicher Pins auf ein
Minimum zu begrenzen. Da sich Pins in einem vorgegebenen Rasterma am Modul
befinden, verbessert eine geringe Anzahl von Pins wiederum die Mglichkeit,
Spannungsabstnde zu maximieren. Darber hinaus strt jeder Pin bei der Entflechtung,
weil er als Durchkontaktierung die Nutzung der Innenlagen einer Leiterplatte einschrnkt.

In Modulen nach Stand der Technik werden als Steueranschlsse pro IGBT ein Gatepin und
ein Hilfsemitterpin bentigt. Der Hilfsemitter befindet sich virtuell auf dem Potenzial des
Hauptemitters und unterscheidet sich von diesem nur whrend kurzer Zeiten whrend der
Kommutierung. Er ist erforderlich, um eine Rckkopplung induktiver Spannungsabflle an
parasitren Induktivitten aus dem Lastkreis auf den Steuerkreis zu verhindern. Zur
Erklrung dieses Sachverhaltes kann ein Ersatzschaltbild fr eine Modulphase verwendet
werden, in dem alle parasitren Induktivitten eingetragen sind:
Modulpin
DC positiv

LRB

Modulpin LCU LCU

Gate upper
T1 D1
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Driver upper
CZK Modulpin
LRB LCU LCU LRB AC
Modulpin
Hilfsemitter
upper
LCU LCU
Modulpin
Gate lower T2 D2
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Driver lower

Modulpin LRB LCU LCU

Hilfsemitter
lower LRB

Modulpin
DC negativ

Abbildung 72: Ersatzschaltbild eines Standardmoduls mit parasitren Induktivitten

Abbildung 72 zeigt die Phase eines Wechselrichters mit dem zugehrigen Zwischenkreis und
allen standardmigen Modulanschlusspins, das Halbleitermodul ist schematisch mit grn
skizziert. Die blau gezeichneten Elemente liegen in Kommutierungskreisen, die an einem
Bespiel im Folgenden kurz erlutert werden sollen. Hierzu stelle man sich vor, dass vor der
Kommutierung der Laststrom am AC-Anschluss durch die Diode D1 in den
Zwischenkreiskondensator und von dort in eine benachbarte Phase fliet. In der
betrachteten Phase soll der Strom von D1 auf T2 kommutiert werden.

88
Durch Einschalten von T2 fliet ein Kommutierungsstrom vom Zwischenkreiskondensator in
Rckwrtsrichtung durch D1 und durch T2. Sobald dieser Strom die Hhe des Laststromes
erreicht, verlscht D1 und der Strom ist auf T2 kommutiert.

Nach dem Einschalten von T2 fliet der Kommutierungsstrom ber dem Modulpin DC+ in
das Modul. Dort befindet sich als Verbindungselement vom Pin auf das Substrat ein
Bonddraht, dessen Induktivitt mit LRB nachgebildet wird. Dieser Bonddraht wird als
Rahmenbonddraht bezeichnet, weil alle Pins in einem Kunststoffrahmen eingesteckt oder
eingespritzt sind. Auf dem Substrat fliet der Strom ber eine Kupferbahn zu dem
Halbleiterchip D1. Die Induktivitt dieser Kupferbahn wird mit LCU modelliert. Der Diodenchip
ist mit seiner Kathodenseite auf die Kupfermetallisierung aufgeltet, so dass an dieser Stelle
keine zustzliche Induktivitt entsteht.

Von der Anode der Diode fliet der Strom ber einen weiteren Bonddraht auf eine
Kupferbahn. Dieser Bondraht wird als Substratbond bezeichnet, weil er Elemente verbindet,
die sich alle auf einem Keramiksubstrat befinden. Seine Induktivitt wird LSB bezeichnet.

Nun hngt es von der tatschlichen Ausgestaltung eines Halbleitermoduls ab, ob der Strom
noch ber weitere Bonddrhte oder direkt zu dem unteren IGBT fliet. In Abbildung 72 sind
zwei weitere Substratbonddrhte gezeichnet, von denen einer im gemeinsamen Pfad von
IGBT und Diode liegt. An dem untern IGBT T2 fliet der Strom wieder zunchst ber eine
Kupferbahn und anschlieend durch den Chip T2. An den Emitter von T2 schliet sich ein
weiterer Substratbonddraht, eine Kupferbahn und schlielich der Rahmenbonddraht an,
bevor der Stromkreis zum Zwischenkreiskondensator geschlossen ist.

Der Ansteuerkreis fr einen IGBT erstreckt sich von der Ansteuerschaltung (Driver upper
bzw. Driver lower) ber einen Rahmenbonddraht, eine Kupferbahn und mindestens einen
Substratbonddraht zur Gatemetallisierung des IGBT-Chips. Im IGBT fliet der Strom durch
die Gate-Emitter-Kapazitt zur Emittermetallisierung. ber die Emitterbonddrhte fliet der
Strom ber Kupferbahnen und einen Rahmenbonddraht zum Hilfsemitteranschluss des
Moduls. ber eine Leiterbahn auf der PCB wird der Ansteuerkreis zur Ansteuerschaltung
geschlossen.

Die rot eingezeichneten Elemente liegen sowohl im Last- als auch im Steuerkreis. Bei hohen
Stromnderungsgeschwindigkeiten im Lastkreis koppeln diese Elemente einen
Spannungsabfall in den Ansteuerungskreis ein. Dieses Phnomen ist unter dem Begriff
induktive Gegenkopplung [101] bekannt und bis zu einem gewissen Grad erwnscht, da sie
die Ansteuerung des IGBT erleichtert.

Laststrom

LCU
LRB LCU LSB
T2

USteuer UCGE
LSB ULSB

LRB LCU
Laststrom

Abbildung 73: Induktive Gegenkopplung

89
Betrachtet man beispielsweise den Ausschaltvorgang des IGBT, so nimmt der Laststrom in
dem IGBT ab. Die Spannung ULSB ist in diesem Fall negativ. Damit addiert sie sich zu der
Ansteuerspannung und erhht die effektive Gatespannung UCGE am IGBT Chip. Dieser wird
somit whrend des Ausschaltvorganges wieder leicht aufgesteuert und reduziert damit seine
Schaltgeschwindigkeit. Diese Reduzierung der Schaltgeschwindigkeit bewirkt eine
Reduzierung der berspannung am IGBT und schtzt somit den Chip. Diese induktive
Gegenspannung wird passiv erzeugt und reagiert damit ohne Zeitverzug. Aktive
Schutzmanahmen von der Ansteuerschaltung knnen nur deutlich langsamer wirksam
werden.

In analoger Weise wird die Schaltgeschwindigkeit auch beim Einschalten reduziert, was die
abschaltende Diode vor berspannungen schtzt. Die induzierte berspannung wirkt so
immer ihrer Ursache, der Schaltgeschwindigkeit, entgegen.

Zu hohe Induktivitten knnen allerdings dazu fhren, dass die Schaltgeschwindigkeit zu

stark abgesenkt wird und ein sicheres Schalten gefhrdet wird, mglicherweise knnen
Schwingungen beim Schaltvorgang auftreten. Die Wahl der wirksamen Kopplungsinduktivitt
ist somit beim Moduldesign eine wichtige Gre, die vom Modulhersteller eingestellt werden
muss. Bestimmt wird sie durch den Ort auf der DCB, an dem der Hilfsemitter auf dem
Substrat platziert wird. Wesentliche Einflussgre ist die Lnge der Emitterbonddrhte
zwischen Chipemitter und dem Hilfsemitterabgriff.

In Abbildung 72 sind drei Arten von Induktivitten eingezeichnet: die Induktivitt von
Kupferbahnen auf der DCB, die Induktivitt der Substratbonddrhte und die Induktivitt der
Rahmenbonddrhte. Die Induktivitt der Kupferbahnen ist sehr klein, da die DCB auf der
Rckseite der Keramik eine durchgehende Kupfermetallisierung aufweist. In dieser
Kupfermetallisierung knnen somit ungehindert Ausgleichsstrme flieen, die den Strmen
in den Kupferbahnen auf der Oberseite der DCB entgegengerichtet sind und deren
Magnetfeld somit kompensieren.

Die Induktivitt der Substratbonddrhte ist wesentlich grer. Zwar knnen auch deren
Strme auf der Rckseite der DCB kompensierende Strme hervorrufen, doch der Abstand
der Bonddrhte ist im Vergleich zur Dicke der Keramik wesentlich grer, so dass eine
Kompensation nur in geringem Mae stattfindet.

Die Induktivitt der Rahmenbonddrhte kann berhaupt nicht kompensiert werden, da keine
leitende Flche existiert, auf der Ausgleichsstrme flieen knnten. Zudem besitzen die
Rahmenbonddrhte i.a. eine verhltnismig groe Lnge, da sie vom Rahmen die DCB
erreichen mssen. Die Induktivitt der Rahmenbonddrhte ist somit am grten.

Wie eingangs erwhnt, stellt die mgliche Reduzierung von Pins ein attraktives Ziel dar.
Betrachtet man die Hilfsemitterpins in Abbildung 72, so stellt man fest, dass sie in erster
Nherung fr die Funktion nicht erforderlich sind, da auf gleichem Potenzial entsprechende
Lastanschlsse vorhanden sind.

In Abbildung 74 ist ein Modul gezeichnet, das keine Hilfsemitteranschlsse besitzt.

Betrachtet man die Koppelelemente zwischen Lastkreis und Steuerkreis, so ist zu erkennen,
dass am unteren IGBT T2 die wirksame Kopplungsinduktivitt deutlich vergrert wird, weil
nun ein Rahmenbonddraht als Kopplungselement wirkt. Eine solche Lsung knnte nur fr
sehr kleine Wechselrichterleistung verwendet werden, da bei kleiner Leistung der Laststrom
und somit auch dessen nderung gering sind. Bei mittlerer und hoher Leistung wre die
Steuerbarkeit eines derartigen Moduls jedoch stark eingeschrnkt.

90
 Modulpin
DC positiv

LRB

LCU LCU
Modulpin
Gate upper T1 D1
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Modulpin
Driver upper
CZK AC und
LCU LRB Hilfsemitter
upper

Modulpin LCU LCU

Gate lower
T2 D2
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Driver lower

LCU

LRB

Modulpin
DC negativ
und
Hilfsemitter
lower

Abbildung 74: Modul ohne Hilfsemitteranschlsse

Betrachtet man den oberen IGBT T1, so liegt nun der Rahmenbonddraht des AC-
Lastanschlusses im Steuerkreis. Dieser Rahmenbonddraht liegt jedoch nicht im
Kommutierungskreis der Halbbrcke. ber diesen Bonddraht fliet nur der niederfrequente
Laststrom und nicht der hochfrequente Kommutierungsstrom. Deshalb fallen an diesem
Rahmenbonddraht des AC-Lastanschlusses trotz seiner verhltnismig hohen Induktivitt
keine hohen Spannungen ab. Die koppelnde Induktivitt zwischen Lastkreis und Steuerkreis
ist nicht grer als bei einem Modul mit Hilfsemitteranschlssen aus Abbildung 72. Somit
kann auf diesen Hilfsemitterpin verzichtet werden. Die optimale Ausfhrungsform ergibt sich
somit zu:
Modulpin
DC positiv

LRB

Modulpin LCU LCU

Gate upper
T1 D1
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Driver upper Modulpin
CZK AC und
LCU LRB Hilfsemitter
upper

LCU LCU
Modulpin
Gate lower T2 D2
LRB LCU LSB
LSB LCU LSB
LSB
Driver lower
Modulpin LRB LCU LCU
Hilfsemitter
lower LRB

Modulpin
DC negativ

Abbildung 75: Optimiertes Modul mit unterem Hilfsemitterpin

91
3 Auslegung des Sinus-Ausgangsfilter

3.1 Bestimmung der auslegungsrelevanten Ausgangsspannung

Der Wechselrichter eines Frequenzumrichters erzeugt an seinem

Wechselspannungsausgang gepulste Ausgangsspannungen, deren Grundfrequenz fr die
Drehung des Motors genutzt wird [26]. Beim Zweipunkt-Wechselrichter werden hierbei die
Wechselspannungsanschlsse U, V und W wahlweise mit dem positiven oder dem negativen
Zwischenkreisspannungspotenzial verbunden.

Fr die Beschreibung des Sinusfilters und dessen Dimensionierung ist es zweckmig, die
Ausgangsspannung des Umrichters in einen symmetrischen und einen asymmetrischen
Anteil zu zerlegen. Die symmetrische Ausgangsspannung beschreibt alle Gren, die
zwischen den einzelnen Ausgangsphasen auftreten. Diese Spannung wird in der Literatur
auch als differential mode Spannung oder Gegentaktspannung bezeichnet. Im Gegensatz
hierzu beschreibt die asymmetrische Ausgangsspannung das Verhalten der
Ausgangsphasen gegenber einem festen Referenzpotenzial, beispielsweise der
Bezugserde oder der negativen Zwischenkreisspannungsschiene. Die asymmetrische
Ausgangsspannung wird in der Literatur als common mode Spannung oder
Gleichtaktspannung bezeichnet [46].

VU M
VV
VW VLW VCW

VCOM

Abbildung 76: Dreiphasiges Ersatzschaltbild des Wechselrichterausgangs

In Abbildung 76 ist der Ausgang des Wechselrichters dargestellt. Die gepulsten

Ausgangsspannungen des Wechselrichters werden in diesem Fall auf die negative
Zwischenkreisspannung bezogen. Die Gleichtaktspannung des Systems tritt am Sternpunkt
des Filterkondensators auf. Sie berechnet sich zu:

U U + UV + UW
U COM = (66)
3

Bilden sowohl der Filter als auch der Motor eine ideal symmetrische Last, so tritt diese
asymmetrische Spannung in gleicher Weise auch an dem Motorsternpunkt auf. Die
asymmetrische Spannung fhrt in dem Ersatzschaltbild nach Abbildung 76 zu keinem
Stromfluss, sondern lediglich zu einer Potenzialverschiebung des Systems gegenber dem
Referenzpunkt, weil keine Lastverbindung zu dem Referenzpunkt existiert. In einer
realistischen Anwendung werden jedoch solche Lastverbindungen zumindest aufgrund von

92
parasitren Kapazitten, z.B. der Motorwicklungen gegen das Motorgehuse, existieren. Die
Auswirkungen des asymmetrischen Spannungsanteils werden in Kap. 3.4 untersucht.

Da bei blichen Modulationsverfahren nie zwei Ausgangsphasen gleichzeitig mit

entgegengesetzter Polaritt ihr Potenzial ndern, geht aus Gl. (66) hervor, dass jede
Schalthandlung eine Vernderung der common mode Spannung zur Folge hat, wobei die
nderungsgeschwindigkeit der common mode Spannung identisch zu einem Drittel
Spannungsflanke der schaltenden Wechselrichterausgangsspannung (s. Gl. (66)) ist. Dieses
Verhalten stellt erhhte Anforderungen an die Isolationsfestigkeit des Motors. Da der in
Abbildung 76 dargestellte Filter keine Bauteile gegenber dem Referenzpotenzial aufweist,
reduziert er auch nicht die Spannungssteilheit gegenber dem Referenzpotenzial. Bei der
Beschreibung des Filterverhaltens wird dieser Punkt in einem spteren Kapitel noch
diskutiert.

Die symmetrische Ausgangsspannung ergibt sich nach Abbildung 76 aus der Differenz der
Wechselrichterausgangsspannung beispielsweise Phase W - und des asymmetrischen
Spannung:

UWD = UW U COM (67)

Ein Beispiel fr eine symmetrische Spannung ist fr Sinus-Dreieck-Modulation mit einem

Aussteuergrad von 90%, einer Grundfrequenz der Ausgangsspannung von 50Hz und einer
Schaltfrequenz von 16kHz in Abbildung 77 dargestellt:

1
1

0.5

UWD( x ) 0

0.5

1 1
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018
0.00 x 1
fa
Abbildung 77: Kurvenform einer symmetrischen Ausgangsspannung

Diese symmetrische Spannung durchluft den Sinusfilter, an dessen Ausgang die Spannung
des Filterkondensators als sinusfrmige Spannung vorliegen soll. Deshalb ist diese
symmetrische Spannung magebend fr die Dimensionierung des symmetrischen Filters.
Der sinusfrmige Verlauf der symmetrischen Ausgangsspannung bietet den Vorteil der
Vermeidung von Oberschwingungsstrmen im Motor. Da Oberschwingungsstrme nicht zur
Wandlung der elektrischen in mechanische Energie beitragen, sondern lediglich Verluste im
Motor erzeugen, sollen diese vorrangig vermieden werden.

Eine Fourieranalyse der Kurvenform aus Abbildung 77 zeigt die wesentlichen

Frequenzanteile, die in der symmetrischen Ausgangsspannung enthalten sind:

93
 0.4

0.3
UWD/UZK

VWD 0.2
j

0.1

0 0
4 4 4 4 4 4 4 4 4 5
0 1 .10 2 .10 3 .10 4 .10 5 .10 6 .10 7 .10 8 .10 9 .10 1 .10
0 Frequenz 100000
j

Abbildung 78: Betrag des Effektivwertes der Frequenzanteile der symmetrischen

Ausgangsspannung (Strangspannung) bei 90% Aussteuergrad, Grundfrequenz 50Hz und
Schaltfrequenz 16kHz

Neben der Grundfrequenz, die mit einer Amplitude von ca. 32% auftritt, sind die
Oberschwingungen mit den Seitenbndern der Schaltfrequenz und ihrer Vielfachen
dominant. Mit zunehmender Ordnungszahl der Vielfachen der Schaltfrequenz nimmt die
Amplitude ab. Das Spektrum der Oberschwingungen ist von dem Modulationsgrad und der
Modulationsart abhngig. Fr die Dimensionierung der Filterdrossel sind die dominanten
Spannungsanteile und der Stromfluss, der durch diese hervorgerufen wird, magebend. Bei
Sinus-Dreieck-Modulation wird als Modulationsgrad das Verhltnis des Scheitelwertes der
sinusfrmigen Steuerspannung zur Dreieckspannung definiert. Abhngig vom
Modulationsgrad betragen die Amplituden der Seitenbnder der niedrigsten Vielfachen der
Schaltfrequenz:

94
 14

12

10
1*fs2*fout
2*fsfout
Vh/Vzk/[%]

8
3*fs4*fout
6
3*fs2*fout
4*fs*fout
4 5*fs*2fout

0
0 20 40 60 80 100

Modulationsgrad/[%]

Abbildung 79: Seitenbnder der Vielfachen der Schaltfrequenz in der symmetrischen

Ausgangsspannung

Der hchste Frequenzanteil liegt bei mittlerem Modulationsgrad bei den Seitenbndern der
doppelten Schaltfrequenz. Allerdings ist zu bercksichtigen, dass der Stromfluss, den ein
Frequenzanteil zur Folge hat, umgekehrt proportional zur Frequenz ist, da die Impedanz der
Filterdrossel linear mit der Frequenz steigt (ZL = jwL). Deshalb wird der grte Stromfluss
von den Seitenbnden der einfachen Schaltfrequenz bei maximaler Aussteuerung
hervorgerufen. Dieser schaltfrequente Strom ist daher dominant fr die
Drosseldimensionierung.

Das wesentliche Augenmerk bei der Dimensionierung der Filterkomponenten liegt auf der
Auslegung der Filterdrossel, da diese das dominante Bauteil bezglich Kosten und
Bauvolumen darstellt. Deshalb sollen im Folgenden zunchst Dimensionierungskriterien fr
die Drossel betrachtet werden.

Ist die Last des Umrichters wie in Abbildung 76 dargestellt in allen Phasen identisch, so kann
das dreiphasige durch ein einphasiges Ersatzschaltbild ersetzt werden. Fr die
Drosselauslegung werden dabei nur die symmetrischen Spannungskomponenten betrachtet:

iLF LF LM

ULF ULM
UWD UCF UiM
CF

Abbildung 80: Einphasiges symmetrisches Ersatzschaltbild

Der Motor ist in diesem Modell als Reihenschaltung einer Spannungsquelle und einer
Induktivitt, wobei die Spannungsquelle der EMK entspricht und die Induktivitt die

95
Streuinduktivitt des Motors nachbildet. Diese Ersatzvorstellung ist in der Literatur weit
verbreitet [80] und liefert fr grundlegende Betrachtung ausreichende Ergebnisse.

Der Strom in der Filterinduktivitt berechnet sich dann zu:

(U WD ( ) U CF ( ))d
(68)
i LF (t ) = t =t 0
+ i LF (t = t 0 )
LF

Diese Gleichung beschreibt den Drosselstrom fr alle Frequenzen. Um die Auslegung der
Drossel zu vereinfachen, ist es zweckmig, einzelne Frequenzanteile getrennt zu
betrachten.

Zum einen enthlt die symmetrische Spannung des Umrichters die Grundfrequenz, die die
Drehzahl des Motors bestimmt. Diese ist relativ niederfrequent und liegt im Bereich bis ca.
200Hz. Da die Filterinduktivitt im Vergleich zur Streuinduktivitt des Motors deutlich
geringer sein wird, kann der Spannungsabfall an der Filterinduktivitt in erster Nherung
vernachlssigt werden. Eine hnliche Betrachtung gilt fr den Filterkondensator. Bei der
niedrigen Grundfrequenz stellt dieser Kondensator eine sehr hohe Impedanz dar. Deshalb
fliet in den Filterkondensator in erster Nherung kein grundfrequenter Strom bzw. dieser ist
so gering, das er fr die thermische Dimensionierung der Drossel vernachlssigt werden
kann.

Der grundfrequente Strom sieht mit dieser Vereinfachung nur die Motorkomponenten als
Last. Das Ersatzschaltbild fr die grundfrequenten Gren vereinfacht sich demnach zu:

iLF1 LM

ULM
UWD1 UiM

Abbildung 81: Vereinfachtes Ersatzschaltbild fr grundfrequente Gren

Die zugehrige Berechnungsgleichung fr den grundfrequenten Strom lautet:

(U WD1 ( ) U iM ( ))d
(69)
i LF 1 (t ) = t =t 0
+ i LF 1 (t = t 0 ),
LM

Der Index 1 deutet hierbei darauf hin, dass es sich jeweils um grundfrequente Gren
handelt.

Eine analoge Vereinfachung ist fr die Gren mglich, die mit den Seitenbndern der
Schaltfrequenz und deren Vielfachen auftreten. Fr diese Strme stellt die Streuinduktivitt
des Motors eine sehr hohe Impedanz dar. In erster Nherung kann deshalb kein
hochfrequenter Strom in den Motor flieen. Der Filterkondensator stellt fr die
hochfrequenten Strme hingegen eine sehr geringe Impedanz dar. Betrachtet man den
idealisierten Fall einer rein sinusfrmigen Filterausgangsspannung, so erzeugen die
hochfrequenten Stromanteile keinen Spannungsabfall an dem Filterkondensator, der fr

96
diese somit als Kurzschluss wirkt. Das einphasige Ersatzschaltbild fr die hochfrequenten
Gren ist demnach:

iLFh LF

ULF
UWDh

Abbildung 82: Vereinfachtes Ersatzschaltbild fr hochfrequente Gren

Der hochfrequente Strom sieht als Last demnach nur die Filterkomponenten. Die zugehrige
Gleichung zur Berechnung des hochfrequenten Stromes lautet entsprechend:

U WDh ( )d
(70)
i LFh (t ) = t =t 0
+ i LFh (t = t 0 ),
LF

Der Index h deutet darauf hin, das es sich bei dieser Gleichung um hochfrequente Gren
handelt, die mit den Seitenbndern der Schaltfrequenz und deren Vielfachen auftreten.

Der gesamte Drosselstrom ergibt sich durch die Addition von Gl. (69) und Gl. (70):

t t

(U WD1 ( ) U iM ( ))d U WDh ( )d

(71)
i LF (t ) = t =t 0
+ t =t 0
+ i LF (t = t 0 ),
LM LF

Da der niederfrequente Strom in der Filterdrossel nahezu keine Eisenverluste verursacht,

werden diese in erster Linie durch Gl. (70) bestimmt. Fr die magnetische Auslegung ist der
grundfrequente Strom dennoch relevant, da er zu Sttigungserscheinungen in der Drossel
fhren kann. Bei der Berechnung der Kupferverluste sind sowohl der niederfrequente als
auch der hochfrequente Strom zu bercksichtigen, wobei letzterer noch durch den Skineffekt
beeinflusst wird.

Fr die erforderliche Induktivitt der Drossel ist mit der vereinfachten Betrachtung nur Gl.
(70) magebend.

3.2 Auslegung der Filterdrossel

Aus rein technischen berlegungen resultieren bei gegebenem Kernmaterial der Aufwand
und die Kosten fr eine Filterinduktivitt in erster Linie aus deren Baugre und dem
Kilopreis des verwendeten Kernmaterials und des Kupfers. Die Baugre der Drossel wird
im Wesentlichen durch zwei Kriterien bestimmt:

Bei der magnetischen Dimensionierung ist darauf zu achten, dass der Kern die
erforderliche magnetische Energie speichern kann, ohne in Sttigung zu gehen.
Bei der thermischen Dimensionierung ist eine berhitzung der Drossel zu vermeiden.

97
3.2.1 Magnetische Dimensionierung der Filterdrossel

3.2.1.1 Grundlagen

Fr die Veranschaulichung der folgenden grundlegenden berlegungen wird eine typische

Querschnittsansicht einer einphasigen Drossel betrachtet [19]:

A
H,B
nI nI

Abbildung 83: Querschnitt durch eine einphasige Filterdrossel

Durch den Stromfluss in dem Wicklungsfenster wird im Kern ein magnetischer Fluss erzeugt.
Grundlegend beschrieben wird dieser Zusammenhang in dem Durchflutungsgesetz, das in
seiner allgemeinen Form lautet:

H ds =
l
(72)

Ist der Betrag des Vektors der magnetischen Erregung H konstant und seine Richtung
immer parallel zu der Richtung der Teilabschnitte d s des Umlaufs mit der Gesamtlnge l
und besteht die Gesamtdurchflutung aus n in Reihe geschalteten Windungen, die jeweils
den Strom I fhren, so vereinfacht sich Gl. (72) zu:

H l = n I (73)

Hierbei wird l als der mittlere Eisenweg in der Spulengeometrie angenommen.

In einigen Fllen werden Drosseln der Bauart nach Abbildung 83 mit einem Luftspalt
ausgefhrt. Bei der Einfhrung der magnetischen Flussdichte B in Abhngigkeit der
magnetischen Erregung H sind dann die unterschiedlichen Permeabilitten in Kern und
Luftspalt zu bercksichtigen. In vielen Fllen werden wird jedoch auch als Kernmaterial
Eisenpulver eingesetzt, welches einen verteilten Luftspalt darstellt. Diese Lsung bietet den
Vorteil, dass die Verluste gleichmiger auf das Kernmaterial verteilt werden, weil an einem
konzentriertem Luftspalt Feldlinien in die Wicklung eindringen und dort lokal hohe
Wirbelstromverluste erzeugen knnen [4].

Bei verteiltem Luftspalt kann von einer homogenen Verteilung der magnetischen Erregung
ausgegangen werden. Das Durchflutungsgesetz lautet dann:

B
l = n I (74)

Der Fluss im Kernmaterial berechnet sich als Integral der Flussdichte ber den
Kernquerschnitt:

98
 = Bd A (75)
A FE

bzw. fr den Fall, dass der Flussdichtevektor senkrecht auf der betrachteten Flche A steht
und sein Betrag ber der Flche A konstant ist:

= FE (76)

Die Selbstinduktivitt L der Spulenanordnung ist definiert als Proportionalittsfaktor zwischen

dem Erregerstrom und dem Fluss, der sich bei einer Windung ergibt:

L= (77)
I

Der Gesamtfluss in der Spulenanordnung ergibt sich aus der Summe aller Teilflsse, die sich
pro Windung ergeben. Sind alle Teilflsse identisch, so gilt fr den Gesamtfluss:

= n (78)

Setzt man Gl. (74), Gl. (76) und Gl. (78) in Gl. (77) ein, so ergibt sich fr die Induktivitt:

n 2 AFE
L= (79)
l

Die Energie, die in einer Drossel gespeichert werden kann, betrgt

1
E= L I2
2
1 n 2 AFE 2
= I
2 l
1 nI (80)
= n I AFE
2 l
1
= n ACU J AFE B
2

Aus den letzten beiden Zeilen von Gl. (80) lsst sich eine Abschtzung fr die Baugre der
Drossel ableiten. Mit der Wahl eines Kernmaterials ist die maximal zulssige magnetische
Flussdichte B definiert. Daraus folgt, dass bei gegebener magnetischer Weglnge l das
Produkt n I und damit die zulssige Durchflutung begrenzt ist. Eine Erhhung der Energie
kann somit nur unter Erhhung des Kernquerschnitts AFE erfolgen. Stellt man sich eine
Drossel mit dem Querschnitt aus Abbildung 83 als quaderfrmiges Gebilde vor, so bedeutet
eine Vergrerung von AFE unter Beibehaltung von l eine Ausdehnung der Drossel in die
Zeichenebene hinein und somit eine lineare Volumenszunahme mit der gespeicherten
Energie.

Alternativ knnte die Durchflutung n I erhht werden. Um eine berschreitung der

maximalen Flussdichte zu verhindern, msste in gleichem Ma die effektive Weglnge l
vergrert werden. Bei einer Drossel mit Luftspalt wrde dies bedeutet, dass der Luftspalt
vergrert werden muss, bei verteiltem Luftspalt muss die effektive Permeabilitt reduziert
werden. Die Energie der Drossel wrde bei konstantem B linear mit n I ansteigen. Geht

99
man davon aus, dass die maximal zulssige Stromdichte J im Kupferdraht bereits
ausgenutzt wurde, so kann n I nur durch eine Zunahme des Kupferquerschnitts erhht
werden. Legt man wieder den Querschnitt nach Abbildung 83 zu Grunde, erfordert dies ein
linear vergrertes Wickelfenster bei konstant verbleibendem Eisenquerschnitt.

Beide Manahmen fhren zu einer nahezu linearen Zunahme des Drosselvolumens mit der
gespeicherten Energie. Im Umkehrschluss folgt daraus, dass ein minimales Drosselvolumen
und damit verbunden ein minimaler Aufwand fr die Drossel dann erreicht werden kann,
wenn die in der Drossel zu speichernde Energie minimal wird.

3.2.1.2 Bestimmung des Ripplestroms

Fr einen gegebenen Grundschwingungsstrom lsst sich aus Gl. (80) ein optimaler
hochfrequenter Ripplestrom berechnen, der das geringste Drosselvolumen erfordert. Dieser
berlegung liegt das Ersatzschaltbild fr die hochfrequenten symmetrischen
Spannungsanteile aus Abbildung 82 zu Grunde. Innerhalb einer Modulationsperiode wird
davon ausgegangen, dass sich die Spannung am Filterkondensator nicht ndert, whrend
die gepulste Spannungsquelle innerhalb der Modulationsperiode einmal umschaltet. Der
grundfrequente Strom sei whrend dieser Modulationsperiode konstant, der Mittelwert der
gepulsten Spannung sei deshalb gleich null. Der maximale Ripplestrom, auf den die Drossel
ausgelegt sein muss, stellt sich genau dann ein, wenn die Spannung am Filterkondensator
gleich die Hlfte des Spannungshubs der gepulsten Spannung betrgt und der
Aussteuergrad der gepulsten Spannung 50% betrgt. In diesem Fall ergibt sich folgender
Stromverlauf:

I1+Ih
I1
h

t
Modulationsperiode tp
Abbildung 84: Verlauf des Ripplestromes

Die maximale Energie, auf die diese Drossel ausgelegt sein muss, betrgt:

E max =
1
2
(
L 1 + h )
2
(81)

Bei konstanter treibender Spannung und nicht gesttigtem Kernmaterial gilt als
Randbedingung:

100
 h UL tp
UL = L h = (82)
tp 4L
4

Eingesetzt in Gl. (81) ergibt sich fr die maximal zu speichernde Energie

2
1 UL tp
E max = L 1 + (83)
2 4L

und den maximal auftretenden Strom:

UL tp
I max = 1 + (84)
4L

Bei fest vorgegebenen Werten fr die treibende Spannung (im Allgemeinen die
Zwischenkreisspannung) und die Modulationsperiode knnen Energie und maximaler Strom
als Funktion der Induktivitt angegeben werden. Aus Grnden der Vergleichbarkeit sei
definiert:

UL tp
Lref = (85)
4 1

Dies bedeutet anschaulich, dass bei der Induktivitt Lref die Amplitude des Ripplestroms
genauso gro ist wie der Scheitelwert des Grundschwingungsstroms. Energie und
maximaler Drosselstrom als Funktion der Induktivitt ergeben sich dann zu:

5
5

Emax
L
Emax 3
Lref

Imax
L
2
I
1

0 0
0 1.5 3 4.5 6 7.5 9 10.5 12 13.5 15
0 L 15
Lref

Abbildung 85: Energie und maximaler Drosselstrom als Funktion der Induktivitt

Die geringste Energie in der Drossel und damit nach Gl. (80) das geringste Bauvolumen
ergeben sich, wenn die Induktivitt so gewhlt wird, dass der Ripplestrom und der
Grundschwingungsstrom identische Amplituden besitzen. Nach Gl. (84) ist der Ripplestrom
unabhngig von der augenblicklichen Last des Umrichters. Der Grundschwingungsstrom ist
jedoch sinusfrmig und lastabhngig, so dass sich die Frage stellt, auf welchen
Augenblickswert des Grundschwingungsstroms das Diagramm in Abbildung 85 zu beziehen
ist. Fr eine Minimierung der gespeicherten Energie in der Drossel muss der maximale in der

101
Drossel auftretende Augenblickswert des Grundschwingungsstromes herangezogen werden,
weil in diesem Betriebspunkt die grte in der Drossel anfallende Energie auftritt. In letzter
Konsequenz wre dies der Abschaltstrom des Umrichters im Fehlerfall, d.h. die
Ansprechschwelle der umrichterinternen Schutzmanahmen.

Bei dieser Auslegung ist jedoch zu bercksichtigen, dass dann im Normalbetrieb des
Umrichters der Ripplestrom deutlich grer als der Grundschwingungsstrom sein wrde. In
Abbildung 85 entspricht dies einem Betrieb deutlich links vom Optimum, die gespeicherte
Energie und der Ripplestrom in der Drossel wren im Normalbetrieb weitaus grer als
eigentlich erforderlich. Die Randbedingung fr die Dimensionierung des Ripplestroms auf
minimale Energiespeicherung in der Drossel war nach Gl. (80) dass eine Sttigung der
Drossel vermieden werden sollte. Fr eine konkrete Anwendung ist jedoch zu berlegen, ob
in Fehlerfllen des Umrichters wie einer berstromabschaltung eine Sttigung der
Filterdrossel akzeptiert werden kann.

3.2.2 Thermische Dimensionierung der Filterdrossel

Fr die Drosselverluste existieren im Wesentlichen drei Ursachen:

3.2.2.1 Kupferverluste

Die Kupferverluste in der Drossel werden durch den ohmschen Widerstand der Wicklung
verursacht. Sie sind proportional zu dem spezifischen Widerstand des Leitermaterials und
der Lnge einer Wicklung. Vernachlssigt man Skin- und Proximityeffekte, so sind die
Kupferverluste unabhngig von der Frequenz des flieenden Stromes. Diese
Vernachlssigung ist im Fall des Demonstrators zulssig, da die Schaltfrequenz von 16kHz
fr diese Effekte klein ist und daher eine untergeordnete Rolle spielt. Der berwiegende Teil
der Kupferverluste wird durch den grundfrequenten Strom verursacht.

3.2.2.2 Hystereseverluste
B

Bmax 2

1
H

4 -Bmax

Abbildung 86: Typische Hysteresekennlinie eines Magnetmaterials

102
Wird die Stromstrke in einer nicht vormagnetisierten Drossel nach Abbildung 83 von null
aus bis zu seinem Maximalwert erhht, so steigt proportional die magnetische Erregung H an
(s. Gl. (73).) Gem der Magnetisierungskennlinie des Magnetmaterials steigt auch die
magnetische Flussdichte B an.

Auf der Kennlinie wird whrend dieses Vorgangs der Bereich zwischen den Punkten 1 und 2
durchschritten. In dem Magnetmaterial wird hierbei die magnetische Energiedichte

Bmax

W mag = H dB
0
(86)

gespeichert [19]. Anschaulich entspricht dies der Flche, die von der Kurve zwischen den
Punkten 1 und 2, der Ordinate B und der Waagrechten B=Bmax begrenzt wird. Das Integral
der magnetischen Energiedichte ber das Volumen des Magnetkernes ergibt die im
Magnetmaterial gespeicherte Energie. Diese Energie muss von extern zugefhrt werden.

Wird der Strom anschieend bis auf null reduziert, so reduziert sich die magnetische
Flussdichte gem der Kennlinie zwischen den Punkten 2 und 3. Whrend dieses Vorgangs
wird Energie aus dem Magnetmaterial zurck gewonnen, die der Flche entspricht, die von
der Kennlinie zwischen den Punkten 2 und 3 sowie der B-Ordinate und der Waagrechten
B=Bmax begrenzt wird. Da die magnetische Flussdichte nicht auf den Wert 0 zurckgeht,
sondern bei H=0 bei dem Wert an Punkt 3 verbleibt, der auch als Remanenzflussdichte
bezeichnet wird, ist diese zurck gewonnene Energie geringer als die zuvor aufgewendete
Energie.

Steigt anschlieend der Strom bis auf seinen negativen Maximalwert an, ist wiederum
Energie aufzuwenden, deren Betrag der Flche entspricht, die von der
Magnetisierungskennlinie zwischen den Punkten 3 und 4, der B-Ordinate und der
Waagerechten B=-Bmax begrenzt wird. Diese Energie ist wiederum grer als die
anschlieend zwischen den Punkten 4 und 5 zurck gewonnene Energie. In Abbildung 86 ist
in jedem Zyklus die Differenz zwischen aufgenommener und zurck gewonnener Energie der
Flche zwischen den beiden sten der Magnetisierungskennlinie proportional.

Somit fhrt die Hysterese zu Verlusten, deren Betrag zur Frequenz des speisenden Stromes
proportional ist, weil bei jedem Zyklus eine Energiemenge aufgewendet werden muss.
Deshalb ist es fr die Anwendung als Sinusfilterdrossel vorteilhaft, wenn die
eingeschlossene Flche zwischen den beiden sten der Kennlinie mglichst klein ist.

Allerdings ist zu bercksichtigen, dass der dargestellte Vorgang in der Form nur fr
Stromformen gilt, bei denen in jeder Periode sowohl die maximale als auch die minimale
magnetische Flussdichte erreicht werden. In der Anwendung der Sinusfilterdrossel ist dies
jedoch nicht der Fall. In der Sinusfilterdrossel fliet ein hoher grundfrequenter Strom, der von
einem betragsmig deutlich kleineren Strom mit Schaltfrequenz und deren Vielfachen
berlagert wird.

In der Literatur ([98], [99], [118]) sind die Hystereseverluste bei Stromkurvenformen mit
hochfrequenten Oberschwingungen analysiert worden. Hierbei wird die grundfrequente
Magnetisierungskennlinie als parent loop bezeichnet. Innerhalb dieser bilden sich
sogenannte minor loops mit der Amplitude der Oberschwingung aus.

103
 I(t)
B

Bmax 2 2 2

1 3 5
H t
5 Y
Y
X X
4 -Bmax
4

Abbildung 87: Hysterese bei Stromkurvenformen mit unterschiedlichen Frequenzanteilen

In Abbildung 87 ist eine derartige minor loop sowie ein zugehriger Stromverlauf qualitativ
grafisch dargestellt. Der Strom steigt zunchst vom Punkt 3 zum Punkt X in negativer
Richtung an. Am Punkt X wechselt die Ableitung des Stromes aufgrund eines
hochfrequenten Anteiles das Vorzeichen. Die Magnetisierungskennlinie verluft nun zum
Punkt Y, wobei die Steigung der Kurve von X nach Y aus dem Mittelwert der beiden zuletzt
positiv und negativ durchlaufenen Kurvenste bei der betreffenden Flussdichte gebildet wird.
Im vorliegenden Fall sind dies die Kurvenste von 4 nach 5 und von 3 nach 4.

Am Punkt Y wechselt die Ableitung des Stromes wieder das Vorzeichen. Die
Magnetisierungskennlinie verluft von Y nach 4, wobei die Steigung aus dem Mittelwert der
Steigungen der Kurvenste zwischen X und Y sowie zwischen 3 und 4 ermittelt wird.

In Abbildung 87 ist aus Grnden der bersichtlichkeit nur eine hochfrequente Schwingung
dargestellt. Die berlegungen gelten selbstverstndlich analog fr alle Orte auf der
Magnetisierungskennlinie.

3.2.2.3 Wirbelstromverluste

Die Entstehung der Wirbelstrme ist in Abbildung 88 dargestellt:

z y

H,B Schnitt AA
y x z x

A A Iw

R H,B
nI nI
dx
dx

Abbildung 88: Entstehung von Wirbelstrmen

Ein Primrstrom I fhrt in der Anordnung nach Abbildung 88 zu einem magnetischen Fluss in
dem Kernmaterial. Ist der Primrstrom eine zeitabhngige Gre mit rein sinusfrmigem
Verlauf, so gilt fr den Gesamtfluss nach Gl. (76) und Gl. (74):

104
 n
(t ) = AFE 0 r I sin( wt ) (87)
l FE
Die Flussrichtung ist in dem Schnittbild entlang des Schnittes AA im rechten Teil von
Abbildung 88 dargestellt. Denkt man sich nun eine Leiterschleife in der xy-Ebene, die in
Abbildung 88 rot dargestellt ist, so wird durch den zeitvernderlichen Fluss in dieser
Leiterschleife eine Spannung induziert:

d (t ) n
U w (t ) = = AFE 0 r I w cos( wt ) = R I w (t ) (88)
dt l FE

Diese induzierte Spannung ist die treibende Spannung fr die Wirbelstrme. Der Widerstand
R der Leiterschleife berechnet sich aus dem spezifischen Leitwert des ferromagnetischen
Materials und der Lnge der Leiterschleife. Die Amplitude der Wirbelstrme ist proportional
zur Frequenz des Wirbelstromes und somit auch proportional zur Frequenz des
Primrstromes I. Die von Wirbelstrmen verursachen Verluste steigen deshalb quadratisch
mit der Amplitude des Wirbelstromes und somit quadratisch mit der Frequenz des
Primrstromes. Bei Kurvenformen des Primrstromes mit beliebigem Verlauf gelten diese
berlegungen analog fr alle Anteile der zugehrigen Fourierreihe.

Eine Manahme zur Reduzierung der Wirbelstromverluste besteht darin, die wirksame
elektrische Leitfhigkeit des ferromagnetischen Materials zu reduzieren. Im Fall von Kernen
aus Eisen, das eine hohe spezifische Leitfhigkeit besitzt, wird statt eines massiven
Eisenkernes eine Vielzahl einzelner, dnner Bleche in y-Richtung zu einem Kern
geschichtet. Die Bleche sind elektrisch gegeneinander isoliert, so dass die elektrische
Leitfhigkeit in y-Richtung verschlechtert wird. Andere Materialien wie Ferrite oder
Eisenpulver werden mit geringer elektrischer Leitfhigkeit hergestellt, so dass in diesen
Fllen massive Kerne verwendet werden knnen.

3.2.2.4 Integrations- und Khlkonzept fr den Sinusfilter

Neben den Verlusten wird die Baugre der Filterdrossel auch durch die Art der
Entwrmung beeinflusst, weil letztendlich die durch Verluste verursachte
Temperaturerhhung an der Drossel begrenzt werden muss. Standardmige Sinusfilter
werden als Optionen zu Standardumrichtern angeboten. Diese Sinusfilter beinhalten eine
Filterdrossel und einen Filterkondensator und sind in einem eigenen Gehuse aufgebaut. Die
Khlung des Sinusfilters erfolgt mittels natrlicher Konvektion ber das Gehuse.

Wird der Sinusfilter in das Gehuse des Umrichters integriert, so bietet diese Lsung den
Vorteil, dass der Sinusfilter mit Zwangsbelftung entwrmt werden kann, da Umrichter im
betrachteten Leistungsbereich in der Regel mit einem Lfter gekhlt werden.

IGBT-Modul
Lfter Drossel

Khlkrper

Strmungsrichtung der Luft

Abbildung 89: Anordnung zur forcierten Luftkhlung der Filterdrossel

105
Die Verluste der Sinusfilterdrossel sind hierbei gegenber den Verlusten des
Filterkondensators dominant, so dass vor allem die Drosseln einen Vorteil bei forcierter
Luftkhlung erfahren. Durch die forcierte Khlung knnen zwar nicht die Verluste der Drossel
reduziert werden, aber der Wrmewiderstand der Drossel kann reduziert werden. Zur
quantitativen Bewertung wurden zwei identische Drosseln in Reihe geschaltet, wobei eine
Drossel in einem forcierten Luftkanal liegt, whrend die zweite Drossel konvektionsgekhlt
ist. Beide Drosseln wurden anschlieend mit Gleichstrom beaufschlagt. Eine Messung unter
Last am Umrichter ist nicht erforderlich, da es fr den Wrmewiderstand unerheblich ist, ob
Eisenverluste oder Kupferverluste die Ursache der Erwrmung darstellen.

25

20

natrliche Khlung
15
delta T/[K]

10

5
forcierte Khlung

0
0 5 10 15 20 25 30
I/[A]

Abbildung 90: Temperaturerhhung bei natrlicher und forcierter Khlung der

Sinusfilterdrossel mit einem Volumenstrom von 0,022m3/s

Der Temperaturhub der Drossel steigt quadratisch mit dem Strom, da bei Gleichstrom nur
Kupferverluste anfallen. Aus Abbildung 90 ist ersichtlich, dass fr die Drossel im Luftkanal
die Temperaturerhhung auf 29% gesenkt werden kann.

Dieser Wert kann nun auf den Nennbetrieb umgerechnet werden. Die standardmige
Umgebungstemperatur betrgt 40C. Die maximal zulssige Drosseltemperatur hngt von
den verwendeten Materialien ab, begrenzend wirken hier i.a. die Kunststoffe, z.B.
Kabelisolierungen. Als typischer Wert kann 125C genannt werden. Somit ergibt sich eine
zulssige Temperaturerhhung an der Drossel von 85K. Nimmt man dies als Referenzwert
der konvektionsgekhlten Drossel, so knnte durch den Einsatz der forcierten Khlung der
Temperaturhub auf 25K reduziert werden.

Allerdings ist zu bercksichtigen, dass der Khlkrper, ber den der IGBT entwrmt wird, fr
eine Vorheizung der Khlluft fr die Drossel sorgt. Aus Messungen an einem
Demonstratoraufbau nach Abbildung 89, in dem die Drossel nicht bestromt wurde, wurde
eine Temperaturerhhung an der Drossel von 14K gemessen. Dieser Wert ist von dem
eingesparten Temperaturhub durch die forcierte Khlung abzuziehen. In Summe kann die
Temperaturerhhung gegenber der konvektionsgekhlten Drossel um 46K oder 54%
reduziert werden. Dieser Vorteil, dass der thermische Widerstand der Drossel mehr als
halbiert wird, kann fr eine Reduzierung der Baugre der Drossel verwendet werden, weil
neben der in Kap. 3.2.1. beschriebenen magnetischen Auslegung auch die thermische
Dimensionierung bercksichtigt werden muss.

106
Neben dem Vorteil fr die Sinusfilterdrossel ist jedoch zu bercksichtigen, dass durch den
zustzlichen Einbau der Drossel in den Khlkanal der Druckabfall ansteigt. Dies fhrt zu
einer Reduzierung der Frdermenge des Lfters und somit zu einem erhhten
Wrmewiderstand des Khlkrpers bzw. einem erhhten Halbleiterbedarf. Der Druckabfall
an der Drossel hngt stark von deren Gre, Bauform und Anordnung ab, weil ungnstige
Lsungen starke Verwirbelungen der Luft erzeugen knnen.

An einer Drosselanordnung aus Schalenkernen wurde die zustzliche Erwrmung der

Halbleiter ermittelt. Schalenkerne stellen aus strmungstechnischer Sicht aufgrund ihres
runden Querschnitts eine gnstige Lsungsvariante dar.

Strmungsrichtung der Luft

Khlkrper mit Drossel fr

Lfter
Khlrippen 3 Phasen

IGBT-
Modul

Temperatur-
messpunkt P = const

Abbildung 91: Versuchsaufbau zur Bestimmung der Rckwirkung der Sinusdrossel auf die
Halbleiterkhlung

In einem Versuchsaufbau nach Abbildung 91wurde ein IGBT-Modul auf einen Khlkrper
montiert, die IGBTs dauerhaft eingeschaltet und eine definierte Verlustleistung eingespeist.
Unter dem IGBT-Modul wurde die Khlkrpertemperatur mit einem Thermoelement
gemessen. Die Differenz der gemessenen Temperatur zur Umgebungstemperatur ergibt den
Temperaturhub, aus dem der effektive Wrmewiderstand der Anordnung berechnet werden
kann:

T
Rth = (89)
P

Dieser Versuch wurde mit folgenden Anordnungen durchgefhrt:

1) Drosseln aus dem Luftkanal entfernt (Referenzwert fr einen Aufbau ohne

integrierten Sinusfilter)
2) Drosseln im Luftkanal hinter dem Khlkrper wie in Abbildung 91
3) Drosseln zwischen Lfter und Khlkrper

Bei einer eingespeisten Verlustleistung von 470 W ergeben sich folgende

Temperaturerhhungen:

107
Anordnungen T/[K] T relativ

1 28.2 1.000
2 28.9 1.025
3 36.3 1.287

Tabelle 2: Temperaturerhhung bei unterschiedlichen Anordnungen

Durch die Einfhrung der Drosseln hinter den Khlkrper wird der thermische Widerstand
des Khlkrpers fr die Halbleitermodule nur um 2,5% verschlechtert. Werden die
Sinusfilterdrosseln zwischen Lfter und Khlkrper platziert, verschlechtert sich der
Khlkrper um 28%. Dieser Unterschied ist auf den ersten Blick erstaunlich, weil die
Druckabflle an Khlkrper und den Drosseln einer Reihenschaltung entsprechen, deren
Wirkung in Summe nicht von der Reihenfolge der Komponenten abhngen sollte. Die
Ursache fr den Unterschied liegt in den zustzlichen Verwirbelungen, die Drosseln
zwischen Lfter und Khlkrper bewirken und die die Anstrmung der Khlrippen
verschlechtert. Die Aufbauvariante 3 ist damit nicht vorteilhaft.

Die Reduzierung des thermischen Widerstandes der Sinusfilterdrosseln auf unter 30% bei
der Aufbauvariante 2 ist mit der Erhhung des thermischen Widerstandes des Khlkrpers
fr die Halbleitermodule um 2,5% bezglich seiner Auswirkungen auf Kosten und
Performance in Relation zu setzen. Der Demonstratorumrichter wurde in der Aufbauvariante
2 realisiert.

3.2.3 Rckwirkung des Ripplestroms auf die Halbleiterdimensionierung

Neben der Auswirkungen auf die Baugre der Filterdrossel nach Abbildung 85 besitzt der
Ripplestrom auch eine Rckwirkung auf die Dimensionierung der Leistungshalbleiter des
Wechselrichters. Diese Rckwirkung ist von hoher Bedeutung, da die Leistungshalbleiter des
Wechselrichters einen erheblichen Anteil an den Gesamtkosten des Umrichters verursachen
und somit mgliche Einsparungen am Drosselaufwand zunichte machen knnten.

3.2.3.1 Simulation der zustzlichen Halbleiterverluste

Da sich der Ripplestrom dem Grundschwingungsstrom berlagert, erhht er den Effektivwert

des Umrichterausgangsstroms. Im Gegensatz zu der einfachen Modellvorstellung aus
Abbildung 84, mit der eine Abschtzung der erforderlichen Induktivitt vorgenommen wurde,
besteht der tatschliche Ripplestrom aus einer Vielzahl von Frequenzanteilen, die mit den
hochfrequenten Frequenzanteilen der symmetrischen Ausgangspannung nach Abbildung 79
korrelieren. Eine einfache analytische Berechnung der zustzlichen Wechselrichterverluste
beispielsweise durch quadratische Addition der einzelnen Effektivwerte ist deshalb nicht
mglich. Aus diesem Grund wurde fr den Umrichter ein Simulationsmodell in Simplorer
aufgebaut, mit dem die Rckwirkungen des Ripplestroms auf die Wechselrichterverluste
abgeschtzt werden sollen. Dieses Simulationsmodell soll im Folgenden kurz vorgestellt
werden.

Die Art der Einspeiseschaltung des Simulationsmodells besitzt fr die Bewertung der
Rckwirkungen der Auslegung der Filterdrossel auf die Wechselrichterverluste nur einen
geringen Einfluss, soll hier aus Grnden der Vollstndigkeit jedoch trotzdem kurz erlutert
werden.

108
 R6
VM1
Wechselrichter I_Uout I_Umot
F3E Lu R9
Netz

+
A A V
Kondensato
R7 Motor
AM2 Lv U

AM3 U
R10
V
L1 A A L1 DCp V
L2 L2 DCn DCprein DCpraus DCprein W
L3 L3 DCnrein DCnraus DCnrein W
Masse
Lw R11 U_U2
+ + + U_V2 U_W2
V V V + + +
V V V
R8 AM1
L1 L2 L3 U_V1
+ A
+ +
V V V
C1 C2 C3
U_U1 U_W1

C1_IGBT
S1
C2_Diode

I1 I2
S2

Abbildung 92: bersichtsbild des Simulationsmodells

Die Netzeinspeisung des Simulationsmodells besteht aus einer dreiphasigen idealen

Spannungsquelle mit einer Amplitude von 690V. Dieser Spannungsquelle wird ein
Innenwiderstand in Reihe geschaltet, dessen Betrag 1% der Umrichternennimpedanz
Unenn/Inenn entspricht. Im Fall des Demonstratorumrichters betrgt die Strangspannung des
Umrichters 400V und sein Nennstrom 23A, so dass sich fr den Betrag der Netzimpedanz
ein Wert von 174m ergibt. Dieser Innenwiderstand wird bei einer Frequenz von 50Hz zu 2/3
induktiv und zu 1/3 ohmsch angenommen, wobei sich die Spannungsabflle an den
Impedanzanteilen geometrisch addieren.

Als Gleichrichter wird in dem Simulationsmodell eine aktive Schaltung verwendet, die in der
Literatur unter dem Begriff F3E (Fundamental Frequency Front End) [43] bekannt ist. Diese
Schaltung besteht aus einer dreiphasigen Brckenschaltung mit IGBTs und Freilaufdioden.
Die Ansteuerimpulse der IGBTs in dieser Brckenschaltung sind identisch zu den
Ansteuerpulsen, die eine Thyristorbrcke erhalten wrde, die immer im natrlichen
Zndzeitpunkt betrieben wird. Durch die IGBTs entsteht in dieser Schaltungstopologie der
zustzliche Freiheitsgrad, die Stromrichtung umzukehren und somit Energie von dem
Zwischenkreis in das Netz zurckzuspeisen.

Der Zwischenkreiskondensator des Umrichters besteht aus einem Kondensator, der im

Vergleich zu konventionellen Spannungszwischenkreisumrichtern um etwa den Faktor 100
reduziert ist. Die Gleichspannung am Zwischenkreiskondensator folgt aufgrund des aktiven
Gleichrichters immer der hchsten verketteten Eingangsspannung und zeigt somit einen
charakteristischen Frequenzanteil, der dem sechsfachen der Frequenz der
Eingangsspannung entspricht. Aufgrund dieses Wechselspannungsanteils wird der
Zwischenkreiskondensator blicherweise als Folienkondensator ausgefhrt. Auf der
Netzseite besitzt die Einspeiseschaltung einen dreiphasigen kapazitiven Filter, der die
erforderlichen Kommutierungspfade fr den Wechselrichter bereitstellt und schaltfrequente
Stromanteile vom Netz fernhlt. Diesem Filterkondensator ist ein Widerstand in Reihe
geschaltet, der mgliche Schwingungen mit der Induktivitt des Netzes bedmpfen soll.

Der Wechselrichter besteht aus einer dreiphasigen IGBT-Brcke mit Freilaufdioden. Der
Steuersatz des Wechselrichters arbeitet mit dem Unterschwingungsverfahren der Sinus-
Dreieck-Modulation [80]. Auf Optimierungen des Steuersatzes wurde verzichtet, weil dessen
Einfluss auf den relativen Vergleich der Wechselrichterverluste bei unterschiedlicher
Drosselauslegung vernachlssigt wurde. Lediglich die Kompensation des Spannungsripples
mit der sechsfachen Netzfrequenz wurde bercksichtigt. Fr die IGBTs und die
Freilaufdioden wurden einfache Halbleitermodelle verwendet. Dabei werden die Halbleiter in

109
Durchlassrichtung mit einer Spannungsquelle und einem Bahnwiderstand und in
Sperrrichtung mit einem Sperrwiderstand charakterisiert.

Der Sinusfilter wird als symmetrische Anordnung aus Induktivitten und Kondensatoren
simuliert. Zustzlich wird in Reihe zu der Induktivitt ein Widerstand eingefgt. Dieser
Widerstand kann die Kupferverluste der Induktivitt nachbilden. Parallel zur Induktivitt wird
ein weiterer Widerstand eingefgt, mit dem die Eisenverluste der Induktivitt modelliert
werden knnen. Da Verluste in der Filterdrossel fr die zustzliche Belastung der Halbleiter
irrelevant sind, werden sie in dieser Simulation vernachlssigt.

Der Motor als Last wird als dreiphasige Stromquelle nachgebildet. Dieses Modell besitzt im
Vergleich zu einem Motormodell den Vorteil, dass es wesentlich weniger Rechenzeit bentigt
und keine Anlaufvorgnge gerechnet werden mssen, bevor die Auswertung der
Halbleiterverluste im eingeschwungenen Zustand betrachtet werden kann.

Die Verlustberechnungen erfolgen in separaten Schaltkreisen fr IGBT und Diode. Die

Verluste werden als Eingangsgre fr eine gesteuerte Stromquelle verwendet, die einen
Kondensator aufldt. Mit dieser Schaltung wird eine Aufsummierung aller Verluste ber
einen betrachteten Zeitraum erreicht, so dass der Endwert der Kondensatorspannung
proportional zu der im Intervall anfallenden Verlustenergie ist.

Die als Eingangsgre der Stromquelle verwendeten Verluste bestehen aus der Summe der
Durchlassverluste und der Schaltverluste. Die Durchlassverluste fallen als zeitkontinuierliche
Gre an den Halbleitern entsprechend der eingegebenen linearisierten Kennlinien an und
knnen unmittelbar in die Stromquelle eingespeist werden.

Die Schaltverlustenergie fllt hingegen als diskrete Gre zum jeweiligen Schaltzeitpunkt an.
Wird eine Schalthandlung festgestellt, so werden den Halbleitern in Abhngigkeit des
Wechselrichterausgangsstromes Schaltverluste zugeordnet. Die Hhe der
Schaltverlustenergie, die bei einem entsprechenden Wechselrichterausgangsstrom anfllt,
wurde zuvor in Doppelpulsversuchen gemessen. Sie entsprechen den
Verlustenergiekennlinien aus Abbildung 53.

Abhngig von der Stromrichtung des Ausgangsstromes und von der Polaritt der
Schaltflanke des Ansteuersignals der IGBTs werden die Schaltverluste den einzelnen
Halbleiterbauelementen zugeordnet. Hierbei gilt bei folgender Notation der Stromrichtung fr
die Bauelemente:

T1 D1
CZK
positive IA
UZK Schaltflanke

T2 D2

Abbildung 93: Halbbrcke des Wechselrichters

110

positive Schaltflanke
negative Schaltflanke
IA>0
Einschaltverluste T1
Ausschaltverluste D2
Ausschaltverluste T1
Einschaltverluste D2
IA<0
Einschaltverluste D1
Ausschaltverluste T2
Ausschaltverluste D1
Einschaltverluste T2

Tabelle 3: Zuordnung der Schaltverluste zu den Halbleitern

Als positive Schaltflanke wird hierbei der Wechsel des AC-Anschlusses von dem negativen
zum positiven Zwischenkreispotenzial definiert.

Die Einschaltverluste der Dioden werden i.a. zu null angenommen (vgl. Kap. 2.2.2.6). Bei der
Verwendung von SiC-Schottkydioden als Freilaufdioden wird deren Ausschaltverlustenergie
nach den Ergebnissen aus Kap. 2.2.2.5 unabhngig vom Laststrom, jedoch abhngig von
der verwendeten Diodenflche bercksichtigt.

Mit der Simulation sollen die Halbleiterverluste in Abhngigkeit von dem gewhlten
Ripplestrom bzw. der bezogenen Induktivitt ermittelt werden. Allerdings sind fr eine
Simulation die Vorgaben fester Gren, z.B. der Schaltfrequenz erforderlich, so dass die
Simulationsergebnisse zunchst nur fr diese Schaltfrequenz gltig sind. Im vorliegenden
Fall wurde eine Schaltfrequenz von 16kHz verwendet. Direkt bertragbar auf andere
Schaltfrequenzen wren die Ergebnisse dann, wenn die Abhngigkeit der Durchlassverluste
und der Schaltverluste vom Ripplestrom identisch wre. Da im vorliegenden Fall
insbesondere der Halbleiteraufwand fr die SiC-Schottkydiode im Vordergrund steht, die nur
vernachlssigbare Schaltverluste verursacht, kann das Ergebnis auch auf andere
Schaltfrequenzen bertragen werden.

Mit geringerer Filterinduktivitt steigt der Ripplestrom im Filter an. Deshalb steigen auch die
Verluste in den Halbleitern. Fr den Einsatz von SiC-Freilaufdioden ist die Abhngigkeit der
Verluste der Halbleiterbauelemente von der Filterinduktivitt dargestellt:

120
115
110
105
100
95
90
85
P/[%]

80
75
70
65 IGBT
60
55
SiC-Diode
50
45
40
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

L/Lref
Abbildung 94: Halbleiterverluste in Abhngigkeit der Filterinduktivitt

111
Aus Abbildung 94 ist zu erkennen, dass die Verluste der Leistungshalbleiter mit steigender
Filterinduktivitt beachtlich abnehmen. Der durch den Sinusfilter zustzlich hervorgerufene
Ripplestrom trgt bei kleiner Filterinduktivitt stark zu den Halbleiterverlusten bei. Bei groer
Filterinduktivitt endet dieser Effekt in einem Grenzwert, weil dann der Filterstrom gegenber
dem Grundschwingungsstrom unbedeutend wird.

Die Abszisse aus Abbildung 94 ist identisch zu der Abszisse in Abbildung 85 zu verstehen.
Der Wert 1 bezeichnet eine Filterdrossel, die zu einem Ripplestrom fhrt, dessen
Scheitelwert identisch dem Scheitelwert der Grundschwingung des Laststroms ist. Diese
Filterdrossel besitzt den minimalen Energiegehalt und lsst somit den geringsten
Kostenaufwand fr die Drossel erwarten. Auf die Halbleiterverluste bei dieser
Filterinduktivitt sind die Werte der Ordinate bezogen. Ausgehend von diesem
Auslegungspunkt knnen die Halbleiterverluste jedoch fr den IGBT und die SiC-
Schottkydiode durch Reduzierung des Ripplestroms noch auf ca. 55% abgesenkt werden.
Damit knnen die Halbleiterflchen und somit die Kosten fr die Halbleiter gesenkt werden.

3.2.3.2 Ermittlung des kostenoptimalen Ripplestromes

Letztendlich ist fr die Wahl des optimalen Ripplestromes die Summe der Kosten fr
Halbleiter und Drossel entscheidend. Ein solches Optimum kann aus Abbildung 85 und
Abbildung 94 abgeleitet werden.

Bezeichnet man in Abbildung 85 die Drosselkosten bei der Referenzinduktivitt Lref mit KDref
und geht man davon aus, dass sich die Kosten der Drossel gem deren Energieinhalt
ndern, so gilt fr die Kosten der Drossel als Funktion der Induktivitt nach Abbildung 85 und
Gl. (81):

2
L L
1 + ref
Lref L (90)
KD( L) = KDref
4

Fr die Halbleiterkosten kann ein hnlicher Ansatz gewhlt werden, indem die Verlustkurven
aus Abbildung 94 durch eine analytische Funktion angenhert werden. Um daraus eine
erforderliche Halbleiterflche zu berechnen, sind im Prinzip thermische Simulationen
vergleichbar zu Kap. 2.3.3 erforderlich. Fr eine grobe Abschtzung knnen jedoch folgende
grundstzliche berlegungen herangezogen werden:

Schaltverluste sind in erster Nhrung unabhngig von der Halbleiterflche.

Tendenziell nehmen sie mit steigender Halbleiterflche leicht zu, weil die im IGBT
gespeicherte Ladung mit der Halbleiterflche ansteigt (vgl. Kap. 2.3.3) und somit der
Verlustanteil zunimmt, der durch Speicherladungen verursacht wird. Fr die SiC-
Schottkydiode sind sowohl die Schaltverluste als auch deren Abhngigkeit von der
Halbleiterflche sehr gering (vgl. Kap. 2.2.2.5).
Durchlassverluste aufgrund von Schwellenspannungen sind unabhngig von der
Halbleiterflche.
Durchlassverluste aufgrund des ohmschen Anteils der Durchlasskennlinie nehmen
mit steigender Halbleiterflche linear ab, weil der ohmsche Widerstand linear
abnimmt.

In Summe kann aus diesen berlegungen stark vereinfacht abgeleitet werden, dass die
Verluste in erster Nherung unabhngig von der Halbleiterflche sind. Damit ist der
Halbleiteraufwand den Verlusten proportional, um den Temperaturhub am Halbleiter

112
konstant zu halten. Bezeichnet man die Halbleiterkosten KH bei der Induktivitt Lref als KHref,
so gilt gem der Ausgleichskurve aus Abbildung 94:

45
55 +
L 2
( )
L

ref (91)
KH ( L) = KH ref
100

Die Ausgleichskurve fr die Hableiter wurde strker an die Verlustkurve der SiC-Diode als an
den Si-IGBT angepasst, weil die SiC-Diode fr die Kosten des Moduls dominant ist.

Fr die Gesamtkosten gilt somit:

45
L Lref
2
55 + L 2
1 + ( )
Lref L Lref (92)
Kges = KD + KH = KDref + KH ref
4 100

Das Minimum aus Gl. (92) liefert den kostenoptimalen auf die Referenzinduktivitt
bezogenen Induktivittswert. Aus Abbildung 85 kann daraus der kostenoptimale Ripplestrom
abgelesen werden. Das Ergebnis hngt von dem Verhltnis von Drossel- und
Halbleiterkosten bei dem Referenzwert ab, wobei grundstzlich bei steigender Induktivitt die
Drosselkosten und bei geringen Induktivittswerten die Halbleiterkosten dominieren. Fr
unterschiedliche Verhltnisse von KHref/KDref = 1, 10 und 100 knnen dann die normierten
Kosten aufgetragen werden:

3
3

2.5

Kges1
L

Kges10 2
L

Kges100
L

1.5

0.8
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0.1 L 15
Lref

Abbildung 95: Normierte Gesamtkosten fr Drossel und Halbleiter

Aus Abbildung 95 ist zu erkennen, dass bei Kostengleichheit von Drossel und Halbleiter (rote
Kurve) im Referenzpunkt das Optimum knapp unterhalb der doppelten Referenzinduktivitt

113
liegt. Mit zunehmendem Gewicht des Halbleiteraufwands verndert sich das Optimum zu
hheren Induktivittswerten. Bei der Bewertung der Kostenverhltnisse im Referenzpunkt sei
daran erinnert, dass dieser fr den Drosselaufwand das Optimum darstellt, whrend die
Halbleiter in diesem Punkt stark berdimensioniert sind.
L
Fr den Demonstrator wurde eine Drosselauslegung mit = 7 gewhlt. Fr den
Lref
Ripplestrom geht aus Abbildung 85 damit hervor, dass sein Scheitelwert ca. 15% des
Scheitelwertes des Grundschwingungsstromes betrgt.

3.2.4 Auswahl der Schaltfrequenz

Nach der Festlegung auf einen gewnschten Ripplestrom kann die erforderliche Induktivitt
der Filterdrossel nach Gl. (85) in Abhngigkeit von der Dauer der Modulationsperiode
bestimmt werden. Die Modulationsperiode bzw. Schaltfrequenz kann frei eingestellt werden.

Die Auswirkungen der Schaltfrequenz auf den Flchenbedarf der Leistungshalbleiter wurde
in Kapitel 2.3 bereits ausfhrlich diskutiert. Mit zunehmender Schaltfrequenz steigt der
Halbleiterbedarf an, wobei dieser Anstieg beim Einsatz von SiC-Bauelementen deutlich
geringer ausfllt als bei Si-Bauelementen.

Der umgekehrte Effekt stellt sich bei dem Aufwand fr die Filterdrossel dar, weil nach Gl.
(85) bei konstantem Ripplestrom die erforderliche Induktivitt mit dem Kehrwert der
Schaltfrequenz abnimmt. Gem Gl. (80) sollten somit auch das Volumen und die Kosten fr
die Filterdrossel umgekehrt proportional zu der Schaltfrequenz sein. Dies ist jedoch in der
einfachen Form nicht der Fall. Die wesentlichen Grnde hierfr sind:

a) Mit steigender Frequenz nehmen bei konstantem Ripplestrom und unverndertem

Kernmaterial die Kernverluste der Drossel zu (Hystereseverluste linear mit der
Frequenz, Wirbelstromverluste quadratisch zur Frequenz). Erhhte Verluste erfordern
jedoch eine vergrerte Oberflche zur Khlung und damit ein vergrertes Volumen
und erhhte Kosten. Deshalb mssen mit erhhter Frequenz andere Kernmaterialien
eingesetzt werden, die geringere Kernverluste verursachen. Der Nachteil dieser HF-
tauglichen Kernmaterialien besteht darin, dass sie nur eine geringere Flussdichte
erlauben ([32], [94]), was sich in Gl. (80) niederschlgt. Ein Vergleich verschiedener
Kernmaterialien bzgl. typischer Betriebsfrequenz und Sttigungsflussdichte ist in
Tabelle 4 dargestellt.

Material Typ. Sttigungsflussdichte/[T] Typ. Betriebsfrequenz/[kHz]

Blech 1,7 0-6

Eisenpulver 1,2 0 - 60
Ferrit 0,4 > 60

Tabelle 4: Vergleich unterschiedlicher Kernmaterialien bzgl. ihrer Sttigungsflussdichte und

typ. Betriebsfrequenz

b) Der Umrichter mit sinusfrmiger Ausgangsspannung soll in einem Leistungsbereich

von 3KW bis 55kW realisierbar sein. Insbesondere fr die hohe Leistung existieren
aber heute keine Standardkerne mit HF-optimierten Materialien, mit denen Drosseln
hergestellt werden knnen. Fr diese Lsungen mssen Kerne verwendet werden,
die nur in sehr geringer Stckzahl existieren und deshalb hohe Kosten verursachen.

114
Letztendlich ist es erforderlich, verschiedene Drosselvarianten miteinander zu vergleichen
und daraus ein Gesamtoptimum unter Bercksichtigung des Halbleiteraufwands abzuleiten.
Zu diesem Zweck wurden verschiedene Drosseln verschiedener Hersteller einem Test in
einem 2-Quadranten-Steller unterzogen. Das Schaltbild und der zugehrige Stromverlauf
sind in Abbildung 35 und in Abbildung 36 bereits erlutert worden. Die Drosseln sind
abhngig von dem jeweiligen Kernmaterial fr unterschiedliche Schaltfrequenzen ausgelegt.
Als Scheitelwert des Ripplestroms wurde ein Wert von 15% der Amplitude des
Grundschwingungsstromes eingestellt. Die zulssige Drosselerwrmung betrug bei dem
Test 40K bei forcierter Khlung. Aus Grnden der Vergleichbarkeit wurde diese Grenze fr
alle Versuche unabhngig von der Curie-Temperatur des Kernmaterials beibehalten.

Als Ergebnis dieses Tests ergibt sich fr alle Drosseln eine maximale Stromtragfhigkeit.
Anhand von Beobachtungen des Stromverlaufs auf dem Oszilloskop kann sichergestellt
werden, dass keine unzulssigen Sttigungseffekte in der Drossel auftreten. Das Volumen
der einzelnen Drosseln, umgerechnet auf eine dreiphasige Lsung, ist in Abbildung 96
dargestellt:

Blech
2.5 (4kHz)

2
Volumen/[dm 3]

Ferrit
1.5 (64kHz)

1 KoolM
(64kHz)

0.5
Eisenpulver
(16kHz)
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
IMotor/[A]

Abbildung 96: Drosselvolumen als Funktion des Motorstromes bei unterschiedlicher

Schaltfrequenz

Die Datenbasis fr Abbildung 96 bilden reale Drosselauslegungen unter Verwendung heute

verfgbarer Kern- und Drosselbauformen. Die einzelnen Datenwerte sind in den Kurven
hervorgehoben und durch lineare Interpolation miteinander verbunden. Die Kopplung an real
existierende Kernbauformen erklren die Unstetigkeiten in den gezeigten Kurven, die auch
bei der realen Definition einer Umrichterreihe auftreten.

Die Verwendung geblechter Eisenkerne ist heute bei Sinusfiltern fr Umrichter Stand der
Technik. Sie sind allgemein verfgbar. Das hierfr erforderliche Volumen ist in Abhngigkeit
des Motorstromes in Abbildung 96 dargestellt und kann als Referenzkurve verwendet
werden. Die Auslegung gilt fr eine Schaltfrequenz von 4kHz, die fr Umrichter am 400V-
Netz standardmig heute verwendet wird. Fr Umrichter am 690V-Netz stellt sie bereits
eine erhhte Schaltfrequenz dar, weil diese i.a. mit einer Schaltfrequenz von 2kHz betrieben
werden. Bei 2kHz wrde das erforderliche Drosselvolumen noch weiter ansteigen, weil bei
gleichem Ripplestrom die Induktivitt vergrert werden msste.

115
Erhht man die Schaltfrequenz auf 16kHz, so sind geblechte Eisenkerne aufgrund der hohen
Eisenverluste nicht mehr einsetzbar. In diesem Frequenzbereich knnen Drosseln aus
Eisenpulver eingesetzt werden [4]. Kerne aus Eisenpulver werden in einem Sinterprozess
hergestellt und bestehen aus einem Verbund kleiner ferromagnetischer Partikel und einem
nicht ferromagnetischen Bindemittel. Statt eines ausgeprgten Luftspaltes besitzen diese
Materialien einen verteilten Luftspalt, der aus den Zwischenrumen zwischen den
ferromagnetischen Teilchen besteht. Der Luftspalt ist erforderlich, um eine Sttigung des
Kernmaterials zu verhindern. Die Luftspaltverluste sind bei verteiltem Luftspalt kleiner als bei
konzentriertem Luftspalt, weil bei einem konzentrierten Luftspalt Streufeldlinien in die
Wicklung der Drossel eindringen und dort Wirbelstromverluste verursachen.

Mit der Verwendung des Eisenpulverkernes kann die Baugre der Drossel im Vergleich zu
dem geblechten Kern etwa um den Faktor 4 reduziert werden. Dies entspricht dem
Verhltnis, in dem die Schaltfrequenz erhht wurde. Die Induktivitt der Drossel mit dem
Eisenpulverkern ist um den Faktor 4 gegenber dem Blechkern reduziert, so dass in beiden
Drosseln etwa der gleiche Ripplestrom zu erwarten ist.

Fr sehr kleine Leistungen im Bereich unter 5kW fllt die Volumenreduzierung geringer als
der Faktor 4 aus, es ist nur ein Faktor 2 zu beobachten. Ursache hierfr ist die Tatsache,
dass die Eisenpulverkerne heute standardmig in hohen Stckzahlen fr aktive
Netzstromrichter verwendet werden, die ebenfalls mit einer Schaltfrequenz zwischen 8kHz
und 12kHz verwendet werden. Diese aktiven Netzstromrichter werden mit einer Leistung von
10kW und hher hergestellt. Fr Leistungen unter 5kW existieren deshalb keine optimierten
Kernformen, so dass die Vorteile in diesem Leistungsbereich nicht vollstndig ausgenutzt
werden knnen.

Bei einer weiteren Erhhung der Schaltfrequenz des Umrichters auf 64kHz sind auch
Eisenpulverkerne aufgrund der Kernverluste nicht mehr vorteilhaft. In diesem Fall bietet der
Einsatz von KoolM oder Ferrit die beste Performance [132]. KoolM ist ebenfalls ein
Pulverkernmaterial aus einer Al, Si und Fe-Legierung und zeigt gegenber herkmmlichem
Eisenpulver reduzierte Kernverluste. Fr Ferrit ist eine Schaltfrequenz von 64kHz die untere
Grenze des vorteilhaften Einsatzbereiches, das Material bietet vor allem fr noch hhere
Schaltfrequenzen Vorteile.

Aus Abbildung 96 ist ersichtlich, dass der bergang von 16kHz auf 64kHz keinen besonders
groen Vorteil bei der Volumenreduzierung der Drosseln bietet. Vorteile ergeben sich im
Besonderen bei sehr kleinen Leistungen. Auch hier ist die Ursache, dass im
Leistungsbereich vieler Kilowatt keine optimierten Kernformen aus Ferrit oder KoolM
existieren. Die Drosseln mssen in diesem Bereich aus Kernbausteinen in U-Form oder I-
Form zusammengesetzt werden. Bezglich der Kosten sind diese Drosseln nicht attraktiv,
weil sie keine kostengnstigen Standardkerne verwenden knnen. Bei kleiner Leistung
existieren Standardkerne aus Ferrit oder KoolM, dort ergibt sich ein Vorteil gegenber
standardmigem Eisenpulver. Allerdings ist zu bercksichtigen, dass bei der hohen
Schaltfrequenz die Halbleiterverluste deutlich zunehmen (s. Abbildung 56 und Abbildung 58).

Bei Betrachtung des gesamten Leistungsbereiches ergibt sich fr das 690V-

Umrichterleistungsteil ein Optimum in dem Aufwand fr Sinusfilterdrossel und
Leistungshalbleiter bei einer Schaltfrequenz von 16kHz. Fr den Demonstratorumrichter mit
einer Leistung von 18,5kW ergibt sich fr die Filterdrossel ein Induktivittswert von 0,7mH.

Neben dem Kostenoptimum als Auslegungskriterium existiert noch eine weitere Motivation,
die Induktivitt der Sinusfilterdrossel mglichst klein zu whlen. Neben dem Ripplestrom, der
durch die Sinusfilterdrossel begrenzt werden soll, erzeugt auch der Grundschwingungsstrom
einen Spannungsabfall an der Drossel. Zwar ist dieser aufgrund seiner niedrigen Frequenz
so gering, dass er in Kap. 3.1 fr die Beschreibung der Ausgangsspannungen in erster

116
Nherung vernachlssigt wurde. Fr die Gesamtperformance eines Umrichters spielt er
dennoch eine Rolle, weil die an der Drossel abfallende grundfrequente Spannung vektoriell
von der Grundschwingung der Umrichtrausgangsspannung zu subtrahieren ist und somit am
Motor nicht zur Verfgung steht, wie aus dem Ersatzschaltbild in Abbildung 80 zu erkennen
ist. Da ein Motor fr den Betrieb an der vollen Hhe der Netzspannung ausgelegt ist, kann
seine Leistungsfhigkeit bei reduzierter Spannung nicht vollstndig genutzt werden. Dieser
Effekt nimmt linear mit der Induktivitt der Sinusfilterdrossel zu. Da die Induktivitt der
Drossel wiederum gem Gl. (85) umgekehrt proportional zur Schaltfrequenz ist, ist auch der
grundfrequente Spannungsabfall an der Sinusfilterdrossel umgekehrt proportional zur
Schaltfrequenz. Der Motor kann bei einem Sinusfilter fr hohe Schaltfrequenz in seiner
Leistung besser ausgenutzt werden.

3.3 Auslegung Kondensator

3.3.1 Dimensionierung der Filtereckfrequenz

Ist die Induktivitt der Sinusfilterdrossel festgelegt, so kann durch die Wahl der Filterkapazitt
die Eckfrequenz des Sinusfilters festgelegt werden. Obere Begrenzung der Eckfrequenz ist
hierbei in der Motorspannung die zulssige Amplitude der Spannungsanteile mit
Schaltfrequenz und deren Vielfachen. Bei der in Abbildung 76 dargestellten Topologie des
symmetrischen LC-Sinusfilters mit Drossel und Kondensator ist die Spannung an einem
Filterkondensator identisch zu der Strangspannung am Motor. Der Betrag der
bertragungsfunktion des ungedmpften Sinusfilters zwischen Kondensatorspannung und
symmetrischer Wechselrichterausgangsspannung berechnet sich mit dem Ersatzschaltbild
aus Abbildung 82 zu:

U CW ( ) 1
G ( ) = = (93)
U WD ( ) 1 2 LC

mit der Resonanzfrequenz

1
res = (94)
LC

Soll bei einer bestimmten Frequenz 1 eine definierte Amplitude G(1) <1 erreicht werden,
so kann daraus die minimal erforderliche Resonanzfrequenz des Filters errechnet werden.
Als Bedingung fr die Auswahl der Resonanzfrequenz gilt somit:

G ( )
res 1 (95)
1 + G ( )

Fr den 690V-Demonstratorumrichter soll beispielsweise festgelegt werden, dass die

Spannungsamplitude bei der Schaltfrequenz von 16kHz kleiner 2,5% der
Zwischenkreisspannung sein soll. Aus Abbildung 79 ist ersichtlich, dass die Seitenbnder
der Schaltfrequenz in der symmetrischen Ausgangsspannung maximal 11% der
Zwischenkreisspannung betragen knnen. Die bertragungsfunktion G(w) des Filters muss
somit bei dieser Frequenz etwa einen Faktor 4 - 5 an Reduzierung der Amplitude bewirken.
Nach Gl. (95) kann somit eine erforderliche Resonanzfrequenz von ca. 6,3kHz berechnet
werden.

117
 100
20
Grundfrequenz Schaltfrequenz

10

Betrag 1
Frequenz

0.1

0.01 0.01
3 4 5
100 1 .10 1 .10 1 .10
100 Frequenz 5
1 .10

Abbildung 97: bertragungsfunktion des ungedmpften Filters fr den Demonstrator

Die erforderliche Reduzierung der schaltfrequenten Spannungsanteile liefert die obere

Grenze der zulssigen Filterresonanzfrequenz. Die untere zulssige Grenze ergibt sich aus
der Forderung mglichst kleiner und somit kostengnstiger Bauteile, so dass sich eine reale
Filterauslegung an der oberen zulssigen Grenzfrequenz orientieren wird. Darber hinaus ist
darauf zu achten, dass durch eine niedrige Filtereckfrequenz eine Filteranregung durch die
Grundschwingung und deren Harmonische (5., 7., 11., 13.) mglich ist. Deshalb ist von der
maximal zulssigen Grundschwingungsfrequenz ein Abstand einzuhalten, der eine
Filteranregung ausschliet. Im Fall des Demonstratorumrichters betrgt die maximal
zulssige Umrichterausgangsfrequenz 200Hz.

Fr den Demonstratorumrichter wurde bei einer Ausgangsleistung von 18,5kW und einer
Filterdrossel von 0,7mH eine Filterkapazitt von 1F in Sternschaltung berechnet. Mit diesen
Werten ergibt sich eine Resonanzfrequenz von ca. 6kHz. Fr den Umrichter ergeben sich
damit am Wechselrichterausgang und am Umrichterausgang folgende Spannungen:

Filterausgangsspannung
Filtereingangsspannung

kV
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
0 5 10 15 20 25 30 35 40
ms
Abbildung 98: Verkettete Spannung am Wechselrichterausgang (magenta) und am
Filterausgang (blau) bei Ausgangsfrequenz 50Hz, 100% Aussteuerung, leerlaufender Umrichter

118
Optisch ist die Filterung der Ausgangsspannung gut zu erkennen. In der gepulsten
Spannung ist im Maximum der Grundschwingungsamplitude bereits ein Bereich zu
erkennen, in dem Pulse aufgrund von Mindestzeiten nicht realisiert werden knnen. Der
Umrichter befindet sich dabei im bersteuerungsbereich, weil die Zwischenkreisspannung
mit dem charakteristischen 300Hz-Ripple der F3E-Gleichrichterschaltung nicht mehr zu
jedem Zeitpunkt die erforderliche Spannung zur Verfgung stellen kann. Durch diesen
Zustand werden zustzliche Oberschwingungen erzeugt. Der Betriebspunkt wurde trotzdem
als auslegungsrelevant ausgewhlt, weil nach Abbildung 79 bei der Aussteuerung von 100%
die hchsten Frequenzanteile bei den Seitenbndern der Schaltfrequenz zu erwarten sind.
Die zustzlichen Oberschwingungen durch die bersteuerung knnen fr den Filter nur eine
zustzliche Anregung darstellen, so dass der betrachtete Arbeitspunkt einen worst case
darstellt.

Zur detaillierten Bewertung der Filtereigenschaften werden die Spektren der beiden
Spannungen vor und nach dem Sinusfilter verglichen:
Fil.b WR.b

V
1103

1102

1101

1100

110-1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
kHz

Abbildung 99: Spektrum der gepulsten (magenta) und der gefilterten (blau) verketteten
Ausgangsspannung (Scheitelwerte), 50Hz, 100% Aussteuerung, leerlaufender Umrichter

Wie zu erwarten, nehmen die Spektralanteile der Seitenbnder mit hheren Vielfachen der
Schaltfrequenz ab. Da die Amplitudenreduzierung des Filters mit steigender Frequenz um
theoretisch 40dB pro Dekade zunimmt, ist der Frequenzanteil der Seitenbnder der
einfachen Schaltfrequenz in der Ausgangsspannung als Oberschwingung dominant. Die
Amplitude der Seitenbnder der einfachen Schaltfrequenz betrgt ca. 175V.In Abbildung 79

119
wurden 11% der Zwischenkreisspannung als Amplitude der Phasenspannung errechnet. In
Abbildung 99 ist die verkettete Spannung dargestellt, bei einer Zwischenkreisspannung von
1000V ist deshalb mit einer Amplitude von 190V zu rechnen, was leicht ber der
gemessenen Spannung liegt. In der gefilterten Ausgangsspannung verbleibt ein
Spektralanteil von ca. 34V. Damit erreicht der Filter auch in der Messung den Faktor 5 in der
Abschwchung der Spektralanteile, der sich aus Abbildung 97 rechnerisch ergibt.

3.3.2 Dmpfung des Filters

3.3.2.1 Bestimmung der existierenden Dmpfung

Bei der Resonanzfrequenz besitzt die ungedmpfte bertragungsfunktion des Filters eine
unendlich hohe Verstrkung. Da in der Realitt kleine Anregungen bei der Filterresonanz
nicht vollstndig ausgeschlossen werden knnen, ist eine zu definierende Dmpfung des
Filters erforderlich.

Da der Filter aus realen Bauteilen besteht, ist die unendlich hohe Verstrkung bei der
Resonanzfrequenz des Filters nicht gegeben. Um die bestehende Verstrkung des Filters
bei Resonanzfrequenz zu ermitteln, wurde zunchst die anregende Spannungsamplitude bei
der Resonanzfrequenz des Filters durch eine Frequenzanalyse der gepulsten
Wechselrichterausgangsspannung gemessen und anschlieend mit dem Spektralanteil in
der Filterausgangsspannung verglichen.

Fil.b WR.b

V
1103

1102

1101

1100

110-1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
kHz
Abbildung 100: Spektrum der gemessenen Wechselrichterausgangsspannung (magenta) und
der Filterausgangsspannung (blau) bei 50Hz Ausgangsfrequenz und leerlaufendem Umrichter

120
Bei der Filterresonanzfrequenz von ca. 6kHz betrgt die anregende Amplitude etwa 0,8V. In
der Filterausfhrung als reine LC-Kombination mit realen Bauelementen ergibt sich in der
Filterausgangsspannung bei der Resonanzfrequenz eine Amplitude von ca. 5V. Die
Verstrkung bei der Resonanzberhhung betrgt somit etwa den Faktor 6. Dies wird fr
den Demonstrator als unkritisch betrachtet, so dass auf den Einsatz expliziter
Dmpfungselemente verzichtet wird.

Die Dmpfungseigenschaften des Filters werden zum berwiegenden Teil durch die Verluste
in der Filterdrossel bewirkt.

3.3.2.2 Bestimmung der frequenzabhngigen Drosselverluste

Somit existieren fr die Dmpfung des Filters frequenzunabhngige Kupferverluste und

frequenzabhngige Hysterese- und Wirbelstromverluste. Durch zwei Messungen knnen
diese Verlustanteile bestimmt werden:

In einem ersten Versuch wird die Filterdrossel mit einem Gleichstrom aus einem Netzgert
bestromt. Dieser Versuch bildet den Verlustanteil in der Drossel nach, der durch den
grundfrequenten Motorstrom hervorgerufen wird. Dabei wird angenommen, dass dessen
Grundfrequenz so gering ist, dass sie nahezu keine Eisenverluste verursacht und somit der
grundfrequente Strom durch einen Gleichstrom ersetzt werden kann. Im Fall des 18,5kW
Demonstratorumrichters fhrt der DC-Umrichternennstrom von I1=23A zu einer
Temperaturerhhung der Filterdrossel von T1= 7,1K. Die Drosseln befinden sich bei diesem
Versuch im Originaleinbauplatz im Umrichter und werden mit forcierter Luftkhlung identisch
zum Umrichterbetrieb gekhlt.

In einem zweiten Versuch wird der Umrichter bei maximaler Aussteuerung und Nennlast
betrieben. In diesem Fall stellt sich ein Filterdrosselstrom von ca. I2=23,8A ein. Bei diesem
Versuch ergibt sich eine Temperaturerhhung von 63,8K. Hierbei ist zu bercksichtigen,
dass die Vorwrmung der Khlluft aufgrund der taktenden IGBTs gem Kap. 3.2.2.4 14K
betrgt, so dass die effektive Temperaturerhhung T2= 49,8k betrgt.

Die Temperaturerhhung aufgrund von Kupferverlusten kann in diesem zweiten Versuch bei
Vernachlssigung des Skineffektes aus einem Vergleich mit dem Gleichstromversuch
berechnet werden kann:

2
I
T2CU = T1 2 (96)
I1

Fr die durch Kupferverluste bedingte Temperaturerhhung aus dem zweiten Versuch ergibt
sich ein Wert von 7,6K. In Summe ergeben sich somit Kupferverluste von ca. 13% und
Eisenverluste von ca. 87%. Die Dmpfung in der bertragungscharakteristik wird im Fall des
Demonstrators somit vorwiegend ber Kernverluste der Drossel erzeugt. Aus Messungen
des thermischen Widerstandes der Sinusfilterdrossel ergibt sich fr den Demonstrator aus
der gemessenen Temperaturerhhung eine Verlustleistung von 33W pro Drossel bei
Nennstrom.

121
3.3.2.3 Auswirkungen der Dmpfung und des Motors auf die
bertragungscharakteristik

Um die vorwiegend aus Hysterese- und Wirbelstromverlusten bestehende Dmpfung im

elektrischen Ersatzschaltbild des Filters nachzubilden, wird deshalb ein Ersatzwiderstand
parallel zu der Filterdrossel eingefhrt. Die Der Betrag der bertragungsfunktion betrgt nun
unter Bercksichtigung dieser Dmpfung:

1
G d ( ) = (97)
LF RFe C F
2
1
RFe + jLF

Bei den verwendeten Bauteilen fr den Demonstrator mit einer Induktivitt von 0,7mH und
einer Filterkapazitt von 1F wird fr die Realisierung der gemessenen Begrenzung der
Resonanzberhhung auf den Faktor 6 ein Ersatzwiderstand RFe von ca. 160 bentigt. Fr
die bertragung auf reale Bauteile sei darauf hingewiesen, dass dieser Ersatzwiderstand
eine frequenzabhngige Gre reprsentiert.

In Abbildung 100 ist die Filterausgangsspannung ohne angeschlossenen Motor dargestellt.

In Kap. 3.1 wurde eine Zerlegung des Umrichterausgangs in grundfrequente und
hochfrequente Gren vorgenommen, wodurch der Einfluss des Motors auf die
Filtereigenschaften vernachlssigt wurde. Um zu berprfen, ob diese Vereinfachung
zulssig ist, sollen an dieser Stelle die Ausgangsspannungen des Umrichters mit und ohne
angeschlossenen Motor miteinander verglichen werden. Nimmt man eine
Motorstreuinduktivitt von 20% an, so entspricht dies im Fall des Demonstrators einer
Induktivitt LM von 11mH. Die Bercksichtigung des Motors ergibt folgendes Ersatzschaltbild

LF LM

UWD RFe UCF UiM

CF

Abbildung 101: Einphasiges Ersatzschaltbild des Sinusfilters unter Bercksichtigung von

Motor und Dmpfung

mit der zugehrigen bertragungsfunktion:

1
G dM ( w ) =
LF RFe (98)
w 2 LF RFe LM +
CF
1
LM
(RFe + jwLF )
CF

Die bertragungsfunktionen von Gl. (97) und Gl. (98) sind in Abbildung 102 dargestellt:

122
 100
20
Grundfrequenz Schaltfrequenz

10

Gd
Frequenz
1
GdM
Frequenz

0.1

0.01 0.01
3 4 5
100 1 .10 1 .10 1 .10
100 Frequenz 100000

Abbildung 102: bertragungsfunktion des Sinusfilters unter Bercksichtigung von Dmpfung

(blau) sowie unter Bercksichtigung von Dmpfung und Motor (rot)

Die nderung in der bertragungsfunktion durch Bercksichtigung des Motors ist gering.
Daraus wird die Schlussfolgerung gezogen, dass die Vernachlssigung des Motors fr die
bertragungsfunktion des Sinusfilters zulssig ist. Durch die Bercksichtigung des Motors
wird die Resonanzfrequenz leicht nach oben verschoben, die Resonanzberhhung ist
etwas geringer. Bei der Schaltfrequenz ist die Abschwchung der Amplituden nahezu
identisch, tendenziell etwas schwcher bei der Bercksichtigung des Motors.

ohne_Motor.b
mit_Motor.b

V
1103

1102

1101

1100

110-1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
kHz
Abbildung 103: Spektrum der gemessenen Ausgangsspannung ohne (blau) und mit (magenta)
leerlaufendem 15kW Motor

123
Die Messungen am Demonstrator besttigen diese Berechnungen. Die Unterschiede in den
Spektren der Umrichterausgangsspannung mit und ohne Motor sind gering. Die blaue Kurve
in Abbildung 103 ist identisch zu Abbildung 100 und wird als Referenz verwendet. In der
Messung mit angeschlossenem, leerlaufendem 15kW Motor ist die Resonanzfrequenz leicht
erhht und die Resonanzberhhung leicht reduziert. Die Seitenbnder der Schaltfrequenz
zeigen einen leicht erhhten Spektralanteil.

3.3.3 Selbsterregung

Ein weiteres Phnomen, das bei der Dimensionierung des Filterkondensators zu

bercksichtigen ist, ist die Grenze zur Selbsterregung des Motors [2].

Ein rotierender Asynchronmotor bentigt an seinen Klemmen einen Blindstrom fr die

Aufmagnetisierung. Beim Betrieb am Netz wird dieser Blindstrom dem Netz entnommen.

Re

US

IS

Im

Abbildung 104: Kreisdiagramm fr den Stnderstrom einer Asynchronmaschine nach Heyland

bzw. Osanna ohne Bercksichtigung des Stnderwiderstandes

Abbildung 104 zeigt die Ortskurve fr den Stnderstrom eines Asynchronmotors bei
gegebener Stnderspannung und Stnderfrequenz [3]. Die Kreislinie bezeichnet die
mglichen Arbeitspunkte fr den Stnderstrom. Bei allen Punkten mit positiver Ordinate, d.h.
positivem Realteil, wird dem angeschlossenen Netz Wirkleistung entnommen, bei negativem
Realteil arbeitet die Asynchronmaschine als Generator. Da kein Betriebspunkt existiert, bei
dem der Imaginrteil des Stnderstromes zu null wird, geht aus Abbildung 104 hervor, dass
fr alle Betriebpunkte ein Blindstrom aus dem Netz erforderlich ist.

Bei Betrieb des Asynchronmotors an einem Frequenzumrichter muss dieser den

erforderlichen Blindstrom bereitstellen. Stellt im Umkehrschluss der Frequenzumrichter den
Blindstrom nicht zur Verfgung, ist eine Aufmagnetisierung des Motors nicht mglich.

Besitzt der Frequenzumrichter motorseitig einen Kondensator, so kann dieser unter

Umstnden einen Blindstrom fr den Motor liefern, ohne dass der Frequenzumrichter
betrieben wird. Dieser Betriebszustand wird in der Literatur als Selbsterregung bezeichnet
[33]. Er wird hauptschlich in der Anwendung der Asynchronmaschine als Generator fr
Inselnetze genutzt, da ein Inselnetz den erforderlichen Blindstrom nicht zur Verfgung stellen
kann. In diesem Fall wird der Asynchronmaschine ein parallel angeschlossener Kondensator
vorgeschaltet, der dadurch auf sehr einfache Art die Funktion einer Erregereinrichtung
bernimmt.

124
Bei dem Betrieb am Frequenzumrichter ist dieses Verhalten jedoch unerwnscht, weil bei
abgeschaltetem Frequenzumrichter der Motor keine eigenstndigen Betriebspunkte
annehmen soll. Deshalb besteht am Frequenzumrichter die Forderung, die Selbsterregung
durch dementsprechende Dimensionierung der Bauelemente zu vermeiden.

LF i LS1 LS2

iC R2
WR Lh
CF US s

Abbildung 105: Einphasiges Ersatzschaltbild von Umrichterausgangsstufe und

Asynchronmotor

Abbildung 105 zeigt das einphasige Ersatzschaltbild des Umrichterausgangs mit Sinusfilter
sowie das einphasige Ersatzschaltbild der Asynchronmaschine. Der Umrichter wird im
Leerlauf betrachtet (s=0), so dass im Rotor des Motors kein Strom fliet. Der Wechselrichter
des Umrichters ist gesperrt, so dass in der Filterdrossel auch kein Strom fliet, solange die
Spannung US kleiner als die Zwischenkreisspannung ist. Ein Strom kann somit nur im
Stnder der Asynchronmaschine und in dem Filterkondensator flieen. Damit sich ein
stabiler Betriebspunkt einstellen kann, muss gelten:

US
i c = i = jwC U S = (99)
jw ( LS 1 + Lh )

Der Magnetisierungsstrom der Asynchronmaschine kann als Funktion der Stnderspannung

gemessen werden. In Abbildung 106 ist der typische Verlauf eines Magnetisierungsstromes
bei einer gewhlten Frequenz dargestellt:

U
C3 C2 C1
U1 Magnetisierungs-
kennlinie
U2

C1>C2>C3

I
Abbildung 106: Magnetisierungskennline eines Asynchronmotors (rot) und
Kondensatorkennlinien fr verschiedene Kapazittswerte

Im unteren Spannungsbereich steigt der Magnetisierungsstrom i des Asynchronmotors etwa

linear mit der Spannung an. Bei hherer Spannung tritt Sttigung in dem Motor auf, die

125
Induktivittswerte fr Streuung und Hauptinduktivitt nehmen ab und der
Magnetisierungsstrom steigt berproportional mit der Spannung an. Der Stnderwiderstand
R1 kann fr die Magnetisierung des Asynchronmotors in erster Nherung vernachlssigt
werden.

Der Kondensatorstrom ic ist linear von der Spannung abhngig. Die Steigung der
Kondensatorgeraden hngt von dem Wert der Kapazitt ab. Ergibt sich aus dem
Kondensatorstrom und dem Magnetisierungsstrom ein gemeinsamer Arbeitspunkt ungleich
dem Ursprung des Koordinatensystems, so kann sich dieser als Betriebszustand einstellen.
Im Fall des Kondensatorwertes C1 wrde sich die Spannung U1 an den Motorklemmen
einstellen.

Diese Spannung kann grer sein als die Motornennspannung. In diesem Fall wrden die
Dioden des Wechselrichters leitend werden und den Zwischenkreis des Umrichters auf den
Scheitelwert der Motorspannung aufladen. Die Asynchronmaschine arbeitet in diesem
Betriebspunkt als Generator. Die erforderliche Energie fr den Aufladevorgang wird aus der
Rotation des Lufers entnommen. In [7] wird gezeigt, dass die zurck gespeiste Leistung
hher als die Nennleistung des Motors sein kann. Fr den Filterkondensator und den
Zwischenkreiskondensator besteht die Gefahr der Zerstrung durch berspannung.

Mit geringerer Kapazitt wird die Kondensatorgerade steiler. In Abbildung 106 ist dies durch
die Kennlinie des Kondensators C2 dargestellt. Im Fall von C2 stellt sich die Spannung auf
den geringeren Wert U2 ein. Ist die Kondensatorgerade im Fall von C3 steiler als die
maximale Steigung der Magnetisierungskennlinie, so kann kein Schnittpunkt der beiden
Kennlinien gefunden werden. In diesem Fall tritt das Phnomen der Selbsterregung nicht
auf.

Neben den Werten fr die Bauteile L und C hngt die Selbsterregung noch von der Frequenz
des drehenden Motors ab.

Abbildung 107: Magnetisierungskennlinien und Kondensatorgeraden bei unterschiedlichen

Frequenzen

Mit steigender Frequenz neigt sich die Kondensatorgerade fr einen gegeben Kapazittswert
nach rechts, weil die Impedanz des Kondensators mit steigender Frequenz abnimmt. Die

126
Magnetisierungskennlinie des Motors neigt sich mit steigender Frequenz nach links, weil der
Magnetisierungsstrombedarf des Motors abnimmt, da die induzierte Spannung ansteigt. Bei
der hheren Frequenz 2 stellt sich somit eine hhere Spannung an den Motorklemmen ein
als bei der niedrigeren Frequenz 1.

Die kritische Frequenz, ab der die Selbsterregung einsetzt, kann aus Gl. (99) abgeleitet
werden. Sie ist dann erreicht, wenn die Impedanz des Motors auch ohne Bercksichtigung
von Sttigungseffekten bereits den Wert der Kondensatorimpedanz bersteigt. Es gilt:

1
f krit = (100)
2 (Ls1 + Lh ) C
Die kritische Frequenz wird demnach geringer, wenn der Kondensator oder die
Motorinduktivitt gro werden. Die Motorinduktivitt ist eine Funktion der Motorleistung, bei
kleinen Motoren ist die Induktivitt und somit der Magnetisierungsstrom kleiner. Der
Kondensator besteht aus dem Filterkondensator des Sinusfilters, so dass das Kriterium der
Selbsterregung ein Auslegungskriterium fr den Filterkondensator darstellt. Fr die
praktische Anwendung eines Frequenzumrichters mit Sinus-Ausgangsfilter bedeutet dies,
dass bei festgelegtem Filterkondensator sowohl die maximale Ausgangsfrequenz des
Umrichters als auch die minimal anschliebare Motorleistung zu begrenzen sind.

Selbsterregung kann immer dann auftreten, wenn der Motor nicht unter der Kontrolle des
Umrichters arbeitet. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn der Umrichter mit einer
bestimmten Ausgangsfrequenz arbeitet und anschlieend eine Pulssperre, ausgelst
beispielsweise durch eine berstromabschaltung, auftritt. In diesem Fall knnen die
beschriebenen Begrenzungen von Ausgangsfrequenz des Umrichters und minimaler
Motorleistung eine Selbsterregung verhindern. Allerdings kann die Selbsterregung auch
dann einsetzen, wenn der Umrichter vom Netz getrennt ist und die Motorwelle durch eine
Arbeitsmaschine angetrieben wird. Aufgrund der Remanenz der Asynchronmaschine wird
sich auch in diesem Fall eine Spannung an den Motorklemmen gem der Kennlinien in
Abbildung 107 einstellen. In diesem Fall ist die auftretende Frequenz vom Umrichter nicht
beeinflussbar, so dass externe Manahmen gegen diese Betriebszustand wie beispielsweise
die Verwendung einer mechanischen Feststellbremse bei Deaktivierung des Umrichters zu
treffen sind.

Der 18,5kW Demonstratorumrichter besitzt eine Filterkapazitt von 1F in Sternschaltung.

Als maximale Ausgangsfrequenz ist ein Wert von 200Hz spezifiziert. Bei der Verwendung
standardmiger Maschinenparameter ist in dieser Konstellation die minimal erlaubte
Motorleistung 4kW, bei kleineren Motoren ist eine Reduzierung der maximal zulssigen
Ausgangsfrequenz erforderlich.

Die theoretischen berlegungen knnen an einem Versuchsaufbau messtechnisch

nachgewiesen werden. Um eine Zerstrung des Umrichters zu vermeiden, wurde dieser
Versuch mit einer reduzierten Netzspannung von 400V durchgefhrt. Als Motor wurde ein
leerlaufender Motor mit einer Nennleistung von 1,5kW verwendet. Um die kritische Frequenz
versuchsweise abzusenken, wurde die Kapazitt des Sinusfilters auf 3F erhht. Die
kritische Frequenz betrgt in diesem Fall 87Hz. In dem Versuch wurde der Motor auf 140Hz
beschleunigt und anschlieend eine Impulssperre ausgelst.

127
Abbildung 108: berspannung am Umrichter durch Selbsterregung der Asynchronmaschine
nach Impulssperre

In Abbildung 108 ist die Filterkondensatorspannung (blau) und der Strom in der
Filterinduktivitt (grn) dargestellt. Nach der Impulssperre wird der Filterstrom zunchst null,
die Filterspannung steigt an. Sobald die Filterspannung den Wert der
Zwischenkreisspannung erreicht, beginnt der Motor, Energie in den Zwischenkreis
zurckzuspeisen. Der Zwischenkreis wird so von ursprnglich 570V (durch das
gleichgerichtete 400V-Netz) auf ber 900V aufgeladen. Nach verhltnismig kurzer Zeit
nimmt die Filterspannung wieder ab, weil der Motor durch elektrische und mechanische
Verluste abgebremst wird. In dem Versuch wurde keine Schwungmasse oder
Arbeitsmaschine verwendet.

Fr die Dimensionierung des Filterkondensators des Sinusfilters stellt die Vermeidung der
Selbsterregung somit ein wichtiges Auslegungskriterium dar. Es schrnkt den Freiheitsgrad
ein, bei gewnschter Resonanzfrequenz eine Reduzierung der Filterinduktivitt durch eine
Erhhung der Filterkapazitt zu erreichen.

3.4 Asymmetrischer Filter

In Kap. 3.1 wurden die Ausgangsspannungen des Umrichters hergeleitet und in

symmetrische bzw. asymmetrische Anteile zerlegt. Die bisher betrachtete Dimensionierung
des Sinusfilters hat sich auf die symmetrischen Anteile bezogen, weil diese im Motor zu
einem Stromfluss und deren Oberschwingungen zu Motorverlusten fhren.

Die asymmetrischen Anteile fhren zu einer Vernderung des Potenzials des

Motorsternpunktes bzw. des Potenzials der Ausgangsphasenleitungen gegenber dem
Erdpotenzial. Auch diese asymmetrischen Spannungsanteile knnen zu unerwnschten
Effekten fhren und sollen deshalb in diesem Kapitel betrachtet werden.

128
3.4.1 Spannungsbelastung des Motors

In [29] wird ausfhrlich auf die Spannungsbelastung des Motors beim Betrieb an
Pulswechselrichtern eingegangen. Im Wesentlichen sind zwei Phnomene bei der
Spannungsbelastung dominant:

a) erhhte Spannungsbelastung an den Motorklemmen aufgrund von Reflexion

Erzeugt der Umrichter an seinen Ausgangsklemmen eine sprungfrmige Spannung, so

breitet sich diese Spannung als Welle ber der Motorleitung aus und trifft an den
Motorklemmen an den angeschlossenen Motor. Dort findet eine Reflexion der
Spannungswelle statt. Bezeichnet man die Amplitude der hinlaufende Welle als U0 und die
der reflektierte Welle als U0, so gilt fr die an den Motorklemmen auftretende
Spannungsamplitude U:

U = U0 + U0 '= U0 + r U0 (101)

Der Zusammenhang zwischen der ursprnglichen und der reflektierten Welle ist ber den
Reflexionsfaktor r gegeben. Dieser hngt von dem Wellenwiderstand ZW und dem
Abschlusswiderstand Za der Motorleitung ab:

Z a ZW
r= (102)
Z a + ZW

Die am Ende der Motorleitung als Abschlusswiderstand wirkende Impedanz des Motors ist
wesentlich grer als der Wellenwiderstand der Motorleitung. Deshalb wird die
Spannungswelle an den Motorklemmen nahezu total reflektiert, die reflektierte
Spannungswelle breitet sich ber die Motorleitung zurck zum Umrichter aus und berlagert
sich der hinlaufenden Welle. An den Motorklemmen besitzen sowohl die hinlaufende als
auch die rcklaufende Welle die Amplitude des ursprnglichen Spannungssprungs, so dass
an den Motorklemmen bei einer Sprunganregung mit dem Wert der Zwischenkreisspannung
die doppelte Zwischenkreisspannung als kurzzeitige Spannungsspitze messbar ist.

Besteht der Spannungssprung nicht aus einem idealen Sprung, sondern aus einer Flanke
mit der Anstiegszeit tA, so ist die Reflexion am Leitungsende von der Laufzeit der
Spannungswelle tL und somit von der Lnge der Leitung und deren
Ausbreitungsgeschwindigkeit abhngig. Ist die Anstiegszeit der Spannungsflanke krzer als
die doppelte Laufzeit ber die Motorleitung, so ist die Verdopplung der Spannung am Motor
messbar. Ist die Anstiegszeit lnger, so reduziert sich die Spannungsberhhung. Die
Ausbreitungsgeschwindigkeit entspricht im Vakuum der Lichtgeschwindigkeit. Fr
Motorkabel reduziert sie sich fr hohe Frequenzanteile abhngig von der relativen
1
Dielektrizittskonstante der Kabelisolierung um den Faktor . Bei handelsblichen
r
geschirmten Motorkabeln betrgt die Ausbreitungsgeschwindigkeit etwa 150m/s, was der
Hlfte der Lichtgeschwindigkeit entspricht, fr ungeschirmte Motorleitungen ist die
Ausbreitungsgeschwindigkeit hher. Fr die Reduzierung der Spannungsberhhung
aufgrund von Reflexion kann hieraus ein Dimensionierungskriterium fr die Anstiegszeit tA
der Spannungsflanke am Ausgang des Filters abgeleitet werden.

129
 b) ungleichmige Aufteilung der Strangspannung auf die einzelnen Windungen der
Motorwicklung

Eine zustzliche Belastung der Motorwicklung ergibt sich dadurch, dass die an den
Motorklemmen auftretende Spannung fr hohe Frequenzen eine ungleichmige Aufteilung
auf die einzelnen Windungen der Motorwicklung zeigt. Fr diese Betrachtung wird die
Motorwicklung als Kettenschaltung einzelner Windungselemente modelliert:

CW*xW

L*xW
CE*xW

n-1 n n+1

Abbildung 109: Modell einer Motorwindung

Abbildung 109 ist die n-te Windung einer Motorwicklung modelliert. Neben dieser Windung
schlieen sich gleichartige Modelle fr die n-1 te und n+1 te Windung an. L, CE und CW
entsprechen dem Induktivittsbelag, dem Kapazittsbelag gegen Erdpotenzial und dem
Kapazittsbelag zwischen zwei Windungen. xW bezeichnet die Windungslnge einer
Windung. Bei einer Beaufschlagung der Motorwicklung mit einer sprungfrmigen Spannung
U0 verteilt sich diese nicht gleichmig auf alle Windungen. Die Sprungwelle kann in einen in
die Motorwicklung eindringenden und einen reflektierten Anteil zerlegt werden. Diese
Zerlegung kann anhand der Grenzfrequenz

1
g = (103)
xW L' C 'W

erfolgen, wobei die eindringende Sprungwelle alle Frequenzanteile unterhalb g und die
reflektierte Sprungwelle alle Frequenzanteile oberhalb g enthlt. Die eindringende
Sprungwelle kann nur um die Kopflnge H in die Motorwicklung eindringen. Diese
Eindringtiefe entlang des Spulendrahtes berechnet sich bei sprungfrmiger Spannungswelle
zu:

C 'W
H = xW (104)
C'E

und hngt somit nur von dem Verhltnis der Kapazitten zwischen den Windungen und
Erdpotenzial ab. Dieses Verhltnis hngt stark von dem Aufbau des Motors und der
realisierten Spulengeometrie ab. Innerhalb der Kopflnge muss die gesamte
Spannungsamplitude der eindringenden Sprungwelle abgebaut werden, wodurch sich eine
erhhte Spannungsbelastung fr die ersten Windungen der Motorwicklung ergibt.

Besteht die eintreffende Spannungsflanke nicht aus einem idealen Sprung, sondern aus
einer abgeflachten Flanke, so reduziert sich die Spannungsbelastung am Wicklungsanfang
erheblich. Die nur aus hohen Frequenzanteilen bestehende reflektierte Spannungswelle
entfllt. Fr die Eindringtiefe der Spannungswelle ist in diesem Fall nicht mehr die durch die
Spulengeometrie bestimmte Kopflnge, sondern die Anstiegszeit der Spannungsflanke
mageblich.

130
Durch Einsatz des Sinusfilters sind alle symmetrischen Ausgangsspannungen des
Umrichters sinusfrmig, das zugehrige Frequenzspektrum ist in Abbildung 103 dargestellt
worden. Es enthlt keine nennenswerten Amplituden im hohen Frequenzbereich, so dass
eine erhhte Spannungsbelastung des Motors aufgrund der symmetrischen Spannungen
ausgeschlossen ist.

Ein Sinusfilter mit der Struktur nach Abbildung 76 filtert jedoch nur die symmetrischen
Ausgangsspannungen des Umrichters. Die asymmetrische Spannung knnte mit dieser
Filtertopologie immer noch sprungfrmig mit hoher Spannungssteilheit sein. Durch die
Ausfhrungsform der Sinusfilterdrosseln als einphasige, voneinander getrennte und
magnetisch nicht gekoppelte Drosseln knnen diese jedoch in Verbindung mit vorhandenen
Kapazitten gegen Erde eine asymmetrische Filterwirkung besitzen. Ein entsprechendes
Ersatzschaltbild mit den Gren im asymmetrischen System ist in Abbildung 110 dargestellt.

Wechsel- Filter- Motor- Motor-

richter drossel kabel wicklung
ICOM LF

UCOM
CLFE CKE CME

Abbildung 110: Ersatzschaltbild des asymmetrischen Systems

Treibende Spannung fr asymmetrische Strme sind die asymmetrischen Anteile in der

Umrichterausgangsspannung. Aus einer Analyse der Gleichtaktspannung kann ermittelt
werden, dass bei kleiner Drehzahl des Motors die Amplitude der asymmetrischen Spannung
bei der Schaltfrequenz bis zu 45% der Zwischenkreisspannung betragen kann [26]. Bis zu
den Motorklemmen durchluft diese Spannung einen Filter, dessen Induktivitt analog zum
symmetrischen Filter aus der Induktivitt der Sinusfilterdrossel besteht. Als Kapazitt des
asymmetrischen Filters wirkt die Summe aus:

a) der Kapazitt der Filterdosselwindungen gegen Erde. Das Ersatzschaltbild in Abbildung

110 ist an dieser Stelle nicht ganz korrekt, genauer msste ein Kettenleitermodell analog
zu Abbildung 109 verwendet werden. Fr eine qualitative Abschtzung ist jedoch eine
konzentrierte Kapazitt am Drosselende ausreichend.
b) der Kapazitt der Motorleitung gegen Erde. Diese ist stark von der Ausfhrungsform des
Kabels abhngig. Mit Vorhandensein eines Kabelschirms und steigender Leitungslnge
steigt der Wert dieser Kapazitt an.
c) der Kapazitt der Motorwicklung gegen Erde. Diese ist, wie bereits erwhnt, von der
Bauart des Motors abhngig.

Die geringste Kapazitt und somit Filterwirkung ergibt sich bei der Verwendung einer
ungeschirmten Motorleitung. Deshalb wurde die asymmetrische Motorspannung bei dieser
Anordnung mit der Spannung ohne Sinusfilter verglichen. Die Messung wurde bei 70m
ungeschirmter Leitung, leerlaufendem Motor und kleiner Ausgangsfrequenz durchgefhrt,
um maximale Schaltsteilheiten und eine maximale Amplitude der asymmetrischen Spannung
zu erhalten:

131
 ohne_Filter mit_Filter

kV
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
0 10 20
s
Abbildung 111: Spannungssteilheit am Motor mit und ohne Sinusfilter

Der Spannungsverlauf am Motor mit Sinusfilter ist in Abbildung 111 magenta, ohne
Sinusfilter bau dargestellt. Die beiden Messkurven stammen aus unterschiedlichen
Versuchen, ihre zeitliche Zuordnung zueinander ergibt sich ber den Triggerpegel des
Oszilloskops.

Ohne Sinusfilter ist die Spannungsberhhung aufgrund der Reflexion deutlich zu erkennen.
Bei der gemessenen Anstiegszeit der Spannungsflanke von 100ns und einer
angenommenen Ausbreitungsgeschwindigkeit von mindestens 150m/s ergibt sich als
erforderliche Kabellnge fr die Totalreflexion eine Leitungslnge von maximal 30m. In dem
Versuch wurde eine ungeschirmte Motorleitung mit 70m Lnge verwendet.

Durch Verwendung des Sinusfilters wird die Spannungssteilheit der Leiter-Erde-Spannung

am Motor von 10kV/s auf unter 300V/s reduziert. Mit dem Sinusfilter ist neben der Steilheit
der Spannungsflanke auch die Amplitude der berspannung reduziert. Sie betrgt weniger
als 30% der Zwischenkreisspannung und ist in diesem Fall als unkritisch einzustufen. Der
Sinusfilter wirkt somit im asymmetrischen System als Element, das die Spannungssteilheit
reduziert. Ein Filter mit diesem Verhalten wird als dU/dt-Filter bezeichnet.

In dem Ersatzschaltbild in Abbildung 110 sind mehrere Kapazitten eingezeichnet, die fr die
Filterwirkung verantwortlich sein knnen. Um zu klren, welche Kapazitt fr die
Filterwirkung dominant ist, wurden weitere Messungen durchgefhrt.

In einem ersten Versuch wurde die verwendete ungeschirmte Motorleitung mit einer Lnge
von 70m und einem Querschnitt von 6mm2 durch eine zweite ungeschirmte Leitung mit einer
Lnge von 5m und einem Querschnitt von 16mm2 ersetzt.

132
 Leitung_5m

kV
1.5

1.0

0.5

0.0

-0.5

-1.0
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15
s
Abbildung 112: Leiter-Erde-Spannung am Motor mit 5m Leitung

Die Steilheit der Spannungsflanke betrgt in diesem Fall etwa 400V/s und ist damit etwa
30% grer als im Fall der 70m langen Leitung. Aufgrund der geringeren Kapazitt der
kurzen Leitung wre zu erwarten gewesen, dass diese Anstiegszeit um den Faktor 3,5
geringer ist. Im Umkehrschluss folgt daraus, dass die Kapazitt der Leitung nicht die
dominante Gre fr die Filterwirkung des asymmetrischen Filters darstellt.

Auffllig ist in Abbildung 112 im Besonderen, dass die maximale Spannungsamplitude bei
der kurzen Leitung mit grerem Querschnitt deutlich hher ist und mit ca. 1300V nahezu
den Maximalwert von 1500V erreicht, der bei einem vllig ungedmpften System zu erwarten
wre. Dies bedeutet, dass die Leitungsverluste der Motorleitung einen groen Einfluss auf
die Dmpfung der asymmetrischen Spannung besitzen.

Um den Einfluss der Windungskapazitt der Filterdrossel gegen Erde zu untersuchen, wurde
in einem weiteren Versuch der Sinusfilter gegenber Erde isoliert aufgebaut. Die Messung
wurde wieder mit der ursprnglichen Motorleitung mit 70m Lnge durchgefhrt.

133
 Motor_mit_isoliertem_Filter
Motor_mit_Filter

kV
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-10 -5 0 5 10 15 20 25
s

Abbildung 113: Leiter-Erde Spannung am Motor bei isolierter (blau) und bei geerdeter
(magenta) Sinusfilterdrossel

Die Isolierung der Sinusfilterdrossel bewirkt kaum eine Vernderung der Anstiegsflanken der
Spannung. Als Referenz wurde die Spannungskurvenform mit dem nicht isolierten Sinusfilter
aus Abbildung 111 verwendet. Somit ist die Kapazitt der Motorwicklung in Verbindung mit
der Filterinduktivitt fr die asymmetrische Filterwirkung verantwortlich. Fr die Gegenprobe
wurde anschlieend eine Messung mit Sinusfilterdrossel ohne angeschlossenen Motor
durchgefhrt:

ohne_Filter ohne_Motor

kV

1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0

0 10 20
s
Abbildung 114: Ausgangsspannung am Sinusfilter ohne Motor (magenta) und am Motor ohne
Filter (blau)

134
Ohne Motor, aber mit Sinusfilter ist die Spannungssteilheit der Leiter-Erde-Spannung nahezu
ebenso hoch wie beim Betrieb mit Motor ohne Sinusfilter. Dies besttigt die Vermutung, dass
die Filterwirkung nicht durch die Windungskapazitt der Filterdrossel, sondern die
Wicklungskapazitt des Motors erreicht wird. In dem Kurvenzug der Spannung ohne Motor in
Abbildung 114 ist das berschwingen des asymmetrischen Filters wieder deutlich zu
erkennen, weil die dmpfende Wirkung der Motorleitung entfllt.

3.4.2 Resonanz des asymmetrischen Filters

Wie bereits erwhnt, liegt die Resonanzfrequenz des asymmetrischen Filters oberhalb der
Schaltfrequenz, wodurch dieser Filter als dU/dt-Filter und nicht als Sinusfilter wirkt. Werden
am Ausgang des Umrichters weitere Komponenten angeschlossen, so kann die
Resonanzfrequenz des asymmetrischen Filters absinken, weil die zustzlichen
Komponenten die Gesamtkapazitt der Anordnung gegen Erde erhhen knnen.

Wird diese Gesamtkapazitt so gro, dass die Resonanzfrequenz des asymmetrischen

Filters in den Bereich der Schaltfrequenz des Umrichters oder einer ihrer Oberschwingungen
kommt, so besteht die Gefahr, dass dieser asymmetrische Filter angeregt wird [35]. Im
Ersatzschaltbild in Abbildung 110 ist die Kapazitt des Motorkabels mit aufgefhrt. Diese
Kapazitt steigt mit der Lnge der Motorleitung an. Ein typischer Wert fr den
Kapazittsbelag eines geschirmten Motorkabels liegt bei ca. 1nF/m. Aus der Anstiegszeit in
Abbildung 113 lsst sich eine Ersatzkapazitt des Motors gegen Erde von ca. 2,7nF ableiten.
Dies bedeutet, dass beim Einsatz eines geschirmten Motorkabels dieses auch bei kurzen
Lngen bereits zu einer weiteren Reduzierung der Spannungssteilheit am Motor fhrt.

Bei einer Leitungslnge von 140m betrgt die Resonanzfrequenz des asymmetrischen
Filters ca. 16kHz und kann daher von der Pulsfrequenz des Umrichters angeregt werden.
Die Spannung an einer Motorklemme gegen Erde wurde daraufhin mit Leitungslngen von
0m und 140m simuliert. Um eine mglichst groe Anregung des asymmetrischen Filters zu
erhalten, wurde die Simulation mit einer kleinen Motorfrequenz von 5Hz durchgefhrt.

2000

1500

1000

500
ULE/[V]

-500

-1000

-1500

-2000
30 30.1 30.2 30.3 30.4 30.5 30.6 30.7 30.8 30.9 31
t/[ms]

Abbildung 115: Spannung an den Motorklemmen gegen Erde bei 0m (blau) und 140m
(magenta) geschirmter Motorleitung

135
Bei der Simulation mit 0m Motorleitung (blaue Kurve) ist die aus den Messungen in
Abbildung 112 bekannte pulsfrmige Spannung mit reduzierter Steilheit zu erkennen. Die
Spannungsberhhung durch Reflexion ist in dem Simulationsmodell nicht bercksichtigt.
Beim Einsatz der 140m langen Motorleitung (magenta Kurve) ist eine berhhung dieser
Spannung um den Faktor 3 zu erkennen. Die Periodendauer der Schwingung in der
Motorspannung entspricht recht genau der Pulsfrequenz, wodurch die Anregung
hervorgerufen wird. Der aufgrund der Resonanz des asymmetrischen Filters flieende Strom
betrgt im simulierten Fall 14Aeff und ist damit in der gleichen Grenordnung wie der
Laststrom des Motors mit 19A. Neben unzulssig hoher Spannungsbelastung am Motor
verursacht die Resonanz somit auch eine thermische berlastung der Leistungshalbleiter
und der Sinusfilterdrossel.

Die Anregung des asymmetrischen Filters beim Einsatz langer, geschirmter Motorleitungen
kann verhindert werden, indem eine zustzliche stromkompensierte Ausgangsdrossel
eingesetzt wird. Fr das asymmetrische System ergibt sich damit folgendes Ersatzschaltbild:

Wechsel- Filter- Stromkompensierte Motor- Motor-

richter drossel Drossel kabel wicklung
ICOM LF LCOM

UCOM ULE
CLFE CKE CME

Abbildung 116: Ersatzschaltbild des asymmetrischen Systems mit stromkompensierter

Drossel

Vernachlssigt man beim Einsatz langer, geschirmter Motorleitungen die Kapazitten der
Filterdrossel und des Motors, so errechnet sich die Resonanzfrequenz des asymmetrischen
Systems aus der Summe der Induktivitten von Sinusfilterdrossel und stromkompensierter
Drossel sowie der Kapazitt des geschirmten Kabels. Die stromkompensierte Drossel ist so
zu dimensionieren, dass die Resonanzfrequenz des asymmetrischen Systems wieder unter
die Schaltfrequenz gedrckt wird, so dass dieses nicht angeregt wird. Im Fall des
Demonstratorumrichters kann durch den Einsatz einer Drossel mit einer Induktivitt von
4,3mH die Resonanzfrequenz des asymmetrischen Systems auf 6kHz reduziert werden.

800

600

400

200
ULE/[V]

-200

-400

-600

-800
30 30.1 30.2 30.3 30.4 30.5 30.6 30.7 30.8 30.9 31
t/[ms]

Abbildung 117: Leiter-Erde-Spannung am Motor mit 140m geschirmter Leitung und

stromkompensierter Drossel (magenta) sowie ohne Leitung (blau)

136
Mit der stromkompensierten Drossel und damit verbunden der Resonanzfrequenz des
asymmetrischen Filters von 6kHz wird auch die Leiter-Erde-Spannung einer Sinusfilterung
unterzogen. Als Referenz ist in Abbildung 117 die Leiter-Erde-Spannung ohne
Bercksichtigung einer Ausgangsleitung (blau) aus Abbildung 115 mit darstellt. Eine
Resonanzberhhung ist mit der stromkompensierten Drossel und der langen
Ausgangsleitung nicht feststellbar, bei der Pulsfrequenz von 16kHz ist eine Reduzierung der
Amplitude um den Faktor 5 messbar, was aufgrund der bertragungscharakteristik des
asymmetrischen Filters zu erwarten ist.

Der Einsatz einer stromkompensierten Drossel stellt somit eine wirksame Methode dar, bei
langer Ausgangsleitung eine Resonanz mit der Sinusfilterdrossel zu verhindern. Die
Induktivitt der stromkompensierten Drossel ist auf die Kapazitt des angeschlossenen
Motorkabels abzustimmen. Deshalb ist es sinnvoll, die stromkompensierte Drossel nicht fest
in den Umrichter mit zu integrieren, sondern nur im Bedarfsfall einzusetzen.

3.4.3 Lagerstrme

Eine weitere kritische Auswirkung gepulster Spannungen am Motor sind Lagerstrme, die
die Lager des Motors beschdigen [11]. Die gepulste Spannung ist fr die Lagerstrme die
treibende Kraft, Kapazitten im Motor stellen die erforderlichen Strompfade zur Verfgung.
Neben den Kapazitten spielt die Leitfhigkeit des Lagers, die eine drehzahlabhngige
Gre darstellt, eine wichtige Rolle.

F F

Niedrige Hohe
Drehzahl Drehzahl

Abbildung 118: Wlzlager bei niedriger und bei hoher Drehzahl

Bei geringer Drehzahl (<100rpm) wird durch die Belastung des Lagers mit der Kraft F das
Lagerfett in dem Zwischenraum zwischen den Lagerringen und den unteren Wlzkrpern
verdrngt. Somit entsteht eine leitfhige Verbindung zwischen dem Innenring und dem
Auenring des Lagers. Die elektrische Kontaktflche zwischen dem Innen- und dem
Auenring des Lagers hngt von der elastischen Verformung der Walzen ab. Die
Kontaktflche ist i.a. sehr klein, so dass auch bei migem Lagerstrom hohe Stromdichten
erreicht werden knnen, die zu lokalen Schdigungen des Lagers fhren. Bei hoher
Drehzahl bildet dich ein durchgngiger Schmierfilm des Lagerfetts aus, der bis zu seiner
Durchschlagsspannung das Verhalten einer Kapazitt zeigt.

Die Lagerstrme bestehen aus unterschiedlichen Anteilen, die in Folgenden kurz erlutert
werden sollen.

137
 CWS

B
CRS CWR RSF
CSF

VCOM izirkular
Rotor
ZRE
Lager

Statorwicklung

Stator
ZSE

Abbildung 119. Schnittbild durch eine Asynchronmaschine

CWS: Kapazitt der Statorwicklung zum Statorblechpaket

CWR: Kapazitt der Statorwicklung zum Rotor
CRS: Kapazitt des Rotors zum Statorblechpaket
CSF: Kapazitt des Lagerschmierfilms
RSF: Widerstand des Lagerschmierfilms
ZSE: Erdungsimpedanz des Stators
ZRE: Erdungsimpedanz des Rotors

In Abbildung 119 ist das Schnittbild einer Asynchronmaschine schematisch dargestellt. Die
Statorwicklung liegt im Statorblechpaket, auf die Darstellung der Wickelkpfe wurde
verzichtet. Die elektrisch wirksamen Kapazitten sind in rot eingezeichnet. Man
unterscheidet folgende unterschiedliche Arten von Lagerstrmen:

a. Zirkularstrme

Zirkularstrme flieen in der Leiterschleife Stator Lager 1 - Rotor Lager 2 Stator und
sind in Abbildung 119 schematisch durch den blauen Strompfad dargestellt. Sie werden
durch magnetische Flussanteile hervorgerufen, die in Umdrehungsrichtung des Rotors
verlaufen, in Abbildung 119 ist dieser Magnetfluss im oberen Teil aus der Zeichenebene
heraus und im unteren Teil in die Zeichenebene hinein dargestellt. Eine Ursache fr diese
Flussanteile besteht in magnetischen Unsymmetrien beim Aufbau des Motors. Diese
Ursache ist im Elektromaschinenbau seit vielen Jahrzehnten bekannt [28]. Sie tritt auch bei
Motoren auf, die direkt am Netz betrieben werden. Beim Betrieb eines Motors an einem
Pulswechselrichter kommen weitere Flussanteile in dieser Richtung durch Erdstrme hinzu,
die in der Kapazitt zwischen Statorwicklung und Statorblechpaket flieen. Im Gegensatz zu
den klassischen Zirkularstrmen aufgrund magnetischer Unsymmetrie enthalten die von der
gepulsten Leiter-Erde-Spannung verursachten Zirkularstrme hohe Frequenzanteile.

b. Kapazitive Strme

Zur Erluterung der kapazitiven Lagerstrme wird fr das in Abbildung 119 dargestellte
Schnittbild der Asynchronmaschine ein elektrisches Ersatzschaltbild abgeleitet:

138
 LF Umrichter-
LK CWR
Statorwicklung Rotor
ausgang
RSF/2
iCOM
CKE CWS CRS
iEDM
VCOM 2CSF
RSF

Statorblech
Erde ZSE

ZRE

Abbildung 120: Ersatzschaltbild fr kapazitive Lagerstrme

Fr eine bessere bersichtlichkeit sind in magenta sind die einzelnen Knoten des
Ersatzschaltbildes mit Komponenten der realen Anordnung bezeichnet. Fr erste
berlegungen wird die Erdungsimpedanz des Rotors als hochohmig und die
Erdungsimpedanz ZSE des Stators als niederohmig angenommen.

Die gepulsten asymmetrischen Spannungsanteile des Umrichters werden ber die

Filterinduktivitt LF und die Ersatzkomponenten des Motorkabels LK und CKE an die
Statorwicklung bertragen. ber die Kapazitt der Statorwicklung fliet ein
dementsprechender kapazitiver Strom, der, wie bereits erlutert, zu Zirkularstrmen ber die
Lager fhren kann. Zustzlich fliet ein weiterer kapazitiver Strom ber die Kapazitt CWR.
Diese Kapazitt betrgt typischerweise etwa 1% von CWS, der Strom ist dementsprechend
geringer. Dieser Strom teilt sich nun auf und fliet ber die Parallelschaltung aus der
Kapazitt CRS zwischen Rotor und Stator und der Lagerimpedanz. Die Hhe dieses
kapazitiven Lagerstromes hngt damit von dem Verhltnis der beteiligten Kapazitten ab. In
der Praxis hat sich gezeigt, dass diese kapazitiven Lagerstrme gering sind, insbesondere
wegen der geringen Kapazitt der Wicklung zum Rotor, und keine kritische Gre fr den
Lagerverschlei darstellen.

c. Kapazitive Rotorerdstrme

Fr den Fall, dass der Rotor des Motors eine geringere Erdungsimpedanz aufweist als der
Stator (ZRE << ZSE), sind weitere kapazitive Rotorerdstrme zu beobachten, die das Lager
belasten. In diesem Fall flieen die verhltnismig groen Strme in CWS ber die
Lagerimpedanz und ZRE zum Umrichter zurck. Zwar bietet CWR einen Alternativpfad zum
Lager fr diese Strme, diese Kapazitt ist jedoch etwa um den Faktor 10 kleiner als CWS, so
dass ber das Lager in diesem Fall ein deutlich hherer Strom flieen kann als bei
niederohmig geerdetem Statorblechpaket. Da der Rotor beispielsweise ber eine
Arbeitsmaschine eine niederohmige Erdung aufweisen kann, ist fr die Vermeidung dieser
kapazitiven Rotorerdstrme ber das Lager eine mglichst niederohmige Erdung des Stators
anzustreben.

d. EDM-Strme

Fr den Fall hoher Drehzahlen kann sich ber dem dann durchgehenden Schmierfilm eine
Spannung aufbauen. bersteigt diese den Wert der Durchbruchspannung des Schmierfilms,
so wird dieser niederohmig, und es kann kurzzeitig ein hoher Strom flieen. In Abbildung 120
wechselt die nichtlineare Impedanz von einem hochohmigen auf einen niederohmigen Wert
vergleichbar einer Zndfunkenstrecke. Nach einem Verlschen dieses EDM-Stroms (Electric
Discharge Machining) wird die nichtlineare Impedanz wieder hochohmig, und die Aufladung
kann erneut beginnen.

139
Da der Entladekanal in diesem Fall sehr niederohmig ist, kann der kurzzeitige EDM-Strom
erhebliche Werte annehmen. Als treibender Energiespeicher fr die EDM-Strme stehen die
Kapazitt des Schmierfilms CSF und die Kapazitt zwischen Rotor und Statorblechpaket CRS
zur Verfgung. Messbar sind nur die EDM-Strme, die von CRS getrieben werden, da eine
Strommessung direkt im Lagerschmierfilm nicht mglich ist. Da die Kapazitt des
Schmierfilms jedoch klein gegen die Kapazitt CRS ist [11], werden damit die wesentlichen
EDM-Strme erfasst.

Aus der Literatur ([11], [48], [78]) ist eine Vielzahl von Manahmen bekannt, um die
Lagerstromproblematik zu verbessern:

Isolierung eines Lagers oder beider Lager: Diese Lsung ist mit zustzlichen Kosten
verbunden, weil Lager mit einer isolierenden Schicht am Auenring teuerer sind als
Standardlager. Zudem werden die Lagerstrme nur reduziert, da die Lagerisolation
fr hohe Frequenzen wie eine Kapazitt wirkt und somit hochfrequente Strme nicht
unterbindet. Lager mit keramischen Kugeln knnen die Lagerstrme unterbinden,
sind jedoch noch teurer.
Niederohmige Erdung des Stators: Diese Manahme verhindert in erster Linie
kapazitive Rotorerdstrme. Hierbei ist auf eine gute Anbindung des Kabelschirms der
Motorleitung und eine Erdung des Stators ber niederinduktive Litzen zu achten.
Diese Manahmen sind analog zu den Manahmen fr einen EMV-gerechten Aufbau
des Antriebsstrangs. Insbesondere bei bestehenden Anlagen kann diese Manahme
einen erheblichen finanziellen Aufwand mit sich fhren.
Erdung des Rotors zum Stator: Mit einer Wellenerdungsbrste kann der Rotor mit
dem Stator verbunden werden. Diese Verbindung liegt parallel zu den Lagern und
reduziert somit deren Strombelastung. Nachteilig wirkt sich aus, dass Brsten einen
erhhten Wartungsaufwand bedingen und Einbauraum bentigen.
Betrieb des Antriebsstranges an einem IT-Netz: Netze mit isoliertem Sternpunkt
bringen in den Strompfad des asymmetrischen Ersatzschaltbildes eine zustzliche
Kapazitt ein, weil die asymmetrische Spannungsquelle aus Abbildung 120 nicht
mehr direkt mit dem Bezugspotenzial verbunden ist. Lagerstrme werden dadurch
reduziert. Allerdings sind in der realen Anwendung nicht immer isolierte Netze
vorhanden, so dass mit einem zustzlichen Transformator der Antriebsstrang vom
Netz getrennt werden msste.

Alle diese genannten Manahmen resultieren in einem zustzlichen Aufwand und reduzieren
lediglich die Symptome der Lagerstrme, aber nicht deren Ursache. Der Ursache kann
reduziert werden, indem die Spannungsflanken der asymmetrischen Spannung abgeflacht
werden. Deshalb ist zu erwarten, dass die in Kap. 3.4.1 erluterte Reduzierung der Steilheit
der asymmetrischen Spannungsflanken auch bzgl. Lagerstrmen eine Entlastung bewirkt.
Deshalb wurden die Lagerstrme eines Asynchronmotors bei Betrieb an dem
Demonstratorumrichter mit und ohne Sinusfilter gemessen. Fr die Messung wurden an
einer prparierten Maschine beide Lagerauenringe gegen das Statorblechpaket durch
Einlegen einer Kunststofffolie isoliert und anschlieend die Isolationsschichten jeweils mit
einer elektrischen Leitung berbrckt. In einer berbrckungsleitung kann so der Lagerstrom
gemessen werden. Weil die hchste Spannungssteilheit und amplitude der Leiter-Erde-
Spannung mit kurzer Motorleitung mit groem Querschnitt gemessen wurde, wurde die
Lagerstrommessung unter Verwendung dieser Motorleitung durchgefhrt. Die Motordrehzahl
betrug bei der Messung 1200rpm, so dass der Lagerschmierfilm als isolierende Schicht
sicher ausgebildet ist.

140
 Lagerstrom_ohne_Sinusfilter
Lagerstrom_mit_Sinusfilter

A A
10 1.0

8 0.8

6 0.6

4 0.4

2 0.2

0 0.0

-2 -0.2

-4 -0.4

-6 -0.6

-8 -0.8

-10 -1.0
4.3 4.4 4.5 4.6
ms
Abbildung 121: Messung des Lagerstroms ohne Sinusfilter (blau, linke Skala) und mit
Sinusfilter (magenta, rechte Skala)

Durch den Einsatz des Sinusfilters wird die Amplitude der Lagerstrme etwa um den Faktor
10 reduziert. Die grundstzliche Form beider Lagerstromkurven ist sehr hnlich.

In Abbildung 121 ist die Summe aller Lagerstromanteile gemessen worden. Rotorerdstrme
sind ausgeschlossen, da der Motor ohne Arbeitsmaschine betrieben wurde und der Rotor
deshalb isoliert ist. Zudem wurde der Stator niederohmig auf einem Maschinenbett
angebracht. Um zu klren, welcher Typ von Lagerstrmen dominant ist, wurde der
Versuchsaufbau modifiziert.

In einem ersten Test wurde an einem Lager die berbrckung der Lagerisolation entfernt.
Damit knnen Zirkularstrme nur noch bedingt flieen, weil nun ihr Strompfad theoretisch
unterbrochen ist. Tatschlich wirkt die Isolation als Kapazitt, die hochfrequente Lagerstrme
noch immer flieen lsst, allerdings ist zu erwarten, dass der Zirkularstromanteil reduziert ist.

141
 Lagerstrom_ohne_Sinusfilter
ein_Lager_isoliert

A
7.5

5.0

2.5

0.0

-2.5

-5.0

-7.5
5.40 5.45 5.50 5.55 5.60 5.65 5.70
ms

Abbildung 122: Lagerstrme mit und ohne einseitige Lagerisolation ohne Einsatz des
Sinusfilters

Bei gepulsten Umrichterausgangsspannungen kann durch die Lagerisolation der Lagerstrom

etwa halbiert werden. Die Reduzierung ist auf die Reduzierung der Zirkularstrme, bedingt
durch die erhhte Impedanz im Zirkularstromkreis, zurckzufhren.

Lagerstrom_mit_Sinusfilter
ein_Lager_isoliert

A
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
ms
Abbildung 123: Lagerstrme mit und ohne einseitige Lagerisolation bei Einsatz des Sinusfilters

142
Bei Einsatz des Sinusfilters ist eine Reduzierung der verbleibenden Lagerstrme nicht oder
allenfalls geringfgig zu erkennen. Daraus ist zu schlieen, dass Zirkularstrme beim Einsatz
des Sinusfilters entweder keine bedeutende Rolle spielen oder lediglich ein Grundrauschen
auf niedrigem Niveau messbar ist.

EDM-Strme knnen vermieden werden, indem die Motorwelle an dem Lager, an dem der
Lagerstrom gemessen wird, mit dem Lagerauenring niederohmig verbunden wird. Dadurch
wird die Kapazitt des Lagerschmierfilms berbrckt, so dass sich ber diesem keine
Spannung aufbauen kann, die sich in EDM-Strmen entldt.

Die Messungen der Lagerstrme bei geerdeter Motorwelle zeigen sowohl mit als auch ohne
Sinusfilter keine Vernderung zu Abbildung 122 bzw. Abbildung 123. EDM-Strme spielen
somit eine untergeordnete Rolle. Dies bedeutet im Umkehrschluss, dass die verbleibenden
Lagerstrme bei einseitig isoliertem Lager aus Abbildung 122 (magenta Kurve) ebenfalls
zum berwiegenden Teil aus Zirkularstrmen bestehen, die durch die Kapazitt der
Lagerisolation flieen.

Aus den Messungen der Lagerstrme am Demonstratorumrichter kann somit festgehalten

werden, dass den wesentlichen Anteil der Lagerstrme beim Betrieb ohne Sinusfilter
Zirkularstrme bilden. Durch Lagerisolation knnen diese reduziert werden, allerdings nur
um etwa 40%. Mit Sinusfilter und dessen asymmetrischer Wirkung knnen die Lagerstrme
auf 10% des ursprnglichen Wertes reduziert werden. Das messbare Lagerstromniveau ist in
diesem Fall so gering, dass als Ursache des verbleibenden Lagerstromes kein
Lagerstromtyp eindeutig zugewiesen werden kann.

3.5 EMV-Verhalten

3.5.1 Grundlagen und Messaufbau

EMV (Elektro-Magnetische Vertrglichkeit) ist definiert als der Zustand eines Gertes oder
einer Anlage, in einer definierten Umgebung zufriedenstellend zu funktionieren und
seinerseits diese Umgebung nicht unzulssig zu stren. Um dies zu erreichen, sind in
Normen (z.B. IEC61800-3, DIN EN 55011) Grenzwerte fr maximal zulssige
Straussendungen und minimal erforderliche Strfestigkeit definiert. In diesem Kapitel sollen
die Straussendungen des Umrichterleistungsteils betrachtet werden.

In IEC61800-3 sind fr die Klassifizierung von Umrichtern mehrere Klassen und

Umgebungsbedingungen definiert. Fr jede Klasse sind zulssige Grenzwerte der
Straussendung definiert, die ein Gert fr die Erfllung dieser Klasse einhalten muss.
Frequenzumrichter in der Leistungsklasse des Demonstrators fr den Einsatz in
Industrieanlagen werden blicherweise fr die Grenzwertklasse C2 ausgelegt. Die
normativen Grenzwerte sollen an dieser Stelle jedoch nur informativ mit aufgefhrt sein, der
Fokus dieses Kapitels richtet sich auf die Auswirkungen, die der Einsatz eines Sinusfilters
auf die Straussendungen besitzt.

Straussendungen knnen in Form von Strspannungen und Strstrmen auf Leitungen

sowie als elektromagnetische Abstrahlung auftreten. Deshalb wird grundlegend zwischen
leitungsgebundener Funkstrspannung und Strabstrahlung unterschieden. Fr beide Arten
der Straussendung sind unterschiedliche Frequenzbereiche definiert, in denen Strpegel zu
messen und Grenzwerte einzuhalten sind.

143
Die Funkstrspannung ist im Bereich von 150kHz bis 30MHz mit Grenzwerten belegt.
Anhand eines Ersatzschaltbildes soll die Entstehung und Messung der Funkstrspannung im
Folgenden erlutert werden:

Umrichtergehuse
LCOM Kabelschirm
L1
Netz-
Netz L2
L3
nach-
bildung
GR WR M
PE CKS + CMG
CLE CZKE CWRE

CKE + CME

Abbildung 124: Ersatzschaltbild der Messanordnung fr leitungsgebundene EMV-

Straussendung

Die Funkstrspannung wird durch einen Messempfnger erfasst, der an der

Netznachbildung angeschlossen wird. Die Netznachbildung wird zwischen das
Versorgungsnetz und den Prfling geschaltet. Sie besitzt die Aufgabe, fr den Prfling ein
Versorgungsnetz mit definierter Impedanz zur Verfgung zu stellen ([119], [121]). Zustzlich
besitzt die Netznachbildung genormte Messimpedanzen, an denen ein Spannungsabfall, die
Funkstrspannung, messbar ist. Die in der Netznachbildung gemessene Funkstrspannung
ist ein Ma fr die Strspannung, der andere Verbraucher in einem realen Netz ausgesetzt
wren.

Als Strquelle fr leitungsgebundene Strungen tritt primr der Wechselrichter in

Erscheinung. Andere mgliche Strquellen wie Schaltnetzteile fr umrichterinterne
Stromversorgungen oder hochfrequent taktende Digitalelektronik sollen an dieser Stelle nicht
betrachtet werden, weil der Sinusfilter auf diese Strquellen keinen Einfluss besitzt.

Kritisch fr die EMV-Messung sind alle die vom Wechselrichter hervorgerufenen Strstrme,
die ihren Stromkreis nur ber die Netznachbildung und damit ber die Messimpedanzen
schlieen knnen. Dies sind in erster Linie die Strstrme, die ber die rot gezeichneten
Kapazitten CWRE, CKE, CME, CKS und CMG abflieen. Die blau eingezeichneten Komponenten
CZKE, CLE und LCOM sind Komponenten, die zur Verbesserung des EMV-Verhaltens eingefgt
werden knnen. In Verbindung mit dem Kabelschirm und den Gehusen von Umrichter und
Motor dienen sie dem Versuch, den Strompfad der vom Takten des Wechselrichters
hervorgerufenen Strstrme zu schlieen, ohne dass die Netznachbildung im Stromkreis
liegt.

Die Kapazitten CWRE bestehen aus den Kapazitten der Strombahnen der hochfrequent
getakteten Wechselrichterausgangsleitungen und den ersten Windungen der
Sinusfilterdrossel gegenber dem Umrichtergehuse. Mit den Kapazitten CZKE und CLE wird
versucht, deren Strme zum Wechselrichter zurck zu fhren. Ohne die EMV-
Kondensatoren CZKE und CLE wrden die in CWRE flieenden Strstrme ihren Rckweg ber
den PE-Anschluss des Umrichters und die Netznachbildung zum Wechselrichter nehmen
und somit zum in der Netznachbildung gemessenen Strstrom beitragen. Wichtig ist hierbei
wie bei allen EMV-Kondensatoren, dass diese ebenso wie ihre Anbindung geringe
Induktivitten besitzen, weil sich der Strstrom gem der Impedanzen auf die EMV-
Kondensatoren und den Weg ber die Netznachbildung aufteilt und im betrachteten hohen
Frequenzbereich auch geringe Induktivitten zu nennenswerten Impedanzen fhren.
Deshalb wird in den Weg ber die Netznachbildung noch mit LCOM eine stromkompensierte
Drossel eingefgt [93], die fr alle asymmetrischen Strme eine zustzliche hohe Impedanz
darstellt und den Weg der Strstrme ber die Netznachbildung erschwert.

Die Kapazitten CWRE bestehen z. B. aus der Kapazitt der Kupferbahnen in

Halbleitermodul gegen die Modulbodenplatte. Da diese beiden Potenziale nur durch eine aus

144
thermischen Grnden mglichst dnne Keramik voneinander getrennt sind und sich flchig
gegenberstehen, bildet sich aus den geometrischen Abmessungen und dielektrischen
Eigenschaften der Keramik eine Kapazitt. Fr zustzliche Kapazittsanteile durch die
Ausgangsleitungen des Wechselrichters gegenber Erde ist zu erwarten, dass sie aufgrund
des integrierten Sinusfilters und damit verbunden der kurzen Leitungslnge gering sind.
Allerdings besitzt auch die Sinusfilterdrossel eine Kapazitt ihrer Windung gegen den Kern,
der an dieser Stelle fr die ersten Windungen der Drossel als zustzliche Kapazitt wirkt,
weil der Kern der Sinusfilterdrossel niederohmig geerdet ist. In Summe ergeben sich somit
gegenlufige Tendenzen bzgl. Erhhung oder Reduzierung der Kapazitten in Vergleich zu
einem Umrichter ohne integrierten Sinusfilter, die sich gegenseitig in erster Nherung
kompensieren.

Die Kapazitten CKS bzw. CMG bestehen aus den Kapazitten der Motorleitungen und den
Motorwicklungen gegen Kabelschirm bzw. Motorgehuse. Insbesondere bei langen
Motorleitungen knnen diese Kapazitten hohe Werte annehmen. Fr die dort flieenden
betrchtlichen Strme ist eine mglichst niederinduktive Anbindung des Kabelschirms an das
Umrichtergehuse und das Motorgehuse sehr wichtig, damit auch diese Strstrme ber
den Kabelschirm, das Gehuse sowie CZKE und CLE zum Wechselrichter zurck gefhrt
werden knnen. Bei Einsatz eines Sinusfilters ist aufgrund der dann geringen
Spannungssteilheiten der Potenziale der Motorleitungen gegenber der Bezugserde zu
erwarten, dass die Amplitude dieser Strstrme durch den Sinusfilter reduziert wird.

Die Kapazitten CKE und CME bestehen aus verbleibenden Kapazitten der Motorleitungen
und der Motorwicklungen gegenber der Bezugserde. Diese sind i.a. deutlich geringer als
die Kapazitten CKS und CME, sind jedoch in ihrer Wirkung wesentlich kritischer, weil deren
Strme nicht ber den Kabelschirm an den Wechselrichter zurckgefhrt werden knnen
und somit der einzige Pfad fr diese Strme in dem Weg ber die Netznachbildung liegt. Bei
der Verwendung von Motorleitungen ohne Kabelschirm sind diese Kapazitten grer als bei
der Verwendung eines Kabelschirms, weil die schirmende Wirkung entfllt. Durch die
reduzierten Spannungssteilheiten ist auch bei den Strmen in CKE und CME zu erwarten,
dass sie durch den Sinusfilter reduziert werden.

3.5.2 Leitungsgebundene Straussendung

Um den Einfluss des Sinusfilters auf die Funkstrspannung zu bewerten, wurden

vergleichende Messungen an einem Antrieb mit langen, ungeschirmten Motorleitungen
durchgefhrt. In diesem Versuchsaufbau kann die Wirkung des Sinusfilters am besten
festgestellt werden, da verhltnismig hohe Strpegel zu erwarten sind und nicht die
Gefahr besteht, dass die Wirkung des Sinusfilters durch andere Effekte, z.B. von
Schaltnetzteilen, berlagert wird.

Um den erforderlichen groen Wertebereich der Strspannungen darstellen zu knnen, wird

die Funkstrspannung in der logarithmischen Einheit von dBV dargestellt [72]. Dabei gilt der
Zusammenhang:

U ( f )
U str ( f )[dBV ] = 20 lg str (105)
1V

145
 dBuV
100

90

80

Quasipeak
QPClassA C2
70

AVClassA
60 Average C2

50
Ustr

40

30

20

10

0
0.15 1 10 30

Frequenz
MHz
PAGE 1

Abbildung 125: Messung der Funkstrspannung des Demonstratorumrichters mit 300m

ungeschirmter Motorleitung ohne Sinusfilter

In Abbildung 125 sind zwei Messkurven zu sehen. Die grne Kurve wird als Average-Wert
bezeichnet und stellt den zeitlichen Mittelwert der gemessenen Funkstrspannung dar. Die
rote Kurve ist die Quasipeak-Messung. Diese Messmethode beinhaltet eine
Scheitelwertmessung der Funkstrspannung, wobei im Gegensatz zu einer reinen
Scheitelwertmessung der Speicherkondensator eine definierte Entladezeitkonstante besitzt,
wodurch neben dem absoluten Scheitelwert auch die Wiederholfrequenz der
Funkstrpannungsamplituden in den Messwert mit eingeht. Diese beiden Messmethoden
haben sich in der EMV-Technik als Standard durchgesetzt. Beide sind mit Grenzwerten
versehen, die fr ein Gert in einer definierten Umgebung einzuhalten sind. In Abbildung 125
sind in magenta Farbe die beiden Grenzwertkurven fr Average und Quasipeak
informationshalber mit eingezeichnet, wobei die untere Kurve die Grenzwerte fr den
Average und die obere Kurve die Grenzwerte fr den Quasipeak darstellen. Beide
Grenzwerte werden deutlich berschritten.

Neben den beiden Messkurven sind in Abbildung 125 wie auch in allen folgenden
Messkurven noch blaue Kreuze zu sehen. Diese stellen Messwerte mit erhhter Genauigkeit
im Vergleich zu den durchgehenden Kurven dar und werden bei allen Frequenzen
durchgefhrt, bei denen lokale Maxima der in den durchgehenden Kurven auftreten. Im
Gegensatz zu den durchgehenden Kurven stellen diese Kreuze die mit hoher Genauigkeit
ermittelten Strpegel und somit das relevante Kriterium z.B. zu Bestehen einer EMV-Prfung
dar.

146
 dBuV
100

90

80

Quasipeak
QPClassA C2
70

AVClassA
60 Average C2

50
Ustr

40

30

20

10

0
0.15 1 10 30

Frequenz
MHz
PAGE 1

Abbildung 126: Messung der Funkstrspannung des Demonstratorumrichters mit 300m

ungeschirmter Motorleitung mit Sinusfilter

Aus dem Vergleich von Abbildung 126 mit Abbildung 125 ist zu erkennen, dass durch den
Sinusfilter die EMV-Grenzwerte abgesenkt werden knnen. Insbesondere im Bereich bis
1MHz wird eine Verbesserung von ber 20dBV erreicht. Der maximale Strpegel im
gesamten Frequenzbereich wird um ca. 10dBV reduziert. Verantwortlich hierfr ist allein die
Induktivitt des Sinusfilters, weil ein zustzlicher Versuch mit entfernten symmetrischen
Filterkondensatoren keine Vernderung der EMV-Messwerte im Vergleich zu Abbildung 126
ergibt. Dieses Ergebnis ist analog zu dem Ergebnis aus Kapitel 3.4.3, in dem die
Lagerstrme betrachtet wurden, und ist auf die reduzierte Spannungssteilheit der
Motorleitungen gegenber Erde und damit verbunden der geringeren asymmetrischen
Strstrme zu erklren.

Der Sinusfilter leistet somit einen Beitrag zur Verbesserung des EMV-Verhaltens, ist jedoch
allein nicht in der Lage, die Einhaltung der Grenzwerte fr die Klasse C2 beim Betrieb mit
ungeschirmten Motorleitungen zu bewerkstelligen. Hierfr ist noch ein zustzlicher common
mode Filter am Umrichterausgang erforderlich.

Mit einem common mode Ausgangsfilter, das eine stromkompensierte Drossel mit einer
Induktivitt von 30H und Kondensatoren von 10nF gegen Erde enthlt, knnen auch mit
ungeschirmter Motorleitung die Grenzwerte der Klasse C2 in der Funkstrspannung
eingehalten werden:

147
 Quasipeak C2

Average C2
Ustr

Frequenz

Abbildung 127: Funkstrspannung bei ungeschirmter Motorleitung mit Sinusfilter und

zustzlichem common mode Filter

In einem Wrmelauf des Umrichters mit dem zustzlichen common mode Ausgangsfilter war
keine messbare Temperaturerhhung der Leistungshalbleiter im Umrichter feststellbar, was
den Schluss zulsst, dass die zustzliche Strombelastung fr die Halbleiter durch den
Ausgangsfilter gering ist. An den Sinusfilterdrosseln war eine Temperaturerhhung von 4,2K
feststellbar, was einer zustzlichen Erhhung um ca. 8% (vgl. Kap. 3.3.2.2) entspricht.
Diese Temperaturerhhung ist auf hochfrequente Strme zurckzufhren, die durch die
Kondensatoren des common mode Ausgangsfilters und somit auch durch die
Sinusfilterdrosseln flieen. Diese hochfrequenten Strme fhren in den Sinusfilterdrosseln
zu zustzlichen Kernverlusten.

Beim Einsatz geschirmter Motorleitungen ist der zustzliche common mode Filter fr die
Einhaltung der Grenzwerte nicht erforderlich. Deshalb ist es fr eine Anwendung vorteilhaft,
diesen nicht in den Umrichter zu integrieren, sondern nur bei Bedarf einzusetzen. Sollte der
zustzliche common mode Filter mit geschirmten Motorleitungen eingesetzt werden, ist auf
die Resonanzfrequenz des asymmetrischen Filters zu achten (vgl. Kap. 3.4.2), weil die
Induktivitt der zustzlichen common mode Drossel fr die Resonanzfrequenz des
asymmetrischen Filters mit zu bercksichtigen ist.

148
3.5.3 Strahlungsgebundene Straussendung

Bei der strahlungsgebundenen Straussendung sind zur Beurteilung des Einflusses des
Sinusfilters Messungen mit geschirmter Motorleitung zweckmig, da bei ungeschirmter
Motorleitung die Pegel der Straussendung so hoch sind, dass die Messtechnik gefhrdet
wird. Bei dieser Messung wird in einem genormten Abstand von 10m die
Strspannungsfeldstrke im Bereich von 30MHz bis 1000MHz mit einer Antenne erfasst
[114]. Die Messung wird in einem Raum durchgefhrt, in dem die Reflexion der Wnde
minimiert ist, damit mglichst nur die direkte Strstrahlung erfasst wird. Analog zur
Funkstrspannung wird auch die Strfeldstrke im logarithmischen Mastab angegeben:

E ( f )
V
E str ( f )dB str
= 20 lg V
(106)
m
1
m

Class C2
Estr

Frequenz
Abbildung 128: Strahlungsgebundene Straussendung des Demonstrators bei Betrieb ohne
Sinusfilter

Ohne Sinusfilter wird der zulssige Grenzwert der Feldstrke deutlich berschritten und liegt mit
52dBV/m bei 38MHz um mehr als 10dBV/m ber dem zulssigen Grenzwert. In Abbildung 128 ist
zu beachten, dass nur die eingezeichneten Kreuze verlssliche Messwerte darstellen, whrend die
angezeigte Kurve lediglich informativen Charakter besitzt und die Aufgabe hat, kritische Frequenzen
fr die verlssliche Messung zu selektieren.

Mit Sinusfilter sind die Pegel der Strstrahlung deutlich reduziert, teilweise bis zu 30dBV/m.
Ursache hierfr ist ebenfalls der Einfluss der Sinusfilterdrossel, weil eine nderung der
symmetrischen Kondensatoren keine Vernderung der Messkurve ergibt.

149
 dBV/m

Class C2
Estr

Frequenz /[MHz]
MHz

Abbildung 129: Strahlungsgebundene Straussendung des Demonstrators bei Betrieb mit

Sinusfilter

Mit dem Einsatz des common mode Filters wird die Messung der Strstrahlung auch mit
einer ungeschirmten Motorleitung mglich:

Class C2
Estr

Frequenz
Abbildung 130: Strahlungsgebundene Straussendung des Demonstrators mit zustzlichem
common mode Filter und ungeschirmter Motorleitung

150
Durch den common mode Filter kann die strahlungsgebundene Straussendung so stark
abgesenkt werden, dass die maximal messbaren Pegel im Bereich der zulssigen
Grenzwerte liegen.

Zusammenfassend kann aus den EMV-Messungen die Schlussfolgerung gezogen werden,

dass der Sinusfilter eine Reduzierung der Straussendung des Umrichters sowohl
leitungsgebunden als auch in der Feldstrkemessung bewirkt. Die Ursache liegt in der
asymmetrischen Wirkung des Sinusfilters. Durch den gezielten Einsatz eines common mode
Filters mit stromkompensierter Drossel kann jedoch eine noch grere Wirkung erzielt
werden. Aus diesem Grund sollte der EMV-Gesichtspunkt fr die Auslegung des
symmetrischen Sinusfilters bzw. dessen Drossel nicht im Vordergrund stehen.

151
4 Zusammenfassung
In der vorliegenden Arbeit wurde ein Umrichterleistungsteil fr eine Anschlussspannung von
690V und einer Nennleistung von 18,5kW mit Sinusausgangsfilter konzipiert, welches im
Vergleich zu heutigen Umrichtern mit einer erhhten Schaltfrequenz arbeitet und somit eine
Aufwandsreduzierung fr den Sinusfilter zur Folge hat.

Im ersten Teil der Arbeit wurden hierfr verschiedene Lsungsmglichkeiten fr die

Halbleiterrealisierung diskutiert und miteinander verglichen. Wird als aktiver Schalter ein
IGBT verwendet, so ist dieser auf Kosten des Durchlassverhaltens fr geringe Schaltverluste
zu optimieren. Fr die Freilaufdiode gilt dies ebenfalls, wobei ein besonders groer Vorteil
durch den Einsatz von Schottkydioden als Freilaufdiode erzielt werden kann.

Schottkydioden fr die erforderliche Sperrspannung von 1700V knnen heute nur mit dem
Halbleitermaterial Siliziumkarbid (SiC) realisiert werden. Die grundlegenden physikalischen
Eigenschaften dieser Bauelemente wurden erlutert. Da aus Grnden der Ausbeute diese
Schottkydioden zur Zeit nur als kleine Chips mit verhltnismig geringer Stromtragfhigkeit
von 7A wirtschaftlich hergestellt werden knnen, wurde die Parallelschaltung der Chips und
das damit eingehende derating betrachtet.

Fr die verschiedenen Lsungsmglichkeiten wurden anschlieend vergleichende

Dimensionierungen durchgefhrt. Hierbei zeigt sich, dass fr geringe Schaltfrequenzen bis
4kHz die SiC-Diode nur verhltnismig geringe Vorteile bietet, die kaum in der Lage sind,
den hheren Flchenpreis fr das Halbleitermaterial SiC zu rechtfertigen. Bei hohen
Schaltfrequenzen wie 16kHz sind die Vorteile jedoch beachtlich. Neben der erforderlichen
Halbleiterflche werden auch die anfallenden Verluste des Umrichters durch den Einsatz der
SiC-Dioden deutlich reduziert. Bei noch hherer Schaltfrequenz von 64kHz ist mit Si-
Freilaufdioden mitunter berhaupt keine wirtschaftliche Lsung mglich, weil die Verluste
exorbitant werden.

Fr Lsungen in der Zukunft sind auch unipolare Hochvoltschalter aus SiC denkbar. Diese
Bauelemente sind heute noch stark in der Entwicklungsphase. Deshalb wurde eine
theoretische Abschtzung geliefert, welche Dimensionierung bei idealisiertem
Schaltverhalten denkbar ist. Dabei stellt sich heraus, dass eine sehr hohe Schaltfrequenz
wirtschaftlich realisierbar ist, aber auch eine entsprechende Erhhung der
Schaltgeschwindigkeit erfordert, die ihrerseits erhhte Anforderungen an z.B. die dU/dt-
Festigkeit potenzialtrennender Komponenten stellt. Bei heute verwendeten bipolaren IGBTs
sind die Vorteile durch eine starke Erhhung der Schaltgeschwindigkeit begrenzt, weil die
inhrente Speicherladung der IGBTs dadurch nicht beeinflusst werden kann.

Im zweiten Teil der Arbeit wurde die vorteilhafte Gestaltung des Sinusfilters diskutiert.
Grundlage hierfr sind die zu filternden Komponenten der Ausgangsspannung, wobei
besonders das symmetrische System fr die Dimensionierung der Sinusfilterdrossel wichtig
ist. Die Abhngigkeit des Drosselvolumens von der Umrichterschaltfrequenz und dem zu
whlenden Ripplestrom des Filters wurden theoretisch und anhand realer Lsungsvarianten
aufgezeigt. Dabei zeigt sich, dass fr die realen Lsungsmglichkeiten neben dem
theoretischen Optimum auch die Verfgbarkeit von Kernbauformen fr unterschiedliche
Schaltfrequenzen und Leistungen eine Rolle spielt.

Die Rckwirkung der Dimensionierung des Ripplestroms auf den Halbleiterbedarf im

Motorwechselrichter wurde anhand von Simulationen mit dem
Schaltkreissimulationsprogamm Simplorer diskutiert. Es zeigt sich, dass diese Rckwirkung
nicht unerheblich ist, weil ein steigender Ripplestrom erhhte Halbleiterverluste mit sich

152
bringt, so dass der Ripplestrom nicht beliebig gro gewhlt werden darf. Anschlieend wurde
ein allgemeines Auslegungsoptimum hergeleitet, welches eine Dimensionierung der
Filterdrossel und der Halbleiter in Abhngigkeit des Kostenverhltnisses beider
Komponenten erlaubt. Fr den motorseitigen Wechselrichter des Demonstratorumrichters
wurden eine Schaltfrequenz von 16kHz und eine Filterinduktivitt von 0,7mH als Ergebnis
der Optimierungen gewhlt. Als Halbleiterbauelemente wurden in dem motorseitigen
Wechselrichter planare IGBTs und SiC-Schottky-Freilaufdioden verwendet.

Die Dimensionierung des Filterkondensators ist bzgl. des Kostenaufwandes untergeordnet,

weil der Kondensator wesentlich kostengnstiger als die Drossel ist. Allerdings wird der
Kondensatorwert durch die auftretende Selbsterregung begrenzt, die abhngig von der
zulssigen Drehzahl des Antriebes z.B. bei Pulsperre des Wechselrichters auftreten und zur
Zerstrung des Umrichters durch berspannung fhren kann.

Der realisierte, symmetrisch wirkende Sinusfilter zeigt in Verbindung mit Kapazitten der
Motorleitungen und der Motorwicklungen gegen Erde auch eine asymmetrische Filterwirkung
als dU/dt-Filter. Die verbleibende Spannungssteilheit von unter 500V/s ist gegenber einer
Lsung ohne Sinusfilter so weit reduziert, dass die Isolationsbeanpruchung des Motors,
insbesondere der Windungsisolation der ersten Motorwindungen, deutlich reduziert wird. Aus
dem gleichen Grund ist auch die Belastung des Motors bezglich Lagerstrmen stark
reduziert.

Die Reduzierung der asymmetrischen Strme durch die reduzierte Spannungssteilheit der
Motorleitungen gegenber Erdpotenzial fhrt darber hinaus zu einer Verbesserung
Straussendungen des Umrichters.

Als abschlieendes Urteil kann festgehalten werden, dass die Verwendung einer erhhten
Schaltfrequenz des Motorwechselrichters in einem Umrichterleistungsteil mit Sinusfilter
deutliche Vorteile bzgl. des Bauvolumens mit sich bringt. Fr eine optimierte Lsung sind als
Freilaufdioden Schottkydioden aus SiC erforderlich, um die Schaltverluste des
Wechselrichters zu beherrschen. Bei zuknftiger Verfgbarkeit von unipolaren
Hochvoltschaltern aus SiC kann die Schaltfrequenz dabei noch weiter erhht werden. ber
einen mglichen Kostenvorteil auf Materialkostenbasis entscheidet das Verhltnis von Filter-
zu Halbleiterkosten.

153
5 Abstract
In this theses, the power stage of a frequency converter for 690V mains voltage and 18.5kW
has been designed. The converter power stage operates at high switching freqency,
reducing therefore the effort for an integrated sine wave output filter.

In the first part of the theses, different variants of power semiconductors are compared. If an
IGBT is used as active switch, it has to be optimized for high switching frequency. For the
freewheeling diode, a huge benefit can be generated by using schottky diodes.

Today, schottky diodes for a breakdown voltage of 1700V can only be realized in SiC. The
basic physical character of this semiconductor material is described. As only small chips with
a current capability of 7A are available today, the paralleling of several chips is discussed in
detail.

For a small switching frequency like 4kHz, savings in losses due to SiC are relatively small.
For 16kHz, the improvement is remarkeable. For 64kHz, even the Si IGBT could be replaced
by a unipolar SiC switch. In this case, it is favourable to increase the switching speed of the
unipolar SiC switch.

In the second part of the theses, the favourable design of the sine wave filter is discussed.
The dependancy of the volume of the filter choke of the switching frequency is discussed
theoretically and by practical variants.

The effect of the rating of the ripple current on the semiconductor losses is simulated. This
effect is remarkeable and has to be taken into account. For the demonstrator of 18.5kW, a
switching frequency of 16kHz and a filter inductance of 0.7mH was found to be the best
compromise.

The rating of the filter capacitor and the maximum motor speed are limited by avoiding the
self excitation of the the motor.

The filter inductance in conjunction with capacitances to ground limits the dV/dt of the output
voltage to ground to less than 500V/s. This reduces the stress of the motor insulation.
Furthermore, bearing currents are reduced significantly as well EMI disturbance.

As a final remark, it can be stated that by increasing the switching frequency, the volume of a
sine wave filter can be reduced significantly. For an optimized solution, SiC freewheeling
diodes are required to reduce the switching losses of the inverter. The economical
acceptance of that solution depends on the cost ratio of filter - and semiconductor costs.

154
6 Abkrzungen und Formelzeichen

^ Scheitelwert einer Gre

2QS Zwei-Quadrantensteller

A Anode
A Flche, allgemein
Winkel, allgemein
A** effektive Richardson-Konstante
Aaktiv,Chip Aktive Flche eines Halbleiterchips
Aaktiv,Wafer Summe aller aktiven Chipflchen auf einem Wafer

B magnetische Flussdichte
b Breite
n Exponentialterm der Temperaturabhngigkeit von SiC

C Collectoranschluss eines IGBT

C Kondensator, allgemein
Stromwinkel
CE Kapazittsbelag gegen Erde
CF Filterkondensator
CKE Kapazitt der Motorleitung gegen Erde
CKS Kapazitt der Motorleitung gegen den Kabelschirm
CLFE Kapazitt der Wicklung der Filterdrossel gegen Erde
CLE Kapazitt zwischen einem Leiter und Erde
CME Kapazitt der Motorwicklung gegen Erde
CMG Kapazitt der Motorwicklung gegen das Motorgehuse
CRS Kapazitt des Rotors zum Statorblechpaket
CSF Kapazitt des Lagerschmierfilms
CU Leitermaterial, z.B. Kupfer
CW Kapazittsbelag einer Windung gegen eine Nachbarwindung
CWR Kapazitt der Statorwicklung zum Rotor
CWRE Kapazitt der getakteten Wechselrichterausgangsleitungen gegen Erde
CWS Kapazitt der Statorwicklung zum Statorblechpaket
Czk Zwischenkreiskondensator
CZKE Kapazitt zwischen einem Zwischenkreisanschluss und Erde

D Drainanschluss
D Diode, allgemein
D Defektdichte
relative Einschaltdauer in einer Modulationsperiode
Differenz, allgemein
DCB Keramiksubstrat (Direct Copper Bonding)
DCN negativer Anschluss des Zwischenkreises
DCP positiver Anschluss des Zwischenkreises
di/dt Stromsteilheit, allgemein
du/dt Spannungssteilheit, allgemein
DUT Device Under Test
ds inkrementale Weglnge

E Emitteranschluss eines IGBT

E elektrische Feldstrke

155
E Energie, allgemein
Dielektrizittskonstante eines Materials
0 Dielektrizittskonstante des Vakuums
r relative Dielektrizittskonstante eines Materials
Eadd1,Eadd2 zustzliche Verlustenergie
EC unterstes Energieniveau des Leitungsbandes
EdT1 Durchlassverlustenergie im Transistor T1
Edyn Verlustenergieanteil durch dynamische Sttigungsspannung
Ekrit kritische elektrische Feldstrke eine Halbleitermaterials
EF Ferminiveau, allgemein
EFH Ferminiveau des Halbleiters
EFM Ferminiveau des Metalls
Eg Bandabstand zwischen Valenzband und Leitungsband
Eoffd Ausschaltverlustenergie einer Diode
EonIGBT Einschaltverlustenergie eines IGBT
Es Schaltverlustenergie
Estr Strfeldstrke
EV oberstes Energieniveau des Valenzbandes

f Frequenz, allgemein
F Kraft
, Phasenwinkel zwischen Strom und Spannung
magnetischer Fluss
Potenzial, allgemein
b Potenzial der Schottkybarriere
H Austrittsarbeit des Halbleiters
M Austrittsarbeit des Metalls
F3E Fundamental Frequency Front End, aktive Gleichrichterschaltung in B6-
Schaltung mit grundfrequent getakteten Halbleiterschaltern
f(E) Fermiverteilung
FE magnetisches Kernmaterial, z.B. Eisen
fout Ausgangsfrequenz des Umrichters
fs Schaltfrequenz

G Gateanschluss eines aktiven Halbleiterschalters

G bertragungsfunktion, allgemein
Gd bertragungsfunktion unter Bercksichtigung der Dmpfung
GdM bertragungsfunktion unter Bercksichtigung der Dmpfung und des Motors
GR Gleichrichter

H magnetische Erregung
H Kopflnge

I Strom, allgemein
IA Ausgangsstrom eines Schaltungsteils
IC Collectorstrom eines IGBT
ICN Collectornennstrom eines IGBT
ICOM common mode Strom
ID Strom in einer Diode
ID Drainstrom eines JFET
IDN Nennstrom einer Diode
Im Imaginrteil
I Magnetisierungsstrom eines Motors
ILast Laststrom
ILW1 grundfrequenter Anteil des Stromes in der Filterinduktivitt in Phase W
ILWh hochfrequenter Anteil des Stromes in der Filterinduktivitt in Phase W

156
Imittel Strommittelwert
Imittel Strommittelwert
IS Stnderstrom eines Motors

J Stromdichte
JFET Junction Field Effect Transistor

k Boltzmann-Konstante
K Kathode
K0, K1, K2 Koeffizienten, allgemein
KD Kosten fr die Filterdrossel
Kges Gesamtkosten fr Filterdrossel und Halbleiter
KH Kosten fr die Halbleiter

L Induktivitt, allgemein
L Induktivittsbelag
l Weglnge, allgemein
LCOM Induktivitt einer stromkompensierten Drossel
LCU Induktivitt einer Kupferbahn auf der DCB
LF Filterinduktivitt
Lh Hauptinduktivitt des Motors
LK Induktivitt der Motorleitung
LM Streuinduktivitt des Motors
LRB Induktivitt eines Rahmenbonddrahtes
Ls Streuinduktivitt
Ls1 Streuinduktivitt der Statorwicklung
Ls2 auf die Statorseite umgerechnete Streuinduktivitt des Rotors
LSB Induktivitt eines Substratbonddrahtes

M Modulationsindex
M Motor
M Kreismittelpunkt
max Maximalwert
Permeabilitt, allgemein
0 Permeabilitt des Vakuums
n Beweglichkeit der Elektronen
p Beweglichkeit der Lcher
r relative Permeabilitt eines Materials

n negative geladene freie Ladungstrger, Elektronen

n Anzahl, allgemein
N Dotierungskonzentration, allgemein
n+ hohe Elektronenkonzentration
n- geringe Elektronenkonzentration
NA Dotierungskonzentration der Akzeptoren
NC Anzahl der mglichen Energiezustnde im Leitungsband
ND Dotierungskonzentration der Donatoren
ni intrinsische Ladungstrgerkonzentration
nr n-Dotierungskonzentration auf der rechten Seite des pn-bergangs
NV Anzahl der mglichen Energiezustnde im Valenzband

p positiv geladene freie Ladungstrger, Lcher

p+ hohe Lcherkonzentration
magnetischer Gesamtfluss
PD Verluste einer Diode
Pd Durchlassverluste

157
PdD2 Durchlassverluste in der Diode D2
PdDU0 Durchlassverluste in der Diode der Phase U bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PdDV0 Durchlassverluste in der Diode der Phase V bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PdDW0 Durchlassverluste in der Diode der Phase W bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PdT1 Durchlassverluste im Transistor T1
PdTU0 Durchlassverluste im Transistor der Phase U bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PdTV0 Durchlassverluste im Transistor der Phase V bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PdTW0 Durchlassverluste im Transistor der Phase W bei Ausgangsfrequenz 0Hz
PDU Verluste in der Diode in Phase U
PDV Verluste in der Diode in Phase V
PDW Verluste in der Diode in Phase W
PJFET Verluste des JFET
Ps Schaltverluste
PSBD Verluste der Schottkydiode
PsU0 Schaltverluste der Bauteile in der Phase U
PsV0 Schaltverluste der Bauteile in der Phase V
PsW0 Schaltverluste der Bauteile in der Phase W
PT Verluste eines Transistors bzw. IGBTs
PTU Verluste in des IGBT in Phase U
PTV Verluste in des IGBT in Phase V
PTW Verluste in des IGBT in Phase W
pl p-Dotierungskonzentration auf der linken Seite des pn-bergangs

q Elementarladung
Q Speicherladung eines Leistungshalbleiters

r Reflexionsfaktor
R Widerstand, allgemein
eingeschlossene Ladung
R2 auf die Statorseite umgerechneter Luferwiderstand
Re Realteil
Ron ohmscher Ersatzwiderstand einer linearisierten Durchlasskennlinie
rpm Umdrehungen pro Minute
RSF Widerstand des Lagerschmierfilms
Rsub Substratwiderstand
Rth Thermischer Widerstand, allgemein
RthjhT thermischer Widerstand zwischen der Sperrschicht eines IGBT und der
Oberseite des Khlkrpers
RthjhD thermischer Widerstand zwischen der Sperrschicht einer Diode und der
Oberseite des Khlkrpers
Rthha thermischer Widerstand zwischen dem Khlkrper und der
Umgebungstemperatur

s Schlupf
Si Silizium
SiC Siliziumkarbid

t Zeit, allgemein
T Transistor, allgemein
T Temperatur, allgemein
T Dauer einer Grundschwingungsperiode
Durchflutung
Zeitkonstante, allgemein
Ta Temperatur der Umgebung
Tc Temperatur der Modulbodenplatte
tA Anstiegszeit

158
tf Fallzeit
tL Laufzeit
Th Temperatur des Khlkrpers
TjT Sperrschichttemperatur eines IGBT
TjD Sperrschichttemperatur einer Diode
tp Modulationsperiode

U Spannung, allgemein
U, V, W Wechselspannungsanschlsse des Wechselrichters
U0 hinlaufende Spannungswelle
U0 rcklaufende Spannungswelle
UA Ausgangsspannung
UCE Collector-Emitter-Spannung
UCE0 Schleusenspannung eines IGBT
UCE1 Collector-Emitter-Spannung zum Zeitpunkt t1
UCEN Collector-Emitter-Spannung eines IGBT bei Nennstrom
UCEsat Collector-Emitter-Spannung im gesttigten Zustand des IGBT
UCOM common mode Spannung
UCU,UCV, UCW Spannungen an den Filterkondensatoren der Phasen U, V bzw. W
UD Spannung an einer Diode
UD0 Schleusenspannung einer Diode
UDN Spannung an einer Diode bei Nennstrom
UdT1 Durchlassspannung am Transistor T1
UDrift Driftspannung
UDS Drain-Source-Spannung eines JFET
Uh hochfrequente Anteile einer Spannung
UiM innere Spannung des Motors
ULE Leiter-Erde-Spannung
ULM Spannungsabfall an der Streuinduktivitt des Motors
ULW Spannungsabfall an der Filterinduktivitt in Phase W
US Stnderspannung eines Motors
Usmax maximale Sperrspannung eines Bauelementes
UstA Ansteuerspannung einer Treiberstufe
Ustr Funkstrspannung
Uth Schwellenspannung
UW treibende Spannung fr Wirbelstrme
UWD differential mode Spannung der Phase W
UWD1 grundfrequenter Anteil der differential mode Spannung der Phase W
UWDh hochfrequenter Anteil der differential mode Spannung der Phase W
Uzk Zwischenkreisspannung

w Weite der schwach dotierten Mittelschicht eines Leistungshalbleiters

Kreisfrequenz, allgemein
g Grenzfrequenz
Wmag magnetische Energiedichte
WR Wechselrichter
res Resonanzfrequenz

x Weg, allgemein
xw Weglnge zwischen zwei benachbarten Windungen

Za Abschlussimpedanz einer Leitung

ZRE Erdungsimpedanz des Rotors
ZSE Erdungsimpedanz des Stators
Zth thermische Impedanz, allgemein
ZW Wellenwiderstand einer Leitung

159
7 Literaturverzeichnis

[1] Agilent Technologies, Datenblatt HCNW-3120

[2] Al Jabri, A.K.; Alolah, A.I.: Capacitance requirement for isolated self-excited induction
generator, IEE proceedings 1990, Vol. 137, No. 3, p. 154 159

[3] Andresen, E: Skritpum zur Vorlesung Theorie elektrischer Maschinen I, Technische

Universitt Darmstadt, 1992

[4] anonym, Verlustarme Magnetkerne. Weniger Spaltverlustprobleme mit

Magnetpulverkernen, Technica, Rupperswil, 2001, Bd. 50, Nr. 1/2, p. 25 - 27

[5] Baliga, B.J.; denBaars, S.; Palmour, J.; Shur, M; Spencer, M.: High voltage silicon carbide
devices, Wide bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature
symposium, San Francicso, CA, USA, 1998, p. 77 - 88

[6] Bartoli, M; Reatti, A.; Kazimierczuk, M.K.: Modelling iron-powder inductors at high
frequencies, IAS 1994, Conference record of the 1994 Industry Applications Conference
Twenty-Ninth IAS annual meeting, Denver, Co, USA, vol. 2, p.1225 1232

[7] Bauer, F.: Rckspeiseleistung bei Impulssperre bei ASM-Antrieben mit Sinusfiltern,
Technischer Aktenvermerk Siemens AG, Erlangen 2005

[8] Bauer, H.; Langer, G.: Modelle und Strategien fr Prfungen der elektromagnetischen
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