SCR Y TRIAC

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir, se constituye por tres terminales: nodo (A),
ctodo (K) y compuerta (G).

Smbolo del SCR y Aspecto Fsico de Encapsulado

El SCR es utilizado para el control de potencia elctrica, de conduccin unidireccional(en un solo

sentido); que al igual que un diodo rectificador puede conducir una corriente de nodo a Ctodo (IAK)
en polarizacin directa y se comporta virtualmente como un circuito abierto en polarizacin inversa
(VKA) debido a la alta resistencia que presenta en inverso.

A diferencia del diodo rectificador, el SCR cuenta con una condicin adicional para conducir. Esta es que
en la tercera terminal, llamada compuerta (Gate) de control o de disparo, en la cual se necesita una seal
capaz de producir la conduccin del SCR. Esta compuerta permite controlar el instante, dentro del posible
semiciclo de conduccin, en que la conduccin de corriente se inicia; lo cual significa que podr circular
corriente en una magnitud promedio o RMS que depender del instante en que el SCR sea disparado,
pudiendose as controlar la potencia de la carga.

FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE CONTINUA

Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce. Lo que sucede despus de ser activado el
SCR, es que se queda conduciendo (activado) y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de
conducir (desactivado), el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una
cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que
el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea
cero.

Como se puede ver el SCR , tiene dos estados:

1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE ALTERNA

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga elctrica. (Bombillo, Motor,
etc.). La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc.

El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el

condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en
el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el
tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.

Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la resistencia,
por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes
mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por
le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.

Anlisis grfico del Disparo y Voltaje de salida del SCR

TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA (TRIAC)

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente
promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado
por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac
puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente
de puerta positiva o negativa (ngulo de disparo).
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy
baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de
MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta
como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre
las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto
acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt)
an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.

CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE

La estructura contiene seis capas como se indica en la figura,

aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En
sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido
MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo
con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su
estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a
di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se
fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos
200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico
repetitivo. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para
trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores En la figura siguiente se
muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la
nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal
2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.

El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 , este
dispositivo es equivalente a dos latchs.
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

La grfica describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a

travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.

El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de

una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un
pequeo cambio en la tensin entre los nodos.

El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la

corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de
la fuente.

Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin,
por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la
disipacin de energa sobrante en la compuerta.

El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo
MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por
esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere,
pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III cuadrante

METODOS DE DISPARO

Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta
G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al
nodo 1. El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo.

Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo.

Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles
de disparo.

1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del
nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es
el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante).

La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que
es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la caida de tensin que produce en P2
la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la
figura por signos + y - .

Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el
potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin
del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1
(Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima
a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin
N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta
es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P
de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La
unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin
del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la
compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin
la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El
potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a
ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que
alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la
entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el
disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor.
El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el
disparo en todos los estados.

Circuito de Disparo para TRIAC

Anlisis grfico del funcionamiento del TRIAC

EJEMPLOS PRACTICOS DE APLICACION CON TRIAC.

CONTROL DE MOTOR

En la siguiente figura puede verse una aplicacin prctica para el control de un motor de
c.a. mediante un triac. La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando
exterior a la puerta inversora, que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que circular
corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho
diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la
tensin del nodo del triac de potencia.

Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que
pasa al estado de conduccin provocando el arranque delmotor.
Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente
pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en
cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que
consideremos oportuno.

Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC
cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se
puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no
deseados.

Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor, de
forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.

CONTROL DE ILUMINACIN PARA LMPARAS (DIMMER)

Transistores

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a
ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente
"transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color...
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en
ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de

radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de

alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de
impulsos PWM)

Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales

llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales,
que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que
igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos
de varias formas.

Tipos de Transistores. Simbologa

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las apliaciones a

las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente
y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-

Semiconductor (MOSFET)
 Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo,

el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su

encapsulado y distribucin de patillas. (Para ver la imgen en grande se puede hacer
click sobre ella).

Encapsulado de Transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes formas y
tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsulados
estndar y cada encapsulado tiene una asignacin de terminales que
puede consultarse en un catlogo general de transistores.

Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores

tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que
indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los transistores
mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para

transistores de gran potencia, que
siempre suelen llevar un radiador de
aluminio que ayuda a disipar la
potencia que se genera en l.
Arriba a la izquierda vemos su
distribucin de terminales,
observando que el colector es el
chasis del transistor. Ntese que los
otros terminales no estn a la misma
distancia de los dos agujeros.
A la derecha vemos la forma de colocarlo
sobre un radiador, con sus tornillos y la mica
aislante. La funcin de la mica es la de
aislante elctrico y a la vez conductor
trmico. De esta forma, el colector del
transistor no est en contacto elctrico con
el radiador.

Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores

de menos potencia, para reguladores de
tensin en fuentes de alimentacin y para
tiristores y triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un radiador de
aluminio, aunque a veces no es necesario, si
la potencia que van a disipar es reducida.
Abajo vemos la forma de colocarle el
radiador y el tornillo de sujeccin. Se suele
colocar una mica aislante entre el transistor
y el radiador, as como un separador de
plstico para el tornillo, ya que la parte
metlica est conectada al terminal central y
a veces no interesa que entre en contacto
elctrico con el radiador.

Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores

de potencia reducida, a los que no resulta
generalmente necesario colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la asignacin de
terminales de un transistor BJT y de un
Tiristor.
Abajo vemos dos transistores que tienen
esta cpsula colocados sobre pequeos
radiadores de aluminio y fijados con su
tornillo correspondiente.
 Cpsula TO-92. Es muy utilizada en
transistores de pequea seal.
En el centro vemos la asignacin de
terminales en algunos modelos de
transistores, vistos desde abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo
montados sobre una placa de circuito
impreso. Ntese la indicacin "TR5" de la
serigrafa, que indica que en ese lugar va
montado el transistor nmero 5 del circuito,
de acuerdo al esquema elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de

pequea seal. Su cuerpo est formado por
una carcasa metlica que tiene un saliente
que indica el terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores

de pequea seal. Al igual que el anterior,
tienen un tamao bastante pequeo.

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aqu
estas hojas de caractersticas. En ellas se observan la forma y dimensiones de los
diferentes tipos de transistores.
Para ver las imgenes basta hacer click sobre ellas o usar las funciones de "Guardar
destino como..." - "Save link as..." del navegador para guardarlas en el disco duro. Se
puede utilizar un programa del estilo del Paint Shop Pro en cualquiera de sus versiones
para imprimirlas en una hoja cada una, teniendo en cuenta que estn escaneadas a 300
pxeles por pulgada.

Introduccin

En Electrnica vamos a usar una serie de componentes o elementos que van a formar los circuitos y conviene saber
identificarlos correctamente:

b

i

Vamos a describir los componentes ms usados y adems vamos a incluir algunas imgenes para conocerlos de vista.

Aprenderemos a determinar algunas caractersticas determinantes que nos ayudarn a elegir los componentes cuando
diseemos nuestros circuitos y/o cuando vamos al comercio a comprarlos.

Las Resistencias

Las resistencias son unos elementos elctricos cuya misin es difultar el paso de la corriente elctrica a traves de
ellas. Su caracterstica principal es su resistencia hmica aunque tienen otra no menos importante que es la
potencia mxima que pueden disipar. sta ltima depende principalmente de la construccin fsica del elemento.

La resistencia hmica de una resistencia se mide en ohmios, valgan las redundancias. Se suele utilizar esa misma
unidad, as como dos de sus mltiplos: el Kilo-Ohmio (1K) y el Mega-Ohmio (1M=10 6).

El valor resistivo puede ser fijo o variable. En el primer caso hablamos de resistencias comunes o fijas y en el segundo
de resistencias variables, ajustables, potencimetros y restatos. No centraremos en el primer tipo, las fijas.

Las resistencias fijas pueden clasificarse en dos grupos, de acuerdo con el material con el que estn constituidas:
"resistencias de hilo", slamente para disipaciones superiores a 2 W, y "resistencias qumicas" para, en general,
potencias inferiores a 2 W.

Resistencias de hilo o bobinadas

Generalmente estn constituidas por un soporte de material aisalante y resistente a la temperatura (cermica,
esteatita, mica, etc.) alrededor del cual hay la resistencia propiamente dicha, constituida por un hilo cuya seccin y
resistividad depende de la potencia y de la resistencia deseadas.

En los extremos del soporte hay fijados dos anillos metlicos sujetos con un tornillo o remache cuya misin, adems
de fijar en l el hilo de resistencia, consiste en permitir la conexin de la resistencia mediante soldadura. Por lo
general, una vez construidas, se recubren de un barniz especial que se somete a un proceso de vitrificacin a alta
temperatura con el objeto de proteger el hilo y evitar que las diveras espiras hagan contacto entre s. Sobre este
barniz suelen marcarse con serigrafa los valores en ohmios y en vatios, tal como se observa en esta figura. En ella
vemos una resistencia de 250 &Omega, que puede disipar una potencia mxima de 10 vatios.

Aqu vemos el aspecto exterior y estructura constructiva de las resistencias de alta

disipacin (gran potencia). Pueden soportar corrientes relativamente elevadas y estn
protegidas con una capa de esmalte.

A. hilo de conexin

B. soporte cermico

C. arrollamiento

D. recubrimiento de esmalte.

Aqu vemos otros tipos de resistencias bobinadas,

de diferentes tamaos y potencias, con su valor
impreso en el cuerpo.

La de la izquierda es de 24 , 5% (inscripcin: 24R

5%)
La ms pequea es de 10 , aunque no se aprecia
su inscripcin en la foto.

Resistencias qumicas

Las resistencias de hilo de valor hmico elevado necesitaran una cantidad de hilo tan grande que en la prctica
resultaran muy voluminosas. Las resistencias de este tipo se realizan de forma ms sencilla y econmica emplenado,
en lugar de hilo, carbn pulverizado mezclado con sustancias aglomerantes.

La relacin entre la cantidad de carbn y la sustancia aglomerante determina la resistividad por centmetro, por lo que
es posible fabricar resistencias de diversoso valores. Existen tipos de carbn aglomerado, de pelcula de carbn y
de pelcula metlica. Normalmente estn constituidas por un soporte cilndrico aislante (de porcelana u otro material
anlogo) sobre el cual se deposita una capa de material resistivo.
En las resistencias, adems del valor hmico que se expresa
mediante un cdigo de colores, hay una contrasea que
determina la precisin de su valor (aproximacin), o sea
la tolerancia anunciada por el fabricante. Esta contrasea est
constituida por un anillo pintado situado en uno de los
extremos del cuerpo.

En la imagen de arriba vemos resistencias de pelcula de

carbn de diferentes potencias (y tamaos) comparadas con
una moneda.

De izquierda a derecha, las potencias son de 1/8, , , 1 y 2

W, respectivamente. En ellas se observan las diferentes
bandas de color que representan su valor hmico.

Aqu abajo vemos unos ejemplos de resistencias de pelcula

de carbn y de pelcula metlica, donde se muestra su
aspecto constructivo y su aspecto exterior:

Interpretacin del cdigo de colores en las resistencias

Las resistencias llevan grabadas sobre su cuerpo unas bandas de color que nos permiten identificar el valor hmico
que stas poseen. Esto es cierto para resistencias de potencia pequea (menor de 2 W.), ya que las de potencia
mayor generalmente llevan su valor impreso con nmeros sobre su cuerpo, tal como hemos visto antes.

En la resistencia de la izquierda vemos el mtodo de codificacin ms difundido. En el cuerpo de la resistencia hay 4

anillos de color que, considerndolos a partir de un extremo y en direccin al centro, indican el valor hmico de este
componente
El nmero que corresponde al primer color indica la primera cifra, el segundo color la seguna cifra y el tercer color
indica el nmero de ceros que siguen a la cifra obtenida, con lo que se tiene el valor efectivo de la resistencia. El
cuarto anillo, o su ausencia, indica la tolerancia.

Podemos ver que la resistencia de la izquierda tiene los colores amarillo-violeta-naranja-oro (hemos intentado que
los colores queden representados lo mejor posible en el dibujo), de forma que segn la tabla de abajo podramos decir
que tiene un valor de: 4-7-3ceros, con una tolerancia del 5%, o sea, 47000 47 K. La tolerancia indica que el
valor real estar entre 44650 y 49350 (47 K5%).

La resistencia de la derecha, por su parte, tiene una banda ms de color y es que se trata de una resistencia de
precisin. Esto adems es corroborado por el color de la banda de tolerancia, que al ser de color rojo indica que es
una resistencia del 2%. stas tienen tres cifras significativas (al contrario que las anteriores, que tenan 2) y los
colores son marrn-verde-amarillo-naranja, de forma que segn la tabla de abajo podramos decir que tiene un
valor de: 1-5-4-4ceros, con una tolerancia del 2%, o sea, 1540000 1540 K 1.54 M. La tolerancia indica
que el valor real estar entre 1509.2 K y 1570.8 K(1.54 M2%).

Por ltimo, comentar que una precisin del 2% se considera como muy buena, aunque en la mayora de los circuitos
usaremos resistencias del 5%, que son las ms corrientes.

Cdigo de colores en las resistencias

COLORES Banda 1 Banda 2 Banda 3 Multiplicador Tolerancia

Plata x 0.01 10%
Oro x 0.1 5%
Negro 0 0 0 x1
Marrn 1 1 1 x 10 1%
Rojo 2 2 2 x 100 2%
Naranja 3 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 4 x 10000
Verde 5 5 5 x 100000 0.5%
Azul 6 6 6 x 1000000
Violeta 7 7 7
Gris 8 8 8
Blanco 9 9 9
--Ninguno-- - - - 20%

Nota: Estos colores se han establecido internacionalmente, aunque algunos de ellos en ocasiones pueden llevar a una
confusin a personas con dificultad de distinguir la zona de colores rojo-naranja-marrn-verde. En tales casos,
quiz tengan que echar mano en algn momento a un multmetro para saber con certeza el valor de alguna
resistencia cuyos colores no pueden distinguir claramente. Tambin es cierto que en resistencias que han tenido un
"calentn" o que son antiguas, a veces los colores pueden haber quedado alterados, en cuyo caso el multmetro nos
dar la verdad.

Otro caso de confusin puede presentarse cuando por error leemos las bandas de color al revs. Estas resistencias de
aqu abajo son las mismas que antes, pero dadas la vuelta.
En la primera, si leemos de izquierda a derecha, ahora vemos oro-naranja-violeta-amarillo. El oro no es un color
usado para las cifras significativas, as que algo va mal. Adems el amarillo no es un color que represente tolerancias.
En un caso extremo, la combinacin naranja-violeta-amarillo (errnea por otro lado porque la banda de tolerancia
no va a la izquierda de las otras) nos dara el valor de 370 K, que no es un valor normalizado.

En la segunda, ahora vemos rojo-naranja-amarillo-verde-marrn. La combinacin nos dara el valor 234000000

= 234 M, que es un valor desorbitado (generalmete no suele haber resistencias de ms de 10 M), adems de no
ser un valor normalizado. Eso s, la resistencia tendra una tolerancia del 1% (marrn), que no tiene sentido para un
valor tan alto de resistencia.

Valores normalizados de resistencias

Vamos a mostrar ahora una tabla con los valores normalizados de resistencias, que ayudar a encajarlas segn
valores establecidos internacionalmente.

Tolerancia 10 % Tolerancia 5 % Tolerancia 2 %

1.0 1.0, 1.1 1.00, 1.05, 1.1, 1.15
1.2 1.2, 1.3 1.21, 1.27, 1.33, 1.40, 1.47
1.5 1.5, 1.6 1.54, 1.62, 1.69, 1.78
1.8 1.8, 2.0 1.87, 196, 2.00, 2.05, 2.15
2.2 2.2, 2.4 2.26, 2.37, 2.49, 2.61
2.7 2.7, 3.0 2.74, 2.87, 3.01, 3.16
3.3 3.3, 3.6 3.32, 3.48, 3.65, 3.83
3.9 3.9, 4.3 4.02, 4.22, 4.42, 4.64
4.7 4.7, 5.1 4.87, 5.11, 5.36
5.6 5.6, 6.2 5.62, 5.90, 6.19, 6.49
6.8 6.8, 7.5 6.81, 7.15, 7.50, 7.87
8.2 8.2, 9.1 8.25, 8.66, 9.09, 9.53

Los Condensadores

Bsicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energa en forma de campo elctrico. Est
formado por dos armaduras metlicas paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un material dielctrico.
Va a tener una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de trabajo, tolerancia y polaridad, que
deberemos aprender a distinguir
Aqu a la izquierda vemos esquematizado un condensador, con las dos lminas = placas = armaduras, y el dielctrico
entre ellas. En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una
cierta separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire.
 Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad
resulta tan grande que se suelen utilizar varios de los
submltiplos, tales como microfaradios (F=10-6 F ),
nanofaradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F).

Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede

aguantar un condensador, que depende del tipo y grososr
del dielctrico con que est fabricado. Si se supera dicha
tensin, el condensador puede perforarse (quedar
cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay que tener
cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca
trabaje a una tensin superior a la mxima.

Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al

error mximo que puede existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su
cuerpo.

Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad superior a 1 F tienen polaridad,
eso es, que se les debe aplicar la tensin prestando atencin a sus terminales positivo y negativo. Al contrario
que los inferiores a 1F, a los que se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los que tienen polaridad
pueden explotar en caso de ser sta la incorrecta.

Tipos de condensadores

Vamos a mostrar a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos que se pueden encontrar. Todos ellos
estn comparados en tamao a una moneda.

Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en electrlito. Siempre tienen polaridad, y una
capacidad superior a 1 F. Arriba observamos claramente que el condensador n 1 es de 2200 F, con una tensin
mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin: 2200 / 25 V).
Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a la derecha vemos unos ejemplos de
condensadores electrolticos de cierto tamao, de los que se suelen emplear en aplicaciones elctricas (fuentes de
alimentacin, etc...).

1.
1. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima pelcula de xido de tantalio
amorfo , que con un menor espesor tiene un poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad
superior a 1 F. Su forma de gota les da muchas veces ese nombre.

2. De poliester metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F y tensiones de trabajo a partir de
63v. Ms abajo vemos su estructura: dos lminas de policarbonato recubierto por un depsito metlico que se
bobinan juntas. Aqu al lado vemos un detalle de un condensador plano de este tipo, donde se observa que es
de 0.033 F y 250v. (Inscripcin: 0.033 K/ 250 MKT).

3. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de

fabricacin algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se
presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo comnmente el
nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser como mximo de 470 nF.
 1. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal, sin aplastar.

2. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes. Sus valores de capacidad estn
comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color.
Aqu abajo vemos unos ejemplos de condensadores de este tipo.

3. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los picofaradios y generalmente ya no se
usan, debido a la gran deriva trmica que tienen (variacin de la capacidad con las variaciones de
temperatura).

Identificacin del valor de los condesadores

Codificacin por bandas de color

Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos impresos codificados con unas bandas de color. Esta
forma de codificacin es muy similar a la empleada en las resistencias, en este caso sabiendo que el valor
queda expresado en picofaradios (pF). Las bandas de color son como se observa en esta figura:
 En el condensador de la izquierda vemos los siguientes datos:
verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" est expresado en pF). El color negro
indica una tolerancia del 20%, tal como veremos en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensin
mxima de trabajo de 250v.

En el de la derecha vemos:
amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele aparecer informacin acerca de la
tensin ni la tolerancia.

Cdigo de colores en los condesadores

COLORES Banda 1 Banda 2 Multiplicador Tensin

Negro -- 0 x1
Marrn 1 1 x 10 100 V.
Rojo 2 2 x 100 250 V.
Naranja 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 x 104 400 V.
Verde 5 5 x 105
Azul 6 6 x 106 630 V.
Violeta 7 7
Gris 8 8
Blanco 9 9

COLORES Tolerancia (C > 10 pF) Tolerancia (C < 10 pF)

Negro +/- 20% +/- 1 pF
Blanco +/- 10% +/- 1 pF
Verde +/- 5% +/- 0.5 pF
Rojo +/- 2% +/- 0.25 pF
Marrn +/- 1% +/- 0.1 pF

Codificacin mediante letras

Este es otro sistema de inscripcin del valor de los condensadores sobre su cuerpo. En lugar de pintar unas bandas de
color se recurre tambin a la escritura de diferentes cdigos mediante letras impresas.

A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a continuacin de las letras; en este caso no se traduce por
"kilo", o sea, 1000 sino que significa cermico si se halla en un condensador de tubo o disco.

Si el componente es un condensador de dielctrico plstico (en forma de paraleleppedo), "K"

significa tolerancia del 10% sobre el valor de la capacidad, en tanto que "M" corresponde a
tolerancia del 20% y "J", tolerancia del 5%.

LETRA Tolerancia
"M" +/- 20%
"K" +/- 10%
"J" +/- 5%

Detrs de estas letras figura la tensin de trabajo y delante de las mismas el valor de la capacidad indicado con cifras.
Para expresar este valor se puede recurrir a la colocain de un punto entre las cifras (con valor cero), refirindose en
este caso a la unidad microfaradio (F) o bien al empleo del prefijo "n" (nanofaradio = 1000 pF).

Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF = 47 nF, tolerancia del 5% sobre
dicho valor y tensin mxima de trabajo de 630 v. Tambin se podra haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n
J 630, o 4n7 J 630.

Cdigo "101" de los condensadores

Por ltimo, vamos a mencionar el cdigo 101 utilizado en los condensadores cermicos como alternativa al cdigo de
colores. De acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras, dos de ellas son las significativas y la ltima de ellas indica
el nmero de ceros que se deben aadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en picofaradios pF.
As, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo de la figura de la derecha, 403 significa
40000 pF = 40 nF.

Ejercicios prcticos

...y en esta nueva ocasin vamos a poner a prueba los conceptos explicados anteriormente. Vamos a presentar una
serie de condensadores elegidos al azar del cajn para ver si son capaces de identificar sus datos correctamente, ok?
 0,047 J 630
403
C=47 nF 5%
C=40 nF
V=630 V.

0,068 J 250
47p
C=68 nF 5%
C=47 pF
V=250 V.

22J 2200
C=22 pF 5% C=2.2 nF

10K +/-10% 400 V 3300/10 400 V

C=10 nF 10% C=3.3 nF 10%
V=400 V V=400 V.

amarillo-violeta- 330K 250V

naranja-negro C=0.33 F
C=47 nF 20% V=250 V.

0,1 J 250
n47 J
C=0.1 F 5%
C=470 pF 5%
V=250 V.

verde-azul-naranja-
1 250
negro-rojo
C=0.1 F
C=56 nF 20%
V=250 V.
V=250 V.
 22K 250 V
n15 K
C=22 nF
C=150 pF 10%
V=250 V.

azul-gris-rojo y
marron-negro-naranja amarillo-violeta-rojo
C1=8.2 nF C=4.7 nF
C2=10 nF

amarillo-violeta-rojo, rojo-negro-marrn
.02F 50V y amarillo-violeta-marrn
C=20 nF C1=4.7 nF
V=50 V. C2=200 pF
C3=470 pF

Los Transistores

Los transistores son unos componentes que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de
reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la
construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en
un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que
trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan
funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas,

control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)

Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que
dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que son Puerta (Gate),
Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden
estar distribuidos de varias formas.

Tipos de transistores. Simbologa

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las apliaciones a las que se destinan. Aqu abajo
mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-

Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo, el nmero de

transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:
Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su encapsulado y distribucin de patillas.
(Para ver la imgen en grande se puede hacer click sobre ella).

Encapsulado de transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes formas y tamaos, dependiendo de la
funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsulados estndar y cada encapsulado tiene una asignacin de
terminales que puede consultarse en un catlogo general de transistores.

Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es
decir, la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se
observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran

potencia, que siempre suelen llevar un radiador
de aluminio que ayuda a disipar la potencia que
se genera en l.
Arriba a la izquierda vemos su distribucin de
terminales, observando que el colector es el
chasis del transistor. Ntese que los otros
terminales no estn a la misma distancia de los
dos agujeros.
A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre
un radiador, con sus tornillos y la mica aislante.
La funcin de la mica es la de aislante elctrico y
a la vez conductor trmico. De esta forma, el
colector del transistor no est en contacto
elctrico con el radiador.
Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de
menos potencia, para reguladores de tensin en
fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs
de baja potencia.
Generalmente necesitan un radiador de aluminio,
aunque a veces no es necesario, si la potencia que
van a disipar es reducida.
Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y
el tornillo de sujeccin. Se suele colocar una mica
aislante entre el transistor y el radiador, as como
un separador de plstico para el tornillo, ya que la
parte metlica est conectada al terminal central y
a veces no interesa que entre en contacto elctrico
con el radiador.

Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de

potencia reducida, a los que no resulta
generalmente necesario colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la asignacin de
terminales de un transistor BJT y de un Tiristor.
Abajo vemos dos transistores que tienen esta
cpsula colocados sobre pequeos radiadores de
aluminio y fijados con su tornillo
correspondiente.

Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores

de pequea seal.
En el centro vemos la asignacin de terminales en
algunos modelos de transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo
montados sobre una placa de circuito impreso.
Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que
indica que en ese lugar va montado el transistor
nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema
elctrnico.
 Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de
pequea seal. Su cuerpo est formado por una
carcasa metlica que tiene un saliente que indica
el terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de

pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un
tamao bastante pequeo.

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aqu estas hojas de caractersticas.
En ellas se observan la forma y dimensiones de los diferentes tipos de transistores.

SEMICONDUCTORES
Materiales semiconductores se denominan los que no son ni buenos ni malos conductores de la
electricidad. Se hace variar su conductividad agregandole impuerezas de otros materiales en un
proceso llamado "dopado". Esto se hace con el objeto de generar los dos tipos de semiconductor: el
tipo N y el tipo P. Principalmente se utiliza el Silicio (Si) y cada vez menos el Germanio (Ge), ambos
por su configuracin de electrones de la capa exterior. Para doparlos (agregar impuresas) se utilizan
el boro, galio e Indio.

===============o===============

DIODOS
Los Diodos son los elementos ms bsicos de la electrnica. Por lo general su capsula es de forma
cilindrica con una pata en cada lado, de color negro con una ralla blanca. Esta ralla seala el Katodo
y la sin marca el Anodo. Por lo general traen el nmero que indica sus caracteristicas impreso en el
cuerpo.

Su configuracin electrnica es una union P-N, la cual permite el paso de la corriente en un sentido,
pero no en el inverso. Se utilizan principalmente en fuentes de poder con el fin de rectificar la
corriente alterna, transformandola en corriente continua pulsante, la que con un condensador se
filtra completamente.

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TRANSISTORES
Los Transistores son los componentes que mueven al mundo. Generalmente su capsula ms bsica
es una especie de bloque de resina negro, con tres patas en la parte inferior.

El transistor es un dispositivo que conectado en forma adecuada puede utilizarse para elevar el nivel
de seales pequeas, es decir, como amplificador, cumpliendo adems bastantes aplicaciones como
switch electrnico. En pocas palabras, al entrar una corriente pequea salga una mayor o igual a la
requerida. Se fabrican en 2 tipos: PNP y NPN, una especie de sandwich de uniones. Internamente
esta formado por tres zonas denominadas:

Emisor: Se fabrica altamente dopado, ya que su funcin es inyectar o emitir portadores hacia el
colector, a travz de la base.

Base: Se hace muy estrecha y pobremente dopada, para que se produzca la mnima recombinacin
con portadores provenientes del emisor.

Colector: Es la regin ms ancha del transistor, ya que se polariza inversamente y debe soportar
una mayor tensin, se dopa pobremente.
 Equivalencias entre la estructura electrnica, su polarizacin y el smbolo.

Transistores encontraremos en un Televisor, en un computador, en un reloj de pulsera, en un

microondas, en algunos juguetes.. etc. En casi todo lo que cumpla alguna funcin utilizando

electricidad, as de importante e 11/ El diodo

No existe un modo de definir fcilmente el porque a algunos componentes se los llama pasivos y a otros activos,
con absoluta precisin. Para definir perfectamente la cosa yo acostumbro a decir que los componentes pasivos
son el resistor, el capacitor y el inductor con dos variantes que aun no conocemos llamadas transformador y
autotransformador. Y los activos son los otros. Otros autores dicen que:

Los componentes activos son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o de realizar ganancias o control
del mismo. Fundamentalmente son los generadores elctricos y ciertos componentes semiconductores. Estos
ltimos, en general, tienen un comportamiento no lineal, esto es, la relacin entre la tensin aplicada y la
corriente que circula no es lineal como en un resistor, un capacitor o un inductor.

Los componentes activos semiconductores derivan del diodo de Fleming y del triodo de Lee de Forest. En una
primera generacin aparecieron las vlvulas que permitieron el desarrollo de aparatos electrnicos como la
radio o la televisin. Posteriormente, en una segunda generacin, apareceran los semiconductores que ms
tarde daran paso a los circuitos integrados (tercera generacin) cuya mxima expresin se encuentra en los
circuitos programables (microprocesador y microcontrolador) que nuestros alumnos ya conocen y que pueden
ser considerados como componentes, aunque en realidad son circuitos que llevan en su interior millones de
componentes.

En la actualidad existe un nmero elevado de componentes activos, siendo usual, que un sistema electrnico se
disee a partir de uno o varios componentes activos que condicionaran el funcionamiento del circuito. Esto no
sucede con los componentes pasivos. Dentro de los componentes activos mas importantes se pueden nombrar a
los diodos en primer termino cuya funcin es rectificar y limitar las seales; luego los transistores cuya funcin
es amplificar o controlar la corriente de un circuito; los amplificadores operacionales cuya funcin principal es
amplificar pero que tienen otros usos como sumadores restadores, etc y por ultimo los circuitos integrados en
general de los cuales existen versiones programables y no programables y que tienen un uso general.

Analicemos el componente activo ms elemental que es el diodo. Esta palabra significa que tiene dos
terminales. Los primeros diodos que se utilizaron fueron los diodos termoinicos que ya pertenecen a la
historia de la electrnica. En lo que sigue analizaremos el diodo semiconductor de silicio y lo aplicaremos a un
rectificador primero y la construccin de una radio elemental en la prxima entrega.

Representaciones grficas
En la ciencia electrnica todo se representa en grficos del tipo X-Y (coordenadas cartesianas ortogonales). Un
resistor puede ser representado en una grfica en donde se indica la corriente que circula por l en funcin de la
tensin que se le aplica. En la figura 1 se puede observar como ejemplo el grfico correspondiente al resistor de
1Kohm.
Fig.1 Representacin de un resistor de 1K

Observe que la recta representativa del comportamiento del resistor ocupa el primer y tercer cuadrante, que
significa que a valores de tensin positivos (por ejemplo 2V) responde haciendo circular una corriente en el
sentido positivo (2 mA); en cambio si se aplica una tensin negativa, el resistor cambia el sentido de circulacin
de la corriente pero mantiene su valor absoluto.

El grfico correspondiente a un capacitor conectado a una fuente de tensin de C.A. de frecuencia fija sigue un
grfico similar. Por ejemplo el correspondiente a un capacitor de 1> F, a 1KHz se puede representar luego de
calcular su reactancia capacitiva:

Xc= 1/(2 x F x C) = 1/(6.28x103x10-6) = 103/6.28 = 1000/6.28 159.23

Fig.2 Representacin de la reactancia capacitiva de un C de 1 uF a 1KHz

Observe que no representamos el valor negativo de las tensiones porque en una C.A. la tensin est cambiando
constantemente y lo que representamos en el eje Y es el valor de pico de la seal. Del mismo modo se podra
representar la grfica de la corriente por un inductor.

Representacin grfica de un diodo semiconductor

En nuestro curso bsico de electrnica estudiamos a los componentes en funcin de sus caractersticas externas
sin atender a cmo funcionan internamente. Considero que el alumno deber entender el funcionamiento interno
con posterioridad a la aplicacin del componente en el circuito.

Considere al diodo como un resistor cuya resistencia interna depende del sentido de circulacin de la corriente.
En un sentido presenta un bajo valor de resistencia en tanto que en el sentido contrario presenta una resistencia
muy elevada.

Un grfico vale por mil palabras. El grfico de un diodo semiconductor se puede observar en la figura 3.

Fig.3 Curva de un diodo 1N4148)

Como se puede observar al incrementar la tensin directa sobre el diodo no circula corriente hasta que se llega a
una tensin de 0.6V en donde la corriente comienza a circular aumentando bruscamente. Es decir que despus
de los 0.6V la curva corresponde a un resistor de bajo valor (unos 100 Ohm para el 1N4148). Por debajo de los
0.6V el diodo es casi un circuito abierto, es decir que posee una resistencia muy grande y muy variable diodo a
diodo, llamada resistencia de fuga del diodo. A un valor muy alto de tensin inversa el diodo entra en la llamada
tensin de ruptura; simplemente se produce un arco como el de la perforacin de un dielctrico y que para el
diodo considerado es de aproximadamente 75V. Ese arco es destructivo y el diodo por lo general se transforma
en un cortocircuito.

Este tipo de grfico no es el nico posible de realizar. La eleccin de los ejes es evidentemente informal. Podra
realizarse la curva usando el eje Y para representar la corriente y el eje X para la tensin.

Cuando Ud. disea un circuito con resistores, capacitores o inductores por lo general no necesita la
especificacin de los componentes. Pero cuando se utilizan componentes activos es necesario averiguar sus
caractersticas a travs de la correspondiente especificacin (Data Sheet).

Especificacin del diodo 1N4148

Como ejemplo vamos a estudiar la especificacin del diodo de seal ms comn utilizado en electrnica.

Esta especificacin que antiguamente se obtena del manual del fabricante, actualmente se obtiene por Internet.
Ingrese a cualquier buscador (por ejemplo el Google) y pida 1N4148.pdf, seguramente va a tener muchos links
a diferentes fabricantes; yo seleccion Fairchild y obtuve una especificacin en formato pdf que comienza con
una descripcin general o features.
Lo primero que se indica es que se trata de un diodo encapsulado en vidrio, del cual se puede observar su
versin clsica y tipo SMD en la figura 4.

Fig.4 Forma del diodo 1N4148

Observe que el diodo tiene una banda que marca el terminal negativo o ctodo para diferenciarla del positivo o
nodo. Junto al dibujo del diodo se puede observar que se trata de un diodo que puede conmutar a alta velocidad
entre los estados de alta impedancia y baja impedancia (4ns).

A continuacin se ven los dos valores ms importantes de un diodo que son la mxima tensin inversa y la
mxima corriente directa. En nuestro caso puede observar que nuestro diodo es de 200mA y 75V. Esto significa
que cuando est en directa puede conducir permanentemente hasta 200mA sin calentarse excesivamente a una
temperatura ambiente de 25C. Por otro lado cuando est en inversa admite una tensin mxima de 75V. Luego
se puede producir la ruptura del chip por exceso de tensin.

Fig. 5 Curvas caractersticas del 1N4148

Con referencia a los grficos Fairchild prefiere generar grficos separados para cada parmetro como por
ejemplo el grfico 5 que contiene la curvas de tensin inversa, directa a 20C y directa en funcin de la
temperatura. La primera curva observamos como la corriente inversa se mantiene casi constante en 20 nA hasta
que comienza a crecer a unos 60V de modo que a 100V ya tiene 100 nA. Debajo se encuentra la curva de
corriente directa a 25C.

Observe que a 500 mV circula una pequea corriente de 100 uA que se transforma en una importante corriente
de 700 mA al llegar a aplicar 700 mV. Esta curva parece recta solo porque la escala de corriente es logartmica
si fuera lineal se observara un codo neto a unos 600 mV. Como trabajo prctico el lector deber trazar esta
curva en un grafico lineal en ambos ejes considerando que el primer punto a ubicar es 0V/0A.

Arriba a la derecha se puede observar como la tensin de barrera cambia con la temperatura. Si mantenemos la
corriente circulante por el diodo en 10 mA (por ejemplo con una fuente de 12V y un resistor serie de 1,2
Kohms) podremos observar que la tensin variar entre 320 y 520 mV cuando la temperatura vare de -40 a +65
C. Si el lector est pensando que un diodo se puede usar como termmetro le decimos que precisamente
esa es una de sus funciones secundarias.

Por ltimo se observa una curva que nos indica que tan rpidamente opera nuestro diodo cuando se lo usa como
llave; el eje inferior representa a la corriente de recuperacin inversa o Irr en funcin del tiempo de
recuperacin Tr. El concepto de esta medicin es el siguiente: si Ud. aplica una tensin directa por el diodo
circular una corriente apreciable. Cuando invierta la tensin, el diodo debera abrirse de inmediato, pero en
realidad demora un tiempo que depende de la corriente directa que se haba establecido inicialmente. Si esta
corriente es de 60 mA el diodo demorar 1,25 nS en abrirse. Este parmetro caracteriza la velocidad del diodo
de modo que existirn diodos adecuados para la frecuencia de red y otros tan rpidos como para ser usados en la
banda de microondas a frecuencias de 10 GHz.

Se considera a un diodo como ideal cuando tiene una resistencia nula en directa, una barrera nula y una
resistencia infinita en inversa; es decir, un dispositivo que conduce perfectamente en un sentido y se abre en el
otro. Y podramos agregar: que no demora en abrirse.

Cicruitos con diodos

Los diodos de silicio (que son los ms utilizados) se emplean como rectificadores (conversores de CA en CC),
como limitadores de seal y como protectores de tensiones inversas.

Un sencillo circuito como el de la figura 11.5.1 es perfectamente capaz de evitar la circulacin del semiciclo
negativo de una seal de CA, transformndola en una CC pulsante tal como se puede observar con el
osciloscopio del WB Multisim.

Fig. 6 Conversor CA/CC

Este circuito tal como est no sirve de mucho, ya que la seal de salida no es una continua pura (tiene
aplicaciones en electrnica industrial porque una seal pulsante puede alimentar a un motor de CC tan bien
como una CC pura).

Para que el circuito se transforme en un verdadero conversor C.A./C.C., se debe agregar un componente que ya
conocemos: el capacitor electroltico. Tome el circuito anterior; agregue un electroltico cada vez ms grande y
observe el resultado sobre la forma de seal de la carga.
Fig. 7 Circuito rectificador

Fig.8 B C=47uF

Fig.9 D=470 uF

Cmo funciona el capacitor?

Consideramos primero un diodo ideal. El primer flanco ascendente carga al capacitor hasta el valor de pico ya
que con el capacitor descargado el diodo siempre est en directa. Luego del primer pico el capacitor conserva la
carga. Como la seal de entrada baja rpidamente, el diodo se abre y no se vuelve a cerrar hasta que aparece el
siguiente pico positivo. Es decir que por el diodo circula un pulso de corriente muy corto cuya duracin
depende del valor del capacitor electroltico.

Como trabajo prctico virtual el alumno analizar el pulso de corriente por el diodo a medida que cambia el
valor de C.

Fig. 10 Pulsos de corriente con C1 de valor elevado

Fig.11 Pulsos de corriente con C2 de valor reducido

El alumno observar que los pulsos de corriente tienen menor amplitud y mayor duracin a medida que el
capacitor se achica y que el ngulo de circulacin de corriente es realmente muy pequeo (2,26 mS sobre 20 mS
de periodo total en el primer caso).

Tambin observar que el primer pulso de corriente es mucho mayor que los siguientes porque el capacitor est
totalmente descargado. Luego el capacitor conserva una buena parte de la tensin de carga inicial y por lo tanto
hay una doble contribucin hacia el resistor de carga, a saber un pulso desde el generador y un valor uniforme
desde el electroltico.

Cul es la aplicacin real de los conversores C.A./C.C? Todos los dispositivos electrnicos, salvo los que
tienen pilas no recargables, poseen una etapa llamada fuente de alimentacin que convierte la tensin de la red
domiciliaria de 220/110V C.A. en una tensin de C.C. adecuada al dispositivo.

Las fuentes de alimentacin tendrn su captulo especial dada su importancia en la electrnica. Aqu trataremos
el uso primigenio de los diodos semiconductores que fue reemplazar a la galena en las primeras radios
comerciales.

Otros diodos especiales

En realidad existen muchos tipos de diodos especiales para que cumplan con una funcin determinada. Aqu
realizaremos una rpida recorrida por ellos en funcin de su uso comn.
Fig.12 Encapsulados de diodos

Diodos rpidos: existen dos tipos caractersticos; los diodos rpidos de potencia y los diodos rpidos de
seal. Los de potencia se utilizan en las modernas fuentes de switching que trabajan a frecuencias de
hasta 500 Khz. y pueden manejar corrientes de varios amperes y tensiones de varios cientos de bolas.
Los mas rpidos llamados diodos pueden llegar a velocidades de conmutacin similares a las de un
1N4148 pero conmutando varios amperes y a tensiones de algunos cientos de voltios.

Luego vienen los diodos rpidos de seal incluyendo los diodos Schottky que tienen tiempos de
conmutacin del orden de 1 nS o menos. El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn
Walter H. Schottky, es un dispositivo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de
conduccin directa e inversa (menos de 1nS en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy
bajas tensiones de barrera.

Diodos Zener: los diodos zener son diodos especialmente construidos como para que su tensin de
ruptura ocurra a un valor relativamente bajo (1 a 40V) y que sea un valor muy exacto. De este modo el
diodo se transforma en un regulador de tensin o fuente regulada de tensin con una gran cantidad de
aplicaciones.

Conclusiones
En esta entrega estudiamos a los diodos y sus caractersticas como un previo a su utilizacin en circuitos
convertidores de CA en CC con su variante detectora utilizada en la radio que pensamos presentarle en la
prxima entrega.

Este es el primer componente activo que le presentemos, el ms simple de usar y aquel que se utiliz por
primera ves en nuestra querida ciencia de la electrnica. Por supuesto que si Fleming volviera hoy a nuestro
mundo y observara un pequeo diodo de silicio no podra reconocer su viejo dispositivo.

En realidad el que construy el primer diodo no fue Fleming sino Tomas Alva Edison, solo que no supo
reconocer su utilidad y simplemente anot en sus famosos cuadernos de bitcora que haba construido una
lmpara incandescente pero que tena el problema de que el vidrio se oscureca y espejaba con el uso. La
colocacin de una pequea plaquita metlica en su interior conectada al positivo de la batera solucionaba el
problema y como Edison solucion su problema simplemente anot la solucin y se olvid. Fleming se
encontr con ese cuaderno aos mas tarde, sinti curiosidad y repiti la experiencia que result totalmente
cierta.

El estudio de este hecho olvidado por Edison y la sagacidad de Fleming que lo aplic a los receptores de radio,
fue uno de los grandes pasos de nuestra ciencia electrnica sino el ms grande de todo
s. INTRODUCCIN.

En esta ocasin no voy a abordar el tema del transistor desde el punto de vista practico, puesto que, no se trata
de fabricar uno de estos dispositivos que tanto contribuye a la exitosa tecnologa de la electrnica. Este trabajo
est dirigido a conocer las formas de conectar un transistor para que realice una funcin concreta. Son muchos
los tratados sobre transistores que usted puede encontrar el la red, todos muy bien elaborados y siguen una lnea
de estudio academica, sin duda. Este no es el caso, considero que sta es otra forma de aprender a utilizar un
transistor para una necesidad especfica.

En este artculo, voy a abordar el transistor bipolar desde la perspectiva de uno de sus estados de trabajo en
modo conmutador, con ejemplos de uso, aunque sin perder de vista que es un amplificador. Pienso que, sta es
otra forma de entender y aprender, en definitiva, a tratar un tema sobre el estudio de los transistores, para quien
le pueda interesar, eso es todo. Como veremos, en funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los
tres terminales del transistor bipolar, conseguiremos que ste entre en una regin u otra de funcionamiento.

EL TRANSISTOR BIPOLAR.

Los transistores bsicamente amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser utilizados para amplificar la pequea
corriente de salida de un circuito lgico de modo que pueda manejar una lmpara, rel u otro dispositivo de alta
corriente. Un transistor tambin puede ser utilizado como un interruptor (ya sea con corriente mxima, o
totalmente apagado sin ninguna corriente) y como un amplificador (siempre o parcialmente encendido).

A todo esto diremos que hay dos tipos de transistores bipolares estndar NPN y PNP, con sus diferentes
smbolos de circuito. Las letras (N-P) se refieren a las capas de material semiconductor que se utiliza para crear
el transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, porque este es el tipo ms
fcil de hacer a partir del silicio. Por cierto, los primeros transistores utilizaban el Germanio en lugar del Silicio,
ste es ms abundante en la naturaleza y lo hace ms econmico.

Estos son los smbolos para representarlos que, pueden estar o no, encerrados dentro de crculos. Los
transistores disponen de unos contactos o hilos conductores llamados patillas y stas se etiquetan como Base
(B), Colector (C) y Emisor (E). Estas etiquetas se refieren a nombres identificadores para describir el
comportamiento interno de un transistor, y nos son de mucha ayuda para su estudio. Como veremos, por estas
patillas circularn corrientes dependiendo lo que nos interese que haga el transistor en cada circuito.

Fig. 1

CONEXIONADO.

Como se ha dicho, los transistores tienen tres cables o terminales, los cuales permiten conectarlos en una forma
correcta. Debemos tener especial cuidado porque un transistor conectado incorrectamente llevar a daarlo al
instante de encender. Si usted tiene experiencia, la orientacin del transistor estar clara desde el diagrama o
esquema, de lo contrario tendr que consultar el catlogo de un proveedor para identificar los terminales. Los
transistores estndar estn empaquetados en distintas cpsulas dependiendo del tipo y sobre todo de la potencia,
en la imagen siguiente puede ver algunas de esas cpsulas.
 Fig. 2

La imagen de arriba, muestra las patillas para algunos de los tipos de cpsulas ms comunes. Como indica la
imagen, las patillas en los diagramas de transistor normalmente muestran la vista desde abajo con los cables
hacia usted, salvo que se diga lo contrario. En los diagramas los terminales que se muestra en un esquema,
normalmente no tiene un punto de vista real, se utilizan a modo de orientacin para su comprensin.

Los transistores pueden ser daados incluso por el excesivo calor al soldar, por lo que si usted no es un experto,
es aconsejable utilizar unas pinzas de metal sujetando la patilla (cable) y usar un soldador de potencia reducida
para evitar que se sobrecaliente durante la operacin de soldar las patillas, le aconsejo que practique. Por cierto,
los transistores y circuitos integrados son los ltimos componentes a soldar en una placa (PCB).

Fig. 3

Como he dicho, los transistores se pueden daar por el calor al soldar, otro motivo ms comn es por el uso
deficiente en un circuito. Si usted sospecha que un transistor puede estar daado, tiene dos maneras de
comprobarlo. Utilice un multmetro, una batera, una resistencia y un LED, para comprobar en cada par de
terminales en ambos sentidos si hay conduccin. Tambin puede ver este viejo artculo que usa un mtodo muy
simple. Espero que lo tenga claro, en la imagen que sigue, se equipara el transistor con dos diodos, slo para
identificar las patillas:

1) Pares de terminales.

La unin base-emisor (B-E) debe de comportarse como un diodo y conducir en un solo sentido.

La unin base-colector (B-C) debe de comportarse como un diodo y conducir en un solo sentido.

La unin colector-emisor (C-E) no debe conducir en ningn sentido.

El diagrama muestra cmo se comportan las uniones de un transistor NPN. Los diodos en un transistor PNP
estn invertidos, pero sirven los mismos Fig. 3 Pero sirven los mismos procedimientos de prueba.

2) Circuito de prueba.
 Fig. 4

El circuito de la imagen es fcil de construir. Unos pocos componentes, para probar el transistor que deseemos,
la alimentacin no es critica, desde 45V a 9V ser suficiente, lo ms importante es la resistencia de la base R 2
de 10K que se utiliza para no daar el transistor bajo prueba. Si el transistor est bien, el diodo LED slo se
iluminar al presionar el pulsador. Para comprobar un transistor PNP se puede utilizar el mismo circuito, pero
invertir la tensin de alimentacin y del diodo LED.

Actualmente los multmetros digitales tienen una funcin de prueba de diodos y transistores, que proporciona
una corriente de base conocida y mide la corriente de colector con el fin de mostrar la o ganancia de corriente
hFE del transistor.

NOMENCLATURA DE LOS TRANSISTORES.

A efectos de unificar los datos que permiten conocer los parmetros de trabajo de los distintos tipos de
semiconductores que se producen y los que ya existen, se ha ideado un sistema de codificacin compuesto por
letras y cifras, mediante los cuales es posible identificar los distintos semiconductores entre s. Normalmente
esta codificacin consiste en dos letras seguidas de unas cifras. Mediante esta nomenclatura, y siguiendo un
orden se pueden conocer los siguientes datos del semiconductor que se desea conocer:

Fig. 5

Cdigos que comienzan con B (o A), por ejemplo, BC549, BC337. Segn este cdigo:

La B es para el silicio, A es para el Germanio (que rara vez se utiliza actualmente).

La segunda letra indica el tipo; por ejemplo C significa baja frecuencia potencia de audio.

D significa una alta potencia de frecuencia de audio.

F significa baja potencia de alta frecuencia.

 El resto del cdigo N de serie, identifica el transistor en particular.

No sigue una lgica para el sistema de numeracin. A veces se aade una letra al final (por ejemplo, BC108C)
para identificar una versin especial del tipo principal, por ejemplo una mayor ganancia de corriente o un caso
diferente estilo. Si un proyecto especifica una versin de mayor ganancia (BC108C) debe ser utilizado, pero si
se le da el cdigo general (BC108) cualquier transistor con ese cdigo es adecuado.

Cdigos que empiezan con TIP (MJ), por ejemplo TIP31A, MJ109.
TIP se refiere el Fabricante: Texas Instruments o MJ Motorola, transistor de potencia. La letra al final identifica
versiones con diferentes rangos de voltaje.

Cdigos que empiezan con 2N, por ejemplo 2N3053. 2SA/B/C.

El 2N identifica un transistor americano, el resto del cdigo identifica el transistor particular. Sin lgica
evidente en numeracin. El 2SA, 2SB, 2SC, se trata de Toshiba.

Los proyectos especifican un transistor en particular, pero por lo general, se puede sustituir por un transistor
equivalente que se tenga disponible, entre una amplia gama. Las propiedades ms importantes a tener en cuenta
son, la corriente mxima de colector I C y la ganancia de corriente hFE. Para facilitar la seleccin, la mayora de
transistores se agrupan en determinadas categoras ya sea por su uso tpico o la potencia mxima.

Para tomar una decisin final, usted tendr que consultar las tablas de datos tcnicos que normalmente se
muestran en los catlogos. Los cuales contienen una gran cantidad de informacin til, aunque le pueden ser
difciles de entender si no est familiarizado con las abreviaturas utilizadas. Las siguientes tablas muestran las
caractersticas tcnicas ms importantes para algunos transistores populares, en tablas similares de catlogos y
libros de referencia, por lo general se muestran informacin adicional, pero esto es poco probable que sea til a
menos que tenga experiencia en su uso.

Fig. 6

Estructura: Muestra el tipo de transistor NPN o PNP. Las polaridades de los dos tipos son diferentes, por lo
que si usted est buscando un sustituto, ambos deben ser del mismo tipo.

Encapsulado: Hay unas columnas que muestran las potencias y cpsulas para algunos de los estilos de casos
ms comunes en la seccin de arriba. Esta informacin tambin est disponible en los catlogos de los
proveedores.

IC max.: Corriente mxima de colector.

VCE max.: Mxima tensin en la unin colector-emisor. Esta calificacin puede pasar por alto en circuitos de
baja tensin.
hFE: Esta es la ganancia de corriente (estrictamente la ganancia de corriente en CC). El valor mnimo
garantizado se da debido a que el valor real vara de un transistor a otro incluso para los del mismo tipo.
Tengamos en cuenta que, la ganancia de corriente es slo un nmero por lo que no tiene unidades.

La ganancia a menudo hace referencia a una corriente de colector IC particular, que es por lo general en el
margen medio del del transistor, por ejemplo 100 @ 20 mA es la ganancia de por lo menos 100 a 20 mA. A
veces se dan los valores mnimo y mximo. Dado que la ganancia es aproximadamente constante para diversas
corrientes, pero vara de transistor a transistor este detalle slo es realmente de inters para los expertos.

Ptot max.: Potencia total mxima que se puede desarrollar en el transistor, tenga en cuenta que se requiere un
disipador de calor para alcanzar la mxima calificacin. Esta clasificacin es importante para los transistores
que operan como amplificadores, el poder es ms o menos I C VCE. Para los transistores que operan como
conmutadores de la corriente mxima del colector (IC mx.) Es ms importante.

Categora: Muestra el uso tpico para el transistor, que es un buen punto de partida en la bsqueda de un
sustituto. Algunos catlogos pueden tener tablas separadas para las diferentes categoras, as como, una columna
de posibles equivalentes, por sus propiedades elctricas similares que sern sustitutos adecuados en la mayora
de los circuitos. Sin embargo, pueden tener un encapsulado diferente por lo que, tendremos que tener cuidado al
colocarlos en la placa de circuito.

LOS DISIPADORES DE CALOR EN TRANSISTORES.

Los transistores, debido a la corriente que fluye a travs de ellos, generan lo que se conoce por calor residual,
calor que dentro de ciertos niveles no debera ser perjudicial, no obstante, si usted encuentra que un transistor
est demasiado caliente para tocarlo, sin duda necesita un disipador de calor. El disipador de calor ayuda a
disipar (eliminar) el calor mediante la transferencia al aire circundante por conveccin. El disipador consiste en
una pieza de metal (habitualmente aluminio) de forma y dimensiones extraas que ofrecen una gran superficie
de contacto con el aire y suele estar pintado o ionizado en negro.

Fig. 7

El ndice de produccin de calor residual se denomina a la potencia trmica, P t. Por lo general, la corriente de
base IB es demasiado pequea para considerar que aporte mucho calor, por lo que la energa trmica, se
determina por la corriente de colector IC y por la tensin VCE a travs del transistor: Pt = IC VCE

El calor, no es un problema si IC es pequea o si el transistor se utiliza como un conmutador, porque cuando est
totalmente (abierto) ON la tensin VCE es casi cero. Sin embargo, los transistores de potencia utilizados en
circuitos tales como, un amplificador de audio o un controlador de velocidad de motor, estar la mayor parte del
tiempo en ON, y la tensin VCE puede ser de aproximadamente la mitad de la tensin de alimentacin, tenga
cuidado!. Estos transistores de potencia, es casi seguro que necesitarn un disipador de calor para evitar que se
sobrecaliente, en algunos casos, incluso necesitar la ayuda de un ventilador.

Fig. 8 Aislador
Los transistores de potencia por lo general tienen orificios pasa tornillos para la fijacin a los disipadores de
calor, tambin estn disponibles los disipadores de calor clip-on. Asegrese de usar el tipo correcto para su
transistor. Muchos transistores tienen cpsula metlicas que estn conectadas a uno de sus conductores, por lo
que, puede ser necesario aislar el disipador de calor del transistor. Los kits de aislamiento estn disponibles con
una hoja de mica y una funda de plstico para el tornillo. Se puede utilizar pasta conductora de calor, para
mejorar el flujo de calor desde el transistor al disipador de calor, esto es especialmente importante si se utiliza
un kit de aislamiento con pasta de silicona.

CALIFICACIONES DEL DISIPADOR DE CALOR.

Aunque el tema de los disipadores de calor parezca que est fuera de lo que es el presente artculo, no es as, ya
que los disipadores de calor tienen la misin de proteger a los transistores (al menos los de potencia) como lo es
el clculo de las corrientes y tensiones que pueden soportar. Por lo tanto, daremos un repaso a los disipadores de
calor para saber como estn clasificados por su resistencia trmica (R th) en C/W. Por ejemplo: un disipador de
calor de 2 C/W significa que (y por lo tanto, el componente unido a l), estar 2 C ms caliente que el aire
circundante por cada 1W de calor que se est disipando. Tengamos en cuenta que, una resistencia trmica
menor, significa un mejor disipador de calor.

Fig. 9 Carga

Vea la figura 9, esta es la forma en la que usted resolver la calificacin requerida del disipador de calor:

1. Calcule la energa trmica que se disipa, Pt = IC VCE En caso de duda utilizar el valor probable ms
grande de IC y asumir que VCE es la mitad de la tensin de alimentacin.
Por ejemplo, si un transistor de potencia est pasando 1A y conectado a una alimentacin de 12V, la
potencia P es de aproximadamente 1 12 = 6W.

2. Encuentre la temperatura mxima de funcionamiento (T mx) para el transistor si se puede, si no asumir

Tmx = 100 C.

3. Estime la temperatura ambiente mxima (aire circundante) (Tair). Si el disipador de calor va a ser fuera el
caso Tair = 25 C es razonable, pero si es interior ser ms alto (tal vez 40 C) que permite todo a
calentar en funcionamiento.

4. Calcular la resistencia trmica mxima (Rth) para el disipador de calor usando: Rth = (Tmax Tair)/P Con
los valores del ejemplo anterior: Rth = (100-25)/6 = 12,5 C/W.

5. Elegir un disipador de calor con una resistencia trmica que es menor que el valor calculado
anteriormente (recuerde valor ms bajo significa una mejor disipacin de calor!).
Por ejemplo 5 C/W sera una eleccin sensata para permitir un margen de seguridad. A 5 C/W
disipador de calor de disipacin de 6W tendr una diferencia de temperatura de 5 6 = 30 C de modo
que la temperatura del transistor se elevar a 25 + 30 = 55 C (con seguridad menor que el mximo de
100 C).
 6. Todo lo anterior supone que el transistor est en la misma temperatura que el disipador de calor. Esta es
una suposicin razonable si estn firmemente atornillados o unidos entre s. Sin embargo, puede que
tenga que poner una hoja de mica o similares entre ambos para proporcionar aislamiento elctrico,
entonces el transistor estar ms caliente que el disipador de calor y el clculo se hace ms difcil. Para
las hojas de mica tpicos debes restar 2 C/W del valor de la resistencia trmica (Rth) calculada en el
paso 4 anterior.

Si todo esto le parece demasiado complejo, puede intentar utilizar un disipador de calor moderadamente grande
y esperar lo mejor. Con cautela vigilar la temperatura del transistor con el dedo, si se vuelve doloroso,
inmediatamente dele al conmutador de emergencia y utilizar un disipador de calor ms grande, no lo dude. Por
ese motivo, estara bien saber la resistencia trmica.

POR QU LA RESISTENCIA TRMICA?

El trmino resistencia trmica se utiliza porque es similar a la resistencia elctrica:

1. La diferencia de temperatura a travs del disipador de calor, entre el transistor y el aire (es como en
tensin, diferencia de potencial a travs de una resistencia).

2. La potencia trmica (o tasa de calor) fluye a travs del disipador de calor del transistor al aire (es como
la corriente que fluye a travs de una resistencia).

3. De modo que: R = V/I se convierte Rth = (Tmax Tair)/Pt

4. As como usted necesita una diferencia de tensin para el paso de corriente, se necesita una diferencia de
temperatura para el flujo de calor.

Este es una visin-repaso a los principios de usabilidad del transistor, y podemos decir que est suficientemente
aclarado, sin embargo, creo que si hacemos hincapi en su aplicacin con unos sencillos circuitos, quizs el
aprendizaje se haga ms comprensible.

CIRCUITOS DE TRANSISTORES.
Corrientes del Transistor.

El siguiente diagrama muestra las dos trayectorias de la corriente a travs de un transistor. Usted puede construir
este circuito con dos LEDs estndar de 5 mm rojos y cualquier transistor de uso general de baja potencia NPN
(por ejemplo BC108, BC182 o BC548 entre otros).

Fig. 10
La pequea corriente de base controla una corriente ms grande de colector. Cuando el interruptor SW1 se
cierra, una pequea corriente fluye por la base (B) del transistor. Es suficiente para hacer brillar LED de base
D1 tenuemente. El transistor amplifica esta pequea corriente para permitir que fluya una corriente mayor a
travs de su colector (C) hacia su emisor (E). Dicha corriente de colector (C) es lo suficientemente grande para
hacer que brille el LED D2.

Cuando el interruptor est abierto, no circular la corriente de base, ni la corriente de colector, por lo que el
transistor se desconecta. Ambos LEDs estarn apagados. Por lo tanto, el transistor amplifica corriente y puede
utilizarse como un interruptor.

Esta disposicin en la que el circuito de control est en el Emisor (corriente de base I B) y el circuito de colector
Ic controlado por la corriente, se denomina modo de emisor comn. Es la disposicin ms utilizada para los
transistores NPN, por lo que, es la primera que usted debe conocer.

MODELO FUNCIONAL DE UN TRANSISTOR NPN.

El funcionamiento de un transistor es difcil de explicar y entender en trminos de su estructura interna. Es ms

til usar este modelo funcional:

Fig. 11

En la que la unin Base-Emisor se comporta como un diodo.

Una corriente de base IB fluye slo cuando el voltaje a travs de la unin Base-Emisor VBE es =< 0,7 V.

Una pequea corriente de base IB controla una gran corriente de colector Ic.

IC = hFE IB (a menos que el transistor est totalmente ON y saturado) h FE es la ganancia de corriente

(estrictamente la ganancia de corriente DC), un valor tpico para h FE es 100 (y no tiene unidades porque
es un ratio).

La resistencia Colector-Emisor RCE, est controlada por la corriente de base IB:

o Si IB = 0 y RCE = (infinito), el transistor se encuentra en corte.

o Si IB es pequea, RCE se reduce, el transistor parcialmente encendido.

o Si IB se increment RCE = 0 transistor totalmente ENcendido (saturado).

Notas adicionales:

A menudo es necesaria una resistencia en serie con la base para limitar la corriente de base I B (evitando
que el transistor se dae).
 Los transistores tienen una corriente de tasacin mxima de colector IC.

Un transistor que est totalmente ON (con RCE = 0) se dice que est saturado.

La ganancia de corriente hFE puede variar ampliamente, incluso para los transistores del mismo tipo!

Un transistor que est totalmente ENcendido (con RCE = 0) se dice que est saturado.

Cuando un transistor est saturado la VCE tensin colector-emisor se reduce a casi 0 V.

Cuando un transistor est saturado la corriente I C de colector se determina por la tensin de alimentacin
y la resistencia externa del circuito de colector, no por la ganancia de corriente del transistor. Como
resultado, la relacin IC / IB para un transistor saturado es menor que la ganancia de corriente hFE.

La corriente de emisor IE = IC + IB, pero IC es mucho mayor que IB, as que ms o menos IE = IC.

En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar, podemos
conseguir que ste entre en una regin de funcionamiento u otra. Eso lo veremos a continuacin.

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO.

El objetivo de este apartado es utilizar un mtodo de para hallar el punto de funcionamiento de circuitos con
transistores bipolares (BJT). Veremos que es la polarizacin en emisor comn, polarizar un transistor significa,
aplicar una tensin y una corriente continua al dispositivo semiconductor, para que funcione de un modo
determinado. Al conjunto de resistencias y tensiones, se le llama red de polarizacin. El transistor bipolar tiene
dos modos de trabajo:

Regin de Saturacin o Corte. Cuando el transistor se encuentra en corte, no circula corriente por ninguno de
sus terminales. Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se
cumple la condicin: IE = 0.

Regin Activa o de Amplificacin. La regin activa es la zona de funcionamiento normal del transistor. Existen
corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la
colector-base en inversa.

En general, y a efectos de clculo, se verifica lo siguiente: V BE = V <> IC = * IB, donde V es la tensin de

conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios en silicio).

Saturacin. En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la colector-base se
encuentran en polarizacin directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica slo lo siguiente:
VBE = VBE sat <> VCE = VCE sat. Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener
valores determinados (VBE sat = 0,8 y VCE sat = 0,2 voltios habitualmente).

Se ha de resaltar especialmente que, cuando el transistor se encuentra en saturacin circula tambin corriente
por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: IC = * IB

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.

Es la configuracin en la que el emisor del transistor y la fuente de tensin estn unidos en un mismo punto.
Con esta disposicin general, existen tres polarizaciones ampliamente utilizadas: polarizacin de base,
polarizacin de colector y polarizacin de emisor. Cada una de ellas con unas caractersticas bien definidas.

Polarizacin de base.

Fig. 12 Punto de trabajo del transistor

Este circuito es fcil de construir, usa pocos componentes y se polariza como interruptor. Tiene el inconveniente
que la RC depende de la a la que es sensible. Esta polarizacin se utiliza ampliamente como interruptor. No
debera utilizarse en ningn momento como amplificador de tensin. Utiliza las dos mallas de circulacin de
corriente, la del circuito de base y del colector:

VCC (RB * IB) VBE = 0 ; IB * RB = VCC VBE < 1)

VCC (RC * IC) VCE = 0 ; IC * RC = VCC VCE ; IB * = VCC VCE < 2)

Los lmites de la recta de carga nos definir un par de valores V CE-IC que fijar los posibles puntos que podr
ocupar el punto de funcionamiento del transistor.

Fig. 13

Partiendo de la formula 1, si anulamos la corriente de colector, se dice que el transistor estar trabajando en
corte, obtenemos un extremo de la recta de carga:

VCC = VCE Corte < 3)

Para obtener el otro extremos de la recta de carga, ahora anularemos la tensin V CE, el transistor esta trabajando
en saturacin:

VCC = RC * IC ; VCC = IC Sat * RC < 4)

Polarizacin de colector.
Con esta polarizacin obtiene una mayor estabilidad que en la polarizacin de base. Si la ganancia de corriente
del transistor tiende a aumentar, debido a un cambio de temperatura o sustitucin del transistor por otro de
mayor, la corriente de colector tender a aumentar tambin. Esto generar un aumento de la cada de tensin en
colector RC, o bien, una disminucin de la tensin VCE, provocando una tendencia a disminuir del valor de I B.
De esta forma se limita el aumento iterativo de IC. Debido a este hecho se dice que esta polarizacin posee, de
forma intrnseca, realimentacin negativa.

Fig. 14

La malla del circuito de colector nos ofrece el valor de la resistencia de colector:

VCC (RC * IE) VCE = 0 ; IE * RC = VCC VCE ; IB * (1 + ) = VCC VCE <5)

Podemos observar que la ganancia de corriente afecta al valor de RC, aunque debido al efecto comentado de
realimentacin negativa, no tiene tanta importancia como en la polarizacin de base.

Con la malla de base, nos queda:

VCC (RC * IE) (RB * IB) VBE = 0 ; IB * RB = VCC VBE [ RC * ( + 1) ] ; IB = VCE VBE <6)

Debemos notar que la corriente que multiplica a R C no es IC, como de costumbre, sino la suma de la corriente
que se deriva a travs de la base ms la propia de colector, es decir, IE.

Si necesitramos calcular las corrientes que circulan por esta polarizacin, en lugar de las resistencias, nos
quedaran las siguientes ecuaciones:

VCC (RC * IE) (RB * IB) VBE = VCC (RC * IB(1 + )) (RB * IB) VBE = 0 ; IB * RC(1+ ) + RB = VCC
VBE < 7)

Fig. 15 Formula [1]

Para tratar de minimizar el efecto de la ganancia de corriente y que, I C sea independiente de la del transistor,
debe cumplirse que: RC << RB /

Polarizacin de emisor.

Con esta polarizacin obtiene una mayor estabilidad que en la polarizacin de base. Si la ganancia de corriente
del transistor tiende a aumentar, debido a un cambio de temperatura o sustitucin del transistor por otro de
mayor, la corriente de colector tender a aumentar tambin. Esto generar un aumento de la cada de tensin en
colector RC, o bien, una disminucin de la tensin VCE, provocando una tendencia a disminuir del valor de I B.
De esta forma se limita el aumento iterativo de IC. Debido a este hecho se dice que esta polarizacin posee, de
forma intrnseca, realimentacin negativa.
 Fig. 16

Esta polarizacin de emisor o de cuatro resistencias, tiene una estabilidad de funcionamiento mayor que la
polarizacin de base y la de colector, debido al efecto de la realimentacin negativa y a la independencia de las
mallas de base y colector. Si la ganancia de corriente del transistor aumentase, debido a un cambio de
temperatura o sustitucin del transistor por otro de mayor, las corrientes de colector y emisor aumentarn
tambin.

Esto generar un aumento de la cada de tensin en R E. Al estar la tensin de base fijada de forma
independiente, por R1 y R2 provocar una disminucin del valor de VBE. En otras palabras, tender a llevar el
transistor ms hacia el corte que hacia la saturacin.

La polarizacin en emisor comn de un transistor NPN, como veremos, se logra mediante las adecuadas
tensiones de polarizacin. La polarizacin de un transistor en ausencia de seal de entrada, ver figura, consiste
en aplicar las tensiones calculadas a las uniones respectivas Base-Emisor (V BE) y Base-Colector (VBC) que
permitan situar al transistor en la regin de la curva de funcionamiento. De esta figura, se obtienen las
ecuaciones necesarias para resolver este tipo de polarizacin:

Las mallas del circuito son las siguientes; de base:

VCC VR1 VBE (RE * IE) = 0 ; y de colector:

VCC (RC * IC) VCE (RE * IE) = 0

Esta polarizacin es la mas estable de las tres porque, cuando el circuito est bien diseado, ste casi no se ve
afectado por el cambio en el valor de , pero para que eso ocurra se tiene que cumplir la siguiente condicin:
* RE 10 * R2, para que la base vea a RE aumentada en veces.

Luego para la malla de entrada si R2(*RE/10), a la corriente que circule por R1 le ser mas fcil ir a tierra a
travs de R2 que a travs de RE, es decir la corriente que circule por R2 ser prcticamente la misma que circule
por R1, entonces el camino formado por R1 y R2 ser un divisor de tensin, por lo tanto se tiene que cumplir: VB
= (VCC * R2) / (R1 + R2)

Con lo cual, conoceremos el valor de la tensin de base VB y puesto que VBE = VB VE = 0,7V. La tensin VE
del emisor es VE = VB 0,7 Ahora, con esto se puede hallar la corriente del emisor I E que es: IE = VE / RE si
consideramos ICIE. Entonces, IC = VE / RE por lo tanto IC = (VB 0,7) / RE

En la malla de salida, se tiene que: VCC = IC * RC + VCE + IE * RE pero hemos dicho que IEIC, entonces VCC =
IC * RC + VCE + IC * RE por lo que, despejando VCE, tenemos: VCC IC * RC + IC * RE = VCE y de aqu VCE = VCC
IC * (RC + RE) que viene a ser la ecuacin de la recta de carga para este circuito.

VALORES A CALCULAR.

Para calcular la malla de base adecuadamente, podemos utilizar el teorema de Thvenin. Tngase en cuenta que
para este circuito, la posible variacin de la corriente de base que, se producir al variar I C, desestabilizar la
rama formada por las resistencias R1 y R2. Por eso, no debemos calcular de forma independiente el valor de
tensin de la base del transistor como la simple tensin existente entre las resistencias R1 y R2.

Por lo tanto, es ms fcil, aplicar el teorema de Thvenin al punto medio de las resistencias R 1 y R2. Para ello,
sustituiremos la tensin en la base del transistor por VTh (la tensin Thvenin) equivalente y las resistencias de
R1 y R2, por su equivalente de RTh (resistencia Thvenin), es decir R 1 // R2 (es decir, R1 paralelo R2). En estas
circunstancias, el circuito equivalente Thvenin de la polarizacin de emisor, quedara ahora de la forma de la
derecha.

Fig. 17

Los valores de tensin y resistencia Thvenin los obtendramos de estas formulas:

VBE = VTh = (VCC * R2) / (R1 + R2) = cte.

RTH = R1 // R2 = (R1 * R2) / (R1 + R2)

De modo que, la malla del circuito de base queda de la siguiente forma:

VTH (RTH * IB) VBE (RE * IE) = 0

En la malla de colector, despejando, nos queda que: RC = ((VCC VCE) (RE * IE)) / IC

Si para los diseos tomamos un valor de R E varias veces superior a RTh/, el circuito ser poco sensible a los
efectos de cambio de . Tngase en cuenta que,
(1+)/ 1 para valores de 100.

Por experiencia, recomiendo elegir una R1 tal que, la corriente que circula por R 1 sea 10 veces la intensidad de
base IB, de manera que por R 2 circularn 9 veces la IB. As, la determinacin de R 2 es inmediata, y por
sustitucin, tambin el valor de R1.

R2 = VBE / 9 IB ; R1 = (VCC VBE) / 10 * IB

Se observa con el equivalente Thvenin, que en la malla de colector la I C depende del valor de IB y de . La
potencia se mantiene constante, aunque reduzca VCE.

UN EJEMPLO PRACTICO.

Fig. 18 Polarizacin fija.

Con todo lo explicado hasta ahora, ya podemos realizar un clculo de polarizacin fija. Vemos en las hojas de
datos del BC547B, que la ganancia de corriente est en 200 como valor mnimo y un dato importante en este
transistor es, la corriente de colector mxima de 100 mA.

Los datos del circuito son:

VCC = 12 V;
RC = 220 ;
RB = 68k;
= 200.

Hallar los valores de IB, IC y VCE.

Fig. 19 Curvas de carga

IB = (VCC 0,7V)/ RB = (12V-0,7V) / 68k = 0,16617 mA = 166,17 A

IC = * IB = 200 . 0,16617 mA= 33,235 mA
VCC = VCE + IC * RC => VCE = VCC IC * RC = 12V 33,235 mA . 220 =12 V 7,31 V = 4,69 V

Ahora, para trazar la recta de carga, utilizaremos la expresin : VCC = VCE + IC * RC

En este caso, los puntos de corte con los ejes sern: para
IC = 0 => VCE = VCC = 12 V y para VCE = 0 => IC = VCC / RC = 12 V / 220 = 54,54 mA

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.

Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de corte a saturacin se considera inmediato, es
decir, el transistor no permanece en la zona activa. En el estado de conmutacin, la potencia desarrollada en un
transistor de conmutacin es muy pequea. En saturacin la tensin V CE a travs del transistor es casi cero y el
transistor se dice que est saturado debido a que no puede pasar ms corriente de colector I C. El dispositivo de
salida conmutado por el transistor se suele llamar carga. Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin
son los circuitos lgicos, como los multivibradores y la bscula de Schmitt.

Fig. 20 Carga

Un transistor bipolar en conmutacin cuando esta en corte tiene su I B a cero mA. La IC es igual a la corriente de
fugas ICEO del orden de nA, si se desprecia la cada producida por la corriente de fugas la tensin V CE es igual a
VCC. El transistor bipolar en saturacin, cuando esta en esta zona la V CE es aproximadamente de 0,2 voltios, su
IC es aproximadamente igual a VCC dividido por la suma de resistencias en la malla de colector emisor. El
transistor en conmutacin se comporta como un interruptor abierto y el tiempo de conmutacin de un estado a
otro limita la frecuencia mxima de trabajo.

Regin de Corte.

Esto significa que el transistor en uso no debe calentarse y usted no necesitar considerar su potencia mxima.
Los puntos importantes en los circuitos de conmutacin son la corriente mxima de colector I C(max) y la
mnima corriente de ganancia hFE(min). El margen de voltaje del transistor puede ser ignorado a menos que
utilice una tensin de alimentacin superior a aproximadamente 15V.

Fig. 21

Utilizando el transistor anterior con los valores de: = 200, I C = 4 mA y IB = 20uA. En contra el valor de la
resistencia de Base (RB) requerida para conmutar la carga completamente ON cuando la tensin en los
terminales de entrada excede 2.5v.

RB = (Vin VBE) / IB = (2.5 0.7) / 20*10^-6 = 90K

El valor estndar siguiente ms bajo es: 82k, esto garantiza que el transistor est siempre saturado, como
interruptor.

Entonces podemos definir la regin de corte o modo OFF, cuando se utiliza un transistor bipolar como
interruptor, en esencia, ambas uniones polarizadas inversamente, VB < 0.7V e IC = 0, como se aprecia en la
figura 21. Para un transistor PNP, el potencial necesrio de Emisor ser negativo con respecto a la Base.

Regin de Saturacin.

Aqu significa que, el transistor se har de manera que se aplique la cantidad mxima de corriente de base, de
modo que, la corriente mxima de colector provoca una cada de tensin de colector-emisor mnima que,
produce el agotamiento en la capa siendo lo ms pequeo posible y la mxima corriente que fluye a travs del
transistor. Por tanto, el transistor ahora se conmuta a todo ON.

Entonces podemos definir la regin de saturacin o modo ON cuando se utiliza un transistor bipolar como
interruptor en esencia, ambas uniones polarizadas directamente, VB > 0.7V e IC = Mximo, como se aprecia en
la figura 17. Para un transistor PNP, el potencial del emisor debe ser positivo con respecto a la base.

Una vez ms utilizando los mismos valores, encontrar la corriente mnima de base requerida para encender el
transistor totalmente ON (saturado) para una carga que requiere 200mA de corriente cuando la tensin de
entrada se incrementa a 5.0V. Calcular tambin el nuevo valor de RB.

Corriente de base del transistor: IB = IC / = 200mA / 200 = 1mA

Resistencia de base del transistor: RB = (Vin VBE) / IB = (5.0 0.5V) / 1 * 10^-3 = 4K3
TRANSISTOR CONMUTADOR LGICO.

La mayora de los circuitos integrados no pueden suministrar grandes corrientes de salida, por lo que puede ser
necesario utilizar un transistor para conmutar la mayor corriente requerida por los dispositivos de salida, tales
como lmparas, motores o rels. El temporizador IC555 es inusual porque, puede suministrar una cantidad
relativamente grande de corriente de hasta 200 mA, que es suficiente para algunos dispositivos de salida, tales
como lmparas de baja corriente, zumbadores y muchas bobinas de rel sin necesidad de utilizar un transistor.

Fig. 22 Salida digital NPN

Se puede utilizar un circuito integrado con un suministro de bajo voltaje de 5V, conectado a un transistor NPN
para conmutar la corriente necesaria al dispositivo de salida, con una tensin de suministro independiente
superior. Es necesario que las dos fuentes de suministro estn unidas, normalmente esto se hace mediante la
unin de sus conexiones de tierra o masa, esto se llama masa comn.

Se utilizan los transistores NPN como conmutadores, para una amplia variedad de aplicaciones, tales como la
interconexin de dispositivos de alta tensin o corriente como ya sea ha dicho, rels, motores o lmparas de baja
tensin a la lgica digital o circuitos de puertas AND u OR. Observese que las tensiones de suministro de la
etapa digital est separada de la etapa de potencia sin embargo tienen masa comn, las masas estn unidas.

Esta es una salida de una puerta lgica digital es slo + 5v (HIGH), pero el dispositivo a controlar pueden
requerir un suministro de 12V o incluso 24V. O puede que tenga que tener su velocidad controlada utilizando la
carga, una serie de pulsos (Pulse Width Modulation), como un motor de corriente continua.

Fig. 23 Salida digital PNP

Los transistores conmutadores nos permitirn hacer esto ms rpido y ms fcilmente que con interruptores
mecnicos convencionales. Es necesaria una resistencia R B para limitar la corriente que fluye en la base del
transistor y evitar que se dae. Sin embargo, R B debe ser suficientemente baja para asegurar que el transistor
est saturado a fondo para evitar el sobrecalentamiento, esto es particularmente importante si el transistor est
conmutando una gran corriente (>100 mA). Una regla segura es hacer que la corriente de base I B
aproximadamente cinco veces mayor que el valor que justo debe saturar el transistor.

Tambin podemos utilizar los transistores PNP como un interruptor, la diferencia en este caso es que la carga
est conectado a tierra (0v) y el transistor PNP conmuta la potencia a la misma. Para activar el transistor PNP
operando como un interruptor ON, el terminal de la base est conectada a tierra o cero voltios (LOW) como
se muestra en la figura.

Las ecuaciones para el clculo de la resistencia de base, la corriente y tensiones de colector son exactamente los
mismos que para el interruptor anterior de transistor NPN. La diferencia esta vez es que estamos cambiando el
suministro (corriente de alimentacin) con un transistor PNP en lugar de conmutacin a tierra con un transistor
NPN (corriente de hundimiento).

Eleccin de un transistor NPN adecuado para utilizar con un circuito digital

El esquema del circuito de la derecha, muestra cmo conectar un transistor NPN, esto conmutar la carga
cuando la salida del CI (circuito integrado) es alta (5V). Si usted necesita la accin contraria, con la carga de
encendido cuando la salida del CI es baja (0V), por favor ver el circuito de un transistor PNP continuacin.

Fig. 24

Estos son los pasos a seguir para elegir un transistor de conmutacin adecuado.

La corriente mxima de colector IC(max) del transistor, debe ser mayor que la corriente de carga I L.
La corriente de carga IL = VS (tensin de alimentacin) / RL (resistencia de carga).

La mnima corriente de ganancia hFE(min) del transistor, debe ser al menos cinco veces la corriente de
carga IL dividida por la corriente mxima de salida del CI.
hFE(min) > 5 x IL (corriente de carga) / IC (max. corriente colector).

Elija un transistor que cumpla estos requisitos y tome nota de sus propiedades: I C(max) y hFE(min). Hay
una tabla que muestra los datos tcnicos para algunos transistores populares.

Calcular un valor aproximado para la resistencia de base RB: RB = (VC hFE) / (5 Ic) donde VC =
IC; voltaje de suministro, IC corriente del CI (en un sencillo circuito con un suministro, esto es Vs).

En un circuito simple donde el CI y carga comparten la misma fuente de suministro (V C = VS) es posible que
prefiera utilizar: RB = 0,2 RL hFE. A continuacin, seleccione el valor estndar ms cercano para la
resistencia de base.

Finalmente, recuerde que si la carga es una bobina de motor o de un rel se requiere un diodo de
proteccin.

Ejemplo: La salida de un CI series CMOS 4000, requiere un transistor para operar un rel con una bobina de
100. La tensin de alimentacin es de 6V, tanto para el CI y la carga. El CI puede suministrar una corriente
mxima IC de 5 mA.

La corriente de la carga IR =VS/RL = 6/100= 0.06A = 60mA as, el transistor debe tener IC(max) > 60mA.
 La mxima corriente del CI es 5mA, as que el transistor debe tener hFE(min) > 60 (5 60mA/5mA).

Elija un transistor de propsito general de baja potencia BC182 con IC(max) = 100mA y hFE(min) = 100.

RB = 0.2 RL hFE = 0.2 100 100 = 2000ohm. as que elija RB = 1k8 or 2k2.

La bobina de rel requiere un diodo de proteccin.

Eleccin de un transistor PNP adecuado para su uso con un CI digital.

El esquema del circuito muestra cmo conectar un transistor PNP, esto cambiar en la carga cuando la salida del
CI es baja (0 V). Si usted necesita la accin contraria, con la carga de encendido cuando la salida del CI es
elevada por favor vea el circuito para un transistor NPN arriba.

Fig. 25

El procedimiento para la eleccin de un el transistor PNP adecuado es exactamente el mismo que el de un

transistor NPN descrito anteriormente.

TRANSISTOR DARLINGTON.

Esto son dos transistores conectados entre s de manera que la corriente amplificada por el primero se amplifica
an ms por el segundo transistor. A veces la ganancia de corriente del transistor bipolar en CC es demasiado
baja para cambiar directamente la corriente de carga o tensin, por lo que se utilizan mltiples transistores de
conmutacin. Si utilizramos un pequeo transistor de entrada, se comportara como inversor y no es lo que
necesitamos, lo que queremos es un transistor de salida para conmutar ON u OFF una corriente mucho
mayor, y para maximizar la ganancia de la seal, los dos transistores estarn conectados en una configuracin
Ganancia Complementaria Compuesta o lo que es ms comnmente llamado una Configuracin Darlington,
donde el factor de amplificacin es el producto de los dos transistores individuales.

Fig. 26

Es decir, el transistor Darlington simplemente contiene dos transistores bipolares de tipo NPN o PNP
individuales conectados juntos de modo que la ganancia de corriente del primer transistor se multiplica con la
ganancia de corriente del segundo transistor, para producir un dispositivo que acta como un solo transistor con
una muy alta ganancia de corriente, con una corriente de base mucho ms pequea. La corriente de ganancia
Beta general () o el valor HFE de un dispositivo Darlington es el producto de las dos ganancias individuales de
los transistores y se da como: T = 1 * 2.

As, transistores Darlington con valores muy altas y altas corrientes de colector son posible en comparacin
con un solo transistor. El par Darlington da una muy alta ganancia de corriente, tales como 10.000, de modo que
slo se requiere una pequea corriente de base para hacer el cambio en par. Por ejemplo, si el primer transistor
de entrada tiene una ganancia de corriente de 100 y a continuacin el segundo transistor de conmutacin tiene
una ganancia de corriente de 50, la ganancia de corriente total ser de 100 x 50 = 5000.

As, por ejemplo, si nuestra corriente de carga desde arriba es 200 mA , entonces la corriente de base darlington
es slo 200 mA / 5000 = 40 uA. Una enorme reduccin desde 1mA anterior para un solo transistor. Para activar
un Darlington debe haber 0.7V a travs de ambas uniones base-emisor, estn conectados en serie en el interior
del par Darlington, por lo tanto, requiere 1.4V para para activarse.

Fig. 27

Pares Darlington estn disponibles como paquetes completos pero usted puede hacer su propia versin a partir
de dos transistores; TR1 puede ser un tipo de baja potencia, pero normalmente TR 2 tendr que ser de alta
potencia. El colector de corriente mxima IC (max) para el par es el mismo que IC (max) para TR2. Un par
Darlington es tan sensible como para responder a la pequea corriente que pasa por la piel y puede ser utilizado
para hacer un interruptor tctil como se muestra en el diagrama. Para este circuito que slo se enciende un LED
los dos transistores pueden ser cualquier transistores de baja potencia de propsito general. La resistencia
100K protege los transistores si los contactos estn vinculados con un pedazo de alambre.

En este artculo he contemplado una parte muy restringida de las posibilidades que ofrece el uso adecuado de un
transistor, en particular est dirigido al uso en aplicaciones con circuitos integrados, sobre todo a cmo aplicar
un transistor a una salida de un circuito integrado. Por supuesto que hay muchas ms aplicaciones y formas de
usar un transistor. La parte del transistor, dirigida a la amplificacin la he obviado deliberadamente en este
artculo, entiendo que al igual es merecedora de un artculo exclusivamente dedicado al sonido, pero eso lo
abordaremos en otra ocasin, si me lo permiten.

Espero haber cubierto adecuadamente un rea importante en la que utilizar un transistor dentro de unos
parmetros adecuados.

Referencias:

Transistores-de-unin-bipola
Polarizacin-transisto
Polarizaciones en cc
Nociones bsicas tran

1 Transistores-de-unin-bipolar-bjt
2 Polarizacin-transistor
3 Polarizaciones en cc de BJTs
4 Nociones bsicas transistores
5 Laboratorio electrnico.
6 Teora el transistor de unin bipolar.
Diversos tipos de encapsulados, dependiendo del uso de cada transistor.
Para cualquier duda, registrate en nuestro foro y consultanos.